CN107393859B - 柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板 - Google Patents

柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN107393859B
CN107393859B CN201710726119.0A CN201710726119A CN107393859B CN 107393859 B CN107393859 B CN 107393859B CN 201710726119 A CN201710726119 A CN 201710726119A CN 107393859 B CN107393859 B CN 107393859B
Authority
CN
China
Prior art keywords
inorganic layer
barrier
material layer
flexible material
flexible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201710726119.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107393859A (zh
Inventor
谢昌翰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710726119.0A priority Critical patent/CN107393859B/zh
Publication of CN107393859A publication Critical patent/CN107393859A/zh
Priority to US16/021,833 priority patent/US20190062920A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN107393859B publication Critical patent/CN107393859B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • B32B17/10005—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing
    • B32B17/10009—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets
    • B32B17/10018—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin laminated safety glass or glazing characterized by the number, the constitution or treatment of glass sheets comprising only one glass sheet
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C03C17/23—Oxides
    • C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
    • C03C17/2453—Coating containing SnO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3405—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of organic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68345—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during the manufacture of self supporting substrates

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本公开属于显示面板领域，具体是关于一种柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板。该制作方法包括：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面形成第一柔性材料层；在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层；其中所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个；在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性；在所述屏障无机层表面形成第二柔性材料层，并将所述玻璃基板剥离。本公开可以确保第二柔性材料层良好的附著成膜于该屏障无机层上，无需额外沉积介面无机层来改善介面附著不良等问题，工艺简单成本低。

Description

柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板
技术领域
本公开涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种柔性基板的制作方法，该制作方法制备的柔性基板以及包含该柔性基板的柔性显示面板。
背景技术
随着科技的发展与社会的进步，各种显示装置在生活中得到了大量的应用。而在这些显示装置大量运用的基础上，类似于纸张的超薄柔性显示装置由于能够被弯曲，具备良好的便携性，被认为是下一代的显示装置。
目前市场对超薄的柔性显示产品的要求越来越高。为了满足产品需求，更多的显示器件将采用例如塑料、金属等柔性材料来制作显示基板。例如聚酰亚胺PI(Polymide)材料，其拥有优越的材料特性而被广泛使用。
相关技术中，基于PI制备的柔性显示基板需要透过沉积屏障无机层来改善如第一PI层的阻水、阻氧、抗刮刻等特性，但也因此产生该屏障无机层与第二PI层之间介面附著不良等问题。而相关技术中又透过沉积介面无机层来改善上述介面附著不良的问题，但又因此衍生出应力匹配及异物不良等问题。因此，有必要提供一种新的技术方案改善上述方案中存在的一个或者多个问题。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种柔性基板的制作方法，该制作方法制备的柔性基板以及包含该柔性基板的柔性显示面板，进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开实施例的第一方面，提供一种柔性基板的制作方法，该方法包括：
提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面形成第一柔性材料层；
在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层；其中所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个；
在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性；
在所述屏障无机层表面形成第二柔性材料层，并将所述玻璃基板剥离。
本公开的一种示例性实施例中，在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层的步骤包括：
将形成了所述第一柔性材料层的所述玻璃基板置于一腔室；
向所述腔室内提供硅烷气体，同时开启预设等离子体电源向所述腔室内提供等离子体，以在所述第一柔性材料层表面沉积制备所述屏障无机层。
本公开的一种示例性实施例中，在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理的步骤包括：
在所述屏障无机层沉积完成时，停止提供硅烷气体并关闭所述预设等离子体电源，然后向所述腔室内持续通入一氧化二氮预设时间；
在所述腔室内通入的一氧化二氮达到预设百分比时，开启所述预设等离子体电源使等离子体随机轰击已形成的所述屏障无机层表面以改变其表面型态。
本公开的一种示例性实施例中，所述预设时间为20～300秒。
本公开的一种示例性实施例中，所述预设百分比为95％以上。
本公开的一种示例性实施例中，对所述屏障无机层表面进行等离子体随机轰击的时间为1～10秒。
本公开的一种示例性实施例中，在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层的步骤包括：
利用化学气相沉积工艺在所述第一柔性材料层表面沉积形成所述屏障无机层。
本公开的一种示例性实施例中，所述第一柔性材料层和第二柔性材料层均为聚酰亚胺材料层。
根据本公开实施例的第二方面，提供一种柔性基板，包括：
第一柔性材料层；
屏障无机层，位于所述第一柔性材料层之上；其中，所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个，且所述屏障无机层具有经过等离子体轰击处理的表面；
第二柔性材料层，位于所述屏障无机层之上。
根据本公开实施例的第三方面，提供一种柔性显示面板，该柔性显示面板包括上述任一实施例中所述的柔性基板。
本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本公开的一种实施例中，在第一柔性材料层表面沉积制备所述屏障无机层完成时，直接对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性；这样，一方面，在该屏障无机层的氧化硅或者氮化硅沉积完成时，直接对该屏障无机层表面进行电浆处理将该屏障无机层表面进行改质，以改善其表面浸润性，从而可以确保第二柔性材料层如PI膜层能良好的附著成膜于该屏障无机层上；另一方面，与相关技术相比，由于无需额外沉积介面无机层来改善上述提及的介面附著不良等问题，因此本实施例优化了多层柔性基板如PI柔性基板的制备技术，实现整个柔性基板工艺简便顺利完成，节省成本，从本质上直接避免介面无机层所带来的应力匹配及异物不良等问题，提高产品良率和质量。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性示出本公开示例性实施例中柔性基板的制作方法流程图；
图2示意性示出本公开示例性实施例中另一柔性基板的制作方法流程图；
图3示意性示出本公开示例性实施例中又一柔性基板的制作方法流程图；
图4示意性示出本公开示例性实施例中一柔性基板结构示意图。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。
此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
本示例实施方式中首先提供了一种柔性基板的制作方法，该方法可以用于制备柔性基板，例如聚酰亚胺柔性基板等。参考图1中所示，该方法可以包括以下步骤：
步骤S101：提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面形成第一柔性材料层。
步骤S102：在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层；其中所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个。
步骤S103：在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性。
步骤S104：在所述屏障无机层表面形成第二柔性材料层，并将所述玻璃基板剥离。
通过上述柔性基板的制作方法，一方面，在该屏障无机层的氧化硅或者氮化硅沉积完成时，直接对该屏障无机层表面进行电浆处理将该屏障无机层表面进行改质，以改善其表面浸润性，从而可以确保第二柔性材料层如PI膜层能良好的附著成膜于该屏障无机层上；另一方面，与相关技术相比，由于无需额外沉积介面无机层来改善上述提及的介面附著不良等问题，因此本实施例优化了多层柔性基板如PI柔性基板的制备技术，实现整个柔性基板工艺简便顺利完成，节省成本，从本质上直接避免介面无机层所带来的应力匹配及异物不良等问题，提高产品良率和质量。
下面，将参考图1至图4对本示例实施方式中的上述柔性基板的制作方法的各个步骤进行更详细的说明。
在步骤S101中，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面形成第一柔性材料层。
本示例实施方式中，所述第一柔性材料层401可以为聚酰亚胺材料层即PI材料层。结合参考图4所示，制备时可以提供一玻璃基板500作为载体基板，在所述玻璃基板500的表面预先制备形成第一聚酰亚胺材料层，即第一柔性材料层401。该步骤具体工艺可参考现有成熟技术，不再赘述。
在步骤S102中，在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层。其中所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个。
示例性的，当上述第一聚酰亚胺材料层即第一柔性材料层401制备完成后，可以在所述第一聚酰亚胺材料层表面沉积制备所述屏障无机层402，即氧化硅材料层或者氮化硅材料层。
参考图2中所示，进一步的，在本公开的一种示例性实施例中，步骤S102中在所述第一柔性材料层401表面沉积制备屏障无机层402具体可以包括以下步骤：
步骤S201：将形成了所述第一柔性材料层的所述玻璃基板置于一腔室。例如将形成了所述第一聚酰亚胺材料层即第一柔性材料层401的所述玻璃基板500置于所述腔室。
步骤S202：向所述腔室内提供硅烷气体，同时开启预设等离子体电源向所述腔室内提供等离子体，以在所述第一柔性材料层表面沉积制备所述屏障无机层。
示例性的，在沉积制备所述屏障无机层402如氧化硅材料层时，可以利用如化学气相沉积CVD工艺在所述第一柔性材料层401(如第一PI材料层)表面沉积形成所述屏障无机层402。在具体沉积工艺过程中可以通过等离子体电源(plasma power)提供等离子体(也称电浆)，同时可以提供硅烷气体(SiH4)等环境条件，这些具体可参考现有成熟技术，不再赘述。
在步骤S103中，在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性。
本公开实施例中，在所述屏障无机层402的氧化硅或者氮化硅沉积完成时，直接对该屏障无机层402表面进行电浆处理将该屏障无机层402表面进行改质，以改善如氧化硅材料层表面浸润性，从而可以确保第二柔性材料层403如第二PI膜层能良好的附著成膜于该屏障无机层402上。
具体的，参考图3中所示，在本公开的一种示例性实施例中，步骤S103中在所述屏障无机层402沉积完成时，对所述屏障无机层402表面进行等离子体轰击处理可以包括以下步骤：
步骤S301：在所述屏障无机层沉积完成时，停止提供硅烷气体并关闭所述预设等离子体电源，然后向所述腔室内持续通入一氧化二氮预设时间。
示例性的，当所述屏障无机层402沉积制备完成时，关闭等离子体电源，停止制备屏障无机层402工艺中的等离子体和硅烷气体等环境条件，进而改变所述腔室内的环境以便于后续等离子体轰击处理的进行。本实施例中向所述腔室内持续通入一氧化二氮(N2O)预设时间，所述预设时间可以为20～300秒，具体可以是30秒、50秒、70秒、90秒、110秒、130秒、150秒等，依次类推，对此不作特殊限制，只要在该时间范围内保证通入所述腔室内的一氧化二氮的量足够即可。
步骤S302：在所述腔室内通入的一氧化二氮达到预设百分比时，开启所述预设等离子体电源使等离子体随机轰击已形成的所述屏障无机层表面以改变其表面型态。
示例性的，所述预设百分比为95％以上，即当所述腔室内通入的一氧化二氮的量达到绝大多数，此时所述腔室内的环境已改变为适合等离子体轰击处理的条件，然后可以开启等离子体电源产生等离子体，并使等离子体随机轰击已形成的所述屏障无机层402如氧化硅材料层表面以改变其表面型态。在一些实施例中，对所述屏障无机层402表面进行等离子体随机轰击的时间为1～10秒，较佳的，例如可以是4～6秒，更佳的，如5秒等等。
本实施例中，在通过等离子体随机轰击已形成的所述屏障无机层402表面以改变其表面型态时，对于等离子体电源以及发出的等离子体均无其他具体如设备型号、能量参数等要求，只要在如上述设定条件下经过等离子体轰击处理即可。轰击处理后再次关闭等离子体电源，这样即最终完成该屏障无机层402如氧化硅材料层的制备，并已同时对其完成表面改质处理。发明人试验研究发现，通过电浆随机轰击该屏障无机层402如氧化硅材料层表面可以改变其表面型态，并提升其表面浸润性，最终可以确保第二柔性材料层403如第二PI膜层能良好的附著成膜于该屏障无机层402上。
在步骤S104中，在所述屏障无机层表面形成第二柔性材料层，并将所述玻璃基板剥离。
示例性的，所述第二柔性材料层403也可以为聚酰亚胺材料层，当上述的屏障无机层402制备好并进行了电浆轰击处理后，再在所述屏障无机层402表面上制备形成第二聚酰亚胺材料层即第二柔性材料层403，然后将所述玻璃基板500剥离即完成PI柔性基板的制作。其中通过电浆随机轰击该屏障无机层402如氧化硅材料层表面可以改变其表面型态，并提升其表面浸润性，最终可以确保第二柔性材料层403如第二PI膜层能良好的附著成膜于该屏障无机层402上。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。
进一步的，继续参考图4中所示，本示例实施方式中，还提供了一种柔性基板400，所述柔性基板400可以包括第一柔性材料层401、屏障无机层402和第二柔性材料层403。其中，所述屏障无机层402在所述第一柔性材料层401表面沉积制备而成，所述第二柔性材料层403在所述屏障无机层402表面形成。
具体的，上述柔性基板400的制备过程可以是：提供一玻璃基板500，在所述玻璃基板500的表面形成第一柔性材料层401；在所述第一柔性材料层401表面沉积制备屏障无机层402；其中所述屏障无机层402包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个；在所述屏障无机层402沉积完成时，对所述屏障无机层402表面进行等离子体轰击处理，以提升所述屏障无机层402表面的浸润性；在所述屏障无机层402表面形成第二柔性材料层403，并将所述玻璃基板500剥离。
在一种示例性实施例中，在所述第一柔性材料层401表面沉积制备屏障无机层402的步骤可以包括：将形成了所述第一柔性材料层401的所述玻璃基板500置于一腔室；向所述腔室内提供硅烷气体，同时开启预设等离子体电源向所述腔室内提供等离子体，以在所述第一柔性材料层401表面沉积制备所述屏障无机层402。
进一步的，在所述屏障无机层402沉积完成时，对所述屏障无机层402表面进行等离子体轰击处理的步骤可以包括：在所述屏障无机层402沉积完成时，停止提供硅烷气体并关闭所述预设等离子体电源，然后向所述腔室内持续通入一氧化二氮预设时间；在所述腔室内通入的一氧化二氮达到预设百分比时，开启所述预设等离子体电源使等离子体随机轰击已形成的所述屏障无机层402表面以改变其表面型态。
上述各示例性实施例中，所述预设时间可以为20～300秒。所述预设百分比为95％以上。对所述屏障无机层402表面进行等离子体随机轰击的时间可以为1～10秒。所述第一柔性材料层401和第二柔性材料层403均可以为聚酰亚胺材料层。
在一种示例性实施例中，在所述第一柔性材料层401表面沉积制备屏障无机层402的步骤可以包括：利用化学气相沉积工艺在所述第一柔性材料层401表面沉积形成所述屏障无机层402。当然本实施例中并不限于化学气相沉积工艺。
关于上述实施例中的柔性基板，其中各个膜层的具体方式已经在有关上述该柔性基板的制作方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。
另外，本示例实施方式中，还提供了一种柔性显示面板。所述柔性显示面板(图未示)可以包括上述实施例中的所述柔性基板400。具体内容可以参考前述实施例，此处不再赘述。此外，该柔性显示面板还可以包括发光组件、封装组件等其他部分，该部分可以参考现有技术，因此不再详述。
本实施例提供的上述柔性基板的制作方法、柔性基板以及柔性显示面板，在所述屏障无机层402的氧化硅或者氮化硅沉积完成时，直接对该屏障无机层402表面进行电浆处理将该屏障无机层表面进行改质，以改善其表面浸润性，从而可以确保第二柔性材料层403如PI膜层能良好的附著成膜于该屏障无机层402上。另外，与相关技术相比，由于无需额外沉积介面无机层来改善上述提及的介面附著不良等问题，因此本实施例优化了多层柔性基板如PI柔性基板的制备技术，简化了制备工艺，节省制作成本，实现整个柔性基板工艺简便顺利完成，也从本质上直接避免介面无机层所带来的应力匹配及异物不良等问题，提高产品良率和质量。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (8)

1.一种柔性基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
提供一玻璃基板，在所述玻璃基板的表面沉积形成第一柔性材料层；
在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层；其中所述屏障无机层包括氧化硅材料层和氮化硅材料层中的至少一个；
在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击的处理，以提升所述屏障无机层表面的浸润性；
在所述屏障无机层的表面形成第二柔性材料层，并将所述玻璃基板剥离。
2.根据权利要求1所述制作方法，其特征在于，在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层的步骤包括：
将形成了所述第一柔性材料层的所述玻璃基板置于一腔室；
向所述腔室内提供硅烷气体，同时开启预设等离子体电源向所述腔室内提供等离子体，以在所述第一柔性材料层表面沉积制备所述屏障无机层。
3.根据权利要求2所述制作方法，其特征在于，在所述屏障无机层沉积完成时，对所述屏障无机层表面进行等离子体轰击处理的步骤包括：
在所述屏障无机层沉积完成时，停止提供硅烷气体并关闭所述预设等离子体电源，然后向所述腔室内持续通入一氧化二氮预设时间；
在所述腔室内通入的一氧化二氮达到预设百分比时，开启所述预设等离子体电源使等离子体随机轰击已形成的所述屏障无机层表面以改变其表面型态。
4.根据权利要求3所述制作方法，其特征在于，所述预设时间为20～300秒。
5.根据权利要求3所述制作方法，其特征在于，所述预设百分比为95％以上。
6.根据权利要求3所述制作方法，其特征在于，对所述屏障无机层表面进行等离子体随机轰击的时间为1～10秒。
7.根据权利要求1～6任一项所述制作方法，其特征在于，在所述第一柔性材料层表面沉积制备屏障无机层的步骤包括：
利用化学气相沉积工艺在所述第一柔性材料层表面沉积形成所述屏障无机层。
8.根据权利要求7所述制作方法，其特征在于，所述第一柔性材料层和第二柔性材料层均为聚酰亚胺材料层。
CN201710726119.0A 2017-08-22 2017-08-22 柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板 Expired - Fee Related CN107393859B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710726119.0A CN107393859B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板
US16/021,833 US20190062920A1 (en) 2017-08-22 2018-06-28 Method for Producing Flexible Substrate, Flexible Substrate and Flexible Display Panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710726119.0A CN107393859B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107393859A CN107393859A (zh) 2017-11-24
CN107393859B true CN107393859B (zh) 2019-07-05

Family

ID=60353845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710726119.0A Expired - Fee Related CN107393859B (zh) 2017-08-22 2017-08-22 柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20190062920A1 (zh)
CN (1) CN107393859B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109671753B (zh) * 2018-12-14 2021-06-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制造方法
CN112071796B (zh) * 2020-09-03 2023-06-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制作方法、柔性显示装置
CN112713229A (zh) * 2020-12-18 2021-04-27 天津宝兴威科技股份有限公司 一种柔性led基板的制备方法
CN113053915A (zh) * 2021-03-08 2021-06-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN113896929A (zh) * 2021-10-13 2022-01-07 北京博瑞原子空间能源科技有限公司 一种柔性玻璃及其制备方法与应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102223760A (zh) * 2011-06-03 2011-10-19 深圳丹邦投资集团有限公司 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled
CN103985823A (zh) * 2013-02-07 2014-08-13 三星显示有限公司 柔性显示装置以及用于制造柔性显示装置的方法
CN105702624A (zh) * 2016-03-30 2016-06-22 武汉华星光电技术有限公司 叠层柔性基板及制作方法
CN106098695A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 三星显示有限公司 柔性显示设备及制造柔性显示设备的方法
CN106847832A (zh) * 2017-03-23 2017-06-13 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板及柔性显示器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3056689B2 (ja) * 1996-07-09 2000-06-26 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US5960920A (en) * 1996-07-26 1999-10-05 Daikin Clutch Corporation Wear compensating friction clutch
KR101775198B1 (ko) * 2013-04-09 2017-09-06 주식회사 엘지화학 적층체 및 이를 이용하여 제조된 기판을 포함하는 소자
KR102403002B1 (ko) * 2015-06-03 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102223760A (zh) * 2011-06-03 2011-10-19 深圳丹邦投资集团有限公司 一种柔性基板、柔性amoled以及柔性pmoled
CN103985823A (zh) * 2013-02-07 2014-08-13 三星显示有限公司 柔性显示装置以及用于制造柔性显示装置的方法
CN106098695A (zh) * 2015-04-30 2016-11-09 三星显示有限公司 柔性显示设备及制造柔性显示设备的方法
CN105702624A (zh) * 2016-03-30 2016-06-22 武汉华星光电技术有限公司 叠层柔性基板及制作方法
CN106847832A (zh) * 2017-03-23 2017-06-13 武汉华星光电技术有限公司 柔性基板及柔性显示器

Also Published As

Publication number Publication date
CN107393859A (zh) 2017-11-24
US20190062920A1 (en) 2019-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107393859B (zh) 柔性基板的制作方法、柔性基板及柔性显示面板
GB2437476A (en) A Method for producing a grafted polymer coating and substrates formed in accordance with the method
JP3330143B2 (ja) 低温プラズマおよび電着を使用した金属被覆方法
TWI314845B (en) Conductive metal plated polyimide substrate and process for manufacturing the same
US20100099271A1 (en) Method for improving process control and film conformality of pecvd film
WO2005094394A3 (en) Non-chrome plating on plastic
TW200606279A (en) Producing method for thin metal laminated body
MXPA05013497A (es) Proceso para la preparacion de material organico revestido de oxido metalico mediante deposito por microondas.
WO2007140421A3 (en) Process chamber for dielectric gapfill
WO2017016395A1 (zh) 一种聚酰亚胺无胶柔性印刷线路板的制备方法
TW200704818A (en) Process for forming zinc oxide film
CN107058980A (zh) 一种防尘表面的制备方法
CN103540908A (zh) 沉积二氧化硅薄膜的方法
TW200424350A (en) Atomic layer deposition methods
CN103570253A (zh) 一种表面镀膜玻璃及其制备方法和一种太阳能电池组件
Zhang et al. Recent progress on non-thermal plasma technology for high barrier layer fabrication
CN111155302A (zh) 一种石墨烯复合碳纤维及其pecvd制备方法
WO2017106035A1 (en) Method for producing a graphene film
CN108149193A (zh) 一种类金刚石碳基薄膜及其制备方法
HK1062927A1 (en) Method using inoculants for depositing intermetallic layers
MX2009002181A (es) Metodo para la formacion de articulo recubierto con oxido de zinc.
WO2004055234A1 (ja) 成膜方法
CN105220125B (zh) 生产锌镁合金镀层钢板及彩涂板的联合机组及其生产方法
CN113943933B (zh) 多层结构的复合膜及其制备方法和产品
CN114921752A (zh) 一种复合板材提高亮度的加工工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190705

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee