TWI426624B - 高效率發光二極體之製作方法 - Google Patents
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Description
本發明是有關一種發光二極體的製作方式,特別是有關一種以軟性模仁進行壓印以提升發光二極體亮度的方法。
商業化發光二極體的發展,從1960年代開始採用的材料如砷化鎵,以及砷磷化鎵等,亮度均偏低,並且發光區域集中在紅、黃、澄、以及綠色等幾種顏色。到1990年代,由東芝與惠普合作開發的高亮度四元(磷化鋁鎵銦)化合物發光二極體,可發出高亮度的紅光與琥珀色,正式進入高亮度發光二極體的序幕。之後,日亞化學開發出氮化銦為主體的發光二極體,搭配有機金屬化學氣相磊晶法,可以提供綠光與藍光的發光二極體,使得發光二極體所提供的色彩達到全彩,提供許多可能的應用。同時,搭配適當的螢光粉可以讓發光二極體可以提供白光。隨著發光效率的提升,發光二極體的應用領域逐漸向傳統的光源拓展開。
目前的氮化物發光二極體的發光效益,大約是在20-30%,相較於高亮度四元發光二極體的70%而言,還有許多的努力空間。為了將光線從發光二極體結構區域內部萃取出來,大部分都利用破壞全反射的方法來提升光萃取效率。例如以濕蝕刻或乾蝕刻方式在發光二極體表面製作了粗糙化,進而使原本平滑界面所產生的全內反射得以破壞,提升光萃取效率。
但是此方法易造成表面結構均勻性不佳,致使整片晶圓的出光效率不一致。同時由於蝕刻在半導體上可能會造成發光二極體電特性變差,並且由於半導體與空氣之間折射率差異太大,光萃取效率有限。
近年來,有人提出以壓印(imprint)方式將微結構壓印在發光二極體表面,並且再配合蝕刻方法在半導體或是透明導電膜上蝕刻出週期性結構,以提升出光效率。由於這些壓印方式多採取硬性模仁(例如:矽、氧化鋁等材料)方式進行,只能對單一晶片進行壓印製程,無法完成全晶圓(wafer level)的壓印方式,這是因為發光二極體基板本身常具有翹曲度。為了達到商業量產化的需求,必須要做到大面積的轉印才能符合經濟效應。以單一2吋晶圓來看,標準的晶粒尺寸可以切割出一萬五千個以上的晶粒,這表示需要進行一萬五千次的壓印製程。這是不符合經濟效益的。
另一方面,就現今的光學微影而言,因為聚焦深度不足,所以對於曲面無法有效進行圖案的轉移,因此有關曲面或非平整表面上圖型製作,一直是傳統微影製程無法達成的領域。
因此,亟須本發明將壓印製程可以應用在整個晶圓(wafer level)上,讓壓印製程可具有商業化。
鑒於上述之發明背景中,為了符合產業利益之需求以及達到上述之目的,本發明提出一種高效率發光二極體之製作方法,其包含震洗一軟性模仁與一發光二極體晶圓;塗佈脫模劑於該軟性模仁上;塗佈一壓印材料於該軟性模仁上或是該發光二極體晶圓上;將該軟性模仁覆蓋在該發光二極體晶圓上,進行圖案轉錄;將該軟性模仁脫離該發光二極體晶圓;以及對該發光二極體晶圓回火。
上述之震洗之步驟係使用丙酮、異丙醇、與去離子水依序震洗該軟性模仁與該發光二極體晶圓。上述脫模劑與該壓印材料係以旋塗之方式形成在該軟性模仁上。上述脫模劑可為聚四氟乙烯,壓印材料可為聚甲基丙烯酸甲酯。上述軟性模仁材質可為聚二甲基矽氧烷。上述壓印材料上的轉錄後的圖案為金字塔結構或其他三維結構。在圖案轉錄後更包含將該壓印材料表面進行離子轟擊以提高微結構的粗糙程度。更包含進行晶粒切割與封裝製程將該發光二極體晶圓形成為發光二極體。上述發光二極體晶圓為氮化(銦)鎵發光二極體。
本發明在此所探討的方向為一種高效率發光二極體結構與製程。為了能徹底地瞭解本發明,將在下列的描述中提出詳盡的步驟及其組成。顯然地,本發明的施行並未限定於發光二極體之技藝者所熟習的特殊細節。另一方面,眾所周知的組成或步驟並未描述於細節中,以避免造成本發明不必要之限制。本發明的較佳實施例會詳細描述如下,然而除了這些詳細描述之外,本發明還可以廣泛地施行在其他的實施例中,且本發明的範圍不受限定,其以之後的專利範圍為準。
表面結構技術已被證明能有效提升發光二極體出光效率,本發明採用軟性壓印技術配合反向壓印的技術,將微/奈米結構以極微小壓力建立在曲面發光二極體晶圓表面。製作方式可先選擇脫模劑(或是抗黏合劑)塗佈於軟性模仁表面,以利後續脫膜製程;再將折射率介於半導體材料與空氣之間的壓印
材料塗佈於軟性模仁表面,並將軟性膜仁與晶圓貼合,施以壓印力,這同時以紫外光或是加熱方式將材料熟化,最後將軟性膜仁與晶圓脫離,完成壓印程序。以上程序中包含一些加熱製程以確保壓印材料中的有機溶劑得以適當揮發。
本發明主要是以軟性模仁進行圖案轉印,可以將圖案轉錄到非平面或是曲面的基板。軟性轉印成型或是軟性模仁之圖案轉錄的技術,由於是採接觸方式進行轉印,所以對於非平面或是曲面而言,軟性轉印成型技術成為很好的選擇。所以先製作出硬性母模,然後再以軟性材料翻製多個子模。由於軟性模仁材料機械強度較差,若以直接加壓方式壓印於壓印材料上,有可能會造成不易壓印的情況,所以可以利用反向壓印的觀念進行壓印。反向壓印是先將壓印材料塗佈到軟性模仁上,再將結構以類似“種”的方式進行轉印。比起以往轉印成型方式,此方式壓印力小許多就可以完成結構轉印,這對於模仁與基板都是非常正面的選擇。
本專利的實施方法,首先必須先完成模仁製作,其中又必須先製作硬性模仁,然後再翻印製作軟性模仁。接著,以壓印方式建立發光二極體表面結構。完成的結構,會進行光電量測以確立本發明對發光二極體光電特性會有正面的影響或貢獻。
在本發明中,首先,是壓印模仁的製作。而在製作壓印模仁中,先製作硬性模仁。硬性模仁主要是利用光學微影技術,將矽基板或是氧化鋁基板等表面形成特定的圖案。其中,係使用曝光機台,特別是紫外光曝光機台,將光罩定義好的圖案,配合乾蝕刻或是濕蝕刻等的方式,將光罩的圖案轉移到矽基板或是氧化鋁基板。若是奈米模仁,則是利用步進機(Stepper)、雷射干涉微影、電子束微影等方式製作奈米圖案。對於使用乾蝕刻或是濕蝕刻的方式,分別敘述如下。
採用乾蝕刻方式,會先利用旋轉塗佈機塗佈六甲基二矽氮烷(HMDS;Hexamethyl Disilazane)在基板上,並以加熱器烘烤。六甲基二矽氮烷,化學式為(CH3
)3
Si-NH-Si(CH3
)3
,屬於矽烷的一種化學品,最常使用於作為無機和有機材料之間的偶合,增加晶圓和光阻之間的附著,或是增加玻璃基板和光阻間的附著。以六甲基二矽氮烷作為表面塗佈主要有兩個作用,第一是直接與水發生反應產生氨氣,去除因與試片表面形成化學鍵而無法烘除的水分;第二是六甲基二矽氮烷以本身的矽原子與試片表面產生化學鍵,而使有機質的官能基裸露在外,作為晶圓與光阻間的介面活性劑,產生光阻良好的附著。接著,塗佈光阻,例如將Shipley 1818正光阻塗佈在六甲基二矽氮烷上,並且以加熱器進行軟烤。之後,以接觸式曝光機,例如在Karlsuss曝光機上,將光罩上定義好的圖案曝光至光阻。然後,以顯影液對光阻進行顯影的工作,這時光罩上的圖案轉移到光阻上。顯影後的光阻,須以光學顯微鏡觀察定義出的圖案是否為正確的圖形,以及整體線寬的均勻性是否一致。之後,進行乾蝕刻,一般會使用反應性離子蝕刻方式,例如使用感應式耦合電漿(Inductively Coupled Plasma;ICP)進行蝕刻。在一實施例中,可以用STS的ICP進行蝕刻。然後,去除光阻後,便完成了一個微米線寬的轉印模仁。
採用濕蝕刻的方式,會使用低壓化學氣相沉積系統(LPCVD)在矽基板或是氧化鋁基板上先成長的氮化矽(SiNx
)薄膜。之後,利用旋轉塗佈機塗佈六甲基二矽氮烷,並以加熱器烘烤。接著,塗佈光阻,例如將Shipley 1818正光阻塗佈在六甲基二矽氮烷上,塗佈完光阻之後以加熱器進行軟烤秒。以接觸式曝光機,例如Karlsuss接觸式曝光機進行曝光製程。然後,以顯影液對光阻進行顯影的工作。顯影後的光阻需要檢查圖形是否正確,以及整體線寬的均勻性是否一致,一般是以光學顯微鏡進行檢視。之後進行乾蝕刻,一般會使用反應性離子蝕刻方式,例如使用感應式耦合電漿(Inductively Coupled Plasma;ICP)蝕刻氮化矽層完成濕蝕刻擋層,一般又稱做為硬遮罩。接著,如果是使用矽基板做為模仁,可以使用水浴法加熱46%的氫氧化鉀(KOH)溶液並放入矽基板,以氫氧化鉀蝕刻矽基板。如果硬膜仁的材質為氧化鋁基板或是其他的材料,可以找適合的濕蝕刻劑進行蝕刻。之後,移除硬遮罩層,主要是以氫氟酸(HF)蝕刻去除氮化矽硬遮罩層。以上方式即完成了一個微米線寬的轉印模仁。
硬性模仁形成後,接著製作軟性模仁。請同時參閱第一A圖與第一B圖,分別表示製作軟性模仁各階段的結構示意圖以及製作軟性模仁的流程圖。如第一A圖的硬性模仁10與第一B圖的步驟S1-1所示,先以丙酮、異丙醇、去離子水之順序,分別震洗硬性模仁10,然後如步驟S1-2所示,以旋轉塗佈機塗佈脫模劑於硬性模仁10上,並且將塗佈完成的模仁置於加熱器上,目的是使脫膜劑中的溶劑能夠揮發以形成一疏水性之薄膜。之後,如步驟S1-3所示,進行液態模的注入,在本發明中一實施例中,軟性模仁的材料可為聚二甲基矽氧烷。本步驟是先將聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane;PDMS)攪拌均勻,然後將硬性膜仁10放置於平坦容器內,並將調製好聚二甲基矽氧烷溶液20倒入容器中待氣泡完全消失。聚二甲基矽氧烷(PDMS)屬於一個組高分子有機矽化合物,通常被稱為有機矽。聚二甲基矽氧烷是最廣泛使用的以矽為基礎
的有機聚合物,尤其是以其不同尋常的流量的屬性。
之後,如步驟S1-4所示,將注入液態模21的硬性膜仁10放入烤箱烘烤,使聚二甲基矽氧烷固化,同時將液態模21裡面的空氣排出去。烘烤完成後如步驟S1-5所示進行脫模的動作。本步驟是將固化後的聚二甲基矽氧烷軟性模仁22與硬性模仁10分離。在脫模之後,如步驟S1-6所示,軟性模仁22成型。
由於在第一A圖中,所有的圖形均以截面表示,實際上不管是硬性模仁10或是軟性模仁22的表面微結構圖案可以有多種變化可能。在第二圖中,分別舉例一些簡單的圖案做為參考。請參閱第二A圖分別表示使用矽模具行程的硬性模仁的圖示,從左至右分別為深金字塔,淺金字塔,圓形洞的結構示意圖,以及完成的矽模仁的電子顯微鏡的圖示。在第二A圖中所示的結構,主要是以凹的結構圖案為主,然而亦可以使用凸的結構圖案。請參閱第二B圖,是使用第二A圖矽模具,反轉成的聚二甲基矽氧烷的軟性模仁的圖示,從左至右分別為深金字塔,淺金字塔,圓形柱狀的結構示意圖,以及完成的聚二甲基矽氧烷模仁的電子顯微鏡的圖示。在第二B圖中,主要是以凸結構為主。
接著,進行壓印製成。請參閱第三圖。如步驟S3-1所示,首先以丙酮、異丙醇、去離子水之順序,分別震洗模仁及氮化鎵晶片。接著,步驟S3-2所示,利用旋轉塗佈機塗佈脫模劑於軟性模仁上,之後將塗佈完成的模仁至於加熱器上,目的是為了使脫膜劑中的溶劑能夠揮發以及形成一疏水性之薄膜。在本實施例中,脫模劑可以選用聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethene;PTFE),也就是一般所稱的鐵氟龍
(Teflon)。一般統稱作不粘塗層或易潔鑊物料,是一種使用了氟取代聚乙烯中所有氫原子的人工合成高分子材料。這種材料具有抗酸抗鹼、抗各種有機溶劑的特點,幾乎不溶於所有的溶劑。同時,聚四氟乙烯具有耐高溫的特點,它的摩擦系數極低,所以可作潤滑作用之餘,亦成為了平底鍋和水管內層的理想塗料。
之後,如步驟S3-3所示,利用旋轉塗佈機塗佈壓印材料於軟性模仁或是晶片上。在本發明之一實施例中,壓印材料選用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate;PMMA)英文一般稱為Acrylic,也就是壓克力。此時,壓印材料在尚未烘烤前為軟性材料。壓印材料的折射率最好是介於半導體材料與空氣之間。接著,如步驟S3-4所示,將模仁附蓋於發光二極體試片之上,並利用壓印設備進行模仁之圖型轉錄。在這個步驟中,會對軟性模仁進行加壓加熱,讓壓印材料初步固化。或是如果有添加紫外光固化劑在壓印材料內,也可以對壓印材料照射紫外光。
接著,如步驟S3-5所示,壓印完成後取出試片與模仁,並進行脫模的動作,將試片與模仁分離。然後,如步驟S3-6所示,將壓印有微結構之氮化鎵晶片置於快速退火爐中進行烘烤,烘烤的時間與溫度取決於壓印材料的材質。完成後取出試片,並進行清洗。
依據第三圖所示之流程,以第四圖與第五圖分別描述在第三圖中所示之流程中各步驟的結構示意圖。
請參閱第四A圖,是一般的正向壓印的製程。先將壓印材料30形成在基板40上,而軟性模仁22會在之後的步驟將圖案轉錄到壓印材料30上。在本實施例中,壓印材料可為聚
甲基丙烯酸甲酯。由於基板40為發光二極體晶圓,材料通常為在藍寶石機板上形成數層氮化鎵磊晶層,基板40會有一些曲度或是翹曲。使用軟性模仁22的優點,就是軟性模仁22可以依照基板40的曲度進行壓印。
另一種壓印方式,請參閱第四B圖,是反向壓印的製程。首先將將壓印材料30先形成在軟性模仁22上,在本實施例中,壓印材料可為聚甲基丙烯酸甲酯。這個步驟的好處是,當壓印材料與基板之間具有良好親水性時,只需微小應力就可將軟性模仁22中的材料轉印至基板上。這種方式,在圖案轉錄的過程中,壓印材料30可以有較佳的圖案轉錄過來。之後,再將壓印材料30像是用種的方式,形成在基板40上。
之後,請參閱第五A圖,進行壓印。如果是正向壓印,則如第五A圖的步驟,是將軟性模仁22壓印在壓印材料30上的步驟;如果是反向壓印,則如第五A圖的步驟,是將壓印材料30與軟性模仁22種在基板40上的步驟。不管是正向壓印或是反向壓印,同時,對於壓印材料30均可加壓加熱,或是照射UV予以初步固化。加熱與加壓可以單獨對軟性模仁22(上面)、單獨對基板40(下面)、或是軟性模仁22與基板40(兩面)一起進行。如果有添加紫外光固化劑在壓印材料內,也可以對壓印材料照射紫外光。
接著,請參閱第五B圖,進行脫模。軟性模仁22在這個步驟中就剝離開壓印材料30。由於有使用脫模劑,軟性模仁22與壓印材料30之間可以很容易的分離。在完成整個壓印步驟之後,可以再利用離子轟擊技術對壓印材料20微結構表面進行粗糙化,進一步對於壓印材料的表面進行另一階段的表面粗化。
由於第四圖與第五圖均為截面示意圖,壓印材料的表面微結構可以參閱第六圖。請參閱第六圖,在壓印之後,可以在壓印材料的表面形成各種圖案。在一實施例中,如第六A圖所示,可以在壓印材料表面形成深反向金字塔,如第六B圖所示,可以在壓印材料表面形成淺反向金字塔,以及如第六C圖,可以在壓印材料表面形成圓形洞。第六圖的幾個圖案是舉例說明,也可以在壓印材料表面形成正向圖案,或是其他的圖案。
請參閱第七圖,是2吋發光二極體全晶圓的壓印結果的電子顯微鏡圖。在晶圓的左手邊,是表示接近中心位置的表面微結構的圖案,有兩張不同放大倍率的圖案。在晶圓的右手邊,是表示接近邊緣位置的表面微結構的圖案,有兩張不同放大倍率的圖案。不管是在晶圓的中心或是晶圓的周圍,都有均勻的壓印圖案。
請參閱第八圖顯示,在壓印製程之後進行傳統的晶粒切割的結構示意圖。第八A圖是傳統的兩個電極向上的發光二極體晶粒結構,適用於打線接合的方式進行封裝,而第八B圖是兩個電極朝下的發光二極體晶粒結構,適用於覆晶封裝。在第八A圖與第八B圖中,發光二級體晶粒依序包含一藍寶石基板41,一N型導通之氮化鎵層42,一主動層43,一P型導通之氮化鎵層44,一透明導電層45,電性連接至N型導通之氮化鎵層42的第一電極46,以及電性連接至P型導通之氮化鎵層44的第一電極47。由於微結構是在壓印材料上形成,不會對氮化鎵發光二極體的材質有任何的毀損。因此不會對發光二極體的電性會有損害。
利用所製作出來的模仁,藉由壓印的方式將微/奈米結構
轉印到傳統發光二極體,所以為了瞭解其特性是否有所改變,分別做了光特性與電特性的量測。在一實施例中,使用積分球量測系搭配HP416C電流-電壓量測系統,分別量測包括電特性的電流-電壓曲線圖(I-V Curve)以及光特性的光強度-電流曲線圖(L-I Curve)。
請參閱第九圖,為整理出各式表面型態結構,並分類C1為傳統發光二極體、C2為平版聚甲基丙烯酸甲酯、C3為平版聚甲基丙烯酸甲酯粗糙化、C4為金字塔結構、C5為金字塔結構粗糙化、C6為倒金字塔結構、C7為倒金字塔結構粗糙化、C8為圓柱結構、C9為圓柱結構粗糙化、C10為圓洞結構、C11為圓洞結構粗糙化,於操作電流20mA下所觀察對傳統發光二極體的順向偏壓與光強度。
本發明利用轉印成型方式將聚甲基丙烯酸甲酯微結構建立於發光二極體的表面上,有別於一般先前技術所提及粗糙化方式,將利用電特性量測得到的I-V Curve來觀察是否對電性造成影響。由上表得知,各式表面型態結構的順向偏壓值都維持在±0.1V誤差範圍內,可證明利用傳統發光二極體應用轉印成型與粗糙化方式所建立微結構並經過粗糙化的製程中,並不會造成電性的傷害。從第八圖可以看出,不管是以打線接合或是複晶封裝,發光二極體的的表面都不會受到影響。對於電性的影響,應微乎其微。
請參閱第十圖,為第九圖中為各式表面型態對傳統發光二極體之L-I Curve。圖中顯示藉由轉印成型技術方式建立微結構,並經過粗糙化的製程,可以有效增加傳統發光二極體之光強度。並且由上表在20mA的光強功率整理可得知,平版聚甲基丙烯酸甲酯(C2)、平版聚甲基丙烯酸甲酯粗糙化(C3)、金字
塔結構(C4)、金字塔結構粗糙化(C5)、倒金字塔結構(C6)、倒金字塔結構粗糙化(C7)、圓柱結構(C8)、圓柱結構粗糙化(C9)、圓洞結構(C10)、圓洞結構粗糙化(C11),於操作電流20mA下可使傳統發光二極體提升出光效率分別為3.8%、8.2%、32.9%、37.5%、17.8%、23.2%、27%、30.6%、13.1%以及17.9%。
本發明主要是壓印技術將壓印材料建構於發光二極體上,再將其結構經由蝕刻機台轟擊後製作出奈米級結構粗糙化後,比較表面各式型態對於發光二極體光電特性的影響,具體成果如下:
1.本研究開發出反向壓印技術運用於發光二極體;反向壓印利用聚二甲基矽氧烷模仁,成功完成2吋全晶圓壓印,可因應產業界量產化的需求。
2.經由製作出不同型態結構後,對傳統發光二極體的順向偏壓值,在20mA時的誤差範圍都在±0.1V以內,表示電性並未受到損害。
3.利用離子轟擊技術對微結構表面進行粗糙化,成功將微結構表面RMS粗糙度值由2.9nm提高到25nm,出光效率可再提升4~5%。
4.壓印技術將各式不同表面形態結構建立於發光二極體,其中金字塔結構運用到傳統發光二極體上時的效率提升最高為32.9%。
顯然地,依照上面實施例中的描述,本發明可能有許多的修正與差異。因此需要在其附加的權利要求項之範圍內加以理解,除了上述詳細的描述外,本發明還可以廣泛地在其他的實施例中施行。上述僅為本發明之較佳實施例而已,並非用以限定本發明之申請專利範圍;凡其它未脫離本發明所揭示之精神
下所完成的等效改變或修飾,均應包含在下述申請專利範圍內。
10‧‧‧硬性膜仁
20‧‧‧聚二甲基矽氧烷溶液
21‧‧‧液態模21
22‧‧‧軟性模仁
30‧‧‧壓印材料
40‧‧‧基板
41‧‧‧藍寶石基板
42‧‧‧N型導通氮化鎵層
43‧‧‧主動層
44‧‧‧P型導通氮化鎵層
45‧‧‧透明導電層
46‧‧‧第一電極
47‧‧‧第二電極
S1-1~S1-5‧‧‧步驟
S3-1~S3-6‧‧‧步驟
第一A圖與第一B圖係分別說明形成軟性模仁各步驟的結構示意圖與流程圖。
第二A圖與第二B圖分別顯示以矽以及聚二甲基矽氧烷為材料所製作的硬性模仁與軟性模仁的表面微結構示意圖與使用電子顯微鏡掃描圖。
第三圖係顯示以軟性模仁進行壓印的各步驟的流程圖。
第四A圖與第四B圖分別顯示正向壓印與反向壓印的差異。
第五A圖與第五B圖分別顯示進行圖案轉錄的各步驟結構示意圖。
第六A圖、第六B圖、第六C圖分別顯示使用電子顯微鏡掃描之具有深反向金字塔,淺反向金字塔,與圓形洞的軟性模仁表面圖。
第七圖顯示顯示使用電子顯微鏡掃描之整個晶圓表面的微結構圖。
第八A圖與第八B圖分別顯示應用本發明之電極向上與電極向下的發光二極體晶粒示意圖。
第九圖顯示傳統的發光二極體與應用本發明之各種實施樣態發光二極體,其電性的變化與發光效益的增加的圖示。
第十圖顯示以第九圖中傳統的發光二極體與應用本發明之各種實施樣態發光二極體,光強度與電流的關係圖。
S3-1~S3-6...步驟
Claims (11)
- 一種高效率發光二極體之製作方法,包括:震洗一軟性模仁與一發光二極體晶圓;塗佈脫模劑於該軟性模仁上;塗佈一壓印材料於該軟性模仁上;將該軟性模仁覆蓋在該發光二極體晶圓上,進行圖案轉錄;將該軟性模仁脫離該發光二極體晶圓;以及對該發光二極體晶圓回火。
- 如申請專利範圍第1項所述之高效率發光二極體之製作方法,其中該震洗之步驟係使用丙酮、異丙醇、與去離子水依序震洗該軟性模仁與該發光二極體晶圓。
- 如申請專利範圍第2項所述之高效率發光二極體之製作方法,其中該脫模劑與該壓印材料係以旋塗之方式形成在該軟性模仁上。
- 如申請專利範圍第3項所述之高效率發光二極體之製作方法,其中該脫模劑為聚四氟乙烯,壓印材料為聚甲基丙烯酸甲酯。
- 如申請專利範圍第4項所述之高效率發光二極體之製作方法,其中該軟性模仁材質為聚二甲基矽氧烷。
- 如申請專利範圍第5項所述之高效率發光二極體之製作方法,其中該軟性模仁之形成方法包含:震洗一硬性模仁;注入液態模;將該液態模固化;以及將該硬性模仁脫模以形成該軟性模仁。
- 如申請專利範圍第6項所述之高效率發光二極體之製作方法,更包含在注入該液態模步驟之前塗布脫模劑於該硬性模仁上。
- 如申請專利範圍第5項所述之高效率發光二極體之製作方法,其中該壓印材料上的轉錄後的圖案為金字塔結構。
- 如申請專利範圍第1項所述之高效率發光二極體之製作方法,在圖案轉錄後更包含將該壓印材料表面進行離子轟擊以提高結構的粗糙程度。
- 如申請專利範圍第1項所述之高效率發光二極體之製作方法,更包含進行晶粒切割與封裝製程將該發光二極體晶圓形成為發光二極體。
- 如申請專利範圍第10項所述之高效率發光二極體之製作方法,其中該發光二極體晶圓為氮化鎵發光二極體。
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