WO2020098464A1 - 金属线栅偏振片的制作方法及显示面板 - Google Patents

金属线栅偏振片的制作方法及显示面板 Download PDF

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wire grid
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metal wire
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郭康
路彦辉
谷新
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京东方科技集团股份有限公司
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    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
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    • G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Definitions

  • the present disclosure relates to the field of display technology, and in particular, to a method of manufacturing a metal wire grid polarizer and a display panel.
  • Metal wire grid polarizer is a new type of polarizer technology, which is light, thin and highly integrated, and can be used in some new In-cell displays.
  • the manufacturing method of the metal wire grid polarizer has a long manufacturing period, a complicated process and low efficiency.
  • the purpose of the present disclosure is to provide a method for manufacturing a metal wire grid polarizing plate and a display panel, which can simplify the manufacturing process of the metal wire grid polarizing plate, shorten the manufacturing time, and reduce the number of etching processes, thereby improving the yield of the manufacturing process.
  • a first aspect of the present disclosure provides a method for manufacturing a metal wire grid polarizer, which includes:
  • the metal layer is transferred to the substrate to prepare the metal wire grid polarizer.
  • the forming a metal layer in the groove includes:
  • the metal wire grid structure includes the metal layer and a cover layer integrally formed with the metal layer and covering the surface of the template.
  • the transferring the metal layer to the substrate includes:
  • the metal wire grid structure is etched to etch away the cover layer between adjacent metal layers and expose the surface of the substrate, thereby manufacturing the metal wire grid polarizer.
  • the method before the covering the substrate on the covering layer, the method further includes:
  • the cover layer is thinned so that the thickness of the cover layer reaches the target thickness.
  • the target thickness is less than 30 nm.
  • the covering of the metal film on the surface of the template with the groove includes:
  • a metal thin film is covered on the release layer.
  • the material of the release layer includes a metal material or a fluorine-containing organic substance.
  • the imprinting of the metal thin film includes:
  • An imprint device is used to imprint the impact-resistant layer and the metal thin film to form the metal thin film into the metal wire grid structure.
  • the imprinting device is a laser.
  • the material of the impact-resistant layer includes graphite.
  • the covering the substrate on the cover layer and combining the metal wire grid structure with the substrate includes:
  • the substrate is covered on the cover layer, and the metal wire grid structure is combined with the substrate by using a bonding technology.
  • the material of the metal layer includes metallic aluminum or metallic silver.
  • the substrate is silicon wafer or glass.
  • a second aspect of the present disclosure provides a display panel including the metal wire grid polarizing plate manufactured by using the method for manufacturing a metal wire grid polarizing plate described in any one of the above.
  • a manufacturing method of a metal wire grid polarizing plate and a display panel provided by the present disclosure, the manufacturing method first forms a metal layer in a groove of a template, and then transfers the metal layer to a substrate, thereby manufacturing a metal wire grid polarizing plate ;
  • the nano-level wire grid structure can be etched through multiple etching processes, which can simplify the metal wire grid
  • the manufacturing process of the polarizer shortens the manufacturing time and reduces the number of etching processes, thereby improving the process yield.
  • FIG. 1 is a schematic diagram after step S2 is completed in a method for manufacturing a metal wire grid polarizing plate in the prior art
  • step S3 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizer in the prior art
  • FIG. 3 is a schematic diagram after step S4 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizer in the prior art
  • FIG. 4 is a schematic diagram after step S5 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizing plate in the prior art
  • step S6 is completed in the manufacturing method of the metal wire grid polarizing plate in the prior art
  • step S7 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizer in the prior art
  • FIG. 7 is a flowchart of a method for manufacturing a metal wire grid polarizer in an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 8 is a flowchart of step S102 in FIG. 7;
  • step S104 in FIG. 7 is a flowchart of step S104 in FIG. 7;
  • step S1022 in FIG. 8 is a flowchart of step S1022 in FIG. 8.
  • step S1024 in FIG. 8 is a flowchart of step S1024 in FIG. 8.
  • step S100 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizing plate in an embodiment of the present disclosure
  • step S10222 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizing plate in an embodiment of the present disclosure
  • step S10244 is a schematic diagram of step S10244 in the manufacturing method of the metal wire grid polarizing plate in the embodiment of the present disclosure
  • step S10244 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizer in an embodiment of the present disclosure
  • step S1041 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizer in an embodiment of the present disclosure
  • step S1042 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizer in an embodiment of the present disclosure
  • step S1044 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizer in an embodiment of the present disclosure
  • FIG. 19 is a schematic diagram after step S1046 is completed in the method for manufacturing a metal wire grid polarizing plate in an embodiment of the present disclosure.
  • substrate 2. metal aluminum layer; 2a, metal wire grid structure; 3. silicon dioxide layer; 3a, silicon dioxide pattern; 4. embossed glue; 4a, embossed glue pattern;
  • Template 10a, groove; 11, metal film; 11a, metal layer; 11b, cover layer; 12, substrate; 13, release layer; 14, impact resistant layer; 15, imprinting device.
  • the manufacturing method of the metal wire grid polarizing plate mainly adopts the application of embossing glue on the metal thin film and embossing, and finally, through multiple etching processes to etch the nano-level wire grid structure.
  • embossing glue on the metal thin film and embossing
  • multiple etching processes to etch the nano-level wire grid structure.
  • the morphology of the wire grid structure etched by this manufacturing method is poor, and problems such as collapse of the wire grid structure are likely to occur, which leads to the problem of poor polarization and transmittance of the metal wire grid polarizer.
  • the manufacturing method of the metal wire grid polarizer includes the following steps: step S1, providing a substrate 1; step S2, depositing a metal aluminum layer 2 and a silicon dioxide layer 3 on the substrate 1 in sequence, FIG. 1 shows the existing The schematic diagram after the completion of step S2 in the manufacturing method of the metal wire grid polarizer in the technology; step S3, the embossing adhesive 4 is coated on the silicon dioxide layer 3, and FIG. 2 is the manufacturing method of the metal wire grid polarizer in the prior art The schematic diagram after completing step S3 in step; step S4, performing nano-imprinting on the imprinted glue 4 to form an imprinted glue pattern 4a.
  • FIG. 1 shows the existing The schematic diagram after the completion of step S2 in the manufacturing method of the metal wire grid polarizer in the technology; step S3, the embossing adhesive 4 is coated on the silicon dioxide layer 3, and FIG. 2 is the manufacturing method of the metal wire grid polarizer in the prior art
  • FIG. 3 shows the method of manufacturing a metal wire grid polarizer in the prior art after completing step S4 Schematic diagram; Step S5.
  • the embossed glue pattern 4a is used as an etching mask to etch the silicon dioxide layer 3 to form the silicon dioxide pattern 3a.
  • FIG. 4 is a manufacturing method of a metal wire grid polarizer in the prior art
  • the schematic diagram after step S5 is completed in step S6; step S6, the silicon dioxide pattern 3a is used as an etching mask to etch the metal aluminum layer 2 to form an intermediate pattern, which generally includes the metal wire grid structure 2a and the residual The silicon dioxide pattern 3a on the metal wire grid structure 2a, FIG.
  • step S6 is completed in the manufacturing method of the metal wire grid polarizer in the prior art
  • step S7 the intermediate pattern is etched to remove the residual The silicon dioxide pattern 3a on the metal wire grid structure 2a to produce a metal wire grid polarizer.
  • FIG. 6 is a schematic diagram after step S7 is completed in a method for manufacturing a metal wire grid polarizer in the prior art.
  • the manufacturing method of the metal wire grid polarizer mainly adopts the application of the imprinting adhesive 4 on the metal aluminum layer 2 and imprinting, and then through multiple etching processes to etch the nano-level metal wire grid structure 2a.
  • FIGS. 4 to 6 residual and uneven etching are likely to occur during the etching process, so that the verticality and uniformity of the etched metal wire grid structure 2a are poor, as shown in FIG. 6
  • FIG. 6 This shows that it is easy to cause the metal wire grid polarizer to have a poor polarization degree and transmittance; in addition, the manufacturing method has a long manufacturing period, complicated process and low efficiency.
  • the embodiments of the present disclosure provide a method for manufacturing a metal wire grid polarizer.
  • the metal wire grid polarizer can be applied to a display panel, which can be a liquid crystal display panel or an OLED ( Organic Light-Emitting Diode display panel.
  • a display panel which can be a liquid crystal display panel or an OLED ( Organic Light-Emitting Diode display panel.
  • the manufacturing method of the metal wire grid polarizing plate in this embodiment may include:
  • Step S100 providing a template with a groove
  • Step S102 forming a metal layer in the groove
  • Step S104 Transfer the metal layer to the substrate to obtain a metal wire grid polarizer.
  • a metal wire grid polarizer is produced by forming a metal layer in the groove of the template first, and then transferring the metal layer to the substrate; The film is coated with embossing glue and embossed, and then through multiple etching processes to etch out the nano-level wire grid structure manufacturing method, reducing the number of etching processes, thereby reducing the occurrence of residues and etching
  • the uniform condition can ensure the verticality and uniformity of the metal wire grid structure, alleviate the poor polarization degree and transmittance of the metal wire grid polarizer, and then improve the process yield of the metal wire grid polarizer.
  • this embodiment simplifies the manufacturing process of the metal wire grid polarizing plate, thereby shortening the manufacturing time and improving the manufacturing efficiency.
  • step S100 a template 10 having a groove 10a is provided.
  • the template 10 may be made of materials such as silicon dioxide and polyethylene, but is not limited thereto.
  • the surface of the template 10 has a plurality of grooves 10a arranged at intervals.
  • the grooves 10a may be processed by hot pressing, but not limited to this, and may also be processed by an etching process.
  • forming a metal layer 11 a in the groove 10 a may specifically include:
  • Step S1022 the metal film 11 is covered on the surface of the template 10 having the groove 10a;
  • Step S1024 Imprinting the metal thin film 11 to form a metal wire grid structure including the aforementioned metal layer 11a formed in the groove 10a and integrally formed with the metal layer 11a and covering the template 10 The surface of the cover layer 11b.
  • the metal film 11 is partially filled in the groove 10a by using the imprint technique to form the metal layer 11a, which can reduce the difficulty and cost of manufacturing the metal layer 11a.
  • step S104 the metal layer 11 a is transferred to the substrate 12 to obtain a metal wire grid polarizer, which may specifically include:
  • Step S1042 covering the substrate 12 on the cover layer 11b of the metal wire grid structure, and combining the metal wire grid structure with the substrate 12;
  • Step S1044 separating the metal wire grid structure combined with the substrate 12 from the template 10;
  • Step S1046 The cover layer 11b on the substrate 12 is etched to expose the surface of the substrate 12, and a metal wire grid polarizing plate is manufactured.
  • the metal film 11 may be placed on the template 10 having the groove 10a; then the metal film 11 may be embossed to form a metal wire grid structure; then the metal wire grid structure may be covered The substrate 11 is covered on the layer 11b, and the metal wire grid structure is transferred onto the substrate 12; finally, the metal wire grid structure transferred onto the substrate 12 is separated from the template 10; and the cover layer 11b on the substrate 12 is etched to The surface of the substrate 12 is exposed, thereby producing a metal wire grid polarizing plate.
  • the metal wire grid polarizer can not only be manufactured by the foregoing embodiments, but also can use a physical sputtering (Sputter) process to directly fill the metal material into the groove of the template to form a metal layer, and then the metal layer Combined with the substrate, and finally the metal layer bonded to the substrate is separated from the template, that is, the metal layer is transferred to the substrate, thereby producing a metal wire grid polarizer.
  • Sputter physical sputtering
  • the surface of the template 10 having the groove 10a is covered with the metal thin film 11.
  • the thickness of the metal thin film 11 may be between several hundred nanometers and several micrometers, but it is not limited thereto.
  • the metal thin film 11 may include metal aluminum or metal silver, that is, the aforementioned metal layer 11a layer and cover layer 11b may include metal aluminum or metal silver, but not limited thereto, and may also include other metals with good ductility Materials, such as gold materials and nickel materials.
  • the metal thin film 11 in this embodiment is made of a metal material with good ductility, which can prevent the metal thin film 11 from being broken during the subsequent imprinting process, thereby ensuring the integrity of the metal thin film 11.
  • step S1022 may specifically include:
  • Step S10222 depositing a release layer 13 on the surface of the template 10 having the groove 10a, as shown in FIG. 13;
  • Step S10224 the metal film 11 is covered on the release layer 13, as shown in FIG. 14.
  • the material of the release layer 13 may include a metal material or a fluorine-containing organic substance, that is, the release layer 13 may be made of a metal material or a fluorine-containing organic substance, but it is not limited to this, and may also be used Made of other anti-sticking materials. It should be noted that the metal material may be metallic silver, but it is not limited thereto.
  • the template 10 can also be made directly of a release material, which can omit the step of depositing the release layer 13 on the template 10, thereby
  • the manufacturing process of the metal wire grid polarizing plate is further simplified, the manufacturing time is shortened, and the manufacturing efficiency is improved.
  • step S1024 the metal thin film 11 is imprinted to form a metal wire grid structure including the aforementioned metal layer 11a formed in the groove 10a and integrally formed and covered with the metal layer 11a The cover layer 11b on the surface of the template 10.
  • the imprinting device 15 may be used to press the metal film 11.
  • the imprinting device 15 may also make the metal film 11 in a molten state, thereby making The metal thin film 11 has a certain fluidity and can flow into the groove 10a, so as to form the metal layer 11a when the imprinting device 15 is pressed.
  • a cover layer 11b with a certain thickness will remain to cover the surface of the template 10, as shown in FIG. 15.
  • the metal layer 11a and the cover layer 11b have an integrated molding structure, and the integrated molding structure may be referred to as a metal wire grid structure.
  • the imprinting device 15 may be a laser that emits a laser beam to make the metal thin film 11 in a molten state, so that the metal thin film 11 flows into the groove 10a to form a metal layer 11a.
  • the melting time of the metal thin film 11 can be shortened, thereby improving the manufacturing efficiency.
  • step S1024 may include:
  • Step S10242 covering the surface of the metal thin film 11 with the impact-resistant layer 14, as shown in FIG. 14;
  • Step S10244 The imprinting device 15 is used to imprint the impact-resistant layer 14 and the metal thin film 11 to form the metal thin film 11 into a metal wire grid structure, as shown in FIG. 15.
  • the surface of the metal thin film 11 is covered with the impact resistant layer 14 first, and then the impact resistant layer 14 and the metal thin film 11 are sequentially imprinted by the imprinting device 15 to form the metal thin film 11 into a metal wire grid structure
  • the imprinting device 15 directly imprints the metal thin film 11, thereby destroying the characteristics of the metal thin film 11, thereby improving the process yield of the metal wire grid structure.
  • the impact-resistant layer 14 is removed using a conventional peeling process.
  • the material of the impact-resistant layer 14 may include graphite, that is to say, the impact-resistant layer 14 may be made of graphite material, but it is not limited thereto, and may also be made of other impact-resistant materials.
  • step S1042 the substrate 12 is covered on the cover layer 11b of the metal wire grid structure, and the metal wire grid structure and the substrate 12 are bonded together, as shown in FIG. 17.
  • the substrate 12 may be silicon wafer or glass, but it is not limited to this, and may also be made of other materials.
  • the substrate 12 can be covered on the cover layer 11b first, and then the bonding technology is used to transfer the metal wire grid structure to the substrate 12, which can improve the stability of the combination of the metal wire grid structure and the substrate 12 to facilitate the overall Demoulding.
  • Bonding techniques such as eutectic bonding, electrostatic bonding, and direct bonding can be used to transfer the metal wire grid structure to the substrate 12.
  • metal wire grid structure and the substrate 12 can be combined not only by bonding technology but also by bonding and other technologies, depending on the specific situation.
  • step S1044 the metal wire grid structure combined with the substrate 12 is separated from the template 10. That is, the mold release process of the metal wire grid structure and the substrate 12 is completed. At this time, the resulting structure may be referred to as an intermediate structure.
  • the intermediate structure includes the substrate 12 and the metal wire grid structure formed on the substrate 12, as shown in FIG. 18 .
  • step S1046 the metal wire grid structure is etched to etch away the cover layer 11b between the adjacent metal layers 11a and expose the surface of the substrate 12, to obtain a metal wire grid polarizer, as shown in FIG. 19 Show.
  • the metal wire grid structure may be etched using dry etching technology to etch away a portion of the cover layer 11b between adjacent metal layers 11a, so that the surface of the substrate 12 corresponding to the portion is exposed To produce a metal wire grid polarizer.
  • the method before covering the substrate 12 on the covering layer 11b, the method further includes:
  • Step S1041 Perform a thinning process on the cover layer 11b to make the thickness of the cover layer 11b reach the target thickness, as shown in FIG. 16, so as to ensure that the overall thickness of the metal wire grid structure meets the requirements, and chemical mechanical polishing (CMP) technology can be used
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the coating layer 11b may be thinned, or the coating layer 11b may be thinned using other methods such as dry polishing and electrochemical corrosion.
  • the thickness uniformity of the cover layer 11b can also be ensured, which can alleviate the situation of excessive etching or incomplete etching during subsequent etching of the cover layer 11b, and improve the metal wire grid polarizer. Process yield.
  • the aforementioned target thickness is less than 30 nm, which can reduce the difficulty of subsequent etching and improve etching uniformity.
  • an embodiment of the present disclosure also provides a display panel, which includes the metal wire grid polarizing plate manufactured by using the manufacturing method of the metal wire grid polarizing plate of any of the above embodiments.
  • the display panel may be a liquid crystal display panel or an OLED display panel. This display panel can be used in mobile phones, computers and other displays.

Abstract

公开了一种金属线栅偏振片的制作方法及显示面板，涉及显示技术领域。金属线栅偏振片的制作方法包括：提供一具有凹槽（10a）的模板（10）；在凹槽（10a）中形成金属层（11a）；将金属层（11a）转移到基板（12）上，制得金属线栅偏振片。能够简化金属线栅偏振片的制作流程，缩短制作时间，减少刻蚀工艺的次数，从而能够提升制程良率。

Description

金属线栅偏振片的制作方法及显示面板
交叉引用
本申请要求于2018年11月16日提交的申请号为201811368479.9的中国专利申请的优先权，该中国专利申请的全部内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种金属线栅偏振片的制作方法及显示面板。
背景技术
金属线栅偏振片(WGP)是一种新型的偏振片技术，具有轻薄、集成度高，可以应用在一些新型的In-cell pol显示器内。但是金属线栅偏振片制作方法制作周期长、工艺复杂、效率低。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种金属线栅偏振片的制作方法及显示面板，能够简化金属线栅偏振片的制作流程，缩短制作时间，减少刻蚀工艺的次数，从而能够提升制程良率。
本公开第一方面提供了一种金属线栅偏振片的制作方法，其包括：
提供一具有凹槽的模板；
在所述凹槽中形成金属层；
将所述金属层转移到基板上，以制得所述金属线栅偏振片。
在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述凹槽中形成金属层，包括：
在所述模板具有所述凹槽的表面上覆盖金属薄膜；
对所述金属薄膜进行压印处理，以形成金属线栅结构，所述金属线栅结构包括所述金属层及与所述金属层一体成型并覆盖所述模板的表面的覆盖层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述将所述金属层转移至基板上，包括：
在所述覆盖层上覆盖基板，并使所述金属线栅结构与所述基板结合在一起；
将与所述基板结合在一起的所述金属线栅结构与所述模板分离；
对所述金属线栅结构进行刻蚀，以将位于相邻所述金属层之间的覆盖层刻蚀掉并露出所述基板的表面，制得所述金属线栅偏振片。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述在所述覆盖层上覆盖基板之前，还包括：
对所述覆盖层进行减薄处理，以使所述覆盖层的厚度达到目标厚度。
在本公开的一种示例性实施例中，所述目标厚度小于30nm。
在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述模板具有所述凹槽的表面上覆盖金属薄膜，包括：
在所述模板具有凹槽的表面上沉积离型层；
在所述离型层上覆盖金属薄膜。
在本公开的一种示例性实施例中，所述离型层的材料包括金属材料或含氟的有机物。
在本公开的一种示例性实施例中，所述对所述金属薄膜进行压印处理，包括：
在所述金属薄膜的表面上覆盖耐冲击层；
采用压印装置压印所述耐冲击层及所述金属薄膜，以使所述金属薄膜形成为所述金属线栅结构。
