KR20040086871A - 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 발광 다이오드 칩을 에폭시 수지 및 형광 안료가 혼합된 백색 발광용 몰딩 컴파운드로 몰딩하여 백색 발광 다이오드 소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 에폭시 수지는,주제와 경화제가 혼합된 액상 에폭시 수지; 및에폭시 수지를 반경화 열처리하여 분쇄한 에폭시 수지 분말을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법.
- 발광 다이오드 칩을 인쇄회로기판이나 리드프레임에 접착시키는 단계;상기 발광 다이오드 칩을 상기 인쇄회로기판의 도전 패턴 또는 상기 리드프레임의 리드에 와이어링(wiring)하는 단계;상기 발광 다이오드 칩을 에폭시 수지 및 형광 안료가 혼합된 백색 발광용 몰딩 컴파운드로 몰딩하는 단계를 포함하는 단계; 및몰딩된 상기 발광 다이오드 칩이 접착된 상기 인쇄회로기판 또는 상기 리드프레임을 절단(dicing)하는 단계를 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법으로서, 상기 에폭시 수지는 주제와 경화제가 혼합된 액상 에폭시 수지 및 에폭시수지를 반경화 열처리하여 분쇄한 에폭시 수지 분말을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 몰딩 단계는 메탈 마스크를 이용한 프린팅법 또는 디스펜싱법으로 실시하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 백색 발광 다이오드 소자는 램프형 백색 발광 다이오드 소자이고, 상기 몰딩 단계는 포팅(potting) 및 캐스팅(casting) 법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 몰딩 단계는 요철 모양의 마스크를 인쇄 회로 기판의 라우팅 홀에 끼우는 방법을 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 백색 발광용 몰딩 컴파운드는 실리콘 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 에폭시 수지 및 상기 실리콘 수지(이하, 에폭시 수지 및 실리콘 수지를 '모체 수지'라 한다)는 60질량% 에서 70질량%의 상기 액상 에폭시 수지, 15질량% 에서 20질량%의 상기 에폭시 수지 분말 및 10질량% 에서 20질량%의 상기 실리콘 수지를 포함하고, 상기 형광체는 상기 모체 수지 질량의 2질량% 에서 25질량%가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 백색 발광 다이오드 소자의 제조방법.
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WO2007050483A2 (en) * | 2005-10-24 | 2007-05-03 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device having a molded encapsulant |
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US7427523B2 (en) | 2004-11-18 | 2008-09-23 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7314770B2 (en) | 2004-11-18 | 2008-01-01 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
US7427523B2 (en) | 2004-11-18 | 2008-09-23 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
WO2007047289A1 (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant |
WO2007050483A2 (en) * | 2005-10-24 | 2007-05-03 | 3M Innovative Properties Company | Method of making light emitting device having a molded encapsulant |
WO2007050483A3 (en) * | 2005-10-24 | 2007-06-14 | 3M Innovative Properties Co | Method of making light emitting device having a molded encapsulant |
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