TW202116858A - 包含聚合物組合物之5g系統 - Google Patents

Abstract

提供一種5G系統，其包含經組態以發射且接收5G射頻信號之至少一種天線元件及至少一種電子組件。該天線元件、該電子組件或兩者包含包括液晶聚合物之聚合物組合物，該液晶聚合物含有量為約10 mol%或更大之衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸之重複單元。此外，該聚合物組合物在10 GHz之頻率下展現約5或更小的介電常數及約0.05或更小的耗散因子。

Description

包含聚合物組合物之5G系統

5G系統將採用各種類型的電組件，諸如天線元件、射頻濾波器、印刷電路板等。令人遺憾地係，5G應用中遇到的高頻發射及接收一般導致增大的電量消耗及熱量產生。因此，通常用於習知電子組件中之材料可能不利地影響高頻效能能力。因而，需要用於5G天線系統之改良電子組件。

根據本發明之一個實施例，提供一種5G系統，其包含經組態以發射且接收5G射頻信號之至少一種天線元件及至少一種電子組件。天線元件、電子組件或兩者包含包括液晶聚合物之聚合物組合物，該液晶聚合物含有量為約10 mol%或更大的衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸之重複單元。此外，聚合物組合物展現約5或更小的介電常數及約0.05或更小的耗散因子，如在10 GHz之頻率下所測定。

下文中更詳細地闡述本發明之其他特徵及態樣。

相關申請案之交叉參考

本申請案主張申請日為2019年9月10日之美國臨時專利申請案第62/898,188號；申請日為2019年9月23日之美國臨時專利申請案第62/904,089號；申請日為2019年10月24日之美國臨時專利申請案第62/925,274號；申請日為2019年12月20日之美國臨時專利申請案第62/951,039號；申請日為2020年2月10日之美國臨時專利申請案第62/972,195號；申請日為2020年3月6日之美國臨時專利申請案第62/986,072號；申請日為2020年3月25日之美國臨時專利申請案第62/994,321號；申請日為2020年4月13日之美國臨時專利申請案第63/008,989號；申請日為2020年5月14日之美國臨時申請案第63/024,560號；及申請日為2020年7月27日之美國臨時申請案第63/056,858號之文檔益處，該等臨時專利申請案以全文引用之方式併入本文中。

一般熟習此項技術者應理解，本論述僅為例示性實施例之描述，且並不意欲限制本發明之更廣態樣。

一般言之，本發明涉及一種5G天線系統，其包括含有聚合物組合物之電組件(例如，天線結構、RF濾波器、電路板等)。聚合物組合物通常含有具有「高環烷」含量之液晶聚合物，該液晶聚合物包含相對較高含量之衍生自環烷羥基羧酸及環烷二羧酸，諸如NDA、HNA或其組合之重複單元。亦即，衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA及NDA之組合)之重複單元的總量通常為聚合物之約10 mol%或更大，在一些實施例中約12 mol%或更大，在一些實施例中約15 mol%或更大，在一些實施例中約18 mol%或更大，在一些實施例中約30 mol%或更大，在一些實施例中約40 mol%或更大，在一些實施例中約45 mol%或更大，在一些實施例中約50 mol%或更大，在一些實施例中約60 mol%或更大，在一些實施例中約62 mol%或更大，在一些實施例中約68 mol%或更大，在一些實施例中約70 mol%或更大，且在一些實施例中約70 mol%至約80 mol%。不意欲受理論限制，咸信此類「高環烷」聚合物能夠減小聚合物組合物吸收水之傾向性，其可有助於在高頻範圍下穩定介電常數及耗散因子。亦即，根據ISO 62-1:2008在浸沒於水中24小時之後，此類高環烷聚合物通常具有約0.015%或更小，在一些實施例中約0.01%或更小，且在一些實施例中約0.0001%至約0.008%之吸水性。根據ISO 62-4:2008在23℃之溫度下暴露於潮濕氛圍(50%相對濕度)之後，高環烷聚合物亦可具有約0.01%或更小，在一些實施例中約0.008%或更小，且在一些實施例中約0.0001%至約0.006%之吸濕性。

因此，經由謹慎的選擇聚合物組合物之組分的特定性質及密集度，本發明人已發現所得組合物可在廣泛頻率內展現低介電常數及耗散因子，使得其尤其適用於5G應用。亦即，聚合物組合物可在典型5G頻率(例如，2或10 GHz)內展現約5或更小，在一些實施例中約4.5或更小，在一些實施例中約0.1至約4.4，且在一些實施例中約1至約4.2，在一些實施例中約1.5至約4，在一些實施例中約2至約3.9，且在一些實施例中約3.5至約3.9之低介電常數。在典型5G頻率(例如，2或10 GHz)內，聚合物組合物之耗散因子(其為能量損失率之量測)可同樣地為約0.05或更小，在一些實施例中約0.01或更小，在一些實施例中約0.0001至約0.008，且在一些實施例中約0.0002至約0.006。實際上，在一些情況下，在典型5G頻率(例如，2或10 GHz)內，耗散因子可極低，諸如約0.003或更小，在一些實施例中約0.002或更小，在一些實施例中約0.001或更小，在一些實施例中約0.0009或更小，在一些實施例中約0.0008或更小，且在一些實施例中約0.0001至約0.0007。

習知地，咸信展現低耗散因子及介電常數之聚合物組合物將亦不擁有足夠良好的熱、機械特性且容易加工 (亦即低黏度)以使其能夠用於某些類型之應用中。然而，與習知思維相反，已發現聚合物組合物具有極佳的熱、機械特性及可加工性兩者。舉例而言，聚合物組合物之熔融溫度可(例如)為約200℃至約400℃，在一些實施例中約250℃至約380℃，在一些實施例中約270℃至約360℃，且在一些實施例中約300℃至約350℃。即使在此類熔融溫度下，載荷變形溫度(「DTUL」) (短期抗熱性之量測)與熔融溫度之比率仍可保持相對較高。舉例而言，該比率可介於約0.5至約1.00，在一些實施例中約0.6至約0.95，且在一些實施例中約0.65至約0.85之範圍內。特定DTUL值可(例如)為約160℃或更大，在一些實施例中約170℃至約350℃，在一些實施例中約175℃至約320℃，且在一些實施例中約180℃至約290℃。此外，此類高DTUL值可允許使用較高速度且可靠的表面安裝製程以將結構與電組件之其他組件進行配對。

聚合物組合物亦可擁有極佳機械特性。舉例而言，聚合物組合物可展現約10 MPa或更大，在一些實施例中約50 MPa或更大，在一些實施例中約70 MPa至約300 MPa，且在一些實施例中約80 MPa至約200 MPa之拉伸強度。聚合物組合物可展現約0.3%或更大，在一些實施例中約0.4%或更大，在一些實施例中約0.5%至約4%，且在一些實施例中約0.5%至約2%之拉伸伸長率。聚合物組合物可展現約5,000 MPa或更大，在一些實施例中約6,000 MPa或更大，在一些實施例中約7,000 MPa至約25,000 MPa，且在一些實施例中約10,000 MPa至約20,000 MPa之拉伸模數。拉伸特性可根據ISO測試第527:2012號在23℃之溫度下測定。此外，聚合物組合物可展現約20 MPa或更大，在一些實施例中約30 MPa或更大，在一些實施例中約50 MPa或更大，在一些實施例中約70 MPa至約300 MPa，且在一些實施例中約80 MPa至約200 MPa之撓曲強度。聚合物組合物可展現約0.4%或更大，在一些實施例中約0.5%至約4%，且在一些實施例中約0.5%至約2%之撓曲伸長率。聚合物組合物可展現約5,000 MPa或更大，在一些實施例中約6,000 MPa或更大，在一些實施例中約7,000 MPa至約25,000 MPa，且在一些實施例中約10,000 MPa至約20,000 MPa之撓曲模數。撓曲特性可根據178:2010在23℃之溫度下測定。此外，聚合物組合物亦可擁有高衝擊強度，該高衝擊強度強度在形成較薄基板時可為有用的。聚合物組合物可(例如)擁有約3 kJ/m² 或更大，在一些實施例中約5 kJ/m² 或更大，在一些實施例中約7 kJ/m² 或更大，在一些實施例中約8 kJ/m² 至約40 kJ/m² ，且在一些實施例中約10 kJ/m² 至約25 kJ/m² 之夏比缺口衝擊強度(Charpy notched impact strength)。衝擊強度可根據ISO測試第ISO 179-1:2010號在23℃的溫度下測定。

現將更詳細描述本發明之各種實施例。 I.聚合物組合物 A.液晶聚合物

聚合物組合物包含一或多種液晶聚合物。就液晶聚合物可在其熔融狀態(例如熱致性向列的狀態)中具有棒狀結構且展現結晶行為而言，該液晶聚合物通常分類為「熱致性」。用於聚合物組合物中之液晶聚合物通常具有約200℃至約400℃，在一些實施例中約250℃至約380℃，在一些實施例中約270℃至約360℃，且在一些實施例中約300℃至約350℃之熔融溫度。熔融溫度可使用差示掃描熱量測定(「DSC」)如此項技術中所熟知測定，諸如藉由ISO測試第11357-3:2011號所測定。此類聚合物可由如此項技術中已知之一或多種類型之重複單元形成。舉例而言，液晶聚合物可含有一般由下式(I)表示之一或多個芳族酯重複單元：

其中， 環B為經取代或未經取代之6員芳基(例如1,4-伸苯基或1,3-伸苯基)、稠合至經取代或未經取代之5或6員芳基的經取代或未經取代之6員芳基(例如2,6-萘)或連結至經取代或未經取代之5或6員芳基的經取代或未經取代之6員芳基(例如4,4-聯伸二苯)；且 Y₁ 及Y₂ 獨立地為O、C(O)、NH、C(O)HN或NHC(O)。

通常，Y₁ 及Y₂ 中之至少一者為C(O)。此類芳族酯重複單元之實例可包括(例如)芳族二羧酸重複單元(式I中之Y₁ 及Y₂ 為C(O))、芳族羥基羧酸重複單元(式I中之Y₁ 為O且Y₂ 為C(O))以及其各種組合。

舉例而言，可採用芳族羥基羧酸重複單元，其衍生自芳族羥基羧酸，諸如4-羥基苯甲酸；4-羥基-4'-二苯基羧酸；2-羥基-6-萘甲酸；2-羥基-5-萘甲酸；3-羥基-2-萘甲酸；2-羥基-3-萘甲酸；4'-羥苯基-4-苯甲酸；3'-羥苯基-4-苯甲酸；4'-羥苯基-3-苯甲酸等以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基，及其組合。尤其適合之芳族羥基羧酸為4-羥基苯甲酸(「HBA」)及6-羥基-2-萘甲酸(「HNA」)。當採用時，衍生自羥基羧酸(例如，HBA及/或HNA)之重複單元通常構成聚合物之約20 mol%或更大，在一些實施例中約25 mol%或更大，在一些實施例中約30 mol%或更大，在一些實施例中約40 mol%或更大，在一些實施例中約50 mol%或更大，在一些實施例中約55 mol%至100 mol%，且在一些實施例中約60 mol%至約95 mol%。

亦可採用芳族二羧酸重複單元，其衍生自芳族二羧酸，諸如對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、二苯醚-4,4'-二甲酸、1,6-萘二甲酸、2,7-萘二甲酸、4,4'-二羧基聯苯、雙(4-羧苯基)醚、雙(4-羧苯基)丁烷、雙(4-羧苯基)乙烷、雙(3-羧苯基)醚、雙(3-羧苯基)乙烷等，以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基，以及其組合。尤其適合之芳族二羧酸可包括例如對苯二甲酸(「TA」)、間苯二甲酸(「IA」)及2,6-萘二甲酸(「NDA」)。當使用時，衍生自芳族二羧酸(例如IA、TA及/或NDA)之重複單元通常各自構成聚合物之約1 mol%至約40 mol%，在一些實施例中約2 mol%至約30 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%。

其他重複單元亦可用於聚合物中。在某些實施例中，例如可採用衍生自芳族二醇之重複單元，該等芳族二醇諸如對苯二酚、間苯二酚、2,6-二羥基萘、2,7-二羥基萘、1,6-二羥基萘、4,4'-二羥基聯苯(或4,4'-聯苯酚)、3,3'-二羥基聯苯、3,4'-二羥基聯苯、4,4'-二羥基聯苯醚、雙(4-羥苯基)乙烷等以及其烷基、烷氧基、芳基及鹵素取代基以及其組合。尤其適合之芳族二醇可包括例如對苯二酚(「HQ」)及4,4'-聯苯酚(「BP」)。當採用時，衍生自芳族二醇(例如，HQ及/或BP)之重複單元通常構成聚合物之約1 mol%至約50 mol%，在一些實施例中約1 mol%至約40 mol%，在一些實施例中約2 mol%至約40 mol%，在一些實施例中約5 mol%至約35 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%。

亦可使用諸如衍生自芳族醯胺(例如乙醯胺苯酚(「APAP」))及/或芳胺(例如4-胺基苯酚(「AP」)、3-胺基苯酚、1,4-苯二胺、1,3-苯二胺等)之彼等重複單元。在使用時，衍生自芳族醯胺(例如，APAP)及/或芳族胺(例如，AP)之重複單元通常構成聚合物之約0.1 mol%至約20 mol%、在一些實施例中約0.5 mol%至約15 mol%且在一些實施例中約1 mol%至約10 mol%。亦應理解各種其他單體重複單元可併入至聚合物中。舉例而言，在某些實施例中，聚合物可包含一或多個衍生自非芳族單體(諸如脂族或環脂族羥基羧酸、二羧酸、二醇、醯胺、胺等)之重複單元。當然，在其他實施例中，由於聚合物缺乏衍生自非芳族(例如，脂族或環脂族)單體之重複單元，該聚合物可為「完全芳族」。

如上所指出，就液晶聚合物含有相對較高含量之衍生自環烷羥基羧酸及環烷二羧酸，諸如NDA、HNA或其組合之重複單元而言，該液晶聚合物通常為「高環烷」聚合物。亦即，衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA及NDA之組合)之重複單元的總量通常為聚合物之約10 mol%或更大，在一些實施例中約12 mol%或更大，在一些實施例中約15 mol%或更大，在一些實施例中約18 mol%或更大，在一些實施例中約30 mol%或更大，在一些實施例中約40 mol%或更大，在一些實施例中約45 mol%或更大，在一些實施例中約50 mol%或更大，在一些實施例中約60 mol%或更大，在一些實施例中約62 mol%或更大，在一些實施例中約68 mol%或更大，在一些實施例中約70 mol%或更大，且在一些實施例中約70 mol%至約80 mol%。

在一個實施例中，例如，衍生自HNA之重複單元可構成聚合物之30 mol%或更大，在一些實施例中約40 mol%或更大，在一些實施例中約45 mol%或更大，在一些實施例中50 mol%或更大，在一些實施例中約60 mol%或更大，在一些實施例中約62 mol%或更大，在一些實施例中約68 mol%或更大，在一些實施例中約70 mol%或更大，且在一些實施例中約70 mol%至約80 mol%。液晶聚合物亦可含有各種其他單體。舉例而言，聚合物可含有量為約10 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約15 mol%至約35 mol%，且在一些實施例中約20 mol%至約30 mol%的衍生自HBA之重複單元。當採用時，HNA與HBA之莫耳比可選擇性控制在特定範圍內以有助於達成所需特性，諸如約0.1至約40，在一些實施例中約0.5至約20，在一些實施例中約0.8至約10，且在一些實施例中約1至約5。聚合物亦可含有量為約1 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%之芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)；及/或量為約1 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%之芳族二醇(例如，BP及/或HQ)。然而，在一些情況下，可能需要最小化聚合物中之此類單體的存在以幫助達成所需特性。舉例而言，芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)之總量可為聚合物之約20 mol%或更小，在一些實施例中約15 mol%或更小，在一些實施例中約10 mol%或更小，在一些實施例中0 mol%至約5 mol%，且在一些實施例中0 mol%至約2 mol%。類似地，芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)之總量可為聚合物之約20 mol%或更小，在一些實施例中約15 mol%或更小，在一些實施例中約10 mol%或更小，在一些實施例中0 mol%至約5 mol%，且在一些實施例中0 mol%至約2 mol% (例如，約0 mol%)。

在另一實施例中，衍生自NDA之重複單元可構成聚合物之10 mol%或更大，在一些實施例中約12 mol%或更大，在一些實施例中約15 mol%或更大，且在一些實施例中約18 mol%至約95 mol%。在此類實施例中，液晶聚合物亦可含有各種其他單體，諸如量為約20 mol%至約60 mol%，且在一些實施例中約30 mol%至約50 mol%之芳族羥基羧酸(例如，HBA)；量為約2 mol%至約30 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約25 mol%之芳族二羧酸(例如，IA及/或TA)；及/或量為約2 mol%至約40 mol%，且在一些實施例中約5 mol%至約35 mol%之芳族二醇(例如，BP及/或HQ)。

無論聚合物之特定成分及性質如何，液晶聚合物可藉由以下製備：最初將用於形成酯重複單元(例如，芳族羥基羧酸、芳族二羧酸等)及/或其他重複單元(例如，芳族二醇、芳族醯胺、芳族胺等)之芳族單體引入至反應器容器中以初始化聚縮合反應。此類反應中使用之特定條件及步驟為熟知的，且可更詳細地描述於Calundann 之美國專利第4,161,470號；Linstid, III 等人 之美國專利第5,616,680號；Linstid, III 等人 之美國專利第6,114,492號、Shepherd 等人 之美國專利第6,514,611號及Waggoner 之WO 2004/058851中。用於反應之容器不受特別限制，但通常期望使用常用於高黏度流體之反應中之容器。此類反應容器之實例可包括具有攪拌器之攪拌貯槽型設備，其中該攪拌器具有諸如錨定型、多段型、螺旋帶型、螺釘軸型等或其經修改形狀的各種形狀之攪拌槳葉。此反應容器之其他實例可包括常用於樹脂捏合中之混合設備，諸如捏合機、輥筒研磨機、班伯里混合機(Banbury mixer)等。

視需要，反應可經由此項技術中已知的單體之乙醯化進行。此可藉由向單體中添加乙醯化劑(例如乙酸酐)來實現。一般在約90℃之溫度下開始乙醯化。在乙醯化之初始階段期間，可使用回流來將氣相溫度維持在低於乙酸副產物及酐開始蒸餾之點。乙醯化期間之溫度介於90℃與150℃之間，且在一些實施例中約110℃與約150℃之間的範圍內。若使用回流，則氣相溫度通常超過乙酸之沸點，但仍然低至足以保留殘餘乙酸酐。舉例而言，乙酸酐在約140℃之溫度下汽化。因此，尤其期望提供在約110℃至約130℃之溫度下具有氣相回流之反應器。為確保大體上完成反應，可採用過量之乙酸酐。過量酐之量將視所使用之特定乙醯化條件(包括存在或不存在回流)而變化。基於存在的反應物羥基之總莫耳量使用約1至約10莫耳百分比之過量乙酸酐並不罕見。

乙醯化可在單獨的反應器容器中進行，或其可在聚合反應器容器內原位進行。當採用單獨的反應容器時，可將單體中之一或多者引入至乙醯化反應器且隨後轉移至聚合反應器。同樣，亦可將單體中之一或多者直接引入至反應器容器中而不進行預乙醯化。

除單體及視情況選用之乙醯化劑之外，其他組分亦可包括於反應混合物內以幫助促進聚合。舉例而言，可視情況採用催化劑，諸如金屬鹽催化劑(例如，乙酸鎂、乙酸錫(I)、鈦酸四丁酯、乙酸鉛、乙酸鈉、乙酸鉀等)及有機化合物催化劑(例如，N-甲基咪唑)。此類催化劑通常以按重複單元前驅體之總重量計約百萬分之50至約百萬分之500之量使用。當使用單獨的反應器時，通常期望將催化劑施加至乙醯化反應器中並非聚合反應器，但此決不為要求。

通常在聚合反應器容器內將反應混合物加熱至高溫以開始反應物之熔融聚縮合。聚縮合可在(例如)約250℃至約380℃，且在一些實施例中約280℃至約380℃之溫度範圍內進行。舉例而言，一種適合用於形成芳族聚酯之技術可包括將前驅體單體及乙酸酐饋入至反應器中，將混合物加熱至約90℃至約150℃之溫度以將單體之羥基乙醯化(例如形成乙醯氧基)，且接著將溫度升高至約280℃至約380℃以進行熔融聚縮合。當達至最終聚合溫度，亦可移除反應之揮發性副產物(例如乙酸)以使得可容易達成所需分子量。通常在聚合期間對反應混合物進行攪拌以確保良好的熱及質量轉移，且反過來確保良好的材料均勻性。攪拌器之旋轉速率在反應過程期間可變化，但通常介於約10至約100轉/分鐘(「rpm」)，且在一些實施例中為約20至約80 rpm。為在熔融中建構分子量，聚合反應亦可在真空下進行，施加真空有助於移除在聚縮合之最終階段期間所形成之揮發物。真空可藉由施加抽吸壓力產生，諸如在約5至約30磅/平方吋(「psi」)，且在一些實施例中約10至約20 psi之範圍內。

在熔融聚合之後，通常可經由裝配有所需組態之模具之擠出孔將熔融聚合物自反應器中排出，冷卻且收集。通常，經由穿孔模具排出熔融物以形成股束，將該等股束溶解於水浴中，粒化並乾燥。在一些實施例中，亦可對熔融聚合化聚合物進行後續固態聚合方法以進一步增大其分子量。可在氣體(例如，空氣、惰性氣體等)存在下進行固態聚合。適合之惰性氣體可包括(例如)氮氣、氦氣、氬氣、氖氣、氪氣、氙氣等以及其組合。固態聚合反應器容器可實際上具有將允許使聚合物保持在所需固態聚合溫度下持續所需滯留時間的任何設計。此類容器之實例可為具有固定床、靜態床、移動床、流體化床等之彼等容器。執行固態聚合之溫度可變化，但通常在約250℃至約350℃之範圍內。當然，聚合時間將基於溫度及目標分子量而變化。然而，在大多數情況下，固態聚合時間將為約2至約12個小時，且在一些實施例中約4至約10個小時。

一般言之，聚合物組合物中採用的液晶聚合物之總量為聚合物組合物之約40 wt%至約99.5 wt%，在一些實施例中約50 wt%至約99 wt%，在一些實施例中約60 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約70 wt%至約95 wt%。在某些實施例中，所有液晶聚合物為諸如上文所述的「高環烷」聚合物。然而，在其他實施例中，「低環烷」液晶聚合物亦可用於組合物中，其中衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸(例如，NDA、HNA或HNA及NDA之組合)之重複單元的總量為聚合物之小於10 mol%，在一些實施例中約8 mol%或更小，在一些實施例中約6 mol%或更小，且在一些實施例中約1 mol%至約5 mol%。當採用時，一般需要此類低環烷聚合物僅以相對較低量存在。舉例而言，當採用時，低環烷液晶聚合物通常構成組合物中之液晶聚合物總量之約1 wt%至約50 wt%，在一些實施例中約2 wt%至約40 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約30 wt%，且構成整個組合物之約0.5 wt%至約45 wt%，在一些實施例中約2 wt%至約35 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約25 wt%。相反地，高環烷液晶聚合物通常構成組合物中之液晶聚合物總量之約50 wt%至約99 wt%，在一些實施例中約60 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約70 wt%至約95 wt%，且構成整個組合物之約55 wt%至約99.5 wt%，在一些實施例中約65 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約75 wt%至約95 wt%。 B.視情況選用之添加劑

液晶聚合物可以純形式用於聚合物組合物內(亦即100 wt%之聚合物組合物)，或多種其他添加劑可視情況包括於組合物內。當採用時，此類添加劑通常構成聚合物組合物之約1 wt%至約60 wt%，在一些實施例中約2 wt%至約50 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約40 wt%。在此類實施例中，液晶聚合物可同樣地構成聚合物組合物之約40 wt%至約99 wt%，在一些實施例中約50 wt%至約98 wt%，且在一些實施例中約60 wt%至約95 wt%。

多種其他添加劑亦可包括於聚合物組合物中，諸如疏水性材料、潤滑劑、纖維性填料、微粒填料、中空填料、可雷射活化添加劑、導熱填料、顏料、抗氧化劑、穩定劑、界面活性劑、蠟、阻燃劑、抗滴落添加劑、成核劑(例如，氮化硼)、流動調節劑、偶合劑、抗菌劑、顏料或其他著色劑、抗衝擊改質劑及添加以增強特性及可加工性之其他材料。 i.疏水性材料

