JP5687679B2 - インプリント方法 - Google Patents
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Description
図1は,一実施形態に係るインプリント方法を表すフロー図である。図2A〜図2Eは,このインプリント方法での工程を表す断面図である。
インプリントに用いるモールド11を準備する。このモールド11は,例えば,ビットパターンドメディア(BPM)の原盤であり,微細な凹部111および凸部112を有する。
1.電子ビーム露光を用いたモールド11の作成(図3A〜図3C参照)
電子ビーム露光を用いて,次のように,モールド11を作成できる。
(1)基材(例えば,石英,Si等)11aにレジスト21を塗布する(図3A参照)。
電子ビーム露光に替えて,ジブロックコポリマーの自己組織化を用いて,モールド11を作成できる。
(1)基材(例えば,石英やSiウエハ)にジブロックコポリマー(PS(ポリスチレン)−PMMA(ポリメチルメタクリレート)等)を塗布する。
ジブロックコポリマー中のブロック(例えば,PS,PMMA)が動き易い状態とすることで(例えば,加熱,あるいは溶媒の添加),ジブロックコポリマーが自己組織化され,2つの相(例えば,PSの相と,PMMAの相)に分離する。第1の相中に第2の相のドット(シリンダ形状あるいはスフィア形状)が形成される。
このとき,まず自己組織化されたジブロックコポリマーを酸素プラズマで処理し,2つの相の一方を残す。そして,酸素プラズマで処理されたジブロックコポリマーをマスクとして,基材11aをエッチングすることで,モールド11が作成される。
例えば,スピンコート法あるいはディップ法により,モールド11上に材料12を含む溶液を塗布することで,モールド11の凹部111に材料(モールド非反応材料)12を充填する。
(1)金属あるいはその化合物(例えば,Au,Ag,Cu,Al,Fe,Co,Pt,Ni,W,Moやその酸化物あるいは錯体)
(1)材料12が微粒子である場合,その粒径がパターンサイズ(凹部111の深さ,幅)に対して十分に小さい(パターン寸法以下)。
凹部111に材料12が充填されたモールド11を用いて,インプリントを行う。このインプリントは,次の工程(1)〜(3)により,実施できる。
レジスト14が塗布された基材13を用意する。この基材13は,例えばモールド11を用いて加工するためのもの(一例として,磁気記録媒体(磁気記録層が形成された基板))である。レジスト14は,熱硬化性あるいは紫外線硬化性の樹脂(例えば,アクリル系,エポキシ系の樹脂)である。
基材13上のレジスト14にモールド11を押しつける。この結果,レジスト14にモールド11の凹凸パターンに対応する凹凸パターンが形成される(パターンの転写)。
モールド11を押しつけた状態で,レジスト14を硬化する。例えば,熱,紫外線で,レジスト14を硬化する。
基材13からモールド11を引き離す(離型)。この離型工程では,密着の弱いモールド11と材料12の間が離間される。材料12は,モールド11の構成材料と反応しない。このため,レジスト14の特性によらず,材料12とモールド11間で分離できる。
以上のように,材料12を凹部111に充填することで,レジスト14の特性によらず,インプリント時の離型性と転写性を両立できる。
パターンが転写されたレジスト14(レジスト14と材料12の複合体)は,基材13のエッチング用のマスクとして利用できる。
ドライエッチング(例えば,酸素ガスによるRIE(リアクティブイオンエッチング))などにより,基材13を加工する。
このようにして,モールド11のパターンが基材13に転写される。即ち,レジスト14の凸部141,凹部142にそれぞれ対応する,凸部131,凹部132が基材13に形成される。
パターンが転写されたレジスト14(レジスト14と材料12の複合体)は,新たなモールドの作成用のモールドとして利用できる。即ち,量産性の関係で,モールド11を複製することが考えられる。
レジスト32が塗布された基材31を用意する。この基材31は,例えば,石英,Si,Ni,プラスチック等のモールド材料である。レジスト32は,熱硬化性あるいは紫外線硬化性の樹脂(例えば,アクリル系,エポキシ系の樹脂)である。
基材31上のレジスト32に硬化したレジスト14(レジスト14と材料12の複合体)を押しつける。この結果,レジスト32にレジスト14の凹凸パターンに対応する凹凸パターンが形成される(パターンの転写)。
レジスト14を押しつけた状態で,レジスト32を硬化する。例えば,熱,紫外線で,レジスト32を硬化する。
基材31から,レジスト14と材料12の複合体を引き離す(離型)。この離型工程では,レジスト32と,レジスト14と材料12の複合体の間が離間される。
以上では,主として,モールド11の凹部111に材料12を充填する例を示した。これに対して,モールド11の凹部111,凸部112の双方を材料12で覆うことも可能である。
