CN202797075U

CN202797075U - 垂直结构白光led芯片

Info

Publication number: CN202797075U
Application number: CN 201220229424
Authority: CN
Inventors: 张昊翔; 万远涛; 金豫浙; 封飞飞; 高耀辉; 李东昇; 江忠永
Original assignee: Hangzhou Silan Azure Co Ltd
Current assignee: Hangzhou Silan Azure Co Ltd
Priority date: 2012-05-18
Filing date: 2012-05-18
Publication date: 2013-03-13
Anticipated expiration: 2022-05-18

Abstract

本实用新型揭示了一种垂直结构白光LED芯片，该垂直结构白光LED芯片包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；外延层，所述外延层设置于所述衬底的第一表面上；荧光粉混合层，所述荧光粉混合层设置在所述外延层上；第一电极，所述第一电极设置于部分所述外延层上并与所述外延层相连；第二电极，所述第二电极与所述衬底相连，所述第一电极和所述第二电极用于对所述外延层施加电压，使电流垂直经过所述外延层；电极金属球，所述电极金属球位于所述荧光粉混合层中的第一电极上，所述电极金属球用于将所述第一电极电流的引出。本实用新型得到色温一致的垂直结构白光LED芯片，并在芯片级出射白光，大大提高了白光的生产效率。

Description

垂直结构白光LED芯片

技术领域

本实用新型涉及发光二级管(LED)制造领域，特别是涉及一种垂直结构白光LED芯片。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，简称LED)根据不同发光材料的化学结构和属性，分为无机LED(一般称为LED)和有机LED(一般称为OLEDs)。1993年，蓝色氮化镓(GaN)LED技术获得突破，在此基础上1996年实现了无机LED白光发射。由于白光LED具有低电压驱动、全固态、低功耗、长效可靠等优点，白光LED器件在照明相关领域的应用研究都受到了学术和产业界的高度重视。因为白光LED是一种符合环保节能绿色照明理念的高效光源，因此，目前以白光LED为主的半导体照明技术(第四代照明技术)在全世界范围内得到了大力的推动和发展，正在形成巨大的产业。白光LED器件实现白光的方式主要有三种：1.蓝光LED芯片激发黄色荧光粉，通过复合得到白光；2.紫外LED激发红、绿、蓝三基色荧光粉，通过复合得到白光；3.红、绿、蓝三基色LED多芯片通过集成封装从而得到白光。目前最常见的白光LED实现方式是色转换型，即在蓝光LED芯片表面涂敷一层黄色荧光粉。现阶段的白光LED的封装一般都采用点胶工艺，即在单颗蓝光LED芯片上涂覆硅胶与钇铝石榴石(Yttrium Aluminum Garnet，简称YAG)系黄色荧光粉的混合体实现白光的发射，采用该方法实现的荧光粉涂覆技术，不仅生产效率不高，而且同批次的产品色温差异大。在后续的制程中，白光LED固定于杯碗正中央并进行固晶过程，LED晶圆在固晶的过程由于设备精度的问题，不能保证晶圆粘在杯碗的正中间，对于涂覆相同厚度的硅胶与荧光粉得混合物层，由于芯片未在中间，导致两边的光程差不一样从而产生颜色的不均匀性。

因此，如何提供一种色温分布均匀的白光LED芯片，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种垂直结构白光LED芯片，以解决现有的垂直结构白光LED芯片在涂覆硅胶与荧光粉得混合物层的后存在光程差而产生颜色的不均匀性问题，提高了色温分布的均匀性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种垂直结构白光LED芯片，包括：

衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；

外延层，所述外延层设置于所述衬底的第一表面上；

荧光粉混合层，所述荧光粉混合层设置在所述外延层上；

第一电极，所述第一电极设置于部分所述外延层上并与所述外延层相连；

第二电极，所述第二电极与所述衬底相连；

电极金属球，所述电极金属球位于所述荧光粉混合层中的第一电极上。

较佳的，所述垂直结构白光LED芯片还包括反射层和焊料层，所述衬底为导电衬底，所述焊料层设置于所述衬底的第二表面上，所述第二电极设置于所述焊料层和所述衬底之间，所述反射层设置于所述衬底和所述外延层之间。

较佳的，所述垂直结构白光LED芯片还包括反射层和焊料层，所述衬底为导电衬底，所述第二电极设置于所述衬底和所述外延层之间，所述反射层设置于所述衬底与所述第二电极之间，所述焊料层设置于所述衬底的第二表面上。

较佳的，所述垂直结构白光LED芯片还包括导电层和焊料层，所述衬底为非导电衬底，所述第二电极设置于所述外延层旁并设置于所述衬底的第一表面上，所述导电层设置于所述衬底与所述外延层和所述第二电极之间，所述第二电极上也设置有一电极金属球，所述焊料层位于所述衬底的第二表面上。

较佳的，所述荧光粉混合层的材质包含荧光粉和粘结胶水。

较佳的，所述荧光粉为黄色荧光粉、绿色荧光粉及红色荧光粉中一种或几种的组合。

较佳的，所述粘结胶水包括硅树脂、变性硅树脂、环氧树脂、变性环氧树脂及丙稀树脂中的一种或其组合。

较佳的，所述荧光粉混合层的厚度为5um～100um。

较佳的，所述荧光粉混合层的大小尺寸等于所述外延层的大小尺寸，或大于所述外延层的大小尺寸并包裹所述外延层的侧壁。

较佳的，所述荧光粉混合层的大小尺寸为24mil*24mil、20mil*40mil、35mil*35mil、38mil*38mil、40mil*40mil、45mil*45mil或60mil*60mil相当的大小尺寸。

较佳的，所述电极金属球的高度为5um～300um。

较佳的，所述电极金属球的材料为金属或合金，所述金属为金、铝、铜、银、锑或锡，所述合金为铝硅合金、铝铜合金、锡铜合金、锡银铜合金或铝硅铜合金。

较佳的，所述电极金属球的上表面与所述荧光粉混合层的上表面位于同一平面上。

较佳的，所述外延层包括自上至下依次层叠设置的第一限制层、发光外延层和第二限制层。

较佳的，所述发光外延层为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层。

较佳的，所述垂直结构白光LED芯片还包括粗化层，所述粗化层设置于所述外延层上。

较佳的，所述外延层的材料包括氮化镓基材料、磷化镓基材料、镓氮磷基材料或氧化锌基材料。

较佳的，所述垂直结构白光LED芯片还包括钝化层，所述钝化层设置在所述外延层和所述荧光粉混合层之间。

较佳的，所述钝化层的材料包括氮化硅、二氧化硅、氮化铝或氧化铝。

与现有技术相比，本实用新型提供的垂直结构白光LED芯片具有以下优点：

1.本实用新型所述的垂直结构白光LED芯片中，所述荧光粉混合层直接涂敷在外延层和连接外延层的电极上，避免了LED晶圆在固晶的过程不能保证晶圆粘在杯碗的正中间导致的两边的光程差不一样的问题，进而避免产生颜色的不均匀性的问题，降低同批次的产品色温差异，形成色温一致的白光LED。

2.本实用新型所述的垂直结构白光LED芯片中，通过直接在外延层和连接外延层的电极上设置荧光粉混合层，并设置了电极金属球以保证电极电流的引出，利用外延层激发出蓝紫光或紫外光，该蓝紫光或紫外光激发荧光粉混合层，使得所述垂直结构白光LED芯片在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率。

附图说明

图1为本实用新型第一实施例的垂直结构白光LED芯片的结构的截面图；

图2为本实用新型第二实施例的垂直结构白光LED芯片的结构的截面图；

图3为本实用新型第三实施例的垂直结构白光LED芯片的结构的截面图。

其中，101，301、衬底；102、外延层；103、荧光粉混合层；104、第一电极；105、第二电极；106、电极金属球；111、焊料层；112、反射层；113、第一限制层；114、发光层；115、第二限制层；116、粗化层；117、钝化层；311、导电层。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的垂直结构白光LED芯片进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

