JP2000150707A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＢＧＡ等の半導体装置構造では、多ピ
ン化には安価で対応できず、製造工程も複雑化してい
た。 【解決手段】 底面部を構成する薄厚の固定部と、素子
搭載用のダイパッド部と、半導体装置を構成した際は外
部端子となるランド部とより構成されたターミナルラン
ドフレームを用いて構成された樹脂封止型半導体装置で
あり、ダイパッド部２１と、その上に接合された半導体
素子２３と、半導体素子２３と金属細線２４により接続
されたランド部２５と、封止樹脂２６より構成され、ラ
ンド部２５の底面は封止樹脂２６の面より突出して配列
されており、用いたターミナルランドフレームの固定部
の厚さ分だけ突出している。この構成により、底面に外
部端子を効率的にスタンドオフを有して配列させること
ができる。
ン化には安価で対応できず、製造工程も複雑化してい
た。 【解決手段】 底面部を構成する薄厚の固定部と、素子
搭載用のダイパッド部と、半導体装置を構成した際は外
部端子となるランド部とより構成されたターミナルラン
ドフレームを用いて構成された樹脂封止型半導体装置で
あり、ダイパッド部２１と、その上に接合された半導体
素子２３と、半導体素子２３と金属細線２４により接続
されたランド部２５と、封止樹脂２６より構成され、ラ
ンド部２５の底面は封止樹脂２６の面より突出して配列
されており、用いたターミナルランドフレームの固定部
の厚さ分だけ突出している。この構成により、底面に外
部端子を効率的にスタンドオフを有して配列させること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
した際、その底面で外部電極を構成するために、ランド
電極を有したターミナルランドフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
した際、その底面で外部電極を構成するために、ランド
電極を有したターミナルランドフレームを用いた樹脂封
止型半導体装置およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が加速度的に進んでいる。
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が加速度的に進んでいる。
【０００３】以下、従来の半導体部品として、樹脂封止
型半導体装置について説明する。現在、半導体装置をプ
リント基板表面に高密度に実装するために、半導体素子
を封止した正方形または長方形の封止樹脂の側面にガル
・ウイング形状のリード端子を多数配置したＱＦＰパッ
ケージ化技術が広く使用されている。しかしながら、半
導体素子の高機能化（高ＬＳＩ化）により、ＱＦＰパッ
ケージ化技術には、更に外部リード端子数を増やすこと
が強く望まれている。そこでＱＦＰパッケージの外形寸
法を大きくすることなく外部リード端子数を増やすため
に、現在、端子ピッチが０．３［mm］の狭ピッチＱＦＰ
パッケージが一部実用化されている。しかし、これらの
半導体装置は、その取り扱いにおいて端子リードの曲が
りが大きな問題になる。すなわち、狭ピッチＱＦＰパッ
ケージの製造および実装においては、リード曲がりによ
る半導体装置の製造歩留まりの低下、そしてプリント基
板への半導体実装時の歩留まり低下、および半導体装置
を実装したプリント基板の品質低下等に十分な対策が必
要になる。
型半導体装置について説明する。現在、半導体装置をプ
リント基板表面に高密度に実装するために、半導体素子
を封止した正方形または長方形の封止樹脂の側面にガル
・ウイング形状のリード端子を多数配置したＱＦＰパッ
ケージ化技術が広く使用されている。しかしながら、半
導体素子の高機能化（高ＬＳＩ化）により、ＱＦＰパッ
ケージ化技術には、更に外部リード端子数を増やすこと
が強く望まれている。そこでＱＦＰパッケージの外形寸
法を大きくすることなく外部リード端子数を増やすため
に、現在、端子ピッチが０．３［mm］の狭ピッチＱＦＰ
パッケージが一部実用化されている。しかし、これらの
半導体装置は、その取り扱いにおいて端子リードの曲が
りが大きな問題になる。すなわち、狭ピッチＱＦＰパッ
ケージの製造および実装においては、リード曲がりによ
る半導体装置の製造歩留まりの低下、そしてプリント基
板への半導体実装時の歩留まり低下、および半導体装置
を実装したプリント基板の品質低下等に十分な対策が必
要になる。
【０００４】そのためＱＦＰパッケージの上述の課題を
解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ（ボール・グリ
ッド・アレイ）パッケージが開発されている。図６４に
従来の樹脂封止型半導体装置であるＢＧＡパッケージの
断面構造を示す。
解決するパッケージ技術として、ＢＧＡ（ボール・グリ
ッド・アレイ）パッケージが開発されている。図６４に
従来の樹脂封止型半導体装置であるＢＧＡパッケージの
断面構造を示す。
【０００５】図示するようにＢＧＡパッケージは、半導
体素子１は接着剤２を介して両面配線基板３の上面に搭
載、接着されている。両面配線基板３の上下面には配線
パターン４ａ，４ｂが形成され、その上下面の配線パタ
ーン４ａと配線パターン４ｂとは、スルーホール５の表
面に形成される導体６で電気的に接続されている。半導
体素子１の上面に形成された電極パッド７と配線パター
ン４ａとは金属細線８で電気的に接続される。この金属
細線８による電気的接続をする場所以外の配線パターン
４ａの表面は、ソルダーレジスト９で被覆されている。
半導体素子１、金属細線８、両面配線基板３は封止樹脂
１０によりモールドされて保護されている。
体素子１は接着剤２を介して両面配線基板３の上面に搭
載、接着されている。両面配線基板３の上下面には配線
パターン４ａ，４ｂが形成され、その上下面の配線パタ
ーン４ａと配線パターン４ｂとは、スルーホール５の表
面に形成される導体６で電気的に接続されている。半導
体素子１の上面に形成された電極パッド７と配線パター
ン４ａとは金属細線８で電気的に接続される。この金属
細線８による電気的接続をする場所以外の配線パターン
４ａの表面は、ソルダーレジスト９で被覆されている。
半導体素子１、金属細線８、両面配線基板３は封止樹脂
１０によりモールドされて保護されている。
【０００６】そして両面配線基板３の下面の配線パター
ン４ｂの表面も一部を除いて、ソルダーレジスト９で被
覆されている。ソルダーレジスト９で被覆されていない
配線パターン４ｂの表面には、半田ボール１１が形成さ
れる。半田ボール１１は、両面配線基板３の下面で、格
子状に２次元的に配置される。そしてＢＧＡパッケージ
方式で実装された半導体装置をプリント基板に実装する
場合の電気的接続は半田ボール１１を介して行われるも
のである。
ン４ｂの表面も一部を除いて、ソルダーレジスト９で被
覆されている。ソルダーレジスト９で被覆されていない
配線パターン４ｂの表面には、半田ボール１１が形成さ
れる。半田ボール１１は、両面配線基板３の下面で、格
子状に２次元的に配置される。そしてＢＧＡパッケージ
方式で実装された半導体装置をプリント基板に実装する
場合の電気的接続は半田ボール１１を介して行われるも
のである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の樹脂封止型半導体装置はいずれも、下記のような種々
の問題点をそれぞれ有していた。
の樹脂封止型半導体装置はいずれも、下記のような種々
の問題点をそれぞれ有していた。
【０００８】半導体素子の高機能化（高ＬＳＩ化）によ
り、ＱＦＰパッケージ化技術には、さらに外部リード端
子数を増やすことが強く望まれている。しかし、ＱＦＰ
パッケージに代表される樹脂封止型半導体装置は、その
取り扱いにおいて端子リードの曲がりが大きな問題にな
る。また、実装技術においても課題が多く、すなわち、
狭ピッチＱＦＰパッケージの製造および実装において
は、半導体装置の製造歩留まりの低下、プリント基板へ
の半導体実装時の歩留まり低下、および半導体装置を実
装したプリント基板の品質低下等に十分な対策が必要に
なる。
り、ＱＦＰパッケージ化技術には、さらに外部リード端
子数を増やすことが強く望まれている。しかし、ＱＦＰ
パッケージに代表される樹脂封止型半導体装置は、その
取り扱いにおいて端子リードの曲がりが大きな問題にな
る。また、実装技術においても課題が多く、すなわち、
狭ピッチＱＦＰパッケージの製造および実装において
は、半導体装置の製造歩留まりの低下、プリント基板へ
の半導体実装時の歩留まり低下、および半導体装置を実
装したプリント基板の品質低下等に十分な対策が必要に
なる。
【０００９】図６４に示したＢＧＡパッケージ方式の樹
脂封止型半導体装置は、半導体装置の下面に２次元的に
外部電極端子を配列することにより、同一パッケージサ
イズでＱＦＰパッケージよりも端子数を多くすることが
できるという特徴がある。しかし、その反面、ＱＦＰパ
ッケージに比べて劣る点もある。
脂封止型半導体装置は、半導体装置の下面に２次元的に
外部電極端子を配列することにより、同一パッケージサ
イズでＱＦＰパッケージよりも端子数を多くすることが
できるという特徴がある。しかし、その反面、ＱＦＰパ
ッケージに比べて劣る点もある。
【００１０】すなわち、ＢＧＡパッケージ方式の樹脂封
止型半導体装置では、半導体素子を接着・支持する両面
配線基板が必要である。また、従来のＱＦＰパッケージ
の製造設備以外の新規製造設備の導入が不可欠となり、
設備コスト等が発生する。さらに、ＢＧＡパッケージ方
式では、通常、両面配線基板としてガラス・エポキシ樹
脂基板を使用する。このため半導体素子の樹脂接着・加
熱硬化工程で半導体素子に加わる歪み対策、半導体素子
の各電極パッドと両面配線基板の表面の配線パターンと
をワイヤーボンディングにより電気的に接続する工程で
の両面配線基板の反り対策、半導体素子を接着した面側
のみを樹脂封止することによる基板の反り対策、両面配
線基板の反りが多少あった場合における複数の半田ボー
ルの水平面の高さの均一性を確保すること等の製造技術
上解決すべき多くの課題がある。
止型半導体装置では、半導体素子を接着・支持する両面
配線基板が必要である。また、従来のＱＦＰパッケージ
の製造設備以外の新規製造設備の導入が不可欠となり、
設備コスト等が発生する。さらに、ＢＧＡパッケージ方
式では、通常、両面配線基板としてガラス・エポキシ樹
脂基板を使用する。このため半導体素子の樹脂接着・加
熱硬化工程で半導体素子に加わる歪み対策、半導体素子
の各電極パッドと両面配線基板の表面の配線パターンと
をワイヤーボンディングにより電気的に接続する工程で
の両面配線基板の反り対策、半導体素子を接着した面側
のみを樹脂封止することによる基板の反り対策、両面配
線基板の反りが多少あった場合における複数の半田ボー
ルの水平面の高さの均一性を確保すること等の製造技術
上解決すべき多くの課題がある。
【００１１】さらに、パッケージの信頼性、特に耐湿性
の保証も重要な検討課題となる。例えば、ガラス・エポ
キシ樹脂とモールドしている封止樹脂との界面の密着力
が弱い場合は、高温高湿試験・プレッシャ・クッカー試
験等の環境試験において品質保証が困難になるという課
題がある。
の保証も重要な検討課題となる。例えば、ガラス・エポ
キシ樹脂とモールドしている封止樹脂との界面の密着力
が弱い場合は、高温高湿試験・プレッシャ・クッカー試
験等の環境試験において品質保証が困難になるという課
題がある。
【００１２】これらの諸課題の解決策として、セラミッ
ク製の両面配線基板の使用は非常に有効な方法である
が、その反面、基板コストが高いという欠点がある。
ク製の両面配線基板の使用は非常に有効な方法である
が、その反面、基板コストが高いという欠点がある。
【００１３】本発明は、上述した従来のリードフレーム
を用いたＱＦＰパッケージ技術および基板を用いたＢＧ
Ａパッケージ技術を用いた場合の樹脂封止型半導体装置
の製造工程、実装時の種々の課題に鑑みて、それら課題
を解決するものであり、小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置を実現するために、それに適したターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびにそれを用いた樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法を提供するもので
ある。また、はんだリフロー工程での信頼性を向上さ
せ、また基板実装後の機械的、熱的、強度不足などに起
因する電気的接続不良を低減し、実装信頼性の高い安価
なリードフレームタイプの電極底面露出型の樹脂封止半
導体装置を実現できるターミナルランドフレームおよび
その製造方法ならびにそれを用いた樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法を提供するものである。
を用いたＱＦＰパッケージ技術および基板を用いたＢＧ
Ａパッケージ技術を用いた場合の樹脂封止型半導体装置
の製造工程、実装時の種々の課題に鑑みて、それら課題
を解決するものであり、小型、薄型の樹脂封止型半導体
装置を実現するために、それに適したターミナルランド
フレームおよびその製造方法ならびにそれを用いた樹脂
封止型半導体装置およびその製造方法を提供するもので
ある。また、はんだリフロー工程での信頼性を向上さ
せ、また基板実装後の機械的、熱的、強度不足などに起
因する電気的接続不良を低減し、実装信頼性の高い安価
なリードフレームタイプの電極底面露出型の樹脂封止半
導体装置を実現できるターミナルランドフレームおよび
その製造方法ならびにそれを用いた樹脂封止型半導体装
置およびその製造方法を提供するものである。
【００１４】すなわち本発明の第１の目的は、信号接続
用リード部としてランド部を配する手段と、ダイパッド
部の固定手段とを講ずることにより、電極底面露出型の
小型の樹脂封止半導体装置を実現することである。
用リード部としてランド部を配する手段と、ダイパッド
部の固定手段とを講ずることにより、電極底面露出型の
小型の樹脂封止半導体装置を実現することである。
【００１５】また、本発明の第２の目的は、信号接続用
リード部としてランド部をグリッド状に配する手段と、
ダイパッド部の固定手段とを講ずることにより、小型で
ピン数が多く、放熱性のよい電極底面露出型の樹脂封止
半導体装置を実現することである。
リード部としてランド部をグリッド状に配する手段と、
ダイパッド部の固定手段とを講ずることにより、小型で
ピン数が多く、放熱性のよい電極底面露出型の樹脂封止
半導体装置を実現することである。
【００１６】また、本発明の第３の目的は、ランド部お
よびダイパッド部の下面を封止樹脂から突出させた場合
における封止樹脂の保持力を高める手段を講ずることに
より、ランド部およびダイパッド部の封止樹脂からの剥
がれを抑制した電極底面露出型の樹脂封止半導体装置を
実現することである。
よびダイパッド部の下面を封止樹脂から突出させた場合
における封止樹脂の保持力を高める手段を講ずることに
より、ランド部およびダイパッド部の封止樹脂からの剥
がれを抑制した電極底面露出型の樹脂封止半導体装置を
実現することである。
【００１７】また、本発明の第４の目的は、グリッド状
に配したランド部の底面を切り欠く手段を講ずることに
より、実装接続信頼性の高い電極底面露出型の樹脂封止
半導体装置を実現することである。
に配したランド部の底面を切り欠く手段を講ずることに
より、実装接続信頼性の高い電極底面露出型の樹脂封止
半導体装置を実現することである。
【００１８】また、本発明の第５の目的は、ランド部お
よびダイパッド部の下面を封止樹脂から突出させた場合
における樹脂バリの発生を防止する手段を講ずることに
より、放熱特性のよいグリッド状に配したランド部を有
する電極底面露出型の樹脂封止半導体装置を実現するこ
とである。
よびダイパッド部の下面を封止樹脂から突出させた場合
における樹脂バリの発生を防止する手段を講ずることに
より、放熱特性のよいグリッド状に配したランド部を有
する電極底面露出型の樹脂封止半導体装置を実現するこ
とである。
【００１９】また、本発明の第６の目的は、吊りリード
を廃止し、搭載する半導体素子の大きさの変化に対応可
能で、信頼性の向上が可能なグリッド状配列のランド部
を有する小型の電極底面露出型の樹脂封止半導体装置を
実現することである。
を廃止し、搭載する半導体素子の大きさの変化に対応可
能で、信頼性の向上が可能なグリッド状配列のランド部
を有する小型の電極底面露出型の樹脂封止半導体装置を
実現することである。
【００２０】さらに、本発明の第７の目的は、樹脂封止
半導体装置を封止後、フレームから効率的に分離する手
段を講ずることにより、生産性のよい樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供することである。
半導体装置を封止後、フレームから効率的に分離する手
段を講ずることにより、生産性のよい樹脂封止型半導体
装置の製造方法を提供することである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために本発明のターミナルランドフレームは、フレー
ム枠と、前記フレーム枠の領域内に一体で設けられた薄
厚の固定部の領域と、前記固定部の領域内の略中央部に
一体で設けられた前記フレーム枠と同等の厚みよりなる
半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記固定部の領域
内であって、前記ダイパッド部の周囲に一体で設けられ
て配置され、前記フレーム枠と同等の厚みよりなる複数
のランド部とよりなるターミナルランドフレームであっ
て、前記固定部はそれ自体が前記ランド部、前記ダイパ
ッド部から分離可能な薄さの薄厚部で構成されているタ
ーミナルランドフレームである。
るために本発明のターミナルランドフレームは、フレー
ム枠と、前記フレーム枠の領域内に一体で設けられた薄
厚の固定部の領域と、前記固定部の領域内の略中央部に
一体で設けられた前記フレーム枠と同等の厚みよりなる
半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記固定部の領域
内であって、前記ダイパッド部の周囲に一体で設けられ
て配置され、前記フレーム枠と同等の厚みよりなる複数
のランド部とよりなるターミナルランドフレームであっ
て、前記固定部はそれ自体が前記ランド部、前記ダイパ
ッド部から分離可能な薄さの薄厚部で構成されているタ
ーミナルランドフレームである。
【００２２】また、フレーム枠と、前記フレーム枠の領
域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、前記固
定部の領域内の略中央部に一体で設けられた前記フレー
ム枠と同等の厚みよりなる半導体素子搭載用のダイパッ
ド部と、前記固定部の領域内であって、前記ダイパッド
部の周囲に複数列を構成して一体で設けられて配置さ
れ、前記フレーム枠と同等の厚みよりなる複数のランド
部とよりなるターミナルランドフレームであって、前記
固定部はそれ自体が前記ランド部、前記ダイパッド部か
ら分離可能な薄さの薄厚部で構成されているターミナル
ランドフレームである。
域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、前記固
定部の領域内の略中央部に一体で設けられた前記フレー
ム枠と同等の厚みよりなる半導体素子搭載用のダイパッ
ド部と、前記固定部の領域内であって、前記ダイパッド
部の周囲に複数列を構成して一体で設けられて配置さ
れ、前記フレーム枠と同等の厚みよりなる複数のランド
部とよりなるターミナルランドフレームであって、前記
固定部はそれ自体が前記ランド部、前記ダイパッド部か
ら分離可能な薄さの薄厚部で構成されているターミナル
ランドフレームである。
【００２３】また、フレーム枠と、前記フレーム枠の領
域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、前記固
定部の領域内の略中央部に一体で設けられた前記フレー
ム枠と同等の厚みよりなる半導体素子搭載用のダイパッ
ド部と、前記固定部の領域内であって、前記ダイパッド
部の周囲に複数列を構成して一体で設けられて配置さ
れ、前記フレーム枠の厚みより薄く、前記固定部より厚
く構成された複数のランド部とよりなるターミナルラン
ドフレームであって、前記固定部はそれ自体が前記ラン
ド部、前記ダイパッド部から分離可能な薄さの薄厚部で
構成されているターミナルランドフレームである。
域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、前記固
定部の領域内の略中央部に一体で設けられた前記フレー
ム枠と同等の厚みよりなる半導体素子搭載用のダイパッ
ド部と、前記固定部の領域内であって、前記ダイパッド
部の周囲に複数列を構成して一体で設けられて配置さ
れ、前記フレーム枠の厚みより薄く、前記固定部より厚
く構成された複数のランド部とよりなるターミナルラン
ドフレームであって、前記固定部はそれ自体が前記ラン
ド部、前記ダイパッド部から分離可能な薄さの薄厚部で
構成されているターミナルランドフレームである。
【００２４】さらに、フレーム枠と、前記フレーム枠の
領域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、前記
固定部の領域内の略中央部に一体で設けられた前記フレ
ーム枠と同等の厚みよりなる半導体素子搭載用の複数の
ポスト部と、前記固定部の領域内であって、前記ダイパ
ッド部の周囲に一体で設けられて配置され、前記フレー
ム枠と同等の厚みよりなる複数のランド部とよりなるタ
ーミナルランドフレームであって、前記固定部はそれ自
体が前記ランド部、前記ダイパッド部から分離可能な薄
さの薄厚部で構成されているターミナルランドフレーム
である。
領域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、前記
固定部の領域内の略中央部に一体で設けられた前記フレ
ーム枠と同等の厚みよりなる半導体素子搭載用の複数の
ポスト部と、前記固定部の領域内であって、前記ダイパ
ッド部の周囲に一体で設けられて配置され、前記フレー
ム枠と同等の厚みよりなる複数のランド部とよりなるタ
ーミナルランドフレームであって、前記固定部はそれ自
体が前記ランド部、前記ダイパッド部から分離可能な薄
さの薄厚部で構成されているターミナルランドフレーム
である。
【００２５】そして具体的には、ダイパッド部はその大
きさが搭載する半導体素子よりも小さく構成されている
ターミナルランドフレームである。また、ダイパッド部
はその断面構造において、段差部を有しているターミナ
ルランドフレームである。また、ランド部はその断面構
造において、段差部を有しているターミナルランドフレ
ームである。また、ランド部はその上面に複数の溝部を
有し、溝部と溝部との間に半導体素子と接続する金属細
線の接続エリアが設けられているターミナルランドフレ
ームである。また、固定部の厚みは、フレーム枠の厚み
に対して１０〜２０［％］の厚みであるターミナルラン
ドフレームである。また、固定部の厚みは２５〜５０
［μｍ］であるターミナルランドフレームである。
きさが搭載する半導体素子よりも小さく構成されている
ターミナルランドフレームである。また、ダイパッド部
はその断面構造において、段差部を有しているターミナ
ルランドフレームである。また、ランド部はその断面構
造において、段差部を有しているターミナルランドフレ
ームである。また、ランド部はその上面に複数の溝部を
有し、溝部と溝部との間に半導体素子と接続する金属細
線の接続エリアが設けられているターミナルランドフレ
ームである。また、固定部の厚みは、フレーム枠の厚み
に対して１０〜２０［％］の厚みであるターミナルラン
ドフレームである。また、固定部の厚みは２５〜５０
［μｍ］であるターミナルランドフレームである。
【００２６】次に本発明のターミナルランドフレームの
製造方法は、フレーム枠を構成する金属板に対して、上
面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜を形成する第
１の工程と、前記金属板の上面に形成したエッチングレ
ジスト膜に対して、少なくともダイパッド部およびラン
ド部を形成したい部分以外のエッチングレジスト膜を除
去して開口部を形成する第２の工程と、前記金属板の上
面からエッチングして、前記開口部から露出した金属板
部分を薄く加工して底部として固定部を形成するととも
に、エッチングされない領域にダイパッド部およびラン
ド部を形成する第３の工程と、前記金属板のエッチング
レジスト膜を除去し、フレーム枠を構成する金属板の領
域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、その固
定部の領域内に一体で設けられた前記フレーム枠と同等
の厚みよりなる半導体素子搭載用のダイパッド部と、前
記固定部の領域内であって、前記ダイパッド部の周囲に
一体で設けられて配置され、前記フレーム枠と同等の厚
みよりなる複数のランド部とよりなるターミナルランド
フレームを形成する第４の工程よりなるターミナルラン
ドフレームの製造方法である。
製造方法は、フレーム枠を構成する金属板に対して、上
面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜を形成する第
１の工程と、前記金属板の上面に形成したエッチングレ
ジスト膜に対して、少なくともダイパッド部およびラン
ド部を形成したい部分以外のエッチングレジスト膜を除
去して開口部を形成する第２の工程と、前記金属板の上
面からエッチングして、前記開口部から露出した金属板
部分を薄く加工して底部として固定部を形成するととも
に、エッチングされない領域にダイパッド部およびラン
ド部を形成する第３の工程と、前記金属板のエッチング
レジスト膜を除去し、フレーム枠を構成する金属板の領
域内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、その固
定部の領域内に一体で設けられた前記フレーム枠と同等
の厚みよりなる半導体素子搭載用のダイパッド部と、前
記固定部の領域内であって、前記ダイパッド部の周囲に
一体で設けられて配置され、前記フレーム枠と同等の厚
みよりなる複数のランド部とよりなるターミナルランド
フレームを形成する第４の工程よりなるターミナルラン
ドフレームの製造方法である。
【００２７】また、フレーム枠を構成する金属板に対し
て、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜を形成
する第１の工程と、前記金属板の上面に形成したエッチ
ングレジスト膜に対して、少なくともポスト部およびラ
ンド部を形成したい部分以外のエッチングレジスト膜を
除去して開口部を形成する第２の工程と、前記金属板の
上面からエッチングして、前記開口部から露出した金属
板部分を薄く加工して底部として固定部を形成するとと
もに、エッチングされない領域にポスト部およびランド
部を形成する第３の工程と、前記金属板のエッチングレ
ジスト膜を除去し、フレーム枠を構成する金属板の領域
内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、その固定
部の領域内に一体で設けられた前記フレーム枠と同等の
厚みよりなる半導体素子搭載用のポスト部と、前記固定
部の領域内であって、前記ポスト部の周囲に一体で設け
られて配置され、前記フレーム枠と同等の厚みよりなる
複数のランド部とよりなるターミナルランドフレームを
形成する第４の工程よりなるターミナルランドフレーム
の製造方法である。
て、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜を形成
する第１の工程と、前記金属板の上面に形成したエッチ
ングレジスト膜に対して、少なくともポスト部およびラ
ンド部を形成したい部分以外のエッチングレジスト膜を
除去して開口部を形成する第２の工程と、前記金属板の
上面からエッチングして、前記開口部から露出した金属
板部分を薄く加工して底部として固定部を形成するとと
もに、エッチングされない領域にポスト部およびランド
部を形成する第３の工程と、前記金属板のエッチングレ
ジスト膜を除去し、フレーム枠を構成する金属板の領域
内に一体で設けられた薄厚の固定部の領域と、その固定
部の領域内に一体で設けられた前記フレーム枠と同等の
厚みよりなる半導体素子搭載用のポスト部と、前記固定
部の領域内であって、前記ポスト部の周囲に一体で設け
られて配置され、前記フレーム枠と同等の厚みよりなる
複数のランド部とよりなるターミナルランドフレームを
形成する第４の工程よりなるターミナルランドフレーム
の製造方法である。
【００２８】また、フレーム枠を構成する金属板に対し
て、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜を形成
する第１の工程と、前記金属板の上面に形成したエッチ
ングレジスト膜に対して、少なくともダイパッド部およ
びランド部を形成したい部分以外のエッチングレジスト
膜を除去して開口部を形成する第２の工程と、前記金属
板の上面からエッチングして、前記開口部から露出した
金属板部分を薄く加工して底部として固定部を形成する
とともに、エッチングされない領域にダイパッド部およ
びランド部を形成する第３の工程と、前記金属板の上面
のエッチングレジスト膜を除去した後、新規にエッチン
グレジスト膜を形成し、前記ランド部の上面の溝部を形
成したい部分の前記新規に形成したエッチングレジスト
膜を除去して開口部を形成する第４の工程と、前記金属
板の上面からエッチングして、前記開口部から露出した
金属板部分を加工してランド部の上面に溝部を形成する
第５の工程と、前記金属板のエッチングレジスト膜を除
去し、フレーム枠を構成する金属板の領域内に一体で設
けられた薄厚の固定部の領域と、その固定部の領域内に
一体で設けられた前記フレーム枠と同等の厚みよりなる
半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記固定部の領域
内であって、前記ダイパッド部の周囲に一体で設けられ
て配置され、前記フレーム枠と同等の厚みよりなり、上
面に溝部を有した複数のランド部とよりなるターミナル
ランドフレームを形成する第６の工程よりなるターミナ
ルランドフレームの製造方法である。
て、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜を形成
する第１の工程と、前記金属板の上面に形成したエッチ
ングレジスト膜に対して、少なくともダイパッド部およ
びランド部を形成したい部分以外のエッチングレジスト
膜を除去して開口部を形成する第２の工程と、前記金属
板の上面からエッチングして、前記開口部から露出した
金属板部分を薄く加工して底部として固定部を形成する
とともに、エッチングされない領域にダイパッド部およ
びランド部を形成する第３の工程と、前記金属板の上面
のエッチングレジスト膜を除去した後、新規にエッチン
グレジスト膜を形成し、前記ランド部の上面の溝部を形
成したい部分の前記新規に形成したエッチングレジスト
膜を除去して開口部を形成する第４の工程と、前記金属
板の上面からエッチングして、前記開口部から露出した
金属板部分を加工してランド部の上面に溝部を形成する
第５の工程と、前記金属板のエッチングレジスト膜を除
去し、フレーム枠を構成する金属板の領域内に一体で設
けられた薄厚の固定部の領域と、その固定部の領域内に
一体で設けられた前記フレーム枠と同等の厚みよりなる
半導体素子搭載用のダイパッド部と、前記固定部の領域
内であって、前記ダイパッド部の周囲に一体で設けられ
て配置され、前記フレーム枠と同等の厚みよりなり、上
面に溝部を有した複数のランド部とよりなるターミナル
ランドフレームを形成する第６の工程よりなるターミナ
ルランドフレームの製造方法である。
【００２９】そして具体的には、第３の工程の金属板の
上面からエッチングして、開口部から露出した金属板部
分を薄く加工して底部として固定部を形成する工程は、
エッチングにより固定部の厚みを前記金属板の厚みに対
して１０〜２０［％］の厚みにするものである。
上面からエッチングして、開口部から露出した金属板部
分を薄く加工して底部として固定部を形成する工程は、
エッチングにより固定部の厚みを前記金属板の厚みに対
して１０〜２０［％］の厚みにするものである。
【００３０】また、第３の工程の金属板の上面からエッ
チングして、開口部から露出した金属板部分を薄く加工
して底部として固定部を形成する工程は、エッチングに
より固定部の厚みを２５〜５０［μｍ］とするものであ
る。
チングして、開口部から露出した金属板部分を薄く加工
して底部として固定部を形成する工程は、エッチングに
より固定部の厚みを２５〜５０［μｍ］とするものであ
る。
【００３１】本発明の樹脂封止型半導体装置は、フレー
ム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の
連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよりも
極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、固定
部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、そのダイパッド部に対してその周囲に配置さ
れた信号接続用リード部であり、半導体装置を構成した
際は、その露出面が外部端子となるランド部とよりなる
ターミナルランドフレームより構成された樹脂封止型半
導体装置であって、ダイパッド部と、前記ダイパッド部
上に接着剤により接合された半導体素子と、前記半導体
素子の電極と金属細線により電気的に接続されたランド
部と、前記半導体素子、前記金属細線、前記ダイパッド
部、前記ランド部の一部を封止した封止樹脂とよりな
り、前記ランド部は、その底面が前記封止樹脂の面から
前記ターミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ突
出して設けられている樹脂封止型半導体装置である。
ム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の
連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよりも
極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、固定
部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のダイパ
ッド部と、そのダイパッド部に対してその周囲に配置さ
れた信号接続用リード部であり、半導体装置を構成した
際は、その露出面が外部端子となるランド部とよりなる
ターミナルランドフレームより構成された樹脂封止型半
導体装置であって、ダイパッド部と、前記ダイパッド部
上に接着剤により接合された半導体素子と、前記半導体
素子の電極と金属細線により電気的に接続されたランド
部と、前記半導体素子、前記金属細線、前記ダイパッド
部、前記ランド部の一部を封止した封止樹脂とよりな
り、前記ランド部は、その底面が前記封止樹脂の面から
前記ターミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ突
出して設けられている樹脂封止型半導体装置である。
【００３２】また、フレーム枠の領域内であって、その
フレーム枠の厚みと同厚の連結部と、連結部の領域内で
あって連結部の厚みよりも極めて薄く加工され、底面部
を構成する固定部と、固定部の中央部領域に形成された
半導体素子搭載用のダイパッド部と、そのダイパッド部
に対してその周囲に複数列を構成して配置された信号接
続用リード部であり、半導体装置を構成した際は、その
露出面が外部端子となるエリア配置のランド部とよりな
るターミナルランドフレームより構成された樹脂封止型
半導体装置であって、ダイパッド部と、前記ダイパッド
部上に接着剤により接合された半導体素子と、前記半導
体素子と金属細線により電気的に接続された複数のラン
ド部と、前記半導体素子、前記金属細線、前記ダイパッ
ド部、前記ランド部の一部を封止した封止樹脂とよりな
り、前記ランド部は、その底面が前記封止樹脂の面から
前記ターミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ突
出して設けられ、前記封止樹脂の面に複数列を構成して
エリア状に配置されている樹脂封止型半導体装置であ
る。
フレーム枠の厚みと同厚の連結部と、連結部の領域内で
あって連結部の厚みよりも極めて薄く加工され、底面部
を構成する固定部と、固定部の中央部領域に形成された
半導体素子搭載用のダイパッド部と、そのダイパッド部
に対してその周囲に複数列を構成して配置された信号接
続用リード部であり、半導体装置を構成した際は、その
露出面が外部端子となるエリア配置のランド部とよりな
るターミナルランドフレームより構成された樹脂封止型
半導体装置であって、ダイパッド部と、前記ダイパッド
部上に接着剤により接合された半導体素子と、前記半導
体素子と金属細線により電気的に接続された複数のラン
ド部と、前記半導体素子、前記金属細線、前記ダイパッ
ド部、前記ランド部の一部を封止した封止樹脂とよりな
り、前記ランド部は、その底面が前記封止樹脂の面から
前記ターミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ突
出して設けられ、前記封止樹脂の面に複数列を構成して
エリア状に配置されている樹脂封止型半導体装置であ
る。
【００３３】そして具体的には、ランド部の上面には複
数の溝部が設けられ、半導体素子の電極と接続した金属
細線は前記ランド部の上面の前記溝部と溝部との間に接
続されている樹脂封止型半導体装置である。
数の溝部が設けられ、半導体素子の電極と接続した金属
細線は前記ランド部の上面の前記溝部と溝部との間に接
続されている樹脂封止型半導体装置である。
【００３４】また、ランド部はその断面形状において段
差部を有している樹脂封止型半導体装置である。
差部を有している樹脂封止型半導体装置である。
【００３５】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法
は、フレーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚
みと同厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の
厚みよりも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定
部と、固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、そのダイパッド部に対してその周
囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体装置
を構成した際は、その露出面が外部端子となるランド部
とよりなるターミナルランドフレームを用意する工程
と、前記ダイパッド部上に接着剤を介して半導体素子を
接着する工程と、前記半導体素子の電極と前記ランド部
とを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子、前記
ダイパッド部、前記金属細線、前記ランド部の領域を含
む前記ターミナルランドフレームの上面を封止樹脂によ
り封止する工程と、前記ターミナルランドフレームの前
記固定部と前記ダイパッド部との界面と前記固定部と前
記ランド部との界面と前記固定部と前記連結部との界面
に対して破断力を印加し、前記ターミナルランドフレー
ムと前記封止樹脂により封止された部分とを分離して、
前記ランド部がその底面は前記封止樹脂の面から前記タ
ーミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ突出して
設けられている樹脂封止型半導体装置を得る工程とより
なる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
は、フレーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚
みと同厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の
厚みよりも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定
部と、固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載
用のダイパッド部と、そのダイパッド部に対してその周
囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体装置
を構成した際は、その露出面が外部端子となるランド部
とよりなるターミナルランドフレームを用意する工程
と、前記ダイパッド部上に接着剤を介して半導体素子を
接着する工程と、前記半導体素子の電極と前記ランド部
とを金属細線で接続する工程と、前記半導体素子、前記
ダイパッド部、前記金属細線、前記ランド部の領域を含
む前記ターミナルランドフレームの上面を封止樹脂によ
り封止する工程と、前記ターミナルランドフレームの前
記固定部と前記ダイパッド部との界面と前記固定部と前
記ランド部との界面と前記固定部と前記連結部との界面
に対して破断力を印加し、前記ターミナルランドフレー
ムと前記封止樹脂により封止された部分とを分離して、
前記ランド部がその底面は前記封止樹脂の面から前記タ
ーミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ突出して
設けられている樹脂封止型半導体装置を得る工程とより
なる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３６】そして具体的には、ターミナルランドフレ
ームの固定部とダイパッド部との界面と固定部とランド
部との界面と固定部と連結部との界面に対して破断力を
印加する手段は、ターミナルランドフレーム自体を引き
剥がすピールオフ手段である樹脂封止型半導体装置の製
造方法である。
ームの固定部とダイパッド部との界面と固定部とランド
部との界面と固定部と連結部との界面に対して破断力を
印加する手段は、ターミナルランドフレーム自体を引き
剥がすピールオフ手段である樹脂封止型半導体装置の製
造方法である。
【００３７】また、ターミナルランドフレームの固定部
とダイパッド部との界面と固定部とランド部との界面と
固定部と連結部との界面に対して破断力を印加する手段
は、ターミナルランドフレーム自体を固定し、前記ダイ
パッド部および前記ランド部に対して突き上げ力を印加
して封止樹脂で封止した部分を押し上げる手段である樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
とダイパッド部との界面と固定部とランド部との界面と
固定部と連結部との界面に対して破断力を印加する手段
は、ターミナルランドフレーム自体を固定し、前記ダイ
パッド部および前記ランド部に対して突き上げ力を印加
して封止樹脂で封止した部分を押し上げる手段である樹
脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００３８】以上の構成により、本発明のターミナルラ
ンドフレームは、実装信頼性が良く、生産性のよい樹脂
封止型半導体装置に適したものである。
ンドフレームは、実装信頼性が良く、生産性のよい樹脂
封止型半導体装置に適したものである。
【００３９】すなわち、ターミナルランドフレームの固
定部は、それ自体がランド部、ダイパッド部から分離可
能な薄さの薄厚部で構成されているため、それら接続界
面で破断されやすく、半導体素子を搭載し、樹脂封止型
半導体装置を構成した後は、容易にフレーム自体と樹脂
封止型半導体装置とを分離できる構造を有している。し
たがって、生産性が向上するターミナルランドフレーム
である。
定部は、それ自体がランド部、ダイパッド部から分離可
能な薄さの薄厚部で構成されているため、それら接続界
面で破断されやすく、半導体素子を搭載し、樹脂封止型
半導体装置を構成した後は、容易にフレーム自体と樹脂
封止型半導体装置とを分離できる構造を有している。し
たがって、生産性が向上するターミナルランドフレーム
である。
【００４０】また本発明のターミナルランドフレームを
用いて樹脂封止型半導体装置を構成した後、フレーム自
体と樹脂封止型半導体装置とを分離する場合、ダイパッ
ド部やランド部は、溝部、段差部の構成を有することに
より封止樹脂との密着性が強化されるため、封止樹脂内
に信頼性よく残留した状態で、フレームと樹脂封止型半
導体装置とを分離できるものであり、樹脂封止後の製造
過程においては、工程の簡略化による製造コストの低減
に寄与できるものである。
用いて樹脂封止型半導体装置を構成した後、フレーム自
体と樹脂封止型半導体装置とを分離する場合、ダイパッ
ド部やランド部は、溝部、段差部の構成を有することに
より封止樹脂との密着性が強化されるため、封止樹脂内
に信頼性よく残留した状態で、フレームと樹脂封止型半
導体装置とを分離できるものであり、樹脂封止後の製造
過程においては、工程の簡略化による製造コストの低減
に寄与できるものである。
【００４１】また、本発明のターミナルランドフレーム
を用いた樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂の底面に
ランド部が外部端子として配列されており、そしてその
ランド部は封止樹脂面から突出して配列されているた
め、基板実装時のスタンドオフを確保した構造を有して
いる。このランド部の突出、すなわちスタンドオフの高
さは、セルフで形成されるものであり、ターミナルラン
ドフレームの固定部の厚みがそのまま段差を構成して、
突出されるものである。すなわち、ターミナルランドフ
レームの上面を樹脂封止して、フレームの固定部とダイ
パッド部やランド部の接続界面を破断させてフレームを
分離するため、別処理なくセルフで外部電極としてのラ
ンドのスタンドオフを得ることができるものである。
を用いた樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂の底面に
ランド部が外部端子として配列されており、そしてその
ランド部は封止樹脂面から突出して配列されているた
め、基板実装時のスタンドオフを確保した構造を有して
いる。このランド部の突出、すなわちスタンドオフの高
さは、セルフで形成されるものであり、ターミナルラン
ドフレームの固定部の厚みがそのまま段差を構成して、
突出されるものである。すなわち、ターミナルランドフ
レームの上面を樹脂封止して、フレームの固定部とダイ
パッド部やランド部の接続界面を破断させてフレームを
分離するため、別処理なくセルフで外部電極としてのラ
ンドのスタンドオフを得ることができるものである。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の樹脂封止型半導体
装置およびその製造方法の一実施形態について、図面を
参照しながら説明する。
装置およびその製造方法の一実施形態について、図面を
参照しながら説明する。
【００４３】まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置を
構成するターミナルランドフレームの実施形態について
説明する。図１は本実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナル
ランドフレームを示す断面図であり、図１のＡ−Ａ１箇
所の断面を示している。
構成するターミナルランドフレームの実施形態について
説明する。図１は本実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図である。図２は本実施形態のターミナル
ランドフレームを示す断面図であり、図１のＡ−Ａ１箇
所の断面を示している。
【００４４】本実施形態のターミナルランドフレーム
は、フレーム枠１２と、フレーム枠１２領域内であって
フレーム枠１２の厚みと同厚の連結部１３と、連結部１
３の領域内であって連結部１３の厚みよりも極めて薄く
加工され、底面部を構成する固定部１４と、固定部１４
の中央部領域に形成された半導体素子搭載用の矩形状の
ダイパッド部１５と、そのダイパッド部１５に対してそ
の周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体
装置を構成した際は、その露出面が外部端子となるラン
ド部１６とより構成されている。ランド部１６は、搭載
した半導体素子と電気的な接続がなされる部位であり、
通常は金属細線により搭載した半導体素子とランド部１
６とが接続されるものである。また薄厚の固定部１４
は、樹脂封止後は、引き剥がし等により、剥ぎ取りが可
能であり、本実施形態のターミナルランドフレームに対
して半導体素子を搭載し、電気的接続、樹脂封止した後
は固定部１４を除去することにより、底面にランド部１
６の裏面が露出して外部端子を構成した樹脂封止型半導
体装置を構成できるものである。なお、ダイパッド部１
５は搭載すべき半導体素子よりも小型に構成されてお
り、樹脂封止型半導体装置を構成した際、半導体素子の
裏面に封止樹脂が回り込み、信頼性を向上できるよう構
成している。そしてそのダイパッド部１５の形状につい
ても、本実施形態では矩形状としているが、円形でもよ
く、また分割した形状でもよい。
は、フレーム枠１２と、フレーム枠１２領域内であって
フレーム枠１２の厚みと同厚の連結部１３と、連結部１
３の領域内であって連結部１３の厚みよりも極めて薄く
加工され、底面部を構成する固定部１４と、固定部１４
の中央部領域に形成された半導体素子搭載用の矩形状の
ダイパッド部１５と、そのダイパッド部１５に対してそ
の周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体
装置を構成した際は、その露出面が外部端子となるラン
ド部１６とより構成されている。ランド部１６は、搭載
した半導体素子と電気的な接続がなされる部位であり、
通常は金属細線により搭載した半導体素子とランド部１
６とが接続されるものである。また薄厚の固定部１４
は、樹脂封止後は、引き剥がし等により、剥ぎ取りが可
能であり、本実施形態のターミナルランドフレームに対
して半導体素子を搭載し、電気的接続、樹脂封止した後
は固定部１４を除去することにより、底面にランド部１
６の裏面が露出して外部端子を構成した樹脂封止型半導
体装置を構成できるものである。なお、ダイパッド部１
５は搭載すべき半導体素子よりも小型に構成されてお
り、樹脂封止型半導体装置を構成した際、半導体素子の
裏面に封止樹脂が回り込み、信頼性を向上できるよう構
成している。そしてそのダイパッド部１５の形状につい
ても、本実施形態では矩形状としているが、円形でもよ
く、また分割した形状でもよい。
【００４５】基本的な特徴は、薄く加工した固定部１４
上にダイパッド部１５、ランド部１６が形成されている
ため、ワイヤーボンド時の金属細線の接続も容易で生産
性が良いフレームを実現できる。そして本実施形態のタ
ーミナルランドフレームの固定部１４は、特にダイパッ
ド部１５の下面側および外部端子となるランド部１６の
裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにす
るマスク的な役割を果たし、この固定部１４の存在によ
って、ダイパッド部１５の下面や、ランド部１６の裏面
に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。
上にダイパッド部１５、ランド部１６が形成されている
ため、ワイヤーボンド時の金属細線の接続も容易で生産
性が良いフレームを実現できる。そして本実施形態のタ
ーミナルランドフレームの固定部１４は、特にダイパッ
ド部１５の下面側および外部端子となるランド部１６の
裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まないようにす
るマスク的な役割を果たし、この固定部１４の存在によ
って、ダイパッド部１５の下面や、ランド部１６の裏面
に樹脂バリが形成されるのを防止することができる。
【００４６】この固定部１４はフレーム材となる金属薄
板をエッチングすることにより、安価に確実に形成する
ことができる。
板をエッチングすることにより、安価に確実に形成する
ことができる。
【００４７】また、樹脂封止後に固定部１４を封止樹脂
から分離することにより、ランド部１６の下面が外部端
子を構成し、ダイパッド部１５の下面側が同じく固定部
１４の厚さ分だけ、スタンドオフが確保される。このた
め実装信頼性の良い電極底面露出型の樹脂封止型半導体
装置に適したターミナルランドフレームを実現できる。
また、同一材質の固定部１４によりダイパッド部１５、
ランド部１６を接続した構造であり、フレーム枠１２お
よび連結部１３、ダイパッド部１５、ランド部１６の各
上面は同一平面上にあり安価で生産性のよいターミナル
ランドフレームである。
から分離することにより、ランド部１６の下面が外部端
子を構成し、ダイパッド部１５の下面側が同じく固定部
１４の厚さ分だけ、スタンドオフが確保される。このた
め実装信頼性の良い電極底面露出型の樹脂封止型半導体
装置に適したターミナルランドフレームを実現できる。
また、同一材質の固定部１４によりダイパッド部１５、
ランド部１６を接続した構造であり、フレーム枠１２お
よび連結部１３、ダイパッド部１５、ランド部１６の各
上面は同一平面上にあり安価で生産性のよいターミナル
ランドフレームである。
【００４８】なお、フレーム枠１２には、熱による膨張
を防止する応力緩和用のスリット１７を設け生産効率を
向上するようにしている。特にその配置については、連
結部１３の交点に配することが有効である。このスリッ
ト１７の配置により、半導体装置を構成した際、樹脂封
止後の封止樹脂の応力を緩和して、フレーム自体の反り
を防止することができるので、半導体装置の品質を向上
させ、また搭載した半導体素子に印加される応力を少な
くできるため電気特性を安定にすることができるもので
ある。
を防止する応力緩和用のスリット１７を設け生産効率を
向上するようにしている。特にその配置については、連
結部１３の交点に配することが有効である。このスリッ
ト１７の配置により、半導体装置を構成した際、樹脂封
止後の封止樹脂の応力を緩和して、フレーム自体の反り
を防止することができるので、半導体装置の品質を向上
させ、また搭載した半導体素子に印加される応力を少な
くできるため電気特性を安定にすることができるもので
ある。
【００４９】本実施形態では、ターミナルランドフレー
ムのフレーム枠１２が２５０［μｍ］であり、固定部１
４の厚みはエッチング加工により、おおよそ５０［μ
ｍ］から２５［μｍ］、好ましくは３０［μｍ］の厚み
とし、フレーム全体厚、すなわち連結部１３の厚みの１
０〜２０［％］程度の厚み、好ましくは１５［％］の厚
みとしている。そして固定部１４の厚み寸法により、半
導体装置を構成した際の外部端子としてのスタンドオフ
高さを安定して確保することができる。この固定部１４
の厚みについては、樹脂封止後に固定部１４の引き剥が
しにより、ダイパッド部１５、ランド部１６が剥離して
封止樹脂内から落下するような力が印加しない厚みとす
ることが必要であり、固定部１４のみが封止樹脂から剥
がれて除去できる厚みとする必要がある。そのための厚
さとして、極力薄く加工し、フレーム全体厚、すなわち
連結部１３の厚みの１０〜２０［％］程度の厚み、好ま
しくは１５［％］の厚みとする。
ムのフレーム枠１２が２５０［μｍ］であり、固定部１
４の厚みはエッチング加工により、おおよそ５０［μ
ｍ］から２５［μｍ］、好ましくは３０［μｍ］の厚み
とし、フレーム全体厚、すなわち連結部１３の厚みの１
０〜２０［％］程度の厚み、好ましくは１５［％］の厚
みとしている。そして固定部１４の厚み寸法により、半
導体装置を構成した際の外部端子としてのスタンドオフ
高さを安定して確保することができる。この固定部１４
の厚みについては、樹脂封止後に固定部１４の引き剥が
しにより、ダイパッド部１５、ランド部１６が剥離して
封止樹脂内から落下するような力が印加しない厚みとす
ることが必要であり、固定部１４のみが封止樹脂から剥
がれて除去できる厚みとする必要がある。そのための厚
さとして、極力薄く加工し、フレーム全体厚、すなわち
連結部１３の厚みの１０〜２０［％］程度の厚み、好ま
しくは１５［％］の厚みとする。
【００５０】また、樹脂封止時に用いる封止金型におい
て、片方の金型は、この固定部１４の働きにより、封止
樹脂と接することがないため、樹脂バリの発生の防止の
他にも、樹脂封止後の離型のための押し出しピンや、封
止樹脂から金型変形を防止するための焼き入れ等を必要
としないため、金型構造を単純化することができるもの
である。
て、片方の金型は、この固定部１４の働きにより、封止
樹脂と接することがないため、樹脂バリの発生の防止の
他にも、樹脂封止後の離型のための押し出しピンや、封
止樹脂から金型変形を防止するための焼き入れ等を必要
としないため、金型構造を単純化することができるもの
である。
【００５１】この構成により、固定部１４上にダイパッ
ド部１５、ランド部１６を形成しているので、従来のリ
ードフレームのようなダイパッド部を保持する吊りリー
ド部が周辺部に延在しない構造が可能となり、ランドの
配置の自由度を向上させることができるとともに、ラン
ド部のピッチを確保し、ピン数も多ピン化に対応でき
る。さらに本実施形態のターミナルランドフレームは、
半導体装置の構成の際に樹脂封止するが、封止樹脂の流
出を止めるタイバーを設けていない構成である。
ド部１５、ランド部１６を形成しているので、従来のリ
ードフレームのようなダイパッド部を保持する吊りリー
ド部が周辺部に延在しない構造が可能となり、ランドの
配置の自由度を向上させることができるとともに、ラン
ド部のピッチを確保し、ピン数も多ピン化に対応でき
る。さらに本実施形態のターミナルランドフレームは、
半導体装置の構成の際に樹脂封止するが、封止樹脂の流
出を止めるタイバーを設けていない構成である。
【００５２】なお、本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、図１に示したように複数個のパターンが左右、
上下の連続した配列になっているものである。
ームは、図１に示したように複数個のパターンが左右、
上下の連続した配列になっているものである。
【００５３】本実施形態におけるターミナルランドフレ
ームは、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッ
キとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム
（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれ
メッキされた３層の金属メッキ済みのフレームである。
ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材
を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていても
よく、さらに、必ずしも３層メッキでなくてもよい。
ームは、銅（Ｃｕ）素材のフレームに対して、下地メッ
キとしてニッケル（Ｎｉ）層が、その上にパラジウム
（Ｐｄ）層が、最上層に薄膜の金（Ａｕ）層がそれぞれ
メッキされた３層の金属メッキ済みのフレームである。
ただし、銅（Ｃｕ）素材以外にも４２アロイ材等の素材
を使用でき、また、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）、金（Ａｕ）以外の貴金属メッキが施されていても
よく、さらに、必ずしも３層メッキでなくてもよい。
【００５４】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について図面を参照しながら説明する。図
３〜図６は、本実施形態のターミナルランドフレームの
製造方法を工程順に示した断面図である。
ムの製造方法について図面を参照しながら説明する。図
３〜図６は、本実施形態のターミナルランドフレームの
製造方法を工程順に示した断面図である。
【００５５】まず図３に示すように、第１の工程とし
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板１８に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜１９
を形成して、エッチングレジスト膜１９ａ，１９ｂをそ
れぞれ形成する。このエッチングレジスト膜１９ａにつ
いては、連結部、ダイパッド部およびランド部を構成し
たい部分に形成するものである。エッチングレジスト膜
１９ｂについては、金属板１８の裏面側を保護する目的
で形成する。
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板１８に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜１９
を形成して、エッチングレジスト膜１９ａ，１９ｂをそ
れぞれ形成する。このエッチングレジスト膜１９ａにつ
いては、連結部、ダイパッド部およびランド部を構成し
たい部分に形成するものである。エッチングレジスト膜
１９ｂについては、金属板１８の裏面側を保護する目的
で形成する。
【００５６】次に図４に示すように、第２の工程とし
て、エッチングレジスト膜１９ａ，１９ｂの所定の領域
をそれぞれ除去して、開口部２０ａ，２０ｂを形成す
る。この工程は、いわゆるエッチングしない領域のマス
クを形成するものである。
て、エッチングレジスト膜１９ａ，１９ｂの所定の領域
をそれぞれ除去して、開口部２０ａ，２０ｂを形成す
る。この工程は、いわゆるエッチングしない領域のマス
クを形成するものである。
【００５７】次に図５に示すように、第３の工程とし
て、金属板１８を片面よりエッチングして、開口部２０
ａ，２０ｂ部分の厚みを薄く加工することにより、固定
部１４を形成するとともに、エッチングされない領域に
連結部１３、ダイパッド部１５およびランド部１６を形
成する。
て、金属板１８を片面よりエッチングして、開口部２０
ａ，２０ｂ部分の厚みを薄く加工することにより、固定
部１４を形成するとともに、エッチングされない領域に
連結部１３、ダイパッド部１５およびランド部１６を形
成する。
【００５８】最後に図６に示すように、第４の工程とし
て、エッチングレジスト膜の除去を行い、底部が薄厚の
固定部１４であり、その面内にダイパッド部１５、ラン
ド部１６を有したターミナルランドフレームを形成でき
る。なお、この工程の後、通常はメッキ法によりメッキ
を行い、メッキとしては、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を積
層して３層の積層メッキを構成する。
て、エッチングレジスト膜の除去を行い、底部が薄厚の
固定部１４であり、その面内にダイパッド部１５、ラン
ド部１６を有したターミナルランドフレームを形成でき
る。なお、この工程の後、通常はメッキ法によりメッキ
を行い、メッキとしては、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ層を積
層して３層の積層メッキを構成する。
【００５９】なお、実際にはエッチングにより加工され
た断面形状は、連結部１３、ダイパッド部１５、ランド
部１６、それぞれの上部の表面のより固定部１４に近く
なるにしたがって内部に入り込むアンダーカットの現
象、すなわち断面形状が逆テーパー状となる現象が生じ
るため、ダイパッド部１５、ランド部１６においては樹
脂封止工程において樹脂が充填されると封止樹脂との接
合力が強くなるような構成を有することになる。ただし
このような構成では、連結部１３との樹脂界面では、樹
脂封止後に剥ぎ取りにより分離されにくくなる恐れがあ
り、この対策として、分離しやすくするため連結部１３
の上面をエッチングにより低くする方法や、連結部１３
上部にエッチングレジストの開口部を設け、エッチング
工程を加えることにより、エッチングされて上面と下面
とをほぼ垂直面にする方法があり、樹脂封止後のフレー
ムの分離を容易にすることができる。
た断面形状は、連結部１３、ダイパッド部１５、ランド
部１６、それぞれの上部の表面のより固定部１４に近く
なるにしたがって内部に入り込むアンダーカットの現
象、すなわち断面形状が逆テーパー状となる現象が生じ
るため、ダイパッド部１５、ランド部１６においては樹
脂封止工程において樹脂が充填されると封止樹脂との接
合力が強くなるような構成を有することになる。ただし
このような構成では、連結部１３との樹脂界面では、樹
脂封止後に剥ぎ取りにより分離されにくくなる恐れがあ
り、この対策として、分離しやすくするため連結部１３
の上面をエッチングにより低くする方法や、連結部１３
上部にエッチングレジストの開口部を設け、エッチング
工程を加えることにより、エッチングされて上面と下面
とをほぼ垂直面にする方法があり、樹脂封止後のフレー
ムの分離を容易にすることができる。
【００６０】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。
【００６１】図７は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図であり、図７（ａ）は、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置を示す上面の斜視図であり、図７（ｂ）は
その下面の斜視図であり、図７（ｃ）は図７（ａ），
（ｂ）のＢ−Ｂ１箇所の断面としてランド部、ダイパッ
ド部を含む領域を切断した場合の断面図である。
を示す図であり、図７（ａ）は、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置を示す上面の斜視図であり、図７（ｂ）は
その下面の斜視図であり、図７（ｃ）は図７（ａ），
（ｂ）のＢ−Ｂ１箇所の断面としてランド部、ダイパッ
ド部を含む領域を切断した場合の断面図である。
【００６２】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、フ
レーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同
厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、
固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、そのダイパッド部に対してその周囲に配
置された信号接続用リード部であり、半導体装置を構成
した際は、その露出面が外部端子となるランド部とより
構成されたターミナルランドフレームよりなる電極底面
露出型の樹脂封止型半導体装置であり、ダイパッド部２
１と、そのダイパッド部２１上に接着剤２２により接合
された半導体素子２３と、その半導体素子２３と金属細
線２４により電気的に接続されたランド部２５と、半導
体素子２３、金属細線２４、およびダイパッド部２１、
ランド部２５の一部を封止した封止樹脂２６とより構成
されている。
レーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同
厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、
固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、そのダイパッド部に対してその周囲に配
置された信号接続用リード部であり、半導体装置を構成
した際は、その露出面が外部端子となるランド部とより
構成されたターミナルランドフレームよりなる電極底面
露出型の樹脂封止型半導体装置であり、ダイパッド部２
１と、そのダイパッド部２１上に接着剤２２により接合
された半導体素子２３と、その半導体素子２３と金属細
線２４により電気的に接続されたランド部２５と、半導
体素子２３、金属細線２４、およびダイパッド部２１、
ランド部２５の一部を封止した封止樹脂２６とより構成
されている。
【００６３】そして本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ランド部２５の底面部分は封止樹脂２６の面より突
出して露出しており、その突出量はスタンドオフを確保
した量であって、この樹脂封止型半導体装置を構成する
のに用いたターミナルランドフレームの固定部の厚さ分
だけ突出して構成されている。また、このランド部２５
のスタンドオフを確保して突出した底面部分は基板実装
時の外部端子２７を構成するものである。この構成によ
り、底面に外部端子を効率的に配列することができ、樹
脂封止型半導体装置として小型化を実現できるものであ
る。
は、ランド部２５の底面部分は封止樹脂２６の面より突
出して露出しており、その突出量はスタンドオフを確保
した量であって、この樹脂封止型半導体装置を構成する
のに用いたターミナルランドフレームの固定部の厚さ分
だけ突出して構成されている。また、このランド部２５
のスタンドオフを確保して突出した底面部分は基板実装
時の外部端子２７を構成するものである。この構成によ
り、底面に外部端子を効率的に配列することができ、樹
脂封止型半導体装置として小型化を実現できるものであ
る。
【００６４】さらに、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置では、外部端子２７およびダイパッド部２１が封止樹
脂２６の面、すなわち封止樹脂２６の下面から突出して
安定してスタンドオフ高さが予め確保されているため、
実装基板に実装する際の外部端子２７およびダイパッド
部２１と実装基板の電極との接合において、外部端子２
７をそのまま外部電極として用いることができ、実装基
板への実装のために外部端子２７に半田ボール等を付設
する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利とな
る。
置では、外部端子２７およびダイパッド部２１が封止樹
脂２６の面、すなわち封止樹脂２６の下面から突出して
安定してスタンドオフ高さが予め確保されているため、
実装基板に実装する際の外部端子２７およびダイパッド
部２１と実装基板の電極との接合において、外部端子２
７をそのまま外部電極として用いることができ、実装基
板への実装のために外部端子２７に半田ボール等を付設
する必要はなく、製造工数、製造コスト的に有利とな
る。
【００６５】また、本実施形態のようにダイパッド部２
１を有した樹脂封止型半導体装置は、樹脂底面より露出
する部分を実装基板に半田等により接続することによ
り、放熱特性がよくなり、また、実装基板に半田接合さ
れることにより、外部端子２７にかかる機械的、熱的応
力を分散することができ、接続信頼性が向上するもので
ある。
１を有した樹脂封止型半導体装置は、樹脂底面より露出
する部分を実装基板に半田等により接続することによ
り、放熱特性がよくなり、また、実装基板に半田接合さ
れることにより、外部端子２７にかかる機械的、熱的応
力を分散することができ、接続信頼性が向上するもので
ある。
【００６６】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。
製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００６７】図８〜図１３は本実施形態の樹脂封止型半
導体装置の製造方法を示す断面図であり、各工程順に示
している。
導体装置の製造方法を示す断面図であり、各工程順に示
している。
【００６８】まず図８に示すように、フレーム枠の領域
内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の連結部１３
と、連結部１３の領域内であって連結部１３の厚みより
も極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部１４
と、固定部１４の中央部領域に形成された半導体素子搭
載用のダイパッド部１５と、そのダイパッド部１５に対
してその周囲に配置された信号接続用リード部であり、
半導体装置を構成した際は、その露出面が外部端子とな
るランド部１６とより構成されたターミナルランドフレ
ーム２８を用意する。
内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の連結部１３
と、連結部１３の領域内であって連結部１３の厚みより
も極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部１４
と、固定部１４の中央部領域に形成された半導体素子搭
載用のダイパッド部１５と、そのダイパッド部１５に対
してその周囲に配置された信号接続用リード部であり、
半導体装置を構成した際は、その露出面が外部端子とな
るランド部１６とより構成されたターミナルランドフレ
ーム２８を用意する。
【００６９】次に図９に示すように、ターミナルランド
フレーム２８のダイパッド部１５上に銀ペースト等の導
電性の接着剤２２を介して半導体素子２３を接合する。
ここではダイパッド部１５は接合する半導体素子２３よ
りも小型であるため、半導体素子２３の裏面とターミナ
ルランドフレーム２８との間には隙間が形成される。
フレーム２８のダイパッド部１５上に銀ペースト等の導
電性の接着剤２２を介して半導体素子２３を接合する。
ここではダイパッド部１５は接合する半導体素子２３よ
りも小型であるため、半導体素子２３の裏面とターミナ
ルランドフレーム２８との間には隙間が形成される。
【００７０】次に図１０に示すように、ダイパッド部１
５上に接合した半導体素子２３の電極パッド（図示せ
ず）とランド部１６とを金属細線２４により電気的に接
続する。
５上に接合した半導体素子２３の電極パッド（図示せ
ず）とランド部１６とを金属細線２４により電気的に接
続する。
【００７１】次に図１１に示すように、ターミナルラン
ドフレーム２８の上面領域であって、連結部１３間の領
域を封止樹脂２６により樹脂封止し、半導体素子２３、
金属細線２４およびダイパッド部１５、ランド部１６の
外囲を封止する。この場合、ターミナルランドフレーム
２８の存在により、封止樹脂２６はその裏面側へは回り
込まず、フレームの裏面への樹脂バリの発生はない。
ドフレーム２８の上面領域であって、連結部１３間の領
域を封止樹脂２６により樹脂封止し、半導体素子２３、
金属細線２４およびダイパッド部１５、ランド部１６の
外囲を封止する。この場合、ターミナルランドフレーム
２８の存在により、封止樹脂２６はその裏面側へは回り
込まず、フレームの裏面への樹脂バリの発生はない。
【００７２】次に図１２に示すように、ターミナルラン
ドフレームから封止樹脂で封止した半導体素子２３部分
を分離させる。分離の方法としては、ターミナルランド
フレームを引き剥がす方法、いわゆるピールオフにより
分離可能である。このピールオフにより、ターミナルラ
ンドフレームの固定部１４からダイパッド部１５、ラン
ド部１６がその界面で破断されて分離するため、樹脂封
止型半導体装置を得ることができる。すなわちダイパッ
ド部１５、ランド部１６は、固定部１４の接続界面で破
断するものであり、固定部１４の厚みが２５〜５０［μ
ｍ］、好ましくは３０［μｍ］と極めて薄いものである
ため、封止樹脂２６に係合したダイパッド部１５、ラン
ド部１６をそのまま封止樹脂２６内に残した状態で、タ
ーミナルランドフレームの固定部１４、連結部１３を分
離できるものである。なお、封止樹脂２６と固定部１４
との界面は密着性が低いため、分離できるものである。
また、ターミナルランドフレームの固定部１４とダイパ
ッド部１５との界面と固定部１４とランド部１６との界
面と固定部１４と連結部１３との界面に対して破断力を
印加する手段は、ターミナルランドフレーム自体を固定
し、ダイパッド部１５およびランド部１６に対して突き
上げ力を印加して封止樹脂で封止した部分を押し上げる
手段でもよい。
ドフレームから封止樹脂で封止した半導体素子２３部分
を分離させる。分離の方法としては、ターミナルランド
フレームを引き剥がす方法、いわゆるピールオフにより
分離可能である。このピールオフにより、ターミナルラ
ンドフレームの固定部１４からダイパッド部１５、ラン
ド部１６がその界面で破断されて分離するため、樹脂封
止型半導体装置を得ることができる。すなわちダイパッ
ド部１５、ランド部１６は、固定部１４の接続界面で破
断するものであり、固定部１４の厚みが２５〜５０［μ
ｍ］、好ましくは３０［μｍ］と極めて薄いものである
ため、封止樹脂２６に係合したダイパッド部１５、ラン
ド部１６をそのまま封止樹脂２６内に残した状態で、タ
ーミナルランドフレームの固定部１４、連結部１３を分
離できるものである。なお、封止樹脂２６と固定部１４
との界面は密着性が低いため、分離できるものである。
また、ターミナルランドフレームの固定部１４とダイパ
ッド部１５との界面と固定部１４とランド部１６との界
面と固定部１４と連結部１３との界面に対して破断力を
印加する手段は、ターミナルランドフレーム自体を固定
し、ダイパッド部１５およびランド部１６に対して突き
上げ力を印加して封止樹脂で封止した部分を押し上げる
手段でもよい。
【００７３】以上のような各工程により、図１３に示す
ような、ターミナルランドフレームより構成され、半導
体装置としてのダイパッド部２１と、そのダイパッド部
２１上に接着剤２２により接合された半導体素子２３
と、その半導体素子２３と金属細線２４により電気的に
接続された半導体装置としてのランド部２５と、半導体
素子２３、金属細線２４、およびダイパッド部２１、ラ
ンド部２５の一部を封止した封止樹脂２６とより構成さ
れた電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。本実施形態で製造される樹脂封止型半導体装
置のランド部２５の突出した部分は、外部端子２７を構
成し、実装基板との接合において、スタンドオフを確保
しているものである。
ような、ターミナルランドフレームより構成され、半導
体装置としてのダイパッド部２１と、そのダイパッド部
２１上に接着剤２２により接合された半導体素子２３
と、その半導体素子２３と金属細線２４により電気的に
接続された半導体装置としてのランド部２５と、半導体
素子２３、金属細線２４、およびダイパッド部２１、ラ
ンド部２５の一部を封止した封止樹脂２６とより構成さ
れた電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。本実施形態で製造される樹脂封止型半導体装
置のランド部２５の突出した部分は、外部端子２７を構
成し、実装基板との接合において、スタンドオフを確保
しているものである。
【００７４】次に本発明のターミナルランドフレームの
別の実施形態について説明する。図１４は本実施形態の
ターミナルランドフレームを示す平面図である。図１５
は本実施形態のターミナルランドフレームを示す断面図
であり、図１４のＣ−Ｃ１箇所の断面を示している。
別の実施形態について説明する。図１４は本実施形態の
ターミナルランドフレームを示す平面図である。図１５
は本実施形態のターミナルランドフレームを示す断面図
であり、図１４のＣ−Ｃ１箇所の断面を示している。
【００７５】本実施形態のターミナルランドフレーム
は、フレーム枠２９と、フレーム枠２９領域内であって
フレーム枠２９の厚みと同厚の連結部３０と、連結部３
０の領域内であって連結部３０の厚みよりも極めて薄く
加工され、底面部を構成する固定部３１と、固定部３１
の中央部領域に形成された半導体素子搭載用の矩形状の
ダイパッド部３２と、そのダイパッド部３２に対してそ
の周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体
装置を構成した際は、その露出面が外部端子となるラン
ド部３３ａ，３３ｂとより構成されている。ランド部３
３ａとランド部３３ｂとは、ダイパッド部３２の周囲に
対して、エリア配置されており、図１４においては、外
側の配置はランド部３３ａを構成し、その内側の配置は
ランド部３３ｂを構成している。そしてランド部３３
ａ，３３ｂは、搭載した半導体素子と電気的な接続がな
される部位であり、通常は金属細線により搭載した半導
体素子とランド部３３ａ，３３ｂとが接続されるもので
ある。また薄厚の固定部３１は、樹脂封止後は、引き剥
がし等により、剥ぎ取りが可能であり、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームに対して半導体素子を搭載し、
電気的接続、樹脂封止した後は固定部３１を除去するこ
とにより、底面にランド部３３ａ，３３ｂの裏面が露出
して外部端子を構成した樹脂封止型半導体装置を構成で
きるものである。なお、ダイパッド部３２は搭載すべき
半導体素子よりも小型に構成されており、樹脂封止型半
導体装置を構成した際、半導体素子の裏面に封止樹脂が
回り込み、信頼性を向上できるよう構成している。そし
てそのダイパッド部３２の形状についても、本実施形態
では矩形状としているが、円形でもよく、また分割した
形状でもよい。
は、フレーム枠２９と、フレーム枠２９領域内であって
フレーム枠２９の厚みと同厚の連結部３０と、連結部３
０の領域内であって連結部３０の厚みよりも極めて薄く
加工され、底面部を構成する固定部３１と、固定部３１
の中央部領域に形成された半導体素子搭載用の矩形状の
ダイパッド部３２と、そのダイパッド部３２に対してそ
の周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体
装置を構成した際は、その露出面が外部端子となるラン
ド部３３ａ，３３ｂとより構成されている。ランド部３
３ａとランド部３３ｂとは、ダイパッド部３２の周囲に
対して、エリア配置されており、図１４においては、外
側の配置はランド部３３ａを構成し、その内側の配置は
ランド部３３ｂを構成している。そしてランド部３３
ａ，３３ｂは、搭載した半導体素子と電気的な接続がな
される部位であり、通常は金属細線により搭載した半導
体素子とランド部３３ａ，３３ｂとが接続されるもので
ある。また薄厚の固定部３１は、樹脂封止後は、引き剥
がし等により、剥ぎ取りが可能であり、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームに対して半導体素子を搭載し、
電気的接続、樹脂封止した後は固定部３１を除去するこ
とにより、底面にランド部３３ａ，３３ｂの裏面が露出
して外部端子を構成した樹脂封止型半導体装置を構成で
きるものである。なお、ダイパッド部３２は搭載すべき
半導体素子よりも小型に構成されており、樹脂封止型半
導体装置を構成した際、半導体素子の裏面に封止樹脂が
回り込み、信頼性を向上できるよう構成している。そし
てそのダイパッド部３２の形状についても、本実施形態
では矩形状としているが、円形でもよく、また分割した
形状でもよい。
【００７６】なお、フレーム枠２９には、熱による膨張
を防止する応力緩和用のスリット３４を設け生産効率を
向上するようにしている。特にその配置については、連
結部３０の交点に配することが有効である。このスリッ
ト３４の配置により、半導体装置を構成した際、樹脂封
止後の封止樹脂の応力を緩和して、フレーム自体の反り
を防止することができるので、半導体装置の品質を向上
させ、また搭載した半導体素子に印加される応力を少な
くできるため電気特性を安定にすることができるもので
ある。
を防止する応力緩和用のスリット３４を設け生産効率を
向上するようにしている。特にその配置については、連
結部３０の交点に配することが有効である。このスリッ
ト３４の配置により、半導体装置を構成した際、樹脂封
止後の封止樹脂の応力を緩和して、フレーム自体の反り
を防止することができるので、半導体装置の品質を向上
させ、また搭載した半導体素子に印加される応力を少な
くできるため電気特性を安定にすることができるもので
ある。
【００７７】本実施形態では、ターミナルランドフレー
ムのフレーム枠２９が２５０［μｍ］であり、固定部３
１の厚みはエッチング加工により、おおよそ５０［μ
ｍ］から２５［μｍ］とし、フレーム全体厚、すなわち
連結部３０の厚みの１０〜２０［％］程度の厚み、好ま
しくは１５［％］の厚みとしている。そして固定部３１
の厚み寸法により、半導体装置を構成した際の外部端子
としてのスタンドオフ高さを安定して確保することがで
きる。この固定部３１の厚みについては、樹脂封止後に
固定部３１の引き剥がしにより、ダイパッド部３２，ラ
ンド部３３ａ，３３ｂが剥離して封止樹脂内から落下す
るような力が印加しない厚みとすることが必要であり、
固定部３１のみが封止樹脂から剥がれて除去できる厚み
とする必要がある。そのための厚さとして、極力薄く加
工し、フレーム全体厚、すなわち連結部３０の厚みの１
０〜２０［％］程度の厚み、好ましくは１５［％］の厚
みとする。
ムのフレーム枠２９が２５０［μｍ］であり、固定部３
１の厚みはエッチング加工により、おおよそ５０［μ
ｍ］から２５［μｍ］とし、フレーム全体厚、すなわち
連結部３０の厚みの１０〜２０［％］程度の厚み、好ま
しくは１５［％］の厚みとしている。そして固定部３１
の厚み寸法により、半導体装置を構成した際の外部端子
としてのスタンドオフ高さを安定して確保することがで
きる。この固定部３１の厚みについては、樹脂封止後に
固定部３１の引き剥がしにより、ダイパッド部３２，ラ
ンド部３３ａ，３３ｂが剥離して封止樹脂内から落下す
るような力が印加しない厚みとすることが必要であり、
固定部３１のみが封止樹脂から剥がれて除去できる厚み
とする必要がある。そのための厚さとして、極力薄く加
工し、フレーム全体厚、すなわち連結部３０の厚みの１
０〜２０［％］程度の厚み、好ましくは１５［％］の厚
みとする。
【００７８】また、本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、図１４に示したように複数個のパターンが左
右、上下の連続した配列になっているものである。
ームは、図１４に示したように複数個のパターンが左
右、上下の連続した配列になっているものである。
【００７９】以上、本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、前述した図１，図２に示したターミナルランド
フレームの構成に対して、ランド部の配置をエリア配置
とし、搭載すべき半導体素子のピン数が多い場合には、
その多ピン化に対応してランド・グリッド・アレイ（Ｌ
ＧＡ）を構成することができるターミナルランドフレー
ムである。また、ランド部３３ａとランド部３３ｂとの
配置については、正格子状の配置や、千鳥状の配置等、
搭載する半導体素子の電極パッド数、電極パッドの配
置、間隔により適宜、設定できるものである。また本実
施形態では外側と内側との二重配置を例としているが、
搭載する半導体素子の電極パッド数、電極パッドの配
置、間隔により、三重、四重と適宜、設定し、ランド部
の大きさ、間隔、ダイパッド部の形状、大きさ等も適
宜、設定できるものである。さらに、ランド部３３ａよ
りランド３３ｂの表面積を少なくすることによりグリッ
ド状に配される外部端子の数を多くして、多端子化を図
ることができる。
ームは、前述した図１，図２に示したターミナルランド
フレームの構成に対して、ランド部の配置をエリア配置
とし、搭載すべき半導体素子のピン数が多い場合には、
その多ピン化に対応してランド・グリッド・アレイ（Ｌ
ＧＡ）を構成することができるターミナルランドフレー
ムである。また、ランド部３３ａとランド部３３ｂとの
配置については、正格子状の配置や、千鳥状の配置等、
搭載する半導体素子の電極パッド数、電極パッドの配
置、間隔により適宜、設定できるものである。また本実
施形態では外側と内側との二重配置を例としているが、
搭載する半導体素子の電極パッド数、電極パッドの配
置、間隔により、三重、四重と適宜、設定し、ランド部
の大きさ、間隔、ダイパッド部の形状、大きさ等も適
宜、設定できるものである。さらに、ランド部３３ａよ
りランド３３ｂの表面積を少なくすることによりグリッ
ド状に配される外部端子の数を多くして、多端子化を図
ることができる。
【００８０】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について図面を参照しながら説明する。図
１６〜図１９は、本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を工程順に示した断面図である。
ムの製造方法について図面を参照しながら説明する。図
１６〜図１９は、本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を工程順に示した断面図である。
【００８１】まず図１６に示すように、第１の工程とし
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板３５に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜３６
を形成して、エッチングレジスト膜３６ａ，３６ｂをそ
れぞれ形成する。このエッチングレジスト膜３６ａにつ
いては、連結部、ダイパッド部およびランド部を構成し
たい部分に形成するものである。エッチングレジスト膜
３６ｂについては、金属板３５の裏面側を保護する目的
で形成する。
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板３５に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜３６
を形成して、エッチングレジスト膜３６ａ，３６ｂをそ
れぞれ形成する。このエッチングレジスト膜３６ａにつ
いては、連結部、ダイパッド部およびランド部を構成し
たい部分に形成するものである。エッチングレジスト膜
３６ｂについては、金属板３５の裏面側を保護する目的
で形成する。
【００８２】次に図１７に示すように、第２の工程とし
て、エッチングレジスト膜３６ａ，３６ｂの所定の領域
をそれぞれ除去して、開口部３７ａ，３７ｂ，３７ｃを
形成する。この工程は、いわゆるエッチングしない領域
のマスクを形成するものである。
て、エッチングレジスト膜３６ａ，３６ｂの所定の領域
をそれぞれ除去して、開口部３７ａ，３７ｂ，３７ｃを
形成する。この工程は、いわゆるエッチングしない領域
のマスクを形成するものである。
【００８３】次に図１８に示すように、第３の工程とし
て、金属板３５を片面よりエッチングして、開口部３７
ａ，３７ｂ，３７ｃ部分の厚みを薄く加工することによ
り、固定部３１を形成するとともに、エッチングされな
い領域に連結部３０、ダイパッド部３２およびランド部
３３ａ，３３ｂを形成する。
て、金属板３５を片面よりエッチングして、開口部３７
ａ，３７ｂ，３７ｃ部分の厚みを薄く加工することによ
り、固定部３１を形成するとともに、エッチングされな
い領域に連結部３０、ダイパッド部３２およびランド部
３３ａ，３３ｂを形成する。
【００８４】最後に図１９に示すように、第４の工程と
して、エッチングレジスト膜の除去を行い、底部が薄厚
の固定部３１であり、その面内にダイパッド部３２、ラ
ンド部３３ａ，３３ｂを有したターミナルランドフレー
ムを形成できる。なお、この工程の後、通常はメッキ法
によりメッキを行い、メッキとしては、Ｎｉ層、Ｐｄ
層、Ａｕ層を積層して３層の積層メッキを構成する。
して、エッチングレジスト膜の除去を行い、底部が薄厚
の固定部３１であり、その面内にダイパッド部３２、ラ
ンド部３３ａ，３３ｂを有したターミナルランドフレー
ムを形成できる。なお、この工程の後、通常はメッキ法
によりメッキを行い、メッキとしては、Ｎｉ層、Ｐｄ
層、Ａｕ層を積層して３層の積層メッキを構成する。
【００８５】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。
【００８６】図２０は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す図であり、図２０（ａ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置を示す上面の斜視図であり、図２０
（ｂ）はその下面の斜視図であり、図２０（ｃ）は図２
０（ａ），（ｂ）のＤ−Ｄ１箇所の断面としてランド
部、ダイパッド部を含む領域を切断した場合の断面図で
ある。
置を示す図であり、図２０（ａ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置を示す上面の斜視図であり、図２０
（ｂ）はその下面の斜視図であり、図２０（ｃ）は図２
０（ａ），（ｂ）のＤ−Ｄ１箇所の断面としてランド
部、ダイパッド部を含む領域を切断した場合の断面図で
ある。
【００８７】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、フ
レーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同
厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、
固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、そのダイパッド部に対してその周囲に配
置された信号接続用リード部であり、半導体装置を構成
した際は、その露出面が外部端子となるエリア配置のラ
ンド部とより構成されたターミナルランドフレームより
なる電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置であり、ダ
イパッド部３８と、そのダイパッド部３８上に接着剤３
９により接合された半導体素子４０と、その半導体素子
４０と金属細線４１により電気的に接続されたランド部
４２ａ，４２ｂと、半導体素子４０、金属細線４１、お
よびダイパッド部３８、ランド部４２ａ，４２ｂの一部
を封止した封止樹脂４３とより構成されている。
レーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同
厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、
固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のダ
イパッド部と、そのダイパッド部に対してその周囲に配
置された信号接続用リード部であり、半導体装置を構成
した際は、その露出面が外部端子となるエリア配置のラ
ンド部とより構成されたターミナルランドフレームより
なる電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置であり、ダ
イパッド部３８と、そのダイパッド部３８上に接着剤３
９により接合された半導体素子４０と、その半導体素子
４０と金属細線４１により電気的に接続されたランド部
４２ａ，４２ｂと、半導体素子４０、金属細線４１、お
よびダイパッド部３８、ランド部４２ａ，４２ｂの一部
を封止した封止樹脂４３とより構成されている。
【００８８】そして本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、エリア配置のランド部４２ａ，４２ｂの底面部分は
封止樹脂４３の面より突出して露出しており、その突出
量はスタンドオフを確保した量であって、この樹脂封止
型半導体装置を構成するのに用いたターミナルランドフ
レームの固定部の厚さ分だけ突出して構成されている。
また、このランド部４２ａ，４２ｂのスタンドオフを確
保して突出した底面部分は基板実装時の外部端子４４
ａ，４４ｂを構成するものである。この構成により樹脂
封止型半導体装置として小型化を実現できるものであ
る。
は、エリア配置のランド部４２ａ，４２ｂの底面部分は
封止樹脂４３の面より突出して露出しており、その突出
量はスタンドオフを確保した量であって、この樹脂封止
型半導体装置を構成するのに用いたターミナルランドフ
レームの固定部の厚さ分だけ突出して構成されている。
また、このランド部４２ａ，４２ｂのスタンドオフを確
保して突出した底面部分は基板実装時の外部端子４４
ａ，４４ｂを構成するものである。この構成により樹脂
封止型半導体装置として小型化を実現できるものであ
る。
【００８９】さらに、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置では、外部端子４４ａ，４４ｂおよびダイパッド部３
８が封止樹脂４３の面、すなわち封止樹脂４３の下面か
ら突出して安定してスタンドオフ高さが予め確保されて
いるため、実装基板に実装する際の外部端子４４ａ，４
４ｂおよびダイパッド部３８と実装基板の電極との接合
において、外部端子４４ａ，４４ｂをそのまま外部電極
として用いることができ、実装基板への実装のために外
部端子４４ａ，４４ｂに半田ボール等を付設する必要は
なく、製造工数、製造コスト的に有利となる。
置では、外部端子４４ａ，４４ｂおよびダイパッド部３
８が封止樹脂４３の面、すなわち封止樹脂４３の下面か
ら突出して安定してスタンドオフ高さが予め確保されて
いるため、実装基板に実装する際の外部端子４４ａ，４
４ｂおよびダイパッド部３８と実装基板の電極との接合
において、外部端子４４ａ，４４ｂをそのまま外部電極
として用いることができ、実装基板への実装のために外
部端子４４ａ，４４ｂに半田ボール等を付設する必要は
なく、製造工数、製造コスト的に有利となる。
【００９０】また、本実施形態のようにダイパッド部３
８を有した樹脂封止型半導体装置は、樹脂底面より露出
する部分を実装基板に半田等により接続することによ
り、放熱特性がよくなり、また、実装基板に半田接合さ
れることにより、外部端子４４ａ，４４ｂにかかる機械
的、熱的応力を分散することができ、接続信頼性が向上
するものである。
８を有した樹脂封止型半導体装置は、樹脂底面より露出
する部分を実装基板に半田等により接続することによ
り、放熱特性がよくなり、また、実装基板に半田接合さ
れることにより、外部端子４４ａ，４４ｂにかかる機械
的、熱的応力を分散することができ、接続信頼性が向上
するものである。
【００９１】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。
製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００９２】図２１〜図２６は本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の製造方法を示す断面図であり、各工程順に
示している。
半導体装置の製造方法を示す断面図であり、各工程順に
示している。
【００９３】まず図２１に示すように、フレーム枠の領
域内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の連結部３
０と、連結部３０の領域内であって連結部３０の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部３１
と、固定部３１の中央部領域に形成された半導体素子搭
載用のダイパッド部３２と、そのダイパッド部３２に対
してその周囲に配置された信号接続用リード部であり、
半導体装置を構成した際は、その露出面が外部端子とな
るランド部３３ａ，３３ｂとより構成されたターミナル
ランドフレーム４５を用意する。
域内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の連結部３
０と、連結部３０の領域内であって連結部３０の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部３１
と、固定部３１の中央部領域に形成された半導体素子搭
載用のダイパッド部３２と、そのダイパッド部３２に対
してその周囲に配置された信号接続用リード部であり、
半導体装置を構成した際は、その露出面が外部端子とな
るランド部３３ａ，３３ｂとより構成されたターミナル
ランドフレーム４５を用意する。
【００９４】次に図２２に示すように、ターミナルラン
ドフレーム４５のダイパッド部３２上に銀ペースト等の
導電性の接着剤３９を介して半導体素子４０を接合す
る。ここではダイパッド部３２は接合する半導体素子４
０よりも小型であるため、半導体素子４０の裏面とター
ミナルランドフレーム４５との間には隙間が形成され
る。
ドフレーム４５のダイパッド部３２上に銀ペースト等の
導電性の接着剤３９を介して半導体素子４０を接合す
る。ここではダイパッド部３２は接合する半導体素子４
０よりも小型であるため、半導体素子４０の裏面とター
ミナルランドフレーム４５との間には隙間が形成され
る。
【００９５】次に図２３に示すように、ダイパッド部３
２上に接合した半導体素子４０の電極パッド（図示せ
ず）とランド部３３ａ，３３ｂとを金属細線４１により
電気的に接続する。
２上に接合した半導体素子４０の電極パッド（図示せ
ず）とランド部３３ａ，３３ｂとを金属細線４１により
電気的に接続する。
【００９６】次に図２４に示すように、ターミナルラン
ドフレーム４５の上面領域であって、連結部３０間の領
域を封止樹脂４３により樹脂封止し、半導体素子４０、
金属細線４１およびダイパッド部３２、ランド部３３
ａ，３３ｂの外囲を封止する。この場合、ターミナルラ
ンドフレーム４５の存在により、封止樹脂４３はその裏
面側へは回り込まず、フレームの裏面への樹脂バリの発
生はない。
ドフレーム４５の上面領域であって、連結部３０間の領
域を封止樹脂４３により樹脂封止し、半導体素子４０、
金属細線４１およびダイパッド部３２、ランド部３３
ａ，３３ｂの外囲を封止する。この場合、ターミナルラ
ンドフレーム４５の存在により、封止樹脂４３はその裏
面側へは回り込まず、フレームの裏面への樹脂バリの発
生はない。
【００９７】次に図２５に示すように、ターミナルラン
ドフレームから封止樹脂４３で封止した半導体素子４０
部分を分離させる。分離の方法としては、ターミナルラ
ンドフレームを引き剥がす方法、いわゆるピールオフに
より分離可能である。このピールオフにより、ターミナ
ルランドフレームからダイパッド部３２、ランド部３３
ａ，３３ｂが破断されて分離するため、樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。すなわちダイパッド部３
２、ランド部３３ａ，３３ｂは、固定部３１の接続界面
で破断するものであり、固定部３１の厚みが２５〜５０
［μｍ］、好ましくは３０［μｍ］と極めて薄いもので
あるため、封止樹脂４３に係合したダイパッド部３２、
ランド部３３ａ，３３ｂをそのまま封止樹脂４３内に残
した状態で、ターミナルランドフレームの固定部３１、
連結部３０を分離できるものである。なお、封止樹脂４
３と固定部３１との界面は密着性が低いため、分離でき
るものである。
ドフレームから封止樹脂４３で封止した半導体素子４０
部分を分離させる。分離の方法としては、ターミナルラ
ンドフレームを引き剥がす方法、いわゆるピールオフに
より分離可能である。このピールオフにより、ターミナ
ルランドフレームからダイパッド部３２、ランド部３３
ａ，３３ｂが破断されて分離するため、樹脂封止型半導
体装置を得ることができる。すなわちダイパッド部３
２、ランド部３３ａ，３３ｂは、固定部３１の接続界面
で破断するものであり、固定部３１の厚みが２５〜５０
［μｍ］、好ましくは３０［μｍ］と極めて薄いもので
あるため、封止樹脂４３に係合したダイパッド部３２、
ランド部３３ａ，３３ｂをそのまま封止樹脂４３内に残
した状態で、ターミナルランドフレームの固定部３１、
連結部３０を分離できるものである。なお、封止樹脂４
３と固定部３１との界面は密着性が低いため、分離でき
るものである。
【００９８】以上のような各工程により、図２６に示す
ような、ターミナルランドフレームより構成され、半導
体装置としてのダイパッド部３８と、そのダイパッド部
３８上に接着剤３９により接合された半導体素子４０
と、その半導体素子４０と金属細線４１により電気的に
接続された半導体装置としてのランド部４２ａ，４２ｂ
と、半導体素子４０、金属細線４１、およびダイパッド
部３８、ランド部３３ａ，３３ｂの一部を封止した封止
樹脂４３とより構成された電極底面露出型の樹脂封止型
半導体装置を得ることができる。本実施形態で製造され
る樹脂封止型半導体装置のランド部３３ａ，３３ｂの突
出した部分は、外部端子４４ａ，４４ｂを構成し、実装
基板との接合において、スタンドオフを確保しているも
のである。
ような、ターミナルランドフレームより構成され、半導
体装置としてのダイパッド部３８と、そのダイパッド部
３８上に接着剤３９により接合された半導体素子４０
と、その半導体素子４０と金属細線４１により電気的に
接続された半導体装置としてのランド部４２ａ，４２ｂ
と、半導体素子４０、金属細線４１、およびダイパッド
部３８、ランド部３３ａ，３３ｂの一部を封止した封止
樹脂４３とより構成された電極底面露出型の樹脂封止型
半導体装置を得ることができる。本実施形態で製造され
る樹脂封止型半導体装置のランド部３３ａ，３３ｂの突
出した部分は、外部端子４４ａ，４４ｂを構成し、実装
基板との接合において、スタンドオフを確保しているも
のである。
【００９９】次に図２７，図２８に示すようなターミナ
ルランドフレームを用いた場合の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について説明する。図２７はターミナルラン
ドフレームを示す平面図であり、図２８は図２７のＥ−
Ｅ１箇所の断面図である。
ルランドフレームを用いた場合の樹脂封止型半導体装置
の製造方法について説明する。図２７はターミナルラン
ドフレームを示す平面図であり、図２８は図２７のＥ−
Ｅ１箇所の断面図である。
【０１００】図２７，図２８に示すターミナルランドフ
レームは、図１４，図１５に示したターミナルランドフ
レームと同様な構成であるが、連結部を設けず、フレー
ム枠２９の領域内の固定部３１上にダイパッド部３２と
ランド部３３ａ，３３ｂとを連続で形成したものであ
る。この図２７，図２８に示したターミナルランドフレ
ームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する場合は、
ターミナルランドフレームの上面に対して、金型内で一
括で樹脂封止した後、ダイパッド部３２上に搭載した個
々の半導体素子ごとに封止樹脂をカッター刃により切断
することにより、一括で複数の樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
レームは、図１４，図１５に示したターミナルランドフ
レームと同様な構成であるが、連結部を設けず、フレー
ム枠２９の領域内の固定部３１上にダイパッド部３２と
ランド部３３ａ，３３ｂとを連続で形成したものであ
る。この図２７，図２８に示したターミナルランドフレ
ームを用いて樹脂封止型半導体装置を製造する場合は、
ターミナルランドフレームの上面に対して、金型内で一
括で樹脂封止した後、ダイパッド部３２上に搭載した個
々の半導体素子ごとに封止樹脂をカッター刃により切断
することにより、一括で複数の樹脂封止型半導体装置を
得ることができる。
【０１０１】図２９，図３０はターミナルランドフレー
ムの上面に対して、一括で樹脂封止し、切断によって一
括で複数の樹脂封止型半導体装置を得る状態を示した図
である。図２９は概略を示す斜視図、図３０は概略を示
す断面図である。
ムの上面に対して、一括で樹脂封止し、切断によって一
括で複数の樹脂封止型半導体装置を得る状態を示した図
である。図２９は概略を示す斜視図、図３０は概略を示
す断面図である。
【０１０２】図２９に示すように、図２７に示したよう
なターミナルランドフレーム４６に半導体素子を搭載
し、ランド部と金属細線によって電気的に接続した後、
封止樹脂４３により上面領域を封止し、カッター刃４７
により、個々の半導体素子領域の切断領域ラインＲｅの
封止樹脂４３を切断する。その結果、図３０に示すよう
に、ターミナルランドフレーム４６上の個々の半導体素
子４８の領域の封止樹脂４３が切断され、切断領域ライ
ンＲｅで分離した状態となり、その後はターミナルラン
ドフレームの引き剥がしにより、一括で複数の樹脂封止
型半導体装置を得ることができる。
なターミナルランドフレーム４６に半導体素子を搭載
し、ランド部と金属細線によって電気的に接続した後、
封止樹脂４３により上面領域を封止し、カッター刃４７
により、個々の半導体素子領域の切断領域ラインＲｅの
封止樹脂４３を切断する。その結果、図３０に示すよう
に、ターミナルランドフレーム４６上の個々の半導体素
子４８の領域の封止樹脂４３が切断され、切断領域ライ
ンＲｅで分離した状態となり、その後はターミナルラン
ドフレームの引き剥がしにより、一括で複数の樹脂封止
型半導体装置を得ることができる。
【０１０３】本実施形態の特徴は、封止樹脂部分を切断
することにより効率のよい分離方法を提供できることで
リードフレームを切断することなく半導体装置を分離で
き、切断時間の短縮、切断刃の摩耗や寿命が長くなり生
産性が向上するものである。
することにより効率のよい分離方法を提供できることで
リードフレームを切断することなく半導体装置を分離で
き、切断時間の短縮、切断刃の摩耗や寿命が長くなり生
産性が向上するものである。
【０１０４】次に本発明のターミナルランドフレームの
他の実施形態について説明する。図３１は本実施形態の
ターミナルランドフレームを示す平面図である。図３２
は本実施形態のターミナルランドフレームを示す断面図
であり、図３１のＦ−Ｆ１箇所の断面を示している。
他の実施形態について説明する。図３１は本実施形態の
ターミナルランドフレームを示す平面図である。図３２
は本実施形態のターミナルランドフレームを示す断面図
であり、図３１のＦ−Ｆ１箇所の断面を示している。
【０１０５】本実施形態のターミナルランドフレーム
は、フレーム枠４９と、フレーム枠４９領域内であって
フレーム枠４９の厚みと同厚の連結部５０と、連結部５
０の領域内であって連結部５０の厚みよりも極めて薄く
加工され、底面部を構成する固定部５１と、固定部５１
の中央部領域に形成された半導体素子搭載用の矩形状の
ポスト部５２と、そのポスト部５２に対してその周囲に
配置された信号接続用リード部であり、半導体装置を構
成した際は、その露出面が外部端子となるランド部５３
ａ，５３ｂとより構成されている。ランド部５３ａとラ
ンド部５３ｂとは、ポスト部５２の周囲に対して、エリ
ア配置されており、図３１においては、外側の配置はラ
ンド部５３ａを構成し、その内側の配置はランド部５３
ｂを構成している。そしてランド部５３ａ，５３ｂは、
搭載した半導体素子と電気的な接続がなされる部位であ
り、通常は金属細線により搭載した半導体素子とランド
部５３ａ，５３ｂとが接続されるものである。また薄厚
の固定部５１は、樹脂封止後は、引き剥がし等により、
剥ぎ取りが可能であり、本実施形態のターミナルランド
フレームに対して半導体素子を搭載し、電気的接続、樹
脂封止した後は固定部５１を除去することにより、底面
にランド部５３ａ，５３ｂの裏面が露出して外部端子を
構成した樹脂封止型半導体装置を構成できるものであ
る。なお、ポスト部５２は搭載すべき半導体素子よりも
小さいエリアで配置されており、樹脂封止型半導体装置
を構成した際、半導体素子の裏面に封止樹脂が回り込
み、信頼性を向上できるよう構成している。そしてその
ポスト部５２の形状についても、本実施形態では矩形状
としているが、円形でもよい。
は、フレーム枠４９と、フレーム枠４９領域内であって
フレーム枠４９の厚みと同厚の連結部５０と、連結部５
０の領域内であって連結部５０の厚みよりも極めて薄く
加工され、底面部を構成する固定部５１と、固定部５１
の中央部領域に形成された半導体素子搭載用の矩形状の
ポスト部５２と、そのポスト部５２に対してその周囲に
配置された信号接続用リード部であり、半導体装置を構
成した際は、その露出面が外部端子となるランド部５３
ａ，５３ｂとより構成されている。ランド部５３ａとラ
ンド部５３ｂとは、ポスト部５２の周囲に対して、エリ
ア配置されており、図３１においては、外側の配置はラ
ンド部５３ａを構成し、その内側の配置はランド部５３
ｂを構成している。そしてランド部５３ａ，５３ｂは、
搭載した半導体素子と電気的な接続がなされる部位であ
り、通常は金属細線により搭載した半導体素子とランド
部５３ａ，５３ｂとが接続されるものである。また薄厚
の固定部５１は、樹脂封止後は、引き剥がし等により、
剥ぎ取りが可能であり、本実施形態のターミナルランド
フレームに対して半導体素子を搭載し、電気的接続、樹
脂封止した後は固定部５１を除去することにより、底面
にランド部５３ａ，５３ｂの裏面が露出して外部端子を
構成した樹脂封止型半導体装置を構成できるものであ
る。なお、ポスト部５２は搭載すべき半導体素子よりも
小さいエリアで配置されており、樹脂封止型半導体装置
を構成した際、半導体素子の裏面に封止樹脂が回り込
み、信頼性を向上できるよう構成している。そしてその
ポスト部５２の形状についても、本実施形態では矩形状
としているが、円形でもよい。
【０１０６】なお、フレーム枠４９には、熱による膨張
を防止する応力緩和用のスリット５４を設け生産効率を
向上するようにしている。特にその配置については、連
結部５０の交点に配することが有効である。このスリッ
ト５４の配置により、半導体装置を構成した際、樹脂封
止後の封止樹脂の応力を緩和して、フレーム自体の反り
を防止することができるので、半導体装置の品質を向上
させ、また搭載した半導体素子に印加される応力を少な
くできるため電気特性を安定にすることができるもので
ある。
を防止する応力緩和用のスリット５４を設け生産効率を
向上するようにしている。特にその配置については、連
結部５０の交点に配することが有効である。このスリッ
ト５４の配置により、半導体装置を構成した際、樹脂封
止後の封止樹脂の応力を緩和して、フレーム自体の反り
を防止することができるので、半導体装置の品質を向上
させ、また搭載した半導体素子に印加される応力を少な
くできるため電気特性を安定にすることができるもので
ある。
【０１０７】本実施形態のように半導体素子を搭載する
部位が、ポスト部５２である特徴は、低熱抵抗に劣る反
面、水分による影響を抑制し、耐パッケージクラック性
に優れた樹脂封止型半導体装置を構成できる点である。
ポスト部５２を有した樹脂封止型半導体装置は、樹脂底
面より露出する部分が少なく、また半導体素子の底面が
樹脂で覆われているため、実装後の応力による半導体装
置の耐水性が高く信頼性に優れるものである。逆に半導
体素子を搭載する部位として、ダイパッド部を採用した
場合は、実装基板の接着が必要である反面、低熱抵抗化
が図れるものである。
部位が、ポスト部５２である特徴は、低熱抵抗に劣る反
面、水分による影響を抑制し、耐パッケージクラック性
に優れた樹脂封止型半導体装置を構成できる点である。
ポスト部５２を有した樹脂封止型半導体装置は、樹脂底
面より露出する部分が少なく、また半導体素子の底面が
樹脂で覆われているため、実装後の応力による半導体装
置の耐水性が高く信頼性に優れるものである。逆に半導
体素子を搭載する部位として、ダイパッド部を採用した
場合は、実装基板の接着が必要である反面、低熱抵抗化
が図れるものである。
【０１０８】その他、ターミナルランドフレームの各構
成要件については、前述した実施形態と同様であるので
省略する。
成要件については、前述した実施形態と同様であるので
省略する。
【０１０９】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法について図面を参照しながら説明する。図
３３〜図３６は、本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を工程順に示した断面図である。
ムの製造方法について図面を参照しながら説明する。図
３３〜図３６は、本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を工程順に示した断面図である。
【０１１０】まず図３３に示すように、第１の工程とし
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板５５に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜５６
を形成して、エッチングレジスト膜５６ａ，５６ｂをそ
れぞれ形成する。このエッチングレジスト膜５６ａにつ
いては、連結部、ポスト部およびランド部を構成したい
部分に形成するものである。エッチングレジスト膜５６
ｂについては、金属板５５の裏面側を保護する目的で形
成する。
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板５５に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜５６
を形成して、エッチングレジスト膜５６ａ，５６ｂをそ
れぞれ形成する。このエッチングレジスト膜５６ａにつ
いては、連結部、ポスト部およびランド部を構成したい
部分に形成するものである。エッチングレジスト膜５６
ｂについては、金属板５５の裏面側を保護する目的で形
成する。
【０１１１】次に図３４に示すように、第２の工程とし
て、エッチングレジスト膜５６ａ，５６ｂの所定の領域
をそれぞれ除去して、開口部５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，
５７ｄを形成する。この工程は、いわゆるエッチングし
ない領域のマスクを形成するものである。
て、エッチングレジスト膜５６ａ，５６ｂの所定の領域
をそれぞれ除去して、開口部５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，
５７ｄを形成する。この工程は、いわゆるエッチングし
ない領域のマスクを形成するものである。
【０１１２】次に図３５に示すように、第３の工程とし
て、金属板５５を片面よりエッチングして、開口部５７
ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄ部分の厚みを薄く加工する
ことにより、固定部５１を形成するとともに、エッチン
グされない領域に連結部５０、ポスト部５２およびラン
ド部５３ａ，５３ｂを形成する。
て、金属板５５を片面よりエッチングして、開口部５７
ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄ部分の厚みを薄く加工する
ことにより、固定部５１を形成するとともに、エッチン
グされない領域に連結部５０、ポスト部５２およびラン
ド部５３ａ，５３ｂを形成する。
【０１１３】最後に図３６に示すように、第４の工程と
して、エッチングレジスト膜の除去を行い、底部が薄厚
の固定部５１であり、その面内にポスト部５２，ランド
部５３ａ，５３ｂを有したターミナルランドフレームを
形成できる。なお、この工程の後、通常はメッキ法によ
りメッキを行い、メッキとしては、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａ
ｕ層を積層して３層の積層メッキを構成する。
して、エッチングレジスト膜の除去を行い、底部が薄厚
の固定部５１であり、その面内にポスト部５２，ランド
部５３ａ，５３ｂを有したターミナルランドフレームを
形成できる。なお、この工程の後、通常はメッキ法によ
りメッキを行い、メッキとしては、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａ
ｕ層を積層して３層の積層メッキを構成する。
【０１１４】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。
ムを用いた樹脂封止型半導体装置について図面を参照し
ながら説明する。
【０１１５】図３７は本実施形態の樹脂封止型半導体装
置を示す図であり、図３７（ａ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置を示す上面の斜視図であり、図３７
（ｂ）はその下面の斜視図であり、図３７（ｃ）は図３
７（ａ），（ｂ）のＧ−Ｇ１箇所の断面としてランド
部、ポスト部を含む領域を切断した場合の断面図であ
る。
置を示す図であり、図３７（ａ）は、本実施形態の樹脂
封止型半導体装置を示す上面の斜視図であり、図３７
（ｂ）はその下面の斜視図であり、図３７（ｃ）は図３
７（ａ），（ｂ）のＧ−Ｇ１箇所の断面としてランド
部、ポスト部を含む領域を切断した場合の断面図であ
る。
【０１１６】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、フ
レーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同
厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、
固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のポ
スト部と、そのポスト部に対してその周囲に配置された
信号接続用リード部であり、半導体装置を構成した際
は、その露出面が外部端子となるエリア配置のランド部
とより構成されたターミナルランドフレームよりなる電
極底面露出型の樹脂封止型半導体装置であり、ポスト部
５８と、そのポスト部５８上に接着剤５９により接合さ
れた半導体素子６０と、その半導体素子６０と金属細線
６１により電気的に接続されたランド部６２ａ，６２ｂ
と、半導体素子６０、金属細線６１、およびポスト部５
８、ランド部６２ａ，６２ｂの一部を封止した封止樹脂
６３とより構成されている。
レーム枠の領域内であって、そのフレーム枠の厚みと同
厚の連結部と、連結部の領域内であって連結部の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部と、
固定部の中央部領域に形成された半導体素子搭載用のポ
スト部と、そのポスト部に対してその周囲に配置された
信号接続用リード部であり、半導体装置を構成した際
は、その露出面が外部端子となるエリア配置のランド部
とより構成されたターミナルランドフレームよりなる電
極底面露出型の樹脂封止型半導体装置であり、ポスト部
５８と、そのポスト部５８上に接着剤５９により接合さ
れた半導体素子６０と、その半導体素子６０と金属細線
６１により電気的に接続されたランド部６２ａ，６２ｂ
と、半導体素子６０、金属細線６１、およびポスト部５
８、ランド部６２ａ，６２ｂの一部を封止した封止樹脂
６３とより構成されている。
【０１１７】そして本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、エリア配置のランド部６２ａ，６２ｂの底面部分は
封止樹脂６３の面より突出して露出しており、その突出
量はスタンドオフを確保した量であって、この樹脂封止
型半導体装置を構成するのに用いたターミナルランドフ
レームの固定部の厚さ分だけ突出して構成されている。
また、このランド部６２ａ，６２ｂのスタンドオフを確
保して突出した底面部分は基板実装時の外部端子６４
ａ，６４ｂを構成するものである。この構成により樹脂
封止型半導体装置として小型化を実現できるものであ
る。
は、エリア配置のランド部６２ａ，６２ｂの底面部分は
封止樹脂６３の面より突出して露出しており、その突出
量はスタンドオフを確保した量であって、この樹脂封止
型半導体装置を構成するのに用いたターミナルランドフ
レームの固定部の厚さ分だけ突出して構成されている。
また、このランド部６２ａ，６２ｂのスタンドオフを確
保して突出した底面部分は基板実装時の外部端子６４
ａ，６４ｂを構成するものである。この構成により樹脂
封止型半導体装置として小型化を実現できるものであ
る。
【０１１８】さらに、本実施形態の樹脂封止型半導体装
置では、外部端子６４ａ，６４ｂおよびポスト部５８が
封止樹脂６３の面、すなわち封止樹脂６３の下面から突
出して安定してスタンドオフ高さが予め確保されている
ため、実装基板に実装する際の外部端子６４ａ，６４ｂ
およびポスト部５８と実装基板の電極との接合におい
て、外部端子６４ａ，６４ｂをそのまま外部電極として
用いることができ、実装基板への実装のために外部端子
６４ａ，６４ｂに半田ボール等を付設する必要はなく、
製造工数、製造コスト的に有利となる。
置では、外部端子６４ａ，６４ｂおよびポスト部５８が
封止樹脂６３の面、すなわち封止樹脂６３の下面から突
出して安定してスタンドオフ高さが予め確保されている
ため、実装基板に実装する際の外部端子６４ａ，６４ｂ
およびポスト部５８と実装基板の電極との接合におい
て、外部端子６４ａ，６４ｂをそのまま外部電極として
用いることができ、実装基板への実装のために外部端子
６４ａ，６４ｂに半田ボール等を付設する必要はなく、
製造工数、製造コスト的に有利となる。
【０１１９】また本実施形態の樹脂封止型半導体装置
は、ポスト部５８を有しており、ダイパッド部とは異な
るため、樹脂底面より露出する部分が少なく、また半導
体素子の底面が樹脂で覆われているため、実装後の応力
による半導体装置の耐水性が高く信頼性に優れるもので
ある。
は、ポスト部５８を有しており、ダイパッド部とは異な
るため、樹脂底面より露出する部分が少なく、また半導
体素子の底面が樹脂で覆われているため、実装後の応力
による半導体装置の耐水性が高く信頼性に優れるもので
ある。
【０１２０】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。
製造方法について図面を参照しながら説明する。
【０１２１】図３８〜図４３は本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の製造方法を示す断面図であり、各工程順に
示している。
半導体装置の製造方法を示す断面図であり、各工程順に
示している。
【０１２２】まず図３８に示すように、フレーム枠の領
域内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の連結部５
０と、連結部５０の領域内であって連結部５０の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部５１
と、固定部５１の中央部領域に形成された半導体素子搭
載用のポスト部５２と、そのポスト部５２に対してその
周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体装
置を構成した際は、その露出面が外部端子となるランド
部５３ａ，５３ｂとより構成されたターミナルランドフ
レーム６５を用意する。
域内であって、そのフレーム枠の厚みと同厚の連結部５
０と、連結部５０の領域内であって連結部５０の厚みよ
りも極めて薄く加工され、底面部を構成する固定部５１
と、固定部５１の中央部領域に形成された半導体素子搭
載用のポスト部５２と、そのポスト部５２に対してその
周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体装
置を構成した際は、その露出面が外部端子となるランド
部５３ａ，５３ｂとより構成されたターミナルランドフ
レーム６５を用意する。
【０１２３】次に図３９に示すように、ターミナルラン
ドフレーム６５のポスト部５２上に銀ペースト等の導電
性の接着剤５９を介して半導体素子６０を接合する。こ
こではポスト部５２は接合する半導体素子６０よりも小
型であるため、半導体素子６０の裏面とターミナルラン
ドフレーム６５との間には隙間が形成される。
ドフレーム６５のポスト部５２上に銀ペースト等の導電
性の接着剤５９を介して半導体素子６０を接合する。こ
こではポスト部５２は接合する半導体素子６０よりも小
型であるため、半導体素子６０の裏面とターミナルラン
ドフレーム６５との間には隙間が形成される。
【０１２４】次に図４０に示すように、ポスト部５２上
に接合した半導体素子６０の電極パッド（図示せず）と
ランド部５３ａ，５３ｂとを金属細線６１により電気的
に接続する。
に接合した半導体素子６０の電極パッド（図示せず）と
ランド部５３ａ，５３ｂとを金属細線６１により電気的
に接続する。
【０１２５】次に図４１に示すように、ターミナルラン
ドフレーム６５の上面領域であって、連結部５０間の領
域を封止樹脂６３により樹脂封止し、半導体素子６０、
金属細線６１およびポスト部５２、ランド部５３ａ，５
３ｂの外囲を封止する。この場合、ターミナルランドフ
レーム６５の存在により、封止樹脂６３はその裏面側へ
は回り込まず、フレームの裏面への樹脂バリの発生はな
い。
ドフレーム６５の上面領域であって、連結部５０間の領
域を封止樹脂６３により樹脂封止し、半導体素子６０、
金属細線６１およびポスト部５２、ランド部５３ａ，５
３ｂの外囲を封止する。この場合、ターミナルランドフ
レーム６５の存在により、封止樹脂６３はその裏面側へ
は回り込まず、フレームの裏面への樹脂バリの発生はな
い。
【０１２６】次に図４２に示すように、ターミナルラン
ドフレームから封止樹脂６３で封止した半導体素子６０
部分を分離させる。分離の方法としては、ターミナルラ
ンドフレームを引き剥がす方法、いわゆるピールオフに
より分離可能である。このピールオフにより、ターミナ
ルランドフレームからポスト部５２、ランド部５３ａ，
５３ｂが破断されて分離するため、樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。すなわちポスト部５２、ランド
部５３ａ，５３ｂは、固定部５１の接続界面で破断する
ものであり、固定部５１の厚みが２５〜５０［μｍ］、
好ましくは３０［μｍ］と極めて薄いものであるため、
封止樹脂６３に係合したポスト部５２、ランド部５３
ａ，５３ｂをそのまま封止樹脂６３内に残した状態で、
ターミナルランドフレームの固定部５１、連結部５０を
分離できるものである。なお、封止樹脂６３と固定部５
１との界面は密着性が低いため、分離できるものであ
る。
ドフレームから封止樹脂６３で封止した半導体素子６０
部分を分離させる。分離の方法としては、ターミナルラ
ンドフレームを引き剥がす方法、いわゆるピールオフに
より分離可能である。このピールオフにより、ターミナ
ルランドフレームからポスト部５２、ランド部５３ａ，
５３ｂが破断されて分離するため、樹脂封止型半導体装
置を得ることができる。すなわちポスト部５２、ランド
部５３ａ，５３ｂは、固定部５１の接続界面で破断する
ものであり、固定部５１の厚みが２５〜５０［μｍ］、
好ましくは３０［μｍ］と極めて薄いものであるため、
封止樹脂６３に係合したポスト部５２、ランド部５３
ａ，５３ｂをそのまま封止樹脂６３内に残した状態で、
ターミナルランドフレームの固定部５１、連結部５０を
分離できるものである。なお、封止樹脂６３と固定部５
１との界面は密着性が低いため、分離できるものであ
る。
【０１２７】以上のような各工程により、図４３に示す
ような、ターミナルランドフレームより構成され、半導
体装置としてのポスト部５８と、そのポスト部５８上に
接着剤５９により接合された半導体素子６０と、その半
導体素子６０と金属細線６１により電気的に接続された
半導体装置としてのランド部６２ａ，６２ｂと、半導体
素子６０、金属細線６１、およびポスト部５８、ランド
部６２ａ，６２ｂの一部を封止した封止樹脂６３とより
構成された電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置を得
ることができる。本実施形態で製造される樹脂封止型半
導体装置のランド部６２ａ，６２ｂの突出した部分は、
外部端子６４ａ，６４ｂを構成し、実装基板との接合に
おいて、スタンドオフを確保しているものである。
ような、ターミナルランドフレームより構成され、半導
体装置としてのポスト部５８と、そのポスト部５８上に
接着剤５９により接合された半導体素子６０と、その半
導体素子６０と金属細線６１により電気的に接続された
半導体装置としてのランド部６２ａ，６２ｂと、半導体
素子６０、金属細線６１、およびポスト部５８、ランド
部６２ａ，６２ｂの一部を封止した封止樹脂６３とより
構成された電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置を得
ることができる。本実施形態で製造される樹脂封止型半
導体装置のランド部６２ａ，６２ｂの突出した部分は、
外部端子６４ａ，６４ｂを構成し、実装基板との接合に
おいて、スタンドオフを確保しているものである。
【０１２８】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの変形形態について図面を参照しながら説明する。
ムの変形形態について図面を参照しながら説明する。
【０１２９】図４４〜図５２は本実施形態のターミナル
ランドフレームを示す部分的な断面図である。各図にお
けるターミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパ
ッド部６７、ランド部６８、固定部６９より構成されて
いる。
ランドフレームを示す部分的な断面図である。各図にお
けるターミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパ
ッド部６７、ランド部６８、固定部６９より構成されて
いる。
【０１３０】まず図４４に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８が、その上部表面には溝部７０が設けられており
樹脂封止後、樹脂と密着力を高めるとともに、実装後、
機械的、熱的応力が接続した金属細線にかかるのを少な
くする働きがある。金属細線は溝部７０間に接続される
場合や、溝部７０外に接続される場合もあるが、応力が
金属細線に印加されることを低減する働きがある。そし
て溝部７０と溝部７０との間には、半導体素子との接続
の金属細線が接続されるエリアが確保されているもので
ある。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８が、その上部表面には溝部７０が設けられており
樹脂封止後、樹脂と密着力を高めるとともに、実装後、
機械的、熱的応力が接続した金属細線にかかるのを少な
くする働きがある。金属細線は溝部７０間に接続される
場合や、溝部７０外に接続される場合もあるが、応力が
金属細線に印加されることを低減する働きがある。そし
て溝部７０と溝部７０との間には、半導体素子との接続
の金属細線が接続されるエリアが確保されているもので
ある。
【０１３１】次に図４５に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、固定部
６９には封止後のピーリングにより剥がしやすくするた
めに、ランド部６８、ダイパッド部６７の下面の周囲に
溝部７１の加工を施す。例えば、スリット状にランド部
６８、ダイパッド部６７の下面周囲に加工するとよい。
この結果、エッチング部にメッキがされているため、半
田によりプリント基板に実装されると、半田の接着力が
向上し、実装信頼性が向上する効果もある。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、固定部
６９には封止後のピーリングにより剥がしやすくするた
めに、ランド部６８、ダイパッド部６７の下面の周囲に
溝部７１の加工を施す。例えば、スリット状にランド部
６８、ダイパッド部６７の下面周囲に加工するとよい。
この結果、エッチング部にメッキがされているため、半
田によりプリント基板に実装されると、半田の接着力が
向上し、実装信頼性が向上する効果もある。
【０１３２】次に図４６に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の形状は、断面構造において段差部７２をエッチ
ング加工をした後、メッキ処理がされているものであ
る。段差部７２には封止工程において樹脂封止により樹
脂が充填される。また、固定部６９の樹脂充填部７３に
はポリイミド等の樹脂が充填され、樹脂封止により封止
樹脂が底面から漏れるのを防止している。この構成の特
徴は、実装時にメッキの働きにより、半田フィレットを
形成させるためと、ランド部６８の段差部７２と封止樹
脂とのアンカー効果による結合力を向上させることであ
る。そして金属細線への応力緩和と各種の実装接続の信
頼性の向上を図る効果がある。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の形状は、断面構造において段差部７２をエッチ
ング加工をした後、メッキ処理がされているものであ
る。段差部７２には封止工程において樹脂封止により樹
脂が充填される。また、固定部６９の樹脂充填部７３に
はポリイミド等の樹脂が充填され、樹脂封止により封止
樹脂が底面から漏れるのを防止している。この構成の特
徴は、実装時にメッキの働きにより、半田フィレットを
形成させるためと、ランド部６８の段差部７２と封止樹
脂とのアンカー効果による結合力を向上させることであ
る。そして金属細線への応力緩和と各種の実装接続の信
頼性の向上を図る効果がある。
【０１３３】次に図４７に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８には、断面構造において、両面に段差部７２，７
４を配して、メッキの働きにより、半田フィレットを形
成容易とし、半田の実装接続の信頼性の向上を図るもの
である。また同様に固定部６９の樹脂充填部７３にはポ
リイミド等の樹脂が充填され、樹脂封止により封止樹脂
が底面から漏れるのを防止している。この構成の特徴
は、ランド部６８の封止樹脂との結合力が飛躍的に向上
し、金属細線に印加される応力が少なくなる点にある。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８には、断面構造において、両面に段差部７２，７
４を配して、メッキの働きにより、半田フィレットを形
成容易とし、半田の実装接続の信頼性の向上を図るもの
である。また同様に固定部６９の樹脂充填部７３にはポ
リイミド等の樹脂が充填され、樹脂封止により封止樹脂
が底面から漏れるのを防止している。この構成の特徴
は、ランド部６８の封止樹脂との結合力が飛躍的に向上
し、金属細線に印加される応力が少なくなる点にある。
【０１３４】また、前記した図４４〜図４７の特徴ある
ランド部６８の形状を組み合わせることにより、要求さ
れる実装信頼性に適したランド部６８の形状を選択する
ことができる。
ランド部６８の形状を組み合わせることにより、要求さ
れる実装信頼性に適したランド部６８の形状を選択する
ことができる。
【０１３５】次に図４８に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の断面構造において、両面に段差部７２，７４を
配し、さらにそのランド部６８の上面には溝部７０が配
された信頼性の高い形状である。また同様に固定部６９
の樹脂充填部７３にはポリイミド等の樹脂が充填され、
樹脂封止により封止樹脂が底面から漏れるのを防止して
いる。なお、段差部７２，７４の下面の樹脂充填部７３
は、樹脂成形後、固定部６９とともに樹脂底面より引き
剥がされ、ランド部６８の底面の固定部６９は、突出し
て外部端子となる部分である。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の断面構造において、両面に段差部７２，７４を
配し、さらにそのランド部６８の上面には溝部７０が配
された信頼性の高い形状である。また同様に固定部６９
の樹脂充填部７３にはポリイミド等の樹脂が充填され、
樹脂封止により封止樹脂が底面から漏れるのを防止して
いる。なお、段差部７２，７４の下面の樹脂充填部７３
は、樹脂成形後、固定部６９とともに樹脂底面より引き
剥がされ、ランド部６８の底面の固定部６９は、突出し
て外部端子となる部分である。
【０１３６】次に図４９に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の断面構造において、両面に段差部７２，７４を
配し、さらにそのランド部６８の上面には溝部７０が配
され、またダイパッド部６７の形状は、底面の少なくと
も一部に段差部７５を配している。この特徴はダイパッ
ド部６７の封止樹脂との結合力が飛躍的に向上し、搭載
した半導体素子とダイパッド部６７を接続する接着剤に
含まれる水分が実装時に膨張して起こる実装不良や、ダ
イパッド部６７の側面と封止樹脂との界面より浸入する
水分等の耐性を向上させることができる。さらに、実装
後、実装基板とダイパッド部６７に加わる各種の応力に
対する耐性が向上し、信頼性を向上させることができる
ものである。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の断面構造において、両面に段差部７２，７４を
配し、さらにそのランド部６８の上面には溝部７０が配
され、またダイパッド部６７の形状は、底面の少なくと
も一部に段差部７５を配している。この特徴はダイパッ
ド部６７の封止樹脂との結合力が飛躍的に向上し、搭載
した半導体素子とダイパッド部６７を接続する接着剤に
含まれる水分が実装時に膨張して起こる実装不良や、ダ
イパッド部６７の側面と封止樹脂との界面より浸入する
水分等の耐性を向上させることができる。さらに、実装
後、実装基板とダイパッド部６７に加わる各種の応力に
対する耐性が向上し、信頼性を向上させることができる
ものである。
【０１３７】次に図５０に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の上面が他のダイパッド部６７や連結部６６の上
面の高さより低く構成されている。すなわち、ランド部
６８の厚みは、ダイパッド部６７よりも薄く構成され、
かつ固定部６９よりも厚く構成されているものである。
この特徴は、よりダイパッド部６７上に搭載する半導体
素子が大きく、ランド部６８上にはみ出した場合でも、
半導体素子の下面とランド部６８の上面との間に安定し
た間隔を確保することができ、封止樹脂が充填され、信
頼性のある小型の多端子の底面電極露出型の樹脂封止半
導体装置に適したリードフレームを供給することができ
る点である。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、ランド
部６８の上面が他のダイパッド部６７や連結部６６の上
面の高さより低く構成されている。すなわち、ランド部
６８の厚みは、ダイパッド部６７よりも薄く構成され、
かつ固定部６９よりも厚く構成されているものである。
この特徴は、よりダイパッド部６７上に搭載する半導体
素子が大きく、ランド部６８上にはみ出した場合でも、
半導体素子の下面とランド部６８の上面との間に安定し
た間隔を確保することができ、封止樹脂が充填され、信
頼性のある小型の多端子の底面電極露出型の樹脂封止半
導体装置に適したリードフレームを供給することができ
る点である。
【０１３８】次に図５１に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、連結部
６６の上面が他のダイパッド部６７、ランド部６８の上
面の高さより低く構成されている。この特徴は、樹脂封
止後にターミナルランドフレームから樹脂封止型半導体
装置を分離しやすくする効果がある点である。例えば、
エッチングにより連結部６６を薄く加工すると、アンダ
ーカットと称される上面より固定部６９に近い連結部６
６が細くなる現象が生じ、樹脂封止型半導体装置を分離
しにくくする場合がある。この現象を連結部６６の高さ
を低くして、アンダーカット現象を防止する効果があ
る。また、熱膨張による工程でのターミナルランドの各
構成部位の変形も少なくなり、安定した生産が可能とな
る。また、ランド部６８、ダイパッド部６７も同様のア
ンダーカット現象が起こるが、この場合は封止樹脂との
結合力を向上する効果となる。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、連結部
６６の上面が他のダイパッド部６７、ランド部６８の上
面の高さより低く構成されている。この特徴は、樹脂封
止後にターミナルランドフレームから樹脂封止型半導体
装置を分離しやすくする効果がある点である。例えば、
エッチングにより連結部６６を薄く加工すると、アンダ
ーカットと称される上面より固定部６９に近い連結部６
６が細くなる現象が生じ、樹脂封止型半導体装置を分離
しにくくする場合がある。この現象を連結部６６の高さ
を低くして、アンダーカット現象を防止する効果があ
る。また、熱膨張による工程でのターミナルランドの各
構成部位の変形も少なくなり、安定した生産が可能とな
る。また、ランド部６８、ダイパッド部６７も同様のア
ンダーカット現象が起こるが、この場合は封止樹脂との
結合力を向上する効果となる。
【０１３９】なお、各図面において、それぞれ同様のア
ンダーカット現象が発生するがここでは便宜上、直線表
示をしている。
ンダーカット現象が発生するがここでは便宜上、直線表
示をしている。
【０１４０】次に図５２に示すように、本実施形態のタ
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、段差部
や溝部を組み合わせた構造を示している。本実施形態の
ターミナルランドフレームは、ランド部６８の断面構造
において、段差部７２を配し、さらにそのランド部６８
の上面には溝部７０が配された信頼性の高い形状であ
る。また同様に固定部６９の樹脂充填部７３にはポリイ
ミド等の樹脂が充填され、樹脂封止により封止樹脂が底
面から漏れるのを防止している。また固定部６９には封
止後のピーリングにより剥がしやすくするために、ラン
ド部６８、ダイパッド部６７の下面の周囲に溝部７１の
加工を施している。なお、本実施形態ではランド部６８
の配列を２列とした例を示しており、また連結部６６は
低く、すなわち厚みを薄くし、実質的に連結部を排除し
た構造であり、分離が容易なように、連結部６６の下面
には、溝部７６を配している。この特徴は、連結部６６
が薄く、また溝部７６により分離が容易なため、同一の
リードフレームでより多くの半導体装置を生産すること
ができる点にある。また小型の安価な半導体装置に適し
ており鉄系の熱膨張の少ないフレーム材に適した構造で
ある。
ーミナルランドフレームは、連結部６６、ダイパッド部
６７、ランド部６８、固定部６９より構成され、段差部
や溝部を組み合わせた構造を示している。本実施形態の
ターミナルランドフレームは、ランド部６８の断面構造
において、段差部７２を配し、さらにそのランド部６８
の上面には溝部７０が配された信頼性の高い形状であ
る。また同様に固定部６９の樹脂充填部７３にはポリイ
ミド等の樹脂が充填され、樹脂封止により封止樹脂が底
面から漏れるのを防止している。また固定部６９には封
止後のピーリングにより剥がしやすくするために、ラン
ド部６８、ダイパッド部６７の下面の周囲に溝部７１の
加工を施している。なお、本実施形態ではランド部６８
の配列を２列とした例を示しており、また連結部６６は
低く、すなわち厚みを薄くし、実質的に連結部を排除し
た構造であり、分離が容易なように、連結部６６の下面
には、溝部７６を配している。この特徴は、連結部６６
が薄く、また溝部７６により分離が容易なため、同一の
リードフレームでより多くの半導体装置を生産すること
ができる点にある。また小型の安価な半導体装置に適し
ており鉄系の熱膨張の少ないフレーム材に適した構造で
ある。
【０１４１】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法の変形形態の一例として、ダイパッド部、
ランド部に溝部と段差部とを有したターミナルランドフ
レームの製造方法について図面を参照しながら説明す
る。
ムの製造方法の変形形態の一例として、ダイパッド部、
ランド部に溝部と段差部とを有したターミナルランドフ
レームの製造方法について図面を参照しながら説明す
る。
【０１４２】図５３〜図５９は本実施形態のターミナル
ランドフレームの製造方法を示す断面図であり、工程順
に示している。
ランドフレームの製造方法を示す断面図であり、工程順
に示している。
【０１４３】まず図５３に示すように、第１の工程とし
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板７７に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜７８
を塗布して、エッチングレジスト膜７８ａ，７８ｂを形
成する。
て、フレームを構成する銅材等よりなる金属板７７に対
して、上面と下面にそれぞれエッチングレジスト膜７８
を塗布して、エッチングレジスト膜７８ａ，７８ｂを形
成する。
【０１４４】次に図５４に示すように、第２の工程とし
て、エッチングレジスト膜７８ａの所定の領域をそれぞ
れ除去して、開口部７９ａ，７９ｂを形成する。
て、エッチングレジスト膜７８ａの所定の領域をそれぞ
れ除去して、開口部７９ａ，７９ｂを形成する。
【０１４５】次に図５５に示すように、第３の工程とし
て、金属板の開口部７９ａ，７９ｂを片面よりエッチン
グして、少なくとも固定部８０を薄く加工することによ
り、ランド部８１と、ダイパッド部８２、および連結部
８３とを形成する。
て、金属板の開口部７９ａ，７９ｂを片面よりエッチン
グして、少なくとも固定部８０を薄く加工することによ
り、ランド部８１と、ダイパッド部８２、および連結部
８３とを形成する。
【０１４６】次に図５６に示すように、第４の工程とし
て、前工程までのエッチングレジスト膜を除去後、第３
の工程で加工した金属板７７のランド部８１と、ダイパ
ッド部８２、および連結部８３の上面と、下面にそれぞ
れ新たにエッチングレジスト膜８４を塗布して、エッチ
ングレジスト膜８４ａ，８４ｂを形成する。ここではラ
ンド部８１上面に溝部を形成するために、ランド部８１
上面のエッチングレジスト膜８４ａに開口部８５を設
け、また金属板７７の下面のエッチングレジスト膜８４
ｂにも、ランド部８１、ダイパッド部８２の段差を形成
する位置に開口部８５を設けている。
て、前工程までのエッチングレジスト膜を除去後、第３
の工程で加工した金属板７７のランド部８１と、ダイパ
ッド部８２、および連結部８３の上面と、下面にそれぞ
れ新たにエッチングレジスト膜８４を塗布して、エッチ
ングレジスト膜８４ａ，８４ｂを形成する。ここではラ
ンド部８１上面に溝部を形成するために、ランド部８１
上面のエッチングレジスト膜８４ａに開口部８５を設
け、また金属板７７の下面のエッチングレジスト膜８４
ｂにも、ランド部８１、ダイパッド部８２の段差を形成
する位置に開口部８５を設けている。
【０１４７】次に図５７に示すように、第５工程とし
て、金属板７７の上下面から所定の領域をそれぞれエッ
チングして、ランド部８１に溝部８６と段差部８７、ダ
イパッド部８２に段差部８７をそれぞれ形成する。
て、金属板７７の上下面から所定の領域をそれぞれエッ
チングして、ランド部８１に溝部８６と段差部８７、ダ
イパッド部８２に段差部８７をそれぞれ形成する。
【０１４８】次に図５８に示すように、第６工程とし
て、金属板７７の両面のエッチングレジスト膜を除去し
て、ランド部８１に溝部８６と段差部８７、ダイパッド
部８２に段差部８７をそれぞれ有したターミナルランド
フレームを得る。なお、通常、この段階後には、メッキ
法によりメッキを行い、例えば、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ
層を積層するが、図示は省略した。
て、金属板７７の両面のエッチングレジスト膜を除去し
て、ランド部８１に溝部８６と段差部８７、ダイパッド
部８２に段差部８７をそれぞれ有したターミナルランド
フレームを得る。なお、通常、この段階後には、メッキ
法によりメッキを行い、例えば、Ｎｉ層、Ｐｄ層、Ａｕ
層を積層するが、図示は省略した。
【０１４９】次に、図５９に示すように、第７の工程と
して、固定部８０のエッチングにより開口した部分に対
して、樹脂により密閉し、樹脂充填部８８を形成する。
例えば、ポリイミド、ポリカーボネート等を主成分とす
る樹脂をベースとした耐熱性があり、熱硬化あるいは紫
外線硬化型の樹脂により、開口した部分を密閉して充填
封止する。なお、樹脂充填部８８は、形成したターミナ
ルランドフレームに対して半導体素子を搭載し、樹脂封
止型半導体装置を構成した後、ターミナルランドフレー
ムとともに剥がすものであるため、樹脂としては容易に
剥がれるものであればよい。
して、固定部８０のエッチングにより開口した部分に対
して、樹脂により密閉し、樹脂充填部８８を形成する。
例えば、ポリイミド、ポリカーボネート等を主成分とす
る樹脂をベースとした耐熱性があり、熱硬化あるいは紫
外線硬化型の樹脂により、開口した部分を密閉して充填
封止する。なお、樹脂充填部８８は、形成したターミナ
ルランドフレームに対して半導体素子を搭載し、樹脂封
止型半導体装置を構成した後、ターミナルランドフレー
ムとともに剥がすものであるため、樹脂としては容易に
剥がれるものであればよい。
【０１５０】以上の工程により、図５９に示すようなラ
ンド部８１、ダイパッド部８２および連結部８３が薄厚
の固定部８０上に形成され、かつランド部８１が段差部
８７と上面に溝部８６を有し、ダイパッド部８２が段差
部８７を有し、また開口した固定部８０間が樹脂充填部
でふさがれたターミナルランドフレームを得ることがで
きる。
ンド部８１、ダイパッド部８２および連結部８３が薄厚
の固定部８０上に形成され、かつランド部８１が段差部
８７と上面に溝部８６を有し、ダイパッド部８２が段差
部８７を有し、また開口した固定部８０間が樹脂充填部
でふさがれたターミナルランドフレームを得ることがで
きる。
【０１５１】次に本実施形態のターミナルランドフレー
ムを用いた樹脂封止型半導体装置の変形形態について図
面を参照しながら説明する。
ムを用いた樹脂封止型半導体装置の変形形態について図
面を参照しながら説明する。
【０１５２】図６０〜図６３は本実施形態の樹脂封止型
半導体装置を示す断面図であり、断面構造は、前述同様
に半導体素子、ランド部、ダイパッド部を切断した領域
を含む部分を示している。
半導体装置を示す断面図であり、断面構造は、前述同様
に半導体素子、ランド部、ダイパッド部を切断した領域
を含む部分を示している。
【０１５３】まず図６０に示す形態の樹脂封止型半導体
装置は、フレーム枠の領域内であって、そのフレーム枠
の厚みと同厚の連結部と、連結部の領域内であって連結
部の厚みよりも極めて薄く加工され、底面部を構成する
固定部と、固定部の中央部領域に形成された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、そのダイパッド部に対してそ
の周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体
装置を構成した際は、その露出面が外部端子となるエリ
ア配置のランド部とより構成されたターミナルランドフ
レームよりなる電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置
であり、ダイパッド部８９と、そのダイパッド部８９上
に接着剤９０により接合された半導体素子９１と、その
半導体素子９１と金属細線９２により電気的に接続され
たランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９１、金属細
線９２、およびダイパッド部８９、ランド部９３ａ，９
３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構成されてい
る。
装置は、フレーム枠の領域内であって、そのフレーム枠
の厚みと同厚の連結部と、連結部の領域内であって連結
部の厚みよりも極めて薄く加工され、底面部を構成する
固定部と、固定部の中央部領域に形成された半導体素子
搭載用のダイパッド部と、そのダイパッド部に対してそ
の周囲に配置された信号接続用リード部であり、半導体
装置を構成した際は、その露出面が外部端子となるエリ
ア配置のランド部とより構成されたターミナルランドフ
レームよりなる電極底面露出型の樹脂封止型半導体装置
であり、ダイパッド部８９と、そのダイパッド部８９上
に接着剤９０により接合された半導体素子９１と、その
半導体素子９１と金属細線９２により電気的に接続され
たランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９１、金属細
線９２、およびダイパッド部８９、ランド部９３ａ，９
３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構成されてい
る。
【０１５４】そして本実施形態では、ランド部９３の上
面には、溝部９５が設けられており、封止樹脂９４との
密着性を高めていることに加えて、金属細線９２の接続
部分に印加する応力を緩和する機能を有している。すな
わち、金属細線９２のランド部９３ａ，９３ｂの上面へ
の接続において、その接続箇所は、溝部９５と溝部９５
との間に接続するものであり、この構造により、封止樹
脂９４による熱応力が発生しても、溝部９５が応力を吸
収するため、金属細線９２の接続部分への応力印加は低
減し、金属細線９２の外れなどの接続不良を防止できる
ものである。
面には、溝部９５が設けられており、封止樹脂９４との
密着性を高めていることに加えて、金属細線９２の接続
部分に印加する応力を緩和する機能を有している。すな
わち、金属細線９２のランド部９３ａ，９３ｂの上面へ
の接続において、その接続箇所は、溝部９５と溝部９５
との間に接続するものであり、この構造により、封止樹
脂９４による熱応力が発生しても、溝部９５が応力を吸
収するため、金属細線９２の接続部分への応力印加は低
減し、金属細線９２の外れなどの接続不良を防止できる
ものである。
【０１５５】次に図６１に示す形態の樹脂封止型半導体
装置は、同様にダイパッド部８９と、そのダイパッド部
８９上に接着剤９０により接合された半導体素子９１
と、その半導体素子９１と金属細線９２により電気的に
接続されたランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９
１、金属細線９２、およびダイパッド部８９、ランド部
９３ａ，９３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構
成されている。そして、ランド部９３ａ，９３ｂおよび
ダイパッド部８９は、その断面構造において段差部９６
を有しており、封止樹脂９４との密着性を高めた構造を
有している。すなわち、ダイパッド部８９、ランド部９
３ａ，９３ｂの上面の面積が、封止樹脂９４から露出し
た底面の面積よりも大きく、この構造により、封止樹脂
９４とランド部９３ａ，９３ｂ、ダイパッド部８９との
食いつきを良好にし、密着性を向上させることができ、
基板実装の際の接続の信頼性を得ることができる。この
構成により、底面側で基板実装することができ、従来の
ようなビーム状のリードによる基板実装に比べて、実装
の信頼性を向上させることができ、ＢＧＡ型の半導体装
置と同等以上の信頼性を有するものである。
装置は、同様にダイパッド部８９と、そのダイパッド部
８９上に接着剤９０により接合された半導体素子９１
と、その半導体素子９１と金属細線９２により電気的に
接続されたランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９
１、金属細線９２、およびダイパッド部８９、ランド部
９３ａ，９３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構
成されている。そして、ランド部９３ａ，９３ｂおよび
ダイパッド部８９は、その断面構造において段差部９６
を有しており、封止樹脂９４との密着性を高めた構造を
有している。すなわち、ダイパッド部８９、ランド部９
３ａ，９３ｂの上面の面積が、封止樹脂９４から露出し
た底面の面積よりも大きく、この構造により、封止樹脂
９４とランド部９３ａ，９３ｂ、ダイパッド部８９との
食いつきを良好にし、密着性を向上させることができ、
基板実装の際の接続の信頼性を得ることができる。この
構成により、底面側で基板実装することができ、従来の
ようなビーム状のリードによる基板実装に比べて、実装
の信頼性を向上させることができ、ＢＧＡ型の半導体装
置と同等以上の信頼性を有するものである。
【０１５６】次に図６２に示す形態の樹脂封止型半導体
装置は、同様にダイパッド部８９と、そのダイパッド部
８９上に接着剤９０により接合された半導体素子９１
と、その半導体素子９１と金属細線９２により電気的に
接続されたランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９
１、金属細線９２、およびダイパッド部８９、ランド部
９３ａ，９３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構
成されている。そして、ランド部９３ａ，９３ｂは、段
差部９６およびその上面に溝部９５を有しており、封止
樹脂９４との密着性を高めた構造を有している。すなわ
ち、図６０に示した樹脂封止型半導体装置のランド部、
ダイパッド部の構造と、図６１に示した樹脂封止型半導
体装置のランド部、ダイパッド部の構造とを組み合わせ
た構造であり、封止樹脂９４とランド部９３ａ，９３
ｂ、ダイパッド部８９との密着性は飛躍的に向上し、パ
ッケージとして信頼性を有するものである。
装置は、同様にダイパッド部８９と、そのダイパッド部
８９上に接着剤９０により接合された半導体素子９１
と、その半導体素子９１と金属細線９２により電気的に
接続されたランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９
１、金属細線９２、およびダイパッド部８９、ランド部
９３ａ，９３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構
成されている。そして、ランド部９３ａ，９３ｂは、段
差部９６およびその上面に溝部９５を有しており、封止
樹脂９４との密着性を高めた構造を有している。すなわ
ち、図６０に示した樹脂封止型半導体装置のランド部、
ダイパッド部の構造と、図６１に示した樹脂封止型半導
体装置のランド部、ダイパッド部の構造とを組み合わせ
た構造であり、封止樹脂９４とランド部９３ａ，９３
ｂ、ダイパッド部８９との密着性は飛躍的に向上し、パ
ッケージとして信頼性を有するものである。
【０１５７】次に図６３に示す形態の樹脂封止型半導体
装置は、同様にダイパッド部８９と、そのダイパッド部
８９上に接着剤９０により接合された半導体素子９１
と、その半導体素子９１と金属細線９２により電気的に
接続されたランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９
１、金属細線９２、およびダイパッド部８９、ランド部
９３ａ，９３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構
成されている。そしてランド部９３ａ，９３ｂは、その
断面形状において、両面に段差部９６を有した構造であ
り、ダイパッド部８９も段差部９６を有した構造であっ
て、封止樹脂９４とランド部９３ａ，９３ｂ、ダイパッ
ド部８９との密着性は飛躍的に向上し、パッケージとし
て信頼性を有するものである。
装置は、同様にダイパッド部８９と、そのダイパッド部
８９上に接着剤９０により接合された半導体素子９１
と、その半導体素子９１と金属細線９２により電気的に
接続されたランド部９３ａ，９３ｂと、半導体素子９
１、金属細線９２、およびダイパッド部８９、ランド部
９３ａ，９３ｂの一部を封止した封止樹脂９４とより構
成されている。そしてランド部９３ａ，９３ｂは、その
断面形状において、両面に段差部９６を有した構造であ
り、ダイパッド部８９も段差部９６を有した構造であっ
て、封止樹脂９４とランド部９３ａ，９３ｂ、ダイパッ
ド部８９との密着性は飛躍的に向上し、パッケージとし
て信頼性を有するものである。
【０１５８】以上、本実施形態のターミナルランドフレ
ームは、エッチングにより本体厚よりも極めて薄い厚み
の固定部を構成するとともに、外部端子を構成するラン
ド部、半導体素子を搭載するダイパッド部もしくはポス
ト部をフレーム体として構成することにより、半導体素
子を搭載し、樹脂封止後にはフレームを引き剥がすこと
によって、ダイパッド部、ランド部を半導体素子ととも
に封止樹脂の領域内に密着して残したまま、余分なフレ
ーム材を分離することができるものである。その結果、
樹脂封止後は引き剥がしの工程により、パッケージ底面
にスタンドオフを有したランド電極が配列した樹脂封止
型半導体装置を得ることができ、画期的な構造ととも
に、従来のようなリード成形等の工程を削除した画期的
な製造工法を実現できるものである。
ームは、エッチングにより本体厚よりも極めて薄い厚み
の固定部を構成するとともに、外部端子を構成するラン
ド部、半導体素子を搭載するダイパッド部もしくはポス
ト部をフレーム体として構成することにより、半導体素
子を搭載し、樹脂封止後にはフレームを引き剥がすこと
によって、ダイパッド部、ランド部を半導体素子ととも
に封止樹脂の領域内に密着して残したまま、余分なフレ
ーム材を分離することができるものである。その結果、
樹脂封止後は引き剥がしの工程により、パッケージ底面
にスタンドオフを有したランド電極が配列した樹脂封止
型半導体装置を得ることができ、画期的な構造ととも
に、従来のようなリード成形等の工程を削除した画期的
な製造工法を実現できるものである。
【０１５９】また、本実施形態のターミナルランドフレ
ームを用いた樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂の底
面にランド部が外部端子として配列されており、そして
そのランド部は封止樹脂面から突出して配列されている
ため、基板実装時のスタンドオフを確保した構造を有し
ている。このランド部の突出、すなわちスタンドオフの
高さは、セルフで形成されるものであり、ターミナルラ
ンドフレームの固定部の厚みがそのまま段差を構成し
て、突出されるものである。すなわち、ターミナルラン
ドフレームの上面を樹脂封止して、フレームの固定部と
ダイパッド部やランド部の接続界面を破断させてフレー
ムを分離するため、別処理なくセルフで外部電極として
のランドのスタンドオフを得ることができるものであ
る。
ームを用いた樹脂封止型半導体装置では、封止樹脂の底
面にランド部が外部端子として配列されており、そして
そのランド部は封止樹脂面から突出して配列されている
ため、基板実装時のスタンドオフを確保した構造を有し
ている。このランド部の突出、すなわちスタンドオフの
高さは、セルフで形成されるものであり、ターミナルラ
ンドフレームの固定部の厚みがそのまま段差を構成し
て、突出されるものである。すなわち、ターミナルラン
ドフレームの上面を樹脂封止して、フレームの固定部と
ダイパッド部やランド部の接続界面を破断させてフレー
ムを分離するため、別処理なくセルフで外部電極として
のランドのスタンドオフを得ることができるものであ
る。
【０１６０】また、本実施形態のターミナルランドフレ
ームを用いることにより、小型の電極底面露出型の半導
体装置が得られ、従来のＱＦＰのようなリード接合によ
る実装に比べて、コープラナリテーの課題もなく基板実
装の信頼性を向上させることができる。またＢＧＡタイ
プの半導体装置のように、半田ボールを設けた母材を用
いるものでなく、固定部を有したフレーム体から半導体
装置を構成するので、耐湿性、量産性、コスト性などの
面においては、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも
有利となる。
ームを用いることにより、小型の電極底面露出型の半導
体装置が得られ、従来のＱＦＰのようなリード接合によ
る実装に比べて、コープラナリテーの課題もなく基板実
装の信頼性を向上させることができる。またＢＧＡタイ
プの半導体装置のように、半田ボールを設けた母材を用
いるものでなく、固定部を有したフレーム体から半導体
装置を構成するので、耐湿性、量産性、コスト性などの
面においては、従来のＢＧＡタイプの半導体装置よりも
有利となる。
【０１６１】さらに製品加工工程において、上述のごと
く、フレーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を
得ることができるので、従来のようなフレームからの分
離において必要であったリードカット工程、リードベン
ド工程をなくし、リードカットによる製品へのダメージ
や、カット精度の制約をなくすことができ、製造工程の
削減によってコスト力を強めた画期的な技術を提供でき
るものである。
く、フレーム本体の分離のみを行えば、容易に完成体を
得ることができるので、従来のようなフレームからの分
離において必要であったリードカット工程、リードベン
ド工程をなくし、リードカットによる製品へのダメージ
や、カット精度の制約をなくすことができ、製造工程の
削減によってコスト力を強めた画期的な技術を提供でき
るものである。
【０１６２】
【発明の効果】以上の通り、本発明のターミナルランド
フレームによると、小型の電極底面露出型の樹脂封止型
半導体装置が得られ、従来のＱＦＰのようなリード接合
による実装に比べて、コープラナリテーの課題もなく基
板実装の信頼性を向上させることができる。
フレームによると、小型の電極底面露出型の樹脂封止型
半導体装置が得られ、従来のＱＦＰのようなリード接合
による実装に比べて、コープラナリテーの課題もなく基
板実装の信頼性を向上させることができる。
【０１６３】また樹脂封止型半導体装置の製造において
は、樹脂封止後にフレーム本体の分離のみを行えば、容
易に完成体を得ることができるので、従来のようなフレ
ームからの分離において必要であった工程を排除するこ
とができ、製造工程の削減によってコスト力を強めた画
期的な技術を提供できるものである。
は、樹脂封止後にフレーム本体の分離のみを行えば、容
易に完成体を得ることができるので、従来のようなフレ
ームからの分離において必要であった工程を排除するこ
とができ、製造工程の削減によってコスト力を強めた画
期的な技術を提供できるものである。
【図１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す平面図
ムを示す平面図
【図２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムを示す断面図
ムを示す断面図
【図３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレー
ムの製造方法を示す断面図
ムの製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図１４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図１５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図１６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図１７】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図１８】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図１９】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図２０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
を示す図
【図２１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図２７】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図２８】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図２９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す斜視図
の製造方法を示す斜視図
【図３０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図３１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す平面図
ームを示す平面図
【図３２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図３３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図３４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図３５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図３６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図３７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す図
を示す図
【図３８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図３９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図４０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図４１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図４２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図４３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す断面図
の製造方法を示す断面図
【図４４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図４５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図４６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図４７】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図４８】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図４９】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図５０】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図５１】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図５２】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームを示す断面図
ームを示す断面図
【図５３】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図５４】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図５５】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図５６】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図５７】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図５８】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図５９】本発明の一実施形態のターミナルランドフレ
ームの製造方法を示す断面図
ームの製造方法を示す断面図
【図６０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図６１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図６２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図６３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置
を示す断面図
を示す断面図
【図６４】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
１ 半導体素子 ２ 接着剤 ３ 両面配線基板 ４ａ，４ｂ 配線パターン ５ スルーホール ６ 導体 ７ 電極パッド ８ 金属細線 ９ ソルダーレジスト １０ 封止樹脂 １１ 半田ボール １２ フレーム枠 １３ 連結部 １４ 固定部 １５ ダイパッド部 １６ ランド部 １７ スリット １８ 金属板 １９ａ，１９ｂ エッチングレジスト膜 ２０ａ，２０ｂ 開口部 ２１ ダイパッド部 ２２ 接着剤 ２３ 半導体素子 ２４ 金属細線 ２５ ランド部 ２６ 封止樹脂 ２７ 外部端子 ２８ ターミナルランドフレーム ２９ フレーム枠 ３０ 連結部 ３１ 固定部 ３２ ダイパッド部 ３３ａ，３３ｂ ランド部 ３４ スリット ３５ 金属板 ３６ａ，３６ｂ エッチングレジスト膜 ３７ａ，３７ｂ，３７ｃ 開口部 ３８ ダイパッド部 ３９ 接着剤 ４０ 半導体素子 ４１ 金属細線 ４２ａ，４２ｂ ランド部 ４３ 封止樹脂 ４４ａ，４４ｂ 外部端子 ４５ ターミナルランドフレーム ４６ ターミナルランドフレーム ４７ カッター刃 ４８ 半導体素子 ４９ フレーム枠 ５０ 連結部 ５１ 固定部 ５２ ポスト部 ５３ａ，５３ｂ ランド部 ５４ スリット ５５ 金属板 ５６ａ，５６ｂ エッチングレジスト膜 ５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄ 開口部 ５８ ポスト部 ５９ 接着剤 ６０ 半導体素子 ６１ 金属細線 ６２ａ，６２ｂ ランド部 ６３ 封止樹脂 ６４ａ，６４ｂ 外部端子 ６５ ターミナルランドフレーム ６６ 連結部 ６７ ダイパッド部 ６８ ランド部 ６９ 固定部 ７０ 溝部 ７１ 溝部 ７２ 段差部 ７３ 樹脂充填部 ７４ 段差部 ７５ 段差部 ７６ 溝部 ７７ 金属板 ７８ａ，７８ｂ エッチングレジスト膜 ７９ａ，７９ｂ 開口部 ８０ 固定部 ８１ ランド部 ８２ ダイパッド部 ８３ 連結部 ８４ａ，８４ｂ エッチングレジスト膜 ８５ 開口部 ８６ 溝部 ８７ 段差部 ８８ 樹脂充填部 ８９ ダイパッド部 ９０ 接着剤 ９１ 半導体素子 ９２ 金属細線 ９３ａ，９３ｂ ランド部 ９４ 封止樹脂 ９５ 溝部 ９６ 段差部
Claims (7)
- 【請求項１】 フレーム枠の領域内であって、そのフレ
ーム枠の厚みと同厚の連結部と、連結部の領域内であっ
て連結部の厚みよりも極めて薄く加工され、底面部を構
成する固定部と、固定部の中央部領域に形成された半導
体素子搭載用のダイパッド部と、そのダイパッド部に対
してその周囲に配置された信号接続用リード部であり、
半導体装置を構成した際は、その露出面が外部端子とな
るランド部とよりなるターミナルランドフレームより構
成された樹脂封止型半導体装置であって、ダイパッド部
と、前記ダイパッド部上に接着剤により接合された半導
体素子と、前記半導体素子の電極と金属細線により電気
的に接続されたランド部と、前記半導体素子、前記金属
細線、前記ダイパッド部、前記ランド部の一部を封止し
た封止樹脂とよりなり、前記ランド部は、その底面が前
記封止樹脂の面から前記ターミナルランドフレームの固
定部の厚み分だけ突出して設けられていることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項２】 フレーム枠の領域内であって、そのフレ
ーム枠の厚みと同厚の連結部と、連結部の領域内であっ
て連結部の厚みよりも極めて薄く加工され、底面部を構
成する固定部と、固定部の中央部領域に形成された半導
体素子搭載用のダイパッド部と、そのダイパッド部に対
してその周囲に複数列を構成して配置された信号接続用
リード部であり、半導体装置を構成した際は、その露出
面が外部端子となるエリア配置のランド部とよりなるタ
ーミナルランドフレームより構成された樹脂封止型半導
体装置であって、ダイパッド部と、前記ダイパッド部上
に接着剤により接合された半導体素子と、前記半導体素
子と金属細線により電気的に接続された複数のランド部
と、前記半導体素子、前記金属細線、前記ダイパッド
部、前記ランド部の一部を封止した封止樹脂とよりな
り、前記ランド部は、その底面が前記封止樹脂の面から
前記ターミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ突
出して設けられ、前記封止樹脂の面に複数列を構成して
エリア状に配置されていることを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - 【請求項３】 ランド部の上面には複数の溝部が設けら
れ、半導体素子の電極と接続した金属細線は前記ランド
部の上面の前記溝部と溝部との間に接続されていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の樹脂封止
型半導体装置。 - 【請求項４】 ランド部はその断面形状において段差部
を有していることを特徴とする請求項１または請求項２
に記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項５】 フレーム枠の領域内であって、そのフレ
ーム枠の厚みと同厚の連結部と、連結部の領域内であっ
て連結部の厚みよりも極めて薄く加工され、底面部を構
成する固定部と、固定部の中央部領域に形成された半導
体素子搭載用のダイパッド部と、そのダイパッド部に対
してその周囲に配置された信号接続用リード部であり、
半導体装置を構成した際は、その露出面が外部端子とな
るランド部とよりなるターミナルランドフレームを用意
する工程と、前記ダイパッド部上に接着剤を介して半導
体素子を接着する工程と、前記半導体素子の電極と前記
ランド部とを金属細線で接続する工程と、前記半導体素
子、前記ダイパッド部、前記金属細線、前記ランド部の
領域を含む前記ターミナルランドフレームの上面を封止
樹脂により封止する工程と、前記ターミナルランドフレ
ームの前記固定部と前記ダイパッド部との界面と前記固
定部と前記ランド部との界面と前記固定部と前記連結部
との界面に対して破断力を印加し、前記ターミナルラン
ドフレームと前記封止樹脂により封止された部分とを分
離して、前記ランド部がその底面は前記封止樹脂の面か
ら前記ターミナルランドフレームの固定部の厚み分だけ
突出して設けられている樹脂封止型半導体装置を得る工
程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 - 【請求項６】 ターミナルランドフレームの固定部とダ
イパッド部との界面と固定部とランド部との界面と固定
部と連結部との界面に対して破断力を印加する手段は、
ターミナルランドフレーム自体を引き剥がすピールオフ
手段であることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止
型半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 ターミナルランドフレームの固定部とダ
イパッド部との界面と固定部とランド部との界面と固定
部と連結部との界面に対して破断力を印加する手段は、
ターミナルランドフレーム自体を固定し、前記ダイパッ
ド部および前記ランド部に対して突き上げ力を印加して
封止樹脂で封止した部分を押し上げる手段であることを
特徴とする請求項５に記載の樹脂封止型半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32053698A JP3503502B2 (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32053698A JP3503502B2 (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150707A true JP2000150707A (ja) | 2000-05-30 |
| JP3503502B2 JP3503502B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=18122540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32053698A Expired - Fee Related JP3503502B2 (ja) | 1998-11-11 | 1998-11-11 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3503502B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404062B1 (ko) * | 2000-05-24 | 2003-11-03 | 산요덴키가부시키가이샤 | 판상체 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR100491657B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2005-05-27 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 리드 프레임, 이를 사용하는 반도체 디바이스 및 반도체디바이스의 제조 방법 |
| JP2012134563A (ja) * | 2012-04-06 | 2012-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材 |
-
1998
- 1998-11-11 JP JP32053698A patent/JP3503502B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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