CN103579211B - 发光二极管封装 - Google Patents

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Abstract

公开一种发光二极管封装，该发光二极管封装具有简化的结构和高的颜色再现性。发光二极管封装包括：封装主体；容纳在封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；引线框，其电连到第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，引线框用于根据第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层，其配置为覆盖第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，光变换层用于将从第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。

Description

发光二极管封装
技术领域
本发明涉及发光二极管封装，并且更具体地涉及不仅实现简化的电路结构、而且实现高的颜色再现性的发光二极管封装。
背景技术
随着信息时代的发展，针对显示设备的需求逐渐增加。相应地，在近些年中，诸如液晶显示器（LCD）、等离子体显示器（PDP）、电致发光显示器（ELD）和有机发光设备（OLED）的各种平板显示设备已经得到应用。
在前述显示设备中，液晶显示设备通过使用电场来调整液晶的透光率而显示图像。为此，液晶显示设备包括了在薄膜晶体管基板和滤色器基板之间设置液晶单元的液晶显示面板、向液晶显示面板照射光的背光单元、和驱动背光单元和液晶单元的驱动电路。
如上所述的液晶显示设备不是自照明设备，并因此背光单元设置在液晶显示面板的下面。作为光源，背光单元使用例如发光二极管（LED）封装、冷阴极荧光灯（CCFL）、热阴极荧光灯（HCFL）和外部电极发光灯（EEFL）。
具体地说，发光二极管封装包括主体、在主体的凹进处安装的R、G和B发光二极管芯片、经由导线电连接到R、G和B发光二极管芯片的引线框、和覆盖R、G和B发光二极管芯片的树脂材料。
如上所述，发射白光的单个发光二极管封装包括发射红光的R发光二极管芯片、发射绿光的G发光二极管芯片和发射蓝光的B发光二极管芯片。当R、G和B发光二极管芯片安装在单个发光二极管封装中时，导线的数量相应地增加，并且对3个各自的发光二极管芯片施加不同电流的复杂的电路结构是必要的。而且，提供R、G和B发光二极管芯片造成成本增加。
为了解决上述问题，希望的是，发光二极管封装包括单个发光二极管芯片和覆盖发光二极管的多种荧光物质。该发光二极管封装经由从单个发光二极管芯片发射的单个波长的光和从多种荧光物质发射的光的组合而发射白光。在该情况下，尽管使用多种荧光物质的混合物，但荧光物质对在宽的发光波长范围内实现高的颜色再现性存在限制。
因此，存在着针对能够实现简化的电路结构和高的颜色再现性的发光二极管封装的需要。
发明内容
因此，本发明致力于一种发光二极管封装，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点所导致的一个或更多个问题。
本发明的目的是提供一种不仅可以实现简化的电路结构、而且实现高的颜色再现性的发光二极管封装。
本发明的其他优点、目的以及特征的一部分将在随后的说明中进行阐述，而一部分在由本领域普通技术人员研究了下面的内容后会变得清楚，或者可以通过实施本发明而获知。本发明的上述目的和其他优点可以由在说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构而实现并获得。
为了实现这些目的和其他优点，并且根据本文中所具体体现和广泛描述的发明宗旨，本发明提供一种发光二极管封装，其包括：封装主体；容纳在所述封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；引线框，其电连接到所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述引线框用于根据所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层，其配置为覆盖所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，所述光变换层用于将从所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。
第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的每一个可以包括：基板；形成在基板上的缓冲层；形成在缓冲层上的N型氮化物半导体层；形成在N型氮化物半导体层上的多量子阱有源层；形成在有源层上的P型氮化物半导体层；连接到P型氮化物半导体层的P型电极；和连接到N型氮化物半导体层的N型电极。
引线框可以包括：凹进处，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在凹进处中；第一引线框，连接到第一发光二极管芯片的N型电极；第二引线框，连接到第一发光二极管芯片的P型电极；第三引线框，连接到第二发光二极管芯片的N型电极；和第四引线框，连接到第二发光二极管芯片的P型电极。