視需要，疏水性材料可用於聚合物組合物中以幫助進一步減小該聚合物組合物吸收水之傾向性，其可幫助在高頻範圍下穩定介電常數及耗散因子。當採用時，液晶聚合物與疏水性材料之重量比通常為約1至約20，在一些實施例中約2至約15，且在一些實施例中約3至約10。舉例而言，疏水性材料可構成整個聚合物組合物之約1 wt%至約60 wt%，在一些實施例中約2 wt%至約50 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約40 wt%。

尤其適合之疏水性材料為低表面能彈性體，諸如氟聚合物、矽酮聚合物等。舉例而言，氟聚合物可包含烴主鏈聚合物，其中一些或全部氫原子經氟原子取代。主鏈聚合物可為聚烯烴且由經氟取代的不飽和烯烴單體形成。氟聚合物可為此類經氟取代之單體的均聚物或經氟取代之單體的共聚物或經氟取代之單體及非經氟取代之單體的混合物。除氟原子之外，氟聚合物亦可經其他鹵素原子，諸如氯及溴原子取代。適合於形成用於本發明之氟聚合物的代表性單體為四氟乙烯(「TFE」)、偏二氟乙烯(「VF2」)、六氟丙烯(「HFP」)、氯三氟乙烯(「CTFE」)、全氟乙基乙烯基醚(「PEVE」)、全氟甲基乙烯基醚(「PMVE」)、全氟丙基乙烯基醚(「PPVE」)等以及其混合物。適合之氟聚合物的具體實例包括聚四氟乙烯(「PTFE」)、全氟烷基乙烯基醚(「PVE」)、聚(四氟乙烯-共-全氟烷基乙烯基醚) (「PFA」)、氟化乙烯-丙烯共聚物(「FEP」)、乙烯-四氟乙烯共聚物(「ETFE」)、聚偏二氟乙烯(「PVDF」)、聚氯三氟乙烯(「PCTFE」)及具有VF2及/或HFP之TFE共聚物等以及其混合物。

在某些實施例中，疏水性材料(例如，氟聚合物)可具有經選擇性地控制以幫助形成相對較低厚度之膜的粒度。舉例而言，疏水性材料可具有約1至約60微米，在一些實施例中約2至約55微米，在一些實施例中約3至約50微米，且在一些實施例中約25至約50微米之中值粒度(例如，直徑)，諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，藉由Horiba LA-960粒度分佈分析儀)所測定。疏水性材料亦可具有較窄大小分佈。亦即，至少約70體積%之微粒，在一些實施例中至少約80體積%之微粒，及在一些實施例中至少約90體積%之微粒可具有在上述範圍內之大小。 ii.纖維性填料

在一個實施例中，例如，纖維性填料可諸如以聚合物組合物之約1 wt%至約40 wt%，在一些實施例中約3 wt%至約30 wt%，且在一些實施例中約5 wt%至約20 wt%的量用於聚合物組合物中。纖維性填料通常包括具有相對於其質量之較高程度的拉伸強度之纖維。舉例而言，纖維之極限拉伸強度(根據ASTM D2101測定)通常為約1,000至約15,000兆帕斯卡(「MPa」)，在一些實施例中為約2,000 MPa至約10,000 MPa，且在一些實施例中為約3,000 MPa至約6,000 MPa。為幫助維持所需介電特性，此類高強度纖維可由本質上一般為絕緣的材料，諸如玻璃、陶瓷或礦物質(例如，氧化鋁或二氧化矽)、芳族聚醯胺(例如，由E. I. duPont de Nemours, Wilmington, Del.出售之Kevlar®)、礦物質、聚烯烴、聚酯等形成。纖維性填料可包括玻璃纖維、礦物質纖維或其混合物。舉例而言，在一個實施例中，纖維性填料可包括玻璃纖維。尤其適合的玻璃纖維可包括E-玻璃、A-玻璃、C-玻璃、D-玻璃、AR-玻璃、R-玻璃、S1-玻璃、S2-玻璃等。在另一實施例中，纖維性填料可包括礦物質纖維。礦物質纖維可包括衍生自以下之彼等礦物質纖維：矽酸鹽，諸如島狀矽酸鹽、雙島狀矽酸鹽、鏈狀矽酸鹽(例如鏈狀矽酸鈣，諸如矽灰石；鏈狀矽酸鈣鎂，諸如透閃石(tremolite)；鏈狀矽酸鈣鎂鐵，諸如陽起石(actinolite)；鏈狀矽酸鎂鐵，諸如直閃石(anthophyllite)等)、頁矽酸鹽(例如頁矽酸鋁，諸如鎂鋁皮石(palygorskite))、網狀矽酸鹽等；硫酸鹽，諸如硫酸鈣(例如脫水或無水石膏)；礦棉(例如礦石棉或礦渣棉)等等。尤其適合為鏈狀矽酸鹽，諸如獲自Nyco Minerals商標名為NYGLOS® (例如，NYGLOS® 4W或NYGLOS® 8)之矽灰石纖維。

此外，儘管纖維性填料可具有多種不同大小，但具有特定縱橫比之纖維可幫助改良聚合物組合物之機械特性。亦即，縱橫比(平均長度除以標稱直徑)為約2或更大，在一些實施例中約4或更大，在一些實施例中約5至約50，且在一些實施例中約8至約40之纖維性填料可尤其有益。此類纖維性填料可(例如)具有約10微米或更大，在一些實施例中約25微米或更大，在一些實施例中約50微米或更大至約800微米或更小，且在一些實施例中約60微米至約500微米之重量平均長度。此外，此類纖維性填料可(例如)具有約10微米或更大，在一些實施例中約25微米或更大，在一些實施例中約50微米或更大至約800微米或更小，且在一些實施例中約60微米至約500微米之體積平均長度。纖維性填料可同樣具有約5微米或更大，在一些實施例中約6微米或更大，在一些實施例中約8微米至約40微米，且在一些實施例中約9微米至約20微米之標稱直徑。纖維性填料之相對量亦可經選擇性地控制以幫助達成所需機械及熱特性，而不會不利地影響聚合物組合物之其他特性，諸如其流動性及介電特性等。就此而言，纖維性填料在1 GHz頻率下可具有約6或更小，在一些實施例中約5.5或更小，在一些實施例中約1.1至約5，且在一些實施例中約2至約4.8之介電常數。

纖維性填料可呈經修飾或未修飾之形式，例如提供上漿劑或經化學處理，以便改良對塑膠之黏著力。在一些實例中，玻璃纖維可經提供有上漿劑以保護玻璃纖維，使纖維光滑，且亦改良纖維與基質材料之間的黏著力。若存在，上漿劑可包含矽烷、成膜劑、潤滑劑、濕潤劑、黏著劑、視情況選用之抗靜電劑及塑化劑、乳化劑及視情況選用之其他添加劑。在一個特定實施例中，上漿劑可包括矽烷。矽烷之特定實例為胺基矽烷，例如3-三甲氧基矽基丙胺、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基-矽烷、N-(3-三甲氧基矽烷基丙基)乙烷-1,2-二胺、3-(2-胺基乙基-胺基)丙基三甲氧基矽烷、N-[3-(三甲氧基矽基)丙基]-1,2-乙烷-二胺。 iii.可雷射活化添加劑

在某些其他實施例中，聚合物組合物可為「可雷射活化的」意為其包含可藉由雷射直接成型(「LDS」)製程活化之添加劑。在此製程中，添加劑暴露於雷射，其引起金屬釋放。雷射由此將導電元件之圖案繪製於部件上且留下包含嵌入式金屬微粒之粗糙表面。此等粒子在後續鍍覆製程(例如，鍍銅、鍍金、鍍鎳、鍍銀、鍍鋅、鍍錫等)期間充當晶體生長之晶核。可雷射活化添加劑一般包括尖晶石晶體，其在可定義晶體形式內可包括兩個或更多個金屬氧化物團簇組態。舉例而言，總晶體形式可具有以下通式： AB₂ O₄ 其中， A為2價金屬陽離子，諸如鎘、鉻、錳、鎳、鋅、銅、鈷、鐵、鎂、錫、鈦等以及其組合；且 B為3價金屬陽離子，諸如鉻、鐵、鋁、鎳、錳、錫等以及其組合。

通常，上式中之A提供第一金屬氧化物團簇之主要陽離子組分且B提供第二金屬氧化物團簇之主要陽離子組分。此等氧化物團簇可具有相同或不同的結構。在一個實施例中，例如，第一金屬氧化物團簇具有四面體結構且第二金屬氧化物團簇具有八面體團簇。無論如何，團簇可共同提供對電磁輻射具有加強敏感性之單數可鑑別晶體型結構。適合之尖晶石晶體之實例包括例如MgAl₂ O₄ 、ZnAl₂ O₄ 、FeAl₂ O₄ 、CuFe₂ O₄ 、CuCr₂ O₄ 、MnFe₂ O₄ 、NiFe₂ O₄ 、TiFe₂ O₄ 、FeCr₂ O₄ 、MgCr₂ O₄ 等。氧化銅鉻(CuCr₂ O₄ )尤其適用於本發明且獲自Shepherd Color Co.之商品名「Shepherd Black 1GM」。

可雷射活化添加劑可構成聚合物組合物之約0.1 wt%至約30 wt%，在一些實施例中約0.5 wt%至約20 wt%，且在一些實施例中約1 wt%至約10 wt%。 iv.中空填料

儘管決不要求，但聚合物組合物亦可包括一或多種中空無機填料以幫助達成所需介電常數。舉例而言，此類填料在100 MHz下可具有約3.0或更小，在一些實施例中約2.5或更小，在一些實施例中約1.1至約2.3，且在一些實施例中約1.2至約2.0之介電常數。中空無機填料通常具有內部中空的空間或腔室且可使用此項技術中已知的技術合成。中空無機填料可由習知材料製成。舉例而言，中空無機填料可包括氧化鋁、二氧化矽、氧化鋯、氧化鎂、玻璃、飛灰、硼酸鹽、磷酸鹽、陶瓷以及類似物。在一個實施例中，中空無機填料可包括中空玻璃填料、中空陶瓷填料以及其混合物。在一個實施例中，中空無機填料包括中空玻璃填料。中空玻璃填料可由以下製成：鹼石灰硼矽酸玻璃、鹼石灰玻璃、硼矽酸玻璃、硼矽酸鈉玻璃、矽酸鈉玻璃或鋁矽酸玻璃。就此而言，在一個實施例中，玻璃之組合物(在不受限制時)可為至少約65重量%之SiO₂ 、3至15重量%之Na₂ O、8至15重量%之CaO、0.1至5重量%之MgO、0.01至3重量%之Al₂ O₃ 、0.01至1重量%之K₂ O及視情況選用之其他氧化物(例如，Li₂ O、Fe₂ O₃ 、TiO₂ 、B₂ O₃ )。在另一實施例中，組合物可為約50至58重量%之SiO₂ 、25至30重量%之Al₂ O₃ 、6至10重量%之CaO、1至4重量%之Na₂ O/K₂ O及1至5重量%之其他氧化物。此外，在一個實施例中，中空玻璃填料可包括較鹼金屬氧化物更多之鹼土金屬氧化物。舉例而言，鹼土金屬氧化物與鹼金屬氧化物之重量比可大於1，在一些實施例中約1.1或更大，在一些實施例中約1.2至約4，且在一些實施例中約1.5至約3。無論上文如何，應理解，玻璃組合物可視所採用的玻璃類型而變化且仍提供本發明所需之益處。

中空無機填料可具有平均值為約1微米或更大，在一些實施例中約5微米或更大，在一些實施例中約8微米或更大，在一些實施例中約1微米至約150微米，在一些實施例中約10微米至約150微米，且在一些實施例中約12微米至約50微米之至少一種尺寸。在一個實施例中，此平均值可指d₅₀ 值。此外，中空無機填料可具有約3微米或更大，在一些實施例中約4微米或更大，在一些實施例中約5微米至約20微米，且在一些實施例中約6微米至約15微米之D₁₀ 。中空無機填料可具有約10微米或更大，在一些實施例中約15微米或更大，在一些實施例中約20微米至約150微米，且在一些實施例中約22微米至約50微米之D₉₀ 。就此而言，中空無機填料可以大小分佈形式存在，該大小分佈可為高斯(Gaussian)、正態或非正態大小分佈。在一個實施例中，中空無機填料可具有高斯大小分佈。在另一實施例中，中空無機填料可具有正態大小分佈。在另一實施例中，中空無機填料可具有非正態大小分佈。非正態大小分佈之實例可包括單峰及多峰(例如，雙峰)大小分佈。當提及上文尺寸時，此類尺寸可為任何尺寸。然而，在一個實施例中，此類尺寸係指直徑。舉例而言，尺寸之此類值係指球體之平均直徑。諸如平均直徑之尺寸可根據3M QCM 193.0來測定。就此而言，在一個實施例中，中空無機填料可係指中空球，諸如中空玻璃球。舉例而言，中空無機填料可具有大致1之平均縱橫比。一般而言，平均數縱橫比可為約0.8或更大，在一些實施例中約0.85或更大，在一些實施例中約0.9至約1.3，且在一些實施例中約0.95至約1.05。

另外，中空無機填料可具有相對較薄的壁以有助於聚合物組合物之介電特性以及減小重量。壁之厚度可為中空無機填料之平均尺寸(諸如平均直徑)之約50%或更小，在一些實施例中約40%或更小，在一些實施例中約1%至約30%，且在一些實施例中約2%至約25%。另外，中空無機填料可具有某一真實密度，該密度可允許容易處理且提供重量減小的聚合物組合物。一般而言，真實密度係指藉由中空填料之樣本的質量除以中空填料之彼質量的真實體積所獲得的商，其中真實體積稱為中空填料之聚集總體積。就此而言，中空無機填料之真實密度可為約0.1 g/cm³ 或更大，在一些實施例中約0.2 g/cm³ 或更大，在一些實施例中約0.3 g/cm³ 或更大至約1.2 g/cm³ ，且在一些實施例中約0.4 g/cm³ 或更大至約0.9 g/cm³ 。真實密度可根據3M QCM 14.24.1來測定。

即使填料為中空的，其仍可具有允許維持填料之結構完整性的機械強度，使得降低填料在加工及/或使用期間破損之可能性。就此而言，中空無機填料之等規抗壓力(亦即其中至少80 vol%，諸如至少90 vol%之中空填料經受得住)可為約20 MPa或更大，在一些實施例中約100 MPa或更大，在一些實施例中約150 MPa至約500 MPa，且在一些實施例中約200 MPa至約350 MPa。等規擠壓阻力可根據3M QCM 14.1.8來測定。

中空無機填料之鹼度可為約1.0 meq/g或更小，在一些實施例中約0.9 meq/g或更小，在一些實施例中約0.1 meq/g至約0.8 meq/g，且在一些實施例中約0.2 meq/g至約0.7 meq/g。鹼度可根據3M QCM 55.19來測定。為提供相對較低鹼度，中空無機填料可用適合之酸(諸如磷酸)處理。另外，中空無機填料亦可包括表面處理以輔助提供與聚合物組合物中之聚合物及/或其他組分之更佳相容性。作為一實例，表面處理可為矽烷化。特定言之，表面處理劑可包括(但不限於)胺基矽烷、環氧矽烷等。

當採用時，中空無機填料可(例如)構成聚合物組合物之約1 wt%或更大，在一些實施例中約4 wt%或更大，在一些實施例中約5 wt%至約40 wt%，且在一些實施例中約10 wt%至約30 wt%。 v.微粒填料

視需要，可採用微粒填料以改良聚合物組合物之某些特性。微粒填料可以聚合物組合物中採用的每100份液晶聚合物之約5至約60重量份，在一些實施例中約10至約50重量份，且在一些實施例中約15至約40重量份的量用於聚合物組合物中。舉例而言，微粒填料可構成聚合物組合物之約5 wt%至約50 wt%，在一些實施例中約10 wt%至約40 wt%，且在一些實施例中約15 wt%至約30 wt%。

在某些實施例中，可採用具有特定硬度值之微粒以幫助改良組合物之表面特性。舉例而言，按莫氏硬度等級(Mohs hardness scale)計，硬度值可為約2或更大，在一些實施例中約2.5或更大，在一些實施例中約3至約11，在一些實施例中約3.5至約11，且在一些實施例中約4.5至約6.5。此類微粒之實例可包括(例如)二氧化矽(莫氏硬度為7)、雲母(例如，莫氏硬度為約3)；碳酸鹽，諸如碳酸鈣(CaCO₃ ，莫氏硬度為3.0)或氫氧化碳酸銅(Cu₂ CO₃ (OH)₂ ，莫氏硬度為4.0)；氟化物，諸如氟化鈣(CaFl₂ ，莫氏硬度為4.0)；磷酸鹽，諸如焦磷酸鈣(Ca₂ P₂ O₇ ，莫氏硬度為5.0)，無水磷酸氫鈣(CaHPO₄ ，莫氏硬度為3.5)或含水磷酸鋁(AlPO₄ ·2H₂ O，莫氏硬度為4.5)；硼酸鹽，諸如氫氧化硼矽酸鈣(Ca₂ B₅ SiO₉ (OH)₅ ，莫氏硬度為3.5)；氧化鋁(AlO₂ ，莫氏硬度為10.0)；硫酸鹽，諸如硫酸鈣(CaSO₄ ，莫氏硬度為3.5)或硫酸鋇(BaSO₄ ，莫氏硬度為3至3.5)等等以及其組合。

微粒之形狀可視需要變化。舉例而言，可在某些實施例中採用具有相對較高縱橫比(例如，平均直徑除以平均厚度)，諸如約10:1或更大，在一些實施例中約20:1或更大，且在一些實施例中約40:1至約200:1之薄片形微粒。微粒之平均直徑可例如介於約5微米至約200微米，在一些實施例中約30微米至約150微米，且在一些實施例中約50微米至約120微米之範圍，諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，藉由Horiba LA-960粒度分佈分析儀)所測定。適合之薄片形微粒可由天然及/或合成矽酸鹽礦物質形成，諸如雲母、多水高嶺土(halloysite)、高嶺土、伊利石(illite)、蒙脫石(montmorillonite)、蛭石(vermiculite)、鎂鋁皮石(palygorskite)、葉蠟石(pyrophyllite)、矽酸鈣、矽酸鋁、矽灰石等。舉例而言，雲母為尤其適合的。一般可採用任何形式之雲母，包括(例如)白雲母(muscovite) (KAl₂ (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、黑雲母(biotite) (K(Mg,Fe)₃ (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、金雲母(phlogopite) (KMg₃ (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、鋰雲母(lepidolite) (K(Li,Al)_2-3 (AlSi₃ )O₁₀ (OH)₂ )、海綠石(glauconite) (K,Na)(Al,Mg,Fe)₂ (Si,Al)₄ O₁₀ (OH)₂ )等。亦可採用顆粒狀微粒。通常，此類微粒之平均直徑為約0.1至約10微米，在一些實施例中約0.2至約4微米，且在一些實施例中約0.5至約2微米，諸如根據ISO 13320:2009使用雷射繞射技術(例如，藉由Horiba LA-960粒度分佈分析儀)所測定。尤其適合之顆粒狀填料可包括(例如)滑石、硫酸鋇、硫酸鈣、碳酸鈣等。

微粒填料可基本上或完全由一種類型的微粒，諸如薄片形微粒(例如，雲母)或顆粒狀微粒(例如，硫酸鋇)形成。亦即，此類薄片形或顆粒狀微粒可構成微粒填料之約50 wt%或更大，且在一些實施例中約75 wt%或更大(例如，100 wt%)。當然，在其他實施例中，亦可組合地採用薄片形微粒及顆粒狀微粒。在此類實施例中，例如薄片形微粒可構成微粒填料之約0.5 wt%至約20 wt%，且在一些實施例中約1 wt%至約10 wt%，而顆粒狀微粒構成微粒填料之約80 wt%至約99.5 wt%，且在一些實施例中約90 wt%至約99 wt%。

視需要，微粒亦可塗佈有氟化添加劑以幫助改良組合物之處理，諸如藉由提供更佳的模具填充、內部潤滑、脫模等。氟化添加劑可包括含有烴主鏈聚合物之氟聚合物，其中一些或全部氫原子經氟原子取代。主鏈聚合物可為聚烯烴且由經氟取代的不飽和烯烴單體形成。氟聚合物可為此類經氟取代之單體的均聚物或經氟取代之單體的共聚物或經氟取代之單體及非經氟取代之單體的混合物。除氟原子之外，氟聚合物亦可經其他鹵素原子，諸如氯及溴原子取代。用於本發明之適合於形成氟聚合物之代表性單體為四氟乙烯、偏二氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯、全氟乙基乙烯基醚、全氟甲基乙烯基醚、全氟丙基乙烯基醚等以及其混合物。適合之氟聚合物的具體實例包括聚四氟乙烯、全氟烷基乙烯基醚、聚(四氟乙烯-共-全氟烷基乙烯基醚)、氟化乙烯-丙烯共聚物、乙烯-四氟乙烯共聚物、聚偏二氟乙烯、聚氯三氟乙烯等以及其混合物。 II.形成

用於形成聚合物組合物之組分可使用如此項技術中已知的多種不同技術中之任一者組合在一起。在一個特定實施例中，例如，液晶聚合物及其他視情況選用之添加劑在擠出機內經熔融處理成混合物以形成聚合物組合物。混合物可在約200℃至約450℃的溫度下在單螺桿或多螺桿擠出機中經熔融捏合。在一個實施例中，混合物可在包括多個溫度區域之擠出機中經熔融處理。個別區域之溫度通常設定在相對於聚合物之熔融溫度的約-60℃至約25℃內。舉例而言，混合物可使用雙螺桿擠出機，諸如Leistritz 18-mm共轉完全互嚙合雙螺桿擠出機進行熔融處理。通用螺桿設計可用於熔融處理混合物。在一個實施例中，可藉助於容積式饋料器將包括所有組分之混合物饋入第一筒中之進料口。在另一實施例中，如吾人所知，可在擠出機中之不同添加點處添加不同組分。舉例而言，可在進料口處施加聚合物，且可在位於其下游之相同或不同的溫度區處供應某些添加劑(例如，疏水性材料)。無論如何，所得混合物可經熔融且混合，接著經由模具擠出。接著可將擠出之聚合物組合物在水浴中驟冷以固化且在粒化機中粒化，隨後乾燥。

除在熔融處理期間混合之外，亦可在液晶聚合物之形成期間將添加劑併入至聚合物基質中。舉例而言，用於形成液晶聚合物之芳族前驅體單體可在諸如疏水性材料之添加劑存在下(例如，在聚合設備內)反應。以此方式，添加劑可以物理方式併入至所得聚合物基質中。儘管可在任何時間引入該添加劑，但通常需要在已經開始熔融聚合之前且通常與聚合物之芳族前驅體單體一起施加該添加劑。供應至反應之添加劑的相對量變化，但通常為反應混合物之約0.1 wt%至約35 wt%，在一些實施例中約0.5 wt%至約30 wt%，且在一些實施例中約1 wt%至約25 wt%。

無論形成組合物之方式如何，所得熔融黏度一般足夠低以使得其可容易地形成熔融擠出基板。舉例而言，在一個特定實施例中，聚合物組合物可具有約500 Pa-s或更小，在一些實施例中約250 Pa-s或更小，在一些實施例中約5 Pa-s至約150 Pa-s，在一些實施例中約5 Pa-s至約100 Pa-s，在一些實施例中約10 Pa-s至約100 Pa-s，在一些實施例中約15至約90 Pa-s之熔融黏度,如在1,000秒^-1 之剪切率下所測定。 II.電子組件

如上所指出，聚合物組合物可用於5G系統之廣泛多種電組件中，諸如天線結構、射頻(「RF」)濾波器、電路板等。如本文中所用，「5G」通常係指射頻信號內之高速資料通信。5G網路及系統能夠以較前代資料通信標準(例如，「4G」、「LTE」)顯著更快的速率傳輸資料。已發佈定量5G通信要求之不同標準及規格。作為一個實例，2015年，國際電信聯盟(the International Telecommunications Union；ITU)發佈國際行動電信-2020 (「IMT-2020」)標準。IMT-2020標準規定5G之不同資料發射準則(例如，下行鏈路及上行鏈路資料速率、時延等)。IMT-2020標準將上行鏈路及下行鏈路波峰資料速率限定為5G系統必須支持的用於上載及下載資料之最小資料速率。IMT-2020標準將下行鏈路波峰資料速率要求設定為20 Gbit/s且上行鏈路波峰資料速率為10 Gbit/s。作為另一實例，第三代合作夥伴計劃(3^rd Generation Partnership Project；3GPP)最近發佈5G新標準，其稱為「5G NR」。在2018年，3GPP發表「Release 15」以限定用於5G NR之標準化的「Phase 1」。3GPP一般將5G頻帶定義為「頻率範圍1」 (FR1) (包括子6GHz頻率)及「頻率範圍2」 (FR2)，頻帶介於20至60 GHz範圍內。然而，如本文中所用，「5G頻率」可指利用大於60 GHz，例如變化高達80 GHz、高達150 GHz及高達300 GHz之頻率的系統。如本文中所用，「5G頻率」可指為約2.5 GHz或更大，在一些實施例中約3.0 GHz或更大，在一些實施例中約3 GHz至約300 GHz或更大，在一些實施例中約4 GHz至約80 GHz，在一些實施例中約5 GHz至約80 GHz，在一些實施例中約20 GHz至約80 GHz，且在一些實施例中約28 GHz至約60 GHz之頻率。

5G天線系統一般採用高頻天線及天線陣列用於基地台、中繼器(例如，「超微型小區」)、中繼台、端子、使用者裝置及/或5G系統的其他適合之組件。在由3GPP發佈之標準(諸如Release 15 (2018))及/或IMT-2020標準下，天線元件/陣列及系統可滿足「5G」或取得「5G」資格。為達成高頻下之此類高速資料通信，天線元件及陣列一般採用可改良天線效能之小型特徵大小/間隔(例如，微間距技術)。舉例而言，特徵大小(天線元件之間的間隔、天線元件之寬度)等一般視傳播通過其上形成有天線元件之基板的所需發射及/或接收射頻之波長(「λ」)而定(例如，nλ/4，其中n為整數)。此外，波束成形及/或波束轉向可用於促進多個頻率範圍或通道(例如，多輸入多輸出(MIMO)、大規模MIMO)內之接收及發射。高頻5G天線元件可具有多種組態。舉例而言，5G天線元件可為或包括共面波導元件、貼片陣列(例如，網-柵貼片陣列)、其他適合之5G天線組態。天線元件可經組態以提供MIMO、大規模MIMO功能性、波束轉向等。如本文中所用，「大規模」MIMO功能性通常係指提供大量具有天線陣列之發射及接收通道，例如8個發射(Tx)及8個接收(Rx)通道(縮寫為8×8)。大規模MIMO功能性可具備8×8、12×12、16×16、32×32、64×64或更大。

天線元件可使用多種製造技術來製造。通常，此類元件形成於可由本發明之聚合物組合物形成的基板上。作為一個實例，天線元件及/或相關元件(例如，接地元件、饋電線等)可採用微間距技術。微間距技術一般係指其組件或引線之間的較小或細微間隔。舉例而言，天線元件之間(或天線元件與接地平面之間)的特徵尺寸及/或間隔可為約1,500微米或更小，在一些實施例中1,250微米或更小，在一些實施例中750微米或更小(例如，中心距為1.5 mm或更小)、650微米或更小，在一些實施例中550微米或更小，在一些實施例中450微米或更小，在一些實施例中350微米或更小，在一些實施例中250微米或更小，在一些實施例中150微米或更小，在一些實施例中100微米或更小，且在一些實施例中50微米或更小。然而，應理解，亦可採用較小及/或較大之特徵大小及/或間隔。由於此類較小特徵尺寸，可在較小佔據面積中達成具有大量天線元件之天線組態及/或陣列。舉例而言，天線陣列可具有大於1,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於2,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於3,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於4,000個天線元件/平方公分，在一些實施例中大於6,000個天線元件/平方公分，且在一些實施例中大於約8,000個天線元件/平方公分之平均天線元件密集度。天線元件之此類緊湊配置可提供每單位面積之天線面積有更大數目個MIMO功能性通道。舉例而言，通道數目可對應於(例如，等於或成比例)天線元件之數目。

參看圖1，例如，5G天線系統100可包括基地台102、一或多個中繼台104、一或多個使用者運算裝置106、一或多個Wi-Fi中繼器108 (例如，「超微型小區」)及/或用於5G天線系統100之其他適合之天線組件。中繼台104可經組態以藉由在基地台102與使用者運算裝置106及/或中繼台104之間中繼或「重複」信號來促進使用者運算裝置106及/或其他中繼台104與基地台102通信。基地台102可包括MIMO天線陣列110，該MIMO天線陣列110經組態以與中繼台104、Wi-Fi中繼器108及/或直接與使用者運算裝置106接收及/或發射射頻信號112。使用者運算裝置106不必受本發明限制且包括諸如5G智慧型電話之裝置。

MIMO天線陣列110可採用波束轉向以相對於中繼台104聚焦或引導射頻信號112。舉例而言，MIMO天線陣列110可經組態以調節相對於X-Y平面之仰角114及/或Z-Y平面中所限定且相對於Z方向之方位角(heading angle) 116。類似地，中繼台104、使用者運算裝置106、Wi-Fi中繼器108中之一或多者可採用波束轉向以藉由定向地調諧裝置104、106、108相對於基地台102之MIMO天線陣列110的敏感性及/或功率發射(例如，藉由調節各別裝置之相對仰角及/或相對方位角中之一或兩者)來提高相對於MIMO天線陣列110之接收及/或發射能力。

圖2A至2B同樣地分別說明實例使用者運算裝置106之俯視及側視圖。使用者運算裝置106可包括一或多個天線元件200、202 (例如，經配置為各別天線陣列)。參看圖2A，天線元件200、202可經組態以在X-Y平面中執行波束轉向(如藉由箭頭204、206所說明且與相對方位角相對應)。參看圖2B，天線元件200、202可經組態以在Z-Y平面中執行波束轉向(如藉由箭頭204、206所說明)。

圖3描繪使用各別饋電線304 (例如，藉由前端模組)連接之複數個天線陣列302的簡化示意圖。可將天線陣列302安裝至基板308之側表面306，諸如關於圖4A至4C所描述及說明。基板308可包含本發明之聚合物組合物。天線陣列302可包括複數個豎直連接的元件(例如，呈網柵陣列狀)。因此，天線陣列302可大體上與基板308之側表面306平行延伸。屏蔽件可視情況設置於基板308之側表面306上，使得天線陣列302位於屏蔽件相對於基板308之外部。天線陣列302之豎直連接的元件之間的豎直間隔距離可對應於天線陣列302之「特徵大小」。因而，在一些實施例中，此等間隔距離可相對較小(例如，小於約750微米)，使得天線陣列302為「微間距」天線陣列302。

圖4說明共面波導天線400組態之側視圖。一或多個共面接地層402可平行於天線元件404 (例如，貼片天線元件)配置。另一接地層406可藉由基板408與天線元件間隔開，該基板408可為諸如本文中所述之電路板。一或多個其他天線元件410可藉由可含有本發明之聚合物組合物的第二層或基板412而與天線元件404間隔開。尺寸「G」及「W」可對應於天線400之「特徵大小」。「G」尺寸可對應於天線元件404與共面接地層406之間的距離。「W」尺寸可對應於天線元件404之寬度(例如，線寬)。因而，在一些實施例中，尺寸「G」及「W」可相對較小(例如，小於約750微米)，使得天線400為「微間距」天線400。

圖5A說明天線陣列500之一個實施例。天線陣列500可包括基板510及形成於該基板上之複數個天線元件520。基板510可含有本發明之聚合物組合物。複數個天線元件520在X方向及/或Y方向上可大致為相等大小(例如，方形或矩形)。複數個天線元件520可在X方向及/或Y方向上大致相等地間隔開。天線元件520及/或其間的間隔之尺寸可對應於天線陣列500之「特徵大小」。因而，在一些實施例中，尺寸及/或間隔可相對較小(例如，小於約750微米)，使得天線陣列500為「微間距」天線陣列500。如藉由橢圓522所說明，僅提供圖5中所說明的天線元件520之行數作為一實例。類似地，僅提供天線元件520之列數作為一實例。

調諧天線陣列500可用於例如在基地台(例如，如上文關於圖1所描述)中提供大規模MIMO功能性。更具體言之，不同元件之間的射頻相互作用可控制或調諧以提供多個發射及/或接收通道。發射功率及/或接收靈敏度可經定向控制以聚焦或引導射頻信號，例如如關於圖1之射頻信號112所描述。調諧天線陣列500可在較小佔據面積中提供大量天線元件522。舉例而言，調諧天線500可具有1,000個天線元件/平方公分或更大之平均天線元件密集度。天線元件之此類緊湊配置可提供每單位面積有更大數目個MIMO功能性通道。舉例而言，通道數目可對應於(例如，等於或成比例)天線元件之數目。

圖5B說明天線陣列540之一實施例。天線陣列540可包括複數個天線元件542及連接天線元件542 (例如，及其他天線元件542、前端模組或其他適合之組件)的複數個饋電線544。天線元件542可具有各別寬度「w」及其間的間隔距離「S₁ 」及「S₂ 」(例如，分別在X方向及Y方向上)。此等尺寸可經選擇以在所需5G頻率下達成5G射頻通信。更具體言之，尺寸可經選定以調諧天線陣列540來使用5G頻譜內(例如，大於2.5 GHz及/或大於3 GHz及/或大於28 GHz)之射頻信號發射及/或接收資料。可基於可含有本發明之聚合物組合物的基板之材料特性來選擇尺寸。舉例而言，「w」、「S₁ 」或「S₂ 」中之一或多者可對應於穿過基板材料之所需頻率的傳播波長(「λ」)之倍數(例如，nλ/4，其中n為整數)。

作為一個實例，λ可計算如下：

其中c為真空中之光速，

為基板(或周圍材料)之介電常數，f為所需頻率。

圖5C說明根據本發明之態樣的實例天線組態560。天線組態560可包括平行於基板564之較長邊緣配置的多個天線元件562。不同天線元件562可具有調諧天線組態560以在所需頻率及/或頻率範圍下接收及/或發射之各別長度「L」 (及其間的間隔距離)。更具體言之，此類尺寸可基於在基板材料之所需頻率下的傳播波長λ來進行選擇，例如如上文參考圖5B所述。

除用於形成天線元件(例如，基板)以外，聚合物組合物亦可用於5G系統之其他電組件中。舉例而言，RF濾波器通常包括可在所需5G頻率中之狹窄頻帶內產生諧振行為之一或多個諧振器元件(例如，壓電材料、介電材料等)。濾波器之特定組態及操作可如熟習此項技術者已知來變化。舉例而言，RF濾波器可為聲學濾波器，諸如表面聲波(SAW)濾波器、主體聲波(BAW)濾波器、膜主體聲學諧振器(FBAR或TFBAR)等。此類聲學濾波器一般採用壓電材料，諸如石英、鉭酸鋰、鈮酸鋰、矽酸鑭鎵、氮化鋁等等。在SAW濾波器中，例如，藉由壓電式基板上創建的交錯式金屬數位間轉換器(IDT)來將電輸入信號轉換為聲波。在BAW濾波器中，壓電式基板經包夾於兩個電極之間且與周圍介質聲學分離。以此方式，電氣輸入信號使得聲波經激勵且反射並豎直地傳播以形成駐聲波。外部薄層充當聲波反射器以阻止聲波逃脫至基板中。在FBAR濾波器中，在活性區下方蝕刻腔室以使得諧振器之兩個面上之空氣/晶體介面捕獲聲波。

除聲學濾波器之外，亦可使用其他類型的RF濾波器。舉例而言，可採用腔室濾波器，其中諧振器元件(例如，介電材料)經安置於殼體結構中所形成之複數個腔室內。腔室濾波器中最常使用的諧振器之一為同軸諧振器，其經構造以具有其中形成孔洞或凹口之圓柱形式。適合之介電材料可包括例如，基於鈦酸、基於鈮酸及/或基於鉭酸(BZT)之介電材料，諸如鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鋇鍶等。

無論其特定組態如何，RF濾波器可以廣泛多種方式採用本發明之聚合物組合物，該聚合物組合物具有低介電常數及耗散因子以在5G頻率下提供良好效能。舉例而言，在聲學濾波器中，聚合物組合物可用於形成支撐諧振器元件(例如，壓電材料)之基板。在此類實施例中，可藉由將諧振器元件直接安置至基板上而利用基板支撐諧振器元件。替代地，各種其他層(例如，反射器、黏著劑等)可定位於基板與諧振器元件之間。參看圖6，例如，展示SAW濾波器600之一個實施例，其中經由電端口602 (亦即I/O襯墊)提供電輸入信號，以及藉由壓電式基板606上創建的交錯式金屬數位間轉換器604來將電輸入信號轉換為聲波。視需要，亦可提供基板608，其由本發明之聚合物組合物形成且支撐壓電式基板606。類似地，參看圖7，展示BAW濾波器710之一個實施例，其中壓電式基板716定位於上部金屬層712與下部金屬層(未展示)之間。以此方式，回應於經由電端口718提供至其之電輸入信號來激勵聲波。視需要，亦可提供基板728，其由本發明之聚合物組合物形成且直接地或間接地經由金屬層來支撐壓電式基板716。當聚合物組合物用於基板中時，諸如圖6或圖7中所展示，該聚合物組合物可視情況包括可雷射活化添加劑，使得可接著使用雷射直接成型製程(「LDS」)在基板上形成導電元件(例如，轉換器、金屬層等)。藉由雷射活化引起物理-化學反應，其中尖晶石晶體經裂解開以釋放金屬原子。此等金屬原子可充當用於金屬化(例如，還原性銅塗佈)之晶核。雷射亦形成微觀不規則表面且剝蝕聚合物基質，從而產生諸多微觀凹坑及凹穴，可在金屬化期間將金屬錨定於其中。

如上文所提及，RF濾波器亦可包括覆蓋濾波器之一或多個元件(例如，諧振器元件、支撐基板等)之殼體以形成離散封裝。在此類實施例中，殼體可由本發明之聚合物組合物製成。參看圖8，例如，展示RF濾波器封裝10之一個實例，其含有由如上所述的基板18支撐的諧振器元件14 (例如，壓電材料)。在此實施例中，使用黏著劑24以將基板18附接至諧振器元件14，但決不要求。視需要，基板18可由本發明之聚合物組合物形成。亦提供殼體20，其上覆於諧振器元件14及基板18以提供保護及結構完整性。視需要，殼體20可由本發明之聚合物組合物形成。視情況，形成穿過基板18，延伸至諧振器元件14之通孔26。金屬內連線28隨後形成/圖案化於封裝10中以在其中提供電連接，其中內連線28形成於通孔26中，向下達至諧振器元件14之前表面上的I/O襯墊30且露出於介電層18之表面上。用於基板18及/或殼體20之聚合物組合物可視情況包括可雷射活化添加劑，使得可使用雷射直接成型製程(「LDS」)形成內連線28及/或襯墊30。視需要，空氣腔室34亦可設置於黏著層24中以允許藉由諧振器元件14產生正確振動及相關聲波。輸入/輸出(I/O)連接件38 (例如，焊料球)亦可設置於金屬內連線28上以將封裝10連接至外部裝置，諸如印刷電路板(未示出)。

在如上文所述且展示於圖6至8中之實施例中，本發明之聚合物組合物用於聲學RF濾波器中。然而，如上文所提及，各種其他RF濾波器組態亦可採用聚合物組合物。在一個實施例中，例如，RF濾波器可為腔室濾波器。參看圖9，例如，展示腔室濾波器1000之一個實施例，其包含殼體1100及蓋板1110，其中之一或兩者可由本發明之聚合物組合物形成。如所示，多個腔室1102可形成於在殼體1100內，諧振器元件1104可定位於該等腔室1102內。用於此目的之適合諧振器元件1104可包括(例如)介電材料。儘管不要求，但諧振器元件1104可具有圓柱形狀，且凹口或孔洞可形成於圓柱形之至少一部分中。當然，亦可視需要使用塑形呈盤形式之諧振器，且具有多種已知形狀中之任一者的諧振器可應用於本發明之一實施例。可藉由使用螺栓等來將諧振器元件1104接合至腔室之底部。視需要，殼體1100可含有金屬電鍍(例如，銀或銅)，當聚合物組合物含有可雷射金屬活化添加劑時，該殼體1100可藉由雷射定向成型形成。濾波器之殼體1100及外罩1110可具有地面電位，且為幫助獲得所需電特性且提供良好緊固，可在插入區域1450處採用按壓部件2000以提供緊密按壓所需之壓力。形成於外罩1110中之插入區域1450的位置可對應於諧振器1104之位置。

除RF濾波器之外，聚合物組合物亦可用於5G系統之其他組件中。在一個實施例中，例如，聚合物組合物可用於5G系統之電路板(例如，印刷電路板)中。天線元件可直接應用(例如，列印)至電路板上，或替代地其可設置於由電路板支撐且連接至電路板的天線模組中。參看圖13，例如，展示電子裝置140之一個實施例，其包含基板154，該基板154支撐各種電組件142，諸如積體電路(例如，收發器電路、控制電路等)、離散組件(例如，電容器、電感器、電阻器)、開關等等。可將包封材料156施加於組件142及印刷電路板154上，諸如本文中所述，該印刷電路板154包含用於形成電信號路徑之導電跡線152及接觸墊150。亦可採用半導體晶粒144，其經接合至印刷電路板且嵌入封裝本體內以形成每一各別組件142。更特定言之，組件142可具有接觸件146 (例如，焊墊)且可使用耦合於接觸件146與接觸件150之間的導電材料148 (例如，焊料)而安裝至印刷電路板154上之接觸件150。在所說明之實施例中，天線元件160形成於包封材料156之暴露表面上。可經由發射線158 (例如，金屬支柱)將天線元件156電連接至印刷電路板154。

電路板可具有包含鄰近於導電層而安置的膜之層狀結構。在此類實施例中，膜可由本發明之聚合物組合物形成。多種不同技術中之任一者可一般用於使聚合物組合物形成為膜。適合之技術可包括(例如)溶劑鑄造、熔融擠壓(例如，壓鑄法、吹塑膜鑄造、擠出塗佈等)等等。在一個特定實施例中，採用吹塑膜製程，其中將組合物饋入擠出機中，在該擠出機中將該組合物熔融處理且接著經由吹塑膜模具供應以形成熔融氣泡。通常，模具包含安置於外部模具主體之內部的芯軸，使得其間限定一空間。將聚合物組合物吹塑穿過此空間以形成氣泡，該氣泡接著可經抽吸、經空氣充氣且快速冷卻使得聚合物組合物快速固化。視需要，氣泡接著可塌陷於輥之間且視情況捲繞至卷軸上。所得膜之厚度可變化，但通常為約500微米或更小，在一些實施例中約1至約250微米，在一些實施例中約2至約100微米，在一些實施例中約3至約50微米，且在一些實施例中約5至約30微米。

如上文所提及，膜鄰近於至少一個導電層定位以形成層壓物。導電層可以多種不同形式提供，諸如薄膜、膜、模具、晶圓、管道等。舉例而言，該層可具有箔類結構，因為其相對較薄，諸如具有約500微米或更小，在一些實施例中約200微米或更小，且在一些實施例中約1至約100微米之厚度。當然，亦可採用更高厚度。導電層亦可包含多種導電材料，諸如金屬，例如金、銀、鎳、鋁、銅以及其混合物或合金。在一個實施例中，例如，導電層可包括銅(例如，純銅及銅合金)。可使用諸如上文所述的技術(例如，鑄造)將膜應用於導電層，或可使用諸如離子束濺鍍、高頻濺鍍、直流電磁控濺鍍、輝光放電等之技術將導電層交替地應用於膜。視需要，可在面向導電層之側上對膜進行表面處理，使得改良膜與導電層之間的黏附性。此類表面處理之實例包括(例如)電暈放電處理、UV輻射處理、電漿處理等。當應用於導電層時，膜可視情況退火以改良其特性。舉例而言，退火可在約250℃至約400℃，在一些實施例中約260℃至約350℃，且在一些實施例中約280℃至約330℃的溫度下發生且持續約15分鐘至約300分鐘，在一些實施例中約20分鐘至約200分鐘，且在一些實施例中約30分鐘至約120分鐘範圍內之時間段。在退火期間，有時需要將膜限制於一或多個位置(例如，邊緣)處，使得其一般不能夠實體移動。此可以多種方式，諸如藉由夾持、膠封或以其他方式將膜黏附至導電層來實現。

層壓物可具有僅包含膜及導電層之二層結構。參看圖10，例如，展示此兩層結構10之一個實施例，其包含鄰近於導電層12 (例如，銅箔)定位之膜11。替代地，可形成包含兩個或更多個導電層及/或兩個或更多個膜之多層層壓物。參看圖11，例如，展示三層層壓物結構100之一個實施例，其包含定位於兩個導電層112之間的膜110。又一實施例展示於圖12中。在此實施例中，展示七層層壓物結構200，其包含由定位於兩個導電層212之間的膜210形成之核心201。膜220同樣地分別上覆於導電層212中之每一者，且外部導電層222上覆於膜220。在上文所述的實施例中，膜可用於形成任一或甚至所有膜層。各種習知加工步驟可用以提供具有充分強度之層壓物。舉例而言，層壓物可經按壓及/或進行如此項技術中已知的熱處理。

參考以下實例可更好地理解本發明。測試方法

熔融黏度 ：可根據ISO測試第11443:2005號在1,000 s^-1 之剪切率及高於熔融溫度(例如約350℃) 15℃之溫度下使用Dynisco LCR7001毛細管流變儀測定熔融黏度(Pa-s)。變流儀孔(模具)具有1 mm之直徑、20 mm之長度、20.1之L/D比率及180°之入口角。筒之直徑為9.55 mm + 0.005 mm，且棒之長度為233.4 mm。

熔融溫度 ：可藉由如此項技術中已知的差示掃描熱量測定(「DSC」)來測定熔融溫度(「Tm」)。熔融溫度為如藉由ISO測試第11357-2:2013號所測定之差示掃描熱量測定(DSC)峰值熔融溫度。在DSC程序下，如ISO標準10350中所陳述使用在TA Q2000儀器上進行之DSC量測以每分鐘20℃來加熱樣本且冷卻樣本。

載荷變形溫度 (「DTUL 」)：載荷變形溫度可根據ISO測試第75-2:2013號(技術上等效於ASTM D648-07)來測定。更特定言之，可對具有80 mm之長度、10 mm之厚度及4 mm之寬度的測試條帶樣本進行沿邊三點彎曲測試，其中指定載荷(最大外部纖維應力)為1.8兆帕斯卡。可將試樣降低至聚矽氧油浴中，其中溫度以每分鐘2℃升高直至其偏轉0.25 mm (對於ISO測試第75-2:2013號為0.32 mm)。

拉伸模數、拉伸應力及拉伸伸長率 ：可根據ISO測試第527:2012號(技術上等效於ASTM D638-14)來測試拉伸特性。可在具有80 mm之長度、10 mm之厚度及4 mm之寬度的相同測試條帶樣本上進行模數及強度量測。測試溫度可為約23℃且測試速度可為1 mm/min或5 mm/min。

撓曲模數、撓曲應力及撓曲伸長率 ：可根據ISO測試第178:2010號(技術上等效於ASTM D790-10)來測試撓曲特性。可在64 mm支撐跨距上執行此測試。可在未切割的ISO 3167多用途桿之中心部分上進行測試。測試溫度可為約23℃且測試速度可為2 mm/min。

夏比非缺口及缺口衝擊強度 ：可根據ISO測試第179-1:2010號(技術上等效於ASTM D256-10，方法B)來測試夏比特性。可使用1型試樣大小(80 mm之長度、10 mm之寬度及4 mm之厚度)進行此測試。當測試缺口衝擊強度時，缺口可為A型缺口(0.25 mm基圓半徑)。可使用單齒銑床自多用途桿之中心切割試樣。測試溫度可為約23℃。

介電常數 ( 「 Dk 」 ) 及 耗散因子 ( 「 Df 」 ) ：介電常數(或相對靜態電容率)及耗散因子係根據IEC 60250:1969測定。此類技術亦描述於Baker-Jarvis,等人, IEEE Trans. on Dielectric and Electrical Insulation, 5(4),第571頁(1998)及Krupka,等人, Proc. 7^th International Conference on Dielectric Materials: Measurements and Applications, IEEE會議出版物第430號(1996年9月)中。更特定言之，將大小為80 mm×80 mm×1 mm之薄片樣本插入兩個固定的介電諧振器之間。諧振器量測試樣之平面中的電容率組件。可測試五個(5)樣本，且記錄平均值。實例 1

形成用於5G系統之樣本1至2。LCP 1係由60% HBA、4% HNA、18% TA及18% BP形成。LCP 2係由48% HNA、2% HBA、25% BP及25% TA形成。使用18 mm單螺桿擠出機執行混合。將樣本注射模製為薄片(60 mm × 60 mm)。下文給出調配物。

	樣本1	樣本2
LCP 1	57.4
亞鉻酸銅	6.6
滑石	16
玻璃纖維	20
LCP 2		67
雲母		22
玻璃粉末		10
顏料		1

測試樣本1至2之熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本1	樣本2
2 GHz下之Dk	4.2	3.9
2 GHz下之Df	0.0052	0.0015
10 GHz下之Dk	4.1	4.0
10 GHz下之Df	0.0049	0.0014
拉伸強度(MPa)	130	135
拉伸模數(MPa)	14,000	12,300
拉伸伸長率(%)	1.9	1.8
撓曲強度(MPa)	180	180
撓曲模數(MPa)	14,000	12,000

實例 2

樣本3至5經擠出成膜以用於5G系統。樣本3包含由73% HBA及27% HNA形成的100 wt% LCP 3。樣本4包含由79.3% HBA、20% HNA及0.7% TA形成的100 wt% LCP 4。樣本5包含75 wt% LCP 3及25 wt% PTFE。測試樣本3至5之熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本3	樣本4	樣本5
10 GHz下之Dk	3.42	3.36	3.12
10 GHz下之Df	0.0017	0.0017	0.0016
熔融點(℃)	280	325	280
拉伸強度(MPa)	148	150	156
拉伸模數(MPa)	7800	8200	7,000
拉伸伸長率(%)	5.7	3.7	6.2
撓曲強度(MPa)	158	145	125
撓曲模數(MPa)	9,100	7,300	7,100
1.8 Mpa下之DTUL	193	175	165

實例 3

樣本6至8經擠出成膜以用於印刷電路板。樣本6包含80 wt% LCP 5及20 wt% PTFE，樣本7包含75 wt% LCP 5及25 wt% PTFE 1，且樣本8包含75 wt% LCP 4及25 wt% PTFE。LCP 5係由43% HBA、9% TA、29% HQ及20% NDA形成。此外，PTFE 1具有4 μm之D50粒度及15 μm之D90粒度。測試樣本6至8之熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本6	樣本7	樣本8
10 GHz下之Dk	3.10	3.06	3.13
10 GHz下之Df	0.0013	0.0013	0.0017
2 GHz下之Dk	3.04	3.01	-
2 GHz下之Df	0.0017	0.0017	-
熔融黏度(在340℃下1,000 s-1 )	59.6	49.8	48.0
拉伸強度(MPa)	8,637	8,120	7,085
拉伸模數(MPa)	155.5	152.83	115.9
拉伸伸長率(%)	2.18	2.67	2.47
撓曲強度(MPa)	9,393	8,701	8,032
撓曲模數(MPa)	152.92	144.11	126.92
1.8 Mpa下之DTUL	251	247	185
夏比缺口強度(kJ/m2 )	61	63	-

實例 4

樣本9至15係由液晶聚合物(LCP 1及LCP 5)、亞鉻酸銅填料(CuCr₂ O₄ )、玻璃纖維、三水合氧化鋁(「ATH」)、潤滑劑(聚乙烯蠟)及聚四氟乙烯(「PTFE 1」或「PTFE 2」)之不同組合形成。PTFE 2為D50粒度為40 μm之聚四氟乙烯微粒粉末。使用18 mm單螺桿擠出機執行混合。部件為注射模製成薄片之樣本(60 mm × 60 mm)。表 1

	9	10	11	12	13	14	15
LCP 5	77.6	78	80	73	68	73	68
LCP 1	17.6	-	-	-	-	-	-
玻璃纖維	15	15	13	15	15	15	15
三水合氧化鋁	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2
潤滑劑	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2	0.2
亞鉻酸銅	4.4	6.6	6.6	6.6	6.6	6.6	6.6
PTFE 1	-	-	-	5	10	-	-
PTFE 2	-	-	-	-	-	5	10

測試樣本9至15之熱及機械特性。下表2中給出結果。表 2

樣本	9	10	11	12	13	14	15
介電常數(2 GHz)	3.73	3.69	3.64	3.66	3.6	3.7	3.6
耗散因子(2 GHz)	0.0056	0.0036	0.0035	0.0042	0.0038	0.0036	0.004
介電常數(10 GHz)	-	-	-	3.74	-	-	-
耗散因子(10 GHz)	-	-	-	0.0037	-	-	-
1.8 MPa下之DTUL (℃)	239	282	278	258	277	277	270
夏比缺口(kJ/m2 )	51	45	52	68	53	44	19
夏比非缺口(kJ/m2 )	58	57	60	80	77	55	36
拉伸強度(MPa)	134	142	140	129	113	164	126
拉伸模數(MPa)	10,547	12,090	11,880	8,971	10,026	12,666	12,359
拉伸伸長率(%)	3.08	2.56	2.58	3.74	2.98	2.82	1.7
撓曲強度(MPa)	158	189	189	140	143	191	174
撓曲模數(MPa)	9,834	10,601	10,510	8,725	9,921	11,314	11,061
撓曲伸長率(%)	＞3.5	＞3.5	＞3.5	＞3.5	＞3.5	3.24	3.33
1,000 s-1 下之熔融黏度(Pa-s)	24	36	37	30	44	44	62
熔融溫度(℃，DSC之第1次加熱)	309.98	320.26	320.58	324.25	324.65	320.76	322.95

實例 5

樣本16包含100 wt% LCP 6以用於5G系統，該LCP 6係由62% HNA、2% HBA、18% TA及18% BP形成。將樣本注射模製成薄片(60 mm × 60 mm)且測試熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本16
10 GHz下之Dk	3.36
10 GHz下之Df	0.0007
拉伸強度(MPa)	165
拉伸模數(MPa)	15,382
拉伸伸長率(%)	1.2
撓曲強度(MPa)	215
撓曲模數(MPa)	15,792
夏比缺口(KJ/m2 )	17.3
1.8 MPa下之DTUL (℃)	313.5
熔融溫度(℃) (DSC之第1次加熱)	334

實例 6

樣本17至24係由液晶聚合物(LCP 2)、經碾磨及/或平整短切之玻璃纖維絲束(縱橫比= 4)、雲母(MICA 1及MICA 2)及二氧化矽之不同組合形成。MICA 1具有25微米之平均粒度且MICA 2具有60微米之平均粒度。使用18 mm單螺桿擠出機執行混合。部件為注射模製成薄片之樣本(60 mm × 60 mm)。

	17	18	19	20	21	22	23	24
LCP 2	78	68	78	78	68	78	68	80
經碾磨玻璃纖維	-	10	-	-	10	-	-	-
平整玻璃纖維	-	-	10	15	-	10	10	-
MICA 1	22	22	12	17	-	-	-	20
MICA 2					22	12	-	-
二氧化矽	-	-	-	-	-	-	12	-

測試樣本17至24之熱及機械特性。下表中給出結果。

樣本	17	18	19	20	21	22	23	24
介電常數(2 GHz)	3.96	3.95	3.96	4.03	4.04	4.07	3.67	3.7
耗散因子(2 GHz)	0.0014	0.0015	0.0015	0.0021	0.0021	0.0019	0.0016	0.0009
介電常數(10 GHz)	-	4.03	-	-	-	-	-	3.78
耗散因子(10 GHz)	-	0.0015	-	-	-	-	-	0.0078
1.8 MPa下之DTUL (℃)	-	-	-	-	-	-	-	298
夏比缺口(kJ/m2 )	-	-	-	-	-	-	-	8.6
夏比非缺口(kJ/m2 )	-	-	-	-	-	-	-	-
拉伸強度(MPa)	142	146	124	134	128	134	121	179
拉伸模數(MPa)	13,731	14,422	13,385	13,851	13,578	14,691	10,186	12,795
拉伸伸長率(%)	1.96	1.64	1.39	1.74	1.57	1.37	2.1	2.3
撓曲強度(MPa)	195	222	204	206	204	211	182	205
撓曲模數(MPa)	13,349	14,074	13,307	13,492	13,331	14,361	10,283	12,888
撓曲伸長率(%)	2.55	2.26	2.17	2.3	2.3	1.97	2.77	2.9
1,000 s-1 下之熔融黏度(Pa-s)	38	48	44	39	36	52	56	25.8
熔融溫度(℃) (DSC之第1次加熱)	343	345	344	344	343	343	346	340

實例 7

樣本25至30係由液晶聚合物(LCP 5或LCP 2)、中空玻璃球以及雲母、矽灰石、玻璃粉末及/或玻璃纖維形成。中空玻璃球具有18微米之平均直徑。玻璃粉末具有4.8之介電常數，如在1 GHz之頻率下所測定。此外，所採用之玻璃纖維具有3 mm或4 mm之初始長度。聚合物組合物亦可包括聚乙烯潤滑劑、三水合氧化鋁、顏料及/或各種其他微量添加劑。使用25-mm單螺桿擠出機執行混合。表 3

樣本	25	26	27	28	29	30
LCP 5	-	-	77.3	67.3	67.3	-
LCP 2	72.8	71.8	-	-	-	71.8
中空玻璃球	17	17	20	15	15	17
雲母	-	-	-	15	-	-
矽灰石	-	-	-	-	15	-
玻璃粉末	-	1		-	-	1
玻璃纖維(4 mm長)	-	-	-	-	-	10
玻璃纖維(3 mm長)	10	10		-	-	-
三水合氧化鋁	0.2	0.2	-	-	-	0.2
聚乙烯	-	-	0.2	0.2	0.2	-
黑色顏料母體混合物	-	-	2	2	2	-
其他添加劑	-	-	0.5	0.5	0.5	-

接著測試樣本之熱及機械特性。下表4中給出結果。表 4

樣本	25	26	27	28	29	30
介電常數(10 GHz)	3.03	3.01	3.0	3.2	3.2	2.93
耗散因子(10 GHz)	0.002	0.002	0.003	0.003	0.003	0.003
介電常數(2 GHz)	-	2.99	-	-	-	-
耗散因子(2 GHz)	-	0.002	-	-	-	-
1.8 MPa下之DTUL (℃)	289	291	243	243	250	-
拉伸強度(MPa)	78	86	77	66	65	99
撓曲強度(MPa)	122	-	-	-	-	-
衝擊強度(kJ/m2 )	11	7	15	6	6	-
密度(g/cm3 )	1.22	1.18	1.14	1.27	1.28	-

實例 8

樣本31係由液晶聚合物(LCP 2及LCP 7)、中空玻璃球、玻璃粉末、玻璃纖維及三水合氧化鋁形成。LCP 7係由60% HBA、4% HNA、18% TA及18% BP形成。玻璃粉末具有4.8之介電常數，如在1 GHz之頻率下所測定。使用25-mm單螺桿擠出機執行混合。表 5

樣本	31
LCP 2	49.8
LCP 7	15.4
中空玻璃球	17.0
玻璃粉末	1.0
玻璃纖維(4 mm長)	10.0
三水合氧化鋁	0.2
亞鉻酸銅	6.6

接著測試樣本之熱及機械特性。下文表6中給出結果。表 6

樣本	32
介電常數(2 GHz)	3.07
耗散因子(2 GHz)	0.0043
介電常數(10 GHz)	3.14
耗散因子(10 GHz)	0.0035
1,000 s-1 下之熔融黏度(Pa-s)	55.5
400 s-1 下之熔融黏度(Pa-s)	88.9
熔融溫度(℃)	338.6
1.8 MPa下之DTUL (℃)	217
拉伸強度(MPa)	81
拉伸模數(MPa)	7,658
拉伸伸長率(%)	1.41
撓曲強度(MPa)	116
撓曲模數(MPa)	7,241
撓曲伸長率(%)	1.91
夏比缺口衝擊強度(kJ/m2 )	3.1
夏比非缺口衝擊強度(kJ/m2 )	7.3

實例 9

樣本33包含100 wt% LCP 8以用於5G系統，該LCP 8係由73% HNA及27% HBA形成。將樣本注射模製成薄片(60 mm × 60 mm)且測試熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本33
10 GHz下之Dk	3.41
10 GHz下之Df	0.00098
拉伸強度(MPa)	140
拉伸模數(MPa)	6,883
拉伸伸長率(%)	5.8
撓曲強度(MPa)	173
撓曲模數(MPa)	8,873
夏比缺口(KJ/m2 )	78.8
1.8 MPa下之DTUL (℃)	199.6
熔融溫度(℃) (DSC之第1次加熱)	316

實例 10

樣本34包含100 wt% LCP 9以用於5G系統，該LCP 9係由78% HNA、2% HBA、10% TA及10% BP形成。將樣本注射模製成薄片(60 mm × 60 mm)且測試熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本34
10 GHz下之Dk	3.45
10 GHz下之Df	0.00068
拉伸強度(MPa)	100
拉伸模數(MPa)	11,638
拉伸伸長率(%)	0.89
撓曲強度(MPa)	167
撓曲模數(MPa)	12,258
夏比缺口(KJ/m2 )	1.9
1.8 MPa下之DTUL (℃)	306.6
熔融溫度(℃) (DSC之第1次加熱)	338

實例 11

樣本35包含100 wt% LCP 10以用於5G系統，該LCP 10係由79% HNA、2% HBA、14% TA及14% BP形成。將樣本注射模製成薄片(60 mm × 60 mm)且測試熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本35
10 GHz下之Dk	3.40
10 GHz下之Df	0.00066
拉伸強度(MPa)	131
拉伸模數(MPa)	18,173
拉伸伸長率(%)	0.75
撓曲強度(MPa)	225
撓曲模數(MPa)	17,275
夏比缺口(KJ/m2 )	7.2
1.8 MPa下之DTUL (℃)	313.5
熔融溫度(℃) (DSC之第1次加熱)	331

實例 12

樣本36包含100 wt% LCP 11以用於5G系統，該LCP 11係由48% HNA、2% HBA、25% TA及25% BP形成。將樣本注射模製成薄片(60 mm × 60 mm)且測試熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本36
10 GHz下之Dk	3.48
10 GHz下之Df	0.00064
拉伸強度(MPa)	160
拉伸模數(MPa)	7,332
拉伸伸長率(%)	2.71
撓曲強度(MPa)	159
撓曲模數(MPa)	7,678
夏比缺口(KJ/m2 )	43.5
1.8 MPa下之DTUL (℃)	234
熔融溫度(℃) (DSC之第1次加熱)	329

實例 13

樣本37包含100 wt% LCP 12以用於5G系統，該LCP 12係由76% HNA及24% HBA形成。將樣本注射模製成薄片(60 mm × 60 mm)且測試熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本37
10 GHz下之Dk	3.41
10 GHz下之Df	0.0010
拉伸強度(MPa)	160
拉伸模數(MPa)	8,720
拉伸伸長率(%)	2.12
撓曲強度(MPa)	175
撓曲模數(MPa)	8,926
夏比缺口(KJ/m2 )	52.6
1.8 MPa下之DTUL (℃)	208.1
熔融溫度(℃) (DSC之第1次加熱)	325

實例 14

樣本38至39係由液晶聚合物(LCP 12及LCP 6)及PTFE 1之不同組合形成。使用18 mm單螺桿擠出機執行混合。部件為注射模製成薄片之樣本(60 mm × 60 mm)。

	38	39
LCP 12	75	-
LCP 6	-	75
PTFE 1	25	25

測試樣本38至39之熱及機械特性。下表7中給出結果。表 7

樣本	38	39
介電常數(2 GHz)	3.18	3.17
耗散因子(2 GHz)	0.0010	0.0006
1.8 MPa下之DTUL (℃)	201	306
夏比缺口(kJ/m2 )	54	10
拉伸強度(MPa)	127	-
拉伸模數(MPa)	5,900	-
拉伸伸長率(%)	3.5	-
撓曲強度(MPa)	135	137
撓曲模數(MPa)	7,000	14,000

實例 15

樣本40至41可經擠出成膜以用於印刷電路板。樣本40包含70 wt% LCP 5及30 wt% PTFE 1，且樣本41包含65 wt% LCP 5及35% wt% PTFE 1。測試樣本40至41之熱及機械特性。下文給出結果。

	樣本40	樣本41
10 GHz下之Dk	3.03	2.97
10 GHz下之Df	0.0013	0.0013
熔融黏度(在340℃下1,000 s-1 )	39.0	39.5
拉伸強度(MPa)	141	106
拉伸模數(MPa)	7,028	6,339
拉伸伸長率(%)	3.15	2.43
撓曲強度(MPa)	125	112
撓曲模數(MPa)	7,435	6,832
1.8 MPa下之DTUL (℃)	248.4	246.8
夏比缺口強度(kJ/m2 )	59.2	51.7

本發明之此等及其他修改及變化可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下藉由一般技術者實踐。另外，應理解各種實施例之態樣可整體地或部分地兩者互換。此外，一般技術者應瞭解先前描述僅藉助於實例，且不意欲限制進一步描述於此類所附申請專利範圍中之本發明。

10:RF濾波器封裝/兩層結構/三層層壓物結構 11:膜 12:導電層 14:諧振器元件 18:基板/介電層 20:殼體 24:黏著劑/黏著層 26:通孔 28:內連線 30:I/O襯墊 34:空氣腔室 38:輸入/輸出連接件 100:5G天線系統/三層層狀結構 102:基地台 104:中繼台 106:使用者運算裝置 108:Wi-Fi中繼器 110:MIMO天線陣列/膜 112:射頻信號/導電層 114:仰角 116:方位角 118:電端口 128:基板 140:電子裝置 142:電組件 144:半導體晶粒 146:接觸件 148:導電材料 150:接觸墊/接觸件 152:導電跡線 154:基板/印刷電路板 156:包封材料 158:發射線 160:天線元件 200:天線元件/七層層狀結構 201:核心 202:天線元件 204:箭頭 206:箭頭 210:膜 212:導電層 220:膜 222:導電層 302:天線陣列 304:饋電線 306:側表面 308:基板 400:共面波導天線 402:共面接地層 404:天線元件 406:接地層 408:基板 410:天線元件 412:第二層/基板 500:天線陣列 510:基板 520:天線元件 522:橢圓 540:天線陣列 542:天線元件 544:饋電線 560:天線組態 562:天線元件 564:基板 600:SAW濾波器 602:電端口 604:交錯式金屬數位間轉換器 606:壓電式基板 608:基板 710:BAW濾波器 712:上部金屬層 716:壓電式基板 718:電端口 728:基板 1000:腔室濾波器 1100:殼體 1102:腔室 1104:諧振器元件 1110:外罩 1450:插入區域 2000:按壓部件 L:長度 S₁ :間隔距離 S₂ :間隔距離 w:寬度

本發明之完整及能夠實現之揭示內容，包括其對熟習此項技術者而言之最佳模式，更具體地闡述於本說明書之剩餘部分，包括參考附圖，其中：

圖1描繪5G天線系統之一個實施例；

圖2A說明包括5G天線之實例使用者運算裝置的俯視圖；

圖2B說明圖2A之實例使用者運算裝置的側視圖；

圖3說明圖2A之使用者運算裝置的一部分之放大視圖；

圖4說明可用於5G天線系統中之共面波導天線陣列組態的側視圖；

圖5A說明用於5G天線系統之大規模多輸入多輸出(multiple-in-multiple-out)組態的天線陣列；

圖5B說明所形成的可用於5G天線系統之天線陣列；

圖5C說明可用於5G天線系統之實例天線組態；

圖6為可用於本發明之RF SAW濾波器的一個實施例之示意圖；

圖7為可用於本發明之RF BAW濾波器的一個實施例之示意圖；

圖8為可用於本發明之RF SAW濾波器的另一實施例之示意圖；

圖9為可用於本發明之RF腔室濾波器之一個實施例的示意圖；

圖10為可用於本發明之電路板的一個實施例之示意圖；

圖11為可用於本發明之電路板的另一實施例之示意圖；

圖12為可用於本發明之電路板的又另一實施例之示意圖；及

圖13為可採用電路板之5G系統的一個實施例之示意圖。

100:5G天線系統

102:基地台

104:中繼台

106:使用者運算裝置

108:Wi-Fi中繼器

110:MIMO天線陣列

112:射頻信號

114:仰角

116:方位角

Claims (42)

1. 一種5G系統，其包含至少一種天線元件，該天線元件經組態以發射且接收5G射頻信號；及至少一種電子組件，其中該天線元件、該電子組件或兩者包含包括液晶聚合物之聚合物組合物，該液晶聚合物含有量為約10 mol%或更大之衍生自環烷羥基羧酸及/或二羧酸的重複單元，且進一步其中該聚合物組合物在10 GHz之頻率下展現約5或更小的介電常數及約0.05或更小的耗散因子。
2. 如請求項1之5G系統，其中該聚合物組合物具有約200℃至約400℃之熔融溫度。
3. 如請求項1之5G系統，其中液晶聚合物構成該聚合物組合物之約40 wt%至約99 wt%。
4. 如請求項1之5G系統，其中該液晶聚合物含有衍生自一或多種芳族二羧酸、一或多種芳族羥基羧酸或其組合之重複單元。
5. 如請求項4之5G系統，其中該等芳族羥基羧酸包括4-羥基苯甲酸、6-羥基-2-萘甲酸或其組合。
6. 如請求項4之5G系統，其中該等芳族羥基羧酸包括對苯二甲酸、間苯二甲酸、2,6-萘二甲酸或其組合。
7. 如請求項4之5G系統，其中該液晶聚合物進一步含有衍生自一或多種芳族二醇之重複單元。
8. 如請求項7之5G系統，其中該等芳族二醇包括對苯二酚、4,4'-聯苯酚或其組合。
9. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該液晶聚合物為完全芳族。
10. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約30 mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
11. 如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約50 mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
12. 如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約70 mol%或更大的衍生自6-羥基-2-萘甲酸之重複單元。
13. 如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有莫耳比為約0.1至約40的衍生自6-羥基-2-萘甲酸及4-羥基苯甲酸之重複單元。
14. 如請求項10之5G系統，其中該液晶聚合物含有莫耳比為約1至約5的衍生自6-羥基-2-萘甲酸及4-羥基苯甲酸之重複單元。
15. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該液晶聚合物含有量為約10 mol%或更大的衍生自2,6-萘二甲酸之重複單元。
16. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中根據ISO 62-1:2008浸沒於水中24小時之後，該液晶聚合物展現約0.015%或更小的吸水性。
17. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中根據ISO 62-4:2008在23℃的溫度下暴露於50%相對濕度之後，該液晶聚合物展現約0.01%或更小的吸濕性。
18. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中液晶聚合物構成該組合物之100 wt%。
19. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中添加劑構成該聚合物組合物之約1 wt%至約60 wt%且液晶聚合物構成該聚合物組合物之約40 wt%至約99 wt%。
20. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含纖維性填料。
21. 如請求項20之5G系統，其中該纖維性填料包括玻璃纖維。
22. 如請求項20之5G系統，其中該纖維性填料具有約2或更大的縱橫比。
23. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含微粒填料。
24. 如請求項23之5G系統，其中該微粒填料包括雲母。
25. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含可雷射活化添加劑。
26. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物進一步包含中空無機填料。
27. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物在2 GHz之頻率下展現約1.5至約4之介電常數。
28. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該聚合物組合物在2 GHz之頻率下展現約0.0009或更小之耗散因子。
29. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該天線元件安置於基板上，其中該基板包含該聚合物組合物。
30. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該電子組件為含有安置於導電層上之膜的電路板，其中該膜包含該聚合物組合物。
31. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該電子組件為聲學濾波器，其含有支撐壓電材料之基板及上覆於該壓電材料之殼體，其中該基板、該殼體或兩者含有該聚合物組合物。
32. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該電子組件為腔室濾波器，其包括限定其中容納介電材料之腔室的殼體，其中該殼體含有該聚合物組合物。
33. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該天線元件具有小於約1,500微米之特徵大小。
34. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該等5G射頻信號具有大於約28 GHz之頻率。
35. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其中該至少一種天線元件包含經配置呈天線陣列形式之複數個天線元件。
36. 如請求項35之5G系統，其中該複數個天線元件以小於約1,500微米之間隔距離間隔開。
37. 如請求項35之5G系統，其中該複數個天線元件包含至少16個天線元件。
38. 如請求項35之5G系統，其中該複數個天線元件配置呈柵格形式。
39. 如請求項35之5G系統，其中該天線陣列經組態以用於至少8個發射通道及至少8個接收通道。
40. 如請求項35之5G系統，其中該天線陣列具有每平方公分大於1,000個天線元件之平均天線元件密集度。
41. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其進一步包含基地台，且其中該基地台包含該天線元件。
42. 如請求項1至8中任一項之5G系統，其進一步包含使用者運算裝置或中繼器中之至少一者，且其中該使用者運算裝置或該中繼器基地台中之至少一者包含該天線元件。

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