JP5262217B2 - 電圧選択回路、電気泳動表示装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
図18(a)に示す電圧選択回路641及び図18(b)に示す電圧選択回路642は、いずれも、駆動用ハイレベル電位VH(例えば15V)と画素書込用ハイレベル電位VL(例えば5V)と電池電位VB(例えば2V)とから選択した電位を出力端子Noutから出力する回路である。
また、P−MOSトランジスタPM21のゲート端子に接続されたレベルシフタLS21とP−MOSトランジスタPM31のゲート端子に接続されたレベルシフタLS31も、P−MOSトランジスタPM21、PM31のそれぞれのゲート端子に駆動用ハイレベル電位VHを供給する必要があるため、高耐圧トランジスタを用いて構成する必要があった。
ただし、第3スイッチング回路SC23のレベルシフタLS32については、N−MOSトランジスタNM2のゲート−ソース間電圧(Vgs)を、閾値電圧より高い所定電圧にできればよいので、例えば電池電位VBを画素書込用ハイレベル電位VLに昇圧するものでよい。したがって、レベルシフタLS32には5〜6V程度の低耐圧トランジスタを用いることができ、図18(a)に示す電圧選択回路641と比較すると若干ながら回路面積を小さくすることができる。
ことを特徴とする。
電圧選択回路は、複数の入力電位から選択した電位を出力する電圧選択回路であって、最高電位である第1のハイレベル電位と、第2のハイレベル電位と、最低電位である第3のハイレベル電位とを出力端子から選択的に出力可能であり、前記出力端子に前記第1のハイレベル電位を供給する第1スイッチング回路が、高耐圧トランジスタと前記高耐圧トランジスタのゲート端子に接続されたレベルシフタとを有し、前記出力端子に前記第2のハイレベル電位を供給する第2スイッチング回路が、第1低耐圧トランジスタと前記第1低耐圧トランジスタのゲート端子に接続されたレベルシフタと、前記第1低耐圧トランジスタと前記出力端子との間に介挿されたダイオードとを有し、前記出力端子に前記第3のハイレベル電位を供給する第3スイッチング回路が、第2低耐圧トランジスタと前記第2低耐圧トランジスタと前記出力端子との間に介挿されたダイオードとを有することを特徴とする。
まず、第2及び第3スイッチング回路において、第1のハイレベル電位をそれぞれのダイオードによって遮断することができるので、第2及び第3スイッチング回路では高耐圧トランジスタを用いる必要がない。そして、低耐圧トランジスタを用いて構成された第2及び第3スイッチング回路は、回路面積が縮小されたものとなる。また、第3スイッチング回路の第2低耐圧トランジスタには、最低電圧である第3のハイレベル電位のみが入力されるため、レベルシフタは不要であり、その分の回路面積を縮小できる。
さらに、低耐圧トランジスタは高耐圧トランジスタに比べてリーク電流が少ないため、高耐圧トランジスタに代えて低耐圧トランジスタを用いた本発明の電圧選択回路では、回路全体としてのリーク電流を少なくすることができる。さらにまた、サイズの小さい低耐圧トランジスタとダイオードを組み合わせているため、レイアウトが容易であり、その工数も減らすことができる。
第2スイッチング回路では、ダイオードの存在によって第1低耐圧トランジスタのゲート端子に第1のハイレベル電位を入力する必要がなくなるため、レベルシフタを低耐圧トランジスタを用いて構成されたレベルシフタとすることができる。したがって、第2スイッチング回路のレベルシフタのサイズを縮小することができ、回路面積を縮小することができる。
この構成によれば、回路面積が小さく、また消費電力も少ない電圧選択回路を備えているので、制御回路の複雑化と消費電力の増加を抑えつつ高機能の電気泳動表示装置を実現することができる。
この構成によれば、電池電圧を直接的にラッチ回路に供給するので、簡素な回路を用いてラッチ回路を動作させることができる。
この構成によれば、電源系における消費電力が少なく、かつ高機能の電気泳動表示部を具備した電子機器を提供することができる。
なお、本実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせている。
