JP2000277551A - 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 - Google Patents
樹脂封止装置及び樹脂封止方法Info
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Abstract
成型品を、樹脂ばり等を生じさせずに確実に樹脂封止す
ることを可能にする。 【解決手段】 下型23に被成形品16をセットし、上
型34と被成形品との間に封止用の樹脂50を供給し、
上型と下型とで封止用の樹脂とともに被成形品をクラン
プして樹脂封止する樹脂封止装置において、前記上型3
4の樹脂封止領域の側面を囲む枠状に形成され、前記側
面に沿って型開閉方向に昇降自在に支持されるととも
に、型開き時に上型の樹脂成形面よりも下端面を突出さ
せ下型に向け付勢して設けられたクランパ36と、金型
及び封止樹脂との剥離性を有するリリースフィルム40
a、40bを、前記上型34の樹脂封止領域を被覆する
位置に供給するリリースフィルムの供給機構42a、4
2b、44a、44bとを備えたことを特徴とする。
Description
導体チップ等が搭載された被成形品の樹脂封止装置及び
樹脂封止方法に関する。
として、図13に示すように、多数個の半導体チップ1
0を縦横方向に所定間隔で配列した基板12を被成形品
として半導体チップ10の搭載面側を樹脂によって封止
し、個々の半導体チップ10の配置位置に合わせて樹脂
14及び基板12を切断して個片の半導体装置を得る方
法がある。この半導体装置の製造方法は、半導体チップ
10を高密度に配置して樹脂封止することができ、きわ
めて小型の半導体装置を効率的に製造できるという利点
がある。
半導体装置の製造方法では、樹脂をポッティングして封
止しているため樹脂が硬化するまでに時間がかかるこ
と、また、樹脂封止金型を用いて樹脂封止する場合は、
基板12の厚さにばらつきがあるため樹脂ばり等が生じ
たり、ワイヤ流れが生じたりして的確な樹脂モールドが
できず、ボイドを小さくすることもできないという問題
がある。
されたものであり、その目的とするところは、樹脂封止
金型を用いて基板上に多数個の半導体チップを配列した
被成形品あるいは半導体ウエハを的確に樹脂封止するこ
とができ、これによって、効率的に半導体装置を得るこ
とができる樹脂封止装置及び樹脂封止方法を提供しよう
とするものである。
め、本発明は次の構成を備える。すなわち、下型に被成
形品をセットし、上型と被成形品との間に封止用の樹脂
を供給し、上型と下型とで封止用の樹脂とともに被成形
品をクランプして樹脂封止する樹脂封止装置において、
前記上型の樹脂封止領域の側面を囲む枠状に形成され、
前記側面に沿って型開閉方向に昇降自在に支持されると
ともに、型開き時に上型の樹脂成形面よりも下端面を突
出させ下型に向け付勢して設けられたクランパと、金型
及び封止樹脂との剥離性を有するリリースフィルムを、
前記上型の樹脂封止領域を被覆する位置に供給するリリ
ースフィルムの供給機構とを備えたことを特徴とする。
リリースフィルムを介して被成形品を樹脂封止すること
によって、樹脂が金型の樹脂成形面に付着したりするこ
とを防止し、リリースフィルムにより樹脂封止領域が確
実に封止されて、樹脂ばり等と発生させずに確実に樹脂
封止することが可能になる。
るリリースフィルムを、前記下型の被成形品をセットす
る金型面を覆って供給するリリースフィルムの供給機構
を設けたことを特徴とする。また、クランパの下端面に
リリースフィルムをエア吸着するとともに、上型の樹脂
成形面とクランパの内側面とによって構成される樹脂封
止領域の内底面側からエア吸引して樹脂封止領域の内面
にリリースフィルムをエア吸着するリリースフィルムの
吸着機構を設けたことにより、リリースフィルムが確実
に金型面に支持されて樹脂封止することができる。ま
た、リリースフィルムの吸着機構として、クランパの下
端面で開口するエア孔と、クランパの内側面と上型の側