本实用新型的核心思想在于，提供一种垂直结构白光LED芯片，该垂直结构白光LED芯片中所述荧光粉混合层直接涂敷在外延层和连接外延层的电极上，并设置了电极金属球以保证电极与该垂直结构白光LED芯片外部的通电，以避免LED晶圆在固晶的过程不能保证晶圆粘在杯碗的正中间导致的两边的光程差不一样的问题，进而避免产生颜色的不均匀性的问题，降低同批次的产品色温差异，形成色温一致的白光LED，并在芯片级发出白光，以提高白光的生产效率。

结合上述核心思想，本实用新型提供一种垂直结构白光LED芯片，包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；外延层，所述外延层设置于所述衬底的第一表面上；荧光粉混合层，所述荧光粉混合层设置在所述外延层上；第一电极，所述第一电极设置于部分所述外延层上并与所述外延层相连；；第二电极，所述第二电极与所述衬底相连，所述第一电极和所述第二电极用于对所述外延层施加电压，使电流垂直经过所述外延层；电极金属球，所述电极金属球部分位于所述荧光粉混合层中，并位于所述第一电极上，所述电极金属球用于将所述第一电极电流的引出。

以下列举所述垂直结构白光LED芯片的几个实施例，以清楚说明本实用新型的内容，应当明确的是，本实用新型的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本实用新型的思想范围之内。

【第一实施例】

以下请参考图1，其为本实用新型第一实施例的垂直结构白光LED芯片的结构的截面图。

本实用新型所述垂直结构白光LED芯片包括：衬底101、荧光粉混合层103、第一电极104、第二电极105、电极金属球106、焊料层111、反射层112、外延层102、粗化层116以及钝化层117。

如图1所示，在本实施例中，所述衬底101为导电衬底，衬底101可以从以下一组材料中选出，该组材料包括：砷化镓、磷化镓、金属或合金，在较佳的实施例中，衬底101选取金属，因为金属不仅具有高导电率，并且导热性好，有利于该垂直结构白光LED芯片的散热。衬底101具有第一表面和第二表面。

第二电极105设置在衬底101的第二表面上，较佳的实施例为由钯(Pd)/金(Au)依次沉积而成，为外延层102施加电压。此外，所述第二电极105的材质还可以为钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)。

第二电极105下方还设置有一层焊料层111。在本实施例中，焊料层111为金属焊料层，用于第二电极105的电流的引出。

反射层112设置在衬底101的第一表面上。反射层112的材料采用高反射光的材料，较佳的，反射层112为金属，可以反射外延层102发出的光，提高该垂直结构白光LED芯片的出光率，并且金属的导电性好。

外延层102设置于衬底101的第一表面上，由于在本实施例中在衬底101上设置了反射层112，所以外延层102设置于反射层112上。外延层102的材料可以为氮化镓基材料、磷化镓及材料、镓氮磷基材料或氧化锌基材料。外延层102包括自下至上依次层叠设置的第一限制层113、发光外延层114和第二限制层115，发光外延层114为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层。在本实施例中，第一限制层113为P型氮化镓(GaN)层结构，发光外延层114为氮化铝镓(AlGaN)多量子阱有源层，第二限制层115为N型AlGaN层，本实施例中的外延层102的结构并不限于P型GaN层结构-AlGaN多量子阱有源层-N型AlGaN层，其它可以激发紫外光或蓝紫光的外延层结构，如P型GaN层-(InGaN)/GaN多量子阱有源层-N型GaN层也在本实用新型的思想范围内。另外，外延层102上有一层粗化层116，因为在本实施例中外延层102最上层为第二限制层115，所以对第二限制层115表面进行粗化以得到粗化层116，从而提高该垂直结构白光LED芯片的发光效率。粗化层116可以通过湿法腐蚀粗化、干法刻蚀粗化以及生长光子晶体的方法得到。较佳的，可以在外延层102中额外设置缓冲层或电子阻挡层，以提高垂直结构白光LED芯片的性能。

第一电极104设置于部分外延层102上的荧光粉混合层103中，并与外延层102相连。在本实施例中，由于设置了钝化层117，所以钝化层117覆盖第一电极104。由于本实施例中外延层102上有一层粗化层116，所以第一电极104设置于粗化层116部分的表面上，由钛(Ti)/铝(Al)/钼(Mo)/金(Au)依次沉积而成。本实施例中的第一电极104的材质并不限于钛(Ti)/铝(Al)/钼(Mo)/金(Au)，如钛(Ti)/铂(Pt)/金(Au)等也在本实用新型的思想范围内。在本实施例中，第一电极104和第二电极105分别位于外延层102两侧，用于对外延层102施加电压，使得电流几乎全部垂直流过外延层102，没有横向流动的电流。因此，电阻降低，没有电流拥塞，电流分布均匀，充分利用发光外延层114，电流产生的热量减小，电压降低，抗静电能力提高。

电极金属球106部分位于荧光粉混合层103中，并位于第一电极104上，电极金属球106用于将第一电极104电流的引出。电极金属球106的高度为5um～300um，较佳的为20um、30um、35um、40um、50um、100um、150um、200um、250um。电极金属球106的材料为金属或合金，其中，金属为金、铝、铜、银、锑或锡，合金为铝硅合金、铝铜合金、锡铜合金、锡银铜合金或铝硅铜合金。在本实施例中，第一电极104和电极金属球106各为两个以满足垂直结构白光LED芯片的电压需求，但并不限于这个数量，如四个也在本实用新型的思想范围内。电极金属球106表面没有荧光粉混合层103以保证对第一电极104电流的引出，较佳的，电极金属球106表面与荧光粉混合层103的表面位于同一水平面。

钝化层117设置在外延层102和荧光粉混合层103之间，以保护第一电极104和外延层102。由于外延层102上设置有第一电极104和电极金属球106，所以钝化层117覆盖第一电极104和部分电极金属球106。钝化层117为的材料氮化硅、二氧化硅、氮化铝或氧化铝。钝化层117部分覆盖电极金属球106以保证电极金属球106对第一电极104电流的引出。

荧光粉混合层103设置在外延层102上，由于在本实施例中的外延层102上设置有钝化层，所以荧光粉混合层103设置在钝化层117，并部分覆盖电极金属球106。荧光粉混合层102的材料包含荧光粉和粘结胶水，其中，荧光粉可以为黄色荧光粉、绿色荧光粉及红色荧光粉中的一种或几种的组合，粘结胶水具有一定黏度和硬度，所述粘结胶水为硅树脂、变性硅树脂、环氧树脂、变性环氧树脂、丙稀树脂，或至少包含上述树脂中的一种的混合树脂。较佳的，荧光粉为YAG系以及原硅酸钡(Barium ortho-Silicate，简称BOS)系荧光粉。荧光粉混合层的厚度为5um～100um，较佳的为10um、15um、20um、30um、35um、40um、50um、100um。为得到不同色温的垂直结构白光LED芯片，该荧光粉与粘结胶水的配比一定的范围内调整，并且荧光粉混合层103的厚度与电极金属球106的高度在一定的范围内适当调整，以保证电极金属球106对第一电极104电流的引出。荧光粉混合层103的大小尺寸等于外延层102的尺寸，或大于外延层102的尺寸以便形成侧壁的包裹，荧光粉混合层103的大小尺寸为24mil*24mil、20mil*40mil、35mil*35mil、38mil*38mil、40mil*40mil、45mil*45mil或60mil*60mil(密耳)相当的大小尺寸。在本实施例中，大小尺寸指的为水平方向的横截面积。在本实施例中，荧光粉混合层103为配置比例为10∶1的硅树脂与黄色荧光粉(YAG)的混合体，较佳的，还可选择配置比例为10∶1∶0.2的硅树脂与黄色荧光粉(YAG)以及氮化物红色荧光粉的混合体。

