CN101892451B

CN101892451B - 薄膜沉积设备、制造喷嘴的方法、制造薄膜的方法

Info

Publication number: CN101892451B
Application number: CN201010189614.0A
Authority: CN
Inventors: 李忠浩; 李廷敏
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2009-05-22
Filing date: 2010-05-24
Publication date: 2015-10-07
Anticipated expiration: 2030-05-24
Also published as: JP2014177707A; US11920233B2; JP5951677B2; EP2281918A1; JP2010270396A; TWI472639B; US20150368784A1; US11624107B2; US9873937B2; JP5620146B2; EP2264213B1; US20230193448A1; EP2264213A1; US10689746B2; US20200318228A1; TW201100577A; US9121095B2; US20100297349A1; EP2281918B1; US20180119267A1

Abstract

本发明提供一种薄膜沉积设备、制造喷嘴的方法、制造薄膜的方法。薄膜沉积设备用于大规模生产大基底并改善制造良率。所述薄膜沉积设备包括：沉积源；第一喷嘴，设置在沉积源的一侧，包括沿第一方向布置的多个第一缝隙；第二喷嘴，设置为与第一喷嘴相对，包括沿第一方向布置的多个第二缝隙；障碍墙组件，包括沿第一方向布置的多个障碍墙，以划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。

Description

薄膜沉积设备、制造喷嘴的方法、制造薄膜的方法

本申请要求于2009年5月22日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0045198号韩国申请、于2009年5月22日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0045200号韩国申请、于2009年5月22日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0045201号韩国申请、于2009年6月8日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0050528号韩国申请、于2009年6月8日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0050530号韩国申请、于2009年6月12日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0052358号韩国申请、于2009年6月12日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0052359号韩国申请、于2009年6月22日在韩国知识产权局提交的第10-2009-0055473号韩国申请的权益，其公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的各方面涉及一种薄膜沉积设备，更具体地讲，涉及一种用于在基底上沉积薄膜的设备。

背景技术

与其他显示装置相比，有机发光显示装置具有更大的视角、更好的对比度特性、更快的响应速度，因此有机发光显示装置作为下一代显示装置已备受瞩目。有机发光显示装置通常具有堆叠的结构，堆叠的结构包括阳极、阴极、设置在阳极和阴极之间的发射层。当从阳极和阴极分别注入的空穴和电子在发射层中复合从而发光时，有机发光显示装置显示彩色的图像。然而，以这样的结构难以实现高发光效率，因此选择性地将包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等的中间层另外地设置在发射层和每个电极之间。

有机发光显示装置包括中间层，中间层包括设置在彼此相对地布置的第一电极和第二电极之间的发射层。可以经各种方法来形成电极和中间层，其中之一是沉积方法。当经沉积方法来制造有机发光显示装置时，将图案与将要形成的薄膜的图案相同的精细金属掩模(FMM)设置为与基底紧密接触，并在FMM上方沉积薄膜材料，以形成具有期望的图案的薄膜。

发明内容

本发明的各方面提供一种能够易于制造的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备可以容易地用于大规模生产大基底，提高制造良率和沉积效率，并允许沉积材料被再利用。

根据本发明的一方面，提供了一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积设备。所述薄膜沉积设备包括：沉积源，用于排放沉积材料；第一喷嘴，设置在沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个第一缝隙；第二喷嘴，设置为与第一喷嘴相对，并包括沿第一方向布置的多个第二缝隙；障碍墙组件，包括沿第一方向布置在第一喷嘴和第二喷嘴之间的多个障碍墙，以将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为多个子沉积空间。

每个障碍墙可以沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸，从而将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为子沉积空间。

第一缝隙中的至少一个第一缝隙可以位于每两个相邻的障碍墙之间。第二缝隙中的至少两个第二缝隙可以位于每两个相邻的障碍墙之间。

设置在每两个相邻的障碍墙之间的第二缝隙的数量可以大于设置在每两个相邻的障碍墙之间的第一缝隙的数量。第二缝隙的总数可以大于第一缝隙的总数。

障碍墙可以按相等的间距布置。障碍墙可以与第二喷嘴分开预定的距离。

障碍墙组件还可以包括冷却构件。

冷却构件可以包括形成为从障碍墙组件的外表面突出的冷却片。

所述薄膜沉积设备还可以包括：第二喷嘴框架，结合到第二喷嘴并支撑第二喷嘴。

第二喷嘴框架可以将张力施加在第二喷嘴上。

在将初始张力施加到第二喷嘴并将压缩力施加到第二喷嘴框架的状态下，第二喷嘴可以结合到第二喷嘴框架，然后可以从第二喷嘴和第二喷嘴框架释放初始张力和压缩力，从而将张力施加在第二喷嘴上，初始张力与压缩力平衡。

在沉积工艺期间，第二喷嘴框架的温度可以保持为基本恒定。

第二喷嘴框架还可以包括辐射片。

所述薄膜沉积设备还可以包括：热屏蔽件，设置在沉积源和第二喷嘴框架之间。

障碍墙组件可从所述薄膜沉积设备拆分开。

所述薄膜沉积设备可以设置在真空室中。

第二喷嘴可以与基底分开预定的距离。

沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件可相对于基底移动。

在沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件相对于基底移动的同时，沉积材料可以沉积在基底上。

沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件可以沿与基底的表面平行的平面相对于基底移动。

在沉积源中蒸发的沉积材料可以穿过第一喷嘴和第二喷嘴，然后可沉积在基底上。

所述薄膜沉积设备还可以包括：多个校准板，设置在第一喷嘴和第二喷嘴之间，并阻挡从沉积源排放的沉积材料的至少一部分。

可以按这样的方式设置校准板：使得薄膜的分别由子沉积空间限定的部分具有相同的厚度。

每个校准板可以形成为随着远离每个子沉积空间的中心而高度减小。

每个校准板可以具有圆弧或余弦曲线形状。

每个校准板的在每个子沉积空间的中心处的高度可以大于在每个子沉积空间的两端处的高度。

可以按这样的方式设置校准板：使得在每个子沉积空间的中心处阻挡的沉积材料的量大于在每个子沉积空间的端部处阻挡的沉积材料的量。

每个校准板可以设置在两个相邻的障碍墙之间。

校准板可以分别形成在子沉积空间中，设置在每个子沉积空间中的校准板的尺寸或形状可根据通过布置在每个子沉积空间中的至少一个第一缝隙排放的沉积材料的特性而改变。

设置在每个子沉积空间中的校准板的尺寸或形状可改变，使得薄膜的分别由子沉积空间限定的部分具有相同的厚度。

可以在沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件相对于基底移动的同时执行沉积。障碍墙可以布置为相对于所述薄膜沉积设备的移动方向倾斜。

障碍墙可以布置为相对于所述薄膜沉积设备的移动方向成锐角倾斜。

障碍墙可以布置为相对于所述移动方向倾斜大约1°至10°。障碍墙可以布置为相对于第一方向倾斜。

每个障碍墙的纵向剖面延伸的方向可以不与第一方向垂直。

每个障碍墙的纵向剖面延伸的方向和第一方向之间的角可以为锐角。每个障碍墙的纵向剖面延伸的方向和第一方向之间的角可以为大约80°至89°。

所述薄膜沉积设备还可以包括：多个辐射构件，用于冷却障碍墙。

辐射构件可以设置在障碍墙的外表面上。

每个障碍墙可以包括形成在每个障碍墙中的腔。

辐射构件可以设置在障碍墙的腔内。辐射构件可以接触腔的内表面。辐射构件可以设置在障碍墙的外表面和内表面上。

辐射构件可以包括冷却管。

沉积源可以包括：第一沉积源，用于排放主体材料；第二沉积源，设置为与第一沉积源平行，用于排放杂质材料。

从第一沉积源排放的主体材料的至少一部分可以与从第二沉积源排放的杂质材料的至少一部分混合。

所述薄膜沉积设备还可以包括：分隔构件，设置在第一沉积源和第二沉积源之间，并限制从第一沉积源排放的主体材料和从第二沉积源排放的杂质材料的范围。

可以通过控制分隔构件的长度来控制从第一沉积源排放的主体材料和从第二沉积源排放的杂质材料的混合量。

基底可以包括：主体沉积区域，在主体沉积区域中仅沉积有主体材料；叠置区域，在叠置区域中混合有主体材料和杂质材料；杂质沉积区域，在杂质沉积区域中仅沉积有杂质材料。

在第一沉积源和第二沉积源相对于基底移动的同时，第一薄膜、第二薄膜、第三薄膜可以堆叠在基底上，其中，第一薄膜仅由主体材料形成，第二薄膜形成为主体材料和杂质材料的混合物层，第三薄膜仅由杂质材料形成。

第一喷嘴可以包括沿第一方向布置的两行多个第一缝隙。

障碍墙组件可以包括：第一障碍墙组件，包括多个第一障碍墙；第二障碍墙组件，包括多个第二障碍墙。

第一障碍墙和第二障碍墙可以沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸，以将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为所述多个子沉积空间。

第一障碍墙可以布置为与第二障碍墙分别对应。

每对对应的第一障碍墙和第二障碍墙可以布置在基本相同的平面上。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积设备。所述薄膜沉积设备包括：沉积源；第一喷嘴和第二喷嘴，设置在沉积源的一侧以彼此面对，其中，多个缝隙沿第一方向形成在第一喷嘴和第二喷嘴中；第一障碍墙组件，包括布置在第一喷嘴和第二喷嘴之间的多个第一障碍墙；第二障碍墙组件，包括布置在第一障碍墙和第二喷嘴之间的多个第二障碍墙。第二喷嘴与基底分开预定的距离，沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、第一障碍墙组件、第二障碍墙组件相对于基底能够移动。

第一障碍墙和第二障碍墙可以沿与第一方向基本垂直的第二方向延伸，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。

第一障碍墙可以布置为与第二障碍墙分别对应。

第一障碍墙和第二障碍墙可以分别按相等的间距布置。

第一障碍墙可以与第二障碍墙分开预定的距离。

第二障碍墙可以与第二喷嘴分开预定的距离。

第一喷嘴可以包括沿第一方向布置的多个第一缝隙，第二喷嘴可以包括沿第一方向布置的多个第二缝隙。

第一障碍墙和第二障碍墙可以沿第一方向设置，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。

在沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、第一障碍墙组件、第二障碍墙组件相对于基底移动的同时，沉积材料可以沉积在基底上。

沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、第一障碍墙组件、第二障碍墙组件可以沿与基底的表面平行的平面相对于基底移动。

第一障碍墙的沿第一方向的厚度可以大于第二障碍墙的沿第一方向的厚度。

第二障碍墙的沿第一方向的厚度可以小于两个相邻的第二缝隙之间的间距。

两个相邻的第二缝隙之间的间距可以大于第二障碍墙的沿第一方向的厚度并可以小于第一障碍墙的沿第一方向的厚度。

每个第二障碍墙位于两个相邻的第二缝隙之间。

每个第二障碍墙可以位于两个相邻的第二缝隙的中点处。

所述薄膜沉积设备还可以包括：多个障碍件，沿第一方向设置在第一障碍墙和第二障碍墙之间。

障碍件可以设置在第一障碍墙的与第二障碍墙相对的端部处。

障碍件的宽度与第一障碍墙的厚度成比例。

障碍件可以与第一障碍墙和第二障碍墙分开预定的距离。

障碍件的宽度可以与第一障碍墙和第二障碍墙之间的距离成比例。

障碍件可以设置为与第一障碍墙基本垂直。障碍件可以与第一障碍墙一体化形成。

根据本发明的另一方面，提供一种制造薄膜沉积设备中的第二喷嘴的方法，薄膜沉积设备具有第一喷嘴、第二喷嘴、第一障碍墙组件、第二障碍墙组件，所述方法包括如下步骤：将初始张力施加到第二喷嘴；将压缩力施加到薄膜沉积设备的第二喷嘴框架；将第二喷嘴结合到薄膜沉积设备的第二喷嘴框架，从而从第二喷嘴和第二喷嘴框架分别释放初始张力和压缩力，并在第二喷嘴上仅施加有所得的张力。

根据本发明的另一方面，提供一种在具有长度和宽度的基底上制造薄膜的方法，所述方法包括如下步骤：从沉积源喷嘴单元通过结合到框架的图案化片中的开口传输沉积材料，图案化片的长度基本上短于基底的长度；在图案化片和基底之间的相对移动期间，沿基底的长度沉积传输的沉积材料，以形成薄膜。

本发明的另外的方面和/或优点将在下面的描述中进行一定程度地阐述，并且将从描述中在一定程度上是明显的，或者可以通过实施本发明而获知。

附图说明

通过下面结合附图对实施例的描述，本发明的这些和/或其他方面和优点将变得更明显并更易于理解，附图中：

图1是根据本发明实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；

图2是图1的薄膜沉积设备的示意性侧视图；

图3是图1的薄膜沉积设备的示意性平面图；

图4是示出根据本发明实施例的第二喷嘴和第二喷嘴框架的结合结构的示意性透视图；

图5A是示出根据本发明实施例的图1的薄膜沉积设备中的沉积材料的沉积的示意图；

图5B示出如图5A中所示的当沉积空间由障碍墙划分时沉积在基底上的薄膜的阴影区域(shadow zone)；

图5C示出当沉积空间没有进行划分时沉积在基底上的薄膜的阴影区域；

图6是根据本发明另一实施例的还包括冷却构件的薄膜沉积设备的示意图；

图7是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；

图8和图9是根据本发明实施例的示意性地比较当使用不具有校准板(calibration plate)的薄膜沉积设备时与当使用具有校准板的薄膜沉积设备时形成在基底上的膜的沉积材料的分布的曲线图；

图10是根据本发明的图7的薄膜沉积设备的另一实施例的示意性透视图；

图11是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性平面图；

图12是沿YZ平面截取的图11的薄膜沉积设备的剖视图；

图13A至图13C是示出根据前面的实施例的薄膜沉积设备和根据本发明当前实施例的薄膜沉积设备沉积的薄膜的厚度的示意图；

图14是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；

图15是图14的薄膜沉积设备的示意性侧视图；

图16是图14的薄膜沉积设备的示意性平面图；

图17是根据本发明的包括在图14的薄膜沉积设备中的障碍墙的另一实施例的示意性平面图；

图18是根据本发明的包括在图14的薄膜沉积设备中的障碍墙的另一实施例的示意性平面图；

图19是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；

图20是图19的薄膜沉积设备的示意性侧视图；

图21是图19的薄膜沉积设备的示意性平面图；

图22是示出根据本发明实施例的通过使用图19的薄膜沉积设备来制造薄膜的工艺的示意图；

图23示出根据本发明实施例的根据图22的工艺而形成在基底上的薄膜；

图24是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；

图25是图24的薄膜沉积设备的示意性侧视图；

图26是图24的薄膜沉积设备的示意性平面图；

图27是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；

图28是图27的薄膜沉积设备的示意性平面图；

图29是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；

图30是图29的薄膜沉积设备的示意性平面图；

图31至图33是根据本发明另一实施例的包括在图29的薄膜沉积设备中的障碍件的各种实施例的示意性平面图。

具体实施方式

现在将对本发明的当前实施例进行详细说明，在附图中示出了本发明的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。下面通过参照附图来描述实施例以说明本发明。此外，应该理解的是，在这里陈述一个膜或层“形成在”或“设置在”第二层或膜“上”时，第一层或膜可以直接形成或设置在第二层或膜上，或者可以在第一层或膜与第二层或膜之间存在中间层或膜。此外，如这里使用的，术语“形成在......上”以含义与“位于......上”或“设置在......上”的含义相同的含义来使用，且不意在对任何具体的制造工艺进行限制。

图1是根据本发明实施例的薄膜沉积设备100的示意性透视图。图2是薄膜沉积设备100的示意性侧视图。图3是薄膜沉积设备100的示意性平面图。

参照图1、图2、图3，薄膜沉积设备100包括沉积源110、第一喷嘴120、障碍墙组件130、第二喷嘴150、第二喷嘴框架155。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。根据本发明的其他方面，薄膜沉积设备100可以包括诸如在下面描述的示例中的另外的和/或不同的组件。

虽然为了便于说明而在图1、图2、图3中没有示出室(chamber)，但是沉积设备100的所有组件可以设置在保持在适当程度的真空的室内。将室保持在适当程度的真空，以允许沉积材料基本上沿直线运动。

具体地讲，为了按期望的图案在基底160上沉积从沉积源110发出的并通过第一喷嘴120和第二喷嘴150排放的沉积材料115，与在利用精细金属掩模(FMM)的沉积方法中相同，室应该保持在高真空状态。另外，障碍墙组件130和第二喷嘴150的温度应比沉积源110的温度低得足够多。就此，与沉积源110相比，障碍墙组件130和第二喷嘴150的温度可以为100℃或更低。这是与障碍墙组件130碰撞的沉积材料115没有再次蒸发(vaporize)的原因。另外，当第二喷嘴150的温度足够低时，第二喷嘴150的热膨胀可以最小化。障碍墙组件130面对处于高温的沉积源110。障碍墙组件130的靠近沉积源110的部分的温度最大升高大约167℃。因此，如果需要，则可以进一步包括局部冷却设备。因此，障碍墙组件130可以包括冷却构件。这将在后面详细描述。

基底160设置在室中。基底160可以为用于平板显示器的基底。用于制造多个平板显示器的诸如母玻璃的大基底可以用作基底160。也可以采用其他的基底。基底160也可以被视为沉积材料115的目标(target)。

包含并加热沉积材料115的沉积源110设置在室的与设置有基底160的一侧相对的一侧。随着包含在沉积源110中的沉积材料115蒸发，沉积材料115沉积在基底160上。沉积源110包括：坩埚111，填充有沉积材料115；加热器112，加热坩埚111以使包含在坩埚111中的沉积材料115朝向坩埚111的一侧蒸发，具体地讲，朝向第一喷嘴120蒸发。

第一喷嘴120设置在沉积源110的面对基底160的一侧。第一喷嘴120包括沿Y轴方向按相等的间距布置的多个第一缝隙121。在沉积源110中蒸发的沉积材料115朝向基底160穿过第一喷嘴120。

障碍墙组件130设置在第一喷嘴120的一侧。障碍墙组件130包括多个障碍墙131和构成障碍墙131的外壁的障碍墙框架132。多个障碍墙131可以沿Y轴方向按相等的间距布置为彼此平行。每个障碍墙131可以布置为与图1中的XZ平面平行，即，与Y轴方向垂直。如上所述地布置的多个障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间，这将在后面进行描述。在薄膜沉积设备100中，沉积空间被障碍墙131划分为与沉积材料115排放所通过的第一缝隙121分别对应的子沉积空间。

障碍墙131可以分别设置在相邻的第一缝隙121之间。每个第一缝隙121可以设置在两个相邻的障碍墙131之间。第一缝隙121可以分别位于两个相邻的障碍墙131之间的中点处。如上所述，因为障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间，所以通过每个第一缝隙121排放的沉积材料115没有与通过其他的第一缝隙121排放的沉积材料115混合，并穿过第二缝隙151，从而沉积在基底160上。障碍墙131引导通过第一缝隙121排放的沉积材料115，使得沉积材料115不沿Y轴方向流动。

形成围绕障碍墙131的上外壁和下外壁的障碍墙框架132保持障碍墙131的位置，并引导通过第一缝隙121排放的沉积材料115，使得沉积材料115不沿Z轴方向流动。

障碍墙组件130可以被构造为可从薄膜沉积设备100拆分开。传统的FMM沉积方法的沉积效率低。如这里所使用的，沉积效率指沉积在基底上的沉积材料与从沉积源蒸发的沉积材料的比率。传统的FMM沉积方法的沉积效率为大约32％。因此，在传统的FMM沉积方法中，剩余了附着于沉积设备而没有沉积在基底上的大约68％的有机沉积材料，因此，不易于再利用沉积材料。

为了克服这些问题，在薄膜沉积设备100中，障碍墙组件130围绕沉积空间，从而没有沉积在基底160上的沉积材料115大部分剩余在障碍墙组件130内。因此，当在长时间的沉积工艺之后大量沉积材料115位于障碍墙组件130中时，可以将障碍墙组件130从薄膜沉积设备100拆分开，然后置于单独的沉积材料回收设备中以回收沉积材料115。因薄膜沉积设备100的这样的结构，提高了沉积材料115的再利用率，从而改善了沉积效率，因此降低了制造成本。

另外，障碍墙组件130可以设置为与第一喷嘴120分隔预定的距离，以防止热从沉积源110传递到障碍墙组件130，因此抑制障碍墙组件130的温度升高。此外，障碍墙组件130与第一喷嘴120的分隔提供了更容易地安装阻挡来自第一喷嘴120的辐射热的构件(未示出)的空间。具体地讲，为阻挡来自第一喷嘴120的靠近第一缝隙121的表面的辐射热的构件提供空间。可以根据工艺条件来设置障碍墙组件130和第一喷嘴120之间的分隔间距。

第二喷嘴150和第二喷嘴框架155设置在沉积源110和基底160之间。第二喷嘴框架155可以按与窗口框架(window frame)类似的格子形状(latticeshape)形成。第二喷嘴150结合在第二喷嘴框架155内部。第二喷嘴150包括沿Y轴方向按相等的间距布置的多个第二缝隙151。在沉积源110中蒸发的沉积材料115朝向基底160穿过第一喷嘴120和第二喷嘴150。

在薄膜沉积设备100中，第二缝隙151的总数可以多于第一缝隙121的总数。另外，可以有数量比第一缝隙121的数量多的第二缝隙151设置在两个相邻的障碍墙131之间。

至少一个第一缝隙121可以设置在每两个相邻的障碍墙131之间。多个第二缝隙151可以设置在每两个相邻的障碍墙131之间。第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间被障碍墙131划分为与第一缝隙121分别对应的子沉积空间。因此，从每个第一缝隙121排放的沉积材料115穿过设置在与第一缝隙121对应的子沉积空间中的多个第二缝隙151，然后沉积在基底160上。

可以通过蚀刻来制造第二喷嘴150，这与在制造FMM(具体地讲，条纹式FMM)的传统方法中使用的方法相同。在传统的FMM沉积方法中，FMM的尺寸必须等于基底的尺寸。因此，随着基底变得更大，传统的FMM的尺寸必须增加。既不易于制造大FMM，也不易于延展将与图案精确对齐的FMM。然而，在薄膜沉积设备100中，在沉积设备100沿基底160的方向移动时或者在基底160沿薄膜沉积设备100的方向移动时，可以执行沉积。例如，当薄膜沉积设备100在室内沿Z轴方向移动时或者当薄膜沉积设备100固定地位于室内且基底160沿Z轴方向移动时，可以执行沉积。一旦薄膜沉积设备100在当前位置完成了沉积，则薄膜沉积设备100或基底160沿Z轴方向彼此相对地移动，以进行进一步的连续沉积。因此，在薄膜沉积设备100中，第二喷嘴150可以显著小于在传统的沉积方法中使用的FMM。在薄膜沉积设备100中，第二喷嘴150的沿Y轴方向和Z轴方向的长度可以短于基底160的长度。

如上所述，因为第二喷嘴150可以形成为显著小于在传统的沉积方法中使用的FMM，所以制造第二喷嘴150相对容易。与使用更大的FMM的传统的沉积方法相比，在包括蚀刻和后续的其他工艺的所有的工艺(诸如精确延展、焊接、移动、清洁工艺)中，小于在传统的沉积方法中使用的FMM的第二喷嘴150更加方便。这对于相对大的显示装置更为有利。

障碍墙组件130和第二喷嘴150彼此分开预定的距离。障碍墙组件130和第二喷嘴150可以因一些原因而彼此分开。

首先，第二喷嘴150和第二喷嘴框架155应与基底160对齐，以精确定位并在它们之间具有恒定的间距，因此需要高精度控制。因此，为了易于控制可需要高精度控制的部件，第二喷嘴150和第二喷嘴框架155与作为不需要精确控制的相对沉重的部件的沉积源110、第一喷嘴120、障碍墙组件130分开。障碍墙组件130的温度可以因温度高的沉积源110而升高到100℃或更高。因此，为了防止障碍墙组件130的热传导到第二喷嘴150，将障碍墙组件130和第二喷嘴150彼此分开。

在薄膜沉积设备100中，附着于障碍墙组件130的沉积材料115大部分被再利用，而附着于第二喷嘴150的沉积材料115不会被再利用。因此，当将障碍墙组件130和第二喷嘴150分开时，可以便于回收沉积材料115以进行再利用。

另外，还可以安装校准板(未示出)以保证整个基底160上方的薄膜的均匀性。当将障碍墙131和第二喷嘴150分开时，非常容易安装校准板。最后，还可以安装分隔件(未示出)以防止在完成沉积到基底160上之后并在另一目标经历沉积之前沉积材料115沉积在第二喷嘴150上。这可以延长喷嘴更换周期。易于在障碍墙131和第二喷嘴150之间安装分隔件。

图4是示出根据本发明实施例的第二喷嘴150和第二喷嘴框架155的结合结构的示意性透视图。第二喷嘴框架155可以按与窗口框架类似的格子形状形成。包括多个第二缝隙151的第二喷嘴150结合在第二喷嘴框架155内部。在薄膜沉积设备100中，第二喷嘴150结合到第二喷嘴框架155，从而第二喷嘴框架155将张力施加在第二喷嘴150上。

具体地讲，第二喷嘴150的图案精确度可以受第二喷嘴150的制造误差和热膨胀误差的影响。为了最小化第二喷嘴150的制造误差，可以使用用于精确延展FMM并将FMM焊接到框架的反作用力技术(counter forcetechnique)。现在将在下面进行详细描述。

最初，如图4中所示，将外部张力施加到第二喷嘴150，使得第二喷嘴150向外伸展。接着，沿与外部张力施加到第二喷嘴150所沿的方向相反的方向将压缩力施加到第二喷嘴框架155，使得压缩力与施加到第二喷嘴150的外部张力平衡。然后，通过例如将第二喷嘴150的边缘焊接到第二喷嘴框架155来将第二喷嘴150结合到第二喷嘴框架155。最后，释放第二喷嘴150和第二喷嘴框架155的施加到它们的所有外力以达到平衡，从而仅通过第二喷嘴框架155将张力施加在第二喷嘴150上。当使用如上所述的这样的精确延展、压缩、焊接技术时，可以在2μm或更小的制造误差条件下制造第二喷嘴150。

在薄膜沉积设备100中，第二喷嘴框架150的温度可以保持恒定。具体地讲，设置为面对温度高的沉积源110的第二喷嘴150始终暴露于来自沉积源110的辐射热，使得第二喷嘴150的温度有一定程度地升高，例如，升高大约5℃至15℃。然而，当第二喷嘴150的温度升高时，第二喷嘴150可以膨胀，因此，第二喷嘴150的图案精确度劣化。为了克服这样的问题，可以使用第二喷嘴框架155，支撑第二喷嘴150从而将张力施加在第二喷嘴150上的第二喷嘴框架155的温度保持恒定，从而防止因第二喷嘴150的温度升高导致的图案误差。第二喷嘴150可以为例如条纹式喷嘴。

第二喷嘴150的沿水平方向(Y轴方向)的热膨胀(图案误差)受第二喷嘴框架155的温度的影响。因此，如果第二喷嘴框架155的温度保持恒定，则即使当第二喷嘴150的温度升高时，第二喷嘴150的图案由热膨胀导致的这样的误差也没有出现。另外，第二喷嘴150沿垂直方向(Z轴方向)热膨胀。然而，第二喷嘴150的垂直方向是扫描方向，这与第二喷嘴150的图案精确度无关。

在真空条件下，第二喷嘴框架155不直接面对沉积源110，因此没有暴露于来自沉积源110的辐射热。另外，因为第二喷嘴框架155没有连接到沉积源110，所以在它们之间不存在热传导。因此，第二喷嘴框架155的温度不可能升高。即使第二喷嘴框架155的温度轻微地升高，例如，升高1至3℃，第二喷嘴框架155的温度也可以通过利用热屏蔽件或辐射片(radiation fin)而容易地保持恒定。这将在后面进行详细描述。

如上所述，当第二喷嘴框架155将张力施加在第二喷嘴150上且第二喷嘴框架155的温度保持恒定时，第二喷嘴150的热膨胀问题不再影响第二喷嘴150的图案精确度的问题。因此，可以进一步改善第二喷嘴150的图案精确度。换句话说，如上所述，当使用精确延展、压缩、焊接技术时，可以在2μm或更小的制造误差条件下制造第二喷嘴150。另外，通过支撑第二喷嘴150从而将张力施加在第二喷嘴150上，并通过将第二喷嘴框架155的温度保持恒定，可以防止因随着第二喷嘴150的温度升高而出现的第二喷嘴150的热膨胀导致的第二喷嘴150的图案误差。因此，可以在小于2μm的误差条件下制造第二喷嘴150，这有助于第二喷嘴150的制造误差(小于2μm)和第二喷嘴150的热膨胀误差(趋近于零)。

图5A是示出根据本发明实施例的薄膜沉积设备100中的沉积材料115的沉积的示意图。图5B示出当沉积空间由障碍墙131划分时沉积在基底160上的薄膜的阴影区域。图5C示出当没有划分沉积空间时沉积在基底160上的薄膜的阴影区域。

参照图5A，在沉积源110中蒸发的沉积材料115因通过第一喷嘴120和第二喷嘴150的排放而沉积在基底160上。因为障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间，所以通过第一喷嘴120的每个第一缝隙121排放的沉积材料115因障碍墙131而不与通过其他相邻的第一缝隙121排放的沉积材料115混合。

当障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间时，形成在基底160上的阴影区域的宽度SH₁因此通过下式确定：

SH₁＝S×ds/h ...(1)

其中，S表示第二喷嘴150和基底160之间的距离，ds表示靠近沉积源110的第一缝隙121的宽度，h表示沉积源110和第二喷嘴150之间的距离。

然而，当没有通过障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间时，如图5C中所示，与图5B的情况相比，沉积材料115以更宽范围的角度通过第二喷嘴150排放。这是因为不仅通过在划分的空间中的一个第一缝隙121而且通过多个第一缝隙121排放的沉积材料115通过第二缝隙151沉积在基底160上。因此，形成在基底160上的阴影区域的宽度SH₂远大于当通过障碍墙131划分沉积空间时的宽度。形成在基底160上的阴影区域的宽度SH₂通过下式确定：

SH₂＝S×2d/h ...(2)

其中，S表示第二喷嘴150和基底160之间的距离，d表示相邻的第一缝隙之间的间距，该间距基本等于相邻的障碍墙之间的间距，h表示沉积源110和第二喷嘴150之间的距离。

参照式(1)和式(2)，第一缝隙121的宽度ds比相邻的障碍墙之间的间距d小几倍至几十倍，因此，当障碍墙131划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间时，阴影区域可以具有更小的宽度。可以通过如下几种方式中的任意方式来减小形成在基底160上的阴影区域的宽度SH₂：(1)减小相邻的障碍墙131之间的间距d，(2)减小第二喷嘴150和基底160之间的距离S，或(3)增加沉积源110和第二喷嘴150之间的距离h。

如上所述，可以通过安装障碍墙131来减小形成在基底160上的阴影区域。因此，第二喷嘴150可以与基底160分开。

因此，在薄膜沉积设备100中，第二喷嘴150可以与基底160分开预定的距离。在利用FMM的传统的沉积方法中，利用与基底紧密接触的FMM来执行沉积，以防止在基底上形成阴影区域。然而，当FMM用于与基底紧密接触时，这样的接触会造成缺陷。为了克服这样的问题，在薄膜沉积设备100中，第二喷嘴150设置为与基底160分开预定的距离。这可以通过安装障碍墙131以减小形成在基底160上的阴影区域的宽度来实现。

如上所述，根据本发明的各方面，可以防止在传统的沉积方法中出现的因基底和FMM之间的接触造成的缺陷。另外，因为在沉积工艺期间不需要使用与基底紧密接触的FMM，所以可以改善制造速度。

图6是根据本发明另一实施例的包括冷却构件的薄膜沉积设备的示意图。如上所述，障碍墙组件130可以进一步包括冷却构件。具体地讲，障碍墙组件130的温度应保持为显著地低于沉积源110的温度。为此，第一障碍墙组件130可以进一步包括冷却构件。障碍墙框架132可以包括作为冷却构件的示例的冷却片(cooling fin)133。冷却片133可以形成为从障碍墙框架132的外围突出，以对障碍墙组件130的热进行辐射式冷却。可选择地，虽然没有示出，但是可以应用水冷方法，其通过将管(pipe)安装在障碍墙组件130中并使冷却剂(coolant)流过管。

另外，第二喷嘴框架155可以进一步包括辐射片153。热屏蔽件185可以进一步设置在沉积源110和第二喷嘴框架155之间。

在真空条件下，第二喷嘴框架155没有直接面对沉积源110，因此没有暴露于来自沉积源110的辐射热。另外，因为第二喷嘴框架155没有连接到沉积源110，所以在它们之间不存在热传导。因此，第二喷嘴框架155的温度不可能升高。然而，第二喷嘴框架155的温度仍可能轻微地升高大约1°至3°。可以经辐射片153来防止这样的温度升高，从而第二喷嘴框架155的温度可以保持恒定。辐射片153可以形成为从第二喷嘴框架155的外表面突出，以对第二喷嘴框架155进行辐射式冷却。另外，可以通过将热屏蔽件185安装在沉积源110和第二喷嘴框架155之间来阻挡从沉积源110朝向第二喷嘴框架155辐射的热，从而第二喷嘴框架155的温度可以保持恒定。

图7是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备700的示意性透视图。参照图7，薄膜沉积设备700包括沉积源110、第一喷嘴120、障碍墙组件130、第二喷嘴150、第二喷嘴框架155。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。薄膜沉积设备700还可以包括多个校准板190。图7的薄膜沉积设备700与图1的薄膜沉积设备100的区别在于还包括用于形成在基底160上的膜的沉积均匀性的校准板190。现在将详细描述校准板190。

图8是根据本发明实施例的示意性地比较使用不具有校准板的薄膜沉积设备与具有校准板的薄膜沉积设备形成在基底上的膜的沉积材料的分布的曲线图。图8示出从孔(即，第一缝隙)排放的沉积材料排放量或系数彼此相同的情况。在图8中，S表示子沉积空间，d表示相邻的障碍墙之间的距离。

在图8中，A线表示不具有校准板的薄膜沉积设备形成的膜的沉积材料的分布，B线表示具有校准板的薄膜沉积设备形成的膜的沉积材料的分布。

参照图8，根据余弦定理(cosine rule)，最大量的有机材料排放在每个子沉积空间S中的直接面对每个第一缝隙的区域中，即，在每个子沉积空间S的中心区域中，且排放的有机材料的量朝向障碍墙而减小。因此，不包括校准板的薄膜沉积设备形成的膜具有由A线指示的轮廓。在每个子沉积空间S中，膜具有中心凸出的轮廓。对于形成在基底上的膜的整个表面，膜具有由重复凸出部分和凹进部分而形成的不规则表面。

在这样的情况下，通过实验可以容易地推导出每个子沉积空间S中的位置和中心之间的距离与在该位置上的膜的厚度之间的关系。在大多数情况下，可以利用cosⁿ(θ)函数来表示该关系。

为了改善每个子沉积空间S中的膜的厚度的均匀性，可以使用图7中的校准板190。参照图7，校准板190设置在每两个相邻的障碍墙131之间，从而具有圆弧或余弦曲线形状。如上所述地设置并成形的校准板190可以部分地阻挡从第一缝隙121运动到第二缝隙151的沉积材料115。

具体地讲，因为不具有校准板的薄膜沉积设备形成的膜的由每个子沉积空间S限定的部分具有凸出的中心部分，所以应阻挡朝向每个子沉积空间S的中心运动的沉积材料的一部分。因此，通过将校准板190设置在沉积材料运动路径的中部中来阻挡沉积材料的一部分。因为校准板190均形成为圆弧或余弦曲线形状，所以与校准板190的其他部分相比，沉积材料因校准板190的突起而与校准板190的中部更多地碰撞，因此被更多地阻挡。换句话说，与校准板190的中部相比，沉积材料与校准板190的边缘部分更少地碰撞，因此被更少地阻挡。在这样的情况下，可以按这样的方式设计校准板190，即，形成的膜的均匀的厚度与膜的在每个子沉积空间S的每个边缘部分中的部分的厚度相同，膜的在每个子沉积空间S的每个边缘部分中的部分的厚度在膜的其他部分的厚度中是最小的。

如上所述，因校准板190安装在沉积材料运动路径中，从而薄膜沉积设备形成的膜可以具有由图8的B线指示的轮廓。换句话说，每个校准板190被设计为在相对大量的沉积材料所穿过的区域中具有相对大的高度，以阻挡相对大量的沉积材料。同样，每个校准板190被设计为在相对小量的沉积材料所穿过的区域中具有相对小的高度，以阻挡相对小量的沉积材料。按这样的方式，校正了沉积的沉积材料的量，使得形成的膜的厚度在基底上方是均匀的。

当使用根据本发明实施例的具有校准板的薄膜沉积设备(见图7)时，形成在基底上的薄膜的厚度的均匀性保持在1％至2％的误差范围内，因此，可以改善包括形成有薄膜的基底的产品的质量和可靠性。

图9是根据本发明实施例的示意性地比较利用不具有校准板的薄膜沉积设备与具有校准板的薄膜沉积设备形成在基底上的膜的沉积材料的分布的曲线图。

在图9中，C线表示不具有校准板的薄膜沉积设备形成的膜的沉积材料的分布，D线表示具有校准板的薄膜沉积设备形成的膜的沉积材料的分布。

参照图9，根据余弦定理，最大量的沉积材料排放在每个子沉积空间S中的直接面对每个第一缝隙的区域中，即，在每个子沉积空间S的中心区域中，且排放的沉积材料的量朝向障碍墙而减小。然而，根据本发明的实施例，如果沉积材料排放所通过的多个第一缝隙包括在薄膜沉积设备中，则因为沉积源的内部温度不恒定且沉积源的中心部分和边缘部分具有不同的形状，所以第一缝隙可以分别具有不同的沉积材料排放量或系数。因此，不具有校准板的薄膜沉积设备形成的膜具有C线指示的轮廓。在每个子沉积空间S中，膜具有中心凸出的轮廓。对于形成在基底上的膜的整个表面，膜的最大厚度在每个子沉积空间S中变化。

在这样的情况下，通过实验可以容易地得出每个子沉积空间S中的位置和中心之间的距离与在该位置上的沉积的膜的厚度之间的关系。在大多数情况下，可以利用cosⁿ(θ)函数来表示该关系。

图9与图8的区别在于：因为沉积的膜的最大厚度在每个子沉积空间S中变化，所以对于每个子沉积空间S不同地形成校准板190。换句话说，在具有相对厚的膜的子沉积空间S(即，图9的最左侧的子沉积空间S)中，校准板190制作为相对大，以阻挡更多的沉积材料。另一方面，在具有相对薄的膜的子沉积空间S(即，图9的最右侧的子沉积空间S)中，校准板190制作得小，以阻挡较少的沉积材料。在这样的情况下，可以按这样的方式设计校准板190，即，形成为横过基底的膜的厚度与膜在特定子沉积空间S中的最小厚度相同，该最小厚度是膜在其他子沉积空间S中的部分中最薄的。

如上所述，因校准板190安装在沉积材料运动路径中，从而薄膜沉积设备形成的膜可以具有如图9的D线指示的轮廓。换句话说，校准板190使膜的形成在每个子沉积空间S中的部分的厚度均匀，并进一步使形成在基底上的整个膜的厚度均匀。

当使用根据本发明实施例的具有校准板的薄膜沉积设备(见图7)时，形成在基底上的薄膜的厚度的均匀性保持在1％至2％的误差范围内，因此，可以改善包括形成有薄膜的基底160的产品的质量和可靠性。

图10是根据本发明各方面的图7的薄膜沉积设备700的另一实施例的薄膜沉积设备700′的示意性透视图。图7的薄膜沉积设备700和图10的薄膜沉积设备700′之间的唯一区别在于多个校准板190′的形状和位置。因此，在此将不提供对于由与图7的实施例中使用的标号相同的标号指示的元件的详细描述。

参照图10，薄膜沉积设备700′包括沉积源110、第一喷嘴120、第一障碍墙组件130、第二喷嘴150。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。薄膜沉积设备700′还包括多个校准板190′。

校准板190′设置在第一障碍墙组件130的中部而非第一障碍墙组件130的下部。每个校准板190′可以具有包括沿Z轴方向布置的圆弧或余弦曲线的组合的形状。虽然未示出，但是校准板190′既可以安装在第一障碍墙组件130中，也可以安装在第二障碍墙组件(未示出)中。校准板190′可以形成在第一障碍墙组件130上的各种位置处，例如，在第一障碍墙组件130的下部、中部、上部中。每个校准板190′的形状既可以为圆弧、余弦曲线、沿Z轴方向布置的圆弧的组合或沿Z轴方向布置的余弦曲线的组合，也可以为任意形状，只要其可以保证在基底160的整个表面上方的膜的均匀性。例如，设置在每个子沉积空间中的校准板的尺寸或形状能够根据通过布置在每个子沉积空间中的至少一个第一缝隙排放的沉积材料的特性而改变。

图11是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备1100的示意性平面图。图12是沿YZ平面截取的图11的薄膜沉积设备1100的剖视图。

参照图11和图12，薄膜沉积设备1100包括沉积源110、第一喷嘴120、障碍墙组件130、第二喷嘴150。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。薄膜沉积设备1100与根据前面的实施例的薄膜沉积设备的区别在于多个障碍墙设置成倾斜的。

具体地讲，障碍墙131可以沿Y轴方向布置成倾斜的。在图12中，标号A表示布置第二喷嘴150所沿的方向。A方向可以为Z轴方向。A方向还可以为薄膜沉积设备1100移动所沿的方向。标号B表示布置第二缝隙151所沿的方向。B方向可以为Y轴方向。

每个障碍墙131可以布置为相对于A方向倾斜预定的角θ1。预定的角θ1可以为锐角，例如，大约1°至10°。

根据本发明的另一实施例，障碍墙131可以布置为相对于B方向倾斜预定的角θ2。即，障碍墙131可以布置为不与B方向垂直。预定的角θ2可以为锐角，例如，大约80°至大约89°。

当障碍墙131布置为相对于A方向倾斜预定的角θ1或相对于B方向倾斜预定的角θ2时，可以改善沉积在基底160上的薄膜的厚度均匀性。这将在后面进行详细描述。

图13A至图13C是示出根据前面的实施例的薄膜沉积设备和根据本发明当前实施例的薄膜沉积设备形成的薄膜的厚度的示意图。图13A示出在根据前面的实施例的薄膜沉积设备中当障碍墙布置为与布置第二缝隙所沿的方向(即，Y轴方向)垂直时形成的薄膜157的一部分的厚度。具体地讲，图13A示出薄膜157的通过在第一喷嘴和第二喷嘴之间的由相邻的障碍墙划分的空间而形成的部分的厚度。参照图13A，通过第二缝隙形成的薄膜157的中心部分1571的厚度大于薄膜157的外周部分1572和1573的厚度，而薄膜157的周围部分1574和1575的厚度大于薄膜157的外周部分1572和1573的厚度。这是因为在沉积工艺期间通过每个相邻的第一缝隙中排放的沉积材料与通过其他相邻的第一缝隙排放的沉积材料混合。因此，通过在第一喷嘴和第二喷嘴之间的由相邻的障碍墙划分的空间形成的薄膜157的厚度不均匀，如图13A中所示。

然而，在图11的薄膜沉积设备1100中，障碍墙131布置为相对于薄膜沉积设备1100的移动方向倾斜，如上所述。因此，当在薄膜沉积设备1100或基底160沿一个方向(例如，Z轴方向)移动的同时执行沉积时，如图13B中所示，薄膜157a、157b、157c、157d、157e、157f彼此叠置。结果，包括通过第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的由相邻的障碍墙131划分的空间而形成的叠置的薄膜157a至157f的整个薄膜158的厚度均匀，如图13C中所示。

因此，可以在不需要使用另外的校正板(correction plate)的情况下通过将障碍墙131布置为倾斜而简单地形成厚度均匀的薄膜，从而简化了制造薄膜沉积设备1100的工艺，并降低了其制造成本。所述另外的校正板通过干扰(disturb)沉积材料115的沉积来保持沉积的薄膜的厚度均匀性，因此，沉积效率降低。然而，根据当前的实施例，在不需要使用另外的校正板的情况下通过将障碍墙131布置为倾斜而简单地保持薄膜的厚度均匀性，从而可以改善沉积材料115的沉积效率。

图14是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备1400的示意性透视图。图15是图14的薄膜沉积设备1400的示意性侧视图。图16是图14的薄膜沉积设备1400的示意性平面图。

参照图14至图16，薄膜沉积设备1400包括沉积源110、第一喷嘴120、障碍墙组件130、第二喷嘴150。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。薄膜沉积设备1400与根据前面的实施例的薄膜沉积设备的区别在于还包括多个辐射构件180。

详细地讲，辐射构件180可以设置在障碍墙131上。辐射构件180可以辐射式散发障碍墙131的热。辐射构件180可以通过将障碍墙131保持在预定的温度并辐射式散发障碍墙131的热来降低第二喷嘴150的温度。如图14至图16中所示，辐射构件180可以接触障碍墙131的外表面。辐射构件180可以布置在每个障碍墙131的一个外表面上或者在每个障碍墙131的相对的两个外表面上。辐射构件180可以为冷却管。辐射构件180可以沿Z轴方向平行延伸。

图17是根据本发明其他方面的包括在图14的薄膜沉积设备1400中的障碍墙131的另一实施例的示意性平面图。参照图17，障碍墙131可以包括形成在其中的腔131a。辐射构件180可以设置在障碍墙131内部。就此，辐射构件180可以接触障碍墙131的内表面。如果辐射构件180设置在障碍墙131的内表面上，则易于回收吸收到障碍墙组件130上的沉积材料115，并易于清洁障碍墙组件130的内部。虽然图17中没有示出，但是辐射构件180可以设置在障碍墙131的外表面上或在障碍墙131的内表面和外表面上。

图18是根据本发明各方面的包括在图14的薄膜沉积设备1400中的障碍墙131的另一实施例的示意性平面图。参照图18，每个障碍墙131可以成形为朝向第二喷嘴150逐渐变细。每个障碍墙131可以包括形成在其中的腔131a。辐射构件180可以设置在障碍墙131内。就此，辐射构件180可以接触障碍墙131的内表面。虽然图18中没有示出，但是辐射构件180可以设置在障碍墙131的外表面上或在障碍墙131的内表面和外表面上。

图19是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备1900的示意性透视图。图20是图19的薄膜沉积设备1900的示意性侧视图。图21是图19的薄膜沉积设备1900的示意性平面图。

参照图19至图21，薄膜沉积设备1900包括第一沉积源111、第二沉积源116、第一喷嘴120、障碍墙组件130、第二喷嘴150、第二喷嘴框架155。此外，示出了主体(host)材料114和杂质(dopant)材料119沉积所基于的基底160。

具体地讲，包含并加热主体材料114的第一沉积源111和包含并加热杂质材料119的第二沉积源116设置在室中与设置有基底160的一侧相对的一侧。随着主体材料114在第一沉积源111中蒸发和杂质材料119在第二沉积源116中蒸发，主体材料114和杂质材料119沉积在基底160上。第一沉积源111包括：坩埚112，填充有主体材料114；加热器113，加热坩埚112，以使包含在坩埚112中的主体材料114朝向坩埚112的一侧蒸发，具体地讲，朝向第一喷嘴120蒸发。第二沉积源116包括：坩埚117，填充有杂质材料119；加热器118，加热坩埚117，以使包含在坩埚117中的杂质材料119朝向坩埚117的一侧蒸发，具体地讲，朝向第一喷嘴120蒸发。

主体材料114和杂质材料119同时沉积在基底160上。

第一喷嘴120设置在第一沉积源111和第二沉积源116的一侧，具体地讲，设置在第一沉积源111和第二沉积源116的面对基底160的一侧。第一喷嘴120包括可以沿Y轴方向按相等的间距布置的多个第一缝隙121。在第一沉积源111中蒸发的主体材料114和在第二沉积源116中蒸发的杂质材料119朝向基底160穿过第一喷嘴120。

分隔构件125设置在第一喷嘴120之间，以控制在第一沉积源111中蒸发的主体材料114和在第二沉积源116中蒸发的杂质材料119的混合量。

参照图19和图20，上面的第一喷嘴120设置在第一沉积源111的一侧，下面的第一喷嘴120设置在第二沉积源116的一侧，分隔构件125设置在上第一喷嘴120和下第一喷嘴120之间；然而，本发明不限于此。即，可以使用一个第一喷嘴120，其中，第一喷嘴120包括两行的第一缝隙121，第一喷嘴120的一端连接到分隔构件125。第一喷嘴120也可以具有各种其他的形状。

此外，障碍墙131分为分别设置在第一沉积源111的一侧和第二沉积源116的一侧的两个分开的部分，分隔构件125设置在障碍墙131的所述两部分之间，但是本发明不限于此。即，障碍墙131可以彼此一体化形成，并具有槽，分隔构件125插入到该槽中，障碍墙131也可以具有各种其他的形状。

现在将更详细地描述根据本发明实施例的薄膜沉积设备1900的第一沉积源111和第二沉积源116。

如上所述，薄膜沉积设备1900包括：第一沉积源111，用于沉积主体材料114；第二沉积源116，用于沉积杂质材料119。因此，主体材料114和杂质材料119可以同时沉积在基底160上。因为主体材料114和杂质材料119的蒸发温度彼此不同，所以需要多个沉积源和第一喷嘴，以同时沉积主体材料114和杂质材料119。就此，蒸发主体材料114的第一沉积源111必须与同样蒸发杂质材料119的第二沉积源116绝缘，以抑制第一沉积源111和第二沉积源116中具有更低的蒸发温度的一个沉积源被具有更高的蒸发温度的另一沉积源加热。

图22是示出根据本发明实施例的使用图19的薄膜沉积设备1900制造薄膜的工艺的示意图。图23示出根据本发明实施例的根据图22的工艺形成在基底上的薄膜。

参照图22和图23，在包括用于沉积主体材料114的第一沉积源111和用于沉积杂质材料119的第二沉积源116的整个薄膜沉积设备1900在沿Z轴的箭头A的方向上(例如，沿与基底的表面平行的平面)相对于基底160移动的同时执行沉积。然而，本发明不限于此，可以在薄膜沉积设备1900固定的同时移动基底160。

第一沉积源111通过排放主体材料114以形成具有预定角度的扇的形状(fan-shape)的第一排放区域C1来在基底160上沉积主体材料114。第二沉积源116通过排放杂质材料119以形成具有预定角度的扇的形状的第二排放区域C2来在基底160上沉积杂质材料119。就此，因为在第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间的预定的部分中，第一排放区域C1和第二排放区域C2彼此叠置，所以基底160包括：与主体沉积区域H对应的区域，在该区域中仅沉积有主体材料114；与叠置区域M对应的区域，在该区域中混合有主体材料114和沉积材料119；与杂质沉积区域D对应的区域，在该区域中仅沉积有杂质材料119。

就此，可以通过分隔构件125的沿X轴方向的长度h_s来确定叠置区域M的宽度。即，如果分隔构件125的长度h_s增加，则叠置区域M的宽度减小。另一方面，如果分隔构件125的长度h_s减小，则叠置区域M的宽度增加。换句话说，可以通过分隔构件125的长度h_s来控制叠置区域M的宽度。

如上所述，在包括用于沉积主体材料114的第一沉积源111和用于沉积杂质材料119的第二沉积源116的整个薄膜沉积设备1900在沿Z轴的箭头A的方向上相对于基底160移动的同时执行沉积。就此，初始地，第一沉积源111和第二沉积源116在基底160的最上部的外侧执行沉积。然后，随着薄膜沉积设备1900在沿Z轴的箭头A的方向上移动，在主体沉积区域H、叠置区域M、杂质沉积区域D中顺序沉积沉积材料。

因此，仅由主体材料114形成的第一薄膜161形成在基底160的与主体沉积区域H对应的区域中。随后，因为叠置区域M经过基底160的形成有第一薄膜161的区域，所以形成为主体材料114和杂质材料119的混合物层的第二薄膜162形成在第一薄膜161上。然后，因为杂质沉积区域D经过基底160的形成有第一薄膜161和第二薄膜162的区域，所以仅由杂质材料119形成的第三薄膜163形成在第二薄膜162上。

参照图23，通过仅一次地将第一沉积源111和第二沉积源116从基底160的最上部移动到最下部，可以同时执行第一薄膜161、第二薄膜162、第三薄膜163的沉积。因此，简单快速地执行制造工艺。因为同时执行第一薄膜161、第二薄膜162、第三薄膜163的沉积，所以室不需要在第一薄膜161和第二薄膜162的沉积之间以及在第二薄膜162和第二薄膜163的沉积之间进行排气(exhaust)。

可以通过主体沉积区域H、叠置区域M、杂质沉积区域D的面积来确定第一薄膜161、第二薄膜162、第三薄膜163的厚度。因此，通过分隔构件125的长度h_s来确定所述厚度。

尽管图23示出按第一薄膜161、第二薄膜162、第三薄膜163这样的顺序顺序堆叠，但是本发明不限于此。即，可以按第三薄膜163、第二薄膜162、第一薄膜161这样的顺序顺序堆叠。

主体材料114的示例可以包括：

三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)

(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum)、

9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)

(9，10-di(naphth-2-yl)anthracene)、

3-叔-丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)

(3-tert-butyl-9，10-di(naphth-2-yl)anthracene)、

4，4′-双(2，2-二苯基-乙烯-1-基)联苯(DPVBi)

(4，4′-Bis(2，2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl)、

4，4′-双[2，2-二(4-甲基苯基)-乙烯-1-基]联苯(p-DMDPVBi)

(4，4′-Bis[2，2-di(4-methylphenyl)-ethen-1-yl]biphenyl)、

叔(9，9-二芳基芴)(TDAF)

(tert(9，9-diarylfluorene))、

2-(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(BSDF)

(2-(9，9′-spirobifluorene-2-yl)-9，9′-spirobifluorene)、

2，7-双(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(TSDF)

(2，7-bis(9，9′-spirobifluorene-2-yl)-9，9′-spirobifluorene)、

双(9，9-二芳基芴)(BDAF)

(bis(9，9-diarylfluorene))、

4，4′-双(2，2-二苯基-乙烯-1-基)-4，4′-二-(叔-丁基)苯基(p-TDPVBi)

(4，4′-bis(2，2-diphenyl-ethene-1-yl)-4，4′-di-(tert-butyl)phenyl)、

1，3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)

(1，3-bis(carbazol-9-yl)benzene)、

1，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)

(1，3，5-tris(carbazol-9-yl)benzene)、

4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)

(4，4′，4″-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine)、

4，4′-双(咔唑-9-基)联苯基(CBP)

(4，4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)、

4，4′-双(9-咔唑基)-2，2′-二甲基-联苯基(CBDP)

(4，4′-bis(9-carbazolyl)-2，2′-dimethyl-biphenyl)、

4，4′-双(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)

(4，4′-bis(carbazol-9-yl)-9，9-dimethyl-fluorene)、

4，4′-双(咔唑-9-基)-9，9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)

(4，4′-bis(carbazol-9-yl)-9，9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene)、

4，4′-双(咔唑-9-基)-9，9-二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)

(4，4′-bis(carbazol-9-yl)-9，9-di-tolyl-fluorene)、

9，9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)

(9，9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene)，等等。

杂质材料119的示例可以包括：

DPAVBi(4，4′-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl)

(4，4′-双[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、

ADN(9，10-di(naphth-2-yl)anthracene)

(9，10-二(萘-2-基)蒽)、

TBADN(3-tert-butyl-9，10-di(naphth-2-yl)anthracene)

(3-叔-丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽)，等等。

DPAVBi

ADN

TBADN

通过利用第一沉积源111和第二沉积源116同时沉积主体材料114和杂质材料119来形成作为主体材料114和杂质材料119的混合物层的第二薄膜162。杂质材料119的量可以根据用于形成第二薄膜161的材料而变化，且在用于形成第二薄膜162的材料的重量(即，主体材料114和掺杂材料119的总重量)为100份的基础上，杂质材料119的量按重量计可以在大约3至20份的范围内。如果杂质材料119的量没有在上述范围内，则包括第二薄膜162的有机发光显示装置的发射性能会劣化。

如上所述，如果仅由主体材料114形成的第一薄膜161和仅由杂质材料119形成的第三薄膜163分别设置在由主体材料114和杂质材料119的混合物形成的第二薄膜162的两侧上，则可以改善包括第一薄膜161、第二薄膜162、第三薄膜163的有机发光显示装置的色坐标、发光效率和寿命特性，并可以降低驱动电压。

图24是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备2400的示意性透视图。图25是图24的薄膜沉积设备2400的示意性侧视图。图26是图24的薄膜沉积设备2400的示意性平面图。

参照图24至图26，薄膜沉积设备2400包括沉积源110、第一喷嘴120、第一障碍墙组件130、第二障碍墙组件140、第二喷嘴150、第二喷嘴框架155。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。根据本发明的其他方面，薄膜沉积设备2400可以包括诸如在下面描述的示例中的另外的和/或不同的组件。

虽然为了便于说明而在图24至图26中没有示出室，但是沉积设备2400的所有组件可以设置在保持在适当程度的真空的室内。将室保持在适当的真空，以允许沉积材料115基本上沿直线运动通过薄膜沉积设备2400。

基底160设置在室中。包含并加热沉积材料115的沉积源110设置在室的与设置有基底160的一侧相对的一侧中。沉积源110包括坩埚111和加热器112。

第一喷嘴120设置在沉积源110的面对基底160的一侧。第一喷嘴120包括可沿Y轴方向按相等的间距布置的多个第一缝隙121。在沉积源110中蒸发的沉积材料115朝向基底160穿过第一喷嘴120。

第一障碍墙组件130设置在第一喷嘴120的一侧。第一障碍墙组件130包括多个第一障碍墙131和覆盖第一障碍墙131的外壁的第一障碍墙框架132。

第二障碍墙组件140设置在第一障碍墙组件130的一侧。第二障碍墙组件140包括多个第二障碍墙141和覆盖第二障碍墙141的外壁的第二障碍墙框架142。

第二喷嘴150和第二喷嘴框架155设置在沉积源110和基底160之间。第二喷嘴框架155可以按与窗口框架类似的格子形状形成。第二喷嘴150结合在第二喷嘴框架155内部。第二喷嘴150包括沿Y轴方向按相等的间距布置的多个第二缝隙151。

根据当前的实施例的薄膜沉积设备2400与根据前面的实施例的薄膜沉积设备100、700、700′、1100、1400、1900的区别在于包括第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140。

具体地讲，多个第一障碍墙131可以沿Y轴方向布置为彼此平行。多个第一障碍墙131可以按相等的间距布置。另外，每个第一障碍墙131可以形成为沿图24中的XZ平面延伸，即，垂直于Y轴方向延伸。

多个第二障碍墙141可以沿Y轴方向布置为彼此平行。多个第二障碍墙141可以按相等的间距布置。另外，每个第二障碍墙141可以形成为沿图24中的XZ平面延伸，即，垂直于Y轴方向延伸。

如上所述地布置的第一障碍墙131和第二障碍墙141划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的沉积空间。在薄膜沉积设备2400中，第一障碍墙131和第二障碍墙141将沉积空间划分为与沉积材料115排放所通过的第一缝隙121分别对应的子沉积空间。

第二障碍墙141可以设置为与第一障碍墙131分别对应。换句话说，第二障碍墙141和第一障碍墙131可以彼此平行地对齐。即，每对对应的第一障碍墙131和第二障碍墙141可以位于同一平面上。因为设置为彼此平行的第一障碍墙131和第二障碍墙141划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间，所以通过一个第一缝隙121排放的沉积材料115没有与通过其他的第一缝隙121排放的沉积材料115混合，并通过第二缝隙151沉积在基底160上。第一障碍墙131和第二障碍墙141引导通过第一缝隙121排放的沉积材料115，使得沉积材料115不沿Y轴方向流动。

虽然第一障碍墙131和第二障碍墙141分别示出为具有相同的沿Y轴方向的厚度，但是本发明的各方面不限于此。应与第二喷嘴150精确对齐的第二障碍墙141可以形成为相对薄，而不需要与第二喷嘴150精确对齐的第一障碍墙131可以形成为相对厚。这样更加易于制造薄膜沉积设备2400。

在薄膜沉积设备2400中，第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140可以设置为彼此分开预定的距离。例如，第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140可以因下面的原因而彼此分开。

首先，第二障碍墙141和第二喷嘴150应彼此精确对齐，而第一障碍墙131和第二障碍墙141不需要精确对齐。因此，通过将需要精确控制的部件与不需要精确控制的部件分开，可以容易地实现高精度控制。

第二，第二障碍墙141和第二喷嘴150应与基底160对齐，以精确定位并在它们之间具有恒定的间距，因此可以需要高精度控制。因此，为了易于控制需要高精度控制的这样的部件，将第二障碍墙组件140和第二喷嘴150与作为不需要精确控制的相对沉重的部件的沉积源110、第一喷嘴120、第一障碍墙组件130分开。

第三，第一障碍墙组件130的温度可以因沉积源110的高温而升高到100℃或更高。为了防止第一障碍墙组件130的热传导到第二障碍墙组件140和第二喷嘴150，将第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140彼此分开。

第四，当第二喷嘴150与室分开时，与仅分开第二喷嘴150相比，可以更容易地将第二喷嘴150和第二障碍墙组件140一起分开。为了更容易地将第二喷嘴150和第二障碍墙组件140一起与室分开，将第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140彼此分开。

第五，在薄膜沉积设备2400中，附着于第一障碍墙组件130的沉积材料115大部分被再利用，而附着于第二障碍墙组件140和第二喷嘴150的沉积材料115可没有被再利用。因此，当第一障碍墙组件130与第二障碍墙组件140和第二喷嘴150分开时，可以容易地回收沉积材料115以进行再利用。

还可以安装校准板(未示出；见图7中的校准板190)，以确保整个基底160上方的薄膜的均匀性。当第一障碍墙组件130与第二障碍墙组件140分开时，极易安装校准板。

最后，还可以安装分隔件(未示出)以防止在完成沉积到基底160上之后并在另一目标经历沉积之前沉积材料115沉积在第二喷嘴150上。这可以延长喷嘴更换周期。易于将分隔件安装在第一障碍墙131和第二障碍墙141之间。为此，将第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140彼此分开。

图27是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备2700的示意性透视图。图28是图27的薄膜沉积设备2700的示意性平面图。

参照图27和图28，薄膜沉积设备2700包括沉积源110、第一喷嘴120、第一障碍墙组件130、第二障碍墙组件140、第二喷嘴150、第二喷嘴框架155。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。薄膜沉积设备2700与根据前面的实施例的薄膜沉积设备的区别在于多个第一障碍墙131的厚度大于多个第二障碍墙141的厚度。

参照图28，每个第一障碍墙131的厚度t1可以大于每个第二障碍墙141的厚度t2。具体地讲，每个第一障碍墙131的沿Y轴方向的厚度t1可以大于每个第二障碍墙141的沿Y轴方向的厚度t2。换句话说，需要与第二喷嘴150精确对齐的第二障碍墙141可以形成为相对薄，而不需要与第二喷嘴150精确对齐的第一障碍墙131可以形成为相对厚。这样更易于制造薄膜沉积设备2700。通过将每个第一障碍墙131的厚度t1形成为大于每个第二障碍墙141的厚度t2，可以容易地将第一障碍墙131与第二障碍墙141对齐。

每个第二障碍墙141的厚度t2可以小于两个相邻的第二缝隙151a和151b之间的间隔151c。每个第二障碍墙141可以设置在两个相邻的第二缝隙151a和151b之间的间隔151c中。每个第二障碍墙141可以位于两个相邻的第二缝隙151a和151b之间的间隔151c的中点处。因为第二缝隙151与将要沉积的图案分别对应，所以如果第二障碍墙141与第二缝隙151对齐，则可出现图案误差。因此，每个第二障碍墙141的厚度t2形成为小于两个相邻的第二缝隙151a和151b之间的间隔151c，以将第二障碍墙141与第二喷嘴150精确对齐。

此外，两个相邻的第二缝隙151a和151b之间的间隔151c可以形成为大于每个第二障碍墙141的沿Y轴方向的厚度t2，并小于每个第一障碍墙131的沿Y轴方向的厚度t1，从而将第一障碍墙131、第二障碍墙141、第二喷嘴150彼此精确对齐。

图29是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备2900的示意性透视图。图30是图29的薄膜沉积设备2900的示意性平面图。

参照图29和图30，薄膜沉积设备2900包括沉积源110、第一喷嘴120、第一障碍墙组件130、第二障碍墙组件140、第二喷嘴150。此外，示出了沉积材料115沉积所基于的基底160。薄膜沉积设备2900与根据前面的实施例的薄膜沉积设备的区别在于还包括在彼此分开的第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的障碍件170。

每个障碍件170具有沿Y轴方向的预定的宽度b和沿Z轴方向的预定的长度，并设置在对应的第一障碍墙131的端部上，例如，障碍件的宽度与第一障碍墙的厚度成比例。因上述各种原因而应将第一障碍墙131和第二障碍墙141彼此分开预定的距离。通过障碍件170的宽度b来确定所述预定的距离。

具体地讲，经第一喷嘴120和第二喷嘴150的排放，在沉积源110中蒸发的沉积材料115沉积在基底160上。因为第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140划分第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的空间，所以通过第一喷嘴120的每个第一缝隙121排放的沉积材料115因第一障碍墙组件130和第二障碍墙组件140而不应与通过其他相邻的第一缝隙121排放的沉积材料115混合。然而，因为第一障碍墙131与第二障碍墙141分开距离w，所以通过每个第一缝隙121排放的沉积材料115可以运动到其他相邻的划分的空间。

然而，在薄膜沉积设备2700中，因为具有预定的宽度b的障碍件170设置在第一障碍墙131的端部上，所以通过第一喷嘴120的每个第一缝隙121排放的沉积材料115因第一障碍墙131、障碍件170、第二障碍墙141而没有与通过其他相邻的第一缝隙121排放的沉积材料115混合。可以根据第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的距离w而调节每个障碍件170的宽度b。例如，随着第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的距离w减小，障碍件170的宽度b也减小。例如，障碍件的宽度与第一障碍墙和第二障碍墙之间的距离成比例。此外，如果第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的距离w小于适当的距离，则当安装校准板(未示出)以确保形成在基底160上的薄膜的均匀性时，校准板可能与第一障碍墙131和第二障碍墙141碰撞。因此，距离w可以保持为适当的距离或更大。

图31至图33是根据本发明各方面的包括在图29的薄膜沉积设备中的障碍件170的各种实施例的示意性平面图。

参照图31，一些障碍件170紧密附着于第一障碍墙131的端部；然而，其他的一些障碍件171设置为与第一障碍墙131的端部分开预定的距离。安装障碍件170、171以防止通过每个第一缝隙121排放的沉积材料115与通过其他相邻的第一缝隙121排放的沉积材料115混合。因为障碍件171不需要紧密附着于第一障碍墙131的端部，所以障碍件170、171可以设置在第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的任何位置处。另外，虽然图31至图33中没有示出，但是障碍件170和171可以设置在第二障碍墙141的面对第一障碍墙131的端部上。

设置为与第一障碍墙131分开的每个障碍件171的半宽b1由下式确定：

b1＜(h-h_w1)tanθ＝(h-h_w1)(d-ds)/2h ...(3)

其中，h表示第一喷嘴120和第二喷嘴150之间的距离，h_w1表示第一喷嘴120和障碍件171之间的距离，d表示相邻的障碍墙131之间的距离，ds表示第一缝隙121的宽度。在图31中示出了角θ。

这里，b1是障碍件171的最大半宽，且通常满足下式：

0＜＜障碍件的半宽＜b1

在薄膜沉积设备2900中，因上述的原因而应将第一障碍墙131和第二障碍墙141彼此分开。当考虑在到加工组件时的精确度、在对齐组件时的精确度、由温度升高导致的精细的热膨胀时，不可能毫无限制地减小第二障碍墙141的长度h2。然而，优点在于第二障碍墙141的长度h2尽可能地减小，从而第二障碍墙141可以与基底160以高精度进行对齐，并可以进行精确控制。如果根据式(3)来计算障碍件171的最大半宽b1，则h_w1+w2的值可以近似与h相同，从而第二障碍墙141的长度h2可以设计得足够短。

图32是根据本发明另一实施例的图29的薄膜沉积设备2900中的与第一障碍墙131分开的障碍件171至173的示意性平面图。参照图32，当第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的距离Δw1、Δw2、Δw3变化时，障碍件171、172、173的半宽b1、b2、b3也变化。例如，随着第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的距离增加(Δw1＜Δw2＜Δw3)，障碍件171、172、173的半宽b 1、b2、b3也增加(b1＜b2＜b3)。

虽然在图32中，与障碍件173对应的第二障碍墙141的长度h2大于与所述对应的第二障碍墙141相对的第一障碍墙131的长度h1，但是图32示例性示出了第一障碍墙131和第二障碍墙141之间的距离Δw1、Δw2、Δw3与障碍件171、172、173的半宽b1、b2、b3之间的关系。如上所述，第二障碍墙141的长度h2可以设计得尽可能小。

参照图32，当确定障碍件171、172、173的最大半宽时，可以计算从第一障碍墙131的端部至障碍件171、172、173的最大分隔距离Δmax。例如，通过指示通过与第一障碍墙131相邻的第一缝隙121排放的沉积材料115的路径的虚线l1、l2、l3、l4来确定障碍件172的最大半宽b2。在这样的条件下如果确定了第一障碍墙131的长度h1，则可以计算从第一障碍墙131的端部至障碍件173的最大分隔距离Δmax。

图33是根据本发明另一实施例的包括在薄膜沉积设备2900中的与第一障碍墙131一体化形成的障碍件170、174、175的示意性平面图。参照图33，第一障碍墙131可以设计为具有与障碍墙174、175的宽度相同的宽度。在这样的情况下，从第一喷嘴120至障碍件174、175的一端的长度hw2、hw3可以为第一障碍墙131的长度。

在图31至图33中，形状彼此不同的障碍件安装在一个薄膜沉积设备2900中；然而，本发明不限于此。即，薄膜沉积设备2900可以包括形状彼此相同的障碍件或形状彼此不同的障碍件。

根据本发明实施例的在具有长度和宽度的基底上制造薄膜的方法可以包括如下步骤：从沉积源喷嘴单元通过结合到框架的图案化片中的开口传输沉积材料，图案化片的长度短于基底的长度；在图案化片和基底之间的相对移动期间，沿基底的长度沉积传输的沉积材料，以形成薄膜。

虽然已经示出并描述了本发明的一些实施例，但是本领域普通技术人员应该理解的是，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以在实施例中进行改变，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims

1.一种薄膜沉积设备，用于在基底上形成薄膜，所述薄膜沉积设备包括：

沉积源，用于排放沉积材料；

第一喷嘴，设置在沉积源的一侧，并包括沿第一方向布置的多个第一缝隙；

第二喷嘴，设置为与第一喷嘴相对，并包括沿第一方向布置的多个第二缝隙，其中，所述多个第二缝隙对应于将要沉积在基底上的薄膜的图案；

障碍墙组件，包括沿第一方向布置在第一喷嘴和第二喷嘴之间的多个障碍墙，以将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为多个子沉积空间，

其中，在沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴和障碍墙组件相对于基底移动的同时，沉积材料沉积在基底上，第二喷嘴与基底在沉积期间分开预定的距离。

2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，每个障碍墙沿与第一方向垂直的第二方向延伸，从而将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为子沉积空间。

3.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，第一缝隙中的至少一个第一缝隙位于每两个相邻的障碍墙之间。

4.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，第二缝隙中的至少两个第二缝隙位于每两个相邻的障碍墙之间。

5.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，设置在每两个相邻的障碍墙之间的第二缝隙的数量大于设置在每两个相邻的障碍墙之间的第一缝隙的数量。

6.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，第二缝隙的总数大于第一缝隙的总数。

7.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙按相等的间距布置。

8.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙与第二喷嘴分开预定的距离。

9.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙组件还包括冷却构件。

10.如权利要求9所述的薄膜沉积设备，其中，冷却构件包括形成为从障碍墙组件的外表面突出的冷却片。

11.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括：

第二喷嘴框架，结合到第二喷嘴并支撑第二喷嘴。

12.如权利要求11所述的薄膜沉积设备，其中，第二喷嘴框架将张力施加在第二喷嘴上。

13.如权利要求12所述的薄膜沉积设备，其中，在将初始张力施加到第二喷嘴并将压缩力施加到第二喷嘴框架的状态下，第二喷嘴结合到第二喷嘴框架，并且从第二喷嘴和第二喷嘴框架释放初始张力和压缩力，从而将张力施加在第二喷嘴上，初始张力与压缩力平衡。

14.如权利要求11所述的薄膜沉积设备，其中，在沉积工艺期间，第二喷嘴框架的温度保持为恒定。

15.如权利要求11所述的薄膜沉积设备，其中，第二喷嘴框架还包括辐射片。

16.如权利要求11所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括：

热屏蔽件，设置在沉积源和第二喷嘴框架之间。

17.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙组件能够从所述薄膜沉积设备拆分开。

18.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，所述薄膜沉积设备设置在真空室中。

19.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、障碍墙组件沿与基底的表面平行的平面相对于基底移动。

20.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，在沉积源中蒸发的沉积材料穿过第一喷嘴和第二喷嘴，然后沉积在基底上。

21.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括：

多个校准板，设置在第一喷嘴和第二喷嘴之间，并阻挡从沉积源排放的沉积材料的至少一部分。

22.如权利要求21所述的薄膜沉积设备，其中，按这样的方式设置校准板：使得薄膜的分别由子沉积空间限定的部分具有相同的厚度。

23.如权利要求21所述的薄膜沉积设备，其中，每个校准板形成为随着远离每个子沉积空间的中心而高度减小。

24.如权利要求23所述的薄膜沉积设备，其中，每个校准板具有圆弧或余弦曲线形状。

25.如权利要求21所述的薄膜沉积设备，其中，每个校准板的在每个子沉积空间的中心处的高度大于在每个子沉积空间的两端处的高度。

26.如权利要求21所述的薄膜沉积设备，其中，校准板设置为使得在每个子沉积空间的中心处阻挡的沉积材料的量大于在每个子沉积空间的端部处阻挡的沉积材料的量。

27.如权利要求21所述的薄膜沉积设备，其中，每个校准板设置在两个相邻的障碍墙之间。

28.如权利要求21所述的薄膜沉积设备，其中，

校准板分别形成在子沉积空间中，

设置在每个子沉积空间中的校准板的尺寸或形状能够根据通过布置在每个子沉积空间中的至少一个第一缝隙排放的沉积材料的特性而改变。

29.如权利要求28所述的薄膜沉积设备，其中，设置在每个子沉积空间中的校准板的尺寸或形状能够改变，使得薄膜的分别由子沉积空间限定的部分具有相同的厚度。

30.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙布置为相对于所述薄膜沉积设备的移动方向倾斜。

31.如权利要求30所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙布置为相对于所述薄膜沉积设备的移动方向成锐角倾斜。

32.如权利要求30所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙布置为相对于所述薄膜沉积设备的移动方向倾斜1°至10°。

33.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙布置为相对于第一方向倾斜。

34.如权利要求33所述的薄膜沉积设备，其中，每个障碍墙的纵向剖面延伸的方向不与第一方向垂直。

35.如权利要求33所述的薄膜沉积设备，其中，每个障碍墙的纵向剖面延伸的方向和第一方向之间的角为锐角。

36.如权利要求35所述的薄膜沉积设备，其中，每个障碍墙的纵向剖面延伸的方向和第一方向之间的角为80°至89°。

37.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括：

多个辐射构件，用于冷却障碍墙。

38.如权利要求37所述的薄膜沉积设备，其中，辐射构件设置在障碍墙的外表面上。

39.如权利要求37所述的薄膜沉积设备，其中，每个障碍墙包括形成在每个障碍墙中的腔。

40.如权利要求39所述的薄膜沉积设备，其中，辐射构件设置在障碍墙的腔内。

41.如权利要求40所述的薄膜沉积设备，其中，辐射构件接触腔的内表面。

42.如权利要求39所述的薄膜沉积设备，其中，辐射构件设置在障碍墙的外表面和内表面上。

43.如权利要求37所述的薄膜沉积设备，其中，辐射构件包括冷却管。

44.如权利要求37所述的薄膜沉积设备，其中，沉积源包括：

第一沉积源，用于排放主体材料；

第二沉积源，设置为与第一沉积源平行，用于排放杂质材料。

45.如权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，从第一沉积源排放的主体材料的至少一部分与从第二沉积源排放的杂质材料的至少一部分混合。

46.如权利要求44所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括：

分隔构件，设置在第一沉积源和第二沉积源之间，并限制从第一沉积源排放的主体材料和从第二沉积源排放的杂质材料的范围。

47.如权利要求46所述的薄膜沉积设备，其中，通过控制分隔构件的长度来控制从第一沉积源排放的主体材料和从第二沉积源排放的杂质材料的混合量。

48.如权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，基底包括：

主体沉积区域，在主体沉积区域中仅沉积有主体材料；

叠置区域，在叠置区域中混合有主体材料和杂质材料；

杂质沉积区域，在杂质沉积区域中仅沉积有杂质材料。

49.如权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，在第一沉积源和第二沉积源相对于基底移动的同时，第一薄膜、第二薄膜、第三薄膜堆叠在基底上，第一薄膜仅由主体材料形成，第二薄膜形成为主体材料和杂质材料的混合物层，第三薄膜仅由杂质材料形成。

50.如权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，第一喷嘴包括沿第一方向布置的两行多个第一缝隙。

51.如权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，障碍墙组件包括：

第一障碍墙组件，包括多个第一障碍墙；

第二障碍墙组件，包括多个第二障碍墙。

52.如权利要求51所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙和第二障碍墙沿与第一方向垂直的第二方向延伸，以将第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间划分为所述多个子沉积空间。

53.如权利要求51所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙布置为与第二障碍墙分别对应。

54.如权利要求53所述的薄膜沉积设备，其中，每对对应的第一障碍墙和第二障碍墙布置在相同的平面上。

55.一种薄膜沉积设备，用于在基底上形成薄膜，所述薄膜沉积设备包括：

沉积源；

第一喷嘴和第二喷嘴，设置在沉积源的一侧以彼此面对，其中，多个缝隙沿第一方向形成在第一喷嘴和第二喷嘴中，其中，形成在第二喷嘴中的缝隙对应于将要沉积在基底上的薄膜的图案；

第一障碍墙组件，包括布置在第一喷嘴和第二喷嘴之间的多个第一障碍墙；

第二障碍墙组件，包括布置在第一障碍墙和第二喷嘴之间的多个第二障碍墙，

其中，沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、第一障碍墙组件、第二障碍墙组件相对于基底能够移动，

其中，在沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、第一障碍墙组件和第二障碍墙组件相对于基底移动的同时，沉积材料沉积在基底上，第二喷嘴与基底在沉积期间分开预定的距离。

56.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙和第二障碍墙沿与第一方向垂直的第二方向延伸，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。

57.如权利要求56所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙布置为与第二障碍墙分别对应。

58.如权利要求57所述的薄膜沉积设备，其中，每对对应的第一障碍墙和第二障碍墙布置在相同的平面上。

59.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙和第二障碍墙分别按相等的间距布置。

60.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙与第二障碍墙分开预定的距离。

61.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，第二障碍墙与第二喷嘴分开预定的距离。

62.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，

第一喷嘴包括沿第一方向布置的多个第一缝隙，

第二喷嘴包括沿第一方向布置的多个第二缝隙。

63.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙和第二障碍墙沿第一方向设置，从而划分第一喷嘴和第二喷嘴之间的空间。

64.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，沉积源、第一喷嘴、第二喷嘴、第一障碍墙组件、第二障碍墙组件沿与基底的表面平行的平面相对于基底移动。

65.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，其中，第一障碍墙的沿第一方向的厚度大于第二障碍墙的沿第一方向的厚度。

66.如权利要求65所述的薄膜沉积设备，其中，第二喷嘴包括沿第一方向布置的多个第二缝隙，第二障碍墙的沿第一方向的厚度小于两个相邻的第二缝隙之间的间距。

67.如权利要求65所述的薄膜沉积设备，其中，第二喷嘴包括沿第一方向布置的多个第二缝隙，两个相邻的第二缝隙之间的间距大于第二障碍墙的沿第一方向的厚度并小于第一障碍墙的沿第一方向的厚度。

68.如权利要求65所述的薄膜沉积设备，其中，每个第二障碍墙位于两个相邻的第二缝隙之间。

69.如权利要求68所述的薄膜沉积设备，其中，每个第二障碍墙位于两个相邻的第二缝隙的中点处。

70.如权利要求55所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括：

多个障碍件，沿第一方向设置在第一障碍墙和第二障碍墙之间。

71.如权利要求70所述的薄膜沉积设备，其中，障碍件设置在第一障碍墙的与第二障碍墙相对的端部处。

72.如权利要求70所述的薄膜沉积设备，其中，障碍件的宽度与第一障碍墙的厚度成比例。

73.如权利要求70所述的薄膜沉积设备，其中，障碍件与第一障碍墙和第二障碍墙分开预定的距离。

74.如权利要求73所述的薄膜沉积设备，其中，障碍件的宽度与第一障碍墙和第二障碍墙之间的距离成比例。

75.如权利要求70所述的薄膜沉积设备，其中，障碍件设置为与第一障碍墙垂直。

76.如权利要求70所述的薄膜沉积设备，其中，障碍件与第一障碍墙一体化形成。