TWI486109B - 元件基板之製造方法 - Google Patents

Description

元件基板之製造方法

本發明是有關於一種元件基板之製造方法，且特別是有關於一種於製程中利用不同附著力之承載件的元件基板之製造方法。

隨著顯示科技的快速發展，顯示器的使用係非常普遍。由於玻璃本身具有良好透光性及承載強度，所以目前顯示器在量產上大多採用玻璃作為基板材料。輕薄化是顯示器未來的趨勢。然而玻璃的比重較大，並且為了維持承載強度及表面平整度必須具有相當的厚度，因此在玻璃基板佔顯示器整體重量中的相當大部分。目前業界多以化學蝕刻或研磨的方式來縮減玻璃基板的厚度及重量，以使顯示器輕薄化。然而，此兩種方式往往會使產品的不良率及製造成本提高。此外，玻璃基板亦有易破碎及彎折性差的缺點。

相較之下，軟性基板不但具有可撓性、重量輕及耐衝擊的優點，且更因能直接採用較薄的基板厚度而可省去以往之薄型化的製程。因此，軟性基板的發展潛力相當地高。軟性基板材質可例如是塑膠、樹脂或其他高分子材料。然而，由於軟性基板過於柔軟(剛性低)而可能在進行搬送、夾持、儲存或清潔時承受不良的影響，例如是撞擊、壓迫、偏轉、振動、污染或靜電。此外，軟性基板的柔軟特性亦使得基板本身可能在可靠度測試中被刮傷或產生老化的現象。

再者，基於柔軟的特性，軟性基板無法單獨作為元件之基板直接進入目前多數顯示器製造廠的生產製程中，因此，軟性基板需額外地搭配例如是玻璃基板之剛性載板，以符合製程對基板彎曲度(板彎)的規範。目前作法是利用一全面黏著層將軟性基板與剛性載板貼合之後，形成例如是薄膜電晶體於塑膠基板上，再透過例如是雷射照射的加熱方式來使得玻璃基板與塑膠基板之間的黏著層界面產生熱裂解，以分離塑膠基板與玻璃基板。然而，一旦玻璃基板及塑膠基板之尺寸增加時，雷射之調控能力將大大地影響良率及產能，使得生產成本將顯著提高。

本發明係有關於一種元件基板之製造方法，其藉由承載件具有不同附著力的表面來與元件基板相互結合。如此一來，目前顯示器的製程不需大幅改變，元件基板即可由如此較簡單地過程產出，完成後的元件基板亦可經由較簡易的切割步驟後輕易地取下，因此具有成本優勢。

根據本發明，提出一種元件基板之製造方法，包括：提供一承載件，承載件具有一第一表面及一第二表面，第二表面位於第一表面之周圍；形成一材料層於承載件上，一部份之材料層係覆蓋第一表面，且另一部分之材料層係覆蓋第二表面，材料層與第二表面之附著力係大於材料層與第一表面之附著力；形成一元件於材料層上；以及沿著一切割線對該材料層進行切割，以形成一元件基板，元件基板與承載件相互分離。

根據本發明，再提出一種元件基板之製造方法，包括：提供一載板；形成一離型結構於載板，以形成一承載件，離型結構具有一第一表面且形成於載板之第二表面上，第二表面位於第一表面之周圍；形成一材料層於承載件上，一部份之材料層係覆蓋第一表面，且另一部分之材料層係覆蓋第二表面，材料層與第二表面之附著力係大於材料層與第一表面之附著力；形成一元件於材料層上；以及沿著一切割線對該材料層進行切割，以形成一元件基板，元件基板與承載件相互分離。元件基板包括離型結構。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

請參照第1圖，其繪示根據本發明一實施例之元件基板之製造方法的流程圖。

於步驟S101中，提供承載件，承載件具有第一表面及第二表面，第二表面位於第一表面之周圍。承載件包括載板，載板具有板彎量小、耐高溫且耐化學侵蝕之特性。該載板例如是玻璃基板、複合基板、金屬基板或高分子基板。

接著，於步驟S103中，形成材料層於承載件上。此材料層為可撓曲、耐高溫且耐化學侵蝕之軟性基板，例如是聚亞醯胺(Polyimide，PI)系材料。聚亞醯胺為一熱固性塑膠，常溫下為穩定之溶液型態，但經由熱固化處理後為穩定之固體型態，可耐製程之化學侵蝕。固化後聚亞醯胺之玻璃轉換溫度(glass transition temperature，Tg)約為380℃，可承受一般元件製程溫度。此外，可將光起始劑加入聚亞醯胺中，即可使用紫外光(Ultra Violet，UV)進行固化，如此可藉由微影製程定義圖案。另外，聚亞醯胺也可加入有機或無機之添加劑，調整其附著力或其他物化特性。一部份之材料層係覆蓋第一表面，且另一部分之材料層係覆蓋第二表面。材料層與第二表面之附著力係大於材料層與第一表面之附著力。第一表面與材料層之附著力，需可使元件基版與承載件之分離容易進行。另外，此處之第二表面與材料層之附著力需可避免後續之製程中會對整體之結構產生不良的影響。舉例來說，第二表面與材料層之間的附著力，必須確保於顯示元件的塗佈製程中，材料層與承載件不致劈裂(peeling)分離；另舉例來說，第二表面與材料層之間的附著力必須確保後續之製成中的化學液不會輕易地滲到材料層與承載件之間，以避免材料層與承載件在製程中脫離。

然後，於步驟S105中，形成元件於材料層上。元件可例如是主動式元件、被動式元件、觸控功能元件或彩色光阻層。步驟S105中可為目前一般顯示器製程。

接著，於步驟S107中，沿著一切割線對該材料層進行切割，以形成元件基板。切割方式例如是雷射切割、輪刀切割或沖切。該切割線環繞元件，其範圍介於該元件及該些材料層的邊界之間。此處之該些材料層的邊界，指覆蓋承載件第一表面之該部分之材料層與覆蓋承載件第二表面之另該部分之材料層的交界。接著，將元件基板與承載件相互分離。分離之方式係利用例如黏取、撕取、真空吸取或靜電吸附等物理方法，沿切割線將元件基板取下。由於該部份之材料層與另該部份之材料層係藉由步驟S107之執行而分離，因此，與第一表面附著力小之另該部份的材料層與其上之元件可輕易地一同從承載件上脫離，以形成元件基板。

以下以數個實施例來進一步說明第1圖中之流程步驟。

第一實施例

請參照第2A~2E圖，其繪示根據本發明第一實施例之元件基板之第一種製造方法的流程示意圖。第2A圖及第2B圖係對應至第1圖中之步驟S101，且第2C~2E圖係分別對應至第1圖中之步驟S103~步驟S107。以下詳細地說明。