在本公开的一种示例性实施例中，所述压印装置为激光器。
在本公开的一种示例性实施例中，所述耐冲击层的材料包括石墨。
在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述覆盖层上覆盖基板，并使所述金属线栅结构与所述基板结合在一起，包括：
在所述覆盖层上覆盖基板，并采用键合技术使得所述金属线栅结构与所述基板结合在一起。
在本公开的一种示例性实施例中，所述金属层的材料包括金属铝或金属银。
在本公开的一种示例性实施例中，所述基板为硅片或玻璃。
本公开第二方面提供一种显示面板，其包括采用上述任一项所述的金属线栅偏振片的制作方法制作而成的金属线栅偏振片。
本公开提供的技术方案可以达到以下有益效果：
本公开所提供的金属线栅偏振片的制作方法及显示面板，该制作方法先通过在模板的凹槽中形成金属层，然后再将金属层转移到基板上，从而制得金属线栅偏振片；这样制作相比于现有技术中提到的在金属薄膜上涂敷压印胶并进行压印，然后通过多次刻蚀工艺以刻蚀出纳米级别的线栅结构，能够简化金属线栅偏振片的制作流程，缩短制作时间，减少刻蚀工艺的次数，从而能够提升制程良率。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S2之后的示意图；
图2为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S3之后的示意图；
图3为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S4之后的示意图；
图4为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S5之后 的示意图；
图5为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S6之后的示意图；
图6为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S7之后的示意图；
图7为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法的流程图；
图8为图7中步骤S102的流程图；
图9为图7中步骤S104的流程图；
图10为图8中步骤S1022的流程图；
图11为图8中步骤S1024的流程图；
图12为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S100之后的示意图；
图13为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S10222之后的示意图；
图14为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中进行步骤S10244的示意图；
图15为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S10244之后的示意图；
图16为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S1041之后的示意图；
图17为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S1042之后的示意图；
图18为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S1044之后的示意图；
图19为本公开实施例中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S1046之后的示意图。
附图标记说明：
图1至图6中：
1、基板；2、金属铝层；2a、金属线栅结构；3、二氧化硅层；3a、 二氧化硅图案；4、压印胶；4a、压印胶图案；
图12至图19中：
10、模板；10a、凹槽；11、金属薄膜；11a、金属层；11b、覆盖层；12、基板；13、离型层；14、耐冲击层；15、压印装置。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
现有技术中，金属线栅偏振片的制作方法主要采用在金属薄膜上涂敷压印胶并进行压印，最后通过多次刻蚀工艺以刻蚀出纳米级别的线栅结构。但此制作方法刻蚀出的线栅结构形貌均一性较差，易出现线栅结构塌陷等问题，从而导致金属线栅偏振片出现偏振度和透过率较差的问题。
现有技术中，金属线栅偏振片的制作方法包括如下步骤：步骤S1、提供一基板1；步骤S2、在基板1上依次沉积金属铝层2和二氧化硅层3，图1为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S2之后的 示意图；步骤S3、在二氧化硅层3上涂覆压印胶4，图2为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S3之后的示意图；步骤S4、对压印胶4进行纳米压印，以形成压印胶图案4a，图3为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S4之后的示意图；步骤S5、采用压印胶图案4a作为刻蚀掩膜以对二氧化硅层3进行刻蚀，以形成二氧化硅图案3a，图4为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S5之后的示意图；步骤S6、采用二氧化硅图案3a作为刻蚀掩膜以对金属铝层2进行刻蚀，以形成中间图案，该中间图案通常包括金属线栅结构2a和残留在金属线栅结构2a上的二氧化硅图案3a，图5为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S6之后的示意图；步骤S7、对中间图案进行刻蚀，以去除残留在金属线栅结构2a上的二氧化硅图案3a，从而制得金属线栅偏振片，图6为现有技术中金属线栅偏振片的制作方法中完成步骤S7之后的示意图。
从上述可知，金属线栅偏振片的制作方法主要采用在金属铝层2上涂敷压印胶4并进行压印，然后再通过多次刻蚀工艺以刻蚀出纳米级别的金属线栅结构2a。但如图4至图6所示，在刻蚀过程中容易出现残留、刻蚀不均的情况，从而使得刻蚀出的金属线栅结构2a的垂直度和均一性较差，如图6所示，继而容易导致金属线栅偏振片出现偏振度和透过率较差的情况；此外，该制作方法制作周期长、工艺复杂、效率低。
为解决上述技术问题，本公开实施例提供了一种金属线栅偏振片的制作方法，此金属线栅偏振片可应用于显示面板中，该显示面板可为液晶显示面板，也可为OLED(Organic Light-Emitting Diode；有机发光二极管)显示面板。如图7所示，本实施例中的金属线栅偏振片的制作方法可包括：
步骤S100、提供一具有凹槽的模板；
步骤S102、在凹槽中形成金属层；
步骤S104、将金属层转移到基板上，以制得金属线栅偏振片。
