KR20120094884A - 표시장치 - Google Patents

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아쓰시 우메자키
히로유키 미야케
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

표시장치의 저소비 전력화 및 고선명화를 가능하게 하는 회로 기술을 제공하는 것을 과제로 한다. 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되는 트랜지스터의 게이트 전극에 스타트 신호에 의해 제어되는 스위치를 설치한다. 스타트 신호가 입력되면, 스위치를 거쳐 해당 트랜지스터의 게이트 전극에 전위가 공급되고, 해당 트랜지스터를 오프한다. 해당 트랜지스터가 오프되면, 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극으로의 전하의 누설을 방지할 수 있다. 따라서, 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극에 전하를 충전하기 위한 시간을 빨리 할 수 있으므로, 고속으로 동작할 수 있다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은, 트랜지스터를 사용해서 구성된 회로를 가지는 표시장치에 관한 것이다. 특히 액정소자 등의 전기광학소자, 혹은 발광소자 등을 표시 매체로서 사용하는 표시장치, 및 그 구동방법에 관한 것이다.
최근, 액정 텔레비전 등의 대형표시장치의 증가로부터, 표시장치의 개발이 활발하게 진행되고 있다. 특히, 절연 기판 위에 비결정 반도체(이하, 아모퍼스 실리콘이라고도 한다)로 구성된 트랜지스터를 사용하여, 화소회로 및 시프트 레지스터 등을 포함하는 구동회로(이하, 내부회로라고도 한다)를 일체 형성하는 기술은, 저소비 전력화, 저비용화에 크게 공헌하기 때문에, 활발하게 개발이 진행되고 있다. 절연 기판 위에 형성된 내부회로는, FPC(Flexible Printed Circuit) 등을 거쳐서 콘트롤러 IC 등(이하, 외부회로라고도 한다)에 접속되어, 그 동작이 제어된다.
상기에서 나타낸 내부회로 중에서도, 비결정 반도체로 구성된 트랜지스터(이하, 아모퍼스 실리콘 트랜지스터라고도 한다)을 사용한 시프트 레지스터가 고안되어 있다. 종래의 시프트 레지스터가 가지는 플립플롭의 구성을 도100a에 나타낸다(특허문헌 1). 도100a의 플립플롭은, 트랜지스터 11(부트스트랩용 트랜지스터), 트랜지스터 12, 트랜지스터 13, 트랜지스터 14, 트랜지스터 15, 트랜지스터 16 및 트랜지스터 17을 가지고, 신호선 21, 신호선 22, 배선 23, 신호선 24, 전원선 25, 전원선 26에 접속되어 있다. 신호선 21, 신호선 22, 신호선 24, 전원선 25, 전원선 26에는, 각각 스타트 신호, 리셋트 신호, 클록 신호, 전원 전위 VDD, 전원전위 VSS가 입력된다. 도100a의 플립플롭의 동작 기간은, 도100b의 타이밍 차트에 도시된 것과 같이 세트 기간, 선택 기간, 리셋트 기간, 비선택 기간으로 분할된다.
세트 기간에 있어서, 신호선 21로부터 H신호를 입력하고, 노드 41의 전위를 VDD-Vth15(Vth15: 트랜지스터 15의 임계전압)로 상승시킴으로써 트랜지스터 11을 온한 채 노드 41을 부유 상태로 하고 있다. 트랜지스터 16은, 신호선 21로부터 H신호가 입력될 때에는 온되어 있으므로, 노드 41에 게이트 전극이 접속된 트랜지스터 14가 온되어, 노드 42의 전위를 L레벨로 함으로써 트랜지스터 16을 오프하고 있다. 즉, 신호선 21에 H신호가 입력되고나서, 트랜지스터 16이 오프할 때까지의 기간은, 트랜지스터 11의 게이트 전극에서 전하가 새고 있었다.
여기에서, 전위가 VDD인 신호를 H신호, 전위가 VSS인 신호를 L신호라고 부른다. 또한 L레벨이란, L신호의 전위가 VSS인 것을 말한다.
비특허문헌1 및 비특허문헌2의 표시장치는, 아모퍼스 실리콘 트랜지스터로 구성되는 시프트 레지스터를 주사선구동회로로서 사용하고, 다시 R, G, B의 서브 화소에 1개의 신호선에서 비디오신호를 입력함으로써 신호선의 수를 1/3로 줄이고 있다. 이렇게 해서, 비특허문헌1 및 비특허문헌2의 표시장치는, 표시 패널과 드라이버 IC의 접속수를 절감하고 있다.
[특허문헌1] 일본국 특개2004-157508호 공보
[비특허문헌1] Jin Young Choi， et al. "A Compact and Cost-ef ficient TFT-LCD through the Triple-Gate Pixel Structure"， SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2006 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS， Volume XXXVII， p.274-276
[비특허문헌2] Yong Soon Lee, et al., "Advanced TFT-LCD Data Line Reduction Method", SOCIETY FOR INFORMATION DISPLAY 2006 INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, Volume XXXVII, p. 1083-1086
종래의 기술에 의하면, 부트스트랩용 트랜지스터를 온한 채, 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극을 부유 상태로 하고 있었다. 그렇지만, 종래의 기술에서는, 부트스트랩용 트랜지스터를 온한 채, 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극을 부유 상태로 할 때까지, 시간을 필요로 하기 때문에, 고속으로 동작할 수 없다고 하는 문제가 있었다. 더구나, 트랜지스터의 반도체층으로서 아모퍼스 실리콘을 사용했을 경우, 트랜지스터의 임계전압 시프트를 일으킨다고 하는 문제가 있었다. 더구나, 신호선의 수를 1/3로 줄이고, 표시 패널과 드라이버IC의 접점의 수를 삭감하는 것이 제안되어 있지만(비특허문헌1 및 비특허문헌2), 실용적으로는 드라이버IC의 접점의 수를 한층 더 삭감하는 것이 요구되고 있다.
즉, 종래의 기술에서 해결되지 않는 것으로서, 시프트 레지스터가 고속으로 동작할 수 있는 회로 기술, 트랜지스터의 임계전압의 변동을 억제하는 회로 기술이 과제로서 남겨져 있다. 또한 표시 패널에 설치하는 드라이버1C의 접점수를 삭감하는 기술, 표시장치의 저소비 전력화 및 표시장치의 대형화 또는 고선명화도 과제로서 남겨져 있다.
본 명세서의 표시장치는, 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극에 접속되는 트랜지스터의 게이트 전극에, 스타트 신호에 의해 제어되는 스위치를 설치하고 있다. 스타트 신호가 입력되면, 스위치를 거쳐 해당 트랜지스터의 게이트 전극에 전위가 공급되어, 해당 트랜지스터는 오프된다. 해당 트랜지스터가 오프되면, 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극에서의 전하의 누설을 방지할 수 있다. 따라서, 부트스트랩용 트랜지스터의 게이트 전극에 전하를 충전하기 위한 시간을 빨리 할 수 있으므로, 고속으로 동작할 수 있다.
본 서류(명세서, 특허청구범위 또는 도면 등)에 나타내는 스위치는, 여러가지 형태의 것을 사용할 수 있다. 예로서는, 전기적 스위치나 기계적 스위치 등이 있다. 즉, 전류의 흐름을 제어할 수 있는 것이면 되고, 특정한 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 스위치로서, 트랜지스터(예를 들면 바이폴러트랜지스터, MOS 트랜지스터 등), 다이오드(예를 들면 PN다이오드, PIN다이오드, 쇼트키 다이오드, MIM(Metal Insulator Metal)다이오드, MIS(Metal Insulator Semiconductor)다이오드, 다이오드 접속의 트랜지스터 등), 사이리스터등을 사용할 수 있다. 또한 이것들을 조합한 논리회로를 스위치로서 사용할 수 있다.
스위치로서 트랜지스터를 사용할 경우, 그 트랜지스터는, 단순한 스위치로서 동작하기 때문에, 트랜지스터의 극성(도전형)은 특별하게 한정되지 않는다. 다만, 오프 전류를 억제하고 싶을 경우, 오프 전류가 적은 쪽의 극성의 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 오프 전류가 적은 트랜지스터로서는, LDD 영역을 가지는 트랜지스터나 멀티 게이트 구조를 가지는 트랜지스터 등이 있다. 또한 스위치로서 동작시키는 트랜지스터의 소스 단자의 전위가, 저전위측 전원(Vss, GND, 0V 등)에 가까운 상태에서 동작하는 경우에는, N채널형 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 반대로, 소스 단자의 전위가, 고전위측 전원(Vdd 등)에 가까운 상태에서 동작하는 경우에는, P채널형 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, N채널형 트랜지스터의 소스 단자가 저전위측 전원에 가까운 상태에서 동작할 때, 또는 P채널형 트랜지스터의 소스 단자가 고전위측 전원에 가까운 상태에서 동작할 때에는, 게이트?소스간 전압의 절대값을 크게 할 수 있어, 스위치의 온 또는 오프의 전환이 용이하게 되기 때문이다. 또한 트랜지스터가 소스 폴로워 동작을 해 버리는 일이 적기 때문에, 출력 전압의 크기가 작아져 버리는 일이 적기 때문이다.
N채널형 트랜지스터와 P채널형 트랜지스터의 양쪽을 사용하여, CMOS형 스위치를 스위치로서 사용해도 된다. CMOS형 스위치로 하면, P채널형 트랜지스터 또는 N채널형 트랜지스터의, 어느 한쪽의 트랜지스터가 도통하면 전류가 흐르기 때문에, 스위치로서 기능하기 쉬워진다. 예를 들면 스위치에의 입력 신호의 전압이 높은 경우에도, 낮은 경우에도, 적절하게 전압을 출력시킬 수 있다. 더구나, 스위치를 온?오프시키기 위한 신호의 전압 진폭값을 작게 할 수 있으므로, 소비 전력을 작게 할 수도 있다.
스위치로서 트랜지스터를 사용할 경우, 스위치는, 입력 단자(소스 단자 및 드레인 단자의 한쪽)와, 출력 단자(소스 단자 및 드레인 단자의 다른 쪽)과, 도통을 제어하는 단자(게이트 단자)를 가지고 있다. 한편, 스위치로서 다이오드를 사용할 경우, 스위치는, 도통을 제어하는 단자를 가지지 않고 있을 경우가 있다. 그 때문에 트랜지스터보다도 다이오드를 스위치로서 사용하는 쪽이, 단자를 제어하기 위한 배선을 적게 할 수 있다.
본 명세서에 있어서, A와 B가 접속되어 있다고 명시적으로 기재하는 경우에는, A와 B가 전기적으로 접속되어 있을 경우와, A와 B가 기능적으로 접속되어 있을 경우와, A와 B가 직접 접속되어 있을 경우를 포함하는 것으로 한다. 여기에서, A, B는, 대상물(예를 들면 장치, 소자, 회로, 배선, 전극, 단자, 도전막, 층 등)인 것으로 한다. 따라서, 본 명세서가 개시하는 구성에 있어서, 소정의 접속 관계, 예를 들면 도면 또는 문장에 표시된 접속 관계에 한정되지 않고, 도면 또는 문장에 표시된 접속 관계 이외의 것도 포함하는 것으로 한다.
예를 들면 A와 B가 전기적으로 접속되어 있을 경우로서, A와 B의 전기적인 접속을 가능하게 하는 소자(예를 들면 스위치, 트랜지스터, 용량소자, 인덕터, 저항소자, 다이오드 등)가, A와 B의 사이에 1개 이상 배치되어 있어도 된다. 또는, A와 B가 기능적으로 접속되어 있을 경우로서, A와 B의 기능적인 접속을 가능하게 하는 회로(예를 들면 논리회로(인버터, NAND회로, NOR회로 등), 신호변환회로(DA변환 회로, AD변환 회로, 감마 보정회로 등), 전위 레벨 변환 회로(전원회로(승압회로, 강압회로 등), 신호의 전위 레벨을 바꾸는 레벨 시프터 회로 등), 전압원, 전류원, 변환 회로, 증폭회로(신호 진폭 또는 전류량 등을 크게 할 수 있는 회로, OP앰프, 차동증폭회로, 소스 폴로워 회로, 버퍼 회로 등), 신호 생성 회로, 기억 회로, 제어회로 등)이, A와 B의 사이에 1개 이상 배치되어 있어도 된다. 또는, A와 B가 직접 접속되어 있을 경우로서, A와 B의 사이에 다른 소자나 다른 회로를 끼우지 않고, A와 B가 직접 접속되어 있어도 된다.
A와 B가 직접 접속되어 있다고 명시적으로 기재하는 경우에는, A와 B가 직접 접속되어 있는 경우(즉, A와 B의 사이에 다른 소자나 다른 회로를 사이에 개재하지 않고 접속되어 있을 경우)와, A와 B가 전기적으로 접속되어 있을 경우(즉, A와 B의 사이에 별도의 소자나 별도의 회로를 끼워서 접속되어 있을 경우)를 포함하는 것으로 한다.
A와 B가 전기적으로 접속되어 있다고 명시적으로 기재하는 경우에는, A와 B가 전기적으로 접속되어 있을 경우(즉, A와 B의 사이에 별도의 소자나 별도의 회로를 끼워서 접속되어 있을 경우)와, A와 B가 기능적으로 접속되어 있을 경우(즉, A와 B의 사이에 별도의 회로를 끼워서 기능적으로 접속되어 있을 경우)와, A와 B가 직접 접속되어 있을 경우(즉, A와 B의 사이에 별도의 소자나 별도의 회로를 끼우지 않고 접속되어 있을 경우)를 포함하는 것으로 한다. 즉, 전기적으로 접속되어 있다고 명시적으로 기재하는 경우에는, 간단히, 접속되어 있다하고만 명시적으로 기재되어 있을 경우와 같은 것으로 한다.
표시 소자, 표시 소자를 가지는 장치인 표시장치, 발광소자, 발광소자를 가지는 장치인 발광 장치는, 여러가지의 형태에 사용할 수 있고, 또한 여러가지의 소자를 가질 수 있다. 예를 들면 표시 소자, 표시장치, 발광소자 또는 발광 장치로서는, EL소자(유기 EL소자, 무기 EL소자 또는 유기물 및 무기물을 포함하는 EL소자), 전자방출소자, 액정소자, 전자 잉크, 전기영동소자, 그레이팅 라이트밸브(GLV), 플라즈마 디스플레이(PDP), 디지털 마이크로미러 디바이스(DMD), 압전 세라믹 디스플레이, 카본 나노튜브 등, 전기자기적 작용에 의해, 콘트라스트, 휘도, 반사율, 투과율 등이 변화되는 표시 매체를 사용할 수 있다. 이때, EL소자를 사용한 표시장치로서는 EL디스플레이, 전자방출소자를 사용한 표시장치로서는 필드 에미션 디스플레이(FED)나 SED 방식 평면형 디스플레이(SED: Surface-Conduction Electron-emitter Display) 등, 액정소자를 사용한 표시장치로서는 액정 디스플레이(투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이, 투사형 액정 디스플레이), 전자 잉크나 전기영동소자를 사용한 표시장치로서는 전자 페이퍼가 있다.
본 서류(명세서, 특허청구범위 또는 도면 등)에 기재된 트랜지스터로서, 여러가지 형태의 트랜지스터를 사용할 수 있다. 따라서, 사용하는 트랜지스터의 종류에 한정은 없다. 예를 들면 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 미결정(마이크로 크리스탈, 세미아모퍼스라고도 한다) 실리콘 등으로 대표되는 비단결정 반도체막을 가지는 박막트랜지스터(TFT) 등을 사용할 수 있다. TFT를 사용할 경우, 여러가지의 장점이 있다. 예를 들면 단결정 실리콘의 경우보다도 낮은 온도에서 제조할 수 있기 때문에, 제조 비용의 삭감, 또는 제조 장치의 대형화를 꾀할 수 있다. 제조 장치의 대형화에 의해, 대형기판 위에 트랜지스터를 제조할 수 있다. 그 결과, 저비용으로, 동시에 많은 개수의 표시장치를 제조할 수 있다. 더구나, 제조 온도가 낮기 때문에, 내열성이 약한 기판을 사용할 수 있다. 그 때문에 투명기판 위에 트랜지스터를 제조할 수 있다. 그 결과, 투명기판 상의 트랜지스터를 사용하여, 표시 소자에서의 빛의 투과를 제어할 수 있다. 또는, 트랜지스터의 막두께가 얇기 때문에, 트랜지스터를 구성하는 막의 일부는, 빛을 투과시킬 수 있다. 그 결과, 개구율을 향상시킬 수 있다.
다결정 실리콘을 제조할 때에, 촉매(니켈 등)를 사용함으로써, 결정성을 더욱 더 향상시켜, 전기 특성이 좋은 트랜지스터를 제조하는 것이 가능해진다. 그 결과, 게이트 드라이버 회로(주사선구동회로)이나 소스 드라이버 회로(신호선구동회로), 신호 처리 회로(신호 생성 회로, 감마 보정회로, DA변환 회로 등)을 기판 위에 일체 형성할 수 있다.
미결정 실리콘을 제조할 때에, 촉매(니켈 등)를 사용함으로써, 결정성을 한층 더 향상시켜, 전기 특성이 좋은 트랜지스터를 제조하는 것이 가능해 진다. 이 때, 레이저를 사용하지 않고, 열처리를 가하는 것만으로, 결정성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 게이트 드라이버 회로(주사선구동회로)나 소스 드라이버 회로의 일부(아날로그 스위치 등)를 기판 위에 일체 형성할 수 있다. 더구나, 결정화에 레이저를 사용하지 않는 경우에는, 실리콘의 결정성의 얼룩을 억제할 수 있다. 그 결과, 화질이 향상된 화상을 표시할 수 있다.
단, 촉매(니켈 등)를 사용하지 않고, 다결정 실리콘이나 미결정 실리콘을 제조하는 것은 가능하다.
반도체기판이나 SOI기판 등을 사용해서 트랜지스터를 형성할 수 있다. 그 경우, MOS형 트랜지스터, 접합형 트랜지스터, 바이폴러트랜지스터 등을 본 명세서에 기재된 트랜지스터로서 사용할 수 있다. 이것들에 의해, 특성이나 사이즈나 형상 등의 격차가 적고, 전류공급 능력이 높고, 사이즈가 작은 트랜지스터를 제조 할 수 있다. 이들 트랜지스터를 사용하면, 회로의 저소비 전력화, 또는 회로의 고집적화를 꾀할 수 있다.
사용할 수 있는 트랜지스터로서, 산화아연(ZnO), 아모퍼스 산화물(a-InGazno), 실리콘 게르마늄(SiGe), 갈륨비소(GaAs), 인듐 아연산화물(IZO), 인듐 주석산화물(ITO), 산화 주석(SnO) 등의 화합물반도체, 또는 산화물반도체를 가지는 트랜지스터나, 더구나, 이것들의 화합물반도체 또는 산화물반도체를 박막화한 박막트랜지스터 등이 있다. 이것들에 의해, 제조 온도를 낮게 할 수 있고, 예를 들면 실온에서 트랜지스터를 제조하는 것이 가능해 진다. 그 결과, 내열성이 낮은 기판, 예를 들면 플라스틱 기판이나 필름 기판에 직접 트랜지스터를 형성할 수 있다. 또한, 이것들의 화합물반도체 또는 산화물반도체를, 트랜지스터의 채널 부분에 사용할 뿐만 아니라, 그 이외의 용도로 사용할 수도 있다. 예를 들면 이러한 화합물반도체 또는 산화물반도체를 저항소자, 화소전극, 투명전극으로서 사용할 수 있다. 더구나, 그것들을 트랜지스터와 동시에 성막 또는 형성할 수 있기 때문에, 비용을 저감할 수 있다.
사용할 수 있는 트랜지스터로서, 잉크젯이나 인쇄법을 사용해서 형성한 트랜지스터 등이 있다. 이것들에 의해, 트랜지스터를 실온에서 제조, 저진공도에서 제조, 또는 대형기판 위에 제조 할 수 있다. 또한 마스크(레티클)를 사용하지 않아도 제조하는 것이 가능해지기 때문에, 트랜지스터의 배치를 용이하게 변경할 수 있다. 더구나, 레지스트를 사용할 필요가 없기 때문에, 재료비가 싸고, 공정수를 삭감할 수 있다. 더구나, 필요한 부분에만 막을 붙이기 때문에, 전체면에 성막한 후에 에칭한고 하는 제조방법보다도, 재료가 쓸데 없어지지 않아, 저비용으로 할 수 있다.
사용할 수 있는 트랜지스터로서, 유기반도체나 카본 나노튜브를 가지는 트랜지스터 등이 있다. 이것들에 의해, 구부리는 것이 가능한 기판 위에 트랜지스터를 형성할 수 있다. 그 때문에 유기반도체나 카본 나노튜브를 가지는 트랜지스터 등을 사용한 장치는, 충격에 강하게 할 수 있다.
기타, 여러가지의 트랜지스터를 사용할 수 있다.
트랜지스터가 형성되어 있는 기판의 종류는, 여러가지의 것을 사용할 수 있고, 특정한 것에 한정될 일은 없다. 트랜지스터가 형성되는 기판으로서는, 예를 들면 단결정 기판, SOI기판, 유리 기판, 석영기판, 플라스틱 기판, 종이기판, 셀로판 기판, 석재기판, 목재기판, 천기판(천연섬유(견, 면, 마), 합성 섬유(나이론, 폴리우레탄, 폴리에스테르) 혹은 재생 섬유(아세테이트, 큐프라, 레이온, 재생 폴리에스테르) 등을 포함한다), 피혁기판, 고무 기판, 스테인레스?스틸 기판, 스테인레스?스틸?호일을 가지는 기판 등을 사용할 수 있다. 또는, 사람 등의 동물의 피부(피부 표면, 진피) 또는 피하조직을 기판으로서 사용해도 된다. 또는, 어떤 기판으로 트랜지스터를 형성하고, 그 후에 별도의 기판에 트랜지스터를 전치해도 좋다. 트랜지스터가 전치되는 기판으로서는, 단결정 기판, SOI기판, 유리 기판, 석영기판, 플라스틱 기판, 종이기판, 셀로판 기판, 석재기판, 목재기판, 천기판(천연섬유(견, 면, 마), 합성 섬유(나이론, 폴리우레탄, 폴리에스테르) 혹은 재생 섬유(아세테이트, 큐프라, 레이온, 재생 폴리에스테르) 등을 포함한다), 피혁기판, 고무 기판, 스테인레스?스틸 기판, 스테인레스?스틸?호일을 가지는 기판 등을 사용할 수 있다. 또는, 사람등 의 동물의 피부(피부 표면, 진피) 또는 피하조직을 트랜지스터가 전치되는 기판으로서 사용해도 된다. 이들 기판을 사용함으로써, 특성이 좋은 트랜지스터의 형성, 소비 전력이 작은 트랜지스터의 형성, 깨지기 어려운 장치의 제조, 내열성의 부여, 또는 경량화를 꾀할 수 있다.
트랜지스터의 구성은, 여러가지의 형태를 취할 수 있고, 특정한 구성에 한정되지 않는다. 예를 들면 게이트 전극이 2개 이상인 멀티 게이트 구조를 사용해도 된다. 멀티 게이트 구조로 하면, 채널 영역이 직렬로 접속되기 때문에, 복수의 트랜지스터가 직렬로 접속된 구성이 된다. 멀티 게이트 구조에 의해, 오프 전류의 저감, 트랜지스터의 내압향상에 의한 신뢰성의 향상을 꾀할 수 있다. 또는, 멀티 게이트 구조에 의해, 포화 영역에서 동작할 때에, 드레인?소스간 전압이 변화되어도, 드레인?소스간 전류가 그다지 변화되지 않아, 기울기가 플랫한 전압?전류특성을 얻을 수 있다. 기울기가 플랫한 전압?전류특성을 이용하면, 이상적인 전류원 회로나, 대단히 높은 저항치를 가지는 능동부하를 실현할 수 있다. 그 결과, 특성이 좋은 차동 회로나 커런트미러회로를 실현할 수 있다. 또한 채널의 상하에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조이어도 된다. 채널의 상하에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조로 하는 것에 의해, 채널 영역이 증가하기 때문에, 전류치의 증가, 또는 공핍층이 생기기 쉬워지는 것에 의한 S값의 저감을 꾀할 수 있다. 채널의 상하에 게이트 전극이 배치되면, 복수의 트랜지스터가 병렬로 접속된 구성이 된다.
기타, 채널 영역 위에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조라도 되고, 채널 영역 밑에 게이트 전극이 배치되어 있는 구조이어도 된다. 또는, 정 스태거 구조 또는 역 스태거 구조하도 되고, 채널 영역이 복수개 영역으로 나뉘어져 있어도 되고, 채널 영역이 병렬로 접속되어 있어도 되고, 채널 영역이 직렬로 접속되어 있어도 된다. 또한 채널 영역(혹은 그 일부)에 소스 전극이나 드레인 전극이 겹쳐서 있어도 된다. 채널 영역(혹은 그 일부)에 소스 전극이나 드레인 전극이 겹치는 구조로 하는 것에 의해, 채널 영역의 일부에 전하가 모여, 동작이 불안정해지는 것을 막을 수 있다. 또한 LDD영역을 형성해도 된다. LDD 영역을 설치함으로써, 오프 전류의 저감, 또는 트랜지스터의 내압향상에 의한 신뢰성의 향상을 꾀할 수 있다. 또는, LDD 영역을 설치함으로써, 포화 영역에서 동작할 때에, 드레인?소스간 전압이 변화되어도, 드레인?소스간 전류가 그다지 변화되지 않아, 전압?전류특성의 기울기가 플랫한 특성으로 할 수 있다.
본 명세서에 있어서의 트랜지스터는, 여러가지의 타입을 사용할 수 있고, 여러가지의 기판 위에 형성할 수 있다. 따라서, 소정의 기능을 실현하기 위해서 필요한 회로의 모두가, 동일기판 위에 형성되어 있어도 된다. 예를 들면 소정의 기능을 실현하기 위해서 필요한 회로의 모두가, 유리 기판상, 플라스틱 기판상, 단결정 기판상, 또는 SOI 기판 위에 형성되어 있어도 되고, 그 외 여러가지의 기판 위에 형성되어 있어도 된다. 소정의 기능을 실현하기 위해서 필요한 회로의 모두가, 같은 기판 위에 형성되어 있는 것에 의해, 부품수를 줄여 비용을 저감하고, 회로부품과의 접속 점수를 절감해서 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또는, 소정의 기능을 실현하기 위해서 필요한 회로의 일부가, 어떤 기판 위에 형성되고 있고, 소정의 기능을 실현시키기 위해서 필요한 회로의 다른 일부가, 별도의 기판 위에 형성되어 있어도 된다. 즉, 소정의 기능을 실현하기 위해서 필요한 회로의 모두가, 같은 기판 위에 형성되지 않고 있어도 좋다. 예를 들면 소정의 기능을 실현하기 위해서 필요한 회로의 일부는, 유리 기판 위에 트랜지스터를 사용해서 형성되고, 소정의 기능을 실현하기 위해서 필요한 회로의 다른 일부는, 단결정 기판 위에 형성되어, 단결정 기판상의 트랜지스터에서 구성된 IC칩을, COG(Chip On Glass)로 유리 기판에 접속하고, 유리 기판 위에 그 IC칩을 배치해도 좋다. 또는, 그 IC칩을 TAB(Tape Automated Bonding)이나 프린트 기판을 사용해서 유리 기판과 접속해도 좋다. 이렇게, 회로의 일부가 같은 기판 위에 형성되어 있는 것에 의해, 부품수를 줄여서 비용을 저감하고, 회로부품과의 접속 점수를 절감해서 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 구동전압이 높은 부분이나 구동주파수가 높은 부분의 회로는, 소비 전력이 커져버리므로, 그러한 부분의 회로는 같은 기판 위에 형성하지 않고, 그 대신에, 단결정 기판 위에 그 부분의 회로를 형성하고, 그 회로로 구성된 IC칩을 사용하도록 하면, 소비 전력의 증가를 막을 수 있다.
본 명세서에 있어서는, 1 화소란, 밝기를 제어할 수 있는 요소 1개분을 나타내는 것으로 한다. 일례로서는, 1화소란, 1개의 색요소를 나타내는 것이라고 하고, 그 색요소 1개로 밝기를 표현한다. 따라서, R(빨강) G(초록) B(파랑)의 색요소 이루어지는 컬러 표시장치의 경우에는, 화상의 최소단위는, R의 화소와 G의 화소와 B의 화소의 3화소로 구성되는 것으로 한다. 또한, 색요소는, 3색에 한정되지 않고, 3색 이상을 사용해도 되고, RGB 이외의 색을 사용해도 된다. 예를 들면 W(화이트)을 더해서, RGBW로 해도 된다. 또한 RGB에, 예를 들면 옐로, 시안, 마젠타, 에메럴드 그린, 주색 등을 1색 이상 추가해도 좋다. 또한 예를 들면 RGB 중의 적어도 1색에 유사한 색을, RGB에 추가해도 좋다. 예를 들면 R, G, B1, B2로 해도 된다. B1과 B2는, 어느쪽도 청색이지만, 약간 주파수가 다르다. 마찬가지로, R1, R2, G, B로 해도 된다. 이러한 색요소를 사용함으로써, 보다 실물에 가깝게 표 할 수 있고, 또한 소비 전력을 저감할 수 있다. 다른 예로서는, 1개의 색요소에 대해서, 복수의 영역을 사용해서 밝기를 제어하는 경우에는, 그 영역 1개분을 1 화소로 해도 된다. 일례로서, 면적계조를 행할 경우, 또는 부화소(서브 화소)을 가지고 있을 경우, 1개의 색요소에 따라, 밝기를 제어하는 영역이 복수 있고, 그 전체로 계조를 표현하지만, 그 밝기를 제어하는 영역의 1개분을 1 화소로 해도 된다. 그 경우, 1개의 색요소는, 복수의 화소로 구성된다. 또는, 밝기를 제어하는 영역이 1개의 색요소 중에 복수 있어도, 그것들을 모아, 1개의 색요소를 1 화소로 해도 된다. 그 경우, 1개의 색요소는, 1개의 화소로 구성되게 된다. 또한 1개의 색요소에 대해서, 복수개 영역을 사용해서 밝기를 제어할 경우, 화소에 의해, 표시에 기여하는 영역의 크기가 다른 경우가 있다. 그 경우, 1개의 색요소에 대해서 복수 있는, 밝기를 제어하는 영역에 있어서, 각각에 공급하는 신호를 약간 다르게 하도록 하여, 시야각을 넓혀도 된다. 즉, 1개의 색요소에 대해서, 여러개 있는 영역이 각각 갖는 화소전극의 전위가, 각각 달라도 된다. 그 결과, 액정분자에 가해지는 전압이 각 화소전극에 의해 각각 다르다. 따라서, 시야각을 넓게 할 수 있다.
또한, 1 화소(3색분)로 명시적으로 기재하는 경우에는, R와 G과 B의 3화소분을 1 화소로 생각하는 경우이다. 1 화소(1색분)로 명시적으로 기재하는 경우에는, 1개의 색요소에 따라, 복수의 영역이 있을 경우, 그것들을 모아서 1 화소로 생각하는 경우이다.
본 서류에 있어서, 화소는, 매트릭스 모양으로 배치(배열)되어 있을 경우가 있다. 여기에서, 화소가 매트릭스로 배치(배열)되어 있다라는 것은, 종방향 혹은 횡방향에 있어서, 화소가 직선 위에 늘어서서 배치되어 있을 경우나, 들쑥날쑥한 선 위에 배치되어 있을 경우를 포함한다. 예를 들면 3색의 색요소(예를 들면 RGB)로 풀컬러 표시할 경우에, 스트라이프 배치되어 있을 경우나, 3개의 색요소의 도트가 델타 배치되어 있을 경우도 포함한다. 더구나, 베이어 배치되어 있을 경우도 포함한다. 또한, 색요소는, 3색에 한정되지 않고, 그 이상이어도 된다. 예를 들면 RGBW(W는 화이트)나, RGB에, 옐로, 시안, 마젠타 등을 1색 이상 추가한 것 등이 있다. 또한 색요소의 도트마다에 그 표시 영역의 크기가 달라도 된다. 이에 따라 저소비 전력화, 또는 표시 소자의 장기 수명화를 꾀할 수 있다.
본 서류에 있어서, 화소에 능동소자를 가지는 액티브 매트릭스 방식, 또는, 화소에 능동소자를 가지지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식에서는, 능동소자(액티브 소자, 비선형소자)로서, 트랜지스터 뿐만 아니라, 여러가지의 능동소자(액티브 소자, 비선형소자)를 사용할 수 있다. 예를 들면 MIM(Metal Insulator Metal)이나 TFD(Thin Film Diode) 등을 사용하는 것도 가능하다. 이들 소자는, 제조 공정이 적기 때문에, 제조 비용의 저감, 또는 제품 비율의 향상을 꾀할 수 있다. 더구나, 소자의 사이즈가 작기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비 전력화나 고휘도화를 꾀할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식 이외의 것으로서, 능동소자(액티브 소자, 비선형소자)를 사용하지 않는 패시브패시브 매트릭스형을 사용하는 것도 가능하다. 능동소자(액티브 소자, 비선형소자)를 사용하지 않기 때문에, 제조 공정이 적고, 제조 비용의 저감, 또는 제품 비율의 향상을 꾀할 수 있다. 또한 능동소자(액티브 소자, 비선형소자)를 사용하지 않기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비 전력화나 고휘도화를 꾀할 수 있다.
트랜지스터란, 게이트와, 드레인과, 소스를 포함하는 적어도 3개의 단자를 가지는 소자이며, 드레인 영역과 소스 영역 사이에 채널 영역을 가지고 있어, 드레인 영역과, 채널 영역과, 소스 영역을 거쳐 전류를 흘려보낼 수 있다. 여기에서, 소스와 드레인이란, 트랜지스터의 구조나 동작조건 등에 의해 바뀌기 때문에, 어느 것이 소스 또는 드레인인지를 한정하는 것이 곤란하다. 따라서, 본 명세서에 있어서는, 소스 및 드레인으로서 기능하는 영역을, 소스 혹은 드레인이라고 부르지 않을 경우가 있다. 그 경우, 각각을 제1단자, 제2단자로 표기할 경우가 있다. 또는, 각각을 제1의 전극, 제2의 전극으로 표기할 경우가 있다. 또는, 소스 영역, 드레인 영역으로 표기할 경우가 있다.
트랜지스터는, 베이스와, 에미터와, 콜렉터를 포함하는 적어도 3개의 단자를 가지는 소자이어도 된다. 이 경우도 마찬가지로, 에미터와 콜렉터를, 제1단자, 제2단자로 표기할 경우가 있다.
게이트란, 게이트 전극과, 게이트 배선(게이트 선, 게이트 신호선, 주사선, 주사 신호선 등이라고도 한다)을 포함하는 전체, 또는, 그것들의 일부를 말한다. 게이트 전극이란, 채널 영역을 형성하는 반도체와, 게이트 절연막를 거쳐 오버랩하고 있는 부분의 도전막을 말한다. 또한, 게이트 전극의 일부는, LDD(Lightly Doped Drain) 영역, 소스 영역 또는 드레인 영역과, 게이트 절연막를 거쳐 오버랩하고 있을 경우도 있다. 게이트 배선이란, 각 트랜지스터의 게이트 전극의 사이를 접속하기 위한 배선, 각 화소가 가지는 게이트 전극의 사이를 접속하기 위한 배선, 또는 게이트 전극과, 다른 배선을 접속하기 위한 배선을 말한다.
단, 게이트 전극으로서도 기능하고, 게이트 배선으로서도 기능하는 부분(영역, 도전막, 배선 등)도 존재한다. 그러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)은, 게이트 전극으로 불러도 되고, 게이트 배선이라고 불러도 된다. 즉, 게이트 전극과 게이트 배선이, 명확하게 구별할 수 없는 영역도 존재한다. 예를 들면 연신해서 배치되어 있는 게이트 배선의 일부와 채널 영역이 오버랩하고 있을 경우, 그 부분(영역, 도전막, 배선 등)은 게이트 배선으로서 기능하고 있지만, 게이트 전극으로소 기능하고 있다. 따라서, 그러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)은, 게이트 전극이라고 불러도 되고, 게이트 배선이라고 불러도 된다.
게이트 전극과 같은 재료로 형성되고, 게이트 전극과 같은 섬(아일랜드)을 형성해서 연결되는 부분(영역, 도전막, 배선등)도, 게이트 전극이라고 불러도 된다. 마찬가지로, 게이트 배선과 같은 재료로 형성되고, 게이트 배선과 같은 섬(아일랜드)을 형성해서 연결되는 부분(영역, 도전막, 배선등)도, 게이트 배선이라고 불러도 된다. 이러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)은, 엄밀한 의미에서는, 채널 영역과 오버랩하고 있지 않는 경우, 또는 별도의 게이트 전극과 접속시키는 기능을 가지지 않고 있을 경우가 있다. 그러나, 게이트 전극 또는 게이트 배선과 같은 재료로 형성되고, 게이트 전극 또는 게이트 배선과 같은 섬(아일랜드)을 형성해서 연결되는 부분(영역, 도전막, 배선 등)도 있다. 따라서, 그러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)도 게이트 전극 또는 게이트 배선이라고 불러도 된다.
예를 들면 멀티 게이트의 트랜지스터에 있어서, 1개의 게이트 전극과, 별도의 게이트 전극과는, 게이트 전극과 같은 재료로 형성된 도전막으로 접속될 경우가 많다. 그러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)은, 게이트 전극과, 게이트 전극을 접속시키기 위한 부분(영역, 도전막, 배선 등)이기 때문, 게이트 배선이라고 불러도 되지만, 멀티 게이트의 트랜지스터를 1개의 트랜지스터로 간주할 수도 있기 때문에, 게이트 전극이라고 불러도 된다. 즉, 게이트 전극 또는 게이트 배선과 같은 재료로 형성되고, 게이트 전극 또는 게이트 배선과 같은 섬(아일랜드)을 형성해서 연결되는 부분(영역, 도전막, 배선등)은, 게이트 전극이나 게이트 배선이라고 불러도 된다. 더구나, 게이트 전극과, 게이트 배선을 접속시키고 있는 부분의 도전막으로서, 게이트 전극 또는 게이트 배선과는 다른 재료로 형성된 도전막도, 게이트 전극이라고 불러도 되고, 게이트 배선이라고 불러도 된다.
게이트 단자란, 게이트 전극의 부분(영역, 도전막, 배선 등), 또는 게이트 전극과 전기적으로 접속되어 있는 부분(영역, 도전막, 배선 등)에 대해서, 그 일부분을 말한다.
배선을, 게이트 배선, 게이트 선, 게이트 신호선, 주사선, 주사 신호선 등으로 부를 경우, 배선에 트랜지스터의 게이트가 접속되지 않고 있을 경우도 있다. 이 경우, 게이트 배선, 게이트 선, 게이트 신호선, 주사선, 주사 신호선은, 트랜지스터의 게이트와 같은 층에서 형성된 배선, 트랜지스터의 게이트와 같은 재료로 형성된 배선, 또는 트랜지스터의 게이트와 동시에 성막된 배선을 의미하고 있을 경우가 있다. 예로서는, 유지용량용 배선, 전원선, 기준전위 공급 배선 등이 있다.
소스와란, 소스 영역과, 소스 전극과, 소스 배선(소스선, 소스신호선, 데이터 선, 데이터 신호선 등이라고도 한다)을 포함하는 전체, 또는, 그것들의 일부를 말한다. 소스 영역이란, P형 불순물(붕소나 갈륨 등)이나 N형 불순물(인이나 비소 등)이 많이 포함되는 반도체영역을 말한다. 따라서, 약간만 P형 불순물이나 N형 불순물이 포함되는 영역, 소위, LDD(Lightly Doped Drain) 영역은, 소스 영역에는 포함되지 않는다. 소스 전극이란, 소스 영역과는 다른 재료로 형성되고, 소스 영역과 전기적으로 접속되어서 배치되어 있는 부분의 도전층을 말한다. 다만, 소스전극은, 소스 영역도 포함하여 소스 전극이라고 부르는 일도 있다. 소스 배선이란, 각 트랜지스터의 소스전극의 사이를 접속하기 위한 배선, 각 화소가 가지는 소스 전극의 사이를 접속하기 위한 배선, 또는 소스 전극과, 다른 배선을 접속하기 위한 배선을 말한다.
그렇지만, 소스 전극으로서도 기능하고, 소스 배선으로서도 기능하는 부분(영역, 도전막, 배선 등)도 존재한다. 그러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)은, 소스 전극이라고 불러도 되고, 소스 배선이라고 불러도 된다. 즉, 소스 전극과 소스 배선이, 명확하게 구별할 수 없는 영역도 존재한다. 예를 들면 연신해서 배치되어 있는 소스 배선의 일부와 소스 영역이 오버랩하고 있을 경우, 그 부분(영역, 도전막, 배선 등)은 소스 배선으로서 기능하고 있지만, 소스 전극으로서도 기능하고 있게 된다. 따라서, 그와 같은 부분(영역, 도전막, 배선 등)은, 소스 전극이라고 불러도 되고, 소스 배선이라고 불러도 된다.
소스 전극과 같은 재료로 형성되고, 소스 전극과 같은 섬(아일랜드)을 형성해서 연결되는 부분(영역, 도전막, 배선 등)이나, 소스 전극과 소스 전극을 접속하는 부분(영역, 도전막, 배선 등)도, 소스 전극이라고 불러도 된다. 더구나, 소스 영역과 오버랩하고 있는 부분도, 소스 전극이라고 불러도 된다. 마찬가지로, 소스 배선과 같은 재료로 형성되고, 소스 배선과 같은 섬(아일랜드)을 형성해서 연결되는 영역도, 소스 배선이라고 불러도 된다. 이러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)은, 엄밀한 의미에서는, 별도의 소스 전극과 접속시키는 기능을 가지지 않고 있을 경우가 있다. 그러나, 소스전극 또는 소스 배선과 같은 재료로 형성되고, 소스 전극 또는 소스 배선과 연결되는 부분(영역, 도전막, 배선 등)이 있다. 따라서, 그러한 부분(영역, 도전막, 배선 등)도 소스 전극 또는 소스 배선이라고 불러도 된다.
예를 들면 소스 전극과 소스 배선을 접속하고 있는 부분의 도전막으로서, 소스 전극 또는 소스 배선과는 다른 재료로 형성된 도전막도, 소스 전극이라고 불러도 되고, 소스 배선이라고 불러도 된다.
소스 단자란, 소스 영역의 영역이나, 소스 전극이나, 소스 전극과 전기적으로 접속되어 있는 부분(영역, 도전막, 배선 등)에 대해서, 그 일부분을 말한다.
배선을, 소스 배선, 소스선, 소스 신호선, 데이터선, 데이터 신호선 등이라고 부를 경우, 배선에 트랜지스터의 소스(드레인)가 접속되지 않고 있을 경우도 있다. 이 경우, 소스 배선, 소스선, 소스 신호선, 데이터 선, 데이터 신호선은, 트랜지스터의 소스(드레인)와 같은 층으로 형성된 배선, 트랜지스터의 소스(드레인)과 같은 재료로 형성된 배선, 또는 트랜지스터의 소스(드레인)과 동시에 성막된 배선을 의미하고 있을 경우가 있다. 예로서는, 유지용량용 배선, 전원선, 기준전위 공급 배선 등이 있다.
또한, 드레인에 대해서는, 소스와 같다.
반도체장치이란 반도체소자(트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등)을 포함하는 회로를 가지는 장치를 말한다. 더구나, 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 반도체장치라고 불러도 된다.
표시 소자란, 광학변조 소자, 액정소자, 발광소자, EL소자(유기 EL소자, 무기 EL소자 또는 유기물 및 무기물을 포함하는 EL소자), 전자방출소자, 전기영동소자, 방전 소자, 광반사소자, 광회절소자, DMD 등의 것을 말한다. 다만, 이것들에 한정되지 않는다.
표시장치란, 표시 소자를 가지는 장치를 한다. 또한, 표시장치란, 표시 소자를 포함하는 복수의 화소, 또는 그것들의 화소를 구동시키는 주변구동회로가 동일기판 위에 형성된 표시 패널 본체를 가리킨다. 또한, 표시장치는, 와이어본딩이나 범프 등에 의해 기판 위에 배치된 주변구동회로, 소위, COG로 접속된 IC칩, 또는, TAB 등으로 접속된 IC칩을 포함하고 있어도 된다. 더구나, 표시장치는, IC칩, 저항소자, 용량소자, 인덕터, 트랜지스터 등이 부착된 FPC을 포함하여도 된다. 더구나, 표시장치는, FPC 등를 거쳐 접속되고, IC 칩, 저항소자, 용량소자, 인덕터, 트랜지스터 등에 부착된 프린트 배선기판(PWB)을 포함하고 있어도 된다. 더구나, 표시장치는, 편광판 또는 위상차판 등의 광학 시이트를 포함하고 있어도 된다. 더구나, 표시장치는, 조명 장치, 하우징, 음성입출력장치, 광센서 등을 포함하고 있어도 된다. 여기에서, 백라이트 유닛과 같은 조명 장치는, 도광판, 프리즘 시이트, 확산 시이트, 반사 시이트, 광원(LED, 냉음극관 등), 냉각 장치(수냉식, 공랭식) 등을 포함하고 있어도 된다.
조명 장치란, 백라이트 유닛, 도광판, 프리즘 시이트, 확산 시이트, 반사 시이트, 광원(LED, 냉음극관, 열음극관 등), 냉각 장치 등을 가지고 있는 장치를 말한다.
발광 장치란, 발광소자 등을 가지고 있는 장치를 말한다.
반사 장치란 광반사소자, 광회절소자, 광반사전극 등을 가지고 있는 장치를 말한다.
액정표시장치란, 액정소자를 가지고 있는 표시장치를 말한다. 액정표시장치에는, 직시형, 투사형, 투과형, 반사형, 반투과형 등이 있다.
구동장치란, 반도체소자, 전기회로, 전자회로를 가지는 장치를 말한다. 예를 들면 소스 신호선에서 화소 내에의 신호의 입력을 제어하는 트랜지스터(선택용 트랜지스터, 스위칭용 트랜지스터 등이라고 부르는 일이 있다), 화소전극에 전압 또는 전류를 공급하는 트랜지스터, 발광소자에 전압 또는 전류를 공급하는 트랜지스터 등은, 구동장치의 일례이다. 더구나, 게이트 신호선에 신호를 공급하는 회로(게이트 드라이버, 게이트선 구동회로 등이라고 부르는 일이 있다), 소스 신호선에 신호를 공급하는 회로(소스 드라이버, 소스선 구동회로 등이라고 부르는 일이 있다) 등은, 구동장치의 일례이다.
표시장치, 반도체장치, 조명 장치, 냉각 장치, 발광 장치, 반사 장치, 구동장치 등은, 서로 중복하고 있는 장치도 있다. 예를 들면 표시장치가, 반도체장치 및 발광 장치를 가지고 있을 경우가 있다. 또는, 반도체장치가, 표시장치 및 구동장치를 가지고 있을 경우가 있다.
본 서류에 있어서, A 위에 B가 형성되어 있다, 또는, A 위에 B가 형성되어 있다고 명시적으로 기재하는 경우에는, A 위에 B가 직접 접해서 형성되어 있는 것에 한정되지 않는다. 직접 접하지 않고 있을 경우, 즉, A와 B의 사이에 별도의 대상물이 개재할 경우도 포함하는 것으로 한다. 여기에서, A, B은, 대상물(예를 들면 장치, 소자, 회로, 배선, 전극, 단자, 도전막, 층 등)인 것으로 한다.
예를 들면, 층 A 위에(또는 층 A 위에), 층 B가 형성되어 있다고 명시적으로 기재되어 있는 경우에는, 층 A 위에 직접 접해서 층 B가 형성되어 있을 경우와, 층 A 위에 직접 접해서 다른 층(예를 들면 층 C나 층 D 등)이 형성되어 있고, 그 위에 층 B가 형성되어 있을 경우를 포함하는 것으로 한다. 또한, 다른 층(예를 들면 층 C나 층 D 등)은, 단층이라도 되고, 복층이어도 된다.
더구나, A의 윗쪽에 8가 형성되어 있다고 명시적으로 기재되어 있을 경우에 관해서도 같으며, A 위에 B가 직접 접하고 있는 것에 한정되지 않고, A와 B의 사이에 별도의 대상물이 개재하는 경우도 포함하는 것으로 한다. 예를 들면 층 A의 윗쪽에, 층 B가 형성되어 있다고 하는 경우에는, 층 A 위에 직접 접해서 층 B가 형성되어 있을 경우와, 층 A 위에 직접 접해서 다른 층(예를 들면 층 C나 층 D 등)이 형성되어 있고, 그 위에 층 B가 형성되어 있을 경우를 포함하는 것으로 한다. 또한, 다른 층(예를 들면 층 C나 층 D 등)은, 단층이라도 되고, 복층이어도 된다.
A의 위에 B가 직접 접해서 형성되어 있다고 명시적으로 기재하는 경우에는, A 위에 직접 접해서 B가 형성되어 있는 경우만을 포함하고, A와 B의 사이에 별도의 대상물이 개재할 경우는 포함하지 않는 것으로 한다.
또한, A 밑에 B가, 또는, A의 아래쪽에 B가 있는 경우에 관해서도 마찬가지이다.
본 명세서에 기재된 구성에 의해, 시프트 레지스터를 고속으로 동작할 수 있다. 특히, 트랜지스터의 반도체층으로서 아모퍼스 실리콘을 사용한 경우에도, 시프트 레지스터를 고속으로 동작할 수 있다. 그 때문에 액정표시장치를 비롯한 해당 시프트 레지스터를 적용한 반도체장치를 고속으로 동작할 수 있고, 대형화 또는 고선명화를 용이하게 꾀할 수 있다.
도 1은 실시예1에 나타내는 플립플롭의 구성을 설명하는 도면.
도2는 도1에 나타낸 플립플롭의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도3은 도1에서 나타낸 플립플롭의 동작을 설명하는 도면.
도4는 실시예1에 나타내는 플립플롭의 구성을 설명하는 도면.
도5는 실시예1에 나타내는 플립플롭의 구성을 설명하는 도면.
도6은 실시예1에 나타내는 플립플롭의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도7은 실시예1에 나타내는 시프트 레지스터의 구성을 설명하는 도면.
도8은 도7에 나타낸 시프트 레지스터의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 9는 도7에 나타낸 시프트 레지스터의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도10은 실시예1에 나타내는 시프트 레지스터의 구성을 설명하는 도면.
도11은 실시예1에 나타내는 표시장치의 구성을 설명하는 도면.
도12는 도11에서 나타낸 표시장치의 기록 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도13은 실시예1에 나타내는 표시장치의 구성을 설명하는 도면.
도14는 실시예1에 나타내는 표시장치의 구성을 설명하는 도면.
도15는 도14에서 나타낸 표시장치의 기록 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도16은 실시예2에 나타내는 플립플롭의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도17은 실시예2에 나타내는 플립플롭의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 18은 실시예2에 나타내는 시프트 레지스터의 구성을 설명하는 도면.
도 19는 도18에서 나타낸 시프트 레지스터의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 20은 도18에서 나타낸 시프트 레지스터의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 21은 실시예2에 나타내는 표시장치의 구성을 설명하는 도면.
도 22는 실시예2에 나타내는 표시장치의 구성을 설명하는 도면.
도 23은 실시예3에 나타내는 플립플롭의 구성을 설명하는 도면.
도 24는 도23에서 나타낸 플립플롭의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 25는 실시예3에 나타내는 시프트 레지스터의 구성을 설명하는 도면.
도 26은 도25에서 나타낸 시프트 레지스터의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 27은 실시예4에 나타내는 플립플롭의 구성을 설명하는 도면.
도 28은 도27에서 나타낸 플립플롭의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 29는 도5a에 나타낸 플립플롭의 평면도.
도 30은 도10에 나타낸 버퍼의 구성을 설명하는 도면.
도 31은 실시예5에 나타내는 신호선구동회로의 구성을 설명하는 도면.
도 32는 도31에서 나타낸 신호선구동회로의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 33은 실시예5에 나타내는 신호선구동회로의 구성을 설명하는 도면.
도 34는 도33에서 나타낸 신호선구동회로의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 35는 실시예5에 나타내는 신호선구동회로의 구성을 설명하는 도면.
도 36은 실시예6에 나타내는 보호 다이오드의 구성을 설명하는 도면.
도 37은 실시예6에 나타내는 보호 다이오드의 구성을 설명하는 도면.
도 38은 실시예6에 나타내는 보호 다이오드의 구성을 설명하는 도면.
도 39는 실시예7에 나타내는 표시장치의 구성을 설명하는 도면.
도 40은 본 발명에 따른 반도체장치를 제조하는 프로세스를 설명하는 도면.
도 41은 본 발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 42는 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 43은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 44는 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 45는 본발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도 46은 본발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도 47은 본발명에 따른 반도체장치의 표시장치의 구성을 설명하는 도면.
도 48은 본발명에 따른 반도체장치의 주변회로 구성을 설명하는 도면.
도 49는 본발명에 따른 반도체장치의 주변구성 부재를 설명하는 도면.
도 50은 본발명에 따른 반도체장치의 주변 구성부재를 설명하는 도면.
도 51은 본발명에 따른 반도체장치의 주변 구성부재를 설명하는 도면.
도 52는 본발명에 따른 반도체장치의 주변회로 구성을 설명하는 도면.
도 53은 본발명에 따른 반도체장치의 주변 구성부재를 설명하는 도면.
도 54는 본발명에 따른 반도체장치의 패널 회로 구성을 설명하는 도면.
도 55는 본발명에 따른 반도체장치의 패널 회로 구성을 설명하는 도면.
도 56은 본발명에 따른 반도체장치의 패널 회로 구성을 설명하는 도면.
도 57은 본발명에 따른 반도체장치의 표시 소자의 단면도.
도 58은 본발명에 따른 반도체장치의 표시 소자의 단면도.
도 59는 본발명에 따른 반도체장치의 표시 소자의 단면도.
도 60은 본발명에 따른 반도체장치의 표시 소자의 단면도.
도 61은 본발명에 따른 반도체장치의 화소의 평면도.
도 62는 본발명에 따른 반도체장치의 화소의 평면도.
도 63은 본발명에 따른 반도체장치의 화소의 평면도.
도 64는 본발명에 따른 반도체장치의 화소 레이아웃 예.
도 65는 본발명에 따른 반도체장치의 화소 레이아웃 예.
도 66은 본발명에 따른 반도체장치의 화소 레이아웃 예.
도 67은 본발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도 68은 본발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도 69는 본발명에 따른 반도체장치의 화소의 구성을 설명하는 도면.
도 70은 본발명에 따른 반도체장치의 화소의 구성을 설명하는 도면.
도 71은 본발명에 따른 반도체장치의 화소의 구성을 설명하는 도면.
도 72는 본발명에 따른 반도체장치의 화소 레이아웃 예와 단면도.
도 73은 본발명에 따른 반도체장치의 표시 소자의 단면도.
도 74는 본발명에 따른 반도체장치의 표시 소자의 단면도.
도 75는 본발명에 따른 반도체장치의 표시 소자의 단면도.
도 76은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 77은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 78은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 79는 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 80은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 81은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도 82는 본발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도 83은 본 발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도84는 본발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도85는 본발명에 따른 반도체장치의 구동방법의 1을 설명하는 도면.
도86은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도87은 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도88은 본발명에 따른 반도체장치의 구조를 설명하는 도면.
도89는 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 90은 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 91은 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 92는 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 93은 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 94는 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 95는 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 96은 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도97은 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 98은 본발명에 따른 반도체장치를 사용한 전자기기를 설명하는 도면.
도 99는 도 10에 나타낸 버퍼의 구성을 설명하는 도면.
도100은 종래기술의 플립플롭의 구성과 타이밍을 설명하는 도면.
본 발명의 실시예에 대해서, 도면을 사용해서 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 일탈하는 않고, 그 형태 및 상세를 여러가지로 변경할 수 있는 것은, 당업자라면 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예의 기재 내용에 한정해서 해석되는 것은 아니다. 이하에 설명하는 본 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분에는 동일한 부호를 다른 도면 사이에서 공통되어서 사용하고, 그 반복의 설명은 생략한다.
(실시예1)
본실시예에서는, 플립플롭, 해당 플립플롭을 가지는 구동회로, 및 해당 구동회로를 가지는 표시장치의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다.
본 실시예의 플립플롭의 기본구성에 대해서, 도1a을 참조해서 설명한다. 도1a에 나타내는 플립플롭은, 제1의 트랜지스터(101), 제2의 트랜지스터(102), 제3의 트랜지스터(103), 제4의 트랜지스터(104), 제5의 트랜지스터(105), 제6의 트랜지스터(106), 제7의 트랜지스터(107) 및 제8의 트랜지스터(108)를 가진다. 본 실시예에 있어서, 제1의 트랜지스터(101), 제2의 트랜지스터(102), 제3의 트랜지스터(103), 제4의 트랜지스터(104), 제5의 트랜지스터(105), 제6의 트랜지스터(106), 제7의 트랜지스터(107) 및 제8의 트랜지스터(108)는, N채널형 트랜지스터로 하고, 게이트?소스간 전압(Vgs)이 임계전압(Vth)을 상회했을 때 도통상태가 되는 것으로 한다.
본 실시예의 플립플롭은, 제1의 트랜지스터(101)?제8의 트랜지스터(108)가, 모두 N채널형 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 한다. 또한 본실시예의 플립플롭은, 트랜지스터의 반도체층으로서, 아모퍼스 실리콘을 사용할 수 있다. 그 때문에 제조 공정의 간략화, 제조 비용의 삭감이나 제품 비율의 향상을 꾀할 수 있다. 다만, 트랜지스터의 반도체층으로서, 폴리실리콘이나 단결정 실리콘을 사용해도 제조 공정의 간략화를 꾀할 수 있다.
도1a의 플립플롭의 접속 관계에 관하여 설명한다. 제1의 트랜지스터(101)의 제1의 전극(소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽)이 제5의 배선(125)에 접속되고, 제1의 트랜지스터(101)의 제2의 전극(소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽)이 제3의 배선(123)에 접속된다. 제2의 트랜지스터(102)의 제1의 전극이 제4의 배선(124)에 접속되고, 제2의 트랜지스터(102)의 제2의 전극이 제3의 배선(123)에 접속된다. 제3의 트랜지스터(103)의 제1의 전극이 제6의 배선(126)에 접속되고, 제3의 트랜지스터(103)의 제2의 전극이 제2의 트랜지스터(102)의 게이트 전극에 접속되고, 제3의 트랜지스터(103)의 게이트 전극이 제6의 배선(126)에 접속된다. 제4의 트랜지스터(104)의 제1의 전극이 제8의 배선(128)에 접속되고, 제4의 트랜지스터(104)의 제2의 전극이 제2의 트랜지스터(102)의 게이트 전극에 접속되고, 제4의 트랜지스터(104)의 게이트 전극이 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극에 접속된다. 제5의 트랜지스터(105)의 제1의 전극이 제7의 배선(127)에 접속되고, 제5의 트랜지스터(105)의 제2의 전극이 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극에 접속되고, 제5의 트랜지스터(105)의 게이트 전극이 제1의 배선(121)에 접속된다. 제6의 트랜지스터(106)의 제1의 전극이 제10의 배선(130)에 접속되고, 제6의 트랜지스터(106)의 제2의 전극이 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극에 접속되고, 제6의 트랜지스터(106)의 게이트 전극이 제2의 트랜지스터(102)의 게이트 전극에 접속된다. 제7의 트랜지스터(107)의 제1의 전극이 제11의 배선(131)에 접속되고, 제7의 트랜지스터(107)의 제2의 전극이 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극에 접속되고, 제7의 트랜지스터(107)의 게이트 전극이 제2의 배선(122)에 접속된다. 제8의 트랜지스터(108)의 제1의 전극이 제9의 배선(129)에 접속되고, 제8의 트랜지스터(108)의 제2의 전극이 제2의 트랜지스터(102)의 게이트 전극에 접속되고, 제8의 트랜지스터(108)의 게이트 전극이 제1의 배선(121)에 접속된다.
제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극, 제4의 트랜지스터(104)의 게이트 전극, 제5의 트랜지스터(105)의 제2의 전극, 제6의 트랜지스터(106)의 제2의 전극 및 제7의 트랜지스터(107)의 제2의 전극의 접속 개소를 노드 141로 한다. 제2의 트랜지스터(102)의 게이트 전극, 제3의 트랜지스터(103)의 제2의 전극, 제4의 트랜지스터(104)의 제2의 전극, 제6의 트랜지스터(106)의 게이트 전극 및 제8의 트랜지스터(108)의 제2의 전극의 접속 개소를 노드 142로 한다.
제1의 배선(121), 제2의 배선(122), 제3의 배선(123) 및 제5의 배선(125)을, 각각 제1의 신호선, 제2의 신호선, 제3의 신호선, 제4의 신호선이라고 불러도 된다. 또한 제4의 배선(124), 제6의 배선(126), 제7의 배선(127), 제8의 배선(128), 제9의 배선(129), 제10의 배선(130) 및 제11의 배선(131)을, 각각 제1의 전원선, 제2의 전원선, 제3의 전원선, 제4의 전원선, 제5의 전원선, 제6의 전원선, 제7의 전원선이라고 불러도 된다.
다음에 도1a에 나타낸 플립플롭의 동작에 대해서, 도2의 타이밍 차트 및 도3을 참조해서 설명한다. 더구나, 도2의 타이밍 차트를 세트 기간, 선택 기간, 리셋트 기간, 비선택 기간으로 분할해서 설명한다. 다만, 세트 기간, 리셋트 기간, 비선택 기간을 합쳐서 비선택 기간으로 부르는 일도 있다.
제6의 배선(126) 및 제7의 배선(127)에는, V1의 전위가 공급된다. 제4의 배선(124), 제8의 배선(128), 제9의 배선(129), 제10의 배선(130) 및 제11의 배선(131)에는, V2의 전위가 공급된다. 여기에서, V1>V2이다. 또한 전위가 V1인 신호를 H신호, 전위가 V2인 신호를 L신호라고 부른다.
제1의 배선(121), 제5의 배선(125), 제2의 배선(122)에는, 각각 도2에 나타내는 신호 221, 신호 225, 신호 222가 입력된다. 그리고, 제3의 배선(123)에서는, 도2에 나타내는 신호 223이 출력된다. 여기에서, 신호 221, 신호 225, 신호 222 및 신호 223은, H신호의 전위가 V1(이하, H레벨이라고도 한다), L신호의 전위가 V2(이하, L레벨이라고도 한다)인 디지털 신호이다. 더구나, 신호 221, 신호 225, 신호 222 및 신호 223을, 각각 스타트 신호, 클록 신호, 리셋트 신호, 출력 신호라고 불러도 된다.
단, 제1의 배선(121), 제2의 배선(122), 제4의 배선(124)?제11의 배선(131)에는, 각각 여러가지의 신호, 전위 및 전류가 입력되어도 된다.
도2a 및 도3a에 나타내는 세트 기간에 있어서, 신호 221이 H레벨이 되어, 제5의 트랜지스터(105) 및 제8의 트랜지스터(108)이 온된다. 또한 신호 222이 L레벨므로, 제7의 트랜지스터(107)가 오프된다. 이때 노드 141의 전위(전위 241)는, 제5의 트랜지스터(105)의 제2의 전극이 소스 전극이 되고, 제7의 배선(127)의 전위에서 제5의 트랜지스터(105)의 임계전압을 뺀 값이 되기 때문에, V1-Vth105(Vth105: 제5의 트랜지스터(105)의 임계전압)이 된다. 따라서, 제1의 트랜지스터(101) 및 제4의 트랜지스터(104)가 온되고, 제5의 트랜지스터(105)가 오프된다. 이때 노드 142의 전위(전위 242)는, 제8의 배선(128)의 전위(V2)와 제6의 배선(126)의 전위(V1)의 전위차(V1-V2)가, 제3의 트랜지스터(103), 제4의 트랜지스터(104) 및 제8의 트랜지스터(108)에 의해 분압되어, V2+β(β: 임의의 양의 수)이 된다. h102(Vth102: 제2의 트랜지스터(102)의 임계전압) 및 β<Vth106(제6의 트랜지스터(106)의 임계전압)이 된다. 따라서, 제2의 트랜지스터(102) 및 제6의 트랜지스터(106)가, 오프된다. 이렇게, 다만, 세트 기간에서는, 제3의 배선(123)은, L신호가 입력되고 있는 제5의 배선(125)과 도통하기 때문에, 제3의 배선(123)의 전위가 V2가 된다. 따라서, L신호가 제3의 배선(123)으로부터 출력된다. 더구나, 노드 141은, 전위를 V1-Vth105로 유지한 채 부유 상태가 된다.
제3의 트랜지스터(103) 및 제4의 트랜지스터(104)는, 입력 단자를 노드 141, 출력 단자를 노드 142로 하는 인버터를 구성하고 있다. 따라서, 본 실시예의 플립플롭은, 노드 141과 노드 142 사이에, 인버터로서 기능하는 회로가 배치되어 있으면 된다.
본 실시예의 플립플롭은, 노드 142에 제8의 트랜지스터(108)를 거쳐 V2을 공급하고, 제6의 트랜지스터(106)가 오프하는 타이밍을 빠르게 하고 있다. 그 때문에 노드 142의 전위가, V1-Vth105가 되는 시간을 짧게 할 수 있다. 따라서, 본 실시예의 플립플롭은, 고속동작이 가능해져, 보다 대형의 표시장치 또는 보다 고정세의 표시장치에 적용할 수 있다.
본 실시예의 플립플롭은, 도4b에 도시된 것과 같이 제5의 트랜지스터(105)의 제1의 전극이, 제1의 배선(121)에 접속되어도, 상기한 세트 기간과 같은 동작을 할 수 있다. 그 결과, 도4b의 플립플롭은, 제7의 배선(127)이 불필요하게 되기 때문에, 수율의 향상을 꾀할 수 있다. 더구나, 도4b의 플립플롭은, 레이아웃 면적의 축소를 꾀할 수 있다.
노드 142의 전위를 V2+β로 하기 위해서, 제4의 트랜지스터(104)의 채널폭 W와 채널길이 L과의 비 W/L의 값은, 제3의 트랜지스터(103)의 W/L의 값보다도, 적어도 10배 이상으로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 제4의 트랜지스터(104)의 트랜지스터 사이즈(WXL)이 커져 버린다. 따라서, 제3의 트랜지스터(103)의 채널길이 L의 값을, 제4의 트랜지스터(104)의 채널길이 L의 값보다도 크고, 더욱 바람직하게는 2배?3배로 하면 된다. 그 결과, 제4의 트랜지스터(104)의 트랜지스터 사이즈를 적제할 수 있기 때문에, 레이아웃 면적의 축소를 꾀할 수 있다.
도2b 및 도3b에 나타내는 선택 기간에서는, 신호 221이 L레벨이 되어, 제5의트랜지스터(105) 및 제8의 트랜지스터(108)가 오프된다. 또한 신호 222이 L레벨인채이므로, 제7의 트랜지스터(107)는 오프인채이다. 이 때 노드 141은, 전위를 V1-Vth105로 유지하고 있다. 따라서, 제1의 트랜지스터(101) 및 제4의 트랜지스터(104)은, 온인채이다. 또한 이 때 노드 142은 전위를 V2+β로 유지하고 있다. 따라서, 제2의 트랜지스터(102) 및 제6의 트랜지스터(106)은, 오프인채이다. 여기에서, 제5의 배선(125)에 H신호가 입력되므로, 제3의 배선(123)의 전위가 상승하기 시작한다. 그러면, 노드 141의 전위는, 부트스트랩 동작에 의해 V1-Vth105로부터 상승하여, V1+Vth10l+α(Vth10l: 제1의 트랜지스터(101)의 임계전압, α: 임의의 양의 수)가 된다. 따라서, 제3의 배선(123)의 전위는, 제5의 배선(125)와 같은 전위 V1이 된다. 이렇게, 선택 기간에서는, 제3의 배선(123)은 H신호가 입력되고 있는 제5의 배선(125)과 도통하기 때문에, 제3의 배선(123)의 전위가 V1이 된다. 따라서, H신호가 제3의 배선(123)으로부터 출력된다.
이 부트스트랩 동작은, 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극과 제2의 전극 사이의, 기생 용량의 용량결합에 의해 행해진다. 도1b에 도시된 것과 같이 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극과 제2의 전극의 사이에 용량소자(151)을 배치함으로써 안정하게 부트스트랩 동작을 할 수 있어, 제1의 트랜지스터(101)의 기생 용량을 작게 할 수 있다. 용량소자(151)는, 절연층으로서 게이트 절연막을 사용하고, 도전층으로서 게이트 전극층 및 배선층을 사용해도 된다. 또한 절연층으로서 게이트 절연막을 사용하고, 도전층으로서 게이트 전극층 및 불순물이 첨가된 반도체층을 사용해도 된다. 또는, 절연층으로서 층간막(절연막)을 사용하고, 도전층으로서 배선층 및 투명전극층을 사용해도 된다. 용량소자(151)은, 도전막으로서 게이트 전극층 및 배선층을 사용할 경우, 게이트 전극층을 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극과 접속하고, 배선층을 제1의 트랜지스터(101)의 제2의 전극과 접속하면 된다. 보다 바람직하게는, 도전막으로서 게이트 전극층 및 배선층을 사용할 경우, 게이트 전극층을 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극과 직접 접속하고, 배선층을 제1의 트랜지스터(101)의 제2의 전극과 직접 접속하면 된다. 왜냐하면, 용량소자(151)의 배치에 의한 플립플롭의 레이아웃 면적의 증가가, 작아지기 때문이다.
도1c에 도시된 것과 같이 용량소자(151)로서 트랜지스터(152)를 사용해도 된다. 트랜지스터 152는, 게이트 전극이 노드 141에 접속되고, 제1의 전극 및 제2의 전극이 제3의 배선(123)에 접속됨으로써 큰 용량성분을 가지는 용량소자로서 기능 할 수 있다. 다만, 트랜지스터 152는, 제1의 전극 및 제2의 전극 중, 어느 한쪽을 부유 상태로 하여도 용량소자로서 기능할 수 있다.
제1의 트랜지스터(101)은, 제3의 배선(123)에 H신호를 공급해야만 한다. 따라서, 신호 223의 하강시간 및 상승 시간을 짧게 하기 때문에, 제1의 트랜지스터(101)의 W/L의 값은, 제1의 트랜지스터(101)?제8의 트랜지스터(108)의 각각의 W/L의 값 중에서 최대로 하는 것이 바람직하다.
제5의 트랜지스터(105)는, 세트 기간에 있어서, 노드 141(제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극)의 전위를 V1-Vth105로 해야만 한다. 그 때문에 제5의 트랜지스터(105)의 W/L의 값은 제1의 트랜지스터(101)의 W/L의 값보다도 1/12배?1/5배, 보다 바람직하게는 1/3배?1/4배로 하면 된다.
도2c 및 도3c에 나타내는 리셋트 기간에서는, 신호 221이 L레벨인 채이므로, 제5의 트랜지스터(105) 및 제8의 트랜지스터(108)는 오프인 채이다. 또한 신호 222이 H레벨이므로, 제7의 트랜지스터(107)가 온된다. 이 때의 노드 141의 전위는, 제11의 배선(131)의 전위(V2)가, 제7의 트랜지스터(107)를 거쳐 공급되기 때문에 V2가 된다. 따라서, 제1의 트랜지스터(101) 및 제4의 트랜지스터(104)가, 오프된다. 이 때의 노드 142의 전위는, 제3의 트랜지스터(103)의 제2의 전극이 소스 전극이 되고, 제6의 배선(126)의 전위(V1)에서 제3의 트랜지스터(103)의 임계전압을 뺀 값이 되기 때문에, V1-Vth103(Vth103: 제3의 트랜지스터(103)의 임계전압)이 된다. 따라서, 제2의 트랜지스터(102) 및 제6의 트랜지스터(106)가 온된다. 이렇게, 리셋트 기간에서는, 제3의 배선(123)과, V2이 공급되어 있는 제4의 배선(124)이 도통하기 때문에, 제3의 배선(123)의 전위가 V2가 된다. 따라서, L신호가, 제3의 배선(123)에서 출력된다.
제7의 트랜지스터(107)가 온되는 타이밍을 지연시킴으로써 신호 223의 하강시간을 짧게 할 수 있다. 왜냐하면, 제5의 배선(125)에 입력되는 L신호가, W/L의 값이 큰 제1의 트랜지스터(101)를 거쳐, 제3의 배선(123)에 공급되기 때문이다.
제7의 트랜지스터(107)의 W/L의 값을 작게 해서, 노드 141의 전위가 V2가 될때까지의 하강시간을 길게 해도, 신호 223의 하강시간을 짧게 할 수 있다. 이 경우에는, 제7의 트랜지스터(107)의 W/L의 값을, 제1의 트랜지스터(101)의 W/L의 값보다도 1/10?1/40배, 더욱 바람직하게는 1/20?1/30배로 하면 된다.
도4a에 도시된 것과 같이 제3의 트랜지스터(103) 대신에 저항소자(401)를 사용함으로써 노드 142의 전위를 V1으로 할 수 있다. 그 때문에 제2의 트랜지스터(102) 및 제6의 트랜지스터(106)을 온되기 쉽게 할 수 있어, 동작 효율의 향상을 꾀할 수 있다. 또한 도4c에 도시된 것과 같이 제3의 트랜지스터(103)와 병렬로, 트랜지스터(402)를 접속해도 된다.
도2d 및 도3d에 나타내는 비선택 기간에 있어서, 신호 221이 L레벨인 채이므로, 제5의 트랜지스터(105) 및 제8의 트랜지스터(108)는 오프인 채이다. 또한 신호 222이 L레벨이 되므로, 제7의 트랜지스터(107)가 오프된다. 이 때, 노드 142은, 전위를 V1-Vth103으로 유지하고 있다. 그 때문에 제2의 트랜지스터(102) 및 제6의 트랜지스터(106)은, 온인 채이다. 이 때, 노드 141의 전위는, 제6의 트랜지스터(106)를 거쳐 V2이 공급되므로, V2인 채이다. 따라서, 제1의 트랜지스터(101) 및 제4의 트랜지스터(104)는, 오프인 채이다. 이렇게, 비선택 기간에서는, 제3의 배선(123)과, V2이 공급되어 있는 제4의 배선(124)이 도통하기 때문에, 제3의 배선(123)의 전위는, V2인 채이다. 따라서, L신호가, 제3의 배선(123)으로부터 출력된다.
제6의 배선(126)에 공급되는 전위를 V1보다도 작게 함으로써 노드 142의 전위를 작게 할 수 있다. 그 때문에 제2의 트랜지스터(102) 및 제6의 트랜지스터(106)의 임계전압 시프트를 억제할 수 있다. 따라서, 본 실시예의 플립플롭은, 트랜지스터의 반도체층으로서 특성열화(임계전압의 시프트)가 현저하게 나타나는 아모퍼스 실리콘을 사용해도, 트랜지스터의 특성열화를 억제할 수 있다.
이상의 내용에서, 본 실시예의 플립플롭은, 세트 기간에 있어서 노드 141의 전위의 상승 시간을 짧게 할 수 있기 때문에, 고속동작이 가능해져, 보다 대형의 표시장치 또는 보다 고정세의 표시장치에 적용할 수 있다.
여기에서, 제1의 트랜지스터(101)?제8의 트랜지스터(108)가 가지는 기능을 설명한다. 제1의 트랜지스터(101)은, 제5의 배선(125)의 전위를, 제3의 배선(123)에 공급하는 타이밍을 선택하는 기능을 가진다. 또한 노드 141의 전위를 부트스트랩 동작에 의해 상승시키는 기능을 가지고, 부트스트랩용 트랜지스터로서 기능한다. 제2의 트랜지스터(102)은, 제4의 배선(124)의 전위를, 제3의 배선(123)에 공급하는 타이밍을 선택하는 기능을 가지고, 스위칭 트랜지스터로서 기능한다. 제3의 트랜지스터(103)는, 제6의 배선(126)의 전위와, 제8의 배선(128)의 전위를 분압하는 기능을 가지고, 저항성분을 가지는 소자 또는 저항소자로서 기능한다. 제4의 트랜지스터(104)은, 제8의 배선(128)의 전위를, 노드 142에 공급하는 타이밍을 선택하는 기능을 가지고, 스위칭 트랜지스터로서 기능한다. 제5의 트랜지스터(105)은, 제7의 배선(127)의 전위를, 노드 141에 공급하는 타이밍을 선택하는 기능을 가지고, 입력용 트랜지스터로서 기능한다. 제6의 트랜지스터(106)은, 제10의 배선(130)의 전위를, 노드 141에 공급하는 타이밍을 선택하는 기능을 가지고, 스위칭 트랜지스터로서 기능한다. 제7의 트랜지스터(107)은, 제11의 배선(131)의 전위를, 노드 141에 공급하는 타이밍을 선택하는 기능을 가지고, 스위칭 트랜지스터로서 기능한다. 제8의 트랜지스터(108)은, 제9의 배선(129)의 전위를, 노드 142에 공급하는 타이밍을 선택하는 기능을 가지고, 스위칭 트랜지스터로서 기능한다.
단, 제1의 트랜지스터(101)?제8의 트랜지스터(108)은, 상기 설명한 기능을 가지고 있으면, 트랜지스터로는 한정되지 않는다. 예를 들면 스위칭 트랜지스터로서 기능하는 제2의 트랜지스터(102), 제4의 트랜지스터(104), 제6의 트랜지스터(106), 제7의 트랜지스터(107) 및 제8의 트랜지스터(108)는, 스위칭 기능을 가지는 소자이면, 다이오드, CMOS 아날로그 스위치 또는 여러가지의 논리회로 등을 적용해도 된다. 더구나, 입력용 트랜지스터로서 기능하는 제5의 트랜지스터(105)은, 노드 141의 전위를 상승시켜서 오프하는 타이밍을 선택하는 기능을 가지고 있으면, PN 접합다이오드 또는 다이오드 접속된 트랜지스터 등을 적용해도 된다.
도1과 마찬가지로 동작하는 것이면, 각 트랜지스터의 배치 및 수 등은 도1에 한정되지 않는다. 도1a의 플립플롭의 동작을 설명한 도3에서 알 수 있는 것과 같이, 본실시예에서는, 세트 기간, 선택 기간, 리셋트 기간, 비선택 기간은, 각각 도3a?도 3d에 나타내는 실선과 같이 도통이 잡히면 된다. 따라서, 이것을 충족시키도록 트랜지스터 등을 배치하고, 동작시킬 수 있는 구성이면, 트랜지스터, 그 밖의 소자(저항소자, 용량소자 등), 다이오드, 스위치, 여러가지의 논리회로 등을 새롭게 배치해도 된다.
더구나, 도1과 마찬가지로 동작하는 것이면, 본 실시예의 플립플롭의 구동 타이밍은, 도2의 타이밍 차트에 한정되지 않는다.
예를 들면 도6의 타이밍 차트에 도시된 것과 같이 제1의 배선(121), 제2의 배선(122), 제5의 배선(125)에 H신호를 입력하는 기간을 짧게 해도 된다. 도6은, 도2의 타이밍 차트와 비교하여, 신호가 L레벨로부터 H레벨로 바뀌는 타이밍이 기간Ta1만큼 지연하고, 신호가 H레벨로부터 L레벨에 바뀌는 타이밍이 기간 Ta2만큼 빨라져 있다. 따라서, 도6의 타이밍 차트를 적용한 플립플롭은, 각 배선의 순간전류가 작아지기 때문에, 전력 절약화, 오동작의 억제, 동작 효율의 향상 등을 꾀할 수 있다. 더구나, 도6의 타이밍 차트를 적용한 플립플롭은, 리셋트 기간에 있어서, 제3의 배선(123)으로부터 출력되는 신호의 하강시간을 짧게 할 수 있다. 왜냐하면, 노드 141의 전위가 L레벨이 되는 타이밍이, 기간 Ta1+기간 Ta2 만큼 지연하므로, 제5의 배선(125)에 입력되어 있는 L신호가, 전류능력의 큰(채널폭이 큰) 제1의 트랜지스터(101)를 거쳐 제3의 배선(123)에 공급되기 때문이다. 또한, 도2의 타이밍 차트와 공통되는 곳은, 공통의 부호를 사용해서 그 설명을 생략한다.
기간 Ta1, 기간 Ta2 및 기간 Tb의 관계는, ((Ta1+Tb)/(Ta1+Ta2+Tb))×100<10[%]로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, ((Ta1+Tb)/(Ta1+Ta2+Tb))×100<5[%]로 하는 것이 바람직하다. 더구나, 기간 Ta1≒기간 Ta2으로 하는 것이 바람직하다.
도1과 동일하게 동작하는 것이면, 제1의 배선(121)?제11의 배선(131)은, 자유롭게 접속할 수 있다. 예를 들면 도5a에 도시된 것과 같이 제2의 트랜지스터(102)의 제1의 전극, 제4의 트랜지스터(104)의 제1의 전극, 제6의 트랜지스터(106)의 제1의 전극, 제7의 트랜지스터(107)의 제1의 전극 및 제8의 트랜지스터(108)의 제1의 전극이, 제6의 배선(506)에 접속되어도 된다. 더구나, 제5의 트랜지스터(105)의 제1의 전극, 제3의 트랜지스터(103)의 제1의 전극 및 제3의 트랜지스터(103)의 게이트 전극이, 제5의 배선(505)에 접속되어도 된다. 또한 도5b에 도시된 것과 같이 제3의 트랜지스터(103)의 제1의 전극 및 제3의 트랜지스터(103)의 게이트 전극이, 제7의 배선(507)에 접속되어도 된다. 여기에서, 제1의 배선(501), 제2의 배선(502), 제3의 배선(503) 및 제4의 배선(504)은, 도1a의 제1의 배선(121), 제2의 배선(122), 제3의 배선(123) 및 제5의 배선(125)에 해당한다.
도5a 및 도 5b의 플립플롭은, 배선수를 삭감할 수 있기 때문에, 수율의 향상 및 레이아웃 면적의 축소를 꾀할 수 있다. 더구나, 도5a 및 도 5b의 플립플롭은, 신뢰성의 향상 및 동작 효율의 향상을 꾀할 수 있다. 더구나, 도5b의 플립플롭은, 제6의 배선(506)에 공급하는 전위를 작게 할 수 있기 때문에, 제2의 트랜지스터(102) 및 제6의 트랜지스터(106)의 임계전압의 시프트를 억제할 수 있다.
도5a에 나타낸 플립플롭의 평면도의 일례를 도29에 나타낸다. 도전층 2901은, 제1의 트랜지스터(101)의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2951을 거쳐 제4의 배선(504)과 접속된다. 도전층 2902은 제1의 트랜지스터(101)의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2952을 거쳐 제3의 배선(503)과 접속된다. 도전층 2903은, 제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극, 및 제4의 트랜지스터(104)의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 2904은, 제2의 트랜지스터(102)의 제1의 전극, 제6의 트랜지스터(106)의 제1의 전극, 제4의 트랜지스터(104)의 제1의 전극, 및 제8의 트랜지스터(108)의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 제6의 배선(506)과 접속된다. 도전층 2905은, 제2의 트랜지스터(102)의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2954를 거쳐 제3의 배선(503)과 접속된다. 도전층 2906은 제2의 트랜지스터(102)의 게이트 전극, 및 제6의 트랜지스터(106)의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 2907은, 제3의 트랜지스터(103)의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2955를 거쳐 제5의 배선(505)과 접속된다. 도전층 2908은, 제3의 트랜지스터(103)의 제2의 전극, 및 제4의 트랜지스터(104)의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2956를 거쳐 도전층 2906과 접속된다. 도전층 2909은, 제3의 트랜지스터(103)의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2955를 거쳐 제5의 배선(505)과 접속된다. 도전층 2910은, 제5의 트랜지스터(105)의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2959를 거쳐 제5의 배선(505)과 접속된다. 도전층 2911은, 제5의 트랜지스터(105)의 제2의 전극, 및 제7의 트랜지스터(107)의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2958를 거쳐 도전층 2903과 접속된다. 도전층 2912은, 제5의 트랜지스터(105)의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2960를 거쳐 제1의 배선(501)과 접속된다. 도전층 2913은, 제6의 트랜지스터(106)의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2957를 거쳐 도전층(2903)과 접속된다. 도전층 2914은, 제7의 트랜지스터(107)의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2962를 거쳐 제2의 배선(502)과 접속된다. 도전층 2915은, 제8의 트랜지스터(108)의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2961를 거쳐 도전층 2912과 접속된다. 도전층 2916은, 제8의 트랜지스터(108)의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함하고, 배선 2953를 거쳐 도전층 2906과 접속된다.
여기에서, 배선 2962은, 배선 2951, 배선 2952, 배선 2953, 배선 2954, 배선 2955, 배선 2956, 배선 2957, 배선 2958, 배선 2959, 배선 2960 또는 배선 2961보다도, 배선의 폭이 작은 것을 특징으로 한다. 또는, 배선의 길이가 큰 것을 특징으로 한다. 즉, 배선 2962의 저항치를 크게 하는 것을 특징으로 한다. 이렇게 함으로써 리셋트 기간에 있어서, 도전층 2914의 전위가, H레벨이 되는 타이밍을 지연시킬 수 있다. 따라서, 리셋트 기간에 있어서, 제7의 트랜지스터(107)가 온되는 타이밍을 지연시킬 수 있으므로, 제3의 배선(503)의 신호를 빨리 L레벨로 할 수 있다. 왜냐하면, 노드 141이 L레벨이 되는 타이밍이 지연하여, 그 지연의 기간에 L신호가 제1의 트랜지스터(101)를 거쳐, 제3의 배선(503)에 공급되기 때문이다.
또한, 배선 2951, 배선 2952, 배선 2953, 배선 2054, 배선 2955, 배선 2956, 배선 2957, 배선 2958, 배선 2959, 배선 2960, 배선 2961 및 배선 2962은, 화소전극(또는 투명전극, 반사 전극이라고도 한다)과 동일한 것으로, 같은 프로세스 및 재료에 의해 형성되어 있다.
제1의 트랜지스터(101)의 게이트 전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2981이 겹쳐서 형성되는 부분이다. 제2의 트랜지스터(102)의 게이트 전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2982가 겹쳐서 형성되는 부분이다. 제3의 트랜지스터(103)의 게이트 전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2983이 겹쳐서 형성되는 부분이다. 제4의 트랜지스터(104)의 게이트 전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2984가 겹쳐서 형성되는 부분이다. 제5의 트랜지스터(105)의 게이트 전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2985가 겹쳐서 형성되는 부분이다. 제6의 트랜지스터(106)의 게이트 전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2986이 겹쳐서 형성되는 부분이다. 제7의 트랜지스터(107)의 게이트 전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2987이 겹쳐서 형성되는 부분이다. 제8의 트랜지스터(108)의 게이트전극, 제1의 전극 및 제2의 전극으로서 기능하는 부분은, 각각을 포함하는 도전층과 반도체층 2988이 겹쳐서 형성되는 부분이다.
계속해서, 전술한 본 실시예의 플립플롭을 가지는 시프트 레지스터의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다.
본 실시예의 시프트 레지스터의 구성에 대해서 도7을 참조해서 설명한다. 도7의 시프트 레지스터는, n개의 플립플롭(플립플롭 701-1?플립플롭 701_n)을 가진다.
도7의 시프트 레지스터의 접속 관계에 관하여 설명한다. 도7의 시프트 레지스터에 있어서, i단째의 플립플롭 701_i(플립플롭 701_1?플립플롭 701_n 중 어느 1개)은, 도1a에 나타낸 제1의 배선(121)이, 제7의 배 (717_i-1에 접속된다. 도1a에 나타낸 제2의 배선(122)이, 제7의 배선 717_i+1에 접속된다. 도1a에 나타낸 제3의 배선(123)이, 제7의 배선 717i에 접속된다. 도1a에 나타낸 제4의 배선(124), 제8의 배선(128), 제9의 배선(129), 제10의 배선(130) 및 제11의 배선(131)이, 제5의 배선(715)에 접속된다. 도1a에 나타낸 제5의 배선(125)이, 홀수단째의 플립플롭에서는 제2의 배선(712)에 접속되고, 짝수단째의 플립플롭에서는 제3의 배선(713)에 접속된다. 도1a에 나타낸 제6의 배선(126) 및 제7의 배선(127)이, 제4의 배선(714)에 접속된다. 1단째의 플립플롭 701_1의 도1a에 나타내는 제1의 배선(121)은, 제1의 배선(711)에 접속된다. 또한 n단째의 플립플롭 701_n의 도1a에 나타내는 제2의 배선(122)은, 제6의 배선(716)에 접속된다. 제1의 배선(711), 제2의 배선(712), 제3의 배선(713), 제6의 배선(716)을, 각각 제1의 신호선, 제2의 신호선, 제3의 신호선, 제4의 신호선이라고 불러도 된다. 더구나, 제4의 배선(714), 제5의 배선(715)을, 각각 제1의 전원선, 제2의 전원선이라고 불러도 된다.
다음에 도10에 나타낸 시프트 레지스터의 동작에 대해서, 도8의 타이밍 차트 및 도9의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 도8의 타이밍 차트는, 주사 기간과. 귀선시간으로 분할되어 있다. 주사 기간은, 제7의 배선 717_1로부터의 선택신호의 출력이 개시되어서, 제7의 배선 717_n에서의 선택신호의 출력이 종료할 때까지의 기간이다. 귀선시간은, 제7의 배선 717-n에서의 선택신호의 출력이 종료하고, 제7의 배선 717-1로부터의 선택신호의 출력이 개시될 때까지의 기간이다.
제4의 배선(714)에는 V1의 전위가 공급되고, 제5의 배선(715)에는 V2의 전위가 공급된다.
제1의 배선(711), 제2의 배선(712), 제3의 배선(713) 및 제6의 배선(716)에는, 각각 도8에 나타내는 신호 811, 신호 812, 신호 813 및 신호 816이 입력된다. 여기에서, 신호 811, 신호 812, 신호 813 및 신호 816은, H신호의 전위가 V1, L신호의 전위가 V2인 디지털 신호이다. 더구나, 신호 811, 신호 812, 신호 813 및 신호 816을, 각각 스타트 신호, 제1의 클록 신호, 제2의 클록 신호(반전 클록 신호) 및 리셋트 신호라고 불러도 된다.
단, 제1의 배선(711)?제6의 배선(716)에는, 각각 여러가지의 신호, 전위 및 전류가 입력되어도 된다.
제7의 배선 717_1?제7의 배선 717_n에서는, 각각 H신호의 전위가 V1, L신호의 전위가 V2인, 디지털 신호 817_1?817-n이 출력된다. 다만, 도10에 도시된 것과 같이 제7의 배선 717_1?제7의 배선 717_n으로부터, 각각 버퍼 1001_1?버퍼 1001_n를 거쳐 신호가 출력되어도 된다. 도10의 시프트 레지스터는, 시프트 레지스터의 출력 신호와, 각 플립플롭의 전송 신호를 분할할 수 있으므로, 동작시키기 쉽다.
도10에 나타내는 시프트 레지스터가 가지는 버퍼 1001_1?버퍼 1001_n의 일례에 대해서, 도99a 및 도99b을 참조해서 설명한다. 도99a에 나타낸 버퍼 8000은, 배선 8011과 배선 8012 사이에 인버터 8001a, 인버터 8001b 및 인버터 8001c가 접속됨으로써 배선 8011에 입력되는 신호의 반전 신호가, 배선 8012로부터 출력된다. 다만, 배선 8011과 배선 8012의 사이에 접속되는 인버터의 수에 한정은 없고, 예를 들면 배선 8011과 배선 8012의 사이에 짝수개의 인버터가 접속되는 경우에는, 배선 8011에 입력되는 신호와 같은 극성의 신호가 배선 8012로부터 출력된다. 더구나, 도99b의 버퍼 8100에 도시된 것과 같이 직렬로 접속된 인버터 8002a, 인버터 8002b 및 인버터 8002c와, 직렬로 배치된 인버터 8003a, 인버터 8003b 및 인버터 8003c가, 병렬로 접속되어도 된다. 도99b의 버퍼 8100은, 트랜지스터의 특성의 격차를 평균화할 수 있기 때문에, 배선 8012로부터 출력되는 신호의 지연, 왜곡을 저감할 수 있다. 더구나, 인버터 8002a 및 인버터 8003a의 출력, 및 인버터 8002b 및 인버터 8003b의 출력은, 접속되어도 된다.
도99a에 있어서, 인버터 8001a가 가지는 트랜지스터의 W<인버터 8001b이 가지는 트랜지스터의 W<인버터 8001c이 가지는 트랜지스터의 W로 하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 인버터 8001a가 가지는 트랜지스터의 W가 작음으로써 플립플롭의 구동능력(구체적으로는 도1a의 트랜지스터 101의 W/L의 값)을 작게 할 수 있으므로, 본 발명의 시프트 레지스터의 레이아웃 면적을 작게 할 수 있기 때문이다. 마찬가지로, 도99b에 있어서, 인버터 8002a가 가지는 트랜지스터의 W <인버터 8002b이 가지는 트랜지스터의 W < 인버터 8002c이 가지는 트랜지스터의 W로 하는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 도99b에 있어서, 인버터 8003a가 가지는 트랜지스터의 W <인버터 8003b이 가지는 트랜지스터의 W <인버터 8003c이 가지는 트랜지스터의 W로 하는 것이 바람직하다. 더구나, 인버터 8002a가 가지는 트랜지스터의 W=인버터 8003a가 가지는 트랜지스터의 W, 인버터 8002b이 가지는 트랜지스터의 W=인버터 8003b이 가지는 트랜지스터의 W, 인버터 8002c이 가지는 트랜지스터의 W=인버터 8003c이 가지는 트랜지스터의 W로 하는 것이 바람직하다.
도99a 및 도99b에 나타내는 인버터로서는, 입력된 신호를 반전해서 출력할 수 있는 것이면 특별하게 한정되지 않는다. 예를 들면 도99c에 도시된 것과 같이 제1의 트랜지스터 8201 및 제2의 트랜지스터 8202에 의해, 인버터를 구성해도 된다. 더구나, 제1의 배선 8211에는 신호가 입력되고, 제2의 배선 8212로부터는 신호가 출력되고, 제3의 배선 8213에는 V1이 공급되어, 제4의 배선 8214에는 V2가 공급된다. 도99c의 인버터는, 제1의 배선 8211에 H신호를 입력하면, V1-V2을 제1의 트랜지스터 8201과 제2의 트랜지스터 8202로 분할한 전위(제1의 트랜지스터 8201의 W/L <제2의 트랜지스터 8202의 W/L)을, 제2의 배선 8212에서 출력한다. 더구나, 도99c의 인버터는, 제1의 배선(8211)에 L신호를 입력하면, V1-Vth8201(Vth8201: 제1의 트랜지스터(8201)의 임계전압)을 제2의 배선(8212)으로부터 출력한다. 더구나, 제1의 트랜지스터(8201)은 저항성분을 가지는 소자이면, PN 접합 다이오드라도 되고, 간단히 저항소자이어도 된다.
도99d에 도시된 것과 같이 제1의 트랜지스터(8301), 제2의 트랜지스터(8302), 제3의 트랜지스터(8303) 및 제4의 트랜지스터(8304)에 의해 인버터를 구성해도 된다. 제1의 배선(8311)에는 신호가 입력되고, 제2의 배선(8312)으로부터는 신호가 출력되고, 제3의 배선(8313) 및 제5의 배선(8315)에는 V1이 공급되고, 제4의 배선(8314) 및 제6의 배선(8316)에는 V2가 공급된다. 도99d의 인버터는, 제1의 배선(8311)에 H신호를 입력하면, V2을 제2의 배선(8312)으로부터 출력한다. 이 때, 노드 8341은 전위를 L레벨로 하기 때문에, 제1의 트랜지스터(8301)은 오프된다. 더구나, 도99d의 인버터는, 제1의 배선(8311)에 L신호를 입력하면, V1을 제2의 배선(8312)으로부터 출력한다. 이 때, 노드 8341의 전위가, V1-Vth8303(Vth8303: 제3의 트랜지스터(8303)의 임계전압)이 되면, 노드 8341이 부유 상태가 된다. 그 결과, 노드 8341의 전위가, 부트스트랩 동작에 의해 V1+Vth8301(Vth8301: 제1의 트랜지스터(8301)의 임계전압)보다도 높아지므로, 제1의 트랜지스터(8301)은 온된다. 더구나, 제1의 트랜지스터(8301)은, 부트스트랩용 트랜지스터로서 기능하기 때문에, 제2의 전극과 게이트 전극과의 사이에 용량소자가 배치되어도 된다.
도30a에 도시된 것과 같이 제1의 트랜지스터(8401), 제2의 트랜지스터(8402), 제3의 트랜지스터(8403) 및 제4의 트랜지스터(8404)에 의해 인버터를 구성해도 된다. 도30a의 인버터는, 2입력형의 인버터이며, 부트스트랩 동작이 가능하다. 제1의 배선(8411)에는 신호가 입력되고, 제2의 배선(8412)에는 반전 신호가 입력되고, 제3의 배선(8413)으로부터는 신호가 출력된다. 제4의 배선(8414) 및 제6의 배선(8416)에는 V1이 공급되고, 제5의 배선(8415) 및 제7의 배선(8417)에는 V2가 공급된다. 도30a의 인버터는, 제1의 배선(8411)에 L신호, 제2의 배선(8412)에 H신호를 입력하면, V2을 제3의 배선(8413)으로부터 출력한다. 이 때, 노드 8441의 전위는 V2가 되기 때문에, 제1의 트랜지스터(8401)은 오프된다. 더구나, 도30a의 인버터는, 제1의 배선(8411)에 H신호, 제2의 배선(8412)에 L신호를 입력하면, V1을 제3의 배선(8413)으로부터 출력한다. 이때, 노드 8441의 전위가 V1-Vt h8403(Vth8403: 제3의 트랜지스터(8403)의 임계전압)이 되면, 노드 8441이 부유 상태가 된다. 그 결과, 노드 8441의 전위가, 부트스트랩 동작에 의해 V1+Vt h8401(Vth8401: 제1의 트랜지스터(8401)의 임계전압)보다도 높아지므로, 제1의 트랜지스터(8401)는 온된다. 더구나, 제1의 트랜지스터(8401)는, 부트스트랩용 트랜지스터로서 기능하기 때문에, 제2의 전극과 게이트 전극의 사이에 용량소자가 배치되어도 된다. 더구나, 제1의 배선(8411) 및 제2의 배선(8412) 중 한쪽에는, 도1a에 나타내는 제3의 배선(123)을 접속하고, 다른 쪽에는 도1a에 나타내는 노드 142을 접속하면 된다.
도30b에 도시된 것과 같이 제1의 트랜지스터(8501), 제2의 트랜지스터(8502) 및 제3의 트랜지스터(8503)에 의해, 인버터를 구성해도 된다. 도30b의 인버터는, 2입력형의 인버터이며, 부트스트랩 동작이 가능하다. 제1의 배선(8511)에는 신호가 입력되고, 제2의 배선(8512)에는 반전 신호가 입력되고, 제3배선(8513)으로부터는 신호가 출력된다. 제4의 배선(6514) 및 제 6의 배선(8516)에는 V1이 공급되고, 제5의 배선(8515)에는 V2가 공급된다. 도30b의 인버터는, 제1의 배선(8511)에 L신호, 제2의 배선(8512)에 H신호를 입력하면, V2을 제3의 배선(8513)으로부터 출력한다. 이 때, 노드 8541의 전위는 V2가 되기 때문에, 제1의 트랜지스터(8501)은 오프된다. 더구나, 도30b의 인버터는, 제1의 배선(8511)에 H신호, 제2의 배선(8512)에 L신호를 입력하면, V1을 제3의 배선(8513)으로부터 출력한다. 이 때, 노드 8541의 전위가 V1-Vth8503(Vth8503: 제3의 트랜지스터(8503)의 임계전압)이 되면, 노드 8541이 부유 상태가 된다. 그 결과, 노드 8541의 전위가, 부트스트랩 동작에 의해 V1+Vth8501(Vth8501: 제1의 트랜지스터(8501)의 임계전압)보다도 높아지므로, 제1의 트랜지스터(8501)는 온된다. 더구나, 제1의 트랜지스터(8501)는, 부트스트랩용 트랜지스터로서 기능하기 때문에, 제2의 전극과 게이트 전극과의 사이에 용량소자가 배치되어도 된다. 더구나, 제1의 배선(8511) 및 제2의 배선(8512) 중 한쪽에는, 도1a에 나타내는 제3의 배선(123)을 접속하고, 다른 쪽에는 도1a에 나타내는 노드 142을 접속하면 된다.
도30c에 도시된 것과 같이 제1의 트랜지스터(8601), 제2의 트랜지스터(8602), 제3의 트랜지스터(8603) 및 제4의 트랜지스터(8604)에 의해, 인버터를 구성해도 된다. 도30c의 인버터는, 2입력형의 인버터이며, 부트스트랩 동작이 가능하다. 더구나, 제1의 배선(8611)에는 신호가 입력되고, 제2의 배선(8612)에는 반전 신호가 입력되고, 제3의 배선(8613)으로부터는 신호가 출력된다. 제4의 배선(8614)에는 V1이 공급되고, 제5의 배선(8615) 및 제6의 배선(8616)에는 V2가 공급된다. 도30c의 인버터는, 제1의 배선(8611)에 L신호, 제2의 배선(8612)에 H신호를 입력하면, V2을 제3의 배선(8613)으로부터 출력한다. 이 때, 노드 8641의 전위는 V2가 되기 때문에, 제1의 트랜지스터(8601)는 오프된다. 더구나, 도30c의 인버터는, 제1의 배선(8611)에 H신호, 제2의 배선(8612)에 L신호를 입력하면, V1을 제3의 배선(8613)으로부터 출력한다. 이 때, 노드 8641의 전위가 V1-Vth8603(Vth8603: 제3의 트랜지스터(8603)의 임계전압)이 되면, 노드 8641이 부유 상태가 된다. 그 결과, 노드 8641의 전위가, 부트스트랩 동작에 의해 V1+Vth8601(Vth8601: 제1의 트랜지스터(8601)의 임계전압)보다도 높아지므로, 제1의 트랜지스터(8601)은 온된다. 제1의 트랜지스터(8601)는, 부트스트랩용 트랜지스터로서 기능하기 때문에, 제2의 전극과 게이트 전극의 사이에 용량소자가 배치되어도 된다. 더구나, 제1의 배선(8611) 및 제2의 배선(8612) 중 한쪽에는, 도1a에 나타내는 제3의 배선(123)을 접속하고, 다른 쪽에는 도1a에 나타내는 노드 142을 접속하면 된다.
도7에 있어서, 플립플롭 701_i의 스타트 신호로서, 제7의 배선 717i-1로부터 출력되는 신호를 사용하고, 리셋트 신호로서, 제7의 배선 717_i+1로부터 출력되는 신호를 사용한다. 플립플롭 701_1의 스타트 신호는, 제1의 배선(711)에서 입력된다. 또한 플립플롭 701_n의 리셋트 신호는, 제6의 배선(716)으로부터 입력된다. 다만, 플립 플롭 701_n의 리셋트 신호로서, 제7의 배선 717_1로부터 출력되는 신호를 사용해도 되고, 제7의 배선 717_2로부터 출력되는 신호를 사용해도 된다. 또는, 더미의 플립플롭을 새롭게 배치하고, 더미의 플립플롭의 출력 신호를 사용해도 된다. 이렇게 함으로써 배선수 및 신호수를 절감할 수 있다.
도9에 도시된 것과 같이 예를 들면 플립플롭 701_i가 선택 기간이 되면, 제7의 배선 717_i로부터 H신호(선택신호)가 출력된다. 이 때, 플립플롭 701_i+1은, 세트 기간이 된다. 그 후에 플립플롭 701_i가 리셋트 기간이 되고, 제7의 배선 717_i로부터 L신호가 출력된다. 이 때, 플립플롭 701_i+1은, 선택 기간이 된다. 그 후에 플립플롭 701_i가 비선택 기간이 되고, 제7의 배선 717_i로부터 L신호가 출력된 채가 된다. 이 때, 플립플롭 701_i+1은, 리셋트 기간이 된다.
이렇게 해서, 도7의 시프트 레지스터는, 선택신호를 제7의 배선 717_1로부터 순차적으로 제7의 배선 717_n까지 출력할 수 있다. 즉, 도7의 시프트 레지스터는, 제7의 배선 717_1?제7의 배선 717_n을 주사할 수 있다.
본 실시예의 플립플롭을 적용한 시프트 레지스터는, 보다 고정세의 표시장치, 또는 보다 대형의 표시장치에 적용할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 플립플롭을 적용한 시프트 레지스터는, 공정의 간략화, 고속동작이 가능하므로, 제조 비용의 삭감 및 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
계속해서, 전술한 본 실시예의 시프트 레지스터를 가지는 표시장치의 구조, 및 구동방법에 관하여 설명한다. 다만, 본 실시예의 표시장치는, 적어도 본 실시예의 플립플롭을 가지고 있으면 된다.
본 실시예의 표시장치의 구성에 대해서, 도11을 참조해서 설명한다. 도11의 표시장치는, 신호선구동회로(1101), 주사선구동회로(1102) 및 화소부(1104)을 가진다. 화소부(1104)은, 신호선구동회로(1101)로부터 열방향으로 신장해서 배치된 복수의 신호선 S1?Sm, 주사선구동회로(1102)로부터 행방향으로 신장해서 배치된 복수의 주사선 G1?Gn, 및 신호선 S1?Sm 및 주사선 G1?Gn에 대응해서 매트릭스 모양으로 배치된 복수의 화소(1103)을 가진다. 그리고, 각 화소(1103)은, 신호선 Sj(신호선 S1?Sm 중 어느 1개), 주사선 Gi(주사선 G1?Gn 중 어느 1개)와 접속된다.
주사선구동회로(1102)로서, 본 실시예의 시프트 레지스터를 적용할 수 있다. 물론, 신호선구동회로(1101)에도 본 실시예의 시프트 레지스터를 사용해도 된다.
주사선 G1?Gn은, 도7 및 도10에 나타낸 제7의 배선 717_1?제7의 배선 717_n에 접속된다.
신호선 및 주사선은, 간단히 배선이라고 불러도 된다. 더구나, 신호선구동회로(1101) 및 주사선구동회로(1102)을, 각각을 구동회로라고 불러도 된다.
화소(1103)는, 적어도 1개의 스위칭소자, 1개의 용량소자 및 화소전극을 가지고 있다. 다만, 화소(1103)은, 복수의 스위칭소자 또는 복수의 용량소자를 갖고 있어도 된다. 더구나, 용량소자는, 반드시 필요하지 않다. 화소(1103)은, 포화 영역에서 동작하는 트랜지스터를 갖고 있어도 된다. 화소(1103)은, 액정소자 또는 EL소자 등의 표시 소자를 갖고 있어도 된다. 스위칭소자로서는, 트랜지스터 및 PN 접합 다이오드를 사용할 수 있다. 다만, 스위칭소자로서 트랜지스터를 사용하는 경우에는, 트랜지스터가 선형 영역에서 동작하는 것이 바람직하다. 더구나, 주사선구동회로(1102)가, N채널형의 트랜지스터만으로 구성되는 경우에는, 스위칭소자로서 N채널형 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 더구나, 주사선구동회로(1102)가, P채널형의 트랜지스터만으로 구성되는 경우에는, 스위칭소자로서 P채널형 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다.
주사선구동회로(1102) 및 화소부(1104)는, 절연 기판(1105)위에 형성되고, 신호선구동회로(1101)는, 절연 기판(1105)위에 형성되지 않는다. 신호선구동회로(1101)은, 단결정 기판 위, SOI 기판 위 또는 절연 기판(1105)과는 다른 절연 기판 위에 형성되어 있다. 그리고, 신호선구동회로(1101)은, FPC 등의 프린트 기판를 거쳐, 신호선 S1?Sm과 접속된다. 다만, 신호선구동회로(1101)은 절연 기판(1105) 위에 형성되어 있어도 되고, 신호선구동회로(1101)의 일부를 구성하는 회로가 절연 기판(1105) 위에 형성되어도 된다.
신호선구동회로(1101)는, 신호선 S1?Sm에 비디오신호로서 전압 또는 전류를 입력한다. 다만, 비디오신호는 디지털 신호라도 되고, 아날로그 신호라도 된다. 더구나, 비디오신호는, 1프레임마다 양극과 음극이 반전해도 되고(프레임 반전 구동), 1행마다 양극과 음극이 반전해도 된다(게이트 라인 반전 구동). 또는, 비디오신호는, 1열마다 양극과 음극이 반전해도 되고(소스 라인 반전 구동), 1행 및 1열마다 양극과 음극이 반전해도 된다(도트 반전 구동). 더구나, 비디오신호는, 신호선 S1?Sm에 점 순차 구동으로 입력되어도 되고, 선 순차 구동으로 입력되어도 된다. 더구나, 신호선구동회로(1101)은, 비디오신호 뿐만 아니라, 프리차지전압 등의 일정 전압을 신호선 S1?Sm에 입력해도 된다. 프리차지전압 등의 일정 전압은, 1게이트 선택 기간마다, 1프레임마다 입력하는 것이 바람직하다.
주사선구동회로(1102)는, 주사선 G1?Gn에 신호를 입력하고, 주사선 G1?Gn을 1행째로부터 순차적으로 선택(이하, 주사한다고도 한다)한다. 그리고, 주사선구동회로(1102)은, 선택된 주사선에 접속되는 복수의 화소(1103)를 선택한다. 여기에서, 1개의 주사선이 선택되어 있는 기간을 1게이트 선택 기간이라고 부르고, 해당 주사선이 선택되지 않고 있는 기간을 비선택 기간이라고 부른다. 더구나, 주사선구동회로(1102)가 주사선에 출력하는 신호를, 주사 신호라고 부른다. 더구나, 주사 신호의 최대값은, 비디오신호의 최대값 또는 신호선의 최대전압보다도 크고, 주사 신호의 최소값은, 비디오신호의 최소값 또는 신호선의 최소전압보다도 작은 것을 특징으로 한다.
화소(1103)이 선택되어 있을 경우에는, 신호선구동회로(1101)로부터 신호선를 거쳐, 화소(1103)에 비디오신호가 입력된다. 더구나, 화소(1103)가 선택되지 않고 있을 경우에는, 화소(1103)은, 선택 기간에 입력된 비디오신호(비디오신호에 대응한 전위)를 유지하고 있다.
도시하지는 않았지만, 신호선구동회로(1101) 및 주사선구동회로(1102)에는, 복수의 전위 및 복수의 신호가 공급되고 있다.
다음에 도11에 나타낸 표시장치의 동작에 대해서, 도12의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 도12에 있어서, 1화면분의 화상을 표시하는 기간에 해당하는 1프레임 기간을 나타낸다. 1 프레임 기간은 특별하게 한정은 하지 않지만, 화상을 보는 사람이 어른거림(플리커)을 느끼지 않도록, 1/60초 이하로 하는 것이 바람직하다.
도12의 타이밍 차트에서는, 1행째의 주사선 G1, i행째의 주사선 Gi, i+1행째의 주사선 Gi+1 및 n행째의 주사선 Gn이 각각 선택되는 타이밍을 나타내고 있다.
도12에 있어서, 예를 들면 i행째의 주사선 Gi가 선택되고, 주사선 Gi에 접속되는 복수의 화소(1103)가 선택된다. 그리고, 주사선 Gi에 접속되는 복수의 화소(1103)은, 각각 비디오신호를 입력되고, 비디오신호에 따른 전위를 유지한다. 그 후에 i행째의 주사선 Gi가 비선택이 되어서, i+1행째의 주사선 Gi+1이 선택되고, 주사선 Gi+1에 접속되는 복수의 화소(1103)가 선택된다. 그리고, 주사선 Gi+1에 접속되는 복수의 화소(1103)는, 각각 비디오신호를 입력하고, 비디오신호에 따른 전위를 유지한다. 이렇게, 1프레임 기간에 있어서, 주사선 G1로부터 주사선 Gn까지 순차적으로 선택되고, 각각의 주사선에 접속되는 화소(1103)도 순차적으로 선택된다. 그리고, 각각의 주사선에 접속되는 복수의 화소(1103)은, 각각 비디오신호를 입력하고, 비디오신호에 따른 전위를 유지한다.
본 실시예의 시프트 레지스터를, 주사선구동회로(1102)로서 사용한 표시장치는, 고속동작이 가능해지므로, 보다 고선명, 또는 보다 대형화를 꾀할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 표시장치는, 공정의 간략화, 제조 비용의 삭감 및 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
도11의 표시장치는, 고속동작이 필요한 신호선구동회로(1101)과, 주사선구동회로(1102) 및 화소부(1104)를 별개의 기판 위에 형성한다. 그 때문에 주사선구동회로(1102)가 가지는 트랜지스터의 반도체층, 및 화소(1103)가 가지는 트랜지스터의 반도체층으로서, 아모퍼스 실리콘을 사용할 수 있다. 그 결과, 제조 공정의 간략화를 꾀할 수 있고, 제조 비용의 삭감이나 수율의 향상을 꾀할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 표시장치는, 대형화를 꾀할 수 있다. 또는, 트랜지스터의 반도체층으로서, 폴리실리콘이나 단결정 실리콘을 사용해도, 제조 공정의 간략화를 꾀할 수 있다.
신호선구동회로(1101)와, 주사선구동회로(1102) 및 화소부(1104)를 동일기판 위에 형성하는 경우에는, 주사선구동회로(1102)가 가지는 트랜지스터의 반도체층, 및 화소(1103)가 가지는 트랜지스터의 반도체층으로서, 폴리실리콘 또는 단결정 실리콘을 사용하면 된다.
도11과 같이, 화소를 선택하고, 화소에 독립하여 비디오신호를 기록할 수 있으면, 각 구동회로의 수나 배치 등은 도11에 한정되지 않는다.
예를 들면 도13에 도시된 것과 같이 주사선 G1?주사선 Gn이 제1의 주사선구동회로(1302a) 및 제2의 주사선구동회로(1302b)에 의해 주사되어도 된다. 제1의 주사선구동회로(1302a) 및 제2의 구동회로1302b은, 도11에 나타낸 주사선구동회로(1102)와 동일한 구성으로, 같은 타이밍에서 주사선 G1?주사선 Gn을 주사한다. 더구나, 제1의 주사선구동회로(1302a) 및 제2의 구동회로1302b을, 각각 제1의 구동회로, 제2의 구동회로라고 불러도 된다.
도13의 표시장치는, 제1의 주사선구동회로(1302a) 및 제2의 주사선구동회로(1302b) 중 한쪽에 불량이 생겨도, 제1의 주사선구동회로(1302a) 및 제2의 주사선구동회로(1302b) 중 다른 쪽이 주사선 G1?주사선 Gn을 주사할 수 있기 때문에, 용장성을 가질 수 있다. 더구나, 도13의 표시장치는, 제1의 주사선구동회로(1302a)의 부하(주사선의 배선 저항 및 주사선의 기생 용량) 및 제2의 주사선구동회로(1302b)의 부하를 도11에 비교하여 절반 정도로 할 수 있다. 그 때문에 주사선 G1?주사선 Gn에 입력되는 신호(제1의 주사선구동회로(1302a) 및 제2의 구동회로(1302b)의 출력 신호)의 지연, 왜곡을 저감할 수 있다. 더구나, 도13의 표시장치는, 제1의 주사선구동회로(1302a)의 부하 및 제2의 주사선구동회로(1302b)의 부하가 저감되므로, 주사선 G1?주사선 Gn을 고속으로 주사할 수 있다. 더구나, 주사선 G1?주사선 Gn을 고속으로 주사할 수 있으므로, 패널의 대형화 또는 패널의 고선명화를 가능하게 할 수 있다. 또한, 도11의 구성과 공통되는 곳은 공통인 부호를 사용해서 그 설명을 생략한다.
다른 예로서, 도14는, 화소에 비디오신호를 고속으로 기록할 수 있는 표시장치이다. 도14의 표시장치는, 홀수행째의 화소(1103)에는 홀수열째의 신호선에서 비디오신호를 입력하고, 짝수행째의 화소(1103)에는 짝수열째의 신호선에서 비디오신호를 입력한다. 더구나, 도14의 표시장치는, 주사선 G1?주사선 Gn 중 홀수단째의 주사선이, 제1의 주사선구동회로(1402a)에 의해 주사되고, 주사선 G1?주사선 Gn 중 짝수단째의 주사선이, 제2의 주사선구동회로(1402b)에 의해 주사된다. 더구나, 제1의 주사선구동회로(1402a)에 입력되는 스타트 신호는, 제2의 주사선구동회로(1402b)에 입력되는 스타트 신호보다도, 클록 신호의 1/4주기 만큼 지연해서 입력된다.
도14의 표시장치는, 1프레임 기간에 있어서 각 신호선, 1열마다 양극의 비디오신호와, 음극의 비디오신호를 입력하는 것만으로, 도트 반전 구동을 할 수 있다. 더구나, 도14의 표시장치는, 1프레임 기간마다, 각 신호선에 입력하는 비디오신호의 극성을 반전함으로써 프레임 반전 구동을 할 수 있다.
도14의 표시장치의 동작에 대해서, 도15의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 도15의 타이밍 차트에서는, 1행째의 주사선 G1, i-1행째의 주사선 Gi-1, i행째의 주사선 Gi, i+1행째의 주사선 Gi+1 및 n행째의 주사선 Gn이, 각각 선택되는 타이밍을 보이고 있다. 더구나, 도15의 타이밍 차트에서는, 1개의 선택 기간을 선택 기 간a와 선택 기간 b로 분할하고 있다. 더구나, 도15의 타이밍 차트에서는, 도14의 표시장치가, 도트 반전 구동 및 프레임 반전 구동할 경우에 관하여 설명한다.
도15에 있어서, 예를 들면 i행째의 주사선 Gi의 선택 기간 a는, i-1행째의 주사선 Gi-1의 선택 기간 b와 겹치고 있다. 또한 i행째의 주사선 Gi의 선택 기간 b은, i+1행째의 주사선 Gi+1의 선택 기간 a와 겹치고 있다. 따라서, 선택 기간 a에 있어서, i-1행 J+1열째의 화소(1103)에 입력되는 비디오신호와 같은 것이, I행 j열째의 화소(1103)에 입력된다. 더구나, 선택 기간 b에 있어서, I행 j열째의 화소(1103)에 입력되는 비디오신호와 같은 것이, i+1행 j+1열째의 화소(1103)에 입력된다. 또한, 선택 기간 b에 있어서 화소(1103)에 입력되는 비디오신호가, 본래의 비디오신호이며, 선택 기간 a에 있어서 화소(1103)에 입력되는 비디오신호가, 화소(1103)의 프리차지용의 비디오신호이다. 따라서, 화소(1103) 각각은, 선택 기간 a에 있어서 i-1행 j+1열째의 화소(1103)에 입력되는 비디오신호에 의해 프리차지한 뒤에, 선택 기간 b에 있어서 본래(i행 j열째)의 비디오신호를 입력한다.
이상의 내용에서, 도14의 표시장치는, 화소(1103)에 고속으로 비디오신호를 기록할 수 있기 때문에, 대형화, 고선명화를 용이하게 실현할 수 있다. 더구나, 도14의 표시장치는, 1프레임 기간에 있어서 신호선 각각은 같은 극성의 비디오신호가 입력되기 때문에, 각 신호선의 충방전이 적어, 저소비 전력화를 실현된다. 더구나, 도14의 표시장치는, 비디오신호를 입력하기 위한 IC의 부하가 대폭 저감되기 때문에, IC의 발열 및 IC의 소비 전력 등을 저감 할 수 있다. 더구나, 도14의 표시장치는, 제1의 주사선구동회로(1402a) 및 제2의 주사선구동회로(1402b)의 구동 주파수를 약 절반 정도로 할 수 있기 때문에, 전력 절약화를 꾀할 수 있다.
본 실시예의 표시장치는, 화소(1103)의 구성 및 구동방법에 의해, 여러가지의 구동방법을 행할 수 있다. 예를 들면 1프레임 기간에 있어서, 주사선구동회로는, 주사선을 여러번 주사해도 된다.
도11, 도13 및 도14의 표시장치는, 화소(1103)의 구성에 의해 별도의 배선 등을 추가해도 된다. 예를 들면 일정한 전위로 유지되어 있는 전원선, 용량선 및 새로운 주사선 등을 추가해도 된다. 새롭게 주사선을 추가할 경우에는, 본 실시예의 시프트 레지스터를 적용한 주사선구동회로를, 새롭게 추가해도 된다. 다른 예로서, 더미의 주사선, 신호선, 전원선 또는 용량선이 화소부에 배치되어 있어도 된다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는 조합할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는 조합할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용을, 구체화한 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에도 적용할 수 있다. 또는, 조합할 수 있다.
(실시예2)
본실시예에서는, 실시예1과는 다른 플립플롭, 해당 플립플롭을 가지는 구동회로, 및 해당 구동회로를 가지는 표시장치의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다. 또한, 실시예1와 같은 것에 관해서는 공통의 부호를 사용해서 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예의 플립플롭의 구성은, 실시예1과 같은 플립플롭의 구성을 사용할 수 있다. 따라서, 본실시예에서는, 플립플롭의 구성의 설명을 생략한다. 다만, 플립플롭을 구동하는 타이밍이 실시예1과는 다르다.
본 실시예의 구동 타이밍을, 도1a에 적용했을 경우에 관하여 설명하지만, 본 실시예의 구동 타이밍을 도1b, 도1c, 도4a, 도4b, 도4c, 도5a 및 도5b의 플립플롭과 자유롭게 조합하여 실시할 수도 있다. 더구나, 본 실시예의 구동 타이밍은, 실시예1에 기재된 구동 타이밍과, 자유롭게 조합하여 실시할 수도 있다.
본 실시예의 플립플롭의 동작에 대해서, 도1a의 플립플롭 및 도16의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 더구나, 도16의 타이밍 차트를, 세트 기간, 선택 기간, 리셋트 기간, 비선택 기간으로 분할해서 설명한다. 다만, 세트 기간은, 제1의 세트 기간 및 제2의 세트 기간으로 분할되고, 선택 기간은 제1의 선택 기간 및 제2의 선택 기간으로 분할된다.
제1의 배선(121), 제5의 배선(125) 및 제2의 배선(122)에는, 각각 도16에 나타내는 신호 1621, 신호 1625 및 신호 1622가 입력된다. 그리고, 제3의 배선(123)에서는, 도16에 나타내는 신호 1623이 출력된다. 여기에서, 신호 1621, 신호 1625, 신호 1622 및 신호 1623은, 각각 도2에 나타낸 신호 221, 신호 225, 신호 222 및 신호 223에 해당한다. 더구나, 신호 1621, 신호 1625, 신호 1622 및 신호 1623을, 각각 스타트 신호, 클록 신호, 리셋트 신호 및 출력 신호라고 불러도 된다.
본 실시예의 플립플롭은, 기본적으로는 실시예1에서 설명한 플립플롭과 동일하게 동작한다. 다만, 본 실시예의 플립플롭은, 제1의 배선(121)에 H신호가 입력되는 타이밍이, 클록 신호의 1/4주기 만큼 지연하고 있는 것이 실시예1의 플립플롭과 다르다.
본 실시예의 플립플롭은, 도16에 나타내는 제1의 세트 기간(Al), 제2의 세트 기간(A2), 리셋트 기간(C) 및 비선택 기간(D)에 있어서, 각각 도2에 나타낸 비선택 기간(D), 세트 기간(A), 리셋트 기간(C) 및 비선택 기간(D)과 같은 동작을 하므로 설명을 생략한다.
도17에 도시된 것과 같이 본 실시예의 플립플롭은, 제2의 배선(122)에 H신호를 입력하는 타이밍을, 클록 신호의 1/4주기 만큼 지연시킴으로써 출력 신호의 하강시간을 대폭 짧게 할 수 있다. 즉, 도17을 적용한 본 실시예의 플립플롭은, 도17에 나타내는 제1의 리셋트 기간에 있어서, 제5의 배선(125)에 L신호가 입력되고, 노드 141의 전위가 대채로 V1+Vth10l까지 떨어진다. 따라서, 제1의 트랜지스터(101)은 온인 채이며, L신호가 제3의 배선(123)으로부터 출력된다. 제3의 배선(123)에는, W/L의 값이 큰 제1의 트랜지스터(101)를 거쳐, L신호가 입력된다. 그 때문에 제3의 배선(123)의 전위가, H레벨로부터 L레벨이 될 때까지의 시간을 대폭 짧게 할 수 있다. 그 후에 도17을 적용한 본 실시예의 플립플롭은, 도17c2에 나타내는 제2의 리셋트 기간에 있어서, 제7의 트랜지스터(107)가 온되고, 노드 141의 전위가 V2이 된다. 이때의 노드 142의 전위(전위 1642)은, V1-Vth103이 되고, 제3의 트랜지스터(103)이 온되기 때문에, L신호가 제3의 배선(123)으로부터 출력된다.
본 실시예의 플립플롭은, 실시예1에 나타낸 플립플롭과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
계속해서, 전술한 본 실시예의 플립플롭을 가지는 시프트 레지스터의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다.
본 실시예의 시프트 레지스터의 구성에 대해서, 도18을 참조해서 설명한다. 도18의 시프트 레지스터는, n개의 플립플롭(플립플롭 1801-1?플립플롭 1801_n)을 가진다.
도18의 시프트 레지스터의 접속 관계에 관하여 설명한다. 도18의 시프트 레지스터에 있어서, i단째의 플립플롭 1801_i(플립플롭 1801_1?플립플롭 1801_n 중 어느 1개)에서는, 도1a에 나타낸 제1의 배선(121)이, 제10의 배선 1820_1-1에 접속된다. 도1a에 나타낸 제2의 배선(122)이, 제10의 배선 1820_i+2에 접속된다. 도1a에 나타낸 제3의 배선(123)이, 제10의 배선 1820_i에 접속된다. 도1a에 나타낸 제4의 배선(124), 제8의 배선(128), 제9의 배선(129), 제10의 배선(130) 및 제11의 배선(131)이, 제7의 배선(1817)에 접속된다. 도1a에 나타낸 제5의 배선(125)이, 4N-3(N은 1 이상의 자연수)단째의 플립플롭에서는 제2의 배선(1812)에 접속되고, 4N-2단째의 플립플롭에서는 제3의 배선(1813)에 접속되고, 4N-1단째의 플립플롭에서는 제4의 배선(1814)에 접속되고, 4N단째의 플립플롭에서는 제5의 배선(1815)에 접속된다. 도1a에 나타내는 제6의 배선(126) 및 제7의 배선(127)이, 제6의 배선(1816)에 접속된다. 다만, 1단째의 플립플롭 1801_1에 있어서, 도1a에 나타내는 제1의 배선(121)이, 제1의 배선(1811)에 접속된다. n-1단째의 플립플롭 1801_n-1에 있어서, 도1a에 나타내는 제2의 배선(122)이, 제9의 배선(1819)에 접속된다. n단째의 플립플롭 1801_n에 있어서, 도1a에 나타내는 제2의 배선(122)이, 제8의 배선(1818)에 접속된다.
본 실시예의 플립플롭에, 도17의 타이밍 차트를 적용한 경우에는, i단째의 플립플롭 1801_i에 있어서, 도1에 나타내는 제2의 배선(122)은, 제10의 배선 1820_i+3과 접속된다. 따라서, n-3단째의 플립플롭 1801_n-3에 있어서, 도1a에 나타내는 제2의 배선(122)에는, 새롭게 추가한 배선이 접속된다.
제1의 배선(1811), 제2의 배선(1812), 제3의 배선(1813), 제4의 배선(1814), 제5의 배선(1815), 제8의 배선(1818) 및 제9의 배선(1819)을, 각각 제1의 신호선, 제2의 신호선, 제3의 신호선, 제4의 신호선, 제5의 신호선, 제6의 신호선 및 제7의 배선이라고 불러도 된다. 더구나, 제6의 배선(1816) 및 제7의 배선(1817)을, 각각 제1의 전원선 및 제2의 전원선이라고 불러도 된다.
다음에 도18에 나타낸 시프트 레지스터의 동작에 대해서, 도19의 타이밍 차트 및 도20의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 여기에서, 도19의 타이밍 차트는, 주사 기간과 귀선시간으로 분할되어 있다.
제6의 배선(1816)에는, V1의 전위가 공급된다. 또한 제7의 배선(1817)에는, V2의 전위가 공급된다.
제1의 배선(1811), 제2의 배선(1812), 제3의 배선(1813), 제4의 배선(1814), 제5의 배선(1815), 제8의 배선(1818) 및 제9의 배선(1819)에는, 각각 도19에 나타내는 신호 1911, 신호 1912, 신호 1913, 신호 1914, 신호 1915, 신호 1918 및 신호 1919가 입력된다. 여기에서, 신호 1911, 신호 1912, 신호 1913, 신호 1914, 신호 1915, 신호 1918 및 신호 1919은, H신호의 전위가 V1, L신호의 전위가 V2의 디지털 신호이다. 더구나, 신호 1911, 신호 1912, 신호 1913, 신호 1914, 신호 1915, 신호 1918 및 신호 1919을, 각각 스타트 신호, 제1의 클록 신호, 제2의 클록 신호, 제3의 클록 신호, 제4의 클록 신호, 제1의 리셋트 신호 및 제2의 리셋트 신호라고 불러도 된다.
단, 제1의 배선(1811)?제9의 배선(1819)에는, 각각 여러가지의 신호, 전위 및 전류가 입력되어도 된다.
제10의 배선 1820_1?1820_n에서는, 각각 H신호의 전위가 V1, L신호의 전위가 V2인 디지털 신호 1920_1?1920_n이 출력된다. 더구나, 실시예1과 마찬가지로, 제10의 배선 1820_1?1820_n에 각각 버퍼 접속함으로써 동작시키기 쉽게 할 수 있다.
플립플롭 1801_i의 스타트 신호로서, 제10의 배선 1820_i-1로부터 출력되는 신호를 사용하고, 리셋트 신호로서, 제10의 배선 1820_i+2로부터 출력되는 신호를 사용한다. 여기에서, 플립플롭 1801-1의 스타트 신호는, 제1의 배선(1811)으로부터 입력된다. 플립플롭 1801_n-1의 제2의 리셋트 신호는, 제9의 배선(1819)으로부터 입력된다. 플립플롭 1801_n의 제1의 리셋트 신호는, 제8의 배선(1818)으로부터 입력된다. 다만, 플립플롭 1801n-1의 제2의 리셋트 신호로서, 제10의 배선 1820_1로부터 출력되는 신호를 사용하고, 플립플롭 1801_n의 제1의 리셋트 신호로서, 제10의 배선 1820_2로부터 출력되는 신호를 사용해도 된다. 또는, 플립플롭 1801_n-1의 제2의 리셋트 신호로서, 제10의 배선 1820_2로부터 출력되는 신호를 사용하고, 플립플롭 1801-n의 제1의 리셋트 신호로서, 제10의 배선 1820_3로부터 출력되는 신호를 사용해도 된다. 또는, 제1의 더미의 플립플롭 및 제2의 더미의 플립플롭을 새롭게 배치하고, 제1의 더미의 플립플롭의 출력 신호 및 제2의 더미의 플립플롭의 출력 신호를, 각각 제1의 리셋트 신호 및 제2의 리셋트 신호로서 사용해도 된다. 이렇게 함으로써 배선수 및 신호수를 절감할 수 있다.
도20에 도시된 것과 같이 예를 들면 플립플롭 1801_i가, 제1의 선택 기간이 되면, 제10의 배선 1820_i로부터 H신호(선택신호)가 출력된다. 이 때, 플립플롭 1801_i+1은, 제2의 세트 기간이 된다. 그 후에 플립플롭 1801_i가, 제2의 선택 기간이 되어도, 제10의 배선 1820_i에서는, H신호가 출력된 채이다. 이 때, 플립플롭 1801_i+1은, 제1의 선택 기간이 된다. 그 후에 플립플롭 1801_i가, 리셋트 기간이 되면, 제10의 배선 1820_i로부터 L신호가 출력된다. 이 때, 플립플롭 1801_i+1은, 제2의 선택 기간이 된다. 그 후에 플립플롭 1801_i가, 비선택 기간이 되어도, 제10의 배선 1820_i에서는, L신호가 출력된 채이다. 이 때, 플립플롭 1801_i+1은, 리셋트 기간이 된다.
이렇게 해서, 도18의 시프트 레지스터는, 선택신호를, 제10의 배선 1820_1로부터 순차적으로 제10의 배선 1820_n까지 출력할 수 있다. 더구나, 도18의 시프트 레지스터는, 플립플롭 1801_i의 제2의 선택 기간과, 플립플롭 1801_i+1의 제1의 선택 기간이 동일한 기간이 되기 때문에, 같은 기간에 제10의 배선 1820_i와 제10의 배선 1820_i+1로부터 선택신호를 출력할 수 있다.
본 실시예의 플립플롭을 적용한 시프트 레지스터는, 고정세의 표시장치 또는 대형표시장치에 적용할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 시프트 레지스터는, 실시예1에 나타낸 시프트 레지스터와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
계속해서, 전술한 본 실시예의 시프트 레지스터를 가지는 표시장치의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다. 다만, 본 실시예의 표시장치는, 적어도 본 실시예의 플립플롭을 가지고 있으면 된다.
본 실시예의 표시장치의 구성에 대해서, 도21을 참조해서 설명한다. 도21의 표시장치는, 주사선 G1?주사선 Gn이, 주사선구동회로(2102)에 의해 주사된다. 더구나, 도21의 표시장치는, 홀수행째의 화소(1103)에는, 홀수행째의 신호선에서 비디오신호를 입력하고, 짝수행째의 화소(1103)에는, 짝수행째의 신호선에서 비디오신호를 입력한다. 또한, 도11의 구성과 공통되는 곳은, 공통의 부호를 사용해서 그 설명을 생략한다.
도21의 표시장치는, 주사선구동회로(2102)에, 본 실시예의 시프트 레지스터를 적용함으로써, 1개의 주사선구동회로에 의해, 도14의 표시장치와 같은 동작을 할 수 있다. 그 결과, 도14의 표시장치와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
도13과 마찬가지로, 주사선 G1?주사선 Gn이, 제1의 주사선구동회로(2202a) 및 제2의 주사선구동회로(2202b)에 의해 주사되어도 된다. 그 결과, 도13의 표시장치와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 그 경우의 구성을 도22에 나타낸다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는 조합할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에도 적용, 또는, 조합할 수 있다.
(실시예3)
본실시예에서는, 실시예1 및 실시예2과는 다른 플립플롭, 해당 플립플롭을 가지는 구동회로, 및 해당 구동회로를 가지는 표시장치의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다. 본 실시예의 플립플롭은, 플립플롭의 출력 신호와, 플립플롭의 전송 신호를 별개의 트랜지스터에 의해 별개의 배선으로부터 출력하는 것을 특징으로 하는. 또한, 실시예1 및 실시예2과 같은 것에 관해서는 공통의 부호를 사용해서 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예의 플립플롭의 기본구성에 대해서, 도23을 참조해서 설명한다. 도23에 나타내는 플립플롭은, 도1a의 플립플롭에, 제9의 트랜지스터(109) 및 제10의 트랜지스터(110)를 추가한 것과 같다.
도23의 플립플롭의 접속 관계에 관하여 설명한다. 제9의 트랜지스터(109)의 제1의 전극이, 제13의 배선(133)에 접속되고, 제9의 트랜지스터(109)의 제2의 전극이, 제12의 배선(132)에 접속되고, 제9의 트랜지스터(109)의 게이트 전극이, 노드 141에 접속되어 있다. 제10의 트랜지스터(110)의 제1의 전극이, 제14의 배선(134)에 접속되고, 제10의 트랜지스터(110)의 제2의 전극이, 제12의 배선(132)에 접속되고, 제10의 트랜지스터(110)의 게이트 전극이 노드 142에 접속되어 있다. 그 밖의 접속 관계는, 도1a와 같다.
제13의 배선(133) 및 제14의 배선(134)을, 각각 제5의 신호선 및 제8의 전원선이라고 불러도 된다.
다음에 도23에 나타낸 플립플롭의 동작에 대해서, 도24의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 여기에서, 도24의 타이밍 차트를, 세트 기간, 선택 기간, 리셋트 기간 및 비선택 기간으로 분할해서 설명한다. 다만, 세트 기간, 리셋트 기간 및 비선택 기간을 합쳐서 비선택 기간이라고 부르는 일도 있다.
제3의 배선(123) 및 제12의 배선(132)에서는, 각각 신호 223, 신호 232이 출력된다. 신호 232은 플립플롭의 출력 신호이며, 신호 223은 플립플롭의 전송 신호이다. 다만, 신호 223을 플립플롭의 출력 신호, 신호 232을 플립플롭의 전송 신호로 해도 된다.
신호 232을 플립플롭의 출력 신호, 신호 223을 플립플롭의 전송 신호로서 사용하는 경우에는, 제9의 트랜지스터(109)의 W/L의 값을, 제1의 트랜지스터(101)?제10의 트랜지스터(110)의 W/L 중에서 최대로 하면 된다. 또한 신호 223을 플립플롭의 출력 신호, 신호 232을 플립플롭의 전송 신호로서 사용하는 경우에는, 제1의 트랜지스터(101)의 W/L의 값을, 제1의 트랜지스터(101)?제10의 트랜지스터(110)의 W/L 중에서 최대로 하면 된다.
본 실시예에서는, 이미 서술한 것 같이, 플립플롭의 출력 신호와, 플립플롭의 전송 신호를 별개의 트랜지스터에 의해 별개의 배선으로부터 출력하는 것을 특징으로 한다. 즉, 도23의 플립플롭은, 제1의 트랜지스터(101) 및 제2의 트랜지스터(102)에 의해, 제3의 배선(123)로부터 신호를 출력한다. 또한 제9의 트랜지스터(109) 및 제10의 트랜지스터(110)에 의해, 제12의 배선(132)으로부터 신호를 출력한다. 더구나, 제9의 트랜지스터(109) 및 제10의 트랜지스터(110)은, 제1의 트랜지스터(101) 및 제2의 트랜지스터(102)과 동일하도록 접속되기 때문에, 도24에 도시된 것과 같이 제12의 배선(132)으로부터 출력되는 신호(신호 232)는, 제3의 배선(123)으로부터 출력되는 신호(신호 223)와 대체로 같은 파형이다.
제1의 트랜지스터(101)은, 다음 단의 제5의 트랜지스터(105)의 게이트 전극, 및 제8의 트랜지스터(108)의 게이트 전극에 전하를 공급할 수 있으면 되므로, 제1의 트랜지스터(101)의 W/L의 값은, 제5의 트랜지스터(105)의 W/L의 값의 2배 이하로 하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 제5의 트랜지스터(105)의 W/L의 값이하로 하면 된다.
제9의 트랜지스터(109) 및 제10의 트랜지스터(110)는, 각각 제1의 트랜지스터(101) 및 제2의 트랜지스터(102)와 같은 기능을 가진다. 더구나, 제9의 트랜지스터(109) 및 제10의 트랜지스터(110)을 버퍼부라고 불러도 된다.
이상의 내용에서, 도23의 플립플롭은, 제12의 배선(132)에 큰 부하가 접속되고, 신호 232에 지연, 왜곡 등이 생겨도, 오동작을 방지할 수 있다. 왜냐하면, 도23의 플립플롭은, 플립플롭의 출력 신호와, 플립플롭의 전송 신호를 별개의 트랜지스터에 의해 별개의 배선으로부터 출력함으로써, 출력 신호의 지연, 왜곡 등의 영향을 받지 않기 때문이다.
도23의 플립플롭은, 실시예1 및 실시예2에서 설명한 플립플롭과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 실시예의 플립플롭은, 도1b, 도1c, 도4a, 도4b, 도4c, 도5a 및 도5b과 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 플립플롭은, 실시예1에 기재된 구동 타이밍 및 실시예2에 기재된 구동 타이밍과, 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
계속해서, 전술한 본 실시예의 플립플롭을 가지는 시프트 레지스터의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다.
본 실시예의 시프트 레지스터의 구성에 대해서, 도25을 참조해서 설명한다. 도25의 시프트 레지스터는, n개의 플립플롭(플립플롭 2501_1?플립플롭 2501_n)을 가진다.
플립플롭 2501_1?플립플롭 2501_n, 제1의 배선(2511), 제2의 배선(2512), 제3의 배선(2513), 제4의 배선(2514), 제5의 배선(2515) 및 제6의 배선(2516)은, 도7의 플립플롭 701_1?플립플롭 701-n, 제1의 배선(711), 제2의 배선(712), 제3의 배선(713), 제4의 배선(714), 제5의 배선(715) 및 제6의 배선(716)에 해당하고, 같은 신호 또는 같은 전원전압이 입력된다. 그리고, 제7의 배선 2517_1?제7의 배선 2517_n과 제8의 배선 2518_1?제8의 배선 2518_n은, 도7의 제7의 배선 717_1?제7의 배선 717_n에 해당 한다.
다음에 도25에 나타낸 시프트 레지스터의 동작에 대해서, 도26의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다.
도25에 나타내는 시프트 레지스터의 동작은, 도7에 나타낸 시프트 레지스터의 동작과 비교하여, 출력 신호와, 전송 신호를, 별개의 배선에 출력하는 점이 다르다. 구체적으로는, 출력 신호는, 제8의 배선 2518_1?제8의 배선 2518_n 각각 출력되고 전송 신호는, 제7의 배선 2517-1?제7의 배선 2517_n에 각각 출력된다.
도25의 시프트 레지스터는, 제8의 배선 2518_1?제8의 배선 2518_n에 큰 부하(저항 및 용량 등)가 접속되어도, 부하의 영향을 받지 않고 동작할 수 있다. 더구나, 도25의 시프트 레지스터는, 제8의 배선 2518_1?제8의 배선 2518_n 중 어느 하나가, 전원선 또는 신호선과 쇼트되어도, 정상동작을 계속할 수 있다. 따라서, 도25의 시프트 레지스터는, 동작 효율의 향상, 신뢰성의 향상 및 수율의 향상을 꾀할 수 있다. 왜냐하면, 도25의 시프트 레지스터는, 각 플립플롭의 전송 신호와, 각 플립플롭의 출력 신호를 분할하고 있기 때문이다.
본 실시예의 플립플롭을 적용한 시프트 레지스터는, 실시예1 및 실시예2에서 설명한 시프트 레지스터와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 실시예의 시프트 레지스터는, 도7 및 도10의 시프트 레지스터와 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 시프트 레지스터는, 실시예1 및 실시예2의 기재와 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다.
본 실시예의 표시장치로서, 도11, 도13, 도14, 도21 및 도22의 표시장치를 사용할 수 있다. 따라서, 본 실시예의 표시장치는, 실시예1 및 실시예2에서 설명한 표시장치와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 별도의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에도 적용, 또는, 조합할 수 있다.
(실시예4)
본실시예에서는, 본 명세서의 플립플롭이 가지는 트랜지스터에, P채널형 트랜지스터를 적용했을 경우에 관하여 설명한다. 더구나, 해당 플립플롭을 가지는 구동회로, 및 해당 구동회로를 가지는 표시장치의 구성 및 구동방법에 관하여 설명한다.
본 실시예의 플립플롭은, 도1a의 플립플롭이 가지는 트랜지스터의 극성을, P채널형으로 했을 경우에 관하여 설명한다. 따라서, 도27의 플립플롭은, 도1의 플립플롭과 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 도1b, 도1c, 도4a, 도4b, 도4c, 도5a, 도5b 및 도23에 나타낸 플립플롭이 가지는 트랜지스터의 극성을, P채널형으로 할 수도 있다. 또한, 본 실시예의 플립플롭은, 실시예1 내지 실시예3의 기재와 자유롭게 조합하여 실시할 수도 있다.
본 실시예의 플립플롭의 기본구성에 대해서, 도27을 참조해서 설명한다. 도27에 나타내는 플립플롭은, 제1의 트랜지스터(2701)?제8의 트랜지스터(2708)을 가진다. 그리고, 제1의 트랜지스터(2701)?제8의 트랜지스터(2708)은, 도1a의 제1의 트랜지스터(101)?제8의 트랜지스터(108)에 각각 대응한다. 다만, 제1의 트랜지스터(2701)?제8의 트랜지스터(2708)은, P채널형 트랜지스터로 하고, 게이트?소스간 전압의 절대값(｜Vgs｜)이, 임계전압의 절대값(｜Vth｜)을 상회했을 때(Vgs가 Vth를 밑돌았을 때), 도통상태가 되는 것으로 한다.
본 실시예의 플립플롭은, 제1의 트랜지스터(2701)?제8의 트랜지스터(2708)가, 모두 P채널형 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 실시예의 플립플롭은, 제조 공정의 간략화, 제조 비용의 삭감 및 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
도27의 플립플롭의 접속 관계는, 도1a와 같으므로 생략한다.
도27의 제1의 배선(2721)?제11의 배선(2731)은, 도1의 제1의 배선(121)?제11의 배선(131)에 각각 해당한다.
다음에 도27에 나타낸 플립플롭의 동작에 대해서, 도28의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 여기에서, 도28의 타이밍 차트를 세트 기간, 선택 기간, 리셋트 기간 및 비선택 기간으로 분할해서 설명한다. 다만, 세트 기간, 리셋트 기간 및 비선택 기간을 합쳐서 비선택 기간으로 부르는 일도 있다.
도28의 타이밍 차트는, 도2의 타이밍 차트의 H레벨과 L레벨을 반전한 것과, 같다. 즉, 도27의 플립플롭은, 도1a의 플립플롭과 비교하여, 입력 신호 및 출력 신호의 H레벨과 L레벨이 반전한 것뿐이다. 또한, 신호 2821, 신호 2825, 신호 2841, 신호 2842, 신호 2822 및 신호 2823은, 도2의 신호 221, 신호 225, 신호 241, 신호 242, 신호 222 및 신호 223에 각각 해당한다.
또한, 도27의 플립플롭에 공급되어 있는 전원전압은, 도1a의 플립플롭과 비교하여, V1과 V2가 반전하고 있다.
우선, 도28a에 나타낸 세트 기간에 있어서의, 플립플롭의 동작을 설명한다. 노드 2741의 전위 2841이 V2+｜Vth2705｜가 된다. 그리고, 노드 2741은, 전위를 V2+｜vth2705｜로 유지한 채 부유 상태가 된다. 이 때, 노드 2742에서는, 전위 2842가 V1-θ(θ: 임의의 양의 수)가 된다. 또한, 제1의 트랜지스터(2701) 및 제2의 트랜지스터(2702)가 온되어 있기 때문에, H신호가 제3의 배선(2723)으로부터 출력된다.
도 28b에 나타내는 선택 기간에 있어서의, 플립플롭의 동작을 설명한다. 노드 2741의 전위 2841이 부트스트랩 동작에 의해, V2-｜Vth2701｜-γ(Vth2701: 제1의 트랜지스터(2701)의 임계전압, γ: 임의의 양의 수)가 된다. 따라서, 제1의 트랜지스터(2701)가 온되므로, L신호가 제3의 배선(2723)으로부터 출력된다.
도28c에 나타내는 리셋트 기간에 있어서의, 플립플롭의 동작을 설명한다. 제7의 트랜지스터(2707)가 온되기 때문에, 노드 2741의 전위 2841은, V1이 된다. 따라서, 제1의 트랜지스터(2701)가 오프된다. 이 때, 노드 2742의 전위 2842은, V2+｜Vth2703｜이 되어, 제2의 트랜지스터(2702)가 온된다. 따라서, H신호가, 제3의 배선(2723)으로부터 출력된다.
도 28d에 나타내는 비선택 기간에 있어서의, 플립플롭의 동작을 설명한다. 노드 2741의 전위 2841은 V1인 채이다. 그리고, 노드 2742의 전위 2842도 V2+｜Vth2703｜인 채이므로, 제2의 트랜지스터(2702)은 온인채 이다. 따라서, H신호가, 제3의 배선(2723)으로부터 출력된다.
본 실시예의 시프트 레지스터는, 본 실시예의 플립플롭을, 실시예1 내지 실시예3에 기재된 시프트 레지스터와, 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다. 예를 들면 본 실시예의 시프트 레지스터는, 본 실시예의 플립플롭을 도7, 도10 및 도25의 시프트 레지스터와, 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다. 다만, 본 실시예의 시프트 레지스터는, 실시예1 내지 실시예3에 기재된 시프트 레지스터와 비교하여, H레벨과 L레벨이 반전하고 있다.
본 실시예의 표시장치는, 본 실시예의 시프트 레지스터를, 실시예1 내지 실시예3에 기재된 표시장치와 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다. 예를 들면 본 실시예의 표시장치는, 도11, 도13, 도14, 도21 및 도22의 표시장치와, 자유롭게 조합하여 실시할 수 있다. 다만, 본 실시예의 표시장치는, 실시예1 내지 실시예3에 기재된 표시장치와 비교하여, H레벨과 L레벨이 반전하고 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 별도의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용, 또는 내용의 일부를, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용, 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에도 적용, 또는, 조합할 수 있다.
(실시예5)
본실시예에서는, 실시예1 내지 실시예4에 나타낸 표시장치가 가지는 신호선구동회로에 관하여 설명한다.
도31의 신호선구동회로에 관하여 설명한다. 도31에 나타내는 신호선구동회로는, 드라이버 IC(5601), 스위치 군(5602_1?5602_M), 제1의 배선(5611), 제2의 배선(5612), 제3의 배선(5613) 및 배선 5621_1?5621_M을 가진다. 스위치 군(5602_1?5602_M) 각각은, 제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)을 가진다.
드라이버 IC(5601)는, 제1의 배선(5611), 제2의 배선(5612), 제3의 배선(5613) 및 배선 5621_1?5621_M에 접속된다. 그리고, 스위치 군(5602_1?5602_M) 각각은, 제1의 배선(5611), 제2의 배선(5612), 제3의 배선(5613) 및 스위치 군(5602_1?5602_M) 각각에 대응한 배선 5621_1?5621-M 중 어느 한쪽에 접속된다. 그리고, 배선 5621_1?5621 M각각은, 제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)를 거쳐, 3개의 신호선에 접속된다. 예를 들면 J열째의 배선 5621_J(배선 5621_1?배선 5621_M 중 어느 1개)은, 스위치 군 5602-J가 가지는 제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)를 거쳐, 신호선 Sj-1, 신호선 Sj 및 신호선 Sj+1에 접속된다.
제1의 배선(5611), 제2의 배선(5612) 및 제3의 배선(5613)에는, 각각 신호가 입력된다.
드라이버 IC(5601)은, 단결정 기판 혹은 다결정반도체를 사용한 유리 기판 위에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 더구나, 스위치 군(5602_1?5602_M)은, 실시예1에 나타낸 화소부와, 동일기판 위에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 따라서, 드라이버 IC(5601)과 스위치 군(5602_1?5602_M)은 FPC 등를 거쳐 접속하면 된다.
다음에 도31에 나타낸 신호선구동회로의 동작에 대해서, 도32의 타이밍 차트를 참조해서 설명한다. 또한, 도32의 타이밍 차트는, i행째의 주사선 Gi가 선택되어 있을 경우의 타이밍 차트를 보이고 있다. 더구나, i행째의 주사선 Gi의 선택 기간은, 제1의 서브 선택 기간 Tl, 제2의 서브 선택 기간 T2 및 제3의 서브 선택 기간 T3로 분할되어 있다. 더구나, 도31의 신호선구동회로는, 다른 행의 주사선이 선택되어 있는 경우에도, 도32와 같은 동작을 한다.
도32의 타이밍 차트는, J열째의 배선 5621_J가, 제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)를 거쳐, 신호선 Sj-1, 신호선 Sj 및 신호선 Sj+1에 접속될 경우에 대해서 보이고 있다.
도32의 타이밍 차트는, i행째의 주사선 Gi가 선택되는 타이밍, 제1의 스위치(5603a)의 온?오프의 타이밍 5703a, 제2의 스위치(5603b)의 온?오프의 타이밍 5703b, 제3의 스위치(5603c)의 온?오프의 타이밍 5703c 및 J열째의 배선 5621_J에 입력되는 신호 5721_J를 보이고 있다.
배선 5621-1?배선 5621_M에는, 제1의 서브 선택 기간 Tl, 제2의 서브 선택 기간 T2 및 제3의 서브 선택 기간 T3에 있어서, 각각 별개의 비디오신호가 입력된다. 예를 들면 제1의 서브 선택 기간 Tl에 있어서, 배선 5621-J에 입력되는 비디오신호는, 신호선 Sj-1에 입력된다. 제2의 서브 선택 기간 T2에 있어서, 배선 5621_J에 입력되는 비디오신호는, 신호선 Sj에 입력된다. 제3의 서브 선택 기간 T3에 있어서, 배선 5621_J에 입력되는 비디오신호는, 신호선 Sj+1에 입력된다. 더구나, 제1의 서브 선택 기간 Tl, 제2의 서브 선택 기간 T2 및 제3의 서브 선택 기간 T3에 있어서, 배선 5621_J에 입력되는 비디오신호를, 각각 Dataj-1, Dataj 및 Dataj+1로 한다.
도32에 도시된 것과 같이 제1의 서브 선택 기간 Tl에 있어서, 제1의 스위치(5603a)가 온되어, 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)이 오프된다. 이 때, 배선 5621_J에 입력되는 Dataj-1이, 제1의 스위치(5603a)를 거쳐 신호선 Sj-1에 입력된다. 제2의 서브 선택 기간 T2에서는, 제2의 스위치(5603b)가 온되어, 제1의 스위치(5603a) 및 제3의 스위치(5603c)가 오프된다. 이 때, 배선 5621_J에 입력되는 Dataj가, 제2의 스위치(5603b)를 거쳐 신호선 Sj에 입력된다. 제3의 서브 선택 기간 T3에서는, 제3의 스위치(5603c)가 온되고, 제1의 스위치(5603a) 및 제2의 스위치(5603b)이 오프된다. 이 때, 배선 5621-J에 입력되는 Dataj+1이, 제3의 스위치(5603c)를 거쳐 신호선 Sj+1에 입력된다.
이상의 내용에서, 도31의 신호선구동회로는, 1 게이트 선택 기간을 3개로 분할함으로써 1게이트 선택 기간 동안에, 1개의 배선 5621로부터, 3개의 신호선에 비디오신호를 입력할 수 있다. 따라서, 도31의 신호선구동회로는, 드라이버 IC(5601)가 형성되는 기판과, 화소부가 형성되어 있는 기판의 접속수를, 신호선의 수에 비교해서 약 1/3로 할 수 있다. 접속수가 약 1/3이 됨으로써, 도31의 신호선구동회로는, 신뢰성, 수율 등을 향상할 수 있다.
본 실시예의 신호선구동회로를, 실시예1 내지 실시예4에 나타낸 표시장치에 적용함으로써, 화소부가 더 형성되어 있는 기판과, 외부기판과의 접속수를 절감할 수 있다. 따라서, 본 발명의 표시장치는, 신뢰성의 향상 및 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
다음에 제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)에, N채널형의 트랜지스터를 적용했을 경우에 대해서, 도33을 참조해서 설명한다. 또한, 도31과 같은 것에 관해서는, 공통의 부호를 사용해서 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
도33에 있어서의 제1의 트랜지스터(5903a)는, 도31에 있어서의 제1의 스위치(5603a)에 해당한다. 도33에 있어서의 제2의 트랜지스터(5903b)는, 도31에 있어서의 제2의 스위치(5603b)에 해당한다. 도33에 있어서의 제3의 트랜지스터(5903c)는, 도31에 있어서의 제3의 스위치(5603c)에 해당한다.
예를 들면 스위치 군 5602_M의 경우, 제1의 트랜지스터(5903a)는, 제1의 전극이 배선 5621_J에 접속되고, 제2의 전극이 신호선 Sj-1에 접속되고, 게이트 전극이 제1의 배선(5611)에 접속된다. 제2의 트랜지스터(5903b)는, 제1의 전극이 배선 5621_J에 접속되고, 제2의 전극이 신호선 Sj에 접속되고, 게이트 전극이 제2의 배선(5612)에 접속된다. 제3의 트랜지스터(5903c)은, 제1의 전극이 배선 5621J에 접속되고, 제2의 전극이 신호선 Sj+1에 접속되고, 게이트 전극이 제3의 배선(5613)에 접속된다.
제1의 트랜지스터(5903a), 제2의 트랜지스터(5903b) 및 제3의 트랜지스터(5903c)는, 각각 스위칭 트랜지스터로서 기능한다. 더구나, 제1의 트랜지스터(5903a), 제2의 트랜지스터(5903b) 및 제3의 트랜지스터(5903c)는 각각, 게이트 전극에 입력되는 신호가 H레벨일 때에 온이 되고, 게이트 전극에 입력되는 신호가 L레벨일 때에 오프가 된다.
제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)서, N채널형의 트랜지스터를 사용함으로써, 트랜지스터의 반도체층으로서, 아모퍼스 실리콘을 사용할 수 있기 때문에, 제조 공정의 간략화, 제조 비용의 삭감이나 수율의 향상을 꾀할 수 있다. 더구나, 대형의 표시 패널 등의 반도체장치를, 제작하는 것도 가능해진다. 또한 트랜지스터의 반도체층으로서, 폴리실리콘이나 다결정 실리콘을 사용해도, 제조 공정의 간략화를 꾀할 수 있다.
도33의 신호선구동회로에서는, 제1의 트랜지스터(5903a), 제2의 트랜지스터(5903b) 및 제3의 트랜지스터(5903c)로서, N채널형의 트랜지스터를 사용했을 경우에 관하여 설명했지만, 제1의 트랜지스터(5903a), 제2의 트랜지스터(5903b) 및 제3의 트랜지스터(5903c)로서, P채널형의 트랜지스터를 사용해도 된다. 이 때 트랜지스터는, 게이트 전극에 입력되는 신호가 L레벨일 때에 온이 되고, 게이트 전극에 입력되는 신호가 H레벨일 때에 오프가 된다.
도31과 같이, 1 게이트 선택 기간을 복수의 서브 선택 기간으로 분할하고, 복수의 서브 선택 기간에 있어서 어떤 1개의 배선으로부터, 복수의 신호선 각각에 비디오신호를 입력 할 수 있으면, 스위치의 배치나 수, 구동방법 등은 한정되지 않는다.
예를 들면 3개 이상의 서브 선택 기간 각각에 있어서, 1개의 배선으로부터 3개 이상의 신호선 각각에, 비디오신호를 입력하는 경우에는, 스위치 및 스위치를 제어하기 위한 배선을 추가하면 된다. 다만, 1게이트 선택 기간을 4개 이상의 서브 선택 기간으로 분할하면, 1개의 서브 선택 기간이 지나치게 짧아진다. 따라서, 1게이트 선택 기간은, 2개 또는 3개의 서브 선택 기간으로 분할되는 것이 바람직하다.
다른 예로서, 도34의 타이밍 차트에 도시된 것과 같이1 개의선택 기간을 프리차지기간 Tp, 제1의 서브 선택 기간 Tl, 제2의 서브 선택 기간 T2 및 제3의 선택 기간 T3로 분할해도 된다. 더구나, 도34의 타이밍 차트는, i행째의 주사선 Gi가 선택되는 타이밍, 제1의 스위치(5603a)의 온?오프의 타이밍 5803a, 제2의 스위치(5603b)의 온?오프의 타이밍 5803b, 제3의 스위치(5603c)의 온?오프의 타이밍 5803c 및 J열째의 배선 5621_J에 입력되는 신호 5821_J를 보이고 있다. 도34에 도시된 것과 같이 프리차지기간 Tp에 있어서, 제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)가 온된다. 이 때, 배선 5621_J에 입력되는 프리차지전압 Vp가, 제1의 스위치(5603a), 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)를 거쳐, 각각 신호선 Sj-1, 신호선 Sj, 신호선 Sj+1에 입력된다. 제1의 서브 선택 기간 Tl에 있어서, 제1의 스위치(5603a)가 온되어, 제2의 스위치(5603b) 및 제3의 스위치(5603c)이 오프된다. 이 때, 배선 5621_J에 입력되는 Dataj-1이, 제1의 스위치(5603a)를 거쳐, 신호선 Sj-1에 입력된다. 제2의 서브 선택 기간 T2에서는, 제2의 스위치(5603b)가 온되고, 제1의 스위치(5603a) 및 제3의 스위치(5603c)가 오프된다. 이 때, 배선 5621_J에 입력되는 Dataj가, 제2의 스위치(5603b)를 거쳐, 신호선 Sj에 입력된다. 제3의 서브 선택 기간 T3에서는, 제3의 스위치(5603c)가 온되고, 제1의 스위치(5603a) 및 제2의 스위치(5603b)가 오프된다. 이 때, 배선 5621_J에 입력되는 Dataj+1이, 제3의 스위치(5603c)를 거쳐, 신호선 Sj+1에 입력된다.
이상의 내용에서, 도34의 타이밍 차트를 적용한 도31의 신호선구동회로는, 서브 선택 기간의 앞에 프리차지선택 기간을 설치함으로써, 신호선을 프리차지할 수 있다. 그 때문에 화소에 비디오신호를 고속으로 기록할 수 있다. 또한, 도32와 같은 것에 관해서는 공통의 부호를 사용해서 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
도35에 있어서도, 도31과 같이, 1게이트 선택 기간을 복수의 서브 선택 기간으로 분할하고, 복수의 서브 선택 기간 각각에 있어서의 1개의 배선으로부터, 복수의 신호선 각각에 비디오신호를 입력할 수 있다. 또한, 도35은, 신호선구동회로 중, J열째의 스위치 군 6022_J만을 보이고 있다. 스위치 군 6022_J는, 제1의 트랜지스터(6001), 제2의 트랜지스터(6002), 제3의 트랜지스터(6003), 제4의 트랜지스터(6004), 제5의 트랜지스터(6005) 및 제6의 트랜지스터(6006)를 가지고 있다. 제1의 트랜지스터(6001), 제2의 트랜지스터(6002), 제3의 트랜지스터(6003), 제4의 트랜지스터(6004), 제5의 트랜지스터(6005) 및 제6의 트랜지스터(6006)는, N채널형의 트랜지스터이다. 스위치 군 6022_J는, 제1의 배선(6011), 제2의 배선(6012), 제3의 배선(6013), 제4의 배선(6014), 제5의 배선(6015), 제6의 배선(6016), 배선 5621_J, 신호선 Sj-1, 신호선 Sj 및 신호선Sj+1에 접속된다.
제1의 트랜지스터(6001)의 제1의 전극은, 배선 5621_J에 접속되고, 제2의 전극은, 신호선 Sj-1에 접속되고, 게이트 전극은, 제1의 배선(6011)에 접속된다. 제2의 트랜지스터(6002)의 제1의 전극은, 배선 5621_J에 접속되고, 제2의 전극은, 신호선 Sj-1에 접속되고, 게이트 전극은, 제2의 배선(6012)에 접속된다. 제3의 트랜지스터(6003)의 제1의 전극은, 배선 5621_J에 접속되고, 제2의 전극은, 신호선 Sj에 접속되고, 게이트 전극은, 제3의 배선(6013)에 접속된다. 제4의 트랜지스터(6004)의 제1의 전극은, 배선 5621_J에 접속되고, 제2의 전극은, 신호선 Sj에 접속되고, 게이트 전극은, 제4의 배선(6014)에 접속된다. 제5의 트랜지스터(6005)의 제1의 전극은, 배선 5621-J에 접속되고, 제2의 전극은, 신호선 Sj+1에 접속되고, 게이트 전극은, 제5의 배선(6015)에 접속된다. 제6의 트랜지스터(6006)의 제1의 전극은, 배선 5621_J에 접속되고, 제2의 전극은, 신호선 Sj+1에 접속되고, 게이트 전극은, 제6의 배선(6016)에 접속된다.
제1의 트랜지스터(6001), 제2의 트랜지스터(6002), 제3의 트랜지스터(6003), 제4의 트랜지스터(6004), 제5의 트랜지스터(6005) 및 제6의 트랜지스터(6006)은, 각각 스위칭 트랜지스터로서 기능한다. 더구나, 제1의 트랜지스터(6001), 제2의 트랜지스터(6002), 제3의 트랜지스터(6003), 제4의 트랜지스터(6004), 제5의 트랜지스터(6005) 및 제6의 트랜지스터(6006)은 각각, 게이트 전극에 입력되는 신호가 H레벨일 때에 온이 되고, 게이트 전극에 입력되는 신호가 L레벨일 때에 오프가 된다.
도35의 제1의 배선(6011) 및 제2의 배선(6012)은, 도33의 제1의 배선(5611)에 해당한다. 도35의 제3의 배선(6013) 및 제4의 배선(6014)은, 도33의 제2의 배선(5612)에 해당한다. 도35의 제5의 배선(6015) 및 제6의 배선(6016)은, 도33의 제3의 배선(5613)에 해당한다. 또한, 도35의 제1의 트랜지스터(6001) 및 제2의 트랜지스터(6002)은, 도33의 제1의 트랜지스터(5903a)에 해당한다.
도35의 제3의 트랜지스터(6003) 및 제4의 트랜지스터(6004)은, 도33의 제2의 트랜지스터(5903b)에 해당한다. 도35의 제5의 트랜지스터(6005) 및 제6의 트랜지스터(6006)은, 도33의 제3의 트랜지스터(5903c)에 해당한다.
도35에서는, 도32에 나타낸 제1의 서브 선택 기간 Tl에 있어서, 제1의 트랜지스터(6001) 또는 제2의 트랜지스터(6002)의 어느 한쪽이 온된다. 제2의 서브 선택 기간 T2에 있어서, 제3의 트랜지스터(6003) 또는 제4의 트랜지스터(6004)의 어느 한쪽이 온된다. 제3의 서브 선택 기간 T3에 있어서, 제5의 트랜지스터(6005) 또는 제6의 트랜지스터(6006)의 어느 한쪽이 온된다. 더구나, 도34에 나타낸 프리차지기간 Tp에 있어서, 제1의 트랜지스터(6001), 제3의 트랜지스터(6003) 및 제5의 트랜지스터(6005)나, 제2의 트랜지스터(6002), 제4의 트랜지스터(6004) 및 제6의 트랜지스터(6006)의 어느 한쪽이 온된다.
따라서, 도35에서는, 각 트랜지스터의 온 시간을 짧게 할 수 있으므로, 각 트랜지스터의 특성열화를 억제할 수 있다. 왜냐하면, 예를 들면 도32에 나타낸 제1의 서브 선택 기간 Tl에 있어서는, 제1의 트랜지스터(6001) 또는 제2의 트랜지스터(6002)의 어느 한쪽이 온되어 있으면, 비디오신호를 신호선 Sj-1에 입력할 수 있기 때문이다. 여기에서, 도32에 나타낸 제1의 서브 선택 기간 Tl에 있어서, 제1의 트랜지스터(6001) 및 제2의 트랜지스터(6002)을 동시에 온 함으로써, 고속으로 비디오신호를 신호선 Sj-1에 입력할 수도 있다.
도35에서는, 2개의 트랜지스터를, 배선 5621과, 신호선의 사이에 병렬로 접속할 경우에 관하여 설명했다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 3개 이상의 트랜지스터를, 배선(5621)과, 신호선의 사이에 병렬로 접속해도 된다. 이렇게 함으로써 한층 더 각 트랜지스터의 특성열화를 억제할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 별도의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에도 적용, 또는, 조합할 수 있다.
(실시예6)
본실시예에서는, 실시예1 내지 실시예4에 나타낸 표시장치의, 정전파괴에 의한 불량을 방지하기 위한 구성에 관하여 설명한다.
정전파괴란, 인체 또는 물체에 축적된, 양 또는 음의 전하가, 반도체 디바이스에 접촉했을 때에 디바이스의 입출력 단자를 거쳐 순시에 방전됨으로써 디바이스 내부에 대전류가 흘러서 발생하는 파괴이다.
도36a은, 보호 다이오드에 의해, 주사선에 발생하는 정전파괴를 방지하기 위한 구성을 나타낸다. 도36a은, 보호 다이오드를, 배선 6111과 주사선의 사이에 배치한 구성이다. 또한, 도시하지는 않았지만, i행째의 주사선 Gi에는 복수의 화소가 접속된다. 보호 다이오드로서는, 트랜지스터 6101을 사용한다. 또한, 트랜지스터 6101은, N채널형의 트랜지스터다. 다만, P채널형의 트랜지스터를 사용하여도 되고, 트랜지스터 6101의 극성은, 주사선구동회로나 화소가 가지는 트랜지스터의 극성과 같은 것을 사용하면 된다.
보호 다이오드는 1개만 배치되어 있지만, 여러개의 보호 다이오드가 직렬로 배치되어 있어도 되고, 병렬로 배치되어 있어도 되고, 직접 병렬로 배치되어 있어도 된다.
트랜지스터 6101은, 제1의 전극이, i행째의 주사선 Gi에 접속되고, 제2의 전극이, 배선 6111에 접속되고, 게이트 전극이, i행째의 주사선 Gi에 접속된다.
도36a의 동작에 관하여 설명한다. 배선 6111에는 어떤 전위가 입력되고 있어, 그 전위는, i행째의 주사선 Gi에 입력되는 신호의 L레벨보다도 낮은 전위이다. 양 또는 음의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되지 않고 있을 경우, i행째의 주사선 Gi의 전위는, H레벨 혹은 L레벨이기 때문에, 트랜지스터 6101은 오프하고 있다. 한편, 음의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되었을 경우, i행째의 주사선 Gi의 전위는 순간적으로 떨어진다. 이때, i행째의 주사선 Gi의 전위가, 배선 6111의 전위에서, 트랜지스터 6101의 임계전압을 뺀 값보다도 낮아지면, 트랜지스터 6101이 온된다. 그 결과, 트랜지스터 6101를 거쳐, 전류가 배선 6111에 흐른다. 따라서, 도36a에 나타낸 구성에 의해, 대전류가 화소에 흘러 들어오는 것을 막을 수 있다. 그 때문에 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다.
도36b은, 양의 전하가, i행째의 주사선 Gi에 방전되었을 경우에, 정전파괴를 방지하기 위한 구성이다. 보호 다이오드로서 기능하는 트랜지스터 6102이, 주사선과 배선 6112의 사이에 배치되어 있다. 또한, 보호 다이오드는 1개만 배치되어 있지만, 여러개의 보호 다이오드가 직렬로 배치되어 있어도 되고, 병렬로 배치되어 있어도 되고, 직접 병렬로 배치되어 있어도 된다. 또한, 트랜지스터 6102은, N채널형의 트랜지스터이다. 다만, P채널형의 트랜지스터를 사용해도 된다. 트랜지스터 6102의 극성은, 주사선구동회로나 화소가 가지는 트랜지스터의 극성과 같은 것을 사용하면 된다. 트랜지스터 6102은, 제1의 전극이 i행째의 주사선 Gi에 접속되고, 제2의 전극이, 배선 6112에 접속되고, 게이트 전극이, 배선 6112에 접속된다. 또한, 배선 6112에는, i행째의 주사선 Gi에 입력되는 신호의 H레벨보다도 높은 전위가 입력되어 있다. 따라서, 트랜지스터 6102은, 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되지 않고 있을 경우에는, 오프하고 있다. 한편, 양의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되었을 경우, i행째의 주사선 Gi의 전위는 순간적으로 상승한다. 이때, i행째의 주사선 Gi의 전위가, 배선 6112의 전위와 트랜지스터 6102의 임계전압과의 합보다도 높아지면, 트랜지스터 6102이 온된다. 그 결과, 트랜지스터 6102를 거쳐, 전류가 배선 6112에 흐른다. 따라서, 도36b에 나타낸 구성에 의해, 대전류가 화소에 흘러 들어오는 것을 막을 수 있다. 그 때문에 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다.
도36c에 도시된 것과 같이 도36a와 도36b를 조합한 구성으로 함으로써 양의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전된 경우에도, 음의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전된 경우에도, 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다. 또한, 도36a 및 도 36b와 동일한 것에 관해서는, 공통의 부호를 사용해서 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
도37a은, 보호 다이오드로서 기능하는 트랜지스터 6201을, 주사선과 유지용량선 사이에 접속했을 경우의 구성을 나타낸다. 또한, 보호 다이오드는 1개만 배치되어 있지만, 여러개의 보호 다이오드가 직렬로 배치되어 있어도 되고, 병렬로 배치되어 있어도 되고, 직접 병렬로 배치되어 있어도 된다. 또한, 트랜지스터 6201은, N채널형의 트랜지스터이다. 다만, P채널형의 트랜지스터를 사용해도 된다. 트랜지스터 6201의 극성은, 주사선구동회로나 화소가 가지는 트랜지스터의 극성과 같은 것을 사용하면 된다. 또한, 배선 6211은, 유지용량선으로서 기능한다. 트랜지스터 6201의 제1의 전극은, i행째의 주사선 Gi에 접속되고, 제2의 전극은, 배선 6211에 접속되고, 게이트 전극은, i행째의 주사선 Gi에 접속된다. 또한, 배선 6211에는, i행째의 주사선 Gi에 입력되는 신호의, L레벨보다도 낮은 전위가 입력되어 있다. 따라서, 트랜지스터 6201은, 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되지 않고 있을 경우에는, 오프하고 있다. 한편, 음의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되었을 경우, i행째의 주사선 Gi의 전위는 순간적으로 떨어진다. 이 때, i행째의 주사선 Gi의 전위가, 배선 6211의 전위에서 트랜지스터 6201의 임계전압을 뺀 값보다도 낮아지면, 트랜지스터 6201이 온된다. 그 결과, 트랜지스터 6201를 거쳐, 전류가 배선 6211에 흐른다. 따라서, 도37a에 나타낸 구성에 의해, 대전류가 화소에 흘러 들어오는 것을 막을 수 있다. 그 때문에 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다. 더구나, 도37a에 나타낸 구성에서는, 유지용량선을, 전하를 방출하는 배선으로서 이용하고 있으므로, 새롭게 배선을 추가할 필요가 없다.
도37b은, 양의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되었을 경우에, 정전파괴를 방지하기 위한 구성이다. 여기에서는, 배선 6211에는, i행째의 주사선 Gi에 입력되는 신호의 H레벨보다도 높은 전위가 입력되어 있다. 따라서, 트랜지스터 6202은, 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되지 않고 있을 경우에는, 오프하고 있다. 한편, 양의 전하가 i행째의 주사선 Gi에 방전되었을 경우, i행째의 주사선 Gi의 전위는 순간적으로 상승한다. 이때, i행째의 주사선 Gi의 전위가, 배선 6211의 전위와, 트랜지스터 6202의 임계전압의 합보다도 높아지면, 트랜지스터 6202이 온된다. 그 결과, 트랜지스터 6202를 거쳐, 전류가 배선 6211에 흐른다. 따라서, 도37b에 나타낸 구성에 의해, 대전류가 화소에 흘러 들어오는 것을 막을 수 있다. 그 때문에 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다. 더구나, 도37b에 나타낸 구성에서는, 유지용량을, 전하를 방출하는 배선으로서 이용하고 있으므로, 새롭게 배선을 추가할 필요가 없다. 또한, 도37a와 같은 것에 관해서는, 공통의 부호를 사용해서 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
다음에 보호 다이오드에 의해 신호선에 발생하는 정전파괴를, 방지하기 위한 구성을 도38a에 나타낸다. 도38a은, 보호 다이오드를, 배선 6411과 신호선의 사이에 배치했을 경우의 구성이다. 또한, 도시하지는 않았지만, j열째의 신호선 Sj에는 복수의 화소가 접속된다. 보호 다이오드로서는, 트랜지스터 6401을 사용한다. 트랜지스터 6401은, N채널형의 트랜지스터이다. 다만, P채널형의 트랜지스터를 사용해도 된다. 트랜지스터 6401의 극성은, 신호선구동회로나 화소가 가지는 트랜지스터의 극성과 같은 것을 사용하면 된다.
보호 다이오드는 1개만 배치되어 있지만, 여러개의 보호 다이오드가 직렬로 배치되어 있어도 되고, 병렬로 배치되어 있어도 되고, 직접 병렬로 배치되어 있어도 된다.
트랜지스터 6401은, 제1의 전극이, j열째의 신호선 Sj에 접속되고, 제2의 전극이, 배선 6411에 접속되고, 게이트 전극이, j열째의 신호선 Sj에 접속된다.
도 38a의 동작에 관하여 설명한다. 배선 6411에는, 어떤 전위가 입력되고 있고, 그 전위는, j열째의 신호선 Sj에 입력되는 비디오신호의 최소값보다도 낮은 전위이다. 양 또는 음의 전하가 j열째의 신호선 Sj에 방전되지 않고 있을 경우, j열째의 신호선 Sj의 전위는, 비디오신호와 같은 전위이기 때문, 트랜지스터 6401은 오프하고 있다. 한편, 음의 전하가 j행째의 신호선 Sj에 방전되었을 경우, j열째의 신호선 Sj의 전위는, 순간적으로 떨어진다. 이때, j열째의 신호선 Sj의 전위가, 배선 6411의 전위에서 트랜지스터 6401의 임계전압을 뺀 값보다도 낮아지면, 트랜지스터 6401이 온된다. 그 결과, 트랜지스터 6401를 거쳐, 전류가 배선 6411에 흐른다. 따라서, 도38a에 나타낸 구성에 의해, 대전류가 화소에 흘러 들어오는 것을 막을 수 있다. 그 때문에 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다.
도38b는, 양의 전하가, j열째의 신호선 Sj에 방전되었을 경우에, 정전파괴를 방지하기 위한 구성이다. 보호 다이오드로서 기능하는 트랜지스터 6402가, 신호선과 배선 6412의 사이에 배치되어 있다. 또한, 보호 다이오드는 1개만 배치되어 있지만, 여러개의 보호 다이오드가 직렬로 배치되어 있어도 되고, 병렬로 배치되어 있어도 되고, 직접 병렬로 배치되어 있어도 된다. 트랜지스터 6402은, N채널형의 트랜지스터이다. 다만, P채널형의 트랜지스터를 사용해도 된다. 트랜지스터 6402의 극성은, 신호선구동회로나 화소가 가지는 트랜지스터의 극성과 같은 것을 사용하면 된다. 트랜지스터 6402은, 제1의 전극이, j열째의 신호선 Sj에 접속되고, 제2의 전극이, 배선 6412에 접속되고, 게이트 전극이, 배선 6412에 접속된다. 또한, 배선 6412에는, j열째의 신호선 Sj에 입력되는 비디오신호의 최대값보다도, 높은 전위가 입력되어 있다. 따라서, 트랜지스터 6402은, 전하가 j열째의 신호선 Sj에 방전되지 않고 있을 경우에는, 오프하고 있다. 한편, 양의 전하가 j열째의 신호선 Sj에 방전되었을 경우, j열째의 신호선 Sj의 전위는 순간적으로 상승한다. 이때, j열째의 신호선 Sj의 전위가 배선 6412의 전위와, 트랜지스터 6402의 임계전압과의 합보다도 높아지면, 트랜지스터 6402이 온된다. 그 결과, 트랜지스터 6402를 거쳐, 전류가 배선 6412에 흐른다. 따라서, 도38b에 나타낸 구성에 의해, 대전류가 화소에 흘러 들어오는 것을 막을 수 있다. 그 때문에 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다.
도38c에 도시된 것과 같이 도38a과, 도38b를 조합한 구성으로 함으로써 양의 전하가, j열째의 신호선 Sj에 방전된 경우에도, 음의 전하가, j열째의 신호선 Sj에 방전된 경우에도, 화소의 정전파괴를 방지할 수 있다. 또한, 도38a 및 도 38b와 같은 것에 관해서는 공통의 부호를 사용해서 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
본실시예에서는, 주사선 및 신호선에 접속된 화소의 정전파괴를 방지하기 위한 구성을 설명했다. 그러나, 본 실시예의 구성은, 주사선 및 신호선에 접속된 화소의 정전파괴의 방지에만 적용되는 것은 아니다. 예를 들면 실시예1 내지 실시예4에 나타낸 주사선구동회로 및 신호선구동회로에 접속되는 신호 또는 전위가 입력된 배선에, 본 실시예를 적용하는 경우에는, 주사선구동회로 및 신호선구동회로의 정전파괴를 방지할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용, 또는 내용의 일부를, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에도 적용, 또는, 조합할 수 있다.
(실시예7)
본실시예에서는, 실시예1 내지 실시예4에 나타낸 표시장치에 적용할 수 있는 표시장치의 새로운 구성에 관하여 설명한다.
도39a은, 다이오드 접속된 트랜지스터를, 어떤 주사선과 다른 주사선의 사이에 배치했을 경우의 구성이다. 도39a에서는, i-1행째의 주사선 Gi-1과, i행째의 주사선 Gi의 사이에, 다이오드 접속된 트랜지스터 6301a를 배치하고, i 행째의 주사선 Gi와 i+1행째의 주사선 Gi+1의 사이에 다이오드 접속된 트랜지스터 6301b을 배치했을 경우의 구성을 보이고 있다. 또한, 트랜지스터 6301a 및 트랜지스터 6301b은, N채널형의 트랜지스터이다. 다만, P채널형의 트랜지스터를 사용해도 된다. 트랜지스터 6301a 및 트랜지스터 6301b의 극성은, 주사선구동회로나 화소가 가지는 트랜지스터의 극성과 같은 것을 사용하면 된다.
도 39a에서는, 대표해서 i-1행째의 주사선 Gi-1, i행째의 주사선 Gi 및 i+1행째의 주사선 Gi+1을 보이고 있지만, 다른 주사선도 마찬가지로 다이오드 접속된 트랜지스터가 배치되어 있다.
트랜지스터 6301a의 제1의 전극은, i행째의 주사선 Gi에 접속되고, 제2의 전극은, i-1행째의 주사선 Gi-1에 접속되고, 게이트 전극은, Gi-1행째의 주사선 Gi-1에 접속된다. 트랜지스터 6301b의 제1의 전극은, i+1행째의 주사선 Gi+1에 접속되고, 제2의 전극은, i행째의 주사선 Gi에 접속되고, 게이트 전극은, i행째의 주사선 Gi에 접속된다.
도39a의 동작에 관하여 설명한다. 실시예1 내지 실시예4에 나타낸 주사선구동회로에서는, 비선택 기간에 있어서, i-1행째의 주사선 Gi-1, i행째의 주사선 Gi 및 i+1행째의 주사선 Gi+1은 L레벨을 유지하고 있다. 따라서, 트랜지스터 6301a 및 트랜지스터 6301b은, 오프하고 있다. 그렇지만, 예를 들면 노이즈 등에 의해, i행째의 주사선 Gi의 전위가 상승했을 경우, i행째의 주사선 Gi가 화소를 선택해버려, 화소에 부정한 비디오신호가 기록되어 버린다. 따라서, 도39a과 같이, 다이오드 접속한 트랜지스터를 주사선 사이에 배치해 둠으로써 화소에 부정한 비디오신호가 기록되는 것을 방지할 수 있다. 왜냐하면, i행째의 주사선 Gi의 전위가 i-1행째의 주사선 Gi-1의 전위와, 트랜지스터 6301a의 임계전압의 합 이상으로 상승하면, 트랜지스터 6301a가 온되어, i행째의 주사선 Gi의 전위가 떨어진다. 따라서, i행째의 주사선 Gi에 의해 화소가 선택되는 일은 없기 때문이다.
도39a의 구성은, 특히 주사선구동회로와, 화소부를 동일기판 위에 일체 형성한 경우에 유리하다. 왜냐하면, N채널형의 트랜지스터, 또는 P채널형의 트랜지스터만으로 구성되어 있는 주사선구동회로에서는, 주사선이 부유 상태가 되는 일이 있어, 주사선에 노이즈가 발생하기 쉽기 때문이다.
도39b은, 주사선 사이에 배치하는 다이오드 접속된 트랜지스터의 방향을, 반대로 했을 경우의 구성이다. 또한, 트랜지스터 6302a 및 트랜지스터 6302b은, N채널형의 트랜지스터이다. 다만, P채널형의 트랜지스터를 사용해도 된다. 트랜지스터 6302a 및 트랜지스터 6302b의 극성은, 주사선구동회로나 화소가 가지는 트랜지스터의 극성과 같은 것을 사용하면 된다. 도39b에서는, 트랜지스터 6302a의 제1의 전극이, i행째의 주사선 Gi에 접속되고, 제2의 전극이, i-1행째의 주사선 Gi-1에 접속되고, 게이트 전극이, i행째의 주사선 Gi에 접속된다. 트랜지스터 6302b의 제1의 전극이, i+1행째의 주사선 Gi+1에 접속되고, 제2의 전극이, i행째의 주사선 Gi에 접속되고, 게이트 전극이, i+1행째의 주사선 Gi+1에 접속된다. 도39b은, 도38a와 마찬가지로, i행째의 주사선 Gi의 전위가, i-1행째의 주사선 Gi+1의 전위와, 트랜지스터 6302b의 임계전압의 합 이상으로 상승하면, 트랜지스터 6302b이 온되어, i행째의 주사선 Gi의 전위가 떨어진다. 따라서, i행째의 주사선 Gi에 의해 화소가 선택되는 일은 없어, 화소에 부정한 비디오신호가 기록되는 것을 방지할 수 있다.
도39c에 도시된 것과 같이 도39a과, 도39b를 조합한 구성으로 함으로써 i행째의 주사선 Gi의 전위가 상승해도, 트랜지스터 6301a 및 트랜지스터 6302b이 온되므로, i행째의 주사선 Gi의 전위가 떨어진다. 또한, 도39c에서는, 2개의 트랜지스터를 거쳐, 전류가 흐르므로, 보다 큰 노이즈를 제거하는 것이 가능하다. 또한, 도39a 및 도 39b로 같은 것에 관해서는 공통의 부호를 사용하여 나타내고, 동일 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분의 상세한 설명은 생략한다.
도37a 및 도 37b에 도시된 것과 같이 주사선과 유지용량선의 사이에, 다이오드 접속한 트랜지스터를 배치해도 도39a, 도 39b 및 도 39c과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부를, 다른 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 별도의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용, 또는 내용의 일부를, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용 또는 내용의 일부에도 적용, 또는, 조합할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에도 적용, 또는, 조합할 수 있다.
(실시예8)
본 실시예에 있어서는, 트랜지스터의 구조 및 제작 방법에 관하여 설명한다.
도40a은, 트랜지스터의 구조의 예를 나타낸 도면이다. 도40b?도40g은, 트랜지스터의 제작 방법의 예를 나타낸 도면이다.
또한, 트랜지스터의 구조 및 제작 방법은, 도40a?도40g에 나타내는 것에 한정되지 않고, 여러가지의 구조 및 제작 방법을 사용할 수 있다.
우선, 도40a를 참조하여, 트랜지스터의 구조의 예에 관하여 설명한다. 도40a는, 복수의 다른 구조를 가지는 트랜지스터의 단면도이다. 여기에서, 도40a에 있어서는, 복수의 다른 구조를 가지는 트랜지스터를 나란하게 설치해서 보이고 있지만, 이것은, 트랜지스터의 구조를 설명하기 위한 표현이다. 따라서, 트랜지스터가, 실제로 도40a과 같이 나란하게 설치되어 있을 필요는 없고, 필요에 따라 나누어 만들 수 있다.
다음에 트랜지스터를 구성하는 각 층의 특징에 관하여 설명한다.
기판(110111)에는, 바륨 보로실리케이트 유리, 알루미노 보로실리케이트 유리 등의 유리 기판, 석영기판, 세라믹 기판 또는 스테인레스를 포함하는 금속기판 등을 사용할 수 있다. 그 밖에도, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에테르설폰(PES)으로 대표되는 플라스틱, 또는 아크릴 등의 가요성을 가지는 합성 수지로 이루어지는 기판을 사용하는 것도 가능하다. 가요성을 가지는 기판을 사용함으로써, 절곡이 가능한 반도체장치를 제작하는 것이 가능해 진다. 가요성을 가지는 기판이면, 기판의 면적 및 기판의 형상에 큰 제한은 없기 때문에, 기판(110111)로서, 예를 들면 1변이 1미터 이상이며, 사각형 형상의 것을 사용하면, 생산성을 각별히 향상시킬 수 있다. 이러한 이점은, 원형의 실리콘 기판을 사용할 경우와 비교하면, 큰 우위점이다.
절연막(110112)은, 하지막으로서 기능한다. 기판(110111)으로부터, Na 등의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속이, 반도체소자의 특성에 악영향을 끼치는 것을 막기 위해서 설치한다. 절연막(110112)은, 산화 규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화 질화규소(SiOxNy) (x>y), 질화산화 규소(SiNxOy)(x>y) 등의 산소 또는 질소를 가지는 절연막의 단층 구조, 혹은 이것들의 적층구조로 설치할 수 있다. 예를 들면 절연막(110112)을 2층 구조로 설치할 경우, 1층째의 절연막으로서 질화산화규소막을 설치하고, 2층째의 절연막으로서 산화질화규소막을 설치하면 된다. 다른 예로서, 절연막(110112)을 3층 구조로 설치할 경우, 1층째의 절연막으로서 산화질화규소막을 설치하고, 2층째의 절연막으로서 질화산화규소막을 설치하고, 3층째의 절연막으로서 산화질화규소막을 설치하면 된다.
반도체층 110113, 반도체층 110114 및 반도체층 110115은, 비정질(아모퍼스)반도체, 미결정(마이크로 크리스탈) 반도체, 또는 세미아모퍼스 반도체(SAS)로 형성할 수 있다. 또는, 다결정반도체층을 사용해도 된다. SAS는, 비정질과 결정구조(단결정, 다결정을 포함한다)의 중간적인 구조를 가지고, 자유에너지적으로 안정한 제3의 상태를 가지는 반도체이며, 단거리질서를 가지고, 격자변형을 가지는 결정질한 영역을 포함하고 있다. 적어도 막중의 일부의 영역에는, 0.5?20nm의 결정 영역을 관측할 수 있고, 규소를 주성분으로 할 경우에는 라만 스펙트럼이 520cm-1보다도 저파수측으로 시프트하고 있다. X선 회절에서는, 규소결정 격자에 유래하는 (111), (220)의 회절 피크가 관측된다. 미결합수(댕글링본드)을 보상하는 것으로서, 수소 또는 할로겐을 적어도 1원자% 또는 그 이상 포함시키고 있다. SAS는, 재료 가스를 글로우방전분해(플라즈마 CVD)해서 형성한다. 재료 가스로서는, SiH4, Si2H6, SiH2C12, SiHC13, SiC14, SiF4 등을 사용하는 것이 가능하다. 또는, GeF4을 혼합시켜도 된다. 이 재료 가스를 H2, 혹은 H2과 He, Ar, Kr 및 Ne으로부터 선택된 1종 또는 복수종의 희가스 원소로 희석해도 된다. 희석율은 2?1000배의 범위로 한다. 압력은 대략 0.1Pa?133Pa의 범위, 전원 주파수는 1MHz?120MHz, 바람직하게는 13MHz?60MHz로 한다. 기판 가열온도는, 300℃ 이하로 된다. 막중의 불순물원소로서, 산소, 질소, 탄소 등의 대기성분의 불순물은 1×1020cm-1 이하로 하는 것이 바람직하다. 특히, 산소농도는 5×1019/cm3이하, 바람직하게는 1×1019/cm3 이하로 한다. 여기에서는, 스퍼터링법, LPCVD법, 플라즈마CVD법 등을 사용해서 실리콘(Si)을 주성분으로 하는 재료(예를 들면 Si(x)Ge(1-x)(0 <x <1) 등)로 비정질반도체층을 형성하고, 해당 비정질반도체층을 레이저 결정화법, RTA 또는 퍼니스 어닐로를 사용하는 열결정화법, 결정화를 조장하는 금속 원소를 사용하는 열결정화법 등의 결정화법에 의해 결정화시킨다.
절연막(110116)은, 산화 규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화 질화규소(SiOxNy)(x>y), 질화산화 규소(SiNxOy)(x>y) 등의 산소 또는 질소를 가지는 절연막의 단층 구조, 혹은 이것들의 적층구조로 설치할 수 있다.
게이트 전극(110117)은, 단층의 도전막, 또는 2층, 3층의 도전막의 적층 구조로 할 수 있다. 게이트 전극(110117)의 재료로서는, 예를 들면 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 실리콘(Si) 등의 원소의 단체막, 혹은 상기 원소의 질화막(대표적으로는 질화탄탈막, 질화 텅스텐 막, 질화 티타늄 막),혹은 상기 원소를 조합한 합금막(대표적으로는 Mo-W 합금, Mo-Ta 합금), 혹은 상기원소의 실리사이드막(대표적으로는 텅스텐실리사이드 막, 티타늄 실리사이드 막) 등을 사용할 수 있다. 또한, 전술한 단체막, 질화막, 합금막, 실리사이드 막 등은, 단층으로 사용해도 되고, 적층해서 사용해도 된다.
절연막(110118)은, 스퍼터링법 또는 플라즈마CVD법 등에 의해, 산화 규소(SiCx), 질화규소(SiNx), 산화질화규소(SiOxNy)(x>y), 질화산화규소(SiNxOy)(x>y) 등의 산소 또는 질소를 가지는 절연막이나 DLC(다이아몬드 라이크 카본) 등의 탄소를 포함하는 막의 단층 구조, 혹은 이것들의 적층구조로 설치할 수 있다.
절연막(110119)은, 실록산 수지, 혹은 산화 규소(SiOx), 질화규소(SiNx), 산화질화규소(SiOxNy)(x>y), 질화산화규소(SiNxOy)(x>y) 등의, 산소 또는 질소를 가지는 절연막이나, DLC(다이아몬드 라이크 카본) 등의 탄소를 포함하는 막, 혹은 에폭시, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리비닐페놀, 벤조시클로부텐, 아크릴 등의 유기재료로 이루어진로 단층, 혹은 적층구조로 설치할 수 있다. 또한, 실록산 수지란, Si-0-Si 결합을 포함하는 수지에 해당한다. 실록산은, 실리콘(Si)과 산소(0)의 결합으로 골격구조가 구성된다. 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기(예를 들면 알킬기, 아릴기)를 사용할 수 있다. 치환기으로서, 플루오르기를 사용할 수도 있다. 또는, 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기와, 플루오르기를 사용해도 된다. 또한, 절연막(110118)을 설치하지 않고, 게이트 전극(110117)을 덮도록 직접, 절연막(110119)을 설치하는 것도 가능하다.
도전막(110123)은, Al, Ni, C, W, Mo, Ti, Pt, Cu, Ta, Au, Mn 등의 원소의 단체막, 상기 원소의 질화막, 상기 원소를 조합한 합금막, 혹은 상기 원소의 실리사이드 막등을 사용할 수 있다. 예를 들면 상기 원소를 복수 포함하는 합금으로서, C 및 Ti를 함유한 Al합금, Ni를 함유한 Al합금, C 및 Ni를 함유한 Al합금, C 및 Mn을 함유한 Al합금 등을 사용할 수 있다. 예를 들면 적층구조로 도전막을 설치할 경우, Al을 Mo 또는 Ti 등으로 끼운 구조로 할 수 있다. 이렇게 함으로써 Al의 열이나 화학반응에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.
다음에 도40a에 나타냈다, 복수의 다른 구조를 가지는 트랜지스터의 단면도를 참조하여, 각각의 구조의 특징에 관하여 설명한다.
트랜지스터 110101은, 싱글 드레인 트랜지스터이며, 간편한 방법으로 제조할 수 있기 때문에, 제조 비용이 낮고, 수율을 높게 제조할 수 있는 이점이 있다. 여기에서, 반도체층 110113, 반도체층 110115은, 각각 불순물의 농도가 다르고, 반도체층 110113은 채널 영역, 반도체층 110115은 소스 영역 및 드레인 영역으로서 사용한다. 이렇게, 불순물의 농도를 제어함으로써 반도체층의 저항율을 제어할 수 있다. 그 때문에 반도체층과 도전막(110123)의 전기적인 접속 상태를, 오믹 접속에 가깝게 할 수 있다. 또한, 불순물의 농도가 다른 반도체층을 나누는 만드는 방법으로서는, 게이트 전극(110117)을 마스크로 하여 반도체층에 불순물을 도핑하는 방법을 사용할 수 있다.
트랜지스터 110102은, 게이트 전극(110117)에 테이퍼 각을 가진다. 여기에서, 테이퍼 각은, 45°이상 95°미만, 더 바람직하게는 60°이상 95°미만이 되는 것과 같은 형상이다. 다만, 테이퍼 각을 45°미만의 형상으로 하는 것도 가능하다. 여기에서, 반도체층 110113, 반도체층 110114 및 반도체층 110115은, 각각 불순물 농도가 다르다. 반도체층 110113은 채널 영역, 반도체층 110114은 저농도 불순물 영역(Lightly Doped Drain: LDD), 반도체층 110115은 소스 영역 및 드레인 영역으로서 사용한다. 이렇게, 불순물의 농도를 제어함으로써 반도체층의 저항율을 제어할 수 있다. 그 때문에 반도체층과 도전막(110123)의 전기적인 접속 상태를, 오믹 접속에 가깝게 할 수 있다. LDD 영역을 가지기 때문에, 트랜지스터 내부에 고전계가 걸리기 어려워, 핫 캐리어에 의한 소자의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 불순물의 농도가 다른 반도체층을 나누어 만드는 방법으로서는, 게이트 전극(110117)을 마스크로 하여 반도체층에 불순물을 도핑하는 방법을 사용할 수 있다. 트랜지스터 110102에 있어서는, 게이트 전극(110117)이 테이퍼 각을 가지고 있기 때문에, 게이트 전극(110117)을 통과해서 반도체층에 도핑되는 불순물의 농도에 구배를 갖게 할 수 있어, 간편하게 LDD 영역을 형성 할 수 있다. 이에 따라 제조 비용이 낮고, 수율을 높게 제조할 수 있는 이점이 있다.
트랜지스터 110103은, 게이트 전극(110117)이 적어도 2층으로 구성되고, 하층의 게이트 전극이 상층의 게이트 전극보다도 긴 형상을 가진다. 본 명세서중에 있어서는, 이러한 상층의 게이트 전극 및 하층의 게이트 전극의 형상을, 모자형이라고 부른다. 게이트 전극(110117)의 형상이 모자형인 것에 의해, 포토마스크를 추가하는 않고, LDD 영역을 형성할 수 있다. 또한, 트랜지스터 110103과 같 , LDD 영역이 게이트 전극(110117)과 겹치고 있는 구조를, 특히 GOLD구조(Gate Overlapped LDD)이라고 부른다. 또한, 게이트 전극(110117)의 형상을 모자형으로 하는 방법으로서는, 다음과 같은 방법을 사용해도 된다.
우선, 게이트 전극(110117)을 패터닝할 때에, 드라이에칭에 의해, 하층의 게이트 전극 및 상층의 게이트 전극을 에칭해서 측면에 경사(테이퍼)가 있는 형상으로 한다. 계속해서, 이방성 에칭에 의해 상층의 게이트 전극의 경사를 수직하게 가깝게 되도록 가공한다. 이에 따라 단면 형상이 모자형인 게이트 전극이 형성된다. 그 후에 2회, 불순물원소를 도핑함으로써, 채널 영역으로서 사용하는 반도체층 110113, LDD영역으로서 사용하는 반도체층 110114, 소스 전극 및 드레인 전극으로서 사용하는 반도체층 110115이 형성된다.
또한, 게이트 전극(110117)과 겹치고 있는 LDD영역을 Lov영역, 게이트 전극(110117)과 겹치지 않고 있는 LDD영역을 Loff영역이라고 부르기로 한다. Loff영역은 오프 전류치를 제압하는 효과는 높지만, 드레인 근방의 전계를 완화하여, 핫캐리어에 의한 온 전류치의 열화를 막는 효과는 낮다. 한편, Lov 영역은 드레인 근방의 전계를 완화하여, 온 전류치의 열화의 방지에는 유효하지만, 오프 전류치를 제압하는 효과는 낮다. 따라서, 다양한 회로마다, 요청되는 특성에 따른 구조의 트랜지스터를 제작하는 것이 바람직하다. 예를 들면 반도체장치를 표시장치로서 사용할 경우, 화소 트랜지스터는, 오프 전류치를 억제하기 때문에, Loff 영역을 가지는 트랜지스터를 사용하는 것이 적합하다. 한편, 주변회로에 있어서의 트랜지스터는, 드레인 근방의 전계를 완화하여, 온 전류치의 열화를 방지하기 때문에, Lov 영역을 가지는 트랜지스터를 사용하는 것이 적합하다.
트랜지스터 110104은, 게이트 전극(110117)의 측면에 접하여, 사이드월(110121)을 가진다. 사이드월(110121)을 가짐으로써, 사이드월(110121)과 겹치는 영역을 LDD영역으로 할 수 있다.
트랜지스터 110105는, 반도체층에 마스크를 사용해서 도핑함에 의해, LDD(Loff)영역이 형성되어 있다. 이렇게 함에 따라, 확실하게 LDD영역을 형성할 수 있어, 트랜지스터의 오프 전류치를 저감할 수 있다.
트랜지스터 110106은, 반도체층에 마스크를 사용해서 도핑 에 의해, LDD(Lov)영역이 형성되어 있다. 이렇게 함에 따라, 확실하게 LDD 영역을 형성할 수 있고, 트랜지스터의 드레인 근방의 전계를 완화하여, 온 전류치의 열화를 저감할 수 있다.
다음에 트랜지스터의 제작 방법의 예를, 도40b?도40g에 나타낸다.
본 실시예에 있어서는, 기판(110111)의 표면, 절연막 110112의 표면, 반도체층 110113의 표면, 110114의 표면, 110115의 표면, 절연막 110116의 표면, 절연막 110118의 표면 또는 절연막 110119의 표면에, 플라즈마처리를 사용해서 산화 또는 질화를 행함으로써, 반도체층 또는 절연막을, 산화 또는 질화할 수 있다. 이렇게, 플라즈마처리를 사용하여, 반도체층 또는 절연막을, 산화 또는 질화함으로써, 해당 반도체층 또는 해당 절연막의 표면을 개질하여, CVD 법이나 스퍼터링법에 의해 형성한 절연막과 비교하여, 보다 치밀한 절연막을 형성할 수 있다. 그 때문에, 핀홀 등의 결함을 억제해 반도체장치의 특성 등을 향상시키는 것이 가능해 진다.
사이드월(110121)은, 산화 규소(SiOx) 또는 질화규소(SiNx)를 사용할 수 있다. 사이드월(110121)을, 게이트 전극(110117)의 측면에 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 게이트 전극(110117)을 형성한 후, 산화 규소(SiOx) 또는 질화규소(SiNx)을 성막한 후에, 이방성 에칭에 의해 산화 규소(SiOx)막 또는 질화규소(SiNx)막을 에칭하는 방법을 사용할 수 있다. 이렇게 함으로써 게이트 전극(110117)의 측면에만, 산화 규소(SiOx)막 또는 질화규소(SiNx)막을 남길 수 있으므로, 게이트 전극(110117)의 측면에 사이드월(110121)을 형성할 수 있다.
도44은, 보텀 게이트형의 트랜지스터의 단면구조 및 용량소자의 단면구조를 도시한 도면이다.
기판(110501) 위에, 제1의 절연막(절연막 110502)이 전체면에 형성되어 있다. 다만, 이것에 한정되지 않고, 제1의 절연막(절연막 110502)을 형성하지 않는 것도 가능하다. 제1의 절연막은, 기판측에서의 불순물이, 반도체층에 영향을 끼쳐, 트랜지스터의 성질이 변화되어버리는 것을 막는 기능을 가진다. 즉, 제1의 절연막은, 하지막으로서의 기능을 가진다. 따라서, 신뢰성이 높은 트랜지스터를 제작할 수 있다. 또한, 제1의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
제1의 절연막 위에, 제1의 도전층(도전층 110503 및 도전층 110504)이 형성되어 있다. 도전층 110503은, 트랜지스터 110520의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110504은, 용량소자 110521의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제1의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, C r, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등의 원소, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
적어도 제1의 도전층을 덮도록, 제2의 절연막(절연막 110514)이 형성되어 있다. 제2의 절연막은, 게이트 절연막으로서의 기능을 가진다. 또한, 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
반도체층에 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 반도체층과, 제2의 절연막이 접촉하는 계면에 있어서의 트랩 준위가 적어지기 때문이다.
제2의 절연막이 Mo와 접할 경우, Mo와 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 산화 실리콘 막은 Mo를 산화시키지 않기 때문이다.
제2의 절연막 상의, 제1의 도전층과 겹쳐서 형성되어 있는 부분의 일부에, 포토리소그래피법, 잉크젯법 또는 인쇄법 등에 의해, 반도체층이 형성되어 있다. 그리고, 반도체층의 일부는, 제2의 절연막 상의, 제1의 도전층과 겹쳐서 형성되지 않고 있는 부분까지 연장하고 있다. 반도체층은, 채널 형성 영역(채널 형성 영역 110510), LDD영역(LDD영역 110508, LDD 영역110509), 불순물 영역(불순물 영역 110505, 불순물영역 110506, 불순물 영역 110507)을 가지고 있다. 채널 형성 영역 110510은, 트랜지스터 110520의 채널 형성 영역으로서 기능한다. LDD 영역 110508 및 LDD영역 110509은, 트랜지스터 110520의 LDD영역으로서 기능한다. 또한, LDD영역 110508 및 LDD영역 110509은, 반드시 필요하지 않다. 불순물영역 110505은, 트랜지스터 110520의 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽으로서 기능하는 부분을 포함한다. 불순물영역 100506은, 트랜지스터 110520의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽으로서 기능하는 부분을 포함한다. 불순물 영역 110507은, 용량소자 110521의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다.
불순물 영역 110505, LDD영역 110508, 채널 형성 영역 110510, LDD영역 110509, 불순물영역 110506, 제2의 절연막 110514 및 불순물영역 110507 상의 전체면에, 제3의 절연막(절연막 110511)이 형성되어 있다. 제3의 절연막의 일부에는, 선택적으로 콘택홀이 형성되어 있다. 절연막 110511은, 층간막으로서의 기능을 가진다. 제3의 절연막으로서는, 무기재료(산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 질화실리콘 등) 혹은, 저유전율의 유기 화합물재료(감광성 또는 비감광성의 유기수지재료) 등을 사용할 수 있다. 또는, 실록산을 포함하는 재료를 사용할 수도 있다. 또한, 실록산은, 실리콘(Si)과 산소(0)의 결합으로 골격구조가 구성되는 재료이다. 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기(예를 들면 알킬기, 아릴기)을 사용할 수 있다. 또는, 치환기로서 플루오르기를 사용해도 된다. 또는, 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기와, 플루오르기를 사용해도 된다.
제3의 절연막 위에, 제2의 도전층(도전층 110512 및 도전층 110513)이 형성되어 있다. 도전층 110512은, 제3의 절연막에 형성된 콘택홀을 거쳐, 트랜지스터 110520의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽과 접속되어 있다. 따라서, 도전층 110512은, 트랜지스터 110520의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110513이, 도전층 110504과 전기적으로 접속되어 있는 경우에는, 도전층 110513은, 용량소자 110521의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또는, 도전층 110513이, 도전층 110507과 전기적으로 접속되어 있는 경우에는, 도전층 110513은, 용량소자 110521의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또는, 도전층 110513이, 도전층 110504 및 도전층 110507과 접속되지 않고 있는 경우에는, 용량소자 110521과는 다른 용량소자가 형성된다. 이 용량소자는, 도전층 110513, 도전층 110507 및 절연막 110511이, 각각 용량소자의 제1의 전극, 제2의 전극, 절연막으로서 사용할 수 있는 구성이다. 또한, 제2의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
제2의 도전층이 형성된 후의 공정으로서, 여러가지의 절연막, 또는 여러가지의 도전막이 형성되어 있어도 된다.
다음에 트랜지스터의 반도체층에, 아모퍼스 실리콘(a-Si:H)막 또는 마이크로크리스탈실리콘막 등을 사용했을 경우의, 트랜지스터 및 용량소자의 구조에 관하여 설명한다.
도41은, 톱 게이트형의 트랜지스터의 단면구조 및 용량소자의 단면구조를 도시한 도면이다.
기판(110201)위에, 제1의 절연막(절연막 110202)이 전체면에 형성되어 있다.
제1의 절연막은, 기판측에서의 불순물이 반도체층에 영향을 끼쳐, 트랜지스터의 성질이 변화되어 버리는 것을 막는 기능을 가진다. 즉, 제1의 절연막은, 하지막으로서의 기능을 가진다. 따라서, 신뢰성이 높은 트랜지스터를 제작할 수 있다. 또한, 제1의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
또한, 제1의 절연막을 반드시 형성할 필요는 없다. 이 경우에는, 공정수의 삭감 및 제조 비용의 삭감을 꾀할 수 있다. 또한 구조를 간단하게 할 수 있으므로, 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
제1의 절연막 위에, 제1의 도전층(도전층 110203, 도전층 110204 및 도전층 110205)이 형성되어 있다. 도전층 110203은, 트랜지스터 110220의 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110204은, 트랜지스터 110220의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110205은, 용량소자 110221의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제1의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등의 원소, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
도전층 110203 및 도전층 110204의 상부에, 제1의 반도체층(반도체층 110206 및 반도체층 110207)이 형성되어 있다. 반도체층 110206은, 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 반도체층 110207은, 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제1의 반도체층으로서는, 인 등을 포함하는 실리콘 등을 사용할 수 있다.
도전층 110203과 도전층 110204의 사이에 있어서, 그리고 제1의 절연막 위에, 제2의 반도체층(반도체층 110208)이 형성되어 있다. 그리고, 반도체층 110208의 일부는, 도전층 110203 위 및 도전층 110204 위까지 연장되어 있다. 반도체층 110208은, 트랜지스터 110220의 채널 영역으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제2의 반도체층으로서는, 아모퍼스 실리콘(a-Si:H) 등의 비결정성을 가지는 반도체층, 또는 미결정반도체(μ-Si:H) 등의 반도체층 등을 사용할 수 있다.
적어도 반도체층 110208 및 도전층 110205을 덮도록, 제2의 절연막(절연막 110209 및 절연막 110210)이 형성되어 있다. 제2의 절연막은, 게이트 절연막으로서의 기능을 가진다. 또한, 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
제2의 반도체층에 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 제2의 반도체층과 제2의 절연막이 접하는 계면에 있어서의, 트랩 준위가 적어지기 때문이다.
또한, 제2의 절연막이 Mo와 접할 경우, Mo와 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 산화 실리콘 막은 Mo를 산화시키지 않기 때문이다.
제2의 절연막 위에, 제2의 도전층(도전층 110211 및 도전층 110212)이 형성되어 있다. 도전층 110211은, 트랜지스터 110220의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110212은, 용량소자 110221의 제2의 전극, 또는 배선으로서의 기능을 가진다. 또한, 제2의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, C r, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등의 원소, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
제2의 도전층이 형성된 후의 공정으로서, 여러가지의 절연막, 또는 여러가지의 도전막이 형성되어 있어도 된다.
도42는, 역스태커형(보텀 게이트형)의 트랜지스터의 단면구조 및 용량소자의 단면구조를 도시한 도면이다. 특히, 도42에 나타내는 트랜지스터는, 채널에치형으로고 불리는 구조이다.
기판(110301) 위에, 제1의 절연막(절연막110302)이 전체면에 형성되어 있다.
제1의 절연막은, 기판측에서의 불순물이 반도체층에 영향을 끼쳐, 트랜지스터의 성질이 변화되어 버리는 것을 막는 기능을 가진다. 즉, 제1의 절연막은 하지막으로서의 기능을 가진다. 따라서, 신뢰성이 높은 트랜지스터를 제작할 수 있다. 또한, 제1의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
또한, 제1의 절연막을 반드시 형성할 필요는 없다. 이 경우에는, 공정수의 삭감 및 제조 비용의 삭감을 꾀할 수 있다. 또한 구조를 간단하게 할 수 있으므로, 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
제1의 절연막 위에, 제1의 도전층(도전층 110303 및 도전층 110304)이 형성되어 있다. 도전층 110303은, 트랜지스터 110320의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110304은, 용량소자 110321의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제1의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등의 원소, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
적어도 제1의 도전층을 덮도록, 제2의 절연막(절연막 110305)이 형성되어 있다. 제2의 절연막은, 게이트 절연막으로서의 기능을 가진다. 또한, 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
반도체층에 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 반도체층과 제2의 절연막이 접촉하는 계면에 있어서의, 트랩 준위가 적어지기 때문이다.
제2의 절연막이 Mo와 접할 경우, Mo와 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 산화 실리콘 막은, Mo를 산화시키지 않기 때문이다.
제2의 절연막상 중, 제1의 도전층과 겹쳐서 형성되어 있는 부분의 일부에, 포토리소그래피법, 잉크젯법 또는 인쇄법 등에 의해, 제1의 반도체층(반도체층 110306)이 형성되어 있다. 그리고, 반도체층 110306의 일부는, 제2의 절연막 상 중에서, 제1의 도전층과 겹쳐서 형성되지 않고 있는 부분까지 연장되어 있다. 반도체층 110306은, 트랜지스터 110320의 채널 영역으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 반도체층 110306로서는, 아모퍼스 실리콘(a-Si:H)등의 비결정성을 가지는 반도체층, 또는 미결정반도체(μ-Si:H) 등의 반도체층 등을 사용할 수 있다.
제1의 반도체층 상의 일부에, 제2의 반도체층(반도체층 110307 및 반도체층 110308)이 형성되어 있다. 반도체층 110307은, 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 반도체층 110308은, 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제2의 도체층으로서는, 인 등을 포함하는 실리콘 등을 사용할 수 있다.
제2의 반도체층 위 및 제2의 절연막 위에, 제2의 도전층(도전층 110309, 도전층 110310 및 도전층 110311)이 형성되어 있다. 도전층 110309은, 트랜지스터 110320의 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110310은, 트랜지스터 110320의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110311은, 용량소자 110321의 제2 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제2의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
또한, 제2의 도전층이 형성된 후의 공정으로서, 여러가지의 절연막, 또는 여러가지의 도전막이 형성되어 있어도 된다.
여기에서, 채널에치형의 트랜지스터가 특징으로 하는, 공정의 일례를 설명한다. 같은 마스크를 사용하여, 제1의 반도체층 및 제2의 반도체층을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 제1의 반도체층과 제2의 반도체층이, 연속해서 성막된다. 그 때, 제1의 반도체층 및 제2의 반도체층은, 같은 마스크를 사용해서 형성된다.
채널에치형의 트랜지스터가 특징으로 하는, 공정의 다른 일례를 설명한다. 새로운 마스크를 이용하는 일 없이, 트랜지스터의 채널 영역을 형성할 수 있다. 구체적으로는, 제2의 도전층이 형성된 후에, 제2의 도전층을 마스크로서 사용하여, 제2의 반도체층의 일부를 제거한다. 또는, 제2의 도전층과 같은 마스크를 사용하여, 제2의 반도체층의 일부를 제거한다. 그리고, 제거된 제2의 반도체층의 하부에 형성되어 있는 제1의 반도체층이, 트랜지스터의 채널 영역이 된다.
도43은, 역스태커형 (보텀 게이트형)의 트랜지스터의 단면구조 및 용량소자의 단면구조를 도시한 도면이다. 특히, 도43에 나타내는 트랜지스터는, 채널 보호형(채널 스톱형)이라고 불리는 구조이다.
기판(110401) 위에, 제1의 절연막(절연막 110402)이 전체면에 형성되어 있다. 제1의 절연막은, 기판측에서의 불순물이 반도체층에 영향을 끼쳐, 트랜지스터의 성질이 변화되어 버리는 것을 막는 기능을 가진다. 즉, 제1의 절연막은, 하지막으로서의 기능을 가진다. 따라서, 신뢰성의 높은 트랜지스터를 제작할 수 있다. 또한, 제1의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
또한, 제1의 절연막을 반드시 형성할 필요는 없다. 이 경우에는, 공정수의 삭감 및 제조 비용의 삭감을 꾀할 수 있다. 또한 구조를 간단하게 할 수 있으므로, 수율의 향상을 꾀할 수 있다.
제1의 절연막위 에, 제1의 도전층(도전층 110403 및 도전층 110404)이 형성되어 있다. 도전층 110403은, 트랜지스터 110420의 게이트 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110404은, 용량소자 110421의 제1의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제1의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등의 원소, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
적어도 제1의 도전층을 덮도록, 제2의 절연막(절연막 110405)이 형성되어 있다. 제2의 절연막은, 게이트 절연막으로서의 기능을 가진다. 또한, 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 고름 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
반도체층에 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 반도체층과 제2의 절연막이 접촉하는 계면에 있어서의, 트랩 준위가 적어지기 때문이다.
제2의 절연막이 Mo와 접할 경우, Mo와 접하는 부분의 제2의 절연막으로서는 산화 실리콘 막을 사용하는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 산화 실리콘 막은 Mo를 산화시키지 않기 때문이다.
제2의 절연막 상 중에서, 제1의 도전층과 겹쳐서 형성되어 있는 부분의 일부에, 포토리소그래피법, 잉크젯법 또는 인쇄법 등에 의해, 제1의 반도체층(반도체층 110406)이 형성되어 있다. 그리고, 반도체층 110406의 일부는, 제2의 절연막 상 중에서, 제1의 도전층과 겹쳐서 형성되지 않고 있는 부분까지 연장되어 있다. 반도체층 110406은, 트랜지스터 110420의 채널 영역으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 반도체층 110406로서는, 아모퍼스 실리콘(C-Si:H) 등의 비결정성을 가지는 반도체층, 또는 미결정반도체(μ-Si:H) 등의 반도체층 등을 사용할 수 있다.
제1의 반도체층 상의 일부에, 제3의 절연막(절연막 110412)이 형성되어 있다. 절연막 110412은, 트랜지스터 110420의 채널 영역이 에칭에 의해 제거되는 것을 방지하는 기능을 가진다. 즉, 절연막 110412은, 채널 보호막(채널 스톱막)으로서 기능한다. 또한, 제3의 절연막으로서는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막(SiOxNy) 등의 단층, 또는 이것들의 적층을 사용할 수 있다.
제1의 반도체층 상의 일부 및 제3의 절연막 상의 일부에, 제2의 반도체층(반도체층 110407 및 반도체층 110408)이 형성되어 있다. 반도체층 110407은, 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 반도체층 110408은, 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제2의 도체층으로서는, 인 등을 포함하는 실리콘 등을 사용할 수 있다.
제2의 반도체층 위에, 제2의 도전층(도전층 110409, 도전층 110410 및 도전층 110411)이 형성되어 있다. 도전층 110409은, 트랜지스터 110420의 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110410은, 트랜지스터 110420의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽으로서 기능하는 부분을 포함한다. 도전층 110411은, 용량소자 110421의 제2의 전극으로서 기능하는 부분을 포함한다. 또한, 제2의 도전층으로서는, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al, Nd, Cu, Ag, Au, Pt, Nb, Si, Zn, Fe, Ba, Ge 등, 또는 이것들의 합금을 사용할 수 있다. 또는, 이것들의 원소(합금도 포함한다)의 적층을 사용할 수 있다.
제2의 도전층이 형성된 후의 공정으로서, 여러가지의 절연막, 또는 여러가지의 도전막이 형성되어 있어도 된다.
지금까지, 트랜지스터의 구조 및 트랜지스터의 제작 방법에 관하여 설명했다. 여기에서, 배선, 전극, 도전층, 도전막, 단자, 비아, 플러그 등은, 알루미늄(Al), 탄타르(Ta), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 네오듐(Nd), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 스칸듐(Sc), 코발트(Co), 아연(Zn), 니오븀(Nb), 실리콘(Si), 인(P), 붕소(B), 비소(As), 갈륨(Ga), 인듐(In), 주석(Sn), 산소(0)로 구성된 군으로부터 선택된 하나 혹은 복수의 원소, 또는, 상기 군으로부터 선택된 하나 또는 복수의 원소를 성분으로 하는 화합물, 합금재료(예를 들면 인듐 주석산화물(ITO), 인듐 아연산화물(IZO), 산화 규소를 포함하는 인듐 주석산화물(ITSO), 산화아연(ZnO), 산화 주석(SnO), 산화 주석 카드뮴(CTO), 알루미늄 네오듐(Al-Nd), 마그네슘 은(Mg-Ag), 몰리브덴 니오븀(Mo-Nb) 등)으로 형성되는 것이 바람직하다. 또는, 배선, 전극, 도전층, 도전막, 단자 등은, 이것들의 화합물을 조합한 물질 등을 갖고 형성되는 것이 바람직하다. 혹은, 상기 군으로부터 선택된 하나 혹은 복수의 원소와, 실리콘의 화합물(실리사이드)(예를 들면 알루미늄 실리콘, 몰리브덴 실리콘, 니켈 실리사이드 등), 상기 군으로부터 선택된 하나 혹은 복수의 원소와 질소의 화합물(예를 들면 질화 티타늄, 질화 탄타르, 질화 몰리브덴 등)을 갖고 형성되는 것이 바람직하다.
실리콘(Si)에는, N형 불순물(인 등) 또는 P형 불순물(붕소 등)을 포함하고 있어도 된다. 실리콘이 불순물을 포함하는 것에 의해, 도전율이 향상하고, 일반적인 도체와 같은 행동을 하는 것이 가능해 진다. 따라서, 배선, 전극 등으로서 이용하기 쉬워진다.
실리콘은, 단결정, 다결정(폴리실리콘), 미결정(마이크로크리스털 실리콘) 등, 여러가지의 결정성을 가지는 실리콘을 사용할 수 있다. 또는, 비정질(아모퍼스 실리콘) 등의, 결정성을 갖지 않는 실리콘을 사용할 수 있다. 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘을 사용함으로써, 배선, 전극, 도전층, 도전막, 단자 등의 저항을 작게 할 수 있다. 비정질 실리콘 또는 미결정 실리콘을 사용함으로써, 간단한 공정으로 배선 등을 형성할 수 있다.
알루미늄 또는 은은, 도전율이 높기 때문에, 신호 지연을 저감할 수 있다. 더구나, 에칭하기 쉬우므로, 패터닝하기 쉬워, 미세가공할 수 있다.
구리는, 도전율이 높기 때문에, 신호 지연을 저감할 수 있다. 구리를 사용하는 경우에는, 밀착성을 향상시키기 위해, 적층구조로 하는 것이 바람직하다.
몰리브덴 또는 티타늄은, 산화물반도체(ITO, IZO 등) 또는 실리콘과 접촉해도, 불량을 일으키지 않고, 에칭하기 쉽고, 내열성이 높은 등의 이점을 가지기 때문에, 바람직하다.
텅스텐은, 내열성이 높은 등의 이점을 가지기 때문에, 바람직하다.
네오듐은, 내열성이 높은 등의 이점을 가지기 때문에, 바람직하다. 특히, 네오듐과 알루미늄의 합금으로 하면, 내열성이 향상하고, 알루미늄이 힐록을 일으키기 어려워진다.
실리콘은, 트랜지스터가 가지는 반도체층과 동시에 형성할 수 있다. 내열성이 높은 등의 이점을 가지기 때문에, 바람직하다.
ITO, IZO, ITSO, 산화아연(ZnO), 실리콘(Si), 산화 주석(SnO), 산화 주석 카드뮴(CTO)은, 투광성을 가지고 있기 때문에, 빛을 투과시키는 부분에 사용할 수 있다. 예를 들면 화소전극이나 공통 전극으로서 사용할 수 있다.
IZO는, 에칭하기 쉽고, 가공하기 쉽기 때문에, 바람직하다. 또한 IZO는, 에칭했을 때에, 잔사가 남아버린다고 하는 일도 발생하기 어렵다. 따라서, 화소전극으로서 IZO를 사용하면, 액정소자나 발광소자에 문제점(쇼트, 배향 흩어짐 등)을 초래하는 것을 저감할 수 있다.
배선, 전극, 도전층, 도전막, 단자, 비아 및 플러그 등은, 단층 구조라도 되고, 다층구조이어도 된다. 단층 구조로 함에 의해, 배선, 전극, 도전층, 도전막 및 단자 등의 제조 공정을 간략화하고, 공정수를 적게 하여, 한층 더 비용을 저감할 수 있다. 또는, 다층구조에 함에 의해, 각각의 재료의 장점을 살리면서, 결점을 저감시켜, 성능이 좋은 배선 및 전극 등을 형성 할 수 있다. 예를 들면 저저항재료(알루미늄 등)를 다층구조 중에 포함하는 것에 의해, 배선의 저저항화를 꾀할 수 있다. 다른 예로서, 저내열성의 재료를, 고내열성의 재료로 끼우는 적층구조로 함에 의해, 저내열성의 재료가 가지는 장점을 살리면서, 배선 및 전극 등의 내열성을 높게 할 수 있다. 예를 들면 알루미늄을 포함하는 층을, 몰리브덴, 티타늄 또는 네오듐 등을 포함하는 층으로 끼우는 적층구조로 하면 바람직하다.
배선, 전극 등끼리가, 직접 접하는 경우, 서로 악영향을 미치는 일이 있다. 예를 들면 한쪽의 배선, 전극 등이, 다른 쪽의 배선, 전극 등의 재료 중에 들어 가서, 그 성질을 바꾸어 버려, 본래의 목적을 달성할 수 없게 되는 일이 있다. 다른 예로서, 고저항 부분을 형성 또는 제조할 때에, 문제가 생겨, 정상적으로 제조할 수 없게 되는 일이 있다. 그러한 경우, 적층구조에 의해, 반응하기 쉬운 재료를, 반응하기 어려운 재료로 끼우거나, 덮거나 하면 된다. 예를 들면 ITO와 알루미늄을 접속시키는 경우에는, ITO와 알루미늄의 사이에, 티타늄, 몰리브덴 또는 네오듐 합금을 끼우는 것이 바람직하다. 다른 예로서, 실리콘과 알루미늄을 접속시키는 경우에는, 실리콘과 알루미늄의 사이에, 티타늄, 몰리브덴 또는 네오듐 합금을 끼우는 것이 바람직하다.
배선이란, 도전체가 배치되어 있는 것을 말한다. 선 형태로 늘어나 있어도 되고, 늘리지 않고 짧게 배치되어 있어도 된다. 따라서, 전극은, 배선에 포함되어 있다.
배선, 전극, 도전층, 도전막, 단자, 비아 및 플러그 등으로서, 카본 나노튜브를 사용해도 된다. 더구나, 카본 나노튜브는, 투광성을 가지고 있기 때문에, 빛을 투과시키는 부분에 사용할 수 있다. 예를 들면 화소전극이나 공통 전극으로서 사용할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
마찬가지로, 본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예9)
본 실시예에 있어서는, 표시장치의 구성에 관하여 설명한다.
도47a을 참조하여, 표시장치의 구성에 관하여 설명한다. 도47a은, 표시장치의 평면도이다.
화소부(170101), 주사선측 입력 단자(170103) 및 신호선측 입력 단자(170104)가 기판(170100) 위에 형성되어 있다. 또한 주사선이, 주사선측 입력 단자(170103)로부터 행방향으로 연장해서 기판(170100) 위에 형성되고, 신호선이, 신호선측 입력단자(170104)로부터 열방향으로 연장해서 기판(170100) 위에 형성되어 있다. 그리고, 화소(170102)가, 화소부(170101)에, 주사선과 신호선이 교차하는 영역에, 매트릭스 모양으로 배치되어 있다.
지금까지, 외장형의 구동회로에 의해 신호를 입력할 경우에 관하여 설명해 왔다. 다만, 이것에 한정되지 않고, IC칩을 표시장치에 실장할 수 있다.
예를 들면 도48a에 도시된 것과 같이 COG(Chip On Glass) 방식에 의해, IC칩(170201)을, 기판(170100)에 설치할 수 있다. 이 경우, IC칩(170201)을, 기판(170100)에 실장하기 전에 검사할 수 있으므로, 표시장치의 수율의 향상을 꾀하고, 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 도47a의 구성과 공통되는 곳은 공통의 부호를 사용하고, 그 설명을 생략한다.
다른 예로서, 도48b에 도시된 것과 같이 TAB(Tape Automated Bonding) 방식에 의해, IC칩(170201)을, FPC(Flexible Printed Circuit)(170200)에 실장할 수 있다. 이 경우, IC칩(170201)을, FPC(170200)에 실장하기 전에 검사할 수 있으므로, 표시장치의 수율의 향상을 꾀하고, 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 도47a의 구성과 공통되는 곳은 공통의 부호를 사용하고, 그 설명을 생략한다.
IC칩을 기판(170100)에 실장할 뿐만 아니라, 구동회로를 기판(170100) 위에 형성할 수 있다.
예를 들면, 도47b에 도시된 것과 같이 주사선구동회로(170105)를, 기판(170100) 위에 형성할 수 있다. 이 경우, 부품수의 삭감에 의한, 비용의 저감을 꾀할 수 있다. 또한 회로부품과의 접속 점수의 저감에 의한, 신뢰성의 향상을 꾀할 수 있다. 또한 주사선구동회로(170105)는, 구동주파수가 낮다. 그 때문에 트랜지스터의 반도체층으로서, 비결정 실리콘 또는 미결정 실리콘을 사용하여, 주사선구동회로(170105)를 용이하게 형성할 수 있다. 또한, 신호선에 신호를 출력하기 위한 IC칩을, 기판(170100)에 COG 방식으로 설치해도 된다. 또는, 신호선에 신호를 출력하기 위한 IC칩이, TAB방식으로 설치된 FPC을, 기판(170100)에 배치해도 된다. 또한 주사선구동회로(170105)을 제어하기 위한 IC칩을, 기판(170100)에 COG방식으로 실장해도 된다. 또는, 주사선구동회로(170105)을 제어하기 위한 IC칩이, TAB방식으로 실장된 FPC을, 기판(170100)에 배치해도 된다. 또한, 도47a의 구성과 공통되는 곳은 공통의 부호를 사용하고, 그 설명을 생략한다.
다른 예로서, 도47c에 도시된 것과 같이 주사선구동회로(170105) 및 신호선구동회로(170106)를, 기판(170100) 위에 형성 할 수 있다. 그 결과, 부품수의 삭감에 의한, 비용의 저감을 꾀할 수 있다. 또한 회로부품과의 접속 점수의 저감에 의한, 신뢰성의 향상을 꾀할 수 있다. 또한, 주사선구동회로(170105)를 제어하기 위한 IC칩을, 기판(170100)에 COG방식으로 실장해도 된다. 또는, 주사선구동회로(170105)을 제어하기 위한 IC칩이, TAB방식으로 실장된 FPC을, 기판(170100)에 배치해도 된다. 또한 신호선구동회로(170106)를 제어하기 위한 IC칩을, 기판(170100)에 COG방식으로 실장해도 된다. 또는, 신호선구동회로(170106)를 제어하기 위한 IC칩이, TAB방식으로 실장된 FPC을, 기판(170100)에 배치해도 된다. 또한, 도47a의 구성과 공통되는 곳은 공통의 부호를 사용하고, 그 설명을 생략한다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지에 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
마찬가지로, 본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 나타내고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예10)
본 실시예에 있어서는, 표시장치의 구동방법에 관하여 설명한다. 특히, 액정표시장치의 구동방법에 관하여 설명한다.
본 실시예에 있어서 설명하는 액정표시장치에 사용할 수 있는 액정 패널은, 액정재료를 2장의 기판에 의해 끼운 구조로 한다. 2장의 기판은, 각각, 액정재료에 인가하는 전계를 제어하기 위한 전극을 구비하고 있다. 액정재료는, 외부에서 인가되는 전계에 의해, 광학적 및 전기적인 성질이, 변화되는 재료이다. 따라서, 액정 패널은, 기판이 가지는 전극을 사용하고, 액정재료에 인가하는 전압을 제어함으로써, 원하는 광학적 및 전기적인 성질을 얻을 수 있는 디바이스이다. 그리고, 다수의 전극을 평면적으로 나란하게 설치함으로써 각각을 화소로 하고 화소에 인가하는 전압을 개별적으로 제어함에 의해, 정밀한 화상을 액정 패널에 표시할 수 있다.
여기에서, 전계의 변화에 대한 액정재료의 응답시간은, 2장의 기판의 간격(셀 갭) 및 액정재료의 종류 등에 의존하지만, 일반적으로 수밀리 초 내지 수십밀리 초이다. 더구나, 전계의 변화량이 작은 경우에는, 액정재료의 응답시간은 한층 더 길어진다. 이 성질은, 액정 패널에 의해 움직임이 있는 화상을 표시할 경우에, 잔상, 물체가 지나간 자국을 볼 수 있는 현상 및 콘트라스트의 저하라고 하는 화상표시상의 장해를 야기하고, 특히 중간조로부터 다른 중간조로 변화될 경우(전계의 변화가 작을) 경우에, 전술한 장해의 정도가 현저해진다.
한편, 액티브 매트릭스를 사용한 액정 패널에 특유한 문제로서, 정전하 구동에 의한 기록 전압의 변화가 있다. 이하에서, 본 실시예에 있어서의, 정전하 구동 에 관하여 설명한다.
액티브 매트릭스에 있어서의 화소회로는, 기록을 제어하는 스위치와, 전하를 유지하는 용량소자를 포함한다. 액티브 매트릭스에 있어서의 화소회로의 구동방법은, 스위치를 온 상태로 하여 소정의 전압을 화소회로에 기록한 후, 즉시 스위치를 오프 상태로 하여 화소회로 내의 전하를 유지한다고(홀드 상태) 하는 것이다. 홀드 상태시, 화소회로의 내부와 외부에서는, 전하의 교환이 행하여지지 않는다(정전하). 보통, 스위치가 온 상태가 되어 있는 기간과 비교하여, 오프 상태가 되어 있는 기간은 수백(주사선 개수)배 정도 길다. 그 때문에 화소회로의 스위치는, 대부분 오프 상태로 되어 있다고 생각해도 된다. 이상에서, 본 실시예에 있어서의 정전하 구동이란, 액정 패널의 구동시, 화소회로는 대부분의 기간에 있어서 홀드 상태인 구동방법인 것으로 한다.
다음에 액정재료의 전기적 특성에 관하여 설명한다. 액정재료는, 외부에서 인가되는 전계가 변화되면, 광학적 성질이 변화되는 것임과 동시에, 유전율도 변화된다. 즉, 액정 패널의 각 화소를 2장의 전극에 끼워진 용량소자(액정소자)로서 생각했을 때, 해당 용량소자는, 인가되는 전압에 의해 정전용량이 변화되는 용량소자이다. 이 현상을, 다이내믹 커패시턴스라고 부르기로 한다.
이와 같이, 인가되는 전압에 의해 정전용량이 변화되는 용량소자를, 전술한 정전하 구동에 의해 구동할 경우, 다음과 같은 문제가 생긴다. 전하의 이동이 행하여지지 않는 홀드 상태에 있어서, 액정소자의 정전용량이 변화되면, 인가되는 전압도 변화되어 버린다고 하는 문제이다. 이것은, (전하량)=(정전용량)×(인가전압)이라고 하는 관계식에 있어서, 전하량이 일정하다고 하는 점에서 이해할 수 있다.
이상의 이유에 의해, 액티브 매트릭스를 사용한 액정 패널에서는, 정전하 구동인 것에 의해, 홀드 상태시에 있어서의 전압이, 기록시에 있어서의 전압으로부터 변화되어 버린다. 그 결과, 액정소자의 투과율의 변화는, 홀드 상태를 취하지 않는 구동법에 있어서의 변화와는 다른 것이 된다. 이 모양을 나타낸 것이, 도45이다. 도45a은, 가로축에 시간, 세로축에 전압의 절대값을 취하여, 화소회로에 기록하는 전압의 제어예를 나타낸 것이다. 도45b은, 가로축에 시간, 세로축에 전압을 취한 경우의, 화소회로에 기록하는 전압의 제어예를 표시한 것이다. 도45c은, 가로축에 시간, 세로축에 액정소자의 투과율을 취하여, 도45a 또는 도45b에 의해 나타낸 전압을 화소회로에 기록했을 경우의, 액정소자의 투과율의 시간변화를 표시한 것이다. 도45a?도45c에 있어서, 기간 F는 전압의 고쳐쓰기 주기를 나타내고, 전압을 고쳐쓰는 시간을 t1, t2, t3, t4로서 설명한다.
여기에서, 액정표시장치에 입력되는 화상 데이터에 대응하는 기록 전압은, 시간 0에 있어서의 고쳐쓰기에서는 ｜V1｜, 시간 tl, t2, t3, t4에 있어서의 고쳐 쓰기에서는 ｜v2｜이라고 한다(도45a 참조).
액정표시장치에 입력되는 화상 데이터에 대응하는 기록 전압은, 그 극성을 주기적으로 교체해도 된다(반전 구동: 도45b참조). 이 방법에 의해, 액정에 직류전압을 가능한 한 인가하지 않도록 할 수 있으므로, 액정소자의 열화에 번인 등을 막을 수 있다. 또한, 극성을 교체하는 주기(반전 주기)은, 전압의 고쳐쓰기 주기와 같아도 된다. 이 경우에는, 반전 주기가 짧으므로, 반전 구동에 의한 플리커의 발생을 저감할 수 있다. 더구나, 반전 주기는, 전압의 고쳐쓰기 주기의 정수배의 주기라도 된다. 이 경우에는, 반전 주기가 길어, 극성을 바꾸어서 전압을 기록하는 빈도를 감소시킬 수 있기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있다.
그리고, 도45a 또는 도45b에 도시된 것과 같은 전압을 액정소자에 인가했을 때의 액정소자의 투과율의 시간변화를, 도45c에 나타낸다. 여기에서, 액정소자에 전압 ｜V1｜이 인가되고, 충분히 시간이 경과한 후의 액정소자의 투과율을 TR1이라고 한다. 마찬가지로, 액정소자에 전압 ｜V2｜가 인가되어, 충분히 시간이 경과한 후의 액정소자의 투과율을 TR2라고 한다. 시간 tl에 있어서, 액정소자에 인가되는 전압이 ｜V1｜으로부터 ｜V2｜로 변화되면, 액정소자의 투과율은, 파선 30401에 도시된 것과 같이, 금방 TR2로는 안되고, 서서히 변화된다. 예를들면, 전압의 고쳐쓰기 주기가, 60Hz인 화상신호의 프레임 주기(16.7밀리 초)와 같을 때, 투과율이 TR2로 변화될 때까지는, 수 프레임정도의 시간이 필요하게 된다.
단, 파선 30401에 도시된 것과 같은, 원활한 투과율의 시간변화는, 액정소자에 정확하게 전압 ｜V2｜가 인가되었을 때의 것이다. 실제의 액정 패널, 예를 들면, 액티브 매트릭스를 사용한 액정 패널에서는, 정전하 구동인 것에 의해, 홀드 상태시에 있어서의 전압이, 기록시에 있어서의 전압으로부터 변화되어 버리기 때문에, 액정소자의 투과율은 파선 30401에 도시된 것과 같은 시간변화로는 안되고, 대신에, 실선 30402에 도시된 것과 같은, 단계적인 시간변화가 된다. 이것은, 정전하구동인 것에 의해 전압이 변화되어 버리기 때문에, 1회의 기록에서는 원하는 전압에 도달할 수 없기 때문이다. 그 결과, 액정소자의 투과율의 응답시간은, 본래의 응답시간(파선 30401)보다도, 겉으로 보기에는, 한층 더 길어져 버려, 잔상, 물체가 지나간 자국을 볼 수 있는 현상 및 콘트라스트의 저하라고 한 화상표시상의 장해를 현저하게 야기해 버리게 된다.
오버드라이브 구동을 사용함으로써, 액정소자의 본래의 응답시간의 길이와, 다이내믹 커패시턴스 및 정전하 구동에 의한 기록 부족에 기인하는 외견상의 응답시간이 한층 더 길어지는 현상을, 동시에 해결할 수 있다. 이 모양을 나타낸 것이 도46이다. 도46a은, 가로축에 시간, 세로축에 전압의 절대값을 취하여, 화소회로에 기록하는 전압의 제어예를 나타낸 것이다. 도46b은, 가로축에 시간, 세로축에 전압을 취한 경우의 화소회로에 기록하는 전압의 제어예를 나타낸 것이다. 도46c은, 가로축에 시간, 세로축에 액정소자의 투과율을 취하여, 도46a 또는 도46b에 의해 나타낸 전압을 화소회로에 기록했을 경우의, 액정소자의 투과율의 시간변화를 표시한 것이다. 도46a?도46c에 있어서, 기간 F는 전압의 고쳐쓰기 주기를 나타내고, 전압을 고쳐쓰는 시간을 t1, t2, t3, t4로서 설명한다.
여기에서, 액정표시장치에 입력되는 화상 데이터에 대응하는 기록 전압은, 시간 0에 있어서의 고쳐쓰기에서는 ｜V1｜, 시간 t1에 있어서의 고쳐 쓰기에서는 ｜V3｜, 시간 t2, t3, t4에 있어서의 고쳐 쓰기에서는 ｜V2｜라고 한다(도46a 참조).
액정표시장치에 입력되는 화상 데이터에 대응하는 기록 전압은, 그 극성을 주기적으로 교체해도 된다(반전 구동: 도46b참조). 이 방법에 의해, 액정에 직류전압을 가능한 한 인가하지 않도록 할 수 있으므로, 액정소자의 열화에 의한 번인 등을 막을 수 있다. 또한, 극성을 교체하는 주기(반전 주기)은, 전압의 고쳐 쓰기 주기와 같아도 된다. 이 경우에는, 반전 주기가 짧으므로, 반전 구동에 의한 플리커의 발생을 저감할 수 있다. 더구나, 반전 주기는, 전압의 고쳐 쓰기 주기의 정수배의 주기라도 된다. 이 경우에는, 반전 주기가 길어, 극성을 바꾸어서 전압을 기록하는 빈도를 감소시킬 수 있기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있다.
그리고, 도46a 또는 도46b에 도시된 것과 같은 전압을 액정소자에 인가했을 때의 액정소자의 투과율의 시간변화를, 도46c에 나타낸다. 여기에서, 액정소자에 전압 ｜V1｜이 인가되고, 충분히 시간이 경과한 후의 액정소자의 투과율을 TR1이라고 한다. 마찬가지로, 액정소자에 전압 ｜V2｜가 인가되고, 충분히 시간이 경과한 후의 액정소자의 투과율을 TR2라고 한다. 마찬가지로, 액정소자에 전압 ｜V3｜가 인가되고, 충분히 시간이 경과한 후의 액정소자의 투과율을 TR3라고 한다. 시간 t1에 있어서, 액정소자에 인가되는 전압이 ｜V1｜으로부터 ｜V3｜로 변화되면, 액정소자의 투과율은, 파선 30501에 도시된 것과 같이, 수 프레임에 걸쳐서 투과율을 TR3까지 변화하려고 한다. 그러나, 전압 ｜V3｜의 인가는 시간 t2에서 끝나고, 시간 t2보다 이후에는, 전압 ｜V2｜가 인가된다. 그 때문에 액정소자의 투과율은 파선 30501에 도시된 것과 같이는 안되고, 실선 30502에 나타낸 것과 같이 된다. 여기에서, 시간 t2의 시점에 있어서, 투과율이 대강 TR2가 되어 있도록, 전압 ｜V3｜의 값을 설정하는 것이 바람직하다. 여기에서, 전압 ｜V3｜를, 오버드라이브 전압이라고도 부르기로 한다.
오버드라이브 전압인 ｜v3｜를 변화시키면, 액정소자의 응답시간을 어느 정도 제어할 수 있다. 왜냐하면, 액정소자의 응답시간은, 전계의 세기에 의해 변화되기 때문이다. 구체적으로는, 전계가 강할수록, 액정소자의 응답시간은 짧아지고, 전계가 약할수록, 액정소자의 응답시간은 길어진다.
오버드라이브 전압인 ｜v3｜은, 전압의 변화량, 즉, 목적으로 하는 투과율 TR1 및 TR2을 제공하는 전압 ｜V1｜ 및 ｜V2｜에 따라서 변화시키는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 액정소자의 응답시간이 전압의 변화량에 의해 바뀌어 버려도, 오버드라이브 전압인 ｜v3｜을 그것에 맞춰서 변화시키면, 항상 최적의 응답시간을 얻을 수 있기 때문이다.
오버드라이브 전압인 ｜v3｜은, TN, VA, IPS, OCB 등의 액정소자의 모드에 의해 변화시키는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 액정소자의 응답 속도가 액정의 모드에 의해 달라져 버려도, 오버드라이브 전압인 ｜v3｜을 그것에 맞춰서 변화시키면, 항상 최적의 응답시간을 얻을 수 있기 때문이다.
전압 고쳐쓰기 주기 F는, 입력 신호의 프레임 주기와 같아도 된다. 이 경우에는, 액정표시장치의 주변구동회로를 간단하게 할 수 있기 때문에, 제조 비용이 낮은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
전압 고쳐쓰기 주기 F는, 입력 신호의 프레임 주기보다도 짧아도 된다. 예를 들면 전압 고쳐쓰기 주기 F는 입력 신호의 프레임 주기의 1/2배라 되고, 1/3배라도 되고, 그 이하이어도 된다. 이 방법은, 흑 삽입 구동, 백라이트 점멸, 백라이트 스캔, 움직임 보상에 의한 중간화상 삽입 구동 등, 액정표시장치의 홀드 구동에 기인하는 동영상 품질의 저하의 대책법에 맞추어 사용하는 것이 효과적이다. 즉, 액정표시장치의 홀드 구동에 기인하는 동영상 품질의 저하의 대책법은, 요구되는 액정소자의 응답시간이 짧기 때문에, 본 실시예에서 설명한 오버드라이브 구동법을 사용함으로써 비교적 용이하게 액정소자의 응답시간을 짧게 할 수 있다. 액정소자의 응답시간은, 셀 갭, 액정재료 및 액정소자의 모드 등에 의해 본질적으로 짧게 하는 것은 가능하지만, 기술적으로 곤란하다. 그 때문에 오버드라이브와 같은 구동방법으로 액정소자의 응답시간을 짧게 하는 방법을 사용하는 것은, 대단히 중요하다.
전압 고쳐쓰기 주기 F는, 입력 신호의 프레임 주기보다도 길어도 된다. 예를들면, 전압 고쳐쓰기 주기 F는 입력 신호의 프레임 주기의 2배라도 되고, 3배라도 되고, 그 이상이어도 된다. 이 방법은, 장기간 전압의 고쳐 쓰기가 행하여지지 않는가 아닌가를 판단하는 수단(회로)에 맞춰서 사용하는 것이 효과적이다. 즉, 장기간 전압의 고쳐 쓰기가 행하여지지 않는 경우에는, 전압의 고쳐쓰기 동작 자체를 행하지 않음으로써, 회로의 동작을 그 기간 동안은 정지시킬 수 있으므로, 소비 전력이 낮은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
다음에 오버드라이브 전압 ｜v3｜을, 목적으로 하는 투과율 TR1 및 TR2을 제공하는 전압 ｜V1｜ 및 ｜V2｜에 따라서 변화시키기 위한 구체적인 방법에 관하여 설명한다.
오버드라이브 회로는, 목적으로 하는 투과율 TR1 및 TR2을 제공하는 전압 ｜V1｜ 및｜lV2｜에 따라서, 오버드라이브 전압 ｜v3｜를 적절하게 제어하기 위한 회로이기 때문에, 오버드라이브 회로에 입력되는 신호는, 투과율 TR1을 제공하는 전압 ｜V1｜에 관계되는 신호와, 투과율 TR2을 재공하는 전압 ｜V2｜에 관계되는 신호이며, 오버드라이브 회로로부터 출력되는 신호는, 오버드라이브 전압 ｜v3｜에 관계되는 신호가 된다. 여기에서, 이것들의 신호로서는, 액정소자에 인가하는 전압(｜V1｜, ｜V2｜, ｜V3｜）과 같은 아날로그의 전압값이여도 되고, 액정소자에 인가하는 전압을 주기 위한 디지털 신호라도 된다. 여기에서는, 오버드라이브 회로에 관계되는 신호는 디지털 신호로 해서 설명한다.
우선, 도82a을 참조하여, 오버드라이브 회로의 전체적인 구성에 관하여 설명한다. 여기에서는, 오버드라이브 전압을 제어하기 위한 신호로서, 입력 화상신호 30101a 및 30101b을 사용한다. 이들 신호를 처리한 결과, 오버드라이브 전압을 제공하는 신호로서, 출력 화상신호 30104가 출력된다고 한다.
목적으로 하는 투과율 TR1 및 TR2을 제공하는 전압 ｜V1｜ 및 ｜V2｜는, 서로 인접한 프레임에 있어서의 화상신호이기 때문에, 입력 화상신호 30101a 및 30101b도, 마찬가지로 서로 인접한 프레임에 있어서의 화상신호인 것이 바람직하다. 이러한 신호를 얻기 위해서는, 입력 화상신호 30101a를, 도82a에 있어서의 지연회로(30102)에 입력하고, 그 결과 출력되는 신호를, 입력 화상신호 30101b로 할 수 있다. 지연회로(30102)로서는, 예를 들면, 메모리를 들 수 있다. 즉, 입력 화상신호 30101a를 1프레임 만큼 지연시키기 위해, 메모리에 해당 입력 화상신호 30101a를 기억시켜 두고, 동시에, 1개 이전의 프레임에 있어서 기억시켜 둔 신호를, 입력 화상신호 30101b으로서 메모리에서 추출하여, 입력 화상신호 30101a와, 입력 화상신호 30101b을, 동시에 보정회로(30103)에 입력함으로써 서로 인접한 프레임에 있어서의 화상신호를 취급할 수 있도록 할 수 있다. 그리고, 서로 인접한 프레임에 있어서의 화상신호를, 보정회로(30103)에 입력함으로써 출력 화상신호 30104을 얻을 수 있다. 또한, 지연회로(30102)로서 메모리를 사용했을 때에는, 1 프레임 만큼 지연시키기 위해, 1프레임 분의 화상신호를 기억할 수 있는 용량을 가진 메모리(즉, 프레임 메모리)로 할 수 있다. 이렇게 함으로써 메모리 용량의 과부족이 없이, 지연회로로서의 기능을 가질 수 있다.
다음에 메모리의 용량을 삭감하는 것을 주목적으로 하여 구성된 지연회로(30102)에 관하여 설명한다. 지연회로(30102)로서 이러한 회로를 사용함으로써 메모리의 용량을 삭감할 수 있으므로, 제조 비용을 저감할 수 있다.
이러한 특징을 가지는 지연회로(30102)로서, 구체적으로는, 도82b에 도시된 것과 같은 것을 사용할 수 있다. 도82b에 나타내는 지연회로(30102)는, 인코더(30105), 메모리(30106) 및 디코더(30107)를 가진다.
도82b에 나타내는 지연회로(30102)의 동작으로서는, 다음과 같은 것으로 된다. 우선, 입력 화상신호 30101a를, 메모리(30106)에 기억시키기 전에, 인코더(30105)에 의해, 압축 처리를 행한다. 이것에 의해, 메모리(30106)에 기억시켜야 할 데이터의 사이즈를 줄일 수 있다. 그 결과, 메모리의 용량을 삭감할 수 있으므로, 제조 비용을 저감할 수 있다. 그리고, 압축 처리를 실시된 화상신호는, 디코더(30107)로 보내져, 여기에서 신장 처리를 행한다. 이것에 의해, 인코더(30105)에 의해 압축 처리되기 전의 신호를 복원할 수 있다. 여기에서, 인코더(30105) 및 디코더(30107)에 의해 행하여지는 압축 신장 처리는, 가역적인 처리라도 된다. 이렇게 함으로써 압축 신장 처리를 행한 후에도 화상신호의 열화가 없기 때문에, 최종적으로 장치에 표시되는 화상의 품질을 떨어뜨리는 않고, 메모리의 용량을 삭감할 수 있다. 더구나, 인코더(30105) 및 디코더(30107)에 의해 행하여지는 압축 신장 처리는, 비가역적인 처리라도 된다. 이렇게 함으로써 압축후의 화상신호의 데이터의 사이즈를 대단히 작게 할 수 있으므로, 메모리의 용량을 대폭 삭감할 수 있다.
메모리의 용량을 삭감하기 위한 방법으로서는, 위에 든 것 이외에도, 여러가지의 방법을 사용할 수 있다. 인코더에 의해 화상압축하는 것이 아니라, 화상신호가 가지는 색정보를 삭감하거나(예를들면, 26만색으로부터 6만5천으로 감색한다), 또는 데이터량을 삭감하는 것(해상도를 작게 한다) 등의 방법을 사용할 수 있다.
다음에 보정회로(30103)의 구체적인 예에 대해서, 도82c?도82e를 참조해서 설명한다. 보정회로(30103)는, 2개의 입력 화상신호로부터, 어떤 값의 출력 화상신호를 출력하기 위한 회로이다. 여기에서, 2개의 입력 화상신호와, 출력 화상신호의 관계가 비선형이며, 간단한 연산으로 구하는 것이 어려울 경우에는, 보정회로(30103)로서, 룩업테이블(LUT)을 사용해도 된다. LUT에는, 2개의 입력 화상신호와, 출력 화상신호의 관계가, 측정에 의해 미리 구해져 있기 때문에, 2개의 입력 화상신호에 대응하는 출력 화상신호를, LUT를 참조하는 것만으로 구할 수 있다 도82c 참조). 보정회로(30103)로서, LUT(30108)를 사용함으로써 복잡한 회로 설계 등을 행하는 않고, 보정회로(30103)를 실현할 수 있다.
LUT(30108)은 메모리의 1개이기 때문에, 메모리 용량을 가능한한 삭감하는 것이, 제조 비용을 저감한다는 면에서, 바람직하다. 그것을 실현하기 위한 보정회로(30103)의 예로서, 도82d에 나타낸 회로를 고려할 수 있다. 도82d에 나타내는 보정회로(30103)는, LUT(30109) 및 가산기(30110)를 가진다. LUT(30109)에는, 입력 화상신호 30101a와, 출력해야 할 출력 화상신호 30104의 차분 데이터가 격납되어 있다. 즉, 입력 화상신호 30101a 및 입력 화상신호 30101b로부터, 대응하는 차분 데이터를 LUT(30109)로부터 추출하고, 추출한 차분 데이터와 입력 화상신호 30101a를, 가산기(30110)에 의해 가산함으로써 출력 화상신호 30104을 얻을 수 있다. 또한, LUT(30109)에 격납된 데이터를 차분 데이터로 함으로써 LUT(30109)의 메모리 용량의 삭감이 실현된다. 왜냐하면, 그대로의 출력 화상신호 30104보다도, 차분 데이터쪽이 데이터 사이즈는 작기 때문에, LUT(30109)에 필요한 메모리 용량을 작게 할 수 있기 때문이다.
더구나, 출력 화상신호가, 2개의입력 화상신호의 사칙연산 등의 간단한 연산에 의해 구해지면, 가산기, 감산기, 승산기 등의 간단한 회로의 조합에 의해 실현할 수 있다. 그 결과, LUT를 사용할 필요가 없어져, 제조 비용을 대폭 저감할 수 있다. 이러한 회로로서는, 도82e에 나타내는 회로를 들 수 있다. 도82e에 나타내는 보정회로(30103)은, 감산기(30111), 승산기(30112) 및 가산기(30113)를 가진다. 우선, 입력 화상신호 30101a와, 입력 화상신호 30101b의 차분을, 감산기(30111)에 의해 구한다. 그 후에 승산기(30112)에 의해, 적절한 계수를 차분값에 곱한다. 그리고, 입력 화상신호 30101a에, 적절한 계수를 곱한 차분값을, 가산기(30113)에 의해 가산함으로써 출력 화상신호 30104을 얻을 수 있다. 이러한 회로를 사용함으로써, LUT를 사용할 필요가 없어져, 제조 비용을 대폭 저감할 수 있다.
어떤 조건하에서, 도82e에 나타내는 보정회로(30103)을 사용함으로써, 부적절한 출력 화상신호 30104을 출력하는 것을 방지할 수 있다. 그 조건이란, 어버드라이브 전압을 제공하는 출력 화상신호 30104과, 입력 화상신호 30101a 및 입력 화상신호 30101b의 차분값에, 선형성이 있는 것이다. 그리고, 이 선형성의 기울기를, 승산기(30112)에 의해 곱하는 계수로 한다. 즉, 이러한 성질을 가지는 액정소자에, 도82e에 나타내는 보정회로(30103)을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 성질을 가지는 액정소자로서는, 응답 속도의 계조의존성이 작은, IPS 모드의 액정소자를 들 수 있다. 이렇게, 예를 들면 IPS모드의 액정소자에 도82e에 나타내는 보정회로(30103)을 사용함으로써, 제조 비용을 대폭 저감할 수 있고, 또한, 부적절한 출력 화상신호 30104을 출력하는 것을 방지할 수 있는 오버드라이브 회로를 얻을 수 있다.
도82a?도82e에 나타낸 회로와 동등한 동작을, 소프트웨어 처리에 의해 실현해도 된다. 지연회로에 사용하는 메모리에 대해서는, 액정표시장치가 가지는 것 이외의 메모리, 액정표시장치에 표시하는 화상을 내보내는 측의 장치(예를들면, 퍼스널컴퓨터나 그것에 준한 장치가 가지는 비디오 카드 등)가 가지는 메모리 등을 유용할 수 있다. 이렇게 함으로써 제조 비용을 저감할 수 있을 뿐 아니라, 오버드라이브의 세기나 이용하는 상황 등을, 유저가 기호에 따라 선택할 수 있게 할 수 있다.
다음에 공통선의 전위를 조작하는 구동에 대해서, 도83을 참조해서 설명한다. 도83a은, 액정소자와 같은 용량적인 성질을 가지는 표시 소자를 사용한 표시장치에 있어서, 주사선 한개에 대하여, 공통선이 한 개 배치되어 있을 때의, 복수의 화소회로를 표시한 도면이다. 도83a에 나타내는 화소회로는, 트랜지스터(30201), 보조 용량(30202), 표시 소자(30203), 영상신호선(30204), 주사선(30205) 및 공통선(30206)을 구비하고 있다.
트랜지스터(30201)의 게이트 전극은, 주사선(30205)에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(30201)의 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽은, 영상신호선(30204)에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(30201)의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽은, 보조 용량(30202)의 한쪽의 전극, 및 표시 소자(30203)의 한쪽의 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 또한 보조 용량(30202)의 다른 쪽의 전극은, 공통선(30206)에 전기적으로 접속되어 있다.
우선, 주사선(30205)에 의해 선택된 화소는, 트랜지스터(30201)가 온이 되기 때문에, 각각, 영상신호선(30204)을 거쳐, 표시 소자(30203) 및 보조 용량(30202)에 영상신호에 대응한 전압이 걸린다. 이때, 그 영상신호가, 공통선(30206)에 접속된 모든 화소에 대하여 최저계조를 표시시키는 것이었을 경우, 또는, 공통선(30206)에 접속된 모든 화소에 대하여 최고계조를 표시시키는 것이었을 경우에는, 화소에 각각 영상신호선(30204)을 거쳐, 영상신호를 기록할 필요는 없다. 영상신호선(30204)을 거쳐 영상신호를 기록하는 대신에, 공통선(30206)의 전위를 움직임으로써 표시 소자(30203)에 걸리는 전압을 바꿀 수 있다.
다음에 도83b은, 액정소자와 같은 용량적인 성질을 가지는 표시 소자를 사용한 표시장치에 있어서, 주사선 한개에 대하여, 공통선이 2개 배치되어 있을 때의 복수의 화소회로를 표시한 도면이다. 도83b에 나타내는 화소회로는, 트랜지스터(30211), 보조 용량(30212), 표시 소자(30213), 영상신호선(30214), 주사선(30215), 제1의 공통선(30216) 및 제2의 공통선(30217)을 구비하고 있다.
트랜지스터(30211)의 게이트 전극은, 주사선(30215)에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(30211)의 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽은, 영상신호선(30214)에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(30211)의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽은, 보조 용량(30212)의 한쪽의 전극, 및 표시 소자(30213)의 한쪽의 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 또한 보조 용량(30212)의 다른 쪽의 전극은, 제1의 공통선(30216)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한 해당 화소와 인접하는 화소에 있어서는, 보조 용량(30212)의 다른 쪽의 전극은, 제2의 공통선(30217)에 전기적으로 접속되어 있다.
도83b에 나타내는 화소회로는, 공통선 한개에 대하여 전기적으로 접속되어 있는 화소가 적기 때문에, 영상신호선(30214)을 거쳐 영상신호를 기록하는 대신에, 제1의 공통선(30216) 또는 제2의 공통선(30217)의 전위를 움직임으로써, 표시 소자(30213)에 걸리는 전압을 바꿀 수 있는 빈도가, 현저에 커진다. 또한 소스 반전 구동 또는 도트 반전 구동이 가능하게 된다. 소스 반전 구동 또는 도트 반전 구동에 의해, 소자의 신뢰성을 향상시키면서, 플리커를 억제할 수 있다.
다음에 주사형 백라이트에 대해서, 도84을 참조해서 설명한다. 도84a은, 냉음극관을 나란하게 설치한 주사형 백라이트를 도시한 도면이다. 도84a에 나타내는 주사형 백라이트는, 확산판(30301)과, N개의 냉음극관 30302-1 내지 30302-N을 구비한다. N개의 냉음극관 30302-1 내지 30302-N을, 확산판(30301)의 뒤에 나란하게 설치함으로써 N개의 냉음극관 30302-1 내지 30302-N은, 그것의 휘도를 변화시켜서 주사할 수 있다.
주사할 때의 각 냉음극관의 휘도의 변화를, 도84c을 사용하여 설명한다. 우선, 냉음극관 30302-1의 휘도를, 일정시간 변화시킨다. 그 후에 냉음극관 30302-1의 이웃에 배치된 냉음극관 30302-2의 휘도를, 같은 시간만큼 변화시킨다. 이렇게, 냉음극관 30302-1 내지 30302-N까지, 휘도를 순차적으로 변화시킨다. 또한, 도84c에 있어서는, 일정시간 변화시키는 휘도는, 원래의 휘도보다 작은 것으로 하였지만, 원래의 휘도보다 커도 된다. 또한 냉음극관30302-1 내지 30302-N까지 주사하는 것으로 했지만, 역방향으로 냉음극관 30302-N 내지 30302-1까지 주사해도 된다.
도84c과 같이 구동함으로써 백라이트의 평균 휘도를 작게 할 수 있다. 따라서, 액정표시장치의 소비 전력의 대부분을 차지하는 백라이트의 소비 전력을 저감할 수 있다.
주사형 백라이트의 광원으로서, LED를 사용해도 된다. 그 경우의 주사형 백라이트는, 도84b와 같아진다. 도84b에 나타내는 주사형 백라이트는, 확산판(30311)과, LED를 나란하게 설치한 광원 30312-1 내지 30312-N을 구비한다. 주사형 백라이트의 광원으로서, LED를 사용했을 경우, 백라이트를 얇고, 가볍게 할 수 있는 이점이 있다. 또한 색재현 범위를 넓힐 수 있다고 하는 이점이 있다. 더구나, LED를 나란하게 설치한 광원 30312-1 내지 30312-N의 각각에 나란하게 설치한 LED도, 동일하게 주사 할 수 있으므로, 점주사형의 백라이트로 할 수도 있다. 점주사형으로 하면, 동작 화상의 화질을 한층 더 향상시킬 수 있다.
백라이트의 광원으로서 LED를 사용했을 경우도, 도84c에 도시된 것과 같이 휘도를 변화시켜서 구동할 수 있다.
다음에 고주파 구동에 대해서, 도85을 참조해서 설명한다. 도85a는, 1프레임 기간(30400)에 1개의 화상 및 1개의 중간화상을 표시할 때의 도면이다. 30401은 해당 프레임의 화상, 30402은 해당 프레임의 중간화상, 30403은 다음 프레임의 화상, 30404는 다음 프레임의 중간화상이다.
해당 프레임의 중간화상(30402)은, 해당 프레임 및 다음 프레임의 영상신호를 기본으로 작성된 화상이라도 된다. 또한 해당 프레임의 중간화상(30402)은, 해당 프레임의 화상(30401)으로부터 작성된 화상이라도 된다. 또한 해당 프레임의 중간화상(30402)은, 흑 화상이라도 된다. 이렇게 함으로써 홀드형 표시장치의 동화상의 화질을 향상할 수 있다. 또한 1프레임 기간(30400)에 1개의 화상 및 1개의 중간화상을 표시하는 경우에는, 영상신호의 프레임 레이트와 정합성이 취하기 쉬워, 화상처리회로가 복잡하지 않게 된다고 하는 이점이 있다.
도85b은, 1프레임 기간(30400)이 2개 연속하는 기간(2프레임 기간)에 1개의화상 및 2개의 중간화상을 표시할 때의 도면이다. 30411은 해당 프레임의 화상, 30412은 해당 프레임의 중간화상, 30413은 다음 프레임의 중간화상, 30414은 다음 프레임의 화상이다.
해당 프레임의 중간화상(30412) 및 다음 프레임의 중간화상(30413)은, 해당 프레임, 다음 프레임, 다음 다음 프레임의 영상신호를 바탕으로 작성된 화상이라도 된다. 또한 해당 프레임의 중간화상(30412) 및 다음 프레임의 중간화상(30413)은, 흑 화상이라도 된다. 2 프레임 기간에 1개의 화상 및 2개의 중간화상을 표시하는 경우에는, 주변 구동회로의 동작 주파수를 그만큼 고속화하지 않고, 효과적으로 동화상의 화질을 향상할 수 있다고 하는 이점이 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예11)
본 실시예에 있어서는, 액정 패널의 주변부에 관하여 설명한다.
도49는, 엣지 라이트식으로 불리는 백라이트 유닛(20101)과, 액정 패널(20107)을 가지고 있는 액정표시장치의 일례를 도시한 도면이다. 엣지 라이트식이란, 백라이트 유닛의 단부에 광원을 배치하고, 그 광원의 형광을 발광면 전체로부터 방사하는 방식이다. 엣지 라이트식의 백라이트 유닛(20101)은, 초박형으로 전력 절약화를 꾀할 수 있다.
백라이트 유닛(20101)은, 확산판(20102), 도광판(20103), 반사판(20104), 램프 리플렉터(20105) 및 광원(20106)으로 구성된다.
광원(20106)은 필요에 따라서 발광하는 기능을 가지고 있다. 예를 들면 광원(20106)으로서는 냉음극관, 열음극관, 발광 다이오드, 무기 EL소자 또는 유기 EL소자 등을 사용할 수 있다.
도50a, 도 50b, 도 50c 및 도 50d은, 엣지 라이트식의 백라이트 유닛의 상세한 구성을 도시한 도면이다. 또한, 확산판, 도광판 및 반사판 등은 그 설명을 생략한다.
도50a에 나타내는 백라이트 유닛(20201)은, 광원으로서 냉음극관(20203)을 사용한 구성이다. 냉음극관(20203)으로부터의 빛을 효율적으로 반사시키기 위해, 램프 리플렉터(20202)가 설치된다. 이러한 구성은, 냉음극관(20203)으로부터의 휘도가 높기 때문에, 대형표시장치에 사용하는 일이 많다.
도50b에 나타내는 백라이트 유닛(20211)은, 광원으로서 발광 다이오드(LED)(20213)을 사용한 구성이다. 예를 들면 백색으로 발생하는 발광 다이오드(LED)(20213)가, 소정의 간격으로 배치된다. 그리고, 발광 다이오드(LED)(20213)로부터의 빛을 효율적으로 반사시키기 위해, 램프 리플렉터(20212)가 설치된다.
도50c에 나타내는 백라이트 유닛(20221)은, 광원으로서 각 색상 RGB의 발광 다이오드(LED) 20223, 발광 다이오드(LED) 20224 및 발광 다이오드(LED) 20225을 사용한 구성이다. 각 색 RGB의 발광 다이오드(LED) 20223, 발광 다이오드(LED) 20224 및 발광 다이오드(LED) 20225은, 각각 소정의 간격으로 배치된다. 각 색 RGB의 발광 다이오드(LED) 20223, 발광 다이오드(LED) 20224 및 발광 다이오드(LED) 20225을 사용함으로써, 색재현성을 높게 할 수 있다. 그리고, 발광 다이오드로부터의 빛을 효율적으로 반사시키기 위해, 램프 리플렉터(20222)가 설치된다.
도50d에 나타내는 백라이트 유닛(20231)은, 광원으로서 각 색 RGB의 발광 다이오드(LED) 20233, 발광 다이오드(LED) 20234 및 발광 다이오드(LED) 20235을 사용한 구성이다. 예를 들면 각 색 RGB의 발광 다이오드(LED) 20233, 발광 다이오드(LED) 20234 및 발광 다이오드(LED) 20235 중에서, 발광 강도가 낮은 색(예를 들면 초록)은 다른 발광 다이오드보다도 많이 배치되어 있다. 각 색 RGB의 발광 다이오드(LED) 20233, 발광 다이오드(LED) 20234 및 발광 다이오드(LED) 20235을 사용함으로써, 색재현성을 높게 할 수 있다. 그리고, 발광 다이오드로부터의 빛을 효율적으로 반사시키기 위해, 램프 리플렉터(20232)가 설치된다.
도53은, 직하형이라고 불리는 백라이트 유닛과, 액정 패널을 가지는 액정표시장치의 일례를 도시한 도면이다. 직하식이란, 발광면의 바로 아래에 광원을 배치함으로써 그 광원의 형광을 발광면 전체로부터 방사하는 방식이다. 직하식의 백라이트 유닛은, 발광 광량을 효율적으로 이용할 수 있다.
백라이트 유닛(20500)은, 확산판(20501), 차광판(20502), 램프 리플렉터(20503), 광원(20504) 및 액정 패널(20505)로 구성된다.
광원(20504)은, 필요에 따라서 발광하는 기능을 가지고 있다. 예를 들면 광원(20504)으로서는, 냉음극관, 열음극관, 발광 다이오드, 무기EL소자 또는 유기EL소자 등을 사용할 수 있다.
도51은, 편광판(편광 필름이라고도 한다)의 구성의 일례를 도시한 도면이다.
편광 필름(20300)은, 보호 필름(20301), 기판 필름(20302), PVA 편광 필름(20303), 기판 필름(20304), 점착제층(20305) 및 이형 필름(20306)을 가진다.
PVA 편광 필름(20303)은, 양측을 기재가 되는 필름(기판 필름 20302 및 기판 필름 20304)으로 끼움으로써 신뢰성을 증가시킬 수 있다. 또한, PVA 편광 필름(20303)은, 고투명성, 고내구성의 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 필름에 끼워져 있어도 된다. 또한, 기판 필름 및 TAC 필름은, PVA 편광 필름(20303)이 가지는 편광자의 보호층으로서 기능한다.
한쪽의 기판 필름(기판 필름(20304))에는, 액정 패널의 유리 기판에 붙이기 위한 점착제층(20305)이 붙여져 있다. 또한, 점착제층(20305)은, 점착제를 한 쪽의 기판 필름(기판 필름(20304))에 도포하도록 형성된다. 점착제층(20305)에는, 이형 필름(20306)(세퍼레이터 필름)이 구비되어 있다.
다른 쪽의 기판 필름(기판 필름(20302))에는, 보호 필름(20301)이 구비되어 있다.
편광 필름(20300) 표면에, 하드 코트 산란층(안티글레어층)이 구비되어 있어도 된다. 하드 코트 산란층은, AG 처리에 의해 표면에 미세한 요철이 형성되고 있어, 외광을 산란시키는 눈부심 반지 기능을 가지기 때문에, 액정 패널에의 외광의 비침을 막을 수 있다. 또한 표면반사를 막을 수 있다.
편광 필름(20300) 표면에, 복수의 굴절률이 다른 광학 박막층을 다층화(안티리플렉션 처리, 혹은 AR처리라고도 한다)해도 된다. 다층화된 복수의 굴절률이 다른 광학 박막층은, 빛의 간섭 효과에 의해 표면의 반사율을 저감할 수 있다.
도52은, 액정표시장치의 시스템 블록의 일례를 도시한 도면이다.
화소부(20405)에는, 신호선(20412)이, 신호선구동회로(20403)로부터 연신해서 배치되어 있다. 화소부(20405)에는, 주사선(20410)이, 주사선구동회로(20404)로부터 연신해서 배치되어 있다. 그리고, 신호선(20412)과 주사선(20410)의 교차 영역에, 복수의 화소가 매트릭스 모양으로 배치되어 있다. 또한, 복수의 화소 각각은, 스위칭소자를 가지고 있다. 따라서, 복수의 화소 각각에, 액정분자의 기울기를 제어하기 위한 전압을 독립하여 입력할 수 있다. 이렇게 각 교차 영역에 스위칭소자가 설치된 구조를, 액티브 매트릭스형이라고 부른다. 다만, 이러한 액티브 매트릭스형에 한정되지 않고, 패시브 매트릭스형의 구성이어도 된다. 패시브 매트릭스형은, 각 화소에 스위칭소자가 없기 때문에, 공정이 간편하다.
구동회로부(20408)는, 제어회로(20402), 신호선구동회로(20403) 및 주사선구동회로(20404)를 가진다. 제어회로(20402)에는, 영상신호(20401)가 입력되어 있다. 제어회로(20402)는, 이 영상신호(20401)에 따라, 신호선구동회로(20403) 및 주사선구동회로(20404)를 제어한다. 제어회로(20402)는, 신호선구동회로(20403) 및 주사선구동회로(20404)에, 각각 제어신호를 입력한다. 그리고, 이 제어신호에 따라, 신호선구동회로(20403)는, 비디오신호를 신호선(20412)에 입력하고, 주사선구동회로(20404)는, 주사 신호를 주사선(20410)에 입력한다. 그리고, 화소가 가지는 스위칭소자가 주사 신호에 따라 선택되어, 화소의 화소전극에 비디오신호가 입력된다.
제어회로(20402)는, 영상신호(20401)에 따라, 전원(20407)도 제어하고 있다. 전원(20407)은, 조명 수단(20406)에 전력을 공급하는 수단을 가지고 있다. 조명 수단(20406)으로서는, 엣지 라이트식의 백라이트 유닛, 또는 직하형의 백라이트 유닛을 사용할 수 있다. 다만, 조명 수단(20406)으로서, 프론트라이트를 사용해도 된다. 프론트라이트란, 화소부의 전방면측에 부착되어, 전체를 비추는 발광체 및 도광체로 구성된 판자 모양의 라이트 유닛이다. 이러한 조명 수단에 의해, 소비 전력으로, 균등하게 화소부를 비출 수 있다.
도52b에 도시된 것과 같이 주사선구동회로(20404)는, 시프트 레지스터(20441), 레벨 시프터(20442) 및 버퍼(20443)로서 기능하는 회로를 가진다. 시프트 레지스터(20441)에는 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 클록 신호(GCK) 등의 신호가 입력된다.
도52c에 도시된 것과 같이 신호선구동회로(20403)은, 시프트 레지스터(20431), 제1의 래치(20432), 제2의 래치(20433), 레벨 시프터(20434) 및 버퍼(20435)로서 기능하는 회로를 가진다. 버퍼(20435)로서 기능하는 회로란, 약한 신호를 증폭시키는 기능을 가지는 회로이며, OP앰프 등을 가진다. 레벨 시프터(20434)에는, 스타트 펄스(SSP) 등의 신호가, 제1의 래치(20432)에는, 비디오신호 등의 데이터(DATA)가 입력된다. 제2의 래치(20433)에는, 래치(LAT)신호를 일시 유지 할 수 있고, 일제히 화소부(20405)에 입력시킨다. 이것을 선 순차 구동이라고 부른다. 그 때문에 선 순차 구동이가 아니고, 점 순차 구동을 행하는 화소이면, 제2의 래치는 불필요하게 할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 액정 패널은, 여러가지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면 액정 패널로서, 2개의 기판의 사이에 액정층이 봉지된 구성을 사용할 수 있다. 한쪽의 기판 위에는, 트랜지스터, 용량소자, 화소전극 또는 배향막 등이 형성되어 있다. 한쪽의 기판의 윗면과 반대측에는, 편광판, 위상차판 또는 프리즘 시이트가 배치되어 있어도 된다. 다른 쪽의 기판 위에는, 칼라필터, 블랙 매트릭스, 대향전극 또는 배향막 등이 형성되어 있다. 다른 쪽의 기판의 윗면과 반대측에는, 편광판 또는 위상차판이 배치되어 있어도 된다. 또한, 칼라필터 및 블랙 매트릭스는, 한쪽의 기판의 윗면에 형성되어도 된다. 또한 한쪽의 기판의 윗면측 또는 그 반대측에 슬릿(격자)을 배치함으로써 3차원 표시를 할 수 있다.
편광판, 위상차판 및 프리즘 시이트를 각각, 2개의 기판의 사이에 배치하는 것이 가능하다. 또는, 2개의 기판 중 중 어느 하나와 일체로 하는 것이 가능하다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
마찬가지로, 본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예12)
본 실시예에 있어서는, 액정표시장치에 적용할 수 있는 화소의 구성 및 화소의 동작에 관하여 설명한다.
본 실시예에 있어서, 액정소자의 동작 모드로서, TNTN(Twisted Nematic) 모드, ISP(In-Plane-Switching) 모드, FFS(Fringe Field Switching) 모드, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 모드, PVA(Patterned Vertical Alignment) 모드, ASM(Axially Symmetric aligned Micro-Cell) 모드, OCB(Optical Compensated Birefringence) 모드, FLC(Ferroelectric Liquid Crystal) 모드 및 AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal) 모드 등을 사용할 수 있다.
도54a은, 액정표시장치에 적용할 수 있는 화소구성의 일례를 도시한 도면이다.
화소(40100)는, 트랜지스터(40101), 액정소자(40102) 및 용량소자(40103)를 가지고 있다. 트랜지스터(40101)의 게이트는, 배선(40105)에 접속되어 있다. 트랜지스터(40101)의 제1단자는, 배선(40104)에 접속되어 있다. 트랜지스터(40101)의 제2단자는, 액정소자(40102)의 제1전극 및 용량소자(40103)의 제1전극에 접속된다. 액정소자(40102)의 제2전극은, 대향전극(40107)에 해당한다. 용량소자(40103)의 제2의 전극은, 배선(40106)에 접속된다.
배선 40104은, 신호선으로서 기능한다. 배선 40105은, 주사선으로서 기능한다. 배선 40106은, 용량선으로서 기능한다. 트랜지스터(40101)는, 스위치로서 기능한다. 용량소자(40103)는, 유지용량으로서 기능한다.
트랜지스터(40101)는, 스위치로서 기능하면 된다. 또한 트랜지스터(40101)의 극성은, P채널형이라도 되고, N채널형이라도 된다.
도54b는, 액정표시장치에 적용할 수 있는 화소구성의 일례를 도시한 도면이다. 특히, 도54b은, 횡전계 모드(IPS모드, FFS모드를 포함한다)에 알맞은 액정표시장치에 적용할 수 있는 화소구성의 일례를 도시한 도면이다.
화소(40110)은, 트랜지스터(40111), 액정소자(40112) 및 용량소자(40113)를 가지고 있다. 트랜지스터(40111)의 게이트는, 배선 40115에 접속되어 있다. 트랜지스터(40111)의 제1단자는, 배선 40114에 접속되어 있다. 트랜지스터(40111)의 제2단자는, 액정소자(40112)의 제1전극 및 용량소자(40113)의 제1전극에 접속된다. 액정소자(40112)의 제2전극은, 배선 40116과 접속되어 있다. 용량소자(40113)의 제2의 전극은, 배선 40116에 접속되어 있다.
배선 40114은, 신호선으로서 기능한다. 배선 40115은, 주사선으로서 기능한다. 배선 40116은, 용량선으로서 기능한다. 트랜지스터(40111)는, 스위치로서 기능한다. 용량소자(40113)는, 유지용량으로서 기능한다.
트랜지스터(40111)는, 스위치로서 기능하면 된다. 또한 트랜지스터(40111)의 극성은 P채널형이라도 되고, N채널형이라도 된다.
도55은, 액정표시장치에 적용할 수 있는 화소구성의 일례를 도시한 도면이다. 특히, 도55은, 배선수를 절감해서 화소의 개구율을 크게 할 수 있는 화소구성의 일례이다.
도55은, 같은 열방향으로 배치된 2개의 화소(화소 40200 및 화소 40210)을 나타낸다. 예를 들면 화소 40200이 N행째에 배치되어 있을 경우, 화소 40210은 N+1행째에 배치되어 있다.
화소 40200은, 트랜지스터(40201), 액정소자(40202) 및 용량소자(40203)를 가지고 있다. 트랜지스터(40201)의 게이트는, 배선 40205에 접속되어 있다. 트랜지스터)40201)의 제1단자는, 배선 40204에 접속되어 있다. 트랜지스터(40201)의 제2단자는, 액정소자(40202)의 제1전극 및 용량소자(40203)의 제1전극에 접속된다. 액정소자(40202)의 제2전극은, 대향전극(40207)에 해당한다. 용량소자(40203)의 제2전극은, 이전 행의 트랜지스터의 게이트와 같은 배선에 접속되어 있다.
화소 40210은, 트랜지스터(40211), 액정소자(40212) 및 용량소자(40213)를 가지고 있다. 트랜지스터(40211)의 게이트는, 배선 40215에 접속되어 있다. 트랜지스터(40211)의 제1단자는, 배선 40204에 접속되어 있다. 트랜지스터(40211)의 제2단자는, 액정소자(40212)의 제1전극 및 용량소자(40213)의 제1전극에 접속된다. 액정소자(40212)의 제2전극은, 대향전극(40217)에 해당한다. 용량소자(40213)의 제2전극은, 이전 행의 트랜지스터의 게이트와 같은 배선(배선 40205)에 접속되어 있다.
배선 40204는, 신호선으로서 기능한다. 배선 40205은, N행째의 주사선으로서 기능한다. 그리고, 배선 40205은, N+1단째의 용량선으로서도 기능한다. 트랜지스터(40201)는, 스위치로서 기능한다. 용량소자(40203)는, 유지용량으로서 기능한다.
배선 40215은, N+1행째의 주사선으로서 기능한다. 그리고, 배선 40215은, N+2단째의 용량선으로서도 기능한다. 트랜지스터(40211)는, 스위치로서 기능한다. 용량소자(40213)는, 유지용량으로서 기능한다.
트랜지스터 40201 및 트랜지스터 40211은, 스위치로서 기능하면 된다. 또한 트랜지스터 40201의 극성 및 트랜지스터 40211의 극성은, P채널형이라도 되고, N채널형이라도 된다.
도56은, 액정표시장치에 적용할 수 있는 화소구성의 일례를 도시한 도면이다. 특히, 도56은, 서브 화소를 사용함으로써 시야각을 향상할 수 있는 화소구성의 일례이다.
화소(40320)는, 서브 화소 40300과, 서브 화소 40310를 가지고 있다. 이하, 화소(40320)가, 2개의 서브 화소를 가지고 있을 경우에 관하여 설명하지만, 화소(40320)는 3개 이상의 서브 화소를 갖고 있어도 된다.
서브 화소 40300은, 트랜지스터(40301), 액정소자(40302) 및 용량소자(40303)를 가지고 있다. 트랜지스터(40301)의 게이트는, 배선 40305에 접속되어 있다. 트랜지스터(40301)의 제1단자는, 배선 40304에 접속되어 있다. 트랜지스터(40301)의 제2단자는, 액정소자(40302)의 제1전극 및 용량소자(40303)의 제1전극에 접속되어 있다. 액정소자(40302)의 제2전극은, 대향전극(40307)에 해당한다. 용량소자(40303)의 제2의 전극은, 배선 40306에 접속되어 있다.
서브 화소 40310은, 트랜지스터(40311), 액정소자(40312) 및 용량소자(40313)를 가지고 있다. 트랜지스터(40311)의 게이트는, 배선 40315에 접속되어 있다. 트랜지스터(40311)의 제1단자는, 배선 40304에 접속되어 있다. 트랜지스터(40311)의 제2단자는, 액정소자(40312)의 제1전극 및 용량소자(40313)의 제1전극에 접속되어 있다. 액정소자(40312)의 제2전극은, 대향전극(40317)에 해당한다. 용량소자(40313)의 제2의 전극은, 배선 40306에 접속되어 있다.
배선 40304은, 신호선으로서 기능한다. 배선 40305은, 주사선으로서 기능한다. 배선 40315은, 신호선으로서 기능한다. 배선 40306은, 용량선으로서 기능한다. 트랜지스터 40301은, 스위치로서 기능한다. 트랜지스터 40311은, 스위치로서 기능한다. 용량소자 40303은, 유지용량으로서 기능한다. 용량소자 40313은, 유지용량으로서 기능한다.
트랜지스터 40301은, 스위치로서 기능하면 된다. 또한 트랜지스터 40301의 극성은, P채널형이라도 되고, N채널형이라도 된다. 트랜지스터 40311은, 스위치로서 기능하면 된다. 또한 트랜지스터 40311의 극성은, P채널형이라도 되고, N채널형이라도 된다.
서브 화소 40300에 입력하는 비디오신호는, 서브 화소 40310에 입력하는 비디오신호와 다른 값으로 해도 된다. 이 경우, 액정소자 40302의 액정분자의 배향이, 액정소자 40312의 액정분자의 배향과 다르기 때문에, 시야각을 넓게 할 수 있다.
또한, 본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
마찬가지로, 본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 대해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
또한, 본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예13)
본 실시예에 있어서는, 각종 액정 모드에 관하여 설명한다.
우선, 단면도를 사용해서 각종 액정 모드에 관하여 설명한다.
도57a,도 57b은, TN모드의 단면의 모식도이다.
서로 대향하도록 배치된 제1의 기판(50101) 및 제2의 기판(50102)에, 액정층(50100)이 끼워져 있다. 제1의 기판(50101)의 윗면에는, 제1의 전극(50105)이 형성되어 있다. 제2의 기판(50102)의 윗면에는, 제2의 전극(50106)이 형성되어 있다. 제1의 기판(50101)의 액정층(50100)과 반대측에는, 제1의 편광판(50103)이 배치되어 있다. 제2의 기판(50102)의 액정층(50100)과 반대측에는, 제2의 편광판(50104)이 배치되어 있다. 또한, 제1의 편광판(50103)과 제2의 편광판(50104)은, 크로스니콜이 되도록 배치되어 있다.
제1의 편광판(50103)은, 제1의 기판(50101)의 윗면, 즉, 제1의 기판(50101)과 액정층(50100)의 사이에 배치되어도 된다. 제2의 편광판(50104)은, 제2의 기판(50102)의 윗면, 즉, 제2의 기판(50102)과 액정층(50100)의 사이에 배치되어도 된다.
제1의 전극(50105) 및 제2의 전극(50106) 중, 적어도 한쪽의 전극이 투광성을 가지고 있으면 된다(투과형 또는 반사형). 또는, 양쪽의 전극이 투광성을 가지고, 또한 한쪽의 전극의 일부가 반사성을 갖고 있어도 된다(반투과형).
도57a은, 제1의 전극(50105) 및 제2의 전극(50106)에, 전압이 인가(종전계 방식이라고 부른다)되었을 경우의 단면의 모식도이다.
도57b은, 제1의 전극(50105) 및 제2의 전극(50106)에, 전압이 인가되지 않고 있을 경우의 단면의 모식도이다.
도58a, 도58b은, VA모드의 단면의 모식도이다. VA 모드는, 무전계일 때에 액정분자가 기판에 수직이 되도록 배향되어 있는 모드이다.
서로 대향하도록 배치된 제1의 기판(50201) 및 제2의 기판(50202)에, 액정층(50200)이 끼워져 있다. 제1의 기판(50201)의 윗면에는, 제1의 전극(50205)이 형성되어 있다. 제2의 기판(50202)의 윗면에는, 제2의 전극(50206)이 형성되어 있다. 제1의 기판(50201)의 액정층(50200)과 반대측에는, 제1의 편광판(50203)이 배치되어 있다. 제2의 기판(50202)의 액정층(50200)과 반대측에는, 제2의 편광판(50204)이 배치되어 있다. 또한, 제1의 편광판(50203)과 제2의 편광판(50204)은, 크로스니콜이 되도록 배치되어 있다.
제1의 편광판(50203)은, 제1의 기판(50201)의 윗면, 즉, 제1의 기판(50201)과 액정층(50200)의 사이에 배치되어도 된다. 제2의 편광판(50204)은, 제2의 기판(50202)의 윗면, 즉, 제2의 기판(50202)과 액정층(50200)의 사이에 배치되어도 된다.
제1의 전극(50205) 및 제2의 전극(50206) 중, 적어도 한쪽의 전극이 투광성을 가지고 있으면 된다(투과형 또는 반사형). 또는, 양쪽의 전극이 투광성을 가지고, 또한 한쪽의 전극의 일부가 반사성을 갖고 있어도 된다(반투과형).
도58a은, 제1의 전극(50205) 및 제2의 전극(50206)에, 전압이 인가(종전계 방식이라고 부른다)되었을 경우의 단면의 모식도이다.
도58b은, 제1의 전극(50205) 및 제2의 전극(50206)에, 전압이 인가되지 않고 있을 경우의 단면의 모식도이다.
도58c, 도 58d은, MV A모드의 단면의 모식도이다. MVA 모드는, 각각의 부분의 시야각 의존성을 서로 보상하는 방법이다.
서로 대향하도록 배치된 제1의 기판(50211) 및 제2의 기판(50212)에, 액정층(50210)이 끼워져 있다. 제1의 기판(50211)의 윗면에는, 제1의 전극(50215)이 형성되어 있다. 제2의 기판(50212)의 윗면에는, 제2의 전극(50216)이 형성되어 있다. 제1의 전극(50215) 위에는, 배향제어용으로 제1의 돌기물(50217)이 형성되어 있다. 제2의 전극(50216) 위에는, 배향제어용으로 제2의 돌기물(50218)이 형성되어 있다. 제1의 기판(50211)의 액정층(50210)과 반대측에는, 제1의 편광판(50213)이 배치되어 있다. 제2의 기판(50212)의 액정층(50210)과 반대측에는, 제2의 편광판(50214)이 배치되어 있다. 또한, 제1의 편광판(50213)과 제2의 편광판(50214)은, 크로스니콜이 되도록 배치되어 있다.
제1의 편광판(50213)은, 제1의 기판(50211)의 윗면, 즉, 제1의 기판(50211)과 액정층(50210)의 사이에 배치되어도 된다. 제2의 편광판(50214)은, 제2의 기판(50212)의 윗면, 즉, 제2의 기판(50212)과 액정층(50210)의 사이에 배치되어도 된다.
제1의 전극(50215) 및 제2의 전극(50216) 중, 적어도 한쪽의 전극이 투광성을 가지고 있으면 된다(투과형 또는 반사형). 또는, 양쪽의 전극이 투광성을 가지고, 또한 한쪽의 전극의 일부가 반사성을 갖고 있어도 된다(반투과형).
도58c은, 제1의 전극(50215) 및 제2의 전극(50216)에, 전압이 인가(종전계 방식이라고 부른다)되었을 경우의 단면의 모식도이다.
도58d은, 제1의 전극(50215) 및 제2의 전극(50216)에, 전압이 인가되지 않고 있을 경우의 단면의 모식도이다.
도59a, 도 59b은, OCB모드의 단면의 모식도이다. OCB 모드는, 액정층 내에서 액정분자의 배열이 광학적으로 보상 상태를 형성하고 있기 때문에, 시야각 의존이 적다. 이 액정분자의 상태는, 벤드 배향이라고 불린다.
서로 대향하도록 배치된 제1의 기판(50301) 및 제2의 기판(50302)에, 액정층(50300)이 끼워져 있다. 제1의 기판(50301)의 윗면에는, 제1의 전극(50305)이 형성되어 있다. 제2의 기판(50302)의 윗면에는, 제2의 전극(50306)이 형성되어 있다. 제1의 기판(503010의 액정층(50300)과 반대측에는, 제1의 편광판(50303)이 배치되어 있다. 제2의 기판(50302)의 액정층(50300)과 반대측에는, 제2의 편광판(50304)이 배치되어 있다. 또한, 제1의 편광판(50303)과 제2의 편광판(50304)은, 크로스니콜이 되도록 배치되어 있다.
제1의 편광판(50303)은, 제1의 기판(50301)의 윗면, 즉, 제1의 기판(50301)과 액정층(50300)의 사이에 배치되어도 된다. 제2의 편광판(50304)은, 제2의 기판(50302)의 윗면, 즉, 제2의 기판(50302)과 액정층(50300)의 사이에 배치되어도 된다.
제1의 전극(50305) 및 제2의 전극(50306) 중, 적어도 한쪽의 전극이 투광성을 가지고 있으면 된다(투과형 또는 반사형). 또는, 양쪽의 전극이 투광성을 가지고, 또한 한쪽의 전극의 일부가 반사성을 갖고 있어도 된다(반투과형).
도59a은, 제1의 전극(50305) 및 제2의 전극(50306)에, 전압이 인가(종전계 방식이라고 부른다)되었을 경우의 단면의 모식도이다.
도59b은, 제1의 전극(50305) 및 제2의 전극(50306)에, 전압이 인가되지 않고 있을 경우의 단면의 모식도이다.
도59c, 도 59d은, FLC모드 또는 AFLC모드의 단면의 모식도이다.
서로 대향하도록 배치된 제1의 기판(50311) 및 제2의 기판(50312)에, 액정층(50310)이 끼워져 있다. 제1의 기판(50311)의 윗면에는, 제1의 전극(50315)이 형성되어 있다. 제2의 기판(50312)의 윗면에는, 제2의 전극(50316)이 형성되어 있다. 제1의 기판(50311)의 액정층(50310)과 반대측에는, 제1의 편광판(50313)이 배치되어 있다. 제2의 기판(50312)의 액정층(50310)과 반대측에는, 제2의 편광판(50314)이 배치되어 있다. 또한, 제1의 편광판(50313)과 제2의 편광판(50314)은, 크로스니콜이 되도록 배치되어 있다.
제1의 편광판(50313)은, 제1의 기판(50311)의 윗면, 즉, 제1의 기판(50311)과 액정층(50310)의 사이에 배치되어도 된다. 제2의 편광판(50314)은, 제2의 기판(50312)의 윗면, 즉, 제2의 기판(50312)과 액정층(50310)의 사이에 배치되어도 된다.
제1의 전극(50315) 및 제2의 전극(50316) 중, 적어도 한쪽의 전극이 투광성을 가지고 있으면 된다(투과형 또는 반사형). 또는, 양쪽의 전극이 투광성을 가지고, 또한 한쪽의 전극의 일부가 반사성을 갖고 있어도 된다(반투과형).
도59c은, 제1의 전극(50315) 및 제2의 전극(50316)에, 전압이 인가(종전계 방식이라고 부른다)되었을 경우의 단면의 모식도이다.
도59d은, 제1의 전극(50315) 및 제2의 전극(50316)에, 전압이 인가되지 않고 있을 경우의 단면의 모식도이다.
도60a, 도60b은, IPS모드의 단면의 모식도이다. IPS 모드는, 액정층 내에서 액정분자의 배열을 광학적으로 보상할 수 있고, 액정분자를 기판에 대하여 항상 평면 내에서 회전시키는 모드이며, 전극을 한쪽의 기판측에만 설치한 횡전계 방식을 취한다.
서로 대향하도록 배치된 제1의 기판(50401) 및 제2의 기판(50402)에, 액정층(50400)이 끼워져 있다. 제2의 기판(50402)의 윗면에는, 제1의 전극(50405) 및 제2의 전극(50406)이 형성되어 있다. 제1의 기판(50401)의 액정층(50400)과 반대측에는, 제1의 편광판(50403)이 배치되어 있다. 제2의 기판(50402)의 액정층(50400)과 반대측에는, 제2의 편광판(50404)이 배치되어 있다. 또한, 제1의 편광판(50403)과 제2의 편광판(50404)은, 크로스니콜이 되도록 배치되어 있다.
제1의 편광판(50403)은, 제1의 기판(50401)의 윗면, 즉, 제1의 기판(50401)과 액정층의 사이에 배치되어도 된다. 제2의 편광판(50404)은, 제2의 기판(50402)의 윗면, 즉, 제2의 기판(50402)과 액정층의 사이에 배치되어도 된다.
제1의 전극(50405) 및 제2의 전극(50406) 중, 적어도 한쪽의 전극이 투광성을 가지고 있으면 된다(투과형 또는 반사형). 또는, 양쪽의 전극이 투광성을 가지고, 또한 한쪽의 전극의 일부가 반사성을 갖고 있어도 된다(반투과형).
도60a은, 제1의 전극(50405) 및 제2의 전극(50406)에, 전압이 인가(종전계 방식이라고 부른다)되었을 경우의 단면의 모식도이다.
도60b은, 제1의 전극(50405) 및 제2의 전극(50406)에, 전압이 인가되지 않고 있을 경우의 단면의 모식도이다.
도60c, 도60d은, FFS모드의 단면의 모식도이다. FFS 모드란, 액정층 내에서 액정분자의 배열을 광학적으로 보상할 수 있고, 액정분자를 기판에 대하여 항상 평면 내에서 회전시키는 모드이며, 전극을 한쪽의 기판측에만 설치한 횡전계 방식을 취한다.
서로 대향하도록 배치된 제1의 기판(50411) 및 제2의 기판(50412)에, 액정층(50410)이 끼워져 있다. 제2의 기판(50412)의 윗면에는, 제2의 전극(50416)이 형성되어 있다. 제2의 전극(50416)의 윗면에는, 절연막(50417)이 형성되어 있다. 절연막(50417) 위에는, 제1의 전극(50415)이 형성되어 있다. 제1의 기판(50411)의 액정층(504100과 반대측에는, 제1의 편광판(50413)이 배치되어 있다. 제2의 기판(50412)의 액정층(50410)과 반대측에는, 제2의 편광판(50414)이 배치되어 있다. 또한, 제1의 편광판(50413)과 제2의 편광판(50414)은, 크로스니콜이 되도록 배치되어 있다.
제1의 편광판(50413)은, 제1의 기판(50411)의 윗면, 즉, 제1의 기판(50411)과 액정층(50410) 사이에 배치되어도 된다. 제2의 편광판(50414)은, 제2의 기판(50412)의 윗면, 즉, 제2의 기판(50412)과 액정층(50410)의 사이에 배치되어도 된다.
제1의 전극(50415) 및 제2의 전극(50416) 중, 적어도 한쪽의 전극이 투광성을 가지고 있으면 된다(투과형 또는 반사형). 또는, 양쪽의 전극이 투광성을 가지고, 또한 한쪽의 전극의 일부가 반사성을 갖고 있어도 된다(반투과형).
도60c은, 제1의 전극(50415) 및 제2의 전극(50416)에, 전압이 인가(종전계 방식이라고 부른다)되었을 경우의 단면의 모식도이다.
도60d은, 제1의 전극(50415) 및 제2의 전극(50416)에, 전압이 인가되지 않고 있을 경우의 단면의 모식도이다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예14)
본 실시예에 있어서는, 표시장치의 화소구조에 관하여 설명한다. 특히, 액정표시장치의 화소구조에 관하여 설명한다.
각 액정 모드와 트랜지스터를 조합했을 경우의 화소구조에 대해서, 화소의 단면도를 참조해서 설명한다.
트랜지스터로서는, 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 미결정(마이크로 크리스탈, 세미아모퍼스라고도 말한다) 실리콘 등으로 대표되는, 비단결정 반도체층을 가지는 박막트랜지스터(TFT) 등을 사용할 수 있다.
트랜지스터의 구조로서는, 톱 게이트형 또는 보텀 게이트형 등을 사용할 수 있다. 보텀 게이트형의 트랜지스터로서는, 채널에치형 또는 채널 보호형 등을 사용할 수 있다.
도61은, TN방식과 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 단면도의 일례이다. 제1의 기판(10101)과, 제2의 기판(10116)이, 액정분자(10118)을 갖는 액정(10111)을 끼우고 있다. 제1의 기판(10101)에는, 트랜지스터, 화소전극 및 배향막 등이 배치되고, 제2의 기판(10116)에는, 차광막(10114), 칼라필터(10115), 대향전극 및 배향막 등이 배치되어 있다. 그리고, 제1의 기판(10101)과, 제2의 기판(10116)의 사이에는, 스페이서(10117)가 배치되어 있다. 도61에 나타내는 화소구조를 액정표시장치에 적용함으로써, 저렴하게 액정표시장치를 제조할 수 있다.
도62a은, MVA(Multi-domain Vertical Alignment) 방식과, 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 단면도의 일례이다. 제1의 기판(10201)과, 제2의 기판(10216)이, 액정분자(10218)를 가지는 액정(10211)을 끼우고 있다. 제1의 기판(10201)에는, 트랜지스터, 화소전극 및 배향막 등이 배치되고, 제2의 기판(10216)에는, 차광막(10214), 칼라필터(10215), 대향전극, 배향제어용 돌기(10219) 및 배향막 등이 배치되어 있다. 그리고, 제1의 기판(10201)과, 제2의 기판(10216)의 사이에는, 스페이서(10217)가 배치되어 있다. 도62a에 나타내는 화소구조를, 액정표시장치에 적용함으로써, 시야각이 크고, 응답 속도가 빠르고, 콘트라스트가 큰 액정표시장치를 얻을 수 있다.
도62b는, PVA(Patterned Vertical Alignment) 방식과, 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 단면도의 일례이다. 제1의 기판(10231)과, 제2의 기판(10246)이, 액정분자(10248)를 가지는 액정(10241)을 끼우고 있다. 제1의 기판(10231)에는, 트랜지스터, 화소전극 및 배향막 등이 배치되고, 제2의 기판(10231)에는, 차광막(10244), 칼라필터(10245), 대향전극 및 배향막 등이 배치되어 있다. 또한, 화소전극은, 전극 절결부(10249)를 가지고 있다. 그리고, 제1의 기판(10231)과, 제2의 기(판10246)의 사이에는, 스페이서(10247)가 배치되어 있다. 도62b에 나타내는 화소구조를, 액정표시장치에 적용함으로써, 시야각이 크고, 응답 속도가 빠르고, 콘트라스트가 큰 액정표시장치를 얻을 수 있다.
도63a은, IPS(In-Plane-Switching) 방식과, 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 단면도의 일례이다. 제1의 기판(10301)과, 제2의 기판(10316)이, 액정분자(10318)를 가지는 액정(10311)을 끼우고 있다. 제1의 기판(10301)에는, 트랜지스터, 화소전극, 공통 전극 및 배향막 등이 형성되고, 제2의 기판(10316)에는, 차광막(10314), 칼라필터(10315) 및 배향막 등이 형성되어 있다. 그리고, 제1의 기판(10301)과, 제2의 기판(10316)의 사이에는, 스페이서(10317)가 형성되어 있다. 도63a에 나타내는 화소구조를, 액정표시장치에 적용함으로써, 원리적으로 시야각이 크고, 응답 속도의 계조의존성이 작은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
도63b은, FFS(Fringe Field Switching) 방식과, 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 단면도의 일례이다. 제1의 기판(10331)과, 제2의 기판(10346)이, 액정분자(10348)를 가지는 액정(10341)을 끼우고 있다. 제1의 기판(10331)에는, 트랜지스터, 화소전극, 공통 전극 및 배향막 등이 배치되고, 제2의 기판(10346)에는, 차광막(10344), 칼라필터(10345) 및 배향막 등이 배치되어 있다. 그리고, 제1의 기판(10331)과, 제2의 기판(10346)의 사이에는, 스페이서(10347)가 배치되어 있다. 도63b에 나타내는 화소구조를, 액정표시장치에 적용함으로써, 원리적으로 시야각이 크고, 응답 속도의 계조의존성이 작은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
여기에서, 각 도전층 또는 각 절연막에 사용할 수 있는 재료에 관하여 설명한다.
도61의 제1의 절연막 10102, 도62a의 제1의 절연막 10202, 도62b의 제1의 절연막 10232, 도63a의 제1의 절연막 10302 및 도63b의 제1의 절연막 10332로서는, 산화 실리콘막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘(SiOxNy)막 등의 절연막을 사용할 수 있다. 또는, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘(SiOxNy)막 등 중에서, 2개 이상의 막을 조합한 적층구조의 절연막을 사용할 수 있다.
도61의 제1의 도전층 10103, 도62a의 제1의 도전층 10203, 도62b의 제1의 도전층 10233, 도63a의 제1의 도전층 10303 및 도63b의 제1의 도전층 10333으로서는, Mo, Ti, Al, Nd, Cr 등을 사용할 수 있다. 또는, Mo, Ti, Al, Nd, Cr 등 중에서, 2개 이상을 조합한 적층구조를 사용할 수도 있다.
도61의 제2의 절연막 10104, 도62a의 제2의 절연막 10204, 도62b의 제2의 절연막 10234, 도63a의 제2의 절연막 10304 및 도63b의 제2의 절연막 10334로서는, 열산화막, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 막 또는 산화 질화 실리콘 막등을 사용할 수 있다. 또는, 열산화막, 산화 실리콘 막, 질화 실리콘 고름 또는 산화 질화 실리콘 막 등 중, 2개 이상을 조합한 적층구조등을 사용할 수 있다. 또한, 반도체층과 접하는 부분은, 산화 실리콘 막인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 산화 실리콘 막으로 하면, 반도체층과의 계면에 있어서의 트랩 준위가 적어지기 때문이다. 또한, Mo와 접하는 부분은, 질화 실리콘 막인 것이 바람직하다. 왜냐하면, 질화 실리콘 막은, Mo를 산화시키지 않기 때문이다.
도61의 제1의 반도체층 10105, 도62a의 제1의 반도체층 10205, 도 62b의 제 1 반도체층 10235, 도63a의 제1의 반도체층 10305 및 도 63b의 제 1 반도체층 10335서는, 실리콘 또는 실리콘 게르마늄(SiGe) 등을 사용할 수 있다.
도61의 제2의 반도체층 10106, 도62a의 제2의 반도체층 10206, 제 62b의 제 2 반도체층 10236, 도63a의 제2의 반도체층 10306 및 도 63b의 제 2 반도체층 10336으로서는 인 등을 포함하는 실리콘 등을 사용할 수 있다.
도61의 제2의 도전층 10107, 제3의 도전층 10109 및 제4의 도전층 10113, 도62a의 제2의 도전층 10207, 제3의 도전층 10209 및 제4의 도전층 10213, 도62b의 제2의 도전층 10237, 제3의 도전층 10239 및 제4의 도전층 10243, 도63a의 제2의 도전층 10307 및 제3의 도전층 10309, 혹은 도63b의 제2의 도전층 10337, 제3의 도전층 10339 및 제4의 도전층 10343의 투명성을 가지는 재료로서는, 산화인듐에 산화 주석을 섞은 인듐 주석 산화물(ITO)막, 인듐 주석 산화물(ITO)에 산화 규소를 섞은 인듐 주석 규소 산화물(ITSO)막, 산화인듐에 산화아연을 섞은 인듐 아연산화물(IZO)막, 산화아연막 또는 산화 주석막 등을 사용할 수 있다. 또한, IZO란, ITO에 2?20wt%의 산화아연(ZnO)을 혼합시킨 타겟을 사용해서 스퍼터링에 의해 형성되는 투명 도전 재료이다.
도61의 제2의 도전층 10107 및 제3의 도전층 10109, 도62a의 제2의 도전층 10207 및 제3의 도전층 10209, 도62b의 제2의 도전층 10237 및 제3의 도전층 10239, 도63a의 제2의 도전층 10307 및 제3의 도전층 10309, 혹은 도63b의 제2의 도전층 10337, 제3의 도전층 10339 및 제4의 도전층 10343의 반사성을 가지는 재료로서는, Ti, Mo, Ta, Cr, W, Al 등을 사용할 수 있다. 또는, Ti, Mo, Ta, Cr 및 W와, Al을 적층시킨 2층 구조, Al을 Ti, Mo, Ta, Cr, W 등의 금속으로 끼운 3층 적층구조로 해도 된다.
도61의 제3의 절연막 10108, 도62a의 제3의 절연막 10208, 도62b의 제3의 절연막 10238, 도62b의 제3의 도전층 10239, 도63a의 제3의 절연막 10308, 도63b의 제3의 절연막 10338 및 제4의 절연막 10349로서는, 무기재료(산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 질화 실리콘 등) 혹은, 저유전율의 유기 화합물 재료(감광성 또는 비감광성의 유기 수지재료) 등을 사용할 수 있다. 또는, 실록산을 포함하는 재료를 사용할 수도 있다. 또한, 실록산은, 실리콘(Si)과 산소(0)의 결합으로 골격구조가 구성되는 재료이다. 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기(예를 들면 알킬기, 아릴기)를 사용할 수 있다. 또는, 치환기로서 플루오르기를 사용해도 된다. 또는, 치환기로서, 적어도 수소를 포함하는 유기기와, 플루오르기를 사용해도 된다.
도61의 제1의 배향막 10110 및 제2의 배향막 10112, 도62a의 제1의 배향막 10210 및 제2의 배향막 10212, 도62b의 제1의 배향막 10240 및 제2의 배향막 10242, 도63a의 제1의 배향막 10310 및 제2의 배향막 10312, 도63b의 제1의 배향막 10340 및 제2의 배향막 10342로서는, 폴리이미드 등의 고분자막을 사용할 수 있다.
다음에 각 액정 모드와, 트랜지스터를, 조합했을 경우의 화소구조에 대해서, 화소의 평면도(배치도)를 참조해서 설명한다.
또한, 액정 모드로서는, TN(Twisted Nematic)모드, IPS(In-Plane-Switching)모드, FFS(Fringe Field Switching)모드, MVA(Multi-domain Vertical Alignment)모드, PVA(Patterned Vertical Alignment)모드, ASM(Axially Symmetric aligned Micro-Cell)모드, OCB(Optical Compensated Birefringence)모드, FLC (Ferroelectric Liquid Crystal)모드, AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal)모드 등을 사용할 수 있다.
도64는, TN방식과 트랜지스터를 조합했을 경우의 화소의 평면도의 일례이다. 도64에 나타내는 화소구조를 액정표시장치에 적용함으로써, 저렴하게 액정표시장치를 제조할 수 있다.
도64에 나타내는 화소는, 주사선(10401), 영상신호선(10402), 용량선(10403), 트랜지스터(10404), 화소전극(10405) 및 화소용량(10406)을 가지고 있다.
도65a는, MVA 방식과 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 평면도의 일례이다. 도65a에 나타내는 화소구조를, 액정표시장치에 적용함으로써, 시야각이 크고, 응답 속도가 빠르고, 콘트라스트가 큰 액정표시장치를 얻을 수 있다.
도65a에 나타내는 화소는, 주사선(10501), 영상신호선(10502), 용량선(10503), 트랜지스터(10504), 화소전극(10505), 화소용량(10506) 및 배향제어용 돌기(10507)를 가진다.
도65b은, PVA방식과 트랜지스터를 조합했을 경우의 화소의 평면도의 일례이다. 도65b에 나타내는 화소구조를 액정표시장치에 적용함으로써, 시야각이 크고, 응답 속도가 빠르고, 콘트라스트가 큰 액정표시장치를 얻을 수 있다.
도65b에 나타내는 화소는, 주사선(10511), 영상신호선(10512), 용량선(10513), 트랜지스터(10514), 화소전극(10515), 화소용량(10516) 및 전극 절결부(10517)를 가진다.
도66a은, IPS방식과 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 평면도의 일례이다. 도66a에 나타내는 화소구조를 액정표시장치에 적용함으로써, 원리적으로 시야각이 크고, 응답 속도의 계조의존성이 작은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
도66a에 나타내는 화소는, 주사선(10601), 영상신호선(10602), 공통 전극(10603), 트랜지스터(10604) 및 화소전극(10605)을 가진다.
도66b는, FFS방식과 트랜지스터를 조합했을 경우의, 화소의 평면도이다. 도66b에 나타내는 화소구조를 액정표시장치에 적용함으로써, 원리적으로 시야각이 크고, 응답 속도의 계조의존성이 작은 액정표시장치를 얻을 수 있다.
도66b에 나타내는 화소는, 주사선(10611), 영상신호선(10612), 공통 전극(10613), 트랜지스터(10614) 및 화소전극(10615)을 가진다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예15)
본 실시예에 있어서는, 표시장치의 화소의 구성 및 화소의 동작에 관하여 설명한다.
도67a,도 67b은, 디지털 시간계조 구동의 일례를 나타낸 타이밍 차트이다. 도67a의 타이밍 차트는, 화소에의 신호 기록 기간(어드레스 기간)과, 발광 기간(서스테인 기간)이, 분리되어 있을 경우의 구동방법을 나타낸다.
1 표시 영역분의 화상을, 완전하게 표시하기 위한 기간을 1 프레임 기간이라고 한다. 1 프레임 기간은, 복수의 서브프레임 기간을 가지고, 1 서브프레임 기간은, 어드레스 기간과 서스테인 기간을 가진다. 어드레스 기간 Ta1?Ta4은, 전체 행분의 화소에의 신호 기록에 걸리는 시간을 나타내고, 기간 Tb1?Tb4은 1행분의 화소(또는 1 화소분)에의 신호 기록에 걸리는 시간을 나타내고 있다. 서스테인 기간 Ts1?Ts4은, 화소에 기록된 비디오 신호에 따라서 점등 또는 비점등 상태를 유지하는 시간을 나타내고, 그 길이의 비를 Ts1:Ts2:Ts3:Ts4=23:22:21:20=8:4:2:1로 하고 있다. 또한 어느 서스테인 기간에서 발광하는가에 의해, 계조를 표현하고 있다.
여기에서, 도67b을 참조하여, i행째의 화소행에 착안해서 설명한다. 우선, 어드레스 기간 Ta1에 있어서, 1행째로부터 순차적으로, 주사선에 화소선택신호가 입력되고, 어드레스 기간 Ta1 중 기간 Tb1(i)에 있어서, i행째의 화소가 선택된다. 그리고, i행째의 화소가 선택되어 있을 때에, 신호선에서 i행째의 화소에, 비디오신호가 입력된다. 그리고, i행째의 화소에 비디오신호가 기록되면, i행째의 화소는 다시 신호가 입력될 때까지 그 신호를 유지한다. 이 기록된 비디오신호에 의해, 서스테인 기간 Ts1에 있어서의 i행째의 화소의 점등, 비점등이 제어된다. 마찬가지로, 어드레스 기간 Ta2, Ta3, Ta4에 있어서 i행째의 화소에 비디오 신호가 입력되고, 그 비디오신호에 의해 서스테인 기간 Ts2, Ts3, Ts4에 있어서의 i행째의 화소의 점등, 비점등이 제어된다. 그리고, 각각의 서브프레임 기간에 있어서, 어드레스 기간 동안은 점등하지 않고, 어드레스 기간이 종료한 후, 서스테인 기간이 시작되어, 점등시키기 위한 신호가 기록되고 있는 화소가 점등한다.
여기에서는 4비트 계조를 표현할 경우에 관하여 설명했지만, 비트수 및 계조수는 이것에 한정되지 않는다. 또한, 점등의 순서는 Ts1, Ts2, Ts3, Ts4일 필요는 없고, 랜덤해도 되고, 복수로 분할해서 발광을 시켜도 된다. 또한, Ts1, Ts2, Ts3, Ts4의 점등 시간은, 2의 제곱으로 할 필요는 없고, 같은 길이의 점등 시간으로 하여도 되고, 2의 제곱으로부터 약간만 비켜 놓아도 된다.
계속해서, 화소에의 신호 기록 기간(어드레스 기간)과, 발광 기간(서스테인 기간)이, 분리되지 않고 있을 경우의 구동방법에 관하여 설명한다. 비디오신호의 기록 동작이 완료한 행의 화소는, 다음에 화소에 신호가 기록될 때까지(또는 소거될 때까지), 신호를 유지한다. 기록 동작으로부터, 다음에 이 화소에 신호가 기록될 때까지의 기간을, 데이터 유지시간이라고 한다. 그리고, 이 데이터 유지시간중에는, 화소에 기록된 비디오신호에 따라, 화소가 점등 또는 비점등이 된다. 같은 동작이, 최하행까지 행해지고, 어드레스 기간이 종료한다. 그리고, 데이터 유지시간이 종료한 행에서 순차적으로, 다음 서브프레임 기간의 신호 기록 동작으로 옮겨간다.
이와 같이, 신호 기록 동작이 완료하고, 데이터 유지시간이 되면, 화소에 기록된 비디오신호에 따라, 즉시 화소가 점등 또는 비점등이 되는 구동방법의 경우에는, 동시에 2행에 신호를 입력할 수 없다. 그 때문에, 어드레스 기간을 겹치지 않도록 해야만 하므로, 데이터 유지시간을, 어드레스 기간보다 짧게 할 수 없다. 그 결과, 고계조 표시가 곤란해진다.
따라서, 소거 기간을 설치함으로써, 어드레스 기간보다 짧은, 데이터 유지시간을 설정한다. 소거 기간을 설치하고, 어드레스 기간보다 짧은 데이터 유지시간을 설정할 경우의 구동방법에 대해서, 도68a에 나타낸다.
여기에서, 도68b을 참조하여, i행째의 화소행에 착안해서 설명한다. 어드레스 기간 Ta1에 있어서, 1행째로부터 순차적으로, 주사선에 화소 주사신호가 입력되어, 화소가 선택된다. 그리고, 기간 Tb1(i)에 있어서 i행째의 화소가 선택되어 있을 때에, i행째의 화소에 비디오신호가 입력된다. 그리고, i행째의 화소에 비디오신호가 기록되면, i행째의 화소는, 다시 신호가 입력될 때까지 그 신호를 유지한다. 이 기록된 비디오신호에 의해, 서스테인 기간 Ts1(i)에 있어서의 i행째의 화소의 점등, 비점등이 제어된다. 즉, i행째에 비디오신호의 기록 동작이 완료하면, 즉시 기록된 비디오신호에 따라서, i행째의 화소가 점등 또는 비점등의 상태가 된다. 마찬가지로, 어드레스 기간 Ta2, Ta3, Ta4에 있어서 i행째의 화소에 비디오신호가 입력되고, 그 비디오신호에 의해 서스테인 기간 Ts2, Ts3, Ts4에 있어서의 i행째의 화소의 점등, 비점등이 제어된다. 그리고, 서스테인 기간 Ts4(i)은, 그것의 종기를 소거 동작의 시작에 의해 설정된다. 왜냐하면, i행째의 소거 시간 Te(i)에 있어서, i행째의 화소에 기록된 비디오신호에 관계없이, 강제적으로 비점등이 되기 때문이다. 즉, 소거 시간 Te(i)이 시작되면 i행째의 화소의 데이터 유지시간이 종료한다.
따라서, 어드레스 기간과 서스테인 기간을 분리하지 않고, 어드레스 기간보다 짧은 데이터 유지시간을 가진, 고계조이면서 듀티비(1프레임 기간 동안의 점등 기간의 비율)가 높은 표시장치를 제공할 수 있다. 순간 휘도를 낮게 하는 것이 가능하기 때문에, 표시 소자의 신뢰성의 향상을 꾀하는 것이 가능하다.
여기에서는 4비트 계조를 표현할 경우에 관하여 설명했지만, 비트수 및 계조수는 이것에 한정되지 않는다. 또한 점등의 순서는 Ts1, Ts2, Ts3, Ts4일 필요는 없고, 랜덤해도 되고, 복수로 분할해서 발광을 바꾸어도 된다. 또한 Ts1, Ts2, Ts3, Ts4의 점등 시간은, 2의 제곱으로 할 필요는 없고, 같은 길이의 점등 시간으로 하여도 되고, 2의 제곱으로부터 비켜 놓아도 된다.
디지털 시간계조 구동을 적용가능한 화소의 구성 및 화소의 동작에 관하여 설명한다.
도69은, 디지털 시간계조 구동을 적용가능한 화소구성의 일례를 도시한 도면이다.
화소(80300)는, 스위칭용 트랜지스터(80301), 구동용 트랜지스터(80302), 발광소자(80304) 및 용량소자(80303)를 가지고 있다. 스위칭용 트랜지스터(80301)는,게이트가, 주사선(80306)에 접속되고, 제1전극(소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽)이, 신호선(80305)에 접속되고, 제2전극(소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽)이, 구동용 트랜지스터(80302)의 게이트에 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(80302)은, 게이트가, 용량소자(80303)를 거쳐 전원선(80307)에 접속되고, 제1전극이, 전원선(80307)에 접속되고, 제2전극이, 발광소자(80304)의 제1전극(화소전극)에 접속되어 있다. 발광소자(80304)의 제2전극은, 공통 전극(80308)에 해당한다.
발광소자(80304)의 제2전극(공통 전극(80308))에는, 저전원전위가 설정되어 있다. 저전원전위란, 전원선(80307)에 설정되는 고전원전위를 기준으로 해서, 저전원전위<고전원전위를 만족시키는 전위이며, 저전원전위에서는 예를 들면 GND, 0V 등이 설정되어 있어도 된다. 이 고전원전위와, 저전원전위의 전위차를, 발광소자(80304)에 인가하여, 발광소자(80304)에 전류를 흘려보낸다. 여기에서, 발광소자(80304)를 발광시키기 위해, 고전원전위와, 저전원전위의 전위차가, 발광소자(80304)의 순방향 임계전압 이상이 되도록, 각각의 전위를 설정한다.
용량소자(80303)는, 구동용 트랜지스터(80302)의 게이트 용량을 대용해서 생략하는 것도 가능하다. 구동용 트랜지스터(80302)의 게이트 용량에 대해서는, 소스 영역, 드레인 영역 또는 LDD 영역 등과, 게이트 전극이 겹쳐, 오버랩하고 있는 영역에서 용량이 형성되어 있어도 된다. 또는, 채널 영역과, 게이트 전극의 사이에서, 용량이 형성되어 있어도 된다.
전압입력 전압구동 방식의 경우에는, 구동용 트랜지스터(80302)의 게이트에는, 구동용 트랜지스터(80302)가 충분하게 온되거나, 오프되거나의, 2개의 상태가 되는 비디오신호를 입력한다. 즉, 구동용 트랜지스터(80302)은, 선형 영역에서 동작한다.
구동용 트랜지스터(80302)가, 포화 영역에서 동작하도록 하는 비디오신호를 입력함으로써 발광소자(80304)에 전류를 흘려보낼 수 있다. 발광소자(80304)가, 전류에 따라 휘도를 결정하도록 하는 소자이면, 발광소자(80304)의 열화에 의한 휘도의 저하를 억제할 수 있다. 더구나, 비디오신호를 아날로그로 함으로써 발광소자(80304)에 비디오신호에 따른 전류를 흘려보낼 수 있다. 이 경우, 아날로그 계조 구동을 할 수 있다.
임계전압 보정형이라고 불리는 화소의 구성 및 동작에 관하여 설명한다. 임계전압 보정형의 화소는, 디지털 시간계조 구동 및 아날로그 계조구동에 적용할 수 있다.
도70은, 임계전압 보정형이라고 불리는 화소의 구성의 일례를 도시한 도면이다.
도70에 나타내는 화소는, 구동용 트랜지스터(80600), 제1의 스위치(80601), 제2의 스위치(80602), 제3의 스위치(80603), 제1의 용량소자(80604), 제2의 용량소자(80605) 및 발광소자(80620)를 가지고 있다. 구동용 트랜지스터(80600)의 게이트는, 제1의 용량소자(80604)와, 제1의 스위치(80601)를, 순차적으로 통해 신호선(80611)과 접속되어 있다. 또한 구동용 트랜지스터(80600)의 게이트는, 제2의 용량소자(80605)를 거쳐, 전원선(80612)과 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(80600)의 제1전극은, 전원선(80612)과 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(80600)의 제2전극은, 제3의 스위치(80603)를 거쳐, 발광소자(80620)의 제1의 전극과 접속되어 있다. 또한 구동용 트랜지스터(80600)의 제2전극은, 제2의 스위치(80602)를 거쳐, 구동용 트랜지스터(80600)의 게이트와 접속되어 있다. 발광소자(80620)의 제2의 전극은, 공통 전극(80621)에 해당한다. 또한, 제1의 스위치(80601), 제2의 스위치(80602) 및 제3의 스위치(80603)는, 각각 제1의 주사선(80613)에 입력되는 신호, 제2의 주사선(80615)에 입력되는 신호 및 제3의 주사선(80614)에 입력되는 신호에 의해, 온과 오프가 제어되고 있다.
도70에 나타내는 화소구성은, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 도70에 나타내는 화소에 새롭게 스위치, 저항소자, 용량소자, 트랜지스터 또는 논리회로 등을 추가해도 된다. 예를 들면 제2의 스위치(80602)를, P채널형 트랜지스터 또는 N채널형의 트랜지스터로 구성하고, 제3의 스위치(80603)를, 제2의 스위치(80602)와는 다른 극성의 트랜지스터로 구성하고, 제2의 스위치(80602) 및 제3의 스위치(80603)을, 같은 주사선으로 제어해도 된다.
전류입력형이라고 불리는 화소의 구성 및 동작에 관하여 설명한다. 전류입력형의 화소는, 디지털 계조구동 및 아날로그 계조구동에 적용할 수 있다.
도71은, 전류입력형이라고 불리는 화소의 구성의 일례를 도시한 도면이다.
도71에 나타내는 화소는, 구동용 트랜지스터(80700), 제1의 스위치(80701), 제2의 스위치(80702), 제3의 스위치(80703), 용량소자(80704) 및 발광소자(80730)를 가지고 있다. 구동용 트랜지스터(80700)의 게이트는, 제2의 스위치(80702)과, 제1의 스위치(80701)를 순차적으로 개재하여, 신호선(80711)에 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(80700)의 게이트는, 용량소자(80704)를 거쳐, 전원선(80712)에 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(80700)의 제1전극은, 전원선(80712)에 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(80700)의 제2전극은, 제1의 스위치(80701)를 거쳐, 신호선(80711)에 접속되어 있다. 구동용 트랜지스터(80700)의 제2전극은, 제3의 스위치(80703)를 거쳐 발광소자(80730)의 제1의 전극에 접속되어 있다. 발광소자(80730)의 제2의 전극은, 공통 전극(80731)에 해당한다. 또한, 제1의 스위치(80701), 제2의 스위치(80702) 및 제3의 스위치(80703)는, 각각 제1의 주사선(80713)에 입력되는 신호, 제2의 주사선(80714)에 입력되는 신호 및 제3의 주사선(80715)에 입력되는 신호에 의해, 온과 오프가 제어되고 있다.
도71에 나타내는 화소구성은, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면 도71에 나타내는 화소에 새롭게 스위치, 저항소자, 용량소자, 트랜지스터 또는 논리회로 등을 추가해도 된다. 예를 들면 제1의 스위치(80701)를, P채널형 트랜지스터 또는 N채널형 트랜지스터로 구성하고, 제2의 스위치(80702)을, 제1의 스위치(80701)와 같은 극성의 트랜지스터로 구성하고, 제1의 스위치(80701) 및 제2의 스위치(80702)를, 같은 주사선으로 제어해도 된다. 제2의 스위치(80702)는, 구동용 트랜지스터(80700)의 게이트와 신호선(80711)의 사이에 배치되어 있어도 된다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부이어도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예16)
본 실시예에 있어서는, 표시장치의 화소구조에 관하여 설명한다. 특히, 유기EL소자를 사용한 표시장치의 화소구조에 관하여 설명한다.
도72a은, 1개의 화소에, 2개의 트랜지스터를 가지는 화소의 평면도(배치도)의 일례이다. 도72b은, 도72a에 나타내는 X-X'의 부분의 단면도의 일례이다.
도72a은, 제1의 트랜지스터(60105), 제1의 배선(60106), 제2의 배선(60107), 제2의 트랜지스터(60108), 제3의 배선(60111), 대향전극(60112), 콘덴서(60113), 화소전극(60115), 격벽(60116), 유기도전체막(60117), 유기박막(60118) 및 기판(60119)을 보이고 있다. 또한, 제1의 트랜지스터(60105)는, 스위칭용 트랜지스터로서, 제2의 트랜지스터(60108)는 구동용 트랜지스터로서, 각각 사용되는 것이 적합하다. 또한 제1의 배선(60106)은 게이트 신호선으로서, 제2의 배선(60107)은 소스 신호선으로서, 제3의 배선(60111)은 전류공급선으로서, 각각 사용되는 것이 적합하다.
제1의 트랜지스터(60105)의 게이트 전극은, 제1의 배선(60106)과 전기적으로 접속되고, 제1의 트랜지스터(60105)의 소스전극 및 드레인 전극의 한쪽은, 제2의 배선(60107)과 전기적으로 접속되고, 제1의 트랜지스터(60105)의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽은, 제2의 트랜지스터(60108)의 게이트 전극 및 콘덴서(60113)의 한쪽의 전극과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 제1의 트랜지스터(60105)의 게이트 전극은, 복수의 게이트 전극으로 구성되어 있다. 이렇게 함으로써 제1의 트랜지스터(60105)의, 오프 상태에 있어서의 리크 전류를 저감할 수 있다.
제2의 트랜지스터(60108)의 소스 전극 및 드레인 전극의 한쪽은, 제3의 배선(60111)과 전기적으로 접속되고, 제2의 트랜지스터(60108)의 소스 전극 및 드레인 전극의 다른 쪽은, 화소전극(60115)과 전기적으로 접속된다. 이렇게 함으로써 화소전극(60115)에 흐르는 전류를, 제2의 트랜지스터(60108)에 의해 제어할 수 있다.
화소전극(60115) 위에는, 유기도전체막(60117)이 설치되고, 다시 유기박막(60118)(유기 화합물층)이 설치된다. 유기박막(60118)(유기 화합물층) 위에는, 대향전극(60112)이 설치된다. 또한, 대향전극(60112)은, 모든 화소에서 공통적으로 접속되도록 형성되어 있어도 되고, 쉐도우 마스크 등을 사용해서 패턴형성되어 있어도 된다.
* 유기박막(60118)(유기 화합물층)에서 발생한 빛은, 화소전극(60115) 또는 대향전극(60112) 중 어느 하나를 투과해서 발생한다.
도72b에 있어서, 화소전극측, 즉 트랜지스터 등이 형성되어 있는 측에 빛이 발생할 경우를 저면방사, 대향전극측에 빛이 발생할 경우를 상면방사라고 부른다. 저면방사의 경우, 화소전극(60115)은 투명도전막에 의해 형성되는 것이 적합하다. 반대로, 상면방사의 경우, 대향전극(60112)은 투명도전막에 의해 형성되는 것이 적합하다.
컬러 표시의 발광 장치에 있어서는, R, G, B 각각의 발광색을 가지는 EL소자를 나누어 만들어도 되고, 단색의 EL소자를 전체 한결같이 제작하여, 칼라필터에 의해 R, G, B의 발광을 얻도록 하여도 된다.
도72에 나타낸 구성은 어디까지나 일례이며, 화소 레이아웃, 단면 구성, EL소자의 전극의 적층 순서 등에 관해서, 도72에 나타낸 구성 이외에도, 여러가지의 구성을 채용할 수 있다. 또한 발광소자는, 도시된 유기박막으로 구성되는 소자 이외에, LED와 같은 결정성의 소자, 무기박막으로 구성되는 소자 등, 여러가지의 소자를 사용할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부이어도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예17)
본 실시예에 있어서는, EL 소자의 구조에 관하여 설명한다. 특히, 유기EL소자의 구조에 관하여 설명한다.
혼합 접합형의 EL소자의 구성에 관하여 설명한다. 그 일례로서, 정공주입 재료로부터 이루어지는 정공주입층, 정공수송 재료로 이루어지는 정공수송층, 발광 재료로 이루어지는 발광층, 전자수송 재료로 이루어지는 전자수송층, 전자주입재료로부터 이루어지는 전자주입층 등이, 명확하게 구별되도록 하는 적층구조가 아니라, 정공주입재료, 정공수송 재료, 발광 재료, 전자수송 재료, 전자주입재료 등의 재료 중에서, 복수의 재료가 혼합된 층(혼합층)을 가지는 구성(이하, 혼합 접합형의 EL소자로 표기한다)에 관하여 설명한다.
도73a, 도 73b, 도 73c, 도 73d 및 도 73e는, 혼합 접합형의 EL소자의 구조를 나타내는 모식도이다. 또한, 양극(190101)과 음극(190102) 사이에 끼워진 층이, EL층에 해당한다.
도73a에 표시되는 구성은, EL층이 정공수송 재료로 이루어지는 정공수송 영역(190103)과, 전자수송 재료로 이루어지는 전자수송 영역(190104)을 포함하고 있다. 정공수송 영역(190103)은, 전자수송 영역(190104)보다도 양극측에 위치하고 있다. 또한 정공수송 영역(190103)과, 전자수송 영역(190104) 사이에, 정공수송 재료 및 전자수송 재료의 양쪽을 포함하는 혼합 영역(190105)이 설치된다.
양극(190101)으로부터 음극(190102)의 방향으로, 혼합 영역(190105) 내부의 정공수송 재료의 농도가 감소하여, 혼합 영역(190105) 내부의 전자수송 재료의 농도가 증가하는 것을 특징으로 한다.
농도구배의 설정의 방법은, 자유롭게 설정하는 것이 가능하다. 예를 들면 정공수송 재료만으로 이루어지는 정공수송 영역(190103)이 존재하지 않고, 정공수송 재료 및 전자수송 재료의 양쪽을 포함하는 혼합 영역(190105) 내부에서, 각 기능재료의 농도의 비율이 변화하는(농도구배를 가진) 구성으로 하여도 된다. 또는, 정공수송 재료만으로 이루어지는 정공수송 영역(190103) 및 전자수송 재료만으로 이루어지는 전자수송 영역(190104)이 존재하지 않고, 정공송 재료 및 전자수송 재료의 양쪽을 포함하는 혼합 영역(190105) 내부에서, 각 기능재료의 농도의 비율이 변화하는(농도구배를 가진) 구성이라도 된다. 또는, 농도의 비율은, 양극 또는 음극으로부터의 거리에 의존해서 변화되는 구성이라도 된다. 또한, 농도의 비율의 변화는 연속적이라도 된다.
혼합 영역(190105) 내부에, 발광 재료가 첨가된 영역(190106)을 가진다. 발광 재료에 의해, EL소자의 발광색을 제어할 수 있다. 또한 발광 재료에 의해, 캐리어를 트랩할 수 있다. 발광 재료로서는, 키놀린 골격을 포함하는 금속착체, 벤조옥사돌 골격을 포함하는 금속착체, 벤조 티아졸 골격을 포함하는 금속착체 등 이외에, 각종 형광색소를 사용할 수 있다. 이들 발광 재료를 첨가함으로써, EL소자의 발광색을 제어할 수 있다.
양극(190101)으로서는, 효율적으로 정공을 주입하기 위해, 일함수가 큰 전극재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면 인듐 주석산화물(ITO), 인듐 아연산화물(IZO), ZnO, SnO2 또는 In203등의 투명전극을 사용할 수 있다. 또는, 투광성을 가질 필요가 없으면, 양극(190101)은, 불투명의 금속재료라도 된다.
정공수송 재료로서는, 방향족 아민계의 화합물 등을 사용할 수 있다.
전자수송 재료로서는, 키놀린 유도체, 8-키놀리놀 또는 그 유도체를 배위자로 하는 금속착체(특히, 트리스(8-키놀리노라토)알루미늄(Alq3)) 등을 사용할 수 있다.
음극(190102)으로서는, 효율적으로 전자를 주입하기 위해, 일함수가 작은 전극재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면 알루미늄, 인듐, 마그네슘, 은, 칼슘, 바륨, 리튬 등의 금속을 단체로 사용할 수 있다. 또는, 이들 금속의 합금이여도 되고, 이들 금속과 다른 금속의 합금이라도 된다.
도73a와는 다른 구성의 EL 소자의 모식도를, 도73b에 나타낸다. 또한, 도73a과 같은 부분은 동일한 부호를 사용해서 나타내고, 설명은 생략한다.
도73b에서는, 발광 재료가 첨가된 영역을 갖지 않는다. 그러나, 전자수송 영역(190104)에 첨가하는 재료로서, 전자수송성 및 발광성의 양쪽을 가지는 재료(전자수송 발광 재료), 예를 들면 트리스(8-키놀리노라토)알루미늄(Alq3)을 사용하는 구성으로 함으로써, 발광시킬 수 있다.
혹은, 정공수송 영역190103에 첨가하는 재료로서, 정공수송성 및 발광성의 양쪽을 가지는 재료(정공수송 발광 재료)을 사용해도 된다.
도73a 및 도73b과는 다른 구성의 EL소자의 모식도를 도73c에 나타낸다. 또한, 도73a 및 도73b과 같은 부분은 동일한 부호를 사용해서 나타내고, 설명은 생략한다.
도73c에 있어서, 정공수송 재료와 비교하여, 최고 피점 분자궤도와 최저 공분자궤도와의 에너지 차이가 큰 정공 블로킹 재료가, 혼합 영역(190105) 내부에 첨가된 영역(190107)을 가진다. 정공 블록킹성 재료가 첨가된 영역(190107)을, 혼합 영역(190105) 내부의 발광 재료가 첨가된 영역(190106)보다, 음극(190102)측에 배치함으로써, 캐리어의 재결합율을 상승시켜, 발광 효율을 상승시킬 수 있다. 상기한, 정공 블록킹성 재료가 첨가된 영역(190107)을 설치하는 구성은, 특히, 3중 광 여기자에 의한 발광(인광)을 이용하는 EL소자에 있어서 유효하다.
도73a, 도73b 및 도73c와는 다른 구성의 EL소자의 모식도를 도73d에 나타낸다. 또한, 도73a, 도73b 및 도73c과 같은 부분은 동일한 부호를 사용해서 나타내고, 설명은 생략한다.
도73d에 있어서, 전자수송 재료와 비교하여, 최고 피점 분자궤도와 최저 공분자궤도의 에너지 차이가 큰 전자 블록킹성 재료가, 혼합 영역(190105) 내부에 첨가된 영역(190108)을 가진다. 전자 블록킹성 재료가 첨가된 영역(190108)을, 혼합 영역(190105) 내부의 발광 재료가 첨가된 영역(190106)보다, 양극(190101)측에 배치함으로써, 캐리어의 재결합율을 상승시켜, 발광 효율을 상승시킬 수 있다. 상기한 전자 블록킹성 재료가 첨가된 영역(190108)을 설치하는 구성은, 특히, 3중 광 여기자에 의한 발광(인광)을 이용하는 EL소자에 있어서 유효하다.
도73e는, 도73a, 도73b, 도73c 및 도73d와는 다른 혼합 접합형의 EL소자의 구성을 나타내는 모식도이다. 도73e에서는, EL소자의 전극에 접하는 EL층의 부분에, 금속재료를 첨가한 영역(190109)을 가지는 구성의 예를 나타낸다. 도73e에 있어서, 도73a?도73d과 같은 부분은 동일한 부호를 사용해서 나타내고 설명은 생략한다. 도73e에 나타내는 구성은, 예를 들면 음극(190102)으로서 MgAg(Mg-Ag합금)을 사용하고, 전자수송 재료가 첨가된 전자수송 영역(190104)의, 음극(190102)에 접하는 영역에 Al(알루미늄) 합금을 첨가한 영역(190109)을 가지는 구성이라도 된다. 상기 구성에 의해, 음극의 산화를 방지하고, 또한, 음극으로부터의 전자의 주입 효율을 높일 수 있다. 이렇게 해서, 혼합 접합형의 EL소자에서는, 그 수명을 길게 할 수 있다. 또한 구동전압도 낮게 할 수 있다.
상기 혼합 접합형의 EL소자를 제작하는 수법으로서는, 공증착법 등을 사용할 수 있다.
도73a?도73e에 도시된 것과 같은 혼합 접합형의 EL소자에서는, 명확한 층의 계면이 존재하지 않아, 전하의 축적을 저감할 수 있다. 이렇게 해서, 그 수명을 길게 할 수 있다. 또한 구동전압도 낮게 할 수 있다.
도73a?도73e에 나타낸 구성은, 자유롭게 조합하여 실시하는 것이 가능하다.
혼합 접합형의 EL소자의 구성은, 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 구성을 자유롭게 사용할 수 있다.
EL소자의 EL층을 구성하는 유기재료로서는, 저분자재료라도 고분자재료라도 된다. 또는, 이들 재료를 양쪽 사용해도 된다. 유기 화합물재료로서 저분자재료를 사용하는 경우에는, 증착법에 의해 성막할 수 있다. 한편, EL층으로서 고분자재료를 사용할 경우에서는, 고분자재료를 용매에 용해시키고, 스핀 도포법 또는 잉크젯 방식으로 성막할 수 있다.
EL층은, 중분자 재료로 구성되어 있어도 된다. 본 명세서중에 있어서, 중분자계 유기발광 재료란, 승화성을 갖지 않고, 또한, 중합도가 20 정도 이하의 유기발광 재료를 나타내는 것으로 한다. EL층으로서 중분자 재료를 사용할 경우에서는, 잉크젯 방식 등으로 성막할 수 있다.
저분자 재료와, 고분자 재료와, 중분자 재료를 조합해서 사용해도 된다.
EL소자는, 1중항 여기자로부터의 발광(형광)을 이용하는 것이라도, 3중항 여기자로부터의 발광(인광)을 이용하는 것이라도, 어느쪽이라도 된다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부이어도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예18)
본 실시예에 있어서는, EL소자의 구조에 관하여 설명한다. 특히, 무기 EL소자의 구조에 관하여 설명한다.
발광 재료에 사용하는 모체 재료로서는, 황화물, 산화물, 질화물을 사용할 수 있다. 황화물로서는, 예를 들면 황화아연(ZnS), 황화카드뮴(CdS), 황화 칼슘(CaS), 황화 이트륨(Y2S3), 황화 갈륨(Ga2S3), 황화 스트론튬(SrS), 황화 바륨(BaS) 등을 사용할 수 있다. 산화물로서는, 예를 들면 산화아연(ZnO), 산화이트륨(Y203) 등을 사용할 수 있다. 질화물로서는, 예를 들면 질화알루미늄(AIN), 질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN) 등을 사용할 수 있다. 더구나, 셀렌화아연(ZnSe), 테루르화아연(ZnTe) 등도 사용할 수 있다. 또한 황화칼슘갈륨(CaGa2S4), 황화스트론튬갈륨(SrGa2S4), 황화바륨갈륨(BaGa2S4) 등의 3원계의 혼정이라도 된다.
국소형 발광의 발광중심으로서, 망간(Mn), 구리(Cu), 사마륨(Sm), 테르븀(Tb), 에르븀(Er), 튜륨(Tm), 유로피엄(Eu), 세륨(Ce), 프라세오디윰(Pr) 등을 사용할 수 있다. 또한, 전하보상으로서, 불소(F), 염소(Cl) 등의 할로겐 원소가 첨가 되어 있어도 된다.
한편, 도너억셉터 재결합형 발광의 발광중심으로서, 도너 준위를 형성하는 제1의 불순물 원소 및 억셉터 준위를 형성하는 제2의 불순물원소를 포함한, 발광 재료를 사용할 수 있다. 제1의 불순물원소는, 예를 들면 불소(F), 염소(Cl), 알루미늄(Al) 등을 사용할 수 있다. 제2의 불순물원소로서는, 예를 들면 구리(Cu), 은(Ag) 등을 사용할 수 있다.
도74a?도74c에 발광소자로서 사용할 수 있는, 박막형 무기 EL소자의 일례를 나타낸다. 도74a?도74c에 있어서, 발광소자는, 제1의 전극층(120100), 전계발광층(120102) 및 제2의 전극층(120103)을 포함한다.
도74b 및 도74c에 나타내는 발광소자는, 도74a의 발광소자에 있어서, 전극층과, 전계발광층과의 사이에, 절연막을 설치하는 구조이다. 도74b에 나타내는 발광소자는, 제1의 전극층(120100)과, 전계발광층(120102)의 사이에, 절연막(120104)을 가지고 있다. 도74c에 나타내는 발광소자는, 제1의 전극층(120100)과, 전계발광층(120102)과의 사이에, 절연막(120105)을 가지고, 제2의 전극층(120103)과, 전계발광층(120102)의 사이에, 절연막(120106)을 가지고 있다. 이렇게, 절연막은, 전계발광층을 끼우는 한 쌍의 전극층 중에서 한쪽의 사이에만 형성해도 되고, 양쪽의 사이에 형성해도 된다. 또한 절연막은 단층이라도 되고, 복수층을 가지는 적층이어도 된다.
도75a?도75c에, 발광소자로서 사용할 수 있는 분산형 무기 EL소자의 일레를 나타낸다. 도75a에 있어서의 발광소자는, 제1의 전극층(120200), 전계발광층(120202) 및 제2의 전극층(120203)의 적층구조를 가지고, 전계발광층(120202) 중에, 바인더에 의해 지지된 발광 재료(120201)를 포함한다.
도75b 및 도75c에 나타내는 발광소자는, 도75a의 발광소자에 있어서, 전극층과, 전계발광층과의 사이에, 절연막을 설치하는 구조이다. 도75b에 나타내는 발광소자는, 제1의 전극층(120200)과, 전계발광층(120202)과의 사이에, 절연막(120204)을 가지고 있다. 도75c에 나타내는 발광소자는, 제1의 전극층(120200)과, 전계발광층(120202)과의 사이에, 절연막(120205)을 가지고, 제2의 전극층(120203)과, 전계발광층(120202)과의 사이에, 절연막(120206)을 가지고 있다. 이렇게, 절연막은, 전계발광층을 끼우는 한 쌍의 전극층 중, 한쪽의 사이에만 형성해도 되고, 양쪽의 사이에 형성해도 된다. 또한 절연막은, 단층이라도 되고, 복수층을 가지는 적층이어도 된다.
도75b에서는, 제1의 전극층(120200)에 접하도록, 절연막(120204)이 설치되지만, 절연막과 전계발광층의 순서를 반대로 하고, 제2의 전극층(120203)에 접하도록 절연막(120204)을 형성해도 된다.
도74b에 있어서의 절연막(120104), 도75b에 있어서의 절연막(120204)과 같은, 절연막에 사용할 수 있는 재료는, 절연 내압이 높고, 치밀한 막질인 것이 바람직하다. 더구나, 유전율이 높은 것이 바람직하다. 예를 들면 산화 실리콘(SiO2), 산화이트륨(Y203), 산화티탄(TiO2), 산화알루미늄(A1203), 산화하프늄(Hf02), 산화탄탈(Ta205), 티탄산바륨(BaTi03), 티탄산스트론튬(SrTi03), 티탄산납(PbTiO3), 질화 실리콘(Si3N4) 또는 산화지르코늄(ZrO2) 등, 혹은 이것들의 혼합막 또는 2종 이상의 적층막을 사용할 수 있다. 이것들의 절연막은, 스퍼터링, 증착, CVD 등에 의해 성막할 수 있다. 절연막은, 이들 절연재료의 입자를, 바인더 중에 분산하여 성막해도 된다. 바인더 재료는, 전계발광층에 포함되는 바인더와 같은 재료, 방법을 사용해서 형성하면 된다. 막두께는 특별하게 한정될 일은 없지만, 바람직하게는 10?1000nm의 범위이다.
발광소자는, 전계발광층을 끼우는, 한 쌍의 전극층 사이에 전압을 인가하는 것으로 발광을 얻을 수 있지만, 직류구동 또는 교류 구동 중 어느 것에 있어서도 동작할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면의 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예19)
본 실시예에 있어서는, 표시장치의 일례, 특히 광학적인 취급을 행할 경우에 관하여 설명한다.
도76a 및 도 76b에 나타낸 배면 투영형 표시장치(130100)는, 프로젝터 유닛(130111), 미러(130112) 및 스크린 패널(130101)을 구비하고 있다. 그 밖에, 스피커(130102) 및 조작 스위치류(130104)를 구비하고 있어도 된다. 이 프로젝터 유닛(130111)은, 배면 투영형 표시장치(130100)의 하우징(130110)의 하부에 설치되어, 영상신호에 의거하여 영상을 비추는 투사광을 미러(130112)를 향해서 투사한다. 배면 투영형 표시장치(130100)는, 스크린 패널(130101)의 배면에서 투영되는 영상을 표시하는 구성으로 되어 있다.
한편, 도77은, 전방면 투영형 표시장치(130200)를 보이고 있다. 전방면 투영형 표시장치(130200)는, 프로젝터 유닛(130111) 및 투사 광학계(130201)를 구비하고 있다. 이 투사 광학계(130201)는, 전방면에 설치하는 스크린 등에 영상을 투영하는 구성으로 되어 있다.
도76에 나타낸 배면 투영형 표시장치(130100), 도77에 나타내는 전방면 투영형 표시장치(130200)에 적용되는 프로젝터 유닛(130111)의 구성을 이하에서 설명한다.
도78은, 프로젝터 유닛(130111)의 일 구성예를 보이고 있다. 이 프로젝터 유닛(130111)은, 광원 유닛(130301) 및 변조 유닛(130304)을 구비하고 있다. 광원 유닛(130301)은, 렌즈류를 포함하여 구성되는 광원광학계(130303)와, 광원 램프(130302)를 구비하고 있다. 광원 램프(130302)는, 미광이 확산하지 않도록 하우징 내에 수납되어 있다. 광원 램프(130302)로서는, 대광량의 빛을 방사가능한, 예를 들면 고압 수은램프 또는 제논 램프 등을 사용할 수 있다. 광원광학계(130303)는, 광학 렌즈, 편광기능을 가지는 필름, 위상차를 조절하기 위한 필름, IR필름 등을 적당하게 설치해서 구성된다. 그리고, 광원 유닛(130301)은, 방사광이 변조 유닛(130304에) 입사하도록 설치되어 있다. 변조 유닛(130304)은, 복수의 표시 패널(130308), 칼라필터, 다이클로익 미러(130305), 전반사 미러(130306), 위상차판(130307), 프리즘(130309) 및 투사 광학계(130310)를 구비하고 있다. 광원 유닛(130301)으로부터 방사된 빛은, 다이클로익 미러(130305)에서 복수의 광로로 분리된다.
각 광로에는, 소정의 파장 혹은 파장대의 빛을 투과하는 칼라필터와, 표시 패널(130308)이 구비되어 있다. 투과형인 표시 패널(130308)은, 영상신호에 의거하여 투과광을 변조한다. 표시 패널(130308)을 투과한 각 색의 빛은, 프리즘(130309)에 입사해 투사 광학계(130310)를 통해, 스크린 위에 영상을 표시한다. 또한, 프레넬 렌즈가 미러 및 스크린의 사이에 설치되어 있어도 된다. 그리고, 프로젝터 유닛(130111)에 의해 투사되어 미러에서 반사되는 투영광은 프레넬 렌즈에 의해 대략 평행광으로 변환되어, 스크린에 투영된다. 평행광은, 주광선과 광축의 차이가 ±10°이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 광선과 광축의 차이가 ±5°이하인 것이 바람직하다.
도79에서 나타내는 프로젝터 유닛(130111)은, 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409을 구비한 구성을 보이고 있다.
도79에서 나타내는 프로젝터 유닛(130111)은, 광원 유닛(130301)과, 변조 유닛(130400)을 구비하고 있다. 광원 유닛(130301)은, 도78과 동일한 구성이라도 된다. 광원 유닛(130301)으로부터의 빛은, 다이클로익 미러 130401, 다이클로익 미러 130402 및 전반사 미러(130403)에 의해, 복수의 광로로 나뉘어, 편광 빔 스플리터 130404, 편광 빔 스플리터 130405 및 편광 빔 스플리터 130406에 입사한다. 편광 빔 스플리터 130404, 편광 빔 스플리터 130405 및 편광 빔 스플리터 130406은, 각 색에 대응하는 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409에 대응해서 설치된다. 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409은, 영상신호에 의거하여 반사광을 변조한다. 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409에서 반사된 각 색의 빛은, 프리즘(130410)에 입사함으로써 합성되어서, 투사 광학계(130411)를 통해서 투사된다.
광원 유닛(130301)으로부터 방사된 빛은, 다이클로익 미러 130401에서 적색의 파장영역의 빛만을 투과하고, 녹색 및 청색의 파장 영역의 빛을 반사한다. 더구나, 다이클로익 미러 130402에서는, 녹색의 파장 영역의 빛만 반사된다. 다이클로익 미러 130401을 투과한 적색 파장영역의 빛은, 전반사 미러(130403)에서 반사되어, 편광 빔 스플리터 130404에 입사한다. 또한 청색 파장 영역의 빛은, 편광 빔 스플리터 130405에 입사하고, 녹색 파장영역의 빛은 편광 빔 스플리터 130406에 입사한다. 편광 빔 스플리터 130404, 편광 빔 스플리터 130405 및 편광 빔 스플리터 130406은, 입사광을 P편광과, S편광으로 분리하는 기능을 가지고, 또한 P편광만을 투과시키는 기능을 가지고 있다. 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409은, 영상신호에 의거하여 입사한 빛을 편광한다.
각 색에 대응하는 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409에는, 각 색에 대응하는 S편광만이 입사한다. 또한, 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409은, 액정 패널이라도 된다. 이때, 액정 패널은, 전계제어 복굴절 모드(ECB)에서 동작한다. 그리고, 액정분자는, 기판에 대해 어떤 각도를 갖고 수직배향하고 있다. 따라서, 반사형 표시 패널 130407, 반사형 표시 패널 130408 및 반사형 표시 패널 130409은, 화소가 오프 상태에 있을 때에는, 입사광의 편광상태를 변화시키지 않고 반사시키도록, 표시 분자가 배향하고 있다. 그리고, 화소가 온 상태에 있을 때에는, 표시 분자의 배향상태가 변화하여, 입사광의 편광상태가 변화된다.
도79에 나타내는 프로젝터 유닛(130111)은, 도76에 나타내는 배면 투영형 표시장치(130100), 및 도77에 나타내는 전방면 투영형 표시장치(130200)에 적용할 수 있다.
도80에 나타내는 프로젝터 유닛은, 단판식의 구성을 보이고 있다. 도80a에 나타낸 프로젝터 유닛(130111)은, 광원 유닛(130301), 표시 패널(130507), 투사 광학계(130511) 및 위상차판(130504)을 구비하고 있다. 투사 광학계(130511)는, 1개 또는 복수의 렌즈에 의해 구성되어 있다. 표시 패널(130507)에는, 칼라필터가 구비되어 있어도 된다.
도80b는, 필드 시퀀셜 방식으로 동작하는, 프로젝터 유닛(130111)의 구성을 보이고 있다. 필드 시퀀셜 방식은, 적색, 녹색, 청색 등의 각 색의 빛을 시간적으로 비켜 놓아서 순차 표시 패널에 입사시켜, 칼라필터가 없이 컬러 표시하는 방식이다. 특히, 입력 신호 변화에 대한 응답 속도가 큰 표시 패널과 조합하면, 고정세의 영상을 표시할 수 있다. 도80b에서는, 광원 유닛(130301)과, 표시 패널(130508) 사이에, 적색, 녹색, 청색 등의 복수의 컬러필터가 구비된 회전식의 컬러필터판(130505)을 구비하고 있다.
도80c에 나타내는 프로젝터 유닛(130111)는, 컬러 표시의 방식으로서, 마이크로렌즈를 사용한 색분리 방식의 구성을 보이고 있다. 이 방식은, 마이크로렌즈 어레이(130506_를, 표시 패널(130509)의 광 입사측에 구비하고, 각 색의 빛을 각각의 방향에서 조명함으로써 컬러 표시를 실현하는 방식이다. 이 방식을 채용하는 프로젝터 유닛(130111)은, 칼라필터에 의한 빛의 손실이 적으므로, 광원 유닛(130301)로부터의 빛을 유효하게 이용할 수 있다고 하는 특징을 가지고 있다. 도80c에게 나타내는 프로젝터 유닛(130111)은, 표시 패널(130509)에 대하여 각 색의 빛을 각각의 방향으로 조명하도록, 다이클로익 미러 130501, 다이클로익 미러 130502 및 다이클로익 미러 130503을 구비하고 있다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부이어도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례 및 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예20)
본 실시예에 있어서는, 전자기기의 예에 관하여 설명한다.
도81은 표시 패널(900101)과, 회로기판(900111)을 조합한 표시 패널 모듈을 보이고 있다. 표시 패널(900101)은, 화소부(900102), 주사선구동회로(900103) 및 신호선구동회로(9C10104)를 가지고 있다. 회로기판(900111)에는, 예를 들면 콘트롤 회로(900112) 및 신호 분할 회로(900113) 등이 형성되어 있다. 표시 패널(900101)과, 회로기판(900111)은, 접속 배선(900114)에 의해 접속되어 있다. 접속 배선에는, FPC 등을 사용할 수 있다.
도86은, 텔레비젼 수상기의 주요한 구성을 나타내는 블럭도다. 튜너(900201)는, 영상신호와 음성신호를 수신한다. 영상신호는, 영상신호증폭회로(900202)과, 영상신호증폭회로(900202)로부터 출력되는 신호를, 적색, 녹색, 청색 각 색에 대응한 색신호로 변환하는 영상신호처리 회로(900203)와, 그 영상신호를, 구동회로의 입력 사양으로 변환하기 위한 콘트롤 회로(900212)에 의해 처리된다. 콘트롤 회로(900212)는, 주사선구동회로(900214)와, 신호선구동회로(900204)에, 각각 신호를 출력한다. 그리고, 주사선구동회로(910214)와, 신호선구동회로(900204)이, 표시 패널(900211)을 구동한다. 디지털 구동할 경우에는, 신호선측에, 신호 분할 회로(900213)를 설치하여, 입력 디지털 신호를 m개(m은 양의 정수)로 분할해서 공급하는 구성으로 해도 된다.
튜너(900201)에서 수신한 신호 중에서, 음성신호는, 음성신호증폭회로(900205에 보내져, 그 출력은 음성신호처리 회로900206을 경과하고, 스피커900207)에 공급된다. 제어회로(900208)는, 수신국(수신 주파수) 및 음량의 제어 정보를 입력부(900209)로부터 받아, 튜너(900201) 또는 음성신호처리 회로(900206)에 신호를 송출한다.
도86과는 다른 형태의, 표시 패널 모듈을 조립한 텔레비젼 수상기에 대해서, 도87a에 나타낸다. 도87a에 있어서, 하우징(900301) 내부에 수납된 표시 화면(900302)은, 표시 패널 모듈로 형성된다. 또한, 스피커(900303), 입력 수단(조작 키(900304), 접속 단자(900305), 센서(900306)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(900307)) 등이 적당하게 구비되어 있어도 된다.
도87b에, 와이어리스로 디스플레이만을 휴대 가능한 텔레비젼 수상기를 나타낸다. 이 텔레비젼 수상기에는, 표시부(900313), 스피커부(900317), 입력 수단(조작 키(900316), 접속 단자(900318), 센서(900319)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(900320))등이 적당하게 구비되어 있다. 하우징(900312)에는, 배터리 및 신호 수신기가 수납되어 있고, 그 배터리로 표시부(900313), 스피커부(900317), 센서(900319) 및 마이크로폰(900320)을 구동시킨다. 배터리는, 충전기(900310)로 반복해 충전이 가능하게 되어 있다. 충전기(900310)는, 영상신호를 송수신하는 것이 가능해서, 그 영상신호를, 디스플레이의 신호 수신기에 송신할 수 있다. 도87b에 나타내는 장치는, 조작 키(900316)에 의해 제어된다. 또는, 도87b에 나타내는 장치는, 조작 키(900316)를 조작함으로써, 충전기(900310)에 신호를 보내는 것이 가능하다. 즉, 영상음성 쌍방향 통신장치라도 된다. 또는, 도87b에 나타내는 장치는, 조작 키(900316)를 조작함으로써, 충전기(900310)에 신호를 보내고, 다시 충전기(900310)가 송신할 수 있는 신호를, 다른 전자기기에 수신시킴으로써 다른 전자기기의 통신제어도 가능하다. 즉, 범용 원격제어장치라도 된다. 또한, 본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 표시부(900313)에 적용할 수 있다.
다음에 도88을 참조하여, 휴대전화의 구성예 에 관하여 설명한다.
표시 패널(900501)은, 하우징(900530)에 탈착이 자유롭게 조립된다. 하우징(900530)은, 표시 패널(900501)의 사이즈에 맞추어, 형상 또는 치수를 적당하게 변경할 수 있다. 표시 패널(900501)을 고정한 하우징(900530)은, 프린트 기판(900531)에 끼워넣어져, 모듈로서 조립할 수 있다.
표시 패널(900501)은, FPC(900513)를 거쳐, 프린트 기판(900531)에 접속된다. 프린트 기판(900531)에는, 스피커(900532), 마이크로폰(900533), 송수신회로(900534), CPU, 콘트롤러 등을 포함하는 신호 처리 회로(900535) 및 센서(900541)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것)이 형성되어 있다. 이러한 모듈과, 조작 키(9005360, 배터리(900537), 안테나(900540)를 조합하여, 하우징(900539)에 수납한다. 표시 패널(900501)의 화소부는, 하우징(900539)에 형성된 개구창으로부터 시인할 수 있도록 배치한다.
표시 패널(900501)은, 화소부와 일부의 주변구동회로(복수의 구동회로 중 동작 주파수가 낮은 구동회로)을 기판 위에 트랜지스터를 사용해서 일체형성하고, 일부의 주변구동회로(복수의 구동회로 중 동작 주파수가 높은 구동회로)을 IC칩 위에 형성하고, 그 IC칩을 COG(Chip On Glass)로 표시 패널(900501)에 설치해도 된다. 또는, 그 IC칩을, TAB(Tape Automated Bonding) 또는 프린트 기판을 사용하여, 유리 기판과 접속해도 된다. 이러한 구성으로 함으로써, 표시장치의 저소비 전력화를 꾀하고, 휴대전화기의 1회의 충전에 의한 사용 시간을 길게 할 수 있다. 또한 휴대전화기의 저비용화를 꾀할 수 있다.
도88에 나타낸 휴대전화는, 여러가지의 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)을 표시하는 기능을 가진다. 카렌다, 날짜 또는 시간 등을, 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 표시부에 표시한 정보를, 조작 또는 편집하는 기능을 가진다. 여러가지의 소프트웨어(프로그램)에 의해, 처리를 제어하는 기능을 가진다. 무선통신기능을 가진다. 무선통신기능을 사용하여, 다른 휴대전화, 고정 전화 또는 음성통신기기와 통화하는 기능을 가진다. 무선통신기능을 사용하여, 여러가지의 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능을 가진다. 무선통신기능을 사용하여, 여러가지의 데이터를 송신 또는 수신하는 기능을 가진다. 착신, 데이터의 수신 또는 알람에 따라, 바이브레이터가 동작하는 기능을 가진다. 착신, 데이터의 수신 또는 알람에 따라, 소리가 발생하는 기능을 가진다. 또한, 도88에 나타낸 휴대전화가 가지는 기능은 이것들에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도89a는 디스플레이로서, 하우징(900711), 지지대(900712), 표시부(900713), 스피커(900717), LED 램프(900719), 입력 수단(접속 단자(900714), 센서(900715)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(900716), 조작 키(900718) 등을 포함한다. 도89a에 나타내는 디스플레이는, 여러가지의 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 또한, 도89a에 나타내는 디스플레이가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도89b은 카메라이며, 본체(900731), 표시부(900732), 셔터 버튼(900736), 스피커(900740), LED 램프(900741), 입력 수단(수상부(900733), 조작 키(900734), 외부접속 포트(900735), 접속 단자(900737), 센서(900738)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(900739)) 등을 포함한다. 도89b에 나타내는 카메라는, 정지 화상을 촬영하는 기능을 가진다. 동영상을 촬영하는 기능을 가진다. 촬영한 화상(정지 화상, 동영상)을 자동으로 보정하는 기능을 가진다. 촬영한 화상을, 기록 매체(외부 또는 카메라에 내장)에 보존하는 기능을 가진다. 촬영한 화상을, 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 또한, 도89b에 나타내는 카메라가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도89c는 컴퓨터이며, 본체(900751), 하우징(900752), 표시부(900753), 스피커(900760), LED램프(900761), 리더/라이터(900762), 입력 수단(키보드(900754), 외부접속 포트(900755), 포인팅 디바이스(900756), 접속 단자(900757), 센서(900758)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(900759)) 등을 포함한다. 도89c에 나타내는 컴퓨터는, 여러가지의 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)을, 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 여러가지의 소프트웨어(프로그램)에 의해, 처리를 제어하는 기능을 가진다. 무선통신 또는 유선통신 등의 통신기능을 가진다. 통신기능을 사용하여, 여러가지의 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능을 가진다. 통신기능을 사용하여, 여러가지의 데이터를 송신 또는 수신하는 기능을 가진다. 또한, 도89c에 나타내는 컴퓨터가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도96a은 모바일 컴퓨터이며, 본체(901411), 표시부(901412), 스위치(901413), 스피커(901419), LED램프(901420), 입력 수단(조작 키(901414), 적외선 포트(901415), 접속 단자(901416), 센서(901417)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(901418)) 등을 포함한다. 도96a에 나타내는 모바일 컴퓨터는, 여러가지의 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를, 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 표시부에 터치패널의 기능을 가진다. 카렌다, 날짜 또는 시간 등을, 표시하는 기능을 표시부에 가진다. 여러가지의 소프트웨어(프로그램)에 의해, 처리를 제어하는 기능을 가진다. 무선통신기능을 가진다. 무선통신기능을 사용하여, 여러가지의 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능을 가진다. 무선통신기능을 사용하여, 여러가지의 데이터를 송신 또는 수신하는 기능을 가진다. 또한, 도96a에 나타내는 모바일 컴퓨터가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도96b은 기록 매체를 구비한 휴대형의 화상재생장치(예를 들면 DVD 재생장치)이며, 본체(901431), 하우징(901432), 표시부A(901433), 표시부B(901434), 스피커부(901437), LED램프(901441), 입력 수단(기록 매체(DVD 등) 판독부(901435), 조작 키(901436), 접속 단자(901438), 센서(901439)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(901440)) 등을 포함한다. 표시부A(901433)는, 주로 화상정보를 표시하고, 표시부B(901434)는, 주로 문자정보를 표시한다.
도96c은 고글형 디스플레이이며, 본체(901451), 표시부(901452), 이어폰(901453), 지지부(901454), LED램프(901459), 스피커(901458), 입력 수단(접속 단자(901455), 센서(901456)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(901457) 등을 포함한다. 도96c에 나타내는 고글형 디스플레이는, 외부에서 취득한 화상(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상등)을 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 또한, 도96c에 나타내는 고글형 디스플레이가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도97a은 휴대형 게임기이며, 하우징(901511), 표시부(901512), 스피커부(901513), 기록 매체 삽입부(901515), LED램프(901519), 입력 수단(조작 키(901514), 접속 단자(901516), 센서(901517)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(901518)) 등을 포함한다. 도97a에 나타내는 휴대형 게임기는, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여, 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 다른 휴대형 게임기와 무선통신하여, 정보를 공유하는 기능을 가진다. 또한, 도97a에 나타내는 휴대형 게임기가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도97b은 텔레비젼 수상 기능 부착 디지털 카메라이며, 본체(901531), 표시부(901532), 스피커(901534), 셔터 버튼(901535), LED램프(901541), 입력 수단(조작 키(901533), 수상부(901536), 안테나(901537), 접속 단자(901538), 센서(901539)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액체, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(901540)) 등을 포함한다. 도97b에 나타내는 텔레비젼 수상 기능 부착 디지털 카메라는, 정지 화상을 촬영하는 기능을 가진다. 동영상을 촬영하는 기능을 가진다. 촬영한 화상을, 자동으로 보정하는 기능을 가진다. 안테나로부터, 여러가지의 정보를 취득하는 기능을 가진다. 촬영한 화상, 또는 안테나로부터 취득한 정보를, 보존하는 기능을 가진다. 촬영한 화상, 또는 안테나로부터 취득한 정보를, 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 또한, 도97b에 나타내는 텔레비젼 수상기 부착 디지털 카메라가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도98은 휴대형 게임기이며, 하우징(901611), 제1 표시부(901612), 제2표시부(901613), 스피커부(901614), 기록 매체 삽입부(901616), LED램프(901620), 입력 수단(조작 키(901615), 접속 단자(901617), 센서(901618)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 빛, 액, 자기, 온도, 화학물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(901619)) 등을 포함한다. 도98에 나타내는 휴대형 게임기는, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여, 표시부에 표시하는 기능을 가진다. 다른 휴대형 게임기와 무선통신하여, 정보를 공유하는 기능을 가진다. 또한, 도98에 나타내는 휴대형 게임기가 가지는 기능은 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 기능을 가질 수 있다.
도89a?도89c, 도96a?도96c, 도97a?도97b, 및 도98에 도시된 것과 같이, 전자기기는, 어떠한 정보를 표시하기 위한 표시부를 가지는 것을 특징으로 한다.
다음에 반도체장치의 응용예를 설명한다.
도90에, 반도체장치를, 건조물과 일체로 해서 설치한 예에 대해서 나타낸다. 도90은, 하우징(900810), 표시부(900811), 조작부인 리모트 콘트롤 장치(900812), 스피커부(900813) 등을 포함한다. 반도체장치는, 벽걸이형으로서 건물과 일체가 되어 있고, 설치하는 스페이스를 넓게 필요로 하는 않고 설치가능하다.
도91에, 건조물 내에 반도체장치를, 건조물과 일체로 해서 설치한 다른 예에 대해서 나타낸다. 표시 패널(900901)은, 유닛 배스(900902)와 일체로 부착되어 있으며, 입욕자는 표시 패널(900901)의 시청이 가능하게 된다. 표시 패널(900901)은, 입욕자가 조작함으로써 정보를 표시하는 기능을 가진다. 광고 또는 오락수단으로서 이용할 수 있는 기능을 가진다.
반도체장치는, 도91에서 나타낸 유닛 배스(900902)의 측벽 뿐만 아니라, 여러가지의 장소에 설치할 수 있다. 예를 들면 거울면의 일부 또는 욕조 자체와 일체로 하는 등으로 해도 된다. 이때, 표시 패널(900901)의 형상은, 경면 또는 욕조의 형상에 맞춘 것으로 되어 있어도 된다.
도92에, 반도체장치를, 건조물과 일체로 해서 설치한 다른 예에 대해서 나타낸다. 표시 패널(901002)은, 기둥 모양 몸체(901001)의 곡면에 맞춰서 만곡시켜서 부착되어 있다. 여기에서는, 기둥 모양 몸체(901001)를 전주로서 설명한다.
도92에 나타내는 표시 패널(901002)은, 인간의 시점보다 높은 위치에 설치된다. 전주와 같이, 옥외에서 세워져 있는 건조물에 표시 패널(901002)을 설치함으로써 불특정 다수의 시인자에게 광고를 행할 수 있다. 표시 패널(901002)은, 외부에서의 제어에 의해, 같은 화상을 표시시키는 것, 및 순시로 화상을 바꾸는 것이 용이하기 때문에, 매우 효율적인 정보표시, 및 광고효과를 기대할 수 있다. 표시 패널(901002)에 자발광형의 표시 소자를 설치함으로써, 야간이라도, 시인성이 높은 표시 매체로서 유용하다고 할 수 있다. 전주에 설치함으로써 표시 패널(901002)의 전력공급 수단의 확보가 용이하다. 재해 발생시등의 비상사태일 때에는, 이재민에게 재빠르게 정확한 정보를 전달하는 수단이 될 수 있다.
표시 패널(901002)로서는, 예를 들면 필름 형태의 기판에 유기 트랜지스터 등의 스위칭소자를 설치하고, 표시 소자를 구동함에 의해, 화상을 표시하는 표시 패널을 사용할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 건조물로서 벽, 기둥 모양 몸체, 유닛배스를 예로 들었지만, 본 실시예는 이것에 한정되지 않고, 여러가지의 건조물에 반도체장치를 설치 할 수 있다.
다음에 반도체장치를, 이동체와 일체로 해서 설치한 예에 대해서 나타낸다.
도93은, 반도체장치를, 자동차와 일체로 해서 설치한 예에 대해서 나타낸 도면이다. 표시 패널(901102)은, 자동차 차체(901101)와 일체로 부착되어 있어, 차체의 동작 또는 차체 내외에서 입력되는 정보를, 온디맨드로 표시 할 수 있다. 또한, 네비게이션 기능을 갖고 있어도 된다.
반도체장치는, 도93에서 나타낸 차체(901101) 뿐만 아니라, 여러가지의 장소에 설치할 수 있다. 예를 들면 유리창, 도어, 핸들, 시프트레버, 좌석 시이트, 룸 미러 등과 일체로 하여도 된다. 이때, 표시 패널(901102)의 형상은, 설치하는 것의 형상에 맞춘 것이 되어 있어도 된다.
도94은, 반도체장치를, 열차차량과 일체로 해서 설치한 예에 대해서 나타낸 도면이다.
도94a는, 열차차량의 도어(901201)의 유리에, 표시 패널(901202)을 설치한 예에 대해서 나타낸 도면이다. 종래의 종이에 의한 광고와 비교하여, 광고 전환시에 필요하게 되는 인건비가 들지 않는다고 하는 이점이 있다. 표시 패널(901202)은, 외부에서의 신호에 의해 표시부에서 표시되는 화상의 전환을 순시로 행하는 것이 가능하기 때문에, 예를 들면 전차의 승강객의 객층이 바뀌는 시간마다 표시 패널의 화상을 바꿀 수 있어, 보다 효과적인 광고효과를 기대할 수 있다.
도94b은, 열차차량의 도어(901201) 유리 이외에, 유리창(901203), 및 천정(901204)에, 표시 패널(901202)을 설치한 예에 대해서 나타낸 도면이다. 이렇게, 반도체장치는, 종래에는 설치가 곤란했던 장소에 용이하게 설치하는 것이 가능하기 때문에, 효과적인 광고효과를 얻을 수 있다. 반도체장치는, 외부에서의 신호에 의해 표시부에서 표시되는 화상의 전환을 순시로 행하는 것이 가능하기 때문에, 광고 전환시의 비용 및 시간을 삭감할 수 있고, 보다 유연한 광고의 운용 및 정보전달이 가능해진다.
반도체장치는, 도94에서 나타낸 도어(901201), 유리창(901203), 및 천정(901204) 뿐만 아니라, 여러가지의 장소에 설치할 수 있다. 예를 들면 가죽 손잡이, 좌석 시이트, 난간, 바닥 등과 일체로 하여도 된다. 이때, 표시 패널(901202)의 형상은, 설치하는 물건 형상에 맞춘 것이 되어 있어도 된다.
도95은, 반도체장치를, 여객용 비행기와 일체로 해서 설치한 예에 대해서 나타낸 도면이다.
도95a는, 여객용 비행기의 좌석 상부의 천정(901301)에, 표시 패널(901302)을 설치했을 때의, 사용시의 형상에 대해서 나타낸 도면이다. 표시 패널(901302)은, 천정(901301)과 힌지부(901303)를 거쳐 일체로 부착되어 있어, 힌지부(901303)의 신축에 의해 승객은 표시 패널(901302)의 시청이 가능하게 된다. 표시 패널(901302)은, 승객이 조작함으로써 정보를 표시하는 기능을 가진다. 또한 광고 또는 오락수단으로서, 이용할 수 있는 기능을 가진다. 도95b에 도시된 것과 같이 힌지부를 구부려서 천정(901301)에 격납함으로써, 이착륙시의 안전을 배려할 수 있다. 또한, 긴급시에 표시 패널의 표시 소자를 점등시킴으로써 정보전달 수단 및 유도등으로서도 이용가능하다.
반도체장치는, 도95에서 나타낸 천정(901301) 뿐만 아니라, 여러가지의 장소에 설치할 수 있다. 예를 들면 좌석 시이트, 좌석 테이블, 팔 걸이, 창문 등과 일체로 하여도 된다. 다수의 사람이 동시에 시청할 수 있는 대형의 표시 패널을, 기체의 벽에 설치해도 된다. 이때, 표시 패널(901302)의 형상은, 설치하는 물건 형상에 맞춘 것이 되어 있어도 된다.
본 실시예에 있어서, 이동체로서는 전차 차량 본체, 자동차 차체, 비행기 차체에 대해서 예시했지만 이것에 한정되지 않고, 자동이륜차, 자동 4륜차(자동차, 버스 등을 포함한다), 전차(모노 레일, 철도 등을 포함한다), 선박 등, 여러가지의 것에 설치할 수 있다. 반도체장치는, 외부에서의 신호에 의해, 이동체내에 있어서의 표시 패널의 표시를 순시로 바꾸는 것이 가능하기 때문에, 이동체에 반도체장치를 설치함에 의해, 이동체를 불특정 다수의 고객을 대상으로 삼은 광고 표시판, 재해 발생시의 정보표시판 등의 용도로 사용하는 것이 가능해 진다.
본 실시예에 있어서, 여러가지의 도면을 사용해서 서술해 왔지만, 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 지금까지 서술한 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예의 각각의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)은, 다른 실시예의 도면에서 서술한 내용(일부라도 된다)에 대하여, 적용, 조합 또는 치환 등을 자유롭게 행할 수 있다. 더구나, 본 실시예의 도면에 있어서, 각각의 부분에 관해서, 다른 실시예의 부분을 조합함으로써, 한층 더 많은 도면을 구성할 수 있다.
본 실시예는, 다른 실시예에서 서술한 내용(일부라도 된다)을, 구체화화했을 경우의 일례, 약간 변형했을 경우의 일례, 일부를 변경했을 경우의 일례, 개량했을 경우의 일례, 상세하게 서술했을 경우의 일례, 응용했을 경우의 일례j3불러 관련이 있는 부분에 관한 일례 등을 보이고 있다. 따라서, 다른 실시예에서 서술한 내용은, 본 실시예에의 적용, 조합 또는 치환을 자유롭게 행할 수 있다.
(실시예21)
이상에서 설명한 바와 같이 본 명세서에는 적어도 이하의 발명이 포함되어 있다.
본 발명의 한가지는, 액정소자를 가지는 화소와, 구동회로를 가지는 액정표시장치이다. 구동회로는, 제1의 트랜지스터와, 제2의 트랜지스터와, 제3의 트랜지스터와, 제4의 트랜지스터와, 제5의 트랜지스터와, 제6의 트랜지스터와, 제7의 트랜지스터와, 제8의 트랜지스터를 가지고 있다. 또한, 이 구동회로는, 적어도 일부에 이하의 접속 관계를 포함하고 있다. 제1의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제4의 배선에 전기적으로 접속되고, 제1의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제3의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제2의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제2의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제3의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제3의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제5의 배선에 전기적으로 접속되고, 제3의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제3의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제5의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제4의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제4의 트랜지스터의 제2의의 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제4의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 제5의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제5의 배선에 전기적으로 접속되고, 제5의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제5의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제1의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제6의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제6의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제6의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 제7의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제7의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제7의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제2의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제8의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제8의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제8의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제1의 배선에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 액정소자를 가지는 화소와, 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터 내지 제8의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값 중에서, 제1의 트랜지스터의 W/L의 값이 최대가 되는 구동회로를 포함하는 구성이라도 된다.
상기 액정소자를 가지는 화소와, 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W//L의 값은, 제5의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값의 2배 이상 5배 이하가 되는 구동회로를 포함하는 구성이라도 된다.
상기 액정소자를 가지는 화소와, 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제3의 트랜지스터의 채널길이 L은, 제4의 트랜지스터의 채널길이 L보다도 클 경우를 포함하는 구성이라도 된다.
상기 액정소자를 가지는 화소와, 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터의 제2의 전극과, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극 사이에, 용량소자가 배치되어 있는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
상기 액정소자를 가지는 화소와, 구동회로를 갖는 액정표시장치는, 제 1의 트랜지스터 내지 제8의 트랜지스터는, N 채널형 트랜지스터인 것을 포함하는 구성이라도 된다.
상기 액정소자를 가지는 화소와, 구동회로를 갖는 액정표시장치는, 제 1의 트랜지스터 내지 제8의 트랜지스터는, 반도체층으로서 아모퍼스 실리콘을 사용하는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
본 발명의 한가지는, 액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치이다. 제1의 구동회로와 제2의 구동회로는 적어도 일부에 이하의 접속 관계를 포함하고 있다. 제1의 구동회로는, 제1의 트랜지스터와, 제2의 트랜지스터와, 제3의 트랜지스터와, 제4의 트랜지스터와, 제5의 트랜지스터와, 제6의 트랜지스터와, 제7의 트랜지스터와, 제8의 트랜지스터를 가지고 있다. 제1의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제4의 배선에 전기적으로 접속되고, 제1의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제3의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제2의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제2의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제3의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제3의 트랜지스터의 제1(D전극이, 제5의 배선에 전기적으로 접속되고, 제3의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제3의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제5의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제4의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제4의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제4의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 제5의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제5의 배선에 전기적으로 접속되고, 제5의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제5의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제1의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제6의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제6의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제6의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 제7의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제7의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제7의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제2의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제8의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 제8의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제2의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제8의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제1의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 또한 제2의 구동회로는, 제9의 트랜지스터와, 제10의 트랜지스터와, 제11의 트랜지스터와, 제12의 트랜지스터와, 제13의 트랜지스터와, 제14의 트랜지스터와, 제15의 트랜지스터와, 제16의 트랜지스터를 가지고 있다. 제9의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제10의 배선에 전기적으로 접속되고, 제9의 트랜지스터의 제2의 전극이 제9의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제10의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제12의 배선에 전기적으로 접속되고, 제10의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제9의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제11의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제11의 배선에 전기적으로 접속되고, 제11의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제10의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제11의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제11의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제12의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제12의 배선에 전기적으로 접속되고, 제12의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제10의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제12의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제9의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 제13의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제11의 배선에 전기적으로 접속되고, 제13의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제9의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제13의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제7의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제14의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제12의 배선에 전기적으로 접속되고, 제14의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제9의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제14의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제10의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있다. 제15의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제12의 배선에 전기적으로 접속되고, 제15의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제9의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제15의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제8의 배선에 전기적으로 접속되어 있다. 제16의 트랜지스터의 제1의 전극이, 제12의 배선에 전기적으로 접속되고, 제16의 트랜지스터의 제2의 전극이, 제10의 트랜지스터의 게이트 전극에 전기적으로 접속되고, 제16의 트랜지스터의 게이트 전극이, 제7의 배선에 전기적으로 접속되어 있다.
액정소자를 가지는 +화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제4의 배선과 제10의 배선이 전기적으로 접속되고, 제5의 배선과 제11의 배선이 전기적으로 접속되고, 제6의 배선과 제12의 배선이 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제4의 배선과 제10의 배선은 동일한 배선이며, 제5의 배선과 제11의 배선은 동일한 배선이며, 제6의 배선과 제12의 배선은 동일한 배선인 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제3의 배선과 제9의 배선이, 전기적으로 접속되어 있는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제3의 배선과 제9의 배선은 동일한 배선인 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터 내지 제8의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값 중에서, 제1의 트랜지스터의 W//L의 값이 최대가 되고, 제9의 트랜지스터 내지 제16의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값 중에서, 제9의 트랜지스터의 W/L의 값이 최대가 되는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값은, 제5의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값의 2배 이상 5배 이하가 되고, 제9의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값은, 제13의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값의 2배 이상 5배 이하가 되는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제3의 트랜지스터의 채널길이 L은, 제4의 트랜지스터의 채널길이 L보다도 크고, 제11의 트랜지스터의 채널길이 L은, 제12의 트랜지스터의 채널길이 L보다도 큰 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터의 제2의 전극과, 제1의 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 용량소자가 배치되고, 제9의 트랜지스터의 제2의 전극과, 제9의 트랜지스터의 게이트 전극 사이에 용량소자가 배치되어 있는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터 내지 제16의 트랜지스터는, N채널형 트랜지스터인 것을 포함하는 구성이라도 된다.
액정소자를 가지는 화소와, 제1의 구동회로와, 제2의 구동회로를 가지는 액정표시장치는, 제1의 트랜지스터 내지 제16의 트랜지스터는, 반도체층으로서 아모퍼스 실리콘을 사용하는 것을 포함하는 구성이라도 된다.
전술한 액정표시장치는, 여러가지의 전자기기에 구비할 수 있다.
본 실시예에 나타내는 액정표시장치는, 본 명세서에 기재되어 있는 것이며, 따라서 다른 실시예와 동일한 작용 효과를 가진다.
101: 트랜지스터
102: 트랜지스터
103: 트랜지스터
104: 트랜지스터
105: 트랜지스터
106: 트랜지스터
107: 트랜지스터
108: 트랜지스터
109: 트랜지스터
110: 트랜지스터
141: 노드
142: 노드
501: 배선
502: 배선
503: 배선
504: 배선
505: 배선
506: 배선
507: 배선

Claims (9)

  1. 화소와,
    구동회로를 구비하고,
    상기 구동회로는, 제1의 트랜지스터와, 제2의 트랜지스터와, 제3의 트랜지스터와, 제4의 트랜지스터와, 제5의 트랜지스터와, 제6의 트랜지스터와, 제7의 트랜지스터와, 제8의 트랜지스터를 가지고,
    상기 제1의 트랜지스터의 제1의 단자가 제4의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제1의 트랜지스터의 제2의 단자가 제3의 배선에 전기적으로 접속되고,
    상기 제2의 트랜지스터의 제1의 단자가 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제2의 트랜지스터의 제2의 단자가 상기 제3의 배선에 전기적으로 접속되고,
    상기 제3의 트랜지스터의 제1의 단자가 제7의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제3의 트랜지스터의 제2의 단자가 상기 제2의 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되고, 상기 제3의 트랜지스터의 게이트가 상기 제7의 배선에 전기적으로 접속되고,
    상기 제4의 트랜지스터의 제1의 단자가 상기 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제4의 트랜지스터의 제2의 단자가 상기 제2의 트랜지스터의 상기 게이트에 전기적으로 접속되고, 상기 제4의 트랜지스터의 게이트가 상기 제1의 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되고,
    상기 제5의 트랜지스터의 제1의 단자가 제5의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제5의 트랜지스터의 제2의 단자가 상기 제1의 트랜지스터의 상기 게이트에 전기적으로 접속되고, 상기 제5의 트랜지스터의 게이트가 제1의 배선에 전기적으로 접속되고,
    상기 제6의 트랜지스터의 제1의 단자가 상기 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제6의 트랜지스터의 제2의 단자가 상기 제1의 트랜지스터의 상기 게이트에 전기적으로 접속되고, 상기 제6의 트랜지스터의 게이트가 상기 제2의 트랜지스터의 상기 게이트에 전기적으로 접속되고,
    상기 제7의 트랜지스터의 제1의 단자가 상기 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제7의 트랜지스터의 제2의 단자가 상기 제1의 트랜지스터의 상기 게이트에 전기적으로 접속되고, 상기 제7의 트랜지스터의 게이트가 제2의 배선에 전기적으로 접속되고,
    상기 제8의 트랜지스터의 제1의 단자가 상기 제6의 배선에 전기적으로 접속되고, 상기 제8의 트랜지스터의 제2의 단자가 상기 제2의 트랜지스터의 상기 게이트에 전기적으로 접속되고, 상기 제8의 트랜지스터의 게이트가 상기 제1의 배선에 전기적으로 접속되고,
    상기 제1의 트랜지스터 내지 상기 제8의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값 중에서, 상기 제1의 트랜지스터의 W/L의 값이 최대가 되는 표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1의 트랜지스터의 채널길이 L과 채널폭 W의 비 W/L의 값은, 상기 제5의 트랜지스터의 W/L의 값보다 2배 내지 5배 큰 표시장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제3의 트랜지스터의 채널길이 L은, 상기 제4의 트랜지스터의 채널길이 L보다도 큰 표시장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1의 트랜지스터의 제2의 단자와 상기 게이트 사이에 용량소자가 배치되는 표시장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제1의 트랜지스터 내지 상기 제8의 트랜지스터는, N채널형 트랜지스터인 표시장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1의 트랜지스터 내지 상기 제8의 트랜지스터 각각은, 아모퍼스 실리콘층을 포함하는 표시장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1의 트랜지스터 내지 상기 제8의 트랜지스터 각각은, 아모퍼스 InGaZnO층을 포함하는 표시장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 표시장치는 액정표시장치와 EL 표시장치 중에서 한 개인 표시장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 표시장치가 카메라, 컴퓨터, 화상재생장치, 고글형 디스플레이 및 게임기로 이루어진 그룹에서 선택된 한 개에 포함된 표시장치.
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