JP2014172287A - 樹脂モールド金型、樹脂モールド装置、樹脂モールド方法、および樹脂モールド金型の評価方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂充填性を向上することができる樹脂モールド金型を提供する。
【解決手段】樹脂モールド金型１０は、上型１１と下型１２とで型締めして、ポット１３、カル１４、ランナゲート１５、成形キャビティ１６、スルーゲート１７、ダミーキャビティ１８、エアベント１９で連通される連通路が形成され、ポット１３から圧送されて成形キャビティ１６に充填された樹脂Ｒを熱硬化させるものである。ここで、樹脂モールド金型１０は、上型１１と下型１２との間でクランプされるプレート状の中間金型２０と、エアベント１９と連通して設けられるエア吸引機構部５０と、エアベント１９の中途部に進退動可能に設けられる可動ピン５３と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂モールド金型、樹脂モールド装置、樹脂モールド方法、および樹脂モールド金型の評価方法に適用して有効な技術に関する。

特開２０１０−１０９２５２号公報（特許文献１）には、基板とこれにフリップチップ接続された半導体チップとの間にアンダーフィル樹脂を充填するために、樹脂モールド金型を用いる技術が記載されている。そして、この特許文献１には、アンダーフィル樹脂の漏れ防止のために、上金型と下金型との間に配置された中間プレートが記載されている（特にその明細書段落［００２７］、［００３８］参照）。

特開２０１０−１０９２５２号公報

例えば、基板とこれにフリップチップ接続された半導体チップとの間の狭隘な箇所を樹脂充填する半導体装置（半導体パッケージ）の製造工程では、この箇所にボイド（エア溜まり）が発生して充分に樹脂が充填されない場合がある。ボイドが発生した半導体装置は、基板と半導体チップとの接合部分が充分に保護されず、例えば、経時劣化により絶縁破壊が起こりやすくなり、信頼性が低下することとなる。このため、ボイドが発生した半導体装置を不良品とすると、半導体装置の製造歩留まりが低下することとなる。

本発明の目的は、樹脂充填性を向上することのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。

本発明の一実施形態における樹脂モールド金型は、第１金型と、チップ部品が搭載されたワークを、当該チップ部品を前記第１金型側に向けて支持する第２金型と、前記第１金型または第２金型のいずれかに組み付けられ、モールド樹脂を供給するポットおよびプランジャと、前記ポットに連通して前記チップ部品を収容するキャビティ孔を有する中間金型と、前記中間金型と前記第１金型または第２金型との間の少なくとも一方の間に形成されたエアベント溝と、当該エアベント溝に対面する前記第１または第２金型の少なくとも一方に進退動可能に設けられた可動ピンと、を備え、前記第１金型と前記第２金型とで前記ワークおよび前記中間金型がクランプされ、前記エアベント溝よりエア吸引されて金型内に形成される減圧環境下で、前記可動ピンで前記エアベント溝を閉塞することにより、前記キャビティ孔よりオーバーフローさせた前記モールド樹脂を堰き止めることを特徴とする。

本発明の一実施形態における樹脂モールド装置は、前記樹脂モールド金型と、前記樹脂モールド金型の動作を制御する制御部とを備える樹脂モールド装置において、前記制御部は、（ａ）前記第１金型と前記第２金型とで前記ワークおよび前記中間金型をクランプさせる処理と、（ｂ）前記エアベント溝より金型内をエア吸引して減圧環境下を形成させる処理と、（ｃ）前記可動ピンを進入させて前記エアベント溝を閉塞し、前記キャビティ孔よりオーバーフローさせた前記モールド樹脂を堰き止めさせる処理と、を含むことを特徴とする。

本発明の一実施形態における樹脂モールド方法は、前記樹脂モールド金型を用いる樹脂モールド方法において、（ａ）前記第１金型と前記第２金型とで前記ワークおよび前記中間金型をクランプする工程と、（ｂ）前記エアベント溝より金型内をエア吸引して減圧環境下を形成する工程と、（ｃ）前記可動ピンを進入させて前記エアベント溝を閉塞し、前記キャビティ孔よりオーバーフローさせた前記モールド樹脂を堰き止める工程と、を含むことを特徴とする。

以上の構成によれば、成形キャビティからモールド樹脂をエア（特に、樹脂流頭に多く含まれるエア）と共にダミーキャビティに圧送して、成形キャビティ内樹脂充填されたモールド樹脂にエアが残らないようにすることができる。したがって、成形キャビティで充填されたモールド樹脂は、成形キャビティ内に配置された狭隘な箇所に対しても樹脂充填性を向上することができる。

前記一実施形態における樹脂モールド金型では、前記中間金型として交換可能な第１および第２中間金型を備え、前記第１中間金型のキャビティ孔の大きさが、前記第２中間金型のキャビティ孔の大きさよりも小さいことがより好ましい。

前記一実施形態における樹脂モールド方法では、前記樹脂モールド金型は、前記中間金型として交換可能な第１および第２中間金型を備え、前記第１中間金型のキャビティ孔の大きさが、前記第２中間金型のキャビティ孔の大きさよりも小さく、（ｄ）前記第１中間金型を用いて前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）工程を行い、前記第１中間金型のキャビティ孔に充填された樹脂を熱硬化して第１成形品を成形する工程と、（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２中間金型のキャビティ孔内に前記第１成形品を収容して前記第２中間金型を配置する工程と、（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第２中間金型を用いて前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）工程を行い、前記第２中間金型のキャビティ孔に充填された樹脂を熱硬化して、前記第１成形品を覆う第２成形品を成形する工程と、を含むことがより好ましい。

以上の構成によれば、第１中間金型を用いて狭隘な箇所へ樹脂充填された第１成形品を形成し、第２中間金型を用いて第１成形品を覆う第２成形品を形成することができる。この第１成形品については、第１中間金型を用いて狭隘な箇所の周囲際（外周際）に壁（第１中間金型のキャビティ孔の側壁）が形成され、モールド樹脂がチップ部品の周囲を通過し難くなり、狭隘な箇所であっても樹脂充填性が向上される。

前記一実施形態における樹脂モールド金型では、前記中間金型には、前記キャビティ孔と前記エアベントとの間で連通するダミーキャビティが形成されていることがより好ましい。以上の構成によれば、成形キャビティを構成するキャビティ孔の大きさに合わせてダミーキャビティを構成するダミーキャビティ孔の大きさを同じ中間金型で調整することができる。すなわち、成形キャビティ内を通過させるモールド樹脂の量を増加させて、エアをより確実に排出することができる。

前記一実施形態における樹脂モールド方法では、（ｇ）前記（ｄ）工程中の前記（ａ）工程の前に、基板にフリップチップ接続されたチップ部品をワークとして前記樹脂モールド金型に供給し、前記第１中間金型のキャビティ孔内に前記チップ部品を収容して前記ワークを覆うように前記第１中間金型を配置する工程を含むことがより好ましい。以上の構成によれば、基板とこれにフリップチップ接続されたチップ部品との間の樹脂充填性を向上することができる。

本発明の一実施形態における樹脂モールド金型の評価方法は、前記ワークとして実際のモールド成形品に用いる前記チップ部品の形状を模したダミーチップを有するダミーワークを用いることを特徴とする。これによれば、安価かつ効率的に金型構造や制御の評価を行うことができる。

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すると、樹脂充填性を向上することができる。

本発明の第１実施形態における樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図１に示すワークの模式的平面図である。 図１に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図３に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図４に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図５に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図６に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図７に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 本発明の第２実施形態における樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図９に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図１０に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 本発明の第３実施形態における樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図１２に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図１３に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図１４に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図１５に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 図１６に続く使用状態の樹脂モールド装置の要部の模式的断面図である。 本発明の第４実施形態における樹脂モールド金型を説明するための図である。 本発明の第５実施形態における樹脂モールド金型を説明するための図である。 本発明の第６実施形態における樹脂モールド金型を説明するための図である。 本発明の第６実施形態における樹脂モールド金型を説明するための図である。 本発明の第７実施形態における樹脂モールド金型を説明するための図である。 本発明において樹脂モールドされる他のワークの模式的断面図である。 本発明において樹脂モールドされる他のワークの模式的断面図である。 本発明において樹脂モールドされる他のワークの模式的断面図である。 本発明のその他の実施形態における樹脂モールド金型を説明するための図である。 本発明のその他の実施形態における樹脂モールド金型を説明するための図である。

以下の本発明における実施形態では、必要な場合に複数のセクションなどに分けて説明するが、原則、それらはお互いに無関係ではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細などの関係にある。このため、全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。

また、構成要素の数（個数、数値、量、範囲などを含む）については、特に明示した場合や原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。また、構成要素などの形状に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。

（第１実施形態）
本発明における第１実施形態では、２つの中間金型を用いた樹脂モールド方法（２ステップ成形法）によって、本装置における最終工程までが行われたモールド成形品（以下、「最終成形品」ともいう）を成形する場合について説明する。すなわち、本発明における最終成形品とは、樹脂モールド装置から取り出された状態のワークをいい、例えば、半導体装置（半導体パッケージ）として成形（製造）されるものである。

まず、本実施形態における樹脂モールド方法に用いられる樹脂モールド金型を備えた樹脂モールド装置について図面を参照して説明する。図１は、樹脂モールド装置１００の要部（主に樹脂モールド金型１０）の模式的断面図である。図１中の一点鎖線は、境界線として示されている。また、図２は、樹脂モールド対象のワークＷの模式的平面図である。図２中のＡ−Ａ線は、図１に示すワークＷの断面箇所として示されている。

樹脂モールド装置１００は、量産用の場合、図示しない供給部と収納部との間に、少なくとも一つのプレス部を備えて構成される。樹脂モールド装置１００は、このプレス部にて樹脂モールド金型１０を備えている。供給部では、ワークＷや樹脂Ｒ（例えば、タブレット状、顆粒状あるいは液状のモールド樹脂）をプレス部へ供給する準備、処理がされる。収納部では、樹脂モールド成形されたワークＷを収納する準備、処理がされる。供給部、プレス部、収納部間のワークＷや樹脂Ｒの搬送には、プレス部への搬入を行うローダ（図示せず）と、プレス部からの搬出を行うアンローダ（図示せず）が用いられ、これらは公知の機構で構成される。

ワークＷは、基板１０１（例えば、配線基板）上にチップ部品１０２（例えば、ＣＰＵなどの半導体チップ）およびコンポーネント１０３（例えば、チップコンデンサなどの電子部品）が搭載されたものである。チップ部品１０２は、マトリクス状に配置されたバンプ１０４（図２中、透視した状態で示す。）を介して基板１０１とフリップチップ接続されている。このため、基板１０１とチップ部品１０２との間には、狭隘な箇所（バンプ高さ分や狭ピッチのバンプ間のギャップ）が形成されることとなる（図１参照）。後述するが、基板１０１上のチップ部品１０２に対して、樹脂モールド金型１０を用いてアンダーフィル工程（モールドアンダーフィル：Mold Under Fill）を行う。

なお、ワークＷとして、ＴＳＶ（Through Silicon Via）のような技術を用いることで積層搭載可能に構成されたチップ部品１０２を複数積層して基板１０１に搭載してもよい。また、チップ部品１０２の上に放熱のための熱伝導体や透光のための透明部材のような他の部材を積層したものを用いてもよい。また、コンポーネント１０３に変えて、導電バンプやはんだボールのような導電部材をチップ部品１０２の周囲に配置し、これらもクランプした状態で後述する成形を行ってもよい。

図１に示すように、樹脂モールド金型１０は、型開き・型締め（型閉じ）可能に対向して配置された上型１１（第１金型）および下型１２（第２金型）と、上型１１と下型１２との間でクランプされる（挟まれる）プレート状の中間金型２０とを備えている。本実施形態では、樹脂モールド金型１０は、中間金型２０として交換可能な第１中間金型２０Ａ（図５参照）および第２中間金型２０Ｂ（図８参照）を備える。

後述するが、第１中間金型２０Ａと第２中間金型２０Ｂとは、特に、第１中間金型２０Ａのキャビティ孔２２の大きさが、第２中間金型２０Ｂのキャビティ孔２２の大きさよりも小さいという点が相違する。以下では、第１中間金型２０Ａと第２中間金型２０Ｂについて、共通事項の説明には中間金型２０で説明し、相違する事項の説明にはそれぞれで説明する。

プレート状の中間金型２０は、上型１１、下型１２と同じ材料から構成されるものを用いることが、熱膨張係数のミスマッチを防止する点で好ましい。例えば、中間金型２０には、一般的なステンレス鋼（鋼材）、チタン、ニッケル、銅などの各種合金のような金属材料を用いることができる。なお、その他にも中間金型２０には、耐熱性や耐摩耗性の高いポリイミド樹脂やエンジニアリングプラスチックのような樹脂材料やセラミック材を用いることもできる。

樹脂モールド金型１０では、上型１１を固定型とし、下型１２を可動型（駆動型）とした場合、上型１１および下型１２は、それぞれ図示しない固定プラテンおよび可動プラテンに固定して組み付けられる。この場合、樹脂モールド金型１０は、駆動源（電動モータ）により駆動する駆動伝達機構（トグルリンクなどのリンク機構若しくはねじ軸など）を介して可動プラテンを昇降させる公知の型締め機構によって、型開閉が行われる。このため、下型１２の昇降動作について、移動速度や加圧力などを任意に設定することができる。

図１に示すように、樹脂モールド金型１０では、上型１１と下型１２とで中間金型２０をクランプした状態で型締めして、ポット１３、カル１４、ランナゲート１５、成形キャビティ１６、スルーゲート１７、ダミーキャビティ１８、エアベント１９の順で連通（接続）される連通路が形成される。そして、樹脂モールド金型１０では、ポット１３から圧送されて成形キャビティ１６に充填された樹脂Ｒが熱硬化される。なお、本実施形態では、樹脂モールド金型１０は、ポット１３を中心として左右対称の構成となっており、図１では、ポット１３を中心として左側の構成を示しており、右側に同図構成を反転した構成が設けられている。なお、樹脂モールド金型１０として、ポット１３を中心として左右対称の構成とせずに、ポット１３の一方側のみに同図に示す構成を備えていてもよい。

図１に示すように、上型１１は、上型ベースブロック３０と、上型クランパブロック３１と、上型キャビティブロック３２と、スプリング３３とを備えている。上型ベースブロック３０下面（下型１２側の面）には、一枚板状の上型クランパブロック３１がこの上面で固定して組み付けられている。この上型クランパブロック３１の下面は、上型１１のパーティング面（クランプ面）を構成する。

上型クランパブロック３１には、厚さ方向に貫通して形成された貫通孔３４が設けられている。上型クランパブロック３１の貫通孔３４内の上型ベースブロック３０下面には、弾性体であるスプリング３３の一端が固定して組み付けられている。スプリング３３の他端には、上型キャビティブロック３２がこの上面側で固定して組み付けられている。このため、上型キャビティブロック３２は、上型クランパブロック３１の貫通孔３４内で上下動可能となるように、上型ベースブロック３０にスプリング３３によって吊り下げ支持されている。換言すれば、上型キャビティブロック３２はスプリング３３により上型ベースブロック３０に弾性的に支持されることとなる。この上型キャビティブロック３２の下面３５（下型１２側の面）は、上型１１のパーティング面を構成し、また、成形キャビティ１６の一面（底面または天面）を構成する。

なお、スプリング３３に変えて、皿バネなどの各種バネを用いてもよい。また、上型キャビティブロック３２を弾性的に支持する構成に替えて、一対のくさびの斜面を向い合わせに配置し一方のくさびを移動させることで全体の厚みを可変に構成されたくさび機構により上型キャビティブロック３２を上下動可能な構成としてもよい。

また、上型クランパブロック３１下面には、カル１４を構成する凹部３６およびダミーキャビティ１８を構成する凹部３７が設けられている。これら凹部３６、３７の内面は、上型１１のパーティング面を構成する。なお、凹部３６、３７の壁面（側面）は、離型のためそれぞれ開口部から底部へ向かって縮径するようなテーパ状となっている。

上型キャビティブロック３２の下面、凹部３６、３７を含む上型１１のパーティング面には、リリースフィルム４０が張設される。具体的には、例えば、長尺状のリリースフィルム４０は、ロール状に巻き取られた繰出しロールから引き出されて上型１１のパーティング面を通過して巻取りロールへ巻き取られるように設けられる。そして、リリースフィルム４０は、上型１１のパーティング面に上型キャビティブロック３２と上型クランパブロック３１の隙間や図示しない吸引路を利用した公知の吸引機構により吸着保持されるようになっている。

リリースフィルム４０を設けない構成とすることもできるが、リリースフィルム４０を介すことで、上型１１から容易に成形品（ワークＷ）を取り出すことができる。また、上型キャビティブロック３２を上下動可能とした場合には、リリースフィルム４０を用いることで、上型クランパブロック３１と上型キャビティブロック３２の隙間からの樹脂漏れをより確実に防止することができる。また、チップ部品１０２の端面の保護とフラッシュばりの防止も可能となる。このため、配線部や発光部を端面に有するチップ部品１０２を用いるときに確実に露出させるように成形することができる。

なお、リリースフィルム４０を設けない構成とするときには、上型クランパブロック３１と上型キャビティブロック３２との隙間を塞ぐように、これらの間にシール機構を設けることができる。このシール機構として、例えば上型キャビティブロック３２の外周に溝部を形成すると共に、この溝部に金型の材質よりも線膨張係数の大きい樹脂材などで構成されて加熱により拡大して隙間を塞ぐシール材を備える構成とすることができる。

リリースフィルム４０は、樹脂モールド金型１０の加熱温度に耐えられる耐熱性を有するもので、上型１１のパーティング面から容易に剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するフィルム材である。リリースフィルム４０としては、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰ、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニリジンなどが好適に用いられる。

図１に示すように、下型１２は、下型ベースブロック（図示せず）と、下型クランパブロック４１と、ワーク支持ブロック４２（ワーク支持部）と、板厚調整機構部４３と、スプリング４７とを備えている。下型ベースブロックの上面（上型１１側の面）には、一枚板状の下型クランパブロック４１がその下面で固定して組み付けられている。この下型クランパブロック４１の上面は、下型１２のパーティング面（クランプ面）を構成する。

下型クランパブロック４１には、厚さ方向に貫通して形成された貫通孔４４、４５が設けられている。下型クランパブロック４１の貫通孔４４内には、樹脂Ｒが供給される筒状のポット１３が固定して組み付けられている。ここで、ポット１３の上端面と下型クランパブロック４１のパーティング面とは面一となっている。ポット１３内には公知のトランスファ駆動機構（図示せず）により上下動可能なプランジャ４６が設けられている。

トランスファ駆動機構は、例えば、プランジャ４６の軸にかかる圧力を検出する圧力センサを備えて構成される。この圧力センサの圧力値は、ポット１３内のプランジャ４６のヘッド部に樹脂Ｒから受けた圧力値に相当する。また、トランスファ駆動機構は、この圧力センサを介してプランジャ４６の軸に連結されたボールネジ（図示せず）と、このボールネジを回転させるサーボモータ（図示せず）と、このサーボモータの回転数を検出するエンコーダと（図示せず）を備えて構成される。このエンコーダの回転数は、ポット１３内のプランジャ４６の駆動量（移動量）に相当する。このプランジャ４６の駆動量により、樹脂モールド金型１０内において流動していく樹脂の先端位置が推定可能であり、後述する制御に用いられる。

下型クランパブロック４１の貫通孔４５内の下型ベースブロック上面には、スプリング４７の一端が固定して組み付けられている。スプリング４７の他端には、ワーク支持ブロック４２がその下面側で固定して組み付けられている。このため、ワーク支持ブロック４２は、下型クランパブロック４１の貫通孔４５内で上下動可能となるように、フローティング支持されている。このワーク支持ブロック４２の上面は、下型１２のパーティング面を構成し、また、ワークＷの載置面を構成する。なお、図１では樹脂モールド金型１０は型締めした状態であってワーク支持ブロック４２が板厚調整機構部４３と接しているが、型開きした状態では、ワーク支持ブロック４２が板厚調整機構部４３から離隔（フローティング）していてもよい。

この場合、スプリング４７は、上型１１に設けられるスプリング３３より弾性力が小さく設定される。具体的には、ワークＷおよびワーク支持ブロック４２に対して、スプリング３３によって加えられる力が、スプリング４７によって付勢される力よりも大きい。これにより、型締めの際に下型３を上昇させることでスプリング３３を撓ませずにスプリング４７を撓ませることができ、ワークＷ（基板１０１）の板厚に拘わらず均一な高さ位置でワークＷをクランプすることができる。すなわち、チップ部品１０２の裏面（バンプ１０４形成面の反対面）に対して、上型キャビティブロック３２のパーティング面がリリースフィルム４０を介してクランプ力を作用し続けることができる。

スプリング４７に支持されたワーク支持ブロック４２と下型ベースブロックとの間には、界面が互いにテーパ面（傾斜面）に形成された板厚調整ブロック４３ａ、４３ｂが重ね合わせて設けられている。具体的には、板厚調整ブロック４３ａ、４３ｂは、断面視奥行き方向（紙面垂直方向）に厚みの異なるブロックを組み合わせることで、全体の厚みが断面視奥行き方向に均一になるようにウエッジ構成されている。この上下段に重ね合わせた板厚調整ブロック４３ａ、４３ｂのうち一方をエアシリンダ、モータなどの駆動源によりスライド可能として、板厚調整機構部４３が設けられている。

これにより、下型１２を上昇させることで上型キャビティブロック３２（スプリング３３）によってワーク支持ブロック４２を押し下げる力が加わっても板厚調整機構部４３のウエッジ構造で所定高さに支持固定することができる。すなわち、上型キャビティブロック３２によってワーク支持ブロック４２が過度に押し下げられないようにしている。

図１に示すように、中間金型２０は、カル１４を構成する、厚さ方向に貫通して形成されたカル孔２１（貫通孔）を有している。カル孔２１は、ポット１３と凹部３６との間でそれらと連通して設けられている。カル孔２１の凹部３６側の開口部は、平面視において凹部３６の開口部領域内に存在している。そして、カル孔２１の壁面（側面）は、ポット１３側の開口部から凹部３６側の開口部へ向かって拡径するようなテーパ状となっている。したがって、中間金型２０のカル孔２１は、ポット１３から凹部３６へ樹脂Ｒを拡げて圧送しやすくするものとなっている。また、カル孔２１は、中間金型２０から不要な成形樹脂Ｒｘ１を上方へ取り出しやすくするものとなっている（図５参照）。

また、中間金型２０は、成形キャビティ１６の側面を構成する、厚さ方向に貫通して形成されたキャビティ孔２２（貫通孔）を有している。キャビティ孔２２は、ワーク支持ブロック４２と上型キャビティブロック３２との間に配置されるように形成されている。キャビティ孔２２の上型キャビティブロック３２側の開口部は、平面視において上型キャビティブロック３２のパーティング面内に存在している。そして、キャビティ孔２２の側壁（側面）は、ワーク支持ブロック４２側の開口部から上型キャビティブロック３２側の開口部へ向かって縮径するようなテーパ状となっている。換言すれば、キャビティ孔２２はワークＷに向けて拡径するような形状に形成されている。

したがって、中間金型２０のキャビティ孔２２は、後述するように中間金型２０とワークＷとを重ね合わせる際にチップ部品１０２を挿入しやすく、かつ、チップ部品１０２の破損を防止するようになっている（図１参照）。また、中間金型２０のキャビティ孔２２は、中間金型２０から第１成形品Ｒ１（第１樹脂モールド部）が形成されたワークＷを下方へ取り出しやすくするものとなっている（図５参照）。

また、中間金型２０は、ダミーキャビティ１８を構成する、厚さ方向に貫通して形成されたダミーキャビティ孔２３（貫通孔）を有している。ダミーキャビティ孔２３は、下型クランパブロック４１と凹部３７との間に設けられている。ダミーキャビティ孔２３の凹部３７側の開口部は、平面視において凹部３７の開口部領域内に存在している。そして、ダミーキャビティ孔２３の壁面（側面）は、下型クランパブロック４１側の開口部から凹部３７側の開口部へ向かって拡径するようなテーパ状となっている。したがって、中間金型２０のダミーキャビティ孔２３は、中間金型２０から不要な成形樹脂Ｒｘ２を上方へ取り出しやすくするものとなっている（図５参照）。なお、ダミーキャビティ孔２３は、キャビティ孔２２とは異なり必ずしも設ける必要は無い。

後述するが、樹脂モールド金型１０では、成形キャビティ１６から樹脂Ｒをエアと共にダミーキャビティ１８に圧送して、成形キャビティ１６内充填された樹脂Ｒのエアが残らないようにさせる。そこで、本実施形態では、ダミーキャビティ１８として、中間金型２０にダミーキャビティ孔２３を設けることで、成形キャビティ１６内を通過させる樹脂Ｒの量を増加させて、エアをより確実に排出させている。

また、第１中間金型２０Ａは、型締めの際に、ワークＷのコンポーネント１０３を収容する、下型１２側のパーティング面に形成された凹部２４を有している。図２に示すように、コンポーネント１０３は、チップ部品１０２の周囲（外周）に沿って複数設けられている。このため、凹部２４は、各コンポーネント１０３をすべて収容するように、平面視リング状の長溝から構成されてもよいし、各コンポーネント１０３のそれぞれを収容するように、複数個から構成されてもよい。

また、中間金型２０は、ランナゲート１５を構成する、上型１１側のパーティング面に沿って一定の深さで形成された第１溝２５（ランナ溝）を有している。第１溝２５は、一端が凹部３６の開口部周縁と連通するように、また、他端がキャビティ孔２２の側壁と連通するように形成されている。したがって、中間金型２０の第１溝２５は、側壁が拡径された凹部３６（カル１４）から圧送されてくる樹脂Ｒを成形キャビティ１６（キャビティ孔２２）へ送り出すもの（ランナゲート１５）となっている。このため、ランナゲートを基板１０１上に設ける必要がないため、基板１０１端面からの樹脂漏れを防止すると共に、基板１０１上をランナゲート１５の形状の樹脂Ｒを残すことなく成形することが可能となる。

また、中間金型２０は、スルーゲート１７を構成する、上型１１側のパーティング面に沿って一定の深さで形成された第２溝２６（ランナ溝）を有している。第２溝２６は、一端がキャビティ孔２２の側壁と連通するように、また、他端が凹部３７の開口部周縁と対向して連通する（直接ダミーキャビティ孔２３に連通しない）ように形成されている。したがって、中間金型２０の第２溝２６は、成形キャビティ１６（キャビティ孔２２）から圧送されてくる樹脂Ｒをダミーキャビティ１８（凹部３７）へ送り出すもの（スルーゲート１７）となっている。このため、スルーゲートを基板１０１上に設ける必要がないため、基板１０１端面からの樹脂漏れを防止すると共に、基板１０１上にスルーゲート１７の形状の樹脂Ｒを残すことなく成形することが可能となる。

また、中間金型２０は、エアベント１９を構成する、上型１１側のパーティング面に沿って一定の深さで形成された第３溝２７（エアベント溝）を有している。第３溝２７は、一端が凹部３７の開口部周縁と対向して連通するように、また、他端が中間金型２０の側壁（外周側面）と連通するように形成されている。したがって、中間金型２０の第３溝２７は、成形キャビティ１６、ダミーキャビティ１８を含む連通路中のエアを排出するもの（エアベント１９）となっている。

図１に示すように、樹脂モールド金型１０は、連通路において成形キャビティ１６に対して下流側からエアを吸引するエア吸引機構部５０（例えば、真空ポンプ）と、シール部５１と、吸引路５２とを備えている。シール部５１は、下型１２のパーティング面の周縁部において型外形に沿って平面視リング状に設けられており、上型１１と下型１２とを型締めした際に、すなわち中間金型２０の外側面側に連通路（気密領域）を形成する。この気密領域に一端が連通する吸引路５２が、下型クランパブロック４１に設けられている。そして、吸引路５２の他端がエア吸引機構部５０と連通して設けられている。したがって、エアベント１９とエア吸引機構部５０とは、気密領域および吸引路５２を介して連通している。

図１に示すように、樹脂モールド金型１０は、可動ピン５３を含んで構成されている樹脂止め機構部を備えている。可動ピン５３は、上型クランパブロック３１に貫通状態であって一端が第３溝２７に対面し、エアベント１９の中途部に進退動（上下動）可能に設けられている。また、可動ピン５３は、一端がエアベント１９（第３溝２７）に進入して開閉可能な寸法に形成することができる。可動ピン５３は、例えば、上型ベースブロック３０内に設けられた弾発材のコイルスプリング（図示せず）によりエアベント１９から一端が離隔する方向に他端が付勢された状態で設けられている。そして、可動ピン５３は、中継ピン（図示せず）を介して可動ピン作動用アクチュエータによりエアベント１９への進退動作が制御可能に構成される。

このような構成からなる樹脂止め機構部は、可動ピン５３を下方（下型１２方向）に動かして、エアベント１９（第３溝２７）内に可動ピン５３を進入させることによってエアベント１９を閉塞し、連通路内を圧送されてきた樹脂Ｒを堰き止める。他方、樹脂止め機構部は、可動ピン５３を上方に動かして（コイルスプリングの付勢力によって離隔される）、エアベント１９（第３溝２７）外に可動ピン５３を退出させることによってエアベント１９を開放させる。

ここで、樹脂モールド装置１００は、樹脂モールド金型１０の動作を制御する制御部６０を備える。この制御部６０は、トランスファ駆動機構から送信されたプランジャ４６の駆動量情報および圧力情報のうちの少なくとも１つに基づいて、可動ピン５３の可動ピン作動用アクチュエータの動作およびエア吸引機構部５０の動作を制御する。なお、図１では、プランジャ４６、可動ピン５３、エア吸引機構部５０に制御部６０の符号を付している。

制御部６０は、例えば、記憶部に処理プログラムが組み込まれた演算処理装置で構成することができる。記憶部には、プランジャ４６の駆動量から、成形キャビティ１６などの連通路内での樹脂Ｒの到達位置を特定可能な位置特定情報が記憶されている。制御部６０は、この位置特定情報を用いることで、プランジャ４６の位置に基づいて特定される樹脂Ｒの到達位置に応じた制御処理を実行することが可能となっている。

次に、本実施形態におけるワークＷに対する樹脂モールド方法（２ステップ成形法）について図面を参照して説明する。図１、図３〜図８は、使用状態における樹脂モールド装置１００の要部の模式的断面図であり、樹脂モールド工程中のワークＷが示されている。２ステップ成形法では、例えば、第１中間金型２０Ａを用いた第１ステップとして、フィラー径の小さい低粘度で流動性の高い樹脂を狭隘な箇所へ樹脂充填（アンダーフィル）し、第２中間金型２０Ｂを用いた第２ステップとして、フィラー径の大きい高粘度で強度の高い樹脂で最終成形品の保形性を確保することができる。

まず、樹脂モールド金型１０が型開きした状態（図４に示すような上型１１と下型１２とが離隔した状態）では、ワーク支持ブロック４２のパーティング面は、その周囲の下型クランパブロック４１のパーティング面より若干下方の位置にある。このような状態において、基板１０１にフリップチップ接続されたチップ部品１０２をワークＷとして樹脂モールド金型１０に供給（搬入）し、ワーク支持ブロック４２のパーティング面上にワークＷ（基板１０１）を載置する（図１参照）。このときのワークＷの基板１０１上面が下型クランパブロック４１のパーティング面より若干上方の位置にくるように、ワーク支持ブロック４２が組み付けられている。また、ワーク支持ブロック４２（下型１２）では、チップ部品１０２を上型１１側に向けてワークＷを支持する。

また、型開きした状態では、可動ピン５３をエアベント１９内から待避させておき、上型１１のパーティング面でリリースフィルム４０が吸着保持される。また、型開きした状態では、プランジャ４６のヘッド部が下方（後退）した位置（樹脂供給位置）で待機しているポット１３内に、低粘度の樹脂Ｒが供給される（図１参照）。上型１１および下型１２が予め加熱されているので、ポット１３内の樹脂Ｒはその熱によって溶融することとなる。

次いで、第１中間金型２０Ａのキャビティ孔２２内にチップ部品１０２を収容してワークＷを覆うように、下型１２のパーティング面上に第１中間金型２０ＡをワークＷに重ねて配置する（図１参照）。本実施形態では、第１中間金型２０Ａのキャビティ孔２２の大きさがチップ部品１０２の大きさと略等しくしているため、チップ部品１０２の周囲際（外周際）に第１中間金型２０Ａのキャビティ孔２２の側壁からなる壁が形成されることとなる。

このキャビティ孔２２の側壁とチップ部品１０２の側面とのクリアランスは、樹脂モールド前において第１中間金型２０ＡにワークＷ（チップ部品１０２）がセットできる範囲、及び、樹脂モールド後において第１中間金型２０ＡからワークＷ（チップ部品１０２）が取り出せる範囲（例えば、０．１ｍｍ以下）の両方の範囲内で、できるだけ小さいことが好ましい。なぜならば、成形キャビティ１６に流し込まれてきた樹脂Ｒは、チップ部品１０２の周囲を通過し難くなり、基板１０１とチップ部品１０２との間を優先的に通過させやすくなるからである。

続いて、図１に示すように、可動型の下型１２を固定型の上型１１に近づけるように駆動させて（下型１２を上昇させて）、上型１１と下型１２との間で第１中間金型２０Ａと共にワークＷをクランプして型締めする。これにより、ポット１３、カル１４、ランナゲート１５、成形キャビティ１６、スルーゲート１７、ダミーキャビティ１８、エアベント１９で連通される連通路が形成される。

具体的には、上型１１の凹部３６および第１中間金型２０Ａのカル孔２１を含んで構成される空間領域としてカル１４が形成される。また、第１中間金型２０Ａのキャビティ孔２２Ａの両端をそれぞれ上型１１のパーティング面および基板１０１の上面で塞がれたキャビティ孔２２Ａ内を含んで形成される空間領域として成形キャビティ１６が形成される。また、上型１１の凹部３７および第１中間金型２０Ａのダミーキャビティ孔２３を含んで構成される空間領域としてダミーキャビティ１８が形成される。

また、上型１１のパーティング面および第１中間金型２０Ａの第１溝２５を含んで構成される空間領域としてランナゲート１５が形成される。また、上型１１のパーティング面および第１中間金型２０Ａの第２溝２６を含んで構成される空間領域としてスルーゲート１７が形成される。また、上型１１のパーティング面および第１中間金型２０Ａの第３溝２７を含んで構成される空間領域としてエアベント１９が形成される。

また、型締めされることによって、上型１１および下型１２の周縁部では、シール部５１が上型１１と下型１２によりクランプされるので金型内部に気密された空間領域が形成される。ここで、型締め途中においてシール部５１が上型１１に接触した後にエア吸引機構部５０を駆動して金型内に減圧環境下を形成することもできる。なお、型締め直前からエア吸引機構部５０を駆動しておけば、型締めと同時に、連通路中のエア吸引が行われて減圧環境下を形成でき、サイクルタイムを短縮することができる。

ところで、型締めされる過程では、板厚調整機構部４３によって板厚調整が行われている。具体的には、まず、上型１１と下型１２との間で第１中間金型２０Ａがクランプされる際に、基板１０１およびワーク支持ブロック４２が押し下げられる。次いで、下段の板厚調整ブロック４３ｂを所定量前進または進退させて上段の板厚調整ブロック４３ａがワーク支持ブロック４２に下面に密着させて固定される。

これにより、基板１０１上面と下型クランパブロック４１のパーティング面とが面一となるように板厚差が吸収されて、基板１０１が中間金型２０Ａと下型クランパブロック４１との間でクランプされる。すなわち、ポット１３を中心として左右対称に載置されたワークＷの基板１０１の板厚に差があったとしても、各基板１０１上面が均一な高さとなってクランプされる。このため、基板１０１上面での樹脂Ｒのフラッシュばりを防止することができる（特に、低粘度の場合に有効である。）。また、できるだけ小さなキャビティ孔２２Ａを有する第１中間金型２０Ａを用いているため、キャビティ孔２２Ａの平面領域以外の領域（すなわち、第１中間金型２０Ａと基板１０１との接触領域）を大きく確保することができ、均一な力でワークＷ（基板１０１）をクランプすることができる。

続いて、成形キャビティ１６を含む連通路内をエア吸引機構部５０によってエア吸引（減圧）しながら、図３に示すように、プランジャ４６を上昇させて、ポット１３内で溶融した樹脂Ｒを圧送し、カル１４およびランナゲート１５を経て成形キャビティ１６内へ充填する。ランナゲート１５とスルーゲート１７とは、成形品キャビティ１６（チップ部品１０２）を中心に対称配置されている。このため、ランナゲート１５から成形キャビティ１６に圧送されてきた樹脂Ｒは、チップ部品１０２を通過する方向に設けられたスルーゲート１７へとエア吸引機構５０によって吸引され、基板１０１とチップ部品１０２との間のような狭隘な箇所にも充填される。また、成形キャビティ１６に圧送されてきた樹脂Ｒは、チップ部品１０２の周囲際の壁（キャビティ孔２２の側壁）によって逃げ道がなくなり、基板１０１とチップ部品１０２との間のような狭隘な箇所にも充填される。

次いで、更に、プランジャ４６を上昇させて溶融した樹脂Ｒをエアと共に圧送し、成形キャビティ１６から樹脂Ｒをオーバーフローさせ、スルーゲート１７を経てダミーキャビティ１８へ樹脂Ｒを流入させる。

また、スルーゲート１７およびダミーキャビティ１８を通過してエアベント１９に樹脂Ｒの流頭が差し掛かかる前に、樹脂止め機構部を駆動して、エアベント１９内に可動ピン５３を進入させる。これによって、エアベント１９が閉塞され、圧送されてくる樹脂Ｒを可動ピン５３で堰き止めることができる。可動ピン５３で樹脂Ｒを堰き止める構成とすることで、エアベント１９を深く形成して、エアを排出し易くすることができ、充填性を向上することができる。また、樹脂モールド金型１０外への樹脂汚れを防止することができる。また、樹脂汚れを防止することで、クリーニング工程を簡素化できサイクルタイムを短縮することもできる。

本実施形態では、成形キャビティ１６から樹脂Ｒをオーバーフローさせるために、スルーゲート１７およびダミーキャビティ１８を設けている。

仮に、これらを設けない場合、樹脂Ｒをオーバーフローさせることができず、基板１０１とチップ部品１０２との間にエアが残っていたとしてもそれを押し流して成形キャビティ１６の外に排出することが難しくなることがある。これでは、基板１０１とチップ部品１０２との間への樹脂充填性が低下してしまう。

そこで、スルーゲート１７およびダミーキャビティ１８を設けることで、成形キャビティ１６から樹脂Ｒと共にエアをダミーキャビティ１８に排出し、成形キャビティ１６内に充填された樹脂Ｒからエアを確実に排出することができる。したがって、成形キャビティ１６で充填された樹脂Ｒは、充分に脱気されたうえで樹脂Ｒ内のエアも確実に排出されるものとなり、成形キャビティ１６内に配置された狭隘な箇所に対しても樹脂充填性を向上することができる。

次いで、可動ピン５３によって樹脂Ｒが堰き止められた状態で、更に、プランジャ４６を上昇させて、成形キャビティ１６内の圧力を所定の成形圧力まで高めた後、保圧した状態で成形キャビティ１６に充填された樹脂Ｒの熱硬化を完了させる。

続いて、図４に示すように、可動型の下型１２を固定型の上型１１から遠ざけるように駆動させて（下型１２を下降させて）、上型１１と下型１２とを隔離して型開きする。これにより、熱硬化した樹脂Ｒによって第１中間金型２０Ａに食い付いた状態でワークＷを取り出すことができる。

続いて、図５に示すように、ワークＷを第１中間金型２０Ａから下方に押し出して取り出す。このワークＷでは、少なくとも基板１０１とチップ部品１０２との間（狭隘な箇所）に樹脂充填されてなる第１成形品Ｒ１が形成され、チップ部品１０２の裏面が露出されている。また、成形キャビティ１６以外で成形された不要な成形樹脂Ｒｘを第１中間金型２０Ａから上方に押し出して取り出す。

以上により、第１中間金型２０Ａを用いた第１ステップが終了する。その後、樹脂モールド金型１０のクリーニングなどを行い、第１中間金型２０Ａと第２中間金型２０Ｂとを交換してから、第２中間金型２０Ｂを用いた第２ステップが開始される。なお、第２ステップでは、動作タイミングなどは異なるものの第１ステップと同様の制御処理が行われる。

このように、第１中間金型２０Ａを第２中間金型２０Ｂに替えるだけで異なる大きさの成形キャビティ１６で成形を行うことができ、１個のワークＷを複数の樹脂Ｒ層で封止するような工程を容易かつ安価に実現することができる。また、可般な中間型を切替えるだけでよいため金型の準備の時間を短縮することもできる。このため、高性能なパッケージを安価かつ短時間で製造することができる。本実施形態のように、チップ部品１０２のアンダーフィルのみを流動性の高い高価な樹脂で行って充填性を確保しながら、外周を安価な樹脂で封止するような構成も容易かつ安価に実施することができる。他にも、蛍光体層や透明層などを複数積層した発光パッケージ、外周に電磁シールド層が形成された高周波パッケージ、または、外周に放熱層が形成された高発熱パッケージなどの複数の封止層を積層するような高機能パッケージであっても効率的に製造することが可能となる。また、成形形状を容易に変更できるため、適切な成形形状の選定を行うための繰り返し成形するテスト工程を短時間で完了して適切な金型設計を素早く行うことができ、製品の生産を迅速に開始することができる。

まず、型開きした状態で、第１成形品Ｒ１が形成されたワークＷを樹脂モールド金型１０に供給（搬入）し、ワーク支持ブロック４２のパーティング面上にワークＷを載置する（図６参照）。また、可動ピン５３をエアベント１９内から待避させておき、上型１１のパーティング面でリリースフィルム４０が吸着保持される。また、プランジャ４６のヘッド部が樹脂供給位置で待機しているポット１３内に高粘度の樹脂Ｒが供給される（図６参照）。

次いで、第２中間金型２０Ｂのキャビティ孔２２Ｂ内に第１成形品Ｒ１およびその周囲にコンポーネント１０３を収容してワークＷを覆うように下型１２のパーティング面上に第２中間金型２０Ｂを配置する（図６、図８参照）。

続いて、図６に示すように、可動型の下型１２を固定型の上型１１に近づけるように駆動させて（下型１２を上昇させて）、上型１１と下型１２との間で第２中間金型２０Ｂと共にワークＷをクランプして型締めする。これにより、上型１１の凹部３６内および第２中間金型２０Ｂのカル孔２１内を含んで構成される空間領域としてカル１４が形成される。また、第２中間金型２０Ｂのキャビティ孔２２Ｂの両端をそれぞれ上型１１のパーティング面および基板１０１の上面で塞がれたキャビティ孔２２Ｂ内を含んで形成される空間領域として成形キャビティ１６が形成される。また、上型１１の凹部３７内および第２中間金型２０Ｂのダミーキャビティ孔２３内を含んで構成される空間領域としてダミーキャビティ１８が形成される。

続いて、成形キャビティ１６を含む連通路内をエア吸引（減圧）しながら、図７に示すように、プランジャ４６を上昇させて、ポット１３内で溶融した樹脂Ｒを圧送し、カル１４およびランナゲート１５を経て成形キャビティ１６内へ充填する。これにより、チップ部品１０２の側面とコンポーネント１０３が封止される。

次いで、更に、プランジャ４６を上昇させて溶融した樹脂Ｒを圧送し、成形キャビティ１６から樹脂Ｒをオーバーフローさせ、スルーゲート１７を経てダミーキャビティ１８へ樹脂Ｒを流入させる。スルーゲート１７およびダミーキャビティ１８を通過してエアベント１９に樹脂Ｒの流頭が差し掛かかる前に、樹脂止め機構部を駆動して、エアベント１９内に可動ピン５３を進入させる。

次いで、可動ピン５３によって樹脂Ｒが堰き止められた状態で、更に、プランジャ４６を上昇させて、成形キャビティ１６内の圧力を所定の成形圧力まで高めた後、保圧した状態で成形キャビティ１６に充填された樹脂Ｒの熱硬化を完了する。

次いで、上型１１と下型１２とを隔離して型開きする。これにより、熱硬化した樹脂Ｒによって第２中間金型２０Ｂに食い付いた状態でワークＷを取り出すことができる。

続いて、図８に示すように、ワークＷを第２中間金型２０Ｂから下方に押し出して取り出す。このワークＷでは、第１成形品Ｒ１を覆う第２成形品Ｒ２（第２樹脂モールド部）が形成され、チップ部品１０２の裏面が露出されている。また、成形キャビティ１６以外で成形された不要な成形樹脂Ｒｘを第２中間金型２０Ｂから上方に押し出して取り出す。以上により、第２中間金型２０Ｂを用いた第２ステップが終了する。これにより、第１成形品Ｒ１および第２成形品Ｒ２が形成された最終成形品（例えば、半導体装置）が完成する。その後、２ステップ成形法を繰り返すために、樹脂モールド金型１０のクリーニングなどを行われる。

以上の２ステップ成形法によれば、基板１０１とチップ部品１０２との間のような狭隘な箇所に樹脂充填された第１成形品Ｒ１を形成でき、第１成形品Ｒ１を覆って形状が保たれた第２成形品Ｒ２を形成することができる。したがって、第１成形品Ｒ１および第２成形品Ｒ２でチップ部品１０１などを樹脂モールドした半導体装置の信頼性を向上することができる。また、基板１０１とチップ部品１０２との間の第１成形品Ｒ１では、ボイドの発生が低減されているので、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。

（第２実施形態）
前記第１実施形態では、２つの中間金型を用いた樹脂モールド方法（２ステップ成形法）によって、最終成形品を成形する場合について説明した。本発明における第２実施形態では、１つの中間金型を用いた樹脂モールド方法（１ステップ成形法）によって、最終成形品を成形する場合について図面を参照して説明する。図９〜図１１は、使用状態における樹脂モールド装置１００の要部の模式的断面図であり、樹脂モールド工程中のワークＷが示されている。

まず、本実施形態における樹脂モールド金型１０Ａが型開きした状態において、基板１０１にフリップチップ接続されたチップ部品１０２をワークＷとして樹脂モールド金型１０Ａに供給（搬入）し、ワーク支持ブロック４２のパーティング面上にワークＷ（基板１０１）を載置する（図９参照）。

また、型開きした状態では、可動ピン５３をエアベント１９内から待避させておき、上型１１のパーティング面でリリースフィルム４０が吸着保持される。また、型開きした状態では、プランジャ４６のヘッド部が樹脂供給位置で待機しているポット１３内に、樹脂Ｒが供給される（図９参照）。

次いで、中間金型２０のキャビティ孔２２内にチップ部品１０２を収容してワークＷを覆うように下型１２のパーティング面上に中間金型２０を配置する（図９参照）。

続いて、図９に示すように、上型１１と下型１２との間で中間金型２０と共にワークＷをクランプして型締めする。これにより、ポット１３、カル１４、ランナゲート１５、成形キャビティ１６、スルーゲート１７、ダミーキャビティ１８、エアベント１９で連通される連通路が形成される。また、上型１１および下型１２の周縁部では、シール部５１が上型１１と下型１２によりクランプされるので金型内部に気密された空間領域が形成される。

続いて、成形キャビティ１６を含む連通路内をエア吸引機構部５０によってエア吸引（減圧）しながら、図１０に示すように、プランジャ４６を上昇させて、ポット１３内で溶融した樹脂Ｒを圧送し、カル１４およびランナゲート１５を経て成形キャビティ１６内へ充填する。このため、ランナゲート１５から成形キャビティ１６に圧送されてきた樹脂Ｒは、チップ部品１０２を通過する方向に設けられたスルーゲート１７へとエア吸引機構５０によって吸引される。この場合、可動ピン５３によって樹脂Ｒを堰き止めるためエアベント１９が深く形成されており、型閉じ後でエアベント１９からしかエアを吸引できなくなったときも成形キャビティ１６内のエアを強力に吸引し、本実施形態のように成形キャビティ１６の容積が比較的大きい場合であっても確実に減圧できるため、基板１０１とチップ部品１０２との間のような狭隘な箇所にも充填される。

次いで、更に、プランジャ４６を上昇させて溶融した樹脂Ｒをエアと共に圧送し、成形キャビティ１６から樹脂Ｒをオーバーフローさせ、スルーゲート１７を経てダミーキャビティ１８へ樹脂Ｒを流入させる。また、スルーゲート１７およびダミーキャビティ１８を通過してエアベント１９に樹脂Ｒの流頭が差し掛かかる前に、樹脂止め機構部を駆動して、エアベント１９内に可動ピン５３を進入させ、圧送されてくる樹脂Ｒを可動ピン５３で堰き止めることができる。

次いで、可動ピン５３によって樹脂Ｒが堰き止められた状態で、更に、プランジャ４６を上昇させて、成形キャビティ１６内の圧力を所定の成形圧力まで高めた後、保圧した状態で成形キャビティ１６に充填された樹脂Ｒの熱硬化を完了させる。次いで、上型１１と下型１２とを隔離して型開きする。これにより、熱硬化した樹脂Ｒによって中間金型２０に食い付いた状態でワークＷを取り出すことができる。

続いて、図１１に示すように、ワークＷを中間金型２０から下方に押し出して取り出す。このワークＷでは、少なくとも基板１０１とチップ部品１０２との間が樹脂充填され、チップ部品１０２の裏面が露出された成形品Ｒ１２が形成される。また、成形キャビティ１６以外で成形された不要な成形樹脂Ｒｘを中間金型２０から上方に押し出して取り出す。以上により、１ステップ成形法が終了する。

以上の１ステップ成形法によれば、基板１０１とチップ部品１０２との間のような狭隘な箇所に樹脂充填された成形品Ｒ１２を形成することができる。したがって、成形品Ｒ１２でチップ部品１０１などを樹脂モールドした半導体装置の信頼性を向上することができる。また、基板１０１とチップ部品１０２との間の成形品Ｒ１２では、ボイドの発生が低減されているので、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。また、１つの中間金型２０を用いれば済むので、半導体装置の生産性を向上することができる。

（第３実施形態）
前記第１実施形態では、１つの基板１０１上に１つのチップ部品１０２が搭載されたワークＷに対して２ステップ成形法を用いた場合について説明した。本発明における第３実施形態では、１つの基板１０１上に複数のチップ部品１０２がマトリクス搭載されたワークＷに対して、第１ステップでマトリクス状に第１成形品Ｒ１を形成し、第２ステップでマップ状に第２成形品Ｒ２を形成する２ステップ成形法について図面を参照して説明する。図１２〜図１７は、使用状態における樹脂モールド装置１００の要部の模式的断面図であり、樹脂モールド工程中のワークＷが示されている。

まず、本実施形態における樹脂モールド金型１０Ｂが型開きした状態において、基板１０１にフリップチップ接続された複数のチップ部品１０２をワークＷとして樹脂モールド金型１０Ｂに供給（搬入）し、ワーク支持ブロック４２のパーティング面上にワークＷ（基板１０１）を載置する（図１２参照）。

また、型開きした状態では、可動ピン５３をエアベント１９内から待避させておき、上型１１のパーティング面でリリースフィルム４０が吸着保持される。また、型開きした状態では、プランジャ４６のヘッド部が樹脂供給位置で待機しているポット１３内に、樹脂Ｒが供給される（図１２参照）。

次いで、第１中間金型２０Ａの各キャビティ孔２２内に各チップ部品１０２を収容してワークＷを覆うように下型１２のパーティング面上に第１中間金型２０Ａを配置する（図１２参照）。本実施形態では、キャビティ孔２２は、ワークＷに複数搭載されたチップ部品１０２と同数かつ同じ間隔で形成されている。また、第１中間金型２０Ａの各キャビティ孔２２の大きさが各チップ部品１０２の大きさと略等しくしているため、各チップ部品１０２の周囲際（外周際）に第１中間金型２０Ａのキャビティ孔２２の側壁からなる壁が形成されることとなる。また、第１中間金型２０Ａは、カル１４から複数の成形キャビティ１６に並列的に樹脂Ｒを供給するために図示しない断面において、カル１４から複数のランナゲート１５に分岐すると共に、複数の成形キャビティ１６にそれぞれ接続されたスルーゲート１７がダミーキャビティ１８に向けて集結するような構成とすることができる。

続いて、図１２に示すように、上型１１と下型１２との間で第１中間金型２０Ａと共にワークＷをクランプして型締めする。

なお、図１２に示す構成のほかに、ポット１３、カル１４、ランナゲート１５、上流の成形キャビティ１６、スルーゲート１７、下流の成形キャビティ１６、スルーゲート１７、ダミーキャビティ１８、エアベント１９で連通される連通路が形成される直列的な構造としてもよい。また、これらの並列的な構造と直列的な構造とを組み合わせて用いてもよい。

続いて、図１３に示すように、ポット１３内で溶融した樹脂Ｒを圧送し、カル１４およびランナゲート１５を経て各々の成形キャビティ１６内へ充填する。さらに、プランジャ４６を上昇させて、スルーゲート１７を経てダミーキャビティ１８へ樹脂Ｒを流入させる。また、スルーゲート１７およびダミーキャビティ１８を通過してエアベント１９に樹脂Ｒの流頭が差し掛かかる前に、樹脂止め機構部を駆動して、エアベント１９内に可動ピン５３を進入させ、圧送されてくる樹脂Ｒを可動ピン５３で堰き止めることができる。

次いで、可動ピン５３によって樹脂Ｒが堰き止められた状態で、更に、プランジャ４６を上昇させて、各成形キャビティ１６内の圧力を所定の成形圧力まで高めた後、保圧した状態で各成形キャビティ１６に充填された樹脂Ｒの熱硬化を完了させる。次いで、上型１１と下型１２とを隔離して型開きする。これにより、熱硬化した樹脂Ｒによって第１中間金型２０Ａに食い付いた状態でワークＷを取り出すことができる。

続いて、図１４に示すように、ワークＷを第１中間金型２０Ａから下方に押し出して取り出す。このワークＷでは、少なくとも基板１０１とチップ部品１０２との間（狭隘な箇所）に樹脂充填されてなる複数の第１成形品Ｒ１が形成され、チップ部品１０２の裏面が露出されている。また、成形キャビティ１６以外で成形された不要な成形樹脂Ｒｘを第１中間金型２０Ａから上方に押し出して取り出す。

以上により、第１中間金型２０Ａを用いた第１ステップが終了する。これにより、基板１０１上にマトリクス状に複数の第１成形品Ｒ１が形成される。続いて、第１中間金型２０Ａと第２中間金型２０Ｂとを交換してから、第２中間金型２０Ｂを用いた第２ステップが開始される。なお、以下で説明する第２ステップでは、第１ステップと同様の制御処理が行われる。

まず、型開きした状態で、複数の第１成形品Ｒ１が形成されたワークＷを樹脂モールド金型１０に供給（搬入）し、ワーク支持ブロック４２のパーティング面上にワークＷを載置する（図１５参照）。また、プランジャ４６のヘッド部が樹脂供給位置で待機しているポット１３内に高粘度の樹脂Ｒが供給される（図１５参照）。

次いで、第２中間金型２０Ｂの１個のキャビティ孔２２Ｂ内に複数の第１成形品Ｒ１を全て収容しながらワークＷを覆うように下型１２のパーティング面上に第２中間金型２０Ｂを配置する（図１５参照）。続いて、図１５に示すように、上型１１と下型１２との間で第２中間金型２０Ｂと共にワークＷをクランプして型締めする。

続いて、成形キャビティ１６を含む連通路内をエア吸引（減圧）しながら、図１６に示すように、プランジャ４６を上昇させて、ポット１３内で溶融した樹脂Ｒを圧送し、カル１４およびランナゲート１５を経て成形キャビティ１６内へ充填する。

次いで、更に、プランジャ４６を上昇させて溶融した樹脂Ｒを圧送し、成形キャビティ１６から樹脂Ｒをオーバーフローさせ、スルーゲート１７を経てダミーキャビティ１８へ樹脂Ｒを流入させる。スルーゲート１７およびダミーキャビティ１８を通過してエアベント１９に樹脂Ｒの流頭が差し掛かかる前に、樹脂止め機構部を駆動して、エアベント１９内に可動ピン５３を進入させる。

次いで、可動ピン５３によって樹脂Ｒが堰き止められた状態で、更に、プランジャ４６を上昇させて、成形キャビティ１６内の圧力を所定の成形圧力まで高めた後、保圧した状態で成形キャビティ１６に充填された樹脂Ｒを熱硬化させることで、複数の第１成形品Ｒ１が１個のキャビティ孔２２Ｂ内においてマップ（ＭＡＰ：Matrix Array Package）状に封止される。次いで、上型１１と下型１２とを隔離して型開きする。これにより、熱硬化した樹脂Ｒによって第２中間金型２０Ｂに食い付いた状態でワークＷを取り出すことができる。

続いて、図１７に示すように、ワークＷを第２中間金型２０Ｂから下方に押し出して取り出す。このワークＷでは、複数の第１成形品Ｒ１を覆う第２成形品Ｒ２が形成され、チップ部品１０２の裏面が露出されている。また、成形キャビティ１６以外で成形された不要な成形樹脂Ｒｘを第２中間金型２０Ｂから上方に押し出して取り出す。以上により、第２中間金型２０Ｂを用いた第２ステップが終了する。所定の領域（図１７中、波線で示す。）を切断する個片化処理が行われ、第１成形品Ｒ１および第２成形品Ｒ２が形成された半導体装置が完成する。

（第４実施形態）
前記第１実施形態では、１つの基板１０１上に搭載された１つのチップ部品１０２に対応する上型キャビティブロック３２を１つ設けた場合について説明した。本発明における第４実施形態では、１つの基板１０１上に搭載された複数のチップ部品１０２にそれぞれ対応する上型キャビティブロック３２を複数設ける場合について図面を参照して説明する。

図１８は、本実施形態における樹脂モールド金型１０Ｃを説明するための図（模式的断面図）であって、２ステップ成形法において第１中間金型２０Ａを用いる第１ステップから第２中間金型２０Ｂを用いる第２ステップへと移った（白抜きの矢印で示す）使用状態を示す。なお、樹脂モールド金型１０Ｃも型締め状態では、ポット１３、カル１４、ランナゲート１５、成形キャビティ１６、スルーゲート１７、ダミーキャビティ１８、エアベント１９で連通される連通路（図１参照）が形成されるが、図１８の断面図からはポット１３などのような本実施形態での効果の説明において省略可能な一部構成を省略しているが、前述の実施形態と同様に構成されている。

図１８に示すように、ワークＷは、基板１０１にバンプ１０４を介してフリップチップ接続された複数のチップ部品１０２がマトリクス搭載されたものである。下型１２には、ワークＷ（基板１０１）が載置されるように凹部が設けられている。上型１１には、マトリクス搭載された複数のチップ部品１０２に対応して複数の上型キャビティブロック３２がマトリクス状に上下動可能に設けられている。

第１ステップで用いられる第１中間金型２０Ａ及び第２ステップで用いられる第２中間金型２０Ｂは、第３の実施形態と同様にマトリックス状に封止した後に、全体を一括封止できるように構成されている。このような樹脂モールド金型１０Ｃを用いた２ステップ成形法によっても、基板１０１とチップ部品１０２との間のような狭隘な箇所への樹脂充填性を向上することができるほか、１個のワークＷにおいて搭載されているチップ部品１０２の高さにばらつきがあっても、チップ部品１０２の端面を個々に適切な力でクランプすることができるため、チップ部品１０２のクランプ力の偏りを防止し、フラッシュばりやチップ部品１０２の破損の発生を防止することができる。例えば、チップ部品１０２自体が均一な高さであっても実装の都合で高さが異なったり、複数のチップ部品１０２を混載したりするようなモールド成形品のように元からチップ部品１０２自体の大きさが異なる場合もある。これらの場合においても、適正な封止を行うことができる。

（第５実施形態）
前記第１実施形態では、最終成形品においてチップ部品１０２の裏面（上面）を露出させる場合について説明した。本発明における第５実施形態では、チップ部品１０２の裏面も樹脂Ｒで覆うオーバーモールドの形態の場合について図面を参照して説明する。

図１９は、本実施形態における樹脂モールド金型１０Ｄを説明するための図（模式的断面図）であって、２ステップ成形法において第１中間金型２０Ａを用いる第１ステップから第２中間金型２０Ｂを用いる第２ステップへと移った（白抜きの矢印で示す）使用状態を示す。樹脂モールド金型１０Ｄの第１中間金型２０Ａは、前記実施形態１に示したものと同様のものである。

第２ステップで用いられる第２中間金型２０Ｂには、第１ステップで用いられた第１中間金型２０Ａより厚いものが用いられ、第１成形品Ｒ１を収容するキャビティ孔２２Ｂが設けられている。このため、第２ステップの終了後には、チップ部品１０２の裏面が覆われる（オーバーモールドされる）こととなる。すなわち、キャビティ孔２２Ｂは、その深さが最終成形品の厚さに対応するものであり、チップ部品１０２全体を覆うものである。

このような樹脂モールド金型１０Ｄを用いた２ステップ成形法によっても、基板１０１とチップ部品１０２との間のような狭隘な箇所への樹脂充填性を向上した成形を行ったうえで、中間金型２０の厚みを異ならせるだけでチップ部品１０２を覆ってシールド機能を持たせたりすることもできる。また、第１ステップにおいて充填性の高い樹脂を用い、第２ステップの成形において熱伝導性の高い樹脂を用いるといった成形を用いることでこれらの樹脂の機能を両立させたパッケージの成形も可能である。

（第６実施形態）
前記第１実施形態では、ワークＷとして、基板１０１にフリップチップ接続されたチップ部品１０２の場合について説明した。本発明における第６実施形態では、ワークＷとして、基板１０１にダイボンド搭載、ワイヤボンディング接続されたチップ部品１０２の場合について図面を参照して説明する。

図２０、図２１は、本実施形態における樹脂モールド金型１０Ｅ、１０Ｆを説明するための図（模式的断面図）であって、２ステップ成形法において第１中間金型２０Ａを用いる第１ステップから第２中間金型２０Ｂを用いる第２ステップへと移った（白抜きの矢印で示す）使用状態を示す。

図２０に示すワークＷは、基板１０１に裏面側でダイボンド搭載されたチップ部品１０２が表面側のボンディングワイヤ１０５を介して基板１０１と電気的に接続されたものである。このため、樹脂モールド金型１０Ｅでは、上型１１には、上型キャビティブロック３２（図１参照）を設けていない構成となっている。

第１ステップで用いられる第１中間金型２０Ａには、チップ部品１０２およびボンディングワイヤ１０５を収容する大きさのキャビティ孔２２Ａが設けられている。このため、第１ステップの終了後には、チップ部品１０２およびボンディングワイヤ１０５が樹脂で覆われた（オーバーモールドされた）第１成形品Ｒ１が形成される。そして、第２ステップで用いられる第２中間金型２０Ｂには、第１ステップで用いられる第１中間金型２０Ａより厚いものが用いられ、第１成形品Ｒ１を収容するキャビティ孔２２Ｂが設けられている。

このような樹脂モールド金型１０Ｅを用いた２ステップ成形法によっては、ボンディングワイヤ１０５のワイヤフローを防止することができる。また、このような２ステップ成形法によれば、第１ステップでワイヤフローを防止するために低粘度、低応力の樹脂を用い、第２ステップで電磁シールド性、耐湿性、線膨張調整、高応力の樹脂を用いることもできる。

また、図２１に示すワークＷは、基板１０１に裏面側でダイボンド搭載された複数のチップ部品１０２が表面側のボンディングワイヤ１０５を介して基板１０１と電気的に接続されたものである。第１ステップで用いられる第１中間金型２０Ａには、複数のチップ部品１０２の配置に対応して、成形キャビティ１６を構成する複数のキャビティ孔２２Ａが設けられている。第２ステップで用いられる第２中間金型２０Ｂには、複数の第１成形品Ｒ１に対応して、成形キャビティ１６を構成するキャビティ孔２２Ｂが共通して設けられている。このキャビティ孔２２Ｂは、各第１成形品Ｒ１を一纏めに収容する貫通孔である。

このような樹脂モールド金型１０Ｆを用いた２ステップ成形法によっても、ボンディングワイヤ１０５のワイヤフローを防止することができる。すなわち、２ステップ成形法によれば、第１ステップでワイヤフローを防止するために低粘度の樹脂を用い、第２ステップで耐湿性に優れた樹脂を用いることができる。また、先にチップ部品１０２の封止を完了してしまうので、チップ部品を確実に封止して信頼性を確保することができる。また、チップ配置が複雑であっても第１中間金型２０Ａ、第２中間金型２０Ｂを交換するだけでよく簡易な変更で対応することができる。なお、上述の実施形態において、複数のチップ部品１０２を個別に封止した後に全体を一括封止する例について説明したが、これらでは、一括封止した後に１個以上のチップ部品１０２を含む形状に個片化して用いるようなパッケージ形態であってもよいし、全ての複数のチップ部品１０２が含まれた形状で用いるパッケージ形態であってもよい。

（第７実施形態）
本発明における第７実施形態では、最終成形品として樹脂封止部分を貫通する導電部を含むＴＭＶ（Through Mold Via）構造のパッケージを製造する場合について図面を参照して説明する。図２２は、本実施形態における樹脂モールド金型１０Ｇを説明するための図（模式的断面図）であって、２ステップ成形法において第１中間金型２０Ａを用いる第１ステップから第２中間金型２０Ｂを用いる第２ステップへと移った（白抜きの矢印で示す）使用状態を示す。

図２２に示すように、ワークＷは、基板１０１にダイボンド搭載、ワイヤボンディング接続されたチップ部品１０２およびその周囲に搭載された導電部材１０６（ビア）である。この導電部材１０６は、基板１０１と電気的に接続されている。また、上型１１には、導電部材１０６が設けられた平面視領域に対応するパーティング面を有する上型キャビティブロック３２が上下動可能に設けられている。

第１ステップで用いられる第１中間金型２０Ａには、チップ部品１０２および導電部材１０６に対応して、成形キャビティ１６を構成する複数のキャビティ孔２２Ａが設けられている。第１ステップの終了後には、上型キャビティブロック３２で導電部材１０６がクランプされるため、導電部材１０６の一部が露出した第１成形品Ｒ１が成形されることとなる。この場合、チップ部品１０２と導電部材１０６とによって成形キャビティ１６内の樹脂の流動は極めて複雑になるため、充填性のよい樹脂Ｒが用いられる。次いで、第２中間金型２０Ｂが用いられる第２ステップの終了後には、上型キャビティブロック３２で導電部材１０６がクランプされるため、導電部材１０６の一部が露出した最終成形品が成形されることとなる。

このような樹脂モールド金型１０Ｅを用いた２ステップ成形法によっても、ボンディングワイヤ１０５と導電部材１０６により複雑かつ狭隘な箇所への樹脂充填性を向上できる成形を行いながら外周に強度の高い封止を行って強度を確保した高性能なパッケージを成形することができる。

（第８実施形態）
前記実施形態１では、ワークＷに対する２ステップ成形法を適用した場合について説明した。本成形法においてワークＷはこれに限らず、図２３および図２４に示すようなダミーワークＤＷを用いても２ステップ成形法による成形の評価を行ってもよい。なお、このダミーワークＤＷを用いた評価は上述した成形法以外の成形方法でも利用可能であるが、２ステップ成形法の評価を安価かつ効率的に実施できるため好ましい。

図２３および図２４に示すチップ部品１０２は、本発明におけるダミーチップに相当し、実際のパッケージに用いるチップ部品１０２の形状を模して形成される。また、このチップ部品１０２は、例えば、銅板からなり、バンプ１０４に相当する凹凸をエッチング、プレス加工や機械加工により形成したものである。また、ダミーワークＤＷ用の基板１０１としては、例えば、プリント配線基板（ＦＲ−４）、銅板、ウェハやガラスなどであってもよい。

図２３に示すダミーワークＤＷのように、基板１０１上に、１つのチップ部品１０２をフリップチップ接続の形態で配置し、チップ部品１０２の外周にコンポーネント１０３（任意構成）を貼り付けられてもよい。また、コンポーネント１０３は、基板１０１が銅板からなる場合、エッチングによって形成されてもよい。また、基板１０１上に、１つのチップ部品１０２を搭載するのではなく、ダミーワークＤＷは、複数のチップ部品１０２をマトリクス配置で搭載されてもよい。

また、図２４に示すダミーワークＤＷのように、基板１０１上に、複数のチップ部品１０２が積層されてもよい。

本発明によれば、基板１０１とチップ部品１０２との間のギャップや、下段のチップ部品１０２とその上段のチップ部品１０２との間のギャップのような狭隘な箇所であっても樹脂充填性の実際のチップ部品１０２を用いることなく確認を行うことができる。

これらの構造において、例えば上述したような樹脂モールド金型１０を用いて成形を行うことで、採用した金型構造や制御により十分にチップ部品１０２の下部の充填（アンダーフィル）が行われたかを確認することができる。例えば、モールド成形品から基板１０１を引き剥がすことで、バンプ１０４に相当する凹凸間の樹脂Ｒの充填状態を確認することができる。このため、実際のチップ部品１０２が搭載された基板１０１のように高価かつ準備に時間がかかる被成形品を用いることなく、成形品質を確認することができるため、安価かつ効率的に金型構造や制御の評価を行うことができる。

また、図２５に示すダミーワークＤＷのように、基板１０１上に、１つのチップ部品１０２をフリップチップ接続し、チップ部品１０２の外周に柱状の導電部材１０６を配置する構成でもよい。この場合、導電部材１０６は、連結部１０７を介してチップ部品１０２に接続されることで取り扱いが容易となり簡易に評価することができる。また、導電部材１０６が外周に配置されたチップ部品１０２は積層して用いることもできる。

以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

前記実施形態では、上型のパーティング面に設けられた凹部と、中間金型に設けられたダミーキャビティ孔とで、ダミーキャビティを構成する場合について説明したが、ダミーキャビティを上型の凹部のみで構成したり、または中間金型のダミーキャビティ孔のみから構成したりする場合でもよい。

前記実施形態では、一つの中間金型を用いて成形品を形成（１ステップ成形法）する場合や、二つの中間金型を交換して用いて成形品を形成（２ステップ成形法）する場合について説明したが、三つ以上の中間金型を交換して用いて三層以上の封止層を有する成形品を形成する場合でもよい。

前記実施形態では、第１、第２ステップ（２ステップ成形法）では、それぞれ材質が異なる（低粘度、高粘度）の樹脂を用いた場合について説明したが、第１、第２ステップにおいて同じ材質の樹脂を用いることもできる。また、樹脂形状においても、第１、第２ステップでは、それぞれが異なる形状（例えば、タブレット状、液状、粉状など）であったり、同じ形状であったりする場合でもよい。なお、最終成形品の成形品質を確保できるように、第１および第２ステップで用いられる樹脂の互いの特性（特に、密着性）が考慮される。

前記実施形態では、量産用として供給部と収納部とを備えた樹脂モールド装置に適用した場合について説明したが、試験用として供給部および収納部を備えないマニュアル式の樹脂モールド装置に適用する場合でもよい。

前記実施形態では、ランナゲートを構成する中間金型の第１溝の深さが一定の場合について説明したが、例えば、カル側から成形キャビティ側に向かって徐々に深くする場合であってもよい。すなわち、中間金型を用いることで、基板とこれにフリップチップ接続されたチップ部品との間のような狭隘な箇所（所望の箇所）に向かってランナゲート（第１溝）を設けることができ、狭隘な箇所であっても、より樹脂充填性を向上することができる。

前記実施形態では、ランナゲート、スルーゲートおよびエアベントを中間金型に設ける場合について説明したが、例えば、上型のパーティング面にそれぞれを構成する溝を形成する場合であってもよい。

前記実施形態では、可動ピンをアクチュエータによりエアベントへの進退動作を制御する場合について説明したが、図２６または図２７に示すような他の金型構造によって進退させてもよい。なお、図２６、図２７に示す金型構造では、他の図面において記載した構成でも省略したものもある。

一例としての金型構造は、図２６に示す樹脂モールド金型１０Ｈのように、上型クランパブロック３１および可動ピン５３もそれぞれスプリング３３Ａ、３３Ｂで上型ベースブロック３０に弾性的に支持する。これにより、樹脂モールド金型１０を型締めすることで中間金型２０に当接し移動が制限された上型クランパブロック３１に対し、可動ピン５３が突出しエアベント溝２７に侵入して閉塞するようにしてもよい。このような構成によれば、樹脂モールド金型１０Ｈを型締め制御のみで可動ピン５３を進退させることができるため、可動ピン５３を駆動するアクチュエータを不要とすることができ、装置の簡素化が可能である。

また、他の方法で可動ピン５３を進退動作させてもよい。例えば、図２７に示す樹脂モールド金型１０Ｉのように、可動ピン５３の上流に配置された押上げピン５３１を樹脂Ｒの樹脂圧によって押し上げさせた昇降動作を利用することができる。具体的には、シーソー状に構成されて一方の昇降により他方が反対側に昇降するロッキング機構５３２に可動ピン５３と押上げピン５３１とを組み付けることで、押上げピン５３１の押し上げに対応して可動ピン５３を押し下げてエアベント溝を閉塞するようにしてもよい。このような構成によれば、樹脂Ｒの樹脂圧により可動ピン５３を可動することができ、アクチュエータを不要とすることができると共に、樹脂モールド金型１０Ｉを型締め制御も不要であり、装置をさらに簡素化することができる。

前記実施形態では、ベースブロックに対してキャビティブロックおよびワーク支持ブロックを可動させる場合について説明したが、これらを固定させる場合でもよい。

前記実施形態では、上型を固定型、下型を可動型とした場合について説明したが、上型を可動型、下型を固定型としたり、上型および下型を可動型としたりする場合でもよい。

前記実施形態では、基板上にランナゲートを走らせないためにカル孔を有し、ポットを覆うように配置される中間金型を用いる場合について説明したが、ポットから左右に分割されて、カル孔を有さない中間金型を用いることもできる。

前記実施形態では、チップ部品１０２が基板１０１に電気的に接続されている場合について説明したが、チップ部品１０２は基板１０１とは電気的に接続せず、封止後に成形品から基板１０１を剥離し、配線構造を基板１０１の面に成形することでモールド成形品を成形することもできる。

１０ 樹脂モールド金型
１１ 上型
１２ 下型
１３ ポット
１４ カル
１５ ランナゲート
１６ 成形キャビティ
１７ スルーゲート
１８ ダミーキャビティ
１９ エアベント
２０ 中間金型
２１ カル孔
２２ キャビティ孔
２３ ダミーキャビティ孔
５０ エア吸引機構部
５３ 可動ピン
Ｒ 樹脂
Ｗ ワーク

Claims (8)

1. 第１金型と、
   チップ部品が搭載されたワークを、当該チップ部品を前記第１金型側に向けて支持する第２金型と、
   前記第１金型または第２金型のいずれかに組み付けられ、モールド樹脂を供給するポットおよびプランジャと、
   前記ポットに連通して前記チップ部品を収容するキャビティ孔を有する中間金型と、
   前記中間金型と前記第１金型または第２金型との間の少なくとも一方の間に形成されたエアベント溝と、
   当該エアベント溝に対面する前記第１または第２金型の少なくとも一方に進退動可能に設けられた可動ピンと、を備え、
   前記第１金型と前記第２金型とで前記ワークおよび前記中間金型がクランプされ、前記エアベント溝よりエア吸引されて金型内に形成される減圧環境下で、前記可動ピンで前記エアベント溝を閉塞することにより、前記キャビティ孔よりオーバーフローさせた前記モールド樹脂を堰き止めることを特徴とする樹脂モールド金型。
2. 請求項１記載の樹脂モールド金型において、
   前記中間金型には、前記キャビティ孔と前記エアベント溝との間で連通するダミーキャビティが形成されていることを特徴とする樹脂モールド金型。
3. 請求項１または２記載の樹脂モールド金型において、
   前記中間金型として交換可能な第１および第２中間金型を備え、
   前記第１中間金型のキャビティ孔の大きさが、前記第２中間金型のキャビティ孔の大きさよりも小さいことを特徴とする樹脂モールド金型。
4. 請求項１または２記載の樹脂モールド金型と、前記樹脂モールド金型の動作を制御する制御部とを備える樹脂モールド装置において、
   前記制御部は、
   （ａ）前記第１金型と前記第２金型とで前記ワークおよび前記中間金型をクランプさせる処理と、
   （ｂ）前記エアベント溝より金型内をエア吸引して減圧環境下を形成させる処理と、
   （ｃ）前記可動ピンを進入させて前記エアベント溝を閉塞し、前記キャビティ孔よりオーバーフローさせた前記モールド樹脂を堰き止めさせる処理と、
   を含むことを特徴とする樹脂モールド装置。
5. 請求項１または２記載の樹脂モールド金型を用いる樹脂モールド方法において、
   （ａ）前記第１金型と前記第２金型とで前記ワークおよび前記中間金型をクランプする工程と、
   （ｂ）前記エアベント溝より金型内をエア吸引して減圧環境下を形成する工程と、
   （ｃ）前記可動ピンを進入させて前記エアベント溝を閉塞し、前記キャビティ孔よりオーバーフローさせた前記モールド樹脂を堰き止める工程と、
   を含むことを特徴とする樹脂モールド方法。
6. 請求項５記載の樹脂モールド方法において、
   前記樹脂モールド金型は、前記中間金型として交換可能な第１および第２中間金型を備え、
   前記第１中間金型のキャビティ孔の大きさが、前記第２中間金型のキャビティ孔の大きさよりも小さく、
   （ｄ）前記第１中間金型を用いて前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）工程を行い、前記第１中間金型のキャビティ孔に充填された樹脂を熱硬化して第１成形品を成形する工程と、
   （ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２中間金型のキャビティ孔内に前記第１成形品を収容して前記第２中間金型を配置する工程と、
   （ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第２中間金型を用いて前記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）工程を行い、前記第２中間金型のキャビティ孔に充填された樹脂を熱硬化して、前記第１成形品を覆う第２成形品を成形する工程と、
   を含むことを特徴とする樹脂モールド方法。
7. 請求項６記載の樹脂モールド方法において、
   （ｇ）前記（ｄ）工程中の前記（ａ）工程の前に、基板にフリップチップ接続されたチップ部品をワークとして前記樹脂モールド金型に供給し、前記第１中間金型のキャビティ孔内に前記チップ部品を収容して前記ワークを覆うように前記第１中間金型を配置する工程を含むことを特徴とする樹脂モールド方法。
8. 請求項１または２記載の樹脂モールド金型の評価方法において、
   前記ワークとして実際のモールド成形品に用いる前記チップ部品の形状を模したダミーチップを有するダミーワークを用いることを特徴とする樹脂モールド金型の評価方法。

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