JPH06275767A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置の製造方法

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JPH06275767A
JPH06275767A JP5062071A JP6207193A JPH06275767A JP H06275767 A JPH06275767 A JP H06275767A JP 5062071 A JP5062071 A JP 5062071A JP 6207193 A JP6207193 A JP 6207193A JP H06275767 A JPH06275767 A JP H06275767A
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JP
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resin
semiconductor chip
semiconductor device
sealing
bonding wire
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Shinetsu Fujieda
新悦 藤枝
Hideo Ota
英男 太田
Akira Yoshizumi
章 善積
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Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 薄型化・高集積化に際して短絡不良等の素子
不良が生じることなく、製造工程が簡略で、しかも長期
にわたって良好な信頼性を有する樹脂封止型半導体装置
を提供する。 【構成】 ボンディングワイヤ１０を介して外部リード
構成体に接続された半導体チップ５の少なくとも能動面
側に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シート１，２を配置
し、前記封止用樹脂シートを前記半導体チップに対して
加圧しながら硬化させる樹脂封止型半導体装置の製造方
法において、前記ボンディングワイヤ１０を介して前記
外部リード構成体と前記半導体チップ５とを接続するワ
イヤボンディング工程の前または後に、ボンディングワ
イヤ１０における半導体チップ５および外部リード構成
体との接続部を除く領域を覆うように絶縁層１１で被覆
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、樹脂封止型半導体装置はトランス
ファ成型法によって得られていた。この方法は、エポキ
シ樹脂および充填剤などを主体としたエポキシ成型材料
等の未硬化樹脂を、加熱して溶融させ、トランスファ成
型機を用いて金型に注入し、高温高圧状態で成型して、
硬化することにより、例えばリードフレームに搭載され
た半導体チップを封止する方法である。この方法で製造
される樹脂封止型半導体装置は、半導体チップをエポキ
シ樹脂組成物が完全に覆うため信頼性に優れており、ま
た金型で緻密に成型するためパッケ―ジの外観も良好で
あることから、現在ではほとんどの樹脂封止型半導体装
置はこの方法で製造されている。
【０００３】さらに、近年半導体装置の高集積化に伴う
半導体チップの大型化によって、樹脂封止型半導体装置
のパッケ―ジについても大型化が進む一方、実装スペー
スの微細化に伴いパッケージは薄型化の傾向を強めてお
り、この傾向は今後益々強くなっていくと考えられる。
しかしながらトランスファ成型法においては、このよう
な傾向に対応しチップへの応力を低減する観点から、封
止樹脂の低弾性率化、低熱膨張率化を目指していろいろ
な試みがなされているものの、低弾性率、低熱膨張率を
有し、かつ、パッケージ精度が高く、十分な信頼性を得
ることのできる封止樹脂は見出されていない。また、従
来のトランスファ成型法では、薄型パッケージに対応し
た高信頼性の樹脂封止方法は存在せず、特に薄型化が進
み、パッケージ厚が１mm以下程度になると、溶融した樹
脂の流れによってチップとリードフレームとを接続する
ボンディングワイヤが変形を起こし、隣接するボンディ
ングワイヤとの接触が生じやすく、かつ、チップの大型
化に伴い、ダイパッドのサイズが大きくなり、ダイパッ
ドの上下での樹脂の流速ずれにより傾いたり未充填が発
生したり、また内部に発生したボイドにより耐湿性が低
下するという問題があった。なおこの問題はワイヤボン
ディング法を採用した場合、フィルムキャリアなどのリ
ードの先端にバンプ等を介して直接、チップとの電気的
接続を行ういわゆるインナーリードボンディング法を採
用した場合においても同様の問題があった。
【０００４】さらに、製造工程のインライン化の問題が
ある。すなわち半導体装置の製造工程では全自動化が進
んでおり、一本のラインで自動化して無人化されている
ものもある。しかし従来のトランスファ成型では半導体
デバイスの封止工程のインライン化は困難であり、ライ
ンをはずし、バッチ処理で製造が行われており、封止工
程をインラインで行うことが可能な新たな生産様式が求
められている。
【０００５】しかも、パッケ―ジの種類も今後益々多様
化し、従来のトランスファ成型法で十分な対応ができな
くなることが予想され、このような状況の中で、多品種
少量生産ができるフレキシブルな生産様式の開発が望ま
れている。
【０００６】上述したように、従来のトランスファ成型
法は封止工程のインライン化には不向きであるうえ、今
後のパッケージの大型化、薄型化に対応することも困難
なためこれに代わる新たな生産様式が望まれていた。
【０００７】そこで特開平４年第３４０２５８号等に
は、封止工程の自動化、インライン化が可能で、しかも
パッケージの大型化、薄型化に適し、パッケージ精度が
高くかつパッケージの高信頼性の要求にも対応した樹脂
封止型半導体装置の製造方法として、外部リード構成体
に接続された半導体チップの少なくとも能動面側に未硬
化樹脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記未硬化
樹脂からなる封止用樹脂シートを前記半導体チップに加
圧しながら硬化させる方法が提案されている。図１０及
び図１１に、このような従来の樹脂封止型半導体装置の
製造方法の製造工程を縦断面的に示す。
【０００８】この方法では、半導体チップ５およびフィ
ルムキャリアまたはリードフレームなどからなる外部リ
ード構成体に対して均一に封止用樹脂シート１，２を当
接せしめた状態で、熱または光により未硬化樹脂を溶融
したのち加圧しつつ硬化させて半導体チップ５の封止が
行われる。
【０００９】なおここで図１０中、３はフィルムキャリ
ア７の一部をなすリード、４はリード３と半導体チップ
５とを接続するバンプであり、図１１中、６は接着性樹
脂などからなるマウント剤層、９はリードフレーム８の
一部をなすダイパッド、１０はリードフレーム８と半導
体チップ５とを接続するボンディングワイヤである。こ
の方法によれば、封止用樹脂シート１，２があらかじめ
半導体チップ５および外部リード構成体に対して当接せ
しめられた状態で封止が行われるため、トランスファ成
型法に比べ、未硬化樹脂の溶融時の粘度が大きくても良
好かつ緻密に封止を行うことができる。また、このよう
に未硬化樹脂が良好な状態で溶融硬化せしめられるた
め、得られるパッケージの機械的強度が高く、半導体チ
ップ５に対してパッケージが小さい場合や、パッケージ
厚が２mm以下程度の超薄型パッケージの場合にもクラッ
クの発生もなく良好に前記半導体チップ５を封止するこ
とができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法では上下方向のみから加圧するため、上下方向に特に
大きな応力がかかり、薄型化・高集積化が進むにつれ
て、インナーリードボンディングを用いた場合には、図
１０(b) に示すようにリード３の上下方向の変形が生じ
易くこれにより半導体チップ５の端部にリード３が接触
し短絡を生じるという問題があった。またワイヤボンデ
ィング方法を用いた場合には、図１１(b)に示すように
リードフレーム８と半導体チップ５とを接続するための
ボンディングワイヤ１０が変形して半導体チップ５に接
触したりまた、ダイパッド９に接触したりするという問
題があった。
【００１１】本発明は前記実情に鑑みてなされたもの
で、薄型化・高集積化に際して短絡不良等の素子不良が
生じることなく、製造工程が簡略で、しかも長期にわた
って良好な信頼性を有する樹脂封止型半導体装置を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】そこで本願第１の発明で
は、ボンディングワイヤを介して外部リード構成体に接
続された半導体チップの少なくとも能動面側に未硬化樹
脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記封止用樹脂
シートを前記半導体チップに対して加圧しながら硬化さ
せて前記半導体チップの封止を行う封止工程を備えた樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、前記封止工程
の前に、前記ボンディングワイヤにおける半導体チップ
及び外部リ−ド構成体との接続部を除く領域を絶縁被覆
する工程を具備したことを特徴とする。
【００１３】さらに本願第１の発明においては、ワイヤ
ボンディング後に、ボンディングワイヤをチップ面と平
行な面上に位置するように成型するフォーミング工程を
行うことがより望ましい。
【００１４】また本願第２の発明では、外部リード構成
体に接続された半導体チップの少なくとも能動面側に未
硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記封止
用樹脂シートを前記半導体チップに対して加圧しながら
硬化させて前記半導体チップの封止を行う封止工程を備
えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、前記封
止工程の前に、前記半導体チップの周縁部を絶縁物で覆
う絶縁工程を具備したことを特徴とする。ここで周縁部
とは少なくとも半導体チップの側面を覆う領域を含むも
のとする。
【００１５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
においては、上述したように未硬化樹脂からなる封止用
樹脂シートを、外部リード構成体に接続された半導体チ
ップの少なくとも能動面側に配置し、前記未硬化樹脂か
らなる封止用樹脂シートを前記半導体チップに加圧しな
がら硬化させることにより、半導体チップが封止され
る。
【００１６】すなわち、例えば半導体チップをボンディ
ングワイヤやバンプを介してリードフレームやフィルム
キャリアなどの外部リード構成体に接続し、これを封止
用樹脂シートにより圧着または圧縮成型することによ
り，樹脂封止型半導体装置を製造する。封止構造として
は、半導体チップの上，下から封止用樹脂シートにより
圧着封止した構造、半導体チップの能動面側のみから封
止用樹脂シートを圧着封止し、チップの裏面が露出した
構造などが作成可能である。このとき得られる樹脂封止
型半導体装置のパッケージ厚としては、未硬化樹脂から
なる封止用樹脂シートの硬化後において、２mm以下さら
には１mm以下とすることが好ましい。
【００１７】なお本発明において用いられる封止用樹脂
シ―トは、例えば、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、シ
リコーン樹脂、フェノ−ル樹脂などの熱硬化性樹脂、硬
化剤又は架橋剤、触媒、充填剤、その他の材料を粉砕、
混合、溶融してロ―ルにかけることにより、容易に作成
することができる。また、ガラス織布などのクロスで強
化したプリプレグを使用する場合は、樹脂、硬化剤、触
媒、充填剤、その他の材料をアセトンなどの溶剤に溶解
して適当な濃度の溶液を調製し、この溶液を織布に塗布
するか、溶液中に織布を含浸させ、放置する、加熱す
る、又は減圧下におく等の方法により、溶媒を揮発させ
ればよい。
【００１８】さらに、ボンディングワイヤの所定の領域
を絶縁被覆するための絶縁材料としては有機化合物が適
しており、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン
樹脂、フェノール樹脂など、パッケージの成型時の温度
（１７５℃程度）よりも軟化温度の高い樹脂を用いると
よい。被覆に当たってはコーティング法、スプレー法、
シルクスクリーン印刷法等により半導体チップ及び外部
リ−ド構成体との接続部を除く領域を被覆する方法と、
あらかじめ絶縁被覆されたボンデイングワイヤを用意し
て接続部の絶縁層のみを剥離する方法とがある。
【００１９】本発明において、半導体チップと封止用樹
脂シートを一体的に成型する具体的な方法としては、フ
ィルムキャリアなどの上に搭載された半導体チップの能
動面側に封止用樹脂シ―トを貼着し、圧縮成型して一体
成型する方法、また前述したように半導体チップと封止
用樹脂シートを圧縮金型内に設置し、上下から一体に圧
縮成型する方法などが挙げられる。このときボイドの発
生を防止するために、金型内を減圧することが望まし
い。さらに、成型後にパッケージの各種特性を向上する
ために、アフタ―キュアを行うことが望ましい。
【００２０】なお、本発明において、半導体チップを載
置するフィルムキャリアなどの外部リード構成体および
封止用樹脂シートは、リ―ル方式で供給することができ
る。例えば、両者がそれぞれ対応するようにリ―ルで供
給し、合体、封止することにより、半導体装置のアセン
ブリから封止までを連続工程で行うことができる。
【００２１】また本発明では樹脂封止型半導体装置の耐
湿性を一段と高めるために、金属材からなる水分遮蔽層
をパッケージ表面またはパッケージ内部に形成すること
もできる。
【００２２】
【作用】本願第１の発明によれば、封止に際し、ボンデ
ィングワイヤがあらかじめ絶縁被覆されているため、封
止工程において上下方向に大きな力がかかり、チップの
周縁部に接触したり、隣接するワイヤと接触したりして
も、短絡を生じることなく、良好な信頼性を維持するこ
とができる。またワイヤボンディング後に、フォーミン
グを行い、ボンディングワイヤをチップ面と平行な面上
に位置するように成型すれば、封止工程においてボンデ
ィングワイヤに無理な応力がかかることなく均一な加圧
が行われて、パッケージの薄型化に十分対応することが
できる。さらにチップ面に接触するようにフォーミング
すれば、チップ面でワイヤを支持することができ一段と
信頼性が向上する。このフォーミング方法としては、フ
ォーミング用の金型を用いて室温または加熱状態で成型
することが可能である。
【００２３】また本願第２の発明によれば、あらかじめ
半導体チップの周縁部が絶縁物で被覆されているため、
封止工程においてインナーリードやボンディングワイヤ
が変形を起こしても、短絡を生じることなく、良好な信
頼性を維持することができる。 なおこの封止方法で
は、半導体チップおよび外部リード構成体に対して均一
に封止用樹脂シートを当接せしめた状態で、熱または光
により未硬化樹脂を溶融したのち加圧しつつ硬化するよ
うにしているため、緻密な樹脂封止を行うことができ
る。
【００２４】また前述したように封止用樹脂シートがあ
らかじめ半導体チップおよび外部リード構成体に対して
当接せしめられた状態で封止が行われるため、トランス
ファ成型法に比べ、未硬化樹脂の溶融時の粘度が大きく
ても良好に封止を行うことができる。従って熱あるいは
光の少量の供給により未硬化樹脂を溶融硬化せしめ半導
体チップの封止を行うことが可能である。
【００２５】しかも、このように未硬化樹脂が良好な状
態で溶融硬化せしめられるため、得られるパッケージの
機械的強度が高く、半導体チップに対してパッケージが
小さい場合や、パッケージ厚が２mm以下程度の超薄型パ
ッケージの場合にもクラックの発生もなく良好に前記半
導体チップを封止することができる。
【００２６】さらに本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法は、封止工程のインライン化により自動的な製造
が可能となり多品種少量生産にも充分に対応できる。
【００２７】このように本発明によれば、製造工程の簡
略化が可能となり、しかも長期にわたって良好な信頼性
を有する樹脂封止型半導体装置を製造することができ
る。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２９】図１は本発明実施例の樹脂封止型半導体装
置の製造工程を示す縦断面図であり、図２はその要部拡
大説明図（図２(a) は縦断面図、図２(b) は上面図）で
ある。この例では、図１(a) に示すようにリードフレー
ム８のダイパッド９上にマウント剤層６を介し半導体チ
ップ５を載置し、ボンディングワイヤ１０としてポリイ
ミド樹脂からなる絶縁層１１によって表面が絶縁被覆さ
れた金ワイヤを用いて半導体チップ５とリードフレーム
８とを接続し、表１に示すような組成および物性を有す
る樹脂組成物を用いて、未硬化樹脂からなる封止用樹脂
シート１，２を作成し、この封止用樹脂シート１，２に
より、テスト用素子のＦＰ（１８４pin，チップサイズ
１５×１５×０．２０mmを封止して、図１(b) に示すよ
うなパッケ―ジ構造の樹脂封止型半導体装置を製造し
た。なお得られた樹脂封止型半導体装置のパッケ−ジ厚
は０．６mmであった。
【００３０】 すなわち、まずヘンシェルミキサ−中で、表１に示す各
成分を、均一に分散させ、２本ロ−ルで混練して、シ−
ト状にし、加熱状態にして、冷えた刃を押し当て所望の
大きさに切断し、上下の封止用樹脂シート１，２を作成
した。
【００３１】次に、このようにして作成した封止用樹脂
シート１，２を用いて樹脂封止を行うに際し、あらかじ
め、図１(a) に示すように外部リード構成体としてのリ
ードフレーム８にボンディングワイヤ１０を介して接続
された半導体チップ５の能動面側および裏面側にそれぞ
れ未硬化樹脂からなる封止用樹脂シート１，２を加熱状
態で仮止めした。ここでリードフレ−ム８は４，２アロ
イで構成されている。次いで、前記封止用樹脂シート
１，２の外周部を囲繞する金型装置を用意し、前記未硬
化樹脂からなる封止用樹脂シート１，２を加圧しながら
硬化せしめ、図１(b) に示すような樹脂封止型半導体装
置を製造した。
【００３２】ここでは、３２×３２×０．６mmキャビテ
ィを有する金型装置を用いて上下から封止用樹脂シート
１，２で半導体チップ５をはさみ込み、１８０℃で６０
秒間加熱加圧して一体成型を行った。続いて、１７５
℃、４時間のアフタ―キュア−後、８５℃、湿度８５
％、１６８時間の吸湿処理、２１５℃のＶＰＳ（ベーパ
ーフェイズリフロー）処理を順次行い、さらに、−６５
℃〜２００℃での冷熱サイクルテスト及び１２８℃，
２．５気圧水蒸気中での不良チェック（プレッシャ―ク
ッカ―テスト）を実施して不良数を調べた。またパッケ
ージの断面をカットし、ボンディングワイヤ１０の変形
の有無を調べた。
【００３３】次に実施例２としてエポキシ樹脂被覆の金
ワイヤをボンディングワイヤとして用いたほかはすべて
実施例１と同様にして封止を行った。
【００３４】また実施例３として、ワイヤボンディング
後にフォーミング用金型を用いて、ボンディングワイヤ
をチップ面に接触しチップ面と平行な面上に位置するよ
うに成型し固定したほかはすべて実施例１と同様にして
封止を行った。なお、このときの樹脂封止型半導体装置
の要部拡大説明図を図３（図３(a) は縦断面図、図３
(b) は上面図）に示す。
【００３５】一方、比較例１として、絶縁層１１で被覆
されていないボンディングワイヤを用いたほかはすべて
実施例１と同様にして封止を行った。
【００３６】結果を表２に示す。また、表２中には、能
動面側および受動面側で用いた封止用樹脂シートのサイ
ズ、チップサイズ、パッケージサイズ、成型条件、一体
成型後のボンディングワイヤの変形、未充填領域の発
生、ボイドの発生および初期不良の有無を合わせて示し
た。
【００３７】 表２から明らかなように、実施例１〜３で得られた樹脂
封止型半導体装置においては、一体成型後に初期不良の
発生がなく、パッケージ精度が良好であることがわか
る。また表２に示されるように、実施例１〜３は冷熱サ
イクルテストおよびプレッシャ―クッカ―テストの結果
が、比較例１に比べ格段に優れており、特に比較例１で
得られた樹脂封止型半導体装置は、テスト前の初期チェ
ックにより不良が多発し、信頼性に欠けることがわか
る。
【００３８】なお、前記実施例では、半導体チップの両
面を封止用樹脂シートで覆った構造について説明した
が、能動面側のみを封止用樹脂シートで封止し、ダイパ
ッドは露呈せしめた構造にも本発明は適用可能である。
このときの樹脂封止型半導体装置の製造工程を図４に縦
断面的に示す。
【００３９】次に本発明の第４の実施例について説明す
る。
【００４０】図５は、本実施例の樹脂封止型半導体装置
の製造工程を示す縦断面図であり、この例では図５(a)
および(b) に示すようにチップの周縁部を絶縁性のエポ
キシ樹脂を主成分とする樹脂シートからなる枠体２１で
覆い、この後実施例１〜３と同様封止用樹脂シート１，
２で加圧しつつ硬化成型したことを特徴とする。
【００４１】枠体２１としては、ダイパッド９とほぼ同
程度の外形を有し、かつ半導体チップ５の大きさの穴を
有するようにあらかじめ形状加工した樹脂シートを用い
ている。
【００４２】かかる構成によれば、半導体チップ５の周
縁部が絶縁物からなる枠体２１で被覆されているため、
封止工程においてボンディングワイヤが変形を起こして
も、短絡を生じることなく、良好な信頼性を維持するこ
とができる。
【００４３】なお、本願第２の発明では、このような枠
体２１を半導体チップ５に装着し、光あるいは熱により
硬化させた後、ワイヤボンディングおよび樹脂封止を行
うようにしてもよいが、封止工程において封止用樹脂シ
ート１，２と同時に枠体２１を硬化してもよい。
【００４４】さらに、本実施例ではモールド法などによ
りあらかじめ形状加工しておいた枠体２１を用いたが、
粘度の高い溶融樹脂をポッティングして半導体チップ５
の周縁部を絶縁物で覆った後、硬化せしめてもよい。ま
た枠体２１の材料組成については、封止用樹脂シート
１，２と同一組成でもよいが、封止工程の加熱により変
形せず、封止樹脂との高い接着力を有する樹脂など、封
止用樹脂シート１，２とは異なる組成のものを用いるの
が望ましい。
【００４５】さらに、実施例５の樹脂封止型半導体装置
として枠体２１を用いた変形令の要部拡大図を図６に示
す。図６に示すようにこの実施例ではリードフレーム８
のリ−ド先端を支持するように枠体２１が延在してい
る。この場合、リ−ドフレ−ム８が微細パターンを有す
る場合にもリード間隔が高精度に維持され、さらなる信
頼性の向上をはかることができる。
【００４６】なお、本実施例の樹脂封止型半導体装置の
製造工程の縦断面図を図７に示す。図示されるように枠
体２１は外部リード構成体としてフィルムキャリア７を
用いた場合にも適用可能である。さらにこれとは形状の
異なる枠体２１を用いた変形例の要部拡大図を図８に示
す。
【００４７】次に本発明実施例の封止工程で用いられる
半導体製造装置の概略図を図９に示し詳細に説明する。
この装置は、外部リード構成体にインナーリードボンデ
ィングまたはワイヤボンディングで接続された半導体チ
ップを搭載するテープ基材を、搬送する送り用リール１
００ａと、巻取用リール１００ｂとを具備したものであ
る。すなわち送り用リール１００ａから搬送された前記
テープ基材は、加熱槽２００を通り封止用樹脂シートの
仮止め部３００において加熱された半導体チップの上下
または能動面側に封止用樹脂シートが仮止めされる。加
熱槽２００はヒータ温風加熱方式により槽内の温度を一
定に保つ機能を有し、短時間で前記テープ基材を所定の
温度に加熱する。
【００４８】ついでテープ基材はプレス部４００に搬送
され、加熱された上下封止金型５００ａ，５００ｂを用
い所定のパッケージに樹脂封止される。樹脂封止が終了
したテープ基材は巻取用リール１００ｂによって巻き取
られる。
【００４９】なおこの半導体製造装置のプレス部４００
と巻取用リール１００ｂとの間に封止樹脂のアフターキ
ュアをするための加熱槽を設けることもできる。
【００５０】また仮止め部３００は位置決めセンサを有
しており、半導体チップの所定の位置に真空チャック方
式で封止用樹脂シートを搬送し、加熱された素子に仮止
めされる。また加熱槽２００はヒータ温風加熱方式の他
に赤外線加熱方式などの加熱槽の使用も可能である。
【００５１】さらにフィルムキャリアなどのテープ基材
の他、薄型の金属製リードフレームを図９に示した半導
体製造装置のラインへの適用することも可能であり、ま
た樹脂封止型半導体装置の一括生産を目的として、マウ
ント装置、ボンディング装置、カットアンドベンド装
置、バリ取り装置、マーキング装置などを組み込むこと
も可能である。
【００５２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の樹脂封止
型半導体装置の製造方法は、今後さらに薄型化するパッ
ケ―ジに特に対応した技術であり、超薄型パッケージに
適用しても、初期不良が無く、パッケージ精度が良好で
信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を実現できるもので
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例の樹脂封止型半導体装置
の製造工程を示す縦断面図
【図２】同樹脂封止型半導体装置の要部拡大説明図
【図３】同樹脂封止型半導体装置のフォーミング後の要
部拡大説明図
【図４】本発明の他の実施例の樹脂封止型半導体装置の
製造工程を示す縦断面図
【図５】本発明のさらに他の実施例の樹脂封止型半導体
装置の製造工程を示す縦断面図
【図６】同樹脂封止型半導体装置の変形例の要部拡大図
【図７】本発明の別の実施例の樹脂封止型半導体装置の
製造工程を示す縦断面図
【図８】同樹脂封止型半導体装置の変形例の要部拡大図
【図９】本発明で用いられる半導体製造装置の概略図
【図１０】従来例の樹脂封止型半導体装置の製造工程を
示す縦断面図
【図１１】従来例の樹脂封止型半導体装置の製造工程を
示す縦断面図
【符号の説明】
１，２ 封止用樹脂シート ３ リード ４ バンプ ５ 半導体チップ ６ マウント剤 ７ フィルムキャリア ８ リードフレーム ９ ダイパッド １０ ボンディングワイヤ １１ 絶縁層 ２１ 枠体

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ボンディングワイヤを介して外部リード
    構成体に接続された半導体チップの少なくとも能動面側
    に未硬化樹脂からなる封止用樹脂シートを配置し、前記
    封止用樹脂シートを前記半導体チップに対して加圧しな
    がら硬化させて前記半導体チップの封止を行う封止工程
    を備えた樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 前記封止工程の前に、前記ボンディングワイヤにおける
    半導体チップ及び外部リ−ド構成体との接続部を除く領
    域を絶縁被覆する工程を具備したことを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 外部リード構成体に接続された半導体チ
    ップの少なくとも能動面側に未硬化樹脂からなる封止用
    樹脂シートを配置し、前記封止用樹脂シートを前記半導
    体チップに対して加圧しながら硬化させて前記半導体チ
    ップの封止を行う封止工程を備えた樹脂封止型半導体装
    置の製造方法において、 前記封止工程の前に、前記半導体チップの周縁部を絶縁
    物で覆う絶縁工程を具備したことを特徴とする樹脂封止
    型半導体装置の製造方法。
JP5062071A 1993-03-22 1993-03-22 樹脂封止型半導体装置の製造方法 Pending JPH06275767A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7348220B2 (en) 2004-04-30 2008-03-25 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Resin-encapsulated type semiconductor packages, and production method and apparatus therefor

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US7348220B2 (en) 2004-04-30 2008-03-25 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Resin-encapsulated type semiconductor packages, and production method and apparatus therefor

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