JP3812722B2 - 白色発光ダイオードの製造方法 - Google Patents
白色発光ダイオードの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3812722B2 JP3812722B2 JP2001206228A JP2001206228A JP3812722B2 JP 3812722 B2 JP3812722 B2 JP 3812722B2 JP 2001206228 A JP2001206228 A JP 2001206228A JP 2001206228 A JP2001206228 A JP 2001206228A JP 3812722 B2 JP3812722 B2 JP 3812722B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitting diode
- white light
- light emitting
- manufacturing
- printed circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 21
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 19
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、モールディングコンパウンド樹脂粉末に蛍光体を予め混合することにより、青色LEDチップが発光する青色波長の光を白色波長に変換させて白色を発光させる白色発光ダイオードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
白色光を発光するダイオードの製造方法として、青色発光ダイオードの上に蛍光顔料が混合された液状樹脂を封入することにより白色光LED化することが一般的に行われていた。ここで、白色光とは一般的にその波長が400nmから600nmまで均一に分布されたものを言う。赤色、緑色そして青色の光が調和をなして出る青色は、赤色と緑色を出す蛍光体と反応して赤色と緑色を出すことになり、この色などはまだ蛍光顔料と反応されずそのまま透過されチップを通過して出される青色と調和をなし最終的に人間の眼に白色に見られることになるのである。
【0003】
従来、白色を発光するLED(白色発光ダイオード)は、図3乃至7に示すように、回路が構成されるようになっている印刷回路基板やアルミニウム材質のリードフレームの上に青色発光ダイオードチップを取り付け、蛍光顔料を利用してポッティング(Potting)してトランスファーモールディング成形を行い各々の製品を切り出す方式や、一定の形状を有するプラスチック材質の射出物に蛍光顔料をディスペンサー(Dispenser)を利用してポッティングした後、エポキシで締切をする方式や、リードフレームに蛍光顔料をポッティングしてランプの形状をしたモルードコップを利用してLEDランプで製造する方式など多様な形態の製造方式により製造されていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、近来に至り白色LED製品(白色発光ダイオード)は一般的な用途である液晶表示部の後面発光用や、家電製品及び産業機器などのディスプレー用などに限定されるものではなく、技術発展と消費者の多様な要求により軽薄短小の携帯用無線通信機器のような電子製品や自動車などに用いる液晶表示後面の発光用に使用されるようになり漸次小型化が要求されている。しかしながら、現在生産されている方法によればその製品の大きさを縮めるのには限界があり、一定水準の製品生産に歩留まり問題があって蛍光材料の量が均一でないため、生産品自体の色の偏差が甚だしく製品製造に所要される工程の時間とそれに伴い費用が嵩むという大きな問題があった。
【0005】
本発明の目的はモールディングコンパウンド樹脂の粉末に蛍光顔料を混合、圧着して固形化されたモールディングコンパウンドを作り、これを利用して青色発光を変換させて白色に発光するチップLED製品を製造するようにし、既存に使用されるポッティング工程を使用しないことにより軽薄短小の電子製品に用いられる液晶表示部後面の発光とディスプレーの用途に適合であるよう薄型に製造ができ、工程を単純させることによって所要される費用と時間が削減され一定水準の品質を有する製品歩留まりを顕著に向上、改善できる白色発光ダイオードの製造方法を提供するところにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記の如き目的を達成するため、本発明は青色を発光する青色発光ダイオードチップを接着材料で接着固体させて搭載し、電気的回路を構成するためリードフレームと印刷回路基板を伝導性材質で連結させ、モールディングコンパウンド樹脂でトランスファーモルード成形した後、個別製品に切り出す白色発光ダイオードの製造方法であって、前記モールディングコンパウンド樹脂粉末に一定比率の蛍光顔料を混合した混合物を準備する段階と、前記混合物に所定の温度と圧力を加えてタブレット( Tablet )形状を有するように製造する段階と;前記のものを青色発光ダイオードチップ部分にトランスファーモールディングする段階と;たとえば、ダイサ(dicer)を利用して個別製品に切断して白色発光ダイオードを製造する段階を備えたことを特徴とし、これにより青色発光ダイオードチップで発光される青色波長の光を白色波長に変換させて白色を発光せしめる白色発光ダイオードが提供され、前記方法で製造したチップLEDは液状エポキシ樹脂に蛍光体を混入させて製造されたチップLEDに比して容易に、廉価で高品質の純粋白色の光を発光するものであることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】
次に、各図を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。以下で全図面に亘って同じ部分に対しては同一の図面符号が添付されている。図面等にて図面符号1はモルードが成形された部分であり、図面符号2は蛍光顔料であり、図面符号3は発光ダイオードチップであり、図面符号4はAgペーストと同じ接着剤であり、図面符号5はAu、Alワイヤで、図面符号6は印刷回路基板である。図1及び図2は本発明に伴うチップLED(白色発光ダイオード)を示す断面図である。
【0008】
すなわち、図1及び図2に示す白色発光ダイオードは、必要に応じて各々の材質で各層が鍍金され一定のパターンをなしている印刷回路基板6とこれと似通った役割をするリードフレーム7に青色を発光するダイオードチップ3を接着剤等を利用して接着固定させる。接着剤が硬化されるように当該接着剤の特性に合う一定の温度条件、例えば100乃至150℃の温度で30分乃至1時間程度放置した後、青色発光ダイオード3に位置した電極と印刷回路基板6やリードフレーム7にあるパターン部分を電気的に導伝状態に作ってやるために導伝性材料で連結する。この際、青色発光ダイオード3の種類と製造方法に応じて導伝状態に作って与える方法とその形状は多様に変えられるものである。
【0009】
このような工程は、印刷回路基板6やリードフレーム7に形成されているパターンに応じて1回に生産し得る個数が変更できるようになされる。
【0010】
一方、モールディングコンパウンド樹脂は固体パウダーの形態で特殊的に処理された(Y、Ce)3Al5O12 (Y、Gd、Ce)3Al5O12のような蛍光顔料粉末を欲しようとする品質の白色光水準に応じて一定の比率、好ましくはモールディングコンパウンド樹脂質量の5乃至50%の比率で混合してよく交ぜ合せた後、これを大量生産作業に便利なように、かつ、最終の製品に気泡が生ずる等の問題点を除去するために、一定の形態の金型の中に混合された粉末を入れ、適切な圧力、たとえば、50乃至30kg/cm2の圧力で加圧してやる。光度と発光波長は前記蛍光顔料に含まれるGdとCeの量を加減することにより調整することができる。
【0011】
前記の過程以前に既に製造された幾つかの印刷回路基板6(トランスファーモルード金型の形態に応じてその数が異なる)に見合った金型が設置されたトランスファーモールディングプレス(図示を省略)の上に配列され、蛍光顔料が添加されたモールディングコンパウンドタブレットを入れて0.5乃至2トン/cm2の圧力で130乃至180℃の温度で200乃至600秒の条件下で成形を行う。
【0012】
トランスファーモルード成形後、印刷回路基板6とリードフレーム7自体が鍍金されたパターンに応じて個々のチップLED製品(白色発光ダイオード)に切断するためダイシング工程が進行される。以後ダイシング工程中に生ずる水分を取り除き成形されたモルードの状態を安定化させるために100乃至250℃の温度でもって1時間前後の条件で放置することさえもある。
【0013】
このように完成された白色発光ダイオードは、以後各々に見合った水準の白色の種類とその発光する光度値に応じて一定に分類及びテストして、表面実装に便利であるよう自動化設備を通してリールに巻き取り出荷することになる。
【0014】
従って、蛍光顔料を別途液状状態のエポキシ樹脂に混合させて一つ々青色を発光するダイオードチップ(一般的に400乃至500nm程度の波長を有する)の上にポッティングする等の作業をしなくとも一般的の波長(430、450、470、570、590、600、620、635、660nm等)の光を発光するチップLEDを製造する既存工程から大きく外れることなく、図1及び2に示すような白色を発光するチップLEDを容易に製造することができる。また、本発明に係る製造方法によれば、最大0.2mm程度の厚さまで縮められる極限の薄型製品を製造することができるので、これらを組込むことにより既存製品に比べ更にコンパクトな電子製品を生産することができる。さらに、一度のトランスファーモルード成形作業に同一造成の蛍光顔料を有する白色発光ダイオードを大量に製造することができるとともに、CIE(Commission International de I'Eclarage、国際照明委員会)による色座標上の色度偏差が極めて少なく(目標の白色に対しCIEによる色座標上の偏差(x座標、y座標)が、たとえば標準偏差0.05以内の均一品質)、かつ、厳しい品質水準に見合う優秀な歩留まりを可能とすることができる。そして、別に蛍光顔料を一つ一つポッティングしてやる工程がないので時間と費用を削減することができる。
【0015】
このような白色発光ダイオードは、前述の如く携帯電話等の携帯用無線通信機器のような電子製品や、自動車及び家電製品等で使用される白色光を発光するディスプレーや液晶表示部の後面発光用にのみ限定されるものではない。現在白色を利用した蛍光灯の如き電気機器のみならず現在発光ダイオードが使用されている全ての種類の電子機器等に適用することができる。
【0016】
【発明の効果】
以上にて説明した如く構成された本発明に係る製造方法により製造した白色発光ダイオードは、白色を発光可能にする蛍光顔料を用いるモールディングコンパウンド樹脂に混合して成形し、これをトランスファーモルード成形することによって、これまでは一つ一つの蛍光顔料を製品ごとにポッティングすることにより白色を出させるため高品質水準を保つことに限界があったが、本発明に係る製造方法によれば1回製品生産品においても均一の造成がなされるようにして白色を出す歩留まりを極大化することができる。さらに、青色を発光するダイオードチップの上一つ一つポッティングし更にその上モールディングコンパウンド樹脂を利用してモルード成形する製造方法では厚みを一定の高さ以下にすることが不可能であったが、ポッティングする工程を除去することによって最終製品の厚みを最小の薄型化を実現し、白色発光ダイオードを組込可能な電子機器等を更にコンパクト化させることによりこれらの電子機器等を軽薄短小に製造することができる。加えて、不必要な工程をなくし費用と時間が削減された優秀な白色発光ダイオードを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に伴う一つのワイヤが接触された白色発光チップLEDの断面図である。
【図2】 本発明に伴う二つのワイヤが接触された白色発光チップLEDの断面図である。
【図3】 従来の白色を発光するLEDの一例を示す断面図である。
【図4】 従来の白色を発光するLEDの一例を示す断面図である。
【図5】 従来の白色を発光するLEDのまた他の例を示す断面図である。
【図6】 従来の白色を発光するLEDのまた他の一例を示す断面図である。
【図7】 従来の白色を発光するLEDのまた他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1:モルード成形部
2:蛍光顔料
3:発光ダイオードチップ
4:Agペースト(Paste)
5:ワイヤ(Wire)
6:印刷回路基板
7:リードフレーム
8:リードフレーム
9:反射板
Claims (6)
- 青色発光ダイオードチップを印刷回路基板および/またはリードフレームに導電性又は非導電性の接着剤で接着固定して搭載し、前記青色発光ダイオードチップ上の電極を前記印刷回路基板上の鍍金された回路パターンおよび/またはリードフレームと導電性材料で連結し、モールディングコンパウンド樹脂中の蛍光顔料を利用して、前記青色発光ダイオードからの青色光を白色光に変換する白色発光ダイオード製造方法において、
固体パウダー状のモールディングコンパウンド樹脂粉末と蛍光顔料とを一定の比率で混合し、撹拌して粉末状混合物を作製する段階と、
前記混合物を金型に入れ、圧力を加えて固形状のタブレットを形成する段階と、
前記青色発光ダイオードチップの搭載された前記印刷回路基板および/またはリードフレームをトランスファーモールディングプレスに配置し、前記タブレットを前記トランスファーモールディングプレスに入れて所定の温度で圧力を加えて前記印刷回路基板および/またはリードフレームにトランスファーモールド成形を行う段階と、
成形後に前記印刷回路基板またはリードフレームを切断して個別の白色発光ダイオードを作製する段階とを含むことを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。 - 前記蛍光顔料は前記モールディングコンパウンド樹脂粉末に対して5乃至50質量%の範囲で混合されることを特徴とする請求項1記載の白色発光ダイオードの製造方法。
