JP4336502B2 - 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 - Google Patents
電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4336502B2 JP4336502B2 JP2003021900A JP2003021900A JP4336502B2 JP 4336502 B2 JP4336502 B2 JP 4336502B2 JP 2003021900 A JP2003021900 A JP 2003021900A JP 2003021900 A JP2003021900 A JP 2003021900A JP 4336502 B2 JP4336502 B2 JP 4336502B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold
- release film
- lead frame
- forming portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品である複数個の半導体チップを装着したリードフレームに離型フィルムを介して樹脂封止する電子部品の樹脂封止成形方法及び装置の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、固定上型と可動下型とから成る樹脂封止成形用金型を搭載した電子部品の樹脂封止成形装置を用いて、複数個の半導体チップを装着したリードフレームの半導体チップ非装着面に離型フィルムを被覆した状態で、複数個の半導体チップを嵌装したキャビティ内に樹脂を注入する、トランスファー成形が行われている。
【0003】
即ち、まず、複数個の半導体チップをワイヤで電気的に接続されたリードフレームを下型面の所定位置に設けたセット用凹所に該チップ装着面側を下方向に向けて供給セットすると共に、上型面と半導体チップ非装着面との間に離型フィルムを供給して上型面に貫通して上型に設けたフィルム吸引孔より離型フィルムを吸引して上型面に被覆し、次に、両型を型締めして下型に設けた樹脂注入用のキャビティ内に複数個の該チップとワイヤとを嵌装セットし、次に、下型面に設けた樹脂材料供給用のポットより加熱溶融化された溶融樹脂を樹脂通路を介してキャビティ内に溶融樹脂を注入して複数個の該チップとワイヤとをキャビティ内で成形する樹脂成形体を樹脂封止することにより、リードフレームにおける該チップ非装着面のリード部に溶融樹脂を成形しない状態で樹脂封止する。
次に、溶融樹脂で形成された樹脂成形体が硬化するのに必要な所要時間の経過後に、樹脂成形体と樹脂通路とが硬化して硬化樹脂を成形して、硬化した樹脂通路と樹脂成形体との樹脂封止済部分が一体となって成形される。
つまり、従来の技術では、上型面に離型フィルムを吸引した状態で、複数個の該チップとワイヤとを嵌装したキャビティ内に溶融樹脂を注入充填して樹脂封止する、トランスファー成形を採用している(例えば、特許文献1参照。)。
【0004】
【特許文献1】
特開2001-203227号公報(第5−6頁、第1図)
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年の傾向として、リードフレームの厚みが薄くなったうえにリードフレームの形状が大きくなったり、リードフレーム上にマトリクス状に配置された大量の半導体チップを装着したうえに、該チップ自体も極小化・極薄化しており、その該チップと電気的に接続するワイヤ自体も極細化や多ピン化となっている。
以上のことからも、離型フィルムを吸引して上型面へ被覆した状態で上下型を型締めして、従来のトランスファー成形で該チップとワイヤとを嵌装したキャビティ内に樹脂を注入する時の、その樹脂の流れは水平方向であり、その水平方向からの樹脂圧によりリードフレーム自体が樹脂圧に押されて波打った状態となって、離型フィルムと該チップ非装着面との間に隙間が発生して完全に密着しない状態となるので、該チップ非装着面に樹脂が廻り込み樹脂ばりが発生すると云う問題があった。
加えて、キャビティの鉛直方向の長さ(厚み)も短くなり、キャビティ底面の面積が大きくなるので、前述した水平方向からの樹脂圧によりワイヤの屈曲や欠損等のワイヤ不良が発生したり、キャビティ全体に樹脂が行き渡らずに未充填不良が発生すると云う問題があった。
さらに、樹脂通路を介してキャビティ内に嵌装された複数個の該チップとワイヤとを樹脂で注入する際に使用される樹脂量は不要となる樹脂通路部分の樹脂量も余分に使用する必要があり、さらには、樹脂成形体と基板との密着性を向上させるのには、高密度な樹脂材料を使用することからもコスト高となる樹脂材料を過剰に使用することになるので、樹脂の歩留まりを著しく低下することになる。
【0006】
即ち、本発明は、電子部品である半導体チップを装着したリードフレームの半導体チップ非装着面と離型フィルムとを隙間なく確実に密着して、樹脂成形上の問題を効率良く解決する、電子部品の樹脂封止成形方法及び装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記技術的課題を解決するために本発明に係る電子部品の樹脂封止成形方法は、上型と該上型に対向して配置された下型とから成る樹脂封止成形用金型を用いて、
チップ状の複数個の電子部品が装着されたリードフレームが配置される下型と上型との間に離型フィルムを張設し、上型と下型とを型締めした状態において下型に設けられたキャビティ形成部における溶融樹脂に複数個の電子部品を浸漬し、溶融樹脂を硬化させることによって複数個の電子部品を一括して樹脂封止する電子部品の樹脂封止成形方法であって、キャビティ形成部に樹脂材料を供給する工程と、キャビティ形成部における樹脂材料を溶融させて溶融樹脂を形成する工程と、離型フィルムが緊張した状態で離型フィルムによって上型の下面を被覆する工程と、複数個の電子部品がキャビティ形成部に収容されるようにしてリードフレームを下型の上面側に配置する工程と、上型と下型とを型締めした状態において、キャビティ形成部の内底面を構成する摺動部材を上昇させることによってキャビティ形成部における溶融樹脂を上方に向かって直接加圧し、溶融樹脂を介してリードフレームを上方に向かって加圧する工程とを備えるとともに、加圧する工程においては溶融樹脂を加圧する圧力により離型フィルムとリードフレームにおける複数個の電子部品が装着されていない面からなる非装着面とを隙間なく確実に密着させることを特徴とする。
【0008】
また、前記技術的課題を解決するために本発明に係る電子部品の樹脂封止成形方法は、上述した樹脂封止成形方法において、加圧する工程においては溶融樹脂を加圧する圧力によりリードフレームが有する空隙部に離型フィルムを食い込ませることを特徴とする。
【0009】
また、前記技術的課題を解決するために本発明に係る電子部品の樹脂封止成形装置は、上型と該上型に対向して配置された下型とから成る樹脂封止成形用金型と、上型の下面を被覆する離型フィルムを供給する離型フィルム供給機構と、下型に設けられたキャビティ形成部と、該キャビティ形成部に樹脂材料を供給する樹脂材料供給機構と、キャビティ形成部において樹脂材料を溶融させて溶融樹脂を形成する加熱手段とを備える電子部品の樹脂封止成形装置であって、キャビティ形成部の内底面を形成する摺動部材と、チップ状の複数個の電子部品が装着されたリードフレームが配置される、下型の上面側に設けられた所定位置とを備えるとともに、離型フィルムは緊張した状態で上型の下面を被覆し、上型と下型とが型締めされた状態において複数個の電子部品がキャビティ形成部に収容されており、上型と下型とが型締めされた状態において、摺動部材が上昇することによってキャビティ形成部における溶融樹脂が上方に向かって直接加圧され、溶融樹脂を介してリードフレームが上方に向かって加圧され、該加圧される圧力により離型フィルムとリードフレームにおける複数個の電子部品が装着されていない面からなる非装着面とが隙間なく確実に密着することを特徴とする。
【0010】
また、前記技術的課題を解決するために本発明に係る電子部品の樹脂封止成形装置は、上述した樹脂封止成形装置において、リードフレームが加圧されることによってリードフレームが有する空隙部に離型フィルムが食い込むことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、図1乃至図8における実施例図に基づいて、説明する。
なお、図1乃至図8は、本発明に係る樹脂封止成形装置を示した図である。
【0012】
即ち、従来装置における金型構造に備えたポット・プランジャ・樹脂通路部分(カル部・ランナ部・ゲート部)を全く設けることのない、本発明に係る電子部品の樹脂封止成形装置において、図1に示すように、例えば、上型1と該上型1に対向配置した下型2とから成る樹脂封止成形用金型と、上型1の金型面(上型面3)に被覆する離型フィルム4を上下型1・2間に所定の張力で張架して供給する離型フィルム供給機構(図示しない)と、下型2に備えたキャビティ形成部5に樹脂材料(本実施例では顆粒樹脂6を示す)を供給する樹脂材料供給機構(図示しない)とを設けている。
【0013】
また、本実施例で用いるリードフレーム7は、図3に示すように、例えば、リードフレーム7上の所定個所に配置された複数個の半導体チップ8と、該チップ8装着側のリードフレーム7と該チップ8とを電気的に接続するワイヤ9と、該チップ8を装着しない半導体チップ非装着面10に装着されたリード部(図示しない)とで形成されていると共に、該チップ非装着面10は、リード部が突出せずに水平に構成されており、リードフレーム7には鉛直方向に貫通した空隙部11が形成されている。
【0014】
従って、上下型1・2を搭載した前記装置を用いて、リードフレーム7の複数個の該チップ8とワイヤ9とを上下型1・2を型締めして圧縮成形で樹脂封止すると樹脂成形体12を形成し、樹脂封止しない該チップ装着側にフレーム外周部23が形成されると共に、空隙部11にも樹脂が浸漬するが、該チップ非装着面10には当該樹脂が廻り込まないように、離型フィルム4を隙間なく確実に密着するように構成されている。
