KR100799141B1 - 전자 부품의 수지 밀봉 방법 - Google Patents

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KR100799141B1
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sealing resin
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요시토 아쿠타가와
이즈미 고바야시
나오유키 와타나베
스스무 모리야
도시유키 혼다
노보루 하야사카
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후지쯔 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 밀봉용 수지의 흐름으로 인해 본딩 와이어의 변형 및/또는 단선이 생기고, 게다가 인접한 본딩 와이어와 단락하여 버리는 것을 방지할 수 있는 전자 부품의 수지 밀봉 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전자 부품(22)을 장착한 기판(21)을 상부 금형(15)에 고정하고, 하부 금형(7)에 형성된 캐비티부(10)에 수지 재료(37)를 수지 재료 투입 장치(30)에 의해 배설해서 가열 용융화하여 용융 수지로 하고, 상기 상부 금형(15) 및 상기 하부 금형(7)을 성형 폐쇄(closing molds)함으로써, 상기 전자 부품(22)을 상기 용융 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서, 상기 수지 재료 투입 장치(30)에 있어서 상기 수지 재료(35)를 상기 하부 금형(7)의 상기 캐비티부(10)와 대략 동일한 크기를 갖는 수지 재료 수용부(33)에 배설하고, 가압 수단(31)에 의해 상기 수지 재료 수용부(33) 내에서 균일하게 가압하고, 진동 수단에 의해 상기 수지 재료 수용부(33) 내에서 대략 균일하게 분산되어, 상기 수지 재료 수용부(33)를 개방함으로써, 상기 수지 재료(35)를 상기 하부 금형(7)의 상기 캐비티부(10)에 수용한다.

Description

전자 부품의 수지 밀봉 방법{METHOD OF RESIN SEALING ELECTRONIC PART}
도 1은 종래의 압축 성형법(compression molding method)의 문제점을 설명하기 위한 제1 도면.
도 2는 종래의 압축 성형법의 문제점을 설명하기 위한 제2 도면.
도 3은 종래의 압축 성형법의 문제점을 설명하기 위한 제3 도면.
도 4는 종래의 압축 성형법의 문제점을 설명하기 위한 제4 도면.
도 5는 종래의 압축 성형법의 문제점을 설명하기 위한 제5 도면.
도 6은 종래의 압축 성형법의 문제점을 설명하기 위한 제6 도면.
도 7은 종래의 압축 성형법의 문제점을 설명하기 위한 제7 도면.
도 8은 본 발명의 제1 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치의 개략 구조를 도시한 사시도.
도 9는 도 8에서의 선 A-A'에 따른 단면도.
도 10은 본 발명의 제1 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치의 단면도.
도 11은 본 발명의 제1 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치를 진동시키기 위한 기구를 설명하기 위한 도면.
도 12는 X 방향 이동 스테이지용 모터(Y 방향 이동 스테이지용 모터)의 구동에 의한 밀봉용 수지 투입 장치(X 방향 이동 스테이지)의 이동 관계를 도시한 개략 도.
도 13은 진동시킨 후의 상태의 밀봉용 수지 투입 장치의 상태를 도시한 도면.
도 14는 본 발명의 제1 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치를 하부 금형의 상측에 설치한 상태를 도시한 도면.
도 15는 본 발명의 제1 실시예에서의 상부 금형과 하부 금형을 성형 폐쇄(closing molds)한 상태를 도시한 도면.
도 16은 본 발명의 제2 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치의 구조를 도시하기 위한 도면.
도 17은 본 발명의 제2 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치의 단면도.
도 18은 밀봉용 수지를 밀봉용 수지 수용부 내부에서 균일하게 분산시킨 상태를 도시한 도면.
도 19는 본 발명의 제2 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치를 하부 금형의 상측에 설치한 상태를 도시한 도면.
도 20은 본 발명의 제2 실시예에서의 상부 금형과 하부 금형을 성형 폐쇄하는 상태를 도시한 도면.
도 21은 본 발명의 제3 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치의 구조를 도시하기 위한 도면.
도 22는 도 21에 도시한 밀봉용 수지 투입 장치를 이용한 수지 밀봉 처리의 흐름을 도시한 흐름도.
도 23은 배선 기판의 화상 인식 처리를 설명하기 위한 도면.
도 24는 본 발명의 제3 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치의 작용을 도시한 제1 도면.
도 25는 본 발명의 제3 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치의 작용을 도시한 제2 도면.
도 26은 본 발명의 제3 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치를 하부 금형의 상측에 설치한 상태를 도시한 도면.
도 27은 본 발명의 제3 실시예에서의 상부 금형과 하부 금형을 성형 폐쇄하는 상태를 도시한 도면.
도 28은 본 발명의 제4 실시예에서의 밀봉용 수지 고화 장치의 구조를 도시하기 위한 도면.
도 29는 본 발명의 제4 실시예에서의 밀봉용 수지 고화 장치의 작용을 도시하기 위한 도면.
도 30은 본 발명의 제4 실시예에서의 밀봉용 수지 고화 장치에 의해 고화된 밀봉용 수지를 하부 금형으로의 운반을 도시한 도면.
도 31은 본 발명의 제5 실시예에서의 하부 금형의 구조를 도시한 도면.
도 32는 도 31에 도시한 하부 금형을 이용한 수지 밀봉 처리의 흐름을 도시한 흐름도.
도 33는 본 발명의 제5 실시예에서의 하부 금형의 작용을 도시한 제1 도면.
도 34는 본 발명의 제5 실시예에서의 하부 금형의 작용을 도시한 제2 도면.
도 35는 본 발명의 수지 밀봉 방법을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 예를 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
7 : 하부 금형
10 : 캐비티부
15 : 상부 금형
21 : 배선 기판
22 : 반도체 소자
23 : 본딩 와이어
30, 40, 50, 200 : 밀봉용 수지 투입 장치
33, 255 : 밀봉용 수지 수용부
35 : 밀봉용 수지
42, 52, 212 : 돌기부
45 ; 오목부
70 ; 데이터베이스
210: 수금형
250 : 암금형
본 발명은 전자 부품의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 외부 접속 단자 등의 전극에 접속된 본딩 와이어를 수지 밀봉하는 수지 밀봉 공정을 갖는 전자 부품의 수지 밀봉 방법에 관한 것이다.
전자 기기의 고기능화 및 소형화에 따라, 이 전자 기기에 탑재되는 반도체 장치에 대하여 보다 고기능화, 고집적화가 요구되고 있다.
이 때문에, 상기 반도체 장치에서의 반도체 소자, 특히 대규모 반도체 집적 회로 소자(LSI)에 있어서는 복수의 기능 회로 블록을 수용하고, 또한 상기 기능 회로 블록을 구성하는 트랜지스터 등의 능동 소자, 저항 소자 등의 수동 소자 및 배선 등의 미세화·고집적화가 이루어지고 있다.
상기 반도체 소자는 복수의 기능 블록을 포함하는 것으로, 다수의 외부 접속 단자를 필요로 한다. 따라서, 상기 외부 접속 단자는 그 상호 간격 및 피치에 대해서 한층 더 축소화를 도모하고 있다. 이 때문에, 상기 반도체 소자의 외부 접속용 단자에 접속되는 본딩 와이어도 보다 작은 직경의 본딩 와이어가 적용된다.
또한, 상기 배선 기판 등의 지지체 상의 전극 단자에 있어서도 보다 소형화, 고밀도화가 요구되고 있다. 그러나, 소형화, 고밀도화에는 한도가 있고, 반도체 소자에 대하여 보다 가까운 위치에 배설하는 것이 곤란해지고 있다. 이 때문에, 상기 반도체 소자의 외부 접속 단자와 지지체 상의 전극 단자를 접속하는 상기 본딩 와이어의 길이가 길어지는 경향이 있다.
한편, 상기 반도체 소자를 본딩 와이어 등과 함께 기밀 밀봉하여 반도체 장치를 형성할 때는, 밀봉 방법의 하나로서 수지 밀봉법이 채용되고 있지만, 그 수지 밀봉법으로서는 종래의 소위 트랜스퍼 성형법(transfer molding method; "이송 성형법"이라고도 칭한다)이 이용되고 있다.
상기 트랜스퍼 성형법은 배선 기판 또는 리드 프레임 등의 지지체, 상기 지지체상에 탑재된 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 외부 접속 단자와 상기 배선 기판상의 전극 단자 또는 리드 프레임을 접속하는 본딩 와이어 등을 금형내에 배치하고, 상기 금형내에 밀봉용 수지를 압입(주입)하여 수지 밀봉을 행하는 것이다(예컨대, 특허 문헌 1 참조).
그러나, 이러한 트랜스퍼 성형법에서는 금형내에 밀봉용 수지를 고압으로 주입하기 때문에, 본딩 와이어의 직경이 작은 경우 또는 본딩 와이어 길이가 긴 경우, 밀봉용 수지의 흐름에 따라 상기 본딩 와이어의 변형 및/또는 단선이 생기고, 또한 다른 본딩 와이어와의 단락이 생겨 버릴 우려가 크다.
이 때문에, 트랜스퍼 성형법 대신에 압축 성형법(compression molding method)이 주목받고 있다.
이러한 압축 성형법에 있어서는, 배선 기판 또는 리드 프레임 등의 지지체, 상기 지지체 상에 탑재된 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 외부 접속 단자와 상기 배선체상의 전극 단자 또는 리드 프레임을 접속하는 본딩 와이어 등을 포함하는 피수지 밀봉체를 상부 금형에 장착하고, 한편 하부 금형에 설치된 캐비티 내에 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지를 수용하고, 상기 밀봉용 수지를 가열 용융한 상태에서 상부 금형 및 하부 금형을 성형 폐쇄(closing molds)함으로써 피수지 밀봉물을 용융 수지에 침지하여 수지 밀봉한다.
이러한 압축 성형법에 따르면, 금형 내부로의 밀봉용 수지의 압입이 행하여지지 않기 때문에, 밀봉용 수지의 흐름에 의한 본딩 와이어의 변형 및/또는 단선 등이 생길 우려가 보다 적다.
이 밖에 호퍼(hopper)내에 공급된 과립물이 공급되는 계량부의 계량 구멍에 막대 형상의 조정 부재가 밀어 넣기 가능하게 내장되고, 계량 구멍으로의 조정 부재의 밀어 넣기량의 제어에 의해 과립물의 공급량을 조정할 수 있는 구조(예컨대, 특허 문헌 2 참조), 또는 금형의 형 개방시에 있어서 가압 수단으로 과립 수지를 균일하게 가압한 상태에서 수지 재료 공급 기구의 개폐부가 수평 방향으로 슬라이드하여 개방되고, 균일하게 가압된 과립 수지가 금형 캐비티부에 공급되는 방법(예컨대, 특허 문헌 3 참조) 등이 제안되어 있다.
(특허 문헌 1) 일본 특개평 5-243301호 공보
(특허 문헌 2) 일본 특허 공개 2002-137250호 공보
(특허 문헌 3) 일본 특허 공개 2004-216558호 공보
그러나, 상기 압축 성형법에서는 하부 금형에 설치된 캐비티 내에서의 밀봉용 수지의 분포에 따라 밀봉용 수지가 용융했을 때에 상기 밀봉용 수지의 흐름이 생기고, 이에 따라 본딩 와이어의 변형 및/또는 단선 등이 생길 우려가 있다.
이 점에 관해서, 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명한다.
종래의 압축 성형법에 있어서 이용되고 있는 밀봉용 수지 투입 장치(1)를 도 1에 도시하고, 도 2는 도 1에서의 선 A-A'에 따른 단면을 도시한다.
도 1 및 도 2를 참조하면 밀봉용 수지 투입 장치(1)는 그 상면의 대략 중앙에 벽부(2)에 의해 사방이 둘러싸인 밀봉용 수지 수용부(3)가 설치된다. 또한, 밀봉용 수지 수용부(3)의 바닥부에는 수평 방향으로 왕복 운동함으로써 개폐 가능한 바닥판(4-1 및 4-2)이 설치된다.
그리고, 밀봉용 수지 수용부(3)에는 소정의 양으로 계량된 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지(5)가 전체적으로 거의 균일한 두께가 되도록 수용된다. 이러한 밀봉용 수지 투입 장치(1)는 도 3에 도시한 바와 같이 하부 금형(7)의 상측에 배치된다.
상기 하부 금형(7)의 상면의 중앙부에는 스프링(11)에 의해서 탄성 지지된 프레임부(8)에 의해서 사방이 둘러싸인 캐비티부(10)가 형성되어 있다. 그리고 상기 캐비티부(10)의 저면으로부터 상기 프레임부(8) 표면은 릴리스 막(release film)(9)에 의해 피복되어 있다.
도 3에 있어서 화살표 S1로 도시한 바와 같이 밀봉용 수지 수용부(3)에 설치된 바닥판(4-1)을 좌측 방향으로, 또한 바닥판(4-2)을 우측 방향으로 미끄럼 이동함으로써 밀봉용 수지 수용부(3)에 수용되어 있던 밀봉용 수지(5)는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 낙하한다. 상기 하부 금형(7)은 예컨대 175℃ 정도로 가열되어 있다. 이 때문에, 캐비티부(10)에 수용된 밀봉용 수지(5)는 용융 상태로 이행한다.
몰드 금형에 대한 이와 같은 밀봉용 수지(5)의 공급 방법에 따르면, 밀봉용 수지 수용부(3)의 저면을 바닥판(4-1) 및 바닥판(4-2)을 미끄럼 이동함으로써 개방하기 때문에, 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 낙하한 밀봉용 수지(5)는 도 4에 도 시한 바와 같이 캐비티부(10)내에 있고, 프레임부(8)에 가까운 영역에 의해 많이 퇴적하여 캐비티부(10)내에서의 밀봉용 수지(5)의 분포가 불균일하게 되어 버리는 경향이 많다.
하부 금형(7)의 캐비티부(10)내에 밀봉용 수지(5)가 공급되면 상기 밀봉용 수지 투입 장치(1)는 하부 금형(7)상에서 배제되고, 상기 하부 금형(7)은 도 4에서 화살표 S2로 도시하는 방향으로 신속히 이동(상승)하여 상기 하부 금형(7)과 상부 금형(15)이 성형 폐쇄된다.
또한, 상부 금형(15)내에는 미리 한 장의 배선 기판(21)의 표면(한 쪽의 주요면)에 복수개의 반도체 소자(22)가 탑재·고착되고, 상기 반도체 소자(22)의 외부 접속 단자와 상기 배선 기판(21)상의 전극 단자가 본딩 와이어(23)에 의해 접속되어 이루어지는 부분인 피수지 밀봉체가 클램프부(16)에 의해 유지되고, 또한 진공 흡착 구멍(17)을 통해 진공 흡인되어 상기 배선 기판(21)은 상부 금형(15)에 장착·유지되어 있다.
이러한 성형 폐쇄시에는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내에서는 도 5에 있어서 화살표 S3으로 도시한 바와 같이, 밀봉용 수지(5)가 프레임부(8)의 근방에서 중앙부를 향해서 유동하고 있다. 이 때문에, 상기 밀봉용 수지(5)중에 상부 금형(15)에 유지된 반도체 소자(22) 및 본딩 와이어(23) 등이 침지되면 상기 밀봉용 수지(5)의 흐름에 의하여 상기 본딩 와이어(23)의 변형 및/또는 단선 등이 생길 수 있다.
또한, 도 5에서는 밀봉용 수지(5)의 유동을 설명하기 위해서 상부 금형(15) 과 하부 금형(7)을 분리한 상태를 나타내고 있다.
또한, 캐비티부(10)내에 있어서 밀봉용 수지(5)가 균일한 두께로 분포된 후에, 하부 금형(7)을 도 6에 있어서 화살표 S2로 나타내는 방향으로 이동하여, 상부 금형(15)과 하부 금형(7)을 성형 폐쇄하여 상부 금형(15)에 유지된 피수지 밀봉체를 밀봉용 수지(5) 내에 침지할 때에 반도체 소자(22)가 밀봉용 수지(5)를 밀어 헤치는 작용에 따라 상기 밀봉용 수지(5)에는 도 6에 있어서 화살표 S4로 도시하는 방향으로의 흐름이 발생할 수 있다.
이와 같은 밀봉용 수지(5)의 유동에 의해서도 본딩 와이어(23)의 변형 및/또는 단선 등이 생길 수 있다.
또한, 상기 피수지 밀봉체에서는 도 7에 도시한 바와 같이 배선 기판(21)의 일부에 반도체 소자(22)가 탑재되지 않는 경우가 있다.
그 결과, 캐비티부(10)내에 있어서 반도체 소자(22)의 배치가 불균일한 경우에는, 화살표 S5로 도시한 바와 같이 반도체 소자(22)가 배치되어 있지 않은 공간부로의 밀봉용 수지(5)의 유동이 생길 수 있다. 이와 같은 경우에도, 본딩 와이어(23)의 변형 및/또는 단선 등이 생길 수 있다.
본 발명은 이러한 종래의 콤프레션 몰드 기술에서의 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 밀봉용 수지의 흐름에 따라 본딩 와이어에 변형 및/또는 단선이 생기고, 또한 다른 본딩 와이어와의 접촉이 생기는 것을 방지할 수 있는 전자 부품의 수지 밀봉 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 관점에 의하면 상부 금형에 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 장착하여 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하고, 상기 상부 금형에 유지된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서, 상기 수지 재료는 미리 밀봉용 수지 투입 장치에 있어서 가압 처리 및 분산 처리가 이루어진 후, 상기 하부 금형의 캐비티부에 수용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 관점에 의하면, 상부 금형에 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 장착하여 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하고, 상기 상부 금형에 유지된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서, 상기 수지 재료는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 탑재 위치에 대응하고 또한 상기 전자 부품의 체적에 대응하는 용적을 갖는 오목부가 배설되어 고화된 후, 상기 하부 금형의 캐비티부에 수용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 상부 금형에 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 장착하여 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하고, 상기 상부 금형에 유지된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서, 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 상기 전자 부품의 유무에 대응하여 선택적으로 돌출 가능하게 배설된 하부 금형의 캐비티부에 수지 재료를 수용하여 용융하고, 상기 용융 수지중으로의 상기 전자 부품의 침지에 대응시켜서 상기 돌기의 돌출량을 감소시키는 것 을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 전자 부품의 수지 밀봉 방법의 실시예에 관해서 도면을 참조하여 설명한다.
또한, 전자 부품의 일례로서, 배선 기판에 탑재·고착된 반도체 소자 및 상기 반도체 소자의 외부 접속 단자와 배선 기판상에 배설된 전극 패드를 접속하는 본딩 와이어를 구비하는 반도체 장치를 들어서 설명한다.
[제1 실시예]
우선, 본 발명의 전자 부품의 수지 밀봉 방법의 제1 실시예에 관해서 도 8 내지 도 15를 참조하여 설명한다.
본 발명의 전자 부품의 수지 밀봉 방법의 제1 실시예에 있어서의 밀봉용 수지 투입 장치(30)의 외관을 도 8에 도시하고, 상기 도 8에 있어서의 선 A-A'에 따른 단면을 도 9에 도시한다.
상기 밀봉용 수지 투입 장치(30)는 예컨대 알루미늄(Al) 등 비교적 경량의 금속체로 구성된다.
판형의 알루미늄으로 이루어지는 기판(31)의 중앙부에는 개구(32)가 설치되고, 상기 기판(31)의 한 쪽의 주요면(상면)측에는 상기 개구(32)의 주위에 대응하여 벽부(33)가 배설되고, 또한 상기 기판(31)의 다른 쪽의 주요면(하면)측에는 상기 개구(32)를 개폐하는 바닥판(34-1)및 바닥판(34-2)이 미끄럼 이동(슬라이드) 가능하게 배설되어 있다.
또한, 상기 벽부(33)에 의해 획정된 영역을 덮어서 덮개 부재(35)가 끼움 장 착 가능하게 배치되어 있다.
이러한 구성에서는 도 9에 도시된 바와 같이 벽부(33) 및 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)에 의해 형성되는 공간이 밀봉용 수지 수용부(36)를 형성한다.
여기서, 상기 개구(32)의 평면 형상·치수는 후술하는 수지 밀봉 장치의 하부 금형의 캐비티부의 형상·치수에 대응하여 설정되어 있다.
또한, 상기 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)의 각각은 그 외부 단부 근방에 배설된 가이드 핀(34g)을 이용하여 기판(31)에 설치된 안내 구멍(31g)에 따라서 이동 가능하게 되어 있다. 또한, 상기 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)의 폭 방향(슬라이드하는 방향과는 직각인 방향)의 양단부에는 기판(31)의 다른 쪽의 주요면(하면)의 단부에 コ자형부(31h)가 설치되고, 상기 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)은 상기 コ자형부(31h)에 지지되어 슬라이드 가능하게 되어 있다.
또한, 상기 기판(31)의 다른 쪽 주요면(하면)에는 개구(32)에 대응하여 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)의 지지·안내부(31i)가 배설되어 있다. 상기 지지·안내부(31i)는 수지 밀봉 장치의 하부 금형의 캐비티부의 형상·치수에 대응하여 연속하는 벽형으로 되고, 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)의 슬라이드를 지지함과 동시에 캐비티부에 밀봉용 수지를 공급할 때에는 안내부를 구성한다. 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)의 지지·슬라이드를 가능하게 하기 위해서 상기 바닥판의 두께에 대응한 개구(슬릿)가 설치된다.
또한, 상기 덮개 부재(35)는 밀봉용 수지 수용부(36)에 수용된 밀봉용 수지에 대하여 가압하는 것으로, 두께가 커서 자신의 중량이 커지고, 또한 상기 벽 부(33)의 내측면을 따라서 용이하게 상하 이동 가능하도록 외형 크기가 설정된다. 또한, 그 아래면(밀봉용 수지 수용부(36)로의 대향면)은 똑같은 평면을 가지고, 또한 측면 상부에 설치된 차양형 지지부(35a)에 의해 벽부(33)의 상면에 지지되어, 개구(32) 내부로의 낙하는 저지된다.
그리고, 상기 밀봉용 수지 수용부(36)에는 수지 계량 장치(도시 생략)로 계량된 분말 또는 과립형의 밀봉용 수지(37)가 수용된다.
밀봉용 수지 수용부(36)에 밀봉용 수지(37)를 수용하여 덮개 부재(35)를 장착한 상태를 도 10에 도시한다.
도 10에 도시된 바와 같이 밀봉용 수지 수용부(36)내에 있고, 밀봉용 수지(37)는 균일한 두께를 갖지 않고 개구(32)에 대하여 똑같은 분포를 하고 있지 않다.
본 실시예에 있어서는 밀봉용 수지 투입 장치(30)에 있어서 밀봉용 수지(37)의 분포를 똑같은 것으로 하기 위해, 덮개 부재(35)의 자신의 중량을 이용하여 밀봉용 수지(37)에 하중을 부가하는 동시에, 상기 밀봉용 수지 투입 장치(30)에 가로 방향(수평 방향)의 진동을 부여한다.
밀봉용 수지 투입 장치(30)에 대하여 수평 방향의 진동을 부여하는 기구에 대해서 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한다.
밀봉용 수지 투입 장치(30)에 대하여 수평 방향의 진동을 부여하는 기구의 개략을 도 11에 도시한다.
여기서, 밀봉용 수지 투입 장치(30)는 상면에 X 방향 이동 스테이지용 레 일(140)이 2 개 병행하여 설치된 X 방향 이동 스테이지(141)상에 지지되어 있다.
또한, 상기 X 방향 이동 스테이지(141)는 상면에 Y 방향 이동 스테이지용 레일(150)이 2 개 병행하여 설치된 Y 방향 이동 스테이지(151) 상에 배설되어 있다.
이러한 배치 구성에 의해 밀봉용 수지 투입 장치(30)는 X 방향 이동 스테이지용 모터(142)의 구동에 의해 X1-X2 방향으로 이동 가능하게 되고, 또한 상기 밀봉용 수지 투입 장치(30)를 지지하는 X 방향 이동 스테이지(141)는 Y 방향 이동 스테이지용 모터(152)의 구동에 의해 Yl-Y2 방향으로 이동 가능하게 되어 있다.
또한, 도 11에 있어서 35b는 덮개 부재(35)에 설치되어 밀봉용 수지 수용부(36)내의 공기를 밀어내는 관통 구멍이다.
X 방향 이동 스테이지용 모터(142) 및 Y 방향 이동 스테이지용 모터(152)의 구동과 밀봉용 수지 투입 장치(30) 및 X 방향 이동 스테이지(141)의 이동 관계를 도 12를 이용하여 설명한다.
X 방향 이동 스테이지용 모터(142)의 회전축(142-1)에는 편심 캠(143)이 장착되어 있고, 이 편심 캠(143)은 밀봉용 수지 투입 장치(30)에 접촉해 있다. 한편, Y 방향 이동 스테이지용 모터(152)의 회전축(152-1)에는 편심 캠(153)이 장착되어 있고, 이 편심 캠(153)은 X 방향 이동 스테이지(141)에 접촉해 있다.
도시되어 있지 않지만, X 방향 이동 스테이지(141)에는 밀봉용 수지 투입 장치(30)를 X 방향 이동 스테이지용 모터(142)의 회전축 방향으로, 한편 Y 방향 이동 스테이지(151)에는 X 방향 이동 스테이지(141)를 Y 방향 이동 스테이지용 모터(152)의 회전축 방향으로 누르는 가압 수단이 각각 배설되어 있다.
따라서, 도 12의 (A)에 도시하는 상태로부터 X 방향 이동 스테이지용 모터(142)가 구동하여 회전축(142-1)이 회전하면 편심 캠(143)에 의해 밀봉용 수지 투입 장치(30)는 도 12의 (B)에 있어서 화살표 S6으로 도시하는 방향으로 이동한다. 이와 마찬가지로, Y 방향 이동 스테이지용 모터(152)가 구동하여 회전축(152-1)이 회전하면 편심 캠(153)에 의해 X 방향 이동 스테이지(141)는 도 12의 (B)에 있어서 화살표 S6로 도시하는 방향으로 이동한다.
이 상태로부터 추가로 축부(142-1)(또는 152-1)가 회전하면 밀봉용 수지 투입 장치(30)(또는 X 방향 이동 스테이지(141))는 도 12의 (B)에서 화살표 S6로 도시하는 방향과는 역 방향으로 이동하여 도 12-(A)에 도시하는 상태가 된다.
이와 같이, X 방향 이동 스테이지용 모터(142)의 구동에 의해 밀봉용 수지 투입 장치(30)가 동일 평면 내에서 X1-X2 방향으로 이동하고, 또한 Y 방향 이동 스테이지용 모터(152)의 구동에 의해 X 방향 이동 스테이지(141)가 동일 평면 내에서 Yl-Y2 방향으로 이동함으로써, 상기 밀봉용 수지 투입 장치(30)에 대하여 X 방향 및 Y 방향의 진동이 주어진다.
이러한 수평 방향의 진동의 부여 공정을 거친 밀봉용 수지 투입 장치(30)에 있어서의 밀봉용 수지(37)의 상태를 도 13에 도시한다.
상측으로부터는 덮개 부재(35)의 자신의 중량에 의한 하중이 인가되고, 또한 밀봉용 수지 투입 장치(30)에 대하여 전술한 바와 같은 수평 방향의 진동이 인가됨으로써, 상기 밀봉용 수지(37)는 밀봉용 수지 수용부(36)내에 균일하게 분산된다.
덮개 부재(35)에 의한 가중의 인가시, 벽부(33)에 안내되는 것에 의해 덮개 부재(35)는 밀봉용 수지(37)에 대하여 경사지는 일이 없이 접하여 균등하게 누른다. 이때, 덮개 부재(35)에 설치된 구멍(35b)(도 11에 도시한다)을 통해 밀봉용 수지 수용부(36)내의 공기가 배출됨으로써 밀봉용 수지(37)로의 가중이 신속히 이루어진다.
이와 같이 수용한 밀봉용 수지(37)의 분포가 균일화된 밀봉용 수지 투입 장치(30)는 도 14에 도시한 바와 같이 가열 기구(도시 생략)에 의해 175℃ 정도로 가열된 하부 금형(7)상에 배치된다.
상기 하부 금형(7) 상면의 중앙부에는 스프링(11)에 의해서 탄성 지지된 프레임부(8)에 의해 주위가 둘러싸여 캐비티부(10)가 형성되어 있다.
또한, 상기 캐비티부(10)의 바닥부로부터 상기 프레임부(8)의 표면에는 불소계 수지 등으로 이루어지는 릴리스 막(9)이 피복되어 있다.
그리고, 상기 밀봉용 수지 투입 장치(30)의 지지·안내부(31i)의 하단이 상기 프레임부(8)의 상면에 접촉되어 밀봉용 수지 투입 장치(30)가 하부 금형(7)상에 배치된다.
이에 따라, 밀봉용 수지 투입 장치(30)의 개구(32)는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)의 개구면에 대응하여 위치한다.
그리고 나서, 도 14에서 화살표 S1로 도시한 바와 같이 밀봉용 수지 투입 장치(30)의 밀봉용 수지 수용부(36)의 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)을 접동하면 밀봉용 수지 수용부(36)에 수용되어 있던 밀봉용 수지(37)는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내로 낙하한다. 이때, 상기 지지·안내부(31i) 및 프레임부(8)에 의해 밀봉 용 수지(37)의 캐비티부(10) 밖으로의 비산이 방지된다.
상기한 바와 같이, 밀봉용 수지(37)는 밀봉용 수지 수용부(36)의 내부에서 미리 균일하게 분산되고, 또한 상측으로부터 덮개 부재(35)에 의해 하중이 인가되어 있다. 따라서, 상기 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)이 중앙으로부터 좌우 방향으로 미끄럼 이동되더라도, 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 낙하하는 밀봉용 수지(37)는 균일한 분포를 유지한 채로 상기 캐비티부(10)내에 수용된다.
단, 밀봉용 수지(37)는 가열되어 있는 하부 금형(7)상에 낙하했을 때부터 용융하기 시작하기 때문에, 낙하한 밀봉용 수지(37)의 용융 점도를 균일하게 안정시킬 수 있도록 가능한 한 밀봉용 수지 투입 장치(30)를 하부 금형(7)에 가까이 하고, 또한 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)을 보다 고속으로 개방하는 것이 바람직하다.
계속해서, 밀봉용 수지 투입 장치(30)를 배제하고 하부 금형(7)을 도 15에서 화살표 S2로 도시하는 방향으로 이동(상승)하고, 상부 금형(15)과 하부 금형(7)을 성형 폐쇄한다.
또한, 상부 금형(15)내에는 미리 한 장의 배선 기판(21)의 표면(한 쪽의 주요면)에 복수개의 반도체 소자(22)가 탑재·고착되고, 상기 반도체 소자(22)의 외부 접속 단자와 상기 배선 기판(21)상의 전극 단자가 본딩 와이어(23)에 의해 접속되어 이루어지는 피처리체가 클램프부(16)에 의해 유지되고, 또한 진공 흡착구(17)를 통해 진공 흡인되고, 상부 금형(15)에 장착·유지되어 있다.
상부 금형(15)과 하부 금형(7)을 성형 폐쇄하고, 하부 금형(7)을 화살표 S2 로 도시하는 방향으로 더욱 상승시켜서 상부 금형(15)에 유지된 배선 기판(21)상에서의 반도체 소자(22) 및 본딩 와이어(23)를 하부 금형(7)에서의 캐비티부(10)내의 밀봉용 수지(37) 내에 침지하여 수지 밀봉한다.
이때, 밀봉용 수지(37)는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내에서 미리 균일하게 분포하고 있기 때문에, 상기 밀봉용 수지(37)의 유동은 크게 억제되고, 이러한 유동에 기초하는 본딩 와이어(23)의 변형 및/또는 단선, 또한 본딩 와이어간의 단락 등이 방지된다.
본딩 와이어(23)의 직경이 20 내지 25 ㎛인 경우에는, 본 실시예를 적용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예는 최저 용융 점도가 300 poise인 특성을 갖는 밀봉용 수지를 이용하여 전자 부품을 수지 밀봉하는 경우에 적합하지만, 이들 수지는 가열되고 나서 약 3 내지 5 초 후에 용융 점도가 낮아지기 때문에, 도 15에 도시하는 성형 폐쇄 공정은 상기 용융 점도에 이르는 시간까지 완료시킬 필요가 있다.
또한, 도 15에 도시하는 성형 폐쇄 공정에서는 상부 금형(15)에 대하여 하부 금형(7)을 상승시키는 경우를 도시하고 있지만, 하부 금형(7)에 대하여 상부 금형(15)을 하강시키더라도 좋은 것은 물론이다.
[제2 실시예]
다음에, 본 발명의 전자 부품의 수지 밀봉 방법의 제2 실시예에 관해서 도 16 내지 도 20을 참조하여 설명한다. 또한, 상기 제1 실시예에서 설명한 부위에 대응하는 부위에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
상기 제1 실시예는 본딩 와이어(23)의 직경이 20 내지 25 ㎛인 경우에 적용할 수 있다.
그런데, 상기 제1 실시예에 의한 수지 밀봉 방법을 적용하여 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내에 밀봉용 수지(37)를 그 분포가 균일해지도록 수용하더라도 반도체 소자(22)가 보다 큰 체적을 갖는 경우에는, 밀봉용 수지(37)를 눌러서 상기 반도체 소자(22)의 주위에서 밀봉용 수지(37)의 유동이 발생할 수 있다.
이 때문에, 본딩 와이어(23)의 직경이 20 ㎛ 보다도 작은 경우에는, 이러한 밀봉용 수지(37)의 유동에 따라 본딩 와이어(23)에 변형 및/또는 단선이 생길 가능성이 있다.
본 제2 실시예는 보다 직경이 작은 본딩 와이어가 적용되는 전자 부품의 수지 밀봉을 가능하게 하는 것이다.
본 실시예에서는 덮개 부재(41)의 아래면, 즉 덮개 부재(41)가 밀봉용 수지 수용부(36)에 수용된 밀봉용 수지(37)와 접하는 면에 있어 처리되는 배선 기판(21)에 장착된 반도체 소자(22)의 위치에 대응하는 위치에 소정 크기의 돌기를 배설함으로써 상기한 문제에 대응한다.
본 제2 실시예에서의 밀봉용 수지 투입 장치(40)의 구조를 도 16에 도시한다.
여기서는, 상부 금형(15) 및 하부 금형(7)의 구성 부품과 밀봉용 수지 투입 장치(40)의 구성 부품과의 위치 관계도 아울러 표시하고 있다.
이러한 밀봉용 수지 투입 장치(40)는 상기 제1 실시예에서의 밀봉용 수지 투 입 장치(30)의 구성과 같은 구성을 갖는다.
밀봉용 수지 투입 장치(40)에서의 밀봉용 수지 수용부(36)의 개구는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)의 개구에 대응한 형상·치수로 되어 있다.
본 실시예에서의 특징적 구성으로서, 덮개 부재(41)의 아래면, 즉 밀봉용 수지 수용부(36)로의 대향면에 피수지 밀봉체인 배선 기판(21)에 장착되는 반도체 소자(22)의 크기 및 위치에 대응하여 복수개의 돌기부(42)가 배설된다.
이 돌기부(42)는 밀봉용 수지에 대향하는 면적이 반도체 소자(22)의 주요면의 면적과 대략 동일하게 설정되고, 또한 그 높이(도 16에서 상하 방향의 길이)는 배선 기판 표면으로부터의 반도체 소자(22)의 높이와 대략 일치하는 높이가 된다. 즉, 상기 돌기부(42)의 체적이 대응하는 반도체 소자(22)의 체적과 동등해진다.
상기 돌기부(42)의 체적이 반도체 소자(22)에 비하여 크면, 금형의 성형 폐쇄 시에, 반도체 소자(22)부에 대하여 밀봉용 수지(37)의 유입이 생겨 버린다. 한편, 상기 돌기부(42)의 체적이 반도체 소자(22)에 비하여 작으면, 반도체 소자(22)부에서 주위의 반도체 소자(22)부로 향하는 밀봉용 수지(37)의 유동이 생겨 버린다.
따라서, 상기 돌기부(42)의 면적과 높이의 곱, 즉 체적은 반도체 소자(22)의 체적과 동등한 것이 될 필요가 있다.
밀봉용 수지 투입 장치(40)의 밀봉용 수지 수용부(36)에 밀봉용 수지(37)를 수용하여, 본 실시예에 따른 덮개 부재(41)를 장착한 상태를 도 17에 도시한다.
상기 밀봉용 수지 투입 장치(40)의 밀봉용 수지 수용부(36)의 저면에 설치된 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)을 닫은 상태로, 상기 밀봉용 수지 수용부(36)에는 소정의 양으로 계량된 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지(37)가 수용된다.
도 17에 도시된 바와 같이, 수용시 직후에 있어서는 밀봉용 수지 수용부(36)내에서 밀봉용 수지(37)는 균일한 두께를 갖지 않고, 똑같은 분포를 하고 있지 않다.
따라서, 이것을 똑같은 분포로 하도록, 덮개 부재(41)에 의한 가중을 이용하여 밀봉용 수지(37)에 하중을 가하는 동시에, 밀봉용 수지 투입 장치(40)의 전체에 가로 방향(수평 방향)의 진동을 부여한다.
즉, 본 실시예에 있어서는, 복수의 돌기부(42)를 구비한 덮개 부재(41)를 밀봉용 수지 수용부(36)에 끼움 장착하여 밀봉용 수지를 가중하면서, 밀봉용 수지 투입 장치(40)에 대하여 수평 방향의 진동을 부여한다.
그 결과, 밀봉용 수지(37)는 도 18에 도시한 바와 같이 밀봉용 수지 수용부(36)내에서 균일하게 분산된다.
그리고 나서, 도 19에 도시한 바와 같이 밀봉용 수지 투입 장치(40)를 가열기구(도시 생략)에 의해 약 175℃ 가열된 하부 금형(7)의 상측에 배치한다.
여기서, 밀봉용 수지 투입 장치(40)의 밀봉용 수지 수용부(36)의 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)을 화살표 S1로 도시하는 방향으로 접동하면 밀봉용 수지 수용부(36)에 수용되어 있던 밀봉용 수지(37)는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내로 낙하한다.
상기한 바와 같이 밀봉용 수지(37)는 밀봉용 수지 수용부(36) 내부에서 균일 하게 분산되어 있고, 또한 상측으로부터는 반도체 소자에 대응하는 돌기를 갖춘 덮개 부재(41)에 의해 하중이 인가되어 있다.
따라서, 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)이 중앙으로부터 좌우 방향으로 미끄럼 이동되더라도, 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 낙하하는 밀봉용 수지(37)는 균일한 밀도 분포를 유지하면서, 상기 돌기(42)에 대응하는 오목부(37a)를 갖고서 캐비티부(10)내에 수용된다.
밀봉용 수지(37)는 가열되어 있는 하부 금형(7)에 낙하했을 때부터 용융하기 시작하기 때문에, 낙하한 밀봉용 수지(37)의 용융 점도를 균일하게 안정시킬 수 있도록 밀봉용 수지 투입 장치(40)를 하부 금형(7)에 가까이 하고, 또한 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)을 고속으로 개방하는 것이 바람직하다.
계속해서, 상기 밀봉용 수지 투입 장치(40)를 배제하고, 하부 금형(7)을 도 20에서 화살표 S2로 도시하는 방향으로 이동(상승)시키고, 상부 금형(15)과 하부 금형(7)을 성형 폐쇄한다.
또한, 상부 금형(15)에는 한 장의 배선 기판(21)의 표면(한 쪽 주요면)에 복수개의 반도체 소자(22)가 탑재·고착되고, 상기 반도체 소자(22)의 전극과 상기 배선 기판(21)상의 전극 단자가 본딩 와이어(23)에 의해 접속되어 이루어지는 부분의 피처리체가 미리 클램프부(16)에 의해 유지되고, 또한 진공 흡착구(17)를 통해 진공 흡인되어 상부 금형(15)에 장착·유지되어 있다.
상부 금형(15)과 하부 금형(7)을 성형 폐쇄하고, 하부 금형(7)을 화살표 S2로 도시하는 방향으로 더욱 상승시키고, 상부 금형(15)에 유지된 배선 기판(21)상 에서 반도체 소자(22) 및 본딩 와이어(23)를 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내에 수용되어 있는 밀봉용 수지(37) 내에 침지하여 수지 밀봉한다.
본 실시예에서는 밀봉용 수지(37)에 하중을 부여하는 덮개 부재(41)에, 밀봉하는 반도체 소자(22)에 대응하는 돌기부(42)를 배설함으로써, 밀봉용 수지 투입 장치(40) 내에서 반도체 소자(22)에 대응하는 부위에 오목부(37a)를 형성하여 밀봉용 수지(37)의 양을 줄여 놓는다. 그리고, 이러한 분포 상태대로 상기 밀봉용 수지(37)를 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 수용한다.
따라서, 수지 밀봉시, 반도체 소자(22)가 밀봉용 수지(37)를 압박하는 일이 거의 생기지 않고, 반도체 소자(22)의 주위에서 밀봉용 수지(37)의 유동이 생기지 않는다. 이 때문에, 이러한 밀봉용 수지(37)의 유동에 의한 본딩 와이어(23)의 변형 및/또는 단선의 발생, 본딩 와이어간의 단락 등이 방지된다.
이와 같이, 본 실시예에 따르면, 반도체 소자 등 전자 부품의 존재의 유무에 기초하는 밀봉용 수지의 유동을 저하시킬 수 있는 것이므로, 본딩 와이어(23)의 직경이 20 ㎛ 보다도 작은 경우에, 본 실시예의 적용은 유용하다.
또한, 본 실시예는 최저 용융 점도가 300 poise인 특성을 갖는 밀봉용 수지를 이용하여 전자 부품을 수지 밀봉하는 경우에 적합하다.
또한, 도 20에 도시하는 성형 폐쇄 공정에서는 상부 금형(15)에 대하여 하부 금형(7)을 상승시키는 경우를 보이고 있지만, 하부 금형(7)에 대하여 상부 금형(15)을 하강시켜도 되는 것은 물론이다.
게다가, 상기 돌기부(42)는 통상 덮개 부재(41)와 일체로 형성되지만, 상기 덮개 부재와는 별개로 형성하여, 끼움 장착, 접착, 흡착 또는 나사 삽입 등의 수단에 의해 덮개 부재와 일체화하는 구성으로 하는 것도 가능하다.
돌기부를 덮개 부재와는 별개로 형성함으로써, 다른 체적을 갖는 반도체 소자로의 대응의 용이성을 높일 수 있고, 또한 상기 덮개 부재, 돌기부를 제조하는 비용을 줄일 수 있다.
[제3 실시예]
다음에, 본 발명의 전자 부품의 수지 밀봉 방법의 제3 실시예에 관해서 도 21 내지 도 27을 참조하여 설명한다. 또한, 상기 제1, 제2 실시예에서 설명한 부위와 동일한 부위에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
상기한 바와 같이, 1 장의 배선 기판상에 복수개의 반도체 소자를 탑재하고, 이 반도체 소자의 외부 접속 단자와 배선 기판상의 전극 단자를 본딩 와이어로 접속한 후, 이들을 일괄해서 수지 밀봉하고, 그리고 나서 반도체 소자마다 대응시켜 배선 기판, 밀봉 수지부를 절단·분리하여 소편화(小片化)된 반도체 장치를 형성하는 방법이 채용되는 경우가 있다.
이러한 제조 방법에 있어서는, 상기 배선 기판상의 배선 형태 등에 불량 개소가 있었던 경우, 해당 불량 개소에는 반도체 소자를 탑재하지 않은 채로, 수지 밀봉을 행하는 방법이 보고된 적이 있다.
이러한 경우, 상기 제2 실시예와 마찬가지로 반도체 소자에 대응하는 돌기부를 설치한 덮개 부재를 적용한 밀봉용 수지 투입 장치를 이용하여 밀봉용 수지를 하부 금형에 수용하면 상부 금형과 하부 금형의 성형 폐쇄 시에 배선 기판에 있어 서 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 개소에서 밀봉용 수지의 흐름이 생겨 버린다.
이것은 반도체 소자의 전부가 탑재되는 것을 전제로서 돌기부가 배설된 덮개 부재를 적용한 결과, 밀봉용 수지에는 대응하는 반도체 소자가 없는 오목부가 형성되고, 수지 밀봉시에는 상기 오목부가 공간을 형성하여, 이러한 공간을 매립하는 수지의 흐름이 생겨 버리는 것에 의한다.
이러한 밀봉용 수지의 유동에 따라, 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 영역의 근방에 위치하여 탑재된 반도체 소자에 접속되어 있는 본딩 와이어에 있어서, 변형 및/또는 단선이 생겨 버릴 가능성이 있다.
본 제3 실시예는 이와 같이 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 영역을 포함하는 배선 기판을 대상으로 하는 수지 밀봉에 있어서, 밀봉용 수지가 불필요한 유동을 억제·방지하는 방법을 제공하는 것이다.
본 실시예에서는 밀봉용 수지 투입 장치의 덮개 부재에 상하 이동 가능한 돌기부를 배설하고, 배선 기판에 탑재되는 반도체 소자의 유무에 대응하여, 상기 돌기부를 돌출시킴으로써 상기한 문제에 대응한다.
본 실시예에서 이용되는 밀봉용 수지 투입 장치의 구조에 관해서, 도 21을 참조하여 설명한다.
밀봉용 수지 투입 장치(50)의 덮개 부재(51)에는 상기 덮개 부재(51)의 아래면, 즉 밀봉용 수지 수용부(36)에 대향하는 면에, 반도체 소자의 체적에 대응하는 체적을 갖고 돌출하는 돌기부(52)가 배선 기판에 탑재된 반도체 소자의 위치에 대 응하여 배설되어 있다.
개개의 돌기부(52)는 각각 덮개 부재(51)로부터 밀봉용 수지 수용부(36)의 방향으로 돌출하도록 이동 가능하게 되어 있다.
상기 돌기부(52)는 덮개 부재(51)내에 배설된 에어 실린더(air cylinder)(53) 및 이 에어 실린더(53)에 부착된 피스톤(54)에 접속되어 있다.
에어 실린더(53)에는 공기 유입관(55)이 접속되어 있고, 공기 유입관(55)의 타단은 전자기 밸브(도시 생략)를 통해 압축 공기원(도시 생략)에 접속되어 있다.
전자기 밸브를 개방함으로써 공기 유입관(55)을 통해 압축 공기가 에어 실린더(53)에 유입된다. 이에 따라 상기 에어 실린더(53)에 부착된 피스톤(54)이 아래쪽으로 이동하고, 상기 피스톤(54)에 접속된 돌기부(52)는 덮개 부재(51)내를 이동하여 이 덮개 부재(51)의 아래면에서 밀봉용 수지 수용부(36) 방향으로 돌출한다.
또한, 에어 실린더(53)내의 하측으로서 상기 돌기부(52)의 주위에는 스프링(56)이 배설되어 있고, 압축 공기가 공기 유입관(55)을 통해 에어 실린더(53)에 유입되지 않는 상태에서는, 상기 스프링(56)에 의해 돌기부(52)는 에어 실린더측에 압박되고, 덮개 부재(51)의 아래면에서 돌출하지 않는 상태가 된다.
이러한 구조를 갖춘 덮개 부재(51)를 갖는 밀봉용 수지 투입 장치(50)를 이용한 수지 밀봉 방법에 관해서, 도 22를 참조하여 설명한다. 도 22는 밀봉용 수지 투입 장치(50)를 이용한 수지 밀봉 처리의 흐름을 도시하는 흐름도이다.
우선 기판 수납 카세트로부터 수지 밀봉 처리 대상의 배선 기판을 추출(단계 S1)하고, 상기 배선 기판의 화상 인식 처리를 행한다(단계 S2).
상기 배선 기판에는 복수개의 반도체 소자가 탑재되고, 각 반도체 소자의 외부 접속 단자와 배선 기판상의 전극 단자 사이에는 본딩 와이어로 접속되어 있다.
이러한 배선 기판의 화상 인식 처리에 관해서, 도 23을 참조하여 설명한다.
화상 인식 처리는 화상 인식 장치(도시 생략)에 의해 행해진다. 이 화상 인식 장치의 데이터베이스(70)에는 배선 기판의 레이아웃 정보, 즉 배선 기판에 탑재되어야 하는 반도체 소자가 전부 탑재된 경우의 상기 반도체 소자의 수량 및 그 배치되는 위치·방향(레이아웃) 및 하나의 반도체 소자의 체적에 해당하는 밀봉용 수지의 중량에 대한 정보 등이 사전에 등록되어 있다(등록 정보).
한편, 상기 기판 수납 카세트로부터 추출되어 수지 밀봉 처리가 실시되는 피처리 배선 기판(21)에서의 반도체 소자(22)의 존재 유무가 카메라 등의 촬상 수단(71)을 통해 인식된다. 예컨대 도 23에 도시하는 예에서는 3번 및 12번으로 번호가 부여된 개소에 반도체 소자(22)가 탑재되어 있지 않은 것이 인식된다(위치 정보).
상기 위치 정보와 상기 등록 정보가 비교되어, 배선 기판에 탑재되어 있지 않은 반도체 소자의 체적에 해당하는 양의 밀봉용 수지의 중량, 즉 배선 기판에 탑재되어 있지 않은 반도체 소자의 수량에 반도체 소자 1 개의 체적에 해당하는 양의 밀봉용 수지의 중량을 곱한 값의 데이터가 수지 계량 장치(80)(도 24 참조)에 보내어진다.
도 23에 도시하는 예에서는, 반도체 소자 2 개분의 체적에 해당하는 양의 밀봉용 수지의 중량 데이터가 수지 계량 장치(80)에 보내어진다.
이러한 밀봉용 수지 계량 장치(80)에 있어서는, 배선 기판에 탑재되어야 하는 반도체 소자가 전부 탑재된 경우에 밀봉용 수지 투입 장치(50)에 투입하여야 할 밀봉용 수지량에 배선 기판에 탑재되어 있지 않은 반도체 소자분의 체적에 해당하는 양의 밀봉용 수지량을 가산하여 밀봉용 수지 투입 장치(50)에 투입하여야 할 밀봉용 수지량을 계량하고(단계 S2-11), 이것을 도 24에 도시한 바와 같이 밀봉용 수지 투입 장치(50)의 밀봉용 수지 수용부(36)에 공급한다(단계 S2-12).
또한, 촬상 수단(71)에 의해 인식된 배선 기판에서의 반도체 소자의 유무에 관한 위치 정보는 밀봉용 수지 투입 장치(50)에 보내어진다.
밀봉용 수지 투입 장치(50)의 덮개 부재(51)에는 상기한 바와 같이, 배선 기판상의 반도체 소자의 배열에 대응한 위치에 덮개 부재(51)로부터 돌출 가능한 돌기부(52)가 배설되어 있다.
밀봉용 수지 투입 장치(50)는 밀봉용 수지 계량 장치(80)로부터 수신한 위치 정보에 기초하여 덮개 부재(51)에 있어서 각 반도체 소자와 대응한 위치에 설치되는 돌기부(52)를 대응하는 반도체 소자가 배선 기판상에 존재하는 개소에 대응하여 돌출시키고, 한편 대응하는 반도체 소자가 배선 기판상에 없는 경우에는 돌출시키지 않는다(단계 S2-2).
즉, 상기 배선 기판에서 반도체 소자의 위치 정보는 밀봉용 수지 투입 장치(50)의 전자기 밸브의 제어 신호에 관련지어 대응하는 전자기 밸브를 제어함으로써 덮개 부재의 돌기부(52)의 출납이 제어된다. 배선 기판의 반도체 소자가 탑재되어 있는 개소에 대응하는 전자기 밸브를 개방하여 압축 공기를 에어 실린더(53)에 유입시키고, 피스톤(54)을 아래쪽으로 이동시켜, 피스톤(54)에 접속되어 있는 돌기부(52)를 덮개 부재(51)의 아래면에서 덮개 부재(51)의 외측, 밀봉용 수지 수용부(36)의 방향으로 돌출시킨다.
한편, 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 개소에 대응하는 전자기 밸브는 개방하지 않고, 압축 공기를 에어 실린더(53)에 유입시키지 않는다. 그 결과, 해당 개소에 대응하는 돌기부(52)는 덮개 부재(51)의 아래면에서 덮개 부재(51)의 외측으로 돌출하지 않고, 그 표면은 덮개 부재(51)의 아래면[밀봉용 수지 수용부(36)에의 대향면]과 동일한 평면을 형성한다.
도 24에 도시하는 예에서는, 3 개 있는 돌기부(52) 중 우측에 있는 돌기부가 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 개소에 대응하는 돌기부이며, 덮개 부재(51)의 아래면에서는 돌출되지 않는다.
계속해서, 도 25의 (A)에 도시한 바와 같이, 반도체 소자(22)의 유무에 대응시켜 돌기부(52)가 배설된 덮개 부재(51)를 밀봉용 수지 수용부(36)상에 끼움 장착하고, 밀봉용 수지(37)에 대하여 덮개 부재(51) 자신의 중량에 의해 상측으로부터 하중을 걸고, 또한 밀봉용 수지 투입 장치(50)를 상기 실시예와 동일한 수단에 의해 수평 방향으로 진동시킨다.
그 결과, 도 25의 (B)에 도시한 바와 같이 밀봉용 수지(37)는 밀봉용 수지 수용부(36)내에서 균등하게 분산된다(단계 S2-3). 즉, 배선 기판상에 반도체 소자가 존재하지 않는 영역에 대응하는 영역에는 공동(空洞) 등이 생기는 일이 없이 밀봉용 수지가 수용된다.
한편, 수지 밀봉용 금형의 상부 금형(15)내에는 한 장의 배선 기판(21)의 표면(한 쪽의 주요면)에 복수개의 반도체 소자(22)가 탑재·고착되고, 상기 반도체 소자(22)의 전극과 상기 배선 기판(21)상의 전극 단자가 본딩 와이어(23)에 의해 접속되어 되는 피수지 밀봉체가 클램프부(16)에 의해 유지되고, 또한 진공 흡착구(17)를 통해 진공 흡인되어, 상부 금형(15)에 장착·유지된다(단계 S3-1).
또한, 수지 밀봉용 금형의 하부 금형(7)의 상면의 중앙부에는 스프링(11)에 의해서 탄성 지지된 프레임부(8)에 의해 주위(사방)가 둘러싸인 캐비티부(10)가 형성되어 있다.
이 캐비티부(10)의 바닥부로부터 상기 프레임부(8)의 표면에는 불소계 수지 등으로 이루어지는 릴리스 막(9)이 피복되어 있다(단계 S3-21).
상기 하부 금형(7)이 가열 기구(도시 생략)에 의해 175℃ 정도의 온도로 가열되어 있는 상태에서, 도 26에 도시한 바와 같이 밀봉용 수지가 수용된 상기 밀봉용 수지 투입 장치(50)가 그 지지·안내부(31i)의 하단을 상기 프레임부(8)의 상면부에 접하여 하부 금형(7)상에 적재된다.
이때, 밀봉용 수지 투입 장치(50)는 그 개구(32)가 하부 금형(7)의 캐비티부(10)의 개구면에 대응하도록 적재된다.
그리고, 밀봉용 수지 투입 장치(50)의 밀봉용 수지 수용부(36)의 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)이 화살표 S1 방향으로 미끄럼 이동되어, 밀봉용 수지 수용부(36)로부터 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내로 밀봉용 수지(37)가 낙하·공급된다 (단계 S3-22).
즉, 밀봉용 수지 투입 장치(50)의 밀봉용 수지 수용부(36)의 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)을 화살표 S1 방향으로 미끄럼 이동함으로써, 밀봉용 수지 수용부(36)에 수용되어 있던 밀봉용 수지(37)는 하부 금형(7)의 캐비티부(10)내로 낙하한다.
상기한 바와 같이, 밀봉용 수지(37)는 밀봉용 수지 수용부(36) 내부에서 상기 돌기부(52)의 돌출에 대응하고 또한 균일하게 분산되어 있고, 또한 상측으로부터는 해당 돌기를 갖춘 덮개 부재(51)에 의해 하중이 인가되어 있다.
따라서, 바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)이 중앙으로부터 좌우 방향으로 미끄럼 이동되더라도, 캐비티부(10)내로 낙하한 밀봉용 수지(37)는 균일한 밀도 분포를 유지하고 또한 상기 돌기부(52)의 돌출에 대응하는 오목부(37a)를 가지면서 상기 캐비티부(10)내에 수용된다.
그 결과, 하부 금형(7)의 캐비티부(10)로 낙하한 밀봉용 수지(37)는 밀봉용 수지 투입 장치(50)의 밀봉용 수지 수용부(36)내에서의 분포와 대략 동일한 분포를 갖는다. 즉, 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 수용된 밀봉용 수지(37)에 있어서는 배선 기판(21)에 장착된 반도체 소자(22)의 위치에 대응하는 위치에 상기 돌기부(52)에 대응하여 오목부(37a)가 형성된다.
한편, 배선 기판(21)에 있고 반도체 소자(22)가 존재하지 않는 위치에 대응하는 개소에는, 상기 돌기부(52)가 돌출되어 있지 않기 때문에, 오목부(37a)는 형성되지 않는다.
계속해서, 하부 금형(7)과 상부 금형(15)을 합쳐서 성형 폐쇄가 이루어진다 (단계 S4).
상부 금형(15)에 유지된 배선 기판(21)에 탑재·고착된 반도체 소자(22) 및 본딩 와이어(23)를 하부 금형(7)에 형성된 캐비티부(10)내에서 용융 상태로 있는 밀봉용 수지(37)중에 침지하여 반도체 소자(22)가 밀봉용 수지(37)의 오목부(37a)에 수용되도록 상부 금형(15)과 하부 금형(7)은 성형 폐쇄된다.
이 경우, 도 27에 도시한 바와 같이, 상부 금형(15)과 하부 금형(7) 사이에 존재하는 공기에 의해 밀봉용 수지(37)중에 기포(void)가 발생하는 것을 방지하도록 성형 폐쇄 직전에 상부 금형(15)과 하부 금형(7) 사이의 공간을 진공 상태로 하는 것이 바람직하다.
이 때문에, 도 27에 도시하는 예에서는 상부 금형(15)의 가장자리 근방과 하부 금형(7) 가장자리 근방 사이에 고무 등의 탄력성이 있는 패킹(100)을 배치하고, 이 패킹(100)과 상부 금형(15) 및 하부 금형(7)에 의해 폐쇄 공간을 형성한다.
그리고, 성형 폐쇄 직전에 하부 금형(7)에 있어서 상기 패킹(100) 보다도 내측에 설치된 배기 구멍(1O1)을 통해 상기 폐쇄 공간 내의 공기를 배제하고, 소정의 진공 상태로 한다.
또한, 이러한 기밀·진공화 수단은 상기 제1 및 제2 실시예에서도 적용할 수 있다.
수지 밀봉이 완료되면 상부 금형(15)과 하부 금형(7)을 이형한다(단계 S5).
이와 같이 본 실시예에서는 수지 밀봉되는 배선 기판에 탑재되는 반도체 소자의 유무에 대응시켜서 밀봉 처리에 사용하는 밀봉용 수지량을 결정하고, 또한 밀 봉용 수지 투입 장치의 덮개 부재에는 선택적으로 돌출 가능한 돌기부를 배설하고, 배선 기판상의 반도체 소자의 존재 유무에 대응하여 상기 돌기부를 돌출시킴으로써, 밀봉용 수지의 분포의 최적화를 도모할 수 있다.
따라서, 반도체 소자가 탑재되어 있는 개소와 탑재되어 있지 않은 개소를 포함하는 배선 기판이라도, 수지 밀봉시, 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 영역으로의 밀봉용 수지의 흐름 발생을 방지할 수 있어, 해당 영역에 근접하는 반도체 소자의 전극에 접속되어 있는 본딩 와이어의 변형 및/또는 단선, 또한 본딩 와이어간의 단락 등이 방지된다.
또한, 본 실시예는 최저 용융 점도가 300 poise인 특성을 갖는 밀봉용 수지를 이용하여 전자 부품을 수지 밀봉하는 경우에 적합하다.
또한, 상기 제1 내지 제3 실시예에 있어서 상기 밀봉용 수지 투입 장치(30, 40, 50)는 지지·안내부(31i)의 하단부가 하부 금형(7)의 프레임부(8)의 상면부에 접촉되어 하부 금형(7)상에 적재되어 있지만, 상기 지지·안내부(31i)를 설치하지 않고, 벽부(33)의 주위에서의 기판 부분, 예컨대 コ자형부(31h)의 아래면에, 상기 밀봉용 수지 투입 장치의 기계적 지지 및 하부 금형(7)과의 위치 결정을 위한 주상 각부(pillar state leg part) 또는 벽형 각부(wall state leg part)를 배설해도 좋다.
바닥판(34-1) 및 바닥판(34-2)의 미끄럼 이동을 제한하는 개소가 아니면, 주상 각부 또는 벽형 각부의 배설 위치는 이것에 한정되지 않는다.
상기 주상 각부 또는 벽형 각부는 밀봉용 수지 투입 장치 아래면과 하부 금 형(7)의 프레임부(8)의 상면이 병행되고, 또한 그 간격을 가능한 만큼 작아지도록 배설 위치, 높이가 선택된다.
이 경우, 하부 금형에는 상기 주상 각부 또는 벽형 각부를 수용하여 위치 결정을 행하는 구멍 또는 홈이 설치된다.
[제4 실시예]
다음에, 본 발명의 전자 부품의 수지 밀봉 방법의 제4 실시예에 관해서 도 28 내지 도 30을 참조하여 설명한다. 또한, 상기 제3 실시예에서 설명한 부위에 대응하는 부위에 관해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
상기 제1 내지 제3 각 실시예는 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지를 밀봉용 수지 투입 장치로부터 하부 금형의 캐비티부(10)내로 공급하는 것이다.
본 실시예에서는 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지를 밀봉하는 배선 기판에 적재·탑재된 반도체 소자의 유무에 대응시킨 형상으로 미리 정형·고화한 후, 상기 고화된 밀봉용 수지를 하부 금형에 배치한다.
본 실시예에 있어서 이용되는 밀봉용 수지 고화 장치의 구조에 관해서, 도 28을 참조하여 설명한다.
상기 밀봉용 수지 고화 장치(200)는 수금형(210)과 암금형(250)을 구비한다.
암금형(250)은 밀봉용 수지 수용부(255)를 대략 중앙에 구비한다. 상기 밀봉용 수지 수용부(255)는 수지 밀봉시에 사용되는 하부 금형(7)에 형성되는 캐비티부(10)의 용적·형상과 대략 동일한 용적·형상을 갖는다.
또한, 암금형(250)내로서 밀봉용 수지 수용부(255)의 아래쪽에는 히터(257) 가 배설된다. 이 히터(257)는 밀봉용 수지 수용부(255)에 수용되는 밀봉용 수지(37)를 그 경화 반응이 촉진되지 않는 온도인 약 25 내지 50℃ 정도로 가열한다.
한편, 수금형(210)에는 상기 제3 실시예에서의 돌기부(52)와 마찬가지로 배선 기판에 탑재되는 반도체 소자의 체적과 대략 동일한 체적을 갖는 돌기부(212)가 상기 수금형(210)의 하측으로서, 상기 배선 기판에 탑재되는 반도체 소자의 위치에 대응하는 각각의 위치에 연직 방향으로 출납 가능하게 배설되어 있다.
상기 돌기부(212)는 수금형(210)내를 상하 이동 가능하게 관통하여 배설된 나사부(213)에 접속되어 있다. 이러한 나사부(213)는 플렉시블 케이블(214)의 한쪽 단부에 접속되어 있고, 상기 플렉시블 케이블(214)의 타단은 모터(도시 생략)에 접속되어 있다. 플렉시블 케이블(214)은 모터의 회전 동작을 나사부(213)에 전달한다.
모터가 구동되어, 그 회전 동작이 플렉시블 케이블(214)을 통해 나사부(213)에 전달되면 나사부(213)는 회전하면서 아래쪽으로 이동한다. 이 나사부(213)에 접속되어 있는 돌기부(212)는 수금형(210)내를 이동하여 수금형(210)의 아래면에서 수금형(210)의 외측으로 돌출한다.
또한, 상기 돌기부(212)의 주위에는 스프링(216)이 배설되어, 상기 모터가 구동되지 않는 상태에서는 상기 스프링(216)에 의해 돌기부(212)는 나사부(213)에 압박되어 수금형(210)의 아래면에서 수금형(210)의 외측으로 돌출하지 않는 상태가 된다.
또한, 수금형(210)의 아래쪽에는 히터(215)가 배설되어 있다.
다음에, 이러한 밀봉용 수지 고화 장치(200)를 이용한 수지 밀봉 방법에 관해서 도 28 및 도 29를 참조하여 설명한다.
본 실시예에서는 상기 밀봉용 수지 고화 장치(200)를 이용하여, 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지를 밀봉하는 배선 기판에 적재되는 반도체 소자의 유무에 대응한 형상으로 고화한다.
상기 제3 실시예에서 설명한 바와 같이 수지 밀봉 대상의 배선 기판에 대한 화상 인식 처리가 행하여지고, 화상 인식 장치에 의해 위치 정보와 등록 정보를 비교하여 배선 기판에 탑재되어 있지 않은 반도체 소자분의 체적에 해당하는 양의 밀봉용 수지의 중량 데이터가 가산되어 수지 계량 장치(80)에 보내어진다.
상기 데이터에 기초하여 밀봉용 수지 고화 장치(200)에 투입하여야 할 밀봉용 수지의 중량이 계량되고, 계량된 밀봉용 수지는 밀봉용 수지 고화 장치(200)의 암금형(250)의 밀봉용 수지 수용부(255)에 투입된다.
한편, 수금형(210)에 있어서는 촬상 수단에 의해 인식된 위치 정보가 밀봉용 수지 고화 장치(200)에 보내어지고, 이러한 위치 정보에 기초하여 각 반도체 소자와 대응한 위치에 설치되는 돌기부(212)는 대응하는 반도체 소자가 존재하는 경우에는 돌출하고, 대응하는 반도체 소자가 존재하지 않는 경우에는 돌출하지 않는다.
즉, 상기 배선 기판에서의 반도체 소자의 위치 정보는 밀봉용 수지 투입 장치(50)의 모터의 제어 신호에 관련되어 대응하는 모터를 제어함으로써 수금형(210)의 돌기부(212)의 출납이 제어된다. 배선 기판의 반도체 소자가 탑재되어 있는 개소에 대응하는 돌기부(212)에 대응하는 모터를 구동하여 그 회전 동작을 나사 부(213)에 전달하고, 나사부(213)에 접속되어 있는 돌기부(212)를 수금형(210)의 아래면에서 외측으로 돌출시킨다.
한편, 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 개소에 대응하는 돌기부(212)에 대응하는 모터는 구동하지 않고 나사부(213)를 회전시키지 않는다. 이 경우, 돌기부(212)는 수금형(210)의 아래면에서 외측으로 돌출하지 않고, 그 표면은 수금형(210)의 아래면[밀봉용 수지 수용부(255)로의 대향면]과 동일한 평면을 형성한다.
도 28에 도시하는 예에서는 3 개 있는 돌기부(212) 중 가장 우측에 있는 돌기부가 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 배선 기판 영역에 대응하는 돌기부이며, 수금형(210) 아래면에서 돌출하지 않는다.
다음에, 도 29에 도시한 바와 같이 수금형(210)을 암금형(250)상에 얹어 놓고(도 29의 (A) 참조), 양금형(210, 250)을 진동시켜 암금형(250)의 밀봉용 수지 수용부(255)내에 수용되어 있는 밀봉용 수지(37)를 분산시킨다(도 29의 (B) 참조).
이때, 암금형(250)은 히터(257)에 의해 가열되어, 밀봉용 수지 수용부(255)내에 수용되어 있는 밀봉용 수지(37)의 온도는 약 25 내지 50℃ 정도의 경화 반응이 촉진되지 않는 온도로 되어 있고, 상기 밀봉용 수지(37)는 용융 상태로 이르지 않고, 연화 상태로 있다.
또한, 이때 수금형(210)의 상측으로부터 압력을 가한다(도 29의 (C) 참조).
상기 밀봉용 수지(37)는 연화 상태로 있기 때문에, 이러한 가압에 의해 용이하게 고화한다. 도 29의 (C)에 고화된 밀봉용 수지(37H)를 흑색으로 도시한다.
그리고 나서, 도 30에 도시한 바와 같이 고화한 밀봉용 수지(37H)를 흡착 아암 등의 흡착 수단(도시하지 않음)에 의해 흡착하여 암금형(250)의 밀봉용 수지 수용부(255)로부터 추출하여 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 수용한다.
여기서, 암금형(250)의 밀봉용 수지 수용부(255)는 상기 하부 금형(7)에 형성된 캐비티부(10)의 체적·형상과 대략 동일한 체적·형상을 갖기 때문에, 암금형(250)의 밀봉용 수지 수용부(255)로부터 추출된 밀봉용 수지(37H)는 그 대로의 상태로 하부 금형(7)의 캐비티부(10)에 수용된다.
캐비티부(10)에 수용된 밀봉용 수지(37H)에 있어서는 배선 기판(21)에 장착된 반도체 소자(22)의 위치에 대응하는 위치에 수금형(210)에서의 돌기부(212)에 의해 오목부(37b)가 형성되어 있고, 한편 반도체 소자(20)가 배설되어 있지 않은 위치에 대응하는 개소에는 오목부(37b)는 형성되어 있지 않다.
계속해서, 배선 기판(21)이 장착된 상부 금형(15)과 약 175℃에서 일정 온도가 되도록 가열된 하부 금형(7)을 합쳐서 성형 폐쇄하여 수지 밀봉을 행한다.
이와 같이, 본 실시예에서는 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지를 밀봉하는 배선 기판에 적재된 반도체 소자의 유무에 대응하도록 미리 성형·고화한 후, 이것을 하부 금형에 공급하고 있다.
따라서, 하부 금형의 캐비티부에서의 밀봉용 수지를 밀봉하는 반도체 소자의 유무에 대응시켜 정밀하게 배치·분포시킬 수 있어 밀봉용 수지의 유동을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
이에 따라, 이러한 밀봉용 수지의 유동에 기초하는 본딩 와이어의 변형 및/ 또는 단선, 또한 본딩 와이어간의 단락 등을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 본 실시예에서 이용되는 밀봉용 수지는 최저 용융 점도가 200 poise인 특성을 갖는 수지인 것이 바람직하다.
이러한 최저 용융 점도를 갖는 수지이라면, 밀봉용 수지 고화 장치로 고화한 밀봉용 수지를 175℃ 정도로 가열된 하부 금형의 캐비티부에 배설하더라도, 상기 밀봉용 수지가 용융하여 유동하고, 오목부가 변형하는 것을 방지할 수 있다.
[제5 실시예]
다음에, 본 발명의 전자 부품의 수지 밀봉 방법의 제5 실시예에 관해서 도 31 내지 도 34를 참조하여 설명한다. 또한, 상기 실시예에서 설명한 부위와 동일한 부위에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략한다.
상기 제4 실시예에서는 최저 용융 점도가 200 poise인 특성을 갖는 밀봉용 수지를 이용하는 것이 바람직하다.
그러나, 최저 용융 점도가 50 poise 이하와 같은 높은 유동 특성을 갖는 밀봉용 수지의 경우에는, 분말 또는 과립상의 밀봉용 수지를 밀봉하는 반도체 소자의 유무에 대응시킨 형상이 되도록 밀봉용 수지 고화 장치로 미리 고화하여, 고화된 밀봉용 수지를 하부 금형에 수용하는 방법을 채용하는 것이 곤란하다.
즉, 상기 밀봉용 수지를 미리 가열되어 있는 하부 금형의 캐비티부에 수용하면, 그와 동시에 상기 밀봉용 수지의 용융·유동이 생겨, 상기 밀봉용 수지의 유동에 기초하는 본딩 와이어의 변형·단선을 초래할 우려가 크다.
본 실시예에서는 하부 금형의 캐비티부 저면의 상기 배선 기판에 탑재되는 반도체 소자의 위치에 대응하는 위치에 캐비티부에 출납 가능한 돌기부를 설치하여 상기한 문제에 대응한다.
본 실시예에서 이용되는 하부 금형의 구조에 관해서 도 31을 참조하여 설명한다.
하부 금형(300)의 상면 중앙부에는 스프링(11)에 의해서 탄성 지지된 프레임부(8)에 의해 사방이 둘러싸여서 캐비티부(10)가 형성되어 있다. 또한, 이 캐비티부(10)의 하부로부터 상기 프레임부(8) 표면에는 불소계 수지 등으로 이루어지는 릴리스 막(9)이 피복되어 있다.
프레임부(8)의 외측에는 하부 금형(300)의 지지 플레임체(320)를 관통하여 지지 플레임체(320)내를 상하 방향으로 이동 가능하게 안내봉(302)이 배설되어 있다. 이 안내봉(302)의 상단은 지지 플레임체(320)로부터 돌출하여 상기 프레임부(8)의 상단부보다도 약간 아래쪽에 위치해 있다.
또한, 안내봉(302)의 하단은 지지 플레임체(320)의 내부에 설치된 받침대(304)에 지지되어 있다. 이 받침대(304)는 단부에서 스프링(306)을 통해 지지 플레임체(320)의 바닥부에 지지되어 있다.
또한, 상기 지지 플레임체(320)에는 상부 금형(15)과 하부 금형(300)이 탄성체로 이루어지는 패킹(100)을 통해 접촉했을 때에 상부 금형(15)과 하부 금형(300) 사이에서 상기 상부 금형(15), 하부 금형(300) 및 패킹(100)에 의해 형성되는 폐쇄 공간 내를 배기하는 배기 구멍(101)이 배설되어 있다. 도시하는 실시예에서는 상기 배기 구멍(101)은 안내봉(302)의 외측에 위치하여 배설되어 있다.
또한, 상기 캐비티부(10)의 하부에는 캐비티부(10)의 지지부(330)가 배설되어 있다.
상기 캐비티부(10)의 지지부(330)의 내부에는 상기 배선 기판(21)에 탑재되는 반도체 소자(22)의 위치에 대응하는 위치에 돌기부(308)가 배설되어 있다. 이 돌기부(308)는 캐비티부 지지부(330)를 관통하여 설치되고, 캐비티부(10)내로 릴리스 막(9)을 밀어 올려 돌출 가능하게 되어 있다.
또한, 상기 돌기부(308)의 하단은 받침대(304)에 부착된 에어 실린더(310)내에 스프링(312)을 통해 장착된 피스톤(314)에 접속되어 있다. 피스톤(314)은 받침대(304)를 관통하여 상하 이동 가능하게 되어 있다.
상기 에어 실린더(310)에는 공기 유입관(316)이 접속되어 있고, 이 공기 유입관(316)의 타단은 전자기 밸브(도시 생략)에 접속되어 있다. 이 전자기 밸브를 개방함으로써, 공기 유입관(316)을 통해 압축 공기가 에어 실린더(310)에 유입된다. 그 결과, 에어 실린더(310)내에 설치된 피스톤(314)은 상측으로 이동하여 피스톤(314)에 접속된 돌기부(308)는 캐비티부 지지부(330)내를 이동하여 캐비티부(10)의 아래면으로부터 릴리스 막(9)을 밀어 올려 캐비티부(10)내로 돌출한다.
압축 공기가 공기 유입관(316)을 통해 에어 실린더(310)에 유입되지 않는 상태에서는 돌기부(308)는 스프링(312)에 의해 에어 실린더(310)측에 압박되어 캐비티부(10)의 아래면으로부터 릴리스 막(9)을 밀어 올려 캐비티부(10)내로 돌출하는 일은 없다.
상기 전자기 밸브가 폐쇄되어 있는 경우에는 압축 공기는 에어 실린더(310) 로 유입되지 않고, 따라서 피스톤(314)은 에어 실린더(310)내를 이동하지 않고, 돌기부(308)는 캐비티부(10)내로 돌출하지 않는다.
이러한 구조를 갖춘 하부 금형(300)을 이용한 수지 밀봉 방법에 관해서, 도 32를 참조하여 설명한다. 도 32는 상기 하부 금형(300)을 이용한 수지 밀봉의 처리 흐름을 도시하는 흐름도이다.
상기 제3 실시예에서 설명한 바와 같이, 우선 화상 인식 장치(도시 생략)에 의해 수지 밀봉 처리의 대상인 배선 기판의 화상 인식 처리를 행한다.
그리고, 캐비티부(10)의 지지부(330)에서는 촬상 수단[카메라(71)]에 의해 인식된 위치 정보에 기초하여 배선 기판에 탑재되는 반도체 소자와 대응하는 위치에 배치된 돌기부(308)에 대해서 대응하는 반도체 소자가 존재하는 경우에는 캐비티부(10)의 아래면에서 캐비티부(10)내로 릴리스 막(9)을 밀어 올려 돌출시키고, 대응하는 반도체 소자가 존재하지 않는 경우에는 돌출시키지 않는다(단계 S1).
즉, 상기 배선 기판에서의 반도체 소자의 위치 정보는 상기 전자기 밸브의 제어 신호에 관련되어 대응하는 전자기 밸브를 제어함으로써 에어 실린더(310)를 통해 돌기부(308)의 출납이 제어된다. 배선 기판의 반도체 소자가 탑재·고착되어 있는 개소에 대응하는 전자기 밸브를 개방하여 압축 공기를 에어 실린더(310)에 유입하여, 피스톤(314)을 상측으로 이동시켜, 피스톤(314)에 접속되어 있는 돌기부(308)를 캐비티부(10)의 저면으로부터 릴리스 막(9)을 밀어 올려 캐비티부(10)내로 돌출시킨다.
한편, 반도체 소자가 탑재되어 있지 않은 개소에 대응하는 전자기 밸브는 폐 쇄하여 압축 공기를 에어 실린더(310)에 유입시키지 않는다. 이 경우, 돌기부(308)는 캐비티부(10)의 저면으로부터 캐비티부(10)내로 돌출하지 않고, 그 표면은 캐비티부(10)의 저면(밀봉용 수지 수용부(36)의 저면)과 동일한 평면을 형성한다.
도 31 및 도 33에 도시하는 예에서는 3개의 돌기부(308) 중 우측에 있는 돌기부가 배선 기판에 탑재되어 있지 않은 반도체 소자에 대응하는 돌기부이며, 캐비티부(10)의 저면으로부터 릴리스 막(9)을 끌어 올려 상기 캐비티부(10)내로 돌출하지 않는다.
한편, 위치 정보와 등록 정보를 비교하여 배선 기판에 탑재되어 있지 않은 반도체 소자분의 체적에 해당하는 양의 밀봉용 수지량의 데이터가 수지 계량 장치(도시 생략)에 보내어진다. 상기 데이터에 기초하여 하부 금형(300)에 투입하여야 할 밀봉용 수지량이 가산 계량되어, 하부 금형(300)의 캐비티부(10)에 공급된다(단계 S2).
단계 2의 공정이 완료했을 때의 상태를 상기 도 31에 도시한다. 도 31에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서는 용융 점도가 낮고, 최저 용융 점도가 50 poise 정도 이하와 같은 높은 유동 특성을 갖는 밀봉용 수지가 이용되는 경우, 밀봉용 수지를 하부 금형(300)의 캐비티부(10)에 공급하면 상기 밀봉용 수지는 돌기부(308)의 외측으로도 용이하게 유동하여 그 표면은 평탄해진다.
다음에, 하부 금형(300)을 상승시켜 상부 금형(15)에 근접시키고 성형 폐쇄를 시작한다(단계 S3).
우선, 상부 금형(15)의 아래면에 배설된 링형 패킹(100)이 하부 금형(300)의 상면에 접하여 상부 금형(15), 하부 금형(300) 및 패킹(100)에 의해 폐쇄 공간이 형성된다. 이러한 단계에서 배기 구멍(101)을 통해서 이 폐쇄 공간내를 배기하여 수지 밀봉에 필요한 진공도로 한다. 즉, 수지 밀봉부에 기포(void)가 생기지 않도록 캐비티부(10)를 포함하는 수지 밀봉용 공간이 소정의 진공도로 된다.
계속해서, 하부 금형(300)의 프레임부(8)가 상부 금형(15)에 접촉하고, 프레임부(8)는 수지 밀봉되는 영역을 획정한다(단계 S4).
또한, 하부 금형(300)을 상승하면 프레임부(8)는 상기 프레임부(8)의 바닥부에 설치된 스프링(11)에 대항하여 강하한다. 또한, 프레임부(8)는 성형 폐쇄가 완료할 때까지 아래쪽으로 가라앉는다.
그리고, 배선 기판(21)에 탑재·고착된 반도체 소자(22)가 밀봉용 수지(37)의 표면에 접촉하고, 또한 하부 금형(300)에서의 안내봉(302)이 상부 금형(15)과 접촉한다(단계 S5). 이 상태를 도 33에 도시한다.
또한, 하부 금형(300)을 상승시켜, 성형 폐쇄에 의한 압축 성형을 진행시킨다 (단계 S6). 그렇게 하면, 상기 안내봉(302)은 받침대(304)를 통해 스프링(306)에 의해서 탄성 지지되어 있기 때문에, 상부 금형(15)에 압박된 상기 안내봉(302)은 받침대(304)와 함께 강하한다.
상기 받침대(304)의 강하에 따라 상기 받침대(304)에 지지된 돌기부(308)도 강하한다. 이러한 돌기부(308)의 강하에 따라 캐비티부(10)내에 있고 상기 돌기부(308)상에 위치해 있었던 밀봉용 수지(37)도 강하한다.
그 결과, 상기 반도체 소자(22)가 위치하는 부분에 대응하는 밀봉용 수 지(37)는 상기 반도체 소자(22)의 상면에 압접하지 않고 상기 반도체 소자(22)에 접하여 상기 반도체 소자(22)를 수용하면서 그 표면 및 측면부를 피복한다.
따라서, 상기 반도체 소자(22)가 밀봉용 수지(37) 내에 압입되는 것과 같은 상태는 생기지 않고, 상기 밀봉용 수지(37)의 유동의 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라, 밀봉용 수지(37)의 유동에 기초하는 본딩 와이어(23)의 변형 및/또는 단선을 방지할 수 있다.
돌기부(308)가 더욱 아래쪽으로 가라앉아, 도 34에 도시한 바와 같이 돌기부(308)의 상면과 캐비티부(10)의 저면이 동일면이 되어 캐비티부(10)의 저면이 평탄하게 되면 성형 폐쇄 성형이 완료한다(단계 S7). 그리고 나서, 하부 금형(300)을 하강시킨다.
이와 같이, 본 실시예에서는 최저 용융 점도가 50 poise 정도 이하와 같은 높은 유동 특성을 갖는 밀봉용 수지를 수지 밀봉에 이용하는 경우라도, 하부 금형의 캐비티부에 수지 밀봉되는 배선 기판에 적재된 반도체 소자의 위치에 대응하여 돌기부를 배설하고, 성형 폐쇄 개시전에 캐비티부내로 상기 돌기부를 돌출시켜 놓고, 상부 금형과 하부 금형의 성형 폐쇄에 연동시켜 상기 돌기부를 인입하여 밀봉용 수지 중에 반도체 소자를 수용한다.
따라서, 높은 유동 특성을 갖는 밀봉용 수지를 적용하는 경우라도, 상기 밀봉용 수지에 불필요한 유동이 생기지 않고, 상기 밀봉용 수지의 유동에 의한 본딩 와이어의 변형 및/또는 단선, 또한 본딩 와이어간의 단락 등이 방지된다.
[반도체 장치의 제조]
다음에, 본 발명의 수지 밀봉 방법을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 예에 관해서 도 35를 참조하여 설명한다.
여기에 도시하는 제조 공정에 있어서는 대형의 배선 기판을 적용하여 상기 배선 기판에 복수개의 반도체 장치를 탑재하고, 수지 밀봉후 개개의 반도체 장치로 분리하는 공정을 도시하고 있다.
도 35에서는 대형의 배선 기판에 3개의 반도체 장치를 형성하는 상태를 예시하고 있다.
우선, 도 35의 (A)에 도시한 바와 같이 배면(전자 회로 소자·전자 회로 등의 비형성면)에 다이 본딩 필름(201)이 접착된 반도체 소자(200)를 상기 다이본딩 필름(201)을 통해 배선 기판(202)상에 탑재·고착한다.
다음에, 도 35의 (B)에 도시한 바와 같이 상기 반도체 소자(200)의 외부 접속 단자와 배선 기판(202) 상의 전극 단자(도시 생략)를 본딩 와이어(203)를 이용하여 접속한다.
계속해서, 도 35의 (C)에 도시한 바와 같이 본 발명에 의한 수지 밀봉 방법을 적용하여 배선 기판(202)상에 탑재·고착된 반도체 소자(200), 본딩 와이어(203)를 밀봉용 수지(205)에 의해 일괄하여 수지 밀봉한다.
이때, 상기 본 발명에 의한 수지 밀봉 방법을 이용하는 것에 의해, 밀봉용 수지(205)의 흐름에 의한 본딩 와이어(203)에 변형 및/또는 단선, 또한 다른 본딩 와이어(203)와의 단락 등이 방지된다.
계속해서, 도 35의 (D)에 도시한 바와 같이 배선 기판(202)의 다른 쪽 주요 면에, 땜납 볼로 이루어지는 외부 접속 단자(206)를 복수 개 배설한다.
그리고 나서, 도 35의 (E)에 도시한 바와 같이 배선 기판(202), 이 배선 기판(202)의 한 쪽 주요면에 있어서 밀봉용 수지(205)에 의해 수지 밀봉된 반도체 소자(200) 및 상기 반도체 소자(200)로부터 도출된 본딩 와이어(203)를 하나의 단위로서, 다이싱소(dicing saw)를 이용한 다이싱(dicing) 등에 의해 구현되어 개개의 반도체 장치(210)를 형성한다.
이상, 본 발명의 실시예에 관해서 상술하였지만, 본 발명은 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서 여러 가지의 변형 및 변경이 가능하다.
또한, 특허 청구의 범위에서의 「수지 재료」의 일례가 전술한 밀봉용 수지 이며, 「수지 재료 투입 장치」의 일례가 전술한 밀봉용 수지 투입 장치이며, 「수지 재료 수용부」의 일례가 전술한 밀봉용 수지 수용부이며, 「가압 수단」의 일례가 전술한 덮개 부재이며, 「등록부」의 일례가 전술한 데이터베이스이다.
이상의 설명에 대해서, 다시 이하의 항을 개시한다.
(부기 1) 상부 금형에 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 장착하여, 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하고, 상기 상부 금형에 유지된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서,
상기 수지 재료는 미리 밀봉용 수지 투입 장치에 있어서 가압 처리 및 분산 처리가 이루어진 후, 상기 하부 금형의 캐비티부에 수용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 2) 상기 밀봉용 수지 투입 장치에서 수지 재료에 대한 가압 처리는 상기 밀봉용 수지 투입 장치에서 덮개 부재를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 3) 상기 밀봉용 수지 투입 장치에서 수지 재료에 대한 분산 처리는 상기 밀봉용 수지 투입 장치에 진동을 부여하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 4) 상기 밀봉용 수지 투입 장치에서 가압 처리, 분산 처리가 이루어진 밀봉용 수지는 상기 밀봉용 수지 투입 장치 내에서 낙하하여 하부 금형의 캐비티부에 수용되는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 5) 상기 덮개 부재에는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 탑재 위치에 대응하여, 상기 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 배설되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 6) 상기 덮개 부재에는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 상기 전자 부품의 유무에 대응하여 선택적으로 돌출 가능하게 배설되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 7) 상기 기판에 장착되는 상기 전자 부품이 있는 개소에 대해서는 상기 돌기부를 돌출시키고,
상기 기판에 장착되는 상기 전자 부품이 없는 개소에 대해서는 상기 돌기부 를 돌출시키지 않는 것을 특징으로 하는 부기 6에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 8) 상기 수지 재료는 상기 기판에 탑재되어야 하는 전자 부품이 모두 탑재되어 있는 경우에 적용되는 수지 재료량에 상기 기판에 장착되어 있지 않은 전자 부품의 체적에 해당하는 수지 재료량이 가해져서 상기 수지 재료 수용부에 수용되는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 9) 등록부에 등록되어 있는 상기 전자 부품 1 개분의 체적에 해당하는 상기 수지 재료의 중량에 대한 정보와, 실제로 상기 기판에 장착되어 있지 않은 전자 부품의 수에 대한 정보에 기초하여, 실제로 상기 기판에 장착되어 있지 않은 상기 전자 부품의 체적에 해당하는 양의 수지 재료의 중량을 산출하는 것을 특징으로 하는 부기 8에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 10) 상부 금형에 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 장착하고, 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하여, 상기 상부 금형에 유지된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서,
상기 수지 재료는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 탑재 위치에 대응하고 상기 전자 부품의 체적에 대응하는 용적을 갖는 오목부가 배설되어 고화된 후, 상기 하부 금형의 캐비티부에 수용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 11) 상기 수지 재료를 고화하기 위해서 이용되는 금형 부재에는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 상기 전자 부품의 유무에 대응하여 선택적으로 돌출 가능하게 배설되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 12) 상기 기판에 장착되는 상기 전자 부품이 있는 개소에 대해서는 상기 돌기부를 돌출시키고,
상기 기판에 장착되는 상기 전자 부품이 없는 개소에 대해서는 상기 돌기부를 돌출시키지 않는 것을 특징으로 하는 부기 11에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 13) 상기 수지 재료는 상기 기판에 탑재되어야 하는 전자 부품이 모두 탑재되어 있는 경우에 적용되는 수지 재료량에, 상기 기판에 장착되어 있지 않은 전자 부품의 체적에 해당하는 수지 재료량이 가해져서 상기 수지 재료 수용부에 수용되는 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 14) 등록부에 등록되어 있는 상기 전자 부품 1 개분의 체적에 해당하는 상기 수지 재료의 중량에 대한 정보와, 실제로 상기 기판에 장착되어 있지 않은 전자 부품의 수에 대한 정보에 기초하여, 실제로 상기 기판에 장착되어 있지 않은 상기 전자 부품의 체적에 해당하는 량의 수지 재료의 중량을 산출하는 것을 특징으로 하는 부기 13에 기재된 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
(부기 15) 상부 금형에 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 장착하고, 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하여, 상기 상부 금형에 유지된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으 로서,
상기 기판에 탑재된 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 상기 전자 부품의 유무에 대응하여 선택적으로 돌출 가능하게 배설된 하부 금형의 캐비티부에 수지 재료를 수용하여 용융하고,
상기 용융 수지중으로의 상기 전자 부품의 침지에 대응시켜서 상기 돌기의 돌출량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
본 발명에 따르면, 밀봉용 수지의 흐름에 따라 본딩 와이어에 변형 및/또는 단선이 생기고, 또한 다른 본딩 와이어에 접촉하여 버리는 것을 방지할 수 있는 전자 부품의 수지 밀봉 방법을 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 상부 금형에 장착하고, 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하여, 상기 상부 금형에 유지된 기판에 탑재된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서,
    상기 수지 재료는 미리 밀봉용 수지 투입 장치에 있어서 가압 처리 및 분산 처리가 이루어진 후, 상기 하부 금형의 캐비티부에 수용되며,
    상기 분산 처리는 상기 밀봉용 수지 투입 장치에 진동을 부여하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 밀봉용 수지 투입 장치에서 수지 재료에 대한 가압 처리는 상기 밀봉용 수지 투입 장치에서 덮개 부재를 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 밀봉용 수지 투입 장치에서 가압 처리, 분산 처리가 이루어진 밀봉용 수지는 상기 밀봉용 수지 투입 장치 내에서 낙하하여 하부 금형의 캐비티부에 수용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 덮개 부재에는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 탑재 위치에 대응하여, 상기 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 배설되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 덮개 부재에는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 상기 전자 부품의 유무에 대응하여 선택적으로 돌출 가능하게 배설되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
  7. 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 상부 금형에 장착하고, 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하여, 상기 상부 금형에 유지된 기판에 탑재된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서,
    상기 수지 재료는 상기 기판에 탑재되어야 하는 전자 부품이 모두 탑재되어 있는 경우에 적용되는 수지 재료량에 상기 기판에 장착되어 있지 않은 전자 부품의 체적에 해당하는 수지 재료량이 가해져서 상기 수지 재료 수용부에 수용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
  8. 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 상부 금형에 장착하고, 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하여, 상기 상부 금형에 유지된 기판에 탑재된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서,
    상기 수지 재료는 상기 기판에 탑재된 전자 부품의 탑재 위치에 대응하고 상기 전자 부품의 체적에 대응하는 용적을 갖는 오목부가 배설되어 고화된 후, 상기 하부 금형의 캐비티부에 수용되는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
  9. 복수개의 전자 부품이 탑재된 기판을 상부 금형에 장착하고, 하부 금형의 캐비티부에 수용된 수지 재료를 용융하여, 상기 상부 금형에 유지된 기판에 탑재된 전자 부품을 상기 용융된 수지에 침지하여 수지 밀봉하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법으로서,
    상기 기판에 탑재된 전자 부품의 체적에 대응하는 체적을 갖는 돌기가 상기 전자 부품의 유무에 대응하여 선택적으로 돌출 가능하게 배설된 하부 금형의 캐비티부에 수지 재료를 수용하여 용융하고,
    상기 용융 수지중으로의 상기 전자 부품의 침지에 대응시켜서 상기 돌기의 돌출량을 변경시키는 것을 특징으로 하는 전자 부품의 수지 밀봉 방법.
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