WO2005106942A1 - 樹脂封止型半導体パッケージ並びにその製造方法及び製造装置 - Google Patents

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WO2005106942A1
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resin
semiconductor package
stirring
resin composition
pot
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PCT/JP2004/016534
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Hideo Ito
Tamaya Ubukata
Yoshitaka Hirose
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Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor package and a method and apparatus for manufacturing the same.
  • the present invention relates to a resin-sealed semiconductor package and a method and apparatus for manufacturing the same.
  • it is suitably used for a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor package in which a semiconductor chip or an electronic component such as a transistor, an IC, or an LSI is sealed with a resin composition.
  • an epoxy resin encapsulating material is preliminarily shaped into a tablet shape, and a tablet 72 is charged into a pot 62 in a mold 61, and heated and melted by a pouring plunger 67. By applying pressure, it is transferred into the mold cavity 63 through the cull portion, the runner portion 64, and the gate portion 65, and the epoxy resin encapsulant is molded and cured, and at the same time, the semiconductor chip or the electronic device is molded.
  • a semiconductor package is molded by sealing the lead frame 63a on which components are mounted.
  • a sealing resin sheet made of an uncured resin is disposed on at least the active surface side of the semiconductor chip connected to the external lead structure via the bonding wire, and the sealing resin sheet is provided.
  • a method by compression molding in which a package is formed by pressing a sheet against a semiconductor chip has been proposed (for example, Patent Document 2).
  • the applied resin and resin sheet resin chips are pre-heated on a high-temperature mold at about 170 ° C for a predetermined time. Since the pressure is increased and the compression is performed, the viscosity of the resin increases due to the progress of the curing of the sealing resin. There were problems such as the necessity of storing these products.
  • Patent Document 1 JP-A-8-111465 (pages 2-9)
  • Patent Document 2 JP-A-6-275767 (pages 2-9)
  • Patent Document 3 JP-A-8-330342 (pages 2-6)
  • Patent Document 4 JP-A-9-187831 (pages 2-10) Disclosure of the invention
  • an object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor package in which the flow of wires is less likely to occur even when wires are thinned and densified.
  • the present invention eliminates the need for a conventional resin tablet, performs in-line shaping, reduces the amount of resin waste, improves productivity and enables effective use of the resin. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for manufacturing a fixed semiconductor package.
  • the present invention provides
  • [1] (1) a step of supplying a powdery or granular resin composition to a measuring pot to measure it, (2) a step of sending the resin composition from the measuring pot to a stirring pot having a heating device, (3) a step of stirring and melting the resin composition in the stirring pot by rotation of a stirring rod that also protrudes the tip force of the stirring plunger; and (4) a package for taking out the resin composition stirred and melted.
  • the resin composition shaped in the step (4) is shaped into a small and substantially similar shape within a range of 0.1-0.5 mm from the outer shape of the bottom molding surface of the lower mold cavity.
  • the area of one surface of the resin composition shaped in the step (4) is 90% or more of the area of the bottom molding surface of the lower mold cavity. 1] The method for producing a resin-encapsulated semiconductor package according to any of [4],
  • the resin-encapsulated semiconductor package obtained by the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor package according to any one of [1] to [6] is a compression plunge formed on the bottom surface. Dicing in a frame of an uneven line along the outer shape of the tip end surface of the layer.
  • a measuring device for supplying and measuring a powdery or granular resin composition to a measuring pot, and (2) a resin which feeds the resin composition from the measuring pot to a stirring pot having a heating device.
  • a supply device (3) a stirring and melting device that stirs and melts the resin composition in the stirring pot by rotation of a stirring rod that also projects a tip force of a stirring plunger, and (4) a stirring and melting resin composition.
  • a lead frame or tape substrate on which semiconductor chips or electronic components are mounted is mounted on the upper mold cavity of a molding die having a heating device.
  • a sealing device for molding and curing the resin composition by applying pressure to seal the semiconductor chip or the electronic component and the lead frame or the tape substrate into an integrated molded product; (8) the integrated molded product A manufacturing apparatus for a resin-sealed semiconductor package, comprising:
  • a resin seal manufactured by the manufacturing method or the manufacturing apparatus Semiconductor package.
  • the manufacturing method and the manufacturing apparatus of the present invention even in a semiconductor package having a thinner wire and a higher density, a wire flow is less likely to occur. It is suitable as a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a resin-sealed semiconductor package for manufacturing a semiconductor device.
  • the manufacturing method and the manufacturing apparatus of the present invention since no cull, runner and gate are required, not only can the amount of resin used and the amount of waste resin be reduced, but also the mold can be reduced. Since the resin supplied to the mold is agitated and melted, preheating inside the mold is unnecessary, shortening the curing time and improving productivity. .
  • the sealing resin supplied in the stirring step is in the form of a tablet, a resin sheet, or a resin chip, which is good in powder or granule form. Therefore, there is no need for a molding process, which is a pre-process for resin for sealing, and a complicated inventory control when using resin tablets, resin sheets, and resin chips. Practical effects such as no necessity can be obtained.
  • FIG. 1 is a plan view showing a main part of a lower die of a sealing molding apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the lower mold of FIG. 1 taken along a line X—X-ray.
  • FIG. 3 is a schematic side view illustrating a sealing molding apparatus.
  • FIG. 4 is a view on arrow A in FIG. 3.
  • FIG. 5 is a view on arrow B in FIG. 3.
  • FIG. 6 is a front view showing a main part of shaping of the sealing and forming apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the condition of the shaping resin FR, which is one step of shaping of the sealing and forming apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating, by a cross section, a shaping and resin mounting step which is one step of sealing of the sealing and molding apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is an explanatory diagram illustrating, by a cross section, a compression molding step which is one step of sealing of the sealing molding apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is an explanatory view illustrating a state in which the lower mold 1 is opened with a plane to explain the shape of the molded article formed according to FIG. 9.
  • FIG. 11 is an explanatory diagram for explaining a removal process, which is one step of sealing by the sealing molding apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a view for explaining the outer shape of the shaped resin FR of the sealing molding apparatus according to the example of the present invention and the shape of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor package.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining the outer shape of the shaped resin FR of the sealing molding apparatus according to the example of the present invention and the shape of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor package.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining the outer shape of the shaped resin FR of the sealing molding apparatus according to the example of the present invention and the shape of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor package.
  • FIG. 15 is an explanatory diagram illustrating a step of sealing by a conventional sealing molding apparatus with a cross section.
  • the resin material supply device disclosed in the patent publication discloses a measuring unit that supplies and measures resin to a measuring pot, and sends the resin material from the measuring unit to a stirring pot having a heating device.
  • the molding surface is the distal end surface 3a of the plunger 3, and the distal end surface 3a is A sealing device (compression molding device) using compression molding with a resin receiving portion 7 provided thereon is used.
  • the resin composition heated and stirred in the supply unit is further pressed into a package shape by a shaping device incorporated in a manufacturing apparatus described later, and the resin composition is received.
  • An inloader for supplying to the part 7 is provided.
  • the sealing device receives the shaped resin composition in the resin receiving portion 7 of the in-loader cap, and is then clamped to raise the compression plunger 3 to a predetermined position.
  • the object to be sealed is sealed while the resin composition is cured by heating.
  • the resin composition shaped into a package after being stirred is supplied to a sealing device (compression molding device) to perform compression molding.
  • a sealing device compression molding device
  • the method and apparatus for manufacturing a resin-sealed semiconductor package of the present invention which can be formed will be described in detail.
  • the manufacturing apparatus for a resin-sealed semiconductor package of the present invention includes a measuring unit (FIG. 4), a stirring unit (FIG. 5), and a shaping unit (FIG. 6). ), which includes a sealing molding device 20 provided with a supply device for a powdery or granular resin composition R (hereinafter, referred to as powdery resin R).
  • powdery resin R a powdery or granular resin composition
  • the measuring unit 21 shown in FIG. 4 guides the powdered resin R stored in the hopper 22 into the measuring tube 24a by rotating the screw 24, and further measures by rotating the screw 24 in the measuring tube 24a.
  • a plurality of weighing pots 25 arranged in a plurality are sequentially loaded.
  • the stirring unit 31 shown in FIG. 5 transfers the measured powdered resin R between the measuring pot 25 and a stirring pot 32 having a heating device.
  • the protruding plunger 37 is mounted and rotated to stir and melt.
  • the shaping unit 83 shown in FIG. 6 takes out the resin composition MR agitated and melted (hereinafter referred to as “melted resin MR”), puts it into the shaping mouse 80, and passes through the hydraulic press 82
  • the resin composition MR is shaped into a package by pressurizing with pressure.
  • the outer shape of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor is determined by the cavity forming portion (molding portion). 4) The side of 4 is restricted to the shape of 4b. Therefore, in the present invention, the inner surface of the shaping mouse 80 is formed to have substantially the same shape as the outer shape of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor package.
  • substantially the same shape means that the outer shape of the shaped resin composition (hereinafter referred to as “shaped resin FR”) is the outer shape of the sealing portion of the resin sealed semiconductor package ( (Sealing shape).
  • the shape of the shaped resin FR is made substantially the same as the sealing shape of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor package, so that the resin in the sealing step is reduced. Wire flow is suppressed by minimizing the flow in the plane direction.
  • the moving unit 85 shown in FIG. 8 moves the resin composition FR shaped by the in-loader incorporated in the manufacturing apparatus toward the molding die 61, and transfers the shaped resin FR to the resin receiving section 7.
  • the lower mold block 1 is exchangeably set in the lower mold 61B, and moves when the shaped resin FR reaches the resin receiving section 7 of the lower mold block 1 by the moving unit 85. By stopping the suction of the suction pad 86 attached to the unit 85, the shaped resin FR is supplied to the resin receiving section 7.
