CN105789440A - 用于制造柔性显示的复合基板及制备方法和amoled的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种用于柔性显示制造的复合基板，包括硬质基板，硬质基板的表面设有耐高温柔性基板层；耐高温柔性基板层与硬质基板之间设有耐高温薄膜层；且耐高温薄膜层与硬质基板之间的粘接力大于耐高温薄膜层与耐高温柔性基板层。本发明的复合基板在柔性显示的TFT工艺中，硬质基板上的耐高温薄膜层和耐高温柔性基板层的复合层结构，避免采用粘结剂使柔性基板与硬质基板连接，使层与层之间粘接力适中，材质选用耐高温材质，以实现高温FTF工艺柔性AMOLED显示器件的量产；并且层间粘接力的差异可以便于柔性基板高温后的剥离。
Description
技术领域
本发明属于柔性显示器技术领域，具体涉及一种用于柔性显示制造的复合基板及制备方法和AMOLED的制造方法。
背景技术
现有在柔性基板上制备显示器件的主要包括两类：R2R(rolltoroll，卷对卷)生产工艺以及S2S(sheettosheet，张对张)生产工艺；其中，R2R工艺中先将软板从圆筒状的料卷卷出后，在软板上加入特定用途的功能或在软板表面加工，最后再把软板卷成圆筒状或直接成品裁切；该方法软板上主要是采用印刷的方式在柔性基板上制备显示器件，但由于受到印刷技术和显示墨水材料的限制，达不到高精度显示的要求，良品率较低。
基于R2R工艺在精确制造上的不足，所以现有制造中最多采用S2S生产工艺进行；S2S生产工艺是结合柔性基板贴附后剥离的方法，实施中先将柔性基板贴附在硬质载体基板上制备显示器件，制备完显示器件之后再剥离硬质基板，取出柔性显示器件。这种方法由于有硬质基板的支撑，可以不影响显示器件的制作精度，且制作设备和工艺与制作传统的TFT(ThinFilmTransistor，无辐射薄膜晶体管有源矩阵)-LCD相仿，不必做太大的调整，因此短期内更接近于量产应用。TFT包括低温TFT工艺和高温TFT工艺两种，而相比低温TFT工艺，高温工艺才能得到更好的TFT性能。
其中，在现有S2S工艺中柔性基板贴附在载体基板上的方式均是采用粘接剂粘接。粘结剂的选择要保证在制造中既能满足柔性衬底与载体的粘接性，不受TFT工程中清洗，曝光、显影、刻蚀等过程的影响，又需要在器件制备完成后，方便柔性显示器件与载体基板的分离。而制备的过程中柔性基板和粘接剂存在不耐高温的缺点：如一般的柔性基板如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)等材料受限于热处理温度仅适用于低温柔性显示；而同时高温下会破坏柔性衬底与载体基板的粘接性。因此现有S2S工艺中没有能实现高温TFT工艺的柔性显示基板。
发明内容
本发明实施例的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种适用于S2S工艺制备高精度的柔性显示器件的耐高温复合基板及其制备方法。
为了实现上述发明目的，本发明实施例的技术方案如下：
一种用于柔性显示制造的复合基板，包括硬质基板，所述硬质基板的表面设有耐高温柔性基板层；
所述耐高温柔性基板层与硬质基板之间设有耐高温薄膜层；且所述耐高温薄膜层与硬质基板之间的粘接力大于所述耐高温薄膜层与耐高温柔性基板层。
本发明的复合基板在柔性显示的TFT工艺中，硬质基板上的耐高温薄膜层和耐高温柔性基板层的复合层结构，避免采用粘结剂使柔性基板与硬质基板连接，使层与层之间粘接力适中，材质选用耐高温材质，以实现高温FTF工艺柔性AMOLED显示器件的量产；并且层间粘接力的差异可以便于柔性基板高温后的剥离。
本发明进一步还提出制备上述用于柔性显示制造的复合基板的方法，包括如下步骤：
获取硬质基板，并对硬质基板进行表面活化处理；
将耐高温薄膜层材质的溶液涂布于所述硬质基板的活化表面形成耐高温薄膜层；
将具有所述耐高温薄膜层的硬质基板置于真空中静置处理后，再进行干燥；
将所述耐高温柔性基板层材质的流延膜贴覆于干燥后的耐高温薄膜层上，形成耐高温柔性基板层；
将具有所述耐高温柔性基板层的硬质基板于惰性气氛中进行交联固化；
或，
获取硬质基板，并对硬质基板进行表面活化处理；
将耐高温薄膜层材质的溶液涂布于所述硬质基板的活化表面形成耐高温薄膜层；
将具有所述耐高温薄膜层的硬质基板置于真空中静置处理后，再进行干燥；
将干燥后具有所述耐高温薄膜层的硬质基板于惰性气氛中进行交联固化；
将将所述耐高温柔性基板层材质的溶液涂布于交联固化后的耐高温薄膜层表面形成所述耐高温柔性基板层；
将具有所述耐高温柔性基板层的硬质基板置于真空中静置后，再于惰性气氛中进行交联固化。
本发明的制备方法，采用该溶液成膜法或者薄膜贴覆法的方式，在耐高温薄膜层上生成耐高温柔性基板层，可以使耐高温薄膜层与硬质基板之间有很好的粘接性，耐高温薄膜层与耐高温柔性基板层之间有一定的粘接性，最终实现在后续TFT工程中清洗，曝光、显影、刻蚀等过程中粘接的稳固，便于后续的玻璃；并且层与层之间形成薄膜内应力释放梯度，减小柔性器件后续制作工艺中基板翘曲的问题。
本发明进一步还提出采用上述柔性显示制造的复合基板进行柔性AMOLED器件的制造方法，包括如下步骤：
在所述复合基板的耐高温柔性基板层表面上贴覆复合阻隔层；
采用高温TFT工艺在复合阻隔层表面制备Oxide-TFT驱动阵列层；
在所述Oxide-TFT驱动阵列层上形成OLED层；
在所述OLED层上贴覆封装膜后，将所述复合基板的耐高温柔性基板层与耐高温薄膜层剥离。
采用本发明的复合基板进行柔性AMOLED器件的制造，制备中可以实现高温FTF工艺柔性AMOLED显示器件的量产，相比现有的低温TFT工艺制备的柔性AMOLED器件具有更高品质的性能，而且剥离过程中可以简单的机械方式即可实现，大大提升了剥离的便利性和产品的良品率。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：
图1为本发明实施例用于柔性显示制造的复合基板的结构示意图；
图2为本发明实施例硬质基板上刮涂耐高温薄膜层的示意图；
图3为本发明实施例耐高温薄膜层上层压贴覆耐高温柔性基板层的示意图；
图4为本发明实施例耐高温薄膜层上刮涂耐高温柔性基板层的示意图；
图5为本发明实施例复合基板上制备AMOLED器件的示意图；
图6为图5中所示AMOLED器件进行封装的示意图；
图7为图6所示AMOLED器件封装后进行剥离示意图；
图8为本发明AMOLED器件制备剥离后的示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种用于柔性显示制造的复合基板，参见图1，图1为本发明实施例用于柔性显示制造的复合基板的结构示意图；包括硬质基板10、以及粘覆于该硬质基板10表面上的耐高温薄膜层20；耐高温薄膜层20的表面上设有耐高温柔性基板层30。
在本发明中耐高温柔性基板层30不通过粘结剂而通过耐高温薄膜层20与硬质基板10结合，其中为了保证硬质基板10与耐高温柔性基板层30之间的粘结力度，耐高温柔性基板层30选用玻璃化温度较高的PI(聚酰亚胺)树脂材料，耐高温薄膜层20也采用PI树脂材料。除了PI树脂材料本身热膨胀系数小、耐温性好，可以满足高温TFT工艺的要求外，更重要的原因在于选择PI树脂材料后，材料层之间本身的内应力可使耐高温薄膜层20与硬质基板10之间有很好的粘接性，耐高温薄膜层20与耐高温柔性基板层30之间有一定的粘接性，并且在后续的剥离的过程中能较为容易的分离；且耐高温薄膜层20与耐高温柔性基板层30之间耐溶剂性好，不会形成溶解渗透。所以进一步可以实现复合基板的层与层之间形成膜内应力释放梯度，减小柔性器件后续制作工艺中基板翘曲的问题。同时在剥离的过程中，对耐高温柔性基板层30上制备的柔性器件性能无影响。
当然，并且本发明的针对高温TFT工艺的情形，耐高温为需耐高温TFT工艺的温度条件。在本发明实施过程中上述耐高温薄膜层20和耐高温柔性基板层30两者所采用的PI树脂材料，可以从PI树脂的均苯酐型、醚酐型、酮酐型和氟酐型等各种类型中选择相同类型、或者是从能够满足粘接性、剥离性要求的不同种类中进行选取。并且进一步上述耐高温薄膜层20和耐高温柔性基板层30也不限于单纯的PI树脂，也可以采用以PI树脂为主体的改进性材料；或者是能满足本发明粘接性和剥离性的耐温环氧树脂等等。只要能满足高温薄膜层20与硬质基板10之间的粘接力大于耐高温薄膜层20与耐高温柔性基板层30之间的粘接力，能实现在清洗、显影、蚀刻等工艺中稳定不脱落且后期易于直接采用方式剥离皆可。
在实施过程中，硬质基板10可选硅片、金属、玻璃等硬质刚性材料载板，用于S2S工艺中可以方便循环利用，避免污染和浪费。
进一步在上述实施方式中，耐高温薄膜层20的厚度选择为2μm-5μm，使其材料的内应力和表面能效最大化，使其更能满足S2S工艺中的粘接性和剥离性的要求。同时以耐高温柔性基板层30厚度控制20μm左右，使其柔性、结合强度等能最优地满足柔性显示的衬底效果。
需要指出的是在本发明的上述立意下，硬质基板10上所设置的耐高温薄膜层20与耐高温柔性基板层30构成双层膜的结构，而在实施方式中出于使用中进一步性能的需求，可以在双层膜的结构中添加复合功能层，衍生出三层膜、多层膜结构；比如柔性显示中氧气和水汽的透过会非常至关地影响显示的效果，因此在双层膜的结构中添加阻隔层的结构，使水汽和氧气被阻隔于；当然添加阻隔层于该双层膜的结构中也需要是结构层之间满足清洗，曝光、显影、刻蚀等的过程中结合的稳定性。
进一步在本发明中还提出上述用于柔性显示制造的复合基板的制备方法，包括如下步骤：
S10a，获取硬质基板10，并对硬质基板10进行表面活化处理；
S20a，将耐高温薄膜层20的树脂溶液涂布于硬质基板10的活化表面，形成耐高温薄膜层20；
S30a，将涂布有耐高温薄膜层20的硬质基板10于真空中静置处理后，进行干燥；
S40a，将耐高温柔性基板层30树脂的流延膜贴覆于干燥后的高温薄膜层20表面，形成耐高温柔性基板层30；
S50a，将具有耐高温柔性基板层30的硬质基板10于惰性气体中进行交联固化处理，使耐高温薄膜层20和耐高温柔性基板层30交联固化后粘接在一起。
在上述步骤S10a中进行活化处理之前还可以先以电子级的清洗工艺进行洁净处理，避免硅片、金属、玻璃等硬质基板10的表面上因为存在杂质影响与耐高温薄膜层20的粘结强度。清洗之后再选择氮气、氩气等惰性气体对玻璃载体表面进行等离子处理，使硬质基板10的表面上产生活性簇，提高表面能；进一步加强硬质基板10与耐高温薄膜层20的粘接力，避免在后续工艺过程中耐高温薄膜层20与硬质基板10滑动错位或者脱落。
步骤S20a中采用涂布的方式将耐高温薄膜层20的树脂溶液均匀地覆于硬质基板10的表面上。由于本发明实施例中采用的耐高温薄膜层20为PI树脂，由于PI树脂溶液粘度较大，为了保证涂布的均匀性和表面一致性，本发明在实施中采用刮刀涂覆(DoctorBlade)结合旋转涂布(Spincoating)的方式进行：
具体先将PI树脂溶液倒入刮刀21内部，并根据PI树脂溶液的粘度调节刮刀21的狭缝宽度，控制溶液流速；并根据所需耐高温薄膜层20的厚度调节刮刀21与硬质基板10之间的距离(0mm～2mm)；控制刮刀21缓慢匀速前进进行刮涂操作；可以进一步参见图2，图2为本发明实施例硬质基板上刮涂耐高温薄膜层的示意图。刮涂操作完成之后进行旋涂，至耐高温薄膜层20厚度2μm-5μm和均匀性均达到需要的程度。当然整个过程中，为了避免大气环境中颗粒污染，造成表面不平坦的缺陷，将这一过程置于百级洁净室中完成。
进一步步骤S30a将涂布有耐高温薄膜层20的硬质基板10于真空中静置处理，以除去溶液中残留的气泡，避免成膜后影响薄膜表面平坦度；并且低压条件下溶剂沸点降低，还可以进行同时利于干燥处理。该过程的操作可以将耐高温薄膜层20旋涂完成后，迅速转移至真空洁净烘箱，在真空低压例如-1.0MPa～-0.8MPa条件下静置10min～30min。然后将烘箱内由室温升温至60℃～80℃烘1h～2h，加快溶剂挥发，促进表面干燥。
步骤S30a中进行干燥处理后，步骤S40a再采用薄膜贴覆法将耐高温柔性基板层30覆于耐高温薄膜层20上；实施过程中可以利用层压机(Laminator)将耐高温柔性基板层30材料选择的PI流延膜贴覆于载体基板的耐高温薄膜层20之上，具体可以参见图3所示，图3为本发明实施例耐高温薄膜层上层压贴覆耐高温柔性基板层的示意图。
完成贴覆之后，步骤S50a最后再于氮气氛围下，对覆有耐高温柔性基板层30的耐高温薄膜层20进行红外辐射加热，待树脂有机物交联固化后耐高温薄膜层20和耐高温柔性基板层30粘接在一起。其中，在本发明实施中红外辐射的方式可以采用辐射烘箱完成；辐射烘箱由辐射加热装置和陶瓷腔壁等组成，具有红外加热、微波加热，以及抽真空、气体循环等功能，如图3所示。实施中，开启烘箱辐射加热功能，进行红外(0.5μm-2μm)辐射加热，从室温到320℃～385℃阶梯升温，然后缓慢降至室温，这样有利于有机物交联固化，以及耐高温薄膜层20内应力释放。
上述用于柔性显示制造的复合基板的制造方法，通过薄膜贴覆法采用耐高温柔性基板层30树脂材质的流延膜进行，流延膜为工业生产的薄膜，薄膜厚度、表面粗糙度、均匀性等特征参数容易控制，且流延膜内应力小，可以避免在后续柔性AMOLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode，有源矩阵有机发光二极体面板)制作工艺中不因为薄膜内应力引起基板翘曲导致TFT阵列性能不均匀的缺陷。
在本发明中还提出另一种上述用于柔性显示制造的复合基板的制造方法，相比上述薄膜贴覆法，其采用溶液成膜法进行，具体可以参照如下步骤：
S10b，获取硬质基板10，并对硬质基板10进行表面活化处理；
S20b，将耐高温薄膜层20的树脂溶液涂布于硬质基板10的活化表面，形成耐高温薄膜层20；
S30b，将涂布有耐高温薄膜层20的硬质基板10于真空中静置处理后，进行干燥处理；
S40b，将干燥后带有耐高温薄膜层20的硬质基板10于惰性气体中进行交联固化处理；
S50b，在交联固化后的耐高温薄膜层20表面涂布耐高温柔性基板层30树脂溶液，形成；
S60b，将涂布有耐高温柔性基板层30的硬质基板10于真空中静置处理；
