JP2007273537A - 多層基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含有する誘電体材料を絶縁層として適用しながら、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときの導体層の膨れの発生が抑制された多層基板を提供すること。
【解決手段】複数の絶縁層５と、隣り合う絶縁層５の間に設けられた内部導体層３と、最外層に設けられた外部導体層７とを備える多層基板において、絶縁層５は芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含み、内部導体層３及び外部導体層７はＣｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含み、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み内部導体層３の両面及び外部導体層７の絶縁層５側の面をそれぞれ覆う保護層３１，３２，３３が設けられている、多層基板１。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層基板及びその製造方法に関する。

多層基板の絶縁層を構成する材料として、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体粒子を含有する誘電体材料の使用が検討されている（例えば、特許文献１）。芳香族液晶ポリエステルは、耐熱性に優れ、低吸収率であり、高周波領域における低い誘電正接を示すという多層基板の絶縁層として優れた特性を有しながら、成形性の点でも優れる。
特開２００５−２９７００号公報

しかしながら、芳香族液晶ポリエステルを用いた多層基板は、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときに、最外層に設けられた導体層の膨れが多く発生する場合があることが、本発明者らの検討の結果明らかとなった。導体層の膨れが発生すると、多層基板から得られる電子部品の特性不良や、外観不良等の不具合の原因となる。

そこで、本発明は、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含有する誘電体材料を絶縁層として適用しながら、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときの導体層の膨れの発生が抑制された多層基板を提供することを目的とする。

また、本発明は、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含有する誘電体材料を絶縁層として適用しながら、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときの導体層の膨れの発生が抑制された多層基板の製造を可能とする製造方法を提供するこを目的とする。

本発明は、複数の絶縁層と、隣り合う絶縁層の間に設けられた内部導体層と、最外層に設けられた外部導体層とを備える多層基板において、絶縁層は芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含み、内部導体層及び外部導体層はＣｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含み、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み内部導体層の両面及び外部導体層の絶縁層側の面をそれぞれ覆う保護層が設けられている、多層基板である。

上記本発明の多層基板においては、少なくとも、内部導体層の両面及び外部導体層の絶縁層側の面にＣｕよりも酸化物の標準生成自由エネルギーが小さい金属元素を含む保護層が形成されている。これにより、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含有する誘電体材料を絶縁層として適用しながら、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときの導体層の膨れの発生が抑制される。

回路パターンがＣｕやＡｇ等のみから形成されている従来の多層基板の場合、その製造過程において絶縁層上に内部導体層や外部導体層を形成させたときに、これらの表層部分のＣｕやＡｇの一部が酸化されて、酸化物が生成する場合があると考えられる。この場合、多層基板を得るために内部導体層等を有する配線板等を高温に加熱して熱圧着したときに、上記酸化物に由来する酸素によって芳香族液晶ポリエステルの分解が進行して、この分解によって発生した分解物が絶縁層中に内在した状態となり、この分解物がリフロー工程等においてガス化して絶縁層に膨れが発生した結果、導体層の膨れを招いていると考えられる。このような現象は他の樹脂系でも潜在的には起こり得るとも考えられるが、本発明者らの知見によれば、特に芳香族液晶ポリエステルの場合に顕在化する。これに対して、上記本発明の多層基板の場合、内部導体層の両面及び外部導体層の絶縁層側の面にＣｕやＡｇよりも酸化物の標準生成自由エネルギーが小さく、エネルギー的により安定な酸化物を生成する金属元素を含む保護層が形成されているため、保護層中の金属元素の酸化物が生成していたとしても、この酸化物はＣｕやＡｇと比較して芳香族液晶ポリエステルの酸化を進行させ難いと考えられる。更には、保護層中の金属元素が酸化されることにより絶縁層中に混入していた酸素が消費されることによっても、芳香族液晶ポリエステルの酸化抑制の効果が得られると考えられる。芳香族液晶ポリエステルの酸化による分解が防止された結果、導体層の膨れが抑制されると本発明者らは推定している。

本発明に係る多層基板の製造方法は、Ｃｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含む内部導体層と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み内部導体層の片面を覆う第１保護層とを有する片面保護導体層を、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含む絶縁層の片面又は両面に第１保護層が絶縁層に隣接するように形成する片面保護導体層形成工程と、片面保護導体層の一部を除去してこれをパターン化するパターン化工程と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含みパターン化された片面保護導体層の第１保護層と反対側の面を覆う第２保護層を形成する第２保護層形成工程と、第１保護層及び第２保護層によって両面が覆われた内部導体層が絶縁層の片面又は両面に形成された１又は２以上の配線板を含む積層部材を熱圧着する熱圧着工程と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含む第３保護層によって片面又は両面が覆われた外部導体層を、第３保護層が絶縁層に隣接するように最外層に形成する外部導体層形成工程と、を備える。

あるいは、本発明に係る多層基板の製造方法は、Ｃｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含む内部導体層と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み内部導体層の片面を覆う第１保護層とを有する片面保護導体層を、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含む絶縁層の片面又は両面に第１保護層が絶縁層に隣接するように形成する片面保護導体層形成工程と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み片面保護導体層の第１保護層と反対側の面を覆う第２保護層を形成する第２保護層形成工程と、内部導体層、第１保護層及び第２保護層からなる複合層の一部を除去してこれをパターン化するパターン化工程と、第１保護層及び第２保護層によって両面が覆われた内部導体層が絶縁層の片面又は両面に形成された１又は２以上の配線板を含む積層部材を熱圧着する熱圧着工程と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含む第３保護層によって片面又は両面が覆われた外部導体層を、第３保護層が絶縁層に隣接するように最外層に形成する外部導体層形成工程と、を備える。

これら製造方法によれば、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含有する誘電体材料を絶縁層として適用しながら、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときの導体層の膨れの発生が抑制された多層基板の製造が可能となる。

本発明によれば、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含有する誘電体材料を絶縁層として適用しながら、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときの導体層の膨れの発生が抑制された多層基板が提供される。

また、本発明によれば、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含有する誘電体材料を絶縁層として適用しながら、リフロー工程等において高温での熱履歴を受けたときの導体層の膨れの発生が抑制された多層基板の製造を可能とする製造方法が提供される。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

図１は、本発明に係る多層基板の一実施形態を示す概略断面図である。図１に示す多層基板１は、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含む複数の絶縁層５と、隣り合う絶縁層５の間に設けられた内部導体層３と、両側の最外層に設けられた外部導体層７とから主として構成された積層構成を有する。

絶縁層５中の芳香族液晶ポリエステルは、溶融したときに異方性を示すいわゆるサーモトロピック液晶ポリマーである。本実施形態において、この芳香族液晶ポリエステルは、芳香族ヒドロキシカルボン酸を単量体単位として有することが好ましい。芳香族ヒドロキシカルボン酸由来の単量体単位の具体例としては、下記化学式（２ａ）〜（２ｆ）で表される基が挙げられる。

式（２ａ）〜（２ｆ）中の芳香族環は、ハロゲン原子、メチル基、エチル基等のアルキル基、又はアリール基等で置換されていてもよい。これら単量体単位のうち、式（２ｄ）で表されるような、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸由来の単量体単位が特に好ましい。

芳香族液晶ポリエステルは、芳香族ヒドロキシカルボン酸に加えて、芳香族ジオール及び芳香族ジカルボン酸をそれぞれ単量体単位として有することが好ましく、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ジカルボン酸から実質的に構成されることがより好ましい。

芳香族ジオールの単量体単位の具体例としては、下記化学式（４ａ）〜（４ｊ）で表される基が挙げられる。

式（４ａ）〜（４ｊ）中の芳香族環は、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。これらのなかでも、耐熱性の向上、及び線膨張性を低下させる観点からは、式（４ｄ）で表されるような、４，４’−ジヒドロキシビフェニル由来の単量単位が特に好ましい。

芳香族ジカルボン酸の単量体単位の具体例としては、下記式（５ａ）〜（５ｈ）で表される基が挙げられる。

式（５ａ）〜（５ｈ）中の芳香環は、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよく、アルキル基としては、炭素数１〜１０のアルキル基、アリール基としては炭素数６〜２０のアリール基が好ましい。これらのなかでも、耐熱性を向上させる観点からは、式（５ａ）で表されるテレフタル酸由来の単量体単位、又は式（５ｈ）で表される２，６−ナフタレンジカルボン酸由来の単量体単位が好ましい。線膨張性を低下させる観点からは２，６−ナフタレンジカルボン酸が好ましい。また、芳香族液晶ポリエステルの溶剤への溶解性を向上させる観点からは式（５ｂ）で表されるイソフタル酸由来の単量体単位が好ましい。

芳香族ヒドロキシカルボン酸由来の単量体単位の比率は、芳香族液晶ポリエステル中の全単量体単位を基準として、好ましくは３０〜８０ｍｏｌ％であり、より好ましくは３５〜７０ｍｏｌ％であり、さらに好ましくは４０〜７０ｍｏｌ％である。芳香族ジオール由来の単量体単位の比率は、芳香族液晶ポリエステル中の全単量体単位を基準として、好ましくは１０〜３５ｍｏｌ％であり、より好ましくは１２．５〜３２．５ｍｏｌ％であり、さらに好ましくは１５〜３０ｍｏｌ％である。芳香族ジカルボン酸由来の単量体単位の比率は、芳香族液晶ポリエステル中の全単量体単位を基準として、好ましくは１０〜３５ｍｏｌ％であり、より好ましくは１２．５〜３２．５ｍｏｌ％である。芳香族ジオール由来の単量体単位と芳香族ジカルボン酸由来の単量体単位との比率は、モル比で、９５／１００〜１００／９５であることが好ましい。

芳香族液晶ポリエステルの極限粘度は０．３以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましい。成形性の観点からは、芳香族液晶ポリエステルの極限粘度は５以下が好ましく、３．３以下がより好ましい。絶縁層５の機械強度及び加工性の両特性のバランスを考慮すると、芳香族液晶ポリエステルの極限粘度は０．５〜３．０であることが特に好ましい。

以上説明したような芳香族液晶ポリエステルは、従来公知の製造方法に従って、当業者であれば容易に製造することができる。

絶縁層５中の誘電体セラミック粒子としては、マグネシウム、ケイ素、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジム、サマリウム、ビスマス、鉛、ランタン、リチウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含有する酸化物誘電体からなる粒子が好ましい。

上記酸化物誘電体の具体例としては、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＴｉＯ_３、ＺｎＴｉＯ_３、Ｚｎ_２ＴｉＯ_４、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＺｒＯ_３、Ｂａ_２Ｔｉ_９Ｏ_２０、Ｂａ_２（Ｔｉ，Ｓｎ）_９Ｏ_２０、ＺｒＴｉＯ_４、（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ_４、ＢａＮｄ_２Ｔｉ_５Ｏ_１４、ＢａＮｄ_２Ｔｉ_４Ｏ_１２、ＢａＳｍ_２ＴｉＯ_１４、ＢａＯ−ＣａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系、ＢａＯ−ＳｒＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系、Ｂｉ_２Ｏ_３−ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系、ＰｂＯ−ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系、（Ｂｉ_２Ｏ_３，ＰｂＯ）−ＢａＯ−Ｎｄ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２系、Ｌａ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、Ｎｄ_２Ｔｉ_２Ｏ_７、（Ｌｉ，Ｓｍ）ＴｉＯ_３、Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｎｄ_２／３）Ｏ_３、Ｂａ（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３、Ｂａ（Ｚｎ_１／３Ｎｄ_２／３）Ｏ_３、及びＳｒ（Ｚｎ_１／３Ｎｄ_２／３）Ｏ_３が挙げられる。

誘電体セラミック粒子の形状は特に限定されず、球状、円柱状、針状、不定形等いずれの形状であってもよい。芳香族液晶ポリエステルへの分散性を考慮すると、誘電体セラミック粒子の平均粒径は、０．０１〜１００μｍであることが好ましく、０．２〜２０μｍであることがより好ましい。絶縁層５中の誘電体セラミック粒子の含有量は、芳香族液晶ポリエステル１００体積部に対して１１〜１５０体積部となる量であることが好ましい。

絶縁層５は、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子に加えて、他の成分を更に含有していてもよい。他の成分としては、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンオキサイド及びその変性物、ポリエーテルイミド等の熱可塑性樹脂、グリシジルメタクリレートとポリエチレン又はポリスチレンとのジブロック又はトリブロック共重合体、ポリブタジエン及びその水素添加物等が挙げられる。

内部導体層３は、絶縁層５上において所定のパターンの回路が形成されるように形成されている。内部導体層３の両面は保護層３１，３２によって覆われている。内部導体層３の側面も保護層によって覆われていてもよい。外部導体層７の絶縁層５側の面は保護層３３によって覆われている。

内部導体層３及び外部導体層７は、Ｃｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含んでおり、特にＣｕを含むことが好ましい。外部導体層７の絶縁層５と反対側の面に保護層が形成されていてもよい。

保護層３１，３２及び３３は、それぞれ独立に、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含む。ここで、基準となるＣｕの酸化物の標準生成自由エネルギーは、下記式：
４Ｃｕ ＋ Ｏ_２ →２Ｃｕ_２Ｏ
で表される、Ｃｕ_２Ｏの生成反応の標準状態での生成自由エネルギーである。

具体的には、保護層３１，３２及び３３は、それぞれ独立にＣｒ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌ及びＣｏからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。これら保護層中のこれら金属元素は金属相を形成していてもよいし、酸化物等の金属化合物として存在していてもよい。保護層３１，３２及び３３の厚さは、膨れ防止の効果向上の観点から、０．０１〜１μｍであることが好ましい。

図２、３は多層基板１の製造方法の一実施形態を示す概略断面図である。本実施形態の場合、内部導体層３と、内部導体層３の片面を覆う第１保護層３１とを有する片面保護導体層３５を、絶縁層５の一方面上において第１保護層３１が絶縁層５と隣接する向きで形成する（片面保護導体層形成工程、図２の（ａ））。

シート状の絶縁層５は、従来公知の方法、例えば、芳香族液晶ポリエステル、誘電体セラミック粒子及び必要に応じて他の成分を有機溶媒等の溶媒に溶解又は分散させたペーストを支持体上に塗布し、支持体上のペーストから溶媒を除去する方法により、形成させることができる。

ペーストの調製に好適に用いられる溶媒としては、ペンタフルオロフェノール、テトラフルオロフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、３，５−ビストリフルオロメチルフェノール、２，４−ジクロルフェノール、２，４，５−トリクロルフェノール、２，４，６−トリクロルフェノール及びペンタクロロフェノールが挙げられる。これらのなかでも、芳香族液晶ポリエステルの溶解性が高く、また入手が容易であることから、ｐ−クロロフェノール、２，４−ジクロルフェノール又は３，４−ジクロルフェノールが特に好ましい。

片面保護導体層３５は、最も典型的には、内部導体層としてのＣｕ層を有する銅箔等の金属箔を用いて形成される。金属箔は、通常その表面に防錆処理が施されており、この防錆処理によって保護層に相当する防錆層が形成されているものが市販品として入手可能である。金属箔としては、特に、両面に防錆層が形成されている電解銅箔が好適に用いられる。この場合、電解銅箔をそのＭ面が絶縁層５と接するような向きで絶縁層５に圧着し、Ｓ面の防錆層を除去して、片面保護導体層３５が形成される。防錆層は、ソフトエッチング等の手法により除去される。Ｓ面の防錆層をそのまま保護層（第２保護層）として用いることもできるが、一般に、サブトラクティブ法による回路形成では銅箔のＳ面とドライフィルムの密着性向上等の目的で行うソフトエッチングなどの処理の過程で防錆層が除去される場合が多い。そのため、Ｓ面側に保護層を別途形成させることが好ましい。電解銅箔のＭ面上に上記ペーストを塗布して、電解銅箔上に絶縁層５を形成させてもよい。また、スパッタやめっき等の他の方法により片面保護導体層３５を絶縁層５上に形成させることもできる。

続いて、片面保護導体層３５の一部を除去して、パターン化された片面保護導体層３５を形成する（パターン化工程、図２の（ｂ））。片面保護導体層３５は、所定のパターンを有するフォトレジスト層をマスクとした選択的なエッチング等の従来公知の方法によりパターン化することができる。

パターン化された片面保護導体層３５の第１保護層３１と反対側の面に第２保護層３２を形成する（第２保護層形成工程、図２の（ｃ））。第２保護層３２は、めっき、スパッタ等の方法により形成させることができる。以上のようにして、第１保護層３１及び第２保護層３２によって両面が覆われた内部導体層３が絶縁層５の一方面上に形成された配線板２が得られる。

そして、図３に示すように、第３保護層３３によって片面が覆われた外部導体層７、２枚の配線板２、絶縁層５及び第３保護層３３によって片面が覆われた外部導体層７からなる積層部材をこの順で重ね合わせた状態で熱圧着して、複数の絶縁層５と、隣り合う絶縁層５の間に設けられた内部導体層３と、第３保護層３３が絶縁層５に隣接する向きで最外層に設けられた外部導体層７とを備える工程を経て、多層基板１が得られる。

本実施形態の場合、外部導体層７は銅箔等の金属箔を熱圧着することによって形成される。すなわち、複数の配線板２を含む積層部材を熱圧着する多層化工程と同時に外部導体層形成工程が行われる。ただし、多層化工程の後、めっき等の他の方法により絶縁層５上に第３保護層及び外部導体層を形成させることもできる。外部導体層７は両側の最外層に設けられる必要は必ずしもなく、片側のみに設けられていてもよい。外部導体層７は必要に応じてパターン化される。外部導体層７と内部導体層３とは、通常、スルーホールやビア（図示せず）を介して電気的に接続される。

熱圧着の際の加熱温度は、絶縁層５中の芳香族液晶ポリエステルの融点近傍か又はこれ以上とされる。具体的には、層間の密着性を高めるためや絶縁材料によって内部回路パターン間の溝を十分に充填するためには、３００℃以上が好ましく、３２０℃以上が好ましい。熱圧着の温度が高くなると内部回路パターン間の溝に絶縁材料が十分に充填され易くなるものの、リフロー時の膨れが生じ易くなる傾向があるため、例えば３２０℃以上のような高温で多層基板を製造する場合に本実施形態は特に有用なものである。熱圧着の温度の上限は、芳香族液晶ポリエステルの耐熱性や流動性等を考慮すると、３４０℃程度である。

上記実施形態は、内部導体層３の第１保護層３１と反対側の面を粗化する粗化工程を更に備えることが好ましい。粗化工程は、第２保護層３２を形成させる前に行えばよく、パターン化工程の前でも後でもよい。粗化する方法としては、黒化処理やＣＺ処理等がある。電解銅箔を用いる場合、内部導体層３の第１保護層３１と反対側はＳ面となるが、絶縁層５との十分な密着性を確保するためには、このＳ面を粗化することが特に好ましい。

上記実施形態のように片面保護導体層３５をパターン化してから第２保護層３２を形成するのに代えて、第２保護層３２を形成してから、内部導体層３、第１保護層３１及び第２保護層３２からなる複合層の一部を除去してこれらをパターン化してもよい。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

試験銅箔の作製
古河電気工業株式会社製の電解銅箔「Ｆ２ＷＳ」（商品名、厚さ１８μｍ以下）を用いて、以下のようにして膨れ評価用の試験銅箔を準備した。下記のソフトエッチングは、過硫酸ソーダ１５０ｇ／Ｌ及び硫酸２０ｇ／Ｌを含む水溶液に電解銅箔を常温で３０秒間揺動浸漬することによって行った。
比較例１：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去した後、メック株式会社製の粗化処理液「ＣＺ８１０１」（商品名）を用いて表面を粗化
比較例２：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去した後、メック株式会社製の粗化処理液「ＢＯ」（商品名）を用いて表面を粗化
比較例３：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去
比較例４：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去した後、置換メッキによりＡｇ層を形成
実施例１：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去した後、電解メッキにより保護層としてのＮｉ層を形成
実施例２：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去した後、スパッタにより保護層としてのＡｌ層を形成
実施例３：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去した後、スパッタにより保護層としてのＴｉ層を形成
実施例４：
電解銅箔をソフトエッチングで処理して防錆層を除去した後、メック株式会社製の粗化処理液「ＣＺ８１０１」（商品名）を用いて表面を粗化し、スパッタにより保護層としてのＴｉ層を形成

膨れの評価
溶剤可溶型の芳香族液晶ポリエステル及びＢａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｏ系のセラミック粒子を３０体積％含有し厚み約５０μｍの絶縁層の片面に銅箔が積層された片面ＣＣＬの絶縁層側に試験銅箔をそのＳ面が絶縁層と接するような向きで載せ、３２０℃、４ＭＰａの条件でプレスした。得られたサンプルを８０ｍｍ×８０ｍｍのサイズに切断し、２６０℃又は２７０℃のリフローをそれぞれ４回通過させた。リフロー後、試験銅箔の両側の表面の銅箔における膨れの状態を観察した。膨れが認められなかった場合を「Ａ」、若干の膨れの発生が認められた場合を「Ｂ」、ほぼ全体に膨れの発生が認められた場合を「Ｃ」として膨れの状態を評価した。結果を表１に示す。

表１に示されるように、保護層を形成しなかった比較例１〜３や、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも大きなＡｇにより保護層を形成した比較例４の場合、リフローによる膨れの発生が認められた。これに対して、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも大きな金属元素であるＮｉ、Ａｌ又はＴｉにより保護層を形成した実施例の場合、膨れの発生は実質的に認められなかった。

本発明の多層基板の一実施形態を示す概略断面図である。 本発明に係る多層基板の製造方法の一実施形態を示す概略断面図である。 本発明に係る多層基板の製造方法の一実施形態を示す概略断面図である。

符号の説明

１…多層基板、３…内部導体層、５…絶縁層、７…外部導体層、３１…保護層（第１保護層）、３２…保護層（第２保護層）、３３…保護層（第３保護層）。

Claims (8)

1. 複数の絶縁層と、隣り合う前記絶縁層の間に設けられた内部導体層と、最外層に設けられた外部導体層とを備える多層基板において、
   前記絶縁層は芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含み、
   前記内部導体層及び前記外部導体層はＣｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含み、
   酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み前記内部導体層の両面及び前記外部導体層の前記絶縁層側の面をそれぞれ覆う保護層が設けられている、多層基板。
2. 前記芳香族液晶ポリエステルは、芳香族ヒドロキシカルボン酸を単量体単位として有する、請求項１記載の多層基板。
3. 前記芳香族液晶ポリエステルは、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ジカルボン酸を単量体単位として有する、請求項１記載の多層基板。
4. 前記芳香族ヒドロキシカルボン酸が２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸である、請求項２又は３記載の多層基板。
5. 前記芳香族ジオールが４，４’−ジヒドロキシビフェニルであり、且つ、
   前記芳香族ジカルボン酸がテレフタル酸、イソフタル酸及び２，６−ナフタレンジカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種である、請求項３又は４記載の多層基板。
6. Ｃｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含む内部導体層と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み前記内部導体層の片面を覆う第１保護層とを有する片面保護導体層を、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含む絶縁層の片面又は両面に前記第１保護層が前記絶縁層に隣接するように形成する片面保護導体層形成工程と、
   前記片面保護導体層の一部を除去してこれをパターン化するパターン化工程と、
   酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含みパターン化された前記片面保護導体層の前記第１保護層と反対側の面を覆う第２保護層を形成する第２保護層形成工程と、
   前記第１保護層及び前記第２保護層によって両面が覆われた前記内部導体層が前記絶縁層の片面又は両面に形成された１又は２以上の配線板を含む積層部材を熱圧着する熱圧着工程と、
   酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含む第３保護層によって片面又は両面が覆われた外部導体層を、前記第３保護層が前記絶縁層に隣接するように最外層に形成する外部導体層形成工程と、
   を備える多層基板の製造方法。
7. Ｃｕ及びＡｇのうち少なくとも一方を含む内部導体層と、酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み前記内部導体層の片面を覆う第１保護層とを有する片面保護導体層を、芳香族液晶ポリエステル及び誘電体セラミック粒子を含む絶縁層の片面又は両面に前記第１保護層が前記絶縁層に隣接するように形成する片面保護導体層形成工程と、
   酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含み前記片面保護導体層の前記第１保護層と反対側の面を覆う第２保護層を形成する第２保護層形成工程と、
   前記内部導体層、前記第１保護層及び前記第２保護層からなる複合層の一部を除去してこれをパターン化するパターン化工程と、
   前記第１保護層及び前記第２保護層によって両面が覆われた前記内部導体層が前記絶縁層の片面又は両面に形成された１又は２以上の配線板を含む積層部材を熱圧着する熱圧着工程と、
   酸化物の標準生成自由エネルギーがＣｕよりも小さい金属元素を含む第３保護層によって片面又は両面が覆われた外部導体層を、前記第３保護層が前記絶縁層に隣接するように最外層に形成する外部導体層形成工程と、
   を備える多層基板の製造方法。
8. 前記内部導体層の前記第１保護層と反対側の面を粗化する粗化工程を更に備える、請求項６又は７記載の製造方法。

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