JP4577309B2 - 樹脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置 - Google Patents
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Description
従来技術
また、本発明は従来のような樹脂タブレットを不要とし、インラインで賦形を行い、樹脂の廃棄量を減らして生産性の向上と樹脂の有効活用とを図ることができる樹脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置を提供することにある。
[1](1)粉末状又は顆粒状の樹脂組成物を計量ポットに供給して計量する工程、(2)前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記樹脂組成物を送り込む工程、(3)攪拌用プランジャの先端から突出させた攪拌棒の回転で、前記攪拌ポット内の前記樹脂組成物を攪拌溶融させる工程、(4)攪拌溶融された前記樹脂組成物を取り出しパッケージ形状に加圧して賦形する工程、(5)半導体チップ又は電子部品が装着されているリードフレーム又はテープ基板を、加熱装置を有する成形金型の上型キャビティに装着する工程、(6)賦形された前記樹脂組成物を前記成形金型の下型キャビティ内の圧縮用プランジャに装着する工程、(7)前記成形金型を型締めした後、前記圧縮用プランジャを加圧して前記樹脂組成物を成形硬化させることにより、前記半導体チップ又は電子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して一体成形物とする工程、(8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す工程を含み、前記工程(4)において賦形される樹脂組成物は、下型キャビティの底成形面の外形形状から、0.1〜0.5mmの範囲内で小さく実質的に相似形状に賦形することを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[2]前記工程(3)において、前記樹脂組成物を攪拌溶融させる際の加熱装置を有する攪拌ポットの温度が80℃〜120℃の範囲内である第[1]項記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[3]前記工程(3)において、前記樹脂組成物を攪拌溶融させる時間が10秒〜50秒の範囲内である第[1]又は[2]項記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[4]前記工程(4)において、前記樹脂組成物を加圧して賦形する金型温度が50℃〜100℃の範囲内であり、加圧力(賦形圧力)が9.8KN〜39.2KNの範囲内である第[1]ないし[3]項のいずれかに記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[5]前記工程(4)において賦形される樹脂組成物の一面の面積は、前記下型キャビティの底成形面の面積に対して、90%以上であることを特徴とする第[1]ないし[4]項のいずれかに記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[6]第[1]〜[5]項のいずれかに記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法により得られた樹脂封止型半導体パッケージは、底面に形成された圧縮用プランジャーの先端面の外形形状に沿った凹凸線の枠内でダイシングすることを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージの製造方法、
[7](1)粉末状又は顆粒状の樹脂組成物を計量ポットに供給して計量する計量装置、(2)前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記樹脂組成物を送り込む樹脂供給装置、(3)攪拌用プランジャの先端から突出させた攪拌棒の回転で、前記攪拌ポット内の前記樹脂組成物を攪拌溶融させる攪拌溶融装置、(4)攪拌溶融された前記樹脂組成物を取り出しパッケージ形状に加圧して賦形する賦形装置、(5)半導体チップ又は電子部品が装着されているリードフレーム又はテープ基板を、加熱装置を有する成形金型の上型キャビティに装着する被封止体装着装置、(6)賦形された前記樹脂組成物を前記成形金型の下型キャビティ内の圧縮用プランジャに装着する封止樹脂装着装置、(7)前記成形金型を型締めした後、前記圧縮用プランジャを加圧して前記樹脂組成物を成形硬化させることにより、前記半導体チップ又は電子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して一体成形物とする封止装置、(8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す取出装置を有し、前記工程(4)において賦形される樹脂組成物は、下型キャビティの底成形面の外形形状から、0.1〜0.5mmの範囲内で小さく実質的に相似形状に賦形されることを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージの製造装置、である。
[図2]図1の下型のX−X線で切断した場合の断面図である。
[図3]封止成形装置の側面概略説明図である。
[図4]図3のA矢視図である。
[図5]図3のB矢視図である。
[図6]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の賦形の要部を示す正面図である。
[図7]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の賦形の一工程である賦形樹脂FRの状況を説明する説明図である。
[図8]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の封止の一工程である賦形樹脂装着工程を断面により説明する説明図である。
[図9]本発明の実施の形態に係る封止成形装置の封止の一工程である圧縮成形工程を断面により説明する説明図である。
[図10]図9により成形された成形品の形状を説明するための下型1を型開きした状態を平面により説明する説明図である。
[図11]本発明の実施の形態に係る封止成形装置による封止の一工程である取出工程を説明する説明図である。
[図12]本発明の実施例に係る封止成形装置の賦形樹脂FRの外形形状と樹脂封止型半導体パッケージの封止部の形状を対比説明する図である。
[図13]本発明の実施例に係る封止成形装置の賦形樹脂FRの外形形状と樹脂封止型半導体パッケージの封止部の形状を対比説明する図である。
[図14]本発明の実施例に係る封止成形装置の賦形樹脂FRの外形形状と樹脂封止型半導体パッケージの封止部の形状を対比説明する図である。
[図15]従来の封止成形装置による封止の工程を断面により説明する説明図である。
本発明において、従来のトランスファ成形方法やシート状の樹脂を投入する圧縮成形方法に比較してワイヤー流れの発生し難い成形方法及び成形装置の好適な一例は、例えば、特開2001−341155号公報に詳細に述べられている「樹脂材料の供給装置及び方法」の発明を応用することができる。
また、本発明においては、前記供給ユニットにおいて加熱攪拌された樹脂組成物は、更に後述する製造装置内に組み込まれた賦形装置でパッケージ形状に加圧して賦形された状態で樹脂受入部7に供給するインローダを備えている。封止装置(圧縮成形装置)は、この賦形された樹脂組成物をインローダから樹脂受入部7に受け入れた後、型締めされ、圧縮用プランジャ3を所定位置まで上昇させることにより樹脂組成物が加熱硬化される間に被封止体が封止される。このような樹脂封止型半導体パッケージの製造方法及び製造装置によれば、従来方法であるトランスファ成形方法やシート状、或いは樹脂チップを投入する圧縮成形方法に比較してワイヤー流れの発生し難いという効果を得ることができる。
図4に示す計量ユニット21は、ホッパ22に貯留された粉末状樹脂Rをスクリュ24を回転させることにより計量管24a内に導き、更にこの計量管24a内でのスクリュ24の回転により計量して、複数個並べられた計量ポット25内にそれぞれ順次装填させるものである。
図5に示す攪拌ユニット31は、計量された粉末状樹脂Rを、計量ポット25と加熱装置を有する攪拌ポット32との間で授受させ、この攪拌ポット32に、攪拌棒37aを先端から突出させたプランジャ37を装着させ回転させて、攪拌溶融させるものである。
図6に示す賦形ユニット83は、攪拌溶融された樹脂組成物MR(以下、溶融樹脂MRという。)を取り出して賦形用ウス80内に投入し、キネ81を介して油圧プレス82で加圧して樹脂組成物MRをパッケージ形状に賦形するものである。
ここで、樹脂封止型半導体の封止部の外形形状は、キャビティ成形部(モールド部)4の側面4bの形状に規制されている。そこで、本発明においては、賦形用ウス80の内側面は、樹脂封止型半導体パッケージの封止部の外形形状と実質的に同一形状に形成されている。ここで、実質的に同一形状とは、賦形された樹脂組成物(以下、賦形樹脂FRという。)の外形形状が、樹脂封止型半導体パッケージの封止部の外形形状(封止形状)と実質的に同一形状であることを意味している。本発明においては、賦形樹脂FRの形状を樹脂封止型半導体パッケージの封止部の封止形状と実質的に同一形状とすることにより、封止工程での樹脂の流れが平面方向へ流れることを極力抑えることにより、ワイヤー流れを抑制している。
図8に示す移動ユニット85は、製造装置内に組み込まれたインローダで賦形された樹脂組成物FRを成形金型61に向けて移動させ、賦形樹脂FRを樹脂受入部7に供給する。下型61Bには下型キャビティブロック1が交換可能にセットされ、この下型キャビティブロック1の樹脂受入部7の上に移動ユニット85により賦形樹脂FRが到達した時点で、移動ユニット85に装着した吸着パッド86の吸着を停止させることにより、賦形樹脂FRは樹脂受入部7に供給される。
ここで、この圧縮用プランジャ3の先端面3aは、製品としての樹脂封止型半導体パッケージの封止部の表面Paの外形形状に実質的に相似形状になるように設計されている。ここで、実質的に相似形状とは、相似形状を含み、さらに、例えば、コーナー部の形状に曲率(アール)を設けるなどの改良設計を含んでいる。これにより、圧縮プランジャ3の先端面3aが底面4aと同一高さであるとき、下型キャビティ部はモールド部4と等しくなる。
計量工程とは、計量ユニット21により、ホッパ22に供給された粉末状樹脂Rを計量ポット25に供給する工程である。
この工程では、図4に示すように、樹脂組成物供給口22aからホッパ22に供給された粉末状樹脂Rは、ホッパ22内で計量用モータ23の作動で回転しているスクリュ24の周囲で同様に回転している回転ディスク22bから吊るされた崩しピン22cによって、ブリッジを形成することなく崩され、スクリュ24に噛み込み易く十分に供給され定量供給される。このスクリュ24が計量管24aの中で、所定の回転数で回転することにより粉末状樹脂Rの所定量が計量されつつ、計量部21Aからポット部25Aの計量ポット25内に装填される。
送り用モータ27の作動で、計量部21Aは枠体29内を各計量ポット上端面25a上を移動する。これにより、全ての計量ポット25に粉末状樹脂Rが装填される(図3、図4参照)。
本発明において粉末状樹脂Rの計量方法及び計量装置は上述の計量ユニット21を用いる方法及び装置に特に限定されずに、各計量ポット25へ所定の精度で粉末状樹脂Rを計量できるものであれば何でも使用できる。例えば、一般的に用いられている計量フィーダやスパイラルフィーダなどの定量供給機も利用することができる。
樹脂搬送工程とは、計量ポット25から加熱装置を有する攪拌ポットに粉末状樹脂Rを送り込む工程である。
この工程では、図3及び〜図5に示すように、上述の計量工程において各計量ポット25に粉末状樹脂Rが装填されると、ポット移動用シリンダ28を作動させてポット部25Aを移動させると共に、ポット移動用モータ33を作動させて攪拌ポット32を迎えるように移動させる。ついで、計量ポット25の下部で開閉用シリンダ26を作動させてシャッタ板26aを開き、計量ポット25から攪拌ポット32へと計量された粉末状樹脂Rを授受する。つづけて、ポット移動用モータ33を元の位置まで戻るように移動させて、攪拌ポット32をプランジャ37下に位置させる。
攪拌溶融工程とは、攪拌プランジャの先端から突出させた攪拌棒の回転で、攪拌ポット内の粉末状樹脂Rを溶融させて溶融樹脂MRを取り出す工程である。
この工程では、図3に示す攪拌棒用シリンダ36aを作動させて、図5に示すように、攪拌棒37aをプランジャ37の先端より突出させ、つづけて、ギア38aを軸着させた攪拌用モータ38を作動させ、各プランジャ37に軸着させた各ギア38bを介して、プランジャ37を回転させて加熱装置を有する攪拌ポット32内の粉末状樹脂Rを攪拌して溶融させる。
攪拌溶融時間が10秒よりも短い時間では、粉末状樹脂Rが十分に溶融せず、従って、攪拌時の攪拌棒回転トルクを高くすることが必要となる。このために攪拌用のモータ容量を大きくする必要が生じて、結果として装置全体のコンパクト化ができないという欠点が発生する。さらに、生産性、品質面でも攪拌ポット温度の低い場合と同様の問題が発生する。一方、攪拌溶融時間が50秒よりも長い時間では、攪拌溶融状態は良好であり、硬化時間の短縮も図れるが、溶融樹脂の熱安定性が悪くなり、硬化が促進されてゲル化が進むことがある。これにより、封止成形体の充填不良やボイドの多発、ワイヤー流れ等、品質、連続生産性に支障をきたすこととなる。
賦形工程とは、溶融樹脂MRを取り出しパッケージ形状に加圧して賦形して賦形樹脂とする工程である。
この工程では、攪拌ポット32内で攪拌溶融された溶融樹脂MRを取り出し、図6、図7に示すように、賦形用ウス80及び加熱装置を有する受台84内に投入させ、油圧プレス82に連結されたキネ81を介して加圧しながら溶融樹脂MRを半導体パッケージ形状に賦形して賦形樹脂FRとする。
ここで、賦形圧力が下限値を下回る場合では、パッケージ形状に賦形することが困難になり、特にコーナー部に大幅な未充填状態が発生する場合がある。賦形温度を上昇させることによりパッケージ形状への賦形は可能となるが、賦形温度を高めることは上述の問題を発生させる。一方、賦形圧力が上限値を越える場合には、油圧プレスの加圧力アップが必要となりコンパクト化の阻害要因となる。
ここで、本発明においてパッケージ形状とは、キャビティ成形部(モールド部)4の形状により規制される樹脂封止型半導体パッケージの封止部の封止形状を意味している。そして、本発明においては、賦形樹脂FRの外形形状が、この樹脂封止型半導体パッケージの封止部の封止形状と実質的に同一形状であることが好ましい。
ここで、この賦形樹脂FRは、樹脂受入部7への装着が可能である必要がある。そこで、実際には、この賦形樹脂FRの外形形状は、この樹脂受入部7への装着を考慮して、例えば、成形プランジャの先端面3aの外形形状から僅かに小さく設計する必要がある。これにより、本発明におけるパッケージ形状と実質的に同一とは、例えば、樹脂封止型半導体パッケージの封止部の外形形状から0.1〜0.5mmの範囲内で小さく、実質的に相似形状に設計されたもの、及び封止部の表面3a´の面積に対して賦形樹脂FRの一面の面積が90%以上であることが好ましい。
フレーム装着工程とは、半導体チップH(又は電子部品)が装着されているリードフレーム又はテープ基板Fなどの被封止体を、加熱装置を有する成形金型の上型キャビティに装着する工程である。
この工程では、図8に示すように、半導体チップH(又は電子部品)が装着されているテープ基板F(又はリードフレーム)の集積・整列・搬出を行うインローダ(不図示)を介して上型61Aに装着された上型キャビティブロック2の表面上に被封止体としてのテープ基板Fを装着する。この際のテープ基板F(又はリードフレーム63a)の保持手段は特には限定されずに、例えば、不図示の真空吸引やメカニカルセット等を利用することができる。
賦形樹脂装着工程とは、賦形樹脂FRを下型キャビティ内の圧縮用プランジャに装着する工程である。
この工程では、図8に示すように、賦形樹脂FRを成形金型61に向けて移動させる移動ユニット85と、下型61Bに交換可能にセットされた下型キャビティブロック1の樹脂受入部7に賦形樹脂FRが位置した時点で、移動ユニット85に装着した吸着パッド86を作動させて、賦形樹脂FRを樹脂受入部7に装着する。
圧縮工程とは、金型を型締めした後、圧縮用プランジャを加圧して賦形樹脂FRを成形硬化させることにより、半導体チップ又は電子部品並びにテープ基板又はリードフレームを封止して一体成形する工程である。
この工程では、上型キャビティブロック2または下型キャビティブロック1の少なくとも一方を昇降させて型締めを行う型締機構により金型を閉じた後、図9に示すように、進退機構6を駆動させて成形プランジャ3の先端面3aを型合わせ位置(成形面)まで上昇(前進)させつつ圧縮成形を行う。
本発明に係る圧縮成形によれば、樹脂受入部7に投入される賦形樹脂FRは、加熱加圧下で賦形された直後で適度に予熱されているので、樹脂受入部7に投入直後に直ちに封止に最適な流動性を得ることができる。
ここで、この実施例では、図8、図10に示すように、圧縮用プランジャ3の先端面3aの外形状がキャビティ部4の底面4aの外形状から0.1mm〜0.5mmの範囲内で僅かに小さく設計されているので、この凹凸マーク3ab´は、装填される賦形樹脂FRの重量バラツキが、例えば、±0.1g程度の範囲内で適正に制御されていれば、実質的に製品の性能に対して影響を与えることはない。
また、特にCSP、BGAの一括成形(通称MAP)のようなパッケージでは、脱型後に、この凹凸マーク3ab´の枠内で個片にダイシングされるので、ダイシング後の各個片では、これらの凹凸マーク3ab´は反映されなくなり、実質的に製品の形状、性能に影響を及ぼさない。
取出工程とは、一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す工程である。
この工程では、硬化が終了後に型締機構により上下金型61を開放して、任意の手法により封止成形体としての製品Pを取り出す(図11参照)。製品Pを取り出すには、例えば吸着パッドなどの吸着装置を用いるが、突き出しピンや突き出しプレートを使って取り出してもよい。
また、マルチトランスファ成形で使用している樹脂タブレットを不要とし、インラインで賦形を行い、樹脂の廃棄量を減らして生産性の向上と樹脂の有効活用を図ることができ、従来の樹脂封止体のように、ランナー部等に残留したランナー、ゲート樹脂などの不要樹脂と成形品とを分離する、いわゆるゲートブレーク工程を経ずにゲートブレークされた成形品を得ることができる。
図1〜図11に示す図に従う封止成形方法及び装置の攪拌ポット1ヵ所を用いて封止成形体を成形した。封止用樹脂としては、住友ベークライト株式会社製のエポキシ樹脂成形材料スミコン「EME−7730」(商品名)を用いた。
比較として、直径14mmのミニタブレットを使用し、図15に順ずる装置を用いて、型内予熱を4秒とし他の成形条件は同一としたマルチトランスファ成形との比較を行った。
1.未充填(ショートショット):目視で表面の未充填個所の有無を観察した。
2.外部ボイド:実体顕微鏡(×10)で表面のφ0.5mmを超える大きさのボイドの有無を観察した。
3.内部ボイド:成形品に軟X線を照射して、φ0.3mmを越える大きさのボイドの有無を観察した。
なお、表1に示す数値は、分母は観察したパッケージ個数(12チップパッケージを一括成形して1パッケージとした)であり、分子は異常が発生したパッケージ個数である。
5.樹脂廃棄率:12チップ/1フレームのパッケージにおける必要樹脂量とカル、ランナー、ゲート等を含む総樹脂量の比を%で示した。
[実施例2]
賦形樹脂FRの形状を変化させた場合の成形品の性能に及ぼす影響を確認する実施例である。
金型は、12チップ/1フレームの一括成形用(MAP)チップサイズパッケージCPSが用いられ、封止部の表面3a´は38.70×38.35mmである。また、個々の半導体デバイスHのチップサイズは略5mmであり、ボンディングワイヤーWは、25μm径、長さ3.30mmの高強度金線である。
また、賦形樹脂FRの形状を変化させるために、賦形用ウス80の大きさ及び形状を図12〜図14に示すように変化させた。ここで、プランジャ3の先端面3aは、樹脂受入部7に賦形樹脂FRが投入できる最大面積に設計した。これにより、先端面3aの外形線3abは、図中、二点鎖線で示すように、賦形樹脂FRの外形線(賦形外形線)fから、0.1+0.1mm(0.1mm〜0.2mm)の範囲内で大きくなるように設計された。
ここで、図12の実験例1では、製品外形線4ab´と一点鎖線で示した賦形樹脂FRの賦形外形線fとの間隔wが略0.3mm(プランジャ寸法37.80×37.45mm)に設計され、賦形樹脂FRの四隅FRRの曲率半径が略2mmに設計されることにより、外形線4ab(図中、製品外形線4ab´)で囲まれる領域の面積に対する賦形樹脂FRの一表面の面積比が略96.5%(実測値)になっている。
また、図13の実験例2では、同様に定義した間隔wが略0.6mm(プランジャ寸法37.70×37.35mm)に設計され、賦形樹脂FRの四隅FRRの曲率半径が略10mmに設計されることにより、外形線4ab(図中、製品外形線4ab´)で囲まれる領域の面積に対する賦形樹脂FRの一表面の面積比が略85.2%(実測値)になっている。
また、図14の実験例3では、先端面3a及び賦形樹脂FRが円形に設計され、製品外形線4ab´と賦形外形線fとの間の最小の幅wが略0.3mmに設計されることにより、外形線4ab(図中、製品外形線4ab´)で囲まれる領域の面積に対する賦形樹脂FRの一表面の面積比が76.5%(実測値)になっている。
これにより、図12に示す半導体パッケージPでは、ダイシングラインDLは四隅DLaを含めて賦形樹脂FRの賦形外形線fの枠内にあるが、図13では、ダイシングラインDLの四隅DLaは、賦形樹脂FRの四隅FRRよりもはみ出しており、また、図14では、賦形外形線fが半導体パッケージHのワイヤーWに大きく掛かっている。
成形条件としては、攪拌ポット32の温度を100℃、攪拌時間を30秒、賦形用ウス80及び賦形用受台84の温度を80℃、賦形圧力を24.5KN,圧縮用プランジャの射出圧力を9MPa、射出時間を8秒、硬化時間を100秒、金型温度(下型1、上型2の温度)を175℃として実成形を行った。
これにより、金線ボンディングされたテープ基板を金型にセットして成形し、封止された製品Pについて、実施例1と同様にして、未充填、外部ボイド、内部ボイド、ワイヤー流れを測定し、結果を表2に示した。
以上の結果から、賦形樹脂FRの形状がパッケージ形状と相似形であることにより、また、賦形樹脂の面積が、下型キャビティの底成形面の面積(製品Pの一表面の面積)に対して、90%以上であることにより、未充填、外部ボイド、内部ボイド、ワイヤー流れが軽減されていることが理解される。
Claims (7)
- (1)粉末状又は顆粒状の樹脂組成物を計量ポットに供給して計量する工程、(2)前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記樹脂組成物を送り込む工程、(3)攪拌用プランジャの先端から突出させた攪拌棒の回転で、前記攪拌ポット内の前記樹脂組成物を攪拌溶融させる工程、(4)攪拌溶融された前記樹脂組成物を取り出しパッケージ形状に加圧して賦形する工程、(5)半導体チップ又は電子部品が装着されているリードフレーム又はテープ基板を、加熱装置を有する成形金型の上型キャビティに装着する工程、(6)賦形された前記樹脂組成物を前記成形金型の下型キャビティ内の圧縮用プランジャに装着する工程、(7)前記成形金型を型締めした後、前記圧縮用プランジャを加圧して前記樹脂組成物を成形硬化させることにより、前記半導体チップ又は電子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して一体成形物とする工程、(8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す工程を含み、
前記工程(4)において賦形される樹脂組成物は、下型キャビティの底成形面の外形形状から、0.1〜0.5mmの範囲内で小さく実質的に相似形状に賦形することを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。 - 前記工程(3)において、前記樹脂組成物を攪拌溶融させる際の加熱装置を有する攪拌ポットの温度が80℃〜120℃の範囲内である請求項1記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。
- 前記工程(3)において、前記樹脂組成物を攪拌溶融させる時間が10秒〜50秒の範囲内である請求項1又は2記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。
- 前記工程(4)において、前記樹脂組成物を加圧して賦形する金型温度が50℃〜100℃の範囲内であり、加圧力が9.8KN〜39.2KNの範囲内である請求項1ないし3のいずれかに記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。
- 前記工程(4)において賦形される樹脂組成物の一面の面積は、前記下型キャビティの底成形面の面積に対して、90%以上であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の樹脂封止型半導体パッケージの製造方法により得られた樹脂封止型半導体パッケージは、底面に形成された圧縮用プランジャーの先端面の外形形状に沿った凹凸線の枠内でダイシングすることを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージの製造方法。
- (1)粉末状又は顆粒状の樹脂組成物を計量ポットに供給して計量する計量装置、(2)前記計量ポットから加熱装置を有する攪拌ポットに前記樹脂組成物を送り込む樹脂送給装置、(3)攪拌用プランジャの先端から突出させた攪拌棒の回転で、前記攪拌ポット内の前記樹脂組成物を攪拌溶融させる攪拌溶融装置、(4)攪拌溶融された前記樹脂組成物を取り出しパッケージ形状に加圧して賦形する賦形装置、(5)半導体チップ又は電子部品が装着されているリードフレーム又はテープ基板を、加熱装置を有する成形金型の上型キャビティに装着する被封止体装着装置、(6)賦形された前記樹脂組成物を前記成形金型の下型キャビティ内の圧縮用プランジャに装着する封止樹脂装着装置、(7)前記成形金型を型締めした後、前記圧縮用プランジャを加圧して前記樹脂組成物を成形硬化させることにより、前記半導体チップ又は電子部品並びに前記リードフレーム又はテープ基板を封止して一体成形物とする封止装置、(8)前記一体成形物である半導体パッケージを金型より取り出す取出装置を有し、前記工程(4)において賦形される樹脂組成物は、下型キャビティの底成形面の外形形状から、0.1〜0.5mmの範囲内で小さく実質的に相似形状に賦形されることを特徴とする樹脂封止型半導体パッケージの製造装置。
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