既述のように,本実施形態に係るインプリント方法は,磁気記録媒体の作成に利用できる。
その際,離型性と転写性の両立等の課題はBPM媒体と同じであり,本実施形態によるインプリントプロセスは,オーダード媒体に対しても有効である。
図8は,実施形態に係る磁気記録再生装置100を表す斜視図である。磁気記録再生装置100は,磁気ディスク121,スピンドル122,スライダー123,サスペンション124,アーム125,ボイスコイルモータ126,蓋体128を有する。
本実施形態に係るインプリント方法を半導体分野に適用して,半導体装置を製造できる。半導体装置の製造時において,インプリントプロセスにより短時間に精度良く微細配線を形成及び複製する試みがなされている。
(1)モールド11への材料12の充填
直径約15nm,深さ約20nmのホールパターンを持つモールド11のホール(凹部111)内に,材料12として,シリカ系化合物であるSiO2を充填した。SiO2は,PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)やメタノール等の溶媒で希釈してスピンコート法により塗布できる。
その後,このモールド11を用いて,紫外線硬化性アクリル樹脂(レジスト14)により,磁気記録媒体(基材13)にUVインプリントを行った。モールド11の離型後に,アクリル樹脂(レジスト14)に転写されたパターンをAFM(原子間力顕微鏡)により測定した。
このようにしてインプリント時の離型性と転写性を両立させることが可能となる。
111 凹部
112 凸部
11a 基材
12 モールド非反応材料
13 基材
14 レジスト
141 凸部
142 凹部
21 レジスト
31 基材
32 レジスト
100 磁気記録再生装置
121 磁気ディスク
121a サーボパターン領域
Claims (12)
- 凹部および凸部を有するモールドを準備する工程と,
前記モールドの材料と化学反応しない,モールド非反応材料の層を前記凹部内に形成し、前記凸部上に形成しない工程と,
熱硬化性または紫外線硬化性の樹脂材料の層が形成された基材に,前記モールドを押し付ける工程と,
前記モールドを押し付けた状態で,前記樹脂材料の層を硬化させて,前記モールド非反応材料の層と結合させる工程と,
前記基材から前記モールドを離間し,前記基材上に前記硬化された樹脂材料の層と前記モールド非反応材料の層を残す工程と,
を具備するインプリント方法。 - 前記凹部内に形成し、前記凸部上に形成しない工程が,前記モールド非反応材料を含む溶液を前記モールドに塗布する工程を有する,
請求項1記載のインプリント方法。 - 前記溶液が,溶媒をさらに含み,
前記凹部内に形成し、前記凸部上に形成しない工程が,前記溶媒を蒸発させる工程をさらに有する,
請求項2記載のインプリント方法。 - 前記モールドの材料が,石英,Si,Ni,またはプラスチックを有する,
請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント方法。 - 前記モールド非反応材料は,金属,金属酸化物,金属錯体,またはシリカ化合物,または前記モールドの材料と反応する反応基を有しない,低分子有機化合物のいずれかである
請求項4記載のインプリント方法。 - 前記金属,金属酸化物,および金属錯体が,Au,Ag,Cu,Al,Fe,Co,Pt,Ni,W,またはMoを含み,
前記シリカ化合物が,Si,SiO2,またはシルセスキオキサンであり,
前記反応基が,ビニル基,エポキシ基,アミノ基,メタクリル基,メルカプト基,およびオキセタニル基である,
請求項5記載のインプリント方法。 - 前記モールド非反応材料が,金属,金属酸化物,またはシリカ化合物である
請求項5または6に記載のインプリント方法。 - 前記モールド非反応材料が,前記凹部の幅および深さの50%以下の直径を有する微粒子である,
請求項1乃至7のいずれか1項に記載のインプリント方法。 - 前記硬化された樹脂材料の層が,凹部および凸部を有し、この凸部に前記モールド非反応材料の層が配置される,
請求項1乃至8のいずれか1項に記載のインプリント方法。 - 前記硬化された樹脂材料の層の凹部の少なくとも一部に,前記モールド非反応材料の層が配置されない,
請求項9記載のインプリント方法。 - 前記硬化された樹脂材料の層をマスクとして,前記基材をエッチングする工程
をさらに具備する請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインプリント方法。 - 第2の樹脂材料の層が形成された第2の基材に,前記硬化された樹脂材料の層を押し付ける工程と,
前記硬化された樹脂材料の層を押し付けた状態で,前記第2の樹脂材料の層を硬化させる工程と,
前記第2の基材および前記硬化された第2の樹脂材料の層から前記硬化された樹脂材料の層を離間する工程と,
をさらに具備する請求項1乃至10のいずれか1項に記載のインプリント方法。
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