本实施例中，先通过在模板的凹槽中形成金属层，然后再将金属层转移到基板上，从而制得金属线栅偏振片；这样制作相比于现有技术中 提到的在金属薄膜上涂敷压印胶并进行压印，然后通过多次刻蚀工艺以刻蚀出纳米级别的线栅结构的制作方法，减少了刻蚀工艺的次数，从而可降低出现残留和刻蚀不均的情况，能够保证金属线栅结构的垂直度和均一性，缓解了金属线栅偏振片出现偏振度和透过率较差的情况，继而提高了金属线栅偏振片的制程良率。此外，本实施例简化了金属线栅偏振片的制作流程，从而缩短了制作时间，提高了制作效率。
下面结合附图对本实施例中的金属线栅偏振片的制作方法进行具体阐述。
如图7和图12所示，在步骤S100中，提供一具有凹槽10a的模板10。
举例而言，模板10可采用二氧化硅、聚乙烯等材料制作而成，但不限于此。此模板10一表面具有多个间隔排布的凹槽10a，该凹槽10a可采用热压加工而成，但不限于此，也可采用刻蚀工艺加工而成。
如图7、图8、图14和图15所示，在步骤S102中，在凹槽10a中形成金属层11a，可具体包括：
步骤S1022、在模板10具有凹槽10a的表面上覆盖金属薄膜11；
步骤S1024、对金属薄膜11进行压印处理，以形成金属线栅结构，该金属线栅结构包括前述提到的形成在凹槽10a中的金属层11a及与金属层11a一体成型并覆盖模板10的表面的覆盖层11b。
本实施例中，采用压印技术使金属薄膜11的部分填充在凹槽10a内，以形成金属层11a，这样可降低金属层11a的制作难度及制作成本。
如图7、图9及图16至图19所示，在步骤S104中，将金属层11a转移到基板12上，以制得金属线栅偏振片，可具体包括：
步骤S1042、在金属线栅结构的覆盖层11b上覆盖基板12，并使金属线栅结构与基板12结合在一起；
步骤S1044、将与基板12结合在一起的金属线栅结构与模板10分离；
步骤S1046、对基板12上的覆盖层11b进行刻蚀，以露出基板12的表面，制得金属线栅偏振片。
由前述可知，本实施例中可先通过在具有凹槽10a的模板10上放置金属薄膜11；再对金属薄膜11进行压印处理，以形成金属线栅结构；然后在金属线栅结构的覆盖层11b上覆盖基板12，并使金属线栅结构转移至基板12上；最后将转移至基板12上的金属线栅结构与模板10分离；并对基板12上的覆盖层11b进行刻蚀，以露出基板12的表面，从而制得金属线栅偏振片。
需要说明的是，金属线栅偏振片不仅可采用前述实施例制作而成，还可采用物理溅射(Sputter)工艺直接将金属材料填充在模板的凹槽内以形成金属层，然后将金属层与基板结合在一起，最后将结合在基板上的金属层与模板分离，即：完成金属层转移到基板上，从而制得金属线栅偏振片。
举例而言，前述提到在步骤S1022中，在模板10具有凹槽10a的表面上覆盖金属薄膜11。其中，此金属薄膜11的厚度可在几百纳米至若干微米之间，但不限于此。且金属薄膜11可包括金属铝或金属银，即：前述提到的金属层11a层和覆盖层11b可包括金属铝或金属银，但不限于此，也可包括其它具有良好的延展性的金属材料，例如：金材料、镍材料等。
本实施例中的金属薄膜11采用具有良好的延展性的金属材料制作而成，这样可防止金属薄膜11在后续压印处理过程中出现断裂的情况，从而保证了金属薄膜11的完整性。
其中，如图10所示，步骤S1022，可具体包括：
步骤S10222，在模板10具有凹槽10a的表面上沉积离型层13，如图13所示；
步骤S10224、在离型层13上覆盖金属薄膜11，如图14所示。
本实施例中，通过先在模板10具有凹槽10a的表面上沉积离型层13，然后再在离型层13上覆盖金属薄膜11，这样可缓解金属薄膜11在后续压印处理过程中粘接在模板10上的情况，从而便于后续脱模。
举例而言，此离型层13的材料可包括金属材料或含氟的有机物，也就是说，离型层13可采用金属材料或含氟的有机物制作而成，但不限于 此，也可采用其它防粘材料制作而成。需要说明的是，此金属材料可为金属银，但不限于此。
此外，为了缓解金属薄膜11在后续压印处理过程中粘接在模板10上，还可使模板10直接采用防粘材料制成，这样可省略在模板10上沉积离型层13的步骤，从而进一步简化金属线栅偏振片的制作流程，缩短制作时间，提高了制作效率。
在步骤S1024中，对金属薄膜11进行压印处理，以形成金属线栅结构，该金属线栅结构包括前述提到的形成在凹槽10a中的金属层11a及与金属层11a一体成型并覆盖模板10的表面的覆盖层11b。
具体地，如图14所示，可采用压印装置15压紧金属薄膜11，在压印装置15压紧金属薄膜11时，该压印装置15还可使金属薄膜11处于熔融状态，从而使得金属薄膜11具有一定的流动性，能够流动至凹槽10a内，以便在压印装置15压紧的情况下，形成金属层11a。此外，经过压紧处理后，还会剩余一定厚度的覆盖层11b覆盖模板10的表面，如图15所示。需要说明的是，该金属层11a与覆盖层11b为一体成型结构，该一体成型结构可称作金属线栅结构。
举例而言，此压印装置15可为激光器，该激光器发射的激光束可使金属薄膜11处于熔融状态，以便于金属薄膜11流动至凹槽10a内形成金属层11a。
本实施例中，通过采用激光器作为压印装置15可缩短金属薄膜11熔融的时间，从而提高制作效率。
其中，如图11所示，步骤S1024，可包括：
步骤S10242、在金属薄膜11的表面上覆盖耐冲击层14，如图14所示；
步骤S10244、采用压印装置15压印耐冲击层14及金属薄膜11，以使金属薄膜11形成为金属线栅结构，如图15所示。
本实施例中，通过先在金属薄膜11的表面上覆盖耐冲击层14，然后再采用压印装置15依次压印耐冲击层14及金属薄膜11，以使金属薄膜11形成为金属线栅结构，这样可缓解压印装置15直接压印金属薄膜 11，从而破坏金属薄膜11的特性的情况，继而提高了金属线栅结构的制程良率。在压印完成之后，采用常规的剥离工艺去除耐冲击层14。
举例而言，此耐冲击层14的材料可包括石墨，也就是说，耐冲击层14可采用石墨材料制作而成，但不限于此，也可采用其他耐冲击材料制作而成。
在步骤S1042中，在金属线栅结构的覆盖层11b上覆盖基板12，并使金属线栅结构与基板12结合在一起，如图17所示。
其中，此基板12可为硅片或玻璃，但不限于此，也可采用其他材料制作而成。
举例而言，可先将基板12覆盖在覆盖层11b上，然后采用键合技术以使金属线栅结构转移至基板12上，这样可提高金属线栅结构与基板12结合的稳定性，便于整体脱模。可以采用共熔键合、静电键合、直接键合等键合技术使金属线栅结构转移至基板12上。
需要说明的是，金属线栅结构与基板12不仅仅可以通过键合技术结合在一起，也可采用粘接等技术结合在一起，视具体情况而定。
在步骤S1044中，将与基板12结合在一起的金属线栅结构与模板10分离。即：完成金属线栅结构和基板12的脱模过程，此时，得到的结构可称作中间结构，此中间结构包括基板12和形成在基板12上的金属线栅结构，如图18所示。
在步骤S1046中，对金属线栅结构进行刻蚀，以将位于相邻金属层11a之间的覆盖层11b刻蚀掉并露出基板12的表面，制得金属线栅偏振片，如图19所示。
举例而言，可采用干刻技术对金属线栅结构进行刻蚀，以将覆盖层11b上位于相邻金属层11a之间的部分刻蚀掉，使得与该部分相对应的基板12的表面露出，从而制得金属线栅偏振片。
在本公开的一种示例性实施例中，在覆盖层11b上覆盖基板12之前，还包括：
步骤S1041、对覆盖层11b进行减薄处理，以使覆盖层11b的厚度达到目标厚度，如图16所示，从而保证金属线栅结构整体的厚度满足要 求，可以采用化学机械抛光(CMP)技术对覆盖层11b进行减薄处理，也可以采用干式抛光、电化学腐蚀等其他方式对覆盖层11b进行减薄处理。此外，通过对覆盖层11b进行减薄处理，还可保证覆盖层11b的厚度均匀性，从而可缓解后续蚀刻覆盖层11b时出现蚀刻过度或蚀刻不彻底的情况，提高了金属线栅偏振片的制程良率。
可选地，前述提到的目标厚度小于30nm，这样可降低后续蚀刻难度，改善蚀刻均匀性。
此外，本公开实施例还提供了一种显示面板，其包括采用上述任一实施例的金属线栅偏振片的制作方法制作而成的金属线栅偏振片。其中，此显示面板可为液晶显示面板，也可为OLED显示面板。此显示面板可应用于手机、电脑等显示器中。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (13)

  1. 一种金属线栅偏振片的制作方法，包括：
    提供一具有凹槽的模板；
    在所述凹槽中形成金属层，包括在所述模板具有所述凹槽的表面上覆盖金属薄膜，对所述金属薄膜进行压印处理，使得所述金属薄膜填充所述凹槽以形成金属线栅结构，所述金属线栅结构包括在所述凹槽中形成的所述金属层及与所述金属层一体成型并覆盖所述模板的表面的覆盖层；
    将所述金属层转移到基板上，以制得所述金属线栅偏振片。
  2. 根据权利要求1所述的制作方法，所述对所述金属薄膜进行压印处理，包括：
    在所述金属薄膜的表面上覆盖耐冲击层；
    采用压印装置压印所述耐冲击层及所述金属薄膜，使得所述金属薄膜填充所述凹槽以使所述金属薄膜形成为所述金属线栅结构。
  3. 根据权利要求1或2所述的制作方法，所述将所述金属层转移至基板上，包括：
    在所述覆盖层上覆盖基板，并使所述金属线栅结构与所述基板结合在一起；
    将与所述基板结合在一起的所述金属线栅结构与所述模板分离；
    对所述金属线栅结构进行刻蚀，以将位于相邻所述金属层之间的覆盖层刻蚀掉并露出所述基板的表面，制得所述金属线栅偏振片。
  4. 根据权利要求3所述的制作方法，在所述覆盖层上覆盖基板之前，还包括：
    对所述覆盖层进行减薄处理，以使所述覆盖层的厚度达到目标厚度。
  5. 根据权利要求4所述的制作方法，所述目标厚度小于30nm。
  6. 根据权利要求2至5中任一所述的制作方法，所述在所述模板具有所述凹槽的表面上覆盖金属薄膜，包括：
    在所述模板具有凹槽的表面上沉积离型层；
    在所述离型层上覆盖金属薄膜。
  7. 根据权利要求6所述的制作方法，所述离型层的材料包括金属材料或含氟的有机物。
  8. 根据权利要求1或2所述的制作方法，所述压印装置为激光器。
  9. 根据权利要求2所述的制作方法，所述耐冲击层的材料包括石墨。
  10. 根据权利要求3所述的制作方法，所述在所述覆盖层上覆盖基板，并使所述金属线栅结构与所述基板结合在一起，包括：
    在所述覆盖层上覆盖基板，并采用键合技术使得所述金属线栅结构与所述基板结合在一起。
  11. 根据权利要求1所述的制作方法，所述金属层的材料包括金属铝或金属银。
  12. 根据权利要求1所述的制作方法，所述基板为硅片或玻璃。
  13. 一种显示面板，包括采用权利要求1至12中任一项所述的金属线栅偏振片的制作方法制作而成的金属线栅偏振片。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109270620B (zh) * 2018-11-16 2022-07-19 京东方科技集团股份有限公司 金属线栅偏振片的制作方法及显示面板

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1096808A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細パタン形成法
CN101354458A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 精工爱普生株式会社 线栅型偏振光元件及其制法、液晶装置及投射型显示装置
CN102096134A (zh) * 2011-01-17 2011-06-15 西安交通大学 量子点植入反射式主动光栅及其制造方法
CN102574327A (zh) * 2009-10-21 2012-07-11 旭硝子株式会社 压印用模具及其制造方法、压印装置和压印方法
JP2012168301A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Bridgestone Corp 金属細線の形成方法及びこれを用いたワイヤグリッド型偏光子の製造方法
CN102707378A (zh) * 2012-06-12 2012-10-03 华南师范大学 一种应用压印技术制作硅酮微纳光学结构的方法
CN102759856A (zh) * 2012-07-17 2012-10-31 西安交通大学 激光辅助辊压印制造机床用反射型长光栅工艺方法
CN106950636A (zh) * 2017-04-20 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种金属线栅偏振片基板及其制备方法
CN107170675A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 纳米线栅结构的制作方法
CN109270620A (zh) * 2018-11-16 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 金属线栅偏振片的制作方法及显示面板

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56131680A (en) 1980-03-18 1981-10-15 Pentel Kk Water ink for ball point pen
US6813077B2 (en) * 2001-06-19 2004-11-02 Corning Incorporated Method for fabricating an integrated optical isolator and a novel wire grid structure
JP4386413B2 (ja) * 2003-08-25 2009-12-16 株式会社エンプラス ワイヤーグリッド偏光子の製造方法
TWI354120B (en) * 2003-11-05 2011-12-11 Sumitomo Chemical Co Antiglare film and image display device
KR20080015536A (ko) * 2006-08-16 2008-02-20 삼성전자주식회사 와이어 그리드 편광자 제조 시스템 및 제조 방법
KR20080040904A (ko) * 2006-11-06 2008-05-09 엘지전자 주식회사 선격자 편광자의 제조 방법
JP4795214B2 (ja) * 2006-12-07 2011-10-19 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド ワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法
KR20080082116A (ko) * 2007-03-07 2008-09-11 고려대학교 산학협력단 선격자 편광판 제조방법
JP4999556B2 (ja) * 2007-05-31 2012-08-15 リコー光学株式会社 表面に微細凹凸形状をもつ光学素子の製造方法
JP2010210839A (ja) * 2009-03-10 2010-09-24 Asti Corp 偏光分離光学素子の製造方法と偏光分離光学素子
WO2011016549A1 (ja) * 2009-08-07 2011-02-10 綜研化学株式会社 インプリント用樹脂製モールドおよびその製造方法
JP6236918B2 (ja) * 2012-06-26 2017-11-29 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用テンプレートの製造方法
JP5687679B2 (ja) * 2012-11-20 2015-03-18 株式会社東芝 インプリント方法
US9173297B2 (en) * 2013-03-15 2015-10-27 George Gregoire Method of making a three dimensional circuit with an imprint tool
CN104562024B (zh) * 2013-10-24 2017-08-25 富泰华精密电子（郑州）有限公司 金属与树脂的复合体及其制造方法
CN103760681B (zh) * 2014-01-21 2017-08-25 国家纳米科学中心 一种基于金属纳米光栅的微偏振片阵列的制作方法
CN104803342B (zh) * 2014-01-23 2016-08-17 清华大学 碗状金属纳米结构的制备方法
JP2016164618A (ja) * 2015-03-06 2016-09-08 大日本印刷株式会社 転写フィルム、転写フィルムの巻取体、光学フィルム、光学フィルムの巻取体、画像表示装置、転写フィルムの製造方法、光学フィルムの製造方法
KR101729683B1 (ko) * 2015-09-16 2017-04-25 한국기계연구원 선격자 편광자의 제조 방법
KR101735217B1 (ko) * 2015-12-30 2017-05-15 중앙대학교 산학협력단 복제 공정 및 금속 전사 효과를 이용한 와이어 그리드 편광자 제작 방법
CN105467499A (zh) * 2016-01-15 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种金属线栅偏振片及其制造方法、显示面板及显示装置
CN105572780B (zh) * 2016-02-03 2018-09-11 京东方科技集团股份有限公司 线栅偏振器件及其制作方法、显示装置
CN105938214A (zh) * 2016-07-04 2016-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 亚波长光栅偏光片及其制作方法
KR102656857B1 (ko) * 2016-08-25 2024-04-12 삼성디스플레이 주식회사 편광소자, 편광소자 제조방법 및 표시 장치
CN106324742A (zh) * 2016-10-08 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 金属线栅偏光片的制作方法
CN107290813A (zh) * 2017-07-07 2017-10-24 大连理工大学 一种中红外双层纳米金属光栅及其制备方法
US10545270B2 (en) * 2017-08-25 2020-01-28 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method of manufacturing nano metal grating and nano metal grating manufactured thereby
CN108062001A (zh) * 2018-01-02 2018-05-22 京东方科技集团股份有限公司 膜层的图案化方法、金属线栅偏振结构及其制作方法
CN108287383B (zh) * 2018-01-29 2021-01-12 京东方科技集团股份有限公司 一种金属线栅偏振片、其制作方法、显示面板及显示装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1096808A (ja) * 1996-09-24 1998-04-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 微細パタン形成法
CN101354458A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 精工爱普生株式会社 线栅型偏振光元件及其制法、液晶装置及投射型显示装置
CN102574327A (zh) * 2009-10-21 2012-07-11 旭硝子株式会社 压印用模具及其制造方法、压印装置和压印方法
CN102096134A (zh) * 2011-01-17 2011-06-15 西安交通大学 量子点植入反射式主动光栅及其制造方法
JP2012168301A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Bridgestone Corp 金属細線の形成方法及びこれを用いたワイヤグリッド型偏光子の製造方法
CN102707378A (zh) * 2012-06-12 2012-10-03 华南师范大学 一种应用压印技术制作硅酮微纳光学结构的方法
CN102759856A (zh) * 2012-07-17 2012-10-31 西安交通大学 激光辅助辊压印制造机床用反射型长光栅工艺方法
CN106950636A (zh) * 2017-04-20 2017-07-14 京东方科技集团股份有限公司 一种金属线栅偏振片基板及其制备方法
CN107170675A (zh) * 2017-05-23 2017-09-15 深圳市华星光电技术有限公司 纳米线栅结构的制作方法
CN109270620A (zh) * 2018-11-16 2019-01-25 京东方科技集团股份有限公司 金属线栅偏振片的制作方法及显示面板

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