JP2000124240A - リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
リードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リードフレームを有する電極底面露出型樹脂
封止型装置の製造方法を改善し生産性と品質を向上す
る。 【解決手段】 リードフレームに樹脂導入部であるラン
ナー部１９と、ゲート部１８を有し封止フィルムを介し
て金型面に押圧し、樹脂を充填して成形することによ
り、生産性を大幅に向上し、安価で品質の良い薄型の電
極底面露出型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方
法を可能にした。
封止型装置の製造方法を改善し生産性と品質を向上す
る。 【解決手段】 リードフレームに樹脂導入部であるラン
ナー部１９と、ゲート部１８を有し封止フィルムを介し
て金型面に押圧し、樹脂を充填して成形することによ
り、生産性を大幅に向上し、安価で品質の良い薄型の電
極底面露出型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方
法を可能にした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子が搭載
された小型、薄型、軽量化を目的とした電極底面露出型
の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームとそれ
を用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関
するものである。
された小型、薄型、軽量化を目的とした電極底面露出型
の樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームとそれ
を用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、半導体部品の高密度実装が要求され、それにともな
って半導体装置の小型、薄型化が進んでいる。
に、半導体部品の高密度実装が要求され、それにともな
って半導体装置の小型、薄型化が進んでいる。
【０００３】以下、従来の樹脂封止型半導体装置とその
製造方法について順次説明する。半導体部品の高密度実
装の要請に応えるパッケージとしてＦＢＧＡ（ファイン
ピッチ・ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発
されている。
製造方法について順次説明する。半導体部品の高密度実
装の要請に応えるパッケージとしてＦＢＧＡ（ファイン
ピッチ・ボール・グリッド・アレイ）パッケージが開発
されている。
【０００４】図１５は従来の樹脂封止型半導体装置とし
て、ＦＢＧＡパッケージを示す図であり、その断面図を
示すものである。
て、ＦＢＧＡパッケージを示す図であり、その断面図を
示すものである。
【０００５】図１５において、半導体素子１は接着剤２
を介して両面プリント基板３上に接着・搭載される。両
面プリント配線基板３の上下面には配線パターン４ａ，
４ｂが形成され、上下の配線パターン４ａ，４ｂは、ス
ルーホール５の表面に形成される導体６で電気的に接続
されている。半導体素子１の上面に形成された電極パッ
ド７と配線パターン４ａとは金属細線８で電気的に接続
される。この金属細線８による電気的接続をする場所以
外の配線パターン４ａの表面は、ソルダーレジスト９で
被覆されている。そして半導体素子１、金属細線８、両
面プリント配線基板３は封止樹脂１０によりモールドさ
れ保護されている。
を介して両面プリント基板３上に接着・搭載される。両
面プリント配線基板３の上下面には配線パターン４ａ，
４ｂが形成され、上下の配線パターン４ａ，４ｂは、ス
ルーホール５の表面に形成される導体６で電気的に接続
されている。半導体素子１の上面に形成された電極パッ
ド７と配線パターン４ａとは金属細線８で電気的に接続
される。この金属細線８による電気的接続をする場所以
外の配線パターン４ａの表面は、ソルダーレジスト９で
被覆されている。そして半導体素子１、金属細線８、両
面プリント配線基板３は封止樹脂１０によりモールドさ
れ保護されている。
【０００６】両面プリント配線基板３の下面の配線パタ
ーン４ｂの表面も一部を除いて、ソルダーレジスト９で
被覆され、ソルダーレジスト９で被覆されていない配線
パターン４ｂの表面には半田ボール１１が形成される。
半田ボール１１は、両面プリント配線基板３の下面で、
格子状に２次元的に配置されている。そして、ＦＢＧＡ
パッケージ方式で実装された半導体装置をプリント基板
等の実装基板に実装する場合の電気的接続は半田ボール
１１を介して行われるものである。
ーン４ｂの表面も一部を除いて、ソルダーレジスト９で
被覆され、ソルダーレジスト９で被覆されていない配線
パターン４ｂの表面には半田ボール１１が形成される。
半田ボール１１は、両面プリント配線基板３の下面で、
格子状に２次元的に配置されている。そして、ＦＢＧＡ
パッケージ方式で実装された半導体装置をプリント基板
等の実装基板に実装する場合の電気的接続は半田ボール
１１を介して行われるものである。
【０００７】また、図１６に示すような従来の樹脂封止
型半導体装置の場合は、半導体素子１は接着剤２を介し
て両面プリント基板３の上に接着・搭載される。両面プ
リント配線基板３の上面には配線パターン４が形成さ
れ、配線パターン４は、側面に有するスルーホール５の
表面に形成される導体６で電気的に接続され、外部端子
の役目を果たしている。半導体素子１の上面に形成され
た電極パッド７と配線パターン４とは金属細線８で電気
的に接続される。この金属細線８による電気的接続をす
る場所以外の配線パターン４の表面は、ソルダーレジス
ト９で被覆されている。半導体素子１、金属細線８、プ
リント配線基板３はポッティングによる封止樹脂１０に
より封止され保護されている。そしてスルーホール５の
部分は、この半導体装置間を接続している側面のスルー
ホール５を半円状にカットして分離し、実装基板との接
続用端子部となっている。
型半導体装置の場合は、半導体素子１は接着剤２を介し
て両面プリント基板３の上に接着・搭載される。両面プ
リント配線基板３の上面には配線パターン４が形成さ
れ、配線パターン４は、側面に有するスルーホール５の
表面に形成される導体６で電気的に接続され、外部端子
の役目を果たしている。半導体素子１の上面に形成され
た電極パッド７と配線パターン４とは金属細線８で電気
的に接続される。この金属細線８による電気的接続をす
る場所以外の配線パターン４の表面は、ソルダーレジス
ト９で被覆されている。半導体素子１、金属細線８、プ
リント配線基板３はポッティングによる封止樹脂１０に
より封止され保護されている。そしてスルーホール５の
部分は、この半導体装置間を接続している側面のスルー
ホール５を半円状にカットして分離し、実装基板との接
続用端子部となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の樹脂封止型半導体装置は、下記のような種々の課題を
それぞれ有している。
の樹脂封止型半導体装置は、下記のような種々の課題を
それぞれ有している。
【０００９】図１５に示したＦＢＧＡパッケージ方式の
樹脂封止型半導体装置は、半導体装置の下面に２次元的
に外部電極端子（半田ボール）を配列することにより、
同一パッケージサイズでＱＦＰパッケージよりも端子数
を多くすることができるという特徴がある。しかし、そ
の反面、ＱＦＰパッケージに比べて劣る点もある。すな
わち、ＦＢＧＡパッケージでは、（１）両面プリント配
線基板の片面に封止樹脂部が突出しており薄型化できな
い。（２）ＦＢＧＡパッケージを製造する際、従来のＱ
ＦＰパッケージの製造設備以外の新規製造設備の導入が
不可欠であり、設備投資によるコストアップとなる。さ
らに、ＦＢＧＡパッケージ方式では、通常、両面プリン
ト配線基板としてガラス・エポキシ樹脂基板を使用す
る。このため半導体素子の樹脂封止することによる基板
自体の反り対策、樹脂の注入封止口であるランナー部の
基板面への破損を防止するための金メッキ処理が必要、
基板の反りが発生した場合の複数の半田ボールの水平面
の高さの均一性を確保する必要がある、等の製造技術上
解決すべき多くの課題がある。また、パッケージの信頼
性、特に耐湿性の保証も重要な検討課題である。例え
ば、ガラス・エポキシ樹脂とモールド樹脂との界面の密
着力が弱いと、高温高温試験・プレッシャ・クッカー試
験等の環境試験において品質保証が困難になる。
樹脂封止型半導体装置は、半導体装置の下面に２次元的
に外部電極端子（半田ボール）を配列することにより、
同一パッケージサイズでＱＦＰパッケージよりも端子数
を多くすることができるという特徴がある。しかし、そ
の反面、ＱＦＰパッケージに比べて劣る点もある。すな
わち、ＦＢＧＡパッケージでは、（１）両面プリント配
線基板の片面に封止樹脂部が突出しており薄型化できな
い。（２）ＦＢＧＡパッケージを製造する際、従来のＱ
ＦＰパッケージの製造設備以外の新規製造設備の導入が
不可欠であり、設備投資によるコストアップとなる。さ
らに、ＦＢＧＡパッケージ方式では、通常、両面プリン
ト配線基板としてガラス・エポキシ樹脂基板を使用す
る。このため半導体素子の樹脂封止することによる基板
自体の反り対策、樹脂の注入封止口であるランナー部の
基板面への破損を防止するための金メッキ処理が必要、
基板の反りが発生した場合の複数の半田ボールの水平面
の高さの均一性を確保する必要がある、等の製造技術上
解決すべき多くの課題がある。また、パッケージの信頼
性、特に耐湿性の保証も重要な検討課題である。例え
ば、ガラス・エポキシ樹脂とモールド樹脂との界面の密
着力が弱いと、高温高温試験・プレッシャ・クッカー試
験等の環境試験において品質保証が困難になる。
【００１０】一方、図１６に示したような樹脂封止型半
導体装置では、ポッティングによって樹脂封止する場合
は、封止樹脂が硬化する時間が長く量産性が悪い、また
樹脂を注入する場合に空気を巻き込みやすく、樹脂ボイ
ドが発生しやすいという課題がある。また、樹脂成型時
に成形圧力を印加しないために樹脂ボイドを小さくする
ことができず、実装時にその樹脂ボイドが膨張して、封
止樹脂部にクラックが発生するなどの課題がある。
導体装置では、ポッティングによって樹脂封止する場合
は、封止樹脂が硬化する時間が長く量産性が悪い、また
樹脂を注入する場合に空気を巻き込みやすく、樹脂ボイ
ドが発生しやすいという課題がある。また、樹脂成型時
に成形圧力を印加しないために樹脂ボイドを小さくする
ことができず、実装時にその樹脂ボイドが膨張して、封
止樹脂部にクラックが発生するなどの課題がある。
【００１１】本発明の目的は、前記従来の課題を解決す
るものであり、薄型化を実現しながら小型で信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置を提供するものであり、そのた
めのリードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
るものであり、薄型化を実現しながら小型で信頼性の高
い樹脂封止型半導体装置を提供するものであり、そのた
めのリードフレームとそれを用いた樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する手段と、
樹脂封止型半導体装置のモールド封止方法及びリードフ
レームに関する手段とを講じている。
め、本発明は、樹脂封止型半導体装置に関する手段と、
樹脂封止型半導体装置のモールド封止方法及びリードフ
レームに関する手段とを講じている。
【００１３】本発明のリードフレームでは、ダイパッド
部と、ダイパッド部の近傍に配置された信号接続用リー
ド部と、信号接続用リード部に接続する外部端子部と、
フレーム枠及び外部部端子部底面に接着する樹脂フィル
ムとよりなるリードフレームにおいて、樹脂導入部であ
るランナー部と、ゲート部を有しているものである。
部と、ダイパッド部の近傍に配置された信号接続用リー
ド部と、信号接続用リード部に接続する外部端子部と、
フレーム枠及び外部部端子部底面に接着する樹脂フィル
ムとよりなるリードフレームにおいて、樹脂導入部であ
るランナー部と、ゲート部を有しているものである。
【００１４】また本発明のリードフレームでは、ダイパ
ッド部と、ダイパッド部の近傍に配置された信号接続用
リード部と、信号接続用リード部に接続する外部端子部
と、フレーム枠よりなるリードフレームにおいて、樹脂
導入部であるランナー部と、ゲート部を有しているもの
である。
ッド部と、ダイパッド部の近傍に配置された信号接続用
リード部と、信号接続用リード部に接続する外部端子部
と、フレーム枠よりなるリードフレームにおいて、樹脂
導入部であるランナー部と、ゲート部を有しているもの
である。
【００１５】また本発明のリードフレームでは、半導体
素子搭載部と、半導体素子搭載部の近傍にアレイ状に配
置された信号接続用リード部と、信号接続用リード部に
接続する外部端子部と、フレーム枠及び外部端子部底面
に接着する樹脂フィルムとよりなるリードフレームにお
いて、樹脂導入部であるランナー部と、ゲート部を有し
ているものである。
素子搭載部と、半導体素子搭載部の近傍にアレイ状に配
置された信号接続用リード部と、信号接続用リード部に
接続する外部端子部と、フレーム枠及び外部端子部底面
に接着する樹脂フィルムとよりなるリードフレームにお
いて、樹脂導入部であるランナー部と、ゲート部を有し
ているものである。
【００１６】本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダイパ
ッド部と、電極パッドを有する半導体素子と、半導体素
子とダイパッド部とを接着する接着材と、半導体素子の
電極パッドと信号接続用リード部とを電気的に接続する
接続部材と、半導体素子と接続部材を封止する封止樹脂
とにより成る半導体装置であって、 信号接続用リード部
の表面より凹型の樹脂部を有している樹脂封止型半導体
装置である。
ッド部と、電極パッドを有する半導体素子と、半導体素
子とダイパッド部とを接着する接着材と、半導体素子の
電極パッドと信号接続用リード部とを電気的に接続する
接続部材と、半導体素子と接続部材を封止する封止樹脂
とにより成る半導体装置であって、 信号接続用リード部
の表面より凹型の樹脂部を有している樹脂封止型半導体
装置である。
【００１７】また本発明の樹脂封止型半導体装置は、ダ
イパッド部と、電極パッドを有する半導体素子と、半導
体素子とダイパッド部とを接着する接着材と、半導体素
子の電極パッドとアレー状の信号接続用リード部とを電
気的に接続する接続部材と、半導体素子と接続部材を封
止する封止樹脂とにより成る半導体装置であって、 信号
接続用リード部の表面より凹型の樹脂部を有している樹
脂封止型半導体装置である。
イパッド部と、電極パッドを有する半導体素子と、半導
体素子とダイパッド部とを接着する接着材と、半導体素
子の電極パッドとアレー状の信号接続用リード部とを電
気的に接続する接続部材と、半導体素子と接続部材を封
止する封止樹脂とにより成る半導体装置であって、 信号
接続用リード部の表面より凹型の樹脂部を有している樹
脂封止型半導体装置である。
【００１８】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、電極パッドを有する半導体素子と、半導体素子を接
着する半導体素子搭載部あるいはダイパット部と、半導
体素子の電極パッドと信号接続用リード部とを電気的に
接続する接続部材と、半導体素子搭載部あるいはダイパ
ット部，半導体素子，信号接続用リード部、接続部材を
樹脂封止するモールド金型をそなえてなる樹脂封止方法
において、リードフレームを封止フィルムで被覆し、ク
ランプすることにより、押圧し、リードフレームに有す
るランナー部、ゲート部より樹脂を充填する方法であ
る。
は、電極パッドを有する半導体素子と、半導体素子を接
着する半導体素子搭載部あるいはダイパット部と、半導
体素子の電極パッドと信号接続用リード部とを電気的に
接続する接続部材と、半導体素子搭載部あるいはダイパ
ット部，半導体素子，信号接続用リード部、接続部材を
樹脂封止するモールド金型をそなえてなる樹脂封止方法
において、リードフレームを封止フィルムで被覆し、ク
ランプすることにより、押圧し、リードフレームに有す
るランナー部、ゲート部より樹脂を充填する方法であ
る。
【００１９】本発明の代表的な作用は以下の通りであ
る。本発明のリードフレームにおいては、ダイパッド部
と、ダイパッド部の近傍に配置された信号接続用リード
部と、信号接続用リード部に接続する外端子部と、フレ
ーム枠及び外部端子部底面に接着する樹脂フィルムとよ
りなるリードフレームにおいて、樹脂導入部であるラン
ナー部と、ゲート部を配することによりリードフレーム
厚内にモールド樹脂封止を可能にし生産性、品質、実装
信頼性のよい樹脂封止型半導体装置に適した特徴あるリ
ードフレームを供給することができる。
る。本発明のリードフレームにおいては、ダイパッド部
と、ダイパッド部の近傍に配置された信号接続用リード
部と、信号接続用リード部に接続する外端子部と、フレ
ーム枠及び外部端子部底面に接着する樹脂フィルムとよ
りなるリードフレームにおいて、樹脂導入部であるラン
ナー部と、ゲート部を配することによりリードフレーム
厚内にモールド樹脂封止を可能にし生産性、品質、実装
信頼性のよい樹脂封止型半導体装置に適した特徴あるリ
ードフレームを供給することができる。
【００２０】また、本発明のリードフレームにおいて
は、ダイパッド部と、ダイパッド部の近傍に配置された
信号接続用リード部と、信号接続用リード部に接続する
外端子部とよりなるリードフレームにおいて、樹脂導入
部であるランナー部と、ゲート部を配することによりリ
ードフレーム厚内モールド樹脂封止を可能にし生産性、
品質、実装信頼性のよい樹脂封止型半導体装置に適した
特徴あるリードフレームを供給することができる。
は、ダイパッド部と、ダイパッド部の近傍に配置された
信号接続用リード部と、信号接続用リード部に接続する
外端子部とよりなるリードフレームにおいて、樹脂導入
部であるランナー部と、ゲート部を配することによりリ
ードフレーム厚内モールド樹脂封止を可能にし生産性、
品質、実装信頼性のよい樹脂封止型半導体装置に適した
特徴あるリードフレームを供給することができる。
【００２１】また、本発明のリードフレームにおいて
は、半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部の近傍にア
レイ状に配置された信号接続用リード部と、信号接続用
リード部に接続する外端子部と、フレーム枠及び外部端
子部底面に接着する樹脂フィルムとよりなるリードフレ
ームにおいて、樹脂導入部であるランナー部と、ゲート
部を配することによりリードフレーム厚内モールド樹脂
封止を可能にし生産性、品質、実装信頼性のよい樹脂封
止型半導体装置に適した特徴あるリードフレームを供給
することができる。
は、半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部の近傍にア
レイ状に配置された信号接続用リード部と、信号接続用
リード部に接続する外端子部と、フレーム枠及び外部端
子部底面に接着する樹脂フィルムとよりなるリードフレ
ームにおいて、樹脂導入部であるランナー部と、ゲート
部を配することによりリードフレーム厚内モールド樹脂
封止を可能にし生産性、品質、実装信頼性のよい樹脂封
止型半導体装置に適した特徴あるリードフレームを供給
することができる。
【００２２】また、本発明の樹脂封止型半導体装置にお
いては、封止フィルムの働きにより信号接続用リード部
の表面部より樹脂面が凹型を有する小型、薄型で信頼
性、実装性、生産性のよいスタック可能な樹脂封止型半
導体装置を提供することができる。
いては、封止フィルムの働きにより信号接続用リード部
の表面部より樹脂面が凹型を有する小型、薄型で信頼
性、実装性、生産性のよいスタック可能な樹脂封止型半
導体装置を提供することができる。
【００２３】また、本発明の樹脂封止型半導体装置にお
いては、封止フィルムの働きにより搭載用基板の表面部
より樹脂面が凹型を有する多端子に適したグリッドアレ
ー配列の小型、薄型で信頼性、実装性、生産性のよいス
タック可能な樹脂封止型半導体装置を提供することがで
きる。
いては、封止フィルムの働きにより搭載用基板の表面部
より樹脂面が凹型を有する多端子に適したグリッドアレ
ー配列の小型、薄型で信頼性、実装性、生産性のよいス
タック可能な樹脂封止型半導体装置を提供することがで
きる。
【００２４】また、本発明の樹脂封止型半導体装置の製
造方法においては、リードフレームのランナー部、ゲー
ト部の樹脂注入面を封止フィルムで被覆し、クランプ押
圧し樹脂を充填して封止することによりリードフレーム
より凹型に樹脂面を成形でき実装信頼性、生産性のよい
モールド金型による薄型の電極底面露出型樹脂封止半導
体装置の樹脂封止方法である。
造方法においては、リードフレームのランナー部、ゲー
ト部の樹脂注入面を封止フィルムで被覆し、クランプ押
圧し樹脂を充填して封止することによりリードフレーム
より凹型に樹脂面を成形でき実装信頼性、生産性のよい
モールド金型による薄型の電極底面露出型樹脂封止半導
体装置の樹脂封止方法である。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のリードフレームと
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の一実施形態について図面を参照しながら説明する。ま
たここでは、樹脂封止型半導体装置の製造方法について
は金型構造とモールド封止方法について説明する。
それを用いた樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
の一実施形態について図面を参照しながら説明する。ま
たここでは、樹脂封止型半導体装置の製造方法について
は金型構造とモールド封止方法について説明する。
【００２６】まず本実施形態のリードフレームについて
図１を参照しながら説明する。図1は、本実施形態のリ
ードフレームを示す平面図である。図２は信号接続用リ
ード部を示す斜視図である。
図１を参照しながら説明する。図1は、本実施形態のリ
ードフレームを示す平面図である。図２は信号接続用リ
ード部を示す斜視図である。
【００２７】図１に示すように、本実施形態のリードフ
レームは、信号接続用リード１２がアウターリード部１
３と接続して、フレーム枠１４により支持されている。
また、少なくとも信号接続用リード１２に接続するアウ
ターリード部１３、フレーム枠１４の底面は、接着性を
有した樹脂フィルム１５が密着されている。図１中、破
線で示した領域が樹脂フィルム１５が密着された領域で
ある。また本実施形態のリードフレームは、従来のリー
ドフレームのように吊りリード部が不要になり、従来制
限の多かった半導体素子の搭載範囲の拡大を可能にする
ものである。
レームは、信号接続用リード１２がアウターリード部１
３と接続して、フレーム枠１４により支持されている。
また、少なくとも信号接続用リード１２に接続するアウ
ターリード部１３、フレーム枠１４の底面は、接着性を
有した樹脂フィルム１５が密着されている。図１中、破
線で示した領域が樹脂フィルム１５が密着された領域で
ある。また本実施形態のリードフレームは、従来のリー
ドフレームのように吊りリード部が不要になり、従来制
限の多かった半導体素子の搭載範囲の拡大を可能にする
ものである。
【００２８】信号接続用リード１２に連続する底面は外
部接続端子になっており、信号接続用リード１２部は先
端に段差加工がされ、中央の開口部１６が形成され、ダ
イパッド１７が配されている。そして本実施形態のリー
ドフレームの信号接続用リード部１２をさけた領域にゲ
ート部１８を配し、樹脂成型時に溶融した封止樹脂をラ
ンナー部１９から開口部１６に注入する注入口となるも
のである。そして封止樹脂はダイパッド１７上に接着さ
れる半導体素子およびその半導体素子と信号接続用リー
ド部１２とを電気的に接続する接続部材の外囲である開
口部１６、ゲート部１８、エヤーベンド部２０に充填さ
れる。このエヤーベンド部２０の詳細は図示していない
が、ランナー部１９、あるいは貫通穴により底面側に出
す。また、スルーゲート方式ではゲート部１８により半
導体装置間を接続するものである。
部接続端子になっており、信号接続用リード１２部は先
端に段差加工がされ、中央の開口部１６が形成され、ダ
イパッド１７が配されている。そして本実施形態のリー
ドフレームの信号接続用リード部１２をさけた領域にゲ
ート部１８を配し、樹脂成型時に溶融した封止樹脂をラ
ンナー部１９から開口部１６に注入する注入口となるも
のである。そして封止樹脂はダイパッド１７上に接着さ
れる半導体素子およびその半導体素子と信号接続用リー
ド部１２とを電気的に接続する接続部材の外囲である開
口部１６、ゲート部１８、エヤーベンド部２０に充填さ
れる。このエヤーベンド部２０の詳細は図示していない
が、ランナー部１９、あるいは貫通穴により底面側に出
す。また、スルーゲート方式ではゲート部１８により半
導体装置間を接続するものである。
【００２９】図１に示すように、ゲート部１８を信号接
続用リード部１２のコーナー部に配することにより、信
号接続用リード部１２の端子数の減少をきたすことなく
樹脂成形性のよい安価な薄型の樹脂封止半導体装置が提
供できるものである。
続用リード部１２のコーナー部に配することにより、信
号接続用リード部１２の端子数の減少をきたすことなく
樹脂成形性のよい安価な薄型の樹脂封止半導体装置が提
供できるものである。
【００３０】なお、信号接続用リード部１２の表面の一
部には図２に示すような溝部２１が加工形成され、本実
施形態のリードフレームに半導体素子を搭載し、樹脂封
止した際、封止樹脂との密着性を向上させるようにして
いる。溝部２１の形成は図２（ａ）に示すように、信号
接続用リード部１２の両側に１ケ所ずつでもよく、また
は図２（ｂ）に示すように片側に２ケ所、他方に１ケ
所、溝部２１を設ける個数に差を設けてもよい。また、
信号接続用リード部１２の先端部に段差部２２を形成し
てもよい。
部には図２に示すような溝部２１が加工形成され、本実
施形態のリードフレームに半導体素子を搭載し、樹脂封
止した際、封止樹脂との密着性を向上させるようにして
いる。溝部２１の形成は図２（ａ）に示すように、信号
接続用リード部１２の両側に１ケ所ずつでもよく、また
は図２（ｂ）に示すように片側に２ケ所、他方に１ケ
所、溝部２１を設ける個数に差を設けてもよい。また、
信号接続用リード部１２の先端部に段差部２２を形成し
てもよい。
【００３１】本実施形態のリードフレームの特徴は、フ
レーム枠１４にランナー部１９とランナー部１９に接続
するゲート部１８を設けることにより、薄型の電極底面
露出型の樹脂封止型半導体装置を安価にかつ、安定した
生産を可能にできる点である。また、本実施形態のリー
ドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置の製造時の封
止金型を簡素化、共用可能にして安価に提供できる点に
ある。
レーム枠１４にランナー部１９とランナー部１９に接続
するゲート部１８を設けることにより、薄型の電極底面
露出型の樹脂封止型半導体装置を安価にかつ、安定した
生産を可能にできる点である。また、本実施形態のリー
ドフレームを用いて樹脂封止型半導体装置の製造時の封
止金型を簡素化、共用可能にして安価に提供できる点に
ある。
【００３２】本実施形態のリードフレームにランナー部
１９、ゲート部１８を配することにより、従来、信号接
続用リード部１２のコーナー部等に残るゲート残り部が
リードフレームの領域内に配されるため、切断機による
切断の品質安定、効率化、また、半導体装置のコーナー
部に従来設けていたｃ面加工が不要になるものである。
また、封止樹脂が充填される開口部１６は、リードフレ
ームに彫り込み加工がされており、密着性が向上し、薄
型の耐リフロー性のよい電極底面露出型の樹脂封止型半
導体装置の生産を可能にできるものである。
１９、ゲート部１８を配することにより、従来、信号接
続用リード部１２のコーナー部等に残るゲート残り部が
リードフレームの領域内に配されるため、切断機による
切断の品質安定、効率化、また、半導体装置のコーナー
部に従来設けていたｃ面加工が不要になるものである。
また、封止樹脂が充填される開口部１６は、リードフレ
ームに彫り込み加工がされており、密着性が向上し、薄
型の耐リフロー性のよい電極底面露出型の樹脂封止型半
導体装置の生産を可能にできるものである。
【００３３】また、本実施形態におけるリードフレーム
は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッキと
してニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐ
ｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッ
キされた３層の金属メッキ済みのリードフレームであ
る。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の
素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム
（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されてい
てもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくても
よい。リードフレームは、樹脂封止の際、封止樹脂の流
出を止めるタイバーを設けていないリードフレームであ
る。
は、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッキと
してニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム（Ｐ
ｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれメッ
キされた３層の金属メッキ済みのリードフレームであ
る。ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の
素材を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ），パラジウム
（Ｐｄ），金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されてい
てもよく、さらに、かならずしも３層メッキでなくても
よい。リードフレームは、樹脂封止の際、封止樹脂の流
出を止めるタイバーを設けていないリードフレームであ
る。
【００３４】なお、リードフレームは図１に示すよう
に、そのパターンが１つではなく、複数個、左右、上下
に連続した配列になっている。また本実施形態のリード
フレームにおいて、その厚さは０．５［ｍｍ］、ランナ
ー部１９の深さは０．３［ｍｍ］、幅は２．０［ｍｍ］
とした。
に、そのパターンが１つではなく、複数個、左右、上下
に連続した配列になっている。また本実施形態のリード
フレームにおいて、その厚さは０．５［ｍｍ］、ランナ
ー部１９の深さは０．３［ｍｍ］、幅は２．０［ｍｍ］
とした。
【００３５】次に本発明の別の実施形態のリードフレー
ムについて、図面を参照しながら説明する。図３は、本
実施形態のリードフレームを示す平面図である。
ムについて、図面を参照しながら説明する。図３は、本
実施形態のリードフレームを示す平面図である。
【００３６】図３に示すように、本実施形態のリードフ
レームにおいては、信号接続用リード部１２がアウター
リード部１３と接続して、フレーム枠１４により支持さ
れている。そして少なくとも信号接続用リード部１２に
接続するアウターリード部１３、フレーム枠１４の底面
は、接着性を有した樹脂フィルム１５により密着されて
いる。図３中、破線で示した領域が樹脂フィルムが密着
された領域である。そしてその樹脂フィルム１５上に信
号接続用リード部１２および第２の信号接続用リード部
２３、ダイパッド部１７が固着されることにより、信号
接続用リード部１２，２３はグリッド状に配列されるこ
とになる。
レームにおいては、信号接続用リード部１２がアウター
リード部１３と接続して、フレーム枠１４により支持さ
れている。そして少なくとも信号接続用リード部１２に
接続するアウターリード部１３、フレーム枠１４の底面
は、接着性を有した樹脂フィルム１５により密着されて
いる。図３中、破線で示した領域が樹脂フィルムが密着
された領域である。そしてその樹脂フィルム１５上に信
号接続用リード部１２および第２の信号接続用リード部
２３、ダイパッド部１７が固着されることにより、信号
接続用リード部１２，２３はグリッド状に配列されるこ
とになる。
【００３７】信号接続用リード１２，２３に連続する底
面は、樹脂封止型半導体装置を形成した際、外部接続端
子を構成し、中央の開口部１６にはダイパッド部１７が
配されている。そしてリードフレームの信号接続用リー
ド部１２，２３をさけた領域にゲート部１８を配し、樹
脂成型時に溶融した樹脂をランナー部１９から開口部１
６に注入する注入口となる。そして封止樹脂はダイパッ
ド１７上に接着される半導体素子およびその半導体素子
と信号接続用リード部１２とを電気的に接続する接続部
材の外囲である開口部１６、ゲート部１８、エヤーベン
ド部２０に充填される。このエヤーベンド部２０の詳細
は図示していないが、ランナー部１９、あるいは貫通穴
により底面側に出す。また、スルーゲート方式ではゲー
ト部１８により半導体装置間を接続するものである。
面は、樹脂封止型半導体装置を形成した際、外部接続端
子を構成し、中央の開口部１６にはダイパッド部１７が
配されている。そしてリードフレームの信号接続用リー
ド部１２，２３をさけた領域にゲート部１８を配し、樹
脂成型時に溶融した樹脂をランナー部１９から開口部１
６に注入する注入口となる。そして封止樹脂はダイパッ
ド１７上に接着される半導体素子およびその半導体素子
と信号接続用リード部１２とを電気的に接続する接続部
材の外囲である開口部１６、ゲート部１８、エヤーベン
ド部２０に充填される。このエヤーベンド部２０の詳細
は図示していないが、ランナー部１９、あるいは貫通穴
により底面側に出す。また、スルーゲート方式ではゲー
ト部１８により半導体装置間を接続するものである。
【００３８】本実施形態において、接着性を有した樹脂
フィルム１５は、ダイパッド部１７の固着とともに、特
にダイパッド部１７の下面側および信号接続用リード部
１２，２３の裏面側の外部端子部に樹脂封止時に封止樹
脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせ
るためのものであり、この樹脂フィルム１５の存在によ
って、ダイパッド部１７の下面や、外部端子部の裏面に
樹脂バリが形成されるのを防止することができる。この
樹脂フィルム１５は、ポリエチレンテレフタレート，ポ
リイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂を
ベースとしたテープであり、樹脂封止後はＵＶ照射、ケ
ミカル処理、あるいはピーリングにより接着力を弱め剥
がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐
性があるものである。
フィルム１５は、ダイパッド部１７の固着とともに、特
にダイパッド部１７の下面側および信号接続用リード部
１２，２３の裏面側の外部端子部に樹脂封止時に封止樹
脂が回り込まないようにするマスク的な役割を果たさせ
るためのものであり、この樹脂フィルム１５の存在によ
って、ダイパッド部１７の下面や、外部端子部の裏面に
樹脂バリが形成されるのを防止することができる。この
樹脂フィルム１５は、ポリエチレンテレフタレート，ポ
リイミド，ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂を
ベースとしたテープであり、樹脂封止後はＵＶ照射、ケ
ミカル処理、あるいはピーリングにより接着力を弱め剥
がすことができ、また樹脂封止時における高温環境に耐
性があるものである。
【００３９】なお、樹脂バリとは樹脂封止の際に発生す
るリードフレームに対する残余樹脂であり、樹脂成形
上、不必要な部分である。
るリードフレームに対する残余樹脂であり、樹脂成形
上、不必要な部分である。
【００４０】本発明の特徴は、フレーム枠１４にランナ
ー部１９と、そのランナー部１９に接続するゲート部１
８を設けることにより、封止金型を簡素化、共用可能に
して安価な薄型のグリッド状に配列された高品質な電極
底面露出型の樹脂封止型半導体装置が提供できることで
ある。また、封止樹脂が充填される開口部１６は、リー
ドフレームに彫り込み加工がされており、グリッド状に
配列された薄型の耐リフロー性のよい電極底面露出型の
樹脂封止型半導体装置が可能になる。さらに、用意する
リードフレームは、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止
めるタイバーを設けていないリードフレームである。
ー部１９と、そのランナー部１９に接続するゲート部１
８を設けることにより、封止金型を簡素化、共用可能に
して安価な薄型のグリッド状に配列された高品質な電極
底面露出型の樹脂封止型半導体装置が提供できることで
ある。また、封止樹脂が充填される開口部１６は、リー
ドフレームに彫り込み加工がされており、グリッド状に
配列された薄型の耐リフロー性のよい電極底面露出型の
樹脂封止型半導体装置が可能になる。さらに、用意する
リードフレームは、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止
めるタイバーを設けていないリードフレームである。
【００４１】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置に
ついて説明する。図４は本実施形態の樹脂封止型半導体
装置を示す上面斜視図であり、図５はその底面斜視図、
図６は図４のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
ついて説明する。図４は本実施形態の樹脂封止型半導体
装置を示す上面斜視図であり、図５はその底面斜視図、
図６は図４のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【００４２】図４，図５および図６に示すように、本実
施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード部
１２と、半導体チップ２４を支持するためのダイパッド
部１７を備えている。そして、ダイパッド部１７上に半
導体チップ２４が銀ペースト等の接着剤により接合され
ており、半導体チップ２４の電極パッドと信号接続用リ
ード１２とは、金属細線２５により互いに電気的に接続
されている。そして、信号接続用リード部１２、ダイパ
ッド部１７，半導体チップ２４および金属細線２５は、
封止樹脂２６内に封止されている。
施形態の樹脂封止型半導体装置は、信号接続用リード部
１２と、半導体チップ２４を支持するためのダイパッド
部１７を備えている。そして、ダイパッド部１７上に半
導体チップ２４が銀ペースト等の接着剤により接合され
ており、半導体チップ２４の電極パッドと信号接続用リ
ード１２とは、金属細線２５により互いに電気的に接続
されている。そして、信号接続用リード部１２、ダイパ
ッド部１７，半導体チップ２４および金属細線２５は、
封止樹脂２６内に封止されている。
【００４３】また、信号接続用リード部１２の下面側に
は封止樹脂２６は存在せず、信号接続用リード１２の下
面が露出されており、この信号接続用リード部１２の下
面が実装基板との接続面となる。すなわち、信号接続用
リード１２の下面部が外部端子部２７を構成している。
なお、図５の底面斜視図において、ダイパッド部１７は
封止樹脂２６より露出した構造を有している。また、図
５において、ダイパッド部１７の代わりに小型の分割ダ
イパッド部として、ポール部２８を用いて、半導体素子
を支持してもよく、図５においては、ダイパッド部１７
とポール部２８とを便宜上、並記している。
は封止樹脂２６は存在せず、信号接続用リード１２の下
面が露出されており、この信号接続用リード部１２の下
面が実装基板との接続面となる。すなわち、信号接続用
リード１２の下面部が外部端子部２７を構成している。
なお、図５の底面斜視図において、ダイパッド部１７は
封止樹脂２６より露出した構造を有している。また、図
５において、ダイパッド部１７の代わりに小型の分割ダ
イパッド部として、ポール部２８を用いて、半導体素子
を支持してもよく、図５においては、ダイパッド部１７
とポール部２８とを便宜上、並記している。
【００４４】本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、
信号接続用リード部１２の側方には外部端子となるアウ
ターリードが存在せず、信号接続用リード部１２の下面
部が外部端子部２７となっているので、半導体装置の小
型化を図ることができる。
信号接続用リード部１２の側方には外部端子となるアウ
ターリードが存在せず、信号接続用リード部１２の下面
部が外部端子部２７となっているので、半導体装置の小
型化を図ることができる。
【００４５】また、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
では、外部端子部２７およびダイパッド部１７が封止樹
脂２６の面より突出して形成されているため、実装基板
に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部端子部と実
装基板のランド部との接合において、外部端子部２７の
スタンドオフ高さが予め確保されていることになる。し
たがって、外部端子部２７をそのまま外部端子として用
いることができ、実装基板への実装のために外部端子部
２７にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、
製造コスト的に有利となる。
では、外部端子部２７およびダイパッド部１７が封止樹
脂２６の面より突出して形成されているため、実装基板
に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部端子部と実
装基板のランド部との接合において、外部端子部２７の
スタンドオフ高さが予め確保されていることになる。し
たがって、外部端子部２７をそのまま外部端子として用
いることができ、実装基板への実装のために外部端子部
２７にはんだボールを付設する必要はなく、製造工数、
製造コスト的に有利となる。
【００４６】本実施形態の特徴は、信号接続用リード部
１２と、信号接続用リード１２に接続する外部端子部２
７とよりなる開口部１６を有したリードフレームの底面
側に接着性を有した樹脂フィルム１５を密着させ、開口
部１６の中央部にダイパッド部１７底面を固着させたリ
ードフレームを使用して、そのリードフレームに配した
ランナー部１９およびゲート部１８の上面に封止工程で
樹脂フィルム１５とともに金型で押圧して樹脂を充填す
ることにより、信号接続用リード部１２より開口部１６
の樹脂面を凹ませることができる。このことにより半導
体装置の上下面ともスタンドオフが確保でき樹脂面が凹
むため、実装基板への搭載安定性が得られるとともに、
スタック搭載が可能である。例えば、図７に示す本実施
形態の樹脂封止型半導体装置を図８に示すようにスタッ
ク構造として搭載することができる。図７は本実施形態
の樹脂封止型半導体装置のリード部分の突出量（スタン
ドオフ）を強調して示した斜視図であり、図８は本実施
形態の樹脂封止型半導体装置を積層搭載した状態を示す
斜視図である。図７に示す樹脂封止型半導体装置は、封
止樹脂２６部からスタンドオフが形成され、突出した外
部端子部２７を有したものであり、上下面の外部端子部
２７の接続により、積層搭載しても、各樹脂封止型半導
体装置間を電気的に接続できるものである。
１２と、信号接続用リード１２に接続する外部端子部２
７とよりなる開口部１６を有したリードフレームの底面
側に接着性を有した樹脂フィルム１５を密着させ、開口
部１６の中央部にダイパッド部１７底面を固着させたリ
ードフレームを使用して、そのリードフレームに配した
ランナー部１９およびゲート部１８の上面に封止工程で
樹脂フィルム１５とともに金型で押圧して樹脂を充填す
ることにより、信号接続用リード部１２より開口部１６
の樹脂面を凹ませることができる。このことにより半導
体装置の上下面ともスタンドオフが確保でき樹脂面が凹
むため、実装基板への搭載安定性が得られるとともに、
スタック搭載が可能である。例えば、図７に示す本実施
形態の樹脂封止型半導体装置を図８に示すようにスタッ
ク構造として搭載することができる。図７は本実施形態
の樹脂封止型半導体装置のリード部分の突出量（スタン
ドオフ）を強調して示した斜視図であり、図８は本実施
形態の樹脂封止型半導体装置を積層搭載した状態を示す
斜視図である。図７に示す樹脂封止型半導体装置は、封
止樹脂２６部からスタンドオフが形成され、突出した外
部端子部２７を有したものであり、上下面の外部端子部
２７の接続により、積層搭載しても、各樹脂封止型半導
体装置間を電気的に接続できるものである。
【００４７】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、前
記した図１に示したリードフレームを用い、信号接続用
リード部１２のコーナー部にゲート部１８を適切に配す
ることにより、良好な成形を確保し、外部端子部２７の
端子配列に影響のないモールド封止法によりリードフレ
ームの厚さ内に樹脂を充填した薄型の樹脂封止型半導体
装置である。また、開口部１６に封止樹脂２６が充填さ
れるため、接合力を向上させることができ、薄型の半導
体装置にも関わらず耐湿性を改善できるものである。こ
の効果によりＩＲリフロー工程や樹脂封止型半導体装置
をプリント配線基板にはんだ実装する際に、半導体素子
の接着界面付近にトラップされた水に起因されるふくれ
や剥がれ、あるいは、封止樹脂のクラックなどの発生を
抑止し、半導体素子と信号接続用リード部との接続部が
剥離して電気的接続不良が発生するのを防止できる。ま
た、プリント配線基板との実装後に半導体装置に加わる
機械的、あるいは熱的繰り返しストレスによる影響で、
封止樹脂２６界面の応力に対する耐性が向上するもので
ある。
記した図１に示したリードフレームを用い、信号接続用
リード部１２のコーナー部にゲート部１８を適切に配す
ることにより、良好な成形を確保し、外部端子部２７の
端子配列に影響のないモールド封止法によりリードフレ
ームの厚さ内に樹脂を充填した薄型の樹脂封止型半導体
装置である。また、開口部１６に封止樹脂２６が充填さ
れるため、接合力を向上させることができ、薄型の半導
体装置にも関わらず耐湿性を改善できるものである。こ
の効果によりＩＲリフロー工程や樹脂封止型半導体装置
をプリント配線基板にはんだ実装する際に、半導体素子
の接着界面付近にトラップされた水に起因されるふくれ
や剥がれ、あるいは、封止樹脂のクラックなどの発生を
抑止し、半導体素子と信号接続用リード部との接続部が
剥離して電気的接続不良が発生するのを防止できる。ま
た、プリント配線基板との実装後に半導体装置に加わる
機械的、あるいは熱的繰り返しストレスによる影響で、
封止樹脂２６界面の応力に対する耐性が向上するもので
ある。
【００４８】例えば、図９に示すように、信号接続用リ
ード部１２に段差をつけることにより、樹脂封止した
際、半導体装置の切断部を図のように封止樹脂２６で接
続することができ実装応力に対する耐性が強くできる。
図９は樹脂封止型半導体装置を示す上面斜視図である。
ード部１２に段差をつけることにより、樹脂封止した
際、半導体装置の切断部を図のように封止樹脂２６で接
続することができ実装応力に対する耐性が強くできる。
図９は樹脂封止型半導体装置を示す上面斜視図である。
【００４９】また、図２で示した溝部２１を信号接続用
リード部１２の底面あるいは上面に配することにより、
樹脂封止の際に用いる樹脂フィルムが溝部２１に食い込
み成形されるために封止樹脂が溝部２１に入る効果によ
り、封止樹脂界面の応力に対する耐性が向上する。また
それにより実装時、はんだが溝部２１に入り込むため、
接合界面のはんだ接合力が向上する。
リード部１２の底面あるいは上面に配することにより、
樹脂封止の際に用いる樹脂フィルムが溝部２１に食い込
み成形されるために封止樹脂が溝部２１に入る効果によ
り、封止樹脂界面の応力に対する耐性が向上する。また
それにより実装時、はんだが溝部２１に入り込むため、
接合界面のはんだ接合力が向上する。
【００５０】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、封
止樹脂２６と信号接続用リード部１２の厚み内にあるた
め、温度変化に対する半導体装置の反りが従来に比べて
非常に少なく、半導体素子２４と信号接続用リード部１
２との接続部が剥離して電気的接続不良が発生するのを
防止できる。したがって、外部端子部２７にはんだボー
ルを使用する必要性が少なく、ランドグリッドアレイあ
るいはランド電極として提供することが可能になる。ま
た、半導体装置の大きさ、信号接続用リード部の数等に
より、信号接続用リード部の厚さは本実施形態では、
０．５［ｍｍ］とした。
止樹脂２６と信号接続用リード部１２の厚み内にあるた
め、温度変化に対する半導体装置の反りが従来に比べて
非常に少なく、半導体素子２４と信号接続用リード部１
２との接続部が剥離して電気的接続不良が発生するのを
防止できる。したがって、外部端子部２７にはんだボー
ルを使用する必要性が少なく、ランドグリッドアレイあ
るいはランド電極として提供することが可能になる。ま
た、半導体装置の大きさ、信号接続用リード部の数等に
より、信号接続用リード部の厚さは本実施形態では、
０．５［ｍｍ］とした。
【００５１】本発明の樹脂封止型半導体装置の別の実施
形態について説明する。図１０，図１１および図１２は
本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図
１０は上面斜視図、図１１はその底面斜視図、図１２は
図１０のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
形態について説明する。図１０，図１１および図１２は
本実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図
１０は上面斜視図、図１１はその底面斜視図、図１２は
図１０のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【００５２】図示するように、本実施形態の樹脂封止型
半導体装置は、アレー状に配列された信号接続用リード
部１２，２３と、半導体素子２４を支持するためのダイ
パッド部１７を備えている。そして、ダイパッド部１７
上に半導体素子２４が接着剤により接合されており、半
導体素子２４の電極パッドと信号接続用リード部１２，
２３とは、金属細線２５により互いに電気的に接続され
ている。そして、信号接続用リード部１２，２３、ダイ
パッド部１７，半導体素子２４および金属細線２５の領
域は、封止樹脂２６内に封止されている。また、アレー
状に配列された信号接続用リード部１２，２３の下面側
には封止樹脂２６は存在せず、信号接続用リード部１
２，２３の下面が露出されており、この信号接続用リー
ド部１２，２３の下面が実装基板との接続面となる。す
なわち、信号接続用リード部１２，２３の下面部が外部
端子２７，２９を構成している。
半導体装置は、アレー状に配列された信号接続用リード
部１２，２３と、半導体素子２４を支持するためのダイ
パッド部１７を備えている。そして、ダイパッド部１７
上に半導体素子２４が接着剤により接合されており、半
導体素子２４の電極パッドと信号接続用リード部１２，
２３とは、金属細線２５により互いに電気的に接続され
ている。そして、信号接続用リード部１２，２３、ダイ
パッド部１７，半導体素子２４および金属細線２５の領
域は、封止樹脂２６内に封止されている。また、アレー
状に配列された信号接続用リード部１２，２３の下面側
には封止樹脂２６は存在せず、信号接続用リード部１
２，２３の下面が露出されており、この信号接続用リー
ド部１２，２３の下面が実装基板との接続面となる。す
なわち、信号接続用リード部１２，２３の下面部が外部
端子２７，２９を構成している。
【００５３】本実施形態の樹脂封止型半導体装置もま
た、同様に外部端子部２７，２９のスタンドオフ高さが
予め確保されていることになる。したがって、外部端子
部をそのまま外部端子として用いることができ、製造工
数、製造コスト的に有利となる。
た、同様に外部端子部２７，２９のスタンドオフ高さが
予め確保されていることになる。したがって、外部端子
部をそのまま外部端子として用いることができ、製造工
数、製造コスト的に有利となる。
【００５４】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、半導体素子２４を信号接続用リード部２３にオーバ
ーハングさせることができ、アレー状に外部端子部２
７，２９が形成されている。もちろん本実施形態の樹脂
封止型半導体装置もまた、スタック状に接続することが
できるものである。
は、半導体素子２４を信号接続用リード部２３にオーバ
ーハングさせることができ、アレー状に外部端子部２
７，２９が形成されている。もちろん本実施形態の樹脂
封止型半導体装置もまた、スタック状に接続することが
できるものである。
【００５５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について説明する。図１３は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法を示す断面図であり、工程
順に示した図である。
製造方法について説明する。図１３は本実施形態の樹脂
封止型半導体装置の製造方法を示す断面図であり、工程
順に示した図である。
【００５６】まず図１で示したような信号接続リード部
と、外部リード部と、半導体素子搭載部あるいはダイパ
ット部、ポール部を有し、ランナー部、ゲート部が配さ
れたリードフレームを用意する。
と、外部リード部と、半導体素子搭載部あるいはダイパ
ット部、ポール部を有し、ランナー部、ゲート部が配さ
れたリードフレームを用意する。
【００５７】そして図１３（ａ）に示すように、半導体
素子２４を接着剤によりダイパッド部１７上に接合し、
半導体素子２４の電極パッドと信号接続リード部１２と
を金属細線２５に代表される接合部材により電気的に接
合し、封止金型内に位置合わせして搭載する。なお、図
示する通り、ここで用いるリードフレームの底面領域に
は接着性を有する樹脂フィルム１５が貼り付けられてい
るものである。
素子２４を接着剤によりダイパッド部１７上に接合し、
半導体素子２４の電極パッドと信号接続リード部１２と
を金属細線２５に代表される接合部材により電気的に接
合し、封止金型内に位置合わせして搭載する。なお、図
示する通り、ここで用いるリードフレームの底面領域に
は接着性を有する樹脂フィルム１５が貼り付けられてい
るものである。
【００５８】次に図１３（ｂ）に示すように、半導体素
子２４が接合されたリードフレームに対して、封止フィ
ルム３０を供給する。この封止フィルム３０は、リード
フレームの半導体素子２４が接合された開口部１６側の
リードフレーム上面に密着させる。開口部１６側に密着
させる封止フィルム３０は、ポリイミド、ポリカーボネ
ートなどを主成分とする樹脂をベースとしたフィルムで
あり、樹脂封止後は容易にはがすことができ、封止の高
温に耐性があるものであればよい。本実施形態ではポリ
イミドを主成分としたフィルムを使い厚みは８０［μ
ｍ］とした。
子２４が接合されたリードフレームに対して、封止フィ
ルム３０を供給する。この封止フィルム３０は、リード
フレームの半導体素子２４が接合された開口部１６側の
リードフレーム上面に密着させる。開口部１６側に密着
させる封止フィルム３０は、ポリイミド、ポリカーボネ
ートなどを主成分とする樹脂をベースとしたフィルムで
あり、樹脂封止後は容易にはがすことができ、封止の高
温に耐性があるものであればよい。本実施形態ではポリ
イミドを主成分としたフィルムを使い厚みは８０［μ
ｍ］とした。
【００５９】そして図１３（ｃ）に示すように、封止フ
ィルム３０とともに上金型と下金型を閉じ、リードフレ
ーム自体を金型に押圧させて、溶融した封止樹脂２６を
リードフレームに設けたランナー部、ゲート部より開口
部１６に注入して樹脂封止を行う。この工程により、樹
脂封止後はフィルム１５，３０を剥がすことにより、半
導体素子２４が搭載されたリードフレームの両面をフィ
ルム１５，３０で挟んだ状態で樹脂封止するので、封止
樹脂２６部からリードが突出し、外部端子部２７が形成
された樹脂封止型半導体装置を製造できる。また、この
樹脂封止の際、開口部１６側に封止フィルム３０を密着
させ、真空引きし、均一に延ばした状態を維持しながら
樹脂封止することにより、樹脂封止時の熱収縮による封
止フィルム３０のシワの発生を防止することができ、封
止樹脂２６の表面にシワのない半導体装置を製造するこ
とができる。
ィルム３０とともに上金型と下金型を閉じ、リードフレ
ーム自体を金型に押圧させて、溶融した封止樹脂２６を
リードフレームに設けたランナー部、ゲート部より開口
部１６に注入して樹脂封止を行う。この工程により、樹
脂封止後はフィルム１５，３０を剥がすことにより、半
導体素子２４が搭載されたリードフレームの両面をフィ
ルム１５，３０で挟んだ状態で樹脂封止するので、封止
樹脂２６部からリードが突出し、外部端子部２７が形成
された樹脂封止型半導体装置を製造できる。また、この
樹脂封止の際、開口部１６側に封止フィルム３０を密着
させ、真空引きし、均一に延ばした状態を維持しながら
樹脂封止することにより、樹脂封止時の熱収縮による封
止フィルム３０のシワの発生を防止することができ、封
止樹脂２６の表面にシワのない半導体装置を製造するこ
とができる。
【００６０】図１４は、樹脂封止型半導体装置の樹脂封
止用の金型を示す断面図である。図示するように、封止
フィルム３０面を半導体素子を搭載したリードフレーム
３１とともに上金型３２ａと下金型３２ｂとを閉じ、上
下金型３２ａ，３２ｂに対して押圧して、溶融した封止
樹脂を注入し封止して樹脂封止型半導体装置を製造する
ものである。
止用の金型を示す断面図である。図示するように、封止
フィルム３０面を半導体素子を搭載したリードフレーム
３１とともに上金型３２ａと下金型３２ｂとを閉じ、上
下金型３２ａ，３２ｂに対して押圧して、溶融した封止
樹脂を注入し封止して樹脂封止型半導体装置を製造する
ものである。
【００６１】図１４に示す通り、本発明のモールド封止
に用いる半導体装置の樹脂封止用の金型は上金型３２ａ
と下金型３２ｂとにより構成され、下金型３２ｂには半
導体素子が搭載されたリードフレーム３１を搭載し、下
金型３２ｂを型締めした後、タブレット３３をプランジ
ャー３４で押し上げ、金型の温度で溶融させながらリー
ドフレーム３１に配したランナー、ゲート部より開口部
他に充填する。なお、封止フィルム３０は封止フィルム
の供給装置３５，巻き取り装置３６によりリードフレー
ム３１の上面に配置され、上金型３２ａにより密着され
るものである。
に用いる半導体装置の樹脂封止用の金型は上金型３２ａ
と下金型３２ｂとにより構成され、下金型３２ｂには半
導体素子が搭載されたリードフレーム３１を搭載し、下
金型３２ｂを型締めした後、タブレット３３をプランジ
ャー３４で押し上げ、金型の温度で溶融させながらリー
ドフレーム３１に配したランナー、ゲート部より開口部
他に充填する。なお、封止フィルム３０は封止フィルム
の供給装置３５，巻き取り装置３６によりリードフレー
ム３１の上面に配置され、上金型３２ａにより密着され
るものである。
【００６２】本実施形態ではリードフレーム３１の厚み
内に半導体素子、金属細線等の接続部材が搭載されるた
め、上金型３２ａと下金型３２ｂ、共にキャビティ凹部
がない簡単な構造とすることができる。
内に半導体素子、金属細線等の接続部材が搭載されるた
め、上金型３２ａと下金型３２ｂ、共にキャビティ凹部
がない簡単な構造とすることができる。
【００６３】また、封止フィルム３０の役割は、リード
フレーム３１と金型との間に配することによりゲート
部、開口部、エヤーベンド部に封止樹脂を充填した際
に、リードフレーム３１に対して凹部を形成する働き
と、樹脂封止時にゲート部とランナー部を通過する封止
樹脂がリードフレーム３１上にはみださないようにする
ストッパー的な役割である。つまり、リードフレーム３
１に配したゲート部、エアーベンド部と封止フィルム３
０により実質的な樹脂流入口を作ることである。また、
基板の寸法のばらつきの影響による成形不良も防いでい
る。
フレーム３１と金型との間に配することによりゲート
部、開口部、エヤーベンド部に封止樹脂を充填した際
に、リードフレーム３１に対して凹部を形成する働き
と、樹脂封止時にゲート部とランナー部を通過する封止
樹脂がリードフレーム３１上にはみださないようにする
ストッパー的な役割である。つまり、リードフレーム３
１に配したゲート部、エアーベンド部と封止フィルム３
０により実質的な樹脂流入口を作ることである。また、
基板の寸法のばらつきの影響による成形不良も防いでい
る。
【００６４】本発明の特徴は、半導体素子が搭載された
リードフレーム３１を下金型３２ｂに位置合わせして搭
載し、リードフレーム３１に封止フィルム３０を密着
し、モールド金型を樹脂フィルム、封止フィルム３、リ
ードフレーム３１とともに型締めし挟圧し、リードフレ
ーム３１に設けたゲート部、ランナー部の上部をふさぎ
食い込ますことにより、ランナー部、ゲート部を形成さ
せ安定した樹脂封止を可能にしたことにある。また、樹
脂封止の金型の熱により軟化し、押圧力によりリードフ
レーム３１のランナー部、ゲート部、開口部内側に少し
入り込み段差を形成することになり、封止フィルム３０
が封止樹脂のはみ出しを防止し、したがって、外部端子
部は開口部、ランナー部、ゲート部に対して封止樹脂の
面から突出した構造となり樹脂封止型半導体装置が完成
する。さらに封止フィルム３０の厚みによりランナー
部、ゲート部、開口部の段差量を調整できる。
リードフレーム３１を下金型３２ｂに位置合わせして搭
載し、リードフレーム３１に封止フィルム３０を密着
し、モールド金型を樹脂フィルム、封止フィルム３、リ
ードフレーム３１とともに型締めし挟圧し、リードフレ
ーム３１に設けたゲート部、ランナー部の上部をふさぎ
食い込ますことにより、ランナー部、ゲート部を形成さ
せ安定した樹脂封止を可能にしたことにある。また、樹
脂封止の金型の熱により軟化し、押圧力によりリードフ
レーム３１のランナー部、ゲート部、開口部内側に少し
入り込み段差を形成することになり、封止フィルム３０
が封止樹脂のはみ出しを防止し、したがって、外部端子
部は開口部、ランナー部、ゲート部に対して封止樹脂の
面から突出した構造となり樹脂封止型半導体装置が完成
する。さらに封止フィルム３０の厚みによりランナー
部、ゲート部、開口部の段差量を調整できる。
【００６５】このため、開口部側の外部端子部はそのま
ま実装基板との接続に用いることができるためはんだボ
ールを必要としないランドグリッドタイプ等の樹脂封止
型半導体装置として使用することができる。また、前記
した図７に示した構造のようにスタック可能な薄型の樹
脂封止型半導体装置の生産が可能となる。
ま実装基板との接続に用いることができるためはんだボ
ールを必要としないランドグリッドタイプ等の樹脂封止
型半導体装置として使用することができる。また、前記
した図７に示した構造のようにスタック可能な薄型の樹
脂封止型半導体装置の生産が可能となる。
【００６６】最後に、リードフレーム３１に密着させた
封止フィルム３０をピールオフにより除去し、そしてリ
ードフレーム３１を切断機で切断し、前記したような品
質の樹脂封止型半導体装置が完成する。その結果、パッ
ケージの信頼性、特に重要な検討課題の耐湿性の保証も
ガラス・エポキシ樹脂とモールド樹脂との界面の密着力
が開口部内に樹脂充填部を設けること等により強化され
品質保証が可能になった。
封止フィルム３０をピールオフにより除去し、そしてリ
ードフレーム３１を切断機で切断し、前記したような品
質の樹脂封止型半導体装置が完成する。その結果、パッ
ケージの信頼性、特に重要な検討課題の耐湿性の保証も
ガラス・エポキシ樹脂とモールド樹脂との界面の密着力
が開口部内に樹脂充填部を設けること等により強化され
品質保証が可能になった。
【００６７】また、ポッティング樹脂封止の課題であっ
た樹脂が硬化する時間が長く、量産性が悪い、また注入
する場合に空気を巻き込みやすい、樹脂ボイドが発生し
やすいという課題をゲート部、ランナー部を基板に配す
る製造方法を可能にすることにより解決することができ
るものである。また、樹脂成型時に成形圧力をかけない
ために樹脂ボイドを小さくすることができ、実装時に樹
脂ボイド内の空気が膨張してクラックが発生するという
課題も解決できる。
た樹脂が硬化する時間が長く、量産性が悪い、また注入
する場合に空気を巻き込みやすい、樹脂ボイドが発生し
やすいという課題をゲート部、ランナー部を基板に配す
る製造方法を可能にすることにより解決することができ
るものである。また、樹脂成型時に成形圧力をかけない
ために樹脂ボイドを小さくすることができ、実装時に樹
脂ボイド内の空気が膨張してクラックが発生するという
課題も解決できる。
【００６８】また、従来のように半導体装置ごとに金型
にキャビティ凹部を構成する必要がなく、金型設計に際
して、エジェクターピン、エヤーベンド等、を多数設け
る必要がないとともに、パーティング面を設けなくても
よく、金型構造がきわめて簡案化されるため、金型の設
計、製造が容易になり、製造時間の短縮や小型の半導体装
置ほど高くなる金型の製造コストの低減が達成できる。
にキャビティ凹部を構成する必要がなく、金型設計に際
して、エジェクターピン、エヤーベンド等、を多数設け
る必要がないとともに、パーティング面を設けなくても
よく、金型構造がきわめて簡案化されるため、金型の設
計、製造が容易になり、製造時間の短縮や小型の半導体装
置ほど高くなる金型の製造コストの低減が達成できる。
【００６９】以上、本実施形態で用いる半導体装置の樹
脂封止用の金型は上金型３２ａと下金型３２ｂとにより
構成され、下金型３２ｂあるいは上金型３２ａにはキャ
ビティ凹部が設けられていない。
脂封止用の金型は上金型３２ａと下金型３２ｂとにより
構成され、下金型３２ｂあるいは上金型３２ａにはキャ
ビティ凹部が設けられていない。
【００７０】なお、樹脂封止工程においては、封止金型
の熱によって封止フィルム，樹脂フィルムが軟化すると
ともに熱収縮するので、ダイパッドおよび信号接続用リ
ード部がフィルムに食い込み、ダイパッドと封止樹脂の
裏面との間、信号接続用リード部の裏面と封止樹脂の裏
面との間には、それぞれ段差が形成される。したがっ
て、ダイパッドおよび信号接続用リード部は封止樹脂の
裏面から突出した構造となり、ダイパッドのスタンドオ
フ高さや、信号接続用リード部の下部である外部端子部
の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、
本実施形態では、リードフレームに貼り付けた樹脂フィ
ルムの厚みを５０［μｍ］としているので、突出量を例
えば２０［μｍ］程度にリードフレームに密着させた厚
みを８０［μｍ］としているので突出量を例えば４０
［μｍ］程度にできる。
の熱によって封止フィルム，樹脂フィルムが軟化すると
ともに熱収縮するので、ダイパッドおよび信号接続用リ
ード部がフィルムに食い込み、ダイパッドと封止樹脂の
裏面との間、信号接続用リード部の裏面と封止樹脂の裏
面との間には、それぞれ段差が形成される。したがっ
て、ダイパッドおよび信号接続用リード部は封止樹脂の
裏面から突出した構造となり、ダイパッドのスタンドオ
フ高さや、信号接続用リード部の下部である外部端子部
の突出量（スタンドオフ高さ）を確保できる。例えば、
本実施形態では、リードフレームに貼り付けた樹脂フィ
ルムの厚みを５０［μｍ］としているので、突出量を例
えば２０［μｍ］程度にリードフレームに密着させた厚
みを８０［μｍ］としているので突出量を例えば４０
［μｍ］程度にできる。
【００７１】このことにより半導体装置に少しの反りが
生じてもスタック可能な構造が得られる。また、信号接
続用リード部の露出部は外部端子部となる。
生じてもスタック可能な構造が得られる。また、信号接
続用リード部の露出部は外部端子部となる。
【００７２】このように、樹脂フィルム、封止フィルム
の厚みの調整によって外部端子部、信号接続用リード部
の封止樹脂からの突出量を適正量に維持できる。このこ
とは、外部端子部のスタンドオフ高さをフィルムの厚み
の設定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ
量をコントロールのための手段または工程を設けなくて
もよいこと意味し、量産工程における工程管理のコスト
上、極めて有利な点である。このフィルムの厚みは、１
０〜１５０［μｍ］程度であることが好ましい。
の厚みの調整によって外部端子部、信号接続用リード部
の封止樹脂からの突出量を適正量に維持できる。このこ
とは、外部端子部のスタンドオフ高さをフィルムの厚み
の設定のみでコントロールでき、別途スタンドオフ高さ
量をコントロールのための手段または工程を設けなくて
もよいこと意味し、量産工程における工程管理のコスト
上、極めて有利な点である。このフィルムの厚みは、１
０〜１５０［μｍ］程度であることが好ましい。
【００７３】なお、用いるフィルムについては、所望す
る突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化
特性を有する材質を選択することができる。ただし、フ
ィルムに加える圧力の調整によって、ダイパッドや外部
端子部のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、
スタンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能であ
る。
る突出量により、所定の硬度，厚みおよび熱による軟化
特性を有する材質を選択することができる。ただし、フ
ィルムに加える圧力の調整によって、ダイパッドや外部
端子部のスタンドオフ高さを調整してもよく、例えば、
スタンドオフ高さをほぼ「０」にすることも可能であ
る。
【００７４】
【発明の効果】以上、半導体素子が接合されたリードフ
レームに対して、封止金型内で封止フィルムを介在させ
て樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、封止フィルムをリードフレーム内に配したゲート
部、ランナー部に密着させて樹脂を開口部に充填し安価
な金型で樹脂封止を可能にした。そして提供される電極
底面露出型の樹脂封止型半導体装置は耐湿性に優れた小
型、薄型で品質の良い樹脂封止型半導体装置である。
レームに対して、封止金型内で封止フィルムを介在させ
て樹脂封止する樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、封止フィルムをリードフレーム内に配したゲート
部、ランナー部に密着させて樹脂を開口部に充填し安価
な金型で樹脂封止を可能にした。そして提供される電極
底面露出型の樹脂封止型半導体装置は耐湿性に優れた小
型、薄型で品質の良い樹脂封止型半導体装置である。
【図１】本発明の一実施形態に係るリードフレームを示
す平面図
す平面図
【図２】本発明の一実施形態に係るリードフレームを示
す斜視図
す斜視図
【図３】本発明の一実施形態に係るリードフレームを示
す平面図
す平面図
【図４】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す上面斜視図
置を示す上面斜視図
【図５】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す底面斜視図
置を示す底面斜視図
【図６】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す断面図
置を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す上面斜視図
置を示す上面斜視図
【図８】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置のスタック構造を示す上面斜視図
置のスタック構造を示す上面斜視図
【図９】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体装
置を示す上面斜視図
置を示す上面斜視図
【図１０】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置を示す上面斜視図
装置を示す上面斜視図
【図１１】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置を示す底面斜視図
装置を示す底面斜視図
【図１２】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置を示す断面図
装置を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
装置の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態に係る樹脂封止型半導体
装置の製造方法を示す断面図
装置の製造方法を示す断面図
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
１ 半導体素子 ２ 接着剤 ３ 両面プリント基板 ４ 配線パターン ５ スルーホール ６ 導体 ７ 電極パッド ８ 金属細線 ９ ソルダーレジスト １０ 封止樹脂 １１ 半田ボール １２ 信号接続用リード部 １３ アウターリード部 １４ フレーム枠 １５ 樹脂フィルム １６ 開口部 １７ ダイパッド １８ ゲート部 １９ ランナー部 ２０ エヤーベンド部 ２１ 溝部 ２２ 段差部 ２３ 第２の信号接続用リード部 ２４ 半導体素子 ２５ 金属細線 ２６ 封止樹脂 ２７ 外部端子部 ２８ ポール部 ２９ 外部端子部 ３０ 封止フィルム ３１ リードフレーム ３２ａ 上金型 ３２ｂ 下金型 ３３ タブレット ３４ プランジャー ３５ 供給装置 ３６ 巻き取り装置
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくともダイパッド部と、前記ダイパ
ッド部の近傍に配置された信号接続用リード部と、前記
信号接続用リード部に接続する外端子部と、フレーム枠
及び外部端子部底面に接着する樹脂フィルムとよりなる
リードフレームにおいて、樹脂導入部であるランナー部
と、ゲート部を有していることを特徴とするリードフレ
ーム。 - 【請求項２】 少なくともダイパッド部と、前記ダイパ
ッド部の近傍に配置された信号接続用リード部と、前記
信号接続用リード部に接続する外部端子部と、フレーム
枠よりなるリードフレームにおいて、樹脂導入部である
ランナー部と、前記信号接続用リード部のコーナー部に
ゲート部を有していることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項３】 少なくともダイパッドと、前記ダイパッ
ド部の近傍にグリッド状に配置された信号接続用リード
部と、前記信号接続用リード部に接続する外端子部と、
フレーム枠及び外部端子部底面に接着する樹脂フィルム
とよりなるリードフレームにおいて、樹脂導入部である
ランナー部と、ゲート部を有していることを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項４】 少なくとも前記リードフレームと、電極
パッドを有する半導体素子と、前記半導体素子と前記ダ
イパッド部とを接着する接着材と、前記半導体素子の電
極パッドとグリッド状に配置された信号接続用リード部
とを電気的に接続する接続部材と、半導体素子と接続部
材を封止する封止樹脂とにより成る半導体装置であっ
て、 前記信号接続用リード部の表面より樹脂面が凹型の
樹脂充填部を有していることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。 - 【請求項５】 少なくとも前記リードフレームと、電極
パッドを有する半導体素子と、前記半導体素子と前記ダ
イパッド部とを接着する接着材と、前記半導体素子の電
極パッドと前記信号接続用リード部とを電気的に接続す
る接続部材と、前記半導体素子と前記接続部材を封止す
る封止樹脂により成る半導体装置であって、前記信号接
続用リード部の表面より樹脂面が凹型の樹脂充填部を有
していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項６】 少なくとも電極パッドを有する半導体素
子と、前記半導体素子を接着する半導体素子搭載部ある
いはダイパット部と、前記半導体素子の電極パッドと信
号接続用リード部とを電気的に接続する接続部材と、前
記半導体素子搭載部あるいはダイパット部，前記半導体
素子，前記信号接続用リード部、前記接続部材を樹脂封
止するモールド金型をそなえてなる樹脂封止方法におい
て、前記リードフレームを封止フィルムで被覆し、クラ
ンプすることにより、押圧し、前記リードフレームに有
するランナー部、ゲート部より樹脂を充填して封止する
ことを特徴とする樹脂封止半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28908798A JP3482888B2 (ja) | 1998-10-12 | 1998-10-12 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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