藉由第2A圖及第2B圖中之流程所提供的承載件110具有第一表面111s1及第二表面112s2，且第二表面112s2位於第一表面111s1之周圍。

於第2A圖中，提供載板111，載板111具有第一表面111s1。

接著，於第2B圖中，形成圖案化之離型結構112於載板111之第一表面111s1上，以形成承載件110。離型結構112具有第二表面112s2。此處之離型結構112可以例如是薄膜(Thin Film)-蝕刻(Etch)製程、薄膜-微影(Lithography)-蝕刻製程、凸版印刷、網版印刷、轉印、噴墨或貼合之方式形成的圖案化層狀結構。以圖案化之離型結構112藉由薄膜-蝕刻製程來形成而言，離型材料層係先形成在載板111之第一表面111s1上。之後，擺置遮罩結構於離型材料層的上方，以至少覆蓋部份之離型材料層，且經由遮罩結構之中央開口露出另一部份之離型材料層。然後，以例如是電漿轟擊的方式移除未被遮罩結構覆蓋之離型材料層，使得剩餘的離型材料層係形成圖案化之離型結構112。另外，以圖案化之離型結構112藉由薄膜-微影-蝕刻製程來形成而言，遮罩結構及光阻需相互搭配選用。以選用負型光阻來說，在依序形成離型材料層及負型光阻於載板111之第一表面111s1上後，遮罩結構係覆蓋在不欲保留之離型材料層及負型光阻的上方，也就是說，遮罩結構係位於中央部份之負型光阻的上方。之後，進行曝光及顯影的步驟，使得被遮罩結構覆蓋的中央部份的負型光阻係溶解而露出部份的離型材料層。然後，以例如是電漿轟擊的方式移除未被負型光阻覆蓋之離型材料層，且移除負型光阻，使得剩餘的離型材料層係形成圖案化之離型結構112。以選用正型光阻來說，在依序形成離型材料層及正型光阻於載板111之第一表面111s1上後，遮罩結構係覆蓋在欲保留之離型材料層及正型光阻的上方，也就是說，遮罩結構係為具有中央開口的結構。之後，進行曝光及顯影的步驟，使得未被遮罩結構覆蓋的中央部份的正型光阻係溶解而露出部份的離型材料層。然後，以例如是電漿轟擊的方式移除未被正型光阻覆蓋之離型材料層，且移除正型光阻，使得剩餘的離型材料層係形成圖案化之離型結構112。離型結構112之材料例如是聚亞醯胺(Polyimide，PI)，或是將其混合高附著力添加劑。形成該圖案化之離型結構112不需大幅變更目前顯示器的製程方式及機構，甚至不需變更；另外，由於離型結構112之材料聚亞醯胺為目前顯示器製程常用之材料，因此成本具有優勢。

然後，於第2C圖中，形成材料層120於承載件110上。一部份之材料層120係覆蓋第一表面111s1，且另一部分之材料層120係覆蓋第二表面112s2。透過材料層120之高附著力添加劑的選用，材料層120與第二表面112s2之附著力係大於材料層120與第一表面111s1之附著力。

接著，於第2D圖中，形成元件130於材料層120上。

然後，於第2E圖中，沿著切割線B11對該材料層120進行切割，以形成元件基板100。將元件基板100與承載件110相互分離。

請參照第3A~3E圖，其繪示根據本發明第一實施例之元件基板之第二種製造方法的流程示意圖。相較於前述之離型結構112為圖案化層狀結構來說，以下係以離型結構212為圖案化微粒子集合為例說明。第3A圖及第3B圖係對應至第1圖中之步驟S101，且第3C~3E圖係分別對應至第1圖中之步驟S103~步驟S107。以下詳細地說明。

藉由第3A圖及第3B圖中之流程所提供的承載件210具有第一表面211s1及第二表面212s2，且第二表面212s2位於第一表面211s1之周圍。以下詳細地說明。

於第3A圖中，提供載板211，載板211具有第一表面211s1。

接著，於第3B圖中，形成圖案化之離型結構212於載板211之第一表面211s1上，以形成承載件210。離型結構212具有第二表面212s2。此處之離型結構212可例如是以薄膜-蝕刻製程、凸版印刷、網版印刷、轉印、噴墨或貼合之方式形成的圖案化微粒子集合，且第二表面212s2係為此些微粒子集合所構成的表面。以圖案化之離型結構212藉由薄膜-蝕刻製程來形成而言，包括微粒子集合的離型材料層係先形成在載板211之整個第一表面211s1上。之後，擺置遮罩結構於離型材料層的上方，以至少覆蓋部份之離型材料層，且經由遮罩結構之中央開口露出另一部份之離型材料層。然後，以例如是電漿轟擊的方式移除未被遮罩結構覆蓋之離型材料層，使得剩餘的離型材料層係形成圖案化之離型結構212。此些微粒子集合例如是高分子微粒混合膠材。換言之，第3B圖係可視為透過圖案化之離型結構212的形成來粗糙化載板211之一部分之第一表面211s1而形成承載件210的流程步驟。由於形成該圖案化之離型結構212不需大幅變更目前顯示器的製程方式及機構，甚至不須變更，因此成本具有優勢。

然後，於第3C圖中，形成材料層220於承載件210上。一部份之材料層220係覆蓋第一表面211s1，且另一部分之材料層220係覆蓋第二表面212s2。由於微粒子集合所形成之第二表面212s2係較第一表面211s1粗糙，因此，材料層220與第二表面212s2之附著力係大於材料層220與第一表面211s1之附著力。

接著，於第3D圖中，形成元件230於材料層220上。

然後，於第3E圖中，沿著切割線B12對該材料層220進行切割，以形成元件基板200。將元件基板200與承載件210相互分離。

第二實施例

請參照第4A~4E圖，其繪示根據本發明第二實施例之元件基板之製造方法的流程示意圖。相較於第一實施例之元件基板100之第二種製造方法，本實施例之元件基板200之製造方法係以不同的方式來粗糙化表面，以改變表面的附著力。第4A圖及第4B圖係對應至第1圖中之步驟S101，且第4C~4E圖係分別對應至第1圖中之步驟S103~步驟S107。以下詳細地說明。

藉由第4A圖及第4B圖中之流程所提供的承載件310具有第一表面311s1及第二表面311s2，且第二表面311s2位於第一表面311s1之周圍。

於第4A圖中，提供載板311，載板311具有第一表面311s1。

接著，於第4B圖中，粗糙化一部分的第一表面311s1，以形成承載件310。被粗糙化之該部份的第一表面311s1係形成第二表面311s2。粗糙化之步驟例如是透過蝕刻、研磨或噴砂的方式來進行。舉例來說，遮罩結構可置於第一表面311s1之上方，且遮蓋中央部份之第一表面311s1。之後，以例如是電漿轟擊的方式粗糙化未被遮罩結構遮蓋之第一表面311s1，以形成第二表面311s2。由於形成圖案化之粗糙化表面之步驟不需大幅變更目前顯示器的製程方式及機構，甚至不需變更，因此成本具有優勢。

然後，於第4C圖中，形成材料層320於承載件310上。一部份之材料層320係覆蓋第一表面311s1，且另一部分之材料層320係覆蓋第二表面311s2。另外，第二表面311s2係較第一表面311s1粗糙，因此，材料層320與第二表面311s2之附著力係大於材料層320與第一表面311s1之附著力。

接著，於第4D圖中，形成元件330於材料層320上。

然後，於第4E圖中，沿著切割線B2對該材料層320進行切割，以形成元件基板300。將元件基板300與承載件310相互分離。

第三實施例

請參照第5A~5E圖，其繪示根據本發明第三實施例之元件基板之製造方法的流程示意圖。相較於第一實施例之元件基板100之第一種製造方法，本實施例之離型結構412的配置位置及材料相異。第5A圖及第5B圖係對應至第1圖中之步驟S101，且第5C~5E圖係分別對應至第1圖中之步驟S103~步驟S107。以下詳細地說明。

