CN201549499U - 陶瓷基大功率红绿蓝led的封装结构 - Google Patents

陶瓷基大功率红绿蓝led的封装结构 Download PDF

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Abstract

本实用新型公开了一种陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，包括陶瓷基板1、红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4、金线6、散热热沉8，电路及反射层10通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板1之上，散热热沉8位于陶瓷基板1下侧的固晶区域，陶瓷基板1分二层压合形成凹杯形反射腔体7，银胶5将红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔体7之中，前述三种晶片通过金线6分别连接到陶瓷基板1的电路上；反射腔体7内注入透明硅胶9覆盖金线6和三种晶片，6只引脚10分别设置在陶瓷基板1的边缘。本实用新型能充分混合RGB三基色，混光均匀，陶瓷基板有利于大功率晶片的散热及实现微型化。

Description

陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种LED的封装结构，尤其涉及一种陶瓷基大功率LED的封装结构，属于照明技术领域。
背景技术
目前，白光LED(发光二极管)作为一种新型节能灯光源，以其能耗低、寿命长、亮度高、响应时间短等优点开始得到广泛的应用。大功率白光LED普遍采用蓝色晶片涂敷荧光粉的方法，当荧光粉受蓝光激发后发出黄色光，蓝光和黄光混合形成白光。此种方法所带来的不足是无法实现高光效与高显色性。近来使用RGB(红、绿、蓝)三原色晶片发出的红、绿、蓝三种光混合成白光，但传统结构封装的RGB大功率晶片，又带来混色不均的缺陷。因此，提供一种新型封装结构的红绿蓝LED解决混色不均的缺陷尤为重要。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种红绿蓝LED的封装结构，此种封装结构能避免传统封装结构存在的混色不均缺陷。
本实用新型的目的通过以下技术方案予以实现：
一种陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，包括陶瓷基板1、红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4、金线6、散热热沉8，电路及反射层10通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板1之上，散热热沉8位于陶瓷基板1下侧的固晶区域，所述三种晶片通过金线6分别连接到陶瓷基板1的电路上；所述陶瓷基板1分二层压合形成凹杯形反射腔体7，高导热银胶5将红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔体7之中，反射腔体7内注入透明硅胶9覆盖金线6和所述三种晶片，6只引脚10分别设置在陶瓷基板1的边缘。
本实用新型的目的还可以通过以下技术措施进一步予以实现：
前述的陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，其中所述陶瓷基板1的厚度为0.5～1mm，长、宽为3～5mm；所述陶瓷基板1的导热率为170w/m.K以上，银胶5导热率为20w/m.K以上。
本实用新型的有益效果是：由于本实用新型的陶瓷基板分二层压合形成凹杯形反射腔体7，红、绿、蓝晶片侧部所发出的光通过反射腔体从正向射出，能充分混合红、绿、蓝三基色，出光均匀，避免了传统封装结构混光不均匀现象。由于本实用新型陶瓷基板的导热率高达170w/m.K以上，且陶瓷基板下设有高导热率的铜质或铝质的散热热沉，有利于大功率晶片的散热。陶瓷基板热形变系数极低，可切割成厚度在0.5～1mm，长宽在3～5mm的微小的单个发光单元，易于实现微型化。
附图说明
图1是本实用新型的俯视结构示意图；
图2是图1的A-A剖视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1、图2所示，本实用新型包括陶瓷基板1、边长在30mil(1mil＝1/1000英寸＝0.0254mm)以上的红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4、金线6、散热热沉8，电路及反射层10通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板1之上，散热热沉8位于陶瓷基板1下侧的固晶区域，红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4分别用金线6焊接到陶瓷基板1的电路上，6只引脚10分别设置在陶瓷基板1的边缘，分开单独控制红、绿、蓝三种颜色的发光晶片。陶瓷基板1分二层压合形成凹杯形反射腔体7，红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4侧部所发出的光通过反射腔体7从正向射出，能充分混合红、绿、蓝三基色，出光均匀，混光效果好。高导热银胶5将红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4呈品字形固定在陶瓷基板1凹杯形反射腔体7之中，反射腔体7内注入透明硅胶9覆盖金线6和红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4，并进行烘烤固化，红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4三种晶片发光经充分混合形成白光，也可根据发光颜色需求，调节红色晶片2、绿色晶片3、蓝色晶片4三种晶片的驱动电流，混合成不同的颜色。
本实用新型采用的陶瓷基板导热率高达170w/m.K以上，银胶导热率达到20w/m.k，有利于大功率晶片的散热。并且陶瓷基板热形变系数极低，可将本实用新型其切割成厚度在0.5～1mm，长宽尺寸在3～5mm的微小的单个发光单元，易于实现红绿蓝LED产品的微型化。
除上述实施例外，本实用新型还可以有其他实施方式，凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型要求的保护范围内。

Claims (3)

1.一种陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，包括陶瓷基板(1)、红色晶片(2)、绿色晶片(3)、蓝色晶片(4)、金线(6)、散热热沉(8)，电路及反射层(10)通过蚀刻镀银方式设置在陶瓷基板(1)之上，散热热沉(8)位于陶瓷基板(1)下侧的固晶区域，红色晶片(2)、绿色晶片(3)和蓝色晶片(4)、通过金线(6)分别连接到陶瓷基板(1)的电路上；其特征在于，所述陶瓷基板(1)分二层压合形成凹杯形反射腔体(7)，高导热银胶(5)将红色晶片(2)、绿色晶片(3)和蓝色晶片(4)呈品字形固定在陶瓷基板(1)凹杯形反射腔体(7)之中，反射腔体(7)内注入透明硅胶(9)覆盖金线(6)和红色晶片(2)、绿色晶片(3)、蓝色晶片(4)，6只引脚(10)分别设置在陶瓷基板(1)的边缘。
2.如权利要求1所述的陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板(1)的厚度为0.5～1mm，长、宽为3～5mm。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷基大功率红绿蓝LED的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板(1)的导热率为170w/m.K以上，银胶(5)导热率为20w/m.K以上。
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