JP2002050799A - Ｌｅｄランプおよびその製造方法 - Google Patents
Ｌｅｄランプおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2002050799A JP2002050799A JP2000237237A JP2000237237A JP2002050799A JP 2002050799 A JP2002050799 A JP 2002050799A JP 2000237237 A JP2000237237 A JP 2000237237A JP 2000237237 A JP2000237237 A JP 2000237237A JP 2002050799 A JP2002050799 A JP 2002050799A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- solvent
- polymer
- led lamp
- led
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のＬＥＤランプの製造方法では、レンズ
などを形成するエポキシ樹脂中に蛍光体を分散するもの
であったので、エポキシ樹脂の硬化中に蛍光体に沈殿を
生じ、完成後のＬＥＤランプに色ムラ、色相のズレなど
を生じていた。 【解決手段】 本発明により、ＬＥＤチップ３には周囲
を取囲む立壁（カップ２ａ）が設けられ、蛍光体６は適
宜に溶媒５ａにより希釈されたポリマー５中に分散が行
われた状態で注入が行われ、しかる後に加熱が行われ溶
媒５ａを蒸発させるものとしたことで、溶媒５ａにより
適宜な濃度（粘度）に希釈されたポリマー５中に蛍光体
６を分散して沈殿を生じないものとし、更に、この状態
を保ち溶媒の揮発を行い、沈殿に起因する分散ムラを生
じないものとして課題を解決する。
などを形成するエポキシ樹脂中に蛍光体を分散するもの
であったので、エポキシ樹脂の硬化中に蛍光体に沈殿を
生じ、完成後のＬＥＤランプに色ムラ、色相のズレなど
を生じていた。 【解決手段】 本発明により、ＬＥＤチップ３には周囲
を取囲む立壁（カップ２ａ）が設けられ、蛍光体６は適
宜に溶媒５ａにより希釈されたポリマー５中に分散が行
われた状態で注入が行われ、しかる後に加熱が行われ溶
媒５ａを蒸発させるものとしたことで、溶媒５ａにより
適宜な濃度（粘度）に希釈されたポリマー５中に蛍光体
６を分散して沈殿を生じないものとし、更に、この状態
を保ち溶媒の揮発を行い、沈殿に起因する分散ムラを生
じないものとして課題を解決する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤランプに関
するものであり、詳細には、例えば青色ＬＥＤチップを
光源とすると共に、その青色ＬＥＤチップの周囲に適宜
量のＹＡＧ蛍光体を配置しておき、青色ＬＥＤチップの
点灯時には、その発光色でＹＡＧ蛍光体を励起させて黄
色光を発光させ、総合の発光色を白色とするときに採用
されるＬＥＤランプの構成に係るものである。
するものであり、詳細には、例えば青色ＬＥＤチップを
光源とすると共に、その青色ＬＥＤチップの周囲に適宜
量のＹＡＧ蛍光体を配置しておき、青色ＬＥＤチップの
点灯時には、その発光色でＹＡＧ蛍光体を励起させて黄
色光を発光させ、総合の発光色を白色とするときに採用
されるＬＥＤランプの構成に係るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種のＬＥＤランプ９０の構成
の例を示すものが図７であり、リードフレーム９１に形
成されたカップ９１ａ中に青色ＬＥＤチップ９２をダイ
ボンドして取付け、金ワイヤ９３により配線を行った後
に、前記カップ９１ａ内にＹＡＧ蛍光体９５が混和、分
散されたエポキシ樹脂など透明樹脂９６を注入し、加熱
処理を行うことにより前記透明樹脂９６を固化させるも
のである。
の例を示すものが図７であり、リードフレーム９１に形
成されたカップ９１ａ中に青色ＬＥＤチップ９２をダイ
ボンドして取付け、金ワイヤ９３により配線を行った後
に、前記カップ９１ａ内にＹＡＧ蛍光体９５が混和、分
散されたエポキシ樹脂など透明樹脂９６を注入し、加熱
処理を行うことにより前記透明樹脂９６を固化させるも
のである。
【０００３】このようにすることで、青色ＬＥＤチップ
９２を点灯させると、その光中に含まれる４００ｎｍ近
傍の短波長がＹＡＧ蛍光体９５を励起し略黄色の光を放
射させるものとなり、前記青色ＬＥＤチップ９２からの
青色光とＹＡＧ蛍光体９５からの黄色光とが合成され白
色光が得られるものとなる。尚、前記透明樹脂９６を覆
って更に配光特性を形成するためのレンズ９７が形成さ
れる場合もある。
９２を点灯させると、その光中に含まれる４００ｎｍ近
傍の短波長がＹＡＧ蛍光体９５を励起し略黄色の光を放
射させるものとなり、前記青色ＬＥＤチップ９２からの
青色光とＹＡＧ蛍光体９５からの黄色光とが合成され白
色光が得られるものとなる。尚、前記透明樹脂９６を覆
って更に配光特性を形成するためのレンズ９７が形成さ