藉由第5A圖及第5B圖中之流程所提供之承載件410具有第一表面412s1及第二表面411s2，且第二表面411s2位於第一表面412s1之周圍。

如第5A圖所示，提供載板411，載板411具有第二表面411s2。

接著，如第5B圖所示，形成圖案化之離型結構412於載板411之第二表面411s2上，以形成承載件410。離型結構412具有第一表面412s1。此處圖案化之離型結構412可以例如是薄膜-蝕刻製程、薄膜-微影-蝕刻製程、薄膜-洗邊製程、凸版印刷、網版印刷、轉印、噴墨或貼合之方式形成，且離型結構412之材料例如是脫膜劑。一般來說，為了防止成型的複合材料製品在模具上產生黏著的情況，製品與模具之間通常係施加脫模劑，以使製品可輕易地從模具中脫出。此處係利用脫膜劑作為離型結構412之材料，以讓元件基板400可輕易地與承載件410相互分離。脫膜劑可為薄膜型、溶液型、膏狀或蠟狀。薄膜型之脫膜劑可為聚酯、聚乙烯、聚氯乙烯、玻璃紙或氟塑料薄膜。溶液型之脫膜劑可為烴類、醇類、羧酸、羧酸酯、羧酸的金屬鹽、酮、酰胺和鹵代烴。膏狀及蠟狀之脫膜劑包括矽酯、HK-50耐熱油膏、汽缸油、汽油與瀝青的溶液及蠟型。

然後，如第5C圖所示，形成材料層420於承載件410上。一部份之材料層420係覆蓋第一表面412s1，且另一部分之材料層420係覆蓋第二表面411s2。另外，藉由脫膜劑作為離型結構412之材料，離型結構412與材料層420之間的附著力係減少。也就是說，材料層420與第二表面411s2之附著力係大於材料層420與第一表面412s1之附著力。

接著，於第5D圖中，形成元件430於材料層420上。

然後，於第5E圖中，沿著切割線B3對該材料層420進行切割，以形成元件基板400。將元件基板400與承載件410相互分離。

於本實施例中，若以薄膜製程形成未圖案化之離型結構，除了可利用洗邊方式產生圖案化，亦可利用第6A~6C圖之蝕刻流程步驟來形成圖案化。請參照第6A~6C圖，其繪示另一種形成圖案化之離型結構412於載板411上的流程示意圖。

於第6A圖所示，形成離型材料層700於載板411之第二表面411s2上。

於第6B圖所示，擺置遮罩結構800於離型材料層700之上方，遮罩結構800係至少覆蓋部份之離型材料層700。於本實施例中，遮罩結構800具有數個突出部810。透過夾具夾持突出部810，遮罩結構800係可位於離型材料層700的上方。

於第6C圖所示，移除未被遮罩結構覆蓋800之離型材料層700，使得剩餘之離型材料層700係形成圖案化之離型結構412。此移除步驟可以電漿轟擊方式來移除未被遮罩結構800覆蓋之離型材料層700，以形成圖案化之離型結構412。

第6A~6C圖中之步驟例如是在單一腔體中完成。遮罩結構800係透過轉動的方式來改變覆蓋離型材料層700的位置。或者，前述的步驟亦可於雙腔體中完成。當前述之步驟於雙腔體中完成時，各個腔體內之遮罩結構覆蓋離型材料層700的位置係相異，以移除未被遮罩結構覆蓋之離型材料層700來形成圖案化之離型結構412。

或者，圖案化之離型結構412亦可藉由薄膜-微影-蝕刻製程來形成。以藉由薄膜-微影-蝕刻製程來形成圖案化之離型結構412而言，遮罩結構及光阻需相互搭配選用。以選用負型光阻來說，在依序形成離型材料層及負型光阻於載板411之第二表面411s2上後，遮罩結構係覆蓋在不欲保留之離型材料層及負型光阻的上方，也就是說，遮罩結構係為具有中央開口的結構。之後，進行曝光及顯影的步驟，使得被遮罩結構覆蓋的周圍的負型光阻係溶解而露出部份的離型材料層。然後，以例如是電漿轟擊的方式移除未被負型光阻覆蓋之離型材料層，且移除負型光阻，使得剩餘的離型材料層係形成圖案化之離型結構412。以選用正型光阻來說，在依序形成離型材料層及正型光阻於載板411之第二表面411s2後，遮罩結構係覆蓋在欲保留之離型材料層及正型光阻的上方，也就是說，遮罩結構係位於中央部份之正型光阻的上方。之後，進行曝光及顯影的步驟，使得未被遮罩結構覆蓋的周圍部份的正型光阻係溶解而露出部份的離型材料層。然後，以例如是電漿轟擊之方式移除未被正型光阻覆蓋之離型材料層，且移除正型光阻，使得剩餘的離型材料層係形成圖案化之離型結構412。

本實施例形成該圖案化之離型結構412不需大幅變更目前顯示器的製程方式及機構，甚至不需變更，因此成本具有優勢。

第四實施例

請參照第7A~7F圖，其繪示根據本發明第四實施例之一種元件基板之製造方法的流程示意圖。第7A~7C圖係對應至第1圖中之步驟S101，且第7D~7F圖係分別對應至第1圖中之步驟S103~步驟S107。以下詳細地說明。

藉由第7A~7C圖中之步驟所提供之承載件510具有第一表面512s1及第二表面512s2，且第二表面512s2位於第一表面512s1之周圍。

如第7A圖所示，提供載板511。

接著，如第7B圖所示，形成第一離型結構512a於載板511上，第一離型結構512a具有第一表面512s1。此處第一離型結構512a可例如是以薄膜-蝕刻製程、薄膜-微影-蝕刻製程、凸版印刷、網版印刷、轉印、噴墨或貼合之方式形成。由於藉由薄膜-蝕刻製程以及薄膜-微影-蝕刻製程來形成圖案化之第一離型結構512a之方式係分別類似於藉由薄膜-蝕刻製程以及薄膜-微影-蝕刻製程來形成第三實施例之圖案化之離型結構412，因此，此處即不再重複說明。第一離型結構512a例如是選用重工容易及可耐高溫之膠材。重工容易之膠材係可輕易地移除，使得載板511可重複回收利用。此外，膠材具有耐高溫之特性係可避免在製程中產生氣泡或裂解的情況。重工容易及可耐高溫之膠材可例如是壓克力系膠材或矽利康(Silicone)系膠材。壓克力系膠材可為熱型態或UV型態。熱型態之壓克力系膠材於低溫時之黏著力下降，且UV型態之壓克力系膠材係在曝照特定波長時黏著力下降。此外，矽利康系膠材主要特點為重工時可以物理之方式撕除，且耐溫性佳。

然後，如第7C圖所示，形成第二離型結構512b於載板511上，以形成承載件510。第二離型結構512b具有第二表面512s2。於本實施例中，第二離型結構512b可以薄膜-蝕刻製程、薄膜-微影-蝕刻製程、凸版印刷、網版印刷、轉印、噴墨或貼合之方式形成，且第二離型結構512b例如是選用耐化性佳、耐高溫，且與載板511附著力高之材料，例如框膠(Seal)。由於藉由薄膜-蝕刻製程以及薄膜-微影-蝕刻製程來形成圖案化之第二離型結構512b之方式係分別類似於藉由薄膜-蝕刻製程以及薄膜-微影-蝕刻製程來形成第一實施例之圖案化之離型結構112，因此，此處即不再重複說明。

接著，如第7D圖所示，形成材料層520於承載件510上。於本實施例中，材料層520包括表面處理層521與基板材料層522。由於材料上的選用，表面處理層521與基板材料層522間的附著力在元件製程使兩者不至分離，而完成元件基板切割後容易將兩者分離。一部份之表面處理層521接觸第一表面512s1，且另一部分之表面處理層521接觸第二表面512s2，且基板材料層522位於表面處理層521上。換言之，基板材料層522並不會接觸到第一表面512s1及第二表面512s2。表面處理層521之材料可為第三實施例中所舉出之脫膜劑，且表面處理層521可例如是事先形成在基板材料層522上，以形成材料層520。由於材料上的選用，材料層520之表面處理層521與第二表面512s2之附著力係大於材料層520之表面處理層521與第一表面512s1之附著力。

