CN101026105B - 树脂密封电子部件的方法 - Google Patents

树脂密封电子部件的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101026105B
CN101026105B CN2006101075034A CN200610107503A CN101026105B CN 101026105 B CN101026105 B CN 101026105B CN 2006101075034 A CN2006101075034 A CN 2006101075034A CN 200610107503 A CN200610107503 A CN 200610107503A CN 101026105 B CN101026105 B CN 101026105B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
sealing resin
sealing
resin material
counterdie
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2006101075034A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101026105A (zh
Inventor
芥川泰人
小林泉
渡边直行
森屋晋
誉田敏幸
早坂升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Socionext Inc
Original Assignee
Fujitsu Semiconductor Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Semiconductor Ltd filed Critical Fujitsu Semiconductor Ltd
Publication of CN101026105A publication Critical patent/CN101026105A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101026105B publication Critical patent/CN101026105B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种树脂密封电子部件的方法,该方法包括以下步骤:在上模中设置安装有一个或多个电子部件的板;使容置于下模的凹腔形成部中的树脂材料熔化;以及将由该上模夹持的所述电子部件浸入熔化的树脂中,以完成树脂密封;其中,在密封树脂供应设备中对该树脂材料进行挤压和分散之后,该树脂材料容置于该下模的凹腔形成部中。

Description

树脂密封电子部件的方法
技术领域
本发明通常涉及一种树脂密封电子部件的方法,特别涉及一种树脂密封电子部件的方法,该方法具有树脂密封半导体元件和接合线的步骤,该接合线连接至诸如半导体元件的外部连接端子之类的电极。
背景技术
由于当今的电子设备具有高功能或高操作性,因此需要应用于电子设备的半导体装置也具有高功能性或高操作性。
由此,在半导体装置的半导体元件中、特别是在大规模集成电路中容置有多个功能电路,并且将诸如形成功能电路块的晶体管之类的有源元件、诸如电阻元件之类的无源元件以及线路制成微小的并且高度集成。
由于半导体元件包括多个功能块,因此半导体元件需要大量的外部连接端子。因而,进一步缩短了外部连接端子之间的间隙或间距。由此,连接至半导体元件的外部连接端子的接合线采用更小的直径。
此外,需要诸如线路板的支撑体上的电极端子具有小尺寸或高密度。然而,制作具有小尺寸或高密度的电极端子是有限制的。因此,很难提供更靠近半导体元件的电极端子。由此,连接支撑体上的电极端子和半导体元件的外部连接端子的接合线的长度趋于变长。
同时,当通过密封半导体元件和接合线形成半导体装置时,采用作为公知的密封方法之一的树脂密封方法。作为树脂密封方法,通常使用传递模塑法。
在传递模塑法中,在模具中设有:诸如线路板或引线框之类的支撑体、安装于该支撑体上的半导体元件、连接半导体元件的外部连接端子和线路板或引线框上的电极端子的接合线等。将密封树脂推入模具中以进行树脂密封。请参见日本特开平5-243301号公报。
然而,在这种传递模塑法中,由于密封树脂在高压下推入模具中,因此可能出现如下问题。即,在接合线的直径较小或接合线的长度较长的情况下,可能出现由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂,还可能产生与其它接合线的短路。
由此,公开了一种替代传递模塑法的压模法。
在这种压模法中,在上模中设有树脂密封体,该树脂密封体包括诸如线路板或引线框之类的支撑体、安装于该支撑体上的半导体元件、连接半导体元件的外部连接端子和线路板或引线框上的电极端子的接合线等。在下模中形成的凹腔内容置粉末或颗粒状的密封树脂。加热树脂以使其熔化。在此状态下,通过闭合上模和下模,使树脂密封体浸入熔化的树脂中,从而实现树脂密封。
根据这种压模法,由于未将密封树脂推入模具中,因此很少会出现由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂。
日本特开2002-137250号公报公开了一种结构,其中:棒状调节件安装在计量部中,储料器(hopper)中的颗粒以棒状调节件可以自由地挤压到计量孔中的方式供应至计量部,并且供应的颗粒的量通过控制挤压到计量孔的调节件的量来调节。日本特开2004-216558号公报公开了一种方法,其中,几乎与树脂供应机构中的开-关部沿水平方向滑动和开启同时,均匀挤压的颗粒树脂供应至模具凹腔形成部,从而使颗粒树脂在开模时通过挤压装置均匀地被挤压。
然而,在上述压模法中,当密封树脂熔化时,可能由于形成于下模的凹腔中的密封树脂的分布而,产生密封树脂的流动。因此,可能出现由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂。
下面参考图1至图7讨论这个问题。
这里,图1是用于说明现有技术的压模法的问题的第一视图。图2是用于说明现有技术的压模法的问题的第二视图。
参考图1和图2,密封树脂供应设备1的上表面的大致中央处设有由壁部2围绕的密封树脂容置部3。此外,密封树脂容置部3的下部设有底板4-1、4-2。底板4-1、4-2通过沿水平方向的往复运动而打开和关闭。
在整个密封树脂容置部3中容置指定量的粉末或颗粒状的密封树脂,以使密封树脂容置部3中的密封树脂的厚度大致均匀。这种密封树脂供应设备1设置于下模7的上方,如图3所示。
如图3所示,在下模7的上表面的中央部内形成凹腔形成部10。该凹腔形成部10由通过弹簧11弹性支撑的框部8围绕。凹腔形成部10的底面和框部8的表面覆盖有离型膜(release film)9。
如图3的箭头S1所示,设置于密封树脂容置部3的底板4-1沿左方向滑动,设置于密封树脂容置部3的底板4-2沿右方向滑动,这样容置于密封树脂容置部3内的密封树脂5落入下模7的凹腔形成部10内。将下模7加热至例如175℃。由此,容置于凹腔形成部10内的密封树脂5熔化。
根据将密封树脂5供应至模具的方法,由于密封树脂容置部3的底面通过底板4-1、4-2的滑动而打开,因此如图4所示,落入下模7的凹腔形成部10中的密封树脂5堆积,并且凹腔形成部10中框部8的区域附近的树脂5堆积的量很大,从而使凹腔形成部10内的密封树脂5的分布可能不均匀。
在将密封树脂5供应至下模7的凹腔容置部10之后,从下模7的上部移除密封树脂供应设备1。下模7立即沿如箭头S2所示的方向移动(提升),从而使下模7和上模15合模。
在上模15内,待树脂密封的本体由夹持部16夹持,并通过真空抽吸孔17真空抽吸。这里,该本体具有如下结构,其中:多个半导体元件22安装并固定到单个线路板21的主表面上,并且,半导体元件22的外部连接端子和线路板21上的电极端子通过接合线23连接。该线路板21设置并保持于上模15上。
在合模时,密封树脂5可能从框部8附近流动到下模7的凹腔10的中央部,如图5的箭头S3所示。因此,如果由上模15保持的半导体元件22、接合线23等浸入密封树脂5中,则可能出现由于密封树脂5的流动造成的接合线的变形和/或断裂。
在图5中,为了说明密封树脂5的流动,示出了上模15和下模7分开的状态。
此外,在密封树脂5分布在凹腔形成部10内使得密封树脂5的厚度均匀之后,当下模7沿图6中的箭头S2所示的方向移动以使上模15和下模7合模,并且由上模15保持的树脂密封体浸入密封树脂5中时,可能由于半导体元件22推动并分开密封树脂5的动作而使密封树脂5沿如图6中的箭头S4所示的方向流动。
由于密封树脂5的这种流动,可能出现接合线23的变形和/或断裂。
如图7所示,在树脂密封体中,线路板21的一部分上可能没有安装半导体元件22。
这样,在凹腔形成部10中的半导体元件22的设置不均匀的情况下,密封树脂5可能会流动到未设置半导体元件22的空间,如箭头S5所示。在这种情况下,可能出现接合线23的变形和/或断裂。
发明内容
因此,本发明的实施例提供了一种用于电子部件的新颖和有用的树脂密封方法,以解决上述的一个或多个问题。
更特别地,本发明的实施例提供了一种用于电子部件的树脂密封方法,该方法能够防止由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
本发明的一个方案提供了一种树脂密封电子部件的方法,该方法包括以下步骤:在上模中设置安装有一个或多个电子部件的板;使容置于下模的凹腔形成部中的树脂材料熔化;以及将由该上模夹持的所述电子部件浸入熔化的树脂中,以完成树脂密封;其中,在密封树脂供应设备中对该树脂材料进行挤压和分散之后,该树脂材料容置于该下模的凹腔形成部中。
根据本发明的另一个方案提供了一种树脂密封电子部件的方法,该方法包括以下步骤:在上模中设置安装有一个或多个电子部件的板;使容置于下模的凹腔形成部中的树脂材料熔化;以及将由该上模夹持的所述电子部件浸入熔化的树脂中,以完成树脂密封;其中,在该树脂材料的、与所述电子部件的安装位置相对应的位置处形成体积与所述电子部件的体积相对应的凹部,随后使该树脂材料固化,之后将该树脂材料容置于该下模的凹腔形成部中。
根据本发明的又一个方案提供了一种树脂密封电子部件的方法,该方法包括以下步骤:在上模中设置安装有一个或多个电子部件的板;使容置于下模的凹腔形成部中的树脂材料熔化;以及将由该上模夹持的所述电子部件浸入熔化的树脂中,以完成树脂密封;其中,在该下模的凹腔形成部中设有体积与安装在该板上的所述电子部件的体积相同的凸部,以能够相应于所述电子部件的存在而选择性地突出;该树脂材料容置于该下模的凹腔形成部中,并在其中熔化;以及随着所述电子部件浸入所述熔化的树脂中,该凸部突出的量减少。
根据本发明的实施例,可以提供一种树脂密封电子部件的方法,该方法可以防止由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
通过结合附图阅读下面的详细描述,本发明的其它目的、特征和优点将变得更明显。
附图说明
图1是用于说明现有技术的压模法的问题的第一视图;
图2是用于说明现有技术的压模法的问题的第二视图;
图3是用于说明现有技术的压模法的问题的第三视图;
图4是用于说明现有技术的压模法的问题的第四视图;
图5是用于说明现有技术的压模法的问题的第五视图;
图6是用于说明现有技术的压模法的问题的第六视图;
图7是用于说明现有技术的压模法的问题的第七视图;
图8是本发明第一实施例的密封树脂供应设备的示意立体图;
图9是沿图8的A-A′线的第一剖视图;
图10是沿图8的A-A′线的第二剖视图;
图11是说明用于振动本发明第一实施例的密封树脂供应设备的机构的视图;
图12是示出由X方向移动平台马达(Y方向移动平台马达)驱动的密封树脂供应设备(X方向移动平台)的移动示意图;
图13是示出密封树脂供应设备振动之后的视图;
图14是示出密封树脂供应设备设置于下模的上方的状态图;
图15是示出在本发明的第一实施例中上模和下模闭合的状态图;
图16是示出本发明的第二实施例的密封树脂供应设备的结构图;
图17是示出本发明的第二实施例的密封树脂供应设备的剖视图;
图18是示出密封树脂分散于密封树脂容置部的内部的状态图;
图19是示出本发明的第二实施例的密封树脂供应设备设置于下模的上方的状态图;
图20是示出在本发明的第二实施例中上模和下模闭合的状态图;
图21是本发明的第三实施例的密封树脂供应设备的结构图;
图22是示出使用图21所示的密封树脂供应设备的树脂密封处理流程的流程图;
图23是描述线路板的图像识别处理的视图;
图24是示出本发明的第三实施例的密封树脂供应设备的操作的第一视图;
图25是示出本发明的第三实施例的密封树脂供应设备的操作的第二视图;
图26是示出本发明的第三实施例的密封树脂供应设备设置于下模的上方的状态图;
图27是示出在本发明的第三实施例中上模和下模闭合的状态图;
图28是本发明的第四实施例的密封树脂固化设备的结构图;
图29是示出本发明的第四实施例的密封树脂固化设备的操作的视图;
图30是示出密封树脂移动至下模的视图,其中,该密封树脂通过本发明的第四实施例的密封树脂固化设备固化;
图31是示出本发明的第五实施例的下模的结构图;
图32是示出使用图31所示的下模的树脂密封处理流程的流程图;
图33是示出本发明的第五实施例的下模的工作的第一视图;
图34是示出本发明的第五实施例的下模的工作的第二视图;以及
图35是示出使用本发明的树脂密封方法的半导体装置的制造方法的实例的视图。
具体实施方式
以下将参考图8至图35描述本发明的实施例。
在下面的说明中,将具有安装并固定于线路板上的半导体元件、以及使半导体元件的外部连接端子和设置于线路板上的电极垫(electrode pad)连接的接合线的半导体装置作为电子部件的一个实例进行描述。
第一实施例
参考图8至图15描述本发明第一实施例的树脂密封电子部件的方法。
图8中示出了本发明第一实施例的树脂密封电子部件的方法中使用的密封树脂供应设备30的外观。图9是沿图8的A-A′线的第一剖视图。
密封树脂供应设备30由诸如铝(Al)之类的具有相对较轻重量的金属体制成。
在由铝(Al)制成的平板状的板31的中央设有开口32。在板31的主上表面上设有壁部33,以与开口32的边界相对应。此外,在板31的下主表面上可滑动地设置底板34-1和34-2,以使开口32可以打开和关闭。
此外,设置盖构件35以覆盖由壁部33限定的区域并与该区域结合。
在此结构下,如图9所示,由壁部33和底板34-1、34-2形成的空间形成了密封树脂容置部36。
开口32的平面结构和尺寸与下面将描述的树脂密封设备的下模的凹腔形成部的结构和尺寸相对应。
通过设于底板34-1、34-2的外边缘部分附近的导销34g,底板34-1、34-2可沿设于板31的导孔31g移动。此外,缺少一侧边的矩形件31h沿底板34-1、34-2的宽度方向、即垂直于底板34-1、34-2的滑动方向的方向设置于两端部,并位于板31的下表面端部。底板34-1、34-2由缺少一侧边的矩形件31h支撑以进行滑动。
此外,在板31的下主表面上设有底板34-1、34-2的支撑引导部31i,以与开口32相对应。支撑引导部31i具有与树脂密封设备的下模的凹腔形成部的结构和尺寸相对应的连续壁形状。支撑引导部31i支撑底板34-1、34-2的滑动,并且当密封树脂供应到凹腔形成部时形成引导部。为了支撑和滑动底板34-1、34-2,形成有与底板34-1、34-2的厚度相对应的开口(缝隙)。
此外,盖构件35挤压容置于密封树脂容置部36内的密封树脂。盖构件35的厚度很厚、重量很重。选择盖构件35的外部尺寸以使盖构件35能够容易地沿壁部33的内侧表面、沿上下方向移动。盖构件35的下表面、即面向密封树脂容置部36的表面为平整的表面。盖构件35由壁部33的上表面和设置于盖构件35的侧表面上部的峰状(peak-shaped)支撑板35a支撑。在此结构下,可以防止盖构件35落入开口32。
通过密封树脂计量部计量的粉末或颗粒状的密封树脂容置于密封树脂容置部36内。
图10示出了密封树脂容置部36容置密封树脂37、以及盖构件35设置于密封树脂容置部36中的状态。
如图10所示,在密封树脂容置部36中,密封树脂37的厚度不均匀,并且树脂37相对开口32分布不均匀。
在本实施例中,为了使密封树脂37在密封树脂供应设备30中均匀分布,通过利用盖构件35的自重给密封树脂37施加负荷,并沿水平方向振动密封树脂供应设备30。
参考图11和图12描述沿水平方向振动密封树脂供应设备30的机构。
图11是说明用于振动本发明的第一实施例的密封树脂供应设备30的机构的视图。
这里,密封树脂供应设备30支撑于X方向移动平台141上,该X方向移动平台141的上表面平行设有两个X方向移动平台轨道140。
X方向移动平台141设置于Y方向移动平台151上,该Y方向移动平台151的上表面平行设有两个Y方向移动平台轨道150。
在此构造下,密封树脂供应设备30可通过驱动X方向移动平台马达142而沿X1-X2方向移动。支撑密封树脂供应设备30的X方向移动平台141可通过驱动Y方向移动平台马达152而沿Y1-Y2方向移动。
在图11中,盖构件35中设有通孔35b,以排出密封树脂容置部36内的空气。
接下来,参考图12描述驱动X方向移动平台马达142和Y方向移动平台马达152,与密封树脂供应设备30和X方向移动平台141的移动之间的关系。
在X方向移动平台马达142的转轴142-1上设有偏心凸轮143。该偏心凸轮143与密封树脂供应设备30接触。另一方面,在Y方向移动平台马达152的转轴152-1上设有偏心凸轮153。该偏心凸轮153与X方向移动平台141接触。
虽然未在图11中示出,密封树脂供应设备30沿X方向移动平台马达142的转轴方向设置在X方向移动平台141上。另一方面,Y方向移动平台151中设有按压部。该按压部沿Y方向移动平台马达152的转轴方向按压X方向移动平台141。
因此,如果驱动X方向移动平台马达142使得转轴142-1从图12中的(A)所示的位置转动,则密封树脂供应设备30通过偏心凸轮143沿图12中的(B)中的箭头S6所示的方向移动。类似地,如果驱动Y方向移动平台马达152使得转轴152-1转动,则X方向移动平台141通过偏心凸轮153沿图12中的(B)中的箭头S6所示的方向移动。
如果转轴部142-1或152-1从该位置进一步转动,则密封树脂供应设备30或X方向移动平台141沿与图12中的(B)中的箭头S6所示方向相反的方向移动,以使该位置变成图12中的(A)所示的位置。
因此,通过驱动X方向移动平台马达142,密封树脂供应设备30沿X1-X2方向在同一平面移动;并且通过驱动Y方向移动平台马达152,X方向移动平台141沿Y1-Y2方向在同一平面移动,从而使密封树脂供应设备30沿X方向和Y方向振动。
图13示出了沿水平方向对密封树脂供应设备30内的密封树脂37施加振动。
通过盖构件35的自重从上部施加负荷,并且沿水平方向的振动施加至密封树脂供应设备30,使得密封树脂37均匀地分布在密封树脂容置部36中。
在通过盖构件35施加负荷时,通过壁部33引导使盖构件35在不发生倾斜的情况下均匀地挤压密封树脂37。此时,密封树脂容置部36内的空气通过设置于盖构件35中的图11所示的孔35b排出,以立即给密封树脂37施加负荷。
如图14所示,密封树脂供应设备30位于下模7的上方,该下模7通过加热机构(未示出)加热至大约175℃。在密封树脂供应设备30中,所容置的密封树脂37分布均匀。
在下模7的上表面的中央形成凹腔形成部10。该凹腔形成部10由通过弹簧11弹性支撑的框部8围绕。
凹腔形成部10的底部和框部8的表面覆盖有由氟基树脂(fluoride groupresin)等制成的离型膜9。
密封树脂供应设备30的支撑引导部31i的下端与相应的框部8的上表面接触,使得密封树脂供应设备30位于下模7的上方。
因此,使密封树脂供应设备30的开口32定位以与下模7的凹腔形成部10的开口相对应。
之后,如图14的箭头S1所示,密封树脂供应设备30的密封树脂容置部36的底板34-1、34-2滑动,从而容置于密封树脂容置部36内的密封树脂37落入下模7的凹腔形成部10中。此时,支撑引导部31i和框部8防止密封树脂37流出凹腔形成部10。
如上所述,密封树脂37预先均匀地分布在密封树脂容置部36中,并且从盖构件35的上部施加负荷至密封树脂37。因此,即使底板34-1、34-2从中心沿左右方向滑动,落入下模7的凹腔形成部10内的密封树脂37也会容置于凹腔形成部10内,并同时保持密封树脂37的厚度均匀。
然而,当落入加热的下模7时,密封树脂37开始熔化。因此,为了使落下的密封树脂37的熔融粘度均匀地稳定,优选为使密封树脂供应设备30尽可能靠近下模7,并且快速打开底板34-1、34-2。
接下来,移除密封树脂供应设备30,并且沿图15中的箭头S2所示的方向移动(提升)下模7,使上模1 5和下模7闭合。
多个半导体元件22安装并固定在单个线路板21的主表面上。通过接合线23将半导体元件22的外部连接端子与线路板21上的电极端子连接起来的待处理体通过夹持部16夹持,并通过真空抽吸开口17真空抽吸,以设置于上模15。
上模15和下模7闭合,并且进一步沿箭头S2所示的方向提升下模7。由上模15保持的、线路板21上的半导体元件22和接合线23浸入下模7的凹腔形成部10内的密封树脂37中,以完成树脂密封。
此时,由于密封树脂37均匀地分布在下模7的凹腔形成部10中,因此大大地防止了密封树脂37的流动。因此,可以防止由于密封树脂的流动造成的接合线23的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
优选地,将本实施例应用于接合线23的直径大于或等于20μm、并且小于或等于25μm的情况中。
本实施例适于通过使用具有300泊的最小熔融粘度的密封树脂来树脂密封电子部件。在树脂被加热大约3至5秒后,此树脂的熔融粘度降低。因此,需要在达到上述熔融粘度后完成如图15所示的合模过程。
尽管图15示出了在合模过程中下模7相对于上模15提升的情况,但上模15也可以相对于下模7降低。
第二实施例
参考图16至图20,描述本发明的第二实施例的树脂密封电子部件的方法。
在图16至图20中,使用相同的附图标记表示与图8至图15中的部件相同的部件,并省略对其的详细说明。
上述本发明的第一实施例可应用于接合线23的直径大于或等于20μm、并且小于或等于25μm的情况中。
然而,即使采用第一实施例的树脂密封方法使下模7的凹腔形成部10内的密封树脂37的分布变得均匀,但在半导体元件22的体积较大的情况下挤压密封树脂37,可能会在半导体元件22的周围产生密封树脂37的流动。
因此,在接合线23的直径小于20μm的情况下,可能会产生由于密封树脂37的流动造成的接合线23的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
在第二实施例中,可以在使用较小直径的接合线的情况下,树脂密封电子部件。
在本实施例中,为了解决上述问题,在盖构件41的下表面,即盖构件41的、与容置于密封树脂容置部36内的密封树脂37接触的表面,并且在与安装在待处理的线路板21上的半导体元件22相对应的位置处,设置指定尺寸的凸部。
本发明的第二实施例的密封树脂供应设备40的结构如图16所示。
在图16中,还示出了形成上模15和下模7的部件与形成密封树脂供应设备40的部件之间的位置关系。
密封树脂供应设备40的结构与本发明的第一实施例的密封树脂供应设备30的结构相同。
密封树脂供应设备40的密封树脂容置部36的开口的结构和尺寸与下模7的凹腔形成部10的开口的结构和尺寸相对应。
在盖构件41的、面向密封树脂容置部36的下表面设有多个凸部42。凸部42的尺寸和位置与安装在作为待密封体的线路板21上的半导体元件22的尺寸和位置相对应。
凸部42的、面向密封树脂的面积大致等于半导体元件22的主表面的面积。凸部42的高度(即,图16中沿上下方向的长度)大致等于半导体元件22离开线路板的表面的高度。换句话说,凸部42的体积大致等于与该凸部42相对应的半导体元件22的体积。
如果凸部42的体积大于半导体元件22的体积,则在合模时可能会产生密封树脂37流向半导体元件22。另一方面,如果凸部42的体积小于半导体元件22的体积,则可能会产生密封树脂37从一个半导体元件22向另一个半导体元件22流动。
因此,凸部42的面积与高度的乘积、即凸部42的体积应当大致等于半导体元件22的体积。
图17示出了密封树脂37容置于密封树脂供应设备40的密封树脂容置部36中、并且设有盖构件41的情况。
在设置于密封树脂供应设备40的密封树脂容置部36的底面上的底板34-1、34-2关闭的情况下,密封树脂容置部36内容置指定量的粉末或颗粒状的密封树脂37。
如图17所示,在密封树脂37刚刚容置于密封树脂容置部36之后,密封树脂容置部36内的密封树脂37的厚度不均匀,因此密封树脂容置部36内的密封树脂37分布不均匀。
因此,为了使密封树脂容置部36内的密封树脂37分布均匀,通过使用盖构件41施加的重力给密封树脂37施加负荷,并且沿水平方向振动密封树脂供应设备40。
也就是说,在本实施例中,具有多个凸部42的盖构件41与密封树脂容置部36配合,以给密封树脂施加负荷,并且沿水平方向振动密封树脂供应设备40。
这样,密封树脂37均匀地分散在密封树脂容置部36中,如图18所示。
之后,如图19所示,将密封树脂供应设备40设置于下模7的上方,该下模通过加热机构(未示出)加热至大约175℃。
此时,如果密封树脂供应设备40的密封树脂容置部36的底板34-1、34-2沿箭头S1所示的方向滑动,则容置于密封树脂容置部36内的密封树脂37落入下模7的凹腔形成部10中。
如上所述,密封树脂37均匀地分布在密封树脂容置部36中,并且从具有与半导体元件相应的凸部的盖构件41施加负荷至密封树脂37。
因此,即使底板34-1、34-2从中心沿左右方向滑动,落入下模7的凹腔形成部10中的密封树脂37也能容置于凹腔形成部10,并同时使密封树脂37的厚度均匀,并且密封树脂37具有与凸部42相对应的凹部37a。
然而,当落入加热的下模7时,密封树脂37开始熔化。因此,为了使落下的密封树脂37的熔融粘度均匀地稳定,优选为使密封树脂供应设备40移动以尽可能靠近下模7,并且快速打开底板34-1、34-2。
接下来,移除密封树脂供应设备40,并且沿图20中的箭头S2所示的方向移动(提升)下模7,使上模15和下模7闭合。
多个半导体元件22安装并固定在单个线路板21的主表面上。通过接合线23将半导体元件22的外部连接端子与线路板21上的电极端子连接起来的待处理体通过夹持部16夹持,并通过真空抽吸开口17真空抽吸,以设置于上模15。
上模15和下模7闭合,并且进一步沿箭头S2所示的方向提升下模7。由上模15保持的、线路板21上的半导体元件22和接合线23浸入下模7的凹腔容置部10内的密封树脂37中,以完成树脂密封。
在本实施例中,通过在为密封树脂37施加负荷的盖构件41上设置与待密封半导体元件22相对应的凸部42,可以在密封树脂供应设备40中、与半导体元件22相对应的部分形成凹部37a,以减少密封树脂37的量。在这种分布下,密封树脂37容置于下模7的凹腔形成部10内。
因此,在树脂密封时,可能出现半导体元件22挤压密封树脂37,从而使半导体元件22的周围不会产生密封树脂37的流动。因此,可以防止由于密封树脂37的流动造成的接合线23的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
因此,根据本实施例,可以减少由于诸如半导体元件22之类的电子部件的存在而造成的密封树脂的流动。因此,本实施例在接合线23的直径小于20μm时是有利的。
本实施例适于通过使用具有300泊的最小熔融粘度的密封树脂来树脂密封电子部件。
尽管图20示出了在合模过程中下模7相对于上模15提升的情况,但上模15也可以相对于下模7降低。
此外,凸部42通常与盖构件41一起形成。但是,凸部42也可以与盖构件41分开地形成,之后通过结合、粘合、螺纹固定等方法与盖构件41制成一体。
通过与盖构件41分开地形成凸部42,可以容易地形成与不同体积的半导体元件相对应的凸部42。此外,可以降低盖构件或凸部的制造成本。
第三实施例
参考图21至图27,描述本发明的第三实施例的树脂密封电子部件的方法。
在图21至图27中,使用相同的附图标记表示与第一实施例和第二实施例中描述的部件相同的部件,并省略对其的详细描述。
如上所述,可以通过下面的方法制造半导体装置。也就是说,将多个半导体元件安装在单个线路板上,通过接合线连接半导体元件的外部连接端子和线路板上的电极端子,将半导体元件、接合线和线路板树脂一次全部地密封(一次处理),之后,与半导体元件相对应地切开线路板和树脂密封的部分并使它们分离。
在本制造方法中,如果在接线时线路板上有坏区(bad portion),则可以在不在坏区上安装半导体元件的情况下使用树脂密封方法。
在这种情况下,如果如本发明的第二实施例所描述的,通过使用密封树脂供应设备(应用具有与半导体元件相对应的凸部的盖构件)将密封树脂容置于下模中,则当上模和下模闭合时,在线路板的未安装半导体元件的部分可能会产生密封树脂的流动。
这是因为基于安装所有半导体元件的假设而采用具有凸部的盖构件,从而使密封树脂中形成了没有相应半导体元件的凹部。该凹部在树脂密封时形成了空间,因此可能产生用于填充该空间的树脂的流动。
由于密封树脂的这种流动,可能出现接合线的变形和/或断裂,并可能产生与另一接合线的短路。
本发明的第三实施例提供了一种在以包括未安装半导体元件的区域的线路板为对象的树脂密封中,防止密封树脂的不必要流动的方法。
在本实施例中,在密封树脂供应设备的盖构件中设置可沿上下方向移动的凸部,以使凸部基于安装在线路板上的半导体元件的存在而突出,由此可以解决上述问题。
参考图21描述第三实施例中的密封树脂供应设备的结构。
在密封树脂供应设备50的盖构件51的下表面设置凸部52,其中该下表面面向密封树脂容置部36。凸部52的体积与半导体元件的体积相对应。将凸部52设置为与安装在线路板上的半导体元件的位置相对应。
凸部可以移动,以沿密封树脂容置部36的方向从盖构件51突出。
凸部52连接至气缸53,并且,在盖构件51中设有连接至气缸53的活塞。
气缸53连接有气流管55。气流管55的另一端通过电磁阀(未在图21中示出)连接至压缩空气源(未在图21中示出)。
通过打开电磁阀,压缩空气经由气流管55流入气缸53。因此,连接至气缸53的活塞54向下运动,以使连接至活塞54的凸部52在盖构件51中移动,以沿密封树脂容置部36的方向从盖构件51的下表面突出。
在气缸53的下部、凸部52的周围设置弹簧56。在压缩空气没有经由气流管55流入气缸53的状态下,凸部52通过弹簧56推到气缸侧,因此,凸部52没有从盖构件51的下表面突出。
接下来,参考图22描述使用具有上述盖构件51的密封树脂供应设备50的树脂密封方法。这里,图22是示出使用图21所示的密封树脂供应设备50的树脂密封处理流程的流程图。
首先,在步骤S1中,从板容置盒中取出作为树脂密封处理对象的线路板,以在步骤S2中对线路板进行图像识别处理。
将多个半导体元件安装在线路板上。通过接合线将半导体元件的外部连接端子连接至线路板上的电极端子。
参考图23描述这种线路板的图像识别处理。
通过图像识别设备(未示出)进行图像识别处理。在图像识别设备的数据库70中,预先记录有线路板的布局信息、与单个半导体元件的体积相对应的密封树脂的重量信息等(记录信息)。这里,布局信息是在所有待安装的半导体元件均安装在线路板上的情况下,关于半导体元件的数量、位置和方向的信息。
另一方面,通过诸如摄影机之类的图像部71来识别待处理的线路板21上的半导体元件22的存在,其中该线路板21从板容置盒中取出并施加树脂密封处理。例如,在图23所示的实例中,可以识别出半导体元件22未安装在标号“3”和“12”的部分上(位置信息)。
比较位置信息与记录信息。通过将未安装在线路板上的半导体元件的数量和与单个半导体元件的体积相对应的密封树脂的重量相乘而得到的、与未安装在线路板上的半导体元件的体积相对应的密封树脂的重量数据发送至如图24所示的树脂计量设备80。
在图23所示的实例中,与两个半导体元件的体积相对应的量的密封树脂的重量数据发送至树脂计量设备80。
在步骤S2-11中,在密封树脂计量设备80中计量待供应至密封树脂供应设备50的密封树脂的量。这种计量通过在所有半导体元件均安装在线路板上时,将与未安装在线路板上的半导体元件的体积相对应的密封树脂的量与待供应至密封树脂供应设备50的密封树脂的量相加而完成。如图24所示,在步骤S2-12中,将计量的密封树脂供应到密封树脂供应设备50的密封树脂容置部36。
此外,通过图像部71识别的、关于安装在线路板上的半导体元件是否存在的位置信息发送至密封树脂供应设备50。
如上所述,可从盖构件51突出的凸部52设置在与线路板上的半导体元件的布置相应的位置。
凸部52设置于盖构件51上的、与半导体元件相对应的位置。基于从密封树脂计量设备80接收的位置信息,密封树脂供应设备50使凸部52在盖构件51上的、与半导体元件相对应的部分突出,并且在线路板上没有相应的半导体元件的情况下不突出(步骤S2-2)。
换句话说,使线路板上的半导体元件的位置信息与密封树脂供应设备50的电磁阀的控制信号相关,从而通过控制相应的电磁阀来控制盖构件的凸部52的缩入或伸出。
与线路板的、安装有半导体元件的部分相对应的电磁阀打开,以使压缩空气流入气缸53内,并且活塞54向下运动。因此,使连接至活塞54的凸部52沿密封树脂容置部36的方向,从盖构件51的下表面突出至盖构件51的外部。
另一方面,与线路板的、未安装半导体元件的部分相对应的电磁阀没有打开,从而压缩空气不会流入气缸53内。因此,与该部分相对应的凸部52没有从盖构件51的下表面突出至盖构件51的外部。与此部分相对应的凸部的表面形成为与盖构件51的、面向密封树脂容置部36的下表面相同的表面。
在如图24所示的实例中,三个凸部52中位于最右侧的凸部与未设置半导体元件的部分相对应,并且没有从盖构件51的下表面突出。
接下来,如图25中的(A)所示,凸部52与半导体元件22的存在相对应地设置的盖构件51与密封树脂容置部36结合,并且通过盖构件51的自重,从上部施加负荷至密封树脂37。此外,通过类似于上述实施例的部件,使密封树脂供应设备50沿水平方向振动。
因此,如图25中的(B)所示,密封树脂37均匀地分散在密封树脂容置部36中。换句话说,密封树脂容置在与线路板上未设置半导体元件的区域相对应的区域中,并且没有产生孔隙(air space)。
多个半导体元件22安装并固定在单个线路板21的主表面上。通过接合线23将半导体元件22的外部连接端子与线路板21上的电极端子连接起来的待处理体通过夹持部16夹持,并通过真空抽吸开口17真空抽吸,以设置于上模15(步骤S3-1)。
在下模7的上表面的中央形成凹腔形成部10。该凹腔形成部10的周围由通过弹簧11弹性支撑的框部8围绕。
在步骤S3-21中,凹腔形成部10的底部和框部8的表面覆盖有由例如氟基树脂制成的离型膜9。
如图26所示,在下模7通过加热机构(未示出)加热至大约175℃的状态下,支撑引导部31i的下端与框部8的上表面部接触,从而容置密封树脂的密封树脂供应设备50安装在下模7上。
此时,密封树脂供应设备50的开口32与下模7的凹腔形成部10的开口相对应。
在步骤S3-22中,密封树脂供应设备50的密封树脂容置部36的底板34-1、34-2沿如箭头S1所示的方向滑动,以使密封树脂37落入下模7的凹腔形成部10中。
如上所述,密封树脂37与凸部52的凸起相对应,并均匀地分散在密封树脂容置部36中。通过具有凸部52的盖构件51将负荷施加至密封树脂37。
因此,即使底板34-1、34-2从中心沿左右方向滑动,落入凹腔形成部10中的密封树脂37也能使凹部37a保持与凸部52的凸起相对应,并保持均匀的密度分布。
因此,落入下模7的凹腔形成部10中的密封树脂37具有与密封树脂供应设备50的密封树脂容置部36中的密封树脂相同的分布。换句话说,容置于下模7的凹腔形成部10内的密封树脂37中,在与线路板21上安装的半导体元件22的位置相应的位置处形成与凸部52相对应的凹部37a。
另一方面,由于凸部52在与半导体元件22未安装在线路板21上的位置相对应的部分不突出,因此此处未形成凹部37a。
接下来,在步骤S4中,下模7和上模15闭合。
安装并固定在由上模15所保持的单个线路板21上的半导体元件22和接合线23浸入形成于下模7的凹腔形成部10内的密封树脂37中。上模15和下模7闭合,使得半导体元件22容置于密封树脂37的凹部37a中。
在这种情况下,如图27所示,为了防止由于上模15与下模7之间存在的空气使密封树脂37中产生气泡(void),优选为在即将进行合模之前,上模15和下模7之间的空间处于真空状态。
由此,在图27所示的实例中,在上模15的边缘附近与下模7的边缘附近之间设有诸如橡胶之类的弹性填充件100,以由填充件100、上模15和下模7形成封闭空间。
在即将进行合模之前,封闭空间内的空气通过设置于下模7的、位于填充件100的内侧的孔101排出,以形成指定的真空状态。
上述的密封部和真空部可以应用于第一和第二实施例。
在树脂密封完成之后,在步骤S5中,打开上模15和下模7。
因此,在本实施例中,相应于待密封的线路板上安装的半导体元件的存在,来确定用于密封处理的密封树脂的量。此外,凸部设置在密封树脂供应设备的盖构件上,并且凸部相应于线路板上半导体元件的存在而突出,以使密封树脂的分布适当。
因此,即使线路板包括安装有半导体元件的部分和未安装半导体元件的部分,在树脂密封时,也可能防止密封树脂向未安装半导体元件的部分流动的产生。因此,防止了由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
本实施例适于通过使用具有300泊的最小熔融粘度的密封树脂来树脂密封电子部件。
如上所述,在第一至第三实施例中,支撑引导部31i的下端与框部8的上表面接触,并且密封树脂供应设备30、40或50安装在下模7上。然而,本发明不限于此。例如,可在壁部33周围的底板部分的下表面,例如缺少一侧边的矩形件31h处,设置用于机械支撑密封树脂供应设备或使下模定位的柱状腿部或壁状腿部,以取代支撑引导部31i。
只要底板34-1、34-2的滑动不受限制,柱状腿部或壁状腿部的位置也不受限制。
选择柱状腿部或壁状腿部的位置和高度,以使密封树脂供应设备的下表面与下模7的框部8的上表面平行,并且使密封树脂供应设备的下表面与下模7的框部8的上表面之间的间隙尽可能小。
在这种情况下,在下模中设置孔或凹槽,以便容置柱状腿部或壁状腿部定位。
第四实施例
参考图28至图30,描述本发明的第四实施例的树脂密封电子部件的方法。
在图28至图30中,使用相同的附图标记表示与第三实施例中描述的部件相同的部件,并省略对其的详细描述。
在第一至第三实施例中,粉末或颗粒状的密封树脂从密封树脂供应设备供应到下模的凹腔形成部10中。
在本实施例中,预先将粉末或颗粒状的密封树脂固化为与安装在待密封的线路板上的半导体元件的存在相对应的构造,然后将固化的密封树脂设置在下模中。
参考图28描述本实施例使用的密封树脂固化设备的结构。
密封树脂固化设备200包括凸模210和凹模250。
在凹模250的大致中央处设有密封树脂容置部255。该密封树脂容置部255与在树脂密封时使用的下模7中形成的凹腔形成部10的体积和构造大致相同。
在凹模250内的密封树脂容置部255的下方设有加热器257。该加热器257将容置于密封树脂容置部255内的密封树脂37加热到大约25至50℃,其中该温度不促进固化反应。
另一方面,在凸模210中设有凸部212,该凸部212与第三实施例的凸部52一样,具有与安装在线路板上的半导体元件的体积大致相同的体积。更特别地,凸部212设置在凸模210的下部,并处于与安装在线路板上的半导体元件的位置相应的位置上,以便能够沿竖直方向移动。
凸部212连接至螺纹部213,该螺纹部213贯穿凸模210并能在凸模210中移动。螺纹部213连接至柔性缆214的端部。柔性缆214的另一端连接至马达(未示出)。马达的转动操作通过柔性缆214传递到螺纹部213。
当马达被驱动以使转动操作通过柔性缆214传递到螺纹部213时,螺纹部213转动以向下移动。连接至螺纹部213的凸部212在凸模210中移动,并从凸模210的下表面突出至凸模210的外部。
此外,在凸部212的周围设有弹簧216。在马达未被驱动的状态下,凸部212被螺纹部213和弹簧216推动,从而没有从凸模210的下表面突出至凸模210的外部。
在凸模210的下部设有加热器215。
参考图28和图29描述使用密封树脂固化设备200的树脂密封方法。
在本实施例中,使用密封树脂固化设备200以使粉末或颗粒状的密封树脂相应于安装在待密封的线路板上的半导体元件的存在而固化。
如第三实施例描述的,对待密封的线路板进行图像识别处理。通过图像识别设备比较位置信息与记录信息。加入与未安装在线路板上的半导体元件的体积相对应的量的密封树脂的重量数据,以发送至树脂计量设备80。
基于该数据,计量待供应至密封树脂固化设备200的密封树脂的重量,并且将计量的密封树脂供应到密封树脂固化设备200的凹模250的密封树脂容置部255。
另一方面,关于该凸模210,由感测部识别的位置信息发送至密封树脂固化设备200。基于该位置信息,如果设置了相应的半导体元件,则设置在与半导体元件的位置相应的位置的凸部212突出。如果未设置相应的半导体元件,则凸部212不突出。
换句话说,使线路板上的半导体元件的位置信息与密封树脂供应设备50的马达的控制信号相关,从而通过相应的马达控制凸模210的凸部212的缩入和伸出。
驱动与凸部212(与线路板上安装半导体元件的部分相对应)相对应的马达,以使转动操作传递给螺纹部213。由此,连接至螺纹部213的凸部212从凸模210的下表面突出至凸模210的外部。
另一方面,不驱动与凸部212(与线路板上未安装半导体元件的部分相对应)相对应的马达,因此螺纹部213不转动。在这种情况下,凸部212不从凸模210的下表面突出至凸模210的外部。与此部分相对应的凸部212的表面形成为与凸模210的、面向密封树脂容置部255的下表面相同的表面。
在图28所示的实例中,三个凸部212中位于最右侧的凸部与未设置半导体元件的部分相对应,并且不从凸模210的下表面突出。
接下来,如图29所示,凸模210如图29中的(A)所示安装在凹模250上。振动模具210和250以使容置于凹模250的密封树脂容置部255中的密封树脂如图29中的(B)所示分散开。
此时,凹模250通过加热器257加热,使得容置于密封树脂容置部255内的密封树脂37大约为25至50℃,该温度不促进固化反应。因此,密封树脂37没有熔化而只是变软。
而且,此时从凸模210的上部施加压力,如图29中的(C)所示。
由于密封树脂37处于软化状态,因此通过此压力很容易固化树脂37。固化的密封树脂37H在图29中的(C)中以黑色示出。
之后,如图30所示,将固化的密封树脂37H通过诸如机械手之类的分离部件(未示出)取出,以便从凹模250的密封树脂容置部255中取出,并容置于下模7的凹腔形成部10内。
这里,由于凹模250的密封树脂容置部255具有与下模7中形成的凹腔形成部10相同的体积和构造,因此,从凹模250的密封树脂容置部255中取出的密封树脂37H按原样容置于下模7的凹腔形成部10中。
在容置于凹腔形成部10内的密封树脂37H中,通过模具210中的凸部212,在与安装在线路板21上的半导体元件22的位置相对应的位置处形成凹部37b。另一方面,在与没有设置半导体元件22的位置相对应的位置处没有形成凹部37b。
接下来,设有线路板21的上模15与加热至大约175℃的恒温的下模7闭合,以进行树脂密封。
因此,本实施例中,在预先使粉末或颗粒状的密封树脂固化、以与安装在待密封线路板上的半导体元件的存在相对应之后,将密封树脂供应至下模。
因此,下模的凹腔形成部中的密封树脂可相应于待密封的半导体元件的存在而设置并稳定分布。因此,可以可靠地防止密封树脂的流动。
从而,防止了由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
本实施例适于通过使用具有200泊的最小熔融粘度的密封树脂来树脂密封电子部件。
在树脂具有这种最小熔融粘度的情况下,即使通过密封树脂固化设备固化的树脂设置在被加热至大约175℃的下模的凹腔形成部中,也可以防止密封树脂的流动,从而防止凹部的变形。
第五实施例
参考图31至图34,描述本发明的第五实施例的树脂密封电子部件的方法。
在图31至图34中,使用相同的附图标记表示与第三实施例中描述的部件相同的部件,并省略对其的详细描述。
本实施例适于通过使用具有200泊的最小熔融粘度的密封树脂来树脂密封电子部件。
然而,在密封树脂具有小于或等于50泊的最小熔融粘度的情况下,很难通过密封树脂固化设备预先固化粉末或颗粒状的密封树脂,以使树脂具有与待密封的半导体元件的存在相对应的构造,并使固化的树脂容置在下模中。
也就是说,如果密封树脂容置于预先加热的下模的凹腔形成部中,则密封树脂的熔化和流动同时产生,从而可能出现由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂,还可能产生与其它接合线的短路。
在本实施例中,在下模的凹腔形成部的底部的、与安装在线路板上的半导体元件的位置相对应的位置处设有可以缩入或伸出凹腔形成部的凸部,以解决上述问题。
接下来,参考图31描述本发明的下模的结构。
在下模300的上表面的中央形成有凹腔形成部10。该凹腔形成部10由通过弹簧11弹性支撑的框部8围绕。此外,凹腔形成部10的底部和框部8的表面覆盖有由诸如氟基树脂制成的离型膜9。
框部8的外侧设有导杆302。该导杆302贯穿下模300的支撑框体320,并且能够在支撑框体320内沿上下方向移动。
导杆302的顶端从支撑框体320突出,并位于比框部8的顶端稍低的位置。
导杆302的下端通过设置于支撑框体320的内部的容置台(receivingstand)304支撑。容置台304的端部通过支撑框体320的底部由弹簧306支撑。
在支撑框体320内设有排气孔101。更特别地,排气孔101位于导杆302的外侧。当上模15和下模300通过弹性填充件100彼此接触时,由上模15、下模300和填充件100形成的封闭空间能通过排气孔101排气。
在凹腔形成部10的下部设有凹腔形成部10的支撑部330。
在凹腔形成部10的支撑部330的内部、与线路板21上安装半导体元件22的位置相对应的位置处设有凸部308。该凸部308贯穿凹腔支撑部330,并能够将离型模9上推至凹腔形成部10中以突出。
凸部308的下端连接至活塞314。该活塞314通过弹簧312设置于设在容置台304内的气缸310中。活塞314贯穿容置台304并可沿上下方向运动。
气缸310连接有气流管316。气流管316的另一端连接至电磁阀(未示出)。通过打开电磁阀,压缩空气通过气流管316流到气缸310中。因此,设置在气缸310中的活塞314向上运动。连接至活塞314的凸部308在凹腔支撑部330中移动,以从凹腔形成部10的下表面推动离型模9,并突出至凹腔形成部10中。
在压缩空气没有经过气流管316流入气缸310中的状态下,凸部308通过弹簧312被推到气缸310侧。因此,凸部308没有从凹腔形成部10的下表面推动离型模9,并且不会突出至凹腔形成部10中。
在电磁阀关闭的情况下,压缩空气不会流入气缸310中。因此,活塞314不会在气缸310内运动,并且凸部308不会突出至凹腔形成部10中。
参考图32描述使用具有上述结构的下模300的树脂密封方法。这里,图32是示出使用图31所示的下模300的树脂密封处理流程的流程图。
如第三实施例描述的,首先通过图像识别设备(未示出)对作为密封树脂处理对象的线路板进行图像识别处理。
在凹腔形成部10的支撑部330中,基于通过感测部(摄像机71)识别的位置信息,控制设置在与安装在线路板上的半导体元件的位置相对应的位置处的凸部308。也就是说,在步骤S1中,如果相应的半导体元件存在,则凸部308从凹腔形成部10的下表面推动离型模9至凹腔形成部10以突出;如果相应的半导体元件不存在,则凸部308不突出。
换句话说,使线路板上的半导体元件的位置信息与电磁阀的控制信号相关,从而通过控制相应的电磁阀、经由气缸310控制凸部308的缩入和伸出。
与线路板的安装有半导体元件的部分相对应的电磁阀打开,以使压缩空气流入气缸310中,从而活塞314向上运动。由此,连接至活塞314的凸部308从凹腔形成部10的下表面推动离型模9,并突出至凹腔形成部10中。
另一方面,与未安装半导体元件的部分相对应的电磁阀不打开,以使压缩空气不在气缸310内流动。因此,与此部分相对应的凸部308不从凹腔形成部10的下表面突出至凹腔形成部中。与此部分相对应的凸部的表面形成为与凹腔形成部10的底部相同的表面,即密封树脂容置部36的底面。
在图31和图33所示的实例中,三个凸部308中位于最右侧的凸部与未设置半导体元件的部分相对应,并且,不从凹腔形成部10的下表面推动离型模9,且没有突出至凹腔形成部10中。
比较位置信息与记录信息。与未安装在线路板上的半导体元件的体积相对应的密封树脂的重量数据发送至树脂计量设备。在步骤2中,基于该数据,加入待供应至下模300的密封树脂的量,以将树脂供应至下模300的凹腔形成部10。
图31中示出了步骤S2处理完成的状态。如图31所示,在本实施例中,在密封树脂具有诸如最小熔融粘度小于或等于50泊之类的高流动性的情况下,如果密封树脂供应至下模300的凹腔形成部10,则密封树脂容易流到凸部308的外部,并且其表面变得平坦。
接下来,在步骤S3中,提升下模300以靠近上模15,并开始合模。
首先,在上模15的下表面设置的环形填充件100与下模300的上表面接触。上模15、下模300和填充件100形成封闭空间。在该阶段,封闭空间通过排气孔101排气,以具有树脂密封所需的真空度。换句话说,为了防止树脂密封部中产生气泡,包括凹腔形成部10的、用于树脂密封的空间具有指定的真空度。
接下来,在步骤S4中,下模300的框部8与上模接触,以使框部8限定待树脂密封的区域。
当进一步提升下模300时,框部8对抗设置于框部8的底部的弹簧11而下降。框部8下降直至合模完成。
在步骤S5中,安装并固定至线路板21的半导体元件22与密封树脂37的表面接触,并且下模300上的导杆302与上模15接触。此状态在图33中示出。
在步骤S6中,进一步提升下模300,以进行通过合模的压模。由此,由于导杆302通过弹簧306由容置台304弹性支撑,因此由上模15推动的导杆302与容置台304一起下降。
随着容置台304的降低,由容置台304支撑的凸部308也降低。随着凸部308的降低,位于凸部308上的密封树脂37也降低至凹腔形成部10中。
由此,与设有半导体元件22的部分相对应的密封树脂37与半导体元件22接触,并且不挤压和接触半导体元件22的上表面,容置半导体元件22,并覆盖半导体元件22的表面和侧面部分。
因此,半导体元件22没有压入密封树脂37中,因此可以防止密封树脂的流动。由此,可以防止由于密封树脂37的流动造成的接合线的变形和/或断裂,以及接合线23与另一接合线的接触。
如图34所示,在步骤S7中,当凸部308进一步降低以使凸部308的上表面和凹腔形成部10的底部相遇,并使凹腔形成部10的底部平坦时,合模完成。之后,下模300降低。
因此,在本实施例,即使采用了高流动性和最小熔融粘度小于或等于50泊的密封树脂,凸部也能与安装在待密封的线路板上的半导体元件的位置相对应地设置在下模的凹腔形成部中。使凸部在开始合模之前突出进入凹腔形成部中。与上模和下模的合模相关联地,凸部缩入,以使半导体元件容置于密封树脂中。
因此,即使密封树脂具有高流动性,也不会产生密封树脂的不必要的流动。因此,可以防止由于密封树脂的流动造成的接合线的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
半导体装置的制造方法
接下来,参考图35描述使用本发明的树脂密封方法的半导体装置的制作方法的实例。
在图35所示的制作过程中,使用了大尺寸线路板,并且在线路板上安装有多个半导体装置。在树脂密封后,将其分割以形成单个半导体装置。
在图35中,示出了形成于大尺寸线路板上的三个半导体装置以作为实例。
首先,如图35中的(A)所示,背面粘着有冲模(die)接合膜201的半导体元件200通过接合膜201安装并固定在线路板202上,其中该背面上既没有形成电路元件也没有形成电路。
接下来,如图35中的(B)所示,通过使用接合线203连接半导体元件200的外部连接端子和线路板202上的电极端子(未示出)。
然后,如图35中的(C)所示,通过应用本发明的树脂密封方法,安装并固定到线路板202的半导体元件200和接合线203通过密封树脂205一次全部地进行树脂密封(一次操作)。
此时,通过使用本发明的树脂密封方法,可以防止由于密封树脂205的流动造成的接合线203的变形和/或断裂,以及接合线与另一接合线的接触。
接下来,如图35中的(D)所示,在线路板202的另一主表面上设置由焊接球制成的多个外部连接端子206。
之后,如图35中的(E)所示,将线路板202、设置于线路板202的主表面上并通过密封树脂205密封的半导体元件200、以及从半导体元件200引出的接合线203视作一个单元,使用划片机进行切割,以形成单个的半导体装置210。
本发明不限于这些实施例,在不脱离本发明的范围的情况下可以进行各种变化和改型。
在所述的权利要求书中,“树脂材料”的实例是上面描述的密封树脂。“树脂材料供应设备”的实例是上面描述的密封树脂供应设备。“挤压部”的实例是上面描述的盖构件。“记录部”的实例是上面描述的数据库。

Claims (14)

1.一种树脂密封电子部件的方法,该方法包括以下步骤:
在上模中设置安装有一个或多个电子部件的板;
使用密封树脂供应设备执行挤压和分散树脂材料的步骤,其中,将该密封树脂供应设备的盖构件安装于该树脂材料上并且通过使用该盖构件的自重给该树脂材料施加负荷的状态下,沿水平方向对该下模施加振动;
使容置于下模的凹腔形成部中的该树脂材料熔化;以及
将由该上模保持的所述电子部件浸入熔化的树脂中,以完成树脂密封,
其中,在该密封树脂供应设备中对该树脂材料进行挤压和分散之后,该树脂材料容置于该下模的凹腔形成部中,对该树脂材料的分散处理是通过振动该密封树脂供应设备来进行的。
2.如权利要求1所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,对该树脂材料的挤压处理是通过使用该密封树脂供应设备的盖构件挤压该树脂材料来进行的。
3.如权利要求1所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,在该密封树脂供应设备中受到该挤压处理和该分散处理的该密封树脂从该密封树脂供应设备的内部落下,并容置于该下模的凹腔形成部中。
4.如权利要求1所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,在与该板上安装所述电子部件的安装位置相对应的位置处设有体积与所述电子部件的体积相同的凸部,所述凸部设置于所述盖构件的下表面上。
5.如权利要求1所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,设有体积与所述电子部件的体积相同的凸部,所述凸部设置于所述盖构件的下表面上,以能够相应于所述电子部件的存在而选择性地突出。
6.如权利要求5所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,所述凸部相应于该板上安装所述电子部件的部分突出;以及
所述凸部相应于该板上未安装所述电子部件的部分不突出。
7.如权利要求1所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,将与未安装在该板上的所述电子部件的体积相对应的该树脂材料的量、与当所有待安装的电子部件均安装在该板上时该树脂材料的量相加,以使该树脂材料的总量容置于该密封树脂供应设备中。
8.如权利要求7所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,基于与单个电子部件的体积相对应的该树脂材料的重量相关的信息、记录在记录部中的信息、以及实际上未安装在该板上的所述电子部件的数量相关的信息,来计算与实际上未安装在该板上的所述电子部件的体积相对应的该树脂材料的量的重量。
9.一种树脂密封电子部件的方法,该方法包括以下步骤:
在上模中设置安装有一个或多个电子部件的板;
使用密封树脂供应设备执行挤压和分散树脂材料的步骤,其中,将该密封树脂供应设备的盖构件安装于该树脂材料上并且通过使用该盖构件的自重给该树脂材料施加负荷的状态下,沿水平方向对该下模施加振动;
使容置于下模的凹腔形成部中的该树脂材料熔化;
以及
将由该上模保持的所述电子部件浸入熔化的树脂中,以完成树脂密封,
其中,在该树脂材料的、与所述电子部件的安装位置相对应的位置处形成体积与所述电子部件的体积相对应的凹部,随后使该树脂材料固化,之后将该树脂材料容置于该下模的凹腔形成部中。
10.如权利要求9所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,在用于使该树脂材料固化的模具构件中,设有体积与安装在该板上的所述电子部件的体积相同的凸部,所述凸部设置于所述盖构件的下表面上;以及
所述凸部能够相应于所述电子部件的存在而选择性地突出。
11.如权利要求10所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,所述凸部相应于该板上安装所述电子部件的部分突出;以及
所述凸部相应于该板上未安装所述电子部件的部分不突出。
12.如权利要求9所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,将与未安装在该板上的所述电子部件的体积相对应的该树脂材料的量、与当所有待安装的所述电子部件均安装在该板上时该树脂材料的量相加,以使该树脂材料的总量容置于用于使该树脂材料固化的模具构件内。
13.如权利要求12所述的树脂密封电子部件的方法,
其中,基于与单个电子部件的体积相对应的该树脂材料的重量相关的信息、记录在记录部中的信息、以及实际上未安装在该板上的所述电子部件的数量相关的信息,来计算与实际上未安装在该板上的所述电子部件的体积相对应的该树脂材料的量的重量。
14.一种树脂密封电子部件的方法,该方法包括以下步骤:
在上模中设置安装有一个或多个电子部件的板;
使容置于下模的凹腔形成部中的树脂材料熔化;以及
将由该上模保持的所述电子部件浸入熔化的树脂中,以完成树脂密封;
其中,在该下模的凹腔形成部中设有体积与安装在该板上的所述电子部件的体积相同的凸部,以能够相应于所述电子部件的存在而选择性地突出;
该树脂材料容置于该下模的凹腔形成部中,并在其中熔化;以及
随着所述电子部件浸入所述熔化的树脂中,该凸部突出的量减少。
CN2006101075034A 2006-02-17 2006-07-27 树脂密封电子部件的方法 Expired - Fee Related CN101026105B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-041026 2006-02-17
JP2006041026A JP4741383B2 (ja) 2006-02-17 2006-02-17 電子部品の樹脂封止方法
JP2006041026 2006-02-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101026105A CN101026105A (zh) 2007-08-29
CN101026105B true CN101026105B (zh) 2011-01-26

Family

ID=38428735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006101075034A Expired - Fee Related CN101026105B (zh) 2006-02-17 2006-07-27 树脂密封电子部件的方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7638367B2 (zh)
JP (1) JP4741383B2 (zh)
KR (1) KR100799141B1 (zh)
CN (1) CN101026105B (zh)
TW (1) TWI329916B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107437510A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 东和株式会社 树脂密封品制造方法及树脂密封装置

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4741383B2 (ja) * 2006-02-17 2011-08-03 富士通セミコンダクター株式会社 電子部品の樹脂封止方法
JP5065771B2 (ja) * 2007-06-08 2012-11-07 住友重機械工業株式会社 樹脂封止装置および樹脂封止方法
JP2009166415A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Sumitomo Heavy Ind Ltd 圧縮成形用樹脂、樹脂封止装置、及び樹脂封止方法
JP5153509B2 (ja) * 2008-08-08 2013-02-27 Towa株式会社 電子部品の圧縮成形方法及び金型装置
KR101254860B1 (ko) 2008-09-30 2013-04-15 토와 가부시기가이샤 전자 부품의 압축 수지 밀봉 성형 방법 및 그를 위한 장치
JP4954172B2 (ja) * 2008-09-30 2012-06-13 Towa株式会社 電子部品の圧縮樹脂封止成形方法
JP4954171B2 (ja) * 2008-09-30 2012-06-13 Towa株式会社 電子部品の圧縮樹脂封止成形方法及び装置
EP2430652B1 (en) * 2009-05-12 2019-11-20 The Board of Trustees of the University of Illionis Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
JP5336974B2 (ja) * 2009-08-06 2013-11-06 住友重機械工業株式会社 樹脂封止装置及び樹脂封止方法
US8012799B1 (en) * 2010-06-08 2011-09-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method of assembling semiconductor device with heat spreader
US20130037931A1 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Leo M. Higgins, III Semiconductor package with a heat spreader and method of making
JP5731009B2 (ja) * 2011-11-08 2015-06-10 アピックヤマダ株式会社 樹脂封止装置および樹脂供給装置
WO2016125571A1 (ja) * 2015-02-04 2016-08-11 アピックヤマダ株式会社 樹脂成形金型、樹脂成形方法、および成形品の製造方法
JP6404734B2 (ja) * 2015-02-04 2018-10-17 アピックヤマダ株式会社 樹脂成形方法、樹脂成形金型、および成形品の製造方法
JP6397808B2 (ja) * 2015-11-04 2018-09-26 アピックヤマダ株式会社 樹脂成形金型および樹脂成形方法
US10477354B2 (en) 2015-02-20 2019-11-12 Mc10, Inc. Automated detection and configuration of wearable devices based on on-body status, location, and/or orientation
US10277386B2 (en) 2016-02-22 2019-04-30 Mc10, Inc. System, devices, and method for on-body data and power transmission
WO2017169773A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 シャープ株式会社 アイセーフ光源、およびその製造方法
US10447347B2 (en) 2016-08-12 2019-10-15 Mc10, Inc. Wireless charger and high speed data off-loader
CN110265332B (zh) * 2019-06-20 2021-07-13 西安太乙电子有限公司 一种基于扁平封装集成电路器件剪边成型用设备
US11325453B2 (en) * 2019-12-18 2022-05-10 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Battery mounting bracket for heavy duty vehicle
KR102397310B1 (ko) 2020-04-08 2022-05-12 에이치디씨현대이피 주식회사 용매를 사용하지 않는 고발포 폴리우레탄 폼 제조방법 및 이 제조방법에 의해 제조된 폴리우레탄 폼

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2758769B2 (ja) 1992-02-28 1998-05-28 九州日本電気株式会社 半導体装置製造方法
JP3062192B1 (ja) 1999-09-01 2000-07-10 松下電子工業株式会社 リ―ドフレ―ムとそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2002137250A (ja) 2000-10-31 2002-05-14 Shibaura Mechatronics Corp 顆粒物供給装置、及びこの装置を用いた電子部品モールド装置
JP3619773B2 (ja) * 2000-12-20 2005-02-16 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4268389B2 (ja) * 2002-09-06 2009-05-27 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP4519398B2 (ja) 2002-11-26 2010-08-04 Towa株式会社 樹脂封止方法及び半導体装置の製造方法
JP4326786B2 (ja) * 2002-11-26 2009-09-09 Towa株式会社 樹脂封止装置
JP4336499B2 (ja) * 2003-01-09 2009-09-30 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP4336502B2 (ja) * 2003-01-30 2009-09-30 Towa株式会社 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP4039298B2 (ja) * 2003-04-08 2008-01-30 株式会社デンソー 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法ならびに成形型
JP5128047B2 (ja) * 2004-10-07 2013-01-23 Towa株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
JP4749707B2 (ja) * 2004-12-17 2011-08-17 Towa株式会社 樹脂成形型及び樹脂成形方法
JP4741383B2 (ja) * 2006-02-17 2011-08-03 富士通セミコンダクター株式会社 電子部品の樹脂封止方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107437510A (zh) * 2016-05-27 2017-12-05 东和株式会社 树脂密封品制造方法及树脂密封装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070196957A1 (en) 2007-08-23
KR100799141B1 (ko) 2008-01-29
US7923303B2 (en) 2011-04-12
TWI329916B (en) 2010-09-01
JP4741383B2 (ja) 2011-08-03
US20100052212A1 (en) 2010-03-04
CN101026105A (zh) 2007-08-29
TW200733326A (en) 2007-09-01
KR20070082838A (ko) 2007-08-22
US7638367B2 (en) 2009-12-29
JP2007220969A (ja) 2007-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101026105B (zh) 树脂密封电子部件的方法
US6511620B1 (en) Method of producing semiconductor devices having easy separability from a metal mold after molding
CN102105282B (zh) 电子部件的压缩成形方法及模具装置
TWI617419B (zh) Resin packaging device and resin packaging method
JP5824765B2 (ja) 樹脂モールド方法及び樹脂モールド装置並びに供給ハンドラ
CN108028236B (zh) 树脂封装装置以及树脂封装方法
KR102059738B1 (ko) 성형 다이, 수지 성형 장치, 수지 성형 방법 및 수지 성형품의 제조 방법
CN108028235B (zh) 树脂封装装置以及树脂封装方法
JP4336499B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
CN107571444A (zh) 压缩成形装置的树脂材料供给方法及供给机构、以及压缩成形方法及压缩成形装置
CN107538667B (zh) 树脂成型装置、树脂成型品的制造方法以及产品的制造方法
KR102184809B1 (ko) 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법
CN109383047B (zh) 树脂成型装置以及树脂成型品的制造方法
KR20170114918A (ko) 수지 밀봉 장치 및 수지 밀봉 방법
CN109689330B (zh) 压缩成型装置、压缩成型方法、及压缩成型品的制造方法
CN107756707B (zh) 树脂成形装置及树脂成形品制造方法
TWI827989B (zh) 樹脂成形裝置及樹脂成形品的製造方法
TWI659817B (zh) 壓縮成型裝置、壓縮成型方法、及壓縮成型品的製造方法
JP2006120880A (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法及び装置
JP7447050B2 (ja) 成形型、樹脂成形装置及び樹脂成形品の製造方法
JP5723800B2 (ja) 半導体チップの圧縮樹脂封止成形方法及び装置
JP2694293B2 (ja) 高圧縮成形樹脂タブレットの成形方法
KR20210124429A (ko) 수지 성형 장치 및 수지 성형품의 제조 방법
JP2013158943A5 (zh)
WO2009025402A1 (en) Tray for epoxy molding compound powder and apparatus for providing epoxy molding compound powder having the tray

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FUJITSU MICROELECTRONICS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU LIMITED

Effective date: 20081107

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20081107

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: FUJITSU MICROELECTRONICS Ltd.

Address before: Kawasaki, Kanagawa, Japan

Applicant before: Fujitsu Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SUOSI FUTURE CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Effective date: 20150526

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150526

Address after: Kanagawa

Patentee after: SOCIONEXT Inc.

Address before: Japan's Kanagawa Prefecture Yokohama

Patentee before: FUJITSU MICROELECTRONICS Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110126

Termination date: 20210727

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee