TW202116550A

TW202116550A - 用於5g頻率之電路板

Info

Publication number: TW202116550A
Application number: TW109131036A
Authority: TW
Inventors: 小偉張; 新宇趙; 克里斯多福麥克葛迪
Original assignee: 美商堤康那責任有限公司
Priority date: 2019-09-23
Filing date: 2020-09-10
Publication date: 2021-05-01
Also published as: JP2022548528A; WO2021061305A1; KR20220062413A; US20210092836A1; CN114430715A; EP4041544A1; EP4041544A4; US20240244743A1; CN114430715B; US11917753B2

Abstract

提供一種用於電路板之層壓物。該層壓物包含導電層及鄰近於該導電層定位之膜。該膜包含包括液晶聚合物及疏水性材料之聚合物組合物。在10 GHz之頻率下，該聚合物組合物展現約5或更小的介電常數及約0.05或更小的耗散因子。

Description

用於5G頻率之電路板

可撓性印刷電路板通常用於高密度小型電子組件中。此類電路板通常由含有絕緣膜及銅箔之「銅包覆層壓物」產生，自該銅箔蝕刻電路路徑。然而，令人遺憾地係，嘗試在5G應用中使用習知印刷電路板已出現問題。更特定言之，5G應用中遇到的高頻下之發射及接收一般導致增大的電量消耗及熱量產生。因此，通常用於習知印刷電路板之材料可能不利地影響高頻效能能力。因而，需要用於5G天線系統之改良的印刷電路板。

根據本發明之一個實施例，揭示一種用於電路板之層壓物。層壓物包含導電層及鄰近於導電層定位之膜。膜包含包括液晶聚合物及疏水性材料之聚合物組合物。在10 GHz之頻率下，該聚合物組合物展現約5或更小的介電常數及約0.05或更小的耗散因子。

下文中更詳細地闡述本發明之其他特徵及態樣。

相關申請案之交叉參考

本申請案主張申請日為2019年9月23日之美國臨時專利申請案第62/904,099號；申請日為2020年3月6日之美國臨時專利申請案第62/986,098號；申請日為2020年3月25日之美國臨時專利申請案第62/994,324號；申請日為2020年4月13日之美國臨時申請案第63/009,001號及申請日為2020年5月14日之美國臨時申請案第63/024,568號之文檔益處，該等臨時申請案以全文引用之方式併入本文中。

一般熟習此項技術者應理解，本論述僅為例示性實施例之描述，且並不意欲限制本發明之更廣態樣。

一般言之，本發明涉及一種用於電路板(例如，印刷電路板)之層壓物，其含有導電層及鄰接該導電層定位之膜。膜係由含有液晶聚合物及疏水性材料之聚合物組合物形成。藉由選擇性地控制聚合物組合物之組分的特定性質及密集度，本發明人已發現所得組合物可展現在廣泛頻率內之低介電常數及耗散因子，使得其尤其適用於5G應用。亦即，聚合物組合物在典型5G頻率(例如，2或10 GHz)內可展現約5或更小，在一些實施例中約4.5或更小，在一些實施例中約0.1至約4.4，且在一些實施例中約1至約4.2，在一些實施例中約1.5至約4，在一些實施例中約2至約3.9，且在一些實施例中約3.5至約3.9之低介電常數。在典型5G頻率(例如，2或10 GHz)內，聚合物組合物之耗散因子(其為能量損失率之量測)可同樣地為約0.05或更小，在一些實施例中約0.01或更小，在一些實施例中約0.0001至約0.008，且在一些實施例中約0.0002至約0.006。實際上，在一些情況下，在典型5G頻率(例如，2或10 GHz)內，耗散因子可為極低，諸如約0.003或更小，在一些實施例中約0.002或更小，在一些實施例中約0.001或更小，在一些實施例中約0.0009或更小，在一些實施例中約0.0008或更小，且在一些實施例中約0.0001至約0.0007。

習知地，咸信展現低耗散因子及介電常數之聚合物組合物將亦不擁有足夠良好的熱、機械特性且易於處理(亦即，低黏度)以使其能夠用於某些類型之應用中。然而，與習知思維相反，已發現聚合物組合物具有極佳的熱、機械特性及可加工性兩者。舉例而言，聚合物組合物之熔融溫度可(例如)為約200℃至約400℃，在一些實施例中約220℃至約380℃，在一些實施例中約230℃至約330℃，且在一些實施例中約260℃至約340℃。即使在此類熔融溫度下，載荷變形溫度(「DTUL」) (短期抗熱性之量測)與熔融溫度之比率仍可保持相對較高。舉例而言，該比率可介於約0.5至約1.00，在一些實施例中約0.6至約0.95，且在一些實施例中約0.65至約0.85之範圍內。特定DTUL值可(例如)為約150℃或更大，在一些實施例中約160℃至約300℃，在一些實施例中約165℃至約270℃，且在一些實施例中約175℃至約240℃。此外，此類高DTUL值可允許使用較高速度且可靠的表面安裝製程以將結構與電組件之其他組件進行配對。

聚合物組合物亦可擁有極佳機械特性。舉例而言，聚合物組合物可展現約10 MPa或更大，在一些實施例中約50 MPa或更大，在一些實施例中約70 MPa至約300 MPa，且在一些實施例中約80 MPa至約200 MPa之拉伸強度。聚合物組合物可展現約0.5%或更大，在一些實施例中約1%或更大，在一些實施例中約2%至約15%，且在一些實施例中約4%至約12%之拉伸伸長率。聚合物組合物可展現約5,000 MPa或更大，在一些實施例中約5,000 MPa或更大，在一些實施例中約6,000 MPa至約20,000 MPa，且在一些實施例中約6,500 MPa至約15,000 MPa之拉伸模數。拉伸特性可根據ISO測試第527:2012號在23℃之溫度下測定。此外，聚合物組合物可展現約20 MPa或更大，在一些實施例中約30 MPa或更大，在一些實施例中約50 MPa或更大，在一些實施例中約70 MPa至約300 MPa，且在一些實施例中約80 MPa至約200 MPa之撓曲強度。聚合物組合物可展現約0.5%或更大，在一些實施例中約1%至約15%，且在一些實施例中約2%至約12%之撓曲伸長率。聚合物組合物可展現約5,000 MPa或更大，在一些實施例中約6,000 MPa或更大，在一些實施例中約6,500 MPa至約25,000 MPa，且在一些實施例中約7,000 MPa至約15,000 MPa之撓曲模數。撓曲特性可根據178:2010在23℃之溫度下測定。此外，聚合物組合物亦可擁有高衝擊強度，該高衝擊強度強度在形成較薄基板時可為有用的。聚合物組合物可(例如)擁有約3 kJ/m² 或更大，在一些實施例中約5 kJ/m² 或更大，在一些實施例中約7 kJ/m² 或更大，在一些實施例中約8 kJ/m² 至約40 kJ/m² ，且在一些實施例中約10 kJ/m² 至約25 kJ/m² 之夏比缺口衝擊強度(Charpy notched impact strength)。衝擊強度可根據ISO測試第ISO 179-1:2010號在23℃的溫度下測定。

現將更詳細描述本發明之各種實施例。 I.聚合物組合物 A.液晶聚合物

聚合物組合物含有一或多種液晶聚合物，其含量一般為整個聚合物組合物之約40 wt%至約99 wt%，在一些實施例中約50 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約60 wt%至約95 wt%。就液晶聚合物可在其熔融狀態(例如熱致性向列的狀態)中具有棒狀結構且展現結晶學位而言，該等液晶聚合物通常分類為「熱致性」。用於聚合物組合物中之液晶聚合物通常具有約200℃至約400℃，在一些實施例中約250℃至約380℃，在一些實施例中約270℃至約360℃，且在一些實施例中約300℃至約350℃之熔融溫度。熔融溫度可使用差示掃描熱量測定(「DSC」)如此項技術中所熟知測定，諸如藉由ISO測試第11357-3:2011號所測定。此類聚合物可由如此項技術中已知之一或多種類型之重複單元形成。舉例而言，液晶聚合物可含有一般由下式(I)表示之一或多個芳族酯重複單元：

其中，環B為經取代或未經取代之6員芳基(例如1,4-伸苯基或1,3-伸苯基)、稠合至經取代或未經取代之5或6員芳基的經取代或未經取代之6員芳基(例如2,6-萘)或連接至經取代或未經取代之5或6員芳基的經取代或未經取代之6員芳基(例如4,4-聯伸二苯)；且 Y₁ 及Y₂ 獨立地為O、C(O)、NH、C(O)HN或NHC(O)。

通常，Y₁ 及Y₂ 中之至少一者為C(O)。此類芳族酯重複單元之實例可包括(例如)芳族二羧酸重複單元(式I中之Y₁ 及Y₂ 為C(O))、芳族羥基羧酸重複單元(式I中之Y₁ 為O且Y₂ 為C(O))以及其各種組合。

舉例而言，可採用芳族羥基羧酸重複單元，其衍生自芳族羥基羧酸，諸如4-羥基苯甲酸；4-羥基-4'-二苯基羧酸；2-羥基-6-萘甲酸；2-羥基-5-萘甲酸；3-羥基-2-萘甲酸；2-羥基-3-萘甲酸；4'-羥苯基-4-苯甲酸；3'-羥苯基-4-苯甲酸；4'-羥苯基-3-苯甲酸等以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基，及其組合。尤其適合之芳族羥基羧酸為4-羥基苯甲酸(「HBA」)及6-羥基-2-萘甲酸(「HNA」)。當採用時，衍生自羥基羧酸(例如，HBA及/或HNA)之重複單元通常構成聚合物之約20 mol%或更大，在一些實施例中約25 mol%或更大，在一些實施例中約30 mol%或更大，在一些實施例中約40 mol%或更大，在一些實施例中約50 mol%或更大，在一些實施例中約55 mol%至100 mol%，且在一些實施例中約60 mol%至約95 mol%。

亦可採用芳族二羧酸重複單元，其衍生自芳族二羧酸，諸如對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、二苯醚-4,4'-二甲酸、1,6-萘二甲酸、2,7-萘二甲酸、4,4'-二羧基聯苯、雙(4-羧苯基)醚、雙(4-羧苯基)丁烷、雙(4-羧苯基)乙烷、雙(3-羧苯基)醚、雙(3-羧苯基)乙烷等，以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基，以及其組合。尤其適合之芳族二羧酸可包括例如對苯二甲酸(「TA」)、間苯二甲酸(「IA」)及2,6-萘二甲酸(「NDA」)。當使用時，衍生自芳族二羧酸(例如IA、TA及/或NDA)之重複單元通常各自構成聚合物之約1 mol%至約40 mol%，在一些實施例中約2 mol%至約30 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%。

其他重複單元亦可用於聚合物中。在某些實施例中，例如可採用衍生自芳族二醇之重複單元，該等芳族二醇諸如對苯二酚、間苯二酚、2,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘、1,6-二羥基萘、4,4'-二羥基聯苯(或4,4'-聯苯酚)、3,3'-二羥基聯苯、3,4'-二羥基聯苯、4,4'-二羥基聯苯醚、雙(4-羥苯基)乙烷等以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基以及其組合。尤其適合之芳族二醇可包括例如對苯二酚(「HQ」)及4,4'-聯苯酚(「BP」)。當採用時，衍生自芳族二醇(例如，HQ及/或BP)之重複單元通常構成聚合物之約1 mol%至約50 mol%，在一些實施例中約1 mol%至約40 mol%，在一些實施例中約2 mol%至約40 mol%，在一些實施例中約5 mol%至約35 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%。

亦可使用諸如衍生自芳族醯胺(例如乙醯胺苯酚(「APAP」))及/或芳胺(例如4-胺基苯酚(「AP」)、3-胺基苯酚、1,4-苯二胺、1,3-苯二胺等)之彼等重複單元。在使用時，衍生自芳族醯胺(例如，APAP)及/或芳族胺(例如，AP)之重複單元通常構成聚合物之約0.1 mol%至約20 mol%、在一些實施例中約0.5 mol%至約15 mol%且在一些實施例中約1 mol%至約10 mol%。亦應理解各種其他單體重複單元可併入至聚合物中。舉例而言，在某些實施例中，聚合物可含有一或多個衍生自非芳族單體(諸如脂族或環脂族羥基羧酸、二羧酸、二醇、醯胺、胺等)之重複單元。當然，在其他實施例中，由於聚合物缺乏衍生自非芳族(例如，脂族或環脂族)單體之重複單元，因此該聚合物可為「完全芳族」。

視需要，就液晶聚合物含有相對較高含量之衍生自環烷羥基羧酸及環烷二羧酸，諸如NDA、HNA或其組合之重複單元而言，該液晶聚合物可為「高環烷」聚合物。亦即，衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA及NDA之組合)之重複單元的總量通常為聚合物之約10 mol%或更高，在一些實施例中約12 mol%或更高，在一些實施例中約15 mol%或更高，在一些實施例中約18 mol%或更高，在一些實施例中約30 mol%或更高，在一些實施例中約40 mol%或更高，在一些實施例中約45 mol%或更高，在一些實施例中約50 mol%或更高，在一些實施例中約60 mol%或更高，在一些實施例中約62 mol%或更高，在一些實施例中約68 mol%或更高，在一些實施例中約70 mol%或更高，且在一些實施例中約70 mol%至約80 mol%。與許多習知「低環烷」聚合物相反，咸信所得「高環烷」聚合物能夠展現良好熱及機械特性。不意欲受理論限制，咸信此類「高環烷」聚合物能夠減小聚合物組合物吸收水之傾向性，其可有助於在高頻範圍下穩定介電常數及耗散因子。亦即，根據ISO 62-1:2008，在浸沒於水中24小時之後，此類高環烷聚合物通常具有約0.015%或更小，在一些實施例中約0.01%或更小，且在一些實施例中約0.0001%至約0.008%之吸水性。根據ISO 62-4:2008在23℃之溫度下暴露於潮濕氛圍(50%相對濕度)之後，高環烷聚合物亦可具有約0.01%或更小，在一些實施例中約0.008%或更小，且在一些實施例中約0.0001%至約0.006%之吸濕性。

在一個實施例中，例如，衍生自HNA之重複單元可構成聚合物之30 mol%或更高，在一些實施例中約40 mol%或更高，在一些實施例中約45 mol%或更高，在一些實施例中50 mol%或更高，在一些實施例中約60 mol%或更高，在一些實施例中約62 mol%或更高，在一些實施例中約68 mol%或更高，在一些實施例中約70 mol%或更高，且在一些實施例中約70 mol%至約80 mol%。液晶聚合物亦可含有各種其他單體。舉例而言，聚合物可含有量為約10 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約15 mol%至約35 mol%，且在一些實施例中約20 mol%至約30 mol%的衍生自HBA之重複單元。當採用時，HNA與HBA之莫耳比可選擇性控制在特定範圍內以有助於達成所需特性，諸如約0.1至約40，在一些實施例中約0.5至約20，在一些實施例中約0.8至約10，且在一些實施例中約1至約5。聚合物亦可含有量為約1 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%的芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)；及/或量為約1 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%的芳族二醇(例如，BP及/或HQ)。然而，在一些情況下，可能需要最小化聚合物中之此類單體的存在以幫助達成所需特性。舉例而言，芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)之總量可為聚合物之約20 mol%或更小，在一些實施例中約15 mol%或更小，在一些實施例中約10 mol%或更小，在一些實施例中0 mol%至約5 mol%，且在一些實施例中0 mol%至約2 mol%。類似地，芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)之總量可為聚合物之約20 mol%或更小，在一些實施例中約15 mol%或更小，在一些實施例中約10 mol%或更小，在一些實施例中0 mol%至約5 mol%，且在一些實施例中0 mol%至約2 mol% (例如，約0 mol%)。

在另一實施例中，衍生自NDA之重複單元可構成聚合物之10 mol%或更高，在一些實施例中約12 mol%或更高，在一些實施例中約15 mol%或更高，且在一些實施例中約18 mol%至約95 mol%。在此類實施例中，液晶聚合物亦可含有各種其他單體，諸如量為約20 mol%至約60 mol%，且在一些實施例中約30 mol%至約50 mol%之芳族羥基羧酸(例如，HBA)；量為約2 mol%至約30 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%之芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)；及/或量為約2 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約35 mol%之芳族二醇(例如，BP及/或HQ)。

無論聚合物之特定成分及性質如何，液晶聚合物可藉由以下製備：最初將用於形成酯重複單元(例如，芳族羥基羧酸、芳族二羧酸等)及/或其他重複單元(例如，芳族二醇、芳族醯胺、芳族胺等)之芳族單體引入至反應器容器中以初始化聚縮合反應。此類反應中使用之特定條件及步驟為熟知的，且可更詳細地描述於Calundann 之美國專利第4,161,470號；Linstid, III 等人之美國專利第5,616,680號；Linstid, III 等人之美國專利第6,114,492號、Shepherd 等人之美國專利第6,514,611號及Waggoner 之WO 2004/058851中。用於反應之容器不受特別限制，但通常期望使用常用於高黏度流體之反應中之容器。此類反應容器之實例可包括具有攪拌器之攪拌貯槽型設備，其中該攪拌器具有諸如錨定型、多段型、螺旋帶型、螺釘軸型等或其經修改形狀之各種形狀之攪拌槳葉。此反應容器之其他實例可包括常用於樹脂捏合中之混合設備，諸如捏合機、輥筒研磨機、班伯里混合機(Banbury mixer)等。

視需要，反應可經由此項技術中已知的單體之乙醯化進行。此可藉由向單體添加乙醯化劑(例如乙酸酐)來實現。一般在約90℃之溫度下開始乙醯化。在乙醯化之初始階段期間，可使用回流來將氣相溫度維持在低於乙酸副產物及酐開始蒸餾之點。乙醯化期間之溫度通常介於90℃與150℃，且在一些實施例中約110℃與約150℃之間的範圍內。若使用回流，則氣相溫度通常超過乙酸之沸點，但仍然低至足以保留殘餘乙酸酐。舉例而言，乙酸酐在約140℃之溫度下汽化。因此，尤其期望提供在約110℃至約130℃之溫度下具有氣相回流之反應器。為確保大體上完成反應，可採用過量之乙酸酐。過量酐之量將視使用之特定乙醯化條件(包括存在或不存在回流)而變化。通常基於存在的反應物羥基之總莫耳量使用約1至約10莫耳百分比之過量之乙酸酐。

乙醯化可在單獨的反應器容器中進行，或其可在聚合反應器容器內原位進行。當採用單獨的反應容器時，可將單體中之一或多者引入至乙醯化反應器且隨後轉移至聚合反應器。同樣，亦可將單體中之一或多者直接引入至反應器容器而不進行預乙醯化。

除單體及視情況選用之乙醯化劑之外，其他組分亦可包括於反應混合物內以幫助促進聚合。舉例而言，可視情況採用催化劑，諸如金屬鹽催化劑(例如，乙酸鎂、乙酸錫(I)、鈦酸四丁酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀等)及有機化合物催化劑(例如，N-甲基咪唑)。此類催化劑通常以按重複單元前驅體之總重量計約百萬分之50至約百萬分之500之量使用。當使用單獨的反應器時，通常期望將催化劑施加至乙醯化反應器並非聚合反應器，但此決不為要求。

通常在聚合反應器容器內將反應混合物加熱至高溫以開始反應物之熔融聚縮合。聚縮合可在(例如)約250℃至約380℃，且在一些實施例中約280℃至約380℃之溫度範圍內進行。舉例而言，一種適合用於形成芳族聚酯之技術可包括將前驅體單體及乙酸酐饋入至反應器中，將混合物加熱至約90℃至約150℃之溫度以將單體之羥基乙醯化(例如形成乙醯氧基)，且接著將溫度升高至約280℃至約380℃以進行熔融聚縮合。當達至最終聚合溫度，亦可移除反應之揮發性副產物(例如乙酸)以使得可容易達成所需分子量。通常在聚合期間對反應混合物進行攪拌以確保良好的熱及質量轉移，且反過來確保良好的材料均勻性。攪拌器之旋轉速率在反應之過程期間可變化，但通常介於約10至約100轉/分鐘，且在一些實施例中為約20至約80 rpm。為在熔融中建構分子量，聚合反應亦可在真空下進行，施加真空有助於移除在聚縮合之最終階段期間形成之揮發物。真空可藉由施加抽吸壓力產生，諸如在約5至約30磅/平方吋，且在一些實施例中約10至約20 psi之範圍內。

在熔融聚合之後，通常可經由裝配有所需組態之模具之擠出孔將熔融聚合物自反應器排出，冷卻及收集。通常，經由穿孔模具排出熔融物以形成股束，將該等股束溶解於水浴中，粒化並乾燥。在一些實施例中，亦可對熔融聚合化聚合物進行後續固態聚合方法以進一步增大其分子量。可在氣體(例如，空氣、惰性氣體等)存在下進行固態聚合。適合之惰性氣體可包括(例如)氮氣、氦氣、氬氣、氖氣、氪氣、氙氣等以及其組合。固態聚合反應器容器可實際上具有將允許使聚合物保持在所需固態聚合溫度下持續所需滯留時間的任何設計。此類容器之實例可為具有固定床、靜態床、移動床、流體化床等之彼等容器。執行固態聚合之溫度可變化，但通常在約250℃至約350℃之範圍內。當然，聚合時間將基於溫度及目標分子量而變化。然而，在大多數情況下，固態聚合時間將為約2至約12個小時，且在一些實施例中約4至約10個小時。

一般言之，聚合物組合物中採用的液晶聚合物之總量為聚合物組合物之約40 wt%至約99.5 wt%，在一些實施例中約50 wt%至約99 wt%，在一些實施例中約60 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約70 wt%至約95 wt%。在某些實施例中，所有液晶聚合物為諸如上文所述的「高環烷」聚合物。然而，在其他實施例中，「低環烷」液晶聚合物亦可用於組合物中，其中衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA及NDA之組合)的重複單元之總量為小於10 mol%，在一些實施例中約8 mol%或更小，在一些實施例中約6 mol%或更小，且在一些實施例中約1 mol%至約5 mol%之聚合物。在某些實施例中，可能需要低環烷聚合物僅以相對較低量存在。舉例而言，當採用時，低環烷液晶聚合物通常構成組合物中之液晶聚合物總量之約1 wt%至約50 wt%，在一些實施例中約2 wt%至約40 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約30 wt%，且構成整個組合物之約0.5 wt%至約45 wt%，在一些實施例中約2 wt%至約35 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約25 wt%。相反地，高環烷液晶聚合物通常構成組合物中之液晶聚合物總量之約50 wt%至約99 wt%，在一些實施例中約60 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約70 wt%至約95 wt%，且構成整個組合物之約55 wt%至約99.5 wt%，在一些實施例中約65 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約75 wt%至約95 wt%。 B.疏水性材料

如上文所提及，分佈在整個聚合物基質中之疏水性材料亦用於聚合物組合物中。不意欲受理論限制，咸信疏水性材料可幫助減小聚合物組合物吸收水之傾向性，其可幫助在高頻範圍下穩定介電常數及耗散因子。液晶聚合物與疏水性材料之重量比通常為約1至約20，在一些實施例中約2至約15，且在一些實施例中約3至約10。舉例而言，疏水性材料可構成整個聚合物組合物之約1 wt%至約60 wt%，在一些實施例中約2 wt%至約50 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約40 wt%。

尤其適合之疏水性材料為低表面能彈性體，諸如氟聚合物、矽酮聚合物等。舉例而言，氟聚合物可含有烴主鏈聚合物，其中一些或全部氫原子經氟原子取代。主鏈聚合物可為聚烯烴且由經氟取代的不飽和烯烴單體形成。氟聚合物可為此類經氟取代之單體的均聚物或經氟取代之單體的共聚物或經氟取代之單體及非經氟取代之單體的混合物。除氟原子之外，氟聚合物亦可經其他鹵素原子，諸如氯及溴原子取代。適合於形成用於本發明之氟聚合物的代表性單體為四氟乙烯(「TFE」)、偏二氟乙烯(「VF2」)、六氟丙烯(「HFP」)、氯三氟乙烯(「CTFE」)、全氟乙基乙烯基醚(「PEVE」)、全氟甲基乙烯基醚(「PMVE」)、全氟丙基乙烯基醚(「PPVE」)等以及其混合物。適合之氟聚合物的具體實例包括聚四氟乙烯(「PTFE」)、全氟烷基乙烯基醚(「PVE」)、聚(四氟乙烯-共-全氟烷基乙烯基醚) (「PFA」)、氟化乙烯-丙烯共聚物(「FEP」)、乙烯-四氟乙烯共聚物(「ETFE」)、聚偏二氟乙烯(「PVDF」)、聚氯三氟乙烯(「PCTFE」)及具有VF2及/或HFP之TFE共聚物等以及其混合物。

在某些實施例中，疏水性材料(例如，氟聚合物)可具有經選擇性地控制以幫助形成相對較低厚度之膜的粒度。舉例而言，疏水性材料可具有約1至約60微米，在一些實施例中約2至約55微米，在一些實施例中約3至約50微米，且在一些實施例中約25至約50微米之中值粒度(例如，直徑)，諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，藉由Horiba LA-960粒度分佈分析儀)所測定。疏水性材料亦可具有較窄的大小分佈。亦即，至少約70體積%微粒，在一些實施例中至少約80體積%微粒，及在一些實施例中至少約90體積%微粒可具有在上述範圍內之尺寸。 C.其他添加劑

多種其他添加劑亦可包括於聚合物組合物中，諸如潤滑劑、纖維性填料、微粒填料、中空填料、可雷射活化添加劑、導熱填料、顏料、抗氧化劑、穩定劑、界面活性劑、蠟、阻燃劑、抗滴液添加劑、成核劑(例如，氮化硼)、流動調節劑、偶合劑、抗菌劑、顏料或其他著色劑、抗衝擊改質劑及添加以增強特性及可加工性之其他材料。 i.纖維性填料

在一個實施例中，例如，纖維性填料可諸如以聚合物組合物之約1 wt%至約40 wt%，在一些實施例中約3 wt%至約30 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約20 wt%的量用於聚合物組合物中。纖維性填料通常包括具有相對於其質量之較高程度的拉伸強度之纖維。舉例而言，纖維之極限拉伸強度(根據ASTM D2101測定)通常為約1,000至約15,000兆帕斯卡(「MPa」)，在一些實施例中為約2,000 MPa至約10,000 MPa，且在一些實施例中為約3,000 MPa至約6,000 MPa。為幫助維持所需介電特性，此類高強度纖維可由本質上一般為絕緣的材料，諸如玻璃、陶瓷或礦物質(例如，氧化鋁或二氧化矽)、芳族聚醯胺(例如，由E. I. duPont de Nemours, Wilmington, Del.出售之Kevlar®)、礦物質、聚烯烴、聚酯等形成。纖維性填料可包括玻璃纖維、礦物質纖維或其混合物。舉例而言，在一個實施例中，纖維性填料可包括玻璃纖維。尤其適合的玻璃纖維可包括E-玻璃、A-玻璃、C-玻璃、D-玻璃、AR-玻璃、R-玻璃、S1-玻璃、S2-玻璃等。在另一實施例中，纖維性填料可包括礦物質纖維。礦物質纖維可包括衍生自以下之彼等礦物質纖維：矽酸鹽，諸如島狀矽酸鹽、雙島狀矽酸鹽、鏈狀矽酸鹽(例如鏈狀矽酸鈣，諸如矽灰石(wollastonite)；鏈狀矽酸鈣鎂，諸如透閃石(tremolite)；鏈狀矽酸鈣鎂鐵，諸如陽起石(actinolite)；鏈狀矽酸鎂鐵，諸如直閃石(anthophyllite)等)、頁矽酸鹽(例如頁矽酸鋁，諸如鎂鋁皮石(palygorskite))、網狀矽酸鹽等；硫酸鹽，諸如硫酸鈣(例如脫水或無水石膏)；礦棉(例如礦石棉或礦渣棉)等等。尤其適合為鏈狀矽酸鹽，獲自Nyco Minerals商標名為NYGLOS® (例如，NYGLOS® 4W或NYGLOS® 8)之矽灰石纖維。

此外，儘管纖維性填料可具有多種不同大小，但具有特定縱橫比之纖維可幫助改良聚合物組合物之機械特性。亦即，縱橫比(平均長度除以標稱直徑)為約2或更大，在一些實施例中約4或更大，在一些實施例中約5至約50，且在一些實施例中約8至約40之纖維性填料可尤其有益。此類纖維性填料可(例如)具有約10微米或更大，在一些實施例中約25微米或更大，在一些實施例中約50微米或更大至約800微米或更小，且在一些實施例中約60微米至約500微米之重量平均長度。此外，此類纖維性填料可(例如)具有約10微米或更大，在一些實施例中約25微米或更大，在一些實施例中約50微米或更大至約800微米或更小，且在一些實施例中約60微米至約500微米之體積平均長度。纖維性填料可同樣具有約5微米或更大，在一些實施例中約6微米或更大，在一些實施例中約8微米至約40微米，且在一些實施例中約9微米至約20微米之標稱直徑。纖維性填料之相對量亦可經選擇性地控制以幫助達成所需機械及熱特性，而不會不利地影響聚合物組合物之其他特性，諸如其流動性及介電特性等。就此而言，纖維性填料在1 GHz頻率下可具有約6或更小，在一些實施例中約5.5或更小，在一些實施例中約1.1至約5，且在一些實施例中約2至約4.8之介電常數。

纖維性填料可呈經修飾或未修飾形式，例如提供上漿劑或經化學處理，以便改良對塑膠之黏著力。在一些實例中，玻璃纖維可提供有上漿劑以保護玻璃纖維，使纖維光滑，且亦改良纖維與基質材料之間的黏著力。若存在，上漿劑可包含矽烷、成膜劑、潤滑劑、濕潤劑、黏著劑、視情況選用之抗靜電劑及塑化劑、乳化劑及視情況選用之其他添加劑。在一個特定實施例中，上漿劑可包括矽烷。矽烷之特定實例為胺基矽烷，例如3-三甲氧基矽基丙胺、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基-矽烷、N-(3-三甲氧基矽烷基丙基)乙烷-1,2-二胺、3-(2-胺基乙基-胺基)丙基三甲氧基矽烷、N-[3-(三甲氧基矽基)丙基]-1,2-乙烷-二胺。 ii.可雷射活化添加劑

在某些其他實施例中，聚合物組合物可為「可雷射活化的」意為其含有可藉由雷射直接成型(「LDS」)製程活化之添加劑。在此製程中，添加劑暴露於雷射，其引起金屬釋放。雷射由此將導電元件之圖案繪製於部件上且留下含有嵌入式金屬微粒之粗糙表面。此等微粒在後續鍍覆製程(例如，鍍銅、鍍金、鍍鎳、鍍銀、鍍鋅、鍍錫等)期間充當晶體生長之晶核。可雷射活化添加劑一般包括尖晶石晶體，其在可定義晶體形式內可包括兩個或更多個金屬氧化物團簇組態。舉例而言，總晶體形式可具有以下通式： AB₂ O₄ 其中， A為2價金屬陽離子，諸如鎘、鉻、錳、鎳、鋅、銅、鈷、鐵、鎂、錫、鈦等以及其組合；且 B為3價金屬陽離子，諸如鉻、鐵、鋁、鎳、錳、錫等以及其組合。

通常，上式中之A提供第一金屬氧化物團簇之主要陽離子組分且B提供第二金屬氧化物團簇之主要陽離子組分。此等氧化物團簇可具有相同或不同的結構。在一個實施例中，例如，第一金屬氧化物團簇具有四面體結構且第二金屬氧化物團簇具有八面體團簇。無論如何，團簇可共同提供對電磁輻射具有加強敏感性之單數可鑑別晶體型結構。適合之尖晶石晶體之實例包括例如MgAl₂ O₄ 、ZnAl₂ O₄ 、FeAl₂ O₄ 、CuFe₂ O₄ 、CuCr₂ O₄ 、MnFe₂ O₄ 、NiFe₂ O₄ 、TiFe₂ O₄ 、FeCr₂ O₄ 、MgCr₂ O₄ 等。氧化銅鉻(CuCr₂ O₄ )尤其適用於本發明且獲自Shepherd Color Co.之商品名「Shepherd Black 1GM」。

可雷射活化添加劑可構成聚合物組合物之約0.1 wt%至約30 wt%，在一些實施例中約0.5 wt%至約20 wt%，且在一些實施例中約1 wt%至約10 wt%。 iii.中空填料

儘管決不要求，但聚合物組合物亦可包括一或多種中空無機填料以幫助達成所需介電常數。舉例而言，此類填料在100 MHz下可具有約3.0或更小，在一些實施例中約2.5或更小，在一些實施例中約1.1至約2.3，且在一些實施例中約1.2至約2.0之介電常數。中空無機填料通常具有內部中空的空間或腔室且可使用此項技術中已知的技術合成。中空無機填料可由習知材料製成。舉例而言，中空無機填料可包括氧化鋁、二氧化矽、氧化鋯、氧化鎂、玻璃、飛灰、硼酸鹽、磷酸鹽、陶瓷以及類似物。在一個實施例中，中空無機填料可包括中空玻璃填料、中空陶瓷填料以及其混合物。在一個實施例中，中空無機填料包括中空玻璃填料。中空玻璃填料可由以下製成：鹼石灰硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃、硼矽酸玻璃、硼矽酸鈉玻璃、矽酸鈉玻璃或鋁矽酸玻璃。就此而言，在一個實施例中，玻璃之組合物(在不受限制時)可為至少約65重量%之SiO₂ 、3至15重量%之Na₂ O、8至15重量%之CaO、0.1至5重量%之MgO、0.01至3重量%之Al₂ O₃ 、0.01至1重量%之K₂ O及視情況選用之其他氧化物(例如，Li₂ O、Fe₂ O₃ 、TiO₂ 、B₂ O₃ )。在另一實施例中，組合物可為約50至58重量%之SiO₂ 、25至30重量%之Al₂ O₃ 、6至10重量%之CaO、1至4重量%之Na₂ O/K₂ O及1至5重量%之其他氧化物。此外，在一個實施例中，中空玻璃填料可包括較鹼金屬氧化物更多之鹼土金屬氧化物。舉例而言，鹼土金屬氧化物與鹼金屬氧化物之重量比可大於1，在一些實施例中約1.1或更大，在一些實施例中約1.2至約4，且在一些實施例中約1.5至約3。無論上文如何，應理解，玻璃組合物可視所採用玻璃的類型而變化且仍提供本發明所需之益處。

中空無機填料可具有平均值為約1微米或更大，在一些實施例中約5微米或更大，在一些實施例中約8微米或更大，在一些實施例中約1微米至約150微米，在一些實施例中約10微米至約150微米，且在一些實施例中約12微米至約50微米之至少一種尺寸。在一個實施例中，此平均值可指d₅₀ 值。此外，中空無機填料可具有約3微米或更大，在一些實施例中約4微米或更大，在一些實施例中約5微米至約20微米，且在一些實施例中約6微米至約15微米之D₁₀ 。中空無機填料可具有約10微米或更大，在一些實施例中約15微米或更大，在一些實施例中約20微米至約150微米，且在一些實施例中約22微米至約50微米之D₉₀ 。就此而言，中空無機填料可以大小分佈形式存在，該大小分佈可為高斯(Gaussian)、正態或非正態大小分佈。在一個實施例中，中空無機填料可具有高斯大小分佈。在另一實施例中，中空無機填料可具有正態大小分佈。在另一實施例中，中空無機填料可具有非正態大小分佈。非正態大小分佈之實例可包括單峰及多峰(例如，雙峰)大小分佈。當提及上文尺寸時，此類尺寸可為任何尺寸。然而，在一個實施例中，此類尺寸係指直徑。舉例而言，尺寸之此類值係指球體之平均直徑。諸如平均直徑之尺寸可根據3M QCM 193.0來測定。就此而言，在一個實施例中，中空無機填料可係指中空球，諸如中空玻璃球。舉例而言，中空無機填料可具有大致1之平均縱橫比。一般而言，平均縱橫比可為約0.8或更大，在一些實施例中約0.85或更大，在一些實施例中約0.9至約1.3，且在一些實施例中約0.95至約1.05。

另外，中空無機填料可具有相對較薄的壁以有助於聚合物組合物之介電特性以及減小重量。壁之厚度可為中空無機填料之平均尺寸(諸如平均直徑)之約50%或更小，在一些實施例中約40%或更小，在一些實施例中約1%至約30%，且在一些實施例中約2%至約25%。另外，中空無機填料可具有某一真實密度，該密度可允許容易處理且提供具有重量減小的聚合物組合物。一般而言，真實密度係指藉由中空填料之樣本的質量除以中空填料之彼質量的真實體積所獲得的商，其中真實體積稱為中空填料之聚集總體積。就此而言，中空無機填料之真實密度可為約0.1 g/cm³ 或更大，在一些實施例中約0.2 g/cm³ 或更大，在一些實施例中約0.3 g/cm³ 或更大至約1.2 g/cm³ ，且在一些實施例中約0.4 g/cm³ 或更大至約0.9 g/cm³ 。真實密度可根據3M QCM 14.24.1來測定。

即使填料為中空的，其仍可具有允許維持填料之結構完整性的機械強度，使得降低填料在處理及/或使用期間破損之可能性。就此而言，中空無機填料之等規抗壓力(亦即其中至少80 vol%，諸如至少90 vol%之中空填料經受得住)可為約20 MPa或更大，在一些實施例中約100 MPa或更大，在一些實施例中約150 MPa至約500 MPa，且在一些實施例中約200 MPa至約350 MPa。等規抗壓力可根據3M QCM 14.1.8來測定。

中空無機填料之鹼度可為約1.0 meq/g或更小，在一些實施例中約0.9 meq/g或更小，在一些實施例中約0.1 meq/g至約0.8 meq/g，且在一些實施例中約0.2 meq/g至約0.7 meq/g。鹼度可根據3M QCM 55.19來測定。為提供相對較低鹼度，中空無機填料可用適合之酸(諸如磷酸)處理。另外，中空無機填料亦可包括表面處理以輔助提供與聚合物組合物中之聚合物及/或其他組分之更佳相容性。作為一實例，表面處理可為矽烷化。特定言之，表面處理劑可包括(但不限於)胺基矽烷、環氧矽烷等。

當採用時，中空無機填料可(例如)構成聚合物組合物之約1 wt%或更大，在一些實施例中約4 wt%或更大，在一些實施例中約5 wt%至約40 wt%，且在一些實施例中約10 wt%至約30 wt%。 iv.微粒填料

視需要，可採用微粒填料以改良聚合物組合物之某些特性。微粒填料可以聚合物組合物中採用的每100份液晶聚合物之約5至約60重量份，在一些實施例中約10至約50重量份，且在一些實施例中約15至約40重量份的量用於聚合物組合物中。舉例而言，微粒填料可構成聚合物組合物之約5 wt%至約50 wt%，在一些實施例中約10 wt%至約40 wt%，且在一些實施例中約15 wt%至約30 wt%。

在某些實施例中，可採用具有特定硬度值之微粒以幫助改良組合物之表面特性。舉例而言，按莫氏硬度等級(Mohs hardness scale)計，硬度值可為約2或更大，在一些實施例中約2.5或更大，在一些實施例中約3至約11，在一些實施例中約3.5至約11，且在一些實施例中約4.5至約6.5。此類微粒之實例可包括(例如)二氧化矽(莫氏硬度為7)、雲母(例如，莫氏硬度為約3)；碳酸鹽，諸如碳酸鈣(CaCO₃ ，莫氏硬度為3.0)或氫氧化碳酸銅(Cu₂ CO₃ (OH)₂ ，莫氏硬度為4.0)；氟化物，諸如氟化鈣(CaFl₂ ，莫氏硬度為4.0)；磷酸鹽，諸如焦磷酸鈣(Ca₂ P₂ O₇ ，莫氏硬度為5.0)，無水磷酸氫鈣(CaHPO₄ ，莫氏硬度為3.5)或含水磷酸鋁(AlPO₄ ·2H₂ O，莫氏硬度為4.5)；硼酸鹽，諸如氫氧化硼矽酸鈣(Ca₂ B₅ SiO₉ (OH)₅ ，莫氏硬度為3.5)；氧化鋁(AlO₂ ，莫氏硬度為10.0)；硫酸鹽，諸如硫酸鈣(CaSO₄ ，莫氏硬度為3.5)或硫酸鋇(BaSO₄ ，莫氏硬度為3至3.5)等等以及其組合。

微粒之形狀可視需要變化。舉例而言，可在某些實施例中採用具有相對較高縱橫比(例如，平均直徑除以平均厚度)，諸如約10:1或更大，在一些實施例中約20:1或更大，且在一些實施例中約40:1至約200:1之薄片形微粒。微粒之平均直徑可例如介於約5微米至約200微米，在一些實施例中約30微米至約150微米，且在一些實施例中約50微米至約120微米之範圍，諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，藉由Horiba LA-960粒度分佈分析儀)所測定。適合之薄片形微粒可由天然及/或合成矽酸鹽礦物質形成，諸如雲母、多水高嶺土(halloysite)、高嶺土、伊利石(illite)、蒙脫石(montmorillonite)、蛭石(vermiculite)、鎂鋁皮石(palygorskite)、葉蠟石(pyrophyllite)、矽酸鈣、矽酸鋁、矽灰石等。舉例而言，雲母為尤其適合的。一般可採用任何形式之雲母，包括(例如)白雲母(muscovite) (KAl₂ (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、黑雲母(biotite) (K(Mg,Fe)₃ (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、金雲母(phlogopite) (KMg₃ (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、鋰雲母(lepidolite) (K(Li,Al)_2-3 (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、海綠石(glauconite) (K,Na)(Al,Mg,Fe)₂ (Si,Al)₄ O₁₀ (OH)₂ )等。亦可採用顆粒狀微粒。通常，此類微粒之平均直徑為約0.1至約10微米，在一些實施例中約0.2至約4微米，且在一些實施例中約0.5至約2微米，諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，藉由Horiba LA-960粒度分佈分析儀)所測定。尤其適合之顆粒狀填料可包括(例如)滑石、硫酸鋇、硫酸鈣、碳酸鈣等。

微粒填料可基本上或完全由一種類型的微粒，諸如薄片形微粒(例如，雲母)或顆粒狀微粒(例如，硫酸鋇)形成。亦即，此類薄片形或顆粒狀微粒可構成微粒填料之約50 wt%或更大，且在一些實施例中約75 wt%或更大(例如，100 wt%)。當然，在其他實施例中，亦可組合地採用薄片形微粒及顆粒狀微粒。在此類實施例中，例如，薄片形微粒可構成微粒填料之約0.5 wt%至約20 wt%，且在一些實施例中約1 wt%至約10 wt%，而顆粒狀微粒構成微粒填料之約80 wt%至約99.5 wt%，且在一些實施例中約90 wt%至約99 wt%。

視需要，微粒亦可塗佈有氟化添加劑以幫助改良組合物之加工，諸如藉由提供更佳的模具填充、內部潤滑、脫模等。氟化添加劑可包括含有烴主鏈聚合物之氟聚合物，其中一些或全部氫原子經氟原子取代。主鏈聚合物可為聚烯烴且由經氟取代的不飽和烯烴單體形成。氟聚合物可為此類經氟取代之單體的均聚物或經氟取代之單體的共聚物或經氟取代之單體及非經氟取代之單體的混合物。除氟原子之外，氟聚合物亦可經其他鹵素原子，諸如氯及溴原子取代。用於本發明之適合於形成氟聚合物之代表性單體為四氟乙烯、偏二氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯、全氟乙基乙烯基醚、全氟甲基乙烯基醚、全氟丙基乙烯基醚等以及其混合物。適合之氟聚合物的具體實例包括聚四氟乙烯、全氟烷基乙烯基醚、聚(四氟乙烯-共-全氟烷基乙烯基醚)、氟化乙烯-丙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯、聚氯三氟乙烯等以及其混合物。 II.形成

用於形成聚合物組合物之組分可使用如此項技術中已知的多種不同技術中之任一者合併在一起。在一個特定實施例中，例如，液晶聚合物、疏水性材料及其他視情況選用之添加劑在擠出機內經熔融處理呈混合物形式以形成聚合物組合物。混合物可在約200℃至約450℃的溫度下在單螺桿或多螺桿擠出機中經熔融捏合。在一個實施例中，混合物可在包括多個溫度區域之擠出機中經熔融處理。個別區域之溫度通常設定在相對於聚合物之熔融溫度的約-60℃至約25℃內。舉例而言，混合物可使用雙螺桿擠出機，諸如Leistritz 18-mm共轉完全互嚙合雙螺桿擠出機進行熔融處理。通用螺桿設計可用於熔融處理混合物。在一個實施例中，可藉助於容積式饋料器將包括所有組分之混合物饋入第一筒中之進料口。在另一實施例中，如吾人所知，可在擠出機中之不同添加點處添加不同組分。舉例而言，可在進料口處施加聚合物，且可在位於其下游之相同或不同的溫度區處供應某些添加劑(例如，疏水性材料)。無論如何，所得混合物可經熔融且混合，接著經由模具擠出。接著可在水浴中將擠出之聚合物組合物驟冷以固化且在粒化機中粒化，隨後乾燥。

除在熔化處理期間混合之外，亦可在液晶聚合物之形成期間將疏水性材料併入至聚合物基質中。舉例而言，用於形成液晶聚合物之芳族前驅體單體可在疏水性材料存在下(例如，在聚合設備內)反應。以此方式，疏水性材料可以物理方式併入至所得聚合物基質中。儘管可在任何時間引入該疏水性材料，但通常需要在已經開始熔融聚合之前且通常與用於聚合物之其他芳族前驅體單體一起施加該疏水性材料。添加至反應之疏水性材料的相對量變化，但通常為反應混合物之約0.1 wt%至約35 wt%，在一些實施例中約0.5 wt%至約30 wt%，且在一些實施例中約1 wt%至約25 wt%。

無論將組分併入至組合物中之方式如何，所得熔融黏度一般足夠低，使得該組合物可容易地流入模具之腔室中以形成小型電路基板。舉例而言，在一個特定實施例中，聚合物組合物可具有約5 Pa-s或更大，在一些實施例中約10 Pa-s或更大，在一些實施例中約10 Pa-s至約500 Pa-s，在一些實施例中約5 Pa-s至約150 Pa-s，在一些實施例中約5 Pa-s至約100 Pa-s，在一些實施例中約10 Pa-s至約100 Pa-s，在一些實施例中約15至約90 Pa-s之熔融黏度，如在1,000秒^-1 之剪切率下所測定。 III.膜

如上文所提及，本發明之液晶聚合物組合物尤其較適用於膜中。多種不同技術中之任一者可一般用於使聚合物組合物形成為膜。適合之成膜技術可包括(例如)平整片材模擠出、吹塑膜擠出、管狀滯留氣泡膜製程等。在一個特定實施例中，採用利用T形模之平整片材模擠出製程。模通常含有自初始擠出通道以直角延伸之臂。該等臂可具有沿其長度允許聚合物熔融以流動穿過其的狹縫。此類膜擠出製程之實例描述於(例如)Kasamatsu 之美國專利第4,708,629號中。在另一實施例中，可採用吹塑膜製程，其中將組合物饋入至擠出機中，在該擠出機中，該組合物經熔融處理且接著經由吹塑膜模具供應以形成熔融氣泡。通常，模具含有定位於外部模主體之內部內的芯軸，使得將空間限定於其間。將聚合物組合物吹塑穿過此空間以形成氣泡，接著可將該氣泡抽吸、經空氣充氣且快速冷卻使得聚合物組合物快速固化。視需要，氣泡接著可塌陷於輥之間且視情況捲繞至卷軸上。

在一個特定實施例中，膜可由聚合物組合物形成，該膜具有約0.5至約500微米，在一些實施例中約1至約250微米，在一些實施例中約2至約150微米，在一些實施例中約3至約100微米，且在一些實施例中約5至約60微米之厚度。同樣地，厚膜(或片材)可具有約500微米至約25毫米，在一些實施例中約600微米至約20毫米，且在一些實施例中約1毫米至約10毫米之厚度。

由於液晶聚合物組合物之特有特性，可由其形成展現良好機械特性之膜。指示膜之相對強度的一種參數為拉伸強度，其等於應力應變曲線中所獲得之峰值應力。理想地，膜展現約100至約800兆帕斯卡(MPa)，在一些實施例中約150至約600 MPa，且在一些實施例中約200至約400 MPa之縱向方向(「MD」)上之拉伸強度，及約1至約50兆帕斯卡(MPa)，在一些實施例中約5至約40 MPa，且在一些實施例中約10至約30 MPa之橫向方向(「TD」)上之拉伸強度。膜亦可為延展性的且因此展現諸如約2%或更大，在一些實施例中約5%或更大，在一些實施例中約15%至約50%，且在一些實施例中約15%至約40%的MD及/或TD上之高斷裂伸長率。儘管具有良好強度及延展性，但膜不會過於僵硬。指示膜之相對硬度的一種參數為楊氏模數(Young's modulus)。舉例而言，膜通常展現約10,000至約80,000 MPa，在一些實施例中約12,000至約50,000 MPa，且在一些實施例中約15,000至約30,000 MPa的MD上之楊氏模數，及約300至約10,000 MPa，在一些實施例中約500至約5,000 MPa，且在一些實施例中約800至約3,000 MPa的TD上之楊氏模數。上文所述的拉伸特性可例如根據ASTM ISO 527-3:2018來測定。

所得膜可形成為具有多種不同用途之層壓物材料，諸如包層、用於半導體封裝之多層列印佈線板及母板、可撓性印刷電路板、捲帶式自動接合、標籤磁帶、用於電磁波、探測電纜、通信設備電路等。在一個特定實施例中，層壓物用於可撓性印刷電路板中，該可撓性印刷電路板含有至少一個導電層及如本文中所述形成之膜。膜可鄰近於至少一個導電層定位以形成層壓物。導電層可以多種不同形式設置，諸如薄膜、膜、模具、晶圓、管道等。舉例而言，層可具有箔類結構，以便其相對較薄，諸如具有約500微米或更小，在一些實施例中約200微米或更小，且在一些實施例中約1至約100微米之厚度。當然，亦可採用更高厚度。導電層亦可含有多種導電材料，諸如金屬，例如金、銀、鎳、鋁、銅以及其混合物或合金。在一個實施例中，例如，導電層可包括銅(例如，純銅及銅合金)。

可使用諸如上文所述的技術(例如，鑄造)將膜應用於導電層，或可使用諸如離子束濺鍍、高頻濺鍍、直流電磁控濺鍍、輝光放電等之技術將導電層交替地應用於膜。視需要，可在面向導電層之側上對膜進行表面處理，使得改良膜與導電層之間的黏附性。此類表面處理之實例包括(例如)電暈放電處理、UV輻射處理、電漿處理等。當應用於導電層時，膜可視情況經黏合以改良其特性。舉例而言，黏合可在約250℃至約400℃，在一些實施例中約260℃至約350℃，且在一些實施例中約280℃至約330℃的溫度下進行且持續約15分鐘至約300分鐘，在一些實施例中約20分鐘至約200分鐘，且在一些實施例中約30分鐘至約120分鐘範圍內之時間段。在黏合期間，有時需要將膜於一或多個位置(例如，邊緣)處約束，使得其一般不能夠實體移動。此可以多種方式，諸如藉由夾持、包帶或以其他方式將膜黏附至導電層來實現。亦可如此項技術中已知將黏著劑用於膜與導電層之間。適合之黏著劑可包括環氧樹脂、苯酚、聚酯、腈、丙烯基、聚醯亞胺、聚胺酯樹脂等。

層壓物可具有僅含有膜及導電層之二層結構。參看圖6，例如，此兩層結構10之一個實施例經展示為含有鄰近於導電層12 (例如，銅箔)定位之膜11。替代地，可形成含有兩個或更多個導電層及/或兩個或更多個膜之多層層壓物。參看圖7，例如，展示三層層壓物結構100之一個實施例，其含有定位於兩個導電層112之間的膜110。又一實施例展示於圖8中。在此實施例中，展示七層層壓物結構200，其含有由定位於兩個導電層212之間的膜210形成之核心201。分別地，膜220同樣上覆於導電層212中之每一者，且外部導電層222上覆於膜220。在上文所述的實施例中，本發明之膜可用於形成任一或甚至所有膜層。各種習知處理步驟可用以提供具有充分強度之層壓物。舉例而言，層壓物可經按壓及/或進行如此項技術中已知的熱處理。 IV.應用

本發明之層壓物可用於廣泛多種不同應用中。舉例而言，如上文所提及，層壓物可用於配備有天線元件之電子裝置的電路板(例如，印刷電路板)中。天線元件可直接應用(例如，列印)至電路板上，或替代地其可設置於由電路板支撐且連接至電路板的天線模組中。參看圖9，例如，展示電子裝置140之一個實施例，其含有基板154，該基板154支撐各種電組件142，諸如積體電路(例如，收發器電路、控制電路等)、離散組件(例如，電容器、電感器、電阻器)、開關等等。可將包封材料156施加於組件142及印刷電路板154上，諸如本文中所述，該印刷電路板154含有用於形成電信號路徑之導電跡線152及接觸墊150。亦可採用半導體晶粒144，其經接合至印刷電路板且嵌入封裝本體內以形成每一各別組件142。更特定言之，組件142可具有接觸件146 (例如，焊墊)且可使用耦合於接觸件146與接觸件150之間的導電材料148 (例如，焊料)而安裝至印刷電路板154上之接觸件150。在所說明之實施例中，天線元件160形成於包封材料156之暴露表面上。可經由發射線158 (例如，金屬支柱)將天線元件156電連接至印刷電路板154。

在某些實施例中，印刷電路板經特定組態以用於5G天線系統。如本文中所用，「5G」通常係指射頻信號內之高速資料通信。5G網路及系統能夠以較前代資料通信標準(例如，「4G」、「LTE」)顯著更快的速率通信資料。已發佈定量5G通信要求之不同標準及規格。作為一個實例，2015年，國際電信聯盟(the International Telecommunications Union；ITU)發佈國際行動電信-2020 (「IMT-2020」)標準。IMT-2020標準規定5G之不同資料發射準則(例如，下行鏈路及上行鏈路資料速率、時延等)。IMT-2020標準將上行鏈路及下行鏈路波峰資料速率限定為5G系統必須支持的用於上載及下載資料之最小資料速率。IMT-2020標準將下行鏈路波峰資料速率要求設定為20 Gbit/s且上行鏈路波峰資料速率為10 Gbit/s。作為另一實例，第三代合作夥伴計劃(3^rd Generation Partnership Project；3GPP)最近發佈5G新標準，其稱為「5G NR」。在2018年，3GPP發表「Release 15」以限定用於5G NR之標準化的「Phase 1」。3GPP一般將5G頻帶定義為「頻率範圍1」 (FR1) (包括子6GHz頻率)及「頻率範圍2」 (FR2)，頻帶介於20至60 GHz範圍內。然而，如本文中所用，「5G頻率」可指利用大於60 GHz，例如變化高達80 GHz、高達150GHz且高達300 GHz之頻率的系統。如本文中所用，「5G頻率」可指為約2.5 GHz或更高，在一些實施例中約3.0 GHz或更高，在一些實施例中約3 GHz至約300 GHz或更高，在一些實施例中約4 GHz至約80 GHz，在一些實施例中約5 GHz至約80 GHz，在一些實施例中約20 GHz至約80 GHz，且在一些實施例中約28 GHz至約60 GHz之頻率。

5G天線系統一般採用高頻天線及天線陣列用於基地台、中繼器(例如，「超微型小區」)、中繼台、端子、使用者裝置及/或5G系統的其他適合之組件。在由3GPP發佈之標準(諸如Release 15 (2018))及/或IMT-2020標準下，天線元件/陣列及系統可滿足「5G」或取得「5G」資格。為達成高頻下之此類高速資料通信，天線元件及陣列一般採用可改良天線效能之小型特徵大小/間隔(例如，微間距技術)及/或高級材料。舉例而言，該特徵大小(天線元件之間的間隔、天線元件之寬度)等一般視傳播通過形成天線元件之電路板的所需發射及/或接收射頻之波長(「λ」)而定(例如，nλ/4，其中n為整數)。此外，波束成形及/或波束轉向可用於促進多個頻率範圍或通道(例如，多輸入多輸出(MIMO)、大規模MIMO)內之接收及發射。高頻5G天線元件可具有多種組態。舉例而言，5G天線元件可為或包括共面波導元件、貼片陣列(例如，網-柵貼片陣列)、其他適合之5G天線組態。天線元件可經組態以提供MIMO、大規模MIMO功能性、波束轉向等。如本文中所用，「大規模」MIMO功能性通常係指提供大量具有天線陣列之發射及接收通道，例如8個發射(Tx)及8個接收(Rx)通道(縮寫為8×8)。大規模MIMO功能性可具備8×8、12×12、16×16、32×32、64×64或更大。

天線元件可使用多種製造技術來製造。作為一個實例，天線元件及/或相關元件(例如，接地元件、饋電線等)可採用微間距技術。微間距技術一般係指其組件或引線之間的較小或細微間隔。舉例而言，天線元件之間(或天線元件與接地平面之間)的特徵尺寸及/或間隔可為約1,500微米或更小，在一些實施例中1,250微米或更小，在一些實施例中750微米或更小(例如，中心距為1.5 mm或更小)、650微米或更小，在一些實施例中550微米或更小，在一些實施例中450微米或更小，在一些實施例中350微米或更小，在一些實施例中250微米或更小，在一些實施例中150微米或更小，在一些實施例中100微米或更小，且在一些實施例中50微米或更小。然而，應理解，亦可採用較小及/或較大之特徵大小及/或間隔。由於此類較小特徵尺寸，可在較小佔據面積中達成具有大量天線元件之天線組態及/或陣列。舉例而言，天線陣列可具有大於1,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於2,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於3,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於4,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於6,000個天線元件/平方公分，且在一些實施例中大於約8,000個天線元件/平方公分之平均天線元件密集度。天線元件之此類緊湊配置可提供每單位面積之天線面積有更大數目個MIMO功能性通道。舉例而言，通道數目可對應於(例如，等於或成比例)天線元件之數目。

參看圖1，例如，5G天線系統100可包括基地台102、一或多個中繼台104、一或多個使用者運算裝置106、一或多個Wi-Fi中繼器108 (例如，「毫微微小區」)及/或用於5G天線系統100之其他適合之天線組件。中繼台104可經組態以藉由在基地台102與使用者運算裝置106及/或中繼台104之間中繼或「重複」信號來促進使用者運算裝置106及/或其他中繼台104與基地台102通信。基地台102可包括MIMO天線陣列110，該MIMO天線陣列110經組態以與中繼台104、Wi-Fi中繼器108及/或直接與使用者運算裝置106接收及/或發射射頻信號112。使用者運算裝置106不必受本發明限制且包括諸如5G智慧型電話之裝置。

MIMO天線陣列110可採用波束轉向以相對於中繼台104聚焦或引導射頻信號112。舉例而言，MIMO天線陣列110可經組態以調節相對於X-Y平面之仰角114及/或Z-Y平面中所限定義且相對於Z方向之方位角(heading angle) 116。類似地，中繼台104、使用者運算裝置106、Wi-Fi中繼器108中之一或多者可採用波束轉向以藉由定向地調諧裝置104、106、108相對於基地台102之MIMO天線陣列110的靈敏度及/或功率發射(例如，藉由調節各別裝置之相對仰角及/或相對方位角中之一或兩者)來提高相對於MIMO天線陣列110之接收及/或發射能力。

圖2A至2B同樣地分別說明實例使用者計算裝置106之俯視及側視圖。使用者計算裝置106可包括一或多個天線元件200、202 (例如，經配置為各別天線陣列)。參看圖2A，天線元件200、202可經組態以在X-Y平面中執行波束轉向(如藉由箭頭204、206所說明且與相對方位角相對應)。參看圖2B，天線元件200、202可經組態以在Z-Y平面中執行波束轉向(如藉由箭頭204、206所說明)。

圖3描繪使用各別饋電線304 (例如，藉由前端模組)連接之複數個天線陣列302的簡化示意圖。可將天線陣列302安裝至基板308之側表面306，諸如關於圖4A至4C所描述及說明。基板308可為諸如本文中所描述之電路板。天線陣列302可包括複數個豎直連接的元件(例如，呈網柵陣列狀)。因此，天線陣列302可大體上與基板308之側表面306平行延伸。屏蔽件可視情況設置於基板308之側表面306上，使得天線陣列302位於屏蔽件相對於基板308之外部。天線陣列302之豎直連接的元件之間的豎直間隔距離可對應於天線陣列302之「特徵大小」。因而，在一些實施例中，此等間隔距離可相對較小(例如，小於約750微米)，使得天線陣列302為「微間距」天線陣列302。

圖4說明共面波導天線400組態之側視圖。一或多個共面接地層402可平行於天線元件404 (例如，貼片天線元件)配置。另一接地層406可藉由基板408與天線元件間隔開，其可為諸如本文中所述之電路板。一或多個其他天線元件410可藉由可為如本文中所描述之電路板的第二層或基板412而與天線元件404間隔開。尺寸「G」及「W」可對應於天線400之「特徵大小」。「G」尺寸可對應於天線元件404與共面接地層406之間的距離。「W」尺寸可對應於天線元件404之寬度(例如，線寬)。因而，在一些實施例中，尺寸「G」及「W」可相對較小(例如，小於約750微米)，使得天線400為「微間距」天線400。

圖5A說明天線陣列500之一個實施例。天線陣列500可包括基板510及形成於該基板上之複數個天線元件520。基板510可為如本文中所描述之電路板。複數個天線元件520在X方向及/或Y方向上可大致為相等大小(例如，方形或矩形)。複數個天線元件520可在X方向及/或Y方向上大致相等地間隔開。天線元件520及/或其間的間隔之尺寸可對應於天線陣列500之「特徵大小」。因而，在一些實施例中，尺寸及/或間隔可相對較小(例如，小於約750微米)，使得天線陣列500為「微間距」天線陣列500。如藉由橢圓522所說明，僅提供圖5中所說明的天線元件520之行數作為一實例。類似地，僅提供天線元件520之列數作為一實例。

調諧天線陣列500可用於例如在基地台(例如，如上文關於圖1所描述)中提供大規模MIMO功能性。更具體言之，不同元件之間的射頻相互作用可經控制或調諧以提供多個發射及/或接收通道。發射功率及/或接收靈敏度可經定向控制以聚焦或引導射頻信號，例如如關於圖1之射頻信號112所描述。調諧天線陣列500可在較小佔據面積中提供大量天線元件522。舉例而言，調諧天線500可具有1,000個天線元件/平方公分或更大之平均天線元件密集度。天線元件之此類緊湊配置可提供每單位面積有更大數目個MIMO功能性通道。舉例而言，通道數目可對應於(例如，等於或成比例)天線元件之數目。

圖5B說明天線陣列540之一實施例。天線陣列540可包括複數個天線元件542及連接天線元件542 (例如，及其他天線元件542、前端模組或其他適合之組件)的複數個饋電線544。天線元件542可具有各別寬度「w」及其間的間隔距離「S₁ 」及「S₂ 」(例如，分別在X方向及Y方向上)。此等尺寸可經選擇以在所需5G頻率下達成5G射頻通信。更具體言之，尺寸可經選定以調諧天線陣列540來使用5G頻譜內(例如，大於2.5 GHz及/或大於3 GHz及/或大於28 GHz)之射頻信號發射及/或接收資料。可基於基板之材料特性來選擇尺寸，該基板可為本發明之電路板。舉例而言，「w」、「S₁ 」或「S₂ 」中之一或多者可對應於穿過基板材料之所需頻率的傳播波長(「λ」)之倍數(例如，nλ/4，其中n為整數)。

作為一個實例，λ可計算如下：

其中c為真空中之光速，

為基板(或周圍材料)之介電常數，f 為所需頻率。

圖5C說明根據本發明之態樣的實例天線組態560。天線組態560可包括平行於基板564之較長邊緣配置的多個天線元件562。不同天線元件562可具有調諧天線組態560以在所需頻率及/或頻率範圍下接收及/或發射之各別長度「L」 (及其間的間隔距離)。更具體言之，此類尺寸可基於在基板材料之所需頻率下的傳播波長λ來進行選擇，例如如上文參考圖5B所述。

參考以下實例可更好地理解本發明。測試方法

熔融黏度 ：可根據ISO測試第11443:2005號在1,000 s^-1 之剪切率及高於熔融溫度(例如約350℃) 15℃之溫度下使用Dynisco LCR7001毛細管流變儀測定熔融黏度(Pa-s)。變流儀孔(模具)具有1 mm之直徑、20 mm之長度、20.1之L/D比率及180°之入口角。機筒之直徑為9.55 mm + 0.005 mm，且棒之長度為233.4 mm。

熔融溫度 ：可藉由如此項技術中已知的差示掃描熱量測定(「DSC」)來測定熔融溫度(「Tm」)。熔融溫度為如藉由ISO測試第11357-2:2013號所測定之差示掃描熱量測定(DSC)峰值熔融溫度。在DSC程序下，如ISO標準10350中所陳述使用在TA Q2000儀器上進行之DSC量測以每分鐘20℃來加熱樣本且冷卻樣本。

載荷變形溫度 (「DTUL 」)：載荷變形溫度可根據ISO測試第75-2:2013號(技術上等效於ASTM D648-07)來測定。更特定言之，可對具有80 mm之長度、10 mm之厚度及4 mm之寬度的測試條帶樣本進行沿邊三點彎曲測試，其中指定載荷(最大外部纖維應力)為1.8兆帕斯卡。可將試樣降低至聚矽氧油浴中，其中溫度以每分鐘2℃升高直至其偏轉0.25 mm (對於ISO測試第75-2:2013號為0.32 mm)。

拉伸模數、拉伸應力及拉伸伸長率 ：可根據ISO測試第527:2012號(技術上等效於ASTM D638-14)來測試拉伸特性。可在具有80 mm之長度、10 mm之厚度及4 mm之寬度的相同測試條帶樣本上進行模數及強度量測。測試溫度可為約23℃且測試速度可為1 mm/min或5 mm/min。

撓曲模數、撓曲應力及撓曲伸長率 ：可根據ISO測試第178:2010號(技術上等效於ASTM D790-10)來測試撓曲特性。可在64 mm支撐跨距上執行此測試。可在未切割的ISO 3167多用途桿之中心部分上進行測試。測試溫度可為約23℃且測試速度可為2 mm/min。

夏比缺口衝擊強度 ：可根據ISO測試第179-1:2010號(技術上等效於ASTM D256-10，方法B)來測試夏比特性。可使用1型試樣大小(80 mm之長度、10 mm之寬度及4 mm之厚度)進行此測試。當測試缺口衝擊強度時，缺口可為A型缺口(0.25 mm基圓半徑)。可使用單齒銑床自多用途桿之中心切割試樣。測試溫度可為約23℃。

介電常數 ( 「 Dk 」 ) 及 耗散因子 ( 「 Df 」 ) ：介電常數(或相對靜態電容率)及耗散因子係根據IEC 60250:1969測定。此類技術亦描述於Baker-Jarvis,等人, IEEE Trans. on Dielectric and Electrical Insulation, 5(4),第571頁(1998)及Krupka,等人, Proc. 7^th International Conference on Dielectric Materials: Measurements and Applications, IEEE會議出版物第430號(1996年9月)中。更特定言之，將大小為80 mm×80 mm×1 mm之薄片樣本插入兩個固定的介電諧振器之間。諧振器量測試樣之平面中的電容率組件。可測試五個(5)樣本，且記錄平均值。實例 1

樣本1至3經擠出成膜以用於印刷電路板。樣本1含有由73% HBA及27% HNA形成的100 wt% LCP 1。樣本2含有由79.3% HBA、20% HNA及0.7% TA形成的100 wt% LCP 2。樣本3含有75 wt% LCP 1及25 wt% PTFE。測試樣本1至3之熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本1	樣本2	樣本3
10 GHz下之Dk	3.42	3.36	3.12
10 GHz下之Df	0.0017	0.0017	0.0016
熔融點(℃)	280	325	280
拉伸強度(MPa)	148	150	156
拉伸模數(MPa)	7,800	8,200	7,000
拉伸伸長率(%)	5.7	3.7	6.2
撓曲強度(MPa)	158	145	125
撓曲模數(MPa)	9,100	7,300	7,100
1.8 MPa下之DTUL	193	175	165

實例 2

樣本4至6經擠出成膜以用於印刷電路板。樣本4含有80 wt% LCP 3及20 wt% PTFE，樣本5含有75 wt% LCP 3及20 wt% PTFE，且樣本6含有75 wt% LCP 2及25 wt% PTFE。LCP 3係由43% HBA、9% TA、29% HQ及20% NDA形成。此外，PTFE具有4 μm之D50粒度及15 μm之D90粒度。測試樣本4至6之熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本4	樣本5	樣本6
10 GHz下之Dk	3.10	3.06	3.13
10 GHz下之Df	0.0013	0.0013	0.0017
熔融黏度(在340℃下1,000 s^-1 )	59.6	49.8	48.0
拉伸強度(MPa)	8,637	8,120	7,085
拉伸模數(MPa)	155.5	152.83	115.9
拉伸伸長率(%)	2.18	2.67	2.47
撓曲強度(MPa)	9,393	8,701	8,032
撓曲模數(MPa)	152.92	144.11	126.92
1.8 MPa下之DTUL	251	247	185

實例 3

樣本6至8經擠出成膜以用於印刷電路板。樣本6含有80 wt% LCP 5及20 wt% PTFE，樣本7含有75 wt% LCP 5及25 wt% PTFE 1，且樣本8含有75 wt% LCP 4及25 wt% PTFE。LCP 5係由43% HBA、9% TA、29% HQ及20% NDA形成。此外，PTFE 1具有4 μm之D50粒度及15 μm之D90粒度。測試樣本6至8之熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本6	樣本7	樣本8
10 GHz下之Dk	3.10	3.06	3.13
10 GHz下之Df	0.0013	0.0013	0.0017
2 GHz下之Dk	3.04	3.01	-
2 GHz下之Df	0.0017	0.0017	-
熔融黏度(在340℃下1,000 s^-1 )	59.6	49.8	48.0
拉伸強度(MPa)	8,637	8,120	7,085
拉伸模數(MPa)	155.5	152.83	115.9
拉伸伸長率(%)	2.18	2.67	2.47
撓曲強度(MPa)	9,393	8,701	8,032
撓曲模數(MPa)	152.92	144.11	126.92
1.8 MPa下之DTUL	251	247	185
夏比缺口強度(kJ/m² )	61	63	-

實例 4

樣本9至15係由液晶聚合物(LCP 1及LCP 5)、亞鉻酸銅填料(CuCr₂ O₄ )、玻璃纖維、三水合氧化鋁(「ATH」)、潤滑劑(聚乙烯蠟)及聚四氟乙烯(「PTFE 1」或「PTFE 2」)之不同組合形成。PTFE 2為D50粒度為40 μm之聚四氟乙烯微粒之粉末。表 1

	9	10	11	12	13	14	15
LCP 5	77.6	78	80	73	68	73	68
LCP 1	17.6	-	-	-	-	-	-
玻璃纖維	15	15	13	15	15	15	15
三水合氧化鋁	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2
潤滑劑	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2
亞鉻酸銅	4.4	6.6	6.6	6.6	6.6	6.6	6.6
PTFE 1	-	-	-	5	10	-	-
PTFE 2	-	-	-	-	-	5	10

測試樣本9至15之熱及機械特性。下表2中給出結果。表 2

樣本	9	10	11	12	13	14	15
介電常數(2 GHz)	3.73	3.69	3.64	3.66	3.6	3.7	3.6
耗散因子(2 GHz)	0.0056	0.0036	0.0035	0.0042	0.0038	0.0036	0.004
1.8 MPa下之DTUL (℃)	239	282	278	258	277	277	270
夏比缺口(kJ/m² )	51	45	52	68	53	44	19
夏比非缺口(kJ/m² )	58	57	60	80	77	55	36
拉伸強度(MPa)	134	142	140	129	113	164	126
拉伸模數(MPa)	10,547	12,090	11,880	8,971	10,026	12,666	12,359
拉伸伸長率(%)	3.08	2.56	2.58	3.74	2.98	2.82	1.7
撓曲強度(MPa)	158	189	189	140	143	191	174
撓曲模數(MPa)	9,834	10,601	10,510	8,725	9,921	11,314	11,061
撓曲伸長率(%)	＞3.5	＞3.5	＞3.5	＞3.5	＞3.5	3.24	3.33
1,000 s^-1 下之熔融黏度(Pa-s)	24	36	37	30	44	44	62
熔融溫度(℃，DSC之第1次加熱)	309.98	320.26	320.58	324.25	324.65	320.76	322.95

實例 5

樣本16至17係由液晶聚合物(LCP 6及LCP 7)及PTFE 1之不同組合形成。LCP 6係由76% HNA及24% HBA形成。LCP 7係由62% HNA、2% HBA、18% TA及18% BP形成。使用18 mm單螺桿擠出機執行混合。部件為注射模製成薄片之樣本(60 mm × 60 mm)。

	16	17
LCP 6	75	-
LCP 7	-	75
PTFE 1	25	25

測試樣本16至17之熱及機械特性。下表3中給出結果。表 3

樣本	16	17
介電常數(2 GHz)	3.18	3.17
耗散因子(2 GHz)	0.0010	0.0006
1.8 MPa下之DTUL (℃)	201	306
夏比缺口(kJ/m² )	54	10
拉伸強度(MPa)	127	-
拉伸模數(MPa)	5,900	-
拉伸伸長率(%)	3.5	-
撓曲強度(MPa)	135	137
撓曲模數(MPa)	7,000	14,000

實例 6

樣本18至19可經擠出成膜以用於印刷電路板。樣本18含有70 wt% LCP 5及30 wt% PTFE 1，且樣本19含有65 wt% LCP 5及35% wt% PTFE 1。測試樣本18至19之熱及機械特性。下文給出結果。

	18	19
10 GHz下之Dk	3.03	2.97
10 GHz下之Df	0.0013	0.0013
熔融黏度(在340℃下1,000 s^-1 )	39.0	39.5
拉伸強度(MPa)	141	106
拉伸模數(MPa)	7,028	6,339
拉伸伸長率(%)	3.15	2.43
撓曲強度(MPa)	125	112
撓曲模數(MPa)	7,435	6,832
1.8 MPa下之DTUL	248.4	246.8
夏比缺口強度(kJ/m² )	59.2	51.7

本發明之此等及其他修改及變化可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下藉由一般技術者實踐。另外，應理解各種實施例之態樣可整體地或部分地兩者互換。此外，一般技術者應瞭解先前描述僅藉助於實例，且不意欲限制進一步描述於此類所附申請專利範圍中之本發明。

10:兩層結構 11:膜 12:導電層 100:5G天線系統/三層層狀結構 102:基地台 104:中繼台 106:使用者運算裝置 108:Wi-Fi中繼器 110:MIMO天線陣列/膜 112:射頻信號/導電層 114:仰角 116:方位角 140:電子裝置 142:電組件 144:半導體晶粒 146:接觸件 148:導電材料 150:接觸墊/接觸件 152:導電跡線 154:基板/印刷電路板 156:包封材料 158:發射線 160:天線元件 200:天線元件/七層層壓物結構 201:核心 202:天線元件 204:箭頭 206:箭頭 210:膜 212:導電層 220:膜 222:導電層 302:天線陣列 304:饋電線 306:側表面 308:基板 400:共面波導天線 402:共面接地層 404:天線元件 406:接地層 408:基板 410:天線元件 412:基板 500:天線陣列 510:基板 520:天線元件 522:橢圓 540:天線陣列 542:天線元件 544:饋電線 560:天線組態 562:天線元件 564:基板 L:長度 S₁ :間隔距離 S₂ :間隔距離 w:寬度

本發明之完整及能夠實現之揭示內容，包括其對熟習此項技術者而言之最佳模式，更具體地闡述於本說明書之剩餘部分，包括參考附圖，其中：

圖1描繪可採用根據本發明形成之電路板的5G天線系統之一個實施例；

圖2A說明包括5G天線之實例使用者運算裝置的俯視圖；

圖2B說明圖2A之實例使用者運算裝置的側視圖；

圖3說明圖2A之使用者運算裝置的一部分之放大視圖；

圖4說明可用於5G天線系統中之共面波導天線陣列組態的側視圖；

圖5A說明用於5G天線系統之大規模多輸入多輸出(multiple-in-multiple-out)組態的天線陣列；

圖5B說明所形成的可用於5G天線系統之天線陣列；

圖5C說明可用於5G天線系統之實例天線組態；

圖6為可根據本發明形成之層壓物之一個實施例的示意圖；

圖7為可根據本發明形成之層壓物之另一實施例的示意圖；

圖8為可根據本發明形成之層壓物之又另一實施例的示意圖；及

圖9為可採用本發明之電路板的電子裝置之一個實施例的示意圖。

10:兩層結構

11:膜

12:導電層

Claims

一種用於電路板之層壓物，該層壓物包含：導電層；及膜，其鄰近於該導電層定位，其中該膜包含包括液晶聚合物及疏水性材料之聚合物組合物，其中在10 GHz之頻率下，該聚合物組合物展現約5或更小的介電常數及約0.05或更小的耗散因子。
如請求項1之層壓物，其中該膜定位於兩個導電層之間。
如請求項1之層壓物，其中該膜具有約500微米或更小的厚度。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該膜係藉由將該聚合物組合物熔融擠出至該導電層上而形成。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該導電層包含銅或其合金。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該聚合物組合物具有約200℃至約400℃之熔融溫度。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中液晶聚合物構成該聚合物組合物之約40 wt%至約99 wt%。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該液晶聚合物含有衍生自一或多種芳族二羧酸、一或多種芳族羥基羧酸或其組合之重複單元。
如請求項8之層壓物，其中該等芳族羥基羧酸包括4-羥基苯甲酸、6-羥基-2-萘甲酸或其組合。
如請求項8之層壓物，其中該等芳族羥基羧酸包括對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸或其組合。
如請求項8之層壓物，其中該液晶聚合物進一步含有衍生自一或多種芳族二醇之重複單元。
如請求項11之層壓物，其中該等芳族二醇包括對苯二酚、4,4'-聯苯酚或其組合。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該液晶聚合物為完全芳族。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該液晶聚合物含有量為該聚合物之約10 mol%或更大的衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸之重複單元。
如請求項14之層壓物，其中該液晶聚合物含有量為約30 mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
如請求項14之層壓物，其中該液晶聚合物含有量為約50 mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
如請求項14之層壓物，其中該液晶聚合物含有量為約70 mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
如請求項14之層壓物，其中該液晶聚合物含有莫耳比為約0.1至約40的衍生自6-羥基-2-萘甲酸及4-羥基苯甲酸之重複單元。
如請求項14之層壓物，其中該液晶聚合物含有莫耳比為約1至約5的衍生自6-羥基-2-萘甲酸及4-羥基苯甲酸之重複單元。
如請求項14之層壓物，其中該液晶聚合物含有量為約10 mol%或更大的衍生自2,6-萘二甲酸之重複單元。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中液晶聚合物與該疏水性材料之重量比為約1至約20。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該疏水性材料包括氟聚合物。
如請求項22之層壓物，其中該氟聚合物包括聚四氟乙烯、全氟烷基乙烯基醚、聚(四氟乙烯-共-全氟烷基乙烯基醚)、氟化乙烯-丙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯、聚氯三氟乙烯及其共聚物及/或混合物。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該氟聚合物及該液晶聚合物經熔融處理呈混合物形式以形成該聚合物組合物。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該液晶聚合物係藉由在該疏水性材料存在下使一或多種芳族前驅體單體聚合而形成。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中該疏水性材料具有約1至約60微米之平均粒度。
如請求項1至3中任一項之層壓物，其中在10 GHz之頻率下，該聚合物組合物展現約4或更小的介電常數。
一種電路板，其包含如請求項1至27中任一項之層壓物。
一種5G天線系統，其包含如請求項28之電路板及經組態以發射且接收5G射頻信號之至少一個天線元件，其中該天線元件耦接至該電路板。
如請求項29之5G天線系統，其中該天線元件具有小於約1,500微米之特徵大小。
如請求項29之5G天線系統，其中該等5G射頻信號具有大於約28 GHz之頻率。
如請求項29之5G天線系統，其中該至少一個天線元件包含經配置呈天線陣列之複數個天線元件。
如請求項32之5G天線系統，其中該複數個天線元件以小於約1,500微米之間隔距離間隔開。
如請求項32之5G天線系統，其中該複數個天線元件包含至少16個天線元件。
如請求項32之5G天線系統，其中該複數個天線元件經配置呈柵格形式。
如請求項32之5G天線系統，其中該天線陣列經組態以用於至少8個發射通道及至少8個接收通道。
如請求項32之5G天線系統，其中該天線陣列具有每平方公分大於1,000個天線元件之平均天線元件密集度。
如請求項29之5G天線系統，其進一步包含基地台，且其中該基地台包含該天線元件。
如請求項29之5G天線系統，其進一步包含使用者運算裝置或中繼器中之至少一者，且其中該使用者運算裝置或該中繼器基地台中之至少一者包含該天線元件。