また、圧縮成形で樹脂封止された樹脂成形体12を形成後に、樹脂成形体12が硬化するのに必要な所要時間経過後に、樹脂成形体12が加熱溶融化された樹脂材料である溶融樹脂13から硬化樹脂14となり、つまりは、硬化された樹脂成形体12を装着したリードフレーム7である樹脂成形済基板15(製品)が完成される(図8参照)。
【0015】
また、上型1は、図1に示すように、例えば、離型フィルム4を介してリードフレーム7を金型内の所定位置へ供給するほぼ直上部に位置し且つ上型1から着脱自在に取付け・取外しすることができて、例えば、ゴム・スポンジ・金属・セラミック等の多孔質材料を用いた多孔性部材16と、その多孔性部材16と連通し且つ上型1を貫通した貫通孔17と、その貫通孔17の経路から離型フィルム4を吸引したり、離型フィルム4と該チップ非装着面10とが密着するように多孔性部材16から、例えば、空気(圧縮空気)・窒素ガス・炭酸ガス等の気体を離型フィルム4に対して圧送する気体吸引圧送機構(図示しない)と、上型面3に離型フィルム4を吸引して上型1を貫通した多孔性部材16の外周囲に位置し且つ任意の箇所にあるフィルム用吸引孔18と、そのフィルム吸引孔18の経路と連通して離型フィルム4を吸引するフィルム吸引機構(図示しない)とから構成されている。
なお、気体吸引圧送機構には、気体を圧送する機能(圧送機能)と気体を吸引する機能(吸引機能)との両方の機能を兼ね備えており、圧縮成形で樹脂封止する段階に応じて、適宜に変換して運転したり、停止したりできるように構成されている。
また、前述した気体吸引圧送機構の吸引機能とフィルム吸引機構とは、所定の張力にて張架された離型フィルム4を吸引して上型面3に緊張して被覆できるように連動して動作することができるように構成されている。
【0016】
また、下型2は、図1に示すように、例えば、リードフレーム7に装着された該チップ装着側を下方向に向けた状態で供給セットできる下型面19の所定位置にあるセット用凹所20と、リードフレーム7を凹所20に供給セットすることで樹脂成形体12が嵌装セットされて圧縮成形で樹脂封止する前述したキャビティ形成部5と、そのキャビティ形成部5の底面を形成し、且つ、その底面位置が図例におけるキャビティ形成位置A(最上面位置)から樹脂材料を供給する樹脂供給位置B(最下面位置)まで上下に摺動する摺動部材21と、キャビティ形成部5に供給される樹脂材料を加熱溶融化する少なくとも下型2(摺動部材21も含む)に埋設された加熱ヒータ22(加熱手段)とが設けられている。
なお、摺動部材21は、下型2から着脱自在に装設することができ、且つ、上下型1・2の型締め時に加熱溶融化された樹脂材料を樹脂供給位置Bからキャビティ形成位置Aの底面位置まで上動して所要圧力で圧縮成形するように構成されている。
また、可動する下型2を型締め・型開きさせるために設けたプレス手段(図示しない)は、任意の水圧・油圧・気体等の作動流体を使用した機構や、電動プレスによる機構によって、下型2(摺動部材21も含む)が上下に可動するように構成されている。
また、上下型1・2の型締時において、摺動部材21は、単独で上動して所要圧力で圧縮成形したり(図6参照)、樹脂成形体12が成形されて硬化して樹脂成形済基板15が完成後にキャビティ形成位置Aから樹脂供給位置Bへ単独で下動して硬化した樹脂成形体12から離型したり(図7参照)する上下に摺動することができる、つまりは、単独で上下に摺動部材21を摺動するのには、前述したプレス手段における任意の機構や任意のシリンダ・モータ・弾性部材等を駆動源とする駆動機構を備えたクランプ手段を設けて構成されている。
従って、上下型1・2の型締め時に、摺動部材21を単独で上動して圧縮成形における所要圧力により、離型フィルム4と該チップ非装着面10とを隙間なく確実に密着するように構成されている。
【0017】
ここで、上下型1・2と離型フィルム4とを用いて、リードフレーム7の樹脂成形体11を圧縮成形で樹脂封止する方法について、以下に説明する。
【0018】
まず、図1に示すように、上下型1・2が型開きした状態で、上下型1・2間には、所定の張力にて張架した離型フィルム4が水平状態で保持されており、下型2に装設された摺動部材21は、樹脂供給位置Bで待機する。
【0019】
次に、図2に示すように、上下型1・2が型開きした状態で、離型フィルム4を上動させ伸張させて上型面3に当接させ、次に、上型面3に当接した離型フィルム4が、上型面3に貫通したフィルム吸引孔18の経路を経て該フィルム吸引機構から、並びに、上型面3とほぼ同一平面上にある多孔性部材16の表面から多孔性部材16の空間形成部を通り貫通孔17の経路を経て気体圧送吸引機構から、つまりは、その両機構から空気を吸引して所定の張力にて張架された離型フィルム4を上型面3に緊張させて被覆させる。
また、樹脂材料供給機構から、例えば、所要量の顆粒樹脂6(樹脂材料)をキャビティ形成部5の底面における樹脂供給位置Bに供給するのは、図1における上型面3に離型フィルム4を緊張させて被覆させる状態から図3におけるリードフレーム7を金型内へ供給するまでに実施するればよく、この場合は、図2の状態で顆粒樹脂6を供給する。