接著，於第7E圖中，形成元件530於材料層520上。

然後，於第7F圖中，沿著切割線B4對材料層520進行切割，以形成元件基板500。將元件基板500與承載件510相互分離。

由於形成該圖案化之第一離型結構512a及該第二離型結構512b不需大幅變更目前顯示器的製程方式及機構，甚至不需變更，因此成本具有優勢。

請參照第8A~8D圖，其繪示根據本發明第四實施例之另一種元件基板之製造方法的流程示意圖。藉由類似於第7A~7C圖中之步驟所形成之承載件510’係如第8A圖所示。承載件510’具有第一表面512s1’及第二表面512s2’，且第二表面512s2’位於第一表面512s1’之周圍。

接著，如第8B圖所示，形成材料層520’於承載件510’上。一部份之材料層520’係覆蓋第一表面512s1’，且另一部分之材料層520’係覆蓋第二表面512s2’。換言之，該部份之材料層520’接觸第一表面512s1’，且另該部份之材料層520’接觸第二表面512s2’。由於材料上的選用，材料層520’與第二表面512s2’之附著力係大於材料層520’與第一表面512s1’之附著力。

接著，於第8C圖中，形成元件530’於材料層520’上。

然後，於第8D圖中，沿著切割線B4’對材料層520’進行切割，以形成元件基板500’。將元件基板500’與承載件510’相互分離。

如此一來，第8D圖中所形成之元件基板500’係可具有類似於第7F圖中之元件基板500之優點。

於上述根據第1圖中之流程圖的第一到第四實施例中，製成的元件基板係與承載件相互分離。也就是說，元件基板並未包括承載件之任何元件或結構。相較之下，下述的第五實施例的元件基板係更包括離型結構。以下進一步說明。

第五實施例

請參照第9A~9E圖及第10圖，第9A~9E圖繪示根據本發明第五實施例之元件基板之製造方法的流程示意圖，且第10圖繪示根據本發明第五實施例之元件基板之製造方法的流程圖。

如第9A圖所示，於步驟S701中，提供載板611，載板611具有第二表面611s2。

接著，如第9B圖所示，於步驟S703中，以薄膜-蝕刻製程、薄膜-微影-蝕刻製程、凸版印刷、網版印刷、轉印、噴墨或貼合方式形成圖案化之離型結構612於載板611之第二表面611s2上，以形成承載件610。由於藉由薄膜-蝕刻製程以及薄膜-微影-蝕刻製程來形成圖案化之離型結構612之方式係分別類似於藉由薄膜-蝕刻製程以及薄 膜-微影-蝕刻製程來形成第三實施例之圖案化之離型結構412，因此，此處即不再重複說明。離型結構612具有第一表面612s1，第二表面611s2位於第一表面612s1之周圍。於本實施例中，離型結構612之材料例如是聚亞醯胺(Polyimide，PI)，或是將其混合低附著力添加劑。

然後，如第9C圖所示，於步驟S705中，形成材料層620於承載件610上。材料層620之材料例如是聚亞醯胺(Polyimide，PI)混合高附著力添加劑。一部份之材料層620係覆蓋第二表面611s2，且另一部分之材料層620係覆蓋第一表面612s1。透過材料層620之高附著力添加劑之選用，材料層620與第二表面611s2之附著力係大於材料層620與第一表面612s1之附著力。第一表面612s1與材料層620之附著力，需可使元件基板620與承載件610之分離容易進行。另外，此處之第二表面611s2與材料層620之附著力需可避免後續之製程中不會對整體之結構產生不良的影響。舉例來說，第二表面611s2與材料層620之間的附著力，必須確保於元件製程中，材料層620與承載件610不致劈裂(peeling)分離；另舉例來說，第二表面611s2與材料層620之間的附著力必須確保後續之製成中的化學液不會輕易地滲到材料層620與承載件610之間，以避免材料層620與承載件610在製程中脫離。

接著，如第9D圖所示，於步驟S707中，形成元件630於材料層620上。元件630可例如是主動式元件、被動式元件、觸控功能元件或彩色光阻層。

然後，如第9E圖所示，於步驟S709中，沿著切割線B5對該材料層620進行切割，以形成元件基板600。元件基板600與承載件610相互分離，且元件基板600包括離型結構612。第9E圖中之步驟例如是透過雷射、輪刀或沖切之方式來進行切割。該切割線B5環繞元件630，其範圍介於該元件630及該些材料層620的邊界之間。另外，此處之該些材料層620的邊界之間係指該材料層覆蓋第一表面612s1的材料層620與另該部份之材料層620覆蓋第二表面611s2的材料層620之交界。

形成該圖案化之離型結構612不需大幅變更目前顯示器的製程方式及機構，甚至不需變更；另外，由於離型結構612之材料聚亞醯胺為目前顯示器製程常用之材料，因此成本具有優勢。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400、500、500’、600．．．元件基板

110、210、310、410、510、510’、610．．．承載件

111、211、311、411、511、611．．．載板

111s1、211s1、311s1、412s1、512s1、512s1’、612s1．．．第一表面

112、212、412、612．．．離型結構

112s2、212s2、311s2、411s2、512s2、512s2’、611s2．．．第二表面

120、220、320、420、520、520’、620．．．材料層

130、230、330、430、530、530’、630．．．元件

512a．．．第一離型結構

512b．．．第二離型結構

521．．．表面處理層

522．．．基板材料層

700．．．離型材料層

800．．．遮罩結構

810．．．突出部

B11、B12、B2、B3、B4、B4’、B5．．．切割線

S101~S107、S701~S709．．．流程步驟

第1圖繪示根據本發明一實施例之元件基板之製造方法的流程圖。

第2A~2E圖繪示根據本發明第一實施例之元件基板之第一種製造方法的流程示意圖。

第3A~3E圖繪示根據本發明第一實施例之元件基板之第二種製造方法的流程示意圖。

第4A~4E圖繪示根據本發明第二實施例之元件基板之製造方法的流程示意圖。

第5A~5E圖繪示根據本發明第三實施例之元件基板之製造方法的流程示意圖。

第6A~6C圖繪示另一種形成圖案化之離型結構於載板上的流程示意圖。

第7A~7F圖繪示根據本發明第四實施例之一種元件基板之製造方法的流程示意圖。

第8A~8D圖繪示根據本發明第四實施例之另一種元件基板之製造方法的流程示意圖。

第9A~9E圖繪示根據本發明第五實施例之元件基板之製造方法的流程示意圖。

第10圖繪示根據本發明第五實施例之元件基板之製造方法的流程圖。

S101~S107．．．流程步驟

Claims (4)

1. 一種元件基板之製造方法，包括：提供一載板，該載板具有該第一表面；粗糙化一部分的該第一表面，以形成一承載件，其中被粗糙化之該部份的該第一表面係形成一第二表面，該第二表面之粗糙度係大於該第一表面之粗糙度；形成一材料層於該承載件上，一部份之該材料層係覆蓋該第一表面，且另一部分之該材料層係覆蓋該第二表面，該材料層與該第二表面之附著力係大於該材料層與該第一表面之附著力；形成一元件於該材料層上；以及沿著一切割線對該材料層進行切割，以形成一元件基板，該元件基板與該承載件相互分離，該切割線環繞該元件且介於該元件及該材料層之一邊界之間，該邊界係為覆蓋該第一表面之部分之該材料層與覆蓋該承載件之另一部份之該材料層的交界，該切割線之切割深度僅至該第一表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之元件基板之製造方法，其中粗糙化之該步驟包括：形成複數個微粒子於部份之該第一表面上，使得該些微粒子係形成該第二表面。
3. 如申請專利範圍第1項所述之元件基板之製造方法，其中粗糙化之該步驟包括：蝕刻該載板之該部分的該第一表面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之元件基板之製造方 法，其中粗糙化之該步驟包括：研磨該載板之該部分的該第一表面。