電気泳動表示装置100は、複数の画素40がマトリクス状に配列された表示部5を備えている。表示部5の周辺には、走査線駆動回路61、データ線駆動回路62、コントローラ(制御部)63、及び共通電源変調回路64が配置されている。走査線駆動回路61、データ線駆動回路62、及び共通電源変調回路64は、それぞれコントローラ63と接続されている。コントローラ63は、上位装置から供給される画像データや同期信号に基づき、これらを総合的に制御する。表示部5には走査線駆動回路61から延びる複数の走査線66と、データ線駆動回路62から延びる複数のデータ線68とが形成されており、これらの交差位置に対応して画素40が設けられている。
なお、本実施形態では、画素データ「0」を規定する場合にはローレベル(L)の画像信号を画素40に供給し、画素データ「1」を規定する場合はハイレベル(H)の画像信号を画素40に供給するものとする。
画素40には、駆動用TFT(Thin Film Transistor)41(画素スイッチング素子)と、ラッチ回路(メモリ回路)70と、電気泳動素子32と、画素電極35と、共通電極37とが設けられている。これらの素子を取り囲むように、走査線66、データ線68、低電位電源線49、及び高電位電源線50が配置されている。画素40は、ラッチ回路70により画像信号を電位として保持するSRAM(Static Random Access Memory)方式の構成である。
分散媒21は、白色粒子27と黒色粒子26とをマイクロカプセル20内に分散させる液体である。分散媒21としては、水、アルコール系溶媒(メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブなど)、エステル類(酢酸エチル、酢酸ブチルなど)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなど)、脂肪族炭化水素(ぺンタン、ヘキサン、オクタンなど)、脂環式炭化水素(シクロへキサン、メチルシクロへキサンなど)、芳香族炭化水素(ベンゼン、トルエン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類(キシレン、ヘキシルベンゼン、ヘブチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼンなど))、ハロゲン化炭化水素(塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,2−ジクロロエタンなど)、カルボン酸塩などを例示することができ、その他の油類であってもよい。これらの物質は単独又は混合物として用いることができ、さらに界面活性剤などを配合してもよい。
これらの顔料には、必要に応じ、電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンドなどの粒子からなる荷電制御剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤などを添加することができる。
また、黒色粒子26及び白色粒子27に代えて、例えば赤色、緑色、青色などの顔料を用いてもよい。かかる構成によれば、表示部5に赤色、緑色、青色などを表示することができる。
電気泳動表示装置100では、駆動用TFT41を介してラッチ回路70のデータ入力端子N1に画像信号を入力することでラッチ回路70に画像信号を電位として記憶させる。これにより、ラッチ回路70のデータ出力端子N2から画素電極35に画像信号に対応する電位が入力され、図5に示すように、画素電極35と共通電極37との電位差に基づいて画素40が黒又は白表示される。
図5(b)に示す黒表示の場合、共通電極37が相対的に低電位、画素電極35が相対的に高電位に保持される。これにより、正に帯電した黒色粒子26が共通電極37に引き寄せられる一方、負に帯電した白色粒子27が画素電極35に引き寄せられる。その結果、共通電極37側からこの画素を見ると黒色(B)が認識される。
図6は、電気泳動表示装置100に備えられたコントローラ63の詳細を示すブロック図である。
コントローラ63は、CPU(Central Processing Unit)としての制御回路161と、EEPROM(Electrically-Erasable and Programmable Read-Only Memory;記憶部)162と、電圧生成回路163と、データバッファ164と、フレームメモリ165と、メモリ制御回路166と、を備えている。
EEPROM162は、制御回路161による各回路の動作制御に必要な設定値(モード設定値やボリューム値)等を記憶している。例えば、動作モードごとの駆動シーケンスの設定値をLUT(Look Up Table)として記憶している。また、EEPROM162に電気泳動表示装置の作動状態等の表示に用いるプリセットの画像データを記憶しておくこともできる。
電圧生成回路163は、走査線駆動回路61、データ線駆動回路62、及び共通電源変調回路64に駆動電圧を供給する回路である。
データバッファ164は、コントローラ63における上位装置とのインタフェース部であり、上位装置から入力される画像データDを保持するとともに、制御回路161に対して画像データDを送信する。
データ線駆動回路62は、制御回路161から供給される制御信号に基づいてフレームメモリ165から送信される画像信号を一ライン分ずつラッチする。そして、走査線駆動回路61による走査線66の順次選択動作に同期して、ラッチした画像信号をデータ線68に供給する。
図7(a)は、電圧選択回路64aの回路構成図であり、図7(b)は、電圧選択回路64aに含まれるレベルシフタLS1の回路構成図である。
レベルシフタLS1は、P−MOSトランジスタPM1をオフ状態に維持するためのハイレベル電位を生成する。すなわち、制御回路の電源電位である電池電位VBを駆動用ハイレベル電位VHに昇圧してゲート配線GL1に供給する。
P−MOSトランジスタPM11のドレイン端子は、N−MOSトランジスタNM11のドレイン端子と、P−MOSトランジスタPM12のゲート端子と、出力端子Voutとに接続されている。P−MOSトランジスタPM12のドレイン端子は、N−MOSトランジスタNM12のドレイン端子と、P−MOSトランジスタPM11のゲート端子とに接続されている。入力端子Vinからの入力信号は、N−MOSトランジスタNM12のゲート端子に入力されるとともに、インバータINV1により反転された入力信号がN−MOSトランジスタNM11のゲート端子に入力される。
レベルシフタLS1は、P−MOSトランジスタPM11を介して入力される高電位(駆動用ハイレベル電位VH)、又はN−MOSトランジスタNM11を介して入力される低電位(グランド電位GND)を、それぞれハイレベル、ローレベルとして出力する。
レベルシフタLS2は、P−MOSトランジスタPM2をオフ状態に維持するためのハイレベル電位を生成する。すなわち、電池電位VBを画素書込用ハイレベル電位VLに昇圧してゲート配線GL2に供給する。
レベルシフタLS2の具体的構成は、図7(b)に示したレベルシフタLS1と同様であるが、高電位電源からは画素書込用ハイレベル電位VLが供給される。したがって、レベルシフタLS2を構成するトランジスタには耐圧10V以上の高耐圧トランジスタは不要であり、いずれも耐圧5〜6V程度の低耐圧トランジスタで構成することができる。
まず、第2及び第3スイッチング回路SC2、SC3において、第1スイッチング回路SC1から出力される駆動用ハイレベル電位VHをダイオードD1、D2によって遮断することができるため、P−MOSトランジスタPM2、PM3に高耐圧トランジスタを用いる必要がない。そのため、画素書込用ハイレベル電位VL(例えば5V)に耐える程度の低耐圧トランジスタを用いてP−MOSトランジスタPM2、PM3を形成することができ、トランジスタのサイズを縮小することができる。
さらに、第3スイッチング回路SC3のP−MOSトランジスタPM3には、電源系の最低電圧である電池電位VBのみが入力されるため、レベルシフタは不要である。
なお、上記の電圧降下が発生してもラッチ回路70への画像信号の書き込み動作に支障を来さないのであれば、入力電位の調整を行わなくてもよい。
ただし、電圧降下が小さくてもラッチ回路70の電位を保持できない場合には、第2スイッチング回路SC2と同様に、入力電位を高めに設定する等の対策が必要である。
次に、上記構成を備えた電気泳動表示装置100の駆動方法について説明する。
図8は、電気泳動表示装置100の駆動方法を示すフローチャートである。
図8に示すように、本実施形態の駆動方法は、画素40のラッチ回路70に画像信号を入力する画像信号入力ステップST1(画像信号入力期間)と、書き込まれた画像信号に基づく画像を表示部5に表示する画像表示ステップST2(画像表示期間)と、表示した画像を保持する第1の画像保持ステップST3(画像保持期間)と、表示画像のコントラストを回復するリフレッシュステップST4(リフレッシュ期間)と、第2の画像保持ステップST5(画像保持期間)とを有する。
また、図10の画素40Aは、後述する画像表示ステップにおいて黒表示される画素を示し、画素40Bは白表示される画素を示している。