れる場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た従来の構成においては、ＹＡＧ蛍光体９５の比重が高
く、また、前記透明樹脂９６を固化するための加熱工程
で、この透明樹脂９６に粘度の低下を生じるものである
ので、ＹＡＧ蛍光体９５が沈殿し、完成した後のＬＥＤ
ランプ９０に個体内において色ムラを生じたり、あるい
は、個体間に色相のバラツキを生じるものとなる問題点
を生じている。
た従来の構成においては、ＹＡＧ蛍光体９５の比重が高
く、また、前記透明樹脂９６を固化するための加熱工程
で、この透明樹脂９６に粘度の低下を生じるものである
ので、ＹＡＧ蛍光体９５が沈殿し、完成した後のＬＥＤ
ランプ９０に個体内において色ムラを生じたり、あるい
は、個体間に色相のバラツキを生じるものとなる問題点
を生じている。
【０００５】この問題を解決するために、前記透明樹脂
９６にアロエジェルなどの沈降防止剤を添加したり、あ
るいは、粘度を高める添加剤を配合するなどの方法が行
われているが、これにより透明樹脂９６の特性が変化し
て、耐候性などが低下し、ＬＥＤランプ９０の信頼性を
低下させるなど、別の問題点を生じるものとなってい
る。
９６にアロエジェルなどの沈降防止剤を添加したり、あ
るいは、粘度を高める添加剤を配合するなどの方法が行
われているが、これにより透明樹脂９６の特性が変化し
て、耐候性などが低下し、ＬＥＤランプ９０の信頼性を
低下させるなど、別の問題点を生じるものとなってい
る。
【０００６】特に、透明樹脂９６を覆いレンズ９７が設
けられるものにおいては、透明樹脂９６の特性の変化に
より、レンズ９７との間に熱膨張率の差などを生じやす
く、使用途上において、透明樹脂９６とレンズ９７との
境界面に剥離を生じて防水性が低下したり、あるいは、
金ワイヤ９３に断線を生じるなど、より重大な問題点を
生じるものとなっている。
けられるものにおいては、透明樹脂９６の特性の変化に
より、レンズ９７との間に熱膨張率の差などを生じやす
く、使用途上において、透明樹脂９６とレンズ９７との
境界面に剥離を生じて防水性が低下したり、あるいは、
金ワイヤ９３に断線を生じるなど、より重大な問題点を
生じるものとなっている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記した従来
の課題を解決するための具体的手段として、ＬＥＤチッ
プの外周にこのＬＥＤチップの発光により励起される蛍
光体が付加されて成るＬＥＤランプの製造方法におい
て、前記ＬＥＤチップには周囲を取囲む立壁が恒久的ま
たは仮設的に設けられ、前記蛍光体は適宜に溶媒により
希釈されたポリマー中に分散が行われた状態で前記立壁
中に注入が行われ、しかる後に加熱が行われ前記溶媒を
蒸発させることで、前記ＬＥＤチップを蛍光体が分散さ
れたポリマーで膜状に覆い、その後にレンズの成形を行
うことを特徴とするＬＥＤランプの製造方法を提供する
ことで課題を解決するものである。
の課題を解決するための具体的手段として、ＬＥＤチッ
プの外周にこのＬＥＤチップの発光により励起される蛍
光体が付加されて成るＬＥＤランプの製造方法におい
て、前記ＬＥＤチップには周囲を取囲む立壁が恒久的ま
たは仮設的に設けられ、前記蛍光体は適宜に溶媒により
希釈されたポリマー中に分散が行われた状態で前記立壁
中に注入が行われ、しかる後に加熱が行われ前記溶媒を
蒸発させることで、前記ＬＥＤチップを蛍光体が分散さ
れたポリマーで膜状に覆い、その後にレンズの成形を行
うことを特徴とするＬＥＤランプの製造方法を提供する
ことで課題を解決するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形
態に基づいて詳細に説明する。図１〜図３は本発明に係
るＬＥＤランプ１の製造方法を工程の順に示すものであ
り、まず、第一工程としては図１に示すように、リード
フレーム２などに設けられたカップ２ａの底面に、例え
ば青色発光、紫外発光のＬＥＤチップ３をダイボンド
し、そして、金ワイヤ４により配線を行う。従って、前
記ＬＥＤチップ３は周囲をカップ２ａにより立壁状に取
囲まれるものとなる。
態に基づいて詳細に説明する。図１〜図３は本発明に係
るＬＥＤランプ１の製造方法を工程の順に示すものであ
り、まず、第一工程としては図１に示すように、リード
フレーム２などに設けられたカップ２ａの底面に、例え
ば青色発光、紫外発光のＬＥＤチップ３をダイボンド
し、そして、金ワイヤ４により配線を行う。従って、前
記ＬＥＤチップ３は周囲をカップ２ａにより立壁状に取
囲まれるものとなる。
【０００９】続く第二工程としては、図２に示すよう
に、酢酸セルローズ、シアノエチルプルランなど多糖類
の誘導体、あるいは、ポリメタクリル酸メチル、ポリス
チレンなど各種ビニルモノマー重合体によるポリマー５
中にＹＡＧ蛍光体など蛍光体６の適宜量を添加し分散さ
せたものを、前記カップ２ａ中に注入するが、このとき
に、前記ポリマー５は溶媒５ａにより希釈が行われた状
態で、前記蛍光体６の添加が行われるものとされてい
る。
に、酢酸セルローズ、シアノエチルプルランなど多糖類
の誘導体、あるいは、ポリメタクリル酸メチル、ポリス
チレンなど各種ビニルモノマー重合体によるポリマー５
中にＹＡＧ蛍光体など蛍光体６の適宜量を添加し分散さ
せたものを、前記カップ２ａ中に注入するが、このとき
に、前記ポリマー５は溶媒５ａにより希釈が行われた状
態で、前記蛍光体６の添加が行われるものとされてい
る。
【００１０】前記溶媒５ａとしては、常温での揮発性が
少なく、且つ、６０℃以上の加熱で容易に揮発するジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどが好まし
いが、アセトン、トルエンなどを使用することも可能で
ある。そして、ポリマー５と溶媒５ａとが混合された溶
液の濃度（粘度）は、工程時間中において前記蛍光体６
に著しい沈降を生じない程度とされている。また、この
沈降の防止はポリマー５の分子量を調整することで行っ
ても良いものである。
少なく、且つ、６０℃以上の加熱で容易に揮発するジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどが好まし
いが、アセトン、トルエンなどを使用することも可能で
ある。そして、ポリマー５と溶媒５ａとが混合された溶
液の濃度（粘度）は、工程時間中において前記蛍光体６
に著しい沈降を生じない程度とされている。また、この
沈降の防止はポリマー５の分子量を調整することで行っ
ても良いものである。
【００１１】続く第三工程としては、図３に示すよう
に、前記カップ２ａ中に注入が行われたポリマー５、溶
媒５ａ、蛍光体６混合物に対して、６０℃、１時間程度
の加熱が行われる。このようにすることで、前記溶媒５
ａは蒸発が行われ、加熱処理後にはポリマー５中に蛍光
体６が均一に分散したものが、膜状としてＬＥＤチップ
３を覆うものと成る。
に、前記カップ２ａ中に注入が行われたポリマー５、溶
媒５ａ、蛍光体６混合物に対して、６０℃、１時間程度
の加熱が行われる。このようにすることで、前記溶媒５
ａは蒸発が行われ、加熱処理後にはポリマー５中に蛍光
体６が均一に分散したものが、膜状としてＬＥＤチップ
３を覆うものと成る。
【００１２】このようにポリマー５膜が形成された後の
ＬＥＤチップ３に対しては、図示は省略するがレンズ７
を、例えばトランッスファーモールド、ポッティングモ
ールドなどで形成する工程が行われ、図４に示すＬＥＤ
ランプ１が得られるものとなる。
ＬＥＤチップ３に対しては、図示は省略するがレンズ７
を、例えばトランッスファーモールド、ポッティングモ
ールドなどで形成する工程が行われ、図４に示すＬＥＤ
ランプ１が得られるものとなる。
【００１３】次いで、上記の製造方法とした本発明の作
用および効果について説明する。まず第一には、溶媒５
ａにより適宜な濃度（粘度）に希釈されたポリマー５中
に蛍光体６を沈殿を生じないようにして分散しておき、
その状態を保ち溶媒５ａを加熱により揮発させるもので
あるので、蛍光体６に沈殿による偏りなどを生じること
なく、均一なポリマー５膜が得られるものとなる。よっ
て、１つのＬＥＤランプ１内における色ムラ、あるい
は、各個体間での色相の相違などは防止できるものとな
る。
用および効果について説明する。まず第一には、溶媒５
ａにより適宜な濃度（粘度）に希釈されたポリマー５中
に蛍光体６を沈殿を生じないようにして分散しておき、
その状態を保ち溶媒５ａを加熱により揮発させるもので
あるので、蛍光体６に沈殿による偏りなどを生じること
なく、均一なポリマー５膜が得られるものとなる。よっ
て、１つのＬＥＤランプ１内における色ムラ、あるい
は、各個体間での色相の相違などは防止できるものとな
る。
【００１４】また、従来の製造方法で蛍光体６を分散さ
せるために用いられていたエポキシ樹脂が三次元網目状
であったのに対し、本発明により採用したポリマー５は
直鎖状であるので、柔軟性に富み、このポリマー５膜を
覆い設けられるレンズ６を形成するエポキシ樹脂との間
に膨張係数の差を生じるときにも、その差を柔軟性で吸
収し、ＬＥＤチップ３の破損、金ワイヤ４の断線などを
防止する。
せるために用いられていたエポキシ樹脂が三次元網目状
であったのに対し、本発明により採用したポリマー５は
直鎖状であるので、柔軟性に富み、このポリマー５膜を
覆い設けられるレンズ６を形成するエポキシ樹脂との間
に膨張係数の差を生じるときにも、その差を柔軟性で吸
収し、ＬＥＤチップ３の破損、金ワイヤ４の断線などを
防止する。
【００１５】図５〜図６は本発明の別の実施形態であ
り、例えばＬＥＤランプ１０が面実装型である場合に
は、ＬＥＤチップ３は基板８の面上に直接にダイボンド
され、上記に説明したようなホーンは存在しないものと
なる。本発明は、このような場合でも実施が可能であ
り、まず、図５に示すように、例えばシリコンゴムなど
で形成された型枠１１をＬＥＤチップ３を取囲む立壁状
となるように載置する。
り、例えばＬＥＤランプ１０が面実装型である場合に
は、ＬＥＤチップ３は基板８の面上に直接にダイボンド
され、上記に説明したようなホーンは存在しないものと
なる。本発明は、このような場合でも実施が可能であ
り、まず、図５に示すように、例えばシリコンゴムなど
で形成された型枠１１をＬＥＤチップ３を取囲む立壁状
となるように載置する。
【００１６】そして、この型枠１１中にポリマー５、溶
媒５ａ、蛍光体６の混合物を注入し、この型枠１１を載
置した状態のまま加熱し、溶媒５ａを蒸発させれば、Ｌ
ＥＤチップ３は前の実施形態と同様に蛍光体６が分散さ
れたポリマー５膜で覆われるものと成るので、その後に
型枠１１を取外せば図６に示す状態となる。よって、図
示は省略するが、その後の工程でポリマー５膜を覆うレ
ンズなどを適宜な手段で形成すれば良いものとなる。
媒５ａ、蛍光体６の混合物を注入し、この型枠１１を載
置した状態のまま加熱し、溶媒５ａを蒸発させれば、Ｌ
ＥＤチップ３は前の実施形態と同様に蛍光体６が分散さ
れたポリマー５膜で覆われるものと成るので、その後に
型枠１１を取外せば図６に示す状態となる。よって、図
示は省略するが、その後の工程でポリマー５膜を覆うレ
ンズなどを適宜な手段で形成すれば良いものとなる。
【００１７】
【発明の効果】以上に説明したように本発明により、Ｌ
ＥＤチップには周囲を取囲む立壁が恒久的または仮設的
に設けられ、蛍光体は適宜に溶媒により希釈されたポリ
マー中に分散が行われた状態で立壁中に注入が行われ、
しかる後に加熱が行われ前記溶媒を蒸発させることで、
前記ＬＥＤチップを蛍光体が分散されたポリマーで膜状
に覆い、その後にレンズの成形を行うことを特徴とする
ＬＥＤランプの製造方法としたことで、第一には、溶媒
により適宜な濃度（粘度）に希釈されたポリマー中に蛍
光体を分散したことで、カップ中に注入したときにも沈
殿を生じないものとなり、この状態を保ち溶媒の揮発が
行われるので、沈殿に起因する分散ムラを生じないもの
となる。よって、得られるＬＥＤランプは１つの個体内
でも色ムラを生じることがなく、また、各個体間でも色
相のズレなどを生じないものとなり、この種のＬＥＤラ
ンプの品質の向上に極めて優れた効果を奏するものであ
る。
ＥＤチップには周囲を取囲む立壁が恒久的または仮設的
に設けられ、蛍光体は適宜に溶媒により希釈されたポリ
マー中に分散が行われた状態で立壁中に注入が行われ、
しかる後に加熱が行われ前記溶媒を蒸発させることで、
前記ＬＥＤチップを蛍光体が分散されたポリマーで膜状
に覆い、その後にレンズの成形を行うことを特徴とする
ＬＥＤランプの製造方法としたことで、第一には、溶媒
により適宜な濃度（粘度）に希釈されたポリマー中に蛍
光体を分散したことで、カップ中に注入したときにも沈
殿を生じないものとなり、この状態を保ち溶媒の揮発が
行われるので、沈殿に起因する分散ムラを生じないもの
となる。よって、得られるＬＥＤランプは１つの個体内
でも色ムラを生じることがなく、また、各個体間でも色
相のズレなどを生じないものとなり、この種のＬＥＤラ
ンプの品質の向上に極めて優れた効果を奏するものであ
る。
【００１８】また、第二には、本発明により、従来例で
蛍光体を分散していたエポキシ樹脂などに比較して格段
に柔軟性に富むポリマー中に蛍光体を分散するものとし
たことで、ＬＥＤチップ、あるいは、金ワイヤに対し、
環境温度の変化により生じるストレスを緩和できるもの
として、破損、特性変化、あるいは、断線の防止を可能
とし、この種のＬＥＤランプの信頼性の向上にも極めて
優れた効果を奏するものである。
蛍光体を分散していたエポキシ樹脂などに比較して格段
に柔軟性に富むポリマー中に蛍光体を分散するものとし
たことで、ＬＥＤチップ、あるいは、金ワイヤに対し、
環境温度の変化により生じるストレスを緩和できるもの
として、破損、特性変化、あるいは、断線の防止を可能
とし、この種のＬＥＤランプの信頼性の向上にも極めて
優れた効果を奏するものである。
【図１】 本発明に係るＬＥＤランプの製造方法の第一
工程を要部で示す説明図である。
工程を要部で示す説明図である。
【図２】 同じ製造方法における第二工程を要部で示す
説明図である。
説明図である。
【図３】 同じ製造方法における第三工程を要部で示す
説明図である。
説明図である。
【図４】 本発明に係るＬＥＤランプの製造方法により
製造されたＬＥＤランプを示す断面図である。
製造されたＬＥＤランプを示す断面図である。
【図５】 同じく本発明に係るＬＥＤランプの製造方法
の別の実施形態の第一工程を要部で示す説明図である。
の別の実施形態の第一工程を要部で示す説明図である。
【図６】 別の実施形態の第二工程を要部で示す説明図
である。
である。
【図７】 従来例を示す断面図である。
１、１０……ＬＥＤランプ ２……リードフレーム ２ａ……カップ ３……ＬＥＤチップ ４……金ワイヤ ５……ポリマー ５ａ……溶媒 ６……蛍光体 ７……レンズ ８……基板 １１……型枠
Claims (2)
- 【請求項１】 ＬＥＤチップの外周にこのＬＥＤチップ
の発光により励起される蛍光体が付加されて成るＬＥＤ
ランプの製造方法において、前記ＬＥＤチップには周囲
を取囲む立壁が恒久的または仮設的に設けられ、前記蛍
光体は適宜に溶媒により希釈されたポリマー中に分散が
行われた状態で前記立壁中に注入が行われ、しかる後に
加熱が行われ前記溶媒を蒸発させることで、前記ＬＥＤ
チップを蛍光体が分散されたポリマーで膜状に覆い、そ
の後にレンズの成形を行うことを特徴とするＬＥＤラン
プの製造方法。 - 【請求項２】 上記請求項１記載の製造方法で製造され
たことを特徴とするＬＥＤランプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000237237A JP2002050799A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | Ｌｅｄランプおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000237237A JP2002050799A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | Ｌｅｄランプおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002050799A true JP2002050799A (ja) | 2002-02-15 |
Family
ID=18729136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000237237A Pending JP2002050799A (ja) | 2000-08-04 | 2000-08-04 | Ｌｅｄランプおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002050799A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006135288A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光ダイオードパッケージ、及び、その製造方法 |
| WO2010057019A3 (en) * | 2008-11-13 | 2010-08-19 | Maven Optronics Corp. | Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices |
| WO2010057023A3 (en) * | 2008-11-13 | 2010-08-19 | Maven Optronics Corp. | System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices |
| CN101976721A (zh) * | 2004-09-21 | 2011-02-16 | 美商克立股份有限公司 | 从悬浮液中蒸发溶剂而涂布半导体发光元件的方法 |
| US7897980B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-03-01 | Cree, Inc. | Expandable LED array interconnect |
| US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| US7943952B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
| US8167674B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US8232564B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
| US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| JP2017220530A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
| US10505083B2 (en) | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| CN113287207A (zh) * | 2018-09-28 | 2021-08-20 | 江苏新云汉光电科技有限公司 | 一种led灯及其增加流明的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348368U (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-09 |
-
2000
- 2000-08-04 JP JP2000237237A patent/JP2002050799A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0348368U (ja) * | 1989-09-19 | 1991-05-09 |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10164158B2 (en) | 2003-09-18 | 2018-12-25 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US10546978B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US9093616B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-07-28 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| US7915085B2 (en) | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| US9105817B2 (en) | 2003-09-18 | 2015-08-11 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method and apparatus |
| CN101976721A (zh) * | 2004-09-21 | 2011-02-16 | 美商克立股份有限公司 | 从悬浮液中蒸发溶剂而涂布半导体发光元件的方法 |
| JP2006135288A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 白色発光ダイオードパッケージ、及び、その製造方法 |
| US8969908B2 (en) | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
| US7943952B2 (en) | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
| US10295147B2 (en) | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
| US7897980B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-03-01 | Cree, Inc. | Expandable LED array interconnect |
| US8232564B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
| US9024349B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9159888B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US10505083B2 (en) | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
| US8167674B2 (en) | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US8878219B2 (en) | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
| US10038123B2 (en) | 2008-11-13 | 2018-07-31 | Maven Optronics International, Ltd. | Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices |
| US9797041B2 (en) | 2008-11-13 | 2017-10-24 | Maven Optronics Corp. | System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices |
| US9210763B2 (en) | 2008-11-13 | 2015-12-08 | Maven Optronics Corp. | Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices |
| EP2412037A4 (en) * | 2008-11-13 | 2015-12-02 | Maven Optronics Internat Ltd | SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A PHOSPHORO THIN LAYER FOR PHOSPHORUS CONVERTING ELECTROLUMINESCENT DEVICES |
| WO2010057023A3 (en) * | 2008-11-13 | 2010-08-19 | Maven Optronics Corp. | System and method for forming a thin-film phosphor layer for phosphor-converted light emitting devices |
