JPH06318609A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH06318609A JPH06318609A JP5106865A JP10686593A JPH06318609A JP H06318609 A JPH06318609 A JP H06318609A JP 5106865 A JP5106865 A JP 5106865A JP 10686593 A JP10686593 A JP 10686593A JP H06318609 A JPH06318609 A JP H06318609A
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- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、樹脂シートにより半導体チップを挟
み込み、一体的に固着封止してなる樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法において、インナリードのチップ
エッジへの接触を防止できるようにすることを最も主要
な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ３の上面側の樹脂シー
ト２１をチップ３の外形よりも小さくし、下面側の樹脂
シート２２をチップ３の外形よりも大きくする。そし
て、これら樹脂シート２１，２２で半導体チップ３をサ
ンドし、金型１１，１２により加圧成型する。こうし
て、上面側の樹脂シート２１がＴＡＢテープ１の上面に
充填される前に、下面側の樹脂シート２２をＴＡＢテー
プ１の下面に充填させることにより、封止工程が完了す
るまで、ＴＡＢテープ１とチップ３との相対的な位置関
係が変化するのを阻止する構成となっている。
み込み、一体的に固着封止してなる樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法において、インナリードのチップ
エッジへの接触を防止できるようにすることを最も主要
な特徴とする。 【構成】たとえば、半導体チップ３の上面側の樹脂シー
ト２１をチップ３の外形よりも小さくし、下面側の樹脂
シート２２をチップ３の外形よりも大きくする。そし
て、これら樹脂シート２１，２２で半導体チップ３をサ
ンドし、金型１１，１２により加圧成型する。こうし
て、上面側の樹脂シート２１がＴＡＢテープ１の上面に
充填される前に、下面側の樹脂シート２２をＴＡＢテー
プ１の下面に充填させることにより、封止工程が完了す
るまで、ＴＡＢテープ１とチップ３との相対的な位置関
係が変化するのを阻止する構成となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体チッ
プを樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置およびその
製造方法に関する。
プを樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化にともなう
チップの大型化によって、樹脂封止型半導体装置のパッ
ケージの大型化が進む一方、実装スペースの微細化にと
もない、薄型化の傾向を強めている。この傾向は、今後
もますます強くなっていくと考えられる。
チップの大型化によって、樹脂封止型半導体装置のパッ
ケージの大型化が進む一方、実装スペースの微細化にと
もない、薄型化の傾向を強めている。この傾向は、今後
もますます強くなっていくと考えられる。
【０００３】また、パッケージの種類も今後ますます多
様化し、従来のトランスファ成型法（トランスファモー
ルド技術）では、十分な対応ができなくなってきてい
る。このような状況の中で、多品種少量生産が可能なフ
レキシブルな生産様式の開発が望まれている。
様化し、従来のトランスファ成型法（トランスファモー
ルド技術）では、十分な対応ができなくなってきてい
る。このような状況の中で、多品種少量生産が可能なフ
レキシブルな生産様式の開発が望まれている。
【０００４】たとえば、半導体集積回路技術の分野で
は、マイクロプロセッサとその外部とのデータ転送量お
よび転送スピードの増大への要求を強くしており、この
要求に如何に答えるかが、マイクロプロセッサを用いた
システムの動作スピードや能力を上げるための重要な課
題であるといえる。
は、マイクロプロセッサとその外部とのデータ転送量お
よび転送スピードの増大への要求を強くしており、この
要求に如何に答えるかが、マイクロプロセッサを用いた
システムの動作スピードや能力を上げるための重要な課
題であるといえる。
【０００５】このため、従来からウェハスケールインテ
グレーションやマルチチップモジュールなどの高密度実
装技術などの開発が行われているが、これらはいずれも
メモリチップやロジックチップを２次元平面状に高密度
に実装する技術である。
グレーションやマルチチップモジュールなどの高密度実
装技術などの開発が行われているが、これらはいずれも
メモリチップやロジックチップを２次元平面状に高密度
に実装する技術である。
【０００６】すなわち、メモリチップを２次元平面状に
高密度に実装した場合、マイクロプロセッサからの距離
が近いチップと遠いチップとが存在することになるた
め、遠いチップからマイクロプロセッサまでの信号遅延
時間がマイクロプロセッサとメモリチップとのデータ転
送スピードを律速することになる。
高密度に実装した場合、マイクロプロセッサからの距離
が近いチップと遠いチップとが存在することになるた
め、遠いチップからマイクロプロセッサまでの信号遅延
時間がマイクロプロセッサとメモリチップとのデータ転
送スピードを律速することになる。
【０００７】この問題を解決するための技術として、メ
モリチップなどを３次元状に、その厚さ方向に積層する
方法が提案されている。この場合、できるだけ多くのチ
ップを配置するためには、チップの薄型化が必要とな
る。
モリチップなどを３次元状に、その厚さ方向に積層する
方法が提案されている。この場合、できるだけ多くのチ
ップを配置するためには、チップの薄型化が必要とな
る。
【０００８】さて、従来の樹脂封止型半導体装置は、ト
ランスファ成型法によって得られていた。この方法は、
エポキシ樹脂および充填剤などを主体としたエポキシ成
型材料などの未硬化の熱硬化性樹脂を加熱し、溶融させ
てトランスファ成型機の金型に注入し、高温高圧状態
（たとえば、１６０〜１８０℃、７０〜１００Ｋｇ／ｃ
ｍ2）で成型して硬化させることにより、リードフレー
ムなどの実装部材に搭載された半導体チップを封止する
ものである。
ランスファ成型法によって得られていた。この方法は、
エポキシ樹脂および充填剤などを主体としたエポキシ成
型材料などの未硬化の熱硬化性樹脂を加熱し、溶融させ
てトランスファ成型機の金型に注入し、高温高圧状態
（たとえば、１６０〜１８０℃、７０〜１００Ｋｇ／ｃ
ｍ2）で成型して硬化させることにより、リードフレー
ムなどの実装部材に搭載された半導体チップを封止する
ものである。
【０００９】この場合、半導体チップをエポキシ樹脂組
成物が完全に覆うため、得られる樹脂封止型半導体装置
の信頼性が優れており、また金型できっちり成型するた
め、パッケージの外観も良好である。したがって、現在
では、ほとんどの樹脂封止型半導体装置が、この方法で
製造されている。
成物が完全に覆うため、得られる樹脂封止型半導体装置
の信頼性が優れており、また金型できっちり成型するた
め、パッケージの外観も良好である。したがって、現在
では、ほとんどの樹脂封止型半導体装置が、この方法で
製造されている。
【００１０】しかし、未硬化の熱硬化性樹脂をトランス
ファ成型機の金型に注入する方法では、薄型の実装は困
難である。そこで、このような要求に答えることのでき
る技術として、たとえば特願平３−１６２４０４号に示
される提案がなされている。
ファ成型機の金型に注入する方法では、薄型の実装は困
難である。そこで、このような要求に答えることのでき
る技術として、たとえば特願平３−１６２４０４号に示
される提案がなされている。
【００１１】これは、ガラスクロスなどの基材に封止用
の樹脂をあらかじめ封止形状に合わせて形成したプリプ
レグを用意し、半導体チップの上下からそのプリプレグ
で半導体チップを挟み込むようにして封止するものであ
る。
の樹脂をあらかじめ封止形状に合わせて形成したプリプ
レグを用意し、半導体チップの上下からそのプリプレグ
で半導体チップを挟み込むようにして封止するものであ
る。
【００１２】この技術を用いれば、薄型のパッケージ
は、プリプレグの厚さを薄くすることのみで実現でき、
かつチップとの熱膨張係数の差を少なくするためにシリ
カなどを大量に充填して樹脂の粘度が上がっても、先に
述べたトランスファモールド技術とは異なり、樹脂の未
充填部分である巣が生じることがない。
は、プリプレグの厚さを薄くすることのみで実現でき、
かつチップとの熱膨張係数の差を少なくするためにシリ
カなどを大量に充填して樹脂の粘度が上がっても、先に
述べたトランスファモールド技術とは異なり、樹脂の未
充填部分である巣が生じることがない。
【００１３】また、ガラスクロスなどの基材を用いずに
封止用の樹脂を封止形状に合わせて形成して樹脂シート
としても良く、この場合は基材を用いない分、さらに薄
型に封止することができる。
封止用の樹脂を封止形状に合わせて形成して樹脂シート
としても良く、この場合は基材を用いない分、さらに薄
型に封止することができる。
【００１４】しかしながら、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いたテープキ
ャリアを、このような技術を用いて樹脂封止しようとす
ると、インナリードがチップの周辺のエッジに接触して
特性不良となってしまうという欠点があった。
ｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術を用いたテープキ
ャリアを、このような技術を用いて樹脂封止しようとす
ると、インナリードがチップの周辺のエッジに接触して
特性不良となってしまうという欠点があった。
【００１５】図２は、ＴＡＢテープ上に半導体チップが
搭載されたテープキャリアの一例を示すものである。す
なわち、可撓性樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ１の
両側（上下）には、スプロケットホールとしての複数の
送り穴２が等間隔に形成されており、テープ１の幅方向
（上下方向）の中央部付近には半導体チップ３が配設さ
れるテープ開口部であるデバイスホール４が形成されて
いる。
搭載されたテープキャリアの一例を示すものである。す
なわち、可撓性樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ１の
両側（上下）には、スプロケットホールとしての複数の
送り穴２が等間隔に形成されており、テープ１の幅方向
（上下方向）の中央部付近には半導体チップ３が配設さ
れるテープ開口部であるデバイスホール４が形成されて
いる。
【００１６】そして、このデバイスホール４を囲むよう
に、その周囲（四方向）にはテープ開口部であるアウタ
リードホール５が形成されている。上記ＴＡＢテープ１
上には金属箔配線リード６が形成されており、その一端
はデバイスホール４内に突き出すように設けられ、前記
チップ３のボンディングパッド（図示していない）と接
続されるインナリード７を構成している。
に、その周囲（四方向）にはテープ開口部であるアウタ
リードホール５が形成されている。上記ＴＡＢテープ１
上には金属箔配線リード６が形成されており、その一端
はデバイスホール４内に突き出すように設けられ、前記
チップ３のボンディングパッド（図示していない）と接
続されるインナリード７を構成している。
【００１７】また、上記金属箔配線リード６の他端はア
ウタリードホール５をまたぐようにして設けられ、アウ
タリード８を構成している。このような構成において、
前記デバイスホール４に配設された半導体チップ３のボ
ンディングパッドが前記インナリード７と接続されるこ
とにより、ＴＡＢテープ１上に半導体チップ３が搭載さ
れる。
ウタリードホール５をまたぐようにして設けられ、アウ
タリード８を構成している。このような構成において、
前記デバイスホール４に配設された半導体チップ３のボ
ンディングパッドが前記インナリード７と接続されるこ
とにより、ＴＡＢテープ１上に半導体チップ３が搭載さ
れる。
【００１８】この後、ＴＡＢテープ１の上下に封止形状
に合わせて形成された封止用樹脂シートが配置され、加
圧成型による封止体の形成が行われる。図３は、上記し
た加圧成型による封止工程の概略を示すものである。
に合わせて形成された封止用樹脂シートが配置され、加
圧成型による封止体の形成が行われる。図３は、上記し
た加圧成型による封止工程の概略を示すものである。
【００１９】すなわち、あらかじめ封止形状に合わせて
形成された封止用樹脂シート９，１０がＴＡＢテープ１
の上下に配置され、これら樹脂シート９，１０で半導体
チップ３の搭載されたＴＡＢテープ１を挟み込んだ状態
で、金型１１，１２により図示矢印方向に加圧が行われ
る（同図（ａ））。
形成された封止用樹脂シート９，１０がＴＡＢテープ１
の上下に配置され、これら樹脂シート９，１０で半導体
チップ３の搭載されたＴＡＢテープ１を挟み込んだ状態
で、金型１１，１２により図示矢印方向に加圧が行われ
る（同図（ａ））。
【００２０】この場合、インナリード７の先端は、配線
リード６の高さより少し下に変形されて、半導体チップ
３のボンディングパッドと接続されている。こうして、
樹脂シート９，１０でチップ３の搭載されたＴＡＢテー
プ１を挟み込み、金型１１，１２によって加圧成型する
ことにより、樹脂封止が行われる（同図（ｂ））。
リード６の高さより少し下に変形されて、半導体チップ
３のボンディングパッドと接続されている。こうして、
樹脂シート９，１０でチップ３の搭載されたＴＡＢテー
プ１を挟み込み、金型１１，１２によって加圧成型する
ことにより、樹脂封止が行われる（同図（ｂ））。
【００２１】しかし、樹脂シート９，１０が加圧される
ときに、ＴＡＢテープ１はチップ３に対して下の方向
に、逆に、チップ３はＴＡＢテープ１に対して上の方向
に押し上げられる。
ときに、ＴＡＢテープ１はチップ３に対して下の方向
に、逆に、チップ３はＴＡＢテープ１に対して上の方向
に押し上げられる。
【００２２】その結果、封止が完了した状態では、イン
ナリード７の先端が配線リード６の高さより上に変形さ
れてしまい、インナリード７が半導体チップ３の周辺の
エッジに接触してしまうという問題があった。
ナリード７の先端が配線リード６の高さより上に変形さ
れてしまい、インナリード７が半導体チップ３の周辺の
エッジに接触してしまうという問題があった。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、ＴＡＢテープ上に半導体チップを搭載した
テープキャリアの封止に、あらかじめ封止形状に合わせ
て形成された樹脂シートでテープキャリアを挟んで加圧
成型する方法を適用した場合、上側の樹脂シートがＴＡ
Ｂテープをチップの方向に押し下げ、逆に、下側の樹脂
シートがチップをＴＡＢテープの方向に押し上げるた
め、インナリードがチップの周辺のエッジに接触して特
性不良を起こすという欠点があった。
においては、ＴＡＢテープ上に半導体チップを搭載した
テープキャリアの封止に、あらかじめ封止形状に合わせ
て形成された樹脂シートでテープキャリアを挟んで加圧
成型する方法を適用した場合、上側の樹脂シートがＴＡ
Ｂテープをチップの方向に押し下げ、逆に、下側の樹脂
シートがチップをＴＡＢテープの方向に押し上げるた
め、インナリードがチップの周辺のエッジに接触して特
性不良を起こすという欠点があった。
【００２４】そこで、この発明は、リード構成体と半導
体チップとのエッジタッチを防止でき、信頼性を向上す
ることが可能な樹脂封止型半導体装置およびその製造方
法を提供することを目的としている。
体チップとのエッジタッチを防止でき、信頼性を向上す
ることが可能な樹脂封止型半導体装置およびその製造方
法を提供することを目的としている。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の樹脂封止型半導体装置にあっては、リ
ード端子を有するリード構成体と、このリード構成体の
前記リード端子と電気的に接続された半導体チップと、
この半導体チップの、前記リード構成体のリード端子と
の接続面側に配置され、前記半導体チップの接続面側の
面積よりも面積的に小さい未硬化の封止用樹脂を加圧成
型して形成された第１のパッケージと、前記半導体チッ
プと前記リード構成体のリード端子との非接続面側に配
置され、前記半導体チップの非接続面側の面積よりも面
積的に大きい未硬化の封止用樹脂を加圧成型して形成さ
れた第２のパッケージとから構成されている。
めに、この発明の樹脂封止型半導体装置にあっては、リ
ード端子を有するリード構成体と、このリード構成体の
前記リード端子と電気的に接続された半導体チップと、
この半導体チップの、前記リード構成体のリード端子と
の接続面側に配置され、前記半導体チップの接続面側の
面積よりも面積的に小さい未硬化の封止用樹脂を加圧成
型して形成された第１のパッケージと、前記半導体チッ
プと前記リード構成体のリード端子との非接続面側に配
置され、前記半導体チップの非接続面側の面積よりも面
積的に大きい未硬化の封止用樹脂を加圧成型して形成さ
れた第２のパッケージとから構成されている。
【００２６】また、この発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法にあっては、リード構成体と半導体チップとを
接続し、この半導体チップを、その主面の面積よりも面
積的に小さく形成された第１の封止用樹脂と、前記チッ
プの従面の面積よりも面積的に大きく形成された第２の
封止用樹脂とで挟持し、この第１，第２の封止用樹脂を
加圧しつつ成型して封止体を得るようになっている。
製造方法にあっては、リード構成体と半導体チップとを
接続し、この半導体チップを、その主面の面積よりも面
積的に小さく形成された第１の封止用樹脂と、前記チッ
プの従面の面積よりも面積的に大きく形成された第２の
封止用樹脂とで挟持し、この第１，第２の封止用樹脂を
加圧しつつ成型して封止体を得るようになっている。
【００２７】
【作用】この発明は、上記した手段により、リード構成
体と半導体チップとの相対的な位置関係を維持できるよ
うになるため、リード端子の先端がリード端子よりも突
出した位置で封止を完了することが可能となるものであ
る。
体と半導体チップとの相対的な位置関係を維持できるよ
うになるため、リード端子の先端がリード端子よりも突
出した位置で封止を完了することが可能となるものであ
る。
【００２８】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図１は、本発明にかかる樹脂封止型半
導体装置の封止工程の概略を示すものである。
照して説明する。図１は、本発明にかかる樹脂封止型半
導体装置の封止工程の概略を示すものである。
【００２９】まず、半導体チップ３がＴＡＢテープ（リ
ード構成体）１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下に未硬化の封止用樹脂シート２１，２２が配置され
る。そして、図示矢印で示すように、金型１１，１２に
よる加圧成型が開始される（同図（ａ））。
ード構成体）１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下に未硬化の封止用樹脂シート２１，２２が配置され
る。そして、図示矢印で示すように、金型１１，１２に
よる加圧成型が開始される（同図（ａ））。
【００３０】このとき、インナリード（リード端子）７
の先端は、ＴＡＢテープ１上に施された金属箔配線リー
ド６の高さよりも下に位置されて、前記半導体チップ３
のボンディングパッドと接続されている。
の先端は、ＴＡＢテープ１上に施された金属箔配線リー
ド６の高さよりも下に位置されて、前記半導体チップ３
のボンディングパッドと接続されている。
【００３１】この場合、半導体チップ３の上面に配置さ
れた樹脂シート（第１の封止用樹脂）２１は、チップ３
の外形よりも小さい、つまりボンディングパッドとの接
続面であるチップ主面側の面積よりも面積的に小さく構
成されるとともに、テープキャリアの上面を封止するの
に十分な量の体積（高さ）を有している。
れた樹脂シート（第１の封止用樹脂）２１は、チップ３
の外形よりも小さい、つまりボンディングパッドとの接
続面であるチップ主面側の面積よりも面積的に小さく構
成されるとともに、テープキャリアの上面を封止するの
に十分な量の体積（高さ）を有している。
【００３２】一方、半導体チップ３の下面（パッドとの
非接続面である従面）に配置された樹脂シート（第２の
封止用樹脂）２２の外形は、封止工程が完了してＴＡＢ
テープ１が樹脂により覆われる際の大きさとほぼ同じと
されている。
非接続面である従面）に配置された樹脂シート（第２の
封止用樹脂）２２の外形は、封止工程が完了してＴＡＢ
テープ１が樹脂により覆われる際の大きさとほぼ同じと
されている。
【００３３】すなわち、この状態およびこの直後におい
ては、半導体チップ３に対して樹脂シート２１，２２に
より上下方向にほぼ同じ大きさの力が加わえられ、ＴＡ
Ｂテープ１に対しては何ら力が加わえられないようにな
っている。
ては、半導体チップ３に対して樹脂シート２１，２２に
より上下方向にほぼ同じ大きさの力が加わえられ、ＴＡ
Ｂテープ１に対しては何ら力が加わえられないようにな
っている。
【００３４】樹脂シート２１，２２をこのような形状と
することにより、この時点においては、半導体チップ３
とＴＡＢテープ１との相対的な位置関係が変化されるこ
とはない。
することにより、この時点においては、半導体チップ３
とＴＡＢテープ１との相対的な位置関係が変化されるこ
とはない。
【００３５】また、金型１１，１２による加圧成型が進
められると、樹脂シート２１，２２が変形されて、テー
プキャリアの上下面への樹脂の充填が行われる（同図
（ｂ））。
められると、樹脂シート２１，２２が変形されて、テー
プキャリアの上下面への樹脂の充填が行われる（同図
（ｂ））。
【００３６】たとえば、半導体チップ３の上面の樹脂シ
ート２１が変形されてチップ３上のボンディングパッド
とインナリード７との接続点にまで充填されるとき、半
導体チップ３の下面側では、下面の樹脂シート２２が変
形されてＴＡＢテープ１の裏面にまで充填される。
ート２１が変形されてチップ３上のボンディングパッド
とインナリード７との接続点にまで充填されるとき、半
導体チップ３の下面側では、下面の樹脂シート２２が変
形されてＴＡＢテープ１の裏面にまで充填される。
【００３７】この状態においては、半導体チップ３に
は、チップ３の上下面に配置された樹脂シート２１，２
２により上下方向にほぼ同じ大きさの力が加わえられ
る。また、チップ３の下側の樹脂シート２２がＴＡＢテ
ープ１の裏面の全体に充填されることにより、チップ３
とＴＡＢテープ１との相対的な位置関係は初期状態と何
ら変わらないまま、チップ３の下面およびＴＡＢテープ
１の下面が樹脂により固定される。
は、チップ３の上下面に配置された樹脂シート２１，２
２により上下方向にほぼ同じ大きさの力が加わえられ
る。また、チップ３の下側の樹脂シート２２がＴＡＢテ
ープ１の裏面の全体に充填されることにより、チップ３
とＴＡＢテープ１との相対的な位置関係は初期状態と何
ら変わらないまま、チップ３の下面およびＴＡＢテープ
１の下面が樹脂により固定される。
【００３８】さらに、金型１１，１２による加圧成型が
進められて、たとえば半導体チップ３の上面の樹脂シー
ト２１が変形されてＴＡＢテープ１の上面にまで充填さ
れるとき（同図（ｃ））、これ以降、ＴＡＢテープ１に
対してチップ３の方向（下方向）に力が加わり始める。
進められて、たとえば半導体チップ３の上面の樹脂シー
ト２１が変形されてＴＡＢテープ１の上面にまで充填さ
れるとき（同図（ｃ））、これ以降、ＴＡＢテープ１に
対してチップ３の方向（下方向）に力が加わり始める。
【００３９】しかし、ＴＡＢテープ１の下面にはすでに
樹脂が充填されているため、ＴＡＢテープ１がチップ３
の方向に移動されることはない。こうして、金型１１，
１２によるさらなる加圧成型により、樹脂シート２１，
２２が変形されて充填が完了される（同図（ｄ））。
樹脂が充填されているため、ＴＡＢテープ１がチップ３
の方向に移動されることはない。こうして、金型１１，
１２によるさらなる加圧成型により、樹脂シート２１，
２２が変形されて充填が完了される（同図（ｄ））。
【００４０】このとき、インナリード７の先端は、ＴＡ
Ｂテープ１上に施された金属箔配線リード６の高さより
も下に位置されて、半導体チップ３のボンディングパッ
ドと接続されている。
Ｂテープ１上に施された金属箔配線リード６の高さより
も下に位置されて、半導体チップ３のボンディングパッ
ドと接続されている。
【００４１】すなわち、ＴＡＢテープ１と半導体チップ
３とは、ほぼ初期状態と同じ位置関係を保って樹脂封止
されている。このようにして、インナリード７が半導体
チップ３の周辺のエッジに接触することなく、封止工程
を完了することができる。
３とは、ほぼ初期状態と同じ位置関係を保って樹脂封止
されている。このようにして、インナリード７が半導体
チップ３の周辺のエッジに接触することなく、封止工程
を完了することができる。
【００４２】なお、本実施例においては、ＴＡＢテープ
１には、たとえば可撓性樹脂フィルムの基材として１２
５μｍ厚のポリイミドテープを用い、この上に、３５μ
ｍ厚の銅箔をフォトリソグラフィプロセスによりパター
ニングして配線リード６を形成するとともに、インナリ
ード７およびアウタリード８を構成している。
１には、たとえば可撓性樹脂フィルムの基材として１２
５μｍ厚のポリイミドテープを用い、この上に、３５μ
ｍ厚の銅箔をフォトリソグラフィプロセスによりパター
ニングして配線リード６を形成するとともに、インナリ
ード７およびアウタリード８を構成している。
【００４３】また、デバイスホール４の大きさは、たと
えば１６ｍｍ角となっている。一方、半導体チップ３
は、たとえば、その大きさが１５ｍｍ角であり、厚さが
２００μｍである。
えば１６ｍｍ角となっている。一方、半導体チップ３
は、たとえば、その大きさが１５ｍｍ角であり、厚さが
２００μｍである。
【００４４】そして、樹脂シート２１，２２としては、
たとえばフェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂１
００重量部、ＵＶ硬化性アクリレート２０重量部、硬化
剤としてのジシアンジアミド６重量部、充填材としての
シリカ３００重量部、および触媒としてのベンジルジメ
チルアミン０．５重量部を、メチルセロソルプ１００重
量部に溶解してワニスを調整し、所定の形状に形成した
後、風乾し、さらに乾燥機中で、８０℃×４時間程度の
加熱乾燥を行ったものを用いている。
たとえばフェノールノボラックタイプのエポキシ樹脂１
００重量部、ＵＶ硬化性アクリレート２０重量部、硬化
剤としてのジシアンジアミド６重量部、充填材としての
シリカ３００重量部、および触媒としてのベンジルジメ
チルアミン０．５重量部を、メチルセロソルプ１００重
量部に溶解してワニスを調整し、所定の形状に形成した
後、風乾し、さらに乾燥機中で、８０℃×４時間程度の
加熱乾燥を行ったものを用いている。
【００４５】たとえば、半導体チップ３の上面の樹脂シ
ート２１の外形は、１３ｍｍ角で、その厚さは約４５０
μｍであり、チップ３の下面の樹脂シート２２の外形
は、２０ｍｍ角で、その厚さは約２００μｍとなってい
る。
ート２１の外形は、１３ｍｍ角で、その厚さは約４５０
μｍであり、チップ３の下面の樹脂シート２２の外形
は、２０ｍｍ角で、その厚さは約２００μｍとなってい
る。
【００４６】このような樹脂シート２１，２２を、テー
プキャリアの上側および下側に位置合わせして配置した
後、プレス成形部において、たとえば１７０℃に加熱し
た金型１１，１２内で１分間ほど加圧成型することによ
り、外形が約２０ｍｍ角で、約５００μｍ厚の樹脂封止
型半導体装置が作成される。
プキャリアの上側および下側に位置合わせして配置した
後、プレス成形部において、たとえば１７０℃に加熱し
た金型１１，１２内で１分間ほど加圧成型することによ
り、外形が約２０ｍｍ角で、約５００μｍ厚の樹脂封止
型半導体装置が作成される。
【００４７】こうして作成された樹脂封止型半導体装置
に、たとえば１８０℃の温度で、４時間程度のアフタキ
ュアを施すことで、信頼性の高い、つまりインナリード
７が半導体チップ３のエッジに接触などしていない樹脂
封止型半導体装置が完成される。
に、たとえば１８０℃の温度で、４時間程度のアフタキ
ュアを施すことで、信頼性の高い、つまりインナリード
７が半導体チップ３のエッジに接触などしていない樹脂
封止型半導体装置が完成される。
【００４８】上記したように、ＴＡＢテープと半導体チ
ップとの相対的な位置関係を維持できるようにしてい
る。すなわち、半導体チップの上面側の樹脂シートが変
形されてＴＡＢテープの上面に達する前に、チップの下
面側に配置した樹脂シートが先に変形してＴＡＢテープ
の下面に充填された後、半導体チップの上面側への樹脂
の充填が行われるようにしている。これにより、上面側
の樹脂シートでＴＡＢテープが押し下げられたり、下面
側の樹脂シートで半導体チップが押し上げられるのを阻
止できるようになるため、インナリードの先端が配線リ
ードよりも下に位置した状態で封止を完了することが可
能となる。したがって、インナリードと半導体チップと
のエッジタッチによる特性不良を容易に防止することが
でき、しかも単純で、かつ廉価に実現できるものであ
る。
ップとの相対的な位置関係を維持できるようにしてい
る。すなわち、半導体チップの上面側の樹脂シートが変
形されてＴＡＢテープの上面に達する前に、チップの下
面側に配置した樹脂シートが先に変形してＴＡＢテープ
の下面に充填された後、半導体チップの上面側への樹脂
の充填が行われるようにしている。これにより、上面側
の樹脂シートでＴＡＢテープが押し下げられたり、下面
側の樹脂シートで半導体チップが押し上げられるのを阻
止できるようになるため、インナリードの先端が配線リ
ードよりも下に位置した状態で封止を完了することが可
能となる。したがって、インナリードと半導体チップと
のエッジタッチによる特性不良を容易に防止することが
でき、しかも単純で、かつ廉価に実現できるものであ
る。
【００４９】なお、上記実施例においては、ＴＡＢ技術
を用いてテープキャリア上に搭載された半導体チップを
封止する場合について説明したが、これに限らず、たと
えばリードフレームにワイヤボンディングによって接続
された半導体チップやワイヤレスボンディングにより接
続されたフリップチップなどの封止にも適用することが
できる。その他、この発明の要旨を変えない範囲におい
て、種々変形実施可能なことは勿論である。
を用いてテープキャリア上に搭載された半導体チップを
封止する場合について説明したが、これに限らず、たと
えばリードフレームにワイヤボンディングによって接続
された半導体チップやワイヤレスボンディングにより接
続されたフリップチップなどの封止にも適用することが
できる。その他、この発明の要旨を変えない範囲におい
て、種々変形実施可能なことは勿論である。
【００５０】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、リード構成体と半導体チップとのエッジタッチを防
止でき、信頼性を向上することが可能な樹脂封止型半導
体装置およびその製造方法を提供できる。
ば、リード構成体と半導体チップとのエッジタッチを防
止でき、信頼性を向上することが可能な樹脂封止型半導
体装置およびその製造方法を提供できる。
【図１】この発明の一実施例にかかる樹脂封止型半導体
装置の封止工程を概略的に示す断面図。
装置の封止工程を概略的に示す断面図。
【図２】従来技術とその問題点を説明するために示すテ
ープキャリアの平面図。
ープキャリアの平面図。
【図３】同じく、加圧成型による樹脂封止の概略を示す
断面図。
断面図。
１…ＴＡＢテープ、３…半導体チップ、６…金属箔配線
リード、７…インナリード、１１，１２…金型、２１，
２２…樹脂シート。
リード、７…インナリード、１１，１２…金型、２１，
２２…樹脂シート。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34 4Ｆ
Claims (3)
- 【請求項１】 リード端子を有するリード構成体と、 このリード構成体の前記リード端子と電気的に接続され
た半導体チップと、 この半導体チップの、前記リード構成体のリード端子と
の接続面側に配置され、前記半導体チップの接続面側の
面積よりも面積的に小さい未硬化の封止用樹脂を加圧成
型して形成された第１のパッケージと、 前記半導体チップと前記リード構成体のリード端子との
非接続面側に配置され、前記半導体チップの非接続面側
の面積よりも面積的に大きい未硬化の封止用樹脂を加圧
成型して形成された第２のパッケージとを具備したこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 リード構成体と半導体チップとを接続
し、 この半導体チップを、その主面の面積よりも面積的に小
さく形成された第１の封止用樹脂と、前記チップの従面
の面積よりも面積的に大きく形成された第２の封止用樹
脂とで挟持し、 この第１，第２の封止用樹脂を加圧しつつ成型して封止
体を得るようにしてなることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の封止用樹脂が、前記リード構
成体との接続面側の、前記半導体チップの主面のその外
形の内側に位置合わせして配置され、前記第２の封止用
樹脂が、前記リード構成体との非接続面側の、前記半導
体チップの従面を覆うように位置合わせして配置され、
前記加圧成型が行われることを特徴とする請求項２に記
載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106865A JPH06318609A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106865A JPH06318609A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318609A true JPH06318609A (ja) | 1994-11-15 |
Family
ID=14444451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5106865A Pending JPH06318609A (ja) | 1993-05-07 | 1993-05-07 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06318609A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998002919A1 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Fujitsu Limited | Procede et moule de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, dispositif a semiconducteur, et procede de montage du dispositif |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| WO2009150919A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 新東工業株式会社 | 半導体ウエハの保護膜の形成装置 |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP5106865A patent/JPH06318609A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998002919A1 (fr) * | 1996-07-12 | 1998-01-22 | Fujitsu Limited | Procede et moule de fabrication d'un dispositif a semiconducteur, dispositif a semiconducteur, et procede de montage du dispositif |
| KR100357278B1 (ko) * | 1996-07-12 | 2002-10-19 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치 |
| KR100373554B1 (ko) * | 1996-07-12 | 2003-02-26 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법, 반도체 장치 및 그 실장 구조 |
| EP1271640A3 (en) * | 1996-07-12 | 2003-07-16 | Fujitsu Limited | Mold for manufacturing semiconductor device |
| EP1189270A3 (en) * | 1996-07-12 | 2003-07-16 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
| US6881611B1 (en) | 1996-07-12 | 2005-04-19 | Fujitsu Limited | Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device |
| CN100428449C (zh) * | 1996-07-12 | 2008-10-22 | 富士通株式会社 | 半导体装置 |
| WO2009150919A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | 新東工業株式会社 | 半導体ウエハの保護膜の形成装置 |
| JP2010021509A (ja) * | 2008-06-10 | 2010-01-28 | Sintokogio Ltd | 半導体ウエハの保護膜の形成装置 |
| JP4582467B2 (ja) * | 2008-06-10 | 2010-11-17 | 新東工業株式会社 | 半導体ウエハの保護膜の形成装置 |
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