CN107299321B - 蒸发源装置及蒸镀机 - Google Patents

蒸发源装置及蒸镀机 Download PDF

Info

Publication number
CN107299321B
CN107299321B CN201710633446.1A CN201710633446A CN107299321B CN 107299321 B CN107299321 B CN 107299321B CN 201710633446 A CN201710633446 A CN 201710633446A CN 107299321 B CN107299321 B CN 107299321B
Authority
CN
China
Prior art keywords
stopper
spray orifice
container
nozzle
evaporation source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710633446.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107299321A (zh
Inventor
沐俊应
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201710633446.1A priority Critical patent/CN107299321B/zh
Priority to US15/578,091 priority patent/US20190218656A1/en
Priority to PCT/CN2017/098339 priority patent/WO2019019237A1/zh
Publication of CN107299321A publication Critical patent/CN107299321A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107299321B publication Critical patent/CN107299321B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种蒸发源装置,包括第一容器、设于所述第一容器内用于容纳并加热有机材料的第二容器以及设于所述第一容器外的阻挡块,所述第一容器顶部、所述第二容器顶部分别设有喷嘴和蒸气孔,所述阻挡块设于所述喷嘴的喷孔周围,且所述喷孔截面为倒置梯形。本发明还公开了一种蒸镀机。本发明的喷孔截面为倒置梯形,并在喷孔外围设有阻挡块以阻止或限制无效方向的喷出的有机材料沉积,并且改善了阻挡块的内表面的有机材料沉积现象,提高蒸镀材料利用率的同时,避免了喷嘴堵塞情况的发生。

Description

蒸发源装置及蒸镀机
技术领域
本发明涉及有机发光显示器制作技术领域,尤其涉及一种蒸发源装置及蒸镀机。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术较之当前主流的液晶显示技术,具有对比度高、色域广、柔性、轻薄、节能等突出的优点。近年来,OLED显示技术逐渐在智能手机和平板电脑等移动设备、智能手表等柔性可穿戴设备、大尺寸曲面电视、白光照明等领域普及,发展势头强劲。
OLED技术主要包括以真空蒸镀技术为基础的小分子OLED技术和以溶液制程为基础的高分子OLED技术。蒸镀机是当前已量产的小分子OLED器件生产的主要设备,其设备核心部分为蒸发源装置。
常用的蒸发源装置中,为控制蒸镀角,避免蒸发气体朝蒸发源上方的非基板区域沉积,在蒸发源腔室的喷嘴周围安装有限制板,然而,有机蒸气从喷嘴喷出呈椭球状,较大比例的材料沉积于限制板上,造成有机蒸镀材料利用率低,并且,随着限制板内壁堆积的有机材料量增多而累积到一定厚度后,存在材料脱落的风险,最终堵塞喷嘴而影响蒸镀机连续运营时间,带来巨大的经济损失。
发明内容
鉴于现有技术存在的不足,本发明提供了一种蒸发源装置及蒸镀机,可以提高蒸镀材料利用率的同时,避免喷嘴堵塞情况的发生。
为了实现上述的目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种蒸发源装置,包括第一容器、设于所述第一容器内用于容纳并加热有机材料的第二容器以及设于所述第一容器外的阻挡块,所述第一容器顶部、所述第二容器顶部分别设有喷嘴和蒸气孔,所述阻挡块设于所述喷嘴的喷孔周围,且所述喷孔截面为倒置梯形。
作为其中一种实施方式,所述喷孔外围还设有对所述喷孔内壁加热的环形的辅助加热源。
作为其中另一种实施方式,所述喷孔为圆台形或棱台形。
作为其中一种实施方式,所述阻挡块包括相对设置的条状的第一阻挡块和第二阻挡块,所述第一阻挡块和所述第二阻挡块分别设于所述喷嘴的两侧。
作为其中一种实施方式,所述喷嘴为条形,所述喷孔为多个,所有的所述喷孔开设在所述喷嘴上。
作为其中一种实施方式,所述喷孔为多个,线性分布在所述第一容器的顶部;所述第一阻挡块和所述第二阻挡块分别位于线性分布的所述喷孔的两侧。
作为其中一种实施方式,所述喷孔为多个,呈多行排列在所述第一容器的顶部;所述第一阻挡块和所述第二阻挡块的延伸方向平行于每行所述喷孔的排列方向,且所述第一阻挡块和所述第二阻挡块分别位于多行所述喷孔的两侧。
作为其中一种实施方式,所述阻挡块包括设置在所述第一阻挡块和所述第二阻挡块之间的第三阻挡块,所述第三阻挡块设于相邻的两行所述喷孔之间。
作为其中一种实施方式,所述第三阻挡块上分别朝向相邻的两行所述喷孔的面为斜面。
本发明的另一目的在于提供一种蒸镀机,包括一种所述的蒸发源装置。
本发明的喷孔截面为倒置梯形,并在喷孔外围设有阻挡块以阻止或限制无效方向的喷出的有机材料沉积,并且改善了阻挡块的内表面的有机材料沉积现象,提高蒸镀材料利用率的同时,避免了喷嘴堵塞情况的发生。
附图说明
图1为本发明实施例1的蒸镀机的结构示意图;
图2为本发明实施例1的蒸发源装置的长度方向的一个剖面示意图;
图3为本发明实施例1的蒸发源装置的宽度方向的一个剖面示意图;
图4a为本发明实施例1的一种蒸发源装置的俯视图;
图4b为本发明实施例1的另一种蒸发源装置的俯视图;
图5为本发明实施例1的蒸发源装置的部分结构示意图;
图6为本发明实施例2的一种蒸发源装置的俯视图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
参阅图1,本发明的蒸镀机主要包括蒸发源装置1,蒸发源装置1可朝其上方的基板2表面喷出有机材料,借助具有图案的挡板3,在基板2表面形成具有特定图案的有机膜层F。
结合图2和图3所示,本实施例的蒸发源装置包括第一容器10、设于第一容器10内用于容纳并加热有机材料的第二容器20以及设于第一容器10外的阻挡块30,第一容器10顶部、第二容器20顶部分别设有喷嘴100和蒸气孔200,阻挡块30设于喷嘴100的喷孔100a周围,且喷孔100a截面为倒置梯形,第一容器10上方可以通过设置流量监视器4实时检测有机材料的喷射速率。
阻挡块30包括相对设置的条状的第一阻挡块31和第二阻挡块32,喷嘴100为条形,喷嘴100的顶部形成有一排线性排列的喷孔100a,第一阻挡块31和第二阻挡块32分别位于线性分布的喷孔100a的两侧。如图4a所示,喷孔100a可以呈圆台形,也可以如图4b所示,喷孔100a呈棱台形,这样的喷孔内壁呈开口状。由于第一容器10内真空设置,当有机材料在第二容器20内加热气化后,依次自蒸气孔200、喷嘴100近似直线轨迹喷出,加之喷嘴100独特形状的限制,无效方向喷出的有机材料被阻止或限制而只能沿喷嘴100限定的方向沉积在其上方的基板2的相应的区域,喷孔100a表面极少有有机材料沉积,从而提高了材料利用率。
这里,第一阻挡块31、第二阻挡块32均为条状,二者的延伸长度均不小于喷孔100a的排列长度,实现对所有喷孔100a喷射方向的限制。
另外,本实施例的喷孔100a的外围还设有对喷孔100a内壁加热的环形的辅助加热源40。如图3所示,辅助加热源40设置在喷嘴100内,紧邻喷孔100a的表面,在喷嘴100的外围还可设置有冷却装置(图未示)。在蒸镀过程中,通过控制辅助加热源40对喷嘴100加热,可以防止有机材料沉积在喷孔100a内,从而避免堵塞,同时,通过冷却装置可以在喷嘴100温度过高时对其进行降温,保证连续蒸镀。
如图5所示,本实施例的蒸发源装置1自内至外依次包括第二容器20、隔热层40、加热源50、热反射层60、PCW(Plant Cooling Water/Process Cooling Water,工艺冷却水系统)70以及温度传感器80,第二容器20选用坩埚,加热源50与第二容器20之间设置有隔热层40,加热源50通过感应式加热对第二容器20内的有机材料进行加热,热反射层60设置在加热源50外围,以尽可能滴减少热损失,而PCW70作为散热系统对蒸发源装置进行降温。通过第二容器20底部的温度传感器80可以实施采集第二容器20的温度,并根据流量监视器4检测到的有机材料的喷射速率实时控制加热温度,以实现均匀镀膜。
实施例2
如图6所示,与实施例1不同,本实施例中,所有的喷孔100a呈多行排列在第一容器10的顶部,第一阻挡块31和第二阻挡块32的延伸方向平行于每行喷孔100a的排列方向,且第一阻挡块31和第二阻挡块32分别位于多行喷孔100a的两侧。
另外,阻挡块30包括位于第一阻挡块31和第二阻挡块32之间的第三阻挡块33,第三阻挡块33设于相邻的每两行喷孔100a之间,在蒸发源装置的宽度方向上对相邻两行喷孔100a的喷射方向进行限制,该第三阻挡块33上分别朝向相邻的两行喷孔100a的面为斜面,使得第三阻挡块33的截面为三角形,形成楔形结构。
本发明的喷孔截面为倒置梯形,并在喷孔外围设有阻挡块以阻止或限制无效方向的喷出的有机材料沉积,并且通过对喷孔内壁进行温度控制,改善了阻挡块的内表面的有机材料沉积现象,提高蒸镀材料利用率的同时,避免了喷嘴堵塞情况的发生。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (6)

1.一种蒸发源装置,其特征在于,包括内部真空的第一容器(10)、设于所述第一容器(10)内用于容纳并加热有机材料的第二容器(20)以及设于所述第一容器(10)外的阻挡块(30),所述第一容器(10)顶部、所述第二容器(20)顶部分别设有喷嘴(100)和蒸气孔(200),所述喷嘴(100)为条形,顶部形成有多行线性排列的喷孔(100a),所述阻挡块(30)设于所述喷嘴(100)上方、且位于喷孔(100a)周围,且所述喷孔(100a)截面为倒置梯形;所述阻挡块(30)包括相对设置的条状的第一阻挡块(31)和第二阻挡块(32)、设置在所述第一阻挡块(31)和所述第二阻挡块(32)之间的第三阻挡块(33);所述第一阻挡块(31)和所述第二阻挡块(32)的延伸方向平行于每行所述喷孔(100a)的排列方向,且所述第一阻挡块(31)和所述第二阻挡块(32)分别位于多行所述喷孔(100a)的两侧;所述第三阻挡块(33)设于相邻的两行所述喷孔(100a)之间,所述第三阻挡块(33)上分别朝向相邻的两行所述喷孔(100a)的面为斜面。
2.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述喷孔(100a)外围还设有对所述喷孔(100a)内壁加热的环形的辅助加热源(40)。
3.根据权利要求1所述的蒸发源装置,其特征在于,所述喷孔(100a)为圆台形或棱台形。
4.根据权利要求1-3任一所述的蒸发源装置,其特征在于,所述喷嘴(100)为条形,所述喷孔(100a)为多个,所有的所述喷孔(100a)开设在所述喷嘴(100)上。
5.根据权利要求1-3任一所述的蒸发源装置,其特征在于,所述喷孔(100a)为多个,线性分布在所述第一容器(10)的顶部;所述第一阻挡块(31)和所述第二阻挡块(32)分别位于线性分布的所述喷孔(100a)的两侧。
6.一种蒸镀机,其特征在于,包括权利要求1-5任一所述的蒸发源装置。
CN201710633446.1A 2017-07-28 2017-07-28 蒸发源装置及蒸镀机 Active CN107299321B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710633446.1A CN107299321B (zh) 2017-07-28 2017-07-28 蒸发源装置及蒸镀机
US15/578,091 US20190218656A1 (en) 2017-07-28 2017-08-21 Evaporation source device and evaporator
PCT/CN2017/098339 WO2019019237A1 (zh) 2017-07-28 2017-08-21 蒸发源装置及蒸镀机

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710633446.1A CN107299321B (zh) 2017-07-28 2017-07-28 蒸发源装置及蒸镀机

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107299321A CN107299321A (zh) 2017-10-27
CN107299321B true CN107299321B (zh) 2019-07-26

Family

ID=60134476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710633446.1A Active CN107299321B (zh) 2017-07-28 2017-07-28 蒸发源装置及蒸镀机

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20190218656A1 (zh)
CN (1) CN107299321B (zh)
WO (1) WO2019019237A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107779824A (zh) * 2017-12-07 2018-03-09 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸发源、蒸镀装置以及有机电致发光显示器的生产设备
CN110098239B (zh) * 2019-05-17 2021-11-02 京东方科技集团股份有限公司 像素结构、显示基板、掩模板及蒸镀方法
CN110578121A (zh) * 2019-10-08 2019-12-17 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备
CN113265621B (zh) * 2021-06-22 2023-11-07 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸发源设备及其蒸镀方法、蒸镀系统
CN114875366B (zh) * 2022-06-23 2023-11-24 京东方科技集团股份有限公司 蒸发源装置及其盖体、蒸发源设备

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004238688A (ja) * 2003-02-06 2004-08-26 Sony Corp 有機発光素子の製造装置、および表示装置の製造システム
US7523781B2 (en) * 2005-01-24 2009-04-28 Halls Climate Control Corporation Heat exchanger
KR100666574B1 (ko) * 2005-01-31 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 증발원
JP4440837B2 (ja) * 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
KR100975869B1 (ko) * 2008-10-17 2010-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 포인트 검출 방법 및 장치
JP5620146B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
KR101182265B1 (ko) * 2009-12-22 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 증발원 및 이를 포함하는 증착 장치
JP5620747B2 (ja) * 2010-08-19 2014-11-05 三菱伸銅株式会社 真空蒸着装置
DE102010055285A1 (de) * 2010-12-21 2012-06-21 Solarion Ag Photovoltaik Verdampferquelle, Verdampferkammer und Beschichtungsverfahren
CN202786404U (zh) * 2012-08-15 2013-03-13 日立造船株式会社 真空蒸镀装置
KR20140025795A (ko) * 2012-08-22 2014-03-05 에스엔유 프리시젼 주식회사 선택적 선형 증발 장치
CN103993268B (zh) * 2014-04-30 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 一种坩埚
CN106958007B (zh) * 2017-05-12 2019-06-25 武汉华星光电技术有限公司 蒸发装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019019237A1 (zh) 2019-01-31
CN107299321A (zh) 2017-10-27
US20190218656A1 (en) 2019-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107299321B (zh) 蒸发源装置及蒸镀机
KR102046440B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR20140119655A (ko) 증발원 어셈블리
US20160305010A1 (en) Evaporation crucible and evaporation device
CN105296934A (zh) 一种线形蒸发源及蒸镀设备
KR102046441B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP2006207022A (ja) 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
CN203904446U (zh) 一种oled线性蒸发源装置
US8557046B2 (en) Deposition source
CN104561903B (zh) 真空蒸镀装置用岐管
KR20160112293A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
CN109468596A (zh) 一种蒸镀坩埚及蒸镀装置
CN206289295U (zh) 一种线性蒸发源
CN103726030B (zh) 沉积装置以及使用其的有机发光显示装置的制造方法
CN214830626U (zh) 一种具有均匀分散喷头的坩埚盖
KR20130055430A (ko) 증발원 및 이를 구비한 진공 증착 장치
KR101471901B1 (ko) 다중 분사판이 구비된 도가니
KR102201598B1 (ko) 혼합영역이 포함된 선형 증발원
CN211112187U (zh) 一种面蒸镀源结构和设备
CN206396318U (zh) 一种坩埚
JP6586216B1 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
CN211665166U (zh) 一种oled蒸镀坩埚
CN107012432B (zh) 一种蒸发源及蒸镀装置
KR101741806B1 (ko) 리니어 분사체 및 이를 포함하는 증착장치
KR101772621B1 (ko) 하향식 증발기 및 하향식 증발 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant