TW201229691A

TW201229691A - Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device

Info

Publication number: TW201229691A
Application number: TW101105430A
Authority: TW
Inventors: Hiroyuki Nagasaka; Soichi Owa; Yasufumi Nishii
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 2003-02-26
Filing date: 2004-02-26
Publication date: 2012-07-16
Also published as: EP2466621A2; JP5807691B2; JP5807696B2; KR20120063524A; US20190121244A1; KR20150052334A; US7535550B2; KR101169288B1; EP2945016A3; JP4640516B2; JP2015121825A; KR101288767B1; US20070263183A1; US20170371253A1; TW201908879A; CN104678715A; US20070258067A1; HK1214405A1; KR20170143017A; EP3301511A1

Description

201229691 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】 f發明係有關在投影光學系統和基板間形成浸液區域之狀恶下，將圖案曝光於基板上之曝光裝置、曝光方法及元件製造方法。【先前技術】半導體元件或液晶顯示元件，係藉由將光罩上所形成之圖案轉印在感光性基板上之光微影之方法來製造。在該光微影步驟所使用之曝光裝置具有〔支持光軍之光罩載台/ 和支持基板之基板載台，邊逐步移動光罩載台和基板載台 ’邊透過投影光學系統將光罩之圖案轉印於基板上。近年來：為了對應元件圖案之更進一步高積體化，而期望投影光學系統之更高解析度化。投影光學系統之解析度，係所使用之曝光波長越短，且投影光學系統之數值孔徑越大，變成越冑。因a，曝光裝置所使用之曝光波長係逐年短波長化，投影光學系統之數值孔徑也增大。而且，現在主流之曝光波長係KrF準分子雷射之248nm,但更短波長之

ArF準分子雷射之193nm也正實用化。又，當進行曝光之際，與解析度同樣，焦點深度（D〇F)也變成重要。解析度 R、及焦點深度<5能分別用以下之公式來表示。 R=k{xX/NA …⑴ δ =±k2x λ /ΝΑ2 …⑺ 式中，λ係曝光波長，ΝΑ係投影光學系統之數值孔徑，k,、h係處理係數。由（1)式、（2)式可知，為了提高解 201229691 析度R’若縮短曝光波Η來增大數值孔@ NA，則焦點深度5變小。m罙度δ太小，則不易使基板表面血投影光學系統之像面對準，會有曝光動作時裕度不足之虞。因此’就實際縮短曝光波長’且加大焦點深度之方法而古 ’例如’已提案下列專利讀i所揭示之浸液法。該浸液法係用水或有聽劑來填滿投影光學系統之下面與基板表面之間’ $成浸液區域，液體中之曝光用光之波長係用空氣中之η—係液體之折射率，通常為12〜16程度: 提高解析度，並且將焦點深度擴大約n倍。 (專利文獻1) 國際公開第99/49504號小冊子。但疋，在上述習知技術中，存在以下所述之問題。上述習知技術係當把基板邊朝既定方向移動邊掃描曝光之際’在投影光學系統和基板之間，因能形成浸液區域 ’故有效果，關於基板之移動方向，係在光罩之圖案像破投影之投影區域側供應液體之構成，將液體從投影區域 :側沿著基板之移動方向單向流動之構成。並且，從該既定方向’將基板之移動方向切換成相反方向之際，也切換供應液體之位置(嘴部)之構成。但在切換時，係對投影區域急遽停止從單方向供應液體，而開始從另一方向供應液體，故在投影光學系統和基板之間，發生液體之振動二：水錘現象)’在液體供應裝置本身(供應管或供應嘴等)發：振動，產生引起圖案像劣化之問題，χ，因對投影區域，從早向流液體之構成，故在投影光學系統和基板之間，也 201229691 產生不能充分形成浸液區域情形之問題。又，在上述習知技術，由於供回收液體用之回收部只在朝該基板之移動方向流動之液體之下流側回收液體之構成，故也產生不能充分回收液體之問題。若不能充分回收液體，則液體會殘留在基板上，產生因該殘留之液體而產生曝先不均之虞。又，若不能完全回收液體，殘留之液體就會飛散到周邊之機械元件，而產生生錄等不良情形。並且’若殘留液體飛散等’則會使基板所處之環境（遂度變動，引起使用於載台位置測量之光干涉計之檢測光之光 2上折射率之變化，因此，也會產生不能得到所欲之圖宰轉印精度之虞。又，在上述習知技術，係按照基板移動方向之切換，不：切換回收液體之位置(嘴部)，而且，藉由液體回收嘴 *口收基板上之液體之際，在液體回收裝置本身(回收或回收嘴等)，可能發生振動。若該振動傳達至投影光學手統、基板載台、或用來測量基板載台位置之干涉二構件等，則在基板上會有無法精度佳地形成電路圖案二【發明内容】本發明有鑑於此，其目的在於提供_種曝光裝置、曝 -方法及7C件製造方法’在投影光學系統和基板之浸液區域之狀態下進行曝光處理之際，能穩定形成= 1，並且能良好地回收該液體，能防止液體向周邊：出；版散等，能精度佳地進行曝光 5 及主又本發明之目的在 201229691 於提供一種曝光裝置、及元件製造方法，在投影光學系統和基板之間形成浸液區域之狀態下進行曝光處理之際，不會受到液體供應或回收之際所產生之振動之影響，能精度佳地進行曝光處理。為了解決上述問題，本發明係採用實施形態所示之對應於第1圖〜第21圖之以下構成。但是，各要件所附之括弧符號只不過係該要件之例示，並無限定各要件之意圖〇依本發明之第1形態，係提供一種曝光裝置ΕΧ，透過液體（1)將既定圖案像投影於基板（Ρ)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統（PL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構（10、11、12、13、13Α、14、14Α)，在投影區域（AR1)之複數個不同方向上之複數個位置，同時進仃供應液體（1)於基板（Ρ)上，俾在包含投影光學系統（pL) 之投影區域（AR1)之基板（ρ)上之一部份形成浸液區域（AR2) 〇依本發明，用來形成浸液區域之液體供應機構，由於係在投影區域之複數個不同方向上之複數個位置（即，從投影區域之不同複數側，例如，若是矩形之投影區域，則從 X側、一X側、+Y侧' —γ側之至少二側），同時進行液體供應’ &在投影光學系統和基板之間能形成所欲之浸液區域。又，由於在複數個方向上之複數個位置同時進行液體供應，故邊移動基板邊進行曝光處理之際，即使改變基 201229691 板之移動t a , 〜々向，也能經常良好地形成浸液區域。若在投影品或兩側同時供應液體，因不需切換液體供應位置，故能防止液體令把乂振動（水錘現象）之發生，能將圖案像精度佳地投影於基板上。依本發明之第2形態，係提供一種曝光裝置（EX)，透過液體(1)將既定圖案像投影於基板(p)上，藉此將基板曝光’其具備：杈影光學系統（PL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構（10、u、12、13、13A、14、14A)，將（1)供應於基板（P)上，俾在包含投影光學系統（pL)之投衫區域AR1之基板上之一部份形成浸液區域（AR2);以及液體回收機構（20、21、22、22A)，在該投影區域 (AR1)之複數個不同方向上之複數個位置，同時進行該基板（P)上之液體（1)之回收。依本發明，用來回收液體之液體回收機構，由於係在投影區域之複數個不同方向上之複數個位置（即，從不同投影區域之複數側，例如，若是矩形之投影區域，則從χ側 X側+ υ側、~ γ側之至少二側），同時進行液體回收，故能確實進行液體回收。因此，能防止液體殘留於基板上之狀態產纟’能防止曝光不均之產生、及基板所處之環境變冑，能將圖f像精度佳地投影於基板上。依本發明之第3形態過液體（1)將既定圖案像投光，其具備： ’係提供一種曝光裝置（EX)，影於基板（P)上，藉此將基板透曝 201229691 投影光學系統（pL)，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構（10、11、12、13、13A、14、14A)，將液體（1)供應於基板（P)上，俾在包含投影光學系統（PL)之投影區域（AR1)之基板（P)上之一部份形成浸液區域（AR2);以及液體回收機構（20、21 個位置’同時進行該基板P上之液體1之回收；液體回收機構（20、21 ' 22、22A、22D、24)係利用依液體回收位置而不同之回收力來回收液體。依本發明’在基板上之複數個位置同時進行液體回收之液體回收機構，由於係利用依液體回收位置而不同之回收力來回收液體，故能圓滑地進行液體回收動作。因此，月匕用適里之液體來填滿投影光學系統和基板之間，在基板 t之所欲區域内能形成浸液區域。例如，關於基板之移動（ V =)方向，將刖方侧（下流側）之液體回收力設成較後方側（側）為大，藉此能圓滑地進行液體回收動作。或將沿著基板之移動（掃描）方向之位置配置之液體回收機構之液體 ° 11又成轨沿著與移動方向相交的方向之位置配置之秘—°收機構之液體回收力為大，藉此也能圓滑地進行液體回收動作。依本發明之第4 第升八L ’係提供一種曝光裝置（EX)，透 ::⑴將既定圖案像投影於基板(p)上藉此將基板曝先’其具備：。光予系統(PL) ’用以將該圖案像投影於基板上； 201229691 液體供應機構（10、11' 12、13、13A、14、14A)，將液體（1)供應於基板（P)上，俾在包含投影光學系統（pL)之投影區域（AR1)之基板（P)上之一部份形成浸液區域（AR2); 液體回收機構（20、21、22、22A)，在離投影區域 (AR1)之回收位置，進行該基板（p)上之液體（1)的回收；以及捕集構件（30)，對該投影區域（AR1)配置於該液體回收機構（20、21、22、22A)之液體回收位置外側，且形成液體捕集面（3 1) ’以捕集液體（i)。依本叙明，在採用液體回收機構之液體回收位置外側設置捕集構件（形成有用以捕集液體之既定長度之液體捕集面），藉此，假如即使用液體回收機構也不能完全回收液體、則藉由忒捕集構件來捕集液體，能防止液體向周圍流出或飛散等^良情況之發生。因此’能防止基板所處環境變動之發生’能以所欲之圖案精度將圖案像投影於基板上。依本土明之第5形態’係提供一種曝光裝置（Εχ)，透過液體⑴將既定圖案像投影於基板（ρ)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統（PL)，用以將該圖案像投影於基板（Ρ)上液體供應機構（1 〇、液體1供應於基板（ρ)上影區域（AR1)之基板（ρ)上及 1 1、12、13、13A、14、14A)，將俾在包含投影光學系統（PL)之投之一部份形成浸液區域（AR2);以 201229691 液體回收機構（20、21、22、22A)，從離投影區域 (AR1)之回收位置’進行基板（p)上之液體（丨）之回收；液體供應機構（10、11、12、13、13A、14、14A)之液體⑴之供應，係在液體回收機構（20、21、22、22A)之液體回收位置與投影區域（AR1)之間進行。依本發明，由於液體供應機構之液體供應係在液體回收機構之液體回收位置與投影區域之間進行，故液體能圓滑地供應給投影區域，並且，所供應之液體能從基板上圓滑地回收。依本發明之第6形態，係提供一種曝光方法，透過液體（1)將既定圖案像藉由投影光學系統（PL)投影於基板上 ’藉此將基板曝光，其包含以下步驟：

成浸液區域（AR2);

像投影於基板（P)上。

之圖案精度來形成圖案，可提供能發揮所欲性能具有以良好之元件。 201229691 依本發明之第7形態，係提供一種曝光裝置（Εχ),透過液體⑴將既定圖案像投影於基板（P)上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統（PL)，用以將該圖案像投影於基板（p)上液m供應機構（10、丨丨、12、q，具有將液體⑴ i、應於基板（P)上之供應流路（94A、95A、94B、95B);以及液體回收機構（2〇、61、62、63、64、71、72、73、 74) ’具有回收所供應的液體回收流路、％ A、 99A、96B、97B、98B、99B、96T、97T、98T、99T); 該供應流路和回收流路之至少一方，係形成於複數個板狀構件（91、92、93)所積層之積層構件中。在浸液曝光，雖將均勻之液體流供應於浸液區域，而且必須從3亥處進行回文，但具備本發明之曝光裝置之積層構件’㈣分別形成流路之複數個板狀構件，以連通這 -L路且刀別形成供應流路和回收流路之至少一方的方式來積層形成。因此’即使係複雜之流路構造，也極容易小型化，而且能以低成本來形成。依本發明之第過液體（1)將既定圖光’其具備： 8形態，係提供一種曝光裝置（Εχ)，透案像投影於基板（P)上，藉此將基板曝用以將該圖案像投影於基板（P)上投影光學系統（PL)， ;以及 201229691 液體供應機構（ίο)，將液體（丨）供應於基板（p)上俾在包含投影光學系統（PL)之投影區域（AR1)之基板（p)上之一部份形成浸液區域（AR2); 液體供應機構（10)與投影光學系統（1〇)係形成振動分離。依第8形態之曝光裝置，由於投影光學系統和液體供應機構係形成振動分離，故在液體供應機構即使發生振動，該振動也不會傳達至投影光學系統。因此，能防止因投影光學系統之振動而產生圖案像劣化之不良情況，能將^ 案像精度佳地地投影於基板上。曝光裝置進一步具備支持投影光學系統（pL)之第i支持構件⑽）、及與第丨支持構件（⑽)形成振動分離且支持液體供應機構⑽之帛2支持構件（1〇2)。依該構造因支持投影光學系統之第1支持構件與支持液體供應機構之第 2支持構件形成振動分離，故在液體供應機構所發生之振動不會傳達至投影光學系統。又，例如，將用來測量基板載置台之位置資訊之干涉計安裝於第1支持構件，將基準鏡（固定鏡）安裝於投影光學系統的鏡筒，藉此因振動不傳達於故些干涉計或基準鏡，故根據基板載台之位置資料之測量及該測量結果，能精度佳地進行位置控制。依本發明之第9形態，係提供一種曝光裝置(Εχ)，透過液體⑴將既定圖案像投影於基板⑻上，藉此將基板曝光，其具備：投影光學系統（PL)，用以將該圖案像投影於基板（p)上 :以及 12 201229691 液體回收機構⑽，用以回收包含投影光之投影區域㈣之基板(P)上之一部份所供應之液體) 液體回收機構20與投影光學系統托媸（。保心成振動分離依本發明之第9形態之曝光裝置，因投影液體回收機構形成振動分離，故即使干系洗矛振私4 1 尺在液體回收機構發生振動，该振動也不會傳達至投影光學系統。因此，& 因投影光學系統之振動而產生圖案此防止脾岡安你1匕之不良情況，能將圖案像精度佳地地投影於基板上。第9形態之曝光裝置（Εχ)係進—步具備支持系統（PL)之第i支持構件（1〇〇)、及 y干乐1支持構件100形成振動为離且支持液體回收機構（2〇)之$ 2支持構⑧叫。依該構成，因支持投影光學系統之帛丨支持構件盘支持液體回收機構之第2支持構件形成振動分離，故在液體回收機構所發生之振動不會傳達至投影光學系統。又，例如，將用來測量基板載台之位置資訊之干涉計係安裝於第【支持構件，將基準鏡（固定鏡）安裝於投影光學系統之鏡筒 ’藉此因振動不傳達至這些干涉計或基準@，故根據基板載台之位置資料之測量及該測量結果，能精度佳地進行位置控制。依本發明之第1 〇形態，係提供一種曝光裝置（Εχ)，透過液體（1 )將既定圖案像投影於基板（ρ)上，將基板上之複數個照射區域依序進行曝光，其具備：投影光學系統（PL)，用以將該圖案像投影於基板上； 13 201229691 液體供應機構。。…、^、…，從與該基板呈對向配置之供應嘴⑴A、14A)供應液體，俾在包含投影光學系統之投影區域的基板上之一部份形成浸液區域，；該液體供應機構係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間，從該供應嘴持續供應液體。依本發明之第10形態之曝光裝置，因在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間，不按照基板之移動方向等’而從配置於既定位置之供應嘴持續供應液體，故能防止液體供應機構本身之振動和液體之振動（水錘現象） ’能將圖案像精度佳地投影於基板上。依本發月之第11形態，係提供一種曝光裝置（EX)，透過液體⑴將既定圖案像投影於基板（p)上，將基板上之複數個照射區域依序進行曝光，其具備：投影光學系統（PL)，用以將該圖案像投影於基板⑺上液體供應機構（10、U、12、13、14)，從配置於既定位置之供應嘴(13A、14A)供應液體’俾在包含投影光學系統之投影區域的基板上之一部份形成浸液區域；以及液體回«構（2〇、21'22)，具有與該基板呈對向配置之回m2A，以回收從該液體供應機構所供應之液體 > 該液體回收機構係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間，從該回收嘴持續回收液體。依本發明之第U形態之曝光裝置，則不按照基板之 201229691 移動方向等，& 液體，回收之停二收嘴持續回收液體，故能更確實回收 H τ或開始時所帶來之振動受到控制，能將圖案像精度佳地投影於基板上。 -將 $ $之疋件製造方法，其特徵在於，係使用上述步態之曝光裝置（ΕΧ)來制、主分… 江也 ώ )采衣梃。依本發明，具有以良好之圖牵 W彡成之圖案’可提供能發揮賴性能之元件。本《明，在投影光學系統和基板之間形成浸液區域理也下，在進行曝光處理之際也能精度佳地進行曝光處【實施方式】以下’針對本發明之#光裝置，邊參照圖式邊加以說明。第1圖係表示本發明曝光裝置之一實施形態之成圖。再在第1圖中，曝光裝置Εχ係具備：支持光罩Μ之光罩載口 MST ’支持基板ρ之基板載台pST ;照明光學系統 IL，以曝光用光EL來照明支持於光罩載台MST之光罩m ，投影光學系統PL，將被曝光用光EL所照明之光罩m之圖案像投影曝光於基板載台PST所支持之基板p上；以及控制裝置CONT，統合控制曝光裝置Εχ全體之動作。又，本實施形態之曝光裝置ΕΧ係實質上縮短曝光波長來提高解析度，並且’為了擴大焦點深度，^用浸液法之次液曝光裝置具備··液體供應機構丨〇，其係將液體丨供應於基板P上；及液體回收機構20,其係回收基板p上之液體1。曝光裝置EX係在至少將光罩M之圖案像轉印於 15 201229691 基板p上期間，藉由從液體供應機構1 〇所供應之液體i，在包含投影光學系統PL之投影區域AR1之基板p上之一部份形成浸液區域AR2。具體而言，曝光裝置Εχ係在投影光學系統PL之前端部之光學元件2和基板ρ之表面間填滿液體卜透過該投影光學系統PL和基板ρ間之液體i 及投影光學系統PL，將光罩M之圖案像投影於基板ρ上，而將基板P曝光。此處’本實施形態係針對曝光裝置EX，邊將光罩m 和基板P朝掃描方向彼此不同的方向（反方向）同步移動，邊將形成於光罩Μ之圖案曝光於基板ρ之掃描型曝光裝置 (所謂掃描步進機)為例加以說明。在以下之說明中，把與投影光學系統PL之光車由ΑΧ 一致方向當作ζ軸方向在與Ζ軸方向垂直之平面内把光罩Μ和基板ρ之同步移動方向(掃描方向)當作X轴方向’與ζ軸方向及γ軸方向垂直之方向(非掃描方向)當作Υ軸方向…分別把環繞乂軸 'Υ軸、Ζ轴的方向當作θχ、ΘΥ^Ζ方向。又，此處所謂之「基板」係包含將感光性材料之光阻塗布於半導: 晶圓上者’ 「光罩」係包含在基板上縮小投影之標線; 成有元件圖案）。照明光學系統IL係以曝来用伞Ρτ Α 曝光用先EL來照明支持於光罩載台MST之光罩Μ者，具有：曝井曝九用先源、光學積分器（用以將從曝光用光源射出之光束照度 & j』化）、聚光透鏡（將來自光學積分器之曝光用光EL帮伞）, 尤L #先）、中繼透鏡系統、可變視野光圈（將藉曝光用光EL之光星M l 尤卓Μ上之照明區域設 16 201229691 定成狹縫狀）。光罩M上既定之照明區域係藉由照明光學系統IL，以均勻之照度分布之曝光用光EL來進行照明。就從照明光學系統IL所射出之曝光用光EL而言，例如，使用從水銀燈所射出之紫外線域之輝線（g線、h線、丨線）及KrF準刀子雷射光（波長248nm等遠紫外線光（Du、光）、或—準分子雷射光（波I 193疆）及F2雷射光（波長 157叫等之真空紫外光（彻光）等。在本實施形態中係使用ArF準分子雷射光。光罩載台MST係支持光罩M者，在與投影光學系統 PL之光軸AX垂直之平面内’即在XY平面内能2維移動及微小旋轉於θ Z方向。光罩載台MST係藉由線性馬達等光罩載台驅動裝置MSTD來驅動。光罩載台驅動裝置 MSTD係藉由控制裝置c〇NT來控制。在光罩載台膽上，設置移動鏡5 0。又，λ血较如& <、移動鏡50對向之位置設置雷料載台MST上之料Μ之2維方向位置、及方疋轉角，係藉由雷射千味斗c,扣 #<51帛即時來測量，測量 :二:出至控，c〇NT。控制裝置。_係依據雷 —V。51之測罝結果來驅動光罩載台驅動裝置MSTD，猎此進行支持於光罩載台㈣之光罩河之定位。投影光學系統PL，係以 — 疋之投影倍率石將光罩Μ 之圖案技影曝光於基板ρ上，姐^级且以包含設置於基板Ρ側前鈿邛之先學元件（透鏡）2之光學元件係以鏡筒ΡΚ來支持：：學爾構成，這些 ^ ^ ρτ 又待。在本實施形態中，投影光予系統PL之投影倍率万，例如，係之縮小系統 17 201229691 又，投影光學系統PL即使等倍系統或放大系統中之任一系統皆可。又，本實施形態之投影光學系統PL之前端部之光學元件2係對鏡筒PK設置成能裝卸（更換），光學元件2係與浸液區域AR2之液體1接觸。光學元件2係由螢石所形成。因螢石與水之親和性高 ’故能使液體1密合於光學元件2之液體接觸面2a之大致全面。即，在本實施形態中，因供應與光學元件2之液體接觸面2a之親和性高的液體（水）丨，故光學元件2之液體接觸面2a和液體1之密合性高，能以液體丨確實填滿光學元件2和基板p間之光路。又，光學元件2亦可為與水親和性高之石英。又，也可在光學元件2之液體接觸面施以親水化（親液化）之處理，來更提高與液體丨之親和性。基板載台PST係支持基板P，具備：透過基板保持具支持基板p之z載台w、支持z載台52之\丫載台53、支持XY載台53之基座54。基板載台psT係藉由線性馬達等基板載台驅動裝置PSTD來加以驅動。基板載台驅動裝置PSTD係藉由控制裝置c〇NT來進行控制。驅動z載台52,藉此來控制保持於z載台52之基板轴方向之位置（聚焦位置）、及0又、0 Y方向之位置。又，驅動載台53，藉此控制基板 ^ ^ 攸[之ΧΥ方向之位置（與投影光予糸統PL之像面實質平弁沾+丄 ^ 货負十仃的方向之位置）。即，z載A 52 係控制基板p之聚焦位置 ° 白t^T+二及傾斜角，利用自動聚焦方式及自動调平方式，將基板ρ .^ 之表面與投影光學系統PI^之像 •準，Υ載台53係進行基板P之：X舳t ^ 钗P之X軸方向及Y軸方 18 201229691 . 向之定位。又，當然也能一體性地設定z載台和χγ載台〇在基板载台PST(Z載台52)上，設置與基板載台psT 一起相對於投影光學系統PL移動之移動鏡55。又，在與移動鏡55對向之位置，設置雷射干涉計％。基板載台 PST上之基板p之2維方向位置及旋轉角係藉由雷射干涉計56,以即時（real time)來進行測量，測量結果係輸出至控制裝置CONT。控制裝置C0NT係依據雷射干涉計％之測里結果’來驅動基板載台驅動裝置pSTD，藉此進行支持於基板載台PST之基板p之定位。又，在基板載台PST(Z載台52)上，設置輔助板輔助板57係具有與保持於基板保持具之基板p表面大致相同高度之平面。此處’在基板P之邊緣和輔助板57之間，雖有0.1〜2mm程度之間隙，但由於液體丨之表面張力液體1成乎不會流入該間隙，當把基板P之周緣附近進行曝光時，也藉由辅助板57將液體1保持於投影光學系統統PL之下。液體供應機構丨〇係將既定之液體丨供應於基板p上具備.第1液體供應部丨丨及第2液體供應部12，能供 I液租1 ’第1供應構件13，係具有供應嘴13 A，透過具有流路之供應管11A連接於第1液體供應部u，將從該第 1液體供應部11所送出之液體1供應於基板P上；及第2 4 C構件14係具有供應嘴14 A，透過具有流路之供應管連接於第2液體供應部12，將從該第2液體供應部} 2 19 201229691 所送出之液體1供應於基板P上。第1、第2供應構件13 、14係近接於基板P表面，設置於在基板p之面方向彼此不同之位置。具體而言，液體供應機構之第1供應構件1 3係設置於對投影區域AR1之掃描方向一方側（—X側） ’第2供應構件14係設置於掃描方向之另一側（+ χ側）。各第1、第2液體供應部1 1、12係具備收容液體1之槽及加壓泵等，透過各供應管11Α、12Α及供應構件13、 14，將液體丨供應於基板Ρ上。又，第丨、第2液體供應部11、12之液體供應動作係藉由控制裝置CONT來進行控制，控制裝置CONT係藉由第丨、第2液體供應部u、 12此分別獨立控制對基板p上之每單位時間之液體供應量。在本實施形態中，液體1係使用純水。純水不僅能使 ArF準分子雷射光透過，例如，也能使從水銀燈射出之紫外線域之輝線（g線、h線、i線）及KrF準分子雷射光（波長 248nm)等遠紫外光（Duv光）透過。液體回收機構20係回收基板p上之液體丨者，具備回收構件22，其係具有回收嘴22A，回收嘴22A係近接於^板P表面；及液體回收部21，其係透過具有流路之回收& 2 1A連接於該回收構件22。液體回收部2 1，例如，

L回收管 "引裝置、及收容所回收的液體1之槽；來進灯控制’控制裝置⑽Τ係藉由液體回收部21，能控

、回收官21Α，來回收基板Ρ上之液體1 之液體回收動作係藉由控制裝置CONT 制每單位時間之液體 20 201229691 、又，在液體回收機構20之回收構件22外側，配置形成有供捕集液體1之之既疋長度之液體捕集面31之捕集構件30。第2圖係表示液體供應機構10及液體回收機構2〇之概略構成的俯視圖，第&主- 弟·3圖係表不部分截面所示之立體圖々第2圖所不，投影光學系統PL·之投影區域AR1係將Y轴方向（非掃描方向）當作長邊方向設定為矩形狀，填滿液體1之浸液區域AR2係以包含投影區$術的方式 =成，基板P之-部份。並且，用來形成投影區域趣之浸液區域AR2之液體供應機構10之第1供應構件13係對 U域AR1設置於掃描方向—方側（_ χ側），第2供應構件14係設置於掃描方向另一側（+ χ側卜如第2圖及第3圖所示，帛i、第2供應構们3、14 係分別具有内部空間（内部流路）i3H、，係流通從第工、第2液體供應部u、12所送出之液體ι ;及供應嘴w 、14A’其係將流通内部空間ΠΗ、MH之液冑1供應於基板P上。又，在第3 ®中’第2液體供應部12雖未圖示，但構造係與第i液體供應部η相同。帛丄、第2供應構件13、14之供應嘴13A、14A係分別形成俯視大致圓弧狀’在該供應嘴13A、14A《γ軸方向之大小，係設成至少較投影區域AR1 ( γ軸方向之大小為大。而且，形成俯視大致圓弧狀之供應嘴13A、14A係對掃描方向(X方向 )’配置成隔著投影區域AR1。液體供應機構1〇係從供應 21 201229691 嘴13A、14A，在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置，即，從矩形之投影區域AR1之不同側（此例^ 係指投影區域AR1兩側（+ X方向側、—X方向側）），同時供應液體1。液體回收機構20之回收構件22係雙重環狀構件，具有：回收嘴22A’其係朝基p之表面，狀連續性地形成；及環狀内部空間（内部流路）22H，其係流通從回收嘴 22A所回收之液體i。液體回收機構2〇之回收構件係配置成圍繞液體回收機構10之供應構件13、丨4及投影區域规。並且，在回收構件22内部，沿周方向將空間22H分割為複數個空間（分割空間）24之隔離構件㈤離物）23係以既定間隔來設定1，成為在為了圍繞投影領域術連續性地形成之回收嘴以内部，設置隔離構件23之構成。分別被隔離構件23所分割之分割空間24 係朝上下方向貫穿。並且，在回收構彳22之中具有回收嘴22A之下端部係近接於基板p表面，$ 一方面，上端部係f為空間性地集合複數個分割空24之集合空間部之歧S 25。並且，在該歧管部25連接回收管21A之-端部’另—端部係連接於液體回收部21。液體回收機構 2〇係驅動液體回收部21 ’藉此透過回收嘴以（回收構件 22)及回收管21Α來回收基板ρ上之液體卜_，回收嘴 22Α之設置位置係進行基板ρ上之液體工的回收之回收位置，液體回收機構20係在離投影區$ ari之回收位置進行基板P上之液體1之回收。此處，液體回收機構20之 22 201229691 回收嘴22A係俯視大致圓環狀，成為圍繞投影區域ari 之構成。即，回收嘴22A係位於矩形投影區域AR1之4 側（+ X方向側、一X方向側、+ Y方向側、—γ方向側），換言之，位於離與投影區域AR1正交之4個方向之4個位置。因此，液體回收機構20係從以圍繞投影區域AR1的方式而設置之回收嘴22A ’在離投影領域AR1之複數個不同方向之複數個位置，能同時進行基板p上之液體丨之回收。又，液體供應機構10之第1、第2供應構件13、14 之各供應嘴13A、14A之設置位置，即，對基板p上之液體1之供應位置係設置於液體回收位置（回收嘴22A之位置）和投影區域AR1之間之構成，即，藉由液體供應機構 10之液體1之供應，係在液體回收機構2〇之液體回收位置和投影領域AR1之間來進行。第4圖係表示與基板P近接配置之第1、第2供應構件13、14及回收構件22之要部放大側截面圖。如第4圖所示，液體供應機構1〇之第丨、第2供應構件13、丨4之各之内部流路13H、14H係對基板p之表面大致垂直設置同樣地液體回收機構2 0之回收構件2 2之内部流路 22H(分割空間24)亦對基板p之表面大致垂直設置。並且藉由第1、第2供應構件13、14對基板p之液體丨之供應位置（供應嘴13A、14A之設置位置），係設置於液體回收機構2〇之液體回收位置（回收嘴22 A之設置位置）和投影區域ARl之間。又，投影光學系統pL和第i、第2供應 23 201229691 構件13、14係只相隔既定距離，並且，回收構件22和第 1、第2供應構件13、14也只相隔既定距離。又，本實施形態’基板P表面和供應嘴13A、14A之距離、基板P表面和回收嘴22A之距離、以及基板p表面和投影光學系統 PL下i而面之距離係大致相同。換言之，供應嘴（1 3 a、1 * A) 、回收嘴22A、及投影光學系統p]L之下端面各z軸方向之位置（高度）係相同。