このとき、顆粒樹脂6をキャビティ形成部5へ供給前に、予め加熱ヒータ22にて金型を顆粒樹脂6が加熱溶融化できるぼぼ所定温度近傍まで加熱しておくことが好ましい。
【0020】
次に、図3に示すように、上下型1・2が型開きした状態で、且つ、上型面3に離型フィルム4を被覆した状態で、複数個の該チップ8とワイヤ9とを装着したリードフレーム7の該チップ装着側を下方向に向けて下型面19の所定位置である凹所20の直上部にリードフレーム7を供給する。
なお、顆粒樹脂6が加熱溶融化できる所定温度に金型を加熱して顆粒樹脂6を加熱溶融化して溶融樹脂13とするタイミングは、図2におけるキャビティ形成部5に顆粒樹脂6が供給されてから図5における上下型1・2を型締めするまでの間に実施すればよく、この場合は、図3の状態で顆粒樹脂6が溶融樹脂13となる。
【0021】
次に、図4に示すように、上下型1・2が型開きした状態で、且つ、上型面3に離型フィルム4を被覆した状態で、下型面19の所定位置である凹所20の直上部にあるリードフレーム7を凹所20に供給セットする。
このとき、凹所20に供給セットされた樹脂成形前のリードフレーム7における複数個の該チップ8・ワイヤ9と、キャビティ形成部5に供給された所要量の顆粒樹脂6(完全に溶融樹脂13となるまでの状態を含む)の表面とが、接触しないように、適宜に、キャビティ形成部5の底面(摺動部材21の天面)における樹脂供給位置Bをクランプ手段にて摺動部材21を単独で上下に駆動させて底面位置を適宜に変更して実施するように構成されている。
【0022】
次に、図5に示すように、上型面3に離型フィルム4を被覆した状態で、且つ、リードフレーム7を凹所20に供給セットした状態で、且つ、キャビティ形成部5の底面における樹脂供給位置Bに加熱溶融化された顆粒樹脂6を供給した状態で、上下型1・2における上型面3と下型面19との間に離型フィルム3を狭持して型締めする、つまりは、下型2(摺動部材21を含む)が上方向にプレス手段にて可動することにより固定された上型1と離型フィルム4を介して型締めするように構成されている。
このとき、図5におけるリードフレーム7の鉛直方向の長さ(厚み)よりも凹所20における鉛直方向の長さのほうが高く形成されているので、下型面19とリードフレーム7のフレーム外周部23とは狭持しないように構成されている。
また、図5における上下型1・2の型締め時において、気体圧送吸引機構の吸引機能から圧送機能に変換して貫通孔17の経路から多孔性部材16の空間形成部を通して多孔性部材16の表面を経て気体を圧送することにより、離型フィルム4と該チップ非装着面10とを密着するように構成されている。
【0023】
次に、図6に示すように、上下型1・2を型締めした状態で、下型2に装設された摺動部材21が前述したプレス手段とは別のクランプ手段にて単独でキャビティ形成部5の底面におけるキャビティ形成位置Aまで上動するのと同時に、キャビティ形成部5の底面を形成する摺動部材21の天面上に供給された溶融樹脂13も上昇してキャビティ形成部5内にある複数個の該チップ8とワイヤ9とを浸漬内包してキャビティ形成部5内を所要圧力で圧縮成形する。
このとき、上下型1・2が型締め時に、図5における摺動部材21が樹脂供給位置Bに待機した状態から、図6における摺動部材21がキャビティ形成位置Aに到達する状態までの間において、任意のタイミングで多孔性部材16の表面から気体を常時圧送することも可能であると共に、例えば、リードフレーム7の空隙部11に溶融樹脂13が浸漬する直前に瞬時に圧送したりするように、適宜に変更して実施できるように構成されている。
従って、上下型1・2の型締め時に、キャビティ形成部5に嵌装された複数個の該チップ8とワイヤ9とのほぼ直下部から摺動部材21が上動することで摺動部材21の天面上にある所要量の溶融樹脂13も上昇して複数個の該チップ8とワイヤ9とを浸漬内包して所要圧力で圧縮成形するので、電子部品である該チップ8を装着したリードフレーム7の該チップ非装着面10と離型フィルム4とを隙間なく確実に密着して、該チップ非装着面10の樹脂ばりやワイヤ不良や過剰な樹脂を使用する樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる。
【0024】
次に、図示していないが、図6の状態のままで、キャビティ形成部5内にある溶融樹脂13が硬化するのに必要な所要時間経過後に樹脂成形体12が硬化して硬化樹脂14を形成して、樹脂成形済基板15(製品)を完成させる。
【0025】
次に、図7で示すように、上型面3に離型フィルム4を被覆した状態で、上下型1・2を型開きする、つまりは、離型フィルム4を上型面3に被覆されて固定された上型1から下型2(摺動部材21を含む)が下方向にプレス手段にて可動することにより型開きすることになる。
また、図7に示すように、下型2に装設された摺動部材21をキャビティ形成位置Aから樹脂供給位置Bまでクランプ手段にて硬化した樹脂成形体12の底面と離型するタイミングは、樹脂成形済基板15が完成してから図8における金型外部へ樹脂成形済基板15を取出すまでの間に、適宜に実施すればよい。
また、硬化した樹脂成形体12の底面が摺動部材21の天面より離型しているから、凹所20に供給セットされている樹脂成形済基板15を凹所20のほぼ直上部に容易に取出すことができる。
このとき、気体圧送吸引機構の圧送機能から吸引機能に変換してフィルム吸引機構と同様に、離型フィルム4を上型面3に吸引して被覆するように構成されている。
【0026】
次に、図8に示すように、上下型1・2を型開きした状態で、凹所20のぼぼ直上部にある樹脂成形済基板15を金型外部へ取出すと共に、上型面に被覆されていた離型フィルム4を気体吸引圧送機構とフィルム吸引機構の吸引機能を停止させて下動させて所定の張力にて張架させて水平状態で待機させる。
【0027】
次に、図示していないが、使用済の離型フィルム4を上下型1・2間から金型外部へ送り出されて使用前の離型フィルム4が金型内へ供給され、次に、前述した図1から図8までの圧縮成形で樹脂封止する工程を連続して実施することができる。
【0028】
即ち、電子部品である半導体チップ8を装着したリードフレーム7の半導体チップ非装着面10と離型フィルム3とを隙間なく確実に密着して、該チップ非装着面10の樹脂ばりやワイヤ不良や過剰な樹脂を使用する樹脂成形上の問題を効率良く解決することができる、電子部品の樹脂封止成形方法及び装置を提供することができる。
【0029】
なお、他の実施例として、本実施例で用いた装置を用いて、半導体チップ非装着面10と離型フィルム3とを隙間なく確実に、より一層密着できるように、供給された離型フィルム4の該チップ非装着面10側に、例えば、微粘着層を有する離型フィルム4(微粘着フィルム)を形成して実施してもよい。
ここでいう微粘着層とは、リードフレーム7における該チップ非装着面10と離型フィルム4に形成された微粘着層が、圧縮成形で樹脂封止して樹脂成形済基板5を金型外部へ取出す際に、微粘着層を該チップ非装着面10に残存しない程度、つまりは、微粘着フィルムから樹脂成形済基板5を容易に剥離することができる程度で形成することになる。
また、本実施例で用いた装置に離型フィルム4から微粘着フィルムへ変更させて圧縮成形で樹脂封止する場合、微粘着フィルムの粘着力を利用することで、図3・図4におけるリードフレーム7を凹所20に供給セットするのではなく、上型面3に緊張して被覆された微粘着フィルムにリードフレーム7の該チップ非装着面10を密着させて供給して、樹脂成形済基板15が完成して図7における上下型1・2の型開き時に、微粘着フィルムが樹脂成形済基板5の該チップ非装着面10から剥離させるか、或いは、微粘着フィルムと該チップ非装着面10とが密着した状態で金型外部へ搬送されて、金型外部に設けた微粘着フィルムを剥離する任意の剥離手段を用いて剥離するような構成で実施してもよい。
【0030】
また、他の実施例として、離型フィルム4を該チップ非装着面10に被覆させる場合に、リードフレーム7における空隙部11に離型フィルム4を食い込ませて圧縮成形で樹脂封止して完成される樹脂成形済基板5、つまりは、スタンドオフ形状の樹脂成形済基板5を成形するように実施してもよい。
【0031】
また、他の実施例として、本実施例で用いたフィルム吸引機構や気体吸引圧送機構においては、離型フィルム4が上型面3に緊張して被覆するのであれば、図例に示すようなフィルム吸引孔12と多孔性部材21・貫通孔17とを組合せた構造・方法に限定されることなく、例えば、フィルム吸引孔12のみで離型フィルム4を圧送せず吸引するだけで被覆したり、適宜に選択して実施してもよい。
【0032】
また、他の実施例として、本実施例で用いた装置を用いて、下型面19の所定位置おける凹所20を形成せずに、離型フィルム4を介して上型面3と下型面19との間で、リードフレーム7におけるフレーム外周部23を狭持するように実施してもよい。
この場合においては、本実施例で用いた装置における下型2の摺動部材21の外周囲に備えられ、且つ、リードフレーム7のフレーム外周部23に当接し、且つ、任意の弾性手段を付設された任意の狭持部材を設けることにより、リードフレーム7のフレーム外周部23を弾性支受して狭持するように実施してもよい。
【0033】
また、他の実施例として、本実施例で用いた装置における金型においては、固定上型1と可動下型2の金型構造にて説明したが、上下型1・2の両方共が可動するようにしたり、可動上型と固定下型となるように実施してもよい。
【0034】
また、他の実施例として、本実施例で用いた装置における樹脂材料は、顆粒樹脂6をキャビティ形成部5に供給するように説明したが、例えば、任意の粉状樹脂や樹脂シートを供給するように実施してもよい。
加えて、前述したような樹脂材料をキャビティ形成部5に供給する場合には、樹脂材料が加熱溶融化されて溶融樹脂13となる際に、ボイド等が発生しないように樹脂材料を供給前と供給後のいずれか一方、或いは、供給前後で任意の押圧手段にて均一に押圧した状態で実施してもよいし、或いは、少なくとも溶融樹脂13を供給するキャビティ形成部5を強制的に空気等を吸引排出してボイド等を除去する真空成形を併用して実施してもよい。
【0035】
また、本発明は、上述の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に変更・選択して採用できるものである。
【0036】
【発明の効果】
本発明によれば、電子部品である半導体チップを装着したリードフレームの半導体チップ非装着面と離型フィルムとを隙間なく確実に密着して、樹脂成形上の問題を効率良く解決する、電子部品の樹脂封止方法及び装置を提供するという、優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明に係わる樹脂封止装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、上下型の型開き状態を示す。
【図2】 図2は、図1に対応する前記装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、上型の金型面に離型フィルムを被覆して樹脂材料を供給した状態を示す。
【図3】 図3は、図1に対応する前記装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、リードフレームを供給して樹脂材料が加熱溶融化された状態を示す。
【図4】 図4は、図1に対応する前記装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、リードフレームを下型の金型面に供給セットした状態を示す。
【図5】 図5は、図1に対応する前記装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、上下型の型締め状態を示す。
【図6】 図6は、図1に対応する前記装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、上下型を型締めして摺動部材にて圧縮成形で樹脂封止する状態を示す。
【図7】 図7は、図1に対応する前記装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、上下型を型開きして樹脂成形済基板を金型から離型した状態を示す。
【図8】 図8は、図1に対応する前記装置を概略的に示す概略拡大縦断面図であって、樹脂成形済基板を取出す状態を示す。
【符号の説明】
1 上型
2 下型
3 上型面
4 離型フィルム
5 キャビティ形成部
6 顆粒樹脂(樹脂材料)
7 リードフレーム
8 半導体チップ(電子部品)
9 ワイヤ(接続電極)
10 半導体チップ非装着面
11 空隙部
12 樹脂成形体
13 溶融樹脂
14 硬化樹脂
15 樹脂成形済基板(製品)
16 多孔性部材
17 貫通孔
18 フィルム吸引孔
19 下型面
20 凹所
21 摺動部材
22 加熱ヒータ(加熱手段)
23 フレーム外周部
A キャビティ形成位置
B 樹脂供給位置
Claims (4)
- 上型と該上型に対向して配置された下型とから成る樹脂封止成形用金型を用いて、チップ状の複数個の電子部品が装着されたリードフレームが配置される下型と前記上型との間に離型フィルムを張設し、前記上型と前記下型とを型締めした状態において前記下型に設けられたキャビティ形成部における溶融樹脂に前記複数個の電子部品を浸漬し、前記溶融樹脂を硬化させることによって前記複数個の電子部品を一括して樹脂封止する電子部品の樹脂封止成形方法であって、
前記キャビティ形成部に樹脂材料を供給する工程と、
前記キャビティ形成部における前記樹脂材料を溶融させて前記溶融樹脂を形成する工程と、
前記離型フィルムが緊張した状態で前記離型フィルムによって前記上型の下面を被覆する工程と、
前記複数個の電子部品が前記キャビティ形成部に収容されるようにして前記リードフレームを前記下型の上面側に配置する工程と、
前記上型と前記下型とを型締めした状態において、前記キャビティ形成部の内底面を構成する摺動部材を上昇させることによって前記キャビティ形成部における前記溶融樹脂を上方に向かって直接加圧し、前記溶融樹脂を介して前記リードフレームを上方に向かって加圧する工程とを備えるとともに、
前記加圧する工程においては前記溶融樹脂を加圧する圧力により前記離型フィルムと前記リードフレームにおける前記複数個の電子部品が装着されていない面からなる非装着面とを隙間なく確実に密着させることを特徴とする電子部品の樹脂封止成形方法。 - 請求項1記載の電子部品の樹脂封止成形方法において、
前記加圧する工程においては前記溶融樹脂を加圧する圧力により前記リードフレームが有する空隙部に前記離型フィルムを食い込ませることを特徴とする電子部品の樹脂封止成形方法。 - 上型と該上型に対向して配置された下型とから成る樹脂封止成形用金型と、前記上型の下面を被覆する離型フィルムを供給する離型フィルム供給機構と、前記下型に設けられたキャビティ形成部と、該キャビティ形成部に樹脂材料を供給する樹脂材料供給機構と、前記キャビティ形成部において前記樹脂材料を溶融させて溶融樹脂を形成する加熱手段とを備える電子部品の樹脂封止成形装置であって、
前記キャビティ形成部の内底面を形成する摺動部材と、
チップ状の複数個の電子部品が装着されたリードフレームが配置される、前記下型の上面側に設けられた所定位置とを備えるとともに、
前記離型フィルムは緊張した状態で前記上型の下面を被覆し、
前記上型と前記下型とが型締めされた状態において前記複数個の電子部品が前記キャビティ形成部に収容されており、
前記上型と前記下型とが型締めされた状態において、前記摺動部材が上昇することによって前記キャビティ形成部における前記溶融樹脂が上方に向かって直接加圧され、前記溶融樹脂を介して前記リードフレームが上方に向かって加圧され、該加圧される圧力により前記離型フィルムと前記リードフレームにおける前記複数個の電子部品が装着されていない面からなる非装着面とが隙間なく確実に密着することを特徴とする電子部品の樹脂封止成形装置。 - 請求項3記載の電子部品の樹脂封止成形装置において、
前記リードフレームが加圧されることによって前記リードフレームが有する空隙部に前記離型フィルムが食い込むことを特徴とする電子部品の樹脂封止成形装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003021900A JP4336502B2 (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003021900A JP4336502B2 (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004230707A JP2004230707A (ja) | 2004-08-19 |
JP4336502B2 true JP4336502B2 (ja) | 2009-09-30 |
Family
ID=32951114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003021900A Expired - Lifetime JP4336502B2 (ja) | 2003-01-30 | 2003-01-30 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4336502B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100433280C (zh) * | 2004-04-30 | 2008-11-12 | 住友电木株式会社 | 树脂封装型半导体封装及其制造方法以及制造装置 |
JP2006156796A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Towa Corp | 半導体チップの樹脂封止成形方法、及び、装置 |
JP4741383B2 (ja) * | 2006-02-17 | 2011-08-03 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 電子部品の樹脂封止方法 |
JP4836661B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2011-12-14 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び樹脂封止成形用金型 |
KR100962639B1 (ko) | 2008-07-29 | 2010-06-11 | 세크론 주식회사 | 전자 부품의 몰딩 방법 및 장치 |
JP2011014586A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Asahi Engineering Kk | 半導体装置の樹脂封止方法及び半導体装置の樹脂封止装置 |
JP5468574B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2014-04-09 | Towa株式会社 | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
JP2012256925A (ja) * | 2012-08-10 | 2012-12-27 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 樹脂封止金型 |
JP5934138B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2016-06-15 | Towa株式会社 | 電子部品の圧縮樹脂封止方法及び圧縮樹脂封止装置 |
JP2013225713A (ja) * | 2013-08-08 | 2013-10-31 | Towa Corp | 光デバイスの生産方法 |
JP6525580B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2019-06-05 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形方法 |
JP6499941B2 (ja) * | 2015-07-23 | 2019-04-10 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂成形方法および樹脂成形装置 |
JP6854784B2 (ja) * | 2018-01-15 | 2021-04-07 | Towa株式会社 | 樹脂成形装置及び樹脂成形品製造方法 |
CN116666229B (zh) * | 2023-08-02 | 2024-06-07 | 碳芯微电子科技(深圳)有限公司 | 一种芯片框及其加工方法 |
-
2003
- 2003-01-30 JP JP2003021900A patent/JP4336502B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004230707A (ja) | 2004-08-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4268389B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
JP4336502B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
JP3680005B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び樹脂封止装置 | |
JP2000277551A (ja) | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 | |
JP3581814B2 (ja) | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
JP5192749B2 (ja) | 光素子の樹脂封止成形方法及び装置 | |
JP4336499B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
JP5817044B2 (ja) | 樹脂封止装置および樹脂封止方法 | |
JP4416218B2 (ja) | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
CN103545224A (zh) | 树脂模塑装置和树脂模塑方法 | |
CN109727878B (zh) | 树脂成型装置及树脂成型品的制造方法 | |
JP4484329B2 (ja) | 樹脂封止方法及び樹脂封止装置 | |
KR100392264B1 (ko) | 반도체집적회로장치의제조방법 | |
JP4052939B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 | |
JP3897565B2 (ja) | 樹脂封止装置及び樹脂封止方法 | |
KR20010087175A (ko) | 전자 부품, 전자 부품의 수지 밀봉 방법 및 장치 | |
WO2016125571A1 (ja) | 樹脂成形金型、樹脂成形方法、および成形品の製造方法 | |
JP4954012B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形用金型 | |
JP4358501B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び金型 | |
JP3581816B2 (ja) | フリップチップの樹脂注入方法 | |
JP6404734B2 (ja) | 樹脂成形方法、樹脂成形金型、および成形品の製造方法 | |
JPH08142109A (ja) | 樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法 | |
JPH05326597A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形装置と成形品の離型方法 | |
JP3572140B2 (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法 | |
JP2004119816A (ja) | 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071009 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090602 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090629 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4336502 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120703 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130703 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140703 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |