JP2000299334A - 樹脂封止装置 - Google Patents

樹脂封止装置

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JP2000299334A
JP2000299334A JP11106839A JP10683999A JP2000299334A JP 2000299334 A JP2000299334 A JP 2000299334A JP 11106839 A JP11106839 A JP 11106839A JP 10683999 A JP10683999 A JP 10683999A JP 2000299334 A JP2000299334 A JP 2000299334A
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Japan
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resin
mold
release film
pressure
sealing
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JP11106839A
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Inventor
Fumio Miyajima
文夫 宮島
Kunihiro Aoki
邦弘 青木
Sunao Arai
直 荒井
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Shinko Electric Industries Co Ltd
Apic Yamada Corp
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Apic Yamada Corp
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  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハレベルの半導体装置を効率良くしかも
端子形成面を確実に露出させて、しかも安全性、信頼
性、成形品質の高い半導体装置を製造可能な樹脂封止装
置を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハ18の電極端子に電気的に
接続する金属ピラー2が立設された被成形品1をキャビ
ティ凹部5に収容してクランプするモールド金型と、モ
ールド金型のキャビティ凹部5の内面および被成形品1
が当接するパーティング面を各々覆うリリースフィルム
6を有するフィルム被覆手段と、モールド金型によりリ
リースフィルム6を介してクランプされた被成形品1の
金属ピラー2間に封止樹脂17を充填して樹脂封止する
樹脂封止手段と、モールド金型の金属ピラー2間の樹脂
封止部に対向する部位に装備され、金属ピラー間2に充
填される封止樹脂17の樹脂圧を測定する樹脂圧センサ
22と、樹脂圧センサ22により検出される樹脂圧が所
定樹脂圧となるようモールド金型を座標制御してクラン
プする制御部24とを具備した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造用の
樹脂封止装置に関し、より詳細には、半導体ウエハの電
極端子形成面側に該電極端子と電気的に接続する金属ピ
ラーが立設された被成形品をモールド金型のキャビティ
凹部に収容してクランプして樹脂封止を行う樹脂封止装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ上に配線層を形成し該配線
層の一部に金属ピラーが立設された被成形品を樹脂封止
して、該ウエハをダイシングソーあるいはレーザ等によ
って個片に切断して半導体装置を製造する方法が提案さ
れている。この半導体装置は、ウエハプロセスとパッケ
ージプロセスを一体化して製造工程を簡略化できるだけ
でなく、チップサイズとほぼ同じサイズとして最終製品
サイズが製造できるため、半導体装置を著しく小型化で
き、生産性が飛躍的に向上し製造コストが低減できるな
どの点で注目されている。
【0003】上記半導体ウエハ上に立設された金属ピラ
ーを補強したり、プリント基板に実装する際の熱膨張率
差に基づく応力を緩和するため金属ピラー間を樹脂封止
する必要がある。このウエハレベルの半導体装置を樹脂
封止する方法としては、ポッティング法により液体樹脂
を金属ピラー間に流し込んで、加熱硬化させる方法や半
導体ウエハをモールド金型の上に載せて、該半導体ウエ
ハ上に封止樹脂を載せて圧縮するコンプレッションモー
ルド法、或いは半導体ウエハをモールド金型にクランプ
して封止樹脂を圧送りして樹脂封止するトランスファモ
ールド法などがある。
【0004】これらのうち、半導体ウエハ上に比較的簡
単に樹脂層を形成できることからコンプレッションモー
ルド法が用いられている。この方法では、封止樹脂と金
型間にウエハ径よりやや大きい比較的硬質なテンポラリ
フィルムを介在させて封止樹脂が金属ピラーの端面に付
着しないようにしている。そして、封止樹脂が加熱硬化
した後、テンポラリフィルムを剥がすことにより金属ピ
ラー上の封止樹脂が該テンポラリフィルムに付着して剥
離されるため、はんだパンプを接合する金属ピラー端面
を露出形成するようになっている。一例として富士通株
式会社と富士通オートメーション株式会社との共同出願
による特開平10−79362号公報に示す樹脂封止す
る方法が提案されている。この樹脂封止された半導体ウ
エハには、露出形成された金属ピラー端面にはんだパン
プが接合された後、ダイシングソーあるいはレーザ等に
よって個片に切断されて半導体装置が製造される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
チップを樹脂封止する際にポッティング法による場合は
林立する金属ピラー間に封止樹脂を充填するため、該封
止樹脂が半導体ウエハ上を隈なく行きわたるまでに時間
がかかる上に、封止樹脂が硬化するまでに時間がかか
り、効率的でない。また、コンプレッションモールド法
による場合は、半導体ウエハ上に封止樹脂を載せて圧縮
するので、やはり該封止樹脂が林立する金属ピラー間に
充填されるときに、テンポラリフィルムにより金属ピラ
ー端面を露出形成するようになっているが、金属ピラー
端面はテンポラリフィルムとの間に封止樹脂が入り込ん
で樹脂封止されるため、テンポラリフィルムに付着して
剥離される封止樹脂が不均一になり、金属ピラー端面の
露出度にばらつきが生じ易い。また、金属ピラー端面に
樹脂残りがある場合には、はんだバンプの接合性が低下
するおそれがある。
【0006】しかしながら、被成形品が半導体ウエハ上
に金属ピラーが立設されているため、モールド金型によ
りクランプする際にパーティング面全体においてでクラ
ンプ力にばらつきが生ずると、金属ピラーの端面に封止
樹脂が入り込んで、はんだパンプの接合面が確実に露出
形成することができなくなる。特に、林立する金属ピラ
ー間に所定の樹脂圧で封止樹脂を充填する場合、通常よ
り充填時間がかかるため、早期に樹脂が加熱硬化したの
では該封止樹脂が半導体ウエハ全面に行きわたるまでに
硬化が進行して、樹脂封止面が不均一になったり、ボイ
ドが生じたりするおそれがあった。また、モールド金型
のクランプ力が強すぎると、金属ピラーが損傷し、配線
層が形成された半導体ウエハが破壊されるおそれもあっ
た。また、多数の半導体装置が同一の半導体ウエハ面上
に形成される該半導体ウエハ全面を樹脂封止することか
ら、成形後の封止樹脂がシュリンクして成形品に反りが
生じ易い。成形品に反りが生ずると、半導体装置の品質
が劣化するおそれがある上に、切断作業がし難くなると
いう問題点もあった。
【0007】本発明は、これらの問題点を解消すべくな
されたものであり、その目的とするところは、半導体ウ
エハレベルの半導体装置を効率良くしかも端子形成面を
確実に露出させて、しかも安全性、信頼性、成形品質の
高い半導体装置を製造可能な樹脂封止装置を提供するこ
とにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、半導体ウエ
ハの電極端子形成面側に該電極端子と電気的に接続する
金属ピラーが立設された被成形品をキャビティ凹部に収
容してクランプするモールド金型と、モールド金型のキ
ャビティ凹部の内面および被成形品が当接するパーティ
ング面を各々覆うリリースフィルムを有するフィルム被
覆手段と、モールド金型によりリリースフィルムを介し
てクランプされた被成形品の金属ピラー間に封止樹脂を
充填して樹脂封止する樹脂封止手段と、モールド金型の
金属ピラー間の樹脂封止部に対向する部位に装備され、
金属ピラー間に充填される封止樹脂の樹脂圧を測定する
樹脂圧測定手段と、該樹脂圧測定手段により測定される
樹脂圧が所定樹脂圧になるようにモールド金型のクラン
プ座標を制御するクランプ座標制御手段とを具備したこ
とを特徴とする。
【0009】また、クランプ座標制御手段は、予めクラ
ンプ圧及び樹脂圧を測定して得られたサンプリングデー
タに基づいてモールド金型のクランプ座標を設定するこ
とにより、金属ピラーの端面を含む先端部の、厚さtの
リリースフィルムへの進入量が(1/4)t以下となる
ように金属ピラーの端面を含む先端部の露出範囲を規定
しているのが好ましく、またモールド金型のクランプ座
標位置によりオーバーフロー用ゲート及びランナへ流出
する封止樹脂の流出量を調整して、金属ピラー間に充填
される封止樹脂の厚さを制御可能になっていても良い。
【0010】また、モールド金型は、下型側に、型開き
時に上型に向け下型のパーティング面よりもクランプ面
が突出する向きに付勢して、被成形品の周縁部のリリー
スフィルムを上型との間でクランプするクランパを備え
ていても良く、該クランパは、封止樹脂がオーバーフロ
ーする際の樹脂圧を設定するスペーサを着脱可能に備え
ていても良く、クランパと下型とで構成されるキャビテ
ィ凹部は、封止樹脂の成形後の樹脂厚よりも深くなるよ
うに形成されていても良い。また、モールド金型のパー
ティング面には、封止樹脂が接する側に凹面部が形成さ
れ、半導体ウエハが接する側に凸面部が形成されている
のが好ましく、該モールド金型のパーティング面の凹面
部と凸面部との間隔は、中央部よりも周縁部の方が若干
大きくなるように形成されていても良く、モールド金型
の凹面部の曲率は、凸面部の曲率よりも小さくなるよう
に形成されていても良い。
【0011】また、モールド金型の金属ピラー間の樹脂
封止部に対向する部位は、樹脂封止部の中央部から周縁
部に向けて封止樹脂の硬化が進行する低熱伝導体を介し
て加熱されるのが好ましく、モールド金型のリリースフ
ィルムが押接されるパーティング面が粗面に形成されて
いても良い。また、モールド金型のパーティング面にオ
ーバーフロー用のキャビティを設けても良く、該キャビ
ティの底面にエア圧制御手段に連絡する通気孔を設けて
も良く、エアベント溝を設け、該エアベント溝の底面に
エア吸引手段に連絡するエアベント孔を設けても良い。
また、モールド金型の金属ピラーの端面に対向する部位
に装備され、被成形品をクランプした際に金属ピラーに
作用するクランプ圧を調整するクランプ圧調整手段を具
備していても良い。また、長尺状のリリースフィルムを
連続してモールド金型へ供給するリリースフィルム供給
手段を具備していても良い。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて詳細に説明する。本実施例は半導体ウエハ上に配
線層を形成し該配線層の一部に金属ピラーが立設された
被成形品をモールド金型にクランプして樹脂封止して半
導体ウエハレベルの半導体装置を製造するための樹脂封
止装置について説明する。図1は被形成品をモールド金
型にクランプした状態を示す説明図、図2はクランパを
備えたモールド金型の説明図、図3はクランパ厚み調整
用スペーサを備えたモールド金型の拡大説明図、図4は
パーティング面に凹面部、凸面部が各々形成されたモー
ルド金型の説明図、図5は低熱伝導体を用いたモールド
金型の構成を示す説明図、図6は上型の構成を示す平面
図、図7は下型の構成を示す平明図、図8は金属ピラー
のリリースフィルムへの進入量を示す説明図、図9はク
ランプ時の金属ピラーのリリースフィルムへの進入量の
相違を示す説明図、図10は樹脂封止装置の構成を示す
説明図、図11は半導体ウエハを樹脂封止した状態を示
す拡大断面図、図12は樹脂封止装置の制御系の構成を
示すブロック図、図13は他例に係る樹脂封止装置の説
明図、図14は他例に係る樹脂封止装置に装備したクラ
ンパの構成を示す断面図及び平面図である。
【0013】先ず、図1及び図8〜図12を参照して半
導体ウエハ上に金属ピラーが立設された被成形品を樹脂
封止する樹脂封止装置の概略構成について説明する。図
10において、1は被成形品であり、半導体ウエハ上に
配線層が形成され該配線層の一部に金属ピラー2が立設
されている。この被成形品1は上型3及び下型4よりな
るモールド金型のうち、下型4に形成されたキャビティ
凹部5に収容されてクランプされる。尚、被成形品は半
導体ウエハの電極端子に直接電気的に接続するよう金属
ピラーが立設されていても良い。
【0014】6はリリースフィルムであり、上型3及び
下型4のパーティング面がじかに封止樹脂に接触しない
よう、キャビティ凹部5の内面および被成形品1が当接
するパーティング面を覆っている。リリースフィルム6
は、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有す
るもので、金型面より容易に剥離するものであって、キ
ャビティ凹部5の内面にならって変形する柔軟性、伸展
性を有するもの、例えば、PTFE、ETFE、PE
T、FEPフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプ
ロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等が好適に用い
られる。本実施例では、長尺状のリリースフィルム6を
連続してモールド金型へ供給するリリースフィルム供給
機構が装備されている。即ち、上型3及び下型4にはリ
リースフィルム6の供給ロール7a,8a及び巻取ロー
ル7b,8bが各々装備されている。リリースフィルム
6は、樹脂封止動作毎に必要量だけ供給ロール7a,8
aより繰り出されると共に、使用済みの分だけ巻取ロー
ル7b,8bに巻取られる。上記リリースフィルム6及
びリリースフィルム供給機構によりフィルム被覆手段が
構成されている。尚、リリースフィルム6は予め短冊状
に切断されたものを用いても良い。
【0015】また、下型4は可動プラテン9に可動に支
持されており、上型3は固定プラテン10に固定されて
支持されている。また、可動プラテン9には、弾発スプ
リング11によりクランパ12が下型4と共に可動に支
持されており、被成形品1の周縁部のリリースフィルム
6を支持して上型3との間でクランプする。
【0016】また、図11において、モールド金型をリ
リースフィルム6により被覆する際に、キャビティ凹部
5の内底面側に連通する吸引孔13からエア吸引してリ
リースフィルム6をキャビティ凹部5の内面やパーティ
ング面に吸着保持するようになっている。また、上型3
及びクランパ12のパーティング面には、オーバーフロ
ー用のキャビティ14及び該オーバーフロー用のキャビ
ティ14の底面に図示しないエア吸引機構に連絡する吸
引孔15が各々形成されている。また、上型3及びクラ
ンパ12のパーティング面にはリリースフィルム6を四
辺に渡って吸着保持可能なフィルム吸着孔16が各々形
成されている。
【0017】また、図10において、モールド金型のパ
ーティング面にリリースフィルム6が吸着保持された状
態で、被形成品1がキャビティ凹部5に収容され、被成
形品1の金属ピラー2上には封止樹脂17が載置され
る。そして、図示しない電動モータにより駆動伝達され
て上下動する上下動機構により可動プラテン9を上動さ
せて下型4と上型3とでリリースフィルム6を介して被
成形品1をクランプする際に金属ピラー2間に封止樹脂
17を充填して樹脂封止する。これら被形成品1や封止
樹脂14の供給機構や可動プラテン9及び固定プラテン
10に支持された下型4及び上型3により樹脂封止手段
が構成されている。
【0018】本実施形態の樹脂封止装置では、まず、型
開きの状態で上型3のクランプ面にリリースフィルム6
を供給してセットするとともに、下型4にリリースフィ
ルム6を供給し、クランパ12にリリースフィルム6を
吸着支持する。次に、下型4の内底面に連通する吸引孔
13からからリリースフィルム6をエア吸引し、クラン
パ12と下型4によって囲まれたキャビティ凹部5内面
にリリースフィルム6を吸着し、該キャビティ凹部5内
に半導体ウエハ18をセットする。次いで封止樹脂17
を半導体ウエハ18の略中央部にセットする(図10参
照)。
【0019】次いで、可動プラテン9を上動し、クラン
プを開始する。まず、封止樹脂17がクランプされ、次
にクランパ12が上型3にリリースフィルム6を介して
押接して該リリースフィルム6をクランプする。さらに
可動プラテン9が上動することによって下型4が半導体
ウエハ18を押し上げるようになる。下型4が半導体ウ
エハ18を押し上げる動作は、上型3と下型4のストッ
パ19、20が突き当たったところで停止する。この停
止位置は封止樹脂17が溶融され、各金属ピラー2間に
封止樹脂17が充填された状態であり、この位置で製品
の厚さが規定される。下型4が押し上げられる際には封
止樹脂17は徐々に溶融し、浸漬半径が徐々に大きくな
るように中央部分から周囲に浸漬して行き、最終的に林
立する金属ピラー2の間に充填される。図11は下型4
が上動してストッパ19、20が互いに突きあたった状
態を示すものである。半導体ウエハ18に立設された金
属ピラー2の間に封止樹脂17が充填され、金属ピラー
2の端面がリリースフィルム6内に若干入り込んで金属
ピラー2の端面に封止樹脂17が付着しないよう樹脂成
形される。
【0020】また、図1及び図10において、モールド
金型のうち上型3には、クランプ圧測定手段としての圧
力センサ21が装備されている。この圧力センサ21
は、上型3側の金属ピラー2の端面に対向する部位に装
備され、被成形品1をクランプした際に金属ピラー2に
作用するクランプ圧を測定する。この圧力センサ21
は、金属ピラー2の高さ寸法にも若干のばらつきがある
ため、該金属ピラー2の端面に対向する位置に複数箇所
に装備されているのが好ましい。また、上型3には、樹
脂圧測定手段としての樹脂圧センサ22が装備されてい
る。この樹脂圧センサ22は、上型3側の金属ピラー2
間の樹脂封止部に対向する部位に装備され、該金属ピラ
ー2間に充填される樹脂圧を測定する。この樹脂圧セン
サ22も樹脂封止部の中心部と周縁部の樹脂圧のばらつ
きを考慮して該樹脂封止部の中心部と周縁部に複数装備
されているのが好ましい。
【0021】また、図10において、23はクランプ圧
調整手段としてのクランプ圧調整用モータであり、樹脂
圧センサ22によりモニターされる樹脂圧が過大圧力と
なると樹脂封止動作を停止させてクランプ圧を調整する
よう設けられている。このクランプ圧調整用モータ23
は、この上型3側のストッパ19の突出長さを調整して
支持する。具体的には、クランプ圧調整用モータ23の
出力軸にストッパ19と嵌合するたとえば楕円カムを取
り付け、楕円カムの回動位置によってストッパ19の突
出量を調節する。被成形品1は品種あるいはロットによ
って厚さが若干変動する。たとえば、半導体ウエハ18
の場合にはウエハの厚さ、保護用の膜の厚さ、金属ピラ
ー2の高さ寸法等にばらつきがある。したがって、この
ようなばらつきに対応して適切にクランプできるようス
トッパの高さを調節できるようにしておくのがよい。実
際にストッパ19の調節高さとしては±0.1mm程度
あればよい。尚、下型4側のストッパ20にクランプ圧
調整用モータ23を装備してしても良い。
【0022】また、図12において、24はクランプ座
標制御手段としての制御部であり、樹脂圧センサ22に
より測定される樹脂圧が所定樹脂圧になるようにモール
ド金型のクランプ座標を制御する。この制御部24は、
予め一定の条件下で圧力センサ21及び樹脂圧センサ2
2により検出されるクランプ圧及び樹脂圧をサンプリン
グすることにより設定されたモールド金型の適切なクラ
ンプ座標(即ち型締め位置)を記憶したり、過大な樹脂
圧が生じた際に樹脂封止動作を停止するよう制御したり
する。制御部24には圧力センサ21及び樹脂圧センサ
22により検出される検出信号が、入出力インターフェ
イス25を介して入力され、また制御部24からは制御
信号が出力され、モータドライバ26を介してストッパ
19の突出量を可変にするクランプ圧調整用モータ23
や可動プラテン9を昇降する電動モータ27の動作を制
御する。
【0023】制御部24は、予めストッパ19の突出量
を調整してクランプ座標を設定しておき、圧力センサ2
1により検出されたクランプ圧データ及び樹脂圧センサ
22により検出された樹脂圧データをサンプルデータと
して記憶している。そして、金属ピラー2の1本当たり
に作用する応力を算出し、樹脂圧のばらつきを考慮して
クランプ座標の許容範囲が設定されている。尚、この設
定値は、リリースフィルム6、封止樹脂17、金属ピラ
ー2の高さが同一である条件で有効であり、被成形品1
やリリースフィルム6の種類が変わった場合には改めて
設定し直す必要がある。また、制御部24は、樹脂封止
動作において、モールド金型が被成形品1をクランプす
る際の樹脂圧を樹脂圧センサ22により常時モニタリン
グし、圧力値が許容範囲を超えた場合に当該成形品の樹
脂封止動作終了後、一旦電動モータ27やヒータ28等
による樹脂封止動作を停止し、ランプ29を点灯させて
異常を報知するようになっている。
【0024】ここで樹脂封止装置に用いられるモールド
金型の構成について図2及び図3を参照して説明する。
図2(a)において、モールド金型は、下型4側に、型
開き時に上型3に向け下型4のパーティング面よりもク
ランプ面が突出する向きに付勢して、被成形品1の周縁
部のリリースフィルム6を上型3との間でクランプする
クランパ12を備えている。このクランパ12は、モー
ルド金型の金属ピラー2間に充填される封止樹脂をオー
バーフローさせてキャビティ凹部5内の樹脂圧を所定圧
に保つものである。クランパ12と下型4とで構成され
るキャビティ凹部5は、封止樹脂17の成形後の樹脂厚
より深くなるように形成されている。このクランパ12
は、被成形品1をクランプする際に、先ずリリースフィ
ルム6をクランプすると共にクランパ12と下型4との
間に形成される吸引穴13よりエア吸引してリリースフ
ィルム6をキャビティ凹部5の内面に吸着保持させる。
図2(b)は、モールド金型のクランプ座標を図2
(a)と変更した状態を示す説明図である。即ち、図2
(a)では上型3と下型4との型締め位置のクリアラン
スがt1 であるのに対し、図2(b)ではクリアランス
がt 2(t 2>t1)となるよう座標制御されている状
態を示す。尚、クランパ12によりオーバーフローする
封止樹脂の樹脂圧を調整する場合には、弾発スプリング
11を交換するか、図3に示すようにクランパ12の高
さ位置を調整してオーバーフローする封止樹脂の樹脂圧
を調整するスペーサ30を着脱可能に備えてもよい。
【0025】また、図8において、制御部24に記憶さ
れたモールド金型のクランプ座標位置により、金属ピラ
ー2の端面2aを含む先端部の、厚さtのリリースフィ
ルムへの進入量が好ましくは(1/4)t以下となるよ
うに、リリースフィルム6を押圧する金属ピラー2の端
面2aを含む先端部の露出範囲が規定される。
【0026】樹脂成形時のクランプ座標の判定基準は、
一般にロットの代わる度毎にクランプ圧調整用モータ2
3により調整されたストッパ19の突出量に基づいてク
ランプ座標の基準値を測定して制御部24にロードする
ようになっている。 封止樹脂17や半導体ウエハ18をセットしないまま
下型4を指定座標位置までクランプした際のプレス圧P
1を圧力センサ21により測定する。 封止樹脂17を充填しないで下型4を指定座標位置ま
で上動させて半導体ウエハ18をクランプした際のプレ
ス圧P2を圧力センサ21により測定する。 半導体ウエハ18上に封止樹脂17を充填して下型4
を指定座標位置まで上動させて半導体ウエハ18をクラ
ンプした際のプレス圧P3を圧力センサ21により測定
する。 金属ピラー2に加わったプレス圧P4=P2−P1 金属ピラー2の1本当たりに加わった応力P5=P4/
ポストの本数/ポスト面積 この金属ピラー2の1本当たりに加わった応力P5が所
定値が超えると、半導体ウエハ18の回路破壊(電極端
子や配線層などの破壊)を生ずるものとして、クランプ
動作を停止してランプ29を点灯させて異常を報知す
る。この応力P5の値の許容範囲の設定方法について説
明する。 成形樹脂圧P6=P3−P2−P1を算出する。プレ
ス圧P3は樹脂成形動作毎にばらつくことから、プレス
圧P3の増加があった場合には、その増加分が金属ピラ
ー2に加わったとして計算する。よって、成形樹脂圧P
6の変動分を考慮して応力P5の値が半導体ウエハ18
の回路破壊に至らない許容範囲を設定する。
【0027】次に、クランプ座標の制御により金属ピラ
ー2の端面を含む先端部の露出形状を図9を参照して説
明する。図9は、金属ピラー2のリリースフィルム6へ
の進入深さを変化させた場合の樹脂封止状態を示す。図
9において、金属ピラー2の厚さtのリリースフィルム
6への進入量を、左側より(1/4)t、(1/2)
t、(3/4)tと変化させた場合の樹脂封止状態を示
す。金属ピラー2の進入量が(1/4)t以下の場合、
該金属ピラー2の端面2aを含む先端部の露出量が適度
であり、しかも半導体ウエハ18に形成された電極端子
や配線層を破壊することなくクランプ座標も適正に制御
できることから、金属ピラー2の端面2aと実装基板の
配線パターンとの間に、はんだバンプの十分な接合面を
確保することができた。また、金属ピラー2の進入量が
(1/4)tより大きい場合、即ち進入量を(1/2)
t、(3/4)tと変化させた場合には、該金属ピラー
2の端面2aを含む先端部が過度に露出し、フィルム6
の撓み量や皺が大きくなって封止樹脂17の変形量が大
きくなり、しかも半導体ウエハ18に形成された電極端
子や配線層を破壊するおそれが生ずる。
【0028】また、多数の半導体装置が同一の半導体ウ
エハ18上に形成される該半導体ウエハ18全面を樹脂
封止することから、成形後の封止樹脂17がシュリンク
して成形品が樹脂封止面側が凹面となるように反りが生
じ易い。このため、図4に示すように、モールド金型
は、予め封止樹脂17が接する側、即ち上型3側のパー
ティング面が凹面部3aに形成され、半導体ウエハ18
が接する側、即ち下型4のパーティング面が凸面部4a
に形成されていても良い。この場合、凹面3aと凸面4
aとの間隔は、中央部Cより周縁部Eの方が若干大きく
なるように形成されており(C<E)、凹面部3aの曲
率Rが凸面部の曲率rより大きくなる(R>r)ように
形成されている。これによって、樹脂封止後に封止樹脂
17がシュリンクして半導体ウエハ18反りが生じて
も、半導体ウエハ18の平坦度を維持することができ
る。よって、半導体装置の成形品質を維持することがで
き、後工程で個片にする切断作業がし易くなる。
【0029】また、林立する金属ピラー2間に所定の樹
脂圧で封止樹脂17を充填する場合、通常より充填時間
がかかるため、早期に封止樹脂17が加熱硬化したので
は該封止樹脂17が半導体ウエハ18の全面に行きわた
るまでに硬化が進行して、樹脂封止面が不均一になった
り、ボイドが生じたりするおそれがある。これに対し
て、図5に示すように、モールド金型を構成する上型3
及び下型4の一部に、樹脂封止部の中央部から周囲に向
けて封止樹脂17の硬化が徐々に進行するような低熱伝
導体31が装備されているのが好ましい。この低熱伝導
体31としては、複数の断熱材料(例えばフォルステラ
イト、ジルコニア、ステアタイト、ムライト、ジルコ
ン、チタニア等)を組み合わせたものが好適に用いられ
る。これによって、モールド金型の一部に低熱伝導体3
1が装備されているため、封止樹脂17が半導体ウエハ
18の全面に行きわたってから硬化が始まるようになっ
ているので、樹脂封止面が均一に仕上がり、ボイドの発
生を防止することができる。
【0030】図6において、32は上型3のパーティン
グ面に設けた被成形品1の半導体ウエハ18を押接する
円形の押接面を示す。押接面32の外周にクランプ面3
2a、その外周にオーバーフロー用のキャビティ14、
更にその周囲のパーティング面に上型3にリリースフィ
ルム6をエア吸着するフィルム吸着孔16を所定間隔で
配置する。図示した例ではフィルム吸着孔16を四角形
状に配置しているが、押接面32の形状にあわせて同心
の円形状に配置することもできる。
【0031】上型3および下型4のパーティング面(キ
ャビティ凹部5の底面を含む)で、フィルム吸着孔16
で各々囲まれた領域を放電加工、サンドブラスト等によ
って梨地等の粗面に形成すると、表面のわずかな凹凸に
よって摩擦抵抗が小さくなりリリースフィルム6が移動
しやすくなって該リリースフィルム6の位置決めが確実
にできるようになる。また、表面の凹凸によってモール
ド金型からの熱が伝わりにくくなり、リリースフィルム
6がいっきに伸びないことからリリースフィルム6をエ
ア吸引した際にフィルム全体を吸引しやすくなる。ま
た、エア抜きがしやすくなることから、リリースフィル
ム6を吸引した際にしわが生じてもエア吸引を続けると
徐々にしわが解消される。尚、表面の粗面形状としては
梨地の他、溝を設けるといった方法もある。クランプエ
リアについては平滑面に仕上げる場合もある。
【0032】図7に示すように半導体ウエハ18を支持
する下型4は、該半導体ウエハ18の径寸法に合わせて
平面形状を円形に形成される。クランパ12は下型4の
外側に下型4に対して摺動可能に設けられる。33は下
型4の外周に沿ってクランパ12の表面に設けたクラン
プ突起である。クランプ突起33は樹脂封止領域の境界
部分で確実にクランプ力が作用するようパーティング面
から僅かに突出するように設けたものである。34はク
ランプ突起33を溝状に切り欠いて樹脂封止領域からオ
ーバーフローした樹脂を流すためのオーバーフローゲー
トである。
【0033】オーバーフロー用のキャビティ14はクラ
ンプ突起33の外側に一周するように配置する。オーバ
ーフロー用のキャビティ14の底面に吸引孔15が開口
し、図示しないエア吸引手段に連絡してオーバーフロー
用のキャビティ14内にリリースフィルム6を吸引可能
とする。上型3にも下型4と同様にオーバーフロー用の
キャビティ14が設けられている。制御部24は、モー
ルド金型のクランプ座標位置を制御することにより、オ
ーバーフロー用ゲート34へ流出する封止樹脂の流出量
を調整して、金属ピラー2間に充填される封止樹脂の厚
さを所定厚に制御することができる。下型4において、
35はオーバーフロー用のキャビティ14のさらに外側
に配置した吸引溝である。実施形態では吸引溝35を4
か所に均等配置している。36は吸引溝35の底面に開
口させた吸引孔である。この吸引孔36も図示しないエ
ア吸引手段に連絡し、リリースフィルム6を吸引溝35
に引き込み可能とする。この吸引溝35にリリースフィ
ルム6のたるみを引き込み、しわを取ることが可能とな
る。吸引溝35は周方向に分断した形状でなく連通させ
た形状としてもよい。なお、オーバーフロー用のキャビ
ティ14の深さを部分的に深くすることによって吸収溝
35と同様にリリースフィルム6のたるみを引き込む作
用をもたせることができる。
【0034】ここで、樹脂封止装置の樹脂封止動作につ
いて説明する。制御部24は、予めクランプ圧調整用モ
ータ23によりストッパ19の突出量を調整してあり、
制御部24にはクランプ圧データ及び樹脂圧データのサ
ンプルデータに基づいてクランプ座標の許容範囲が記憶
されている。樹脂封止動作を開始すると、制御部24
は、予め設定されたクランプ座標位置でモールド金型が
被成形品1をクランプして樹脂封止を行う。このとき、
モールド金型が被成形品1をクランプする際の樹脂圧セ
ンサ22により検出された樹脂圧は常時モニタリングさ
れている。そして、圧力値が許容範囲を超えた場合に、
当該成形品の樹脂封止動作終了後、一旦電動モータ27
やヒータ28等の樹脂封止動作を停止して異常をランプ
29を点灯させて報知するようになっている。
【0035】上記構成によれば、半導体ウエハ18上に
金属ピラー2が立設された被成形品1を圧縮成形法によ
り封止樹脂14に適度な樹脂圧を印加して樹脂封止して
加熱硬化させるため、樹脂封止動作時間が短く、しかも
制御部24は樹脂圧センサ22により測定される樹脂圧
が所定樹脂圧になるようにモールド金型のクランプ座標
を制御するので、金属ピラー2の端面2aを含む先端部
を一定の割合で露出させて樹脂封止することができ、は
んだパンプの接合面を確実に形成することができる。ま
た、制御部24は、樹脂圧センサ22により樹脂圧をモ
ニタリングしながら樹脂封止動作を制御するため、半導
体ウエハ18に形成された電極端子や配線層などを損傷
することなく適正な樹脂圧で樹脂封止できるので、安全
性、信頼性の高い半導体装置を製造できる。また、金属
ピラー2の高さ寸法に若干ばらつきがあってもリリース
フィルム6を介して樹脂成形することによって、ばらつ
きを吸収して金属ピラー2の端面2aを確実に露出させ
て樹脂成形することができる。特に、制御部24は、予
めクランプ圧及び樹脂圧を測定して得られたサンプリン
グデータに基づいてモールド金型のクランプ座標位置を
設定しているので、金属ピラー2の端面を含む先端部
の、厚さtのリリースフィルム6への進入量が(1/
4)t以下となるように金属ピラー2の端面2aを含む
先端部の露出範囲を規定でき、成形品の高品位な成形品
質を安定的に維持できる。
【0036】次に樹脂封止装置の他例について説明す
る。前記実施例と同一部材には同一番号を付して説明を
援用するものとする。図13は金属ピラー2を立設した
面を下型4に向けて半導体ウエハ18を樹脂成形する樹
脂封止装置の実施形態を示す。上型3と下型4にリリー
スフィルム6を各々供給すること、クランパ12を用い
ること、可動プラテン9で下型4を支持すること等の基
本的な構成は上記実施形態と同様である。37は下型4
の底面側からエア吸引するために設けたシールリングで
ある。本実施形態での樹脂封止装置では、上型3と下型
4にリリースフィルム6を各々セットした後、クランパ
12の上面で周縁部を支持するようにして半導体ウエハ
18を下型4にセットし、クランパ12と下型4とで形
成されたキャビティ凹部5内に液状樹脂38を注入す
る。図13は液状樹脂38を注入した状態である。ま
た、金属ピラー2は下型4に対向しているため、圧力セ
ンサ21及び樹脂センサ22は下型4側の金属ピラー2
の端面に対向する部位及び金属ピラー2間の樹脂封止部
に対向する部位に各々装備されている。
【0037】次いで、可動プラテン9を上動させ半導体
ウエハ18の周縁部をクランパ12で上型3との間でク
ランプし、さらに下型4を上動させる。下型4はストッ
パ19、20が当接したところで上動が停止する。下型
4の上動とともに液状樹脂38が半導体ウエハ18の金
属ピラー2の形成面の全面に浸漬する。下型4の押し上
げ位置では金属ピラー2の端面が若干リリースフィルム
6に入り込むように液状樹脂38の充填厚が設定されて
いるから、金属ピラー2の端面から液体樹脂38が排除
され、該金属ピラー2の端面2aを含む先端部を露出し
た形状で樹脂成形される。
【0038】半導体ウエハ18上に立設された金属ピラ
ー2間を樹脂封止する際に、上型3および下型4をリリ
ースフィルム6で各々被覆して樹脂成形する方法は、金
属ピラー2の端面を露出させた状態で樹脂成形する方法
として好適に用いられる。そして、上型3と下型4のパ
ーティングを各々リリースフィルム6で被覆することに
よって、モールド金型に封止樹脂17が付着せず、した
がって金型面をクリーニングする必要がなくなるととも
に、きわめてクリーンな状態での樹脂成形が可能となっ
て、信頼性の高い製品の製造に好適に利用することが可
能となる。
【0039】上述した図10及び図13に示す樹脂封止
装置はいずれも下型4を可動プラテン9で支持して下型
4を可動としたが、下型4を昇降させるかわりに上型3
を昇降させて被成形品1をクランプして樹脂封止するこ
とも可能である。すなわち、上型3と下型4によって被
成形品1をクランプする操作は相対的な型締め、押圧操
作であればよい。
【0040】図14(a)(b)は樹脂封止装置の他の
実施形態を示す。本実施形態の特徴的な構成は、クラン
パ12にオーバーフロー用のキャビティ39を設けた構
成にある。図14(a)において、オーバーフロー用の
キャビティ39は、通気孔40を介して図示しないエア
圧制御手段に連絡している。41はオーバーフローゲー
ト、42はエアベント溝である。オーバーフロー用のキ
ャビティ39は周方向に連通し、その内周側にオーバー
フローゲート41が配置されている。エアベント溝42
はオーバーフロー用のキャビティ39の外周に所定間隔
をおいて複数個配置されている。43はリリースフィル
ム6をクランプするクランプ面である。図14(b)
に、オーバーフロー用のキャビティ39、オーバーフロ
ーゲート41、エアベント溝42の平面図を示す。
【0041】樹脂成形部からオーバーフローした樹脂は
リリースフィルム6で内面が被覆されたオーバーフロー
用のキャビティ39に進入する。この状態で通気孔40
からオーバーフロー用のキャビティ39にエア圧を加え
ることで該キャビティ39内に供給されている封止樹脂
17に樹脂圧を加えることができ、樹脂成形部での樹脂
圧の低下を防止することができる。また、通気孔40か
らのエア圧を制御することによって、オーバーフロー用
のキャビティ39へ封止樹脂17が排出される際の抵抗
を制御することができる。オーバーフロー用のキャビテ
ィ39への封止樹脂17のオーバーフロー量を制御する
ことにより樹脂封止部の厚さを正確に制御することも可
能である。
【0042】本実施例のように、下型4を昇降させて樹
脂封止する装置によれば、樹脂圧が効果的に作用するこ
とから下型4としてかなり大型の金型を使用することが
可能となる。しかしながら、モールド金型が大型になる
と、キャビティ内で樹脂が硬化する度合いが場所によっ
て異なることが問題となる。前述したように、封止樹脂
17が金属ピラー2間に半導体ウエハ18の全面わたっ
て充填された後は、下型4全体を大きなキャビティとし
て見た場合、封止樹脂17の硬化は下型4の中央から徐
々に周辺に及んでいくようにすることが好ましい。これ
は、ボイドをキャビティの外側に追い出し、キャビティ
内にできるだけボイドが残らないようにするためであ
る。このように下型4全体で中央部の封止樹脂17から
先に硬化するようにするためには、金型の中央部での熱
容量を大きくし周辺部の熱容量を小さくする方法、ヒー
タの容量を中央部で大きくし周辺部で小さくする方法等
がある。なお、金型全体の平面形状を円形にすると温度
分布を均等にできるといった利点もある。
【0043】本実施例では、被成形品1は半導体ウエハ
18に金属ピラー2が形成されたものを用いて説明した
が、これに限定されるものではなく、半導体ウエハ18
の表面に電極を形成したもの、半導体ウエハ18の表面
に回路を形成したものなど種々の半導体ウエハ18を用
いたチップサイズパッケージの製造に好適に用いられ
る。また、リリースフィルム6は、長尺状に限らず、短
冊状のリリースフィルムを用いても良い。また、モール
ド金型の寸法をA3、A4、A5等の特定の規格寸法に
設定しておくことで、被成形品1が異なっても樹脂封止
装置を共通に使用することができるので、装置を効率的
に使用することができる。
【0044】また、樹脂封止部を含む上型3及び下型4
のパーティング面の処理として、ニッケル−ホウ素−タ
ングステンの三元合金による無電解めっきを施したもの
は封止樹脂17との剥離性が良好なことから、樹脂成形
時の樹脂漏れ対策用として好適に使用できる。また、モ
ールド金型の表面をシリコン系の撥水性有機めっきによ
り処理したもの、フッ素化テフロン、オリゴマーを分散
粒子とした分散めっきにより処理したものは、金型可動
よる樹脂封止装置では樹脂の流動が少ないことから樹脂
漏れ対策用として有効な処理として好適に用いられる。
【0045】
【発明の効果】本発明に係る樹脂封止装置によれば、半
導体ウエハの電極端子形成面側に該電極端子と電気的に
接続する金属ピラーが立設された被成形品を圧縮成形法
により封止樹脂に適度な樹脂圧を印加して樹脂封止して
加熱硬化させるため、樹脂封止動作時間が短く、しかも
クランプ座標制御手段は樹脂圧測定手段により測定され
る樹脂圧が所定樹脂圧になるように前記モールド金型の
クランプ座標を制御するので、金属ピラーの端面を含む
先端部を一定の割合で露出させて樹脂封止することがで
き、はんだバンプの接合面を確実に形成することができ
る。また、クランプ座標制御手段は、樹脂圧測定手段に
より樹脂圧をモニタリングしながら樹脂封止動作を制御
するため、半導体ウエハに形成された電極端子や配線層
などを損傷することなく適正な樹脂圧で樹脂封止できる
ので、安全性、信頼性の高い半導体装置を製造できる。
また、金属ピラーの高さ寸法に若干ばらつきがあっても
リリースフィルムを介して樹脂成形することによって、
ばらつきを吸収して金属ピラーの端面を確実に露出させ
て樹脂成形することができる。特に、クランプ座標制御
手段は、予めクランプ圧及び樹脂圧を測定して得られた
サンプリングデータに基づいてモールド金型のクランプ
座標位置を設定しているので、金属ピラーの端面を含む
先端部の、厚さtのリリースフィルムへの進入量が(1
/4)t以下となるように金属ピラーの端面を含む先端
部の露出範囲を規定できるので、成形品の高品位な成形
品質を安定的に維持できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】被形成品をモールド金型にクランプした状態を
示す説明図である。
【図2】クランパを備えたモールド金型の説明図であ
る。
【図3】クランパ厚み調整用スペーサを備えたモールド
金型の拡大説明図である。
【図4】パーティング面に凹面部、凸面部が各々形成さ
れたモールド金型の説明図である。
【図5】低熱伝導体を用いたモールド金型の構成を示す
説明図である。
【図6】上型の構成を示す平面図である。
【図7】下型の構成を示す平明図である。
【図8】金属ピラーのリリースフィルムへの進入量を示
す説明図である。
【図9】クランプ時の金属ピラーのリリースフィルムへ
の進入量の相違を示す説明図である。
【図10】樹脂封止装置の構成を示す説明図である。
【図11】半導体ウエハを樹脂封止した状態を示す拡大
断面図である。
【図12】樹脂封止装置の制御系の構成を示すブロック
図である。
【図13】他例に係る樹脂封止装置の説明図である。
【図14】他例に係る樹脂封止装置に装備したクランパ
の構成を示す断面図及び平面図である。
【符号の説明】
1 被成形品 2 金属ピラー 3 上型 4 下型 5 キャビティ凹部 6 リリースフィルム 7a,8a 供給ロール 7b,8b 巻取ロール 9 可動プラテン 10 固定プラテン 11 弾発スプリング 12 クランパ 13,36 吸引孔 14,39 オーバーフロー用のキャビティ 15 吸引孔 16 フィルム吸着孔 17 封止樹脂 18 半導体ウエハ 10,20 ストッパ 21 圧力センサ 22 樹脂圧センサ 23 クランプ圧調整用モータ 24 制御部 25 入出力インターフェース 26 モータドライバ 27 電動モータ 28 ヒータ 29 ランプ 30 スペーサ 31 低熱伝導体 32 押接面 32a,43 クランプ面 33 クランプ突起 34,41 オーバーフローゲート 35 吸引溝 37 シールリング 38 液体樹脂 40 通気孔 42 エアベント溝
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B29L 31:34 (72)発明者 青木 邦弘 長野県埴科郡戸倉町大字上徳間90番地 ア ピックヤマダ株式会社内 (72)発明者 荒井 直 長野県長野市大字栗田字舎利田711番地 新光電気工業株式会社内 Fターム(参考) 4F204 AP03 AR07 AR12 AR14 FA01 FA15 FB01 FB11 FF05 FF49 FQ15 FQ40 5F061 AA01 BA07 CA21 DA01 DA04 DA05 DA06 DA08 DA14 DB01

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハの電極端子形成面側に該電
    極端子と電気的に接続する金属ピラーが立設された被成
    形品をキャビティ凹部に収容してクランプするモールド
    金型と、 前記モールド金型のキャビティ凹部の内面および前記被
    成形品が当接するパーティング面を各々覆うリリースフ
    ィルムを有するフィルム被覆手段と、 前記モールド金型により前記リリースフィルムを介して
    クランプされた前記被成形品の金属ピラー間に封止樹脂
    を充填して樹脂封止する樹脂封止手段と、 前記モールド金型の前記金属ピラー間の樹脂封止部に対
    向する部位に装備され、前記金属ピラー間に充填される
    封止樹脂の樹脂圧を測定する樹脂圧測定手段と、 前記樹脂圧測定手段により測定される樹脂圧が所定樹脂
    圧になるように前記モールド金型のクランプ座標を制御
    するクランプ座標制御手段とを具備したことを特徴とす
    る樹脂封止装置。
  2. 【請求項2】 前記クランプ座標制御手段は、予めクラ
    ンプ圧及び樹脂圧を測定して得られたサンプリングデー
    タに基づいて前記モールド金型のクランプ座標を設定す
    ることにより、前記金属ピラーの端面を含む先端部の、
    厚さtのリリースフィルムへの進入量が(1/4)t以
    下となるように前記金属ピラーの端面を含む先端部の露
    出範囲を規定していることを特徴とする請求項1記載の
    樹脂封止装置。
  3. 【請求項3】 前記クランプ座標制御手段は、前記モー
    ルド金型のクランプ座標位置により、オーバーフロー用
    ゲート及びランナへ流出する封止樹脂の流出量を調整し
    て、前記金属ピラー間に充填される封止樹脂の厚さを制
    御することを特徴とする請求項1又は請求項2記載の樹
    脂封止装置。
  4. 【請求項4】 前記モールド金型は、下型側に、型開き
    時に上型に向け前記下型のパーティング面よりもクラン
    プ面が突出する向きに付勢して、前記被成形品の周縁部
    の前記リリースフィルムを前記上型との間でクランプす
    るクランパを備えたことを特徴とする請求項1、2又は
    請求項3記載の樹脂封止装置。
  5. 【請求項5】 前記クランパは、前記封止樹脂がオーバ
    ーフローする際の樹脂圧を設定するスペーサを着脱可能
    に備えたことを特徴とする請求項4記載の樹脂封止装
    置。
  6. 【請求項6】 前記クランパと前記下型とで構成される
    キャビティ凹部は、封止樹脂の成形後の樹脂厚よりも深
    くなるように形成されていることを特徴とする請求項4
    又は請求項5記載の樹脂封止装置。
  7. 【請求項7】 前記モールド金型のパーティング面に
    は、封止樹脂が接する側に凹面部が形成され、半導体ウ
    エハが接する側に凸面部が形成されていることを特徴と
    する請求項1、2、3、4、5又は請求項6記載の樹脂
    封止装置。
  8. 【請求項8】 前記モールド金型のパーティング面の凹
    面部と凸面部との間隔は、中央部よりも周縁部の方が若
    干大きくなるように形成されていることを特徴とする請
    求項7記載の樹脂封止装置。
  9. 【請求項9】 前記モールド金型の凹面部の曲率は、凸
    面部の曲率よりも小さくなるように形成されていること
    を特徴とする請求項7又は請求項8記載の樹脂封止装
    置。
  10. 【請求項10】 前記モールド金型の前記金属ピラー間
    の樹脂封止部に対向する部位は、樹脂封止部の中央部か
    ら周縁部に向けて封止樹脂の硬化が進行する低熱伝導体
    を介して加熱されることを特徴とする請求項1、2、
    3、4、5、6、7、8又は請求項9記載の樹脂封止装
    置。
  11. 【請求項11】 前記モールド金型の前記リリースフィ
    ルムが押接されるパーティング面が粗面に形成されてい
    ることを特徴とする請求項1、2、3、4、5、6、
    7、8、9又は請求項10記載の樹脂封止装置。
  12. 【請求項12】 前記モールド金型のパーティング面に
    オーバーフロー用のキャビティを設けたことを特徴とす
    る請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10又
    は請求項11記載の樹脂封止装置。
  13. 【請求項13】 前記キャビティの底面にエア圧制御手
    段に連絡する通気孔を設けたことを特徴とする請求項1
    2記載の樹脂封止装置。
  14. 【請求項14】 前記モールド金型のパーティング面に
    エアベント溝を設け、該エアベント溝の底面にエア吸引
    手段に連絡するエアベント孔を設けたことを特徴とする
    請求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、1
    1、12又は請求項13記載の樹脂封止装置。
  15. 【請求項15】 前記モールド金型の前記金属ピラーの
    端面に対向する部位に装備され、前記被成形品をクラン
    プした際に前記金属ピラーに作用するクランプ圧を調整
    するクランプ圧調整手段を具備したことを特徴とする請
    求項1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、1
    1、12、13又は請求項14記載の樹脂封止装置。
  16. 【請求項16】 長尺状の前記リリースフィルムを連続
    してモールド金型へ供給するリリースフィルム供給手段
    を具備したことを特徴とする請求項1、2、3、4、
    5、6、7、8、9、10、11、12、13、14又
    は請求項15記載の樹脂封止装置。
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