CN102376848A - 发光装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种发光装置的制造方法，其先提供一基板，再接续形成一发光单元于该基板上，之后形成至少一电极，然后形成至少一保护层于该电极上，以避免后续形成一荧光粉层于该发光单元时，造成荧光粉层覆盖于该电极上，在形成该荧光粉层之后，平整该荧光粉层与该保护层，也就是移除位于该保护层上的部分该荧光粉层，然后移除该保护层，以让该电极避免受到荧光粉层的影响，进而提高电极的导电性，更改善发光装置的荧光粉厚度与均匀性问题，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少，同时在白光色温控制的稳定性也大为提高。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光装置的制造方法。
背景技术
世界最早的发光二极管产品出现在公元1968年，之后光电产业陆续研发出许多颜色发光二极管，而直至公元1993年日本日亚公司成功开发出发光效率较高的蓝绿光发光二极管后，方使全彩化的发光二极管产品得以实现。由于，在GaInN系的蓝色及绿色发光二极管开发完成后，白光发光二极管即成为业界追求的对象。从1996年日亚化学量产白光发光二极管开始，全球发光二极管业者纷纷将研发的重点转移至白光发光二极管，其完全可以取代现有白炽灯实现室内外照明，亦将广泛地、革命性地取代传统的白炽灯等现有的光源，进而成为符合节能环保主题的主要光源。因此发光二极管因具高耐震性、寿命长、耗电量少等特性，而广泛应用于民众的日常生活中，例如：家电用品、各种仪器的指示灯或光源等，且户外发光装置或显示装置亦越来越普遍地采用发光二极管作为发光组件，例如：交通号志、户外电子广告牌，且随着现今显示装置受到节能省碳的风气影响，液晶显示器的背光源亦逐渐普遍采用发光二极管作为背光源主流，其原因在于发光二极管可符合高亮度、低耗电的需求，也就是发光二极管可符合省电节能的绿色环保诉求，又可提供高亮度的照明，其中尤以白光发光二极管做为光源的发明为较佳的照明应用。
传统固态半导体白光光源主要有以下三种方式：第一种白光光源是以红、蓝、绿三色发光二极管晶粒组成白光发光模块，其具有高发光效率、高演色性优点，但同时也造成需利用具不同色光的发光二极管晶粒，因此此种白光发光模块需配合不同的磊晶材料制作而成，连带导致发光模块本身的电压特性也受到不同晶粒的电性而随之不同，进而导致发光模块的制造成本偏高，且其控制线路设计复杂，以及混光效果差；第二种白光光源是以蓝光发光二极管，并激发黄色钇铝石榴石(YAG)荧光粉产生白光，此种白光光源为现今光电产业市场的主流趋势，其技术特征在于填充混有黄光YAG荧光粉的光学胶于蓝光发光二极管芯片的外围，以让此蓝光发光二极管芯片所发出蓝光入射至光学胶中，而蓝光激发黄光YAG荧光粉转换蓝光成黄光，其中该黄光的波长约为400～530nm，利用蓝光发光二极管芯片所发出的光线激发，同时也会有部份的蓝光发射出来，此部份未参与光转换的蓝光配合上荧光粉所发出的黄色光，即形成蓝光、黄光二波长所混合的白光。第三种白光光源是以含有三色荧光粉的紫外光发光二极管透过明天光学胶中激发含出均匀的蓝光、混有一定比例的蓝色、绿色、红色荧光粉，激发后可得到三波长的白光。
而，对白光发光二极管封装技术方面，在发展高功率以及大面积发光二极管照明模块时，其散热问题将严重影响到组件寿命之外，现行发光二极管封装上常用的点胶、封灌、模压工艺方式，因现今产业所采用的发光二极管的封装基于经济上的考虑，认为采用环氧树脂进行封装，如此易在使用过程中变稠，导致荧光粉层较难控制气泡产生、缺料、黑点以及荧光胶中发生荧光粉沉淀等较难避免的缺陷，且荧光粉层为非平整面，因而造成色光的发光均匀度无法保持一致，且易造成白光发光二极管产品在不同发光角度的色温差异。虽然随着荧光粉或封装胶的不断改良下，白光发光二极管改善了出光效率，也改善了光转换效率，但白光发光二极管也面临了其它问题，例如：荧光粉层厚度不断地增厚，或者荧光粉或封装胶覆盖白光发光二极管的外部电极，使白光发光二极管的电性接触不良等问题，且荧光粉层经不断改良仍然为非平整面，因此色温均匀度的问题仍然存在。
有鉴于此，本发明将提出一新颖发光装置的制造方法，除了可改善荧光粉覆盖电极的缺点外，更改善发光装置的厚度问题，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种发光装置的制造方法，其利用电极避免受到荧光粉的覆盖，以提高电极的导电性。
本发明的另一目的在于提供一种发光装置的制造方法，其利用保护层保护电极，且荧光粉层的高度不超过保护层的高度，以让发光装置的厚度减少并改善色温均匀度。
为了达到上述的目的，本发明是一种发光装置的制造方法，其包含：
提供一基板；
形成一发光单元于该基板上；
形成至少一电极，该电极电性连接该发光单元；
形成至少一保护层，该保护层位于该电极上；
形成一荧光粉层于该发光单元上，该荧光粉层覆盖该发光单元与该保护层；
移除位于该保护层上的部分该荧光粉层；以及
移除该保护层。
本发明中，其中于移除位于该保护层上的部分该荧光粉层的步骤中，是利用一研磨法或一切削法使该荧光粉层的高度不高于该保护层。
本发明中，其中于移除该保护层的步骤中，是利用一蚀刻法移除该保护层。
本发明中，其中该荧光粉层的厚度为10微米至50微米。
本发明中，其中该发光单元为一垂直式发光二极管芯片、一覆晶式发光二极管芯片或一正面型发光二极管芯片。
本发明还同时公开了一种发光装置的制造方法，其包含：
提供一基板；
提供一发光模块并设置于该基板上，其中该发光模块包含一发光单元与一承载基板；
形成一第一电极与一第二电极，该第一电极与该第二电极经该承载基板电性连接至该发光单元；
形成一第一保护层与一第二保护层，该第一保护层位于该第一电极上，该第二保护层位于该第二电极上；
形成一荧光粉层于该发光模块上，该荧光粉层覆盖该发光模块与该些保护层；
移除位于该些保护层上的部分该荧光粉层；以及
移除该些保护层。
本发明中，其中于提供该发光模块并设置于该基板上的步骤中，其包含：
形成一第一导电垫与一第二导电垫；
提供该承载基板并设置于该第一导电垫与该第二导电垫上，该乘载基板具有至少一第一连接单元与至少一第二连接单元，该第一连接单元电性连接于该第一导电垫，该第二连接单元电性连接于该第二导电垫；以及
设置该发光单元于该承载基板上，该发光单元电性连接至该第一连接单元与该第二连接单元，以组成该发光模块；以及
设置该发光模块于该基板上，该第一导电垫与该第二导电电分别电性连接于该第一电极与该第二电极。
本发明中，其中于移除位于该保护层上的部分该荧光粉层的步骤中，是利用一研磨法或一切削法使该荧光粉层的高度不高于该些保护层。
本发明中，其中于移除该些保护层的步骤中，是利用一蚀刻法移除该些保护层。
本发明中，其中该荧光粉层的厚度为10微米至50微米。
本发明具有的有益效果：本发明所述的一种发光装置的制造方法，在制作发光装置的过程利用保护层避免荧光粉层影响电极的导电性，且本发明更改善发光装置的荧光粉厚度与均匀性问题，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少，同时在白光色温控制的稳定性也大为提高。
附图说明
图1A为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图1B为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图1C为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图1D为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图1E为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图1F为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图1G为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图2A为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图2B为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图2C为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图2D为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图2E为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图2F为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图2G为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3A为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3B为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3C为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3D为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3E为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3F为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3G为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3H为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3I为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图3J为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图4A为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图4B为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图4C为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图4D为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图4E为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；
图4F为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图；以及
图4G为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图。
【图号对照说明】
10 第一发光装置 102 荧光粉层
12 基板 14 发光单元
16 第一电极 162 第一保护层
18 第二电极 182 第二保护层
20 第二发光装置 202 荧光粉层
22 基板 24 发光单元
26 第一电极 262 第一保护层
28 第二电极
282 第二保护层 30 第三发光装置
32 基板 34 发光模块
342 第一导电垫 344 第二导电垫
346 承载基板 348 第一连接单元
350 第二连接单元 352 第一导电支撑垫
354 第二导电支撑垫 356 发光单元
36 第一电极 362 第一保护层
38 第二电极 382 第二保护层
40 第四发光装置 402 荧光粉层
42 基板 44 发光单元
46 上电极 462 保护层
具体实施方式
为使对本发明的结构特征及所达成的功效有更进一步的了解与认识，用以较佳的实施例及附图配合详细的说明，说明如下：
请参阅图1A至图1G，其为本发明的一较佳实施例的实施步骤的示意图。如图1A至图1G所示，其表示本发明的一第一发光装置10的制作流程。首先如图1A所示，提供一基板12，该基板12的材料是选自于Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO及MnO、III-V族、II-VI族、IV族、IV-IV族及上述的任意组合的其中之一。如图1B所示，形成一发光单元14于该基板12上，其中本实施例的发光单元14为一正面型发光二极管芯片，因此如图1C所示，一第一电极16与一第二电极18分别形成于该发光单元14上，其中该第一电极16与该第二电极18的材料为选自于金、银、铅、铟、锡、导电胶及上述的组合的其中之一。如图1D所示，一第一保护层162与一第二保护层182分别形成于该第一电极16与该第二电极18，其中该第一保护层162与该第二保护层182的材料选自于介电材料、有机材料或干料。
承接上述，如图1E所示，形成一荧光粉层102于发光单元14上，荧光粉层102的材料选自于黄色钇铝石榴石(YttriumAluminum Garnet，简称YAG)，黄色铽铝石榴石(Terbium Aluminum Garnet，简称TAG)，黄色硅酸盐(Silicate)，例如具Sr2SiO4或Sr3SiO5晶相的组合物，硫化物(Sulfate)，氮化物(Nitrate)，或上述材料的任意组合，更选自于透明树脂、硅胶、或上述材料的任意组合，其中该透明树脂可为环氧树脂、聚乙稀或聚丙稀等。如图1F所示，利用切削法或研磨法移除该第一保护层162与该第二保护层182上的部分该荧光粉层102，也就是将高度超过该第一保护层162与该第二保护层182的部分荧光粉层102移除，使荧光粉层102的厚度不超过该第一保护层162与该第二保护层182的厚度，其中切削法是水刀或机械刀具进行切削，研磨法是采用砂轮进行研磨，以让荧光粉层102的厚度等于或小于该第一保护层162与该第二保护层182的厚度，荧光粉层102的厚度为10微米至50微米。如图1G所示，利用蚀刻法移去该第一保护层162与该第二保护层182，其中蚀刻法是采用湿蚀刻或干蚀刻。如此本实施例即可让该第一电极16与该第二电极18避免受到该荧光粉层102的覆盖，进而避免该第一电极16与该第二电极18降低导电性，甚至可避免该第一电极16与该第二电极18受该荧光粉层102的影响而接触不良，此外，本发明可将该荧光粉层102经修整后的出光面为一平整面，所以本发明的发光装置10的色温均匀度较佳，且更改善发光装置的荧光粉厚度，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少，同时在白光色温控制的稳定性也大为提高。
请参阅图2A至图2G，其为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图。如图2A至图2G所示，其表示本发明的一第二发光装置20的制作流程。首先如图2A所示，提供一导电基板22，该基板22的材料是选自于半导体、金属或其合金。如图2B所示，形成一发光单元24于该基板22上，其中本实施例的发光单元24为一覆晶式发光二极管芯片，因此如图2C所示，一第一电极26与一第二电极28分别形成于该基板22上，且该第一电极26与该第二电极28分别电性连接于发光单元24，其中该第一电极26与该第二电极28的材料为选自于金、银、铅、铟、锡、导电胶及上述的组合的其中之一。如图2D所示，一第一保护层262与一第二保护层282分别形成于该第一电极26与该第二电极28，其中该第一保护层262与该第二保护层282的材料选自于介电材料、有机材料或干料。
承接上述，如图2E所示，形成一荧光粉层202于发光单元24上，荧光粉层202的材料选自于黄色钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，简称YAG)，黄色铽铝石榴石(Terbium Aluminum Garnet，简称TAG)，黄色硅酸盐(Silicate)，例如具Sr2SiO4或Sr3SiO5晶相的组合物，硫化物(Sulfate)，氮化物(Nitrate)，或上述材料的任意组合，更选自于透明树脂、硅胶、或上述材料的任意组合，其中该透明树脂可为环氧树脂、聚乙稀或聚丙稀等。如图2F所示，利用切削法或研磨法平整该荧光粉层202、该第一保护层262与该第二保护层282，使荧光粉层202的厚度不超过该第一保护层262与该第二保护层182的厚度，其中切削法是水刀或机械刀具进行切削，研磨法是采用砂轮进行研磨，以让荧光粉层202的厚度等于或小于该第一保护层262与该第二保护层282的厚度，荧光粉层202的厚度为10微米至50微米。如图2G所示，利用蚀刻法移去该第一保护层262与该第二保护层282，其中蚀刻法是采用湿蚀刻或干蚀刻。如此本实施例即可让该第一电极26与该第二电极28避免受到该荧光粉层202的覆盖，进而避免该第一电极26与该第二电极28降低导电性，甚至可避免该第一电极26与该第二电极28受该荧光粉层202的影响而接触不良，进而避免被误判为不良品。此外，本发明更可将该荧光粉层102经修整后的出光面为一平整面，所以本发明的发光装置10的色温均匀度较佳，更改善发光装置的荧光粉厚度，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少，同时在白光色温控制的稳定性也大为提高。
请参阅图3A至图3G，其为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图。如图3A至图3G所示，其表示本发明的一第三发光装置30的制作流程。首先如图3A所示，提供一基板32，该基板32的材料是选自于Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO及MnO、III-V族、II-VI族、IV族、IV-IV族及上述的任意组合的其中之一。如图3B所示，形成一发光模块34(如图3E所示)的一第一导电垫342与一第二导电垫344于基板32上，其中该第一导电垫342与该第二导电垫344的材料为选自于金、银、铅、铟、锡、导电胶及上述的组合的其中之一。如图3C所示，设置一承载基板(sub-mount)346于该第一导电垫342与该第二导电垫344上，且承载基板346中具有一第一连接单元348与一第二连接单元350，该第一连接单元348电性连接于该第一导电垫342，该第二连接单元350电性连接于该第二导电垫344，其中该承载基板346的材料是选自于Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO及MnO、III-V族、II-VI族、IV族、IV-IV族及上述的任意组合的其中之一。
承接上述，如图3D所示，形成一第一导电支撑垫352与一第二导电支撑电354于该承载基板342上，该第一导电支撑垫352电性连接于该第一连接单元348，该第二导电支撑垫354电性连接于该第二连接单元350，其中该第一导电支撑垫352与该第二导电支撑电354的材料可为选自于金、银、铅、铟、锡、导电胶及上述的组合的其中之一。如图3E所示，设置一发光单元356于该第一导电支撑垫352与该第二导电支撑电354上，该发光单元356电性连接于该第一导电支撑垫352与该第二导电支撑电354，其中该发光单元356是设置至少一发光二极管，且该发光二极管为一垂直式发光二极管、一覆晶式发光二极管或一正面型发光二极管。
接续上述，如图3F所示，一第一电极36与一第二电极38分别形成于该基板32上，且位于该发光模块34的二侧，该第一电极36电性连接于该第一导电垫342，该第二电极38电性连接于该第二导电垫344，其中该第一电极36与该第二电极38的材料为选自于金、银、铅、铟、锡、导电胶及上述的组合的其中之一。如图3G所示，一第一保护层362与一第二保护层382分别形成于该第一电极36与该第二电极38，其中该第一保护层362与该第二保护层382的材料选自于介电材料、有机材料或干料。如图3H所示，形成一荧光粉层302于发光模块34上，荧光粉层302的材料选自于黄色钇铝石榴石(YttriumAluminum Garnet，简称YAG)，黄色铽铝石榴石(Terbium Aluminum Garnet，简称TAG)，黄色硅酸盐(Silicate)，例如具Sr2SiO4或Sr3SiO5晶相的组合物，硫化物(Sulfate)，氮化物(Nitrate)，或上述材料的任意组合，更选自于透明树脂、硅胶、或上述材料的任意组合，其中该透明树脂可为环氧树脂、聚乙稀或聚丙稀等。如图3I所示，利用切削法或研磨法移除该第一保护层362与该第二保护层382上的部分该荧光粉层302，也就是将高度超过该第一保护层362与该第二保护层382的部分荧光粉层302移除，使荧光粉层302的厚度不超过该第一保护层362与该第二保护层382的厚度，以及获得出光面较为平整知该荧光粉层302，其中切削法是水刀或机械刀具进行切削，研磨法是采用砂轮进行研磨，以让荧光粉层302的厚度等于或小于该第一保护层362与该第二保护层382的厚度，荧光粉层302的厚度为10微米至50微米。如图3J所示，利用蚀刻法移去该第一保护层362与该第二保护层382，其中蚀刻法是采用湿蚀刻或干蚀刻。如此本实施例即可让该第一电极36与该第二电极38避免受到该荧光粉层302的覆盖，进而避免该第一电极36与该第二电极38降低导电性，甚至可避免该第一电极36与该第二电极38受该荧光粉层302的影响而接触不良，进而避免被误判为不良品，此外，本发明可将该荧光粉层102经修整后的出光面为一平整面，所以本发明的发光装置10的色温均匀度较佳。本发明更改善发光装置的荧光粉厚度，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少，同时在白光色温控制的稳定性也大为提高。
请参阅图4A至图4G，其为本发明的另一较佳实施例的实施步骤的示意图。如图所示，本发明的制造方法更可应用于制作垂直式发光二极管，其中图4A至图4G为制作一第四发光二极管40的制作过程。如图4A所示，提供一导电基板42，该基板42的材料是选自于半导体、金属或其合金。如图4B所示，形成一发光单元44于该基板42上，其中本实施例的发光单元44为一垂直式发光二极管，因此如图4C所示，一上电极46形成于该发光单元44上，且该上电极46电性连接于发光单元44，其中该上电极46的材料为选自于金、银、铅、铟、锡、导电胶及上述的组合的其中之一。如图2D所示，一保护层462分别形成于该上电极46，其中该保护层462的材料选自于介电材料、有机材料或干料。
承接上述，如图4E所示，形成一荧光粉层402于发光单元24上，荧光粉层402的材料选自于黄色钇铝石榴石(YttriumAluminum Garnet，简称YAG)，黄色铽铝石榴石(Terbium Aluminum Garnet，简称TAG)，黄色硅酸盐(Silicate)，例如具Sr2SiO4或Sr3SiO5晶相的组合物，硫化物(Sulfate)，氮化物(Nitrate)，或上述材料的任意组合，更选自于透明树脂、硅胶、或上述材料的任意组合，其中该透明树脂可为环氧树脂、聚乙稀或聚丙稀等。如图4F所示，利用切削法或研磨法平整该荧光粉层402、该保护层462，使荧光粉层402的厚度不超过该保护层462的厚度，其中切削法是水刀或机械刀具进行切削，研磨法是采用砂轮进行研磨，以让荧光粉层402的厚度等于或小于该保护层462的厚度，荧光粉层402的厚度为10微米至50微米。如图4G所示，利用蚀刻法移去该保护层462，其中蚀刻法是采用湿蚀刻或干蚀刻。如此本实施例即可让该上电极46避免受到该荧光粉层402的覆盖，进而避免该上电极46降低导电性，甚至可避免该上电极46受该荧光粉层402的影响而接触不良，进而避免被误判为不良品。此外，本发明可将该荧光粉层402经修整后的出光面为一平整面，所以本发明的发光装置40的色温均匀度较佳，且更改善发光装置的荧光粉厚度，使具发光二极管的发光装置的厚度有效减少，同时在白光色温控制的稳定性也大为提高。综上所述，本发明为一种发光装置的制造方法，其是利用保护层避免荧光粉层覆盖到基板上的电极，以避免电极的导电性受到荧光粉层的影响，如此本发明的制造方法所制作的发光装置于外接电源的时候，可避免电极的接触不良而造成发光装置被判定为劣品，且本发明更可让发光装置降低厚度与改善色温均匀度。
综上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，凡依本发明权利要求范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的权利要求范围内。
Claims (10)
1.一种发光装置的制造方法，其特征在于，其包含：
提供一基板；
形成一发光单元于该基板上；
形成至少一电极，该电极电性连接该发光单元；
形成至少一保护层，该保护层位于该电极上；
形成一荧光粉层于该发光单元上，该荧光粉层覆盖该发光单元与该保护层；
移除位于该保护层上的部分该荧光粉层；以及
移除该保护层。
2.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中于移除位于该保护层上的部分该荧光粉层的步骤中，是利用一研磨法或一切削法使该荧光粉层的高度不高于该保护层。
3.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中于移除该保护层的步骤中，是利用一蚀刻法移除该保护层。
4.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中该荧光粉层的厚度为10微米至50微米。
5.如权利要求1所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中该发光单元为一垂直式发光二极管芯片、一覆晶式发光二极管芯片或一正面型发光二极管芯片。
6.一种发光装置的制造方法，其特征在于，其包含：
提供一基板；
提供一发光模块并设置于该基板上，其中该发光模块包含一发光单元与一承载基板；
形成一第一电极与一第二电极，该第一电极与该第二电极经该承载基板电性连接至该发光单元；
形成一第一保护层与一第二保护层，该第一保护层位于该第一电极上，该第二保护层位于该第二电极上；
形成一荧光粉层于该发光模块上，该荧光粉层覆盖该发光模块与该些保护层；
移除位于该些保护层上的部分该荧光粉层；以及
移除该些保护层。
7.如权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中于提供该发光模块并设置于该基板上的步骤中，其包含：
形成一第一导电垫与一第二导电垫；
提供该承载基板并设置于该第一导电垫与该第二导电垫上，该乘载基板具有至少一第一连接单元与至少一第二连接单元，该第一连接单元电性连接于该第一导电垫，该第二连接单元电性连接于该第二导电垫；以及
设置该发光单元于该承载基板上，该发光单元电性连接至该第一连接单元与该第二连接单元，以组成该发光模块；以及
设置该发光模块于该基板上，该第一导电垫与该第二导电电分别电性连接于该第一电极与该第二电极。
8.如权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中于移除位于该保护层上的部分该荧光粉层的步骤中，是利用一研磨法或一切削法使该荧光粉层的高度不高于该些保护层。
9.如权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中于移除该些保护层的步骤中，是利用一蚀刻法移除该些保护层。
10.如权利要求6所述的发光装置的制造方法，其特征在于，其中该荧光粉层的厚度为10微米至50微米。
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