CN113964253A - 一种手机led闪光灯结构及其制作工艺 - Google Patents

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刘跃斌
盛刚
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Abstract

本发明提出了一种手机LED闪光灯结构及其制作工艺，其结构包括陶瓷基板、晶片和硅胶；所述晶片设置在陶瓷基板中心，所述硅胶设置在陶瓷基板和晶片上方；所述陶瓷基板左右两端各设有台阶状反射壁的陶瓷；所述硅胶内部包括有荧光粉。本发明与传统手机LED闪光灯结构及其制作工艺的结构和工艺上都做出了创新，本发明结构更加简单，发光量更高，能大大减少成本，提高效益。

Description

一种手机LED闪光灯结构及其制作工艺
技术领域
本发明涉及一种手机LED闪光灯结构及其制作工艺，属于手机LED灯领域。
背景技术
手机LED闪光灯目前制作工艺是在DPC（direct plating copper），直接镀铜工艺制作的陶瓷基板上固上LED晶片，为了保证出光角度和均匀性，会在LED四周通过点胶的方式点入荧光粉或者贴上荧光胶膜，再用压膜方式压上一层硅胶，最后再切割成需要尺寸。此过程工艺复杂，而且围白色反射胶时需要工艺严格控制吐胶量。胶量多容易溢到晶片表面，影响发光效率，胶量上不能包裹住晶片四周。
发明内容
本发明的目的在于提供一种手机LED闪光灯结构及其制作工艺，以解决现有技术中的相关技术问题。
一种手机LED闪光灯结构，包括陶瓷基板、晶片和硅胶；所述晶片设置在陶瓷基板中心，所述硅胶设置在陶瓷基板和晶片上方；所述陶瓷基板左右两端各设有台阶状反射壁的陶瓷；所述硅胶内部包括有荧光粉。
一种手机LED闪光灯制作工艺，其步骤包括：
1）通过磨具生产特定形状的基板，基板腔体内在固定晶片；
2）在晶片四周通过点胶的方式点入荧光粉或者贴上荧光胶膜；
3）通过压膜方式压上一层硅胶，并且对硅胶按需要尺寸
进行切割成；
4）对基板进行切割形成需要的陶瓷基板结构。
优选地，所述基板包括有左右各设有两层台阶状反射壁。
优选地，所述步骤4，通过基板的切割第二层台阶状反射壁，形成陶瓷基板结构。
有益效果：
1）本发明简化工艺，将反射壁与陶瓷基板一体成型，反射壁有高反射率，不需要使用传统的白色反射胶。
2）本发明简化涂覆荧光粉工艺，不需要通过喷粉工艺，可以直接通过点胶方式实现，良率更高。
3）本发明的陶瓷基板为半反射壁的结构，出光效率、亮度均匀度、色温均匀性更高。
4）本发明结构更加简单，发光量更高，能大大减少成本，提高效益
附图说明
图1为本发明一种手机LED闪光灯结构示意图；
图2为本发明一种手机LED闪光灯制作工艺示意图；
图3为本发明一种手机LED闪光灯制作工艺示意图；
图4为本发明一种手机LED闪光灯制作工艺示意图；
图中：陶瓷基板1、晶片2和硅胶3。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
一种手机LED闪光灯结构，包括陶瓷基板1、晶片2和硅胶3；所述晶片2设置在陶瓷基板1中心，所述硅胶3设置在陶瓷基板1和晶片2上方；所述陶瓷基板1左右两端各设有台阶状反射壁的陶瓷；所述硅胶3内部包括有荧光粉。
一种手机LED闪光灯制作工艺，其步骤包括：
1）通过磨具生产特定形状的基板，基板腔体内在固定晶片2；
2）在晶片2四周通过点胶的方式点入荧光粉或者贴上荧光胶膜；
3）通过压膜方式压上一层硅胶3，并且对硅胶3按需要尺寸
进行切割成；
4）对基板进行切割形成需要的陶瓷基板1结构。
优选地，所述基板包括有左右各设有两层台阶状反射壁。
优选地，所述步骤4，通过基板的切割第二层台阶状反射壁，形成陶瓷基板1结构。
本发明的具体实施实例，所述两层台阶状反射壁，第一层台阶高度0.2mm，第二层台阶高度0.2-0.4mm，经测试其反射壁反射率达到90%。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种手机LED闪光灯结构，其特征在于，包括陶瓷基板（1）、晶片（2）和硅胶（3）；所述晶片（2）设置在陶瓷基板（1）中心，所述硅胶（3）设置在陶瓷基板（1）和晶片（2）上方；所述陶瓷基板（1）左右两端各设有台阶状反射壁的陶瓷；所述硅胶（3）内部包括有荧光粉。
2.一种手机LED闪光灯制作工艺，其特征在于，其步骤包括：
1）通过磨具生产特定形状的基板，基板腔体内在固定晶片（2）；
2）在晶片（2）四周通过点胶的方式点入荧光粉或者贴上荧光胶膜；
3）通过压膜方式压上一层硅胶（3），并且对硅胶（3）按需要尺寸
进行切割成；
对基板进行切割形成需要的陶瓷基板（1）结构。
3.根据权利要求1所述的一种手机LED闪光灯制作工艺，其特征在于，所述基板包括有左右各设有两层台阶状反射壁。
4.根据权利要求1所述的一种手机LED闪光灯制作工艺，其特征在于，所述步骤4，通过基板的切割第二层台阶状反射壁，形成陶瓷基板（1）结构。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201549499U (zh) * 2009-10-13 2010-08-11 中外合资江苏稳润光电有限公司 陶瓷基大功率红绿蓝led的封装结构
CN201956347U (zh) * 2010-11-30 2011-08-31 浙江彩虹光电有限公司 大功率led
KR20110122620A (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 (주) 아모엘이디 세라믹 기판 제조 방법 및 세라믹 기판을 이용한 반도체 패키지
KR20120009315A (ko) * 2010-07-23 2012-02-01 (주)써모텍 Ｌｅｄ 패키지 제조방법
CN106571419A (zh) * 2016-11-07 2017-04-19 深圳市源磊科技有限公司 一种闪光灯的制作方法
CN208208753U (zh) * 2018-05-15 2018-12-07 深圳市立洋光电子股份有限公司 一种超高光功率密度led光源
CN109473533A (zh) * 2018-11-30 2019-03-15 江苏欧密格光电科技股份有限公司 一种led支架结构及led封装工艺
CN111146324A (zh) * 2019-11-25 2020-05-12 华中科技大学鄂州工业技术研究院 一种超高显色指数白光led器件

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201549499U (zh) * 2009-10-13 2010-08-11 中外合资江苏稳润光电有限公司 陶瓷基大功率红绿蓝led的封装结构
KR20110122620A (ko) * 2010-05-04 2011-11-10 (주) 아모엘이디 세라믹 기판 제조 방법 및 세라믹 기판을 이용한 반도체 패키지
KR20120009315A (ko) * 2010-07-23 2012-02-01 (주)써모텍 Ｌｅｄ 패키지 제조방법
CN201956347U (zh) * 2010-11-30 2011-08-31 浙江彩虹光电有限公司 大功率led
CN106571419A (zh) * 2016-11-07 2017-04-19 深圳市源磊科技有限公司 一种闪光灯的制作方法
CN208208753U (zh) * 2018-05-15 2018-12-07 深圳市立洋光电子股份有限公司 一种超高光功率密度led光源
CN109473533A (zh) * 2018-11-30 2019-03-15 江苏欧密格光电科技股份有限公司 一种led支架结构及led封装工艺
CN111146324A (zh) * 2019-11-25 2020-05-12 华中科技大学鄂州工业技术研究院 一种超高显色指数白光led器件

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