JP2008041846A - フリップチップの樹脂注入成形方法及び金型 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップ３の天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止する。
【解決手段】 まず、前記した下型キャビティ１６内に離型フィルム１５を被覆すると共に、前記した離型フィルム１５を被覆したキャビティ１６内の樹脂材料供給部（凹部）２６に液状或いは粉末状の樹脂材料１９を供給し、次に、前記した上下両型１２・１３の型締時に形成された嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した半導体チップ３の天面３ａにチップ支受部材１７の天面１７ａを前記した離型フィルム１５を介して押圧・被覆した状態で、前記した樹脂材料供給部２６内で加熱溶融化した樹脂材料を前記した離型フィルム１５を被覆したキャビティ底面部材１８で押圧することにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する。
【選択図】図５
【解決手段】 まず、前記した下型キャビティ１６内に離型フィルム１５を被覆すると共に、前記した離型フィルム１５を被覆したキャビティ１６内の樹脂材料供給部（凹部）２６に液状或いは粉末状の樹脂材料１９を供給し、次に、前記した上下両型１２・１３の型締時に形成された嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した半導体チップ３の天面３ａにチップ支受部材１７の天面１７ａを前記した離型フィルム１５を介して押圧・被覆した状態で、前記した樹脂材料供給部２６内で加熱溶融化した樹脂材料を前記した離型フィルム１５を被覆したキャビティ底面部材１８で押圧することにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する。
【選択図】図５
Description
本発明は、バンプ等の電極を介してフリップチップ型の半導体チップを装着した基板において、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填するフリップチップの樹脂注入成形方法及び金型に関するものである。
従来から、トランスファーモールド法にて、フリップチップ型の半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填することが行われている。
即ち、まず、フリップチップの樹脂封止成形用金型（上下両型）における下型の所定位置にフリップチップ型の半導体チップを装着した基板を供給セットして前記した金型を型締めすることにより、前記した半導体チップを上型キャビティ内に嵌装する。
このとき、前記した半導体チップ天面（半導体チップ背面）とキャビティ天面とは離間して空間部が存在する。
従って、次に、前記した上型キャビティ内に樹脂材料供給用のポット内で加熱溶融化された樹脂材料を樹脂加圧用のプランジャにて加圧してカル・ランナ・ゲート等の樹脂通路を通して注入充填することにより、前記した上型キャビティ内に注入充填された樹脂を前記した半導体チップと基板との隙間に注入充填するようにしている。
なお、この場合、前記した半導体チップ全体が樹脂で被覆された状態で、前記した上型キャビティの形状に対応したパッケージ（樹脂成形体）内に樹脂封止成形されることになるので、前記した半導体チップの天面は樹脂で被覆されている（オーバーモールド法）。
このとき、前記した半導体チップ天面（半導体チップ背面）とキャビティ天面とは離間して空間部が存在する。
従って、次に、前記した上型キャビティ内に樹脂材料供給用のポット内で加熱溶融化された樹脂材料を樹脂加圧用のプランジャにて加圧してカル・ランナ・ゲート等の樹脂通路を通して注入充填することにより、前記した上型キャビティ内に注入充填された樹脂を前記した半導体チップと基板との隙間に注入充填するようにしている。
なお、この場合、前記した半導体チップ全体が樹脂で被覆された状態で、前記した上型キャビティの形状に対応したパッケージ（樹脂成形体）内に樹脂封止成形されることになるので、前記した半導体チップの天面は樹脂で被覆されている（オーバーモールド法）。
ところで、近年、前記したフリップチップ型半導体チップの天面を露出面にして放熱用のフィンを取り付けることが求められているが、前述したオーバーモールド法による半導体チップでは半導体チップ天面に放熱用フィンを取り付けることができない。
従って、前述した金型と同様の構造を有する樹脂封止成形用金型にて、前記した半導体チップ天面を前記したキャビティ天面に当接・接触した状態で、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填することが行われている。
従って、前述した金型と同様の構造を有する樹脂封止成形用金型にて、前記した半導体チップ天面を前記したキャビティ天面に当接・接触した状態で、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填することが行われている。
しかしながら、前記した電極を含む半導体チップの高さに「ばらつき」があるため、前記した半導体チップ天面とキャビティ天面との隙間（空間部）に樹脂が浸入して前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成され易いと云う問題がある。
従って、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止するために、前記した半導体チップの側面位置となる基板上に液状樹脂を滴下して前記した液状樹脂滴下の基板を傾斜することにより、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を毛細管力（毛細管現象）にて流動させて注入充填することが検討されている（液状樹脂滴下法、或いは、ポッティング法）。
しかしながら、この液状樹脂滴下法は、前記した半導体チップの天面に形成される樹脂を効率良く防止することはできるものの、前記した半導体チップの側面に形成される樹脂フィレット部の形状を液状樹脂の硬化の度合いとその流動性の状況とによって所要の形状に効率良く形成することができないと云う問題がある（例えば、前記した基板の表面に樹脂が大きく拡がる場合がある）。
しかしながら、この液状樹脂滴下法は、前記した半導体チップの天面に形成される樹脂を効率良く防止することはできるものの、前記した半導体チップの側面に形成される樹脂フィレット部の形状を液状樹脂の硬化の度合いとその流動性の状況とによって所要の形状に効率良く形成することができないと云う問題がある（例えば、前記した基板の表面に樹脂が大きく拡がる場合がある）。
従って、本発明は、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することを目的とする。
また、本発明は、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの側面に形成される樹脂フィレット部を効率良く所要の形状に形成することを目的とする。
また、本発明は、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの側面に形成される樹脂フィレット部を効率良く所要の形状に形成することを目的とする。
前記した技術的課題を解決するための本発明に係るフリップチップの樹脂注入成形方法は、フリップチップの樹脂注入用金型を用いて、基板に装着したフリップチップ型の半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填して前記した半導体チップ天面が露出し且つ前記した半導体側面に所要形状の樹脂フィレット部が形成された樹脂注入済基板を形成するフリップチップの樹脂注入成形方法であって、前記した基板に装着した半導体チップを金型キャビティ内に嵌装した嵌装キャビティ空間部を形成した状態で、且つ、前記した嵌装キャビティ空間部内で前記した半導体チップの天面を前記した金型キャビティの底面に設けた半導体チップ天面露出用のチップ支受部材にて被覆した状態で、前記した嵌装キャビティ空間部内で加熱溶融化した樹脂材料を前記した金型キャビティの底面に前記したチップ支受部材を除いて設けた樹脂加圧用のキャビティ底面部材にて押圧して前記したキャビティ底面部材の天面を前記した嵌装キャビティ空間部内における所要の位置で停止することにより、前記した基板に装着したフリップチップ型の半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填して前記した半導体チップ天面が露出し且つ前記した半導体側面に所要形状の樹脂フィレット部が形成された樹脂注入済基板を形成することを特徴とする。
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係るフリップチップの樹脂注入成形方法は、前記した基板に装着した半導体チップをキャビティ内に嵌装する前に、前記した金型キャビティ内に離型フィルムを被覆することにより、前記した金型キャビティ内のチップ支受部材とキャビティ底面部材に前記した離型フィルムを被覆すると共に、前記した半導体チップを嵌装した嵌装キャビティ空間部内で前記した離型フィルムを介して前記した半導体チップ天面を前記チップ支受部材にて被覆した状態で、前記した嵌装キャビティ空間部内で加熱溶融化した樹脂材料を前記した離型フィルムを被覆したキャビティ底面部材にて押圧して前記したキャビティ底面部材の天面を前記した嵌装キャビティ空間部内における所要の位置で停止すること特徴とする。
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係るフリップチップの樹脂注入成形用金型は、基板に装着したフリップチップ型の半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填して前記半導体チップ天面が露出し且つ前記半導体側面に所要形状の樹脂フィレット部が形成された樹脂注入済基板を形成するフリップチップの樹脂注入成形用金型であって、前記した金型に設けた基板供給セット用の上型基板供給部と、前記した金型に設けた樹脂注入用の下型キャビティと、前記した下型キャビティの底面に突設した状態で設けられた半導体チップ天面露出用のチップ支受部材と、前記した下型キャビティの底面に設けられた樹脂加圧用のキャビティ底面部材と、前記したキャビティ内における前記した突設チップ支受部材の外周囲に設けられた樹脂材料供給部とを備えたことを特徴とする。