第2供應構件1 3、14之供應嘴1 3 A 並且，從第 14 A，在基板p，從對基板面大致垂直方向所供應之液體1 係以使投影光學系統PL之前端部（光學元件2)之下端面和基板P之間擴大潤座的方式來供應。又，對投影區域錢上 ’從供應構件1 3、14外側所流出之液體（，係以較供應構件13、14對投影區域如更靠外側之回收構件22之回收嘴22A，從與基板面大致垂直方向進行回收(吸弓"。此處，構成液體供應機構1〇及液體回收機構20之各構件中至少流通液冑i之構件，例如，係由聚四敗化乙烯等，成樹月曰所形成β II此，能抑制液冑丄中所含之雜質。在液體回收機構2〇之回收構# Μ巾，於投影區域 AR1外側設置捕車摇彼。Λ t 果構件30’形成有既定長度之液體捕集面 3 1以捕集液體回收機错^ Λ ^ 枝構20之回收構件22不能完全回收之液體1。捕集構件m总—a* 千30係女裝於回收構件22之外側面。液體捕集面31係在捕隼爐果構件3 0中朝基板p側之面（即下面） ’如第4圖所示，料士亚土 β 對水千面傾斜。具體而言，捕集面31 係呈愈朝投影區域Ar 「

(/S1液區域AR2)外側，愈與基板P 24 201229691 之表面遠離（如向上般）地傾斜。捕集構件3 銹鋼等金屬所形成。 ί ^係由不如第2圖所示，捕集構件合於回收構件22的方六、、… 域蝓狀構件，以嵌再干接㈣收構件22之外且，捕集構件30之捕集面3 亚區域錢2)的方式配置，太ί 技影區域咖（浸液式置本貰施形態之捕集構件30及其下之捕集面31係成為俯視大致橢圓形狀 3〇之捕集面31係以投妒先埤糸# ρτ Ρ捕市構件先學糸統PL之光軸ΑΧ為基準，幸田射方向之長度係按照其位置而不同般設置。本，掃描方向（X軸方向）之捕隼 n /悲 (Y站方W且長度係較非掃描方向 =軸方向）為長。更具體而言，對應投影區域AR1之Y轴 °央部位置之捕集面31之長度為最長β 在捕集面3卜施以提高與液體… 理（親水化處理）。在本者扩# $ φ m 之親液化處在本貝細形態中，因液體1係水，故在 :集面3丨施以對應於液體i之親和性之表面處理… 基板P之表面1布撥水性（接觸角7G〜8G。程度）之⑽ >刀子雷射用之感光材料（例如，東京應化工業股司製™-P61。。)，對應捕集面31之液體k ::: 係較對基板P表面之液體i之液體親和性為高。親和性對捕集面31之表面處理係按照液體i之極性 :親ί貫施形態彻1係極性大之水，故對捕集面31 ' 化處理而έ ，例如，用乙醇等極性大之八+ Μ 質爽报士、时寸4汪九之乂子構造物、/成溥膜，精此，對該捕集自31冑予親水性 ’對捕集© 3卜例如使用氧氣㈣來作為處理氣體= S& 25 201229691 藉由施以電漿處理之〇2電漿處理來賦予親水性。因此，也使用水來作為液體丨之情形，較佳係將捕集面3丨具有· 基專極性大的分子構造者配置於表面之處理。此處，用表面處理之薄膜係對液體1，由非溶解性之材料所形成Λ。又’親液化處理係按照所使用之液體1之材料特性，適也變更該處理條件。 $ 其次’針對使用上述曝光裝置ΕΧ，將光罩Μ之圖案像曝光於基板ρ之方法加以說明。此處’在實施形態之曝光裝置ΕΧ係將光罩Μ和基板 Ρ邊沿X軸方向（掃描方向）移動邊將光罩Μ之圖案像進行投影曝光於基板Ρ者，掃描曝光時，在投影光學系統之前端部下方矩形狀之投影區域AR1，投影光罩Μ之—部份之圖案像，對投影光學系統pL，光罩Μ係朝—χ方向（或+ Χ方向）以速度v同步移動，透過χγ載台53，基板ρ 係朝+ X方向（或—X方向）以速度召· V(冷係投影倍率）移動。並且，如第5圖之俯視圖所示，在基板ρ上，設定複數個照射區域S丨〜s i 2，在朝丨個照射區域進行曝光完成後，藉由基板P之步進移動使下一照射區域移動至掃描開始位置，以下，用步進掃描方式邊移動基板p邊對各照射區域依序進行掃描曝光處理。又，本實施形態，控制裝置 CONT之投影光學系統p]L之光軸Αχ係沿著第5圖之虛線 5 _貝58刖進，邊監控雷射干涉計56之輸出，邊移動載台53者。首先，光罩Μ係載置於光罩載台MST，而且，基板ρ 26 201229691 係載置於基板載台PST(參照第i圖）。其次’當進行曝光處理之際，控制裝置C0NT係驅動液體供應機構1〇，開始對基板p上之液體供應動作。為了形成浸液區域ar2，從液體供應機構10之第丨、第2液體供應部丨i、12分別供應之液體1係流通供應管1 1A、12 A後，透過第i、第2 供應構件U、14供應於基板p上’在投影光學系統扎和基板P之間形成浸液區域AR2。此處，如第4圖所示，流 :供應管11A、12A之液體i係在供應構件13、14之内部流路13H、14H之寬度方向擴散’從供應嘴Μ、μ，供應於基板p上之廣範圍。此時，供應冑13a、Μ係配置於技衫區域AR1之X軸方向（掃描方向）兩側，控制裝置 C〇NT係從液體供應機構1〇之供應嘴13八、“A，從投影區域AIU兩側朝基板p上同時進行液體i之供應。” 匕液體供應機構1G係從設置於投影區域ari兩側之供心匕A 14A，即’在投影區域AR1之複數個不同方向（ ^方向、-X方向）上之複數個位置同時供應液體丄。藉 :從供應嘴13A、14A供應於基板P上之液體i係至少以較技影區域AR1為廣之範圍來形成浸液區域AM。 2實施形態中，當從投影區域ARl之掃描方向兩側対&板P供應液體1之際，供應機構10之第〗、M 0NT係控制液體動作 2液體供應部1 1、12之液體供應動作’關於掃描方向，係設定旦/ I „ '、D 足杈衫區域AIU之前所供應量為：之液體供應量較其相反側所供應之液體供應里為夕。例如’當邊將基板P向向移動邊進行曝光 27 201229691 處理之情形，控制裝置CONT係對投影區域AR1使來自— X側（即供應嘴丨3A)之液體量較來自+χ側（即供應嘴14A) 之液體量為多，另一方面’當邊將基板p向—乂方向移動邊進行曝光處理之情形，係對投影區域AR1使來自+χ側之液體量較來自—X側之液體量為多。又，控制裝置CONT係驅動液體回收機構2〇之液體回收部2卜與液體供應機構1〇之液體1之供應動作並行々’進行基板Ρ上之液體回收動作。藉此，如第4圖所示，從供應嘴13Α、14Α，對投影區域AR1流向外側之基板ρ 上之液體1係從回收嘴22A進行回收。從回收嘴22八所回收之液體1係流通被隔離構件23所隔離之各分割空間Μ 後，：合於歧管部25。集合於歧管部25之液體丨係通過 :收管2丨八，回收於液體回收部21。因此，本實施形態係 2備對1個液體回收部21，連接複數個分割空間24之構造。並且，液體回收機構20係以圍繞投影區域ARi的方式設置之回收嘴22A，在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置，即，從矩形之投影區域AR1之4側（+乂 :向側、—x方向側、+ Y方向側、-Y方向側)，同時進订基板Ρ上液體1之回收。控制裝置CONT係藉由液體供應機構1〇及液體回收 *構20 ’與對基板Ρ表面之液體1之供應並行，邊進行基二Ρ上之液體i之回收，邊將支持基板ρ之基板載台ρ二軸方向（掃描方向）移動，且透過投影光學系统pL和土反P間之液11 1及投影光學系統PL，將光罩Μ之圖案 28 201229691 像投影曝光於基板p上。此時，液體供應機構1〇係相對於掃描方向’從投影區域AR1兩側透過供應嘴13 A、14A 同時進行液體1之供應，故浸液區域AR2能均勻且良好地形成。又’液體回收機構20係透過圍繞投影區域Ari之回收構件22之回收嘴22A，在包含投影區域AR1之掃描方向兩側之投景夕區域1周圍之複數位置，同時進行液體 1之回收，故能防止液體丨向基板p周圍流出或飛散。又，在本實施形態中，因供應與基板p表面之感光材料之親和性低的純水來作為液體1，故能藉由液體回收機構20圓滑地進行回收。第6(a)圖係表示邊將基板p向+ χ方向移動邊將設置於基板Ρ上之第1照射區域（例如，第5圖之s 1、S3等）進行曝光處理之際，液豸1之流動示意圖。在第6⑷圖中，對投影光學系統PL和基板Ρ間之空間，從供應嘴13Α 、“Α同時供應液體卜藉此以含有投影區域術的方式形成浸液區域AR2。此處，對投影區$ ari，從設置於— X側之供應嘴13A所供應之液體丨每單位時間之液體量，，設為較從設置於+ x側之供應嘴14A所供應之液體U 早位時間之液體量為多，故從供應嘴13八所供應之液體1 :被拉伸至朝+X方向移動之基，圓滑地配置於投影光學糸統PL和基板ρ Μ 2 & π '

^ L 土板P間之工間。又，從供應嘴13A、14A 向外側流出之液體i係從回收 « Ώ 進仃回收，能抑制向基板p周圍流出之不良情況的發生。此處，基板p向…向移動，藉此，對投影區域 29 201229691 ARl ’向+ X側移動之液體量增加，在+ χ側，設置液體回收位置之回收嘴22 Α會有無法全部回收液體【的情形。但是’如第6(a)圖所示’無法以+ X側之回收嘴22 a完全回收之液體1係從該液體回收位置，以設置於+ χ側之捕集構件30之捕集面31來進行捕集，故不會向基板p之周圍等流出或飛散。此處，捕集面3丨係對液體丨進行親液化處理，而且，因具有較基板p之表面為高之液體親和性 ’故欲從回收嘴22A之液體回收位置向外側流出之液體1 不被拉伸到基板P側，而被拉伸到捕集面3丨側。藉此，能抑制在基板P上殘留液體1等不良情況之發生。此處，捕集面31係以包含投影區域AR1之浸液區域 AR2為基準愈向外側愈朝上方向傾斜，故能更有效防止液體1向外部流出。即，藉由朝上方向傾斜，相較於基板p 和投影光學系統PL間之第1體積（對應基板p之單位面積之體積）’基板P和捕集面31間之第2體積較大，故欲流出之液體1係圓滑地保持於第2之體積部分。又，朝上方向傾斜，藉此欲向外側流出之流體能係沿著捕集面3丨朝上方向移動而轉換為位能，藉此能有效防止液體1向外側流出。又’從設置於+ X側之供應嘴14A所供應之液體量，係設為較從設置於一X側之供應嘴13A所供應之液體量為少。即’從位於較供應嘴13 A更靠近+ χ側之回收嘴22A 之供應嘴14A之液體供應量設定為較少，故即使液體丨被拉伸至向+X側移動之基板P，欲從基板p之+ χ側向外 30 201229691 部流出之液體量受到抑制。在弟1照射區域之曝光處理完成後，因控 CONT將投影光學糸《 51 予糸、，先PL之投影區域ari配置於盥 1照射區域不同之箆？u 、，、弟 ”式射區域’故步進移動基板p。且體而言’例如，對昭松p a 。， …、、區域S1之掃描曝光處理結束後，為了對照射區域S2谁弁浐w s , # , 進仃知彳田曝光處理，控制裝置C〇nt 係在基板P上之2個照射區域S1、S2間，向γ軸方向步進移動。此時’液體供應機冑ig係使基板p上之2個照射區域間之步進矛多叙ψ + _ 之液體1之供應量與照射區域之曝光中之供應量不同。呈綱'、 J ”體而吕，控制裝置CONT，係使步進移動中來自液體供應機構1G之對基板p上間之液體供應量，較昭舢F^ 寻、 …、射區域之掃描曝光_之液體供應量為^。精此’能抑制在步進移動中無助於曝光處理之對基板P之液體供應量’能抑制曝光處理全體(基板p载置於基板载D PST ’對所有照射區域S1〜S12之曝光處理結束後從基板載台PST卸下為止）之液體使用量。如此，控制、置CONT ’係按照構成曝光處理執行動作之一部份之基〜之移動動作（步進移動或掃描移動），來改變各第1、第2液體供應部11、12每單位時間之液體供應量。此處，液體供應機構1〇係在基板p之步進移動中，雖減低液體1之每單位日# + Μ Λ θ 等間之供應置，但維持（繼續）液體供應動作。即’液體供應機構10係藉由改變照射區域來改變掃描方向，哎在舟隹次在ν進移動時，也維持（繼續）來自應嘴1 3A、14Α之德辨At bs * ’、 —動作。如此，當液體供應機構 31 201229691 1 〇依序曝光基板P上之複數個照射區域時，從設置於複數個位置之供應嘴1 3 A、14 A持續供應液體丨，未按照掃描方向來改變液體供應位置’步進移動時亦不改變液體供應位置。換言之，液體供應機構10係在對丨片基板p之一連串曝光處理動作結束前（基板P載置於基板載台PST，對所有照射區域S1〜S 12之曝光處理結束後，從基板載台 PST卸下為止）’從複數個位置持續供應液體i。藉此，能防止因液體1之供應及停止所造成之液體振動（水錘現象） —弟6(b)圖係表示邊將基板"月—X方向移動，邊將設定於基板P上之第2照射區域（例如，第5圖之S2、S4等）進行曝光處理之際，㈣i之流動示意圖。在第6(b)圖中

，對投影光學系統PL和基板p間之空間，從供應嘴13A 、、14A供應液體i，藉此，以含有投龍_ AR1的方式形

成/又液區域AR2。此處，對投影區域AR1，從設置於+ X 之供應嘴14A所供應之液體1之每單位時間之液體量，係設為，設置於-X侧之供應嘴之供應嘴uA所供應之液體 1之母早位時間之液體量為多，故從供應嘴MA所供應之液體丨係被拉伸到朝一X方向移動 " 移動之基板p，圓滑地配置於技影光學“ PL和基板P間之空間。如此，控制裝置 CONT係按照構成曝光處理執行動作—部份之基板p :移 :方向移動動作)，來改變各第卜第2液體供應部"、 12之母單位時間之液體供廡 14A…，、里。又’欲從供應嘴13A、 °貝’流出之液體1係從回收嘴22A進行时，能抑 32 201229691 制欲向基板p周圍流出之不良情況產生。此處，藉由基板P朝-X方向移動，使被+ χ側之捕集面31所捕集之液體！係沿著捕集面31下降，從液體回收機構20之回收嘴22A進行回收。藉此，能確實防止液體1之殘留或向外部流出。並且，隨著向基板p之_χ側之移動’增加朝—X側移動之液體量，藉此，即使無法以 -X側之回收嘴22Α全部回收液體i，亦能如第6⑻圖所示般，從該液體回收位置以設置於—x側之捕集構件30之捕集面31來捕集液體1。處捕集面31係對投影區域AR1愈向外側愈向傾斜般形成’但即使水平(〇幻亦可。另一方面 31朝下方向傾斜，則欲向外側流出之流體能辦且®朝反方向移動基板P之際，液脰1係無法以沿著捕隼

， /、 31下降的方式移動至回收嘴22A 古文無法以回收1皆〇〇 Λ ^ Α圓滑地回收液體1。因此，較佳係捕茱面31為水平面庳、度）或朝上方向之傾斜面。又，當對基板ρ.卜 ― 形或掃^ 上之母單位·時間之液體供應量多之情變多，故捕：面：^之情形’因欲向外側流出之液體量也掃描速度來：定為最角度也按照這些液體供應量及掃描速度為高速之严开，又。即’液體供應量多之情形或。另-方面，若捕二將捕集® 31之傾斜角度設定大集面31無法完全捕^面31之傾斜角度太大，則會有在捕理來加強親液性，粒集（保持）液體1。此處’藉由親液化處曰此捕集面31之液體保持力變大，故 33 201229691 增大傾斜角度之情形，變更親液化處理之處理條件，對捕集面31賦與最佳之親液性，藉此即使增大傾斜角度，也能保持液體i。因此，捕集面31之傾斜角度係根據液體供應量、掃描速度、及液體之材料特性(捕集面之液體親和性 )等各參數來設成最佳角度。 /、Θ · 1MJ依狀運續子成之回收嘴22Α'設置於回收嘴22Α内部之隔離構件23 及被該隔離構件23所分割之複數個分割空間24，在集^ 複數個分割空間24之歧管部25透過回收管21Α連接液劳回收部21。藉此，由於包含真空录等所構成之液體回收； 21可設S丨個’故能簡化裝置構成。此處，在回收構子 22周方向之各位置，會發生用來回收液體1之吸引負載^ 同之狀態，因此，液體回收部21之吸引力降低，會有^ 法圓滑地進行时動作的情形。但是，藉由設置隔㈣^ 23 ’能圓滑地進行回收動作。# ’例如，起因於液體丨一流動，在回收構件22之中，在+ “之回收嘴22八僅: 收（吸引）液體卜而在—χ側之回收嘴22八會發生包含力氣㈣入则之狀態。這種情形，在—χ側之回收嘴^ 之空氣。齒入區域擴大’如本實施形態般，在以單液體回收部21來回收液體1之情形，由於。齒入空氣而迹生構成液體回收部21之真空栗之吸引力降低之不良情況 '然而’由於在連續形成之回收冑以内 22Η)設置隔離構件&且設置彼此獨立之分#j空間/ 對。齒入空氣之區域能空間性地分離只吸引液體1之區域， 34 201229691 故能防止空氣嚙入區域擴大、因所嚙入之空氣產生降低液體回收部21之吸引力之不良情況，藉此，液體回收部2 i 即使係單一系統’液體回收機構2 〇也能圓滑地回收液體1 〇如以上說明，為了形成浸液區域AR2，對在投影區域 AR1之複數個不同方向上之複數個位置（從投影區域八以之彼此不同之複數側），設置同時進行基板p上之液體1之供應之液體供應機構丨〇，故基板p即使朝包含掃描方向（土 X方向）及步進方向（±γ方向）之複數個方向移動的情形亦月e«在投影光學系統PL和基板Ρ之間經常圓滑且良好地形成浸液區域AR2。因此，態下進行曝光處理。能在高解析度及大焦點深度之狀田依序曝光處理基板p上之複數個照射區域之際，由於藉由液體供應機構故能防止液體1之供藉此能防止轉印之圖案劣化。機構10,從複數個位置持續供應液體1，之供應及停止所產生之液體振動（水錘現象

又，液體供應機構1 〇係從供應嘴丨3 A、丨4 A

35 201229691 動方向流動’而圓滑地配置成能引入投影光學系統PL和基板P間之空間。因此，從液體供應機構10所供應之液祖1即使该供應能小，也能圓滑地配置於投影光學系統 PL和基板P之間，而能良好地形成浸液區域AR2。並且 ’按照掃描方向來變更從各供應°紫13A、14A戶斤供應之液體里而此切換液體1所流之方向，藉此，當沿+ X方向或—x方向之任一方向掃描基板P之情形，亦能在投影光子糸、’·充L和基板P之間圓滑地形成浸液區域，能得到尚解析度及大焦點深度。又，液體回收機構2〇之回收構件22係以圍繞投影區域AR1及供應構件i 3、14的方式形成圓環狀，在投影區域AR1之複數個不同方向上之複數個位置（從投影區域 AR1之不同之複數側），同時進行基板p上之液體1之回收月b確貫防止發生液體i向基板p外側流出或飛散等不良

It况。即，液體回收機構2〇係在有關一片基板p之—連串曝光處理動作結束前（對基板P上之全部照射區域Sl〜 2之曝光處理結束後，形成浸液區域AR2之液體1之回收完成前），從以圍繞投影區域AR1的方式形成之回收嘴 22A持續進行回收動作，故在絲p之—連串曝光處理動作中’即使液ϋ 1朝任—方向擴大潤座，也能良好地回收液體1。X，在基板ρ之一連申曝光處理動作巾因不必使從回收嘴22之液體吸引停止，故能抑制伴隨由此之振動所造成影響。、又，設置捕集液體回收機構2〇所無法完全回收之液 36 201229691 體1之捕集構件30 ’藉此能防止發生液體i向基板p外側机出或飛散等不良情況。並且，在本實施形態中，捕集面 3 1係把液體1沿著基板P外側最容易流出之掃描方向（X 軸方向）之方向當作長邊方向形成俯視橢圓形狀，故能防止液體1向外部流出。又’在捕集面31，施以提高與液體i 之親和性之親液化處理，故能良好地捕集欲流出之液體】又以使捕集面3 1之液體親和性較基板P表面之液體 2和性為高的方式來進行表面處理，故欲向外部流出之液體1不會附著於基板P而被捕集面31捕集，故能防止在基板P之表面發生殘留液體丨之不良情況。又。捕集面31 係對投影區域AR1愈向外側愈朝上方向傾斜，故能良好地捕集欲向外部流出之㈣i，而且，當基板p之掃描方向成為反方向之際’所捕集之液體i係於捕集面Η下方傳达，故能以連接於捕集面31之回收嘴22A良好地回收。又，從液體供應機構10,與投影光學系統pL之前端液體接觸® 2a之親和性係較與塗布於基板p表面之感光材料之親和性為高，因將液體⑷Η共應作為浸液曝光用，故能用液體丨確實填滿投影光學系統PL和基板ρ門之 :路，並且，供應於基板P上之液體"皮圓滑：回收：故忐防止液體1之流出或飛散等不良情況。本實施形態’當從投影區域AR1之掃描方向兩側、應液體i之際，從掃描方向前方所供應之液體量雖較其目反側所供應之液體量為多，但亦可側所供應之液…量。在此情形，在二::: 37 201229691 ’因亦不會產生液體1 生水鐘現象。另一方面來變化從投影區域AR1 藉此不僅能抑制水錘現用量。之供應量變動，故此文碟貫防止 ’邊供應液體】息天從餿1，邊按照掃描方向之掃描方向兩側所供應之液體量：象之發生’而且能抑制液體1之使人，伞頁她形態雖係持續供應來自供應，13A、液二：作中，也可在途中停止。例如，也可伟在,、八+ = 1之構成，但 Ρ之際，停止來自供應嘴14Α 動基板 Η Λ舰痛V Μ · 體供應，只從供應嘴 3Α供應液體i之構成’也可係在沿—χ側 ρ之際，停止來自供…-之液體供應、，只從供；:; =供應液體i之構成。並且，基板ρ之步進移動時，液體供應機# 1G也可係對基板ρ停止供應液體1之構成。這種情形，當開始掃描曝光之際，也可用既定時間進行液體1之供應，待液體振動被穩定後，再掃描曝光。藉由这種構成，能抑制液體i之使用量。另一方面，藉由㈣供應液體1，由於不必設定液體振動穩定前之等待時間，故能提高生產量。本實施形態，液體供應嘴10之供應嘴UA、“A雖對投影區域AR1，設置於掃描方向兩側之構成可例如以圍繞全部投影區域AR1之周圍的方式，即，亦可在投影區域AR1之非掃描方向兩側設置供應嘴（供應構件）。並且，也可從以圍繞投影區域AR1的方式設置之各供應嘴將液體1供應於基板P上。此處’對投影區域AR1，在掃描 38 201229691 方向之各兩側和非播 ;„ Λ 描方向之各兩側設置供應嘴之γ ，繞投影區域AR1的方式設置彼此獨立之：二之際，邊沿掃描方向移動… 4個供應鳴也可從所有之4個供應嘴之際圹方闩+加角伢應液體1，也可只從設置於掃描方向兩側之供應嘴供應液體i，㈣止（或設置於非掃描方向兩側之供應嘴供應液體。並且，:： =方向移動基板P時，也可從設置於非掃描方“側』 =嘴供應液體。或亦可以圍繞投影區域规的方式設置衣狀之供應構件，透過該供應構件將液體丨供應於基板p 上之構成。這種情形，因將液體丨送出至供應構件之液體供應部也可為1個’故能簡化裝置構成。另一方面，如上述實施形態般，對投影區域AR1，若在掃描方向兩側有供應嘴13A、UA’則能將投影區域AR1充分設定於浸液區域AR2 ’能抑制液體1之使用量。又，本實施形態，液體供應機構1〇之供應嘴ΠΑ、 μα係對投影區域AR1，設置於掃描方向兩側之構成，但投影光學系統PL和基板P間之曝光用光之曝光係以液體i 充分填滿之情形，也可從配置於投影區域AR1附近之i處供應嘴來供應液體。這種情形’也在1片基板p上之全部 <、'、射之曝光結束前’從該1處之供應嘴持續供應液體，藉此能抑制產生水錘現象，並且能抑制液體1之使用量。又’上述實施形態，第1、第2供應構件13、14和回收構件2 2雖係分離’惟第1、第2供應構件13、14和回收構件22也可連接，也可在第1、第2供應構件13、14 39 201229691 和回收構# 22之間設置用以連接該等之連接構件。又，上述實施形態’供應構件13、14之内部流路i3H、剛和回收構件22之㈣㈣22H係對基板p之表㈣直的方式來加以說明，但也可傾斜。例如，也可將供應構件Η、 Η之内部流路13H、14H(或供應嘴13a、14a)朝投影區域 AR1側般設置。並且，也可對供應嘴13八、14八和回收構件22之回收嘴22A之基板p表面，距離(高度)不同般設置又，包含供應構件13、14.之液體供應機構ι〇、及包含回收構件22之液體回收機構2〇，較佳係用投影光學系統PL及支持該投影光學系統PL之支持構件以外之支持構件來支持。藉此’ &防止&體供應機構1〇 s戈液體回收機構20所發生之振動傳達於投影光學系統 PL。又，相反地 ’使投影光學系統PL和供廄Μ 乂斗1。 1 /1 — ss I , ^利识應構件1 3、1 4無間隙地接觸，藉此，也能期待防止大氣混入液體i之效果。以下’針對本發明之另一實施形態加以說明。此處，在以下之說明中，針對與上述之實施形態相同或同等之構成部分，附上同一符號，將該說明予以簡化或省略。上述實施形態之液體回收機構2〇係具備丨個液體回收部21、及回收構件22(具有回收嘴22 a，透過回收管 21A連接於該液體回收部21，連續形成圓環狀）之構成，但也可設置複數個液體回收部。藉此，能抑制在回收嘴 22A之各回收位置之回收力的偏差。又，控制裝置c〇nt 也可使該複數個分別之液體回收部之回收力按照液體回收 201229691 位置而不同。邊參照第7圖，邊將此部分加以說明。第7圖係表示本發明之另一實施形態之圖，表示液體回收機構20之另—例之俯視示意圖。在第7圖中，液體 °收機構20係具備：帛i液體回收部％、第2液體回收斗27第1回收構件28(透過回收管26A連接於該第1液驵回收。卩26)、及第2回收構件29(透過回收管27A連接於該第2液體回收部27)。各第1、第2回收構件28、29, 係$成俯視大致圓弧狀，第丨回收構件28係@&置於投影區域AR1《X側’另-方面’第2回收構件29係配置於U域AR1之+ X侧。又，第i、第2回收構件、 29係與上述實施形態同樣，具備朝基板P側之回收嘴、和設置於其内部之隔離構件。又，第i、第2液體回收部％、27之回收動作係藉由控制裝置CONT，分別獨立進行。在將基才反P上之照#區域掃描曝光之際，控制裝置 ⑶NT係從液體供應機構1〇,將液體【供應於基板p上，並且，在液體回收機構20中’分別驅動第卜第2液體回收4 26、27 ’回收基板p上之液體}。此處，控制裝置 CONT係將液體回收機構2 0之液體回收力控制成按照液體回收位置而不同。具體而古。，控制裝置CONT係對掃描方向，將投影區域AR1前方之母早位時間之液體回收量（回收力）設為較其相反側之液㉟饮體回收量減為少。即，增多掃描方向前方側（液體1流動之τ 7 <下〜側）之液體回收力。具體而言，當基板P朝+X方向敕如士 Θ移動時，對投影區域AR1，於設置於+ X側之第2回收構件 29(第2液體回收部27)之回收 41 201229691 力係設為較設置於-x側之帛】回收構件以(第（液體回收部2 6)之回收力為大。藉j；卜，丁彳岔At „ ) 精此不僅忐防止液體1向外部流出，而且能圓滑地進行基板p上之液體回收動作。又’上述實施形態’雖係同時進行採用帛i、第2液體回收部26、27 t液體回收動作，但也可係分別進行之構成。例如，當基板"月+χ方向移動時，對投影區域他，可僅藉由設置於+ Χ側之第2回收構件29(第2液體回收部27)進行液體回收動作，而使藉由第丨回收構件叫第1液體回收部26) ’之液體回收動作停止。這種情形，因液體1係主要在+ Χ側流動，故只藉由帛2液體回收部 2 7之回收動作也能回收液體1。又，上述各實施形態，液體回收機構2〇之回收構件係以圍繞全部投影區域AR1的方式配置，但也可只位於投影區域AR1之掃描方向兩側之構成。 ^又，上述各實施形態，液體回收機構2〇之回收構件係以圍繞投影區域AR1的方式連續形成，但如第8圖所示 ’也可係間斷性地配置複數個时構件加之構成。同樣地’關於液體供應機肖10，也可係間斷性地配置複數個供應構件13D、14D之構成。這種情形，也以圍繞投影區域 AR1的方式形成之回收嘴持續性地進行回收動作，故液體 1即使在任-方向擴大龍，也能良好地喊液體！。 / ★又，在設置複數個液體回收機構2〇之回收構件之情形等’液體回收機構20係對投影區域AR1，在離掃描方向之位置之液體回收力（每單位時間之液體回收量），設為 42 201229691 較與此另一位置、回收力為大，藉此基板P上之液體1 具體而言係離非掃描方向之位置之液體 ’當進行掃描曝光之際，能圓滑地回收對被隔離構件23分割之各分割空間Μ，係透過回收官分別連接具有直处；^e, 二泵等之複數個液體回收部，個別 =這些複數個液體回收部之回收動作，藉此，也可按照液脱回收位置而使回收力不同。又，在各分割空間Μ，並非個別連接液體回收部，而係以複數個回收管來連接】個液體回收部和複數個分割空fs1 24，在各回收管設置闕，藉由調整閥之開纟，按照液體回收位置而使回收力不同。並且，藉由變更該複數條回收管之長度，也能藉壓力損失而使各分割空間24之回收力不同。又，上述各實施形態，液體供應機構10係俯視大致圓弧狀，如第9圖所示，也可係直線狀。此處，第9圖所示之俯視直線狀之供應構件13、14係分別設置於投影區域AR1之掃描方向兩側。同樣地，液體回收機構之回收構件22也不限定於圓環狀，也可如第9圖所示之矩形狀0 如第10(a)圖所示’亦可在液體供應機構之供應構件13(14)之内部流路13H(14H)設置多孔質體4〇。或如第 1 0(b)圖所示，設置隔離構件4 1，形成狹縫狀之流路。此’能將從供應構件13(丨4)供應於基板p上之液體1整流 ’能抑制基板p上產生亂流，且能抑制液體振動不良情況之發生。 43 201229691 上述各實施形態，捕集構件30(捕集面31)係俯視擴圓形狀般加ά說明，但也可係圓形狀或矩开彡蚱〇〜狀。另一方面，因液體1容易流出之處係投影區域AR1之棬4+,丄 (拎描方向兩側，故如上述實施形態般，將捕集構件30作成橢圓形狀，藉此能良好地捕集欲流出之液體1。又，卜，a 上逑貫施形態，捕集構件3 0 (捕集面3 1)係橢圓形狀，在回收搂你w收構件22之液體回收位置外側全部，以圍繞回收構件9 9 再1干22的方式設置之構成，但例如能只設置於投影區域AR1夕户w本之知描方向兩側，對投影區域AR1 ’能作成不設置於離非播扣开饵指方向之位置之構成。因液體1容易流出之處係掃描方6 Λ ^ , Φ细万向兩側，故即使只在投影區域AR1之掃描方向兩側設置捕摘果構件30，也能捕集欲流出之液體1。又，捕集面31 <傾斜角度也可按照其位置而不同來加以設定。例如，在姑隹^ 用莱面31中，也可將投影區域AR1之掃描方向兩側附近、见之傾斜角度設成較其他邛分為大。又，捕集面31不需為|二果馮千面’例如也可係組合複數個平面之形狀。第11圖係表示捕集構件30 〜爾果面31之另一實施形態之圖。如第11圖所示，捕阜蝴工補集面31也可係曲面狀。呈肋而言，如第11圖所示，捕隼而 9 “ & 捕集面31也可係截面視呈例如 :曲線狀或圓弧狀。此處’捕.集面31較佳係膨側Ρ之曲面。即使這種形狀，也能良好捕集液體1β 或如第12圖所示，也可對捕隹 .m T捕木面31施以表面積擴大地理，具體施以粗面處理，藉此，捕大，能更進一步良好地捕隼液體八、積擴本及體1。又，粗面處理不需在 44 201229691 " 捕集面3I之全面，在捕集面31 φ Υ ’例如也可係只在沿著掃描方向之部分區域施以粗面處〈構成。如第η圖所示，也可藉由葉片構件32來構成捕集構件3〇。在第13圖中’葉片構件32係側視圖大致三角形狀與基板卩對向之邊（下邊）係對投影區域編㈣外側愈方向傾斜。並且，這些複數個葉片構件32係在回收構件22之外側面，以使該县鲁邊方向朝向外側的方式安裝 ^射狀。此處’複數個葉片構件32彼此間係隔離，在 2葉片構件;2間形成空間部33。無法以回收部22完全回之液體1係在葉片構件32間之空 a ^ ^ — 礓邛3 3利用表面張力來捕集，猎此能防止液體i向基板p外部流出。複數個葉片構件32也可以等間隔來設係非等間隔。例如’也可將沪荖知搖方向之位置所設置之 =二之間隔，設為較沿著非掃描方向之位置所設之二:方Μ之間隔為小。又，複數之各葉片構件32 之位之尺寸）也可相同，也可將沿著掃描方向之位置所設置之葉片構件Μ之晉所 < 嬰 > 此长又。又為較此以外之位 =置之葉片構件32為長。又，在捕集構件3。中，也月^由葉片構件來構成部分區域，而之區域。甘日L 個苯1^术構成剩餘，安，草=在參照第4圖等所說明之捕集面31 女居葉片構件3 2夕4塞〇·、 4. 之表面，事先施以提4。又’交佳係也對葉片構件32 、円人液體1之親和性的親液化處理。上述各實施形態中’當對捕集面31(或葉片構件施以親液化處理之愔午32) 里之清形，也可使該捕集面31之親液性具 45 201229691 有分布。換言之，針對表面處理面上之複數個區域能進行表面處理，俾使液體之接觸角分別成為不同之值。例如仃在捕集© 3 1巾，對投影區域趣，也可使外側之部分區域之親液性設為較内側之區域為低。而且，不必將捕= 31之全部進行親液化處理，例如，也可係將沿著 ^ 之部分區域進行親液化處理之構成。。、又’上述實施形態，係對捕集面31 &以親液化處理加以說明，但在液體供應機構1〇或液體回收機構中，即使歸i所流之流路表面也能施以親液化處理。特別係在液體回收機構2。之回收構# 22，預先施以親液化處理，藉此，能圓滑地進行液體回收。或是，對包含接觸= 體1之鏡筒叹之投影光學系統&之前端部，也能施以親液化處理。又，當在光學元# 2形成薄膜之情形，因係配置於曝光用光EL之光路上者，故對曝光用光I係由具有透過性之材料所形成，該膜厚亦設定在能使曝光用光此透過之程度。又，表面處理用之薄膜也層所構成之膜。又，若該形成 '及有機物等，能發揮所欲性材料。可係單層膜’也可係由複數材料也係金屬、金屬化合物能之材料’則能使用任意之又，也可在基板P之表以表面處理。又，如上述，性較基板P表面之液體親和其次’邊參照第14圖面’配合與液體1之親和性施車乂佳係捕集面3 1之液體親和為高。邊針對本發明之液體供應機 46 201229691 構1 〇及液體回收抵 / At 城構2 〇之另一實施形悲加以說明。在第14圖中， x /體供應機構1 〇係具備··第1液體供應11及第2液體妞Λ + 體供應部12、第1供應構件13(對投影區域A RI，設署认 “(設置於掃描方ΓΓ向一方側(—X側))、第2供應構件接第1液體供…「方側(+X側))、第1供應管41(連 4職第2液:二和第1供應構件13)、第2供應管體仏應部12和第2供應構件M)。第 2供應構件13、14 # & A )弟〗弟

4係與參照第2圖及第3圖所說明之實施 $心同樣，分別且傷.+ A 部法拉下山立’、備.内部流路13Η、μη、和形成於内。抓 ^之供應嘴13A、14A，形成俯視大致圓弧狀應二接第1液體供應部"和第i供應構件13之第"共 U具有直管部43和狹縫管部44。直管部43之部係連接於狹縫管部44 ? 3之另-端端0P。又’狹缝管部44之另一知部係連接於第1供應 + 识應構件13之内部流路13H之上端部。狹縫管部4 4之一她卹及/ ^ ,, 糸形成與直管部43大致相同之大小，另一端部係形成與第丨仏應構件13之上端部大致相同之大小。並且，狹縫管冲心^ 邻44係從一端部向另一端部 ’朝水平方向逐漸擴大的方式 ° 士、认从式形成俯視大致三角形狀，彤成於狹縫管部44之狹縫狀之形、巧4机路44H係從一端邱闩另一端部，朝水平方向逐漸擴的 ° 瑕大的方式形成。同樣地，連接第2液體佴夕、應部丨2和第2供應構件14 之第2供應管42，係具有直管 g 45和狹縫管部46。直管 47 201229691 部45之-端部係連接於S 2液體供應部12，直管部45之另一端部係連接於狹縫管部4…端部。又，狭縫管部 46之另-端部係連接於第2供應構件14之内部流路則之上端部。狹缝管部46之一端部係形成與直管部45大致相同之大小’另一端部係形成與第2供應構件Μ之上端部大致相同之大小。並且，狹縫管部46係從—端部向另一端部’朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀，形成於狹縫管部46之狹缝狀之内部流路“Η係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成。液體回收機構20係具備：回收構件22(形成俯視環狀 )、複數個液體回收部61〜64、複數個回收管71〜74(分別連接回收構件22和液體回收部61〜64)。在本實施形離中，液體回收部係由4個第1〜第4液體回收部61〜64所構成，為了對應這些液體回收部，回收f係& 4㈣第^〜第 4回收& 71 74所構成。回收構件22係與參照第2圖及第3圖所說明之實施形態同樣，具備環狀之内部流路22H 和形成於内部流路下端部之回收嘴22八。又，在第Μ圖所示之實施形態之内部流路22H中，未設置隔離構件Μ。液體回收機構2 〇之回你错彳4·。。〆口收構件22係配置於液體供應機構1〇之第1、第2供應構件13、14外側。在複數個液體回收部中，連接第1液體回收部61和回收構件22之第【回收管7!係具有直管部^和狹縫管 P 直笞°卩7 5之一端部係連接於第1液體回收部6 1，直苢卩另^部係連接於狹縫管部7 ό之一端部。又 48 201229691 ，狹缝管部76之另-端部係連接於回收構件22之内部冷路則之上端部。此處，狹縫管部76之—^_ = 直管部75大致相同之大小。另-方面，狹縫管部76之另、一端部係形成圓環狀之回收構件22之上端部大致約Μ之大小。並且，狭縫管部76係、從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成俯視大致三角形狀，形成於狹缝管部76之狹縫狀之内部流路76H係從一端部向另—端部’朝水平方向逐漸擴大的方式形成。同樣地，連接第2液體回收部62和回收構件22之第 2回收管72係具有直管部77和狹縫管部78。狹縫管部π 之一端部係形成與直管部77大致相同之大小。另—方面，狭縫管部78之另—端部係形成圓環狀之回收構件22之上端部大致1 /4之大小。祐曰 Jf+ LtL ^ 亚且，狹縫管部78係形成俯視大致二角形狀，形成於狹縫管部78之狹縫狀之内部流路78H 係從一端部向另一端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成 :又’連接第3液體回收部63和回收構件22之第3回收官73係具有直管部79和狹縫管部8q。連接第*液體回收部“和回收構件22之第4回收管74係具有直管部。和繼部82。並且，狹縫管部8〇、82之另一端部係分別形成於圓環狀之回收構件22之上端部大致"4之大小。並且’狹縫管部8 〇、$ 9及八 ' 82係刀別形成俯視大致三角形狀， ❹㈣Μ 1 82之狹«之内部流路繼、δ2Η係從 -端部向另：端部，朝水平方向逐漸擴大的方式形成。在構成液體供應機構！ Q及液體回收機構Μ之構件+ 49 201229691 ，液體流通之構件，且 _ 71〜74係如上述般，：；’，、應管41、42及回收管成，例如也^ 氟化乙料合成樹脂來形中，液Μ岣、s 寻i屬來形成。在本實施形態通之構件係金屬製。特別係在液 “^以鋁*作構成液體流路之構件，措此，因鋁與液體（水）之接觸故月匕圓/月地流通液體未表示於第14圖，但在液體回收機構20回收構件之周圍，和先前之實施形態同樣，設置捕集構件3〇。欠構其次’針對液體供應機構10及液體回收機構2〇之動作加以說明。為了形成浸液區域AR2，控制裝置c㈣係分別驅動液體供應機構10之第1、第2液體供應部U: 12。從各第i、第2液體供應部u、12所送出之液體上係分別流通於第卜第2供應管4卜42後，透過第，、第2 供應構件13、14供靡於其；τ> 1* .,. 倂應於基板Ρ上。此處，從第1液體供應部11所送出之液體i係流通第i供應f 41之直管部43 後，^通狹縫管部44,藉此朝水平方向（橫方向）擴散，在狹縫管部44之另一端部，擴散到第i供應構件13之内部流路13H(供應嘴13A)之大致γ轴方向之大小後，透過第 1供應構件13之内部流路13H供應於基板p上。藉此，液體1係在把Y軸方向當作長邊方向之大致圓弧狀之供應嘴 13A之各位置，以大致均勻的液體供應量供應於基板p上。同樣地，從第2液體供應部12所送出之液體1也流通第2供應管42之直管部45後，通過狹縫管部仏，朝水平方向（橫方向）擴散後，供應於第2供應構件14，在供應嘴 50 201229691 14A之各位置，以大致均勻的液體供應量供應於基板p上即，參照第2圖；5^ 其立 μ圖及第3圖所說明之實施形態，因供應吕 1 1 Α王σ|5由直督戶斤士总』、 g所構成，故若從該直管之供應管11Α，將液體直接供應於把γ舳 Υ軸方向當作長邊方向之第1供應構件13 ’則因該流路面積積不同，故在第1供應構件13之供應嘴13Α之長邊方6 + °中央邛，即供應管11 A之下方位之液體供應量、和供應嘴 Α ·ΜΛ八Μ 薄i3A之長邊方向端部，即與供應官ΠΑ分離位置之液體 ^ '、應里產生差異，液體供應量在供應嘴13A之各位置|右I仏& 置B有不均勻的情形。具體而 13A之長邊方向中央邻货應薄央罐應官11A之下方位置) 應量係較供應嘴13A之异、套古…X履體仏長邊方向i而部（與供應管丨丨A分離之位置）之液體供應量為多，盔刀離域AR2可能變成不均勻又液〔 *攸第1液體供應部11 ’將液體1供應於把γ軸方 1軸万向當作長邊方向之第件13(供應嘴13A)之際 4、應構定供應管41之至少其—部份大丨來认態般，在朝第！供應構件13之二=小，如本實施形 “之一部份逐漸擴大之錐狀之之内=方路向4二有將供應管 …藉此，…方向當作長邊方:::Η之狹縫管部之供應嘴13Α之各位置，能供應構件13 ^ 1 # ^ ^ A ^ p 致均勻的液體供應量將液體1仏應於基板P上。同樣地，、兰山々& 從第2液體供應部12所达出之液體1亦透過第2供應 a , 及弟2供應構件14珀勻地供應於基板P上。勺 51 201229691 又’控制裝置CONT係分別驅動液體回收機構2〇之第1〜第4液體回收部61〜64，透過回收構件22及第1 第4回收管71〜74回收基板P上之液體各第i〜第4 液體回收部6 1〜64係透過第1〜第4回收管7丨〜74，^ 引基板Ρ上之液體i來進行回收。並且，基板ρ上之液體 1係在圓環狀之回收構件22之回收嘴22 A之各位置，以致均勻之回收量（回收力）來進行回收。即，與上述同樣，若直接連接直管之回收管和回收構件2 2，則因該流路面積不同，在回收嘴2 2 A之各位置之'、體回收量（回收力）產生差異，液體回收量在回收嘴22八各位置會有不均勻的情形。例如，在回收管下方位置之' 體回收量係較下方以外位置之液體供應量為多，無法進<_ 均勻的液體回收’浸液區域AR2可能產生不均勻。但是，如本實施形態般，在朝回收構件22之水平方向，具有將回收管之一部份逐漸擴大之錐狀.内部流路之狹縫管部76、 78、80、82，藉此，在圓環狀之回收構件22之回收嘴a 之各位置，能以大致均勻之液體回收量回收基板p上之液體。因此，在供應嘴13A、14A之各位置能均勻地供應液體，並且，在回收嘴22A之各位置能均勻地進行回收7故能形成均勻的浸液區域AR2。參照第14圖所說明之實施形態，狹縫管部之内部流路44H(46H)係空洞狀，但如第i 5圖所示，也可在構成液體供應機構10之供應管41(42)一部份之狹縫管部 52 201229691 44(46)之内部流路44H(46H)，沿營之机通方向(從狹』之—端部向另一端部），設置複數個葉片構件85。措此’將液體1加以整流後，透過供應構# 13(14)供應於基板P 1。又，也可將該葉片構# 85 &伸至供應構件 13(14)之内部流路13Η(14Η)β又，也可在構成液體回收機構20之回收管之狹縫管部％、78、8〇、82之内部流路 76Η、78Η、讀、82Η，⑨置葉片構件85。又，例如，基板ρ高速進行掃描移動之情形等，在第 14圖所示之實施形態中，也無法完全回收基板ρ上之液體 1 ’基板Ρ上之液體1會有從回收構件22外側流出的情形。這種情形’能制設置於沿著基板ρ之掃描方向㈤由方向）位置之俯視大致三角形狀之狹縫管部44、46之下面來作為捕集面’來取代捕集構件3〇。又，本實施形態，係對1個回收構件22連接複數條回收官7 1〜74之構成，但為了對應複數條回收管71〜74 ，也可係將複數個回收構件（回收嘴）近接基板ρ設置之構成。其次，邊參照第16圖〜第丨9圖，針對本發明之液體供應機構10及液體回收機構2〇之另一實施形態加以說明第1 6圖係表示本實施形態之液體供應機構10及液體回收機構20之概略立體圖。在第16圖中，液體供應機構 1〇係具備’第1(第2)液體供應部11(12)、帛1(第2)供應 s 4 1 (42)(分別連接第i、第2液體供應部} ii 2)。液 53 201229691 回從機構20係具備：第〜第4液體回收管71〜74ί液體回收部61〜第1 61〜64)。並且，在第^ J連接第1〜第4液體回收部第第2供應管、42少々連接第卜第2液體供應部u、!2，…42之各-端部流路形成構件9〇所來& +。另—柒部係連接於由體回收管？1〜74之各述之供應流路。第卜第4液部6!〜64，另_端係連接於第1〜第4液體回收之後述之回收流路Γ 於由流路形成構件90所形成流路形成構件90係具備配置於第！構件9ί之構件91、第2構件92( 件92之上^ 帛3構件93(配置於第2構 -的:繞投_“ 構件係用同…：_f構件0之各第^〜第3 央部’具有能配置投影光學系二矩形板狀構件，在其中部9M〜93A係' 以彼’L之孔部9iA〜93A。孔 yu 此連通的方式形成。又，筮1 ^ ο 供應管…^係在第卜第^/成又弟卜第2 構件93,第！〜第4 ^ 構件中連接於最上層之第3 構件92β 回收管71〜74係連接於中層之第2 第二7:係表示在第1〜第3構件中，配置於最下層之立體圖。第1構…具備：第Η靡 ==影光學系…-X側，且形成有將 ^供應於基板Ρ之供應嘴；及第之供應孔部Μ，形成於投影光學系統PL之+ 於基…供應嘴。第"!:且形成有將液體1供應仏應孔部94Α及第2供應孔部 54 201229691 9 5 A係分别形成俯視大致圓弧狀。進而，第工構件9 ^係具

備·第1回收孔部96 A，形成於投影光學系統之一X 側’且形成有回收基板P上之液體的回收嘴；第2回收孔部97A ’形成於投影光學系統PL之〜γ侧，且形成有回收基板P上之液體的回收嘴；第3回收孔部98A，形成於技；ϊν光學系統pL之+ χ側，且形成有回收基板p上的液肢之回收嘴，及第4回收孔部99Α，形成於投影光學系統之+ Υ側，且形成有回收基板ρ上的液體之回收嘴。各第^〜第4回收孔部96A〜99A係形成俯視大致圓弧狀，沿著投影光學系統PL胃圍大致等間隔設置。又，各回收孔部96A〜99A係設於較供應孔部94八、95八更靠投影光學糸統PL外側。第18圖係表不在第i〜第3構件中，配置於中層之第 2構件92之立體圖，第18⑷圖係從上側所見之立體圖，第」8⑻圖係從下側往上看之立體圖。第2構件％係具備 •第3供應孔部94B，形成於投影光學系統孔之―X側，連接於第i構件9丨之第i供應孔部94八；及第4供應孔部形成於投影光學系統pL^x側，連接於第ι構件 91之第2供應孔部95A。第3、帛4供應孔部94B、95B 之各形狀及大小係對應於第卜第2供應孔部94A、95A。進而’第2構件92在其下面具備：第10收槽部96B ，形成於投影光學系統扛之-叉側，連接於第i構件91 ::1回收孔部96A;'2回收槽部㈣，形成於投影光予糸統PL之—¥側，連接於第1構件之第2回收孔部 55 201229691 97A;第3回收槽部98B形成於投影光學系統pLi + x側 :連接於第1構件91之第3回收孔部98A ;及第4回收槽部，形成於投影光學系統PL之+γ側，連接於第i構件91之第4回收孔部99A。各第艾〜第4回收槽部96b〜 "B以對應於第！〜第4回收孔部96A〜99a之形狀及大小的方式形成俯視大致圓弧狀，沿著投影光學系統周圍大致等間隔設置。又，第丨回收f 71和第1回收槽部 96B係透過錐狀槽部96τ來加以連接。錐狀槽部％丁係以 •’第1回收I 71之連接部向第1回收槽部96β沿水平方向逐漸擴大的方式形成。同樣地，第2回收管72和第2 =收槽部97Β係透過錐狀槽部97Τ來加以連接，第3回收管73和第3回收槽部98Β係透過錐狀槽部％丁來加以連接第4回收管74和第4回收槽部99β係透過雜狀槽部 99丁來加以連接。 ^第19圖係表示在第1〜第3構件中，配置於最上層之第3構件93之立體圖，第19⑷圖係從上側所見之立體圖第19(b)圖係從下側往上看之立體圖。第3構件Μ係具備·第I供應槽部94C，形成於投影光學系統pL2 —又側連接於第2構件92之第3供應孔部94B ;第2供應槽部 95C’形成於投影光學系統孔之+ 乂側，連接於第2構件 92之第4供應孔部95B。第丄、帛2供應槽部9化、95c 之各形狀及大小係對應於第3、第4供應孔部94B、95b( 第\第2供應孔部94A、95 A)，形成俯視大致圓弧狀。又’第1供應管41和第i供應槽杳"4C係透過錐狀槽 56 201229691 部94T來加以連接。錐狀槽部94τ 1糸攸對第1供應管41 之連接部向第1供應槽部94C，外★ ,^ 士。广平方向逐漸擴大的方式形成。同樣地，第2供應管42和第不弟2供應槽部95C係透過錐狀槽部95T來加以連接。第1〜第3構件91〜93，係藉由不銹鋼、鈦、銘、或包含這些之合金等金屬來形成，各構# 9ι〜％之孔部和槽部，例如係藉由放電加工來形成。 x 错由放電加工對各構件91〜9 3進行加工後，使用接荽态丨 _ 文用接者劍、熱壓著法等來接合运些各構件91〜9 3，藉J：卜炎报占、、*狄w 求形成/爪路形成部90。將各構件9 1〜93積層並加以接合，藉此爽車棺此木運接（連通）各錐狀槽部 9 4 T、苐1供應槽部9 4 C、第3供廍：?丨加a m 弗J仏應孔部94B、及第1供應孔部9从’藉此，形成連接（連通）於帛ι供應管μ之供應流路。同樣地，連接（連通）各錐狀槽部95丁、第2供應槽部95C、帛4供應孔部95B、及第2供應孔部95A，藉此，形成連接（連通）於第2供應管41之供應流路。並且，從各第1、第2液體供應部n、12所送出之液體丨係透過第 1、第2供應管41、42及上述供應流路供應於基板p上。即，將板狀構件91〜93加以積層來形成液體供應流路。又’連接（連通）各錐狀槽部96T、第1回收槽部96B、及第1回收孔部96A，藉此來形成連接（連通）於第i回收吕71之回收流路。同樣地，連接（連通）各錐狀槽部97丁、第2回收槽部97B、及第2回收孔部97A，藉此來形成連接（連通）於第2回收管72之回收流路，連接（連通）各錐狀槽部98T、第3回收槽部98B、及第3回收孔部98八，藉 57 201229691 此來I成連接（連通）於第3回收管u之回收流路，連接（連通）各錐狀槽部99T、第4回收槽部9犯、及第4回收孔邛99 A藉此來形成連接（連通）於第4回收管74之回收流路卩Μ板狀構件9 1〜93加以積層，藉此來形成液體回收抓路。並且，基板ρ上之液體係透過各上述回收流路、及第1〜第4时管71〜74’進行回收。此時’在各第1、第2.供應管41、42，因連接錐狀槽 Ρ 9 5 Τ故與參照第14圖所說明之實施形態同樣，此在把Υ軸方向當作長邊方向之供應嘴之各位置，進行液體供應。同樣地，在各回收f 71〜74,因也連接錐狀槽部，故能以均勻的回收力來回收液體。又’藉由以各板狀構件之第1〜帛3構件91〜93來形成流路形成構件9 〇 ,你丨如/·、* a* , 幻々在液體回收之際，能以流路形成構件9〇 “以吸收因鳴入空氣、吸引液體之際所發生之振動。又’對各複數個板狀構件91〜93 &以放電加工等加工來形成流路之-部份，藉組合這些板狀構件來形成液體之流路，故能容易形成各供應流路及时流路。又，在形成流路形成構件9〇之複數個構件91〜9, ，在配置於最下層之第i構件91下面之第丨〜第4回收孔部96A〜99A周III，机罢At 對XY平面傾斜之面，將該面進 '丁 ’处理’也可用來作為捕集無法以液體回收機構完全回收之液體之捕集面。又’形成流路形成構件90之構件 91二V系四角形之板狀構件，但也可使用圓形之板狀構件，也可在X方向使用長橢圓狀之板狀構件。 201229691 又，上述之流路形成構件9〇路和回收流路兩者，也可在流路形成構:90。:成供應流任何一方。X，也可在供應流路 ^只設置備將複數個構件積層夹y # ° /现路用，分別具構件#層㈣成之“形成構件。其次，針對本發明之另—實施形態加，包含供應構件13、14之液體如上述件22之液體回收機構20,較佳及，回收構持該投影光學系…支持構件以及支。以下，針對支持液體供應機構1〇及液/持構件來支持支持構造，邊參照第2。圖邊Λ::編收機構2。之之支：：：表示液體供應機構1〇及液體回收機構2。 :支持投係具備办先于糸統孔之鏡筒基座（第i支持構件）ι〇〇 =支持鏡筒基座⑽、光罩載台MST、及基板載台阶框體（第2支持構件）心又，在第2q圖中，z載台 XY载台係以-體來圖示。主框體102係在潔淨室心面上’透過㈣1G8大致水平設置。在主框體1G2，向内側突出之上側層部102A及下側層部102B。照明光學系統IL係藉由固定於主框體102上部之支持體120來支持。在主框體1〇2之上側層部102A，透過防振裝置122來支持光罩基I 124。在光罩載台MST及光罩基座124中央部，形成使光罩m之圖案像通過之開口部。在光罩載& ST下面，設置複數個非接觸軸承之空氣軸承 126。光罩載台MST係藉由空氣軸承126，非接觸支持於 59 201229691 光罩基座124之上面（導引面），藉由光罩載台驅動裝置，在XY平面内能進行2維移動及朝ΘΖ方向能微小旋轉。在保持投影光學系統PIy之鏡筒ρκ外周設置凸緣丄〇4 ，投影光學系統PL係透過凸緣1〇4，支持於鏡筒基座1〇〇。在鏡筒基座1〇〇和主框體102之下側層部1〇2Β之間，配置包含氣塾式避震器（air m。叫等之防振裝置ι〇6，支持投影光學系統PL之鏡筒基座1〇〇係在主框體1〇2之下側層部102B，透過防振裝置1〇6來支持。#由該防振裝置 1〇6，使鏡筒基座100和主框體1〇2形成振動分離，俾使主框體102之振動避免傳達於支持投影光學系統pL之鏡筒基座100。在基板載台PST下面，設置複數個非接觸軸承之空氣車由承130又，在主框體102上，透過包含氣塾式避震器等之防振裝置110來支持載台基座112。基板載台pST係藉由空氣軸承130,對載台基座U2之上面（導引面）加以非接觸支持，藉由基板載台驅動裝置在χγ平面内能2維移動及朝0 Ζ方向能微小旋轉。而且，基板載台ρ $ τ沿ζ 輛方向、ΘΧ方向、及方向也能移動。藉由該防振裝置Π0，使載台基座112和主框體102形成振動分離，俾使主框體102之振動避免傳達於非接觸支持基板載台psT 之載台基座1 12。在基板載台PST上之+ X側之既定位置設置移動鏡55 ，在鏡筒PK之+ X側之既定位置設置基準鏡（固定鏡）114 。又，在與移動鏡55及基準鏡1 14對向之位置設置雷射 60 201229691 雷射干涉計56係安裝於鏡筒基座⑽ =Γ6與液體供應機構10及液體回收機構心: 振動分離。雷射千、;啦·^4* 〜戍動鏡〇糸將測長光束（測定光）照射於移動鏡5 5 ’並且，將基準如 M 0a ^ +九束（基準光）照射基準鏡114。桐據所照射之測長光束及基根铲114々々羊先束，來自移動鏡55及基準，·兄之各反射光係被雷射千、+ 4 由珩干涉叶％之受光部受光，雷射干涉汁56係干涉這些光，宙盔苴求測里以基準光束之光路長 =準之測長光束之光路長之變化量、及以基準鏡m為土準之移動鏡55之位置資訊(即，基板載台PST之位置資釣。同樣地，雖未圖示，但在基板載台psT上及鏡筒π 之+y側，也設置移動鏡及基準鏡，在與這些對向之設置雷射干涉計。置又，在鏡筒基座100,用來測量基板p之聚焦位置（z 位置）及傾斜之自動聚焦檢測系統、檢測出基板P上之對準標記之對準系統等、及未圖示之測量系統也被加以支持，这些測量系統之主框體m、液體供應機冑iq、液體回收機構2 0亦形成振動分離。液體供應機構1〇及液體回收機構20係支持於主框體 1〇2之下側層㈣2B。本實施形態，構成液體供應機構之第1(第2)供應構件13(14)、構成供應管11A(12A)及液體回收機構20之回收構件22、回收管Μ等係藉由支持構件104來支持，該支持構# 1〇4係成為連接於主框體之下側層部咖之構成。又，在第2〇圖中，供應構件U(H)、回收構件L供應管UA(i2A)、及回收管 201229691 2 1A等係被簡化加以圖示。因此’以與支持投影光學系.統PL之鏡筒基座1〇〇形成振動分離之主框體102來支持液體供應機構1〇及液體回收機構20，藉此，使液體供應機構丨〇及液體回收機構 2 0和投影光學系統p l形成振動分離。因此，供應液體之際，或回收液體之際所產生之振動不會透過鏡筒基座1〇〇而傳達於投影光學系統PL、雷射干涉計56及自動聚焦檢測系統和對準系統等測量系統。因此，能防止產生因投影光學系統之振動而使圖案像劣化之不良情況，又，因能精度佳地進行基板載台（基板p)之位置控制，故能將圖案像精度佳地投影於基板上，又，以與支持基板載台pST之載台基座112形成振動分離之主框體1〇2，來支持液體供應機構10及液體回收機構20，藉此使液體供應機構1〇及液體回收機構20和載台基座112形成振動分離。因此，供應液體之際或回收液體之際所產生之振動不會傳達至載台基座1 12，能防止產生基板載台PST之定位精度或移動精度降低之不良情況。又，在本實施形態中，雖液體供應機構1〇及液體回收機構20係、一體支持於主框體1〇2，但也可將液體供應機構10及液體回收機構20加以分離而安裝於主框體1〇2。進而，將有別於主框體1〇2之其他支持構件配置於潔淨室等之地面，也可將液體供應機構及液體回收機構支持於該支持構件。、〃如上述，本實施形態之液體丨係使用純水。純水係在 62 201229691 半導體製造工廠等能大量取得，並且，具有對基板p上之光阻和光學元件（透鏡）不會產生不良影響之優點。又，純水對環保無不良影f’並且，因雜質之含有量極低，故洗淨基板p表面及設i於投影光學系統PL之前端面之光學凡件表面之作用也能期待。並且，純水對波長19如程产之曝光…L之折射率U…程度，就曝光用光e: 之光源而言，賴ArF準分子雷射光(波長I)之情形，在基板p上，進行1/n，即約134nm程度之短波長化，能得到高解析度。並且，焦點深度與空氣中相較約為η 倍，即被放大約L44倍程度’在空氣中使用之情形和能確保同程度之焦點深度之情形，能更增加投影光學系統π 之數值孔徑，此點也能提高解析度。又，如上述，使用浸液法之情形，投影光學系統之數值孔徑NA為0.9〜1.3。因此，當投影光學系統之數值孔徑NA變大之情形，從習知用來作為曝光用光之任意偏光用光’因偏光效應，會有成像性能惡化的情形，故較佳使用偏光照明。這種情形，配合光罩（標線片）之線與間隙圖案之線圖案之長邊方向，進行直線偏光照明，從光罩（標線片）之圖案，使S偏光成分（沿著線圖案長邊方向之偏光方向成分）之繞射光也可作成大量射出。在投影光學系統和塗布於基板P表面之光阻之間以液體來填滿之情形，較用空氣（氣體）來填滿投影光學系統PL和塗布於基板P表面之光阻間之情形，由於有助於提高對比之s偏光成分之繞射光之光阻表面之透過率變高，即使投影光學系統之數值 63 201229691 孔徑ΝΑ超過1 〇夕眛以， • 之情形也能得到高成像性。又，若適當組合配合移相光軍和線圖案之長邊方向之斜人射照明法（特別係偶極子，、、、明句則更有效^又，針對配合線圖案之長邊方向之斜入射照明法，例如，揭示於日本專利特開平6-1 88 1 69 5虎么報’在本案所指定或選擇國之法令容許下，援用該揭示以當作本文記載之一部份。本實施形態’係在投影先學系統PL前端安裝透鏡來作為光學元件2 ’藉由該透鏡，能進行投影光學系統pL之光學特性之調整’例如，像差（球面像差慧形像差等）之凋整。又，就光學元件2而言，也可係用以調整該光學特性之光學板。另一方面，也能將與液體丨接觸之光學元件 2作成較透鏡為廉價之平行平面板。藉由把光學元件2作成平行平面板，在曝光裝置Εχ之搬運、組裝、調整時等，用以降低投影光學系統PL之透過率、基板ρ上之曝光用光EL之照度、及照度分布均勻度之物質（例如，矽系有機物等），即使附著於該平行平面板，在供應液體1之前，只要更換該平行平面板即可，相較於把與液體1接觸之光學元件作成透鏡之情形’具有降低其更換成本之優點。即，藉由曝光用光EL之照射，起因於從光阻所產生之飛散粒子 '或附著液體1中之雜質，因與液體1接觸之光學元件之表面受到污染，故必須定期性更換該光學元件，把該光學元件設為廉價之平行平面板，藉此，與透鏡相較，可使更換元件之成本變低’且能縮短更換所需要之時間，貪t 抑制維護成本（運轉成本）之上升及生產量之降低。 201229691 又’當因液體1之流動所產生之投影光學系統PL前端之光學元件和基板P間之壓力大之情形，不必將該光學元件設為可更換，而可牢固地固定以避免光學元件因該壓力而移動。又，本實施形態之液體1係水，但也可係水以外之液體’例如’當曝光用光EL之光源為F2雷射之情形，該ρ2 雷射光係不透過水，故就液體1而言，也可係能透過F2雷射光’例如，過氟化聚酯（PFPE)或氟系油等氟系流體。這種情形，與以捕集面3丨為主之液體1接觸之部分，例如，以含氟之極性小之分子構造物質來形成薄膜，藉此來進行親液化處理。又，就液體1而言，除此之外，儘量使用具有對曝光用光EL之透過性、折射率高、對投影光學系統PL和塗布於基板p表面之光阻穩定者（例如柏木油）。這種情形，也能按照所使用之液體丨之極性來進行表面處理又，上述之投影光學系統pL雖係在用液體丨（純水）來填滿其像面側之浸液狀態，進行構成（設計）俾使該成像性能成為最佳，惟亦可更換投影光學系統pL部分之光學元件（接近基板P之光學元件），以使在其像面側即使在無液體之非浸液狀態、或用其他之液體來填滿該像面側之浸液狀態’也能得到所欲之成像性能之構成。若把投影光學系、、先PL事先作成廷種構成’例如當需要大焦點深度之情形，係在浸液狀態下來使用曝光裝置Εχ，要”生產量之情形，更換部分之光學元件，在非浸液狀態下：用曝 65 201229691 先褒置EX。這種情形，更換部分之光學元件後’為了測定成像性能，較佳係在基板載台PST ±，事先配置揭示於曰本特開20〇2-14〇〇5號（對應美國專利公開2〇〇2〇〇4丨377) 之空間像感測器或揭示於國際公開第〇2/63664號公報之波面像差測定感測器。當《，也可使用波面像差測定用之光罩，依據該成像性能之測定結果，使部分之光學元件動作，進行曝光用光EL之波長之微調整，俾在各狀態下獲得所欲之成像性能》又，部分光學元件之更換，較佳係投影光學系統PL 仍搭載在曝光裝置EX之狀態下進行，但也可從曝光裝置 EX拆下投影光學系統PL來進行。又’就上述各貫施形態之基板p而言，不僅適用於半導體元件製造用之半導體晶圓，也適用於顯示元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或在曝光裝置所使用之光罩或標線片之原版（合成石英、矽晶圓）等。就曝光裝置EX而言’不僅能適用同步移動光罩基板P’以將光罩Μ之圖案知描曝光之步進掃描方式之掃描型曝光裝置之外，也能適用在使光罩Μ和基板ρ靜止之狀態下，將光罩Μ之圖案整體曝光，使基板Ρ依序步進移動之步進重複方式之投影曝光裝置。又，本發明也能適用於將基板Ρ上至少2個圖案局部重疊轉印之步進縫合方式之曝光裝置。又，本發明也適用於雙載台型之曝光裝置。雙載台型曝光裝置之構造及曝光動作，例如揭示於日本專利特開平

Cv 66 201229691 10-163099號及特開平1〇_214783號（對應美國專利 6,341,007 ^ 6,400,441 . 6,5495269 ^ 6>59〇634)^ 特表2000-505958號（對應美國專利5，969，441)或美國專利6,208,407,在被本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記載之一部份。就曝光裳置ΕΧ之種類而言，不限於將半導體元件圖案曝光於基板Ρ上之半導體元件製造用之曝光裝置，亦廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件（CCD)或標線片或光罩等之曝光裝置等。虽在基板載台PST和光罩載台MST使用線性馬達之 ft形’也可使用空氣軸承之氣浮型及使用洛倫茲力或電抗力之磁浮型之任一型。又，各載台PST、MST也可用沿著導件移動之_，也可係未設置導件引之無導件型。載台使用線性馬達之例，如揭示於美國專利5,623,853及 5,528，118，在本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記載之一部份。就各載台PST、MST之驅動機構而言，也可使用平面馬達，其係使二維配置磁鐵之磁鐵單元、和二維配置線圈之電樞單元對向，並利用電磁力來驅動各載台pST、mst 。這種情形，可將磁鐵單元和電枢單元之任一方連接於載台PST、MST，將磁鐵單元和電柩單元之另一方設置於載台PST、MST之移動面側。因基板載台PST之移動所產生之反作用力，為避免傳 67 201229691 達至投影光學系統PL，也可使用框體構件將其機械性地釋放到地面（大地）。該反作用力之處理方法，例如詳細揭示於美國專利5,528，118(日本專利特開平8 166475號公報），在本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記載之一部份。 ^因光罩載台MST所產生之反作用力，為避免傳達至投影光學系統PL，也可使用框體構件將其機械性地釋放到地面（大地）。該反作用力之處理方法，例如詳細揭示於美國 2利5,874,820(日本特開平8_330224號公報），在本案所指定或選擇之國之法令許可下，援用這些揭示作為本文記: 之一部份。如以上所述，本〜仏且，以保持既疋之機械精度、電氣精度、光學精度的方式，组裝包含本專利申請範圍所列舉之各構成要件之各種副系統來二。為了確保這些各種精度，纟其組褒前後，針對各種光學 :系：：行用來達成光學精度之調整、針對各種機械系統：成機械精度之調整、以及針對各種m統進行用來達成電氣精度之調整。從各種副系統至驴牛哪无裝置之組、^卜，係匕έ各種副系統相互之機械性連接、$ 之配線連接、氣壓迴路之配㈣接等。在從各 2路曝光羞置之組裝步驟前，當然有各副系統之組裝+驟。各種田丨j系、统之組農步驟結束後，進行統合調整，〜在光裝置全_ $久#姑_ & I確保曝王體之各種和度。又，曝光裝置之製造度及潔淨度受到控制之潔淨室來進行。 ’、 68 201229691 半導體元件等之微元件，如第21圖所示，係經由進行微元件之功能及性能設計之步驟20 1、依據設計步驟來製作光罩（標線片）之步驟2〇2、用以製造元件基材之基板製造步驟203、藉由前述之實施形態之曝光裝置EX將光罩之圖案曝光於基板上之曝光處理步驟204、元件組裝步驟（包含切割、接合步驟、封裝步驟）2〇5、檢查步驟2〇6等來製造。依本發明，使用浸液法，在投影光學系統和基板間形成/父液區域之狀態下進行曝光處理之際，也能精度佳地進行曝光處理。【圖式簡單說明】 (一）圖式部分第1圖係表示本發明曝光裝置之一實施形態之概略構成圖。第2圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成的俯視圖。第3圖係表示本發明特徵部分之液體供應機構及液體回收機構之概略構成的立體圖。圖係表示本發明特徵部分之液體回收機構之概<構成之側截面圖第5圖係表不設定於基板上之照射區域圖。二（）Jb)圖係表示液體流動之示意圖。 "圖係表不液體供應機構及液體回收機構之另施形態圖。叹俾心为 69 201229691 第8圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。第9圖係表示液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態圖。第1 〇(a)、（b)圖係表示液體供應機構之另一實施形態第11圖係表示捕集構件之另一實施形態的側戴面圖〇第I2圖係表示捕集構件之另一實施形態的側截面圖〇第U圖係表示捕集構件之另一實施形態的側戴面圖〇第14圖係表示本發明液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態之概略立體圖。第15圖係表示第14圖之狹縫管部之另一實施形態圖。弟圖係表示本發明液體供應機構及液體回收機構之另一實施形態之概略立體圖。第17 圖係表示流路形成構件中 ’第1構件之立體圖第18(a)、（b)圖係表不流路形成構件中，第2構件之立體圖。第19(a)、（b)圖係表示流路形成構件中，第3構件之立體圖。第20 圖係表示本發明之曝光裝置之另一實施形態之 70 201229691 概略構成圖。第21圖係表示半導體元件製造步驟之一例之流程圖〇 (二）元件代表符號 AR1 投影區域 AR2 浸液區域 CONT 控制裝置 EL 曝光用光 EX 曝光裝置 IL 照明光學系統 Μ 光罩 MST 光罩載台 MSTD 光罩載台驅動裝置 Ρ 基板 ΡΚ 鏡筒 PL 投影光學系統 PST 1 基板載台液體 2 光學元件 2a 液體接觸面 10 、 11 、 12 、 13 、 ‘ 13A、14、14A、41、42 液體供應機構 11A、12A 供應管 13D、14D 供應構件 13H、14H 内部空間（内部流路） 71 201229691 20、2卜 22、22A、22D、61 ' 62'63 > 64 > 71 ' 72 23 隔離構件 24 分割空間 25 歧管部 30 捕集構件 31 液體捕集面 32 葉片構件 33 空間部 43 、 45 、 75 、 77 、 79 、 81直管部 44 、 46 、 76 、 78 、 80 、 82 狹縫管部 22H、44H、46H、76H 、78H、80H、82H 52 Z載台 53 XY載台 54 基座. 55 移動鏡 56 雷射干涉計 57 輔助板 58 點線箭頭 73 ' 74 液體回收機構 85 葉片構件 90 流路形成構件 91 第1構件 92 第2構件 93 第3構件 '74 液體回收機構内部流路 72 201229691 91A、92A、93A 孔部 94A、95A、94B、95B 供應流路 94C 第1供應槽部 94丁、95T 錐狀槽部 95C 第2供應槽部 96A ' 97A、98A ' 99A ' 96B 、97B、、99B、96T、97T、98T、99T 回收流路 100 第1支持構件 102 第2支持構件 102A 上側層部 102B 下側層部 104 凸緣 110 、 106 、 122 防振裝置 112 載台基座 114 基準鏡（固定鏡） 124 光罩基座 126 、 130 空氣軸承 73

Claims

201229691 七、申請專利範圍： 1、一種曝光裝置，係透過液體將既定圖案像投影於基板上，藉此將基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，用以將該圖案像投影於基板上；以及液體供應機構，在投影區域之複數個不同方向上之複數個位置，同時進行供應液體於基板上，俾在包含投影1 學系統之投影區$之基板上之-部份形成浸液區域。 2、如申請專利範圍帛"頁之曝光製置，《中該液體供應機構’當依序曝光該基板上之複數個照射區域時，從該複數個位置持續供應液體。 3、如申請專利範圍帛i項之曝光裝置，《中該液體供應機構係從該投影區域兩側朝該基板上同時進行供應液體。 “ 4'如申請專利議3項之曝光裳置，其中該液體供應機構係從該投影區域兩側供應同量的液體。 5、如申請專利範圍帛3.項之曝光裝置，其中該基板上之各照射區域係邊朝既定之掃描方向移動邊曝光，該液體供應機構係在該掃描方向，從該投影區域兩側供應該液體。 6如申凊專利範圍第5項之曝光裝置，其中該液體供應機構在該播;f a ... ^ ^ 向’從#近該投影區域側所供應之液體量較其相反側所供應之液體量為多。 7如申响專利範圍第1項之曝光裝置，其係進一步具備液體回收機構，以與該液體供應並行的方式來進行該 74 201229691 基板上之液體回收。 8、如申請專利範圍第7項之曝光裝置，其中該液體回收機構在該投影區域之複數個不同方向上之複數個位置 ’同時進行該基板上之液體回收。 9、一種曝光裝置，係透過液體將既定圖案像投影於基板上，藉此將基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構，將液體供應於基板上，俾在包含投影光學系統之投影區域之基板上之一部份形成浸液區域二及液體回收機構，在該投影區域之複數個不同方向上之複數個位置’同時進行該基板上之液體回收。 10、如申請專利範圍第8項或第9項之曝光裝置，其 "體回收機構係在該投影區域兩側同時進行該回收。 =如申請專利範圍第8項或第9項之曝光裝置，其回收機構具備以圍繞該投影區域的方式連續形成 12、如申請專利範圍第U項之曝光带連續形成之回收嘴内部設置隔離物。、’、°" 液體1 回申請專利範圍第8或9項之曝光裝置，其中該欠機構係利用依液體回收位置而不收液體。』之回收力來回基板1 上 I:種曝光裝置，係透過液體將既定圖案像投影於错此將基板曝光，其特徵在於具備： 75 201229691 投影光學系統，用以蔣兮闯安1 用以將《亥圖案像投影於基板上；液體供應機構，將液體供廊狀般彳，、應於基板上，俾在包含投影光學系統之投影區域之其拓卜十 A a之基板上之一部份形成浸液區域；以及液體回收機構，在複數個位置同時進行基板上之液體回收；液體回收機構係利用依液體回收位置而不同之回收力來回收液體。 15、如令請專利範圍第14項之曝光裝置，其中該基板上之照射區域係邊沿既定之掃描方向移動邊曝光；該液體回收機構，纟该掃描方向上之遠離投影區域位置之液體回收力設成較別的位置之液體.回收力為大。 16、如中請專利範圍第7、9 & 14項中任—項之曝光裝置，其係進一步具備捕集構件，對該投影區域配置於該液體回收機構之液體回收位置夕卜彻)，形成既定長度之液體捕集面，以捕集該液體回收機構所無法完全回收之液體。 1 7、一種曝光裝置，係透過液體將既定圖案像投影於基板上，藉此將基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構，將液體供應於基板上，俾在包含投影光學系統之投影區域之基板上之一部份形成浸液區域；液體回收機構，在離投影區域之回收位置，進行基板上之液體回收；以及捕集構件，對該投影區域配置於該液體回收機構之液 76 201229691 體回收位置外彳目,丨，n 且形成有用以捕集液體之液體捕集面。〃、如申請專利範圍帛17 1員之曝光裝置，其中該捕集面係施以提高與該液體親和性之處理。 '、隼面二^請專利範圍第18項之曝光襄置，其中該捕集之液體親和性係較該基板表面之液體親和性為高。 20、如申請專利範圍帛17項之曝光裝置，其中該捕集面係對水平面呈傾斜。隼面：广申請專利範圍第17項之曝光袭置，其中該捕 .....己置成圍繞該投影區域，且長度視其位置而異。 22、如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中以該捕本面所捕集之液體係被該液體回收機構回收。 23、如申請專利範圍帛7、9、14及17項中任一項之曝光裝置，其中該液體供應機構，係在該液體回收機構之液體回收位置與該投影區域間供應液體。 24、-種曝光裝置，係透過液體將既定圖案像投影於基板上，藉此將基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構，將液體供應於基板上，俾在包含投影光予系統之投影區域之基板上之一部份形成浸液區域；以液體回收機構，在離投影區域之回收位置，進行基板上之液體回收；藉液體供應機構之液體供應，係在液體回收機構之液體回收位置與投影區域間進行。 77 201229691 25、如申請專利範圍第24項之曝光裝置，其中該液體供應機構係按照執行動作來改變液體供應量。 26、如申請專利範圍第25項之曝光襄置，其中該基板上之各照射區域係邊移動該基板邊掃描曝光丨及液體供應機構，在該基板上之2個照射區域間之步進移動中和各照射區域之曝光中，使液體供應量不同。如申請專利範圍第卜9、14、17及24項中任一員之曝光裝置’其中該液體供應機構，係供應與該投影光學系統前端之液體接觸面之親和性較與該基板表面之親和性為南之液體。 28、如申請專利範圍帛27 ,員之曝光裝置，其中該液體係水，該投影光學系統前端之液體接觸面施以親水化處理，在該基板表面塗布撥水性之感光材料。 29、一種元件製造方法，其特徵在於，係使用申請專利範圍第1'9'14、17及.24項中任—項之曝光裝置來製不里噼无方法，係透 ^ -----_未1豕役影土板上’藉此將基板曝光’其特徵在於包含以下步驟：供應與投影光學系統前端之液體接觸面之親和性較基板表面之親和性為高之液體，俾在包含投影光學系統投影區域之基板上之一部份形成浸液區域；以及透過供應於該浸液區域之液體，將既定圖基板上。仅京/ 31、如申請專利_ 30項之曝光方法，其中該 201229691 體係水，在該投影光學系統前端之液體接觸面施以親水化處理’在該基板表面塗布撥水性之感光材料。 32、如申請專利範圍第3〇項之曝光方法，其係在該基板之曝光中，在該基板上進行該液體供應，並且回收該基板上之液體。 33、一種元件製造方法，其特徵在於，係使用申請專利範圍第3 0項之曝光方法來製造。 34、 -種曝光裝置’係透過液體將既定圖案像投影於基板上，藉此將基板曝光，其特徵在於具備：投影光學系統，用以將該圖案像投影於基板上；液體供應機構，具有將液體供應於該基板上之供應流路；以及〜/;Ιί 液體回收機構，具有將所供應之液體加以回收之回收流路；係形成於複數個该供應流路和回收流路之至少一方板狀構件所積層之積層構件中。 W、如申請專利範圍第34項之曝光裝置，其係在該積層構件中央以朝積層構件之厚度方向貫穿積層構件的= 式，來形成供投影光學系統一部份配置之貫穿孔。 35項之曝光裝置，其中 ’係貫穿至少2個板狀 36、如申請專利範圍第34或 5亥供應流路和回收流路之至少一方構件之厚度方向。 37、一種曝光裝置，係透過液體將既定圖案像投影於基板上，藉此將基板曝光，其特徵在於具備：； 79 201229691 才又衫光學系統’用以將該圖案像投影於基板；以及液體供應機構，將液體供應於基板上，俾在包含投影光學系統之投影區域之基板上之一部份形成浸液區域；液體供應機構與投影光學系統係形成振動隔離。 38、如申請專利範圍第37項之曝光襞置，其中該液體供應機構，係在該圖案像所投影之投影區域兩侧具有供應嘴，在該投影區域兩側同時朝該基板上進行液體供應。 39 '如申請專利範圍第38項之曝光裝置，其中該基板上之各照射區域係邊沿既定之掃描方向移動邊曝光；該液體ί、應機構在該掃描方向，從該投影區域兩側同時進行該液體供應。、4〇、如中請專利範圍f 37 g之曝光裝置，其係具備用乂回收3基板上液體之液體回收機構，該液體回收機構與才又衫光學系統係形成振動分離。 41、如申請專利範圍第40項之曝光裳置，其中該液口收機構之时嘴係配置成圍繞該液體时機構之供應嘴0 42、如申請專利範圍帛37 $之曝光裝置，且係進一步具備用以支持該投影光學系統之第乐1叉持構件、以及盥支持構件形成振動分離且支持該液體供應機構之U 像投影於上；以及 …種曝光裝置，係透過液體將既定圖案土板上’藉此將基板曝光，其特徵在於具備： X 'V光學系統，用以將該圖案像投影於基板 ◎ 80 201229691 液體回收機構，用以回收供應至包含投投影區域之基板上之_部份之液體；統之液體回收機構與投影光學系統係形成振動分離。 44 H請專利範圍第43項之曝光裝置，二備用以支持該投影光學系統之第i支持構件、以及與支持構^構件形成振動分離且支持該液艘供應機構之h 45、如申請專利範圍第42或44項之曝光裝置 1支持構件與第2支持構件之間配置防振機構。…、進：且Γ請專利範圍第42或44項之曝光裝置，其传曰八、備雷射干涉計’支持於該帛丨支持構件量將該基板保持成能移動之基板載台之位置資訊。U測如申印專利範圍第42或44項之曝光裝置，其俜 ::備基座，用以支持將該基板保持成能移動之基板載;;:、 4 2支持構件與基座構件係形成振動分離。、種曝光裝置，係透過液體將既定圖案像投影於土反’以將基板上之複數個照射區域依序，在於具備：八W破投影光學系統，用以將該圖案像投影於基板；以及機構’從與該基板對向配置之供應嘴供應液奴’卑在㈠投影光學系統之投影區域之基板上之形成浸液區域，· 习供應機構，係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期問，Μ # μ成此14_，士從邊ί、應嘴持續供應液體。 81 201229691 其中該液 49、如申請專利範圍第48項之曝光裝置體供應機構係具有複數個供應嘴。 5〇、如申請專利範圍第49項之曝光裝置，其中該俾應嘴係配置於該投影區域兩側。 5卜如申請專利範圍第48項之曝光裝置，盆中+亥基板上之複數個照射區域中之部份照射區域係邊沿既定二移動該基板邊掃描曝光，剩餘之照射區域係沿與該既定方向相反之方向邊移動該基板邊掃描曝光。 52種曝光裝置’係透過液體將既定圖案像投影於基板上’以將基板上之複數個照射區域依序曝光，其特徵在於具備：杈衫光學系統，用以將該圖案像投影於基板；液體供應機構，從配置於既定位置之供應嘴供應液體，俾在包含投影光學系統之投影區域之基板上之一部份形成浸液區域；以及液體回收機構，具有與該基板呈對向配置之回收嘴，以回收從該液體供應機構所供應之液體；該液體回收機構係在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間，從該回收嘴持續回收液體。 53、如申請專利範圍第52項之曝光裝置，其中該回收嘴係配置成圍繞該投影區域，。 54、如申請專利範圍第52項之曝光裝置，其中該基板上之複數個照射區域中之部份照射區域係邊沿既定方向移動遠基板邊掃描曝光’剩餘之照射區域係沿與該既定方 82 201229691 向相反之方向邊移動該基板邊掃描曝光。 5 5、一種7L件製造方法，其特徵在於，係使用申請專利範圍第34、37、43、48、52項中任一項之曝光裝置來製造。 56、如申請專利範圍第5 1項之曝光裝應嘴係配置於該投影區域兩側。 57、如申請專利範圍第51項之曝光裝置，其中該液體供應機構具有流路形成構件，該流路形成構件，呈有形供應嘴之下面，且於内部形成有“對該供應嘴供應液體的流路。 58、如申請專利範圍第57項之曝光裝置，其中奸路形成構件，係配置成圍繞該投影光學系統的前端部。 59、如申請專利範圍第57項之曝光褒置步具有回收嘴，形成於該流路形 ’、供應嘴供應的液體；牛之下面且回收從該在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處從該回收嘴持續回收液體。 J間’ 6〇、如申請專利範圍第59項之曝光裝置收嘴係配置於該投影區域的周圍。 61、如申請專利範圍第54項之曝光裝置收嘴係配置於該投影區域兩側。 62、如申請專利範圍第61項之曝光裝置收嘴係連續配置於該投影區域的周圍。 63、如申請專利範圍第54項之曝光裝置其中該回其中該回其中該回其中該液 83 201229691 ，具有形回收嘴的體回收機構具有流路形成構件.，該流路形成構件成有該回收嘴之下面，且於内部形成有供來自該液體流動的流路。 64、如申請專利範圍第03項之曝光裝置，其路形成構件，係配置成圍繞該投影光學系統的前端部該流 Μ、如申請專利範圍第63項之曝光裝置，复應嘴係形成於該流路形成構件； ” 供域之曝光處理期間在進行該基板上之複數個照射區從該供應嘴持續供應液體。 66、：種曝光裝置’係透過液體將既定圖案像投影於土板上，藉此將基板曝光，其特徵在於具備： ' 投影光學系統，用以將該圖案像投影於基板；液體供應機構成浸液區域；以及用以供應液體以在基板上之一部份形液體回收機構，域的周圍之回收嘴，之該基板上的液體；具有形成於該圖案像所投影之投影區且從該回收嘴回收與該回收嘴呈對向 …在與投影光學系統的像面平行之面内，該回收嘴係於技影區域的周圍配置成矩形狀。 //、如申請專利範圍第“項之曝光裝置，其中該回收嘴係連續配置於該投影區域的周圍。 68'如申請專利範圍第員之曝光裝置，其係進_ 步具備驅動裝置，當將該既定圖案像投影於該基板上時，使該基板移動於既定掃描方向； 84 201229691 - 於投影區域的周圍配置成矩形狀之該回收嘴的—邊，係與遠知描方向平行。 69、如申請專利範圍第66或67項之曝光裝置該液體回收機構，在進行該基板上之複數個照射區域之曝光處理期間’從該时嘴持續回收液體。 70、如申請專利範圍第69項之曝光裝置，其體供應機構，在進行該基板 “ 理期間，持續供應液體。數個屬域之曝光處 7卜如申請專利範圍第7〇項之曝光裝置，其體供應機構，在今於影P # Μ液。玟t Q域兩側具有液體供應嘴。 ”、如申請專利範圍第66或67項之曝光裳置该液體回收機構具有流路，、中古丄、路形成構件’該流路形成構件，目有形成有該回收嘴之下面 A 且於内部形成有供來自嗲π k 鳴的液體流動的流路。曰名回收 73、如申請專利笳囹路形成構件之下面，包含=之曝光裝置’其中該流平行之面呈傾斜之面。對於與該投影光學系統的像面 -直74、一種元件製造方法’其特徵在於包含，係使用由。月專利範圍第66項之曝 ’、吏用申艰九裝置，以將基板曝光。八、圖式：如次頁。 85