S70b，将于真空静置后具有耐高温柔性基板层30的硬质基板10于惰性气体中进行交联固化处理。
该方法中步骤S10b至S30b的实施过程，可以参考上述方法步骤S10a-S30a进行，差异性的步骤在于S40b中先将涂布的耐高温薄膜层20进行交联固化，交联固化的方式也可以采用辐射烘箱红外(0.5μm-2μm)辐射加热，从室温到320℃～385℃阶梯升温，然后缓慢降至室温实现。然后步骤S50b-S70b再采用相同的涂布和交联固化的方式使耐高温薄膜层20表面生成耐高温柔性基板层30。但是在实施中步骤S50b的涂布也可以参照上述刮刀涂覆(DoctorBlade)结合旋转涂布(Spincoating)的方式进行，参见图4所示，图4为本发明实施例耐高温薄膜层上刮涂耐高温柔性基板层的示意图；图4胶黏性刮涂之后再旋涂，使其厚度达到20μm左右；进一步步骤S70b在氮气氛围下，对待固化的耐高温柔性基板层30进行红外辐射加热，从室温升至60℃～80℃预烘1h～2h，然后以1℃/min～3℃/min阶梯升温至320℃～385℃，然后缓慢降至室温，这样有利于有机物交联固化，耐高温柔性基板层30膜内应力释放。
采用该溶液成膜法的方式生成用于柔性显示制造的复合基板，耐高温柔性基板层30耐溶剂性好，不会与耐高温薄膜层20之间形成溶解渗透；耐高温薄膜层20与耐高温柔性基板层30之间粘接力适中，不影响柔性器件剥离。另外，层与层之间形成薄膜内应力释放梯度，减小柔性器件后续制作工艺中基板翘曲的问题。
采用本发明的上述方法步骤制备过程，可以最大化地使材料分子能效最大化地发挥，从而最终使复合基板的层之间的粘接性能同时满足加工和剥离的要求，并且整体复合层的材料均一性、表面平整性最佳，更加利于柔性显示器件的制备。
本发明进一步还提出采用上述用于柔性显示制造的复合基板进一步制备AMOLED器件的方法，包括如下步骤：
S100，在复合基板的耐高温柔性基板层30的表面制作阻隔水汽和氧气的复合阻隔层40；
S200，采用高温TFT工艺在复合阻隔层表面40制作Oxide-TFT驱动阵列50；
S300，在Oxide-TFT驱动阵列50上形成包括金属电极层和有机功能层的OLED层60；
S400，在OLED层60上贴覆封装膜80后，将复合基板的耐高温柔性基板层30与耐高温薄膜层20进行剥离，除去硬质基板10和耐高温薄膜层20，即得到柔性AMOLED显示器件成品。
其中，本发明在上述步骤S100中，阻隔水汽和氧气的复合阻隔层40包括多层交替的有机薄膜和无机薄膜；有机薄膜材料选用掺杂无机纳米粒子的PI材料，所掺杂的无机纳米粒子可选自Si3N4、SiO2、Al2O3中的一种或者多种；无机薄膜材料优选水氧阻隔性较好的Si3N4等。通过多层交替的层级结构是隔层的间隙相互错位弥补，大大提升阻隔的效果。
进一步步骤S200中由于采用本发明中耐高温的复合基板作为TFT工艺的衬底，本身具有较高的玻璃化转变温度(Tg)、较高的材料分解温度(Td)，能耐受350℃高温工艺，且整体复合基板具有较高透明度、和较小的热膨胀系数等优点，因此TFT工程采用高温工艺制作Oxide-TFT驱动阵列50，进一步提升显示精度和效果。
步骤S200完成高温TFT工艺后，S300进一步在生成的Oxide-TFT驱动阵列层50上制备OLED层60，该OLED层60的金属电极层和有机功能层可以通过蒸镀的方式生成，该方式对Oxide-TFT驱动阵列50上器件物理作用力最低，更能降低对显示器件的影响。
生成OLED层60即完成AMOLED器件的制作；参见图5所示，图5为本发明实施例复合基板上制备AMOLED器件的示意图。最终步骤S400进一步进行封装和剥离，图6为图5中所示AMOLED器件进行封装的示意图；封装的过程中封装膜80包括复合阻隔层81和柔性薄膜层82，复合阻隔层81的功能是实现显示器件该侧的水汽和氧气的阻隔，最终采用柔性薄膜层封闭。其中柔性薄膜层82可以直接采用耐高温柔性基板层30。因此基于上述要求，而且结合步骤S100中就在复合基板的耐高温柔性基板层30的表面制作有复合阻隔层40，正好与封装膜80的层级和性能相同，因此将步骤S100中现成获得的具有复合阻隔层40的复合基板中的耐高温柔性基板层30连带着复合阻隔层40一并剥离下来之后，可以直接作为封装膜80使用，而不需再另外制备和购买。当然，在封装过程中将封装膜与OLED层60准确对位后，利用层压机(Laminator)将封装膜80紧密贴附在OLED层60上，使OLED器件上下表面均有复合阻隔层的保护。
其中为了封装过程的进行、以及后续的剥离，实施中复合基板的板面面积大于OLED器件的面积，而在封装膜贴覆之前，复合基板的板面上位于OLED器件周边的空位涂覆干燥剂和粘接剂70，最终OLED器件被完整封闭。剥离的过程中可以参考图7，图7为图6所示AMOLED器件封装后进行剥离示意图；按照图7中所示A处方向，从封装膜80表面向OLED器件进行切割，直至切除深度至耐高温薄膜层20；此时通过露出的切口便非常容易地将带有OLED器件的耐高温柔性基板层30从上剥离出。
通过上述方法，其最后剥离过程中，耐高温柔性基板层30与耐高温薄膜层20之间的粘接力适中，只需要简单的机械切割打破层间的受力平衡，便能很容易将柔性OLED器件从硬质基板10上分离，而且被分离后耐高温薄膜层20依旧粘附于硬质基板10上，可以参见图8，图8为本发明AMOLED器件制备剥离后的示意图，分离后具有耐高温薄膜层的硬质基板经过化学处理回收后可以重复使用。
本发明上述复合基板采用具有耐高温薄膜层20和耐高温柔性基板层30的复合层膜结构，有效减小膜内应力残留；耐高温薄膜层20和耐高温柔性基板层30通过材料选择，使层与层之间粘接力适中，解决了柔性基板高温后难以剥离的问题；可以实现高温FTF工艺柔性AMOLED显示器件的量产。
为使本发明中的制备方法的技术手段细节实施以及进步性效果的产生更加易于理解，以下通过实施例进行举例说明如下：
实施例1
在该实施例1中采用均苯酐型PI树脂材料实现复合层的制备，并选用高亮玻璃板作为硬质基板。
S10，将玻璃板进行超声清洗，清洗后再用氮气对玻璃板表面进行等离子处理；
S20，用NMP(N-甲基吡咯烷酮)作为溶剂与PI树脂形成粘稠溶液，并将溶液倒入刮涂刀的内腔中；在百级洁净室中将玻璃板固定，保持刮涂刀与玻璃板表面0mm-2mm的距离，缓慢匀速进行刮涂形成耐高温薄膜层；刮涂完成后利用旋转机旋转玻璃板至耐高温薄膜层形成厚度2μm-5μm表面平坦均一的薄膜；
S30，涂布完成后，迅速将玻璃板转移至真空洁净烘箱，在0.96MPa低真空条件下静置15min；然后由室温升温至80℃预烘30min，对玻璃板上涂布的耐高温薄膜层进行表面干燥；
S40，利用层压机，将用于形成耐高温柔性基板层的PI树脂原料制成的流延膜贴覆于干燥后的耐高温薄膜层上，然后将玻璃板置于充满氮气氛围的辐射烘箱中，对耐高温薄膜层超薄层进行红外辐射加热，从室温到350℃阶梯升温，然后缓慢降至室温，直至有机物交联固化后耐高温薄膜层和流延膜粘接在一起，即得到具有耐高温薄膜层和耐高温柔性基板层的复合基板。
S100，将步骤S40中制得的复合基板的耐高温柔性基板层上覆一层复合阻隔层；其中复合阻隔层包括相互交替层叠的3层掺Si3N4的PI有机膜和3层纯Si3N4的无机膜；
S200，采用高温TFT工艺在复合阻隔层表面制作Oxide-TFT驱动阵列；
S300，采用蒸镀的方式在Oxide-TFT驱动阵列上形成金属电极层和有机功能层，形成位于复合阻隔层上的AMOLED器件；
S400，将位于复合基板上的AMOLED器件四周边依次涂覆干燥剂层和粘接剂层，然后在AMOLED器件的表面上用层压机封贴封装膜；其中该封装膜采用将步骤S100获得的具有复合阻隔层的复合基板中，将耐高温柔性基板层连带着复合阻隔层与耐高温薄膜层剥离得到；封装中将复合阻隔层面向AMOLED器件的表面进行贴覆；
贴覆完成后，选取位于AMOLED器件涂覆粘接剂层部位的封装膜表面位置朝向AMOLED器件进行切割，穿过粘接剂层、耐高温柔性基板层，直至深度达到耐高温薄膜层的表面，然后利用形成的切口将耐高温薄膜层与耐高温柔性基板层剥离开来，即获得完整的柔性AMOLED器件。
实施例2
在该实施例2中采用联苯型PI树脂材料实现复合层的制备，并选用硅片作为硬质基板。
S10，将硅片进行超声清洗后，用等离子表面处理机对硅片表面进行氩气等离子处理；
S20，用DMAc(二甲基乙酰胺)作为溶剂与PI树脂形成粘稠溶液，并将溶液倒入刮涂刀的内腔中；在百级洁净室中将硅片固定，保持刮涂刀与硅片表面0mm-2mm的距离，缓慢匀速进行刮涂形成耐高温薄膜层；刮涂完成后利用旋转机旋转硅片至耐高温薄膜层形成厚度2μm-5μm表面平坦均一的薄膜；
S30，涂布完成后，迅速将硅片转移至真空洁净烘箱，在0.96MPa低真空条件下静置15min；然后由室温升温至80℃预烘30min，对硅片上涂布的耐高温薄膜层进行表面干燥；
S40，将耐高温薄膜层干燥后的硅片置于氮气氛围的辐射烘箱中，行红外辐射加热，从80℃到350℃阶梯升温，然后缓慢降至室温，使耐高温薄膜层交联固化；
S50，采用与上述步骤S20相同的步骤，在交联固化后的耐高温薄膜层表面涂布形成厚度约20μm左右的PI层(即耐高温柔性基板层)；
S60，将耐高温柔性基板层涂布完成后的硅片转移至真空洁净烘箱，在0.96MPa低真空条件下静置干燥30min；
S70，将步骤S60中干燥后具有耐高温柔性基板层的硅片置于辐射烘箱中，并向辐射烘箱中充氮气气氛，然后对耐高温柔性基板层进行红外辐射加热，从室温升至80℃预烘30min，然后以30℃/10min阶梯升温至350℃，然后缓慢降至室温；使耐高温柔性基板层与耐高温薄膜层粘接。
