KR101548022B1 - 웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자 - Google Patents

웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101548022B1
KR101548022B1 KR1020097017407A KR20097017407A KR101548022B1 KR 101548022 B1 KR101548022 B1 KR 101548022B1 KR 1020097017407 A KR1020097017407 A KR 1020097017407A KR 20097017407 A KR20097017407 A KR 20097017407A KR 101548022 B1 KR101548022 B1 KR 101548022B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
led
coating
delete delete
substrate
led chip
Prior art date
Application number
KR1020097017407A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090122210A (ko
Inventor
제임스 세루토
아샤이 치트니스
제임스 이벳슨
베른트 켈러
데이비드 티 에머슨
존 에드몬드
마이클 제이 버그만
재스퍼 에스 카발루
제프리 씨 브릿
아팬 차크라보티
에릭 제이 타샤
얀쿤 푸
Original Assignee
크리, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US11/656,759 external-priority patent/US9024349B2/en
Application filed by 크리, 인코포레이티드 filed Critical 크리, 인코포레이티드
Publication of KR20090122210A publication Critical patent/KR20090122210A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101548022B1 publication Critical patent/KR101548022B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Abstract

발광 다이오드(LED) 칩을 제조하는 방법은, 기판 상에 통상적으로 복수의 LED들을 제공하는 단계를 포함한다. LED 상에는 페데스탈들이 증착되고, 각각의 페데스탈은 LED들 중 하나와 전기적으로 접촉된다. LED 위에는 코팅이 형성되고, 이 코팅은 페데스탈들 중 적어도 일부를 매립한다. 그런 다음, 코팅은 상기 코팅의 적어도 일부를 상기 LED 상에 남기면서 상기 매립된 페데스탈들 중 적어도 일부를 노출시키도록 평탄화된다. 본 발명은 캐리어 기판 상에 플립 칩 본딩된 LED를 가진 LED 칩을 제조하고, 다른 반도체 소자를 제조하는데 이용되는 유사한 방법을 개시한다. 개시된 방법을 이용하여 제조된 LED 칩 웨이퍼와 LED 칩도 개시된다.
LED 칩, 페데스탈(pedestal), 캐리어 기판, 코팅, 웨이퍼, 형광체, 바인더

Description

웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자{WAFER LEVEL PHOSPHOR COATING METHOD AND DEVICES FABRICATED UTILIZING METHOD}
본 발명은 USAF 05-2-5507 계약에 따라 정부 지원으로 발명되었다. 정부는 본 발명에 대해 일정한 권리를 갖는다.
본 출원은 2007년 1월 22일 출원된 Chitnis 등의 미국 특허출원 제11/656,759호의 일부 계속 출원이며 이 출원을 우선권 주장한다.
본 발명은 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 발광 다이오드의 웨이퍼 레벨 코팅 방법에 관한 것이다.
발광다이오드(LED)는 전기적 에너지를 광으로 변환하는 고체 상태 소자이며, 일반적으로 반대로 도핑된 층들 사이에 개재된(sandwiched) 하나 이상의 반도체 재료의 활성(active) 층을 포함한다. 이 도핑 층들을 가로질러 바이어스가 인가되는 경우, 정공과 전자가 이 활성 층에 주입되고 이 활성 층에서 정공과 전자는 재결합하여 광을 발생시킨다. 이 광은 활성 층과 LED의 모든 표면들로부터 방출된다.
종래의 LED들은 그들의 활성 층으로부터 백색광을 발생시킬 수 없다. 청색 발광 LED로부터의 광은, LED를 황색 형광체(phosphor), 폴리머 또는 염료(dye)로 둘러쌈으로써 백색광으로 변환되는데, 통상적인 형광체는 세륨 도핑된 이트륨 알루 미늄 석류석(garnet)(Ce:YAG)이다(Nichia Corp. white LED, Part No. NSPW300BS, NSPW312BS 등을 참조; Lowrey의 미국특허 제5959316호, 발명의 명칭 "Multiple Encapulation of Phosphor-LED Devices" 또한 참조). 둘러싸는 형광체의 재료는 LED의 청색광 일부의 파장을 "하향 변환"하여, LED 광의 색을 황색으로 변화시킨다. 이 청색광의 일부는 변화되지 않고 형광체를 통과하지만, 광의 상당 부분은 황색으로 하향 변환된다. LED는 청색광과 황색광을 방출하며, 이 광들은 결합하여 백색광을 제공한다. 다른 접근 방식에서는, LED를 다색 형광체나 또는 염료로 둘러쌈으로써 보라색 또는 자외선 방출 LED로부터의 광이 백색광으로 변환된다.
LED를 형광체 층으로 코팅하기 위한 한 가지 종래의 방법은, 에폭시 수지 또는 실리콘 폴리머와 혼합된 형광체를 LED 위로 주입하기 위해 주사기(syringe) 또는 노즐을 이용한다. 그러나 이 방법을 이용하면, 형광체 층의 기하구조와 두께를 제어하는 것이 어려울 수 있다. 결과적으로, 상이한 각도에서 LED로부터 방출되는 광은 상이한 양의 변환 재료를 통과할 수 있으며, 이는 시야각의 함수로서 불균일한 색온도를 갖는 LED를 만들 수 있다. 기하구조 및 두께를 제어하기 어렵기 때문에, 동일한 또는 유사한 방출 특성을 갖는 LED들을 일관되게 재생산하는 것 또한 어려울 수 있다.
LED를 코팅하기 위한 다른 종래의 방법은, Lowery의 유럽 특허 출원 제EP1198016 A2호에 개시된 스텐실 프린팅에 의한 방법이다. 복수의 발광 반도체 소자들이 인접한 LED들 간에 원하는 거리를 두고 기판 상에 배치된다. LED와 정렬된 개구부를 가진 스텐실이 제공되는데, 이 홀들은 LED보다 약간 더 크며 스텐실은 LED보다 두껍다. 스텐실은 기판 상에 배치되며, LED 각각은 스텐실의 각각의 개구부 내에 위치된다. 그 다음, 스텐실 개구부에는 소정의 조성물이 증착되어 LED를 피복하는데, 통상적인 조성물은 열 또는 광에 의해 경화될 수 있는 실리콘 폴리머의 형광체이다. 이 홀들이 충전된 후에 스텐실은 기판으로부터 제거되고 스텐실 조성물은 고체 상태로 경화된다.
상기 주사기 방법과 마찬가지로, 스텐실 방법을 이용하는 것 또한 형광체 함유 중합체의 기하구조와 층 두께를 제어하기 어려울 수 있다. 스텐실 조성물은 스텐실 개구부를 완전히 충전하지 못할 수 있으며, 결과적으로 층은 균일하지 못할 수 있다. 형광체 함유 조성물은 스텐실 개구부에 고착될 수도 있으며, 이는 LED 상에 남아 있는 조성물의 양을 감소시킨다. 스텐실 개구부는 또한 LED와 정렬되지 않을 수 있다. 이러한 문제들은 LED가 불균일한 색온도를 갖게 하고 LED를 동일한 또는 유사한 방출 특성을 갖고 일관되게 재생산하는 것을 어렵게 하는 것을 야기한다.
스핀 코팅, 스프레이 코팅, 정전기 증착 (ESD, electrostatic deposition) 및 전기영동 증착(EPD, electrophoretic deposition)을 포함하여 다양한 LED 코팅 공정이 고려되어 왔다. 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅과 같은 공정은 통상적으로 형광체 증착 동안에 바인더 재료를 이용하지만, 다른 공정들은 형광체의 입자/파우더를 안정화시키기 위하여 그 형광체의 입자/파우더의 증착 후에 곧바로 바인더를 추가할 것을 요구한다.
이러한 접근 방식들에서, 주요 과제는 코팅 공정 후에 소자 상의 와이어 본 드 패드에 접근하는 것이다. 표준 웨이퍼 제조 기술로 와이어 본드 패드에 접근하는 것은, 에폭시 또는 유리와 같은 다른 바인더 재료뿐만 아니라 통상적인 실리콘 바인딩 재료로는 어려운 일이다. 실리콘은 일부 현상제(developer)뿐만 아니라 아세톤, 및 레지스트 스트리퍼와 같은 흔히 사용되는 웨이퍼 제조 재료와 양립하지 못한다. 이는 특정 실리콘 또는 공정 단계에 대한 옵션 및 선택을 제한할 수 있다. 또한 실리콘은 흔히 사용되는 포토레지스트의 유리 전이 온도를 넘는 고온(150℃보다 큰 온도)에서 경화된다. 형광체를 갖는 경화된 실리콘 막은 에칭하기 어렵고 염소 및 CF4 플라즈마에서는 매우 낮은 에칭 속도를 가지며, 경화된 실리콘의 습식 에칭은 통상적으로 비효율적다.
본 발명은 LED 칩과 같은 반도체 소자를 웨이퍼 레벨에서 제조하는 새로운 방법을 개시하고, 이 방법을 이용하여 제조된 LED 칩 및 LED 칩 웨이퍼를 개시한다. 본 발명에 따라 발광다이오드(LED) 칩을 제조하는 한 가지 방법은, 통상적으로 기판 상에 복수의 LED를 제공하는 단계를 포함한다. LED 상에는 페데스탈(pedestal)들이 형성되는데, 이 페데스탈 각각은 LED들 중 하나와 전기적으로 접촉한다. 상기 LED 위에는 코팅이 형성되는데, 이 코팅은 페데스탈들 중 적어도 일부를 매립한다. 그런 다음, 코팅은 상기 코팅 재료의 일부는 상기 LED 상에 남기면서 동시에 상기 매립된 페데스탈들 중 적어도 일부는 노출시키면서 평탄화되어, 그 매립된 페테스탈들 중 적어도 일부를 접촉하는 것을 가능하게 한다. 본 발명은 캐리어 기판 상에 장착된 LED 플립 칩을 포함하는 LED 칩을 제조하는데 사용되는 유사한 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 유사한 방법은, 다른 반도체 소자를 제조하는데 또한 이용될 수 있다.
본 발명에 따른 방법을 이용하여 제조된 발광다이오드(LED) 칩 웨이퍼의 일 실시예는, 기판 웨이퍼 상의 복수의 LED, 및 LED들 중 하나와 각각 전기적으로 접촉하는 복수의 페데스탈들을 포함한다. 코팅은 LED를 적어도 부분적으로 피복하며, 페데스탈들 중 적어도 일부는 상기 코팅을 통과하여 코딩 표면에까지 확장된다. 페테스탈들은 코팅의 표면에서 노출된다.
본 발명에 따른 방법을 이용하여 제조된 발광다이오드(LED) 칩의 일 실시예는, 기판 상의 LED, 및 LED와 전기적으로 접촉하는 페데스탈을 포함한다. 코팅은 LED를 적어도 피복하며, 페데스탈은 코팅을 통과하여 코딩 표면에까지 확장되고 코팅의 표면에서 노출된다.
본 발명의 특정 양태들에 따라, 코팅은 백색광을 발생시키기 위해 LED 칩의 활성 영역으로부터 방출된 광의 적어도 일부를 하향 변환하는 형광체의 입자들을 포함함으로써, 백색 LED 칩을 생성할 수 있다.
본 발명의 이러 저러한 양태들 및 이점들은, 후속하는 상세한 설명과 본 발명의 특징들을 예시적으로 나타내는 첨부 도면들로부터 명백해질 것이다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명에 따른 방법의 제조 단계들에서의 LED 칩 웨이퍼의 일 실시예의 단면도이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명에 따른 다른 방법의 제조 단계들에서의 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 3은 마이크로와이어 페데스탈을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 4는 반사 층을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 5a 내지 도 5e는 본 발명에 따른 다른 방법의 제조 단계들에서의 플립 웨이퍼 본딩된 LED 칩 웨이퍼의 일 실시예의 단면도이다.
도 6은 반사 층을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 LED 칩 제조 방법의 일 실시예의 흐름도이다.
도 8a 내지 도 8d는 본 발명에 따른 예비 제조 코팅을 이용하는 방법의 제조 단계들에서의 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 코팅에 오목부(recess)를 갖는, 본 발명에 따른 방법의 제조 단계들에서의 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 10은 본 발명에 따른 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 11은 본 발명에 따른 LED 칩 웨이퍼의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 12는 본 발명에 따른 LED 어레이의 일 실시예의 단면도이다.
도 13은 본 발명에 따른 LED 어레이의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 14는 투명 기판을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩 웨이퍼의 일 실시예의 단 면도이다.
도 15는 투명 기판을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩 웨이퍼의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 16은 본 발명에 따른 플립 칩 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 17은 형광체 로딩 캐리어 기판을 갖는 LED 칩의 다른 실시예의 단면도이다.
도 18a 내지 도 18d는 본 발명에 따른 트렌치 기판을 이용하는 방법의 제조 단계들에서의 LED 칩 웨이퍼의 다른 실시예의 단면도이다.
도 19는 텍스처링된 표면을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 다른 실시예의 단면도이다.
도 20은 전류 확산 구조를 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 다른 실시예의 평면도이다.
도 21은 텍스처링된 표면을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 22는 텍스처링된 표면을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 23은 본 발명에 따른 LED 칩의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 24는 본 발명에 따른 LED 칩의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 25는 본 발명에 따른 LED 칩의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 26은 본 발명에 따른 LED 칩의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 27은 돔형 코팅을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 다른 실시예의 단면도이다.
도 28은 오목형 코팅을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 다른 실시예의 단면도이다.
도 29는 텍스처링된 표면을 가진 코팅을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 다른 실시예의 단면도이다.
도 30은 상이한 농도의 형광체를 가진 부분을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 다른 실시예의 단면도이다.
도 31은 상이한 농도의 형광체를 가진 부분을 갖는, 본 발명에 따른 LED 칩의 또 다른 실시예의 단면도이다.
도 32는 본 발명에 따른 LED 패키지의 단면도이다.
도 33은 도 32의 LED 패키지의 평면도이다.
도 34는 본 발명에 따른 LED 패키지에 대한 성능 특성을 보여주는 표이다.
도 35는 본 발명에 따른 상이한 LED 패키지에 대한 성능 특성을 보여주는 그래프이다.
본 발명은 특히 LED와 같은 반도체 소자의 웨이퍼 레벨 코팅에 적용될 수 있는 제조 방법을 제공한다. 본 발명은 또한 이 방법을 이용하여 제조된 LED와 같은 반도체 소자를 제공한다. 본 발명은, 다운 컨버터 층(예컨대 형광체가 로딩된 실 리콘)으로 웨이퍼 레벨에서의 LED 코팅을 허용하면서, 와이어 본딩을 위한 하나 이상의 접촉부들로의 접근을 허용한다. 본 발명의 일 양태에 따라, LED가 웨이퍼 레벨에 있는 동안 LED 접촉부(본딩 패드)들 중 하나 또는 양자 모두 상에는 전기 전도성 페데스탈/기둥(pedestal/post)이 형성된다. 이 페데스탈은 전기도금, 무전해 도금, 스터드 범핑(stud bumping) 또는 진공 증착과 같은 공지된 기술들을 이용하여 제조될 수 있다. 그 다음, 웨이퍼는 다운 컨버터 코팅 층으로 블랭킷 코팅되어, LED, 접촉부 및 페데스탈을 매립할 수 있다. 페데스탈 각각은 그 접촉부의 수직형 확장부로서 기능하며, 다운 컨버터 코팅을 이용한 블링킷 코팅은 일시적으로 페데스탈을 피복하지만, 이 코팅은 페데스탈의 상부 표면 또는 상단을 노출시키도록 평탄화되고 박막화될 수 있다. 페데스탈은 원하는 최종 코팅 두께를 통과하여 돌출할 만큼 충분히 높아야 한다(10 내지 100 ㎛). 평탄화 후에 페데스탈은 와이어 본딩에 의한 것과 같은 외부 접속을 위해 노출된다. 이러한 공정은 웨이퍼 레벨에서 후속 제조 단계로서 실시되며, 개개의 LED 칩은 공지되어 있는 공정을 이용하여 웨이퍼로부터 분리/싱귤레이팅될 수 있다.
본 발명은 블랭킷 코팅 후에 와이어 본딩 패드에 접근하기 위한 복잡한 웨이퍼 제조 공정을 제거한다. 대신 간단하고 비용 효율적인 접근 방식이 이용된다. 이 방식은, 정렬할 필요가 없는 반도체 소자의 웨이퍼 레벨 코팅을 허용한다. 형광체가 로딩된 실리콘 혼합물의 스핀 코팅, 또는 실리콘 또는 다른 바인딩 재료의 블랭킷 코팅이 후속하는 형광체의 전기영동 증착과 같은, 광범위한 코팅 기술들이 이용될 수 있다. 기계적 평탄화는 웨이퍼의 두께 균일성을 허용하며, 넓은 두께 범위 (예컨대, 1 내지 100 ㎛)에 대해 코팅제(coat)의 두께 균일성이 달성될 수 있다. 백색 LED 칩 색점(color point)은 반복적인 접근방식(예컨대, 그라인딩, 테스트, 그라인딩 등)을 이용하는 것을 포함하여, 최종 코팅제 두께를 제어함으로써 미세 조정될 수 있으며, 이는 비닝된 백색 LED을 가져올 것이다. 이러한 접근방식은 또한 대형 웨이퍼 크기로 스케일링 가능하다.
본 발명은 본 명세서에서 특정 실시예를 참조하여 기술되지만, 본 발명은 많은 상이한 형태로 구체화될 수 있으며, 본 명세서에 기술된 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다는 것을 이해해야 한다. 특히, 본 발명은 통상적으로 형광체가 로딩된 바인더를 포함하는 다운 컨버터 코팅("형광체/바인더 코팅")을 이용한 LED 코팅에 관하여 아래에서 기술되지만, 본 발명은 하향 변환, 보호, 광 추출 또는 산란을 위해 다른 재료로 LED를 코팅하는데 이용될 수 있다는 것을 이해해야 한다. 형광체 바인더는 산란 또는 광 추출 입자 또는 재료를 가질 수 있으며, 코팅은 전기적으로 활성일 수 있다는 것 또한 이해해야 한다. 본 발명에 따른 방법은 또한, 상이한 재료로 다른 반도체 소자를 코팅하는데 이용될 수 있다. 추가로, LED 상에는 단일 또는 복수의 코팅 및/또는 층이 형성될 수 있다. 코팅은 형광체를 포함하지 않을 수 있고, 하나 이상의 형광체, 산란 입자 및/또는 다른 재료를 포함할 수 있다. 코팅은 또한, 하향 변환을 제공하는 유기 염료와 같은 재료를 포함할 수 있다. 복수의 코팅 및/또는 층 각각은, 다른 층 및/또는 코팅과 비교하여, 상이한 형광체, 상이한 산란 입자, 투명도, 굴절율과 같은 상이한 광학적 특성, 및/또는 상이한 물리적 특성을 포함할 수 있다.
층, 영역, 또는 기판과 같은 요소가 다른 요소 "상"에 있다고 언급되는 경우, 그 요소는 다른 요소 바로 위에 있거나 또는 개재 요소도 존재할 수도 있다는 것 또한 이해해야 한다. 또한, "내측", "외측", "상부", "위", "하부", "밑" 및 "아래"와 같은 상대적인 용어 및 그와 유사한 용어는, 본 명세서에서 하나의 층 또는 다른 영역의 관계를 기술하기 위해 사용될 수 있다. 이러한 용어들은 도면에 도시된 방위와 더불어 소자의 상이한 방위를 포함하는 것으로 의도된 것임을 이해해야 한다.
제1, 제2 등과 같은 용어는 본 명세서에서 다양한 요소, 컴포넌트, 영역, 층 및/또는 섹션을 기술하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소, 컴포넌트, 영역, 층 및/또는 섹션은 이러한 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 이러한 용어들은 오직 한 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 섹션을 다른 영역, 층 또는 섹션과 구분하기 위해 사용된다. 따라서, 아래에서 논의되는 제1 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 섹션은, 본 발명의 교시에서 벗어나지 않고 제2 요소, 컴포넌트, 영역, 층 또는 섹션이라 불릴 수도 있다.
본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시한 단면도들을 참조하여 본 명세서에 기술된다. 그렇게 함으로써, 예컨대 결과적으로 제조 기술 및/또는 공차에 대한 실례의 형상으로부터의 변형이 예상된다. 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 예시된 영역들의 특정 형상으로 한정되는 것으로 해석해서는 안되며, 예컨대 제조 결과 생기는 형상의 편차를 포함한다. 정사각형 또는 직사각형으로 예시되거나 또는 기술되는 영역은 통상적으로, 정규 제조 공차에 기인하 는 둥글거나 또는 구부러진 형상을 가질 것이다. 따라서, 도면들에 예시된 영역들은 사실상 개략적인 것이며 영역들의 형상은 소자의 영역의 정확한 형상을 예시하려고 의도된 것은 아니며 본 발명의 범위를 한정하고자 의도된 것도 아니다.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명에 따른 방법을 이용하여 제조된 웨이퍼 레벨 LED 칩(10)의 일 실시예을 보여준다. 이제 도 1a를 참조하면, LED 칩(10)들은 그 제조 공정의 웨이퍼 레벨에 있는 것으로 도시되어 있다. 즉, LED 칩(10)들은, 웨이퍼로부터 개개의 LED 칩으로 분리/싱귤레이팅되기 전에 필요한 모든 단계들을 거치지 않았다. LED 칩들(10)들과 후속하는 추가 제조 단계들 사이의 분리 또는 다이싱 선을 나타내기 위해 가상 선(phantom line)이 포함되며, 도 1e에 도시된 바와 같이, LED 칩들은 개개의 소자들로 분리될 수 있다. 도 1a 내지 1e는 또한 웨이퍼 레벨에서 오직 2개의 소자만을 도시하지만, 단일 웨이퍼로부터 훨씬 더 많은 LED 칩들이 형성될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 예컨대, 1 밀리미터(mm) 정사각형 크기를 가진 LED 칩을 제조하는 경우에 3인치 웨이퍼 상에 최대 4500개까지의 LED 칩이 제조될 수 있다.
LED 칩(10) 각각은 상이한 방식으로 정렬되는 많은 상이한 반도체 층들을 가질 수 있는 반도체 LED(12)를 포함한다. LED의 제조 및 동작은 일반적으로 당업계에 알려져 있으며 본 명세서에는 간략하게만 설명하겠다. LED(10)의 층은 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)을 이용하여 제조되는 것처럼 적당한 공정 프로세스를 갖는 공지된 공정을 이용하여 제조될 수 있다. LED(12)의 층은 일반적으로, 모두 기판(20) 상에 연속적으로 형성되어 있고 반대로 도핑된 제1 에피택셜 층 및 제2 에 피택셜 층(16, 18) 사이에 개재된 활성 층/영역(14)을 포함한다. 이 실시예에서, LED(12)는 기판(20) 상의 별도의 소자로서 도시된다. LED들(12) 사이의 개방 영역을 형성하기 위해 활성 영역(14)과 도핑층(16, 18)의 일부를 기판(20)을 향하여 아래로 에칭되게 함으로써 이러한 분리가 달성될 수 있다. 다른 실시예에서, 아래에 더 상세히 기술되는 바와 같이, 활성층(14)과 도핑층(16, 18)은 기판(20) 상의 연속 층으로서 유지될 수 있으며, LED 칩들이 싱귤레이팅될 때 개개의 소자로 분리될 수 있다.
LED(12)에는, 광 추출 층 및 요소들뿐만 아니라, 버퍼 층, 핵생성(nucleation) 층, 접촉 층, 및 전류 확산을 포함하는 추가의 층 및 요소들이 포함될 수 있지만, 상기의 층들로 한정되는 것은 아니다. 활성 영역(14)은 단일 양자 우물(SQW, single quantum well), 복수의 양자 우물(MQW, multiple quantum well), 이중 헤터로 구조물 또는 초격자(super lattice) 구조물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 에피택셜 층(16)은 n-타입 도핑층이고, 제2 에피택셜층(18)은 p-타입 도핑층이지만, 다른 실시예에서는 제1 층(16)이 p-타입 도핑될 수 있고, 제2 층(18)은 n-타입 도핑될 수 있다. 이후부터 제1 에피택셜 층 및 제2 에피택셜 층(16, 18) 각각은 n-타입 층 및 p-타입 층으로 각각 언급된다.
LED(12)의 영역(14)과 층들(16, 18)은 상이한 재료계(material system)로부터 제조될 수 있는데, 바람직한 재료계는 III족 질화물 기반의 재료계이다. III족 질화물은 질소와, 통상적으로 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)과 같은 주기율표의 III족에 있는 원소 사이에 형성된 반도체 화합물을 말한다. 이 용어는 또한, 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN)과 알루미늄 인듐 갈륨 질화물(AlInGaN)과 같은 3원 및 4원 화합물을 말한다. 바람직한 실시예에서, n-타입 층 및 p-타입 층(16, 18)은 갈륨 질화물(GaN)이며, 활성 영역(14)은 InGaN이다. 대안적인 실시예에서, n-타입 및 p-타입 층(16, 18)은 AlGaN, 알루미늄 갈륨 비소(AlGaAs) 또는 알루미늄 갈륨 인듐 비소 인화물(AlGaInAsP)일 수 있다.
기판(20)은 사파이어, 실리콘 탄화물, 알루미늄 질화물(AlN), GaN과 같은 많은 재료로 만들어 질 수 있은데, 적합한 기판은 실리콘 탄화물의 4H 폴리타입이지만, 3C, 6H 및 15R 폴리타입을 포함하는 다른 실리콘 탄화물 폴리타입 또한 사용될 수 있다. 실리콘 탄화물은 사파이어보다 결정 격자가 III족 질화물에 더 잘 매치되는 것과 같은 특정한 이점을 가지며, 고품질의 III족 질화물 막을 가져올 수 있다. 또한 실리콘 탄화물은 열전도율이 매우 높아 실리콘 탄화물 상의 III족 잘화물 소자의 총 출력 전력은, (사파이어 상에 형성된 일부 소자의 경우에서와 같은) 기판의 열 소산(thermal dissipation)에 의해 제한받지 않는다. SiC 기판은 노스 캐롤라이나 더럼 소재의 Cree Research, Inc로부터 입수할 수 있으며, 이러한 기판을 제조하는 방법은 미국특허 제34,861호, 제4,946,547호 및 제5,200,022호뿐만 아니라 과학 문헌에도 기술되어 있다. 예시된 실시예에서, 기판(20)은 웨이퍼 레벨에 있으며, 복수의 LED(12)가 웨이퍼 기판(20) 상에 형성되어 있다.
LED(12) 각각은 제1 및 제2 접촉부(22, 24)를 가질 수 있다. 도시된 실시예에서, LED는 기판(20) 상의 제1 접촉부(22) 및 p-타입 층(18) 상의 제2 접촉부(24)를 갖는 수직형 기하구조를 갖는다. 제1 접촉부(22)는 기판 상에 하나의 층으로 보 이지만, LED 칩들이 웨이퍼로부터 싱귤레이팅될 때, 각각의 LED 칩(10)이 제1 접촉부(22) 중 자기 자신의 부분을 갖도록, 이 제1 접촉부(22) 또한 분리될 것이다. 제1 접촉부(22)에 인가된 전기 신호는 n-타입 층(16)으로 확산되며, 제2 접촉부(24)에 인가된 신호는 p-타입 층(18)으로 확산된다. III족 질화물 소자의 경우, 제1 및 제2 접촉부는 Au, 구리(Cu), 니켈(Ni), 인듐(In), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 조합과 같은 여러 가지 재료를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서 제1 및 제2 접촉부는 인듐 주석 산화물, 니켈 산화물, 아연 산화물, 카드뮴 주석 산화물, 티타늄 텅스텐 니켈, 인듐 산화물, 주석 산화물, 마그네슘 산화물, ZnGa2O4, ZnO2/Sb, Ga2O3/Sn, AgInO2/Sn, In2O3/Zn, CuAlO2, LaCuOS, CuGaO2 및 SrCu2O2와 같은 전도성 산화물과 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 사용된 재료의 선택은 접촉부의 위치는 물론 투명도, 접합 저항 및 면저항과 같은 원하는 광학적 및 전기적 특성에 따라 달라질 수 있다.
III족 질화물 소자의 경우에는 얇은 반투명 전류 확산층이 통상적으로 p-타입 층(18)의 일부 또는 전부를 피복할 수 있다고 알려져 있다. 제2 접촉부(24)가 통상적으로 백금(Pt)과 같은 금속 또는 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 투명 전도성 산화물인 이와 같은 층을 포함할 수 있지만, 다른 재료 또한 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 이후부터, 제1 및 제2 접촉부(22, 24)는 각각 n-타입 및 p-타입 접촉부라고 한다.
본 발명에는 또한, 양 접촉부가 LED의 상단에 있는 측면 기하구조를 갖는 LED가 사용될 수 있다. p-타입 층(18)과 활성 영역의 일부는, n-타입 층(16) 상의 접촉 메사(mesa)를 노출시키기 위해 에칭과 같은 기술에 의해 제거된다. 활성 영역(14)과 p-타입 층(18)의 제거된 부분의 경계는 수직 가상선(25)으로 표시된다. n-타입 층(16)의 메사에는 제2 측면 n-타입 접촉부(26)(역시 가상적으로 도시됨)가 제공된다. 접촉부들은 공지되어 있는 증착 기술을 이용하여 증착된 공지의 재료를 포함할 수 있다.
이제 도 1b를 참조하면, 본 발명에 따라, LED(12)의 코팅 후에 p-타입 접촉부(24)와의 전기적 접촉을 만드는데 이용되는 p-타입 접촉 페데스탈(28)이 p-타입 접촉부(24) 상에 형성된다. 페데스탈(28)은 많은 상이한 전기 전도성 재료로 형성될 수 있으며, 전기 도금, 마스크 증착(e-빔, 스퍼터링), 무전해 도금 또는 스터드 범핑과 같은 여러 가지 공지의 물리적 또는 화학적 증착 공정을 이용하여 형성될 수 있는데, 바람직하게는 접촉 페데스탈은 금(Au)이며, 스터드 범핑을 이용하여 형성된다. 이 방법은 통상적으로 가장 쉬우면서 가장 비용 효율적인 접근 방식이다. 페데스탈(28)은 Cu, Ni, In, 또는 이들의 조합이나, 상기 열거된 전도성 산화물과 투명 전도성 산화물을 포함하는, 제1 및 제2 접촉부에 이용되는 금속과 같이, Au 이외의 다른 전도성 재료로 만들어질 수 있다.
스터드 범프를 형성하는 공정은 일반적으로 공지되어 있으며, 본 명세서에서는 간략하게만 설명하겠다. 스터드 범프는 종래의 와이어 본딩에서 사용되는 "볼 본딩" 공정을 수정함으로써 접촉부(본드 패드) 상에 배치된다. 볼 본딩에서, 본드 와이어의 팁(tip)이 용해되어 구를 형성한다. 와이어 본딩 도구는 기계적 힘, 열 및/또는 초음파 에너지를 가하면서 이 구를 접촉부에 대해 압착하여 금속 접속부를 생성한다. 다음으로, 와이어 본딩 도구는, 보드, 기판 또는 리드 프레임 상의 접속 패드에까지 금 와이어를 연장하고, 그 패드에 대한 "스티치" 본드를 만들며, 다른 사이클을 시작하기 위해 그 본드 와이어를 끊어 마무리한다. 스터드 범핑에 대해, 제1 볼 본드가 기술된 바와 같이 만들어지며, 그 다음 와이어가 볼 위의 가까이에서 끊어진다. 결과의 금 볼, 즉 "스터드 범프"는 접촉부 상에 남게 되며 하부 접촉부 금속으로의 영구적이고 신뢰할 수 있는 접속을 제공한다. 그 다음, 스터드 범프는 기계적 압력에 의해 평탄하게 (또는 "압인가공(coined)") 되어 더욱 평탄한 최상부 표면과 더욱 균일한 범프 높이를 제공할 수 있으며, 동시에 임의의 남아있는 와이어를 볼 쪽으로 가압한다.
페데스탈(28)의 높이는 형광체가 로딩된 바인더 코팅의 원하는 두께에 따라 변할 수 있으며, LED로부터 형광체가 로딩된 바인더 코팅의 상부 표면 위로 확장되거나 또는 그에 매치될 만큼 충분히 높아야 한다. 이 높이는 200 ㎛를 초과할 수 있는데, 통상적인 페데스탈의 높이는 20 내지 60㎛의 범위이다. 일부 실시예에서, 하나보다 많은 스터드 범프가 적층되어 원하는 페데스탈의 높이를 달성할 수 있다. 스터드 범프 또는 다른 형태의 페데스탈(28)은 또한 반사층을 가질 수 있거나, 또는 반사 재료로 만들어져 광 손실을 최소화할 수 있다.
도시된 수직형 기하구조 타입의 LED(12)에 대해, p-타입 접촉부(24)를 위해서는 오직 하나의 페데스탈(28)이 필요하다. 대안적인 측면 기하구조의 LED에 대해서는 제2 n-타입 페데스탈(30)(가상으로 도시됨)이 측면 기하구조의 n-타입 접촉 부(26) 상에 형성되는데, 통상적으로 p-타입 페데스탈(28)과 동일한 재료로, 실질적으로 동일한 높이로, 동일한 공정을 이용하여 형성된다.
이제 도 1c를 참조하면, 웨이퍼는, 각각의 LED(12) 및 그것의 접촉부(22)를 피복하고 페데스탈(28)을 피복하고/매립할 정도의 두께를 갖는 형광체/바인더 코팅(32)에 의해 뒤덮힌다. 측면 기하구조의 소자에 대해, 접촉부(26) 및 페데스탈(30) 또한 매립된다. 본 발명은, 특정 소자 또는 특징부(feature)에 대해 정렬할 필요없이 웨이퍼 레벨에서 LED(12) 위로 형광체 코팅을 증착하는 이점을 제공한다. 대신에, 전체 웨이퍼가 피복되며, 이는 더욱 간단하고 더욱 비용 효과적인 제조 공정을 제공한다. 스핀 코팅, 전기영동 증착, 정전기 증착, 프린팅, 제트 프린팅, 또는 스크린 프린팅과 같은 상이한 공정들을 이용하여 형광체 코팅이 도포될 수 있다. 다른 실시예에서, 코팅(32)은 각각의 LED 위에 본딩될 수 있도록 별도로 제조된 프리폼(preform)으로서 제공될 수 있다. 프리폼 도포 방법의 일 실시예는 후술되며 도 7a 내지 7d에 도시된다.
바람직한 실시예에서, 형광체는 스핀 코팅을 이용하여 형광체/바인더 혼합물로 웨이퍼 위에 증착될 수 있다. 스핀 코팅은 일반적으로 당업계에 공지되어 있으며, 일반적으로 원하는 양의 바인더와 형광체의 혼합물을 기판의 중심에서 증착하고 그 기판을 고속으로 스피닝하는 것을 포함한다. 원심력(원심 가속도)는 그 혼합물로 하여금 기판으로 확산되어 종국에는 기판의 가장자리까지 확산되기 한다. 최종적인 층 두께와 다른 특성들은 혼합물의 특징(점성, 건조 속도, 형광체의 퍼센티지, 표면 장력 등) 및 스핀 공정을 위해 선택된 파라미터에 의존한다. 대형 웨이퍼 의 경우, 기판을 고속으로 스피닝하기 전에 기판 위로 형광체/바인더 혼합물을 분배하는 것이 유용할 수 있다.
다른 실시예에서, 형광체는 공지되어 있는 전기 영동 증착법을 이용하여 웨이퍼 상에 증착된다. 웨이퍼와 웨이퍼의 LED는 어떤 액체 내에서 부유하는 형광체 입자들을 함유하는 용액에 노출된다. 이 용액과 LED 사이에는 전기적 신호가 인가되어 전기장을 발생시키고, 이 전기장은 형광체 입자로 하여금 LED로 이동하여 그 위에 증착되게 한다. 이 공정은 통상적으로 LED 위로 뒤덮인 형광체를 분말 형태로 둔다. 그 다음, 코팅(32)을 형성하기 위해 바인더는, 바인더 내에 가라앉아 있는 형광체 입자들을 갖는 형광체 위로 증착될 수 있다. 바인더 코팅은 공지되어 있는 많은 방법들을 이용하여 도포될 수 있으며, 일 실시예에서, 이 바인더 코팅은 스핀 코팅을 이용하여 도포된다.
그 다음, 형광체/바인더 코팅(32)은 사용된 바인더의 종류와 같은 상이한 인자에 따라 많은 상이한 경화 방법을 이용하여 경화될 수 있다. 상이한 경화 방법들은 열경화, 자외선(UV) 경화, 적외선(IR) 경화, 공기 경화를 포함하지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.
이들로 한정되는 것은 아니지만, 형광체 입자의 크기, 형광체 로딩 퍼센티지, 바인더 재료의 종류, 형광체의 종류와 발광의 파장 간의 매치율, 및 형광체/바인딩 층의 두께를 포함하는 상이한 인자들이 최종 LED 칩의 형광체/바인더 코팅에 의해 흡수될 LED 광량을 결정한다. 이들 상이한 인자들은 본 발명에 따른 LED 칩의 방출 파장을 제어하기 위해 제어될 수 있다.
바인더를 위해 상이한 재료들이 사용될 수 있는데, 경화 후에도 강건(robust)하고 가시적 파장 스펙트럼에서 실질적으로 투명한 재료가 바람직하다. 적당한 재료는, 실리콘, 에폭시, 유리, 스핀 온 유리(spin-on glass), BCB, 폴리이미드 및 중합체를 포함하는데, 고전력 LED에서의 높은 투명도와 신뢰성 때문에 실리콘이 바람직한 재료이다. 적당한 페닐 기반의 실리콘 및 메틸 기반의 실리콘은 Dow® Chemical로부터 상업적으로 입수할 수 있다. 다른 실시예들에서, 바인더 재료는, 인덱스가 칩(반도체 재료) 및 성장 기판과 같은 특징부와 매치되도록 처리될 수 있으며, 이는 내부 전반사(TIR, total internal reflection)를 감소킬 수 있고 광 추출을 개선할 수가 있다.
본 발명에 따라 코팅(32)에는 많은 상이한 형광체가 사용될 수 있다. 본 발명은, 특히 백색광을 방출하는 LED 칩에 적합하다. 본 발명에 따른 일 실시예에서, LED(12)는 청색 파장 스펙트럼의 광을 방출하며, 형광체는 그 청색광 중 일부를 흡수하고 황색광을 재방출한다. LED 칩(10)은 청색광과 황색광이 결합된 백색광을 방출한다. 일 실시예에서, 형광체는 상업적으로 입수할 수 있는 YAG:Ce를 포함하지만, Y3Al5O12:Ce (YAG)와 같은 (Gd,Y)3(Al,Ga)5O12:Ce계 기반의 형광체로 만들어진 변환 입자를 이용하는 전 범위의 광범위한 황색 스펙트럼 방출이 가능하다. 백색 발광 LED 칩에 사용될 수 있는 다른 황색 형광체로는,
Tb3-xRExO12:Ce(TAG); RE=Y, Gd, La, Lu; 또는
Sr2-x-yBaxCaySiO4:Eu가 있다.
상이한 백색조(white hue)(온백색)의 보다 높은 CRI 백색을 위해 제1 형광체와 제2 형광체, 즉 황색 형광체와 적색 형광체가 결합될 수 있다. 이하의 것들을 포함하여 상이한 적색 형광체들이 사용될 수 있다:
SrxCa1-xS:Eu, Y; Y=할로겐화물(halide);
CaSiAlN3:Eu; 또는
Sr2-yCaySiO4:Eu.
다른 형광체를 사용하여 실질적으로 모든 광을 특정 색으로 변환함으로써 포화색 방출을 만들어낼 수 있다. 예컨대, 아래의 형광체들을 사용하여 녹색 포화 광을 발생시킬 수 있다:
SrGa2S4:Eu;
Sr2-yBaySiO4:Eu; 또는
SrSi2O2N2:Eu.
다른 물질도 사용될 수는 있지만, LED 칩(10)의 변환 입자로서 사용되는 몇몇 추가의 적당한 형광체를 아래에 열거하였다. 각각은 청색 및/또는 UV 방출 스펙트럼에서의 여기(excitation)를 나타내고, 바람직한 피크 방출을 제공하며, 효율적인 광 변환을 갖고, 수용 가능한 스토크스 이동(Stokes shift)을 갖는다.
황색/녹색
(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)2S4:Eu2+
Ba2(Mg,Zn)Si2O7:Eu2+
Gd0.46Sr0.31Al1.23OxF1.38:Eu2+ 0.06
(Ba1-x-ySrxCay)SiO4:Eu
Ba2SiO4:Eu2+
적색
Lu2O3:Eu3+
(Sr2-xLax)(Ce1-xEux)O4
Sr2Ce1-xEuxO4
Sr2-xEuxCeO4
SrTiO3:Pr3+,Ga3+
CaAlSiN3:Eu2+
Sr2Si5N8:Eu2+
상이한 크기의 형광체 입자들, 예컨대 10-100 나노미터(nm) 크기의 입자들 내지 20-30㎛ 크기의 입자들, 또는 그 이상의 크기의 입자들이 사용될 수 있지만, 이러한 크기들로 한정되는 것은 아니다. 통상적으로 더 작은 크기의 입자가 더 큰 크기의 입자보다 색을 더 잘 산란시키고 혼합하여 더욱 균일한 광을 제공한다. 통상적으로 큰 입자들은 작은 입자들과 비교하여 광 변환시 더욱 효율적이지만, 덜 균일한 광을 방출한다. 일 실시예에서, 입자 크기는 2-5㎛ 범위이다. 다른 실시예에서, 코팅(32)은 상이한 종류의 형광체를 포함할 수 있거나, 단색 또는 다색 광원을 위한 다중 형광체 코팅을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 EPD와 같은 종래의 증착 공정에 비해 LED 상에 여러 가지 크기의 입자를 증착하는데 더 효과적일 수 있다. EPD 증착 공정에서는 유사한 크기의 형광체 입자가 용액 내에서 전기장에 반응하여 LED 상에 증착될 수 있다. 여러 가지 크기의 입자, 특히 큰 입자는 동일한 방식으로 전기장에 반응하지 못하여 증착되지 못할 수 있다. 본 방법을 이용하면 여러 가지 크기의 형광체가 도포되기 전에 원하는 대로 코팅에 포함될 수 있으며, 이에 따라 최종 코팅은 광을 효과적으로 산란시키고 혼합하는 작은 크기와 광을 효과적으로 변환시키는 큰 크기의 원하는 조합을 가질 수가 있다.
코팅(32)은 또한, 바인더 내에 형광체 재료의 상이한 농도 또는 상이한 로딩을 가질 수 있는데, 통상적인 농도는 중량으로 30 내지 70% 범위이다. 일 실시예에서, 형광체 농도는 중량으로 약 65%이며 바람직하게는 결합체 전체에 균일하게 분산된다. 또 다른 실시예에서, 코팅은 상이한 농도 또는 종류의 복수의 형광체 층을 포함할 수 있으며, 복수의 층은 상이한 바인더 재료를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 형광체 없이 LED 광에 대해 거의 투명한 하나 이상의 층이 제공될 수 있다. 아래에서 더 자세히 설명하겠지만, 일부 실시예에서는 클리어 실리콘(clear silicone)의 제1 코팅제가 증착되고 이어서 형광체가 로딩된 층들이 증착될 수 있다.
전술한 바와 같이, 페데스탈(28) (및 측면 소자용 페데스탈(30))은 코팅(32)에 의해 매립되며, 이는 LED 칩(10)이 정렬될 필요없이 코팅될 수 있도록 허용한다. LED 칩의 초기 코팅 후에는 페데스탈(28)을 노출시키는 추가 공정이 필요하다. 이제 도 1d를 참조하면, 코팅(32)은 페데스탈(28)이 코팅의 상부 표면을 통해 노출되도록 박막화되거나 또는 평탄화된다. 바람직하게는 바인더가 경화된 후에 그라인딩, 랩핑(lapping) 또는 폴리싱(polishing)과 같은, 공지되어 기계적 공정을 포함하여 여러 가지 박막화 공정이 사용될 수 있다. 다른 제조 방법은 경화되기 전에 코팅을 박막화 하는 스퀴지(squeegee)를 포함할 수 있으며, 또는 그 코팅이 경화되기 전에 가압 평탄화도 이용될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 물리적 또는 화학적 에칭이나 박리(ablation)를 이용하여 코팅이 박막화 될 수 있다. 이 박막화 공정은 페데스탈을 노출시킬 뿐만 아니라 코팅의 평탄화와 LED 상의 코팅의 최종 두께의 제어를 가능하게 한다. 전술한 바와 같이, 코팅(32)은 평탄화 후에 상이한 두께를 가질 수 있는데, 일 실시예에서, 두께의 범위는 1 내지 100㎛이다. 또 다른 실시예에서, 적당한 두께 범위는 30 내지 50㎛이다. 다른 실시예에서, 예컨대 웨이퍼 전반의 발광 편차를 보상하기 위하여, 웨이퍼 또는 단일 LED 전반에서 코팅 두께가 불균일할 수 있다.
평탄화에 후속하여, 코팅의 제곱 평균 제곱근 표면 거칠기(roughness)는 대략 10 nm이하가 되어야 하지만, 표면은 다른 표면 거칠기 측정치를 가질 수 있다. 일부 실시예에서, 표면은 평탄화 중에 텍스처링 될 수 있다. 다른 실시예에서, 평탄화 후에 코팅 또는 다른 표면은, 레이저 텍스처링, 기계적 성형, 에칭(화학적 또는 플라즈마), 또는 다른 공정과 같은 것을 이용하여 텍스처링되어, 광 추출을 향상시킬 수 있다. 텍스처링 결과, 표면 특징부는 0.1-5㎛, 바람직하게는 0.2-1㎛ 높이 또는 깊이를 갖는다. 다른 실시예에서, LED(12)의 표면 또한, 광 추출을 향상시키기 위하여 텍스처링 또는 성형될 수 있다.
이제 도 1e를 참조하면, 개개의 LED 칩(10)은 다이싱, 스크라이브 및 절단, 또는 에칭과 같은 공지의 방법을 이용하여 웨이퍼로부터 싱귤레이팅될 수 있다. 이 싱귤레이팅 공정은 LED 칩(10) 각각을 분리시키는데, 각각의 칩은 거의 동일한 두께의 코팅(32), 결과적으로 거의 동일한 양의 형광체 및 발광 특성을 갖는다. 유사한 파장의 광을 방출하는 LED를 갖는 웨이퍼에 대해서는 유사한 발광 특성을 갖는 LED 칩(10)의 신뢰할 수 있고 일관된 제조가 가능하다. LED 칩의 싱귤레이팅 후에 코팅층은 LED의 측면에 유지되며, 이 측면으로부터 방출되는 LED 광 또한 코팅과 그 형광체 입자를 통과한다. 이에 따라, 측면 방출 광의 적어도 일부가 변환되어, 상이한 시야각에서 더욱 일관된 발광 특성을 가진 LED 칩을 제공할 수 있게 된다.
싱귤레이팅 후에, LED 칩은 형광체를 추가하는 추가 공정이 필요없이, 패키지, 서브마운트 또는 인쇄 회로 기판(PCB)에 장착될 수 있다. 일 실시예에서, 패키 지/서브마운트/PCB는 종래의 패키지 리드를 가질 수 있으며, 페데스탈은 이 리드에 전기적으로 접속된다. 그 다음, 종래의 밀봉체(encapsulation)가 LED 칩과 전기 접속부를 둘러쌀 수 있다. 다른 실시예에서, LED 칩은 밀봉 커버에 의해 밀봉되고, 불활성 분위기가 대기압 또는 그 이하에서 LED 칩을 둘러싼다.
전술한 실시예 및 하기 실시예들은 수직형 및 측면 기하구조의 소자를 참조로 설명하지만, 상이한 기하구조를 갖는 다른 소자도 사용될 수 있음은 물론이다. 예컨대, 2개의 하부-측면 접촉부를 갖지만 페데스탈이 없는 소자 또한 본 발명에 따라 코팅될 수 있으며, 이들 소자에는 캐리어 기판을 통하는 것과 같이 상이한 방식으로 전기적 접촉이 이루어진다.
도 2a 내지 2f는, 본 발명에 따라 도 1a 내지 1e에 도시된 LED 칩 형상과 유사한 형상을 가진 LED 칩(40)을 제조하는 다른 방법이 도시되며, 도 1a 내지 1e에 도시된 LED 칩(10)의 특징부와 유사한 특징부에 대해, 동일한 특징부들에 대한 설명이 동일한 참조 번호를 이용하여 다른 실시예에 적용된다는 조건으로 동일한 참조 번호들이 본 명세서에서 이용될 것이다. 도 2a를 참조하면, LED 칩(40)은 그들의 제조 공정의 웨이퍼 레벨에서 도시되어 있으며, LED 칩(40)은 웨이퍼로부터 개개의 LED 칩으로 분리/싱귤레이팅되기 전에 필요한 모든 단계들을 거치지 않았다. 가상선은 LED 칩들(10) 간의 분리, 싱귤레이팅 또는 절단선을 보여주기 위하여 LED 칩들 간에 나타낸 것이다. 도 1a 내지 1e에 도시된 전술한 LED 칩(10)과 마찬가지로 2개의 소자가 웨이퍼 레벨에서 도시되어 있지만, 하나의 웨이퍼로부터 더 많은 LED 칩이 형성될 수 있음은 물론이다.
LED 칩(40) 각각은 모두 기판(20) 상에 있는 반대로 도핑된 층들(16, 18) 간에 개재된 활성 층/영역(14)을 가진 LED(12)를 포함한다. LED는 기판(20)을 향해 아래로 에칭되거나 또는 기계적으로 절삭(cut)되어 LED들(12) 간에 개방 영역을 형성하는 개별 소자로서 도시되어 있지만, 전술한 바와 같이, 이 층들은 연속적일 수 있으며 개별 소자들은 싱귤레이팅 중에 분리될 수 있다. 그라인딩 후의 인접 LED들 사이에 간격은 실시예마다 상이할 수 있으며, 일 실시예에서, 이 분리 간격은 대략 50 마이크로미터(마이크론)이다. LED 칩(40)에는 추가 층이 포함될 수 있으며, 이 제조 방법 또한 캐리어 웨이퍼 상에 구비된 플립 칩 LED가 이용될 수 있음은 물론이다.
LED(12) 각각은 제1 및 제2 접촉부를 가질 수 있으며, 수직형 기하구조의 소자에 있어서는 제2 접촉부(24)는 제2 에피택셜 층(18) 상에 있을 수 있다. 제1 접촉부(도시 안됨)는, 아래에서 기술되고 도 2e에 도시되는 바와 같이 본 방법의 나중 단계에서 기판(20) 상에 증착된다. 측면 기하구조의 소자에 대해서 제2 측면 n-타입 접촉부(26)(가상적으로 도시됨)는 전술한 바와 같이 n-타입 층의 메사 상에 제공된다. 이들 접촉부는 도 1a 내지 1e에서 전술한 재료를 포함할 수 있으며 공지 기법을 이용하여 증착될 수 있다.
p-타입 접촉 페데스탈(28)은 제2 접촉부(24) 상에 형성되며, 측면 기하구조의 소자에 있어서는 제2 n-타입 접촉 페데스탈(30)(가상적으로 도시됨)이 측면 기하구조의 n-타입 접촉부(26) 상에 형성될 수 있다. p-타입 접촉 페데스탈(28)과 제2 n-타입 접촉 페데스탈(30)은 공지된 공정을 용하여 통상적으로 동일한 재료로, 대략 동일 높이로 형성된다. 그러나 다른 실시예에서, 페데스탈(28, 30)은 상이한 높이로 형성될 수 있다. 페데스탈(28, 30)은 전술한 것과 동일한 재료로 만들어질 수 있으며, 본 방법에서는 이하에 설명되는 기판 홈의 형성 후와 같은 상이한 시점에서 형성될 수 있음은 물론이다.
기판(20)은 상이한 두께를 가질 수 있는데, LED 칩(10)의 일 실시예에 기판의 두께는 대략 600㎛이다. 블레이드 소잉(sawing)이나 레이저 소잉을 이용하여 이러한 두께의 기판(20)을 소잉 또는 다이싱하는 것은, 어렵고 시간이 많이 드는 일이다. 블레이드 소잉은 기판 균열의 위험이 있어, LED(12)로 균열이 퍼져 나가 LED를 손상시킬 위험이 있을 수 있다. 그와 같은 두꺼운 기판의 레이저 소잉은 멀티패스/멀티레벨 다이싱이나 또는 고출력 레이저 다이싱 또는 이들의 조합을 필요로 한다. 멀티레벨 다이싱은 시간이 많이 들며, 고출력 레이저 다이싱은 LED를 탄화(charring)시켜 LED 칩의 성능에 악영향을 미칠 수 있다.
균열 및 탄화의 위험을 감소시키고 제조 속도를 유지하기 위하여, 기판(20)은 레이저, 블레이드 또는 기타 절단 방법을 이용하여 상단에서부터 일부 절단되어 프리코팅 스크라이브, 홈 또는 트렌치("홈")을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 블레이드는 이 절단이 인접 LED들(12) 사이의 홈을 형성하는 기판(20)을 일부분 통과할 때에 사용된다. 블레이드의 폭에 따라서 홈(34)도 15 내지 25㎛ 범위와 같이 상이한 폭을 가질 수 있다. 이 홈은 최종적으로 LED 칩을 분리하기 위해 자르거나 다이싱되어야 하는 기판(20)의 두께를 저감시켜 균열의 위험을 감소시킨다. 트렌치는 절단 방법은 물론 특정 기판 두께와 기판 재료에 따라서 상이한 깊이와 폭을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 홈은 50 내지 400㎛ 범위의 깊이를 가질 수 있다. 또 다른 실시예에서, 홈은 100 내지 150㎛ 범위의 깊이를 가질 수 있다.
이제 도 2c를 참조하면, LED(12)는 전술한 방법을 이용하여 도포되고 경화될 수 있으며, 전술한 재료를 포함하는 형광체/바인더 코팅(32)에 의해 피복될 수 있다. 코팅(32)이 기판(20)의 상부 표면 아래를 지나도록, 코팅(32)은 홈(34)을 적어도 부분적으로 충전할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 코팅은 홈(34)을 대부분 충전한다. 페데스탈(28) (및 측면 페데스탈(30))은 코팅(32)에 의해 매립되어, LED 칩(10)이 정렬될 필요없이 코팅될 수 있다. 경화 후에 페데스탈(28)을 노출시키기 위한 추가 공정이 필요하다. 도 2d를 참조하면, 코팅(32)은 페데스탈(28)이 코팅의 상부 표면을 통해 노출되도록 전술한 방법을 이용하여 박막화 또는 평탄화될 수 있다. LED(12) 상의 코팅은 1 내지 100㎛ 범위와 같은 많은 상이한 두께를 가질 수 있는데, 일 실시예에서 적당한 두께 범위는 30 내지 50㎛이다.
이제 도 2e를 참조하면, 기판(20)은, LED 패키지 내에 LED 칩을 장착하는 것과 같은, 특정한 최종 애플리케이션을 위해 원하는 전체 소자 높이를 제공하기 위해 박막화 수 있다. 본 실시예에 따른 LED 칩은 이하에 설명되는 도 31 및 도 32에 도시된 것과 같이 많은 상이한 LED 패키지들에 장착될 수 있다. 본 발명에 따른 한 가지 LED 패키지에 있어서, LED 칩의 총 높이가 100 내지 150㎛ 범위에 있도록 기판(20)이 박막화된다. 그러나, 다른 애플리케이션 또는 패키지를 위한 LED 칩은 상이한 전체 두께를 가질 수 있음은 물론이다. 기판은 기계적 그라인딩 또는 화학적 에칭과 같은 공지의 방법을 이용하여 박막화될 수 있으며, 이때 트렌치(34) 하단과 기판(20)의 하부 표면 사이에 기판(20)의 상대적으로 작은 안정화(stabilization) 부분(36)을 둔다. 안정화 부분(36)은 후속 처리 단계 동안 기판(웨이퍼)의 무결성(integrity)을 유지하며 상이한 두께를 가질 수 있는데, 일부 실시예에서 이 두께는 10 내지 30㎛ 범위이다.
도 2f에 도시된 또 다른 실시예에서, 기판(20)은 홈의 하단부에 도달하도록 박막화될 수 있으며, 이때는 경화된 코팅(32)의 일부만을 인접 LED 칩(40) 사이에 남긴다. 그와 같은 일 실시예에서, 홈(34)은 100㎛ 이상의 깊이를 가질 수 있고 기판(20)은 100㎛로 박막화될 수 있어, 적어도 홈(34)의 하단부에 도달할 수 있다. 그러면 LED 패키지의 총 두께는 대략 130㎛가 될 수 있다.
이제 도 2e 및 2f를 참조하면, 수직형 기하구조의 LED(12)에 있어서 제1 접촉부(22)는 박막 기판(20)의 하부 표면 상에 전도성 재료 층으로서 포함될 수 있다. 이 접촉부는 전술한 것과 동일한 재료로 만들어진다. LED 칩(40)이 웨이퍼로부터 싱귤레이팅될 때 각각의 칩은 제1 접촉부(22)를 형성하는 일부의 층을 갖는다. 제1 및 제2 접촉부(22, 24)에 인가된 전기적 신호에 따라 LED(12)가 광을 방출한다.
이제 도 2g를 참조하면, LED 칩은 다이싱, 스크라이브 및 절단, 클리빙(cleaving) 또는 에칭과 같은 공지되어 있는 방법들을 이용하여 웨이퍼로부터 싱귤레이팅될 수 있다. 이는 일반적으로 LED 칩(40)을 분리하기 위하여 하단에서부터 또는 상단에서부터 코팅(32) (및 도 2e에서의 안정화 부분(36))을 통과하는 절단을 포함한다. 다른 실시예에서, 코팅 (또는 도 2e의 실시예에서의 안정화 부분(36)과 코팅(32))은 하단에서부터 부분적으로 절단되고, 코팅의 나머지 부분은 공지된 방법을 이용하여 절단되어 LED 칩(40)이 분리된다. 일 실시예에서, 하단에서부터의 절단은, 분할 전에 30 내지 40 마이크론에 도달하지만, 상이한 깊이에 도달할 수도 있다는 것이 이해될 것이다.
싱귤레이팅된 LED 칩(40)은 기판(20)의 측벽의 적어도 일부에 남아있는 코팅(32)의 일부를 가질 수 있다. 이하에 더 자세히 설명하는 바와 같이, 이 측벽 코팅은 특히 기판이 LED 광을 적어도 부분적으로 투과시키는 실시예들에서 LED 칩의 균일한 발광을 향상시킬 수 있다. 본 발명에 따른 방법에서 사용된 상이한 절단과 분할 단계에 따라 LED 칩 상의 표면은 각이 질 수가 있으며, 일 실시예에서 LED 칩(40)을 싱귤레이팅하기 위한 코팅(32)의 분할은 코팅(32)에 립(lip) 또는 기타 불규칙성을 남길 수 있다.
전술한 바와 같이, 페데스탈은 많은 상이한 전도 전도성 재료로 여러 가지 방식으로 형성될 수 있다. 바람직한 페데스탈은 코팅 도포 경화 및 평탄화 공정을 견디어 낼 수 있으면서, 각자의 LED로의 전도성 경로를 제공할 수 있다. 도 3은 전술한 LED 칩(10)과 유사하나 다른 종류의 페데스탈을 가진, 본 발명에 따른 LED 칩(45)의 다른 실시예를 보여준다. LED 칩(45) 각각은 기판(20) 상에 형성된 LED 칩(12)을 포함하는데, 이 칩은 기판(20) 상에 연속적으로 형성된 n-타입층(16), 활성 영역(14) 및 p-타입층(18)을 갖고 있다. LED 칩(45)은 n-타입 접촉부(22), p-타입 접촉부(24) 및 코팅(32)을 더 포함한다. 페데스탈(46)은 p-타입 접촉부(24) 상에 포함되며, 코팅은 페데스탈(46)의 상부 표면을 노출시키도록 평탄화되어 있다. 그러나, 이 실시예에서, 페데스탈(46)은 스터드 범프를 포함하지 않으며, 대신에 짧은 외이어나 마이크와이어를 포함한다. 마이크로와이어를 형성하는데는 여러 가지 방법이 사용될 수 있는데, 적당한 방법은 p-타입 접촉부(24)에 대한 마이크로 솔더링이다. 마이크로와이어는 여러 가지 길이와 폭을 가질 수 있어 후속 처리 단계를 견디어 낼 수 있다. 적당한 길이는 5 내지 500㎛ 범위이고, 적당한 폭은 50 내지 200㎛이다. 그러면, LED 칩은 전술한 것과 같은 여러 가지 방법을 이용하여 싱귤레이팅될 수 있다. LEC 칩(40)은 택일적으로 측면 기하구조를 가질 수 있으며 제2 마이크로와이어(48)(가상적으로 도시됨)를 가진 제2 측면 n-타입 접촉부(26)를 포함할 수 있다. 마이크로와이어(46, 48)는 Au, Cu 및 다른 금속과 같은 많은 상이한 전도성 재료들 단독으로 또는 그들의 조합으로 만들어질 수 있다.
전술한 LED 칩(10, 40, 45)에 있어서, LED(12)로부터 투명 기판용의 기판(20)을 향해 방출된 광은, 형광체/바인더 코팅(32)을 통과하지 않고 기판을 통과하여 LED 칩을 나갈 수 있다. 이것은 광의 특정 색상 또는 색조를 발생시키기 위해 수용될 수 있다. 이 기판 발광 또는 흡수가 방지되거나 최소화되는 실시예에서, LED(12)로부터 기판(20) 쪽으로 방출된 광이 차단 또는 흡수되도록 기판(20)이 (Si와 같이) 불투명할 수 있으며, 따라서 LED 칩으로부터 방출되는 대부분의 광은 코팅(32)을 통과하는 광으로부터 나온다.
도 4는 전술한 도 1a 내지 1e에 도시된 LED 칩(10)과 유사하나 LED 칩(50)의 상단을 향하는 LED 칩 광의 방출을 촉진하고 기판(20)을 통과하는 광을 최소화하기 위한 추가 특징부를 갖는 LED 칩(50)의 다른 실시예를 도시한다. LED 칩(50) 각각 은 기판(20) 상에 형성된 LED(12)를 포함하며, 이 LED는 기판(20) 상에 연속적으로 형성된 n-타입층(16), 활성 영역(14) 및 p-타입층(18)을 갖고 있다. LED 칩(50)은 n-타입 접촉부(22), p-타입 접촉부(24), p-타입 페데스탈 및 코팅(32)을 더 포함한다. 코팅(32)은 페데스탈(28)을 노출시키도록 평탄화된다. LED 칩(50)은 대안으로서 전술한 추가 페데스탈을 가진 측면 기하구조를 가질 수 있다.
LED 칩(50)은 활성 영역으로부터 기판(20)을 향해 방출된 광을 반사시켜 다시 LED 칩(50)의 상단을 향하게 하도록 구성된 반사층(52)을 또한 포함할 수 있다. 이러한 반사층(52)은, 기판(20)을 통하는 것과 같이 LED 칩(50)으로부터 방출되기 전에 변환 재료를 통과하지 않는, LED(12)로부터의 광의 방출은 감소시키고, LED 칩(50)의 상단을 향하고 코팅(32)을 통광하는 방출은 촉진시킨다.
반사층(52)은 LED 칩(50)에서 상이한 방식으로 상위한 위치에 배치될 수 있는데, 도시된 층(52)은 n-타입층(16)과 기판(20) 사이에 배치되어 있다. 이 층은 또한, LED 칩(12)의 수직형 가장자리를 넘어 기판(20) 상에서 연장될 수 있다. 다른 실시예에서, 반사층은 오직 n-타입층(16)과 기판 사이에 있다. 이 층(52)은 상이한 재료를 포함할 수 있는데, 예컨대 금속 또는 분산 브래그 반사체(DBR)과 같은 반도체 반사체를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 반사층은 기판(20) 상에서와 같은 LED 칩(50) 상의 다른 위치에 포함될 수도 있음은 물론이다.
일부 실시예에서, 활성 영역(14)과 n-타입 및 p-타입 층(16, 18)은 LED들(12) 사이의 가상선으로 나타낸 바와 같이 기판(20) 상의 연속 층일 수 있다. 이들 실시예에서, LED는 LED 칩(50)이 싱귤레이팅되는 단계까지는 분리되지 않는다. 따라서 최종 LED 칩은 LED의 상부 표면 위에만 코팅(32) 층을 가질 수 있으며 측면에는 싱귤레이팅 이후에 코팅이 없게 된다. 이에 따라, 활성 영역 광이 LED(12)의 측면 밖으로 방출될 수가 있으나, 주위 특징부들과 관련하여 이러한 LED를 이용하는 실시예에서, 형광체 재료를 만나지 않는 이러한 광 방출은, 형광체 재료를 통과하는 광의 양과 비교하여 최소화 될 수 있다. 이하에 설명되는 또 다른 실시예에서, LED 칩은 측면 상의 코팅을 포함하여, 이들 측면으로부터 방출되는 광의 변환을 촉진할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 다른 상이한 소자 및 LED를 코팅하는데 이용될 수 있다. 도 5a 내지 5e는 전술한 도 1a 내지 도 1e에 도시된 LED 칩(10)과 상이한 구조를 갖는 상이한 LED 칩(60)을 도시한다. 먼저 도 5a를 참조하면, LED 칩(60) 또한 웨이퍼 레벨에 있으며, 싱귤레이팅 전의 상태가 도시되어 있다. LED 칩(60)은 성장 기판 상에 있지는 않지만 대신 캐리어 기판(64) 상에 플립 웨이퍼 본딩된 LED(62)를 포함한다. 이 실시예에서, 성장 기판은 도 1a 내지 도 1e의 성장 기판(20)을 위해 전술한 재료를 포함할 수 있지만, 이 실시예에서 성장 기판은 플립 웨이퍼 본딩 후에 (또는 전에), 공지되어 있는 그라인딩 및/또는 에칭 공정을 이용하여 제거된다. LED(62)는, 통상적으로 하나 이상의 본드/금속 층이고, 또한 자신에게 입사하는 광을 반사시키는 역할을 하는 층(66)에 의해 캐리어 기판(64)에 장착된다. 다른 실시예에서, 성장 기판 또는 이것의 적어도 일부는 그대로 남아 있다. 성장 기판 또는 남아 있는 부분은 LED(62)로부터의 광 추출을 향상시키기 위해 성형 또는 텍스처링될 수 있다.
LED를 위해 많은 상이한 재료계가 이용될 수 있는데, 바람직한 재료계는 전술한 공지의 공정들을 이용하여 성장된 III족 질화물 재료계이다. 도 1a 내지 1e의 LED(12)와 마찬가지로, LED(62) 각각은 일반적으로, n-타입 에픽택셜 층(70)과 p-타입 에피택셜층(72) 사이에 개재된 활성 영역(68)을 포함하지만, 다른 층 또한 포함될 수 있다. LED(62)가 플립 웨이퍼 본딩되기 때문에, 최상위 층은 n-타입 층(70)이고, p-타입 층(72)은 활성 영역(68)과 본드/금속 층(66) 사이에 배치된 최하위 층이다. 캐리어 기판은 많은 상이한 공지의 재료로 형성될 수 있으며, 적당한 재료는 실리콘이다.
수직형 기하구조의 LED 칩(60)에 대해, n-타입 접촉부(74)는 LED 각각의 상부 표면 상에 포함될 수 있고, p-타입 접촉부(76)는 캐리어 기판(64) 상에 형성될 수 있다. n-타입 및 p-타입 접촉부(74, 76) 또한, 전술한 도 1a 내지 1e에 도시된 제1 및 제2 접촉부(22, 24)와 유사한, 공지된 기술을 이용하여 증착된 종래의 전도성 재료로 만들어질 수 있다. 또한 전술한 바와 같이, LED는 LED의 상단 위에 n-타입 및 p-타입 접촉부를 가진 측면 기하구조를 가질 수 있다.
이제 도 5b를 참조하면, LED 칩(60) 각각은 자신의 제1 접촉부(70) 상에 형성된 페데스탈(78)을 가질 수 있으며, 각각의 페데스탈은 도 1b 내지 1e의 페데스탈(28)에 대해 전술한 것과 동일한 방법을 이용하여 동일한 재료로 형성된다. 도 5c에 도시된 바와 같이, 그 다음 LED 칩 웨이퍼는, 바람직하게 형광체가 로딩된 바인더를 포함하는 블랭킷 코팅(80)에 의해 피복될 수 있다. 전술한 도 1c 내지 1e에 도시된 코팅(32)에 대한 것과 동일한 형광체 및 바인더가 사용될 수 있으며, 동일 한 방법을 이용하여 증착될 수 있다. 코팅(80)은 LED(62), LED(62)의 제1 접촉부(74) 및 페데스탈(78)을 피복 및 매립하고, 코팅(80)은 정렬 단계 없이 증착된다.
이제 도 5d를 참조하면, 전술한 방법을 이용하여 페테스탈(78)을 노출시키고 코팅(80)의 두께를 제어하기 위하여 코팅(80)은 평탄화되거나 또는 박막화될 수 있다. 이제 도 5e를 참조하면, 개개의 LED 칩(60)은 전술한 방법을 이용하여 웨이퍼로부터 싱귤레이팅될 수 있다. 그 다음, 이러한 소자들은 서브마운트 또는 PCB에 패키징되거나 또는 장착될 수 있다. 다른 실시예에서, 캐리어 기판이 제거될 수 있고, 그러면 서브마운트 또는 PCB에 패키징되거나 또는 장착될 수 있는 코팅된 LED가 남게 된다. LED 칩(60)은 도 2a 내지 도 2f에 도시된 전술한 홈 및 기판 박막화 방법을 이용하여 유사하게 제조될 수 있다는 것이 또한 이해될 것이다.
플립 웨이퍼 본딩된 LED는 또한, 원하는 방향으로의 발광을 촉진하기 위해 반사성 소자 또는 층을 가질 수 있다. 도 4는 전술한 도 3a 내지 3e에 도시된 LED 칩(60)과 유사한 웨이퍼 레벨의 LED 칩(90)을 도시한다. 본 명세서에서 유사한 특징부에 대해 동일한 참조번호가 사용되며, LED 칩(90)이 수직형 기하구조의 LED(62)를 갖는 것으로 도시되어 있지만, 측면 기하구조의 LED 또한 사용될 수 있다는 것이 이해될 것이다. LED 칩(90)은 캐리어 기판 또는 성장 기판일 수 있는 기판(64)에 장착된 LED(62)를 포함한다. LED(62) 각각은 전술한 바와 같이 활성 층(68), n-타입 층(70), p-타입 층(72), p-타입 접촉부(76), n-타입 접촉부(74), 및 페데스탈(78)을 포함하며, 형광체가 로딩된 바인더 코팅(80)은 전술한 바와 같 이 LED 위에 형성된다. 그러나, 이 실시예에서, 반사층(92)이 LED(62)와 기판(64) 사이에 포함되며, 반사층(92)은 DBR과 같은 고반사성 금속 또는 고반사성 반도체 구조를 포함할 수 있다. 반사층(92)은 기판(64)을 향해 방출되는 LED광을 반사하고, 광이 기판을 통과하는 것을 방지하는데 도움을 주는데, 여기서 광의 적어도 일부는 기판(64)에 의해 흡수될 수 있다. 이는 또한 LED 칩(90)으로부터 LED 칩(90)의 상단을 향하는 발광을 촉진한다. 특히 기판(64)이 캐리어 기판인 실시예에서는 반사층 아래에 또는 다른 위치에 본드/금속 층(도시 안됨) 또한 포함될 수 있다는 것이 이해될 것이다. LED 칩(90)은 아래의 층으로의 옴 접촉(ohmic contact)을 촉진하기 위하여 p-타입 층(72)에 인접한 p-접촉 층 또한 포함할 수 있다.
전술한 방법은 많은 추가 공정 단계를 포함할 수 있으며 완성 단계들을 상이한 순서로 수행할 수 있다. 추가 단계는 제조 시 여러 시점에서의 LED 칩의 프로빙 또는 데스트와, LED 칩의 목표 동작 특성에 도달하도록 LED의 동작 특성을 보충하도록 형광체/바인더 코팅 두께 및/또는 조성물을 맞추는 것을 포함할 수 있다.
도 7은 전술한 많은 제조 단계들뿐만 아니라 형광체/바인더 코팅을 맞추기 위한 추가 단계도 포함하는 본 발명에 따른 방법(100)의 일 실시예에 대한 흐름도이다. 이 방법(100)은 컴퓨터 제어 하에 또는 컴퓨터 지원으로 수행될 수 있다. 단계(102)에서, 전술한 도 5a 내지 5e에 도시된 바와 같이 LED가 성장 기판 상에 연속 에피택셜 층으로서 제공되고, 플립 칩이 성장 기판이 제거된 상태에서 캐리어 기판 상에 장착된다. 그 다음, LED는 절단되어 캐리어 기판 상에 개개의 소자들을 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, LED는 개개의 LED로부터 성장 기판이 제거된 상 태에서 캐리어 기판 상에 플립 칩을 장착하기 전에 절단될 수 있다.
단계(104)에서, 웨이퍼는 전기적 및 광학적 테스트와 같은 여러 가지 방법을 이용하여 프로빙된다. 결과 데이터는 컴퓨터에 제공되고, 여기에서 캐리어 웨이퍼에 대한 LED의 동작 특성 맵이 생성된다. 이 맵은 LED들 중 어느 것이 특정 동작 기준을 충족하고 충족하지 못하는지에 관한 데이터를 포함할 수 있다. 그 다음, 자신의 LED를 갖는 캐리어 웨이퍼는 그 LED의 동작 특성에 따라 비닝될(bin) 수 있다. 웨이퍼에 대해서는 특정의 색점(color point) 또는 범위를 목표로 하는 파장 범위에 기초하여 적당한 형광체 또는 형광성 물질이 선택될 수 있다. 예컨대 특정의 백색광 색점 또는 범위를 목표로 하는 청색 발광 LED에 대한 적당한 형광체가 선택될 수 있다.
단계(106)에서, 전술한 도 2b에 도시된 캐리어 기판에 예비 코팅 트렌치 또는 홈이 형성될 수 있다. 단계(108)에서, 캐리어 웨이퍼와 그 LED는 결함이 시각적으로 조사될 수 있으며, 그 결과 또한 컴퓨터에 전송되어 전기적/광학적 테스트 데이터 맵과 통합된다. 결과의 맵은 LED가 원하는 동작 기준을 충족한다는 것을 보여주는 "양호한" 다이 맵을 생성하는데 이용될 수 있다. 단계(110)에서, 캐리어 웨이퍼의 두께도 측정될 수 있으며, 그 결과도 컴퓨터에 제공된다.
단계(112)에서, (도 1a 및 1b에서와 같이) 상기 실시예에서 설명된 바와 같이 페데스탈이 LED 상에 형성되며, 이 페데스탈은 예컨대 스터드 범프나 마이크로와이어를 포함할 수 있다. 적당한 접촉부가 LED 상에 증착될 수 있음은 물론이다. 다이 맵은 페데스탈이 오직 "양호한" LED 상에 형성되도록 하는데 사용될 수 있다. 대안으로서 페데스탈은 모든 LED 상에 형성될 수 있다.
단계(114)에서, 형광체/바인더 코팅이 (도 1c에서와 같은) 전술한 방법을 이용하여 LED 칩 위에 형성되어 LED 칩을 뒤덮은 다음, 경화될 수 있다. 캐리어 웨이퍼 상의 LED의 특성과 LED 칩에 대한 원하는 색점에 기초하여 적당한 형광체 재료가 선택될 수 있다. 상기 열거된 것과 같은 하나 형광체 또는 상이한 형광체들이 사용될 수 있으며 전술한 방법을 이용하여 도포될 수 있다.
단계(116)에서, 형광체 층은 형광체/바인더 코팅에 의해 매립된 페데스탈을 노출시키기 위하여 (도 1d에서와 같이) 전술한 방법을 이용하여 박막화될 수 있다. 웨이퍼에 대한 LED의 동작 특성 및 선택된 형광체(또는 형광성) 재료의 특성에 기초하여, 원하는 색점/색 범위에 도달하고 또한 페데스탈을 노출시키기 위해 코팅의 최종 두께가 계산될 수 있다. 일부 실시예에서 적당한 두께에 대한 결정 및 박막화는 컴퓨터 제어 하에 자동화될 수 있다.
단계(118)에서, 색 및 강도(intensity)를 이용한 최종 비닝을 위한 색점을 결정하기 위하여 웨이퍼가 다시 전기적으로 그리고 광학적으로 프로빙될 수 있다. 단계(120)에서, 전체 웨이퍼의 원하는 두께를 얻기 위하여 캐리어 웨이퍼의 배면이 전술한 도 2e에 도시된 바와 같이 박막화될 수 있다. 단계(122)에서 LED 칩은 전술한 방법을 이용하여 싱귤레이팅된다. 단계(124)에서, 개별 LED 칩은 웨이퍼 레벨 프로브 데이터를 이용하여 비닝되고 분류된다.
본 발명에 따른 방법이 최종 LED 칩의 원하는 특성을 얻기 위하여 형광체 코팅을 맞추는데 이용되는 상이한 단계들을 가질 수 있다는 것이 이해될 것이다. 이 방법은 또한, 전술한 것보다 적거나 또는 많은 단계들을 가질 수 있으며, 이 상이한 단계들은 상이한 순서로 수행될 수 있다.
도 8a 내지 8d는 전술한 도 5a 내지 5f에 도시된 LED 칩(60)과 유사한, 본 발명에 따라 제조된 LED 칩(130)의 다른 실시예를 보여준다. 그러나 이 방법에서, 전술한 도 1a 내지 1e에 도시된 실시예와 같은 비 플립 웨이퍼 본딩 실시예들이 사용될 수 있음은 물론이다. 먼저 도 8a를 참조하면, LED 칩(130)은, 이 경우에는 캐리어 기판인 기판(64)에 장착된 수직형 LED(62)를 포함한다. 측면 LED도 전술한 바와 같이 사용될 수 있음은 물론이다. LED(62) 각각은 전술한 바와 같이 활성층(68), n-타입층(70), p-타입층(72), p-타입 접촉부(76), n-타입 접촉부(74) 및 페데스탈(78)을 포함한다. 그러나 LED 칩(130)은 전술한 재료로 만들어진 바인더에 고정된 전술한 형광체(및 기타 다른) 재료를 가질 수 있는 미리 제조된 또는 미리 형성된 코팅층(132)에 의해 피복된다.
이제 도 8b를 참조하면, 컨포멀 코팅(conformal coating)을 제공하기 위해 층(132)은 LED(62) 및 LED(62)의 페데스탈(78) 위에 배치되어 이들을 피복한다. 일 실시예에서, 본딩 재료가 층(132)과 LED 칩(130) 사이에 포함되어 이들을 접착시킬 수 있는데, 통상적인 접착제로는 실리콘이나 에폭시가 이용된다. 컨포멀 코팅을 더 촉진하기 위해서 층(132)이 가열되거나, 또는 진공 상태가 적용되어 LED 칩(130) 위로 층(132)을 아래로 당길 수 있다. 층(132)은 또한, 층(132)이 LED 칩에 더 쉽게 합치되도록 바인더가 완전히 경화되지 않은 상태에서 제공될 수 있다. 층(132)의 컨포멀 배치 후에 바인더는 그 최종 경화에 노출될 수 있다.
이제 도 8c를 참조하면, 층(132)은 페데스탈(78)을 노출시켜 페데스탈(78)이 접촉에 이용 가능하게 만들기 위하여 전술한 방법을 이용하여 평탄화될 수 있다. 도 8d에 도시된 바와 같이, LED 칩(130)은 전술한 도 2a 내지 2f에 도시된 홈 및 기판 박막화 방법을 포함하는 전술한 방법들을 이용하여 싱귤레이팅될 수 있다.
LED 칩(130)에 대한 제조 방법은, 층(132)의 두께를 제어함으로써 형광체/바인더 코팅의 두께가 정확하게 제어될 수 있도록 허용한다. 이 방법은 또한, LED 칩(130)에 대한 상이한 원하는 발광 특성을 위해 상이한 층 두께 및 조성을 이용하는 것을 허용한다. 다른 실시예에서, 원하는 LED 칩 발광 색점을 달성하기 위하여 상이한 농도의 상이한 형광체 및 상이한 바인더 재료의 상이한 형광체를 갖는, 하나보다 많은 미리 제조된 또는 미리 형성된 층들을 이용할 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 9a 내지 9c는 LED 칩(60)과 유사한, 본 발명에 따른 LED 칩(140)의 또 다른 실시예를 도시한다. 먼저 도 9a를 참조하면, LED 칩(140) 각각은, 캐리어 기판 또는 성장 기판인 기판(64)에 장착된 수직형 LED(62)를 갖는다. LED(62) 각각은 전술한 바와 같이 활성 층(68), n-타입 층(70), p-타입 층(72), p-타입 접촉부(76), n-타입 접촉부(74) 및 페데스탈(78)을 포함한다. 전술한 재료로 만들어진 코팅(142)은 LED(62) 위에 포함되어 페데스탈(78)을 매립한다.
도 9b를 참조하면, 이 실시예에서, 코팅(142)은 페데스탈(78)을 노출시키기 위해 평탄화되지 않는다. 대신 코팅은 페데스탈보다 높은 레벨에서 유지되며, 페데스탈(78)을 매립하는 코팅(142)의 일부가 제거되어, 코팅(142) 내에 오목한 부 분(144)이 남는다. 페데스탈(78)은 접촉을 위해 이 오목한 부분(144)을 통해 노출된다. 종래의 패터닝 또는 에칭 공정과 같은, 코팅을 제거하는데 이용될 수 있는 많은 상이한 방법들이 이용될 수 있다. 이제 도 9c를 참조하면, 그 다음, LED 칩(140)은 전술한 방법을 사용하여 싱귤레이팅될 수 있다.
오목한 부분(144)을 형성하기 위한 이러한 방법은, 코팅(142)의 평탄화와 함께 사용될 수 있다. 층(142)은, LED 칩(110)의 원하는 방출 특성을 제공하는 레벨로 평탄화될 수 있으며, 페데스탈(78) 위에 존재할 수 있다. 그 다음, 오목한 부분(144)이 페데스탈에 접근하도록 형성될 수 있다. 이는 페데스탈을 코팅보다 낮은 감소된 높이로 형성하는 것을 허용하며, 이는 페데스탈(78)을 형성하는 것과 관련된 제조 비용을 절감할 수 있다. 이 공정은 오목한 부분 형성과의 약간의 정렬을 필요로 할 수 있지만, 코팅(142)은 여전히 정렬이 필요없이 도포된다.
상기 LED 칩 실시예에서의 페데스탈은 Au, Cu, Ni 또는 In과 같은 전도성 재료를 포함하는 것으로 설명되고, 바람직하게는 스터드 범핑 공정을 이용하여 형성된다. 대안으로서, 페데스탈은 전술한 전도성 산화물과 투명 전도성 산화물과 같은 상이한 재료로 만들어질 수 있으며, 전술한 상이한 방법들을 이용하여 형성될 수 있다. 도 10은 캐리어 기판(154) 상에 플립 웨이퍼 본딩된 LED(152)를 포함하는, 본 발명에 따른 LED 칩(150)의 다른 실시예를 보여준다. 이 실시예에서, 페데스탈(156)은, 일반적으로 페데스탈(156) 형상으로 형성된 반도체 재료(158)를 포함한다. 반도체 재료(158)는, 제1 접촉부 상에 있을 수 있으며, 또는 도시된 바와 같이 제1 에피택셜 층(160) 상에 있을 수 있다. 전도성 재료(158)의 페데스탈 층(162)은 반도체 재료(158)의 상부 표면 상에 포함되어 제1 에피택셜 층(160)의 상부 표면으로 연장되고 n-타입 접촉부를 형성한다.
반도체 재료(158)는 많은 상이한 방식으로 형성될 수 있으며, LED 에피택셜층을 구성하는 재료 또는 예컨대 GaN, SiC, 사파이어, Si 등과 같은 성장 기판 재료와 같은 많은 상이한 재료를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 반도체 재료(158)는 에피택셜층으로부터 에칭된 다음, 페데스탈 층(162)으로 코팅될 수 있다. 다른 실시예에서, 성장 기판을 LED(152)로부터 제거하는 동안 성장 기판의 일부가 에피택셜 층 상에 남아 있을 수 있다. 그 다음, 남아 있는 성장 기판 일부는 페데스탈 층(162)에 의해 피복될 수 있다.
도 11은 여전히 도 10의 LED 칩(150)과 유사한 웨이퍼 형태의 LED 칩(170)의 다른 실시예를 도시하는데, 여기서 유사한 특징부에 대해서는 동일한 참조번호가 사용된다. LED 칩(170)은 캐리어 기판(154) 상에 플립 웨이퍼 본딩된 LED(152)를 포함한다. 페데스탈(174)은 각각의 LED(152) 상에, 바람직하게는 n-타입 접촉부(175) 상에 형성된다. 페데스탈(174)은, 제1 접촉부(175)에까지 연장되는 전도성 재료의 페데스탈 층(178)으로 피복되는 페데스탈(174)의 형상과 실질적으로 유사한 형상의 페데스탈 재료(176)를 포함한다. 패터닝 가능한 재료(156)는, BCB, 폴리이미드, 및 유전체와 같은, LED 제조 및 동작과 양립할 수 있는 상이한 재료들을 포함할 수 있다. 이러한 재료들은 공지되어 있는 공정들을 이용하여 LED(152) 상에 형성될 수 있다. 대안으로서, 페데스탈(174)은 은 에폭시나 프린트 가능한 잉크와 같은 패터닝 가능한 전기 전도성 재료를 이용하여 형성될 수 있는데, 이러한 경우, 층(178)은 필요하지 않을 수 있다. 페데스탈을 제조하는데에는 다른 방법과 방식이 사용될 수 있으며, 그 중 일부는 Khon Lau의 "플립 칩 기술(Flip-Chip Technologies)"(McGraw Hill, 1996)에 기재되어 있다.
상기 실시예들과 같이, LED 칩(150 및 170)을 포함하는 웨이퍼는 코팅 재료 층에 의해 뒤덮여, LED 칩과 그 페데스탈을 매립할 수 있다. 코팅 재료는 전술한 형광체 및 바인더를 포함할 수 있으며, 코팅 재료를 통해 페데스탈을 노출시키기 위해 전술한 방법을 이용하여 박막화될 수 있다. 그 다음, LED 칩은 전술한 방법을 이용하여 싱귤레이팅될 수 있다.
본 발명은 또한, 웨이퍼 레벨 이미터 어레이를 제조하는데 이용될 수 있다. 도 12는 본드/금속 층(183)에 의해 캐리어 기판(182) 상에 플립 웨이퍼 본딩된 LED(181)를 포함하는 웨이퍼 레벨 LED 어레이(180)의 일 실시예를 보여준다. LED는 제1과 제2 에피택셜 층(185, 186) 사이에 활성 영역(184)을 포함하며, 제1 에피택셜 층(185) 상에는 제1 접촉부(187)가 형성되어 있다. 페데스탈(188)은 제1 접촉부(187) 상에 포함되며, 형광체가 로딩된 바인더 코팅의 코팅(189)은, LED(181), 접촉부(187) 및 페데스탈(188)을 덮으며, 코팅은 페데스탈(188)의 상단을 노출시키도록 박막화된다. 그러나, LED 어레이(180)에 대해, 개개의 LED 칩은 싱귤레이팅되지 않는다. 대신에 페데스탈(188)의 노출된 상단들을 병렬로 상호접속시키는 상호접속 금속 패드(190)가 LED 어레이(180)의 표면 상에 포함된다. 금속 패드(190)에 인가된 전기적 신호는, 금속 패드(190)에 결합된 자신의 페데스탈(188)을 갖는 LED로 전달되어 어레이 내의 LED를 조명하게 한다. LED 어레이(180)는 금속 패드(190) 에 의해 상호접속된 LED에 따라, 일렬로 또는 블록으로 정렬되는 것과 같이, 상이한 방식으로 정렬된 많은 상이한 수의 LED를 포함할 수 있음은 물론이다.
도 13은 캐리어 기판(204)에 플립 웨이퍼 본딩된 LED(202)를 또한 갖는, 본 발명에 따른 LED 어레이(200)의 다른 실시예를 도시하는데, 상기 LED(202) 각각은 제1과 제2 에피택셜 층들(210, 212) 사이에 활성 영역(208)을 포함한다. 제1 접촉부(214)는 제1 에피택셜 층(210) 상에 있고, 페데스탈(216)은 제1 접촉부(214) 상에 형성되어 있다. 형광체가 로딩된 바인더 코팅(218)은 LED(202), 제1 접촉부(214) 및 페데스탈(216) 위에 포함되며, 페데스탈(216)의 상부 표면은 노출되어 있다. LED(202)는 전기적 절연 본드 층(220)에 의해 캐리어 기판(204)에 장착되어 있고, p-접촉부(222)는 각각의 LED(202)와 절연 본드 층(220) 사이에 있다. 전도성 비아(224)는 p-접촉부와 LED들(202) 간의 코팅(218)의 표면 사이로 이어지며, 각각의 금속 패드(226)는 각각의 포스트(224)와 각각의 인접 페데스탈(216) 사이의 코팅(118)의 표면 상으로 이어진다. 이러한 배열은 LED(202)가 직렬 어레이로 접속되도록 LED들(202)들 사이의 전도성 경로를 제공하며, 이 LED들 사이의 전도성 경로는 절연 본드 층(220)에 의해 기판으로부터 절연된다. 금속 패드에 인가된 전기적 신호는 LED 각각을 통해 진행되어 LED들이 어레이에서 광을 방출하게 한다. LED 어레이(200)는 금속 패드(226)에 의해 상호접속된 LED에 따라, 예컨대 일렬로 또는 블록에 배열되는 것과 같이, 상이한 방식으로 배열된 상이한 수의 LED를 포함할 수 있음은 물론이다.
본 발명에 따라 상이한 구조를 가진 많은 상이한 LED 칩들이 제조될 수 있 다. 도 14는 전술한 도 1a 내지 1e에 도시된 LED 칩(10)과 유사하게 배치된, 본 발명에 따른 LED 칩(350)의 다른 실시예를 도시하는데, 여기서 유사한 특징부에 대해 동일한 참조번호가 사용된다. LED 칩(350)은 수직형 기하구조를 가지며, n-타입과 p-타입 에피택셜 층(16, 18) 사이에 활성 영역(14)을 각각 포함하는 LED(12)를 포함한다. 페데스탈(28)은 p-타입 접촉부(24) 상에 형성되며, 형광체가 로딩된 바인더 코팅(32)은 LED(12)를 피복한다. 그러나, 이 실시예에서, LED(12)는 투명 기판(352) 상에 있으며, 따라서 LED(12)에 대향하는 기판(352) 상에 반사층(354)이 형성되는 것을 허용한다. LED(12)로부터의 광은, 손실을 최소화하면서, 기판(352)을 통과하고 반사층(354)으로부터 다시 반사된다. 반사층(354)은 접촉부(22)와 기판(352) 사이에 있는 것으로 도시되어 있지만, 이 반사층(354)과 기판(352) 사이에 접촉부(22)가 있어 반사층(354)이 최하부 층이 되는 것처럼 상이하게 배치될 수 있다는 것이 이해될 것이다.
도 15는 또한, 도 1a 내지 1e의 LED 칩과 유사하게 또한 배치된, 본 발명에 따른 LED 칩(370)의 다른 실시예를 도시한다. 이 실시예에서, LED 칩(370)은 측면 기하구조를 갖고 있으며, 각각 n-타입과 p-타입 에피택셜 층(16, 18) 사이에 활성 영역(14)을 각각 포함하는 LED(12)를 포함한다. p-타입층(18)과 활성 영역(14)의 일부가 에칭되어, n-타입층(16)이 드러나고, p-타입층(18) 상에는 p-타입 접촉부(24)가 n-타입층(16) 상에는 n-타입 접촉부(24)가 있다. p-타입 페데스탈(28)은 p-타입 접촉부(24) 상에 있고, n-타입 페데스탈(30)은 n-타입 접촉부(26) 상에 있다. 형광체가 로딩된 바인더 코팅(32)은 LED(12)를 피복하며, 페데스탈(28, 30)은 코팅(32)을 통해 노출된다. LED(12)는 투명 기판(372)과 LED(12)에 대향하는 기판(372) 상에 포함된 반사층(374) 상에 있다. LED(12)는 각각의 LED(12) 상단에 p-타입 접촉부(24)와 p-타입 페데스탈(28)이 있는 측면 기하구조를 갖고 있다. 또한 반사층(374)은 LED(12)로부터의 광을 반사시키고 기판(372)을 통과하는 광은 손실이 최소화된다.
본 발명에 따라 LED 칩에 대한 많은 상이한 변경이 행해질 수 있다. 도 16은 성장 기판(404) 상에서 n-타입과 p-타입층(406, 408) 사이에 활성 영역(405)을 가진 LED(402)를 갖는 LED 칩(400)의 다른 실시예를 도시한다. 성장 기판이 박막화되어 있거나 또는 성장 기판이 제거된 후의 LED(402)가 제공될 수 있음은 물론이다. 또한, LED는 n-타입 및 p-타입 접촉부(407, 409)를 갖는다. LED(402)는 다이싱 또는 싱귤레이팅되고, 서브마운트/캐리어 웨이퍼(410)에 플립 칩 본딩된다. 서브마운트/캐리어 웨이퍼(410) 상에는 전도성 트레이스(412)가 형성되는데, LED(402) 각각은 이 트레이스(412) 상에 장착되고, 제1 트레이스(412a)는 n-타입층(406)과 전기적으로 접촉하며, 제2 트레이스(412b)는 p-타입층(408)과 전기적으로 접촉한다. 스퍼터링과 같은 종래의 기술을 이용하여 증착된 알루미늄(Al) 또는 Au를 포함하는 종래의 트레이스가 이용될 수 있다. LED(402)는 Au와 같은 공지된 재료, 또는 금/주석 솔더 범프나 스터드 범프를 이용하여 종래의 방식대로 배치될 수 있는 플립 칩 본드(413)에 의해 트레이스(412)에 장착될 수 있다.
도 16 및 전술한 실시예, 그리고 후술되는 실시예에서의 페데스탈 또한 전도성 층에 의해 코팅된 절연 재료로 만들어질 수 있음은 물론이다. 일 실시예에서, 페데스탈은 기판 재료 또는 서브마운트/캐리어 웨이퍼 재료를 포함할 수 있다. LED 칩(400)에 있어서, 서브마운트/캐리어 웨이퍼는 페데스탈을 갖도록 제조될 수 있는데, LED 각각은 페데스탈들 사이에 장착된다. 전도성 층은 전도성 트레이스와 접촉하여 또는 다른 배열을 이용해서 LED와 접촉하여 페데스탈 위해 형성될 수 있다. 페데스탈은 많은 상이한 형태와 크기를 가질 수 있으며, 일 실시예에서, LED가 장착된 반사 컵(reflective cup)을 포함할 수 있음은 물론이다. 이 반사 컵은 전도성 트레이스 또는 다른 배열을 이용하여 LED와 접촉하는 전도성 층으로 코팅될 수 있다. 형광체 바인더 코팅의 평탄화 동안, 반사 컵의 상단은 접촉을 위해 노출될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 반사 컵은 평탄화 동안 노출될 수 있는 자기 자신의 페데스탈을 가질 수 있다.
n-타입 페데스탈(414)은 제1 트레이스(412a) 상에 형성되고, p-타입 페데스탈(416)은 제2 트레이스(412b) 상에 형성된다. 양 페데스탈 모두 전술한 방법을 이용하여 형성된다. 형광체/바인더 코팅(418)은 LED(402) 위에 포함되어, 페데스탈(414, 416)을 매립한다. 그 다음, 코팅(418)은 접촉을 위해 페데스탈(414, 416)을 노출시키도록 평탄화될 수 있거나, 또는 다른 실시예에서는 페데스탈(414, 416)을 노출시키기 위해 코팅 내에 오목부가 형성될 수 있다. 그 다음, LED 칩은 전술한 공정을 이용하여 싱귤레이팅될 수 있다.