  • FIG. 1 is a plan view illustrating the lower mold cavity block 1
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG.
  • a cavity molding section (mold section) 4 as a product molding section is provided at the center of the lower mold cavity block 1.
  • a substantially central portion of the bottom surface 4a of the molded portion 4 is penetrated in a rectangular cylindrical shape, and a compression plunger 3 is fitted in the penetrated portion 5 so as to be movable up and down.
  • the distal end face 3a of the compression plunger 3 is designed to have a substantially similar shape to the outer shape of the surface Pa of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor package as a product.
  • the substantially similar shape includes the similar shape, and further includes, for example, an improved design such as providing a curvature (R) in the shape of the corner portion.
  • the compression plunger 3 can be advanced and retracted by a compression molding advance and retreat mechanism 6.
  • the advance / retreat mechanism 6 is not particularly limited. However, it is desirable that the advance / retreat mechanism 6 can accurately control the advance / retreat amount by, for example, a servomotor, an encoder, or the like.
  • “for compression molding” means the reciprocating mechanism 6 that can hold the pressure required for compression molding. If it is necessary to control the pressure, a mechanism that can control the molding pressure via a pressure detector such as a pressure sensor at any position should be provided.
  • a pressure control mechanism is publicly known.For example, a pressure detector such as a load cell is interposed between the compression plunger 3 and the advance / retreat mechanism 6, and the required pressure is maintained by the pressure detected by the pressure detector. can do.
  • the resin that receives the resin on the distal end surface 3a By retreating the position of the distal end surface 3a of the compression plunger 3 from the position of the lower surface 4a of the mold portion 4 (hereinafter, referred to as a "mating position"), the resin that receives the resin on the distal end surface 3a.
  • the receiving part 7 can be formed.
  • the compression plunger 3 is retracted to form a resin receiving portion 7 on the distal end surface 3a, where the shaped resin FR that has been stirred and melted to give a shape is formed. Supplied.
  • the measuring step is a step of supplying the powdered resin R supplied to the hopper 22 to the measuring pot 25 by the measuring unit 21.
  • the powdered resin R supplied to the hopper 22 from the resin composition supply port 22a is supplied to the screw 24 rotating by the operation of the measuring motor 23 in the hopper 22.
  • the breaking pin 22c suspended from the rotating disk 22b which is also rotating around it is broken without forming a bridge, is easily supplied into the screw 24, is sufficiently supplied, and is supplied in a fixed amount.
  • the screw 24 is rotated in the measuring tube 24a at a predetermined number of revolutions so that a predetermined amount of the powdery resin R is measured and charged into the measuring pot 25 of the pot section 25A from the measuring section 21A. .
  • the measuring section 21A moves within the frame 29 on the upper surface 25a of each measuring pot.
  • the powdered resin R is loaded into all the measuring pots 25 (see FIGS. 3 and 4).
  • the measuring method and the measuring device of the powdered resin R are not particularly limited to the method and the device using the measuring unit 21 described above, but are capable of measuring the powdered resin R to each measuring pot 25 with predetermined accuracy. Anything can be used.
  • a quantitative feeder such as a generally used measuring feeder or spiral feeder can be used.
  • the resin transporting step is a step of feeding the powdered resin R from the measuring pot 25 to a stirring pot having a heating device.
  • the pot moving cylinder 28 is operated to operate the pot section 25A. Is moved, and the pot moving motor 33 is operated to move the stirring pot 32 so as to reach it. Then, the shutter cylinder 26a is opened by operating the opening / closing cylinder 26 below the measuring pot 25, and the powdered resin R measured from the measuring pot 25 to the stirring pot 32 is transferred. Subsequently, the pot moving motor 33 is moved back to the original position, and the stirring pot 32 is positioned below the plunger 37.
  • the stirring and melting step is a step of melting the powdered resin R in the stirring pot and removing the molten resin MR by rotating a stirring rod protruding from the tip of the stirring plunger.
  • the stirrer cylinder 36a shown in FIG. 3 is operated to cause the stirrer rod 37a to protrude from the tip of the plunger 37 as shown in FIG.
  • the motor 38 is operated to rotate the plunger 37 via the gears 38b mounted on the respective plungers 37 to stir and melt the powdered resin R in the stirring pot 32 having the heating device.
  • the stirring unit 31 drives the timing belt 54 by quickly driving the moving motor 52 fixed to the rail 56 of the moving unit 51 via the stay 58 while stirring, and drives the rails 56, 57.
  • the upper part is moved to the position where the limit switch 56a operates.
  • the stirring rod cylinder 36a is operated to raise the movable plate 44, and the stirring rod 37a is drawn into the cylinder 37 to be buried.
  • the motor 45 for vertical movement is operated to rotate the ball screw 42 via a pulley 45 a ′ belt 45 b mounted on the shaft, and the ball screw nut 43 is moved downward by a lower connecting plate 36.
  • Each plunger 37 is lowered at a stroke, and the molten resin MR stirred and melted in the stirring pot 32 is taken out.
  • the temperature of the stirring pot having a heating device is set to 80. It is preferred that the temperature be in the range of ° C to 120 ° C. Although it depends on the type and characteristics of the sealing resin used, it is preferably in the range of 90 ° C to 110 ° C.
  • the temperature of the stirring pot is 80 ° C or less, the powdery or granular resin does not sufficiently melt and the insoluble resin falls, and a force that cannot obtain a predetermined weight is applied. Another problem is that the curing time cannot be shortened because the resin temperature is low. In addition, problems such as a large number of voids occur in the obtained sealing molded article.
  • the temperature of the stirring pot is 120 ° C.
  • the stirring and melting time is preferably in the range of 10 seconds to 50 seconds. Forces Related to Stir Pot Temperature
  • the preferred stir melting time is in the range of 20 seconds to 40 seconds.
  • the stirring and melting time is shorter than 10 seconds, the powdered resin R does not melt sufficiently, and therefore, it is necessary to increase the rotation torque of the stirring rod during stirring. For this reason, it is necessary to increase the capacity of the stirring motor, and as a result, there is a disadvantage that the entire apparatus cannot be compacted. In addition, the same problems occur in terms of productivity and quality as when the stirring pot temperature is low.
  • the stirring and melting time is longer than 50 seconds, the stirring and melting state is good and the curing time can be shortened, but the thermal stability of the molten resin deteriorates, the curing is accelerated, and the gelation proceeds. There is. As a result, the quality and continuous productivity will be impaired, such as defective filling of the sealing molded body, frequent occurrence of voids, and wire flow.
  • the shaping process is a process in which the molten resin MR is taken out, pressed into a package shape, and shaped to form a shaped resin.
  • the molten resin MR stirred and melted in the stirring pot 32 is taken out, and as shown in FIGS. 6 and 7, is put into a receiving tray 84 having a shaping mouse 80 and a heating device.
  • the molten resin MR is shaped into a semiconductor package while being pressurized via the kine 81 connected to the resin 82 to form a shaped resin FR.
  • the temperature of the pedestal having the heating device when shaping under pressure is in the range of 50 ° C. to 100 ° C. Force that varies depending on the type and properties of the sealing resin used is preferably in the range of 60 ° C to 90 ° C.
  • the pressing force is preferably in the range of 9.8KN-39.2KN. Forces that vary depending on the type, properties, or shaping temperature of the sealing resin used.
  • the preferred shaping pressure is in the range of 19.6KN-29.4KN. In the case of ordinary powdery or granular resin, it is generally difficult to perform shaping when the shaping pressure is within such a range, but in the present invention, the shaping is already performed in the stirring pot 32. Since the molten molten resin MR is directly received in the shaping process, shaping can be performed with such a low shaping pressure.
  • the shaping pressure when the shaping pressure is lower than the lower limit, it is difficult to shape the package into a shape, and a large unfilled state may occur particularly at a corner.
  • Increasing the shaping temperature enables shaping into a package shape, but raising the shaping temperature causes the above-mentioned problems.
  • the shaping pressure exceeds the upper limit value, the pressurizing pressure of the hydraulic press needs to be increased, which is a hindrance factor for compactness.
  • the package shape means the sealing shape of the sealing portion of the resin-sealed semiconductor package which is regulated by the shape of the cavity forming portion (mold portion) 4.
  • the outer shape of the shaped resin FR is the same as that of the resin-sealed semiconductor. It is preferable that the sealing shape of the sealing portion of the cage is substantially the same as the sealing shape.
  • the outer shape of the shaped resin FR needs to be designed so that the outer shape force of the tip surface 3a of the molded plunger is slightly smaller in consideration of the attachment to the resin receiving portion 7, for example.
  • substantially the same as the package shape in the present invention means, for example, substantially similar to that of the resin-sealed semiconductor package, in which the outer shape force of the sealing portion of the sealing portion is small within the range of 0.1 to 0.5 mm.
  • the area of one surface of the shaped resin FR is 90% or more with respect to the area of the surface 3 of the sealing portion and the shape designed resin.
  • the frame mounting step is a step of mounting an object to be sealed such as a lead frame or a tape substrate F on which a semiconductor chip H (or an electronic component) is mounted to an upper cavity of a molding die having a heating device. is there.
  • the upper die is loaded via an in-loader (not shown) that carries out 'alignment' unloading of the tape substrate F (or lead frame) on which the semiconductor chip H (or electronic component) is mounted.
  • the means for holding the tape substrate F (or the lead frame 63a) at this time is not particularly limited, and for example, vacuum suction or a mechanical set (not shown) can be used.
  • the shaping resin mounting process is a process of mounting the shaping resin FR on the compression plunger in the lower mold cavity.
  • the suction pad 86 attached to the moving unit 85 is operated to mount the shaped resin FR in the resin receiving portion 7.
  • the compression plunger is pressurized and the molding resin FR is molded and hardened to form semiconductor chips or electronic components and tape substrates or leads. This is a step of sealing and integrally molding the frame.
  • the mold is closed by a mold clamping mechanism that lifts and lowers at least one of the upper mold cavity block 2 and the lower mold cavity block 1 and then moves the advance / retreat mechanism 6 as shown in FIG.
  • the compression plunging is performed while being driven to raise (advance) the tip end surface 3a of the molding plunger 3 to the mold matching position (molding surface).
  • the shaped resin FR put into the resin receiving section 7 is appropriately preheated immediately after being shaped under heating and pressurizing. Optimum fluidity for sealing can be obtained immediately after charging.
  • a semiconductor chip H is held on one side of a tape substrate F, and force sealing using a CSP bonded to a gold wire W is used. Since the semiconductor chip H to be sealed is sealed from below, the flow distance of the molten resin flowing in the sealing member including the gold wire W can be shortened. In addition, since the shaped resin FR is shaped into a package, the flow rate at which the shaped resin FR is melted and flows can be reduced, and the gold wire W becomes thinner and finer. In this case, the wire flow can be reduced.
  • the molding surface 3 of the obtained semiconductor package (product) P (see FIG. 11) formed by the compression plunger 3 is provided with the molding resin FR.
  • An uneven mark 3alT is formed along the shape of the distal end face 3a of the compression plunger 3 that moves up and down due to the weight of the weight.
  • the outer shape of the distal end surface 3a of the compression plunger 3 is within a range of 0.1 mm to 0.5 mm from the outer shape of the bottom surface 4a of the cavity portion 4. If the weight variation of this uneven mark 3ab and the loaded molding resin FR is properly controlled within the range of ⁇ 0.lg, for example, It has no effect on product performance.
  • the removal process is a process in which the semiconductor package, which is an integrally molded product, is removed from the mold.
  • the upper and lower molds 61 are opened by the mold clamping mechanism after curing is completed, and the sealed molded product is formed by an arbitrary method.
  • Take out the product P (see Fig. 11).
  • a force using a suction device such as a suction pad or the like may be taken out using a protrusion pin or a protrusion plate.
  • the product P can be taken out by lowering (retreating) the compression plunger 3 by the advance / retreat mechanism 6. As a result, the product P can be taken out even if there is no ejection device such as a protruding pin for taking out the product in the lower die cavity block 1.
  • the obtained product P is appropriately carried out and accumulated by an unloader or the like, and sent out to the next step.
  • burrs and dirt on the divided surfaces of the mold are cleaned by a cleaner or the like, and the process proceeds to preparation for the next molding cycle.
  • the semiconductor package is unlikely to cause a wire flow even when the gold wire is thinned and the density is increased. Can be obtained.
  • the resin tablet used in multi-transfer molding is not required, and shaping can be performed in-line, reducing the amount of resin waste and improving productivity and effective use of resin. It is possible to obtain a molded product with a gate break without passing through a so-called gate break step, which separates the molded product from unnecessary resin such as runners and gate resin remaining in the runner section, such as a resin sealing body. it can.
  • a sealed molded body was molded using one place of a stirring pot of the method and apparatus for sealing molding according to the diagrams shown in FIGS.
  • As an encapsulating resin Sumitomo Bakelite Co., Ltd. epoxy resin molding material Sumicon "EME-7730" (trade name) was used.
  • the molding conditions were as follows: the temperature of the stirring pot 32 was 100 ° C., the stirring time was 30 seconds, 0 and the temperature of the shaping receiver 84 at 80 ° C, shaping pressure of 24.5KN, injection pressure of the compression plunger 3 of 9MPa, injection time of 12 seconds, curing time of 100 seconds, mold temperature of 175 Actual molding was performed at ° C.
  • the mold is a 12-chip Zl frame package for 12-chip batch molding, and is a stacked chip having a single-stage chip of 8mm x 6mm and a 2-stage chip of 3.5mm x 3.5mm.
  • the sealed molded product is measured for unfilled, external voids, internal voids, wire flow, and resin waste rate. evaluated.
  • Unfilled The presence or absence of unfilled spots on the surface was visually observed.
  • Resin waste rate The ratio of the required resin amount to the total resin amount including culls, runners, gates, etc. in the 12-chip / 1-frame knockage is shown in%.
  • the mold uses a 12 chip Zl frame batch molding (MAP) chip size package CPS, and the surface of the sealed part is 3 & 70 x 38.35 mm.
  • the chip size of each semiconductor device H is approximately 5 mm, and the bonding wire W is a high-strength gold wire with a diameter of 25 m and a length of 3.30 mm.
  • the tip surface 3a of the plunger 3 is designed to have a maximum area in which the shaped resin FR can be injected into the resin receiving portion 7.
  • the outer line 3ab of the front end face 3a is shifted from the outer line (shaped outer line) f of the shaped resin FR by 0.1 + 0.lmm (0. It was designed to be large within the range of 1mm-0.2mm).
  • the distance w between the product outer shape line 4a and the shape outer shape line f of the shaped resin FR indicated by the dashed line is approximately 0.3 mm (plunger dimensions 37.80 ⁇ 37 45mm) and the radius of curvature of the four corners FRR of the shaping resin FR is designed to be approximately 2mm, so that the area of the area surrounded by the outline 4ab (the product outline 4ab 'in the figure) is The area ratio of one surface of the shaped resin FR is approximately 96.5% (actual value).
  • the similarly defined interval w was approximately 0.6 mm (plunger dimension 3 7. 70 x 37. 35mm) and the area surrounded by the outer line 4ab (the product outer line 4 & in the figure) by designing the four corners of the shaped resin FR to have a radius of curvature of approximately 10mm.
  • the area ratio of one surface of the shaped resin FR to the area of is approximately 85.2% (actual value).
  • the tip surface 3a and the shaped resin FR are designed to be circular, and the minimum width w between the product outline 4a and the shaped outline f is designed to be approximately 0.3 mm.
  • the ratio of the area of one surface of the shaped resin FR to the area of the region surrounded by the outline 4ab (product outline 4ab 'in the figure) is 76.5% (actual value).
  • the dicing line DL includes the four corners DLa and the force within the frame of the shaped outline f of the shaped resin FR.
  • the four corners DLa of the dicing line DL are The shaped resin FR protrudes from the four corners FRR of the shaped resin FR, and in FIG. 14, the shaped outline f is greatly hung on the wire W of the semiconductor package H.
  • the molding conditions were as follows: the temperature of the stirring pot 32 was 100 ° C, the stirring time was 30 seconds, the temperature of the shaping mouse 80 and the shaping receiver 84 was 80 ° C, the shaping pressure was 24.5 KN, and the compression
  • the actual molding was carried out with an injection pressure of 9MPa, an injection time of 8 seconds, a curing time of 100 seconds, and a mold temperature (the temperature of the lower mold 1 and the upper mold 2) of 175 ° C.
  • Example 2 As a result, in the same manner as in Example 1, the unfilled, external voids, internal voids, and wire flow were set for the sealed product P in the same manner as in Example 1. The measurement was performed and the results are shown in Table 2.
  • the shape force of the shaping resin FR is similar to the S package shape, In addition, since the area of the shaping resin is 90% or more of the area of the bottom molding surface of the lower mold cavity (the area of one surface of the product P), unfilled, external voids, internal voids, It is understood that the wire flow is reduced.
  • the method and apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor package of the present invention can be in-lined, and the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor package is completed in-line. Even in the case of automation, wire flow is less likely to occur and the amount of resin waste can be reduced, so high reliability is ensured when semiconductor packages become larger, thinner, and highly integrated. It is expected to be widely developed as a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a resin-encapsulated semiconductor package which can be manufactured and is suitable for the production of small quantities of other types.

Abstract

　本発明は、粉末状又は顆粒状の樹脂組成物を、加熱装置を有する攪拌ポット内で、攪拌棒を先端に突出させた攪拌用プランジャを回転させて攪拌溶融させ、攪拌溶融された樹脂を取り出しパッケージ形状に加圧して賦形樹脂を作り、賦形した樹脂を下型キャビティ内の圧縮プランジャに装着し、金型を型締めした後、圧縮プランジャを加圧して半導体パッケージを封止成形することを特徴とする。 　このような製造方法によれば、ワイヤーの細線化、高密度化がされた場合にもワイヤー流れが起こりにくい樹脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置を提供することができる。

Description

明 細 書
樹脂封止型半導体パッケージ並びにその製造方法及び製造装置 技術分野
[0001] 本発明は、榭脂封止型半導体パッケージ並びにその製造方法及び製造装置に関 するものである。例えば、トランジスターや IC、 LSIなどの半導体チップや電子部品を 榭脂組成物で封止する榭脂封止型半導体パッケージの製造方法に好適に用いられ る。
従来技術
[0002] 従来より、トランジスターや IC、 LSI等の半導体チップの封止や、その他電子部品 の封止には、エポキシ榭脂封止材料のトランスファー成形が、低コスト、高信頼性及 び生産性に適した方法として公知され、図 15のように広く利用されて 、る。
[0003] このトランスファー成形では、エポキシ榭脂封止材料をタブレット状に事前に賦形し ておき、金型 61内のポット 62にタブレット 72を投入し、加熱溶融させながら注入用プ ランジャ 67で加圧することにより、カル部、ランナー部 64、ゲート部 65の各流路を介 して、金型キヤビティ 63内に移送し、エポキシ榭脂封止材料を成形硬化させると同時 に半導体チップ又は電子部品が装着されているリードフレーム 63aを封止して半導 体パッケージを成形するのが一般的である。
[0004] し力しながら、この成形方法ではエポキシ榭脂封止材料をタブレット状に賦形して おくことが前提となるために、賦形のための別工程が必要である。成形される製品の 形状、大きさによりタブレットは種々異なるので、賦形のためのタブレット機や金型も 多く必要である。また、タブレットの輸送中の破損やタブレット表面に付着する微粉が 金型面上に飛散し、品質を損なう等の問題もある。
[0005] 更に、トランスファー成形方法ではカル部、ランナー部、ゲート部とかなりの部分が 不要な硬化榭脂として廃棄され、全体に対する封止榭脂として使用される部分の比 率である榭脂効率を向上させようとしても限界がある。また製品の大きさにより異なる 大きさのタブレットを在庫しておく必要があり、タブレットの在庫管理が煩雑になる等、 コスト面のみならず資源の有効利用と 1、う観点からも課題がある。 [0006] これに対して、上下型に分割された榭脂封止用の金型を所定の高温に保ち、金型 の内部へ熱硬化型の榭脂を塗布して溶融させ、半導体チップを搭載したリードフレ 一ム或 、は TABテープを金型の内部に固定し、金型に圧力をかけてパッケージを 形成する圧縮成形による方法が提案されている (例えば、特許文献 1)。
[0007] また、ボンディングワイヤを介して外部リード構成体に接続された半導体チップの少 なくても能動面側に未硬化樹脂からなる封止用榭脂シートを配置し、封止用榭脂シ ートを半導体チップに対して加圧してパッケージを形成する圧縮成形による方法が 提案されている（例えば、特許文献 2)。
[0008] また、半導体チップを搭載したリードフレーム或いはテープフレームを金型内に挿 入し、シート状榭脂を直接キヤビティ内に供給し、上下キヤビティの両底面が成形プ ランジャとなり加圧してパッケージを形成する圧縮成形による方法が提案されて 、る ( 例えば、特許文献 3)。
[0009] 更に、キャリアに設けられた半導体チップを、どちらか一方が開閉駆動される上下 金型に薄板状の榭脂チップを供給し加圧してパッケージを形成する圧縮成形による 方法が提案されている (例えば、特許文献 4)。
[0010] このような特許文献 1ないし 4に記載の圧縮成形による方法によれば、封止工程の 自動化、インラインィ匕が可能で、し力もノ ッケージの大型化、薄型化、高集積化に適 し、ノ^ケージの高信頼性の要求にも対応した半導体封止製造方法として利用でき ることが提案されている。
[0011] しカゝしながら、このような圧縮成形方法においては、塗布された榭脂及び榭脂シ一 トゃ榭脂チップ等は 170°C前後の高温金型上で、所定時間予備加熱されて力も圧 縮成形されるので、封止榭脂の硬化進行による粘度上昇のため、金線ワイヤーの変 形や、トランスファー成形におけるタブレット、榭脂シート及び榭脂チップを製造する ための装置及びこれら製品の保管が必要となる等の問題があった。
[0012] 特許文献 1：特開平 8— 111465号公報 (第 2— 9頁）
特許文献 2：特開平 6 - 275767号公報 (第 2— 9頁）
特許文献 3：特開平 8-330342号公報 (第 2— 6頁）
特許文献 4:特開平 9-187831号公報 (第 2— 10頁） 発明の開示
[0013] 本発明は、半導体パッケージの大型化、薄型化、高集積ィ匕に際しワイヤー流れが 発生し易ぐ高信頼性が得られ難 ヽと ヽうような問題点を解決するためになされたも ので、その目的とするところはワイヤーの細線化、高密度化がされた場合にもワイヤ 一流れが起こりにくい榭脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置を提 供することにある。
また、本発明は従来のような榭脂タブレットを不要とし、インラインで賦形を行い、榭 脂の廃棄量を減らして生産性の向上と榭脂の有効活用とを図ることができる榭脂封 止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置を提供することにある。
[0014] 本発明は、
[1] (1)粉末状又は顆粒状の榭脂組成物を計量ポットに供給して計量する工程、 (2 )前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記榭脂組成物を送り込む工程 、（3)攪拌用プランジャの先端力も突出させた攪拌棒の回転で、前記攪拌ポット内の 前記榭脂組成物を攪拌溶融させる工程、（4)攪拌溶融された前記榭脂組成物を取り 出しパッケージ形状に加圧して賦形する工程、 (5)半導体チップ又は電子部品が装 着されて!、るリードフレーム又はテープ基板を、加熱装置を有する成形金型の上型 キヤビティに装着する工程、 (6)賦形された前記榭脂組成物を前記成形金型の下型 キヤビティ内の圧縮用プランジャに装着する工程、 (7)前記成形金型を型締めした後 、前記圧縮用プランジャを加圧して前記榭脂組成物を成形硬化させることにより、前 記半導体チップ又は電子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して 一体成形物とする工程、 (8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り 出す工程を含むことを特徴とする榭脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[2]前記工程 (3)において、前記榭脂組成物を攪拌溶融させる際の加熱装置を有す る攪拌ポットの温度が 80°C— 120°Cの範囲内である第 [ 1 ]項記載の榭脂封止型半 導体パッケージの製造方法、
[3]前記工程 (3)において、前記榭脂組成物を攪拌溶融させる時間が 10秒一 50秒 の範囲内である第 [ 1 ]又は [2]項記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法、 [4]前記工程 (4)において、前記榭脂組成物を加圧して賦形する金型温度が 50°C 一 100°Cの範囲内であり、加圧力（賦形圧力）が 9. 8KN— 39. 2KNの範囲内であ る第 [ 1 ]ないし [3]項の 、ずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法
[5]前記工程 (4)において賦形される榭脂組成物は、下型キヤビティの底成形面の 外形形状から、 0. 1-0. 5mmの範囲内で小さく実質的に相似形状に賦形すること を特徴とする第 [ 1 ]な!、し [4]項の 、ずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージ の製造方法、
[6]前記工程 (4)において賦形される榭脂組成物の一面の面積は、前記下型キヤビ ティの底成形面の面積に対して、 90%以上であることを特徴とする第 [1]ないし [4] 項のいずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[7]第 [ 1 ]一 [6]項の 、ずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法 により得られた榭脂封止型半導体パッケージは、底面に形成された圧縮用プランジ ヤーの先端面の外形形状に沿った凹凸線の枠内でダイシングすることを特徴とする 榭脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[8] (1)粉末状又は顆粒状の榭脂組成物を計量ポットに供給して計量する計量装置 、 (2)前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記榭脂組成物を送り込む 樹脂供給装置、（3)攪拌用プランジャの先端力も突出させた攪拌棒の回転で、前記 攪拌ポット内の前記樹脂組成物を攪拌溶融させる攪拌溶融装置、（4)攪拌溶融され た前記榭脂組成物を取り出しパッケージ形状に加圧して賦形する賦形装置、 (5)半 導体チップ又は電子部品が装着されているリードフレーム又はテープ基板を、加熱 装置を有する成形金型の上型キヤビティに装着する被封止体装着装置、 (6)賦形さ れた前記榭脂組成物を前記成形金型の下型キヤビティ内の圧縮用プランジャに装着 する封止榭脂装着装置、（7)前記成形金型を型締めした後、前記圧縮用プランジャ を加圧して前記榭脂組成物を成形硬化させることにより、前記半導体チップ又は電 子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して一体成形物とする封止 装置、（8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す取出装置を 有することを特徴とする榭脂封止型半導体パッケージの製造装置、
[9]前記製造方法又は前記製造装置により製造されてなることを特徴とする榭脂封 止型半導体パッケージ、である。
[0015] 本発明の製造方法及び製造装置によれば、ワイヤーの細線化、高密度化された半 導体パッケージでもワイヤー流れが起こりにくいので、大型化、薄型化、高集積化さ れた半導体パッケージを製造するための榭脂封止型半導体パッケージの製造方法 及び製造装置として好適である。
[0016] また、本発明の製造方法及び製造装置によれば、カル、ランナー及びゲートが不 要となるため、榭脂使用量の削減や廃棄樹脂の削減が可能となるのみならず、金型 のコンパ外化も可能となり、金型に供給される榭脂は攪拌溶融されているので、金 型内での予備加熱が不要となり、硬化時間の短縮や生産性の向上を図ることができ る。
[0017] また、本発明の製造方法及び製造装置によれば、攪拌工程に供給される封止用榭 脂は、粉末状又は顆粒状で良ぐタブレット状、榭脂シート状、榭脂チップ状である必 要がないので、封止用榭脂の前工程である成形工程が不要であり、また、榭脂タブレ ット、榭脂シート、榭脂チップを使用する場合の煩雑な在庫管理の必要がない等の 実用的な効果を得ることができる。
図面の簡単な説明
[0018] [図 1]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の下型の要部を示す平面図である。
[図 2]図 1の下型の X— X線で切断した場合の断面図である。
[図 3]封止成形装置の側面概略説明図である。
[図 4]図 3の A矢視図である。
[図 5]図 3の B矢視図である。
[図 6]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の賦形の要部を示す正面図である。
[図 7]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の賦形の一工程である賦形榭脂 FR の状況を説明する説明図である。
[図 8]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の封止の一工程である賦形榭脂装 着工程を断面により説明する説明図である。
[図 9]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の封止の一工程である圧縮成形ェ 程を断面により説明する説明図である。 [図 10]図 9により成形された成形品の形状を説明するための下型 1を型開きした状態 を平面により説明する説明図である。
[図 11]本発明の実施の形態に係る封止成形装置による封止の一工程である取出ェ 程を説明する説明図である。
[図 12]本発明の実施例に係る封止成形装置の賦形榭脂 FRの外形形状と榭脂封止 型半導体パッケージの封止部の形状を対比説明する図である。
[図 13]本発明の実施例に係る封止成形装置の賦形榭脂 FRの外形形状と榭脂封止 型半導体パッケージの封止部の形状を対比説明する図である。
[図 14]本発明の実施例に係る封止成形装置の賦形榭脂 FRの外形形状と榭脂封止 型半導体パッケージの封止部の形状を対比説明する図である。
[図 15]従来の封止成形装置による封止の工程を断面により説明する説明図である。 発明を実施するための最良の形態
[0019] 以下、本発明を実施するための具体的な形態について図面を参照しながら説明す る。尚、従来技術で説明した装置と同一乃至均等な部位部材については、同一符号 を付して説明する。
本発明において、従来のトランスファ成形方法やシート状の榭脂を投入する圧縮成 形方法に比較してワイヤー流れの発生し難い成形方法及び成形装置の好適な一例 は、例えば、特開 2001— 341155号公報に詳細に述べられている「榭脂材料の供給 装置及び方法」の発明を応用することができる。
[0020] 上記特許公開公報に示された榭脂材料の供給装置は、榭脂を計量ポットに供給し て計量する計量ユニット、該計量ユニットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記榭 脂材料を送り込む送給装置と、攪拌用プランジャの先端力 突出させた攪拌棒の回 転で、攪拌ポット内の樹脂材料を攪拌溶融させる攪拌溶融装置と、攪拌溶融された 榭脂材料を成形金型の金型ポットに向けて押し出し供給を可能とした供給ユニットと 、力 構成されている。
[0021] ここで、本発明においては、上記の成形金型の金型ポットに代えて、図 1,図 2に示 すように、成形面をプランジャ 3の先端面 3aとし、先端面 3aの上に榭脂受入部 7を設 けた圧縮成形を利用した封止装置 (圧縮成形装置)が用いられる。 また、本発明においては、前記供給ユニットにおいて加熱攪拌された榭脂組成物 は、更に後述する製造装置内に組み込まれた賦形装置でパッケージ形状に加圧し て賦形された状態で榭脂受入部 7に供給するインローダを備えて 、る。封止装置 (圧 縮成形装置）は、この賦形された榭脂組成物をインローダカゝら榭脂受入部 7に受け入 れた後、型締めされ、圧縮用プランジャ 3を所定位置まで上昇させることにより榭脂組 成物が加熱硬化される間に被封止体が封止される。このような榭脂封止型半導体パ ッケージの製造方法及び製造装置によれば、従来方法であるトランスファ成形方法 やシート状、或いは榭脂チップを投入する圧縮成形方法に比較してワイヤー流れの 発生し難!、と 、う効果を得ることができる。
[0022] 以下、上記の榭脂材料の供給装置及び方法装置において、攪拌された後にパッケ ージ形状に賦形された榭脂組成物を封止装置 (圧縮成形装置）に供給して圧縮成 形できるようにした本発明の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置 について詳細に説明する。
[0023] 本発明の榭脂封止型半導体パッケージの製造装置は、図 3—図 6に示すように、計 量ユニット（図 4)、攪拌ユニット（図 5)、及び賦形ユニット（図 6)から大略構成される、 粉末状又は顆粒状の榭脂組成物 R (以下、粉末状榭脂 Rという。）の供給装置を備え た封止成形装置 20を含むものである。
図 4に示す計量ユニット 21は、ホッパ 22に貯留された粉末状榭脂 Rをスクリュ 24を 回転させることにより計量管 24a内に導き、更にこの計量管 24a内でのスクリュ 24の 回転により計量して、複数個並べられた計量ポット 25内にそれぞれ順次装填させるも のである。
図 5に示す攪拌ユニット 31は、計量された粉末状榭脂 Rを、計量ポット 25と加熱装 置を有する攪拌ポット 32との間で授受させ、この攪拌ポット 32に、攪拌棒 37aを先端 力も突出させたプランジャ 37を装着させ回転させて、攪拌溶融させるものである。 図 6に示す賦形ユニット 83は、攪拌溶融された榭脂組成物 MR (以下、溶融榭脂 M Rという。）を取り出して賦形用ウス 80内に投入し、キネ 81を介して油圧プレス 82でカロ 圧して榭脂組成物 MRをパッケージ形状に賦形するものである。
ここで、榭脂封止型半導体の封止部の外形形状は、キヤビティ成形部 (モールド部 ) 4の側面 4bの形状に規制されている。そこで、本発明においては、賦形用ウス 80の 内側面は、榭脂封止型半導体パッケージの封止部の外形形状と実質的に同一形状 に形成されている。ここで、実質的に同一形状とは、賦形された榭脂組成物（以下、 賦形榭脂 FRという。）の外形形状が、榭脂封止型半導体パッケージの封止部の外形 形状 (封止形状)と実質的に同一形状であることを意味して 、る。本発明にお 、ては 、賦形榭脂 FRの形状を榭脂封止型半導体パッケージの封止部の封止形状と実質 的に同一形状とすることにより、封止工程での榭脂の流れが平面方向へ流れることを 極力抑えることにより、ワイヤー流れを抑制している。
図 8に示す移動ユニット 85は、製造装置内に組み込まれたインローダで賦形された 榭脂組成物 FRを成形金型 61に向けて移動させ、賦形榭脂 FRを榭脂受入部 7に供 給する。下型 61Bには下型キヤビティブロック 1が交換可能にセットされ、この下型キ ャビティブロック 1の榭脂受入部 7の上に移動ユニット 85により賦形榭脂 FRが到達し た時点で、移動ユニット 85に装着した吸着パッド 86の吸着を停止させることにより、 賦形榭脂 FRは榭脂受入部 7に供給される。
[0024] ここで、図 1は、下型キヤビティブロック 1を説明する平面図であり、図 2は図 1の X— X線で切断した際の断面図である。これらの図において、下型キヤビティブロック 1の 中央に製品成形部としてのキヤビティ成形部（モールド部) 4が設けられて 、る。この モールド部 4の底面 4aの略中央部は四角形筒状に貫通され、その貫通部 5には上 下に移動可能に嵌合する圧縮用プランジャ 3が装填されている。
ここで、この圧縮用プランジャ 3の先端面 3aは、製品としての榭脂封止型半導体パ ッケージの封止部の表面 Paの外形形状に実質的に相似形状になるように設計され ている。ここで、実質的に相似形状とは、相似形状を含み、さらに、例えば、コーナー 部の形状に曲率 (アール)を設けるなどの改良設計を含んでいる。これにより、圧縮プ ランジャ 3の先端面 3aが底面 4aと同一高さであるとき、下型キヤビティ部はモールド 部 4と等しくなる。
[0025] この圧縮用プランジャ 3は、圧縮成形用の進退機構 6により進退可能とされている。
この進退機構 6は特に限定されないが、例えば、サーボモータ、エンコーダ等により、 その進退量が正確に制御できるものが望まし 、。 [0026] ここで、圧縮成形用とは、圧縮成形に必要な圧力を保持できる進退機構 6という意 味である。圧力を制御する必要がある場合には、任意の位置に圧力センサーなどの 圧力検出器を介して成形圧を制御できる機構を設ければょ 、。このような圧力制御 機構は公知であり、例えば、圧縮用プランジャ 3と進退機構 6との間にロードセルなど の圧力検出器を介在させて圧力検出器により検出された圧力により必要な圧力を保 持することができる。
[0027] 圧縮用プランジャ 3の先端面 3aの位置をモールド部 4の下面 4aの位置（以下、型合 わせ位置という。）から後退させることにより、この先端面 3a上に榭脂を受け入れる榭 脂受入部 7を形成することができる。例えば、この図 2では、圧縮用プランジャ 3は後 退されて先端面 3aの上に榭脂受入部 7が形成されていて、ここに攪拌溶融されて形 が賦与された賦形榭脂 FRが供給される。
[0028] (1)計量工程
計量工程とは、計量ユニット 21により、ホッパ 22に供給された粉末状榭脂 Rを計量 ポット 25に供給する工程である。
この工程では、図 4に示すように、榭脂組成物供給口 22aからホッパ 22に供給され た粉末状榭脂 Rは、ホッパ 22内で計量用モータ 23の作動で回転しているスクリュ 24 の周囲で同様に回転している回転ディスク 22bから吊るされた崩しピン 22cによって、 ブリッジを形成することなく崩され、スクリュ 24に嚙み込み易く十分に供給され定量供 給される。このスクリュ 24が計量管 24aの中で、所定の回転数で回転することにより粉 末状榭脂 Rの所定量が計量されつつ、計量部 21Aからポット部 25Aの計量ポット 25 内に装填される。
送り用モータ 27の作動で、計量部 21Aは枠体 29内を各計量ポット上端面 25a上を 移動する。これにより、全ての計量ポット 25に粉末状榭脂 Rが装填される（図 3、図 4 参照)。
本発明にお！ヽて粉末状榭脂 Rの計量方法及び計量装置は上述の計量ユニット 21 を用いる方法及び装置に特に限定されずに、各計量ポット 25へ所定の精度で粉末 状榭脂 Rを計量できるものであれば何でも使用できる。例えば、一般的に用いられて いる計量フィーダやスパイラルフィーダなどの定量供給機も利用することができる。 [0029] (2)榭脂搬送工程
榭脂搬送工程とは、計量ポット 25から加熱装置を有する攪拌ポットに粉末状榭脂 R を送り込む工程である。
この工程では、図 3及び一図 5に示すように、上述の計量工程において各計量ポッ ト 25に粉末状榭脂 Rが装填されると、ポット移動用シリンダ 28を作動させてポット部 2 5Aを移動させると共に、ポット移動用モータ 33を作動させて攪拌ポット 32を迎えるよ うに移動させる。ついで、計量ポット 25の下部で開閉用シリンダ 26を作動させてシャ ッタ板 26aを開き、計量ポット 25から攪拌ポット 32へと計量された粉末状榭脂 Rを授 受する。つづけて、ポット移動用モータ 33を元の位置まで戻るように移動させて、攪 拌ポット 32をプランジャ 37下に位置させる。
[0030] (3)攪拌溶融工程
攪拌溶融工程とは、攪拌プランジャの先端カゝら突出させた攪拌棒の回転で、攪拌 ポット内の粉末状榭脂 Rを溶融させて溶融榭脂 MRを取り出す工程である。
この工程では、図 3に示す攪拌棒用シリンダ 36aを作動させて、図 5に示すように、 攪拌棒 37aをプランジャ 37の先端より突出させ、つづけて、ギア 38aを軸着させた攪 拌用モータ 38を作動させ、各プランジャ 37に軸着させた各ギア 38bを介して、プラン ジャ 37を回転させて加熱装置を有する攪拌ポット 32内の粉末状榭脂 Rを攪拌して溶 融させる。
[0031] 攪拌ユニット 31は、攪拌しながら、迅速に移動ユニット 51のレール 56にスティ 58を 介して固定された移動用モータ 52を作動させて、タイミングベルト 54を駆動してレー ル 56、 57上をリミットスィッチ 56aが作動する位置まで移動される。
[0032] 攪拌溶融が終了すると、攪拌棒用シリンダ 36aを作動させて、可動板 44を上昇させ 攪拌棒 37aをシリンダ 37内に引き込んで埋没させる。
[0033] そして、上下動用モータ 45を作動させて、軸着されているプーリ 45a'ベルト 45bを 介して、ボールネジ 42を回転させ下動するボールネジナット 43に、下連結板 36で装 着されている各プランジャ 37を一気に下降させて、攪拌ポット 32内で攪拌溶融され た溶融榭脂 MRを取り出す。
[0034] ここで、本発明に係る攪拌溶融工程では、加熱装置を有する攪拌ポット温度が 80 °C一 120°Cの範囲内であることが好ましい。使用される封止榭脂の種類、特性により 異なるが、好ましくは 90°C— 110°Cの範囲内である。攪拌ポットの温度が 80°C以下 の場合には、粉末状或いは顆粒状の樹脂が十分に溶融せずに溶け切れな ヽ榭脂が 落下して所定量の重量が得られな力つたり、また、榭脂温度が低いので硬化時間の 短縮が図れないという課題がある。さらに、これらに起因して得られた封止成形体中 に、ボイドが多いなどの問題が発生する。一方、攪拌ポットの温度が 120°C以上の場 合には、温度が高すぎて硬化が促進されて榭脂のゲル化が進み、高粘度、低流動と なり熱安定性が悪くなる。これにより封止成形体中に榭脂の充填不良ゃボイドの多発 、ワイヤー変形及びワイヤー断線等の品質問題や連続成形性に支障をきたすことに なる。
[0035] また、本発明に係る攪拌溶融工程では、攪拌溶融時間が 10秒一 50秒の範囲内で あることが好ましい。攪拌ポット温度との関連もある力 好ましい攪拌溶融時間は 20 秒一 40秒の範囲内である。
攪拌溶融時間が 10秒よりも短い時間では、粉末状榭脂 Rが十分に溶融せず、従つ て、攪拌時の攪拌棒回転トルクを高くすることが必要となる。このために攪拌用のモ ータ容量を大きくする必要が生じて、結果として装置全体のコンパクトィ匕ができな 、と いう欠点が発生する。さらに、生産性、品質面でも攪拌ポット温度の低い場合と同様 の問題が発生する。一方、攪拌溶融時間が 50秒よりも長い時間では、攪拌溶融状態 は良好であり、硬化時間の短縮も図れるが、溶融樹脂の熱安定性が悪くなり、硬化が 促進されてゲル化が進むことがある。これにより、封止成形体の充填不良ゃボイドの 多発、ワイヤー流れ等、品質、連続生産性に支障をきたすこととなる。
[0036] (4)賦形工程
賦形工程とは、溶融榭脂 MRを取り出しパッケージ形状に加圧して賦形して賦形榭 脂とする工程である。
この工程では、攪拌ポット 32内で攪拌溶融された溶融榭脂 MRを取り出し、図 6、図 7に示すように、賦形用ウス 80及び加熱装置を有する受台 84内に投入させ、油圧プ レス 82に連結されたキネ 81を介して加圧しながら溶融樹脂 MRを半導体パッケージ 形状に賦形して賦形榭脂 FRとする。 [0037] ここで、本発明に係る賦形工程では、加圧して賦形する際の加熱装置を有する受 台の温度が 50°C— 100°Cの範囲内であることが好ましい。使用される封止榭脂の種 類、特性により異なる力 好ましくは 60°C— 90°Cの範囲内である。通常のタブレット や粉末状、顆粒状の榭脂組成物であれば、このような温度範囲では軟化して賦形し 難 ヽが、攪拌ポット 32内で既に攪拌溶融された溶融榭脂組成物 MRであるために賦 形が可能となっている。賦形温度がこの範囲を超えて低くなると、後述する加圧力と の関係もあるが、賦形榭脂 FRに厚み斑、密度斑などが生じたりしてパッケージ形状 に賦形ができなくなる。これにより、後述する圧縮成形する際に均等圧縮できず部分 的にワイヤー流れが発生したり、ボイドが多いなどの問題が発生する。一方、賦形温 度がこの範囲を超えて高くなると、キネ 81、賦形用ウス 80、受台 84の隙間にバリが発 生し、所定重量の賦形榭脂 FRを得ることができなくなる場合が発生する。また、場合 によっては、キネ 81ゃ受台 84への樹脂の付着が激しぐ賦形榭脂 FRが剥離できな い、清掃が困難等、連続成形性に支障をきたすという課題が発生する場合がある。
[0038] また、本発明に係る賦形工程では、加圧力（賦形圧力）が 9. 8KN— 39. 2KNの 範囲内であることが好ましい。使用される封止榭脂の種類、特性、或いは賦形温度に より異なる力 好ましい賦形圧力は 19. 6KN— 29. 4KNの範囲内である。通常の粉 末状、顆粒状の榭脂であれば、賦形圧力がこのような範囲内では一般的に賦形する ことが困難であるが、本発明においては、攪拌ポット 32内で既に攪拌溶融された溶 融榭脂 MRを賦形工程で直接受け入れて 、るために、このような低 、賦形圧力で賦 形が可能となっている。
ここで、賦形圧力が下限値を下回る場合では、パッケージ形状に賦形することが困 難になり、特にコーナー部に大幅な未充填状態が発生する場合がある。賦形温度を 上昇させることによりパッケージ形状への賦形は可能となるが、賦形温度を高めること は上述の問題を発生させる。一方、賦形圧力が上限値を越える場合には、油圧プレ スの加圧力アップが必要となりコンパクトィ匕の阻害要因となる。
ここで、本発明においてパッケージ形状とは、キヤビティ成形部（モールド部) 4の形 状により規制される榭脂封止型半導体パッケージの封止部の封止形状を意味してい る。そして、本発明においては、賦形榭脂 FRの外形形状が、この榭脂封止型半導体 ノ^ケージの封止部の封止形状と実質的に同一形状であることが好ましい。
ここで、この賦形榭脂 FRは、榭脂受入部 7への装着が可能である必要がある。そこ で、実際には、この賦形榭脂 FRの外形形状は、この榭脂受入部 7への装着を考慮し て、例えば、成形プランジャの先端面 3aの外形形状力も僅かに小さく設計する必要 がある。これにより、本発明におけるパッケージ形状と実質的に同一とは、例えば、榭 脂封止型半導体パッケージの封止部の外形形状力 0. 1-0. 5mmの範囲内で小 さぐ実質的に相似形状に設計されたもの、及び封止部の表面 3 の面積に対して 賦形榭脂 FRの一面の面積が 90%以上であることが好ましい。
[0039] (5)フレーム装着工程
フレーム装着工程とは、半導体チップ H (又は電子部品）が装着されているリードフ レーム又はテープ基板 Fなどの被封止体を、加熱装置を有する成形金型の上型キヤ ビティに装着する工程である。
この工程では、図 8に示すように、半導体チップ H (又は電子部品）が装着されてい るテープ基板 F (又はリードフレーム）の集積 '整列'搬出を行うインローダ (不図示）を 介して上型 61 Aに装着された上型キヤビティブロック 2の表面上に被封止体としての テープ基板 Fを装着する。この際のテープ基板 F (又はリードフレーム 63a)の保持手 段は特には限定されずに、例えば、不図示の真空吸引やメカニカルセット等を利用 することができる。
[0040] (6)賦形榭脂装着工程
賦形榭脂装着工程とは、賦形榭脂 FRを下型キヤビティ内の圧縮用プランジャに装 着する工程である。
この工程では、図 8に示すように、賦形榭脂 FRを成形金型 61に向けて移動させる 移動ユニット 85と、下型 61Bに交換可能にセットされた下型キヤビティブロック 1の榭 脂受入部 7に賦形榭脂 FRが位置した時点で、移動ユニット 85に装着した吸着パッド 86を作動させて、賦形榭脂 FRを榭脂受入部 7に装着する。
[0041] (7)圧縮工程
圧縮工程とは、金型を型締めした後、圧縮用プランジャを加圧して賦形榭脂 FRを 成形硬化させることにより、半導体チップ又は電子部品並びにテープ基板又はリード フレームを封止して一体成形する工程である。
この工程では、上型キヤビティブロック 2または下型キヤビティブロック 1の少なくとも 一方を昇降させて型締めを行う型締機構により金型を閉じた後、図 9に示すように、 進退機構 6を駆動させて成形プランジャ 3の先端面 3aを型合わせ位置 (成形面)まで 上昇 (前進)させつつ圧縮成形を行う。
本発明に係る圧縮成形によれば、榭脂受入部 7に投入される賦形榭脂 FRは、加熱 加圧下で賦形された直後で適度に予熱されているので、榭脂受入部 7に投入直後に 直ちに封止に最適な流動性を得ることができる。
[0042] ここで、この実施例では、図 8—図 11に示すように、テープ基板 Fの片面に半導体 チップ Hを保持し、金線 Wを接合した CSPが用いられている力 封止すべき半導体 チップ Hの下方から封止するので、金線 Wを含む封止部材中を流動する溶融樹脂の 流動距離が短くできる。また、これに加えて賦形榭脂 FRはパッケージ形状に賦形し てあるので、賦形榭脂 FRが溶融されて流動する流速は遅くでき、金線 Wが細線化お よびファインピッチ化された場合にもワイヤー流れを少なくできる。
[0043] なお、このような圧縮工程によれば、得られた半導体パッケージ (製品） P (図 11参 照）の圧縮用プランジャ 3によって成形された成形面 3 には、賦形榭脂 FRの重量 ノ ツキによって上下する圧縮用プランジャ 3の先端面 3aの形状に沿った凹凸マー ク 3alTが形成される。
ここで、この実施例では、図 8、図 10に示すように、圧縮用プランジャ 3の先端面 3a の外形状がキヤビティ部 4の底面 4aの外形状から 0. 1mm— 0. 5mmの範囲内で僅 力に小さく設計されているので、この凹凸マーク 3ab ま、装填される賦形榭脂 FRの 重量バラツキが、例えば、 ±0. lg程度の範囲内で適正に制御されていれば、実質 的に製品の性能に対して影響を与えることはない。
また、特に CSP、 BGAの一括成形 (通称 MAP)のようなパッケージでは、脱型後に 、この凹凸マーク 3ab'の枠内で個片にダイシングされるので、ダイシング後の各個片 では、これらの凹凸マーク 3ab ま反映されなくなり、実質的に製品の形状、性能に影 響を及ぼさない。
[0044] (8)取出工程 取出工程とは、一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す工程である この工程では、硬化が終了後に型締機構により上下金型 61を開放して、任意の手 法により封止成形体としての製品 Pを取り出す（図 11参照)。製品 Pを取り出すには、 例えば吸着パッドなどの吸着装置を用いる力 突き出しピンや突き出しプレートを使 つて取り出してもよい。
[0045] また、図 11に示すように、進退機構 6により圧縮用プランジャ 3を下降 (後退)させて 製品 Pを取り出すこともできる。これにより、下型キヤビティブロック 1には製品取り出し 用の突き出しピンなどの取出装置が無くても製品 Pを取り出すことができる。
[0046] 得られた製品 Pは、アンローダ等により適宜、搬出 ·集積されて次工程に送り出され る。また、金型の分割面のバリ'汚れ等がクリーナなどにより清掃され、次の成形サイ クルエ程の準備に移る。
[0047] 以上説明した本発明の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置に よれば、金線の細線化、高密度化がされた場合にもワイヤー流れが起こりにくい半導 体パッケージを得ることができる。
また、マルチトランスファ成形で使用している榭脂タブレットを不要とし、インラインで 賦形を行い、榭脂の廃棄量を減らして生産性の向上と榭脂の有効活用を図ることが でき、従来の榭脂封止体のように、ランナー部等に残留したランナー、ゲート榭脂な どの不要樹脂と成形品とを分離する、いわゆるゲートブレーク工程を経ずにゲートブ レークされた成形品を得ることができる。
[0048] 以下に実施例に従い本発明の効果を説明する力 この発明は以下の実施例に制 限されるものではない。
実施例
[0049] 実施例 1
図 1一図 11に示す図に従う封止成形方法及び装置の攪拌ポット 1力所を用いて封 止成形体を成形した。封止用榭脂としては、住友ベークライト株式会社製のエポキシ 榭脂成形材料スミコン「EME-7730」（商品名）を用いた。
[0050] 成形条件としては、攪拌ポット 32の温度を 100°C、攪拌時間を 30秒、賦形用ウス 8 0及び賦形用受台 84の温度を 80°C、賦形圧力を 24. 5KN、圧縮用プランジャ 3の 射出圧力を 9MPa、射出時間を 12秒、硬化時間を 100秒、金型温度を 175°Cとして 実成形を行った。
[0051] 金型は、 12チップ Zlフレームのパッケージで 12チップの一括成形用を用い、 8m m X 6mmの 1段チップ、 3. 5mm X 3. 5mmの 2段チップを有するスタックドチップに 、金線ボンディングされ、充填厚み 200 mになっているテープ基板を金型にセット して成形し、封止された成形品について、未充填、外部ボイド、内部ボイド、ワイヤー 流れ、榭脂廃棄率を評価した。
[0052] 比較例 1
比較として、直径 14mmのミニタブレットを使用し、図 15に順ずる装置を用いて、型 内予熱を 4秒とし他の成形条件は同一としたマルチトランスファ成形との比較を行つ た。
[0053] 結果を併せて表 1に示した。
[0054] [表 1]
Figure imgf000018_0001
[0055] <測定方法 >
1.未充填 (ショートショット）：目視で表面の未充填個所の有無を観察した。
2.外部ボイド:実体顕微鏡（X 10)で表面の φ θ. 5mmを超える大きさのボイドの有 無を観察した。
3. 内部ボイド:成形品に軟 X線を照射して、 φ θ. 3mmを越える大きさのボイドの有 無を観察した。 なお、表 1に示す数値は、分母は観察したパッケージ個数（12チップパッケージを 一括成形して 1パッケージとした)であり、分子は異常が発生したパッケージ個数であ る。
4.ワイヤー流れ (金線変形）：成形品に軟 X線を照射して、ボンディングワイヤ（25 m径、長さ 3. 4mmの高強度金線)の変形量を測定した。半導体チップ端面とテープ リード端子のボンディング間の距離に対する最大ワイヤ変形量の比を％で示した。な お、表 1における数値は 36チップ（12チップ Z1フレームのパッケージを n= 3、評価 実施）の最大変形量の平均値で示して 、る。
5.榭脂廃棄率： 12チップ /1フレームのノ ッケージにおける必要榭脂量とカル、ラン ナー、ゲート等を含む総榭脂量の比を％で示した。
実施例 2
賦形榭脂 FRの形状を変化させた場合の成形品の性能に及ぼす影響を確認する 実施例である。
金型は、 12チップ Zlフレームの一括成形用（MAP)チップサイズパッケージ CPS が用いられ、封止部の表面 3&Ίま 38. 70 X 38. 35mmである。また、個々の半導体 デバイス Hのチップサイズは略 5mmであり、ボンディングワイヤー Wは、 25 m径、 長さ 3. 30mmの高強度金線である。
また、賦形榭脂 FRの形状を変化させるために、賦形用ウス 80の大きさ及び形状を 図 12—図 14に示すように変化させた。ここで、プランジャ 3の先端面 3aは、榭脂受入 部 7に賦形榭脂 FRが投入できる最大面積に設計した。これにより、先端面 3aの外形 線 3abは、図中、二点鎖線で示すように、賦形榭脂 FRの外形線 (賦形外形線) fから 、0. 1 + 0. lmm (0. 1mm— 0. 2mm)の範囲内で大きくなるように設計された。 ここで、図 12の実験例 1では、製品外形線 4a とー点鎖線で示した賦形榭脂 FR の賦形外形線 fとの間隔 wが略 0. 3mm (プランジャ寸法 37. 80 X 37. 45mm)に設 計され、賦形榭脂 FRの四隅 FRRの曲率半径が略 2mmに設計されることにより、外 形線 4ab (図中、製品外形線 4ab')で囲まれる領域の面積に対する賦形榭脂 FRの 一表面の面積比が略 96. 5% (実測値）になっている。
また、図 13の実験例 2では、同様に定義した間隔 wが略 0. 6mm (プランジャ寸法 3 7. 70 X 37. 35mm)に設計され、賦形榭脂 FRの四隅 FRRの曲率半径が略 10mm に設計されることにより、外形線 4ab (図中、製品外形線 4& ）で囲まれる領域の面 積に対する賦形榭脂 FRの一表面の面積比が略 85. 2% (実測値）になっている。 また、図 14の実験例 3では、先端面 3a及び賦形榭脂 FRが円形に設計され、製品 外形線 4a と賦形外形線 fとの間の最小の幅 wが略 0. 3mmに設計されることにより 、外形線 4ab (図中、製品外形線 4ab')で囲まれる領域の面積に対する賦形榭脂 FR の一表面の面積比が 76. 5% (実測値）になっている。
これにより、図 12に示す半導体パッケージ Pでは、ダイシングライン DLは四隅 DLa を含めて賦形榭脂 FRの賦形外形線 fの枠内にある力 図 13では、ダイシングライン DLの四隅 DLaは、賦形榭脂 FRの四隅 FRRよりもはみ出しており、また、図 14では、 賦形外形線 fが半導体パッケージ Hのワイヤー Wに大きく掛カつている。
成形条件としては、攪拌ポット 32の温度を 100°C、攪拌時間を 30秒、賦形用ウス 8 0及び賦形用受台 84の温度を 80°C、賦形圧力を 24. 5KN,圧縮用プランジャの射 出圧力を 9MPa、射出時間を 8秒、硬化時間を 100秒、金型温度（下型 1、上型 2の 温度）を 175°Cとして実成形を行った。
これにより、金線ボンディングされたテープ基板を金型にセットして成形し、封止さ れた製品 Pについて、実施例 1と同様にして、未充填、外部ボイド、内部ボイド、ワイ ヤー流れを測定し、結果を表 2に示した。
[表 2]
Figure imgf000020_0001
以上の結果から、賦形榭脂 FRの形状力 Sパッケージ形状と相似形であることにより、 また、賦形榭脂の面積が、下型キヤビティの底成形面の面積 (製品 Pの一表面の面 積）に対して、 90%以上であることにより、未充填、外部ボイド、内部ボイド、ワイヤー 流れが軽減されて 、ることが理解される。
[0057] 以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例 に限らず、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に 含まれる。
[0058] 以上説明したように、本発明の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造 装置はインラインィ匕が可能であり、インライン化されて榭脂封止型半導体パッケージ の製造工程が全自動化された場合にも、ワイヤー流れが発生しにくぐかつ、榭脂廃 棄量を減らすことができるので、半導体パッケージの大型化、薄型化、高集積ィ匕に際 して高信頼性が確保でき、かつ、少量他品種向けの生産にも適している榭脂封止型 半導体パッケージの製造方法及び製造装置としての幅広い展開が期待される。

Claims

請求の範囲
[1] (1)粉末状又は顆粒状の榭脂組成物を計量ポットに供給して計量する工程、 (2) 前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記榭脂組成物を送り込む工程、
(3)攪拌用プランジャの先端力も突出させた攪拌棒の回転で、前記攪拌ポット内の前 記榭脂組成物を攪拌溶融させる工程、（4)攪拌溶融された前記榭脂組成物を取り出 しパッケージ形状に加圧して賦形する工程、 (5)半導体チップ又は電子部品が装着 されて 、るリードフレーム又はテープ基板を、加熱装置を有する成形金型の上型キヤ ビティに装着する工程、（6)賦形された前記榭脂組成物を前記成形金型の下型キヤ ビティ内の圧縮用プランジャに装着する工程、（7)前記成形金型を型締めした後、前 記圧縮用プランジャを加圧して前記榭脂組成物を成形硬化させることにより、前記半 導体チップ又は電子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して一体 成形物とする工程、（8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す 工程を含むことを特徴とする榭脂封止型半導体パッケージの製造方法。
[2] 前記工程 (3)にお ヽて、前記榭脂組成物を攪拌溶融させる際の加熱装置を有する 攪拌ポットの温度が 80°C— 120°Cの範囲内である請求項 1記載の榭脂封止型半導 体パッケージの製造方法。
[3] 前記工程 (3)において、前記榭脂組成物を攪拌溶融させる時間が 10秒一 50秒の 範囲内である請求項 1又は 2記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法。
[4] 前記工程 (4)にお ヽて、前記榭脂組成物を加圧して賦形する金型温度が 50°C— 1 00°Cの範囲内であり、加圧力が 9. 8KN— 39. 2KNの範囲内である請求項 1ないし 3のいずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法。
[5] 前記工程 (4)にお ヽて賦形される榭脂組成物は、下型キヤビティの底成形面の外 形形状から、 0. 1-0. 5mmの範囲内で小さく実質的に相似形状に賦形することを 特徴とする請求項 1な!、し 4の 、ずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製 造方法。
[6] 前記工程 (4)にお 、て賦形される榭脂組成物の一面の面積は、前記下型キヤビテ ィの底成形面の面積に対して、 90%以上であることを特徴とする請求項 1な 、し 4の いずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法。
[7] 請求項 1一 6のいずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法により 得られた榭脂封止型半導体パッケージは、底面に形成された圧縮用プランジャーの 先端面の外形形状に沿った凹凸線の枠内でダイシングすることを特徴とする榭脂封 止型半導体パッケージの製造方法。
[8] (1)粉末状又は顆粒状の榭脂組成物を計量ポットに供給して計量する計量装置、 ( 2)前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記榭脂組成物を送り込む榭 脂送給装置、（3)攪拌用プランジャの先端力も突出させた攪拌棒の回転で、前記攪 拌ポット内の前記樹脂組成物を攪拌溶融させる攪拌溶融装置、（4)攪拌溶融された 前記榭脂組成物を取り出しパッケージ形状に加圧して賦形する賦形装置、 (5)半導 体チップ又は電子部品が装着されているリードフレーム又はテープ基板を、加熱装 置を有する成形金型の上型キヤビティに装着する被封止体装着装置、 (6)賦形され た前記榭脂組成物を前記成形金型の下型キヤビティ内の圧縮用プランジャに装着 する封止榭脂装着装置、（7)前記成形金型を型締めした後、前記圧縮用プランジャ を加圧して前記榭脂組成物を成形硬化させることにより、前記半導体チップ又は電 子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して一体成形物とする封止 装置、（8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す取出装置を 有することを特徴とする榭脂封止型半導体パッケージの製造装置。
[9] 請求項 1な!、し 7の 、ずれかに記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造方法又 は請求項 8に記載の榭脂封止型半導体パッケージの製造装置により製造されてなる ことを特徴とする榭脂封止型半導体パッケージ。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100463129C (zh) * 2006-02-09 2009-02-18 夏普株式会社 半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置
WO2013069496A1 (ja) * 2011-11-08 2013-05-16 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置
US8859341B2 (en) 2008-09-05 2014-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of semiconductor device
WO2022239224A1 (ja) * 2021-05-14 2022-11-17 東洋紡株式会社 固形物の製造方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100572027C (zh) * 2004-12-17 2009-12-23 株式会社松井制作所 压缩成形加工中的粉粒体材料的填充方法和填充装置
JP2007243146A (ja) * 2006-02-09 2007-09-20 Sharp Corp 半導体装置の製造方法、および、半導体装置の製造装置
JP4858966B2 (ja) * 2006-11-02 2012-01-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び成形装置
WO2010067538A1 (ja) * 2008-12-10 2010-06-17 住友ベークライト株式会社 顆粒状の半導体封止用エポキシ樹脂組成物ならびにそれを用いた半導体装置及び半導体装置の製造方法
CN102246296B (zh) * 2008-12-10 2014-02-05 住友电木株式会社 半导体封装用树脂组合物、半导体装置的制造方法及半导体装置
TWI483418B (zh) * 2009-04-09 2015-05-01 Lextar Electronics Corp 發光二極體封裝方法
WO2010146860A1 (ja) * 2009-06-17 2010-12-23 パナソニック株式会社 樹脂モールド型電子部品の製造方法
CN109049461B (zh) * 2018-08-09 2023-09-01 深圳鼎晶科技有限公司 一种全自动精密模压封装线
KR101973059B1 (ko) 2018-09-10 2019-04-26 박재천 농축비료성형물 압축성형장치 및 농축비료성형물
CN113707563B (zh) * 2021-08-16 2022-12-13 宁波群芯微电子股份有限公司 一种高集成度的集成电路封装装置及其使用方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08330342A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Toshiba Corp 半導体樹脂封止装置
JP2001341155A (ja) * 2000-05-31 2001-12-11 Tsukuba Seiko Co Ltd 樹脂材料の供給装置及び方法
JP2004296962A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Tsukuba Seiko Co Ltd 封止成形装置及びそれを用いた樹脂封止体の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6136940A (ja) 1984-07-30 1986-02-21 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体樹脂封止装置
JPH06275767A (ja) 1993-03-22 1994-09-30 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP3199963B2 (ja) 1994-10-06 2001-08-20 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
MY114536A (en) * 1994-11-24 2002-11-30 Apic Yamada Corp A resin molding machine and a method of resin molding
JPH09187831A (ja) 1996-01-08 1997-07-22 Toshiba Corp 樹脂封止圧縮成形装置およびその方法
JP3282988B2 (ja) * 1997-05-01 2002-05-20 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置
JPH1140587A (ja) * 1997-07-23 1999-02-12 Toray Ind Inc 半導体封止用樹脂タブレット、半導体装置および半導体封止用樹脂タブレットの製造方法
JP4416218B2 (ja) * 1999-09-14 2010-02-17 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止方法及び樹脂封止装置
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP3795790B2 (ja) * 2001-10-26 2006-07-12 株式会社サイネックス 樹脂封止方法
KR100798207B1 (ko) * 2001-11-26 2008-01-24 스미토모 베이클라이트 가부시키가이샤 수지재료의 공급장치 및 방법
JP3677763B2 (ja) * 2001-12-04 2005-08-03 株式会社サイネックス 半導体装置製造用金型
JP4336499B2 (ja) * 2003-01-09 2009-09-30 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP4336502B2 (ja) * 2003-01-30 2009-09-30 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08330342A (ja) * 1995-05-29 1996-12-13 Toshiba Corp 半導体樹脂封止装置
JP2001341155A (ja) * 2000-05-31 2001-12-11 Tsukuba Seiko Co Ltd 樹脂材料の供給装置及び方法
JP2004296962A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Tsukuba Seiko Co Ltd 封止成形装置及びそれを用いた樹脂封止体の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1630861A4 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100463129C (zh) * 2006-02-09 2009-02-18 夏普株式会社 半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置
US8859341B2 (en) 2008-09-05 2014-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method of semiconductor device
WO2013069496A1 (ja) * 2011-11-08 2013-05-16 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置
WO2022239224A1 (ja) * 2021-05-14 2022-11-17 東洋紡株式会社 固形物の製造方法

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