- 前記モールディングコンパウンド樹脂粉末を50乃至300kg/cm2の圧力を加えて圧縮し所定形状の前記タブレットを製造することを特徴とする請求項1又は2記載の白色発光ダイオードの製造方法。
- 光度と発光波長及び発光色相は前記蛍光顔料に含まれるGdとCeの量を制御することにより可変できることを特徴とする請求項1乃至3の何れかに記載の白色発光ダイオードの製造方法。
- 前記白色発光ダイオードは、最大0.2mmの厚さまで縮められる薄型製品を製造することを特徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の白色発光ダイオードの製造方法。
- 目標の白色に対しCIEによる色座標上の偏差(x座標、y座標)が標準偏差0.05以内に均一の品質に製造されることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載した白色発光ダイオードの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000043661A KR100348377B1 (ko) | 2000-07-28 | 2000-07-28 | 백색 발광 다이오드의 제조 방법 |
KR43661/2000 | 2000-07-28 | ||
US09/975,003 US6482664B1 (en) | 2000-07-28 | 2001-10-12 | Method for manufacturing white light-emitting diodes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002076444A JP2002076444A (ja) | 2002-03-15 |
JP3812722B2 true JP3812722B2 (ja) | 2006-08-23 |
Family
ID=26638259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001206228A Expired - Lifetime JP3812722B2 (ja) | 2000-07-28 | 2001-07-06 | 白色発光ダイオードの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6482664B1 (ja) |
JP (1) | JP3812722B2 (ja) |
TW (1) | TW459403B (ja) |
Families Citing this family (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3614776B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2005-01-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ledとその製造方法 |
US6924596B2 (en) * | 2001-11-01 | 2005-08-02 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus provided with fluorescent substance and semiconductor light emitting device, and method of manufacturing the same |
JP4211359B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100567548B1 (ko) * | 2002-04-22 | 2006-04-05 | 서울반도체 주식회사 | 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
US20050231490A1 (en) * | 2002-08-22 | 2005-10-20 | Gady Golan | Thin display device |
US7078737B2 (en) | 2002-09-02 | 2006-07-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2004152840A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
US7824937B2 (en) * | 2003-03-10 | 2010-11-02 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Solid element device and method for manufacturing the same |
AT501081B8 (de) * | 2003-07-11 | 2007-02-15 | Tridonic Optoelectronics Gmbh | Led sowie led-lichtquelle |
JP4015975B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2007-11-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2005114924A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-04-28 | Pentax Corp | 撮影用照明装置 |
KR100558446B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2006-03-10 | 삼성전기주식회사 | 파장변환용 몰딩 화합물 수지 태블릿 제조방법과 이를이용한 백색 발광다이오드 제조방법 |
KR100537560B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2005-12-19 | 주식회사 메디아나전자 | 2단계 큐어 공정을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의제조방법 |
KR100540848B1 (ko) * | 2004-01-02 | 2006-01-11 | 주식회사 메디아나전자 | 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
US20050227394A1 (en) * | 2004-04-03 | 2005-10-13 | Bor-Jen Wu | Method for forming die protecting layer |
WO2005106978A1 (ja) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光装置およびその製造方法 |
KR100655894B1 (ko) * | 2004-05-06 | 2006-12-08 | 서울옵토디바이스주식회사 | 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치 |
KR100658700B1 (ko) | 2004-05-13 | 2006-12-15 | 서울옵토디바이스주식회사 | Rgb 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치 |
JP4529544B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2010-08-25 | スタンレー電気株式会社 | Ledの製造方法 |
KR100665298B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
US8308980B2 (en) * | 2004-06-10 | 2012-11-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
KR100665299B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | 발광물질 |
DE102004031391B4 (de) * | 2004-06-29 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauteil mit Gehäuse zum ESD-Schutz |
CN100384584C (zh) * | 2004-12-20 | 2008-04-30 | 洪明山 | 发光二极管的散热结构制作方法 |
JP2006261540A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Stanley Electric Co Ltd | 発光デバイス |
KR100691179B1 (ko) * | 2005-06-01 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
US8718437B2 (en) | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
KR101258397B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2013-04-30 | 서울반도체 주식회사 | 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체 |
KR101055772B1 (ko) * | 2005-12-15 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
KR101305884B1 (ko) * | 2006-01-06 | 2013-09-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는백라이트 유닛 |
KR101235460B1 (ko) * | 2006-02-14 | 2013-02-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 측면 발광형 엘이디 및 그 제조방법 |
US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
EP2041478B1 (en) | 2006-03-07 | 2014-08-06 | QD Vision, Inc. | An article including semiconductor nanocrystals |
KR100875443B1 (ko) | 2006-03-31 | 2008-12-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
KR100789951B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2008-01-03 | 엘지전자 주식회사 | 발광 유닛 제작 장치 및 방법 |
KR101258227B1 (ko) * | 2006-08-29 | 2013-04-25 | 서울반도체 주식회사 | 발광 소자 |
WO2008073400A1 (en) | 2006-12-11 | 2008-06-19 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
US8836212B2 (en) | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
CN101784636B (zh) | 2007-08-22 | 2013-06-12 | 首尔半导体株式会社 | 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法 |
KR101055769B1 (ko) | 2007-08-28 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치 |
US8128249B2 (en) | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
WO2009028818A2 (en) | 2007-08-28 | 2009-03-05 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors |
CN101821861B (zh) | 2007-10-12 | 2012-02-01 | 新加坡科技研究局 | 不含磷的基于氮化物的红和白发光二极管的制造 |
US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
DE102009030205A1 (de) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Litec-Lp Gmbh | Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore |
KR101055762B1 (ko) * | 2009-09-01 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치 |
KR101603244B1 (ko) * | 2009-12-26 | 2016-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 및 이를 이용한 발광 소자와 백 라이트 유닛 |
TWI387137B (zh) * | 2010-01-13 | 2013-02-21 | Formosa Epitaxy Inc | 製作發光二極體結構的方法 |
DE102010053362B4 (de) * | 2010-12-03 | 2021-09-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips, strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Bauelement |
JP2012190991A (ja) * | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP5407007B2 (ja) * | 2011-11-29 | 2014-02-05 | シャープ株式会社 | 発光デバイスの製造方法 |
JP2017073411A (ja) * | 2015-10-05 | 2017-04-13 | ソニー株式会社 | 発光装置 |
US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5131877A (en) * | 1989-10-12 | 1992-07-21 | Alps Electric Co., Ltd. | Electroluminescent device |
-
2000
- 2000-08-24 TW TW089117112A patent/TW459403B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-07-06 JP JP2001206228A patent/JP3812722B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-10-12 US US09/975,003 patent/US6482664B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6482664B1 (en) | 2002-11-19 |
TW459403B (en) | 2001-10-11 |
JP2002076444A (ja) | 2002-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3812722B2 (ja) | 白色発光ダイオードの製造方法 | |
KR100540848B1 (ko) | 이중 몰드로 구성된 백색 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 | |
JP2004161789A (ja) | 蛍光体、発光ダイオード及び蛍光体の製造方法 | |
CN206225394U (zh) | 一种基于量子点的led封装器件 | |
JP4003866B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
KR100558080B1 (ko) | 형광체 및 그것을 이용한 발광 다이오드 및 그 제조방법 | |
KR100348377B1 (ko) | 백색 발광 다이오드의 제조 방법 | |
CN101442087B (zh) | 一种小功率型低光衰白光led | |
CN1204632C (zh) | 白色发光二极管的制造方法 | |
KR100821684B1 (ko) | 백색 발광 다이오드 소자 | |
CN107565004B (zh) | 一种led面光源高显指发光的封装方法 | |
CN112242473A (zh) | 一种led灯丝光源及其制作方法、灯具 | |
KR100567548B1 (ko) | 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR100767604B1 (ko) | 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법 | |
CN1971908A (zh) | 三波长led结构 | |
KR101567807B1 (ko) | 형광체 시트를 이용한 led 패키지 및 형광체 시트의 제조방법 | |
KR20070009948A (ko) | 2개의 형광체를 이용한 고출력 백색 발광 다이오드 소자 | |
KR100666222B1 (ko) | 백색 발광 다이오드 제조방법 | |
JP2002232013A (ja) | 半導体発光素子 | |
KR100425518B1 (ko) | 백색 발광 다이오드 | |
KR100449503B1 (ko) | 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
KR100567547B1 (ko) | 핑크 칩 발광 다이오드 및 그 제작 방법 | |
CN215183958U (zh) | 侧发光器件 | |
KR100464754B1 (ko) | 백색 발광다이오드의 몰딩재 및 그 제조방법 | |
CN210891511U (zh) | 一种cob光源及灯具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040831 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20041126 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20041201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050303 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050413 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050414 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050719 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051114 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051116 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051216 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20060127 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060524 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3812722 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090609 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130609 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |