JPH06310562A

JPH06310562A - 樹脂封止型半導体装置

Info

Publication number: JPH06310562A
Application number: JP5097968A
Authority: JP
Inventors: Tomoaki Takubo; 知章田窪
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-04-23
Filing date: 1993-04-23
Publication date: 1994-11-04

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、樹脂シートにより半導体チップを挟
み込み、一体的に固着封止してなる樹脂封止型半導体装
置において、インナリードのチップエッジへの接触を防
止できるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、半導体チップ１３が搭載されるＴＡ
Ｂテープ１１の、デバイスホール１４の形状を、その一
部が上記チップ１３の一部を覆うような形状とする。こ
れにより、半導体チップ１３を上下方向より樹脂シート
でサンドし、金型により加圧成型する場合においても、
封止工程が完了するまで、ＴＡＢテープ１１と半導体チ
ップ１３との相対的な位置関係が変化されるのを阻止す
る構成となっている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体チッ
プを樹脂封止してなる樹脂封止型半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化にともなう
チップの大型化によって、樹脂封止型半導体装置のパッ
ケージの大型化が進む一方、実装スペースの微細化にと
もない、薄型化の傾向を強めている。この傾向は、今後
もますます強くなっていくと考えられる。

【０００３】また、パッケージの種類も今後ますます多
様化し、従来のトランスファ成型法（トランスファモー
ルド技術）では、十分な対応ができなくなってきてい
る。このような状況の中で、多品種少量生産が可能なフ
レキシブルな生産様式の開発が望まれている。

【０００４】たとえば、半導体集積回路技術の分野で
は、マイクロプロセッサとその外部とのデータ転送量お
よび転送スピードの増大への要求を強くしており、この
要求に如何に答えるかが、マイクロプロセッサを用いた
システムの動作スピードや能力を上げるための重要な課
題となっている。

【０００５】このため、従来からウェハスケールインテ
グレーションやマルチチップモジュールなどの高密度実
装技術などの開発が行われているが、これらはいずれも
メモリチップやロジックチップを２次元平面状に高密度
に実装する技術である。

【０００６】すなわち、メモリチップを２次元平面状に
高密度に実装した場合、マイクロプロセッサからの距離
が近いチップと遠いチップとが存在することになるた
め、遠いチップからマイクロプロセッサまでの信号遅延
時間がマイクロプロセッサとメモリチップとのデータ転
送スピードを律速することになる。

【０００７】この問題を解決するための技術として、メ
モリチップなどを３次元状に、その厚さ方向に積層する
方法が提案されている。この場合、できるだけ多くのチ
ップを配置するためには、チップの薄型化が必要とな
る。

【０００８】さて、従来の樹脂封止型半導体装置の多く
は、トランスファ成型法によって得られていた。この方
法は、エポキシ樹脂および充填剤などを主体としたエポ
キシ成型材料などの未硬化の熱硬化性樹脂を加熱し、溶
融させてトランスファ成型機の金型に注入し、高温高圧
状態（たとえば、１６０〜１８０℃、７０〜１００Ｋｇ
／ｃｍ²）で成型して硬化させることにより、リードフ
レームなどの実装部材上に搭載された半導体チップを封
止するものである。

【０００９】この場合、半導体チップをエポキシ樹脂組
成物が完全に覆うため、得られる樹脂封止型半導体装置
の信頼性が優れており、また金型できっちり成型するた
め、パッケージの外観も良好である。したがって、現在
では、ほとんどの樹脂封止型半導体装置が、この方法で
製造されている。

【００１０】しかし、未硬化の熱硬化性樹脂をトランス
ファ成型機の金型に注入する方法では、薄型の実装は困
難である。そこで、このような要求に答えることのでき
る技術として、たとえば特願平３−１６２４０４号に示
される提案がなされている。

【００１１】これは、ガラスクロスなどの基材に封止用
の樹脂をあらかじめ封止形状に合わせて形成したプリプ
レグを用意し、半導体チップの上下からそのプリプレグ
で半導体チップを挟み込むようにして封止するものであ
る。

【００１２】この技術を用いれば、薄型のパッケージ
は、プリプレグの厚さを薄くすることのみで実現でき、
かつチップとの熱膨張係数の差を少なくするためにシリ
カなどを大量に充填して樹脂の粘度を上げても、先に述
べたトランスファモールド技術とは異なり、樹脂の未充
填部分である巣が生じることがない。

【００１３】また、ガラスクロスなどの基材を用いずに
封止用の樹脂を封止形状に合わせて形成して樹脂シート
としても良く、この場合は基材を用いない分、さらに薄
型に封止することができる。

【００１４】しかしながら、ＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔ
ｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）技術を用いたテープキ
ャリアを、このような技術を用いて樹脂封止しようとす
ると、インナリードがチップの周辺のエッジに接触して
特性不良となってしまうという欠点があった。

【００１５】図９は、ＴＡＢテープ上に半導体チップが
搭載されたテープキャリアの一例を示すものである。す
なわち、可撓性樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ１の
両側（上下）には、スプロケットホールとしての複数の
送り穴２が等間隔に形成されており、テープ１の幅方向
（上下方向）の中央部付近には半導体チップ３が配設さ
れるテープ開孔部であるデバイスホール４が形成されて
いる。

【００１６】そして、このデバイスホール４を囲むよう
に、その周囲（上下二方向）にはテープ開孔部であるア
ウタリードホール５が形成されている。上記ＴＡＢテー
プ１上には金属箔配線リード６が形成されており、その
一端はデバイスホール４内に突き出すように設けられ、
たとえば前記チップ３のボンディングパッドとバンプ
（いずれも図示していない）を介して電気的に接続され
るインナリード７を構成している。

【００１７】また、上記金属箔配線リード６の他端はア
ウタリードホール５をまたぐようにして設けられ、アウ
タリード８を構成している。このような構成において、
前記デバイスホール４に半導体チップ３が配設され、こ
の半導体チップ３のボンディングパッドが前記デバイス
ホール４を介して前記インナリード７と接続されること
によりＴＡＢテープ１上に半導体チップ３が搭載され
て、テープキャリアが構成される。

【００１８】この後、ＴＡＢテープ（テープキャリア）
１の上下に封止形状に合わせて形成された封止用樹脂シ
ートが個々に配置され、加圧成型による封止体の形成が
行われる。

【００１９】図１０は、上記した加圧成型による封止工
程の概略を示すものである。同図（ａ）は、上記テープ
キャリアを図９のＡ−Ａ線に沿って切った断面図、同図
（ｂ）は、上記テープキャリアを図９のＢ−Ｂ線に沿っ
て切った断面図、同図（ｃ）は、上記テープキャリアの
上下に封止用樹脂シートを配置した様子を示す断面図、
同図（ｄ）は、封止が完了した状態を示す断面図であ
る。

【００２０】すなわち、あらかじめ封止形状に合わせて
形成された封止用樹脂シート９，９がＴＡＢテープ１の
上下に配置され、これら樹脂シート９，９で半導体チッ
プ３の搭載されたＴＡＢテープ１を挟み込んだ状態で、
図示していない金型により図示矢印方向に加圧が行われ
る。

【００２１】この場合、インナリード７の先端は、配線
リード６の高さより少し下に変形されて、半導体チップ
３のボンディングパッドと接続されている。こうして、
樹脂シート９，９でチップ３の搭載されたＴＡＢテープ
１を挟み込み、金型によって加圧成型することにより、
樹脂封止が行われる。

【００２２】しかし、樹脂シート９，９が加圧されると
きに、ＴＡＢテープ１はチップ３に対して下の方向に、
逆に、チップ３はＴＡＢテープ１に対して上の方向に押
し上げられる。

【００２３】その結果、封止が完了した状態では、イン
ナリード７の先端が配線リード６の高さより上に変形さ
れてしまい、インナリード７が半導体チップ３の周辺の
エッジに接触してしまうという問題があった。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、ＴＡＢテープ上に半導体チップを搭載した
テープキャリアの封止に、あらかじめ封止形状に合わせ
て形成された樹脂シートでテープキャリアを挟んで加圧
成型する方法を適用した場合、上側の樹脂シートがＴＡ
Ｂテープをチップの方向に押し下げ、逆に、下側の樹脂
シートがチップをＴＡＢテープの方向に押し上げるた
め、インナリードがチップの周辺のエッジに接触して特
性不良を起こすという欠点があった。

【００２５】そこで、この発明は、リード端子と半導体
チップとのエッジタッチを防止でき、信頼性を向上する
ことが可能な樹脂封止型半導体装置を提供することを目
的としている。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の樹脂封止型半導体装置にあっては、半
導体チップと、この半導体チップの一部を覆うようにし
て形成された開孔部、およびこの開孔部に位置合わせさ
れた前記半導体チップの電極パッドと電気的に接続する
リード端子を有するリード構成体と、このリード構成体
および前記半導体チップを封止する樹脂からなる封止用
樹脂シートとから構成されている。

【００２７】また、この発明の樹脂封止型半導体装置に
あっては、半導体チップと、この半導体チップの一部に
当接される当接部を有して形成された開孔部、およびこ
の開孔部に位置合わせされ、前記当接部により保持され
た前記半導体チップの電極パッドと電気的に接続するリ
ード端子を有するリード構成体と、このリード構成体お
よび前記半導体チップとを挟持し、加圧成形によりパッ
ケージを形成する樹脂からなる一対の封止用樹脂シート
とから構成されている。

【００２８】

【作用】この発明は、上記した手段により、半導体チッ
プの表面の一部をリード構成体で保持できるようになる
ため、リード端子と半導体チップとの相対的な位置関係
を維持したままで封止を完了することが可能となるもの
である。

【００２９】

【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
して説明する。図１，図２は、本発明の第１の実施例に
かかる樹脂封止型半導体装置の概略を示すものである。

【００３０】すなわち、図１に示す如く、可撓性樹脂フ
ィルムからなるＴＡＢテープ１１の両側（上下）には、
スプロケットホールとしての複数の送り穴１２が等間隔
に形成されており、テープ１１の幅方向（上下方向）の
中央部付近には、半導体チップ１３が配設されるテープ
開孔部であるデバイスホール１４が形成されている。

【００３１】この場合、上記デバイスホール１４は、た
とえば長方形のチップ１３の長辺方向に対しては、その
両端をＴＡＢテープ１１が覆うようにチップ１３の長辺
よりも短く、短辺方向に対しては、チップ１３の短辺と
同じかそれよりも長くなるようにして形成されている。

【００３２】そして、このデバイスホール１４を囲むよ
うに、その周囲（上下二方向）には、テープ開孔部であ
るアウタリードホール１５が形成されている。また、上
記ＴＡＢテープ１１上には金属箔配線リード１６が形成
されており、その一端はデバイスホール１４内に突き出
すように設けられ、たとえば前記チップ１３のボンディ
ングパッドとバンプ（いずれも図示していない）を介し
て電気的に接続されるインナリード１７を構成してい
る。

【００３３】また、上記金属箔配線リード１６の他端は
アウタリードホール１５をまたぐようにして設けられ、
アウタリード１８を構成している。このような構成にお
いて、前記デバイスホール１４にＴＡＢテープ１１の下
面側より半導体チップ１３が位置合わせされて配設さ
れ、この半導体チップ１３のボンディングパッドが前記
デバイスホール１４を介して前記インナリード１７と電
気的に接続されることによりＴＡＢテープ１１上に半導
体チップ１３が搭載されて、テープキャリアが構成され
る。

【００３４】すなわち、インナリード１７は、ＴＡＢテ
ープ１１の上面に施された金属箔配線リード１６から延
長されて、上記デバイスホール１４内に突き出すように
設けられるものである。

【００３５】また、この場合、半導体チップ１３の長辺
方向においては、その表面の一部がＴＡＢテープ１１に
よって覆われるようになっている。したがって、インナ
リード１７の先端は、図２（ａ），（ｂ）に示す如く、
上記配線リード１６よりも少なくともＴＡＢテープ１１
の厚さ分だけ下方向に変形されて、前記半導体チップ１
３のボンディングパッドと接続されることになる。

【００３６】この状態において、図２（ｃ）に示す如
く、半導体チップ１３がＴＡＢテープ１１上に搭載され
たテープキャリアの、その上下に樹脂シート１９，１９
が配置される。そして、図示矢印で示す方向に、金型
（図示していない）による加圧成型が開始される。

【００３７】金型による加圧成型が進められると、樹脂
シート１９，１９が変形され、半導体チップ１３には、
チップ１３の下面側に配置された樹脂シート１９により
上方向、つまりＴＡＢテープ１１の方向に力が加わえら
れる。

【００３８】また、ＴＡＢテープ１１には、チップ１３
の上面側に配置された樹脂シート１９により下方向、つ
まりチップ１３の方向に力が加わえられる。しかし、上
述したように、半導体チップ１３の長辺方向の両端がＴ
ＡＢテープ１１によって覆われているため、チップ１３
とテープ１１との相対的な位置関係が変化されて、少な
くともチップ１３の上面がテープ１１の下面より上に移
動されることはない。

【００３９】したがって、封止が完了した状態において
は、図２（ｄ），（ｅ）に示す如く、インナリード１７
の先端が、ＴＡＢテープ１１上に施された金属箔配線リ
ード１６の高さよりもＴＡＢテープ１１の厚さの分だけ
下に変形されたままとすることができる。

【００４０】すなわち、半導体チップ１３とＴＡＢテー
プ１１との相対的な位置関係は初期状態と何ら変わるこ
となく、つまり半導体チップ１３とＴＡＢテープ１１と
は、ほぼ初期状態と同じ位置関係を保ちつつ樹脂による
封止が可能となる。

【００４１】このようにして、インナリード１７が半導
体チップ１３の周辺のエッジに接触することなく、封止
工程を完了することができる。なお、本実施例において
は、ＴＡＢテープ１１には、たとえば可撓性樹脂フィル
ムの基材として１２５μｍ厚のポリイミドテープを用
い、この上に、３５μｍ厚の銅箔をフォトリソグラフィ
プロセスによりパターニングして金属箔配線リード１６
を形成するとともに、インナリード１７およびアウタリ
ード１８を構成している。

【００４２】また、デバイスホール１４の大きさは、た
とえば縦（半導体チップ１３の短辺方向）が８ｍｍ、横
（チップ１３の長辺方向）が６ｍｍとなっている。一
方、半導体チップ１３は、たとえば、その大きさが縦
（短辺方向）６ｍｍ、横（長辺方向）１０ｍｍであり、
厚さを２５０μｍとし、長辺方向のそれぞれに沿ってボ
ンディングパッドが配列されたものを用いた。

【００４３】すなわち、チップ１３の長辺方向の長さ１
０ｍｍのうち、両端の２ｍｍがそれぞれＴＡＢテープ１
１により覆われるようにしている。そして、樹脂シート
１９，１９としては、たとえばフェノールノボラックタ
イプのエポキシ樹脂１００重量部、ＵＶ硬化性アクリレ
ート２０重量部、硬化剤としてのジシアンジアミド６重
量部、充填材としてのシリカ３００重量部、および触媒
としてのベンジルジメチルアミン０．５重量部を、メチ
ルセロソルプ１００重量部に溶解してワニスを調整し、
略封止形状に形成した後、風乾し、さらに乾燥機中で、
８０℃で４時間程度の加熱乾燥を行って、厚さ２００μ
ｍとしたものを用いている。

【００４４】このような樹脂シート１９，１９を、テー
プキャリアの上側および下側に位置合わせして配置した
後、プレス成形部において、たとえば１７０℃に加熱し
た金型内で１分間ほど加圧成型することにより、外形が
約２０ｍｍ角で、約５００μｍ厚の樹脂封止型半導体装
置が作成される。

【００４５】こうして作成された樹脂封止型半導体装置
に、たとえば１８０℃の温度で、４時間程度のアフタキ
ュアを施すことで、信頼性の高い、つまりインナリード
１７が半導体チップ１３のエッジに接触などしていない
良好な樹脂封止型半導体装置を完成させることができ
る。

【００４６】なお、上記ＴＡＢテープ１１の薄型化によ
る変形を補う目的で、たとえば図１に示すように、ＴＡ
Ｂテープ１１の上面側より半導体チップ１３が当接され
るそれぞれの部分に金属などの補強部材２０を設けるよ
うにしても良い。

【００４７】次に、この発明の第２の実施例について説
明する。図３は、本発明の第２の実施例にかかる樹脂封
止型半導体装置の概略を示すものである。

【００４８】すなわち、同図（ａ）に示す如く、可撓性
樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ２１の両側（上下）
には、スプロケットホールとしての複数の送り穴２２が
等間隔に形成されており、テープ２１の幅方向（上下方
向）の中央部付近には、半導体チップ２３が配設される
テープ開孔部であるデバイスホール２４ａ，２４ｂが形
成されている。

【００４９】この場合、上記デバイスホール２４ａ，２
４ｂは、たとえば長方形のチップ２３の長辺方向の両端
を開孔するように形成され、その相互間のＴＡＢテープ
２１がチップ２３の中央部を覆うようになっている。

【００５０】そして、このデバイスホール２４ａ，２４
ｂを囲むように、その周囲（上下二方向）には、テープ
開孔部であるアウタリードホール２５が形成されてい
る。また、上記ＴＡＢテープ２１上には金属箔配線リー
ド２６が形成されており、その一端はデバイスホール２
４ａ，２４ｂの相互間を配線されて両デバイスホール２
４ａ，２４ｂ内に突き出すように設けられ、たとえば前
記チップ２３のボンディングパッドとバンプ（いずれも
図示していない）を介して電気的に接続されるインナリ
ード２７を構成している。

【００５１】また、上記金属箔配線リード２６の他端は
アウタリードホール２５をまたぐようにして設けられ、
アウタリード２８を構成している。このような構成にお
いて、前記デバイスホール２４ａ，２４ｂにＴＡＢテー
プ２１の下面側より半導体チップ２３が位置合わせされ
て配設され、この半導体チップ２３のボンディングパッ
ドが前記デバイスホール２４ａ，２４ｂを介して前記イ
ンナリード２７と電気的に接続されることによりＴＡＢ
テープ２１上に半導体チップ２３が搭載されて、テープ
キャリアが構成される。

【００５２】すなわち、インナリード２７は、ＴＡＢテ
ープ２１の上面に施された金属箔配線リード２６から延
長されて、上記デバイスホール２４ａ，２４ｂ内に突き
出すように設けられるものである。

【００５３】また、この場合、半導体チップ２３の長辺
方向においては、同図（ｂ），（ｃ）に示す如く、その
表面の中央部がＴＡＢテープ２１によって覆われるよう
になっている。

【００５４】したがって、インナリード２７の先端は、
同図（ｂ）に示す如く、上記配線リード２６よりも少な
くともＴＡＢテープ２１の厚さ分だけ下方向に変形され
て、前記半導体チップ２３のボンディングパッドと接続
されることになる。

【００５５】この状態において、半導体チップ２３がＴ
ＡＢテープ２１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下を挟み込むように樹脂シートを配置し、金型（図示
していない）による加圧成型が、前記した第１の実施例
と同様にして行われる。

【００５６】すなわち、半導体チップ２３の長辺方向の
中央部がＴＡＢテープ２１によって覆われた状態で、樹
脂シートによる封止が行われる。この結果、同図（ｄ）
に示す如く、封止が完了した状態においては、半導体チ
ップ２３の上面がＴＡＢテープ２１の下面よりも上に移
動されることがなく、つまりインナリード２７が半導体
チップ２３の周辺のエッジに接触することなく、封止工
程を完了することができる。

【００５７】なお、本実施例では、ほぼ第１の実施例と
同様の構成とし、たとえば縦（半導体チップ２３の短辺
方向）が８ｍｍで、横（チップ２３の長辺方向）が３ｍ
ｍのデバイスホール２４ａ，２４ｂを、６ｍｍの間隔を
もって配置し、これをＴＡＢテープ２１とした。

【００５８】半導体チップ２３としては、たとえば、そ
の大きさが縦（短辺方向）６ｍｍ、横（長辺方向）１０
ｍｍ、厚さ２５０μｍであり、それぞれの短辺方向にボ
ンディングパッドが配列されたものを用いている。

【００５９】すなわち、チップ２３の長辺方向の長さ１
０ｍｍのうち、中央部の６ｍｍがＴＡＢテープ２１によ
り覆われるようにしている。以下、樹脂シートを用いた
封止工程を第１の実施例と同様にして行うことで、信頼
性の高い、つまりインナリード２７が半導体チップ２３
のエッジに接触などしていない良好な樹脂封止型半導体
装置を得ることができる。

【００６０】次に、この発明の第３の実施例について説
明する。図４は、本発明の第３の実施例にかかる樹脂封
止型半導体装置の概略を示すものである。

【００６１】すなわち、同図（ａ）に示す如く、可撓性
樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ３１の両側（上下）
には、スプロケットホールとしての複数の送り穴３２が
等間隔に形成されており、テープ３１の幅方向（上下方
向）の中央部付近には、半導体チップ３３が配設される
テープ開孔部であるデバイスホール３４が形成されてい
る。

【００６２】この場合、上記デバイスホール３４は、た
とえば略十字型に開孔されて形成され、ほぼ正方形のチ
ップ３３の四隅をＴＡＢテープ３１がそれぞれ覆うよう
な形状とされている。

【００６３】そして、このデバイスホール３４を囲むよ
うに、その周囲（四方向）には、テープ開孔部であるア
ウタリードホール３５が形成されている。また、上記Ｔ
ＡＢテープ３１上には金属箔配線リード３６が形成され
ており、その一端はデバイスホール３４内に突き出すよ
うに設けられ、たとえば前記チップ３３のボンディング
パッドとバンプ（いずれも図示していない）を介して電
気的に接続されるインナリード３７を構成している。

【００６４】また、上記金属箔配線リード３６の他端は
アウタリードホール３５をまたぐようにして設けられ、
アウタリード３８を構成している。このような構成にお
いて、前記デバイスホール３４にＴＡＢテープ３１の下
面側より半導体チップ３３が位置合わせされて配設さ
れ、この半導体チップ３３のボンディングパッドが前記
デバイスホール３４を介して前記インナリード３７と電
気的に接続されることによりＴＡＢテープ３１上に半導
体チップ３３が搭載されて、テープキャリアが構成され
る。

【００６５】すなわち、インナリード３７は、ＴＡＢテ
ープ３１の上面に施された金属箔配線リード３６から延
長されて、上記デバイスホール３４内に突き出すように
設けられるものである。

【００６６】また、この場合、半導体チップ３３の四隅
においては、同図（ｂ），（ｃ）に示す如く、その表面
の各隅がＴＡＢテープ３１によって覆われるようになっ
ている。

【００６７】したがって、インナリード３７の先端は、
同図（ｂ）に示す如く、上記配線リード３６よりも少な
くともＴＡＢテープ３１の厚さ分だけ下方向に変形され
て、前記半導体チップ３３のボンディングパッドと接続
されることになる。

【００６８】この状態において、半導体チップ３３がＴ
ＡＢテープ３１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下を挟み込むように樹脂シートを配置し、金型（図示
していない）による加圧成型が、前記の第１，第２の実
施例と同様にして行われる。

【００６９】すなわち、半導体チップ３３の四隅がＴＡ
Ｂテープ３１によって覆われた状態で、樹脂シートによ
る封止が行われる。この結果、同図（ｄ）に示す如く、
封止が完了した状態においては、半導体チップ３３の上
面がＴＡＢテープ３１の下面よりも上に移動されること
がなく、つまりインナリード３７が半導体チップ３３の
周辺のエッジに接触することなく、封止工程を完了する
ことができる。

【００７０】なお、本実施例では、ほぼ第１，第２の実
施例と同様の構成とし、たとえば１２ｍｍ角の正方形の
四隅に、３ｍｍ角のＴＡＢテープ３１を残す、つまり一
辺が６ｍｍで、他辺が１２ｍｍの２つの開孔を９０度ず
らせてデバイスホール３４を形成し、これをＴＡＢテー
プ３１とした。

【００７１】半導体チップ３３としては、たとえば、そ
の大きさが縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２５０μｍで
あり、それぞれの辺に沿ってボンディングパッが配列さ
れたものを用いている。

【００７２】すなわち、チップ３３の各辺の長さ１０ｍ
ｍのうち、端の２ｍｍずつ（いわゆる、隅の２ｍｍ×２
ｍｍの領域）がＴＡＢテープ３１により覆われるように
している。

【００７３】以下、樹脂シートを用いた封止工程を第
１，第２の実施例と同様にして行うことで、信頼性の高
い、つまりインナリード３７が半導体チップ３３のエッ
ジに接触などしていない良好な樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。

【００７４】なお、上記ＴＡＢテープ３１の薄型化によ
る変形を補う目的で、たとえば図４（ａ）に示すよう
に、ＴＡＢテープ３１の上面側より半導体チップ３３が
当接される部分（４か所）にそれぞれ金属などの補強部
材４０を設けるようにしても良い。

【００７５】次に、この発明の第４の実施例について説
明する。図５は、本発明の第４の実施例にかかる樹脂封
止型半導体装置の概略を示すものである。

【００７６】すなわち、同図（ａ）に示す如く、可撓性
樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ４１の両側（上下）
には、スプロケットホールとしての複数の送り穴４２が
等間隔に形成されており、テープ４１の幅方向（上下方
向）の中央部付近には、半導体チップ４３が搭載される
領域において、チップ４３の各辺に沿ってテープ開孔部
であるインナリードホール４４が形成されている。

【００７７】そして、このインナリードホール４４を囲
むように、その周囲（四方向）には、テープ開孔部であ
るアウタリードホール４５が形成されている。また、上
記ＴＡＢテープ４１上には金属箔配線リード４６が形成
されており、その一端はインナリードホール４４内に突
き出すように設けられ、たとえば前記チップ４３のボン
ディングパッドとバンプ（いずれも図示していない）を
介して電気的に接続されるインナリード４７を構成して
いる。

【００７８】また、上記金属箔配線リード４６の他端は
アウタリードホール４５をまたぐようにして設けられ、
アウタリード４８を構成している。このような構成にお
いて、前記インナリードホール４４にＴＡＢテープ４１
の下面側より半導体チップ４３が位置合わせされて配設
され、この半導体チップ４３のボンディングパッドが前
記インナリードホール４４を介して前記インナリード４
７と電気的に接続されることによりＴＡＢテープ４１上
に半導体チップ４３が搭載されて、テープキャリアが構
成される。

【００７９】すなわち、インナリード４７は、ＴＡＢテ
ープ４１の上面に施された金属箔配線リード４６から延
長されて、上記インナリードホール４４内に突き出すよ
うに設けられるものである。

【００８０】また、この場合、半導体チップ４３の各辺
を除く部位においては、同図（ｂ），（ｃ）に示す如
く、その表面のほとんどがＴＡＢテープ４１によって覆
われるようになっている。

【００８１】したがって、インナリード４７の先端は、
同図（ｂ）に示す如く、上記配線リード４６よりも少な
くともＴＡＢテープ４１の厚さ分だけ下方向に変形され
て、前記半導体チップ４３のボンディングパッドと接続
されることになる。

【００８２】この状態において、半導体チップ４３がＴ
ＡＢテープ４１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下を挟み込むように樹脂シートを配置し、金型（図示
していない）による加圧成型が、前記の第１，第２，第
３の実施例と同様にして行われる。

【００８３】すなわち、半導体チップ４３のほとんどが
ＴＡＢテープ４１によって覆われた状態で、樹脂シート
による封止が行われる。この結果、同図（ｄ）に示す如
く、封止が完了した状態においては、半導体チップ４３
の上面がＴＡＢテープ４１の下面よりも上に移動される
ことがなく、つまりインナリード４７が半導体チップ４
３の周辺のエッジに接触することなく、封止工程を完了
することができる。

【００８４】なお、本実施例では、ほぼ第１，第２，第
３の実施例と同様の構成とし、たとえば半導体チップ４
３の各辺に沿うように２ｍｍ×６ｍｍのインナリードホ
ール４４を形成し、これをＴＡＢテープ４１とした。

【００８５】半導体チップ４３としては、たとえば、そ
の大きさが縦１０ｍｍ、横１０ｍｍ、厚さ２５０μｍで
あり、それぞれの辺に沿ってボンディングパッドが配列
されたものを用いている。

【００８６】すなわち、チップ４３のうち、ボンディン
グパッドに対応して形成されるインナリードホール４４
を除くほとんどがＴＡＢテープ４１により覆われるよう
にしている。

【００８７】以下、樹脂シートを用いた封止工程を第
１，第２，第３の実施例と同様にして行うことで、信頼
性の高い、つまりインナリード４７が半導体チップ４３
のエッジに接触などしていない良好な樹脂封止型半導体
装置を得ることができる。

【００８８】次に、この発明の第５の実施例について説
明する。図６は、本発明の第５の実施例にかかる樹脂封
止型半導体装置の概略を示すものである。

【００８９】すなわち、同図（ａ）に示す如く、可撓性
樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ５１の両側（上下）
には、スプロケットホールとしての複数の送り穴５２が
等間隔に形成されており、テープ５１の幅方向（上下方
向）の中央部付近には、半導体チップ５３が配設される
テープ開孔部であるデバイスホール５４が形成されてい
る。

【００９０】この場合、上記デバイスホール５４は、た
とえば長方形のチップ５３の短辺方向に対しては、ＴＡ
Ｂテープ５１がチップ５３の短辺方向の両端をそれぞれ
覆うように、その短辺の長さよりも短く、長辺方向に対
しては、その長辺の長さよりも長くなるような形状とさ
れている。

【００９１】そして、このデバイスホール５４を囲むよ
うに、その周囲（上下二方向）には、テープ開孔部であ
るアウタリードホール５５が形成されている。また、上
記ＴＡＢテープ５１上には金属箔配線リード５６が形成
されており、その一端はデバイスホール５４の長辺方向
からデバイスホール５４内に突き出すように設けられ、
たとえば前記チップ５３のボンディングパッドとバンプ
（いずれも図示していない）を介して電気的に接続され
るインナリード５７を構成している。

【００９２】また、上記金属箔配線リード５６の他端は
アウタリードホール５５をまたぐようにして設けられ、
アウタリード５８を構成している。このような構成にお
いて、前記デバイスホール５４にＴＡＢテープ５１の下
面側より半導体チップ５３が位置合わせされて配設さ
れ、この半導体チップ５３のボンディングパッドが前記
デバイスホール５４を介して前記インナリード５７と電
気的に接続されることによりＴＡＢテープ５１上に半導
体チップ５３が搭載されて、テープキャリアが構成され
る。

【００９３】すなわち、インナリード５７は、ＴＡＢテ
ープ５１の上面に施された金属箔配線リード５６から延
長されて、上記デバイスホール５４内に突き出すように
設けられるものである。

【００９４】また、この場合、半導体チップ５３の短辺
方向においては、同図（ｂ），（ｃ）に示す如く、その
両端がそれぞれＴＡＢテープ５１によって覆われるよう
になっている。

【００９５】したがって、インナリード５７の先端は、
同図（ｃ）に示す如く、上記配線リード５６よりも少な
くともＴＡＢテープ５１の厚さ分だけ下方向に変形され
て、前記半導体チップ５３のボンディングパッドと接続
されることになる。

【００９６】この状態において、半導体チップ５３がＴ
ＡＢテープ５１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下を挟み込むように樹脂シートを配置し、金型（図示
していない）による加圧成型が、前記の第１，第２，第
３，第４の実施例と同様にして行われる。

【００９７】すなわち、半導体チップ５３の短辺方向の
両端がＴＡＢテープ５１によって覆われた状態で、樹脂
シートによる封止が行われる。この結果、同図（ｄ）に
示す如く、封止が完了した状態においては、半導体チッ
プ５３の上面がＴＡＢテープ５１の下面よりも上に移動
されることがなく、つまりインナリード５７が半導体チ
ップ５３の周辺のエッジに接触することなく、封止工程
を完了することができる。

【００９８】なお、本実施例では、ほぼ第１，第２，第
３，第４の実施例と同様の構成とし、たとえば縦（半導
体チップ５３の短辺方向）が２ｍｍで、横（チップ５３
の長辺方向）が１２ｍｍのデバイスホール５４を形成
し、これをＴＡＢテープ５１とした。

【００９９】半導体チップ５３としては、たとえば、そ
の大きさが縦（短辺方向）６ｍｍ、横（長辺方向）１０
ｍｍ、厚さ２５０μｍのものを用いている。ただし、本
実施例において用いられる半導体チップ５３は、ボンデ
ィングパッドがチップの周辺に配置されているような一
般的なものではなく、たとえばチップの中央に配置され
た特殊なものとなっている。

【０１００】これは、チップの設計段階からそのような
配置としても良いし、チップの周辺に配置されたパッド
を中央に再配置するように追加配線を施したものであっ
ても良い。

【０１０１】すなわち、チップ５３の短辺方向の長さ６
ｍｍのうち、それぞれ端部の２ｍｍがＴＡＢテープ５１
により覆われるようにしている。以下、樹脂シートを用
いた封止工程を第１，第２，第３，第４の実施例と同様
にして行うことで、信頼性の高い、つまりインナリード
５７が半導体チップ５３のエッジに接触などしていない
良好な樹脂封止型半導体装置を得ることができる。

【０１０２】次に、この発明の第６の実施例について説
明する。図７は、本発明の第６の実施例にかかる樹脂封
止型半導体装置の概略を示すものである。

【０１０３】すなわち、同図（ａ）に示す如く、可撓性
樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ６１の両側（上下）
には、スプロケットホールとしての複数の送り穴６２が
等間隔に形成されており、テープ６１の幅方向（上下方
向）の中央部付近には、半導体チップ６３が配設される
テープ開孔部であるデバイスホール６４が形成されてい
る。

【０１０４】この場合、上記デバイスホール６４は、た
とえば長方形のチップ６３のボンディングパッドを囲
み、かつチップ６３の外形よりも小さな長方形の形状と
されている。

【０１０５】そして、このデバイスホール６４を囲むよ
うに、その周囲（左右二方向）には、テープ開孔部であ
るアウタリードホール６５が形成されている。また、上
記ＴＡＢテープ６１上には金属箔配線リード６６が形成
されており、その一端はデバイスホール６４の長辺方向
からデバイスホール６４内に突き出すように設けられ、
たとえば前記チップ６３のボンディングパッドとバンプ
（図示していない）を介して電気的に接続されるインナ
リード６７を構成している。

【０１０６】また、上記金属箔配線リード６６の他端は
アウタリードホール６５をまたぐようにして設けられ、
アウタリード６８を構成している。さらに、上記ＴＡＢ
テープ６１上には、上記金属箔配線リード６６が形成さ
れている領域をほぼ覆うように、ソルダーレジスト６９
なる樹脂がコーティングされている。

【０１０７】このソルダーレジスト６９は、たとえば上
記デバイスホール６４を囲むように、かつチップ６３の
外形よりも内側に位置するように設計コートされてい
る。このような構成において、前記デバイスホール６４
にＴＡＢテープ６１の上面側より半導体チップ６３が位
置合わせされて配設され、この半導体チップ６３のボン
ディングパッドが前記インナリード６７と電気的に接続
されることによりＴＡＢテープ６１上に半導体チップ６
３が搭載されて、テープキャリアが構成される。

【０１０８】この場合、半導体チップ６３の上面におい
ては、同図（ｂ）に示す如く、その周辺部がＴＡＢテー
プ６１によって覆われるようになっているとともに、配
線リード６６との間にソルダーレジスト６９が介在され
るようになっている。

【０１０９】したがって、インナリード６７の先端は、
上記配線リード６６よりも少なくともソルダーレジスト
６９の厚さ分だけ下方向に変形されて、前記半導体チッ
プ６３のボンディングパッドと接続されることになる。

【０１１０】この状態において、半導体チップ６３がＴ
ＡＢテープ６１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下を挟み込むように樹脂シートを配置し、金型（図示
していない）による加圧成型が、前記の第１，第２，第
３，第４，第５の実施例と同様にして行われる。

【０１１１】すなわち、半導体チップ６３の上面の周辺
部と金属箔配線リード６６との間にソルダーレジスト６
９が介在され、かつ半導体チップ６３の上面の周辺部が
ＴＡＢテープ６１によって覆われた状態で、樹脂シート
による封止が行われる。

【０１１２】この結果、同図（ｃ）に示す如く、封止が
完了した状態においては、半導体チップ６３が上に移動
されることがなく、しかも半導体チップ６３の上面の周
辺部と金属箔配線リード６６との間にはソルダーレジス
ト６９が介在する、つまりインナリード６７が半導体チ
ップ６３の周辺のエッジに接触することなく、封止工程
を完了することができる。

【０１１３】なお、本実施例では、ほぼ第１，第２，第
３，第４，第５の実施例と同様の構成とし、たとえば横
（半導体チップ６３の短辺方向）が４ｍｍで、縦（チッ
プ６３の長辺方向）が８ｍｍのデバイスホール６４を形
成し、これをＴＡＢテープ６１とした。

【０１１４】半導体チップ６３としては、たとえば、そ
の大きさが横（短辺方向）８ｍｍ、縦（長辺方向）１２
ｍｍ、厚さ２５０μｍであり、それぞれの長辺方向にボ
ンディングパッドが配列されたものを用いている。

【０１１５】ソルダーレジスト６９としては、上記デバ
イスホール６４を囲む開孔部分の大きさが、たとえば横
（短辺方向）６ｍｍ、縦（長辺方向）１０ｍｍであり、
全体に１０〜３０μｍの厚さを有している。

【０１１６】すなわち、チップ６３のサイズ８×１２ｍ
ｍのうち、周辺から２ｍｍの領域がＴＡＢテープ６１に
より覆われ、また周辺から１ｍｍの領域においてソルダ
ーレジスト６９が介在するようにしている。

【０１１７】以下、樹脂シートを用いた封止工程を第
１，第２，第３，第４，第５の実施例と同様にして行う
ことで、ＴＡＢテープ６１を背にして半導体チップ６３
のボンディングパッドとインナリード６７とを接続して
なる場合にも、信頼性の高い、つまりインナリード６７
が半導体チップ６３のエッジに接触などしていない良好
な樹脂封止型半導体装置を得ることができる。

【０１１８】上記したように、半導体チップの表面の一
部をＴＡＢテープで保持できるようにしている。すなわ
ち、ＴＡＢテープ上に形成されるデバイスホールを、半
導体チップの一部を覆うような形状とするようにしてい
る。これにより、ＴＡＢテープ上に半導体チップを搭載
してなるテープキャリアを、その上下より樹脂シートで
挟持して一体的に固着せしめる方法においても、インナ
リードと半導体チップとの相対的な位置関係が変化され
ることなく、封止を完了することが可能となる。したが
って、インナリードと半導体チップとのエッジタッチに
よる特性不良を容易に防止することができ、しかも単純
で、かつ廉価に実現できるものである。

【０１１９】なお、上記実施例においては、いずれもＴ
ＡＢテープにより半導体チップの一部を覆うことでエッ
ジタッチを防止する場合について説明したが、これに限
らず、たとえばＴＡＢテープ上に形成される接着剤層な
どを用いてエッジタッチを防止することもできる。

【０１２０】以下に、この発明の他の実施例として、接
着剤層によりエッジタッチを防止するようにしてなる樹
脂封止型半導体装置について説明する。図８は、この本
発明の他の実施例にかかる樹脂封止型半導体装置の概略
を示すものである。

【０１２１】すなわち、同図（ａ）に示す如く、可撓性
樹脂フィルムからなるＴＡＢテープ７１の両側（上下）
には、スプロケットホールとしての複数の送り穴７２が
等間隔に形成されており、テープ７１の幅方向（上下方
向）の中央部付近には、半導体チップ７３が配設される
テープ開孔部７１ａが形成されている。

【０１２２】この場合、上記テープ開孔部７１ａは、た
とえば長方形のチップ７３を囲み、かつチップ７３の外
形よりも十分に大きな長方形の形状とされている。そし
て、このテープ開孔部７１ａを囲むように、その周囲
（左右二方向）には、テープ開孔部であるアウタリード
ホール７５が形成されている。

【０１２３】また、上記ＴＡＢテープ７１上には接着剤
層７９が全面に設けられ、この接着剤層７９を介して金
属箔配線リード７６が形成されている。金属箔配線リー
ド７６の一端は、上記テープ開孔部７１ａの長辺方向か
ら後述するデバイスホール７４内に突き出すように設け
られ、たとえば前記チップ７３のボンディングパッドと
バンプ（図示していない）を介して電気的に接続される
インナリード７７を構成している。

【０１２４】また、上記金属箔配線リード７６の他端は
アウタリードホール７５をまたぐようにして設けられ、
アウタリード７８を構成している。接着剤層７９は、上
記テープ開孔部７１ａの周辺において、たとえば長方形
のチップ７３のボンディングパッドを囲み、かつチップ
７３の外形よりも小さな長方形の形状をもって開孔さ
れ、上記デバイスホール７４を形成するようになってい
る。

【０１２５】このような構成において、前記テープ開孔
部７１ａにＴＡＢテープ７１の下面側より半導体チップ
７３が位置合わせされて配設され、この半導体チップ７
３のボンディングパッドが前記インナリード７７と電気
的に接続されることによりＴＡＢテープ７１上に半導体
チップ７３が搭載されて、テープキャリアが構成され
る。

【０１２６】すなわち、インナリード７７は、ＴＡＢテ
ープ７１の上面に施された金属箔配線リード７６から延
長され、前記接着剤層７９により形成される上記デバイ
スホール７４内に突き出すように設けられるものであ
る。

【０１２７】また、この場合、半導体チップ７３の上面
においては、同図（ｂ）に示す如く、その周辺部（チッ
プ７３のボンディングパッドの外側からチップ７３の外
形より内側の領域）と配線リード７６との間に前記接着
剤層７９が介在されるようになっている。

【０１２８】したがって、インナリード７７の先端は、
上記配線リード７６よりも少なくとも接着剤層７９の厚
さ分だけ下方向に変形されて、前記半導体チップ７３の
ボンディングパッドと接続されることになる。

【０１２９】この状態において、半導体チップ７３がＴ
ＡＢテープ７１上に搭載されたテープキャリアの、その
上下を挟み込むように樹脂シートを配置し、金型（図示
していない）による加圧成型が、前記の第１，第２，第
３，第４，第５，第６の実施例と同様にして行われる。

【０１３０】すなわち、半導体チップ７３の上面の周辺
部と金属箔配線リード７６との間に接着剤層７９が介在
された状態で、樹脂シートによる封止が行われる。この
結果、同図（ｃ）に示す如く、封止が完了した状態にお
いては、半導体チップ７３の上面の周辺部と金属箔配線
リード７６との間には接着剤層７９が介在する、つまり
インナリード７７が半導体チップ７３の周辺のエッジに
接触することなく、封止工程を完了することができる。

【０１３１】なお、本実施例では、ほぼ第１，第２，第
３，第４，第５，第６の実施例と同様の構成とし、たと
えば横（半導体チップ７３の短辺方向）が８ｍｍで、縦
（チップ７３の長辺方向）が１２ｍｍのテープ開孔部７
１ａを形成し、これをＴＡＢテープ７１とした。

【０１３２】半導体チップ７３としては、たとえば、そ
の大きさが横（短辺方向）６ｍｍ、縦（長辺方向）１０
ｍｍ、厚さ２５０μｍであり、それぞれの長辺方向にボ
ンディングパッが配列されたものを用いている。

【０１３３】接着剤層７９としては、上記テープ開孔部
７１ａを囲むデバイスホール７４の部分の大きさが、た
とえば横（短辺方向）４ｍｍ、縦（長辺方向）８ｍｍで
あり、全体に１０〜３０μｍの厚さを有している。

【０１３４】すなわち、チップ７３のサイズ６×１０ｍ
ｍのうち、周辺から１ｍｍの領域において接着剤層７９
が介在するようにしている。以下、樹脂シートを用いた
封止工程を第１，第２，第３，第４，第５，第６の実施
例と同様にして行うことで、信頼性の高い、つまりイン
ナリード７７が半導体チップ７３のエッジに接触などし
ていない良好な樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る。その他、この発明の要旨を変えない範囲において、
種々変形実施可能なことは勿論である。

【０１３５】

【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、リード端子と半導体チップとのエッジタッチを防止
でき、信頼性を向上することが可能な樹脂封止型半導体
装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施例にかかる樹脂封止型半
導体装置の概略構成を示す上面図。

【図２】同じく、第１の実施例にかかる樹脂封止型半導
体装置の概略構成を示す断面図。

【図３】この発明の第２の実施例にかかる樹脂封止型半
導体装置の概略を示す構成図。

【図４】この発明の第３の実施例にかかる樹脂封止型半
導体装置の概略を示す構成図。

【図５】この発明の第４の実施例にかかる樹脂封止型半
導体装置の概略を示す構成図。

【図６】この発明の第５の実施例にかかる樹脂封止型半
導体装置の概略を示す構成図。

【図７】この発明の第６の実施例にかかる樹脂封止型半
導体装置の概略を示す構成図。

【図８】この発明の他の実施例にかかる樹脂封止型半導
体装置の概略を示す構成図。

【図９】従来技術とその問題点を説明するために示す樹
脂封止型半導体装置の上面図。

【図１０】同じく、樹脂封止型半導体装置の断面図。

【符号の説明】

１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１…ＴＡＢテ
ープ、１３，２３，３３，４３，５３，６３，７３…半
導体チップ、１４，２４ａ，２４ｂ，３４，５４，６
４，７４…デバイスホール、１５，２５，３５，４５，
５５，６５，７５…アウタリードホール、１６，２６，
３６，４６，５６，６６，７６…金属箔配線リード、１
７，２７，３７，４７，５７，６７，７７…インナリー
ド、１８，２８，３８，４８，５８，６８，７８…アウ
タリード、１９…樹脂シート、２０，４０…補強部材、
４４…インナリードホール、６９…ソルダーレジスト、
７９…接着剤層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップと、この半導体チップの一部を覆うようにして形成された開
孔部、およびこの開孔部に位置合わせされた前記半導体
チップの電極パッドと電気的に接続するリード端子を有
するリード構成体と、このリード構成体および前記半導体チップを封止する樹
脂からなる封止用樹脂シートとを具備したことを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】半導体チップと、この半導体チップの一部に当接される当接部を有して形
成された開孔部、およびこの開孔部に位置合わせされ、
前記当接部により保持された前記半導体チップの電極パ
ッドと電気的に接続するリード端子を有するリード構成
体と、このリード構成体および前記半導体チップとを挟持し、
加圧成形によりパッケージを形成する樹脂からなる一対
の封止用樹脂シートとを具備したことを特徴とする樹脂
封止型半導体装置。
【請求項３】前記当接部が、前記リード端子を接着す
るための接着剤層であることを特徴とする請求項２に記
載の樹脂封止型半導体装置。