然后采用高温TFT工艺进行AMOLED器件制备，其过程可以参考实施例1的步骤S100-S400进行。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包括在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于柔性显示制造的复合基板，包括硬质基板，其特征在于，所述硬质基板的表面设有耐高温柔性基板层；
所述耐高温柔性基板层与硬质基板之间设有耐高温薄膜层；且所述耐高温薄膜层与硬质基板之间的粘接力大于所述耐高温薄膜层与耐高温柔性基板层。
2.如权利要求1所述的用于柔性显示制造的复合基板，其特征在于，所述耐高温薄膜层材质为PI树脂或者PI树脂改性材料；
及/或，
所述耐高温柔性基板层材质为PI树脂或者PI树脂改性材料。
3.如权利要求1或2所述的用于柔性显示制造的复合基板，其特征在于，所述耐高温薄膜层厚度为2μm-5μm。
4.如权利要求1至3任一项所述的用于柔性显示制造的复合基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
获取硬质基板，并对硬质基板进行表面活化处理；
将耐高温薄膜层材质的溶液涂布于所述硬质基板的活化表面形成耐高温薄膜层；
将具有所述耐高温薄膜层的硬质基板置于真空中静置处理后，再进行干燥；
将所述耐高温柔性基板层材质的流延膜贴覆于干燥后的所述耐高温薄膜层上，形成耐高温柔性基板层；
将具有所述耐高温柔性基板层的硬质基板于惰性气氛中进行交联固化；
或，
获取硬质基板，并对硬质基板进行表面活化处理；
将耐高温薄膜层材质的溶液涂布于所述硬质基板的活化表面形成耐高温薄膜层；
将具有所述耐高温薄膜层的硬质基板置于真空中静置处理后，再进行干燥；
将干燥后具有所述耐高温薄膜层的硬质基板于惰性气氛中进行交联固化；
将所述耐高温柔性基板层材质的溶液涂布于交联固化后的耐高温薄膜层表面形成所述耐高温柔性基板层；
将具有所述耐高温柔性基板层的硬质基板置于真空中静置后，再于惰性气氛中进行交联固化。
5.如权利要求4所述的用于柔性显示制造的复合基板的制造方法，其特征在于，所述对硬质基板进行表面活化处理步骤包括：
将所述硬质基板的表面用惰性气体进行表面等离子处理。
6.如权利要求4或5所述的用于柔性显示制造的复合基板的制造方法，其特征在于，将具有所述耐高温柔性基板层的硬质基板于惰性气氛中进行交联固化步骤中，
及/或将干燥后具有所述耐高温薄膜层的硬质基板于惰性气氛中进行交联固化步骤中，
及/或将具有所述耐高温柔性基板层的硬质基板置于真空中静置后，再于惰性气氛中进行交联固化步骤中，
所述惰性气氛中进行交联固化过程为红外辐射加热。
7.如权利要求6所述的用于柔性显示制造的复合基板的制造方法，其特征在于，所述红外辐射加热过程中，先采用阶梯式从室温升温至320℃～385℃后，再降温至室温。
8.如权利要求6所述的用于柔性显示制造的复合基板的制造方法，其特征在于，所述红外辐射加热过程中，红外光波长为0.5μm-2μm。
9.如权利要求1至3任一项所述的用于柔性显示制造的复合基板进行柔性AMOLED器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在所述复合基板的耐高温柔性基板层表面上贴覆复合阻隔层；
采用高温TFT工艺在复合阻隔层表面制备Oxide-TFT驱动阵列层；
在所述Oxide-TFT驱动阵列层上形成OLED层；
在所述OLED层上贴覆封装膜后，将所述复合基板的耐高温柔性基板层与耐高温薄膜层剥离。
10.如权利要求9所述的用于柔性显示制造的复合基板进行柔性AMOLED器件的制造方法，其特征在于，所述复合阻隔层包括多层交替叠置的有机薄膜和无机薄膜；其中，
所述机薄膜材料为掺杂无机纳米粒子的PI树脂材料，该无机纳米粒子选自Si3N4、SiO2、Al2O3中的一种或者多种。
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|---|---|
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206945A (zh) * | 2016-09-08 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CN106970480A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-07-21 | 精电(河源)显示技术有限公司 | 一种柔性液晶显示器的生产制作工艺 |
| CN107464893A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器件的制备方法、柔性显示器件及显示器 |
| CN107994134A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法 |
| CN108365128A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-08-03 | 昆山国显光电有限公司 | 制备柔性显示设备的方法和柔性显示设备 |
| CN110098225A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
| CN110212090A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种pi基板及其制备方法 |
| US10658592B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-05-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for fabricating flexible display device, flexible display device, and display apparatus |
| WO2020124864A1 (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111599943A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示面板及制备方法、电子设备 |
| US11374184B2 (en) | 2016-09-08 | 2022-06-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903789A (zh) * | 2012-07-09 | 2013-01-30 | 电子科技大学 | 复合材料红外探测器制备方法 |
| CN103545463A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-29 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性显示器件及其制作方法 |
| CN103928295A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种将石墨烯转移到柔性衬底的方法 |
| TW201432977A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-08-16 | Lg Chemical Ltd | 包含可撓式基板之有機發光裝置及其製備方法 |
| CN104098782A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-10-15 | 莱芜中天绝缘材料有限公司 | 一种fccl用掺杂型聚酰亚胺复合薄膜的制备方法 |
| TW201446520A (zh) * | 2013-04-09 | 2014-12-16 | Lg Chemical Ltd | 積層體及包含利用其所製造之基板之裝置 |
-
2014
- 2014-12-23 CN CN201410815165.4A patent/CN105789440A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903789A (zh) * | 2012-07-09 | 2013-01-30 | 电子科技大学 | 复合材料红外探测器制备方法 |
| TW201432977A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-08-16 | Lg Chemical Ltd | 包含可撓式基板之有機發光裝置及其製備方法 |
| CN103928295A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种将石墨烯转移到柔性衬底的方法 |
| TW201446520A (zh) * | 2013-04-09 | 2014-12-16 | Lg Chemical Ltd | 積層體及包含利用其所製造之基板之裝置 |
| CN103545463A (zh) * | 2013-09-27 | 2014-01-29 | Tcl集团股份有限公司 | 一种柔性显示器件及其制作方法 |
| CN104098782A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-10-15 | 莱芜中天绝缘材料有限公司 | 一种fccl用掺杂型聚酰亚胺复合薄膜的制备方法 |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206945A (zh) * | 2016-09-08 | 2016-12-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| US12029105B2 (en) | 2016-09-08 | 2024-07-02 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus |
| US11665956B2 (en) | 2016-09-08 | 2023-05-30 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus |
| US11374184B2 (en) | 2016-09-08 | 2022-06-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus |
| US10749125B2 (en) | 2016-09-08 | 2020-08-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus |
| CN106970480A (zh) * | 2017-04-14 | 2017-07-21 | 精电(河源)显示技术有限公司 | 一种柔性液晶显示器的生产制作工艺 |
| US10658592B2 (en) | 2017-07-31 | 2020-05-19 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for fabricating flexible display device, flexible display device, and display apparatus |
| CN107464893A (zh) * | 2017-07-31 | 2017-12-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器件的制备方法、柔性显示器件及显示器 |
| CN107994134B (zh) * | 2017-11-09 | 2020-01-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法 |
| CN107994134A (zh) * | 2017-11-09 | 2018-05-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性基板及其制备方法 |
| CN108365128A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-08-03 | 昆山国显光电有限公司 | 制备柔性显示设备的方法和柔性显示设备 |
| WO2020124864A1 (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN110098225A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及其制备方法 |
| CN110212090A (zh) * | 2019-05-23 | 2019-09-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种pi基板及其制备方法 |
| US11453751B2 (en) | 2019-05-23 | 2022-09-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Polyimide (PI) substrate and method for fabricating same |
| CN111599943A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示面板及制备方法、电子设备 |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
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