まず、画像信号入力ステップST1において、高電位電源線50(Vdd)に画素書込用ハイレベル電位VL(例えば5V)が供給される。すなわち、図7(a)に示した電圧選択回路64aにおいて、第2スイッチング回路SC2のみをオン状態とするスイッチング信号XVLSEL(ローレベル)が入力され、出力端子Noutから高電位電源線50に画素書込用ハイレベル電位VLが入力される。
また、低電位電源線49(Vss)にはグランド電位GND(0V;ローレベル)が入力されている。共通電極37はハイインピーダンス状態である。
一方、画素40Bでは、駆動用TFT41bを介してデータ線68bからラッチ回路70bに、白表示(画素データ「1」)に対応するハイレベル(画素書込用ハイレベル電位VL)の画像信号が入力される。これにより、ラッチ回路70bのデータ入力端子N1bの電位が画素書込用ハイレベル電位VL、データ出力端子N2bの電位がグランド電位GND(ローレベル)となる。
画像表示ステップST2では、高電位電源線50の電位Vddが、画素書込用ハイレベル電位VL(例えば5V)から電気泳動素子32を駆動するための駆動用ハイレベル電位VH(例えば15V)に引き上げられる。すなわち、電圧選択回路64aにおいて、第2スイッチング回路SC2がオフ状態とされるとともに第1スイッチング回路SC1がオン状態とされ、出力端子Noutから高電位電源線50に駆動用ハイレベル電位VHが入力される。
低電位電源線49の電位Vssはグランド電位GND(0V)とされる。また、共通電極37には、駆動用ハイレベル電位VHとグランド電位GNDとを所定周期で繰り返す矩形状のパルスが入力される。
第1の画像保持ステップST3では、共通電極37がハイインピーダンス状態とされる。また、電圧選択回路64aにおいて第1スイッチング回路SC1がオフ状態とされるとともに第3スイッチング回路SC3がオン状態とされ、これによりラッチ回路70の高電位電源端子PHが駆動用ハイレベル電位VHから電池電位VBに降圧される。すなわち、ラッチ回路70は電池電位VB(例えば2V)により駆動される電源オン状態を維持しており、画像信号入力ステップST1において入力された画像信号を保持している。
リフレッシュステップST4では、電圧選択回路64aにおいて第3スイッチング回路SC3がオフ状態とされるとともに第1スイッチング回路SC1がオン状態とされる。これにより、図9に示すように、高電位電源線50の電位Vddが再び駆動用ハイレベル電位VHに引き上げられる。また、共通電極37に駆動用ハイレベル電位VHとグランド電位GNDとを所定周期で繰り返す矩形状のパルスが入力される。
一方、共通電極37が駆動用ハイレベル電位VHである期間に、画素電極35(35b)と共通電極37との電位差に基づいて電気泳動素子32が駆動され、当該画素40(40B)が白表示される。この白表示動作により、白表示の画素40(40B)において時間の経過に伴い低下しつつあったコントラストを、画像表示ステップST2直後の状態にまで回復することができる。
また、画像保持ステップST3において、ラッチ回路70の電源をオフせずに作動状態を保持しているので、ラッチ回路70に対する再度の画像信号入力を行うことなく、リフレッシュ動作を行わせることができ、画像信号の転送による電力消費を無くすことができる。
さらに、画像保持ステップST3では高電位電源端子PHの電位Vddを電池電位VBにまで下げ、ラッチ回路70の駆動電圧を電気泳動表示装置100の最低電圧にまで下げているので、画像保持ステップST3、ST5における電力消費を抑えることができる。
また本実施形態の電気泳動表示装置100では、図7に示した電圧選択回路64aを備えているので、高電位電源線50に対して電池電位VBを自在に供給することができる。
なお、コモン振り駆動の周波数及び周期数は、電気泳動素子32の仕様及び特性に応じて適宜定めることが好ましい。
次に、本発明の第2の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図11は、第2の実施形態に係る電気泳動表示装置200の概略構成を示す図である。図12は、第2の実施形態に係る電気泳動表示装置200の画素回路を示す図である。
なお、図11及び図12において、先の第1実施形態と共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの詳細な説明は省略することとする。
図13には、図9に示した第1実施形態に係るタイミングチャートに加えて、第1の制御線91の電位S1と、第2の制御線92の電位S2とが示されている。