また、前記した技術的課題を解決するための本発明に係るフリップチップの樹脂注入成形用金型は、前記したチップ支受部材とキャビティ底面部材とを含むキャビティ内を被覆する離型フィルムを備えたことを特徴とする。
本発明によれば、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
また、本発明によれば、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの側面に形成される樹脂フィレット部を効率良く所要の形状に形成することができる。
即ち、本発明に用いられるフリップチップ型半導体チップを搭載した基板は、基板に所要数のフリップチップ型半導体チップをパンプ電極を介して装着されている。
また、本発明に係るフリップチップの樹脂注入用金型（フリップチップの圧縮成形用金型）を用いて、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填することができるように構成されている。
また、本発明に用いられる樹脂注入用金型（上下両型）には、基板供給セット用の上型基板供給部（型面）と、樹脂注入用の下型キャビティと、前記した下型キャビティ内を被覆する離型フィルムとが設けられて構成されると共に、前記した下型キャビティの底面には、前記した半導体チップに対応して設けられた半導体チップ天面露出用のチップ支受部材と、前記したチップ支受部材の天面を除いて設けられた樹脂加圧用のキャビティ底面部材とが設けられて構成されている。
また、前記した下型キャビティ内において、前記したチップ支受部材が前記したキャビティの底面から突出した状態で設けられて構成されると共に、前記した下型キャビティ内において、前記したチップ支受部材は前記した半導体チップの天面に当接・被覆する（或いは、押圧・被覆する）部材となるものである。
また、前記したキャビティ内において、前記した突設チップ支受部材の外周囲には樹脂材料供給部（前記したキャビティ底面部材の天面側に形成された凹部）が設けられて構成されている。
また、本発明に係るフリップチップの樹脂注入用金型（フリップチップの圧縮成形用金型）を用いて、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填することができるように構成されている。
また、本発明に用いられる樹脂注入用金型（上下両型）には、基板供給セット用の上型基板供給部（型面）と、樹脂注入用の下型キャビティと、前記した下型キャビティ内を被覆する離型フィルムとが設けられて構成されると共に、前記した下型キャビティの底面には、前記した半導体チップに対応して設けられた半導体チップ天面露出用のチップ支受部材と、前記したチップ支受部材の天面を除いて設けられた樹脂加圧用のキャビティ底面部材とが設けられて構成されている。
また、前記した下型キャビティ内において、前記したチップ支受部材が前記したキャビティの底面から突出した状態で設けられて構成されると共に、前記した下型キャビティ内において、前記したチップ支受部材は前記した半導体チップの天面に当接・被覆する（或いは、押圧・被覆する）部材となるものである。
また、前記したキャビティ内において、前記した突設チップ支受部材の外周囲には樹脂材料供給部（前記したキャビティ底面部材の天面側に形成された凹部）が設けられて構成されている。
従って、本発明に係る樹脂注入用金型を用いて、まず、前記した金型（上下両型）の型締することにより、前記した離型フィルムを被覆した金型キャビティ内に前記した基板に装着した半導体チップを嵌装して嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部）を形成する工程（嵌装キャビティ空間部の形成工程）と、前記した基板に装着した半導体チップの天面に前記したチップ支受部材を前記した離型フィルムを介して当接（押圧）・被覆する工程と（チップ天面の被覆工程）とを、任意の順で行い、次に、この状態で、前記した嵌装キャビティ空間部内の樹脂材料供給部（凹部）で加熱溶融化した樹脂材料を前記したキャビティ底面部材で押圧することにより、前記した半導体チップと基板との隙間に注入充填する工程（樹脂の注入充填工程）を行う。
なお、前記したチップ天面の被覆工程と前記した嵌装キャビティ空間部の形成工程と前記した樹脂の注入充填工程とを同時に行う構成を採用しても良い。
また、前記した実施例において、前記した離型フィルムを用いない構成を採用することができる。
なお、前記したチップ天面の被覆工程と前記した嵌装キャビティ空間部の形成工程と前記した樹脂の注入充填工程とを同時に行う構成を採用しても良い。
また、前記した実施例において、前記した離型フィルムを用いない構成を採用することができる。
即ち、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの天面に樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
また、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの側面に形成される樹脂フィレット部を効率良く所要の形状に形成することができる。
従って、フリップチップ型の製品（成形品）を形成する場合に、前記した半導体チップの天面を露出した状態で効率良く形成することができる。
また、前記した半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの側面に形成される樹脂フィレット部を効率良く所要の形状に形成することができる。
従って、フリップチップ型の製品（成形品）を形成する場合に、前記した半導体チップの天面を露出した状態で効率良く形成することができる。
以下、実施例図に基づいて本発明を詳細に説明する。
図１〜図６は、本発明に係るフリップチップの樹脂注入用金型（圧縮成形用金型）である。
図７（１）は樹脂注入前の基板（成形前基板）を示し、図７（２）は樹脂注入済の基板（成形品）を示している。
図１〜図６は、本発明に係るフリップチップの樹脂注入用金型（圧縮成形用金型）である。
図７（１）は樹脂注入前の基板（成形前基板）を示し、図７（２）は樹脂注入済の基板（成形品）を示している。
（基板の構成）
まず、本発明に用いられる基板について説明する。
即ち、図７（１）に示すように、本発明に用いられる樹脂注入前の基板１（成形前基板Ａ）は、例えば、所要数のフリップチップ型の半導体チップ３がバンプ電極２を介して前記した基板１に装着されて構成されると共に、前記した半導体チップ３と基板１との間には隙間４が存在して構成されている。
また、前記した半導体チップ３は、前記した電極２（前記した隙間４の高さ）を含む所要の高さ８を有している。
即ち、前記したフリップチップ型半導体チップ３を装着した基板１（Ａ）において、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することにより、図７（２）に示す成形品（樹脂注入済基板）Ｂを成形することができるように構成されている。
従って、図７（２）に示す成形品Ｂにおいては、前記した半導体チップ３の天面３ａ側は露出した状態で形成されると共に、前記した隙間４を含む半導体チップ３の側面３ｂ側（半導体チップの横側）の外周囲には所要形状の樹脂フィレット部６が形成されることになり、最終的に、前記した半導体チップ３を含む樹脂フィレット部６の形状は後述する下型キャビティ（１６）の形状に対応して形成されることになる。
なお、前記した基板（一枚）には、前記した装着した半導体チップが単数個、或いは、複数個、装着されて構成されている。
まず、本発明に用いられる基板について説明する。
即ち、図７（１）に示すように、本発明に用いられる樹脂注入前の基板１（成形前基板Ａ）は、例えば、所要数のフリップチップ型の半導体チップ３がバンプ電極２を介して前記した基板１に装着されて構成されると共に、前記した半導体チップ３と基板１との間には隙間４が存在して構成されている。
また、前記した半導体チップ３は、前記した電極２（前記した隙間４の高さ）を含む所要の高さ８を有している。
即ち、前記したフリップチップ型半導体チップ３を装着した基板１（Ａ）において、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することにより、図７（２）に示す成形品（樹脂注入済基板）Ｂを成形することができるように構成されている。
従って、図７（２）に示す成形品Ｂにおいては、前記した半導体チップ３の天面３ａ側は露出した状態で形成されると共に、前記した隙間４を含む半導体チップ３の側面３ｂ側（半導体チップの横側）の外周囲には所要形状の樹脂フィレット部６が形成されることになり、最終的に、前記した半導体チップ３を含む樹脂フィレット部６の形状は後述する下型キャビティ（１６）の形状に対応して形成されることになる。
なお、前記した基板（一枚）には、前記した装着した半導体チップが単数個、或いは、複数個、装着されて構成されている。
（金型の構成）
次に、本発明に係るフリップチップの樹脂注入用金型１１（フリップチップの圧縮成形用金型）について説明する。
即ち、本発明に係る樹脂注入用金型１１には、図例に示すように、上型１２と、該上型１２に対向配置した下型１３とから構成されると共に、前記した上型１２と下型１３とを所要の型締圧力にて型締めすることができるように構成されている。
また、前記した上型１２の型面には前記した樹脂注入前の基板１（Ａ）を前記した半導体チップ３を下型方向に（下方向に）向けた状態で供給セットする基板供給セット用の基板供給部１４が設けられて構成されると共に、前記した下型１３の型面には樹脂注入用のキャビティ１６（圧縮成形用のキャビティ）が設けられて構成されている。
従って、まず、前記した上型１２の基板供給部１４に前記した樹脂注入前の基板１（Ａ）を前記した半導体チップ３を下型方向に向けた状態で〔前記した基板１の半導体チップ非装着面１ａを上型方向（上方向）に向けた状態で〕供給セットし、次に、前記した上下両型１２・１３を所要の型締圧力にて型締めして前記した基板１に装着した半導体チップ３を前記したキャビティ１６内に嵌装することができるように構成されている。
このとき、前記した上型１２の基板供給部１４（型面）に供給セットされた基板１における半導体チップ装着面１ｂを前記した下型１３の型面にて当接する（或いは、押圧する）ことにより、前記した基板１を前記した上下両型１２・１３の型面で所要の型締圧力にて挟持することができる。
従って、前記したキャビティ１６と前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂとで前記した金型１１（１２・１３）の型内空間部となる前記した半導体チップ３を嵌装した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部２２）を形成することができる。
次に、本発明に係るフリップチップの樹脂注入用金型１１（フリップチップの圧縮成形用金型）について説明する。
即ち、本発明に係る樹脂注入用金型１１には、図例に示すように、上型１２と、該上型１２に対向配置した下型１３とから構成されると共に、前記した上型１２と下型１３とを所要の型締圧力にて型締めすることができるように構成されている。
また、前記した上型１２の型面には前記した樹脂注入前の基板１（Ａ）を前記した半導体チップ３を下型方向に（下方向に）向けた状態で供給セットする基板供給セット用の基板供給部１４が設けられて構成されると共に、前記した下型１３の型面には樹脂注入用のキャビティ１６（圧縮成形用のキャビティ）が設けられて構成されている。
従って、まず、前記した上型１２の基板供給部１４に前記した樹脂注入前の基板１（Ａ）を前記した半導体チップ３を下型方向に向けた状態で〔前記した基板１の半導体チップ非装着面１ａを上型方向（上方向）に向けた状態で〕供給セットし、次に、前記した上下両型１２・１３を所要の型締圧力にて型締めして前記した基板１に装着した半導体チップ３を前記したキャビティ１６内に嵌装することができるように構成されている。
このとき、前記した上型１２の基板供給部１４（型面）に供給セットされた基板１における半導体チップ装着面１ｂを前記した下型１３の型面にて当接する（或いは、押圧する）ことにより、前記した基板１を前記した上下両型１２・１３の型面で所要の型締圧力にて挟持することができる。
従って、前記したキャビティ１６と前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂとで前記した金型１１（１２・１３）の型内空間部となる前記した半導体チップ３を嵌装した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部２２）を形成することができる。
また、前記した基板供給部１４について、図示はしていないが、前記した基板供給部１４に設けた吸引孔から空気を強制的に吸引排出することにより、前記した基板供給部１４に前記した基板１の半導体チップ非装着面１ａ側を吸着固定する構成を採用することができる。或いは、前記した基板供給部１４において、前記した基板１を固定する固定具を採用しても良い。
なお、後述するように、前記した上下両型１２・１３間には離型フィルム１５（リリースフィルム）が張架されて構成されると共に、少なくとも、前記した下型キャビティ１６内に前記した離型フィルム１５を前記したキャビティ１６の形状に対応して被覆することができるように構成され、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した離型フィルム１５を被覆したキャビティ１６と前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂとで嵌装キャビティ空間部（図４に示す樹脂注入空間部２２）を形成することができる。
また、後述するように、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填時に、前記した離型フィルム１５にて前記した半導体チップ３の天面３ａ全体（全面）を被覆することができるように構成されている。
なお、後述するように、前記した上下両型１２・１３間には離型フィルム１５（リリースフィルム）が張架されて構成されると共に、少なくとも、前記した下型キャビティ１６内に前記した離型フィルム１５を前記したキャビティ１６の形状に対応して被覆することができるように構成され、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した離型フィルム１５を被覆したキャビティ１６と前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂとで嵌装キャビティ空間部（図４に示す樹脂注入空間部２２）を形成することができる。
また、後述するように、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填時に、前記した離型フィルム１５にて前記した半導体チップ３の天面３ａ全体（全面）を被覆することができるように構成されている。
また、前記した下型キャビティ１６は、前記したキャビティ１６の底面全体（全面）１６ａ（後述するチップ支受部材１７の天面１７ａを含む）と、前記した下型１３（本体）側となるキャビティ１６の側面１６ｂとから構成されると共に、前記したキャビティ底面全体１６ａは前記した下型１３の型面位置からの所要の深さ２３（樹脂注入前の位置）にて構成されている。
また、前記した下型キャビティ底面全体１６ａには、その所要範囲（前記した底面全体１６ａの一部分）を天面１６ｃとするキャビティ底面部材１８が前記した下型１３（本体）に対して型締方向（図１に示す図例では上下方向）に摺動自在に設けられて構成されている。
また、前記した下型キャビティ底面全体１６ａには、（或いは、前記したキャビティ底面部材１８には、）前記した基板供給部１４に供給セットした基板１に装着した半導体チップ３の天面３ａを当接・被覆する（或いは、押圧・被覆する）チップ支受部材１７が、型締方向（図１に示す図例では上下方向）に摺動自在に設けられて構成されている。
即ち、前記キャビティ１６内において、前記したキャビティ底面全体１６ａの所要範囲が前記したチップ支受部材１７の天面１７ａとなるものであると共に、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａの位置は、前記したキャビティ底面１６ａ（１６ｃ）の位置から所要の高さ２４（樹脂注入前の位置）にて突出した状態で設けられて構成されている。
また、前記した突設したチップ支受部材１７の天面１７ａの位置（樹脂注入前の位置）については、例えば、前記したキャビティ１６の内部（前記した下型１３の型面位置より下側）に、前記した下型１３の型面位置に、或いは、前記したキャビティ１６の外部（前記した下型１３の型面位置より上側）に、任意の位置に適宜に設定することができるように構成されている。
なお、図１（図２、図３）に示す図例では、前記したキャビティ１６内におけるチップ支受部材１７の天面１７ａの位置は、前記した下型１３の型面位置から前記した半導体チップの高さ８より小さい深さ（距離）２５となるように構成され、したがって、前記した所要の高さ２４と前記した所要の深さ２５との合計で前記した所要の深さ２３になるものである。
即ち、後述するように、前記上下両型１２・１３の型締時に、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを、前記した基板供給部１４に供給セットされた基板１に装着した半導体チップ３の天面３ａ全体（全面）に当接・被覆することができるように構成されている（或いは、押圧・被覆することができるように構成されている）。
従って、前記した半導体チップ天面３ａに前記したチップ支受部材天面１７ａを当接・被覆することにより、前記した半導体チップ天面３ａとチップ支受部材天面１７ａとの隙間を効率良く無くし得て、前記した半導体チップ３の天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
なお、当然ではあるが、前記上下両型１２・１３の型締時に形成される嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した半導体チップ天面３ａの位置が前記したチップ支受部材天面１７ａの樹脂注入時における位置となるものである。
また、前記した下型キャビティ底面全体１６ａには、その所要範囲（前記した底面全体１６ａの一部分）を天面１６ｃとするキャビティ底面部材１８が前記した下型１３（本体）に対して型締方向（図１に示す図例では上下方向）に摺動自在に設けられて構成されている。
また、前記した下型キャビティ底面全体１６ａには、（或いは、前記したキャビティ底面部材１８には、）前記した基板供給部１４に供給セットした基板１に装着した半導体チップ３の天面３ａを当接・被覆する（或いは、押圧・被覆する）チップ支受部材１７が、型締方向（図１に示す図例では上下方向）に摺動自在に設けられて構成されている。
即ち、前記キャビティ１６内において、前記したキャビティ底面全体１６ａの所要範囲が前記したチップ支受部材１７の天面１７ａとなるものであると共に、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａの位置は、前記したキャビティ底面１６ａ（１６ｃ）の位置から所要の高さ２４（樹脂注入前の位置）にて突出した状態で設けられて構成されている。
また、前記した突設したチップ支受部材１７の天面１７ａの位置（樹脂注入前の位置）については、例えば、前記したキャビティ１６の内部（前記した下型１３の型面位置より下側）に、前記した下型１３の型面位置に、或いは、前記したキャビティ１６の外部（前記した下型１３の型面位置より上側）に、任意の位置に適宜に設定することができるように構成されている。
なお、図１（図２、図３）に示す図例では、前記したキャビティ１６内におけるチップ支受部材１７の天面１７ａの位置は、前記した下型１３の型面位置から前記した半導体チップの高さ８より小さい深さ（距離）２５となるように構成され、したがって、前記した所要の高さ２４と前記した所要の深さ２５との合計で前記した所要の深さ２３になるものである。
即ち、後述するように、前記上下両型１２・１３の型締時に、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを、前記した基板供給部１４に供給セットされた基板１に装着した半導体チップ３の天面３ａ全体（全面）に当接・被覆することができるように構成されている（或いは、押圧・被覆することができるように構成されている）。
従って、前記した半導体チップ天面３ａに前記したチップ支受部材天面１７ａを当接・被覆することにより、前記した半導体チップ天面３ａとチップ支受部材天面１７ａとの隙間を効率良く無くし得て、前記した半導体チップ３の天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
なお、当然ではあるが、前記上下両型１２・１３の型締時に形成される嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した半導体チップ天面３ａの位置が前記したチップ支受部材天面１７ａの樹脂注入時における位置となるものである。
また、前記した下型キャビティ１６内において、前記した突設したチップ支受部材１７の外周囲には、樹脂材料１９を供給セットする樹脂材料供給部（凹部）２６が設けられて構成されると共に、前記した樹脂材料供給部２６内に供給セットした樹脂材料１９を加熱溶融化することができるように構成されている。
従って、前記上下両型１２・１３の型締時に、前記した嵌装キャビティ空間部２２（１６）内において、前記したチップ支受部材１７（の天面１７ａ）を前記した半導体チップ天面３ａに当接・被覆させた状態で、前記したキャビティ底面部材１８を上型方向に（上方向に）移動させることにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に加熱溶融化された樹脂材料１９（樹脂）を注入充填することができるように構成されている。
従って、前記上下両型１２・１３の型締時に、前記した嵌装キャビティ空間部２２（１６）内において、前記したチップ支受部材１７（の天面１７ａ）を前記した半導体チップ天面３ａに当接・被覆させた状態で、前記したキャビティ底面部材１８を上型方向に（上方向に）移動させることにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に加熱溶融化された樹脂材料１９（樹脂）を注入充填することができるように構成されている。
ここで、前記したキャビティ１６内におけるキャビティ底面部材１８とチップ天面部材１７と樹脂材料供給部２６とに関して更に言及する。
例えば、図６に示す図例（前記した下型キャビティの概略平面図）では、前記したキャビティ底面１６ａは、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａとなる底面中央部と、その外周囲に設けられ且つ前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃとなる底面外周囲部とから構成されると共に、前記した底面外周囲部１６ｃは樹脂材料１９を供給セットする樹脂材料供給部（凹部）２６となるものである。
また、前記した下型キャビティ１６内において、前記した下型１３（キャビティ側面１６ｂ）とチップ支受部材１７と底面外周囲部１６ｃ（前記キャビティ底面部材１８）とで囲まれた凹部が形成されると共に、前記した凹部は樹脂材料１９を供給セットする樹脂材料供給部２６となる。
なお、図６に示す図例（前記した下型キャビティの概略平面図）において、前記した脂材料供給部２６（凹部）は、前記したキャビティ１６内において、前記したチップ支受部材１７の外周囲に設けられ、且つ、平面的に見て「かたかな」の「ロの字」の形状にて設けられて構成されると共に、前記した「ロの字」の形状は前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃの形状である。
また、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａの面積は、前記したキャビティ底面全体１６ａの面積の２５％（四分の一）に相当するものである。
例えば、図６に示す図例（前記した下型キャビティの概略平面図）では、前記したキャビティ底面１６ａは、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａとなる底面中央部と、その外周囲に設けられ且つ前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃとなる底面外周囲部とから構成されると共に、前記した底面外周囲部１６ｃは樹脂材料１９を供給セットする樹脂材料供給部（凹部）２６となるものである。
また、前記した下型キャビティ１６内において、前記した下型１３（キャビティ側面１６ｂ）とチップ支受部材１７と底面外周囲部１６ｃ（前記キャビティ底面部材１８）とで囲まれた凹部が形成されると共に、前記した凹部は樹脂材料１９を供給セットする樹脂材料供給部２６となる。
なお、図６に示す図例（前記した下型キャビティの概略平面図）において、前記した脂材料供給部２６（凹部）は、前記したキャビティ１６内において、前記したチップ支受部材１７の外周囲に設けられ、且つ、平面的に見て「かたかな」の「ロの字」の形状にて設けられて構成されると共に、前記した「ロの字」の形状は前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃの形状である。
また、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａの面積は、前記したキャビティ底面全体１６ａの面積の２５％（四分の一）に相当するものである。
また、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂材料（樹脂）１９を注入充填する場合において、前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ａは所要の位置に停止することができるように構成されると共に、前記した半導体チップ３の側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を形成することができるように構成されている。
例えば、図５に示すように、前記したキャビティ底面部材１８の天面６ａの停止位置を前記した嵌装キャビティ（前記した樹脂注入空間部２２）内における半導体チップ３の天面３ａの位置（樹脂注入時の位置）とすることができる。
この場合、図７（２）に示すように、前記した半導体チップ天面３ａと樹脂フィレット部６の天面６ａとは同一平面となるものであり、前記したキャビティ１６の形状に対応した（前記した半導体チップ３を含む）樹脂フィレット部６を形成することができる。
なお、前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ａの停止位置については、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂１９が注入充填されれば良く、前記した半導体チップ天面３ａの位置でなくても良い。
例えば、図５に示すように、前記したキャビティ底面部材１８の天面６ａの停止位置を前記した嵌装キャビティ（前記した樹脂注入空間部２２）内における半導体チップ３の天面３ａの位置（樹脂注入時の位置）とすることができる。
この場合、図７（２）に示すように、前記した半導体チップ天面３ａと樹脂フィレット部６の天面６ａとは同一平面となるものであり、前記したキャビティ１６の形状に対応した（前記した半導体チップ３を含む）樹脂フィレット部６を形成することができる。
なお、前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ａの停止位置については、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂１９が注入充填されれば良く、前記した半導体チップ天面３ａの位置でなくても良い。
総じて、前記したキャビティ１６内におけるキャビティ底面部材１８とチップ天面部材１７とについて云えば、前記した金型１１による樹脂注入前に前記したチップ支受部材１７の天面１７ａがどの位置にあったとしても、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した半導体チップ天面３ａを前記したチップ支受部材天面１７ａにて被覆した状態で、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に加熱溶融化された樹脂材料１９を注入充填することができるように構成されれば良い。
従って、前記した半導体チップ３の天面３ａを露出した状態で前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する場合に、前記したチップ支受部材１７にて前記した半導体チップ３の天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができると共に、前記した半導体チップ３の側面３ｂに形成される樹脂フィレット部６を効率良く所要の形状に形成することができる。
従って、前記した半導体チップ３の天面３ａを露出した状態で前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する場合に、前記したチップ支受部材１７にて前記した半導体チップ３の天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができると共に、前記した半導体チップ３の側面３ｂに形成される樹脂フィレット部６を効率良く所要の形状に形成することができる。
また、図例に示すように、前記した下型１３の下部側には、キャビティ底面部材押圧用の押圧部材２７が設けられて構成されると共に、前記した押圧部材２７に前記したキャビティ底面部材１８を固設して構成されている。
また、前記したチップ支受部材１７と押圧部材２７との間には圧縮スプリング等のチップ支受部材用の弾性部材２０が設けられて構成されると共に、前記した下型１３（本体）と押圧部材２７との間に圧縮スプリング等の下型用の弾性部材２１が設けられて構成されている。
即ち、前記したチップ支受部材用の弾性部材２０にて上型方向（上方向）にチップ支受部材１７を押圧付勢することができるように構成されると共に、前記した下型用の弾性部材２１にて上型方向に前記した下型１２（本体）を押圧付勢することができるように構成されている。
また、例えば、前記上下両型１２・１３の型締時に、前記した押圧部材２７を上動することにより、前記した基板供給部１４に供給セットした基板１に装着した半導体チップ３の天面３ａを前記したチップ支受部材１７（の天面１７ａ）で所要の押圧力にて押圧・被覆することができるように構成されている。
また、例えば、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した押圧部材２７を上動することにより、前記した基板供給部１４に供給セットした基板１を前記上下両型１２・１３の型面間に所要の押圧力にて押圧・挟持することができるように構成されると共に、前記した基板１に装着した半導体チップ３を前記したキャビティ１６内に嵌装することにより、前記した半導体チップ３の嵌装キャビティ空間部２２を形成することができるように構成されている。
従って、前記した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部）２２内において、前記したキャビティ底面部材１８と押圧部材２７とを一体にして上動させることにより、前記した樹脂材料供給部２６（凹部）内で加熱溶融化された樹脂材料１９を前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に注入充填することができる。
更に、前記した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部）２２内において、前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃの停止位置を前記した半導体チップ３の天面３ａの位置にて停止させることにより、前記した半導体チップ３の側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を効率良く形成することができるように構成されている。
また、前記したチップ支受部材１７と押圧部材２７との間には圧縮スプリング等のチップ支受部材用の弾性部材２０が設けられて構成されると共に、前記した下型１３（本体）と押圧部材２７との間に圧縮スプリング等の下型用の弾性部材２１が設けられて構成されている。
即ち、前記したチップ支受部材用の弾性部材２０にて上型方向（上方向）にチップ支受部材１７を押圧付勢することができるように構成されると共に、前記した下型用の弾性部材２１にて上型方向に前記した下型１２（本体）を押圧付勢することができるように構成されている。
また、例えば、前記上下両型１２・１３の型締時に、前記した押圧部材２７を上動することにより、前記した基板供給部１４に供給セットした基板１に装着した半導体チップ３の天面３ａを前記したチップ支受部材１７（の天面１７ａ）で所要の押圧力にて押圧・被覆することができるように構成されている。
また、例えば、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した押圧部材２７を上動することにより、前記した基板供給部１４に供給セットした基板１を前記上下両型１２・１３の型面間に所要の押圧力にて押圧・挟持することができるように構成されると共に、前記した基板１に装着した半導体チップ３を前記したキャビティ１６内に嵌装することにより、前記した半導体チップ３の嵌装キャビティ空間部２２を形成することができるように構成されている。
従って、前記した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部）２２内において、前記したキャビティ底面部材１８と押圧部材２７とを一体にして上動させることにより、前記した樹脂材料供給部２６（凹部）内で加熱溶融化された樹脂材料１９を前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に注入充填することができる。
更に、前記した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部）２２内において、前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃの停止位置を前記した半導体チップ３の天面３ａの位置にて停止させることにより、前記した半導体チップ３の側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を効率良く形成することができるように構成されている。
また、前述したように、前記した上下両型１２・１３間には離型フィルム１５が張架されると共に、前記した離型フィルム１５を前記した下型１３の型面と前記したキャビティ１６内とにそれらの形状に対応して被覆することができるように構成され、少なくとも、前記した離型フィルム１５を前記したキャビティ１６の形状に対応して被覆することができるように構成されている。
また、図例では、前記した離型フィルム１５を前記したキャビティ１６内におけるキャビティ底面（前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃ）と、前記した突設されたチップ支受部材１７の天面１７ａと側面との形状に対応して被覆することができるように構成され、前記した突設されたチップ支受部材１７の外周囲に形成される前記した樹脂材料供給部２６（凹部）内を前記した離型フィルム１５で被覆することができるように構成さされている。
また、前記した離型フィルム１５を被覆した樹脂材料供給部２６に樹脂材料１９を供給セットすると共に、前記した樹脂材料供給部２７内で樹脂材料１９を加熱溶融化することができるように構成されている。
即ち、前記した嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した半導体チップ天面３ａに前記したチップ支受部材１７を前記した離型フィルム１５を介して当接・被覆させた状態（或いは、押圧・被覆した状態）で、前記したキャビティ底面部材１８を上動させることにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に加熱溶融化された樹脂材料１９（樹脂）を注入充填することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことによって、前記した半導体チップ天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
また、図例では、前記した離型フィルム１５を前記したキャビティ１６内におけるキャビティ底面（前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ｃ）と、前記した突設されたチップ支受部材１７の天面１７ａと側面との形状に対応して被覆することができるように構成され、前記した突設されたチップ支受部材１７の外周囲に形成される前記した樹脂材料供給部２６（凹部）内を前記した離型フィルム１５で被覆することができるように構成さされている。
また、前記した離型フィルム１５を被覆した樹脂材料供給部２６に樹脂材料１９を供給セットすると共に、前記した樹脂材料供給部２７内で樹脂材料１９を加熱溶融化することができるように構成されている。
即ち、前記した嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した半導体チップ天面３ａに前記したチップ支受部材１７を前記した離型フィルム１５を介して当接・被覆させた状態（或いは、押圧・被覆した状態）で、前記したキャビティ底面部材１８を上動させることにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に加熱溶融化された樹脂材料１９（樹脂）を注入充填することができるように構成されている。
従って、前述したように構成したことによって、前記した半導体チップ天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
なお、前記した離型フィルム１５を前記キャビティ１６内に被覆する構成について、図示はしていないが、例えば、前記したキャビティ１６の内面（前記したチップ支受部材１７の天面１７ａと前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ａとを含む）に設けた吸引孔から真空ポンプ等の真空引き機構にて空気を強制的に排出して前記した離型フィルム１５を前記したキャビティ１６の内面に吸着固定することにより、前記したキャビティ１６の形状に対応して、即ち、前記したキャビティ１６内におけるチップ支受部材１７の形状とキャビティ底面部材１８の形状とに対応して、前記したキャビティ１６の内面に前記した離型フィルム１５を被覆することができるように構成されている。
（樹脂注入方法）
次に、図１〜図６に示す樹脂注入用金型１１（圧縮成形用金型）を用いて、前記した半導体チップ３の天面３ａを前記した離型フィルム１５を介して前記したチップ支受部材１７（の天面１７ａ）で被覆した状態で、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂５を注入充填し、且つ、前記した半導体チップ３の側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を形成する樹脂注入方法について説明する。
なお、前記した下型キャビティ１６内において、前記したキャビティ底面１６ａ（１６ｃ）から突設されたチップ支受部材１７の天面１７ａの位置は、前記した下型１３の型面の位置から前記した半導体チップ３の高さ８よりも小さい深さ（距離）２５にて構成されている。
従って、本発明に係るフリップチップの樹脂注入方法にて、前記した半導体チップ３の天面３ａが露出した状態のフリップチップ型の成形品（樹脂注入済基板）Ｂを形成することができる。
次に、図１〜図６に示す樹脂注入用金型１１（圧縮成形用金型）を用いて、前記した半導体チップ３の天面３ａを前記した離型フィルム１５を介して前記したチップ支受部材１７（の天面１７ａ）で被覆した状態で、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂５を注入充填し、且つ、前記した半導体チップ３の側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を形成する樹脂注入方法について説明する。
なお、前記した下型キャビティ１６内において、前記したキャビティ底面１６ａ（１６ｃ）から突設されたチップ支受部材１７の天面１７ａの位置は、前記した下型１３の型面の位置から前記した半導体チップ３の高さ８よりも小さい深さ（距離）２５にて構成されている。
従って、本発明に係るフリップチップの樹脂注入方法にて、前記した半導体チップ３の天面３ａが露出した状態のフリップチップ型の成形品（樹脂注入済基板）Ｂを形成することができる。
まず、図１、図２に示すように、前記した基板１を前記した半導体チップ３を下方向に向けた状態で前記した上型１２の基板供給部１４に供給セットする。
次に、図１に示すように、前記した上下両型間１２・１３に前記した離型フィルム１５を張架すると共に、図２に示すように、少なくとも、前記した下型キャビティ１６内に前記した離型フィルム１５を前記した下型キャビティ１６の形状に対応して被覆する。
このとき、前記した下型キャビティ１６内において、前記した離型フィルム１５は、少なくとも、前記したキャビティ１６の底面１６ｃと前記したチップ支受部材１７の天面１７ａとを被覆することができる。
次に、図２（図６）に示すように、前記した樹脂材料１９、例えば、液状或いは粉末状の樹脂材料１９を前記した離型フィルム１５を被覆した樹脂材料供給部２６（凹部）内に供給セットして加熱溶融化する。
このとき、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａは前記した離型フィルム１５にて被覆されている。
次に、図１に示すように、前記した上下両型間１２・１３に前記した離型フィルム１５を張架すると共に、図２に示すように、少なくとも、前記した下型キャビティ１６内に前記した離型フィルム１５を前記した下型キャビティ１６の形状に対応して被覆する。
このとき、前記した下型キャビティ１６内において、前記した離型フィルム１５は、少なくとも、前記したキャビティ１６の底面１６ｃと前記したチップ支受部材１７の天面１７ａとを被覆することができる。
次に、図２（図６）に示すように、前記した樹脂材料１９、例えば、液状或いは粉末状の樹脂材料１９を前記した離型フィルム１５を被覆した樹脂材料供給部２６（凹部）内に供給セットして加熱溶融化する。
このとき、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａは前記した離型フィルム１５にて被覆されている。
従って、次に、図３、図４、図５に示すように、前記した上下両型１２・１３を型締めする。
即ち、図３に示すように、前記した上下両型１２・１３を型締時に、前記した半導体チップ３の天面３ａに前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを前記した離型フィルム１５を介して当接する。
このとき、少なくとも、前記した半導体チップ３の天面３ａ全体（全面）が被覆された状態になると共に、前記した上下両型１２・１３はその両型面間に所要の間隔を有する中間的な型締状態にある。
次に、図４に示すように、前記した上下両型１２・１３を型締時に、前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂに前記した下型１３の型面を前記した離型フィルム１５を介して当接することにより、前記した上下両型１２・１３を完全型締めし、前記した離型フィルム１５で被覆したキャビティ１６と前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂとで前記したキャビティ空間部２２（樹脂注入空間部）を形成する。
このとき、前記した下型１３とキャビティ底面部材１８（押圧部材２７）を一体にして上動することができるので、前記したチップ支受部材用の弾性部材２０にて前記した半導体チップ３天面３ａに前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを前記した離型フィルム１５を介して所要の押圧力にて押圧することができる。
次に、図５に示すように、前記した上下両型１２・１３を型締時に、前記したキャビティ底面部材１８（押圧部材２７）を上動させて前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ａを前記した半導体チップ３の天面３ａの位置で停止する。
このとき、前記した嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した樹脂材料供給部２６内で加熱溶融化された樹脂材料１９を前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に注入充填することができると共に、前記したキャビティ１６内で前記したキャビティ１６の形状に対応した前記した半導体チップ３を含む樹脂フィレット部６（前記した半導体チップ３の側面に形成される所要の形状の樹脂フィレット部６）を形成することができる。
なお、このとき、前記した下型用の弾性部材２１にて前記した前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂに前記した下型１３の型面を前記した離型フィルム１５を介して所要の押圧力で押圧することができる。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記上下両型１２・１３を型開きすることにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂が注入充填され且つ前記した下型キャビティ１６の形状に対応した前記した半導体チップ３を含む樹脂フィレット部６を形成された成形品Ｂを得ることができる。
即ち、図３に示すように、前記した上下両型１２・１３を型締時に、前記した半導体チップ３の天面３ａに前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを前記した離型フィルム１５を介して当接する。
このとき、少なくとも、前記した半導体チップ３の天面３ａ全体（全面）が被覆された状態になると共に、前記した上下両型１２・１３はその両型面間に所要の間隔を有する中間的な型締状態にある。
次に、図４に示すように、前記した上下両型１２・１３を型締時に、前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂに前記した下型１３の型面を前記した離型フィルム１５を介して当接することにより、前記した上下両型１２・１３を完全型締めし、前記した離型フィルム１５で被覆したキャビティ１６と前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂとで前記したキャビティ空間部２２（樹脂注入空間部）を形成する。
このとき、前記した下型１３とキャビティ底面部材１８（押圧部材２７）を一体にして上動することができるので、前記したチップ支受部材用の弾性部材２０にて前記した半導体チップ３天面３ａに前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを前記した離型フィルム１５を介して所要の押圧力にて押圧することができる。
次に、図５に示すように、前記した上下両型１２・１３を型締時に、前記したキャビティ底面部材１８（押圧部材２７）を上動させて前記したキャビティ底面部材１８の天面１６ａを前記した半導体チップ３の天面３ａの位置で停止する。
このとき、前記した嵌装キャビティ空間部２２内において、前記した樹脂材料供給部２６内で加熱溶融化された樹脂材料１９を前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に注入充填することができると共に、前記したキャビティ１６内で前記したキャビティ１６の形状に対応した前記した半導体チップ３を含む樹脂フィレット部６（前記した半導体チップ３の側面に形成される所要の形状の樹脂フィレット部６）を形成することができる。
なお、このとき、前記した下型用の弾性部材２１にて前記した前記した基板１の半導体チップ装着面１ｂに前記した下型１３の型面を前記した離型フィルム１５を介して所要の押圧力で押圧することができる。
硬化に必要な所要時間の経過後、前記上下両型１２・１３を型開きすることにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂が注入充填され且つ前記した下型キャビティ１６の形状に対応した前記した半導体チップ３を含む樹脂フィレット部６を形成された成形品Ｂを得ることができる。
即ち、本発明によれば、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止することができる。
また、本発明によれば、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの側面３ｂに形成される樹脂フィレット部６を効率良く所要の形状に形成することができる。
従って、フリップチップ型の成形品Ｂを形成する場合に、前記した半導体チップ３の天面３ａを露出した状態で効率良く形成することができる。
また、本発明によれば、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する場合に、前記した半導体チップの側面３ｂに形成される樹脂フィレット部６を効率良く所要の形状に形成することができる。
従って、フリップチップ型の成形品Ｂを形成する場合に、前記した半導体チップ３の天面３ａを露出した状態で効率良く形成することができる。
（実施例１の金型を用いる他の実施例となる樹脂注入方法）
前記した実施例において、前記した離型フィルム１５を被覆したチップ支受部材１７の天面１７ａの位置を、前記した下型１３の型面から上方の位置に位置させた構成、前記した下型１３の型面に位置させた構成、前記した下型１３の型面から前記した半導体チップ３の高さ８と同じ距離の深さ２５に位置させた構成、或いは、前記した下型１３の型面から上方の位置から前記した半導体チップ３の高さ８と同じ距離の深さ２５の位置までの間に位置させた構成を採用することができる。
これらの場合において、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａと下型１３の型面とは、前記した実施例と同様の動作を示し、前記した実施例と同様の作用効果を得ることができる。
前記した実施例において、前記した離型フィルム１５を被覆したチップ支受部材１７の天面１７ａの位置を、前記した下型１３の型面から上方の位置に位置させた構成、前記した下型１３の型面に位置させた構成、前記した下型１３の型面から前記した半導体チップ３の高さ８と同じ距離の深さ２５に位置させた構成、或いは、前記した下型１３の型面から上方の位置から前記した半導体チップ３の高さ８と同じ距離の深さ２５の位置までの間に位置させた構成を採用することができる。
これらの場合において、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａと下型１３の型面とは、前記した実施例と同様の動作を示し、前記した実施例と同様の作用効果を得ることができる。
また、前記した実施例において、前記した離型フィルム１５を被覆したチップ支受部材１７の天面１７ａの位置を、前記した下型１３の型面から前記した半導体チップ３の高さ８より長い距離の深さに位置させた構成を採用することができる。
即ち、前記上下両型１２・１３の型締時に、まず、前記した下型１３の型面を前記した基板１（前記した半導体チップ装着面１ｂ）に当接して前記した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部２２）を形成し、次に、前記した半導体チップ天面３ａに前記したチップ支受部材天面１７ａを当接し、次に、前記した嵌装キャビティ空間部２２内において、前記したキャビティ底面部材１８を押圧して前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することができる。
従って、この場合において、前記した実施例と同様の作用効果を得ることができる。
即ち、前記上下両型１２・１３の型締時に、まず、前記した下型１３の型面を前記した基板１（前記した半導体チップ装着面１ｂ）に当接して前記した嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部２２）を形成し、次に、前記した半導体チップ天面３ａに前記したチップ支受部材天面１７ａを当接し、次に、前記した嵌装キャビティ空間部２２内において、前記したキャビティ底面部材１８を押圧して前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することができる。
従って、この場合において、前記した実施例と同様の作用効果を得ることができる。
（離型フィルムを用いない構成）
また、前記した各実施例において、前記した離型フィルム（１５）を用いない構成を採用することができる。
即ち、この場合に、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した嵌装キャビティ空間部２２（樹脂注入空間部）内において、前記した半導体チップ３の天面３ａに前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを直接的に当接した状態で（或いは、押圧した状態で）、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することができる。
従って、この場合において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
また、前記した各実施例において、前記した離型フィルム（１５）を用いない構成を採用することができる。
即ち、この場合に、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した嵌装キャビティ空間部２２（樹脂注入空間部）内において、前記した半導体チップ３の天面３ａに前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを直接的に当接した状態で（或いは、押圧した状態で）、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することができる。
従って、この場合において、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができる。
本発明は、前述した実施例のものに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意に且つ適宜に変更・選択して採用することができるものである。
また、前述したように、本発明は、前記した離型フィルム１５の有無に拘わらず、前記した下型キャビティ１６内で加熱溶融化した樹脂材料を前記した下型キャビティ１６の底面に設けたキャビティ底面部材（１８）を押圧することにより、前記した下型キャビティ１６（嵌装キャビティ空間部２２）内に嵌装した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填する構成であり、前記した隙間４への注入充填時に、前記したキャビティ１６の底面１６ａに突出した状態で設けたチップ支受部材１７を前記したキャビティ１６内に嵌装した半導体チップ３の天面３ａに押圧・被覆して前記した半導体チップ天面３ａに樹脂ばりが付着形成されることを効率良く防止する構成である。
更に、前述したように、本発明は、前記したキャビティ１６内（前記キャビティ底面）における突設チップ支受部材１７の外周囲に設けられた樹脂材料供給用の凹部（樹脂材料供給部２６）内に供給して加熱溶融化すると共に、前記したキャビティ１６内で加熱溶融化された樹脂材料を前記したキャビティ底面部材１８で上動加圧して前記した半導体チップ３の天面３ａの位置で停止することにより、前記した基板１上の半導体チップ３の側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を効率良く形成することができる構成である。
従って、本発明を前述したように構成したことによって、前記した半導体チップ天面３ａが露出し（前記した半導体チップ天面３ａにおける樹脂ばりの発生を効率良く防止した）且つ前記した半導体チップ側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を形成した成形品Ｂ（フリップチップ製品）を得ることができる。
更に、前述したように、本発明は、前記したキャビティ１６内（前記キャビティ底面）における突設チップ支受部材１７の外周囲に設けられた樹脂材料供給用の凹部（樹脂材料供給部２６）内に供給して加熱溶融化すると共に、前記したキャビティ１６内で加熱溶融化された樹脂材料を前記したキャビティ底面部材１８で上動加圧して前記した半導体チップ３の天面３ａの位置で停止することにより、前記した基板１上の半導体チップ３の側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を効率良く形成することができる構成である。
従って、本発明を前述したように構成したことによって、前記した半導体チップ天面３ａが露出し（前記した半導体チップ天面３ａにおける樹脂ばりの発生を効率良く防止した）且つ前記した半導体チップ側面３ｂに所要形状の樹脂フィレット部６を形成した成形品Ｂ（フリップチップ製品）を得ることができる。
また、前記した各実施例では、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａの形状と広さとを前記した半導体チップ３の天面３ａに対応した形状と広さにて形成したが、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａの形状と広さとは、少なくとも、前記した半導体チップ３の天面３ａ全体（全面）を被覆することができる構成（形状、広さ）であればよい。
なお、前記した各実施例において、前記した半導体チップ３に加熱溶融化した樹脂材料１９が接触する前に、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａを前記した半導体チップ３の天面３ａに当接する構成を採用することができる。この場合、特に、前述した離型フィルム１５を用いない構成に有益である。
また、前記した各実施例において、前記した樹脂材料１９を、例えば、液状、粉末状、顆粒状、シート状、或いは、タブレット状のものを用いて良い。
また、前記した金型１１を用いる実施例において、前記した樹脂材料供給部２６（凹部）の形状に対応して打錠・形成した樹脂タブレット、例えば、平面的に「かたかな」の「ロの字」の形状の樹脂タブレット（図６に示す樹脂材料供給部の形状を参照）など、種々の形状にて用いることができる。
なお、本発明に用いられる樹脂材料１９として、例えば、熱硬化性、或いは、熱可塑性の樹脂材料を用いることができる。
また、前記した金型１１を用いる実施例において、前記した樹脂材料供給部２６（凹部）の形状に対応して打錠・形成した樹脂タブレット、例えば、平面的に「かたかな」の「ロの字」の形状の樹脂タブレット（図６に示す樹脂材料供給部の形状を参照）など、種々の形状にて用いることができる。
なお、本発明に用いられる樹脂材料１９として、例えば、熱硬化性、或いは、熱可塑性の樹脂材料を用いることができる。
また、図７（１）に示すように、前記した基板１（Ａ）における半導体チップ３と基板１との隙間４には前記した基板１を厚さ方向に貫通した状態で形成された貫通孔７が設けられると共に、前記した隙間４内の空気を自然的に或いは強制的に前記した貫通孔７を通してその外部に排出することができるように構成されている。
また、図１〜図５に示す金型において、前記した上型１２（前記した基板供給部１３）には前記した基板１の貫通孔７に対応した孔部２８が設けられて構成されると共に、前記した基板１を前記した基板供給部１４に供給セットしたとき、前記した基板１の貫通孔７を前記した孔部２８の位置に合致させることができるように構成されている。
即ち、前記した基板１の隙間４と金型外部（上型外部）とは前記した貫通孔７と孔部２８とを通して連通するように構成されると共に、前記した隙間４の空気を前記した貫通孔７と孔部２８とを通して自然的に或いは真空ポンプ等の真空引き機構にて強制的に排出することができるように構成されている。
従って、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができると共に、前記した隙間４内に存在する空気の影響を効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を効率良く注入充填することができる。
また、図１〜図５に示す金型において、前記した上型１２（前記した基板供給部１３）には前記した基板１の貫通孔７に対応した孔部２８が設けられて構成されると共に、前記した基板１を前記した基板供給部１４に供給セットしたとき、前記した基板１の貫通孔７を前記した孔部２８の位置に合致させることができるように構成されている。
即ち、前記した基板１の隙間４と金型外部（上型外部）とは前記した貫通孔７と孔部２８とを通して連通するように構成されると共に、前記した隙間４の空気を前記した貫通孔７と孔部２８とを通して自然的に或いは真空ポンプ等の真空引き機構にて強制的に排出することができるように構成されている。
従って、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができると共に、前記した隙間４内に存在する空気の影響を効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を効率良く注入充填することができる。
また、前記した金型１１には、前記した離型フィルム１５に発生する「しわ」を効率良く防止するために、前記した離型フィルム１５を前記した金型１１から外周囲方向に引張する離型フィルムの引張機構（図示なし）が設けられて構成されている。
従って、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した引張機構にて前記した離型フィルム１５を前記した金型１１から外周囲方向に引張することにより、前記した離型フィルムに発生する「しわ」を効率良く防止することができる。
従って、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した引張機構にて前記した離型フィルム１５を前記した金型１１から外周囲方向に引張することにより、前記した離型フィルムに発生する「しわ」を効率良く防止することができる。
また、前記した実施例において、前記したチップ支受部材１７の天面１７ａにゴム等の柔軟な材料にて柔軟層を形成しても良い。
即ち、この場合、特に、前記した離型フィルム（１５）を用いない構成において、前記した半導体チップ３の天面３ａを前記したチップ支受部材１７の天面１７ａ（柔軟層）で直接的に当接すること（或いは、押圧すること）になる。
従って、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができると共に、前記した半導体チップ３の天面３ａに樹脂ばりが形成されることを効率良く防止でき、更に、前記した半導体チップ３が破損することを効率良く防止することができる。
即ち、この場合、特に、前記した離型フィルム（１５）を用いない構成において、前記した半導体チップ３の天面３ａを前記したチップ支受部材１７の天面１７ａ（柔軟層）で直接的に当接すること（或いは、押圧すること）になる。
従って、前記した各実施例と同様の作用効果を得ることができると共に、前記した半導体チップ３の天面３ａに樹脂ばりが形成されることを効率良く防止でき、更に、前記した半導体チップ３が破損することを効率良く防止することができる。
また、前記した各実施例において、前記した離型フィルム１５の有無にかかわらず、前記した金型１１に、前記した嵌装キャビティ空間部２２（樹脂注入空間部）内から空気を強制的に吸引排出して前記した嵌装キャビティ空間部２２を所要の真空度に設定する真空ポンプ等の真空引き機構を設けた構成を採用することができる。
従って、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した嵌装キャビティ空間部２２内から空気を強制的に吸引排出して前記した嵌装キャビティ空間部２２を所要の真空度に設定し、前記半導体チップ天面３ａを前記したチップ支受部材天面１７ａにて当接した状態で（或いは、押圧した状態で）、前記したキャビティ底面部材１８を押圧することにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することができる。
この場合において、前述した各実施例と同様の作用効果を得ることができると共に、前記した嵌装キャビティ空間部２２内を所要の真空度に設定することができるので、前記した嵌装キャビティ空間部２２内に存在する空気の影響を効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を効率良く注入充填することができる。
従って、前記した上下両型１２・１３の型締時に、前記した嵌装キャビティ空間部２２内から空気を強制的に吸引排出して前記した嵌装キャビティ空間部２２を所要の真空度に設定し、前記半導体チップ天面３ａを前記したチップ支受部材天面１７ａにて当接した状態で（或いは、押圧した状態で）、前記したキャビティ底面部材１８を押圧することにより、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を注入充填することができる。
この場合において、前述した各実施例と同様の作用効果を得ることができると共に、前記した嵌装キャビティ空間部２２内を所要の真空度に設定することができるので、前記した嵌装キャビティ空間部２２内に存在する空気の影響を効率良く防止し得て、前記した半導体チップ３と基板１との隙間４に樹脂を効率良く注入充填することができる。
１ 基板
１ａ 半導体チップ非装着面
１ｂ 半導体チップ装着面
２ 電極（バンプ）
３ 半導体チップ
３ａ 半導体チップの天面
３ｂ 半導体チップの側面
４ 隙間
５ （隙間に注入充填された）樹脂
６ 樹脂フィレット部
６ａ 樹脂フィレット部の天面
７ 貫通孔
８ 高さ（半導体チップ）
１１ フリップチップの樹脂注入用金型（圧縮成形用金型）
１２ 上型
１３ 下型
１４ 基板供給部
１５ 離型フィルム（リリースフィルム）
１６ 下型キャビティ
１６ａ キャビティ底面全体（全面）
１６ｂ キャビティ側面
１６ｃ キャビティ底面（キャビティ底面部材の天面）
１７ チップ支受部材
１７ａ チップ支受部材の天面
１８ キャビティ底面部材
１９ 樹脂材料
２０ 弾性部材（チップ支受部材）
２１ 弾性部材（下型用）
２２ 嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部）
２３ 深さ（キャビティ底面）
２４ 高さ（チップ支受部材の天面）
２５ 深さ（チップ支受部材の天面）
２６ 樹脂材料供給部
２７ 押圧部材
２８ 孔部
Ａ 成形前基板
Ｂ 成形品（樹脂注入済基板）
１ａ 半導体チップ非装着面
１ｂ 半導体チップ装着面
２ 電極（バンプ）
３ 半導体チップ
３ａ 半導体チップの天面
３ｂ 半導体チップの側面
４ 隙間
５ （隙間に注入充填された）樹脂
６ 樹脂フィレット部
６ａ 樹脂フィレット部の天面
７ 貫通孔
８ 高さ（半導体チップ）
１１ フリップチップの樹脂注入用金型（圧縮成形用金型）
１２ 上型
１３ 下型
１４ 基板供給部
１５ 離型フィルム（リリースフィルム）
１６ 下型キャビティ
１６ａ キャビティ底面全体（全面）
１６ｂ キャビティ側面
１６ｃ キャビティ底面（キャビティ底面部材の天面）
１７ チップ支受部材
１７ａ チップ支受部材の天面
１８ キャビティ底面部材
１９ 樹脂材料
２０ 弾性部材（チップ支受部材）
２１ 弾性部材（下型用）
２２ 嵌装キャビティ空間部（樹脂注入空間部）
２３ 深さ（キャビティ底面）
２４ 高さ（チップ支受部材の天面）
２５ 深さ（チップ支受部材の天面）
２６ 樹脂材料供給部
２７ 押圧部材
２８ 孔部
Ａ 成形前基板
Ｂ 成形品（樹脂注入済基板）
Claims (4)
- フリップチップの樹脂注入用金型を用いて、基板に装着したフリップチップ型の半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填して前記した半導体チップ天面が露出し且つ前記した半導体側面に所要形状の樹脂フィレット部が形成された樹脂注入済基板を形成するフリップチップの樹脂注入成形方法であって、
前記した基板に装着した半導体チップを金型キャビティ内に嵌装した嵌装キャビティ空間部を形成した状態で、且つ、前記した嵌装キャビティ空間部内で前記した半導体チップの天面を前記した金型キャビティの底面に設けた半導体チップ天面露出用のチップ支受部材にて被覆した状態で、前記した嵌装キャビティ空間部内で加熱溶融化した樹脂材料を前記した金型キャビティの底面に前記したチップ支受部材を除いて設けた樹脂加圧用のキャビティ底面部材にて押圧して前記したキャビティ底面部材の天面を前記した嵌装キャビティ空間部内における所要の位置で停止することにより、前記した基板に装着したフリップチップ型の半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填して前記した半導体チップ天面が露出し且つ前記した半導体側面に所要形状の樹脂フィレット部が形成された樹脂注入済基板を形成することを特徴とするフリップチップの樹脂注入成形方法。 - 基板に装着した半導体チップをキャビティ内に嵌装する前に、前記した金型キャビティ内に離型フィルムを被覆することにより、前記した金型キャビティ内のチップ支受部材とキャビティ底面部材に前記した離型フィルムを被覆すると共に、前記した半導体チップを嵌装した嵌装キャビティ空間部内で前記した離型フィルムを介して前記した半導体チップ天面を前記チップ支受部材にて被覆した状態で、前記した嵌装キャビティ空間部内で加熱溶融化した樹脂材料を前記した離型フィルムを被覆したキャビティ底面部材にて押圧して前記したキャビティ底面部材の天面を前記した嵌装キャビティ空間部内における所要の位置で停止すること特徴とする請求項１に記載のフリップチップの樹脂注入成形方法。
- 基板に装着したフリップチップ型の半導体チップと基板との隙間に樹脂を注入充填して前記半導体チップ天面が露出し且つ前記半導体側面に所要形状の樹脂フィレット部が形成された樹脂注入済基板を形成するフリップチップの樹脂注入成形用金型であって、前記した金型に設けた基板供給セット用の上型基板供給部と、前記した金型に設けた樹脂注入用の下型キャビティと、前記した下型キャビティの底面に突設した状態で設けられた半導体チップ天面露出用のチップ支受部材と、前記した下型キャビティの底面に設けられた樹脂加圧用のキャビティ底面部材と、前記したキャビティ内における前記した突設チップ支受部材の外周囲に設けられた樹脂材料供給部とを備えたことを特徴とするフリップチップの樹脂注入成形用金型。
- チップ支受部材とキャビティ底面部材とを含むキャビティ内を被覆する離型フィルムを備えたことを特徴とする請求項３に記載のフリップチップの樹脂注入成形用金型。
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| JP (1) | JP2008041846A (ja) |
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2006
- 2006-08-04 JP JP2006212683A patent/JP2008041846A/ja active Pending
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