JP4961799B2 - スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置 - Google Patents
スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置Info
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- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 title claims description 21
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 title claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 83
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 35
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 16
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 16
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 15
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 15
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 13
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 12
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 claims description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 39
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- -1 methoxyethyl group Chemical group 0.000 description 22
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 15
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 11
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 9
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 9
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 7
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 6
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M [O-2].[OH-].O.[Al+3].P Chemical compound [O-2].[OH-].O.[Al+3].P UHAQRCJYQAKQEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L barium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ba+2] OYLGJCQECKOTOL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001632 barium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N triglyme Chemical compound COCCOCCOCCOC YFNKIDBQEZZDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 3-[bis(2,4-dioxopentan-3-yl)alumanyl]pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)C(C(C)=O)[Al](C(C(C)=O)C(C)=O)C(C(C)=O)C(C)=O XBIUWALDKXACEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002018 Aerosil® 300 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017639 MgSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAAQUBJIWXTCPY-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Al+3].P.[Y+3] Chemical compound [O-2].[Al+3].P.[Y+3] WAAQUBJIWXTCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M acetoacetate Chemical compound CC(=O)CC([O-])=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZRGUXTGDSGGHLR-UHFFFAOYSA-K aluminum;triperchlorate Chemical compound [Al+3].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O ZRGUXTGDSGGHLR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 230000003712 anti-aging effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002981 blocking agent Substances 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006226 butoxyethyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005448 ethoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001940 europium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N europium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Eu+3].[Eu+3] AEBZCFFCDTZXHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000011968 lewis acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000004980 phosphorus peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 125000001501 propionyl group Chemical group O=C([*])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002028 silica xerogel Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
- 229940098697 zinc laurate Drugs 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LYSLZRDZOBAUFL-UHFFFAOYSA-L zinc;4-tert-butylbenzoate Chemical compound [Zn+2].CC(C)(C)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1.CC(C)(C)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 LYSLZRDZOBAUFL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JDLYKQWJXAQNNS-UHFFFAOYSA-L zinc;dibenzoate Chemical compound [Zn+2].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1.[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 JDLYKQWJXAQNNS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GPYYEEJOMCKTPR-UHFFFAOYSA-L zinc;dodecanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCC([O-])=O GPYYEEJOMCKTPR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Description
従来、封止用の樹脂を発光素子に施すには樹脂を発光素子に滴下する方法が用いられてきた。しかし、この方法で形成される樹脂層の膜厚は均一性が低いため発光時に色ムラの原因となっていた。このような滴下法の欠点を解決するためにスクリーン印刷法が使用されるに至った。スクリーン印刷法では、使用される樹脂が印刷時にメタルマスクから剥がれ易いことと、硬化後に発光素子との密着性が高いことが求められるが、これらを十分に満たす樹脂材料は知られていない。
発光素子と、該発光素子を被覆するようにスクリーン印刷された樹脂層とを有し、
前記樹脂層が、
(イ)下記平均組成式(1):
R1 a(OX)bSiO(4−a−b)/2 (1)
(式中、R1は、独立に、炭素原子数1〜6のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Xは、独立に、水素原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、aは1.05〜1.5の数であり、bは0<b<2を満たす数であり、但し、a+bは1.05<a+b<2を満たす数である。)
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5×103以上であるオルガノポリシロキサン、
(ロ)縮合触媒、
(ハ)溶剤、および
(ニ)微粉末無機充填剤
を含有してなる硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物からなる発光装置を提供する。
本発明は、また、発光素子上に上記の硬化性シリコーン樹脂組成物をスクリーン印刷により塗布し、得られた組成物層を硬化させて硬化樹脂層で被覆することを含む発光装置の製造方法をも提供する。
本発明の発光装置において、樹脂層は、蛍光体含有層、レンズ、発光素子保護層等として設けられる。該樹脂層は前記(イ)〜(ニ)成分を含有する硬化性シリコーン樹脂の硬化物により構成される。該組成物の各成分を以下詳しく説明する。なお、以下の説明においては、特記しない限り室温とは24±2℃を意味する。
<(イ)オルガノポリシロキサン>
(イ)成分であるオルガノポリシロキサンは、前記平均組成式(1)で表され、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5×103以上のものである。
SiR1 c(OR2)4−c (2)
(式中、R1は、独立に、前述のとおりであり、R2は、独立に、前記Xのうち水素原子を除くものと同じであり、cは1〜3の整数である。)
で表されるシラン化合物を、加水分解および縮合させることにより、あるいは該一般式(2)で表されるシラン化合物と下記一般式(3):
Si(OR2)4 (3)
(式中、R2は、独立に、前記と同じである。)
で表されるアルキルシリケートおよび/または該アルキルシリケートの縮重合物(アルキルポリシリケート)(以下、「アルキル(ポリ)シリケート」という)とを、共加水分解および縮合させることにより得られる。
(ロ)成分である縮合触媒は、前記(イ)成分のオルガノポリシロキサンを硬化させるために必要とされる成分である。縮合触媒としては、特に限定されないが、前記オルガノポリシロキサンの安定性や、硬化物の硬度、耐紫外線性等に優れるので、通常、有機金属系触媒が用いられる。この有機金属系触媒としては、例えば、亜鉛、アルミニウム、チタン、錫、コバルト等の原子を含有するものが挙げられ、好ましくは亜鉛、アルミニウム、チタン原子を含有するものである。その具体例としては、有機酸亜鉛、ルイス酸触媒、有機アルミニウム化合物、有機チタニウム化合物等が挙げられ、より具体的には、例えば、オクチル酸亜鉛、安息香酸亜鉛、p-tert-ブチル安息香酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、ステアリン酸亜鉛、塩化アルミニウム、過塩素酸アルミニウム、リン酸アルミニウム、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムアセチルアセトナート、アルミニウムブトキシビスエチルアセトアセテート、テトラブチルチタネート、テトライソプロピルチタネート、オクチル酸錫、ナフテン酸コバルト、ナフテン酸錫等が挙げられ、好ましくはオクチル酸亜鉛である。
(ハ)成分である溶剤は、特に組成物をスクリーン印刷する際の硬化物の成形性を良好なものとするために必要とされる。この溶剤は、特に限定されないが、沸点が、好ましくは64℃以上、より好ましくは70〜230℃、特に好ましくは80〜200℃である。かかる範囲を満たすと、スクリーン印刷する際に、組成物乃至硬化物に泡によるブツ(ボイド)の発生もなく、さらに表面の白化現象もなくなるので、良好な成形物が得られる。
(ニ)成分である微粉末無機充填剤は、スクリーン印刷時に必要なチキソ性を組成物に付与するものである。さらに、該無機充填剤を配合することにより、硬化物の光の散乱(例えば、低複屈折率)や組成物の流動性が適切な範囲となったり、該組成物を利用した材料が高強度化されたりする等の効果がある。
本組成物には、上記(イ)〜(ニ)成分のほかに、本発明の作用・効果を損なわない範囲で、その他の成分を配合することができる。その他の成分は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
蛍光体は必要に応じて本組成物に加えられる代表的な任意成分である。
具体的なイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体としては、YAlO3:Ce、Y3Al5O12:Ce(YAG:Ce)やY4Al2O9:Ce、更にはこれらの混合物などが挙げられる。イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光体にBa、Sr、Mg、Ca、Znの少なくとも一種が含有されていてもよい。また、Siを含有させることによって、結晶成長の反応を抑制し蛍光体の粒子を揃えることができる。
その他の蛍光体として、ユウロピウムで付活されたアルカリ土類金属珪酸塩を含有することもできる。該アルカリ土類金属珪酸塩は、以下のような一般式で表されるアルカリ土類金属オルト珪酸塩が好ましい。
前記硬化性シリコーン樹脂に添加してもよい別の任意成分として、拡散剤が挙げられる。拡散剤を含有することにより、光の拡散効果と、増粘性と、応力拡散効果などが得られる。具体的な拡散剤としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素等が好適に用いられる。これによって良好な指向特性を有する発光装置が得られる。拡散剤は、中心粒径が1nm以上5μm未満であることが好ましい。中心粒径がおよそ400nm以上の拡散剤は、発光素子及び蛍光体からの光を良好に乱反射させ、大きな粒径の蛍光体を用いることにより生じやすい色ムラを抑制することができる。一方、中心粒径がおよそ400nm未満の拡散剤は、発光素子からの光波長に対する干渉効果が低いことから、透明度が高く、光度を低下させることなく樹脂粘度を高めることができる。これにより、ポッティング等により色変換部材を配置させる場合、シリンジ内において樹脂組成物中の蛍光体をほぼ均一に分散させその状態を維持することが可能となり、比較的取り扱いが困難である粒径の大きい蛍光体を用いた場合でも歩留まり良く生産することが可能となる。このように拡散剤は粒径範囲により作用が異なるので使用方法に合わせて選択若しくは組み合わせて用いることが望ましい。
さらにその他の任意成分としては、例えば、老化防止剤、ラジカル禁止剤、紫外線吸収剤、接着性改良剤、難燃剤、界面活性剤、保存安定性改良剤、オゾン劣化防止剤、光安定剤、増粘剤、可塑剤、カップリング剤、酸化防止剤、熱安定剤、導電性付与剤、帯電防止剤、放射線遮断剤、核剤、リン系過酸化物分解剤、滑剤、顔料、金属不活性化剤、物性調整剤等が挙げられる。
前記の硬化性シリコーン樹脂組成物は、前記(イ)〜(ニ)成分、および場合により含有されるその他の成分を任意の方法により混合して調製することができる。具体的には、例えば、(イ)成分のオルガノポリシロキサンと(ハ)成分の溶剤と(ニ)成分の微粉末無機充填剤とを三本ロールで混合し、混合物を得る。その後、この混合物と(ロ)成分の縮合触媒およびその他の成分を、例えば、THINKY CONDITIONING MIXER((株)シンキー製)などのミキサーに入れて混合することにより、組成物を調製することができる。組成物調製の各段階で適宜脱泡操作を行うことが望ましい。
前記組成物をスクリーン印刷法により発光素子の表面に塗布する方法を説明する。まず、発光素子の表面を所要パターンの開口部を有するマスクで覆い、スキージ部に組成物を投入する。次いで、スキージを移動させて組成物を加圧しながらマスク上を移動させることにより、該マスキング部材の開口部に組成物を充填する(充填工程)。次に、マスクを取り外す。こうして、前記発光素子の表面を組成物で被覆する。
スクリーン印刷の実際に採用される条件、たとえばスキージ速度、印圧、クリアランス(印刷時のマスクと被印刷面とのギャップ)、スキージ角度、押し込み量等の条件にもよるが、一般に、前記組成物の23℃における粘度は1×10Pa・s〜1×105Pa・sが好ましく、より好ましくは50Pa・s〜2000Pa・s(米国ブルックフィールド社製DV−IIデジタル粘度計、回転数0.3rpm使用)であり、チキソー係数は1.0〜15.0が好ましく、より好ましくは、3.0〜9.0である。
本発明において発光素子は特に限定されず、赤色系、緑色系に発光する発光素子に限られず、青色系に発光する発光素子も使用することができる。また、これらの可視光に発光する発光素子だけでなく、可視光の短波長領域から紫外線領域で発光する発光素子、例えば360nm近傍の紫外線領域で発光する発光素子も使用することができる。但し、発光装置に、蛍光体を用いる場合、該蛍光体を励起可能な発光波長を発光できる発光層を有する半導体発光素子が好ましい。このような半導体発光素子としてZnSeやGaNなど種々の半導体を挙げることができるが、蛍光体を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体(InxAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)が好適に挙げられる。また所望に応じて、前記窒化物半導体にボロンやリンを含有させることも可能である。半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構成のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
次に、本発明の発光装置のより具体的な実施形態に即して説明する。
宜上誇張して描かれており、実際の寸法および相対比を必ずしも表していない。
図2は、サブマウント102とその上にフリップチップ実装された発光素子101のみを拡大して示した平面図であり、図3はその正面図である。サブマウント102は、厚さ1mmの窒化アルミニウム板からなり、Auを材料とするスパッタリングにより電極106a,106bが形成されている。サブマウントの材料としては他に例えば窒化アルミニウムに金属パターンを施したもの、Cu等の金属材料にアルミナ等の絶縁層をパターニングしたもの等を用いることもできる。発光素子101は、サブマウント102を向く面に正負一対の電極を有し、それらの電極が金バンプを介してサブマウント102上の電極106a,106bに荷重、超音波および熱を加えられて溶着され、電気的および機械的に接続されている。
図4は、このようにして、多数の六角形状のサブマウント102の各々の上に発光素子101を設署した状態を示す平面図である。これに、所要の開口部を有するマスク材を使用して樹脂組成物のスクリーン印刷を施し、発光素子101を樹脂層で被覆する。すなわち、図5はスクリーン印刷の方法を説明するための断面端面図でサブマウント102にフリップチップ実装された発光素子101の上にメタルマスク111が密着させて配置され、スキージ112に投入された樹脂組成物113をスキージ112を矢印112aの方向に移動させることによりメタルマスク111の開口部114に樹脂組成物113を充填する。その後、メタルマスクを取り外す。図6はサブマウント102にフリップチップ実装された発光素子101が樹脂組成物113により被覆された状態を示す断面図である。その後、樹脂組成物層113を所定の条件でステップキュアし硬化樹脂層114を形成する。
この実施形態では、発光素子101とサブマウント102との間に空洞の空間115が形成されている。該空間115も硬化樹脂層114で充填されていてもよい。しかし、空間115が硬化樹脂で充填されていると、該硬化樹脂が熱膨張した時に発光素子101が浮き上がるという不都合が生じることがある。空間115が空洞であるとこのダイス浮きを防止できる利点がある。空洞空間115は、例えば、樹脂組成物113の粘度を調整することによって形成することができる。
こうして樹脂層114で被覆後の各発光素子101をサブマウント102ごと切断し、該サブマウント102を支持体103aの上面に固定する。
支持体103aにはガラスレンズ104を支持する支持体103bと103cとが絶縁材料を介して接合されていて、サブマウント102の電極106aは支持体103a上に形成された電極107に、電極106bは支持体103b上に設けられた電極108に、それぞれ、ワイヤ109a、109bにより電気的に接続されている。
中空部105は窒素ガスが封入されている。中空部に封入されるガスは空気または不活性ガスであるが、金属材料の腐食を防ぐために不活性ガスが好ましく、たとえば窒素、アルゴンあるいはヘリウムなどであってもよい。
以下の合成例で用いたメチルトリメトキシシランは信越化学工業(株)製のKBM13(商品名)であり、ジメチルジメトキシシランは信越化学工業(株)製のKBM22(商品名)である。
1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109g(0.8モル)と、ジメチルジメトキシシラン24g(0.2モル)と、イソブチルアルコ−ル106gとを入れ、氷冷しながら撹拌した。系中の温度を0〜20℃に保ちながら、0.05Nの塩酸溶液60.5gを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で7時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150gを入れて希釈した。その後、該反応液を分液ロートに入れて水300gで洗浄し、水洗液の抽出水伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を30質量%に調整した後、室温で12時間熟成することにより、下記式(4):
(CH3)1.2(OX)0.25SiO1.28 (4)
(式中、Xは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである)
で表される重量平均分子量19,000のオルガノポリシロキサン1(79.1g)と混合アルコール33.9gとの混合物を得た。
1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン68.1g(0.5モル)と、ジメチルジメトキシシラン60.1g(0.5モル)と、イソブチルアルコ−ル118gとを入れ、氷冷しながら撹拌した。系中の温度を0〜20℃に保ちながら、0.05Nの塩酸溶液54gを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で7時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150gを入れて希釈した。その後、該反応液を分液ロートに入れて水300gで洗浄し、水洗液の抽出水伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を30質量%に調整した後、室温で12時間熟成することにより、下記式(5):
(CH3)1.5(OX)0.22SiO1.14 (5)
(式中、Xは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである)
で表される重量平均分子量9,000のオルガノポリシロキサン2(76.3g)と混合アルコール32.7gとの混合物を得た。
1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン115.8g(0.85モル)と、ジメチルジメトキシシラン18.0g(0.15モル)と、イソブチルアルコ−ル102gとを入れ、氷冷しながら撹拌した。系中の温度を0〜20℃に保ちながら、0.05Nの塩酸溶液78.3gを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で7時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150gを入れて希釈した。その後、該反応液を分液ロートに入れて水300gで洗浄し、水洗液の抽出水伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を30質量%に調整した後、室温で長時間(72時間)熟成することにより、下記式(6):
(CH3)1.15(OX)0.23SiO1.31 (6)
(式中、Xは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである)
で表される重量平均分子量98,000のオルガノポリシロキサン3(68.6g)と混合アルコール29.4gとの混合物を得た。
1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン27.2g(0.2モル)と、ジメチルジメトキシシラン96.2g(0.8モル)と、イソブチルアルコ−ル106gとを入れ、氷冷しながら撹拌した。系中の温度を0〜20℃に保ちながら、0.05Nの塩酸溶液57.1gを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で7時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150gを入れて希釈した。その後、該反応液を分液ロートに入れて水300gで洗浄し、水洗液の抽出水伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を30質量%に調整することにより、下記式(7):
(CH3)1.8(OX)0.22SiO0.99 (7)
(式中、Xは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである)
で表される重量平均分子量16,000のオルガノポリシロキサンC1(69.3g)と混合アルコール29.7gとの混合物を得た。
1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン136.2g(1.0モル)と、イソブチルアルコ−ル106gとを入れ、氷冷しながら撹拌した。系中の温度を0〜20℃に保ちながら、0.05Nの塩酸溶液81gを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で7時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150gを入れて希釈した。その後、該反応液を分液ロートに入れて水300gで洗浄し、水洗液の抽出水伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を30質量%に調整し、室温で12時間熟成することにより、下記式(8):
(CH3)1.0(OX)0.24SiO1.38 (8)
(式中、Xは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである)
で表される重量平均分子量23,000のオルガノポリシロキサンC2(73.5g)と混合アルコール31.5gとの混合物を得た。
1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン109g(0.8モル)と、ジメチルジメトキシシラン24g(0.2モル)と、イソブチルアルコ−ル106gとを入れ、氷冷しながら撹拌した。系中の温度を0〜20℃に保ちながら、0.05Nの塩酸溶液60.5gを滴下した。滴下終了後、室温で24時間攪拌した。次いで、得られた反応液にキシレン150gを入れて希釈した。その後、該反応液を分液ロートに入れて水300gで洗浄し、水洗液の抽出水伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を30質量%に調整することにより、下記式(9):
(CH3)1.2(OX)1.21SiO0.79 (9)
(式中、Xは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである)
で表される重量平均分子量3,100のオルガノポリシロキサンC3(67.2g)と混合アルコール28.8gとの混合物を得た。
1Lの3つ口フラスコに、撹拌装置および冷却管をセットした。このフラスコに、メチルトリメトキシシラン40.9g(0.3モル)と、ジフェニルジメトキシシラン170.8g(0.7モル)と、イソブチルアルコ−ル106gとを入れ、氷冷しながら撹拌した。系中の温度を0〜20℃に保ちながら、0.05Nの塩酸溶液55.1gを滴下した。滴下終了後、80℃の還流温度で7時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、該反応液にキシレン150gを入れて希釈した。その後、該反応液を分液ロートに入れて水300gで洗浄し、水洗液の抽出水伝導度が2.0μS/cm以下になるまで洗浄を継続した。そして、前記洗浄済み反応液を共沸脱水することにより、水を留去し、揮発分を30質量%に調整することにより、下記式(10):
(CH3)0.3(C6H5)1.4(OX)0.16SiO1.07 (10)
(式中、Xは、水素原子、メチル基およびイソブチル基の組み合わせである)
で表される重量平均分子量15,400のオルガノポリシロキサンC4(71.4g)と混合アルコール30.6gとの混合物を得た。
<実施例1〜11、比較例1〜8>
合成例1〜7で得られたオルガノポリシロキサン1〜3、C1〜C4、縮合触媒、溶剤(上記混合アルコールを含む)および微粉末無機充填剤を表1に示した割合で配合し、組成物を調製した。この組成物のスクリーン印刷性、および該組成物を硬化させて得られる硬化物(硬化被膜)の特性(耐クラック性、接着性、耐紫外線性、耐熱性)を下記の評価方法に従って、試験・評価した。
―1.スクリーン印刷性―
得られた組成物をステンレスのモールド用テストパターン(10mm×10mm×0.2mm、5mm×5mm×0.2mm、2mm×2mm×0.2mm)にスキージして、塗布した後、80℃で1時間、次いで150℃で1時間、さらに200℃で1時間のステップキュアを行うことにより、乾燥状態での厚さが0.15mmの硬化膜(ほぼ正方形の形状)を作製した。この硬化膜の外観を目視で観察した。前記正方形の硬化膜の角の部分に異常がない(丸みがない)場合をスクリーン印刷性が良好であると評価してAで示し、前記正方形の硬化膜の角の部分にやや丸みがある場合をスクリーン印刷性がやや良好であると評価してBで示し、前記正方形の硬化膜の角の部分が著しく丸くなっている場合をスクリーン印刷性が不良であると評価してCで示す。
得られた組成物をテフロン(登録商標)でコートした金型(50mm×50mm×2mm)に入れ、80℃で1時間、次いで150℃で1時間、さらに200℃で1時間のステップキュアを行い、その後、200℃で8時間のポストキュアを行うことにより、乾燥状態での厚さが1mmの硬化膜を作製した。この硬化膜のクラックの有無を目視で観察した。前記硬化膜にクラックが認められない場合を耐クラック性が良好であると評価してAと示し、クラックが認められる場合を耐クラック性が不良であると評価してBと示す。また、前記硬化膜が作製できなかった場合には、測定不可としてCと示す。
得られた組成物をガラス基板に浸漬法で塗布し、80℃で1時間、次いで150℃で1時間、さらに200℃で1時間のステップキュアを行い、その後、200℃で8時間のポストキュアを行うことにより、ガラス基板上に、乾燥状態での厚さが2〜3μmの硬化膜を形成させた。ゴバン目テストにより、該硬化膜の該ガラス基板に対する接着性を調べた。ゴバン目テストは、ガラス基板上に形成された前記硬化膜に鋭利な刃で該基板に達するように、一定のゴバン目(1mm×1mm)に切断し、その表面に粘着テープを貼り、強く押し付けた後、迅速にテープの端を垂直に引き離して行った。全てのゴバン目(100個)中、剥離しなかったゴバン目の個数を表中に示す。また、該硬化膜にクラックが発生したために接着性の測定ができなかった場合には、表中に×と示す。
得られた組成物をテフロン(登録商標)でコートした金型(40mm×20mm×0.4mm)に入れ、80℃で1時間、次いで150℃で1時間、さらに200℃で1時間のステップキュアを行い、その後、200℃で8時間のポストキュアを行うことにより、乾燥状態での厚さが0.2mmの硬化膜を作成した。その硬化膜に対して、UV照射装置(商品名:アイ紫外線硬化装置、アイグラフィックス(株)製)によりUV照射(出力:30mW)を24時間行った。UV照射後の硬化膜の表面を目視により観察した。前記硬化膜の表面に全く劣化が認められない場合を耐紫外線性が良好であると評価してAと示し、やや劣化が認められる場合を耐紫外線性がやや不良であると評価してBと示し、著しい劣化が認められる場合を耐紫外線性が不良であると評価してCと示した。また、前記硬化膜が作製できなかった場合には、測定不可として×と示す。
得られた組成物をテフロン(登録商標)でコートした金型(50mm×50mm×2mm)に入れ、80℃で1時間、次いで150℃で1時間、さらに200℃で1時間のステップキュアを行い、その後、200℃で8時間のポストキュアを行うことにより、乾燥状態での厚さが1mmの硬化膜を作製した。この硬化膜を250℃のオーブンに入れ、500時間経過後の残存質量を測定した。この測定値を用いて、式:
残存質量減少率=(500時間経過後の硬化膜の質量)/(作製直後の硬化膜の質量)×100
により、残存質量減少率(%)を求め、耐熱性の指標とした。また、前記硬化膜が作製できなかった場合には、測定不可として×と示す。なお、表中には、耐熱性(%)として示す。
上記実施例および比較例で得られた結果を下記の表1〜3に示す。
表中、(ニ)成分として用いたアエロジル300は、BET比表面積が300m2/gのヒュームドシリカ(日本アエロジル(株)製)であり、キャボシルMS-7は、BET比表面積が200m2/gのヒュームドシリカ(米国キャボット社製)である。また、オルガノポリシロキサンC5は、合成例1で得られたオルガノポリシロキサン1と混合アルコールの混合物をストリップし、溶剤を除去して得られた不揮発分がほぼ100%の重合体である。また、メチル基含有量は、オルガノポリシロキサン中のメチル基の理論量を表す。なお、各成分の配合量の単位は質量部である。
以下の各実施例では、図1に示す型の発光装置を製造した。発光素子101として次のようなLEDチップを使用した。
(1)LEDチップの製造
使用したLEDチップは、透光性基板であるサファイア基板上に、アンドープの窒化物半導体であるGaN層、Siドープのn型電極が形成されたn型コンタクト層となるn型GaN層、アンドープの窒化物半導体であるGaN層を積層させ、さらに、バリア層となるGaN層、井戸層となるInGaN層を1セットとして5セット積層し、最後にバリア層となるGaN層を積層させて活性層とした。該活性層は多重量子井戸構造である。該活性層は、洗浄したサファイア基板上にTMG(トリメチルガリウム)ガス、TMI(トリメチルインジウム)ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、MOCVD法で窒化物半導体を成膜させることにより形成した。ドーパントガスとしてSiH4とCp2Mgを切り替えることによってn型窒化物半導体やp型窒化物半導体となる層を形成させた。さらに、活性層上にMgがドープされたp型クラッド層としてAlGaN層、Mgがドープされたp型コンタクト層であるp型GaN層を順次積層させた構成を有する。なお、サファイア基板上には低温でGaN層を形成させバッファ層とさせてある。
また、p型半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。こうして作成されたLEDチップは、上記活性層として単色性発光ピークが可視光である455nmにあるIn0.2Ga0.8N半導体を有する窒化物半導体素子である。
エッチングによりサファイア基板上の窒化物半導体に同一面側で、p型コンタクト層およびn型コンタクト層の各表面を露出させる。次に、p型コンタクト層上にITO(インジウムと錫の複合酸化物)を材料とするスパッタリングを行い、p型コンタクト層のほぼ全面にストライプ状の拡散電極が設ける。このような電極とすることにより、拡散電極を流れる電流がp型コンタクト層の広範囲に広がるようにし、およびLEDチップの発光効率を向上させることができる。
図1、図2および図3に示すように、LEDチップ101は、そのp側およびn側台座電極がAuバンプを介してサブマウント102の導体電極106aおよび106bのそれぞれと対向するように配置され、荷重、超音波および熱をかけることにより、バンプを電極106aおよび106bに溶着させ、サブマウント102に接合される。
Y、Gd、Ceの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を蓚酸で共沈させ、これを焼成して得られる共沈酸化物と、酸化アルミニウムとを混合して混合原料を得る。さらにフラックスとしてフッ化バリウムを混合した後堆塙に詰め、空気中1400℃の温度で3時間焼成することにより焼成品が得られる。焼成品を水中でボールミルして、洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通して中心粒径が8μmである(Y0.995Gd0.005)2.750Al5O12:Ce0.250蛍光物質(いわゆるYAG系蛍光体)を形成する。
スクリーン印刷用のベース組成物として、次の組成物AおよびBを用意した。
〈組成物A>
前記実施例1に係る組成物と、(ロ)成分のオクチル酸亜鉛(縮合触媒)が未添加である以外は同一である組成物。
〈組成物B>
組成物Aにさらにアルコキシシラン系カップリング剤を添加した組成物。
上記のサブマウントに実装したLEDを用いて次の手順で白色の発光装置を作製した。
その後、各LEDをサブマウント102ごと切り離し、サブマウント102を支持体103aに固定した。さらにサブマウント102の電極106aと106bとをそれぞれ支持体103aに設けられた電極107および支持体103bに設けられた電極108とワイヤを介して電気的に接続した。
一方、ガラスレンズ104が支持体103b,103cとが接触する、ガラスレンズ104の縁にエポキシ樹脂(信越化学製)を印刷塗布し、100℃、1時間の加熱処理でBステージ化した。
次に、このガラスレンズ104を上記の白色発光素子(樹脂層被覆発光素子)が実装されたパッケージに被せた後、150℃で10分間加熱硬化させて気密封止した。こうして、白色発光装置が得られた。
べ一ス組成物Aの代わりにべ一ス組成物Bを使用した以外は実施例12と同様にして白色発光装置を作製した。
<実施例14>
YAG蛍光体を添加しなかった以外は実施例12と同様にして発光装置を製造した。
YAG蛍光体を添加しなかった以外は実施例13と同様にして発光装置を製造した。
実施例12および13で製造した白色発光装置を下記の3種の駆動条件下で点灯し続け、1000時間後の初期値に対する出力維持率および色調維持率を測定し、下記の判定基準により評価した。結果を表4に示す。高い信頼性が示された。
・駆動条件:
(1)温度85℃、湿度85%の恒温槽中で700mAの電流を通電させる。
(2)温度60℃、湿度90%の恒温槽中で700mAの電流を通電させる。
(3)温度25℃、湿度約50%の室内で700mAの電流を通電させる。
・判定基準:
・・出力維持率:初期値の70%以上を「良好」と評価。
・・色調維持率:ΔxおよびΔyがともに、初期値の±0.005以内を「良好」と評価。
101 発光素子
102 サブマウント
104 ガラスレンズ
111 メタルマスク
112 スキージ
113 硬化性シリコーン樹脂組成物
114 樹脂層
115 空洞の空間
Claims (6)
- サブマウント基板上にフリップチップ実装された発光素子と、
前記発光素子を、前記発光素子と前記サブマウント基板との間に空洞の空間が形成されるように被覆した樹脂層とを有し、
前記樹脂層が、
(イ)下記平均組成式(1):
R1 a(OX)bSiO(4−a−b)/2 (1)
(式中、R1は、独立に、炭素原子数1〜6のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Xは、独立に、水素原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、aは1.05〜1.5の数であり、bは0<b<2を満たす数であり、但し、a+bは1.05<a+b<2を満たす数である。)
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5×103以上であるオルガノポリシロキサン、
(ロ)縮合触媒、
(ハ)溶剤、および
(ニ)微粉末無機充填剤
を含有する硬化性シリコーン樹脂組成物の硬化物からなる発光装置。 - 前記R1がメチル基である請求項1に係る発光装置。
- 前記(イ)オルガノポリシロキサン中の前記R1の比率が32質量%以下である請求項1または2に係る発光装置。
- 前記(ロ)縮合触媒が有機金属系触媒である請求項1〜3のいずれか1項に係る発光装置。
- 前記の樹脂層が厚さ10μm〜3mmで、無色透明である請求項1〜4のいずれか1項に係る発光装置。
- (イ)下記平均組成式(1):
R 1 a (OX) b SiO (4−a−b)/2 (1)
(式中、R 1 は、独立に、炭素原子数1〜6のアルキル基、アルケニル基またはアリール基であり、Xは、独立に、水素原子、炭素原子数1〜6のアルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基またはアシル基であり、aは1.05〜1.5の数であり、bは0<b<2を満たす数であり、但し、a+bは1.05<a+b<2を満たす数である。)
で表される、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5×10 3 以上であるオルガノポリシロキサン、
(ロ)縮合触媒、
(ハ)溶剤、および
(ニ)微粉末無機充填剤
を含有する硬化性シリコーン樹脂組成物を準備する工程と、
発光素子をサブマウント基板上にフリップチップ実装する工程と、
前記発光素子と前記サブマウント基板との間に空洞の空間を形成するように、前記発光素子と前記サブマウント基板上とをスクリーン印刷により前記樹脂組成物で被覆する工程と、
を含む発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006096461A JP4961799B2 (ja) | 2005-04-08 | 2006-03-31 | スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005112804 | 2005-04-08 | ||
JP2005112804 | 2005-04-08 | ||
JP2006096461A JP4961799B2 (ja) | 2005-04-08 | 2006-03-31 | スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006313886A JP2006313886A (ja) | 2006-11-16 |
JP4961799B2 true JP4961799B2 (ja) | 2012-06-27 |
Family
ID=37535231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006096461A Active JP4961799B2 (ja) | 2005-04-08 | 2006-03-31 | スクリーン印刷で形成したシリコーン樹脂層を有する発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4961799B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP3613809A1 (de) * | 2018-08-23 | 2020-02-26 | Universität des Saarlandes | Polymeres matrixmaterial, konversionselement, optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006313886A (ja) | 2006-11-16 |
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