封装主体可以包括：侧壁，配置为包围第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；第一绝缘体，配置为将第一引线框和第二引线框彼此电绝缘；和第二绝缘体，配置为将第三引线框和第四引线框彼此电绝缘。
光变换层可以通过将多个荧光体和树脂混合而形成，并且荧光体可以包括球形或非典型的荧光体，荧光体发射峰值波长处于550nm到660nm的范围的特定单个波长或多个波长的可见光，并且吸收430nm到550nm的波长范围的光。
第一发光二极管芯片可以发射在400nm到460nm的波长范围的光，并可以具有10nm到50nm的半极大处全宽度（FWHM）。
第一发光二极管芯片可以具有这样的操作特性，其中荧光体由第一发光二极管芯片的波长能量激发，来自第一发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的光在坐标系统中具有0.130～0.700的Cx颜色坐标值和0.03～0.350的Cy颜色坐标值。
第二发光二极管芯片可以发射在460nm到550nm的波长范围中的光，并可以具有10nm到50nm的FWHM。
第二发光二极管芯片可以具有这样的操作特性，其中荧光体由第二发光二极管芯片的波长能量激发，来自第二发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的光在坐标系统中具有0.200～0.700的Cx颜色坐标值和0.200～0.730的Cy颜色坐标值。
引线框可以包括：凹进处，第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在凹进处中；第一引线框，连接到第一发光二极管芯片的N型电极；第三引线框，连接到第二发光二极管芯片的N型电极；和第四引线框，连接到第二发光二极管芯片的P型电极，并且第一发光二极管芯片的P型电极可以经由接合线连接到第二发光二极管芯片的P型电极。
封装主体可以包括：侧壁，配置为包围第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；和绝缘体，配置为将第三引线框和第四引线框彼此电绝缘。
树脂可以包括散射光的填料或吸收UV能量或特定波长范围的光的阻挡体。
应当理解，上文对本发明的概述与下文对本发明的详述都是示例性和解释性的，旨在提供对如权利要求所述发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明的进一步的理解并被并入且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式，并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是例示根据本发明的第一实施方式的发光二极管封装的立体图；
图2是例示在图1中例示的发光二极管封装的平面图；
图3是例示在图1中例示的发光二极管封装的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的立体图；
图4是例示在图1中例示的发光二极管封装的第一和第二发光二极管的电路图；
图5A是例示第一发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的光谱图表；
图5B是第一发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的色品图；
图6A是例示第二发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的光谱图表；
图6B是第二发光二极管芯片和荧光体的混合颜色的发光的色品图
图7A是例示第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的混合颜色的发光的光谱图表；
图7B是第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的混合颜色的发光的色品图；
图8是例示根据本发明的第二实施方式的发光二极管封装的立体图；
图9是例示在图8中例示的发光二极管封装的平面图；和
图10是例示在图8中例示的发光二极管封装的第一和第二发光二极管的立体图。
具体实施方式
以下将参照附图详细地描述根据本发明的实施方式。通过下面的详细描述将清楚地理解根据本发明的实施方式的结构和操作效果。在下面的描述中，相同或类似的元件由相同的标号指示，即使这些元件描述在不同的图中。在本发明的下面描述中，当可能使得本发明的主题不提清楚时，将省略这里包含的已知功能和配置的详细描述。
以下将参照图1至10详细地描述本发明的示例性实施方式。
图1是例示根据本发明的第一实施方式的发光二极管封装的立体图，图2是例示在图1中例示的发光二极管封装的平面图，并且图3是例示在图1中例示的发光二极管封装的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的立体图。
如图1所示，根据本发明的第一实施方式的发光二极管封装包括：封装主体110；容纳在封装主体中的第一和第二发光二极管（LED）芯片200和300；引线框结构，包括引线框132至138，经由接合线122至128电连接到第一LED芯片200和第二LED芯片300以根据第一LED芯片200和第二LED芯片300的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层140，配置为覆盖第一LED芯片200和第二LED芯片300，光变换层140用于将从第一LED芯片200和第二LED芯片300发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。
封装主体由杯形侧壁110、第一绝缘体112和第二绝缘体114组成，杯形侧壁110配置为包围第一LED芯片200和第二LED芯片300，第一绝缘体112将第一引线框132和第二引线框134彼此电绝缘，第二绝缘体114配置为将第三引线框136和第四引线框138彼此电绝缘。侧壁110可以涂敷有反射材料以增强反射效率。封装主体由绝缘材料形成以将第一至第四引线框132至138彼此电绝缘。
光变换层140配置为覆盖第一LED芯片200和第二LED芯片300，并与从第一LED芯片200和第二LED芯片300发射的光结合来实现白光的发射。
更具体地说，光变换层140配置为使得多个荧光体140b混合在诸如硅基树脂、环氧基树脂、丙烯基树脂和聚氨基树脂的聚合物树脂140a中。荧光体140b包括球形或非典型的荧光体，荧光体能够发射峰值波长处于550nm到660nm的范围中的单个波长或多个波长的可见光，并且吸收430nm到550nm的波长范围中的光。散射光的填料或吸收UV能量或特定波长范围的光的阻挡体可以添加到树脂140a中。
第一LED芯片200发射400nm到460nm的波长范围中的光，并可以具有10nm到50nm的半极大处全宽度（FWHM）。由于荧光体140b由第一LED芯片200的波长能量激发，来自第一LED芯片200和荧光体140b的混合颜色的光在CIE.1931坐标系统中具有0.130～0.700的颜色坐标值Cx和0.03～0.350的颜色坐标值Cy。
更具体地说，图5A是例示第一LED芯片200和荧光体140b的混合颜色的发光的光谱图表。在图5A中，第一曲线10代表从第一LED芯片200发射的光，并且第二曲线20代表由从第一LED芯片200发射的波长能量激发的荧光体140b的波长范围。来自第一LED芯片200和荧光体140b的混合颜色的光例如在图5B中例示的CIE.1931坐标系统中具有点P1的坐标值。
通过从第一LED芯片200发射的光和从荧光体140b发射的光的组合，在图5B中例示的CIE.1931坐标系统中的第一区域内的点P1的位置可以调整。即，在CIE.1931坐标系统中第一区域内的点P1的位置可以通过调整包括在光变换层140中的荧光体140b的数量或荧光体140b的波长范围而水平地移位。
同时，FWHM指的是全部波长高度的半点的宽度。由于半点的宽度比较狭窄并且波长的峰值在末端尖锐，因此可以完成颜色再现性。根据本发明的第一LED芯片200具有适合于实现颜色再现性的10nm～50nm的FWHM。
第一LED芯片200包括：基板202；形成在基板202上的缓冲层204和206；形成在缓冲层204和206上的N型氮化物半导体层208；形成在N型氮化物半导体层208上的多量子阱（MQW）有源层220；形成在有源层220上的P型氮化物半导体层230；使用透明导电材料在P型氮化物半导体层230上形成的欧姆接触层232；在N型氮化物半导体层208上形成并连接到N型氮化物半导体层208的N型电极210；和在P型氮化物半导体层230上形成并连接到P型氮化物半导体层230的P型电极234。
基板202可以是可透射光的蓝宝石（Al2O3）基板。另选地，基板202可以是金刚砂（SiC）基板、GaN基板等。
缓冲层204和206可以包括形成在基板202上的第一缓冲层204和形成在第一缓冲层204上的第二缓冲层206，第二缓冲层206是未掺杂的氮化物半导体层。第一缓冲层204可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等形成为具有预定的厚度，以减少与基板202的晶格常数差。第二缓冲层206可以是例如由未掺杂的GaN形成的未掺杂的氮化物半导体层。同时，可以形成第一缓冲层204和第二缓冲层206中的任何一个，或者可以省略第一缓冲层204和第二缓冲层206。
N型氮化物半导体层208通过以N型导电掺杂剂掺杂具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组分的氮化物半导体层而形成在第二缓冲层206上。例如，N型氮化物半导体层208通过以N型导电掺杂剂掺杂由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN等形成的氮化物半导体层而形成。
P型氮化物半导体层230通过以P型导电掺杂剂掺杂具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组分的氮化物半导体层而形成在有源层220上。例如，P型氮化物半导体层230通过以P型导电掺杂剂掺杂由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN等形成的氮化物半导体层而形成。
N型电极210形成在N型氮化物半导体层208上并经由第一接合线122连接到第一引线框132。P型电极234形成在P型氮化物半导体层230上并经由第二接合线124连接到第二引线框134。因而，当通过引线框132和134对N型电极210和P型电极234施加电压时，空穴和电子注入到P型电极234和N型电极210。由于将通过在有源层220中的空穴和电子的再结合而产生的额外能量变换为光，因此具有400nm～460nm的波长范围的光从芯片向外发射。
有源层220是通过空穴和电子的再结合而发光的层。有源层220通过控制能带隙而调整光的波长带。有源层220可以由诸如InGaN/GaN、InGaN/InGaN、InGaN/AlGaN或InGaN/InAlGaN的量子阱层和阻挡层的对组成，并可以是MQW层。
第二LED芯片300发射460nm到550nm的波长范围中的光，并可以具有10nm到50nm的FWHM。由于荧光体140b由第二LED芯片300的波长能量激发，来自第二LED芯片300和荧光体140b的混合颜色的光在CIE.1931坐标系统中具有0.200～0.700的颜色坐标值Cx和0.200～0.730的颜色坐标值Cy。
更具体地说，图6A是例示第二LED芯片300和荧光体140b的混合颜色的发光的光谱图表。在图6A中，第一曲线30代表从第二LED芯片300发射的光，并且第二曲线40代表由从第二LED芯片300发射的波长能量激发的荧光体140b的波长范围。来自第二LED芯片300和荧光体140b的混合颜色的光例如在图6B中例示的CIE.1931坐标系统中具有点P2的坐标值。
通过从第二LED芯片300发射的光和从荧光体140b发射的光的组合，在图6B中例示的CIE.1931坐标系统中的第二区域内的点P2的位置可以调整。即，在CIE.1931坐标系统中第二区域内的点P2的位置可以通过调整包括在光变换层140中的荧光体140b的数量或荧光体140b的波长范围而向左或向右移动。
第二LED芯片300包括：基板302；形成在基板302上的缓冲层304和306；形成在缓冲层304和306上的N型氮化物半导体层308；形成在N型氮化物半导体层308上的MQW有源层320；形成在有源层320上的P型氮化物半导体层330；使用透明导电材料在P型氮化物半导体层330上形成的欧姆接触层332；在N型氮化物半导体层308上形成并连接到N型氮化物半导体层308的N型电极310；和在P型氮化物半导体层330上形成并连接到P型氮化物半导体层330的P型电极334。
基板302可以是可透射光的蓝宝石（Al2O3）基板。另选地，基板302可以是金刚砂（SiC）基板、GaN基板等。
缓冲层304和306可以包括形成在基板302上的第一缓冲层304和形成在第一缓冲层304上的第二缓冲层306，第二缓冲层306是未掺杂的氮化物半导体层。第一缓冲层304可以由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、AlInGaN等形成为具有预定的厚度，以减少与基板302的晶格常数差。第二缓冲层306可以是例如由未掺杂的GaN形成的未掺杂的氮化物半导体层。同时，可以形成第一缓冲层304和第二缓冲层306中的任何一个，或者可以省略第一缓冲层304和第二缓冲层306。
N型氮化物半导体层308通过以N型导电掺杂剂掺杂具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组分的氮化物半导体层而形成在第二缓冲层306上。例如，N型氮化物半导体层308通过以N型导电掺杂剂掺杂由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN等形成的氮化物半导体层而形成。
P型氮化物半导体层330通过以P型导电掺杂剂掺杂具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组分的氮化物半导体层而形成在有源层320上。例如，P型氮化物半导体层330通过以P型导电掺杂剂掺杂由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN等形成的氮化物半导体层而形成。
N型电极310形成在N型氮化物半导体层308上并经由第三接合线126连接到第三引线框136。P型电极334形成在P型氮化物半导体层330上并经由第四接合线128连接到第四引线框138。因而，当通过引线框136和138对N型电极310和P型电极334施加电压时，空穴和电子注入到N型电极310和P型电极334。由于将通过在有源层320中的空穴和电子的再结合产生的额外能量变换为光，因此具有460nm～550nm的波长范围的光从芯片向外发射。
有源层320是通过空穴和电子的再结合而发光的层。有源层320通过控制能带隙而调整光的波长带。有源层320可以由诸如InGaN/GaN、InGaN/InGaN、InGaN/AlGaN或InGaN/InAlGaN的量子阱层和阻挡层的对组成，并可以是MQW层。
引线框结构包括凹进处131、第一引线框132和第二引线框134、以及第三引线框136和第四引线框138，凹进处131提供了安装第一LED芯片200和第二LED芯片300的空间，第一引线框132和第二引线框134电连接到第一LED芯片200，第三引线框136和第四引线框138电连接到第二LED芯片300。
更具体地说，第一引线框132经由第一接合线122连接到第一LED芯片200的N型电极210，并且第二引线框134经由第二接合线124连接到第一LED芯片200的P型电极234。第三引线框136经由第三接合线126连接到第二LED芯片300的N型电极310，并且第四引线框138经由第四接合线128连接到第二LED芯片300的P型电极334。第一LED芯片200和第二LED芯片300经由接合线122至128彼此电连接。
在根据本发明的第一实施方式的发光二极管封装100中，引线框结构由第一至第四引线框132至138组成，使得不同值的电流或相同值的电流可以施加到第一LED芯片200和第二LED芯片300。同样，可以根据施加到第一LED芯片200和第二LED芯片300的电流的比率来在CIE.1931坐标系统中的第三区域中进行线性颜色控制，这使得产生优良的颜色再现性。即，通过调整施加到第一LED芯片200和第二LED芯片300的电流，可以实现高的颜色再现性。
以下将参照图7B描述根据本发明的发光二极管封装的操作特性。
首先，第一LED芯片200具有这样的操作特性，其中荧光体140b由第一LED芯片200的波长能量激发，并且来自第一LED芯片200和荧光体140b的混合颜色的光在CIE.1931坐标系统中的Cx颜色坐标值为0.130～0.700并且Cy颜色坐标值为0.03～0.350。例如，来自第一LED芯片200和荧光体140b的混合颜色的光展现出如在CIE.1931坐标系统中的点P1中的操作特性。
第二LED芯片300具有这样的操作特性，其中荧光体140b由第二LED芯片300的波长能量激发，并且来自第二LED芯片300和荧光体140b的混合颜色的光在CIE.1931坐标系统中的Cx颜色坐标值为0.200～0.700并且Cy颜色坐标值为0.200～0.730。例如，来自第二LED芯片300和荧光体140b的混合颜色的光展现出如在CIE.1931坐标系统中的点P2中的操作特性。
通过调整经由第一引线框132和第二引线框134的第一发光二极管芯片200的电流的大小和经由第三引线框136和第四引线框138的第二发光二极管芯片300的电流的大小，在第三区域中的点P3的位置可以垂直地移位。调整在第三区域中的点P3的位置实现了从发光二极管封装100发射的光的颜色控制。按照该方式，可以实现高的颜色再现性。
同时，如图2所示，本发明的发光二极管封装可以是设置了第一至第四引线框的4焊盘型，或者如图9所示，可以是设置了三个引线框的3焊盘型。以下参照图8和9描述3焊盘型的发光二极管封装。
图8是例示根据本发明的第二实施方式的发光二极管封装的立体图，并且图9是例示在图8中例示的发光二极管封装的平面图。
如图8所示，根据本发明的第二实施方式的发光二极管封装包括：封装主体110；容纳在封装主体中的第一LED芯片200和第二LED芯片300；引线框结构，包括引线框132至138，经由接合线122至128电连接到第一LED芯片200和第二LED芯片300以根据第一LED芯片200和第二LED芯片300的电流的比率来调整光的颜色；和光变换层140，配置为覆盖第一LED芯片200和第二LED芯片300，光变换层140用于将从第一LED芯片200和第二LED芯片300发射的光变换为特定波长的光以发射希望波长的光。在该情况中，除了封装主体、引线框结构和接合线以外，根据本发明的第二实施方式的发光二极管封装具有与前面描述的本发明的第一实施方式的配置大致相同的配置，并且因而这里将省略对相同配置的详细描述。
封装主体110由杯形侧壁110和绝缘体116组成，杯形侧壁110配置为包围第一LED芯片200和第二LED芯片300，绝缘体116将第三引线框136和第四引线框138彼此电绝缘。侧壁110可以电镀有反射材料以增强反射效率。封装主体110由绝缘材料形成以将第三引线框136和第四引线框138彼此电绝缘。
引线框结构包括凹进处131、第一引线框132、以及第三引线框136和第四引线框138，凹进处131提供了安装第一LED芯片200和第二LED芯片300的空间，第一引线框132电连接到第一LED芯片200，第三引线框136和第四引线框138电连接到第二LED芯片300。
更具体地说，第一引线框132经由第一接合线122连接到第一LED芯片200的N型电极210，第三引线框136经由第三接合线126连接到第二LED芯片300的N型电极310，并且第四引线框138经由第四接合线128连接到第二LED芯片300的P型电极334。在该情况中，第一LED芯片200的P型电极234经由第二结合线124电连接到第二LED芯片300的P型电极334。
在根据本发明的第二实施方式的发光二极管封装100中，引线框结构由第一至第三引线框组成，使得不同值的电流或相同值的电流可以施加到第一LED芯片200和第二LED芯片300。同样，可以根据施加到第一LED芯片200和第二LED芯片300的电流的比率来在CIE.1931坐标系统中的第三区域中进行线性颜色控制，这使得产生优良的颜色再现性。
根据上面的描述，明显的是，根据本发明的发光二极管封装包括发射不同波长的光的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；包括多个荧光体的光变换层；和引线框结构，其电连接到第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的P型电极和N型电极。
在该情况中，引线框结构是设置了第一至第四引线框的4焊盘型，或者是设置了三个引线框的3焊盘型。利用该配置，可以通过根据第一LED芯片和第二LED芯片的电流的比率调整颜色来实现高的颜色再现性。
而且，通过发射窄的波长范围的可见光的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，可以实现高的颜色再现性。
即使使用两种发光二极管芯片，根据本发明的发光二极管封装也可以实现高的颜色再现性。因此，与包括三个发光二极管芯片的常规发光二极管封装相比，可以减少发光二极管芯片的数量并根据发光二极管芯片的减少的数量来简化电路结构。
对于本领域技术人员明显的是，在不偏离本发明的精神或范围的情况下，可以做出各种变型和修改。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的这些变型和修改。
相关申请的交叉参考
本申请要求2012年8月2日提交的韩国专利申请No.10-2012-0084996的优先权，以引用的方式将其并入本文，如同在此进行了完整阐述一样。

Claims (9)

1.一种发光二极管封装，所述发光二极管封装包括：
封装主体；
容纳在所述封装主体中的第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片，其中，所述第一发光二极管芯片发射在400nm到460nm的波长范围的光并具有10nm到50nm的半极大处全宽度FWHM，并且所述第二发光二极管芯片发射460nm到550nm的波长范围的光并具有10nm到50nm的FWHM；
引线框，其电连接到所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片，所述引线框用于根据所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片的电流的比率来调整光的颜色；和
光变换层，其配置为覆盖所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片并通过将多个荧光体与树脂混合而形成，所述光变换层用于将从所述第一发光二极管芯片和所述第二发光二极管芯片发射的光变换为在550nm到660nm的波长范围的光，
其中，所述荧光体包括球形或非典型的荧光体，所述荧光体发射峰值波长处于550nm到660nm的范围的特定单个波长或多个波长的可见光。
2.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片的每一个包括：
基板；
形成在所述基板上的缓冲层；
形成在所述缓冲层上的N型氮化物半导体层；
形成在所述N型氮化物半导体层上的多量子阱有源层；
形成在所述有源层上的P型氮化物半导体层；
连接到所述P型氮化物半导体层的P型电极；和
连接到所述N型氮化物半导体层的N型电极。
3.根据权利要求2所述的封装，其中，所述引线框包括：
凹进处，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在所述凹进处中；
第一引线框，其连接到所述第一发光二极管芯片的所述N型电极；
第二引线框，其连接到所述第一发光二极管芯片的所述P型电极；
第三引线框，其连接到所述第二发光二极管芯片的所述N型电极；和
第四引线框，其连接到所述第二发光二极管芯片的所述P型电极。
4.根据权利要求3所述的封装，其中，所述封装主体包括：
侧壁，其配置为包围所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；
第一绝缘体，其配置为将所述第一引线框和所述第二引线框彼此电绝缘；和
第二绝缘体，其配置为将所述第三引线框和所述第四引线框彼此电绝缘。
5.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第一发光二极管芯片具有这样的操作特性，其中所述荧光体由所述第一发光二极管芯片的波长能量激发，并且来自所述第一发光二极管芯片和所述荧光体的混合颜色的光在坐标系统中具有0.130～0.700的Cx颜色坐标值和0.03～0.350的Cy颜色坐标值。
6.根据权利要求1所述的封装，其中，所述第二发光二极管芯片具有这样的操作特性，其中所述荧光体由所述第二发光二极管芯片的波长能量激发，并且来自所述第二发光二极管芯片和所述荧光体的混合颜色的光在坐标系统中具有0.200～0.700的Cx颜色坐标值和0.200～0.730的Cy颜色坐标值。
7.根据权利要求2所述的封装，
所述引线框包括：
凹进处，所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片安装在所述凹进处中；
第一引线框，其连接到所述第一发光二极管芯片的所述N型电极；
第三引线框，其连接到所述第二发光二极管芯片的所述N型电极；和
第四引线框，其连接到所述第二发光二极管芯片的所述P型电极，
其中所述第一发光二极管芯片的所述P型电极经由接合线连接到所述第二发光二极管芯片的所述P型电极。
8.根据权利要求7所述的封装，其中，所述封装主体包括：
侧壁，其配置为包围所述第一发光二极管芯片和第二发光二极管芯片；和
绝缘体，其配置为将所述第三引线框和第四引线框彼此电绝缘。
9.根据权利要求1所述的封装，其中，所述树脂包括散射光的填料或吸收UV能量或特定波长范围的光的阻挡体。
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