LED 칩(400)과 관련하여 기술된 제조 방법은, 웨이퍼(404)로의 장착을 위해 선택될 원하는 방출 특성을 가진 양호한 품질의 싱귤레이팅된 LED(402)의 이용을 허용한다. 이러한 배열은 또한, 공간들을 형성하기 위한 재료들의 에칭을 통해 귀 중한 에피택셜 재료를 낭비하지 않으면서, LED들(402) 사이에 더 큰 공간을 갖는 웨이퍼에 LED(402)를 장착하는 것을 허용한다.
도 17은 캐리어 기판에 창착된 싱귤레이팅된 측면 기하구조의 LED(502)를 가진, 본 발명에 따른 LED 칩(500)의 또 다른 실시예를 도시한다. LED(502) 각각은 성장 기판(510) 상에 연속적으로 형성된 n-타입과 p-타입층(506, 508) 사이에 활성 영역(504)을 포함한다. 기판(510)은 여러 가지 재료로 만들어질 수 있는데, 바람직하게는 이 기판은 사파이어와 같은 투명 재료로 만들어진다. LED(502)는 성장 기판(510) 중 적어도 일부를 남기고 싱귤레이팅된다.
그 다음, LED(502)는 캐리어 기판(512)을 아래로 한 상태에서 캐리어 기판(512)에 장착된다. 캐리어 기판(512)은 투명 기판(516) 상에 제1 형광체/바인더 코팅(514)을 포함한다. 제1 코팅(514)은 LED(502)를 고정하기 위한 접착제일 수 있거나, 또는 추가 접착성 재료가 사용될 수 있다.
p-타입 접촉부(518)가 p-타입 층(508) 상에 제공되고, n-타입 접촉부(520)는 n-타입 층(506) 상에 제공된다. 접촉부들(518, 520)은 많은 상이한 재료를 포함할 수 있는데, 반사성 재료가 바람직하다. 접촉부들(518, 520)은 반사성을 가짐으로써 활성 영역 광을 반사시켜, 캐리어 기판(512)이 주 방출 표면이 되게 한다. 전술한 바와 같이 p-타입 페데스탈(522)은 p-타입 접촉부(518) 상에 형성되고, n-타입 페데스탈(524)은 n-타입 접촉부(520) 상에 형성된다. 제2 형광체/바인더 코팅(526)은 LED(502) 위에 형성되어, 페데스탈들(522, 524)을 매립한다. 그 다음, 전술한 바와 같이, 페데스탈들(522, 524)을 드러내도록 제2 코팅(526)이 평탄화될 수 있다.
그 다음, LED 칩(500)은 싱귤레이팅될 수 있으며, 이 구성은 제1 및 제2 코팅(514, 526)에 의해 제공된 형광체 층으로 둘러싸인 LED(502)를 가진 LED 칩(500)을 제공한다. 또한 싱귤레이팅된 LED 칩(500)은, 추가적인 형광체 처리없이 백색 발광 LED 플립 칩을 제공하는 제1 및 제2 코팅을 제외하고, 종래의 플립 칩 소자로서 패키지될 수 있다. 이 실시예는 최종 LED 칩(502)이 양호한 품질을 갖도록 캐리어 웨이퍼(512)에 장착하기 위해 원하는 발광 특성을 가진 양호한 품질의 싱귤레이팅된 LED(502)를 사용할 수 있다는 추가적인 이점이 있다. 또한 LED(502)는 LED들(502) 사이에 더 큰 간격을 갖고서 웨이퍼에 장착될 수 있으며, 귀중한 에피택셜 재료를 낭비하지 않고 그 재료를 에칭하여 그 공간을 형성할 수가 있다.
도 18a 내지 18d는 본 발명에 따른 LED 칩(600)의 또 다른 실시예를 도시한다. 먼저 도 18a를 참조하면, LED 칩 각각은 LED(602)를 포함하는데, 이 LED 각각은, 바람직하게는 사파이어와 같은 투명 재료로 된 성장 기판(610) 상에 연속적으로 형성된 n-타입과 p-타입층(606, 608) 사이에 활성 영역(604)을 갖는다. LED(602)는 n-타입층(606) 상에 반사성 n-타입 접촉부(612)를 p-타입층(608) 상에 반사성 p-타입 접촉부(614)를 가진 측면 기하구조를 갖는다. n-타입 페데스탈(616)은 n-타입 접촉부(612) 상에 형성되고, p-타입 페데스탈(618)은 p-타입 접촉부(614) 상에 형성된다. 제1 형광체/바인더 코팅(620)은 LED(602) 위에 형성되어 초기에 페데스탈(616, 618)을 매립하고, 그 다음 페데스탈이 드러나도록 코팅이 평탄화된다.
이제 도 18b를 참조하면, 배면 트렌치(622)는 기판(610)을 통과하여 부분적 으로 코팅(620) 내에 형성되며, LED들(602) 사이에 배치된다. 트렌치(622)는 에칭이나 절단과 같은 여러 가지 방법을 이용하여 형성될 수 있다. 이제 도 18c를 참조하면, 기판(610)이 트렌치 측면 위에 제2 형광체/바인더 코팅(624)이 형성되어, 트렌치(622)를 충전할 수 있다. 그 다음, 이 제2 코팅은 원하는 대로 평탄화될 수 있다. 도 18d를 참조하면, LED 칩(600)은 싱귤레이팅될 수 있고, LED(602)는 제1 및 제2 코팅(620, 624)에 의해 제공된 형광체 층으로 둘러싸인다. LED 칩(600)은 도 17의 LED 칩(500)과 유사한 이점을 갖고 있으며, 추가 형광체 처리없이 백색 발광을 제공할 수 있는 양호한 품질의 플립 칩 소자를 제공한다.
다시 도 18a 및 18b를 참조하면, 트렌치(622)를 형성하는 것에 대한 대안으로서, n-타입층(606)의 하부 표면을 완전히 노출시키기 위해 성장 기판(610)이 전체적으로 제거될 수 있다. 그러면, 제2 형광체/바인더 코팅(624)이 그 노출된 n-타입층 위에 형성되고, 원하는 대로 평탄화될 수 있다.
본 발명은 또한, LED가 LED 칩 웨이퍼에 형성되게 하는 것 대신에 개개의 LED를 피복하는데 이용될 수도 있다. 이러한 실시예에서, LED 칩은 싱귤레이팅된 다음, 패키지에 장착되거나 또는 서브마운트 또는 PCB에 장착될 수 있다. 그 다음, LED 칩은 접촉을 위해 페데스탈(들)을 노출시키기 위해 본 발명에 따라 코팅되고 평탄화될 수 있다.
본 발명에 따른 LED 칩은 LED 칩 광 추출을 향상시키기 위한 특징부와 같은 많은 상이한 특징부로 상이한 방식으로 배치될 수 있다. 도 19는 전술한 방법을 이용하여 제조될 수 있는 LED 칩(700)의 다른 실시예를 보여준다. 이 LED 칩은 기 판(704) 상의 LED(702)를 포함하는데, 이 LED는 바람직하게는 본딩 재료(706)에 의해 기판(704) 상에 플립 칩 장착된다. 다른 실시예에서, 이 기판은 LED(702)용 성장 기판을 포함할 수 있다. LED(702)는 전술한 것과 같은 여러 가지 반도체 재료로 만들어질 수 있으며, 활성층/영역과 반대로 도핑된 층(n-타입 및 p-타입)을 포함하여 전술한 층들을 포함할 수 있다. 설명과 이해를 쉽게하기 위해 LED(702)의 여러 층은 도시하지 않는다.
LED 칩(700)은 제1 및 제2 접촉부(708, 710)를 더 포함한다. 플립 칩 LED에 대해서는 제1 접촉부(708)는 n-타입층 상에 형성되어 있고, 제2 접촉부(710)는, 제2 접촉부(710)에 인가된 전기적 신호가 기판(704)을 통해 LED의 p-타입층으로 들어가도록 배치된 기판(704) 상에 전도성 재료 층의 형태로 형성되어 있다. 접촉부(708, 710)는 전술한 도전 재료로 만들어질 수 있는데, 이 실시예에서 제2 접촉부는 AuSn을 포함한다. 측면 기하구조의 소자에 대해서는 제1 및 제2 접촉부가 LED(702)의 표면 상에 포함될 수 있음은 물론이다.
페데스탈(712)은 제1 접촉부(708) 상에 포함되며, 전술한 재료로 만들어질 수 있고 전술한 방법을 이용하여 제조될 수 있다. 측면 기하구조 소자에 대해서, 제2 페데스탈은 제2 접촉부 상에 포함될 수 있다. 형광체/바인더 코팅(714)은 LED(702) 위에 포함될 수 있으며, 페데스탈(712)은 제1 접촉부(708)로부터 코팅(714)의 상부 표면에까지 연장된다. 코팅(714)은 전술한 재료를 포함할 수 있으며, 전술한 방법을 이용하여 도포되고 평탄화될 수 있다. 도시된 실시예에서, LED(702)의 표면(716)은 광 추출을 향상시키기 위해 텍스처링되거나, 거칠게 되거 나, 또는 패터닝 된다. 공지의 기계적 또는 에칭 방법은 물론 마이크로-나노 임프린팅 방법을 이용하여 텍스처링이 적용될 수 있다. 또한, 본딩 재료(706)에 인접한 LED의 대향면도 광 추출을 향상시키기 위해 텍스처링될 수 있고, 이 텍스처링은 플립 칩 장착 전에 실시되고 이 텍스처링은 본딩 재료(706)로 구체화될 수 있음은 물론이다.
LED 칩(700)에 있어서 코팅(714)은 전술한 도 2a 내지 2f에 도시된 홈 및 기판 박막화 방법을 포함하여 여러 가지 방법을 이용하여 형성될 수 있는 기판(704)의 측면을 따라 연장된다. 이 방법을 이용하여 기판의 안정화 부분을 남겨 두고 형성된 LED 칩에 있어서, 이 측면의 일부는 안정화 부분에 대응하는 코팅(714)에 의해 피복되지 않은 상태로 남아 있을 것이다. 본 발명에 따른 다른 홈 및 기판 박막화 방법에서는 홈이 코팅으로 충전될 때에 웨이퍼가 그 홈 내의 코팅 재료에 의해 안정화될 수 있도록 홈이 더 넓어질 될 수 있다. 그러면, 기판은 홈의 하단까지 박막화될 수 있으며, LED 칩은 분리된다. 이것은 LED 칩의 측면의 거의 전체를 따라 코팅을 남길 수 있으며, 따라서 균일한 LED 칩 발광을 향상시킬 수 있다.
LED 칩의 실시예마다 그 층과 형상에 대한 치수가 다를 수 있다. 도시된 실시예에서, 제2 접촉부(710)는 대략 3㎛이고, 기판(704)은 대략 100㎛이며, LED(702)는 대략 3㎛의 전체 두께를 가질 수 있다. LED(12)를 거칠게 하면 이 LED(12)의 형상은 여러 가지 깊이를 가질 수 있게 되는데, 예컨대 대략 2㎛의 깊이를 가진 밸리(valley)를 제공할 수 있다. 텍스처링된 형상의 깊이는 여러 가지 일 수 있지만, 바람직한 깊이는 LED(702)의 전체 두께의 10% 이하이다. LED(702)의 상 부 표면 위의 코팅(714)의 두께는 그 계곡의 최저점으로부터 측정했을 때에 대략 30㎛이다. 접촉부(708)는 그 밸리의 최저점으로부터 측정했을 때에 대략 5㎛이며, 페데스탈의 높이는 대략 25㎛이다.
본 발명에 따른 LED 칩의 실시예는 또한, 발광 균일성 및 효율을 더 향상시키는 추가 특징부들을 포함할 수 있다. 다시 도 19를 참조하면, LED(702) 상에 전류 확산 구조가 포함되어 제1 접촉부(708)로부터의 전류 확산과 주입을 향상시킬 수 있다. 이 전류 확산 구조는 많은 상이한 형태를 가질 수 있으나, 바람직하게는 제1 접촉부(714)와 접촉하는 LED(702)의 표면 상의 전도성 재료의 핑거(finger)를 포함한다. 전류 확산 구조는 공지의 방법을 이용하여 증착될 수 있으며, Au, Cu, Ni, In, Al, Ag, 또는 이들의 조합, 전도성 산화물 및 투명 전도성 산화물을 포함하여, 접촉부와 페데스탈에 대해 전술한 재료를 포함할 수 있다.
도 20은 LED(752)와 이 LED(752)에 전술한 바와 같이 형성된 형광체/바인더 코팅(754)을 포함하는, 본 발명에 따른 LED 칩(750)의 다른 실시예의 평면도이다. LED 칩(750)은 LED(752)의 표면 상에 2개의 제1 접촉부(758)를 더 포함하는데, 제1 접촉부(758) 각각은 이 접촉부로부터 코팅(754)의 표면에 이르는 페데스탈(도시 안됨)을 가질 수 있다. 다른 실시예에서는 LED 칩은 하나의 제1 접촉부 또는 2 이상의 제1 접촉부를 가질 수 있으며, 이 접촉부들의 전부 또는 일부가 페데스탈을 가질 수 있음은 물론이다.
전류 확산 구조(756)는 LED(752)의 표면 상에 포함되며, 제1 접촉부(758) 모두와 접촉한다. 이 구조(756)는 LED(752) 상의 그리드에 배치된 전도성 핑거를 포 함하며, 이 핑거는 접촉부(758)로부터의 전류 확산을 향상시키도록 서로 이격되어 있다. 동작 시, 하나 이상의 페데스탈에 전기적 신호가 인가되고, 이 신호는 페데스탈을 통해 접촉부(758)로 전달된다. 전류는 접촉부(758)로부터 전류 확산 구조(756)를 통해 LED(752)로 확산된다.
다시 도 19를 참조하면, LED(702)의 양 측면에 상에 전류 확산을 향상시키는 층과 재료가 포함될 수도 있다. LED(702)의 텍스처링된 표면 상에는 투명 전도성 재료 층(도시 안됨)이 포함될 수 있으며, 이 텍스처링된 표면 위에는 코팅(714)이 있다. 투명 전도성 재료는 접촉부(708)와 전류 확산 구조(718)로부터의 전류 확산을 향상시킬 수 있으며, ITO 또는 기타 다른 투명 전도성 산화물과 같은 여러 가지 재료를 포함할 수 있다. 본딩 재료의 층에도 전류 확산 재료가 포함되어 제2 접촉부(710)와 기판(704)으로부터 LED(702)으로의 전류 확산을 향상시킬 수 있다. 이 전류 확산 재료는 전류 확산 구조(716)와 투명 전도성 재료 층에 대해 사용된 재료와 동일한 재료를 포함할 수 있다.
도 21은 본딩 재료(766)에 의해 기판(764)에 장착된 LED(762)를 포함하는, 본 발명에 따른 LED 칩(760)의 다른 실시예를 보여준다. LED는 더 크고 균일한 텍스처링된 특징부(768)를 가지며, 이 특징부 위에는 형광체/바인더 코팅(770)이 존재한다. LED 칩은 기판(764) 상에 제1 접촉부(772)와 제2 접촉부(774)를 더 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 페데스탈이 사용될 수 있다. 코팅(770)은 특징부(768) 위에 균일하게(conformally) 코팅될 수 있으며, 스핀 코팅과 같은 여러 가지 방법을 이용하여 도포될 수 있고, 상기 실시예처럼 초기 코팅이 페데스탈을 피 복한다. 그 다음, 이 코팅은 페데스탈(774)이 접촉될 수 있도록 페데스탈(774)을 향해 아래로 평탄화될 수 있다.
도 22는 본딩 재료(786)에 의해 기판(784)에 장착되는 LED(782)를 포함하는, 본 발명에 따른 LED 칩(780)의 다른 실시예를 보여준다. LED(782)는 반원형 텍스처 패턴을 갖고 있으며, LED(782)는 이 텍스처 패턴을 충전하는 형광체/바인더 코팅(788)에 의해 피복된다. 그 다음, 코팅(788)은 LED 칩 메사(776)를 드러내도록 평탄화될 수 있고, 그 다음 하나 이상의 메사 상에 제1 접촉부(790)가 증착될 수 있다. 대안으로서, 코팅 전에 하나 이상의 메사에 접촉부와 페데스탈이 포함될 수 있으며, 그 다음 이 코팅은 페데스탈에 대해 평탄화된다. 이 방법에 따르면 메사 상에는 코팅의 적어도 일부가 남아 있게 된다. 또한 기판(784) 상에는 제2 접촉부(792)가 포함될 수 있다.
본 발명에 따른 LED 칩의 다른 실시예에서, 코팅은 상이한 기하구조들을 가질 수 있으며, LED 전체보다는 적은 부분을 피복하거나 또는 LED 칩의 표면 대부분을 피복할 수 있다. 다시 도 19를 참조하면, 그렇지 않다면 측면으로부터 빠져나갈 LED(702)로부터의 광이 변환 인광체를 만나지 않고 적어도 일부의 인광체를 통과하여, 광의 적어도 일부가 변환될 수 있도록, 코팅(714)은 기판(704)의 측면을 피복한다. 이것은, 특히 투명 기판을 갖는 실시예에서 LED 칩(700)의 가장자리 주위에 있는 변환되지 않은 광의 방출을 감소시키는 것을 돕는다. 백색 LED 칩에 대해서, 이 구성은 측면으로부터의 변환되지 않은 청색광의 방출을 줄일 수 있으며, 이에 따라 LED 칩으로부터의 백색 발광이 더 균일해질 수 있다. 일 실시예에서, LED(702)의 측면 상의 코팅(714)의 두께는 LED(702) 위의 코팅의 두께와 거의 같으며, 따라서 LED 칩(700)의 여러 표면으로부터 방출되는 광은 유사한 양의 변환 형광체 층을 통과한다. 이는 상이한 시야각에서 LED 칩(700)로부터의 실질적으로 균일한 발광을 가져온다.
몇몇 애플리케이션에서, LED 칩의 측면으로부터 방출되는 변환되지 않은 광이 수용될 수 있다. 도 23은 전술한 LED 칩(700)과 유사한 것으로, LED(802), 기판(804), 본딩 층(806), 제1 접촉부(808), 제2 접촉부(810), 페데스탈(812) 및 형광체/바인더 코팅(814)을 포함하는 LED 칩(800)의 다른 실시예를 보여준다. LED(802)는 복수의 층들을 포함하지만, 설명의 편의를 위해 하나의 층으로 나타내고 있음에 유의한다. LED의 상부 표면은 또한 상술한 바와 같이 텍스처링될 수 있다. LED 칩(800)은 LED(802) 표면의 전부 또는 대부분을 피복하지만, LED 칩의 나머지 표면은 피복하지 않는 코팅(822)을 갖는다. 도 24는 LED(802)와 기판(804)(또는 본딩 층(806))의 노출된 상부 표면을 피복하고 기판의 측면은 피복하지 않는 코팅(822)을 가진 LED 칩(820)의 다른 실시예를 보여준다. 도 25는 LED(802), 기판(804)의 상부 표면 및 기판 측면의 일부를 피복하는 코팅(832)을 가진 LED 칩(830)의 또 다른 실시예를 보여준다. LED 칩(800, 820, 830)에 있어서, 적어도 일부의 변환되지 않은 광이 측면으로부터 빠져나올 수 있다. 또 다른 실시예에서, 아래에서 더 자세히 설명하겠지만 변환되지 않은 광의 측면 방출을 보상할 수 있는 패키지에 LED 칩이 장착될 수 있다.
코팅은 또한 LED 칩 상의 상이한 위치에서 상이한 두께를 가질 수 있도록 맞 춤 제작될 수 있다. 도 26 또한 LED(802), 기판(804), 본딩 층(806), 제1 접촉부(808), 제2 접촉부(810) 및 페데스탈(812)을 가진 LED 칩(400)의 또 다른 실시예를 보여준다. LED 칩(840)은 LED(802), 기판(804)의 상단 노출 표면 및 측면을 피복하는 코팅(810)을 갖는다. 이 측면 상의 코팅(852)의 하위 부분은 박막화되어 있다.
본 발명에 따른 LED 칩의 코팅은 또한, LED 위에서 상이한 형상을 가질 수 있다. 도 27은 LED(802), 기판(804), 본딩 층(806), 제1 접촉부(808), 제2 접촉부(810) 및 페데스탈(812)을 가진, 본 발명에 따른 LED 칩(850)의 다른 실시예를 보여준다. 이 실시예에서, 코팅(852)은 LED(802) 위의 돔 형상이며, 이 코팅의 표면을 통해 페데스탈이 노출된다. 다른 실시예에서, 코팅은 또한 돔 형상일 수 있고, 기판(804)의 측면을 적어도 부분적으로 피복할 수 있다. 도 28은 LED(802) 위에 볼록한(convex) 형상의 코팅(862)을 가진, 본 발명에 따른 LED 칩(860)의 또 다른 실시예를 보여준다. 다른 실시예와 마찬가지로, 페데스탈은 코팅(862)의 상부 표면을 통해 노출되며, 다른 실시예에서 기판(804)의 측면 또한 적어도 부분적으로 피복될 수 있다.
다른 실시예에서, 코팅의 표면은 LED 칩으로부터의 광 추출을 향상시키도록 변형될 수도 있다. 도 29는 LED(802), 기판(804), 본딩 층(806), 제1 접촉부(808), 제2 접촉부(810) 및 페데스탈(812)을 가진, 본 발명에 따른 LED 칩(870)의 실시예를 보여준다. LED 칩은 광 추출을 향상시키는 텍스처링된 상부 표면을 가진 코팅(872)을 더 포함한다. 이 텍스처링은 공지의 기계적 또는 화학적 에칭 공정과 같 이 LED의 표면을 텍스처링하는데 이용된 것과 동일한 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 텍스처링된 LED를 가진 일부 실시예에서 LED의 텍스처링은 코팅 도포 시에 코팅에 전사될 수 있으며, 임의의 전류 확산 구조도 코팅의 표면에서의 변화를 전사할 수 있다. 바람직한 실시예에서, 코팅(872) 상의 텍스처링의 변화는 코팅 두께의 10%를 초과한다. 상기 실시예에서 설명된 코팅의 측면 또한 텍스처링될 수 있음은 물론이다.
전술한 코팅의 실시예는 전체가 거의 균일한 형광체를 가지는 것으로 도시되어 있다. 본 발명에 따른 LED 칩의 상이한 실시예들 또한 상이한 농도 및 상이한 종류의 형광체를 가진 부분을 갖는 코팅을 가질 수 있다. 도 30은 LED(802), 기판(804), 본딩 층(806), 제1 접촉부(808), 제2 접촉부(810) 및 페데스탈(812)을 가진, 본 발명에 따른 LED 칩(880)의 실시예를 보여준다. LED 칩은 하나 이상의 형광체를 가진 제1 부분(882a) 및 형광체를 갖지 않고 실질적으로 투명한 제2 부분(882b)을 갖는 코팅(882)을 더 포함한다. 코팅(882)은 형광체를 가진 제1 코팅층을 도포하고 그 다음에 형광체를 갖고 있지 않은, 제1 층 상의 제2 코팅층을 도포하는 것과 같이 여러 가지 방법으로 제조될 수 있다.
도 31은 형광체가 없는 제1 부분(892a) 및 하나 이상의 형광체가 있는 제2 부분(892b)을 가진 코팅(892)을 갖는 LED 칩(890)의 다른 실시예를 보여준다. 이 코팅 또한 상이한 층들을 증착함으로써 제조될 수 있는데, 제1 부분은 형광체가 없고 제2 부분은 형광체가 있다. 상이한 농도의 상이한 형광체를 가진 추가 층 또는 부분이 포함될 수 있고, 이들 실시예에서의 코팅 또한 전술한 상이한 형상과 기하 구조를 가질 수 있으며, 또한 표면 텍스처링을 가질 수 있음은 물론이다.
전술한 LED 칩은 상이한 설비 또는 LED 패키지에 장착될 수 있다. 도 32 및 도 33은 본 발명에 따른 하나 이상의 LED 칩을 이용하는 LED 패키지(900)의 일 실시예를 보여준다. 이 패키지(900)는 일반적으로 기판/서브마운트("서브마운트")(902), 기판(902) 상에 장착된 LED 칩(904), 및 역시 서브마운트(902) 상에 장착된 반사기 컵 어셈블리("반사기 컵")(906)를 포함한다. 그러나, 다른 LED 패키지의 실시예에서는, 특히 LED의 측면으로부터의 LED 광 누설이 최소인 실시예에서는 반사기 컵은 포함되지 않는다.
렌즈(908)와 같은 2차 광소자가, 반사기 컵(906)과 같이 LED(904) 위에 배치 또는 형성되며, 상이한 장착 방법을 이용하여 패키지에 본딩될 수 있다. 반사기 컵을 갖고 있지 않은 실시예에서, 렌즈는 공지의 기술을 이용하여 LED 위에 바로 형성 또는 배치될 수 있다. 도시된 실시예에서, LED 칩으로부터의 광은 주로 렌즈(908)를 통과하고, LED 칩으로부터 측방향으로 방출된 광의 적어도 일부는 반사기 컵(906)에 의해 반사되어 패키지(900)로부터의 유용한 발광에 기여하게 된다. 렌즈(908)의 하단과 패키지의 나머지 부분 사이의 공간은 액체 실리콘 겔(도시 안됨)과 같은 밀봉제 또는 캡슐화제로 충전될 수 있고, 렌즈(908)의 하단은 이 겔과 접촉한다. 다른 실시예에서 렌즈(908) 또한 LED(904)와 접촉될 수 있다. 그 다음, 패키지(900) 가열 경화될 수 있으며, 이에 따라 밀봉제가 굳어 렌즈(908)에 고착되어 LED(904)와 반사기 컵(906) 위의 적절한 위치에서 렌즈(908)를 본딩한다.
텍스처링 및 산란 입자와 같은 상이한 특징부를 가진 많은 상이한 렌즈 또한 이용될 수 있다. 일부 실시예에서, 렌즈는 평탄한 디스크 형상을 가질 수 있다. 본 발명에 따른 패키지에는 많은 상이한 밀봉 재료가 사용되어 상이한 출력 특성을 제공할 수 있다. 바람직한 실시예에서, LED 패키지는 원하는 색점을 달성하도록 배열된 다양한 컴포넌트를 이용하여 백색광을 방출한다.
서브마운트(902)는 많은 상이한 재료로 형성될 수 있는데, 바람직한 재료는 전기적으로 절연성을 가진 것이다. 적당한 재료의 예로는, 알루미늄 산화물이나 알루미늄 질화물이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 반사기 컵(906)은 후속되는 패키징 제조 단계와 작업 동안 패키지에 의해 발생하는 열에 견딜 수 있는 내구성이 좋고 용융점이 높은 재료로 형성되어야 한다. 노벨라(Novella) 수지와 같은 플라스틱이나 액정 중합체를 포함하여, 용융점이 높은 재료와 같은 많은 상이한 재료가 사용될 수 있다. 서브마운트(902)는 공지의 접촉 방법을 이용하여 LED(904)로의 전기 접속을 위한 전도성 경로를 제공하는 전기적 트레이스(910)를 포함하는 상부 표면을 갖는다.
"글로브(glob)" 방법 또는 EPD와 같은 종래의 코팅 방법을 이용하는 LED 패키지에서는, LED 칩, 기판의 표면 및 반사기 컵의 표면을 포함하여, 반사기 컵(906) 내의 면적 중 많은 부분이 변환 재료와 그 바인더에 의해 피복될 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 LED 칩을 이용하면 형광체/바인더 코팅은 LED 칩으로 한정되고, 다른 표면은 피복되지 않은 상태를 유지하게 된다. 또한 LED 패키지(900)는 변환되지 않은 광을 반사시켜 변환된 광과 혼합함으로써 LED 패키지의 가장자리 부근에서의 변환되지 않은 광의 방출을 보상할 수 있다.
도 34는 도 32 및 도 33에 도시된 것과 유사한 것으로, 전술한 도 19에 도시된 LED 칩(700)과 유사한 LED 칩을 이용하는 LED 칩의 성능 특성을 보여주는 표이다. LED 칩에 인가된 350 밀리암페어(mA)의 전류에 대해서 LED 패키지는 대략 98 루멘(lm)의 광속과 와트 당 86 루멘(lm/W)의 효율을 보여준다. 700 mA의 더 높은 구동 전류에 대해서는 이 패키지는 167 lm의 광속과 72 lm/W의 효율을 보여준다. 도 35는 PtAg와 같은 표준 접촉부를 가진 LED 칩을 가진 LED 패키지들 간의 성능 비교로서, 변형된 미러 접촉부를 가진 LED 칩을 가진 개선된 성능과 비교한 것을 보여주는 그래프이다.
지금까지 특정의 바람직한 구성을 참조로 본 발명을 상세히 설명하였지만, 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 본질과 범위는 상기 변형에 한정되어서는 않된다.

Claims (87)

  1. 발광 다이오드(LED) 칩에 있어서,
    텍스처링된 표면을 포함하는 발광 다이오드(LED);
    상기 LED 상의 제1 접촉부 및 상기 LED 상의 제2 접촉부 - 상기 제2 접촉부는 상기 제1 접촉부와 대향함 - ;
    상기 제1 접촉부와 전기적으로 접촉하는 페데스탈(pedestal); 및
    상기 텍스처링된 표면에 컨포멀(conformal)하되 상기 LED를 적어도 부분적으로 피복하는 코팅을 포함하고, 상기 페데스탈은 상기 코팅을 관통하여 연장되고 전기 접촉을 위해 노출되는 것인, LED 칩.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 페데스탈은 상기 코팅의 표면에까지 연장되고, 상기 코팅의 표면에서 노출되는 것인, LED 칩.
  3. 제1항에 있어서, 상기 코팅은 상기 LED의 상부 표면 또는 측면들 상에 있는 것인, LED 칩.
  4. 제1항에 있어서, 상기 LED는 기판 상에 있고, 상기 코팅은 상기 기판의 측면들 상에 있는 것인, LED 칩.
  5. 제1항에 있어서, 상기 코팅의 표면은 텍스처링되거나 또는 성형되는 것인, LED 칩.
  6. 제1항에 있어서, 상기 코팅은 하나 이상의 형광체(phosphor)를 포함하는 것인, LED 칩.
  7. 제1항에 있어서, 상기 페데스탈은 하나 이상의 스터드 범프(stud bump) 또는 마이크로와이어를 포함하는 것인, LED 칩.
  8. 발광 다이오드(LED) 패키지에 있어서,
    텍스처링된 표면을 포함하고 서브마운트(submount)에 장착된 LED 칩; 및
    상기 LED 칩으로부터의 광이 렌즈를 통해 상기 패키지로부터 방출되도록, 상기 LED 위에 장착된 렌즈를 포함하고,
    상기 LED 칩은,
    제1 표면 상의 제1 접촉부 및 상기 제1 접촉부와 대향하는 제2 표면 상의 제2 접촉부를 포함하는 LED; 및
    상기 텍스처링된 표면에 컨포멀하되 상기 LED를 적어도 부분적으로 피복하고 상기 서브마운트는 피복하지 않는 일체화된(integral) 코팅을 포함하는 것인, LED 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 일체화된 코팅은 상기 LED를 웨이퍼 레벨에서 적어도 부분적으로 피복하고 상기 코팅을 웨이퍼 레벨에서 경화시킴으로써 형성되는 것인, LED 패키지.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 LED와 전기적으로 접촉된 페데스탈을 더 포함하고, 상기 페데스탈은 상기 코팅을 통과하여 연장되고 전기 접촉을 위해 노출되는 것인, LED 패키지.
  11. 제10항에 있어서, 상기 페데스탈은 상기 코팅의 표면에까지 연장되고 상기 코팅의 표면에서 노출되는 것인, LED 패키지.
  12. 제8항에 있어서, 상기 LED의 표면은 텍스처링되는 것인, LED 패키지.
  13. 발광 다이오드(LED) 칩에 있어서,
    텍스처링된 표면을 포함하고 기판 상에 장착된 발광 다이오드(LED); 및
    상기 텍스처링된 표면에 컨포멀하되 상기 LED를 적어도 부분적으로 피복하는 일체화된 코팅을 포함하고, 상기 일체화된 코팅은 상기 LED를 웨이퍼 레벨에서 상기 코팅으로 적어도 부분적으로 피복하고 상기 코팅을 웨이퍼 레벨에서 경화시킴으로써 형성되고, 상기 일체화된 코팅은 상이한 광 변환 특성들을 포함하는 복수의 층들을 포함하는 것인, LED 칩.
  14. 제13항에 있어서, 상기 코팅은 상기 LED의 상부 표면 또는 측면들 상에 있는 것인, LED 칩.
  15. 제13항에 있어서, 상기 코팅은 상기 기판의 측면들 중 한 측면 또는 상기 기판의 하부 표면 상에 있는 것인, LED 칩.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 LED와 전기적으로 접촉하고, 상기 코팅을 관통하여 상기 코팅의 표면에까지 연장되며 상기 코팅의 표면에서 노출되는 페데스탈을 더 포함하는 LED 칩.
  17. 제13항에 있어서, 상기 코팅은 하나 이상의 형광체를 포함하는 것인, LED 칩.
  18. 발광 다이오드(LED) 칩들을 제조하는 방법에 있어서,
    기판의 표면 상에, 텍스처링된 표면을 포함하는 복수의 LED들을 제공하고,
    페데스탈들 - 상기 페데스탈들 각각은 상기 LED들 중 하나와 전기적으로 접촉함 - 을 퇴적하고,
    상기 기판 내에, 적어도 일부가 인접한 LED들 사이에 있는 것인 홈(groove)들을 형성하고,
    상기 LED들 위에, 상기 텍스처링된 표면에 컨포멀하되 상기 페데스탈들 중 적어도 일부를 매립하는 코팅을 형성하고,
    상기 코팅의 적어도 일부를 상기 LED들 상에 남기면서 상기 매립된 페데스탈들 중 적어도 일부를 노출시키도록 상기 코팅을 박막화하며,
    접촉부들 - 상기 접촉부들 각각은 상기 LED의 제2 표면과 전기적으로 접촉하고, 상기 접촉부들은 상기 페데스탈들과 대향함 - 을 퇴적하는 것을 포함하는 LED 칩 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 기판을 박막화하는 것을 더 포함하는 LED 칩 제조 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 기판은 상기 홈에 대향하는 자신의 표면으로부터 박막화되는 것인, LED 칩 제조 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 박막화는 상기 홈의 하단과 상기 홈에 대향하는 상기 기판의 표면 사이에 상기 기판의 안정화(stabilization) 부분을 남기고, 상기 안정화 부분 및 상기 코팅을 관통하여 절단함으로써 상기 LED를 싱귤레이팅하는 것을 더 포함하는 LED 칩 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 싱귤레이팅된 LED들 중 적어도 일부는 LED, 페데스탈, 상기 코팅의 일부, 및 상기 기판의 일부를 포함하고, 상기 코팅은 상기 LED 및 상기 기판의 측면의 일부를 적어도 부분적으로 피복하는 것인, LED 칩 제조 방법.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 코팅은 상기 홈을 적어도 부분적으로 충전하고, 상기 박막화는 상기 기판을 상기 홈의 하단까지 박막화하며, 상기 LED들 중 인접한 LED들 사이의 코팅을 관통하여 절단함으로써 상기 LED를 싱귤레이팅하는 것을 더 포함하는 LED 칩 제조 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 싱귤레이팅된 LED들 중 적어도 일부는 LED, 페데스탈, 상기 코팅의 일부, 및 상기 기판의 일부를 포함하고, 상기 코팅은 상기 LED 및 상기 기판의 모든 측면을 적어도 부분적으로 피복하는 것인, LED 칩 제조 방법.
  25. 발광 다이오드(LED) 칩 웨이퍼에 있어서,
    광 추출을 향상시키기 위하여 적어도 하나의 텍스처링된 표면을 포함하는 복수의 발광 다이오드(LED)들;
    복수의 페데스탈들 - 상기 복수의 페데스탈들 각각은 상기 LED들 중 하나의 LED의 제1 표면과 전기적으로 접촉함 - ;
    상기 텍스처링된 표면에 컨포멀하되 상기 LED들을 적어도 부분적으로 피복하는 코팅으로서, 상기 페데스탈들 중 적어도 일부는 상기 코팅을 관통하여 연장되고 전기 접촉을 위해 노출되는 것인, 상기 코팅; 및
    상기 복수의 LED들 중 하나의 LED의 제2 표면과 전기적으로 접촉하는 복수의 제2 접촉부들 - 상기 복수의 제2 접촉부들 각각은 상기 복수의 페데스탈들과 대향함 - 을 포함하는 LED 칩 웨이퍼.
  26. 제25항에 있어서, 2개의 인접한 LED들 사이에 홈을 더 포함하고, 상기 코팅은 상기 홈을 적어도 부분적으로 충전하는 것인, LED 칩 웨이퍼.
  27. 제25항에 있어서, 상기 코팅은 상이한 농도의 형광체들을 갖는 복수의 부분들을 포함하는 것인, LED 칩 웨이퍼.
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
  37. 삭제
  38. 삭제
  39. 삭제
  40. 삭제
  41. 삭제
  42. 삭제
  43. 삭제
  44. 삭제
  45. 삭제
  46. 삭제
  47. 삭제
  48. 삭제
  49. 삭제
  50. 삭제
  51. 삭제
  52. 삭제
  53. 삭제
  54. 삭제
  55. 삭제
  56. 삭제
  57. 삭제
  58. 삭제
  59. 삭제
  60. 삭제
  61. 삭제
  62. 삭제
  63. 삭제
  64. 삭제
  65. 삭제
  66. 삭제
  67. 삭제
  68. 삭제
  69. 삭제
  70. 삭제
  71. 삭제
  72. 삭제
  73. 삭제
  74. 삭제
  75. 삭제
  76. 삭제
  77. 삭제
  78. 삭제
  79. 삭제
  80. 삭제
  81. 삭제
  82. 삭제
  83. 삭제
  84. 삭제
  85. 삭제
  86. 삭제
  87. 삭제
KR1020097017407A 2007-01-22 2007-11-20 웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자 KR101548022B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/656,759 2007-01-22
US11/656,759 US9024349B2 (en) 2007-01-22 2007-01-22 Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US11/899,790 2007-09-07
US11/899,790 US9159888B2 (en) 2007-01-22 2007-09-07 Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090122210A KR20090122210A (ko) 2009-11-26
KR101548022B1 true KR101548022B1 (ko) 2015-08-27

Family

ID=39272169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020097017407A KR101548022B1 (ko) 2007-01-22 2007-11-20 웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9159888B2 (ko)
EP (1) EP2111648B1 (ko)
JP (2) JP2010517289A (ko)
KR (1) KR101548022B1 (ko)
WO (1) WO2008091319A2 (ko)

Families Citing this family (394)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9000461B2 (en) 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9412926B2 (en) * 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
USD738832S1 (en) 2006-04-04 2015-09-15 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9335006B2 (en) * 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
EP3223313B1 (en) 2007-01-22 2021-04-14 Cree, Inc. Monolithic light emitter having multiple light emitting sub-devices
US7843060B2 (en) * 2007-06-11 2010-11-30 Cree, Inc. Droop-free high output light emitting devices and methods of fabricating and operating same
US20090032799A1 (en) 2007-06-12 2009-02-05 Siphoton, Inc Light emitting device
US7956370B2 (en) * 2007-06-12 2011-06-07 Siphoton, Inc. Silicon based solid state lighting
KR20090002835A (ko) * 2007-07-04 2009-01-09 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
US9401461B2 (en) 2007-07-11 2016-07-26 Cree, Inc. LED chip design for white conversion
US10256385B2 (en) * 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US9172012B2 (en) 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US7915629B2 (en) 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
JP5317712B2 (ja) 2008-01-22 2013-10-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
US10008637B2 (en) * 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
JP5376961B2 (ja) * 2008-02-01 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US20090221106A1 (en) * 2008-03-01 2009-09-03 Goldeneye, Inc. Article and method for color and intensity balanced solid state light sources
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
US8877524B2 (en) 2008-03-31 2014-11-04 Cree, Inc. Emission tuning methods and devices fabricated utilizing methods
USRE49637E1 (en) * 2008-04-04 2023-08-29 Ideal Industries Lighting Llc Systems and methods for high output, high color quality light
WO2009157921A1 (en) * 2008-06-24 2009-12-30 Pan Shaoher X Silicon based solid state lighting
US20110114917A1 (en) * 2008-07-21 2011-05-19 Pan Shaoher X Light emitting device
US8858032B2 (en) * 2008-10-24 2014-10-14 Cree, Inc. Lighting device, heat transfer structure and heat transfer element
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8748905B2 (en) 2008-11-18 2014-06-10 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
US8004172B2 (en) 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
US20100127299A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Cooper Technologies Company Actively Cooled LED Lighting System and Method for Making the Same
US8017963B2 (en) * 2008-12-08 2011-09-13 Cree, Inc. Light emitting diode with a dielectric mirror having a lateral configuration
US7897419B2 (en) * 2008-12-23 2011-03-01 Cree, Inc. Color correction for wafer level white LEDs
KR20100080423A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
DE102009005907A1 (de) 2009-01-23 2010-07-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8529102B2 (en) * 2009-04-06 2013-09-10 Cree, Inc. Reflector system for lighting device
US8096671B1 (en) 2009-04-06 2012-01-17 Nmera, Llc Light emitting diode illumination system
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US20140175377A1 (en) * 2009-04-07 2014-06-26 Soraa, Inc. Polarized white light devices using non-polar or semipolar gallium containing materials and transparent phosphors
US8187983B2 (en) 2009-04-16 2012-05-29 Micron Technology, Inc. Methods for fabricating semiconductor components using thinning and back side laser processing
US9035328B2 (en) 2011-02-04 2015-05-19 Cree, Inc. Light-emitting diode component
US20100308300A1 (en) * 2009-06-08 2010-12-09 Siphoton, Inc. Integrated circuit light emission device, module and fabrication process
JP2011009572A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Citizen Electronics Co Ltd フリップチップ実装型ｌｅｄ及びフリップチップ実装型ｌｅｄの製造方法。
WO2010151600A1 (en) 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
US8547009B2 (en) 2009-07-10 2013-10-01 Cree, Inc. Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials
DE102009036621B4 (de) 2009-08-07 2023-12-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
DE102009039890A1 (de) * 2009-09-03 2011-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper, einer Isolationsschicht und einer planaren Leitstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
US8933644B2 (en) 2009-09-18 2015-01-13 Soraa, Inc. LED lamps with improved quality of light
US9293644B2 (en) 2009-09-18 2016-03-22 Soraa, Inc. Power light emitting diode and method with uniform current density operation
KR101601622B1 (ko) 2009-10-13 2016-03-09 삼성전자주식회사 발광다이오드 소자, 발광 장치 및 발광다이오드 소자의 제조방법
TWI414088B (zh) * 2009-12-16 2013-11-01 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
JP4991834B2 (ja) 2009-12-17 2012-08-01 シャープ株式会社 車両用前照灯
US8511851B2 (en) * 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8674383B2 (en) * 2010-01-21 2014-03-18 Siphoton Inc. Solid state lighting device on a conductive substrate
US8283676B2 (en) * 2010-01-21 2012-10-09 Siphoton Inc. Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate
US8722441B2 (en) 2010-01-21 2014-05-13 Siphoton Inc. Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate
US8587187B2 (en) 2010-12-06 2013-11-19 Byoung GU Cho Light diffusion of visible edge lines in a multi-dimensional modular display
US9006754B2 (en) 2010-01-26 2015-04-14 Lightizer Korea Co. Multichip light emitting diode (LED) and method of manufacture
US8227274B2 (en) * 2010-01-26 2012-07-24 Lightizer Korea Co. Light emitting diode (LED) and method of manufacture
BR112012020317B1 (pt) * 2010-02-09 2020-10-13 Nichia Corporation dispositivo emissor de luz
JP5232815B2 (ja) * 2010-02-10 2013-07-10 シャープ株式会社 車両用前照灯
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US8882284B2 (en) 2010-03-03 2014-11-11 Cree, Inc. LED lamp or bulb with remote phosphor and diffuser configuration with enhanced scattering properties
US20110227102A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-22 Cree, Inc. High efficacy led lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US9500325B2 (en) * 2010-03-03 2016-11-22 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor with heat dissipation features
US9024517B2 (en) 2010-03-03 2015-05-05 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration utilizing red emitters
US9062830B2 (en) 2010-03-03 2015-06-23 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US8931933B2 (en) 2010-03-03 2015-01-13 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9310030B2 (en) 2010-03-03 2016-04-12 Cree, Inc. Non-uniform diffuser to scatter light into uniform emission pattern
US10359151B2 (en) * 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US9625105B2 (en) * 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
US9316361B2 (en) 2010-03-03 2016-04-19 Cree, Inc. LED lamp with remote phosphor and diffuser configuration
US9057511B2 (en) 2010-03-03 2015-06-16 Cree, Inc. High efficiency solid state lamp and bulb
US8643038B2 (en) * 2010-03-09 2014-02-04 Cree, Inc. Warm white LEDs having high color rendering index values and related luminophoric mediums
US8508127B2 (en) * 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
JP5202559B2 (ja) 2010-03-09 2013-06-05 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
TWI492422B (zh) 2010-03-18 2015-07-11 Everlight Electronics Co Ltd 具有螢光粉層之發光二極體晶片的製作方法
JP5101650B2 (ja) * 2010-03-25 2012-12-19 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
US8017417B1 (en) 2010-03-31 2011-09-13 Lightizer Korea Co. Light emitting diode having a wavelength shift layer and method of manufacture
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
TWI456798B (zh) * 2010-04-23 2014-10-11 Formosa Epitaxy Inc 發光裝置之製造方法
US8733996B2 (en) 2010-05-17 2014-05-27 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, illuminating device, and vehicle headlamp
CN103003966B (zh) * 2010-05-18 2016-08-10 首尔半导体株式会社 具有波长变换层的发光二级管芯片及其制造方法，以及包括其的封装件及其制造方法
KR101719642B1 (ko) * 2010-09-15 2017-03-24 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
WO2011145794A1 (ko) 2010-05-18 2011-11-24 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 다이오드 칩과 그 제조 방법, 및 그것을 포함하는 패키지 및 그 제조 방법
JP5390472B2 (ja) 2010-06-03 2014-01-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5426484B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-26 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP5414627B2 (ja) * 2010-06-07 2014-02-12 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP5451534B2 (ja) * 2010-06-07 2014-03-26 株式会社東芝 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP5462078B2 (ja) * 2010-06-07 2014-04-02 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JP4875185B2 (ja) * 2010-06-07 2012-02-15 株式会社東芝 光半導体装置
US8471282B2 (en) 2010-06-07 2013-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Passivation for a semiconductor light emitting device
JP5398644B2 (ja) * 2010-06-07 2014-01-29 株式会社東芝 半導体発光装置を用いた光源装置
JP2011258657A (ja) * 2010-06-07 2011-12-22 Toshiba Corp 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
TW201201419A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Wafer-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer
CN102959708B (zh) 2010-06-29 2016-05-04 柯立芝照明有限公司 具有易弯曲基板的电子装置
TW201201409A (en) * 2010-06-29 2012-01-01 Semileds Optoelectronics Co Chip-type light emitting device having precisely coated wavelength-converting layer and packaged structure thereof
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US9831393B2 (en) 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
US8764224B2 (en) 2010-08-12 2014-07-01 Cree, Inc. Luminaire with distributed LED sources
CN102376848A (zh) * 2010-08-27 2012-03-14 璨圆光电股份有限公司 发光装置的制造方法
TWI422079B (zh) * 2010-09-07 2014-01-01 Univ Kun Shan 半導體發光元件之散熱座的製作方法
TWI446590B (zh) 2010-09-30 2014-07-21 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
US9627361B2 (en) 2010-10-07 2017-04-18 Cree, Inc. Multiple configuration light emitting devices and methods
US9816677B2 (en) 2010-10-29 2017-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element
US20120211783A1 (en) * 2010-11-17 2012-08-23 Ncku Research And Development Foundation Light-emitting-diode array with microstructures in gap between light-emitting-diodes
USD721339S1 (en) 2010-12-03 2015-01-20 Cree, Inc. Light emitter device
USD712850S1 (en) 2010-11-18 2014-09-09 Cree, Inc. Light emitter device
USD707192S1 (en) 2010-11-18 2014-06-17 Cree, Inc. Light emitting device
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US8519548B2 (en) 2010-11-19 2013-08-27 Electronics And Telecommunications Research Institute Wafer level packaged GaN power device and the manufacturing method thereof
US8575639B2 (en) 2011-02-16 2013-11-05 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US10267506B2 (en) 2010-11-22 2019-04-23 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
US9000470B2 (en) 2010-11-22 2015-04-07 Cree, Inc. Light emitter devices
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
USD706231S1 (en) 2010-12-03 2014-06-03 Cree, Inc. Light emitting device
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US9822951B2 (en) 2010-12-06 2017-11-21 Cree, Inc. LED retrofit lens for fluorescent tube
US10309627B2 (en) 2012-11-08 2019-06-04 Cree, Inc. Light fixture retrofit kit with integrated light bar
US8482020B2 (en) 2010-12-08 2013-07-09 Bridgelux, Inc. System for wafer-level phosphor deposition
US8841145B2 (en) 2010-12-08 2014-09-23 Bridgelux, Inc. System for wafer-level phosphor deposition
KR20120067153A (ko) * 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법
KR101748334B1 (ko) 2011-01-17 2017-06-16 삼성전자 주식회사 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
CN103348496A (zh) 2011-02-07 2013-10-09 克利公司 用于发光二极管（led）发光的部件和方法
US9583681B2 (en) 2011-02-07 2017-02-28 Cree, Inc. Light emitter device packages, modules and methods
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
KR20120092000A (ko) * 2011-02-09 2012-08-20 서울반도체 주식회사 파장변환층을 갖는 발광 소자
US8217418B1 (en) 2011-02-14 2012-07-10 Siphoton Inc. Semi-polar semiconductor light emission devices
US8624292B2 (en) 2011-02-14 2014-01-07 Siphoton Inc. Non-polar semiconductor light emission devices
TWI426624B (zh) * 2011-02-14 2014-02-11 私立中原大學 高效率發光二極體之製作方法
USD702653S1 (en) 2011-10-26 2014-04-15 Cree, Inc. Light emitting device component
US8455908B2 (en) 2011-02-16 2013-06-04 Cree, Inc. Light emitting devices
US10098197B2 (en) 2011-06-03 2018-10-09 Cree, Inc. Lighting devices with individually compensating multi-color clusters
US8809880B2 (en) 2011-02-16 2014-08-19 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) chips and devices for providing failure mitigation in LED arrays
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
EP2686892B1 (en) * 2011-03-14 2019-10-02 Lumileds Holding B.V. Led having vertical contacts redistributed for flip chip mounting
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
US8680556B2 (en) 2011-03-24 2014-03-25 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
TW201246350A (en) * 2011-03-28 2012-11-16 Henkel Corp Pre-grooving for wafer applied underfill film
US8957438B2 (en) 2011-04-07 2015-02-17 Cree, Inc. Methods of fabricating light emitting devices including multiple sequenced luminophoric layers
US20130062633A1 (en) * 2011-04-18 2013-03-14 Randolph Cary Demuynck LED Array Having Embedded LED and Method Therefor
US9245874B2 (en) 2011-04-18 2016-01-26 Cree, Inc. LED array having embedded LED and method therefor
JP5777705B2 (ja) 2011-04-20 2015-09-09 株式会社エルム 発光装置及びその製造方法
US9263636B2 (en) 2011-05-04 2016-02-16 Cree, Inc. Light-emitting diode (LED) for achieving an asymmetric light output
US8921875B2 (en) 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US8729790B2 (en) 2011-06-03 2014-05-20 Cree, Inc. Coated phosphors and light emitting devices including the same
US8906263B2 (en) 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8747697B2 (en) 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
KR101231435B1 (ko) * 2011-06-10 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법
CN102299215A (zh) * 2011-06-13 2011-12-28 协鑫光电科技（张家港）有限公司 发光二极管与其制造方法
US9666764B2 (en) 2012-04-09 2017-05-30 Cree, Inc. Wafer level packaging of multiple light emitting diodes (LEDs) on a single carrier die
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US8686429B2 (en) 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
US9653643B2 (en) * 2012-04-09 2017-05-16 Cree, Inc. Wafer level packaging of light emitting diodes (LEDs)
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
US8684569B2 (en) 2011-07-06 2014-04-01 Cree, Inc. Lens and trim attachment structure for solid state downlights
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
JP2014525146A (ja) 2011-07-21 2014-09-25 クリー インコーポレイテッド 発光デバイス、パッケージ、部品、ならびに改良された化学抵抗性のための方法および関連する方法
CN102280539A (zh) * 2011-08-18 2011-12-14 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 白光led芯片制造方法及其产品和白光led
US8558252B2 (en) 2011-08-26 2013-10-15 Cree, Inc. White LEDs with emission wavelength correction
US8754424B2 (en) 2011-08-29 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Discontinuous patterned bonds for semiconductor devices and associated systems and methods
US9269858B2 (en) * 2011-08-31 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods
WO2013036481A2 (en) 2011-09-06 2013-03-14 Cree, Inc. Light emitter packages and devices having improved wire bonding and related methods
KR101471449B1 (ko) * 2011-09-08 2014-12-10 피에스아이 주식회사 광산란을 최소화하는 마이크로 사이즈 형광체
DE102011113498A1 (de) * 2011-09-15 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoffmischung, optoelektronisches Bauelement mit einer Leuchtstoffmischung und Straßenlaterne mit einer Leuchtstoffmischung
CN103022274B (zh) * 2011-09-22 2016-04-13 比亚迪股份有限公司 一种led芯片及其制造方法
USD705181S1 (en) 2011-10-26 2014-05-20 Cree, Inc. Light emitting device component
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
US9165895B2 (en) * 2011-11-07 2015-10-20 Infineon Technologies Ag Method for separating a plurality of dies and a processing device for separating a plurality of dies
US10043960B2 (en) 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
US9293641B2 (en) * 2011-11-18 2016-03-22 Invensas Corporation Inverted optical device
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US20130146904A1 (en) * 2011-12-07 2013-06-13 Cree, Inc. Optoelectronic Structures with High Lumens Per Wafer
US9335531B2 (en) 2011-12-30 2016-05-10 Cree, Inc. LED lighting using spectral notching
KR20130081949A (ko) * 2012-01-10 2013-07-18 삼성전자주식회사 웨이퍼 다이싱 방법 및 이를 사용하는 발광 소자 칩의 제조 방법
US8907362B2 (en) 2012-01-24 2014-12-09 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US20130187540A1 (en) 2012-01-24 2013-07-25 Michael A. Tischler Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods
US8896010B2 (en) 2012-01-24 2014-11-25 Cooledge Lighting Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
KR101362263B1 (ko) * 2012-01-30 2014-02-13 국민대학교산학협력단 광산란을 최소화하는 형광체-기지 복합체 분말 및 이를 포함하는 ｌｅｄ 구조체
US9786825B2 (en) 2012-02-07 2017-10-10 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
US8895998B2 (en) 2012-03-30 2014-11-25 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components and methods
US9806246B2 (en) 2012-02-07 2017-10-31 Cree, Inc. Ceramic-based light emitting diode (LED) devices, components, and methods
WO2013118072A2 (en) * 2012-02-10 2013-08-15 Koninklijke Philips N.V. Wavelength converted light emitting device
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US8952413B2 (en) 2012-03-08 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Etched trenches in bond materials for die singulation, and associated systems and methods
JP5914060B2 (ja) * 2012-03-09 2016-05-11 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
CN102544329A (zh) * 2012-03-14 2012-07-04 连云港陆亿建材有限公司 圆片级发光二级管封装结构及其制造工艺
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9538590B2 (en) 2012-03-30 2017-01-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US9847445B2 (en) * 2012-04-05 2017-12-19 Koninklijke Philips N.V. LED thin-film device partial singulation prior to substrate thinning or removal
US9188290B2 (en) 2012-04-10 2015-11-17 Cree, Inc. Indirect linear fixture
US8878204B2 (en) 2012-05-04 2014-11-04 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
US9666452B2 (en) * 2012-05-25 2017-05-30 Infineon Technologies Ag Chip packages and methods for manufacturing a chip package
US9166116B2 (en) 2012-05-29 2015-10-20 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting device
CN203277498U (zh) * 2012-05-29 2013-11-06 璨圆光电股份有限公司 发光组件及其发光装置的装置基座
US10439112B2 (en) 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
USD749051S1 (en) 2012-05-31 2016-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9349929B2 (en) 2012-05-31 2016-05-24 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods
US9590155B2 (en) 2012-06-06 2017-03-07 Cree, Inc. Light emitting devices and substrates with improved plating
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US10468565B2 (en) * 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US20130328074A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US8895994B2 (en) * 2012-06-27 2014-11-25 Schlumberger Technology Corporation Electronic device including silicon carbide diode dies
US11160148B2 (en) 2017-06-13 2021-10-26 Ideal Industries Lighting Llc Adaptive area lamp
US11792898B2 (en) 2012-07-01 2023-10-17 Ideal Industries Lighting Llc Enhanced fixtures for area lighting
KR20140018534A (ko) * 2012-08-02 2014-02-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9147816B2 (en) 2012-08-24 2015-09-29 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting material deposition methods and associated articles
DE102012108704A1 (de) 2012-09-17 2014-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen Schicht auf einem Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US10788176B2 (en) 2013-02-08 2020-09-29 Ideal Industries Lighting Llc Modular LED lighting system
US9482396B2 (en) 2012-11-08 2016-11-01 Cree, Inc. Integrated linear light engine
US9494304B2 (en) 2012-11-08 2016-11-15 Cree, Inc. Recessed light fixture retrofit kit
US9441818B2 (en) 2012-11-08 2016-09-13 Cree, Inc. Uplight with suspended fixture
KR101971202B1 (ko) * 2012-11-22 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US20140151630A1 (en) * 2012-12-04 2014-06-05 Feng-Hsu Fan Protection for the epitaxial structure of metal devices
US9437788B2 (en) 2012-12-19 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
US9761763B2 (en) 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
JP2014139999A (ja) 2013-01-21 2014-07-31 Toshiba Corp 半導体発光装置
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
US9345091B2 (en) 2013-02-08 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitting device (LED) light fixture control systems and related methods
US9039746B2 (en) 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
US9159890B2 (en) * 2013-02-15 2015-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US8916896B2 (en) 2013-02-22 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved performance
US10295124B2 (en) 2013-02-27 2019-05-21 Cree, Inc. Light emitter packages and methods
US10584860B2 (en) 2013-03-14 2020-03-10 Ideal Industries, Llc Linear light fixture with interchangeable light engine unit
USD738026S1 (en) 2013-03-14 2015-09-01 Cree, Inc. Linear wrap light fixture
US9874333B2 (en) 2013-03-14 2018-01-23 Cree, Inc. Surface ambient wrap light fixture
US9435492B2 (en) 2013-03-15 2016-09-06 Cree, Inc. LED luminaire with improved thermal management and novel LED interconnecting architecture
US9897267B2 (en) 2013-03-15 2018-02-20 Cree, Inc. Light emitter components, systems, and related methods
US9215792B2 (en) 2013-03-15 2015-12-15 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for light emitter components
USD733952S1 (en) 2013-03-15 2015-07-07 Cree, Inc. Indirect linear fixture
US9012933B2 (en) * 2013-04-08 2015-04-21 Epistar Corporation Light-emitting diode having a roughened surface
USD738542S1 (en) 2013-04-19 2015-09-08 Cree, Inc. Light emitting unit
US9219202B2 (en) 2013-04-19 2015-12-22 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including red phosphors that exhibit good color rendering properties and related red phosphors
JP6273945B2 (ja) 2013-04-26 2018-02-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE102013217055B4 (de) 2013-05-17 2022-08-25 Tridonic Gmbh & Co Kg Weisslicht-LED-Modul zur Objektbeleuchtung
US9111464B2 (en) * 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
USD740453S1 (en) 2013-06-27 2015-10-06 Cree, Inc. Light emitter unit
USD739565S1 (en) 2013-06-27 2015-09-22 Cree, Inc. Light emitter unit
JP5695706B2 (ja) * 2013-07-05 2015-04-08 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
WO2015011583A1 (en) * 2013-07-22 2015-01-29 Koninklijke Philips N.V. Method of separating light emitting devices formed on a substrate wafer
DE102013214877A1 (de) * 2013-07-30 2015-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Abdeckelements und eines optoelektronischen Bauelements, Abdeckelement und optoelektronisches Bauelement
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
US10074781B2 (en) 2013-08-29 2018-09-11 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including multiple red phosphors that exhibit good color rendering properties with increased brightness
US9410664B2 (en) 2013-08-29 2016-08-09 Soraa, Inc. Circadian friendly LED light source
KR101503403B1 (ko) * 2013-09-09 2015-03-17 삼성디스플레이 주식회사 발광소자모듈 및 그 제조방법
US9240528B2 (en) 2013-10-03 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio
US10900653B2 (en) 2013-11-01 2021-01-26 Cree Hong Kong Limited LED mini-linear light engine
JP6209949B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6244857B2 (ja) * 2013-11-26 2017-12-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6237181B2 (ja) 2013-12-06 2017-11-29 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US10100988B2 (en) 2013-12-16 2018-10-16 Cree, Inc. Linear shelf light fixture with reflectors
US10612747B2 (en) 2013-12-16 2020-04-07 Ideal Industries Lighting Llc Linear shelf light fixture with gap filler elements
USD750308S1 (en) 2013-12-16 2016-02-23 Cree, Inc. Linear shelf light fixture
US9524942B2 (en) * 2013-12-18 2016-12-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chip-on-substrate packaging on carrier
US9343443B2 (en) 2014-02-05 2016-05-17 Cooledge Lighting, Inc. Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
US10234119B2 (en) 2014-03-24 2019-03-19 Cree, Inc. Multiple voltage light emitter packages, systems, and related methods
USD757324S1 (en) 2014-04-14 2016-05-24 Cree, Inc. Linear shelf light fixture with reflectors
US9241384B2 (en) 2014-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting devices with adjustable color point
US9685101B2 (en) 2014-04-23 2017-06-20 Cree, Inc. Solid state light-emitting devices with improved contrast
US9593812B2 (en) 2014-04-23 2017-03-14 Cree, Inc. High CRI solid state lighting devices with enhanced vividness
US9960322B2 (en) 2014-04-23 2018-05-01 Cree, Inc. Solid state lighting devices incorporating notch filtering materials
US9215761B2 (en) 2014-05-15 2015-12-15 Cree, Inc. Solid state lighting devices with color point non-coincident with blackbody locus
US9691949B2 (en) 2014-05-30 2017-06-27 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
US10797204B2 (en) 2014-05-30 2020-10-06 Cree, Inc. Submount based light emitter components and methods
US9515056B2 (en) 2014-06-06 2016-12-06 Cree, Inc. Solid state lighting device including narrow spectrum emitter
US9192013B1 (en) 2014-06-06 2015-11-17 Cree, Inc. Lighting devices with variable gamut
KR102171024B1 (ko) * 2014-06-16 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법
US10032753B2 (en) * 2014-06-20 2018-07-24 Grote Industries, Llc Flexible lighting device having both visible and infrared light-emitting diodes
US20180294381A1 (en) * 2014-06-30 2018-10-11 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode device
US9961770B2 (en) 2014-07-22 2018-05-01 Cree, Inc. Solder pads, methods, and systems for circuitry components
US9534741B2 (en) 2014-07-23 2017-01-03 Cree, Inc. Lighting devices with illumination regions having different gamut properties
GR1008582B (el) * 2014-07-31 2015-10-06 Ιδρυμα Τεχνολογιας Και Ερευνας (Ιτε), Διαμορφωσεις αποδομησης υποστρωματος sic και κατασκευη συσκευων διοδων εκπομπης φωτος
WO2016034492A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-10 Philips Lighting Holding B.V. A method of applying a lighting arrangement to a surface and a lighting surface
US9331253B2 (en) 2014-09-03 2016-05-03 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
US9214607B1 (en) 2014-09-05 2015-12-15 Cree, Inc. Wire bonded light emitting diode (LED) components including reflective layer
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
US9219201B1 (en) 2014-10-31 2015-12-22 Cree, Inc. Blue light emitting devices that include phosphor-converted blue light emitting diodes
US10453825B2 (en) 2014-11-11 2019-10-22 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components and methods
US9826581B2 (en) 2014-12-05 2017-11-21 Cree, Inc. Voltage configurable solid state lighting apparatuses, systems, and related methods
US10431568B2 (en) 2014-12-18 2019-10-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
TWI677113B (zh) * 2014-12-24 2019-11-11 晶元光電股份有限公司 發光元件以及其製造方法
KR102345751B1 (ko) * 2015-01-05 2022-01-03 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
US9530944B2 (en) 2015-01-27 2016-12-27 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices with enhanced long wavelength illumination
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9681510B2 (en) 2015-03-26 2017-06-13 Cree, Inc. Lighting device with operation responsive to geospatial position
WO2016161161A1 (en) 2015-03-31 2016-10-06 Cree, Inc. Light emitting diodes and methods with encapsulation
US10683971B2 (en) 2015-04-30 2020-06-16 Cree, Inc. Solid state lighting components
US9900957B2 (en) 2015-06-11 2018-02-20 Cree, Inc. Lighting device including solid state emitters with adjustable control
DE102015109413A1 (de) * 2015-06-12 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips und Verbund von Konversions-Halbleiterchips
DE112016003002T5 (de) 2015-06-30 2018-03-15 Cree, Inc. Stabilisierte Quantenpunktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer stabilisierten Quantenpunktstruktur
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US10074635B2 (en) 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
CN108369977B (zh) 2015-10-01 2021-06-15 克利公司 低光学损失倒装芯片固态照明设备
JP6593237B2 (ja) * 2016-03-22 2019-10-23 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法、及び発光装置の製造方法
US10529696B2 (en) * 2016-04-12 2020-01-07 Cree, Inc. High density pixelated LED and devices and methods thereof
DE102016111321B4 (de) * 2016-06-21 2018-05-03 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelemente
US10444260B2 (en) * 2016-07-12 2019-10-15 International Business Machines Corporation Low force wafer test probe
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
JP6724634B2 (ja) * 2016-07-28 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP6724650B2 (ja) * 2016-08-20 2020-07-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2018052902A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
JP6555247B2 (ja) * 2016-12-28 2019-08-07 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10451229B2 (en) 2017-01-30 2019-10-22 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10465869B2 (en) 2017-01-30 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
JP6297741B1 (ja) 2017-03-31 2018-03-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス及びその製造方法
JP7111939B2 (ja) * 2017-04-28 2022-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
EP3662514A1 (en) 2017-08-03 2020-06-10 Cree, Inc. High density pixelated-led chips and chip array devices, and fabrication methods
US10734363B2 (en) 2017-08-03 2020-08-04 Cree, Inc. High density pixelated-LED chips and chip array devices
US11107857B2 (en) 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11101248B2 (en) 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
WO2019037094A1 (en) 2017-08-25 2019-02-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Ltd. MULTI-LED LIGHT SOURCE LENS DESIGN IN AN INTEGRATED HOUSING
US10361349B2 (en) 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6512258B2 (ja) * 2017-10-23 2019-05-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10546843B2 (en) 2017-11-03 2020-01-28 Ideal Industries Lighting Llc White light emitting devices having high luminous efficiency and improved color rendering that include pass-through violet emissions
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10741730B2 (en) 2017-11-10 2020-08-11 Cree, Inc. Stabilized luminescent nanoparticles comprising a perovskite semiconductor and method of fabrication
US10347799B2 (en) 2017-11-10 2019-07-09 Cree, Inc. Stabilized quantum dot composite and method of making a stabilized quantum dot composite
US10734560B2 (en) 2017-11-29 2020-08-04 Cree, Inc. Configurable circuit layout for LEDs
DE102018101389A1 (de) * 2018-01-23 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US10529773B2 (en) 2018-02-14 2020-01-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices with opposing emission directions
US10957736B2 (en) 2018-03-12 2021-03-23 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) components and methods
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US10529900B2 (en) 2018-05-05 2020-01-07 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lighting device providing spectral power distribution with enhanced perceived brightness
US20190361294A1 (en) * 2018-05-22 2019-11-28 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Planar backlight module and lcd panel
CN208385406U (zh) * 2018-05-25 2019-01-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种led模组
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
US11101410B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
US10608148B2 (en) 2018-05-31 2020-03-31 Cree, Inc. Stabilized fluoride phosphor for light emitting diode (LED) applications
US10349484B1 (en) 2018-05-31 2019-07-09 Cree, Inc. Solid state lighting devices with reduced melatonin suppression characteristics
EP3776674A1 (en) 2018-06-04 2021-02-17 Cree, Inc. Led apparatuses, and method
US11294277B2 (en) 2018-07-25 2022-04-05 Canon Kabushiki Kaisha Process of imprinting a substrate with fluid control features
US10964866B2 (en) 2018-08-21 2021-03-30 Cree, Inc. LED device, system, and method with adaptive patterns
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
US10903265B2 (en) 2018-12-21 2021-01-26 Cree, Inc. Pixelated-LED chips and chip array devices, and fabrication methods
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
JP7004948B2 (ja) * 2019-04-27 2022-01-21 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
EP4052296A1 (en) 2019-10-29 2022-09-07 Creeled, Inc. Texturing for high density pixelated-led chips
DE102020201370A1 (de) * 2020-02-05 2021-08-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung einer konversionsschicht auf einer halbleiterschichtenfolge und optoelektronisches bauelement
JP7119283B2 (ja) * 2020-03-30 2022-08-17 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
US11742381B2 (en) * 2020-07-14 2023-08-29 Semiconductor Components Industries, Llc Monolithic semiconductor device assemblies
US11437548B2 (en) 2020-10-23 2022-09-06 Creeled, Inc. Pixelated-LED chips with inter-pixel underfill materials, and fabrication methods

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118293A (ja) * 2000-07-31 2002-04-19 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
JP2004095765A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2005252222A (ja) * 2004-02-03 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法

Family Cites Families (280)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US566639A (en) * 1896-08-25 werner
US3780357A (en) 1973-02-16 1973-12-18 Hewlett Packard Co Electroluminescent semiconductor display apparatus and method of fabricating the same
JPS5927559Y2 (ja) 1979-06-08 1984-08-09 才市 岡本 防振装置
US4576796A (en) 1984-01-18 1986-03-18 Pelam, Inc. Centrifugal tissue processor
JPS6148951U (ko) 1984-08-29 1986-04-02
US4733335A (en) 1984-12-28 1988-03-22 Koito Manufacturing Co., Ltd. Vehicular lamp
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4935665A (en) 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
US5132045A (en) 1988-03-16 1992-07-21 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Acrylic phosphor paste compositions and phosphor coatings obtained therefrom
JP2558840B2 (ja) 1988-09-22 1996-11-27 関西日本電気株式会社 モールドダイオードおよびその製造方法
JPH065290Y2 (ja) 1988-10-28 1994-02-09 株式会社サンゲツ ワークの情報読取装置
US4918497A (en) 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
US5210051A (en) 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
FR2704690B1 (fr) 1993-04-27 1995-06-23 Thomson Csf Procédé d'encapsulation de pastilles semi-conductrices, dispositif obtenu par ce procédé et application à l'interconnexion de pastilles en trois dimensions.
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
DE19509262C2 (de) 1995-03-15 2001-11-29 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoffumhüllung und Verfahren zu dessen Herstellung
US5614131A (en) 1995-05-01 1997-03-25 Motorola, Inc. Method of making an optoelectronic device
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US6056421A (en) 1995-08-25 2000-05-02 Michael Brian Johnson Architectural lighting devices with photosensitive lens
US5766987A (en) 1995-09-22 1998-06-16 Tessera, Inc. Microelectronic encapsulation methods and equipment
DE19536438A1 (de) 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
TW412744B (en) 1996-02-13 2000-11-21 Dainippon Printing Co Ltd Device with display portion capable of rewriting
JP2947156B2 (ja) 1996-02-29 1999-09-13 双葉電子工業株式会社 蛍光体の製造方法
US6001671A (en) 1996-04-18 1999-12-14 Tessera, Inc. Methods for manufacturing a semiconductor package having a sacrificial layer
JP3350354B2 (ja) 1996-06-03 2002-11-25 松下電器産業株式会社 モノクロームブラウン管蛍光面形成方法
US5803579A (en) 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
JP3773541B2 (ja) 1996-06-26 2006-05-10 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ルミネセンス変換エレメントを有する半導体発光素子
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3751587B2 (ja) 1996-07-12 2006-03-01 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP3065258B2 (ja) 1996-09-30 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いた表示装置
US5769987A (en) * 1996-11-20 1998-06-23 Northrop Grumman Cropration Post-firing method for integrating passive devices into ceramic electronic packages
JP3448441B2 (ja) 1996-11-29 2003-09-22 三洋電機株式会社 発光装置
US5833903A (en) 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JP3492178B2 (ja) 1997-01-15 2004-02-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
WO1998034285A1 (fr) 1997-01-31 1998-08-06 Matsushita Electronics Corporation Element electroluminescent, dispositif electroluminescent a semiconducteur, et leur procede de production
US6583444B2 (en) 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
JP3246386B2 (ja) 1997-03-05 2002-01-15 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード及び発光ダイオード用の色変換モールド部材
JP3351706B2 (ja) 1997-05-14 2002-12-03 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
FR2764111A1 (fr) 1997-06-03 1998-12-04 Sgs Thomson Microelectronics Procede de fabrication de boitiers semi-conducteurs comprenant un circuit integre
JP3920461B2 (ja) 1998-06-15 2007-05-30 大日本印刷株式会社 レンズおよびその製造方法
JPH1187778A (ja) 1997-09-02 1999-03-30 Toshiba Corp 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法
US6340824B1 (en) 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
CN2310925Y (zh) 1997-09-26 1999-03-17 陈兴 发光二极管的新结构
US6201262B1 (en) 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
US6495083B2 (en) 1997-10-29 2002-12-17 Hestia Technologies, Inc. Method of underfilling an integrated circuit chip
TW408497B (en) 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
EP0926744B8 (en) 1997-12-15 2008-05-21 Philips Lumileds Lighting Company, LLC. Light emitting device
US6580097B1 (en) 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JPH11276932A (ja) 1998-03-30 1999-10-12 Japan Tobacco Inc 遠心分離機
US6329224B1 (en) 1998-04-28 2001-12-11 Tessera, Inc. Encapsulation of microelectronic assemblies
US6504180B1 (en) * 1998-07-28 2003-01-07 Imec Vzw And Vrije Universiteit Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP3724620B2 (ja) 1998-09-29 2005-12-07 シャープ株式会社 発光ダイオードの製造方法
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6404125B1 (en) 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US5988925A (en) 1998-10-26 1999-11-23 Baggett; R. Sherman Stacked paper fastener
US6184465B1 (en) 1998-11-12 2001-02-06 Micron Technology, Inc. Semiconductor package
US6307218B1 (en) 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
JP3775081B2 (ja) 1998-11-27 2006-05-17 松下電器産業株式会社 半導体発光装置
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP4256968B2 (ja) 1999-01-14 2009-04-22 スタンレー電気株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP3033576B1 (ja) 1999-02-18 2000-04-17 日本電気株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP3494586B2 (ja) 1999-03-26 2004-02-09 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
EP1198005A4 (en) 1999-03-26 2004-11-24 Hitachi Ltd SEMICONDUCTOR MODULE AND ITS MOUNTING METHOD
JP2000299334A (ja) 1999-04-14 2000-10-24 Apic Yamada Corp 樹脂封止装置
US6257737B1 (en) 1999-05-20 2001-07-10 Philips Electronics Na Low-profile luminaire having a reflector for mixing light from a multi-color linear array of LEDs
JP3337000B2 (ja) 1999-06-07 2002-10-21 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
EP1059667A3 (en) 1999-06-09 2007-07-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
JP3675234B2 (ja) * 1999-06-28 2005-07-27 豊田合成株式会社 半導体発光素子の製造方法
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6338813B1 (en) 1999-10-15 2002-01-15 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Molding method for BGA semiconductor chip package
KR20010044907A (ko) 1999-11-01 2001-06-05 김순택 저전압 구동용 고휘도 형광체막 및 그 제조 방법
US6406991B2 (en) 1999-12-27 2002-06-18 Hoya Corporation Method of manufacturing a contact element and a multi-layered wiring substrate, and wafer batch contact board
DE10010638A1 (de) 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
US6793371B2 (en) 2000-03-09 2004-09-21 Mongo Light Co. Inc. LED lamp assembly
US6522065B1 (en) 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
JP4810746B2 (ja) 2000-03-31 2011-11-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
AU2001241136A1 (en) 2000-03-31 2001-10-15 Toyoda Gosei Co. Ltd. Method for dicing semiconductor wafer into chips
US6653765B1 (en) 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
JP4403631B2 (ja) 2000-04-24 2010-01-27 ソニー株式会社 チップ状電子部品の製造方法、並びにその製造に用いる擬似ウエーハの製造方法
US6501100B1 (en) 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
GB0013394D0 (en) 2000-06-01 2000-07-26 Microemissive Displays Ltd A method of creating a color optoelectronic device
JP2002009097A (ja) 2000-06-22 2002-01-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置とその製造方法
DE10033502A1 (de) 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul, Verfahren zu dessen Herstellung und dessen Verwendung
US6468832B1 (en) 2000-07-19 2002-10-22 National Semiconductor Corporation Method to encapsulate bumped integrated circuit to create chip scale package
JP2002050799A (ja) 2000-08-04 2002-02-15 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄランプおよびその製造方法
JP2002076196A (ja) 2000-08-25 2002-03-15 Nec Kansai Ltd チップ型半導体装置及びその製造方法
JP2002076445A (ja) 2000-09-01 2002-03-15 Sanken Electric Co Ltd 半導体発光装置
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002093830A (ja) 2000-09-14 2002-03-29 Sony Corp チップ状電子部品の製造方法、及びその製造に用いる疑似ウェーハの製造方法
JP2002101147A (ja) 2000-09-26 2002-04-05 Hitachi Kokusai Electric Inc 通信システム
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
DE10051242A1 (de) 2000-10-17 2002-04-25 Philips Corp Intellectual Pty Lichtemittierende Vorrichtung mit beschichtetem Leuchtstoff
US20020063520A1 (en) 2000-11-29 2002-05-30 Huei-Che Yu Pre-formed fluorescent plate - LED device
JP5110744B2 (ja) 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
JP2002280607A (ja) 2001-01-10 2002-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6734571B2 (en) 2001-01-23 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Semiconductor assembly encapsulation mold
MY131962A (en) 2001-01-24 2007-09-28 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
TW516247B (en) 2001-02-26 2003-01-01 Arima Optoelectronics Corp Light emitting diode with light conversion using scattering optical media
JP4081985B2 (ja) 2001-03-02 2008-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US6661167B2 (en) * 2001-03-14 2003-12-09 Gelcore Llc LED devices
JP2002319704A (ja) 2001-04-23 2002-10-31 Matsushita Electric Works Ltd Ｌｅｄチップ
ATE551731T1 (de) 2001-04-23 2012-04-15 Panasonic Corp Lichtemittierende einrichtung mit einem leuchtdioden-chip
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6958497B2 (en) 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4114331B2 (ja) 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
EP1397840A1 (en) 2001-06-15 2004-03-17 Cree, Inc. Gan based led formed on a sic substrate
JP4010299B2 (ja) 2001-06-20 2007-11-21 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置とその形成方法
JP4529319B2 (ja) 2001-06-27 2010-08-25 日亜化学工業株式会社 半導体チップとその製造方法
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4147755B2 (ja) 2001-07-31 2008-09-10 日亜化学工業株式会社 発光装置とその製造方法
TW511303B (en) 2001-08-21 2002-11-21 Wen-Jr He A light mixing layer and method
US7169280B2 (en) 2001-08-31 2007-01-30 Semitool, Inc. Apparatus and method for deposition of an electrophoretic emulsion
JPWO2003021668A1 (ja) 2001-08-31 2004-12-24 日立化成工業株式会社 配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法
JP2006080565A (ja) 2001-09-03 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光デバイスの製造方法
KR100923804B1 (ko) 2001-09-03 2009-10-27 파나소닉 주식회사 반도체발광소자, 발광장치 및 반도체발광소자의 제조방법
US6759266B1 (en) 2001-09-04 2004-07-06 Amkor Technology, Inc. Quick sealing glass-lidded package fabrication method
JP3925137B2 (ja) 2001-10-03 2007-06-06 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
TW517356B (en) 2001-10-09 2003-01-11 Delta Optoelectronics Inc Package structure of display device and its packaging method
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US6531328B1 (en) 2001-10-11 2003-03-11 Solidlite Corporation Packaging of light-emitting diode
CN1323441C (zh) * 2001-10-12 2007-06-27 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
EP1448622B1 (en) 2001-11-27 2006-04-26 Basell Poliolefine Italia S.r.l. Clear and flexible propylene polymer compositions
JP4055405B2 (ja) 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
JP2003170465A (ja) 2001-12-04 2003-06-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体パッケージの製造方法およびそのための封止金型
US7066335B2 (en) * 2001-12-19 2006-06-27 Pretech As Apparatus for receiving and distributing cash
TW518775B (en) 2002-01-29 2003-01-21 Chi-Hsing Hsu Immersion cooling type light emitting diode and its packaging method
JP2003234511A (ja) 2002-02-06 2003-08-22 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
JP3757272B2 (ja) 2002-02-13 2006-03-22 国立大学法人富山大学 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4269709B2 (ja) 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
JP3801931B2 (ja) 2002-03-05 2006-07-26 ローム株式会社 Ｌｅｄチップを使用した発光装置の構造及び製造方法
JP3972183B2 (ja) 2002-03-07 2007-09-05 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US6756186B2 (en) 2002-03-22 2004-06-29 Lumileds Lighting U.S., Llc Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
DE10223562B4 (de) * 2002-05-27 2004-08-26 Xignal Technologies Ag Integrierte Schaltungsanordnung mit einer kaskodierten Stromquelle und einer Einstellschaltung zur Einstellung des Arbeitspunkts der kaskodierten Stromquelle
JP2004031856A (ja) 2002-06-28 2004-01-29 Sumitomo Electric Ind Ltd ＺｎＳｅ系発光装置およびその製造方法
KR101030068B1 (ko) 2002-07-08 2011-04-19 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자의 제조방법 및 질화물 반도체 소자
DE10237084A1 (de) 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
KR20040017926A (ko) 2002-08-22 2004-03-02 웬-치 호 광-혼합 층 및 광-혼합 방법
US20040038442A1 (en) 2002-08-26 2004-02-26 Kinsman Larry D. Optically interactive device packages and methods of assembly
US7078737B2 (en) 2002-09-02 2006-07-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
AU2003276867A1 (en) 2002-09-19 2004-04-08 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
JP2004134699A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US20060003477A1 (en) * 2002-10-30 2006-01-05 Bert Braune Method for producing a light source provided with electroluminescent diodes and comprising a luminescence conversion element
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP4292794B2 (ja) 2002-12-04 2009-07-08 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および発光装置の色度調整方法
US6744196B1 (en) 2002-12-11 2004-06-01 Oriol, Inc. Thin film LED
DE10258193B4 (de) 2002-12-12 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
US6917057B2 (en) 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
JP3858829B2 (ja) 2003-02-06 2006-12-20 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
US7042020B2 (en) 2003-02-14 2006-05-09 Cree, Inc. Light emitting device incorporating a luminescent material
JP4254266B2 (ja) 2003-02-20 2009-04-15 豊田合成株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
US7423296B2 (en) 2003-02-26 2008-09-09 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers
JP4131178B2 (ja) 2003-02-28 2008-08-13 豊田合成株式会社 発光装置
JP4303550B2 (ja) 2003-09-30 2009-07-29 豊田合成株式会社 発光装置
JP3900093B2 (ja) 2003-03-11 2007-04-04 日立電線株式会社 モールド金型及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US7038370B2 (en) 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
AU2003284756A1 (en) 2003-05-12 2004-11-26 Luxpia Co., Ltd. Tb,b-based yellow phosphor, its preparation method, and white semiconductor light emitting device incorporating the same
JP4415572B2 (ja) 2003-06-05 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
JP2004363380A (ja) 2003-06-05 2004-12-24 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
JP4034241B2 (ja) 2003-06-27 2008-01-16 日本ライツ株式会社 光源装置および光源装置の製造方法
US7200009B2 (en) 2003-07-01 2007-04-03 Nokia Corporation Integrated electromechanical arrangement and method of production
JP4277617B2 (ja) 2003-08-08 2009-06-10 日立電線株式会社 半導体発光素子の製造方法
US20050065906A1 (en) * 2003-08-19 2005-03-24 Wizaz K.K. Method and apparatus for providing feedback for email filtering
EP1658642B1 (en) 2003-08-28 2014-02-26 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
US7029935B2 (en) 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
EP1670073B1 (en) 2003-09-30 2014-07-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
KR20060121902A (ko) 2003-10-08 2006-11-29 애버리 데니슨 코포레이션 음향 댐프닝 접착제
CN100459189C (zh) 2003-11-19 2009-02-04 日亚化学工业株式会社 半导体元件
JP2005167079A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
CN1317775C (zh) 2003-12-10 2007-05-23 玄基光电半导体股份有限公司 发光二极管封装结构及其封装方法
JP2005197369A (ja) 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
JP4357311B2 (ja) 2004-02-04 2009-11-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオードチップ
US7246923B2 (en) 2004-02-11 2007-07-24 3M Innovative Properties Company Reshaping light source modules and illumination systems using the same
DE112005000370T5 (de) 2004-02-18 2006-12-07 Showa Denko K.K. Leuchtstoff, Verfahren zur Herstellung desselben und lichtmittierende Vorrichtung unter Verwendung des Leuchtstoffs
US7569863B2 (en) * 2004-02-19 2009-08-04 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US6924233B1 (en) 2004-03-19 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Phosphor deposition methods
KR100486177B1 (ko) 2004-03-25 2005-05-06 에피밸리 주식회사 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자
JP4516337B2 (ja) 2004-03-25 2010-08-04 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US20050211991A1 (en) 2004-03-26 2005-09-29 Kyocera Corporation Light-emitting apparatus and illuminating apparatus
US7517728B2 (en) 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
US7419912B2 (en) 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
US7868343B2 (en) 2004-04-06 2011-01-11 Cree, Inc. Light-emitting devices having multiple encapsulation layers with at least one of the encapsulation layers including nanoparticles and methods of forming the same
CN1942997B (zh) 2004-04-15 2011-03-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 电可控色彩转换单元
CN101076744B (zh) 2004-04-23 2010-05-12 光处方革新有限公司 用于发光二极管的光学歧管
KR100865624B1 (ko) 2004-04-27 2008-10-27 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
JP4471729B2 (ja) 2004-04-30 2010-06-02 シチズン電子株式会社 液晶レンズ付き発光装置
TWI241034B (en) 2004-05-20 2005-10-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light emitting diode package
US7278760B2 (en) 2004-05-24 2007-10-09 Osram Opto Semiconductor Gmbh Light-emitting electronic component
EP1601030B1 (en) 2004-05-24 2019-04-03 OSRAM OLED GmbH Light-emitting electronic component
CA2567611A1 (en) 2004-05-28 2005-12-08 Tir Systems Ltd. Luminance enhancement apparatus and method
WO2005121641A1 (en) 2004-06-11 2005-12-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system
DE102004031603B4 (de) 2004-06-30 2008-04-17 Eads Deutschland Gmbh Verfahren zur Formung von Signalspektren und Schaltung zur Durchführung des Verfahrens
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US7271420B2 (en) 2004-07-07 2007-09-18 Cao Group, Inc. Monolitholic LED chip to emit multiple colors
JP4932144B2 (ja) 2004-07-12 2012-05-16 株式会社朝日ラバー Ｌｅｄランプ
JP4747726B2 (ja) 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
JP3802911B2 (ja) * 2004-09-13 2006-08-02 ローム株式会社 半導体発光装置
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7737459B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Cree, Inc. High output group III nitride light emitting diodes
US7259402B2 (en) 2004-09-22 2007-08-21 Cree, Inc. High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode
US8513686B2 (en) 2004-09-22 2013-08-20 Cree, Inc. High output small area group III nitride LEDs
US8174037B2 (en) 2004-09-22 2012-05-08 Cree, Inc. High efficiency group III nitride LED with lenticular surface
US7372198B2 (en) 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
JP4756841B2 (ja) 2004-09-29 2011-08-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置の製造方法
DE102004060358A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
JP2006114637A (ja) 2004-10-13 2006-04-27 Toshiba Corp 半導体発光装置
US8134292B2 (en) 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US20070257335A1 (en) 2004-10-29 2007-11-08 O'brien Peter Illuminator and Manufacturing Method
JP4802533B2 (ja) 2004-11-12 2011-10-26 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7671529B2 (en) 2004-12-10 2010-03-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor converted light emitting device
JP2006165416A (ja) 2004-12-10 2006-06-22 Stanley Electric Co Ltd 白色表示器とその製造方法
KR100646093B1 (ko) 2004-12-17 2006-11-15 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8288942B2 (en) 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
KR100638666B1 (ko) * 2005-01-03 2006-10-30 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광소자
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7932111B2 (en) 2005-02-23 2011-04-26 Cree, Inc. Substrate removal process for high light extraction LEDs
JP2006245020A (ja) 2005-02-28 2006-09-14 Sharp Corp 発光ダイオード素子とその製造方法
JP4601464B2 (ja) 2005-03-10 2010-12-22 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド、及びそれを用いた画像形成装置
US7341878B2 (en) 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
JP4961799B2 (ja) 2005-04-08 2012-06-27 日亜化学工業株式会社 スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置
KR101047683B1 (ko) 2005-05-17 2011-07-08 엘지이노텍 주식회사 와이어 본딩이 불필요한 발광소자 패키징 방법
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
KR100665219B1 (ko) 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
JP2007063538A (ja) 2005-08-03 2007-03-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物
US7365371B2 (en) 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
US8563339B2 (en) * 2005-08-25 2013-10-22 Cree, Inc. System for and method for closed loop electrophoretic deposition of phosphor materials on semiconductor devices
JP2007087973A (ja) 2005-09-16 2007-04-05 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子の製法およびその方法により得られる窒化物半導体発光素子
DE102005062514A1 (de) 2005-09-28 2007-03-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7936418B2 (en) 2005-09-29 2011-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba White light-emitting device and manufacturing method thereof, and backlight and liquid crystal display device using the same
JP2009513021A (ja) 2005-10-24 2009-03-26 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 成形された封入材を有する発光デバイスの製造方法
US7344952B2 (en) 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US7564070B2 (en) 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
DE102005058127A1 (de) 2005-11-30 2007-06-06 Schefenacker Vision Systems Germany Gmbh Fahrzeugleuchte
KR100732849B1 (ko) 2005-12-21 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치
JP4828226B2 (ja) 2005-12-28 2011-11-30 新光電気工業株式会社 発光装置及びその製造方法
KR100723247B1 (ko) 2006-01-10 2007-05-29 삼성전기주식회사 칩코팅형 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
KR200412776Y1 (ko) 2006-01-19 2006-03-31 주식회사 닥터코리아 약쑥이 함유된 침구류용 솜
US7682850B2 (en) 2006-03-17 2010-03-23 Philips Lumileds Lighting Company, Llc White LED for backlight with phosphor plates
KR200417926Y1 (ko) 2006-03-21 2006-06-02 황성민 차량 진입 방지용 경계석
WO2007107903A1 (en) 2006-03-23 2007-09-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led-based lighting device with colour control
US20070269586A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
TWI308401B (en) 2006-07-04 2009-04-01 Epistar Corp High efficient phosphor-converted light emitting diode
JP5178714B2 (ja) 2006-07-06 2013-04-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 照明装置パッケージ
KR200429313Y1 (ko) 2006-08-03 2006-10-20 (주)에코청진 계단 적층식 식생 옹벽블록
US7714348B2 (en) 2006-10-06 2010-05-11 Ac-Led Lighting, L.L.C. AC/DC light emitting diodes with integrated protection mechanism
JP2008129043A (ja) 2006-11-16 2008-06-05 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄ発光表示装置
US20080121911A1 (en) 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
EP1935452A1 (en) 2006-12-19 2008-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrochromic device and photodynamic treatment device comprising such an electrochromic device
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP2008218511A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
DE102007022090A1 (de) 2007-05-11 2008-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement
US7588351B2 (en) 2007-09-27 2009-09-15 Osram Sylvania Inc. LED lamp with heat sink optic
US7915627B2 (en) 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
ATE520055T1 (de) 2007-11-09 2011-08-15 Koninkl Philips Electronics Nv Lichtausgabevorrichtung
US20090268461A1 (en) 2008-04-28 2009-10-29 Deak David G Photon energy conversion structure
US8159131B2 (en) 2008-06-30 2012-04-17 Bridgelux, Inc. Light emitting device having a transparent thermally conductive layer
EP2331870B1 (en) 2008-09-23 2016-06-01 Koninklijke Philips N.V. Lighting device with thermally variable reflecting element
US20120043886A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Hua Ji Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002118293A (ja) * 2000-07-31 2002-04-19 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置とその形成方法
JP2004095765A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2005252222A (ja) * 2004-02-03 2005-09-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置、表示素子、および半導体発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2111648A2 (en) 2009-10-28
US9159888B2 (en) 2015-10-13
WO2008091319A2 (en) 2008-07-31
JP2010517289A (ja) 2010-05-20
US20080179611A1 (en) 2008-07-31
EP2111648B1 (en) 2019-05-15
JP2012060181A (ja) 2012-03-22
WO2008091319A3 (en) 2008-09-18
KR20090122210A (ko) 2009-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101548022B1 (ko) 웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자
KR101398655B1 (ko) 웨이퍼 레벨 형광체 코팅 방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 소자
US8878219B2 (en) Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US10193036B2 (en) Light emitting device and method for producing the same
US8101443B2 (en) LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
US10505083B2 (en) Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US8232564B2 (en) Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
JP5918221B2 (ja) Ｌｅｄチップの製造方法
US8193544B2 (en) Color correction for wafer level white LEDs
EP2325906B1 (en) Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing same
JP2013093604A (ja) 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
US9391247B2 (en) High power LEDs with non-polymer material lenses and methods of making the same
WO2014072865A1 (en) Wavelength converted light emitting device
TWI492412B (zh) 晶圓級磷光體塗佈方法及使用該方法製造之裝置

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180718

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190808

Year of fee payment: 5