面との間に形成されるエア流路に連通してクランパの内
側面で開口するエア孔とを設け、これらのエア孔にエア
吸引操作等をなすエア機構を接続したことを特徴とす
る。また、上型が、樹脂成形面に被成形品に搭載された
半導体チップ等の搭載位置に対応して独立の樹脂成形部
を成形するキャビティ凹部が設けられているものである
ことを特徴とする。また、下型が、樹脂成形面に被成形
品に搭載された半導体チップ等の搭載位置に対応して独
立の樹脂成形部を形成するキャビティ凹部が設けられて
いるものであることを特徴とする。また、上型が、型開
閉方向に可動に支持されるとともに、下型に向けて付勢
して支持されていることを特徴とする。また、下型の金
型面に、被成形品を樹脂封止する際に樹脂封止領域らオ
ーバーフローする樹脂を溜めるオーバーフローキャビテ
ィが設けられ、被成形品を押接するクランパのクランプ
面に樹脂封止領域とオーバーフローキャビティとを連絡
するゲート路が設けられていることを特徴とする。
被成形品との間に封止用の樹脂を供給し、金型及び封止
樹脂との剥離性を有するリリースフィルムにより樹脂成
形領域を被覆し、上型と下型とで封止用の樹脂とともに
被成形品をクランプして樹脂封止する樹脂封止方法にお
いて、被成形品をクランプする際に、前記上型の樹脂封
止領域の側面を囲む枠状に形成され、前記側面に沿って
型開閉方向に昇降自在に支持されるとともに、上型の樹
脂成形面よりも下端面を突出させ下型に向け付勢して設
けられたクランパを被成形品に当接して、樹脂封止領域
の周囲を封止し、徐々に上型と下型を近づけて樹脂封止
領域内に樹脂を充填するとともに、上型と下型とを型締
め位置で停止させ、樹脂封止領域内に樹脂を充満させて
被成形品を樹脂封止することを特徴とする。
添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明に係
る樹脂封止装置の第1実施形態の主要構成部分を示す。
20は固定プラテン、30は可動プラテンであり、各々
プレス装置に連繋して支持されている。プレス装置は電
動プレス装置、油圧プレス装置のどちらも使用でき、プ
レス装置により可動プラテン30が昇降駆動されて所要
の樹脂封止がなされる。
ースであり、23は下型ベース22に固定した下型であ
る。下型23の上面には被成形品16をセットするセッ
ト部を設ける。本実施形態の樹脂封止装置で使用する被
成形品16は基板12上に複数個の半導体チップ10を
縦横に等間隔で配置したものである。被成形品16は半
導体チップ10を上向きにして下型23にセットされ
る。24は下型ベース22に取り付けたヒータである。
ヒータ24により下型23が加熱され、下型23にセッ
トされた被成形品16が加温される。26は上型と下型
とのクランプ位置を規制する下クランプストッパであ
り、下型ベース22に立設されている。
ース、33は上型ベース32に固定した上型ホルダ、3
4は上型ホルダ33に固定した上型である。本実施形態
の樹脂封止装置は基板12で半導体チップ10を搭載し
た片面側を平板状に樹脂封止する。そのため、上型34
の樹脂成形面を樹脂封止領域にわたって平坦面に形成し
ている。36は上型34および上型ホルダ33の側面を
囲む枠状に形成したクランパであり、上型ベース32に
昇降自在に支持するとともにスプリング37により下型
23に向けて常時付勢して設ける。上型34の樹脂成形
面はクランパ36の端面よりも後退した位置にあり、樹
脂封止領域は型締め時にクランパ36の内側面と上型3
4の樹脂成形面によって包囲された領域となる。なお、
クランパ36を付勢する方法はスプリング37による他
にエアシリンダ等の他の付勢手段を利用してもよい。
である。ヒータ38により上型ホルダ33、上型34が
加熱され、型締め時に被成形品16が加熱される。39
は上型ベース32に立設した上クランプストッパであ
る。上クランプストッパ39と下クランプストッパ26
とは型締め時に端面が互いに当接するよう上型側と下型
側に対向して配置される。プレス装置により可動プラテ
ン30が降下した際に、上クランプストッパ39と下ク
ランプストッパ26とが当接した位置が型締め位置であ
り、この型締め位置によって樹脂封止領域の樹脂厚が規
定されることになる。
脂成形面を被覆する幅寸法に形成された長尺体のリリー
スフィルムである。リリースフィルム40a、40bは
樹脂封止時に樹脂が樹脂成形面にじかに接しないように
樹脂封止領域を被覆する目的で設けるものである。リリ
ースフィルム40a、40bは樹脂封止領域での樹脂成
形面の凹凸にならって変形できるよう柔軟でかつ一定の
強度を有するとともに、金型温度に耐える耐熱性、樹脂
及び金型と容易に剥離できるフィルム材が好適に用いら
れる。このようなフィルム材としては、たとえば、PT
FE、ETFE、PET、FEP、フッ素含浸ガラスク
ロス、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリジン等がある。
封止するから、樹脂に接するリリースフィルムは上型3
4に供給するリリースフィルム40aである。下型23
の金型面を覆うようにリリースフィルム40bを供給す
るのは、リリースフィルム40bの圧縮性、弾性を利用
して基板12の厚さのばらつきを効果的に吸収できるよ
うにし、これによって樹脂ばり等を生じさせることなく
確実に樹脂封止できるようにするためである。もちろ
ん、上型34側にのみリリースフィルム40aを供給し
て樹脂封止することも可能である。
a、40bの供給ロールであり、44a、44bはリリ
ースフィルム40a、40bの巻取りロールである。図
のように、供給ロール42a、42bと巻取りロール4
4a、44bは金型装置を挟んだ一方側と他方側に各々
配置され、上型側の供給ロール42aと巻取りロール4
4aは可動プラテン30に取り付けられ、下型側の供給
ロール42bと巻取りロール44bは固定プラテン20
に取り付けられる。これによって、リリースフィルム4
0a、40bは金型装置の一方側から他方側へ金型装置
内を通過して搬送される。上型側の供給ロール42aと
巻取りロール44aは可動プラテン30とともに昇降す
る。46はガイドローラ、48はリリースフィルム40
a、40bの静電防止のためのイオナイザーである。
0aはエア吸着により金型面に吸着して支持する。クラ
ンパ36にはクランパ36の端面で開口するエア孔36
aと、クランパ36の内側面で開口するエア孔36bと
を設け、これらエア孔36a、36bを金型外のエア機
構に連絡する。上型ホルダ33にはクランパ36の内側
面との摺動面にOリングを設け、エア孔36bからエア
吸引する際にエア漏れしないようにしている。上型34
の側面および上型ホルダ33の側面とクランパ36の内
側面との間はエアを流通するエア流路となっており、エ
ア孔36bからエア吸引することにより、上型34とク
ランパ36とによって形成された樹脂封止領域の内面に
リリースフィルム40aがエア吸着されるようになる。
なお、エア孔36a、36bに連絡するエア機構はエア
の吸引作用の他にエアの圧送作用を備えることも可能で
ある。エア機構からエア孔36a、36bにエアを圧送
することによってリリースフィルム40aを金型面から
容易に剥離させることができる。
により、以下に説明する方法によって被成形品16を樹
脂封止する。図1で中心線CLの左半部は、可動プラテ
ン30が上位置にある型開き状態を示す。この型開き状
態で新しく金型面上にリリースフィルム40a、40b
を供給し、下型23に被成形品16をセットする。被成
形品16は下型23の金型面を被覆するリリースフィル
ム40bの上に位置決めしてセットされる。
せてリリースフィルム40aを上型34とクランパ36
の端面にエア吸着した状態である。リリースフィルム4
0aを金型面に近接して搬送し、エア孔36a、36b
からエア吸引することによってクランパ36の端面にリ
リースフィルム40aがエア吸着されるとともに、上型
34の樹脂成形面とクランパ36の内側面に沿ってリリ
ースフィルム40aがエア吸着される。リリースフィル
ム40aは十分な柔軟性と伸展性を有しているから上型
34とクランパ36とによって形成される凹部形状にな
らってエア吸着される。なお、クランパ36の端面に設
けるエア孔36aは上型34の周方向に所定間隔をあけ
て複数配置されている。
にエア吸着する一方、下型23にセットした被成形品1
6の基板12上に樹脂封止用の樹脂50を供給する。樹
脂50は樹脂封止領域の内容積に合わせて必要量だけ供
給するもので、本実施形態では液状あるいはペースト状
等の所定の流動性を有する樹脂50をポッティングする
ようにして供給する。樹脂50として流動性を有する樹
脂を使用するのは、上型34と下型23とで被成形品1
6をクランプした際に、樹脂封止領域(キャビティ)内
で容易に樹脂が流動して充填されるようにするためであ
る。樹脂50として固形状の樹脂を使用することも可能
であるが、その場合は、上型34と下型23とで樹脂5
0とともに被成形品16をクランプした際に、樹脂50
が容易に融解して被成形品16に悪影響を及ぼさないよ
うにする必要がある。なお、樹脂材には熱硬化性樹脂が
多く使われるが、熱可塑性樹脂を使用することも可能で
ある。
6をクランプした状態を示す。同図で中心線CLの左半
部は上型34を降下させてクランパ36の端面が被成形
品16の基板12を押接している状態である。上型34
はクランプ位置までは完全に降り切っておらず、クラン
パ36によって樹脂封止領域の周囲が閉止された状態で
上型34により樹脂50が押されるようにして充填開始
される。図2で中心線CLの右半部は、上型34が型締
め位置まで降下した状態である。この型締め位置は、下
クランプストッパ26と上クランプストッパ39の端面
が当接した状態であり、型締め力によりスプリング37
の付勢力に抗してクランパ36が上動し、樹脂封止領域
が所定の厚さになる。
よって、樹脂封止領域が所定の厚さにまで押し込めら
れ、樹脂封止領域に完全に樹脂50が充填されることに
なる。図2に示すように、中心線CLの左半部ではリリ
ースフィルム40aと上型34のコーナー部に若干の隙
間が形成されているが、上型34が型締め位置まで降下
することによって上型34とリリースフィルム40aと
の隙間はなくなり、樹脂50が完全に樹脂封止領域を充
填している。
リースフィルム40aを介してクランプすることによ
り、クランパ36によって樹脂封止領域の周囲部分が確
実に閉止され、樹脂もれを生じさせずに樹脂封止するこ
とができる。基板12の表面に配線パターンが形成され
ていて表面に僅かに段差が形成されているといったよう
な場合でもリリースフィルム40aを介してクランプす
ることにより、段差部分が吸収され、型締め時に樹脂封
止領域の外側に樹脂が流出することを防止することがで
きる。また、基板12の下面に配置されるリリースフィ
ルム40bも、厚さ方向の弾性により被成形品16の厚
さのばらつきを吸収して、確実な樹脂封止を可能にする
作用を有する。
後、型開きして成形品を取り出しする。リリースフィル
ム40a、40bを介して樹脂封止しているから、樹脂
50が樹脂成形面に付着することがなく、リリースフィ
ルム40a、40bが金型から簡単に剥離することか
ら、型開き操作と成形品の取り出し操作はきわめて容易
である。エア孔36a36bからエアを吹き出してリリ
ースフィルム40aを金型面から分離するようにしても
よい。型開きして、供給ロール42a、42bと巻取り
ロール44a、44bを作動させ、リリースフィルム4
0a、40bとともに成形品を金型外に搬送する。樹脂
50からリリースフィルム40aを剥離することも容易
である。
樹脂封止して得られた成形品である。上型34は樹脂成
形面を平坦面に形成したものであるから樹脂成形部の上
面は平坦面に成形されて得られている。図のように隣接
する半導体チップ10の中間位置で樹脂50と基板12
とを切断することによって個片の半導体装置が得られ
る。成形品の切断はダイシングソー、レーザ等によって
行うことができる。
の構成とその作用を示す。本実施形態の樹脂封止装置
は、下型23に樹脂のオーバーフローキャビティ23a
を設け、樹脂封止時に樹脂をオーバーフローさせて樹脂
封止することを特徴とする。下型23、上型34、クラ
ンパ36等の基本的構成は上記実施形態と同様である
が、型締め時にオーバーフローキャビティ23aに樹脂
50をオーバーフローさせるため、基板12の縁部に当
接するクランパ36の内縁部に段差36cを設けて型締
時に樹脂封止領域内からオーバーフローキャビティ23
aに樹脂が排出されるようにしている。
3の金型面に、被成形品16の基板12の周縁位置に沿
って溝状に凹設したものである。実施形態では基板12
の周囲を一周するように設けたが、必ずしも一周させて
設ける必要はなく、下型23の金型面に部分的に樹脂溜
まりとして設ければよい。また、クランパ36に段差3
6cを設ける際に、型締め時に余分の樹脂50を排出し
やすくするため、段差36cの内面に部分的に、樹脂封
止領域からオーバーフローキャビティ23aに通じるゲ
ート路36dを設けてもよい。
し、樹脂50を供給して、リリースフィルム40aを金
型面にエア吸着した状態である。図5は上型34と下型
23とで被成形品16をクランプした状態で、中心線C
Lの左半部は、リリースフィルム40aを介してクラン
パ36が被成形品16の基板12を押接した状態、中心
線CLの右半部は型締め状態で樹脂封止領域からオーバ
ーフローキャビティ23aに樹脂50が排出されている
状態を示す。
aに樹脂をオーバーフローさせて樹脂封止するのは、樹
脂封止する際に供給する樹脂量がばらつく場合に、供給
する樹脂量を必要量よりも若干多めに設定し、余分な樹
脂をオーバーフローキャビティ23aに排出することに
よって、樹脂封止領域での樹脂の未充填を防止するため
である。供給する樹脂量がばらつく場合には本実施形態
のようにオーバーフローキャビティに樹脂をオーバーフ
ローさせるようにして樹脂封止する方法が有効である。
成を示す。本実施形態の樹脂封止装置は上型ホルダ33
と上型34を型開閉方向に可動に支持するとともに、ス
プリング60により下型23に向けて上型34を常時付
勢して設けたことを特徴とする。図6で中心線CLの左
半部はクランパ36により被成型品16をクランプした
状態、中心線CLの右半部は固定プラテン20と可動プ
ラテン30とにより型締めした状態を示す。
動に設けたことによって、型締め時の樹脂圧によりスプ
リング60の付勢力に抗して上型34が移動し、これに
よって樹脂50の供給量を調節する。樹脂封止操作で
は、下型23に被成形品16をセットし、樹脂封止領域
を封止するに必要な分量の樹脂50を被成形品16の上
に供給するのであるが、供給する樹脂量が完全に同一と
は限らないから、樹脂の分量が所定量よりも多い場合に
は上型34が規定の高さ位置よりも上動することによっ
て余分な樹脂量を吸収することになる。なお、スプリン
グ60によって付勢されて支持されている上型34の突
出位置を樹脂封止領域の規定の厚さ(深さ)よりもやや
浅く設定しておくことにより、所定の樹脂量よりも分量
が少ない場合も分量のばらつきを吸収することができ
る。
するような場合でもかなりの程度まで正確に樹脂を計量
して供給できるから、樹脂量のばらつきはそれほど大き
くない。樹脂量のばらつきは成型高さのばらつきになっ
てあらわれるが、樹脂成型部分の面積が大きいから高さ
のばらつきはわずかである。したがって、上型34を可
動にすることにより、樹脂量のばらつきを容易に吸収す
ることができる。また、被成形品16の基板12が樹脂
基板であったりする場合には、基板12自体の厚さのば
らつきもあるから、基板12のばらつき等を考慮すれば
上型34を可動に設けで樹脂封止する方法は有効であ
る。
樹脂圧が得られるように所定の強さの付勢力を有するも
のを選択する必要がある。また、スプリング60に代え
てサーボモータ、ステッピングモータ、アクチュエータ
等の種々の付勢手段を利用することが可能である。これ
らの付勢手段によれば付勢力を調節することも可能であ
る。また、上型34を可動に設けたことにより、上型3
4に振動を加えて樹脂封止することが可能になる。上型
34に60〜120Hz程度の振動を加えて樹脂封止す
ると樹脂の充填性が良好となり、樹脂の未充填をなくし
て確実な樹脂封止が可能になる。
の構成とその作用を示す。本実施形態の樹脂封止装置は
上型34として、基板12上に搭載されている半導体チ
ップ10を個別に樹脂封止するものを使用することを特
徴とする。すなわち、上型34の樹脂成形面に、基板1
2上に搭載されている各々の半導体チップ10の搭載位
置に対応したキャビティ凹部34aを設け、各キャビテ
ィ凹部34aで半導体チップ10を独立させて樹脂封止
する。図7は下型23に被成形品16をセットし、上型
34およびクランパ36にリリースフィルム40aをエ
ア吸着した状態、図8は被成形品16をリリースフィル
ム40a、40bを介してクランプし、樹脂封止した状
態を示す。
構成を除いては第1の実施形態の樹脂封止装置と構成が
同一であり、樹脂封止操作も同じである。図9は本実施
形態の樹脂封止装置を用いて被成形品16を樹脂封止し
て得た成形品70の斜視図である。72が樹脂成形部で
あり、各々半導体チップの搭載位置に合わせて樹脂成形
されている。本実施形態の樹脂封止装置によれば、この
ように基板12上で個別に樹脂封止することができるか
ら、隣接する樹脂成形部72の中間で基板12を切断す
ることにより個片の半導体装置を得ることができる。
構成を示す。本実施形態の樹脂封止装置は、樹脂50を
樹脂成形する上型34側にのみリリースフィルム40a
を供給し、下型23にはリリースフィルム40bを供給
せずに樹脂封止する方法である。本実施形態では上型3
4としてキャビティ凹部34aを設けたものを使用して
いるが、単に平坦状の上型34を用いる場合も同様であ
る。下型23の上面で被成形品16をセットする範囲に
はエア吸引溝23bを設け、エア吸引溝23bを連通す
るとともにエア流路23cを介してエア吸引溝23bを
金型外のエア吸引機構に接続する。これにより、被成形
品16を下型23にセットし、エア吸引機構によりエア
吸引することによって下型23上で確実に被成形品16
を支持することが可能になる。
成形面側にのみリリースフィルム40aを供給して樹脂
封止する場合も、上述した各実施形態と同様に、リリー
スフィルム40aを介して樹脂封止することによって、
金型に樹脂を付着させずに、かつ樹脂ばり等を生じさせ
ずに確実に樹脂封止することができる。
に被成形品16をセットし、基板12の上型側の片面で
のみ樹脂成形するものである。本発明に係る樹脂封止装
置はこのように被成形品の片面でのみ樹脂成形する場合
に限らず、被成形品の両面で樹脂成形することも可能で
ある。図11、12は被成形品の両面で樹脂成形する場
合の樹脂封止装置の構成を示す。図では上型34と下型
23の主要部分を拡大して示している。本実施形態の樹
脂封止装置の場合も上記実施形態と同様に、下型23に
被成形品80をセットし、被成形品80の上に樹脂50
を供給し、クランパ36によって樹脂封止領域の周囲を
クランプし、上型34と下型23とで被成形品80をク
ランプして樹脂封止する。
被成形品80に搭載されている半導体チップ10の搭載
位置に合わせて上型34にキャビティ凹部34aを設け
るとともに、下型23にも半導体チップ10の搭載位置
に合わせてキャビティ凹部23dを設ける。これによっ
て、上型34に設けられるキャビティ凹部34aと下型
23に設けられるキャビティ凹部23dとは互いに対向
して配置されることになる。また、樹脂50が下型23
のキャビティ凹部23dに充填されるようにするため、
被成形品80に下型23のキャビティ凹部23dに通じ
る連通孔82を設けるようにする。上型34と下型23
は半導体チップ10ごとに独立した形状に樹脂成形する
ため樹脂成形面を縦横に仕切り部を設けてキャビティ凹
部34a、23dを形成しているから、被成形品80で
はこの仕切り部から樹脂封止領域の内側に若干入り込む
形状で連通孔82を設けておけばよい。
し、樹脂50を供給した状態である。下型23ではリリ
ースフィルム40bにより樹脂成形面が被覆され、被成
形品80とリリースフィルム40bの上に樹脂50が供
給される。上型34、クランパ36にリリースフィルム
40aをエア吸着し、上型34およびクランパ36を降
下させる。図12の中心線CLの左半部に示すように、
クランパ36が被成形品80の上面に当接して樹脂封止
領域の側面位置が規制され、上型34がさらに下降する
ことにより、押し出し樹脂圧によって上型側から下型側
に樹脂50が押し出される。
脂50は、リリースフィルム40bを押し広げるように
してキャビティ凹部23dに樹脂50が充填されてい
く。図12で中心線CLの右半部は上型34が完全に型
締め位置まで降下した状態で、連通孔82から下型23
のキャビティ凹部23dに樹脂50が完全に充填され、
同時に、上型34のキャビティ凹部34aにも樹脂50
が充填されている。こうして、被成形品80の両面での
樹脂成形がなされる。樹脂成形が完了すると連通孔82
には被成形品80の厚さ分の樹脂50が充填されて残
る。隣接する樹脂成形部の中間で被成形品80を切断す
ることによって個片の半導体装置を得ることができる。
うに、下型23に被成形品16をセットして樹脂封止す
るから被成形品16をセットする操作が容易であるとと
もに、被成形品16を下型23にセットしておくことに
より被成形品16がプリヒートされ、確実で効率的な樹
脂封止が可能になる。また、リリースフィルム40a、
40bを介して被成形品16をクランプすることによ
り、金型にじかに樹脂が付着せず、成形品の離型が容易
になり、また、樹脂ばり等を生じさせずに確実に樹脂封
止することが可能になる。
とし下型を固定側としたが、プレス装置は種々の構成と
することが可能であり、上型を固定側とし下型を可動側
とするといった方式にすることももちろん可能である。
また、金型の構成も、上記実施形態の構造に限らず、種
々の形状に構成することができる。また、金型にセット
する被成型品も単数に限らず複数セットして樹脂封止す
ることができる。また、被成型品の形態も基板にフリッ
プチップ形式で半導体素子が搭載されたもの、ワイヤボ
ンディングによって搭載されたもの等、種々の形態に適
用できる。
方法によれば、上述したように、リリースフィルムを介
して被成形品を樹脂封止することにより、金型を樹脂に
よって汚すことなく樹脂封止することができ、成形品を
金型から容易に離型することができる。また、リリース
フィルムを介して樹脂封止することにより、樹脂封止領
域の封止性が良好になり樹脂ばりを生じさせずに確実に
樹脂封止することが可能になる。また、下型に被成形品
を供給して樹脂封止する方法によることから、被成形品
を容易に供給できるとともに、被成型品をプリヒートす
るといったことが容易にできるようになる。また、樹脂
成形面にキャビティ凹部を設けた上型を使用することに
より、基板上に半導体チップを多数個配置した被成形品
を容易に樹脂封止できる等の著効を奏する。
明図である。
を樹脂封止する状態を示す説明図である。
た成形品の断面図である。
明図である。
を樹脂封止する状態を示す説明図である。
明図である。
明図である。
を樹脂封止する状態を示す説明図である。
た成形品の斜視図である。
説明図である。
の主要部の構成を示す断面図である。
を用いて被成形品の両面を樹脂成形する状態を示す断面
図である。
の従来例を示す断面図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 下型に被成形品をセットし、上型と被成
形品との間に封止用の樹脂を供給し、上型と下型とで封
止用の樹脂とともに被成形品をクランプして樹脂封止す
る樹脂封止装置において、 前記上型の樹脂封止領域の側面を囲む枠状に形成され、
前記側面に沿って型開閉方向に昇降自在に支持されると
ともに、型開き時に上型の樹脂成形面よりも下端面を突
出させ下型に向け付勢して設けられたクランパと、 金型及び封止樹脂との剥離性を有するリリースフィルム
を、前記上型の樹脂封止領域を被覆する位置に供給する
リリースフィルムの供給機構とを備えたことを特徴とす
る樹脂封止装置。 - 【請求項2】 金型及び封止樹脂との剥離性を有するリ
リースフィルムを、前記下型の被成形品をセットする金
型面を覆って供給するリリースフィルムの供給機構を設
けたことを特徴とする請求項1記載の樹脂封止装置。 - 【請求項3】 クランパの下端面にリリースフィルムを
エア吸着するとともに、上型の樹脂成形面とクランパの
内側面とによって構成される樹脂封止領域の内底面側か
らエア吸引して樹脂封止領域の内面にリリースフィルム
をエア吸着するリリースフィルムの吸着機構を設けたこ
とを特徴とする請求項1または2記載の樹脂封止装置。 - 【請求項4】 リリースフィルムの吸着機構として、ク
ランパの下端面で開口するエア孔と、クランパの内側面
と上型の側面との間に形成されるエア流路に連通してク
ランパの内側面で開口するエア孔とを設け、これらのエ
ア孔にエア吸引操作等をなすエア機構を接続したことを
特徴とする請求項3記載の樹脂封止装置。 - 【請求項5】 上型が、樹脂成形面に被成形品に搭載さ
れた半導体チップ等の搭載位置に対応して独立の樹脂成
形部を成形するキャビティ凹部が設けられているもので
あることを特徴とする請求項1、2、3または4記載の
樹脂封止装置。 - 【請求項6】 下型が、樹脂成形面に被成形品に搭載さ
れた半導体チップ等の搭載位置に対応して独立の樹脂成
形部を形成するキャビティ凹部が設けられているもので
あることを特徴とする請求項5記載の樹脂封止装置。 - 【請求項7】 上型が、型開閉方向に可動に支持される
とともに、下型に向けて付勢して支持されていることを
特徴とする請求項1、2、3、4、5または6記載の樹
脂封止装置。 - 【請求項8】 下型の金型面に、被成形品を樹脂封止す
る際に樹脂封止領域らオーバーフローする樹脂を溜める
オーバーフローキャビティが設けられ、 被成形品を押接するクランパのクランプ面に樹脂封止領
域とオーバーフローキャビティとを連絡するゲート路が
設けられていることを特徴とする請求項1、2、3、
4、5、6、7または8記載の樹脂封止装置。 - 【請求項9】 下型に被成形品をセットし、上型と被成
形品との間に封止用の樹脂を供給し、金型及び封止樹脂
との剥離性を有するリリースフィルムにより樹脂成形領
域を被覆し、上型と下型とで封止用の樹脂とともに被成
形品をクランプして樹脂封止する樹脂封止方法におい
て、 被成形品をクランプする際に、前記上型の樹脂封止領域
の側面を囲む枠状に形成され、前記側面に沿って型開閉
方向に昇降自在に支持されるとともに、上型の樹脂成形
面よりも下端面を突出させ下型に向け付勢して設けられ
たクランパを被成形品に当接して、樹脂封止領域の周囲
を封止し、 徐々に上型と下型を近づけて樹脂封止領域内に樹脂を充
填するとともに、上型と下型とを型締め位置で停止さ
せ、樹脂封止領域内に樹脂を充満させて被成形品を樹脂
封止することを特徴とする樹脂封止方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08291199A JP3494586B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
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JP2000277551A true JP2000277551A (ja) | 2000-10-06 |
JP3494586B2 JP3494586B2 (ja) | 2004-02-09 |
Family
ID=13787447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08291199A Expired - Lifetime JP3494586B2 (ja) | 1999-03-26 | 1999-03-26 | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
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