在本实施例中，实现荧光粉混合层103的过程为：配置比例为10∶1的硅树脂与黄色荧光粉(YAG)的混合体之后，在真空箱中抽真空，抽出硅树脂与黄色荧光粉混合体之间的空气气泡。利用金丝球焊机，在整片激发蓝光的LED晶圆的第一电极104上焊上电极金属球106，电极金属球106的高度为35um，并制备钝化层117。将配置好的荧光粉与硅树脂的混合体均匀的涂覆在LED晶圆的表面，采用涂刷器使其平坦化。之后将LED晶圆放在150℃的烘烤盘上烘烤1h进行固化，在化学机械研磨(CMP)抛光机中对固化后的硅树脂与荧光粉混合体进行粗抛光，达到一定厚度后在测试机中进行芯片的点测，对表面的硅树脂与荧光粉的涂层进行微抛，待整片晶圆的LED色温基本一致后停止抛光，得到具有一定厚度荧光粉混合层103。通过激光划片机对芯片进行切割，得到单芯片具有荧光粉混合层103的垂直结构白光LED芯片。本实用新型中，硅树脂与荧光粉的混合体的固化既可以是在烘烤盘上固化，也可以是在烘箱中固化。将涂覆好的硅树脂与荧光粉涂覆在LED晶圆表面之后的平坦化，可以用涂刷器使其平坦化，也可以利用其自重使其表面平坦化。固化后的硅树脂或者环氧树脂可以用于机械抛光。因为在外延层102上制备了钝化层117，所以钝化层117不存在电极，可以直接在钝化层117上进行硅树脂与荧光粉的混合体的涂覆、固化及抛光，并通过对芯片测试来精确控制LED芯片的色温。

在本实施例中，该垂直结构白光LED芯片中外延层102被激发出蓝紫光或紫外光，该蓝紫光或紫外光激发荧光粉混合层103直接在芯片级发出白光，形成色温一致的白光LED，大大提高了白光的生产效率。

【第二实施例】

本实用新型第二实施例为第一实施例的修改例。以下请参考图2，其为本实用新型第二实施例的垂直结构白光LED芯片的结构的截面图。在图中，相同的参考标号表示等同于图1中标号。

如图2所示，第二实施例在第一实施例的基础上，区别在于第二电极105位于衬底101的第一表面上，并位于衬底101和外延层102之间，衬底101与第二电极105之间有一层反射层112，衬底101的第二表面上还设置有一层焊料层111。第二实施例设置反射层112和焊料层111的作用与第一实施例中的作用相同。在第二实施例中，同样可以利用外延层102激发出蓝紫光或紫外光，该蓝紫光或紫外光激发荧光粉混合层103直接在芯片级发出白光，形成色温一致的白光LED，大大提高了白光的生产效率，并且第二电极105更接近外延层102，从而达到提高发光效率的有益效果。

【第三实施例】

本实用新型第三实施例为第一实施例的修改例。以下请参考图3，其为本实用新型第三实施例的垂直结构白光LED芯片的结构的截面图。在图中，相同的参考标号表示等同于图1中的标号。

如图3所示，第三实施例与第一实施例的区别在于，衬底301为非导电衬底，第二电极105位于外延层102旁的衬底301的第一表面上，衬底301与外延层102和第二电极105之间设置一层导电层311，导电层311用于外延层102和第二电极105之间的导电连通，第二电极105上也设置有电极金属球106，焊料层111位于衬底301的第二表面上。在较佳的实施例中，导电层311的材质选择金属材料，因为金属不仅可以用于导电连通，并且可以反射外延层发出的光，提高该垂直结构白光LED芯片的出光率。非导电衬底是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于：蓝宝石、硅晶片、碳化硅、氧化镁或氧化锌。在第三实施例中，同样可以利用外延层102激发出蓝紫光或紫外光，该蓝紫光或紫外光激发荧光粉混合层103直接在芯片级发出白光，形成色温一致的白光LED，大大提高了白光的生产效率。

本实用新型第一实施例和第二实施例是基于传统垂直结构白光LED芯片，将荧光粉混合层直接涂敷在外延层和连接外延层的电极上，并设置了电极金属球以保证电极电流的引出，利用外延层激发出蓝紫光或紫外光，该蓝紫光或紫外光激发荧光粉混合层，使得所述垂直结构白光LED芯片在芯片级发出白光。本实用新型第三实施例是基于新型垂直结构白光LED芯片，将荧光粉混合层直接涂敷在外延层和连接外延层的电极上，并设置了电极金属球以保证电极电流的引出，利用发光外延层激发出蓝紫光或紫外光，该蓝紫光或紫外光激发荧光粉混合层，使得所述垂直结构白光LED芯片在芯片级出射白光。应注意，本实用新型不限于上述三个实施例，其它利用荧光粉混合层和电极金属球，实现在芯片级出射白光的垂直结构白光LED芯片亦在本实用新型的思想范围之内。

综上所述，本实用新型所述垂直结构白光LED芯片，与现有技术相比，本实用新型提供的垂直结构白光LED具有以下优点：

1.本实用新型所述的垂直结构白光LED芯片中，所述荧光粉混合层直接涂敷在外延层和连接外延层的电极上，避免了LED晶圆在固晶的过程不能保证晶圆粘在杯碗的正中间，导致的两边的光程差不一样的问题，进而避免从而产生颜色的不均匀性的问题，降低同批次的产品色温差异，形成色温一致的白光LED；

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims

1.一种垂直结构白光LED芯片，包括：

衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；

外延层，所述外延层设置于所述衬底的第一表面上；

荧光粉混合层，所述荧光粉混合层设置在所述外延层上；

第二电极，所述第二电极与所述衬底相连；

2.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述垂直结构白光LED芯片还包括反射层和焊料层，所述衬底为导电衬底，所述焊料层设置于所述衬底的第二表面上，所述第二电极设置于所述焊料层和所述衬底之间，所述反射层设置于所述衬底和所述外延层之间。

3.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述垂直结构白光LED芯片还包括反射层和焊料层，所述衬底为导电衬底，所述第二电极设置于所述衬底和所述外延层之间，所述反射层设置于所述衬底与所述第二电极之间，所述焊料层设置于所述衬底的第二表面上。

4.如权利要求1所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述垂直结构白光LED芯片还包括导电层和焊料层，所述衬底为非导电衬底，所述第二电极设置于所述外延层旁并设置于所述衬底的第一表面上，所述导电层设置于所述衬底与所述外延层和所述第二电极之间，所述第二电极上也设置有一电极金属球，所述焊料层设置于所述衬底的第二表面上。

5.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述荧光粉混合层的厚度为5um~100um。

6.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述荧光粉混合层的大小尺寸等于所述外延层的大小尺寸，或大于所述外延层的大小尺寸并包裹所述外延层的侧壁。

7.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述荧光粉混合层的大小尺寸为24mil*24mil、20mil*40mil、35mil*35mil、38mil*38mil、40mil*40mil、45mil*45mil或60mil*60mil的大小尺寸。

8.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述电极金属球的高度为5um~300um。

9.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述电极金属球的材料为金属或合金，所述金属为金、铝、铜、银、锑或锡，所述合金为铝硅合金、铝铜合金、锡铜合金、锡银铜合金或铝硅铜合金。

10.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述电极金属球的上表面与所述荧光粉混合层的上表面位于同一平面上。

11.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述外延层包括自上至下依次层叠设置的第一限制层、发光外延层和第二限制层。

12.如权利要求11所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述发光外延层为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱有源层。

13.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述垂直结构白光LED芯片还包括粗化层，所述粗化层设置于所述外延层上。

14.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述外延层的材料包括氮化镓基材料、磷化镓基材料、镓氮磷基材料或氧化锌基材料。

15.如权利要求1-4中任何一项所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述垂直结构白光LED芯片还包括钝化层，所述钝化层设置在所述外延层和所述荧光粉混合层之间。

16.如权利要求15所述的垂直结构白光LED芯片，其特征在于，所述钝化层的材料包括氮化硅、二氧化硅、氮化铝或氧化铝。