| WO2010057019A3 (en) * | 2008-11-13 | 2010-08-19 | Maven Optronics Corp. | Phosphor-coated light extraction structures for phosphor-converted light emitting devices |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| JP2017220530A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | シチズン電子株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| CN113287207A (zh) * | 2018-09-28 | 2021-08-20 | 江苏新云汉光电科技有限公司 | 一种led灯及其增加流明的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002050799A (ja) | Ｌｅｄランプおよびその製造方法 | |
| JP5100944B2 (ja) | ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子 | |
| US8053259B2 (en) | Manufacturing method of light emitting diode | |
| TWI497746B (zh) | 發光二極體封裝及其製造方法 | |
| JP4676386B2 (ja) | 側面発光型ｌｅｄパッケージ及びその製造方法 | |
| JP2004087812A (ja) | 発光体 | |
| JP4256968B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| US7560057B2 (en) | Method for producing molding compound resin tablet for wavelength conversion, and method for manufacturing white light emitting diode by using the production method | |
| JP2005340813A (ja) | 蛍光物質を含む成形材料及びそれから作った発光デバイス | |
| JP4606000B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2013225597A (ja) | 発光装置の製造方法及び発光装置 | |
| JP4503950B2 (ja) | 蛍光体一体型ｌｅｄランプの製造方法 | |
| US20110227118A1 (en) | Light Emitting Diode Package Structure and Manufacturing Method Thereof | |
| JPWO2010023992A1 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| KR100537560B1 (ko) | 2단계 큐어 공정을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의제조방법 | |
| JP4322987B2 (ja) | Ｌｅｄランプおよびその製造方法 | |
| TW201344989A (zh) | 發光二極體封裝結構的製造方法 | |
| JPH10209505A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP2003258312A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
| KR100638892B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 제조방법 | |
| US20020125494A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method of producing the same | |
| KR20040086871A (ko) | 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법 | |
| EP2371929A1 (en) | Phosphor, method of coating the same, and method of manufacturing light emitting apparatus | |
| JP4365921B2 (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
| KR100545739B1 (ko) | 백색 발광소자의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070731 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100506 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101005 |