次に、上記実施形態の電気泳動表示装置100、200を、電子機器に適用した場合について説明する。
図15は、腕時計1000の正面図である。腕時計1000は、時計ケース1002と、時計ケース1002に連結された一対のバンド1003とを備えている。
時計ケース1002の正面には、上記実施形態の電気泳動表示装置100(200)からなる表示部1005と、秒針1021と、分針1022と、時針1023とが設けられている。時計ケース1002の側面には、操作子としての竜頭1010と操作ボタン1011とが設けられている。竜頭1010は、ケース内部に設けられる巻真(図示は省略)に連結されており、巻真と一体となって多段階(例えば2段階)で押し引き自在、かつ、回転自在に設けられている。表示部1005では、背景となる画像、日付や時間などの文字列、あるいは秒針、分針、時針などを表示することができる。
なお、各図に示した電子機器は、本発明に係る電子機器を例示するものであって、本発明の技術範囲を限定するものではない。例えば、携帯電話、携帯用オーディオ機器などの電子機器の表示部にも、本発明に係る電気泳動表示装置は好適に用いることができる。
Claims (5)
- 複数の入力電位から選択した電位を出力する電圧選択回路であって、
最高電位である第1のハイレベル電位と、第2のハイレベル電位と、最低電位である第3のハイレベル電位とを出力端子から選択的に出力可能であり、
前記出力端子に前記第1のハイレベル電位を供給する第1スイッチング回路が、高耐圧トランジスタと前記高耐圧トランジスタのゲート端子に接続され前記高耐圧トランジスタをオンとするための信号をレベルシフトして出力するレベルシフタとを有し、
前記高耐圧トランジスタのドレイン又はソースの一方は前記第1のハイレベル電位を供給する端子に接続され、前記高耐圧トランジスタのドレイン又はソースの他方は前記出力端子に接続されており、
前記出力端子に前記第2のハイレベル電位を供給する第2スイッチング回路が、第1低耐圧トランジスタと前記第1低耐圧トランジスタのゲート端子に接続され前記第1低耐圧トランジスタをオンとするための信号をレベルシフトして出力するレベルシフタと、前記第1低耐圧トランジスタと前記出力端子との間に介挿された第1のダイオードとを有し、
前記第1低耐圧トランジスタのドレイン又はソースの一方は前記第2のハイレベル電位を供給する端子に接続され、前記第1低耐圧トランジスタのドレイン又はソースの他方は前記第1のダイオードに接続されており、
前記第1のダイオードは、前記第1低耐圧トランジスタから前記出力端子に向かって順方向に接続されており、
前記出力端子に前記第3のハイレベル電位を供給する第3スイッチング回路が、第2低耐圧トランジスタと前記第2低耐圧トランジスタと前記出力端子との間に介挿された第2のダイオードとを有し、
前記第2低耐圧トランジスタのドレイン又はソースの一方は前記第3のハイレベル電位を供給する端子に接続され、前記第2低耐圧トランジスタのドレイン又はソースの他方は前記第2のダイオードに接続されており、
前記第2のダイオードは、前記第2低耐圧トランジスタから前記出力端子に向かって順方向に接続されており、
前記第2低耐圧トランジスタのゲート端子には、前記第2低耐圧トランジスタをオンとするための信号として、前記第3のハイレベル電位と同電位をハイレベル電位とする信号が入力される
ことを特徴とする電圧選択回路。 - 前記第2スイッチング回路に設けられたレベルシフタを構成するトランジスタが、低耐圧トランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の電圧選択回路。
- 一対の基板間に電気泳動粒子を含む電気泳動素子を挟持し、複数の画素からなる表示部を有しており、前記画素ごとに、画素電極と、画素スイッチング素子と、前記画素電極と前記画素スイッチング素子との間に接続されたラッチ回路とが設けられた電気泳動表示装置であって、
少なくとも前記ラッチ回路の電源電圧が、請求項1又は2に記載の電圧選択回路から供給されることを特徴とする電気泳動表示装置。 - 前記第3のハイレベル電位が、当該電気泳動表示装置の電源系に設けられた電池の電圧であることを特徴とする請求項3に記載の電気泳動表示装置。
- 請求項3又は4に記載の電気泳動表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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