JP6280225B2 - メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム - Google Patents

メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム Download PDF

Info

Publication number
JP6280225B2
JP6280225B2 JP2016542009A JP2016542009A JP6280225B2 JP 6280225 B2 JP6280225 B2 JP 6280225B2 JP 2016542009 A JP2016542009 A JP 2016542009A JP 2016542009 A JP2016542009 A JP 2016542009A JP 6280225 B2 JP6280225 B2 JP 6280225B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
oxide
magnetic
getter
oxide region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016542009A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016534576A (ja
Inventor
エス． サンデュ，ガーテ
エス． サンデュ，ガーテ
クラ，ヴィトルド
Original Assignee
マイクロン テクノロジー， インク．
マイクロン テクノロジー， インク．
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by マイクロン テクノロジー， インク．, マイクロン テクノロジー， インク． filed Critical マイクロン テクノロジー， インク．
Publication of JP2016534576A publication Critical patent/JP2016534576A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6280225B2 publication Critical patent/JP6280225B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1673—Reading or sensing circuits or methods
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
    • G11C11/165—Auxiliary circuits
    • G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/80—Constructional details
    • H10N50/85—Magnetic active materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Description

本出願は、２０１３年９月１３日に出願された米国特許出願整理番号１４／０２６，６２７“ＭＥＭＯＲＹ ＣＥＬＬＳ，ＭＥＴＨＯＤＳ ＯＦ ＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮ，ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＤＥＶＩＣＥＳ，ＭＥＭＯＲＹ ＳＹＳＴＥＭＳ，ＡＮＤ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＳＹＳＴＥＭＳ”の出願日の利益を享受する権利を主張する。
本開示は、種々の実施形態において、概して、メモリデバイスの設計および製造の分野に関する。より詳細には、本開示は、スピントルクトランスファー磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）セルとして特徴づけられるメモリセルの設計および製造に関する。
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は、磁気抵抗に基づいた不揮発性コンピュータメモリ技術である。ＭＲＡＭセルの一種は、スピントルクトランスファーＭＲＡＭ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）セルであり、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、基板によって支持される磁性セルコアを含む。磁性セルコアは、例えば、“固定領域（ｆｉｘｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）”および“自由領域（ｆｒｅｅ ｒｅｇｉｏｎ）”などの少なくとも二つの磁性領域を含み、その間に非磁性領域（例えば、トンネルバリア領域として構成された酸化物領域）を有する。自由領域および固定領域は、その領域の幅にわたって、水平方向に配向される（“平面内（ｉｎ−ｐｌａｎｅ）”）か、または垂直方向に配向された（“平面外（ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ）”）磁性配向（方位、ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）を示すことがある。固定領域は、実質的に固定された（例えば、スイッチングできない）磁性配向を有する磁性材料を含む。一方、自由領域は、“平行な”配置と“反平行な”配置との間でセル動作中に、スイッチングされ得る磁性配向を有する磁性材料を含む。平行な配置においては、固定領域および自由領域の磁性配向は、同一方向に向けられる（例えば、其々、北と北、東と東、南と南または西と西）。反平行な配置においては、固定領域および自由領域の磁性配向は、逆方向に向けられる（例えば、其々、北と南、東と西、南と北、または西と東）。平行な配置においては、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、磁気抵抗素子（例えば、固定領域および自由領域）にわたって、より低い電気抵抗を示す。この低電気抵抗状態は、ＭＲＡＭセルの“０”の論理状態として定義されてもよい。反平行な配置においては、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、磁気抵抗素子にわたって、より高い電気抵抗を示す。この高電気抵抗状態は、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの“１”の論理状態として定義されてもよい。
自由領域の磁性配向のスイッチングは、磁性セルコアおよびその中の固定領域と自由領域にプログラミング電流を通すことによって達成されてもよい。固定領域は、プログラミング電流の電子スピンを分極させ、スピン分極した電流がコアを通ると、トルクが作り出される。スピン分極した電子流は、自由領域にトルクを及ぼす。コアを通るスピン分極した電子流のトルクが、自由領域の臨界スイッチング電流密度（Ｊｃ）よりも大きいとき、自由領域の磁性配向の方向はスイッチングされる。したがって、プログラミング電流は、磁性領域にわたって電気抵抗を変化させるために使用することができる。結果として生じる、磁気抵抗素子にわたる高電気抵抗状態または低電気抵抗状態は、ＭＲＡＭセルの書き込みおよび読み出し動作を可能とする。平行な配置および反平行な配置のうち所望の論理状態に関連付けられた方を達成するために自由領域の磁性配向をスイッチングした後、自由領域の磁性配向は、“保存（ｓｔｏｒａｇｅ）”段階（ステージ）の間、ＭＲＡＭセルが異なる配置（即ち、異なる論理状態）へと上書きされることになるまで、保持されることが通常望ましい。
幾つかのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、自由領域と固定領域との間の酸化物領域（“中間酸化物領域”）に加えて、別の酸化物領域を含む。自由領域は、中間酸化物領域と別の酸化物領域との間にあってもよい。自由領域の二つの酸化物領域への接触は、自由領域の磁性異方性（“ＭＡ”）強度を増加させることがある。例えば、酸化物領域は、例えば自由領域などの隣接している材料に対する表面／界面ＭＡを誘起するように、構成されてもよい。ＭＡは、磁性材料の磁性特性の、方向依存性の指標である。したがって、ＭＡは、材料の磁性配向の強度の指標でもあり、その材料の、磁性配向の変化のしにくさの指標でもある。高いＭＡ強度を有する磁性配向を示す磁性材料は、より低いＭＡ強度を有する磁性配向を示す磁性材料よりも、その磁性配向の変化を生じにくい可能性がある。したがって、高いＭＡ強度を有する自由領域は、低いＭＡ強度を有する自由領域よりも、保存中に、より安定である可能性がある。
唯一つの酸化物領域（即ち、中間酸化物領域）のみに隣接する自由領域と比較すると、二つの酸化物領域が自由領域のＭＡ強度を増加させることがあるが、磁性セルコア内に追加された酸化物材料の量は、コアの電気抵抗（例えば、直列抵抗）を増加させることがあり、それによって、唯一つの酸化物領域（即ち、中間酸化物領域）のみを含むセルコアと比較すると、セルの実効的な磁性抵抗（例えば、トンネル磁性抵抗）を低下させる。電気抵抗の増加は、セルの抵抗面積（“ＲＡ”）も増加させ、プログラミング中に自由領域の磁性配向をスイッチングするために必要とされる電圧を増加させることがある。実効的な磁性抵抗の減少がセルの性能を低下させることがあるのとともに、ＲＡの増加およびプログラミング電圧の増加セルの性能を低下させることがある。したがって、磁性抵抗（例えば、トンネル磁性抵抗）、ＲＡおよびプログラミング電圧などの他の特性を劣化させることなく、高いＭＡ強度のために自由領域の周囲に二つの酸化物領域を有するようにＳＴＴ−ＭＲＡＭセルを形成することは、課題を提示してきた。
メモリセルが開示される。メモリセルは磁性セルコアを含む。磁性セルコアは、スイッチング可能な磁性配向を示す磁性領域と、固定された磁性配向を示す別の磁性領域と、前記磁性領域と前記別の磁性領域との間の中間酸化物領域と、を含む。別の酸化物領域は、前記磁性領域によって中間酸化物領域から離隔されており、中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する。ゲッター領域が、前記別の酸化物領域に近接しており、酸素および金属を含む。
磁性メモリセルの形成方法も開示される。方法は、中間酸化物領域と別の酸化物領域との間に自由領域を形成することを含む。ゲッター材料が、前記別の酸化物領域に近接して形成される。酸素が、前記別の酸化物領域からゲッター材料へと移動させられて、前記別の酸化物領域の電気抵抗を低下させる。
スピントルクトランスファー磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）システムも開示される。ＳＴＴ−ＭＲＡＭシステムは、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルを含む。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルのうちの少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、一対の磁性領域と、一対の酸化物領域とを含む。磁性領域の対は、スイッチング可能な磁性配向を示す磁性領域と、固定された磁性配向を示す別の磁性領域とを含む。酸化物領域の対は、中間酸化物領域と別の酸化物領域とを含む。中間酸化物領域は、前記磁性領域と前記別の磁性領域との間にある。前記別の酸化物領域は、中間酸化物領域と前記磁性領域との間の界面に対向する、前記磁性領域の表面に隣接する。前記別の酸化物領域は、中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する。ゲッター領域は、前記別の酸化物領域に近接しており、金属と酸素とを含む。少なくとも一つの周辺デバイスが、前記少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルと、動作可能に接続している。アクセストランジスタ、ビット線、ワード線、ソース線のうちの少なくとも一つが、前記少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルと、動作可能に接続している。
半導体デバイスも開示される。半導体デバイスは、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルを含むスピントルクトランスファー磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）アレイを含む。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルのうちの少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、自由領域と固定領域との間の中間酸化物領域を含む。別の酸化物領域は自由領域に隣接し、中間酸化物領域から離隔される。前記別の酸化物領域は、中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する。ゲッター領域は、前記別の酸化物領域に近接しており、金属酸化物の生成熱が前記別の酸化物領域の酸化物の生成熱よりも１０％未満までしか大きくはない金属を含む。
少なくとも一つのプロセッサを含む電子システムも開示される。前記少なくとも一つのプロセッサは、少なくとも一つの磁性メモリセルを含む。前記少なくとも一つの磁性メモリセルは、固定された磁性配向を示す固定領域と、固定領域に隣接する中間酸化物領域と、中間酸化物領域に隣接する自由領域とを含む。自由領域は、スイッチング可能な磁性配向を示す。別の酸化物領域は自由領域に隣接し、ゲッター材料が前記別の酸化物領域に近接している。ゲッター材料は、金属と酸素とを含む。前記金属の金属酸化物は、生成熱が、前記別の酸化物領域の酸化物の生成熱よりも約１０％未満までしか大きくはない。電源が、前記少なくとも一つのプロセッサと、動作可能に接続している。
本開示の一実施形態による磁性セル構造の概略断面立面図であり、ゲッター領域はベース酸化物領域に隣接している。 図１の長方形ＡＢの拡大図であり、本開示の一実施形態に従い、図１の磁性セル構造の自由領域および固定領域が垂直方向の磁性配向を示す。 図１の長方形ＡＢの拡大図であり、本開示の一実施形態に従い、図１の磁性セル構造の自由領域および固定領域が水平方向の磁性配向を示す。 本開示の一実施形態による磁性セル構造の概略断面立面図であって、ゲッター領域はベース酸化物領域内にある。 酸化物領域から近接するゲッター領域への酸素の移動前の、加工段階中の、磁性セル構造の部分的な概略断面立面図である。 図３の加工段階の後、かつ、酸化物領域から近接するゲッター領域への酸素の移動後の、加工段階中の、磁性セル構造の部分的な概略断面立面図である。 本開示の一実施形態による磁性セル構造の概略断面立面図であり、ゲッター領域は、自由領域の上にあるキャップ酸化物領域に隣接し、かつ、キャップ酸化物領域の上にある。 本開示の一実施形態による磁性セル構造の部分的な概略断面立面図であり、ゲッター領域は、ベース酸化物領域に間接的に隣接している。 本開示の一実施形態による磁性セル構造の部分的な概略断面立面図であり、ゲッター領域はベース酸化物領域を側面から包囲している。 直線８−８に沿って描かれた図７の構造の平面図である。 本開示の一実施形態による磁性セル構造を有するメモリセルを含むＳＴＴ−ＭＲＡＭシステムの概略図である。 本開示の一実施形態による磁性セル構造を有するメモリセルを含む半導体デバイス構造の簡略化ブロック図である。 本開示の一つ以上の実施形態により実現されるシステムの簡略化ブロック図である。
メモリセル、メモリセルの形成方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システムが開示される。メモリセルは、二つの酸化物領域の間に、磁性材料から形成された磁性領域（例えば、自由領域）を含み、二つの酸化物領域の双方は、磁性異方性（“ＭＡ”）誘起領域であってもよい。例えば、自由領域と別の磁性領域（例えば、固定領域）との間に配置され、“中間酸化物領域”と本明細書で称される酸化物領域のうちの一つは、メモリセルのトンネルバリアとして機能するように構成されてもよい。本明細書で“第二の酸化物領域”と称される他方の酸化物領域は、トンネルバリアとして機能するように構成されなくてもよい。ゲッター材料は、第二の酸化物領域に近接し、かつ、第二の酸化物領域から酸素を除去するように調製され、第二の酸化物領域の電気抵抗を低下させ、それによって、メモリセルの実効的な磁性抵抗の実質的な低下を回避する。第二の酸化物領域の電気抵抗は、中間酸化物領域の電気抵抗の約５０％よりも小さく（例えば、約１％から約２０％の間）てもよい。幾つかの実施形態においては、第二の酸化物領域は、ゲッター材料による酸素の除去の結果として、導電性になる可能性がある。したがって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル全体の電気抵抗は、第二の酸化物領域に近接するゲッター材料を欠くＳＴＴ−ＭＲＡＭセルと比較すると、減少してもよい。さらに、電気抵抗の低下は、セルの磁性抵抗の低下を回避し、それによって、第二の酸化物領域に近接するゲッター材料を有するＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、このようなゲッター材料領域を欠くＳＴＴ−ＭＲＡＭセルと比較すると、より高い実効的な磁性抵抗を有してもよい。それにもかかわらず、ゲッターを含むＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの二つの酸化物領域は、やはり自由領域にＭＡを誘起し得る。したがって、ＭＡ強度は低下しないかもしれないが、電気抵抗は低下して、最大のトンネリング磁性抵抗と、小さな抵抗面積（“ＲＡ”）積と、低いプログラミング電圧の使用とを可能にする。
本明細書で用いられるように、“基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）”という用語は、メモリセル内のコンポーネントなどの諸コンポーネントがその上に形成される、ベース材料または他の構造を意味し、含む。基板は、半導体基板、支持構造上のベース半導体材料、金属電極、または、その上に形成された材料、構造もしくは領域のうちの一つ以上を有する半導体基板であってもよい。基板は、従来のシリコン基板、または半導電性材料を含む他のバルク基板であってもよい。本明細書で用いられるように、“バルク基板”という用語は、シリコンウェーハだけではなく、例えばシリコン・オン・サファイア（“ＳＯＳ”）基板もしくはシリコン・オン・グラス（“ＳＯＧ”）基板などのシリコン・オン・インシュレータ（“ＳＯＩ”）基板、ベース半導体の下地の上のシリコンのエピタキシャル層、または、例えばシリコン・ゲルマニウム（Ｓｉ１−ｘＧｅｘ、ここでｘは例えば、０．２から０．８の間のモル分率である）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、もしくはリン化インジウム（ＩｎＰ）などの他の半導体もしくは光電子材料なども意味し、含む。さらに、以下の説明において“基板”に対して参照が行われるときには、それ以前の処理段階は、ベース半導体の構造または下地内の材料、領域または接合を形成するために利用されたのであってもよい。
本明細書で用いられるように、“ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ ｃｅｌｌ）”という用語は、自由領域と固定領域との間に配置された非磁性領域を含む磁性セルコアを含む磁性セル構造を意味し、含む。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、磁性トンネル接合（“ＭＴＪ”）配置の形で構成されてもよく、ＭＴＪ配置において、非磁性領域は、酸化物などの電気的に絶縁性の（例えば、誘電性の）材料を含む。自由領域と固定領域との間に配置された、このような電気的に絶縁性の酸化物の非磁性領域は、本明細書では、“中間酸化物領域（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｏｘｉｄｅ ｒｅｇｉｏｎ）”と称される。
本明細書で用いられるように、“磁性セルコア（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｃｅｌｌ ｃｏｒｅ）”という用語は、自由領域および固定領域を含むメモリセル構造であって、メモリセルの使用および動作中に、自由領域および固定領域の磁性配向の平行または反平行な配置を引き起こすように、そこに電流を通す（即ち、流す）ことのできるメモリセル構造を、意味し、含む。
本明細書で用いられるように、“磁性領域（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｒｅｇｉｏｎ）”という用語は、磁性を示す領域を意味する。磁性領域は、磁性材料を含み、さらに一つ以上の非磁性材料を含むこともある。
本明細書で用いられるように、“磁性材料（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌ）”という用語は、強磁性材料、フェリ磁性材料、反強磁性材料、常磁性材料を意味し、含む。
本明細書で用いられるように、“ＣｏＦｅＢ材料（ＣｏＦｅＢ ｍａｔｅｒｉａｌ）”という用語は、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）およびホウ素（Ｂ）を含む材料（例えば、ＣｏｘＦｅｙＢｚであり、ｘ＝１０から８０、ｙ＝１０から８０、ｚ＝０から５０である）を意味し、含む。ＣｏＦｅＢ材料は、その形状（例えば、その厚さ）によって、磁性を示すこともあるし、磁性を示さないこともある。
本明細書で用いられるように、“固定領域（ｆｉｘｅｄ ｒｅｇｉｏｎ）”という用語は、磁性材料を含み、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの使用および動作中に固定された磁性配向を有するＳＴＴ−ＭＲＡＭセル内の磁性領域のことを意味し、含み、その固定とは、セルコアのうちの一つの磁性領域、例えば、自由領域の、磁化方向内の変化をもたらす電流または印加された電界が、固定領域の磁化方向内の変化をもたらさないかもしれない、という意味においてである。固定領域は、一つ以上の磁性材料を含んでもよく、任意で、一つ以上の非磁性材料を含んでもよい。例えば、固定領域は、磁性サブ領域同士によって結びつけられたルテニウム（Ｒｕ）のサブ領域を含む合成反強磁性体（ＳＡＦ）として構成されてもよい。磁性サブ領域の各々は、一つ以上の材料および一つ以上の領域をその中に含んでもよい。別の例として、固定領域は、単一の均質な磁性材料として構成されてもよい。したがって、固定領域は、一様な磁化を有することもあるし、あるいは、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの使用および動作中に固定された磁性配向を有する固定領域を全体としてもたらすような、相異なる磁化のサブ領域を有してもよい。
本明細書で用いられるように、“自由領域（ｆｒｅｅ ｒｅｇｉｏｎ）”という用語は、磁性材料を含み、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの使用中および動作中にスイッチング可能な磁性配向を有する、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル内の磁性領域を意味し、含む。磁性配向は、電流または印加される電界の適用によって、平行な配置と反平行な配置との間でスイッチングされてもよい。
本明細書で用いられるように、“スイッチング（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）”という用語は、自由領域および固定領域の磁性配向の平行な配置または反平行な配置をもたらすために、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの磁性セルコアにプログラミング電流が通されているメモリセルの使用および動作の段階を意味し、含む。
本明細書で用いられるように、“保存（ｓｔｏｒａｇｅ）”という用語は、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの磁性セルコアにプログラミング電流が通されておらず、かつ、自由領域および固定領域の磁性配向の平行な配置または反平行な配置が故意に変化しない間の、メモリセルの使用および動作段階のことを意味し、含む。
本明細書で用いられるように、“垂直方向（ｖｅｒｔｉｃａｌ）”という用語は、其々の領域の幅および長さに垂直な方向を意味し、含む。“垂直方向（ｖｅｒｔｉｃａｌ）”とは、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルが配置される基板の主表面に対して垂直な方向も意味し、含む。
本明細書で用いられるように、“水平方向（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）”という用語は、其々の領域の幅および長さのうちの少なくとも一つに平行な方向を意味し、含む。“水平方向（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）”とは、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルが配置される基板の主表面に平行な方向も意味し、含む。
本明細書で用いられるように、“サブ領域（ｓｕｂ−ｒｅｇｉｏｎ）”という用語は、別の領域に含まれる領域を意味し、含む。このように、一つの磁性領域は、非磁性サブ領域、即ち、非磁性材料のサブ領域とともに、一つ以上の磁性サブ領域、即ち、磁性材料のサブ領域を含んでもよい。
本明細書で用いられるように、“間（ｂｅｔｗｅｅｎ）”という用語は、少なくとも二つの他の材料、領域またはサブ領域について、一つの材料、領域またはサブ領域の相対的配置を記述するために使用される空間的相対用語である。“間（ｂｅｔｗｅｅｎ）”という用語は、前記の他の材料、領域またはサブ領域に直接的に隣接する一つの材料、領域、またはサブ領域の配置と、前記の他の材料、領域またはサブ領域に間接的に隣接する一つの材料、領域、またはサブ領域の配置との双方を包含する可能性がある。
本明細書で用いられるように、“近接する（ｐｒｏｘｉｍａｔｅ ｔｏ）”という用語は、別の材料、領域、またはサブ領域の近くの、ある材料、領域またはサブ領域の配置を記述するために使用される空間的相対用語である。“近接する（ｐｒｏｘｉｍａｔｅ）”という用語は、間接的に隣接する配置、直接的に隣接する配置および内部にある配置を含む。
本明細書で用いられるように、他の構成要素の“上（ｏｎ）”または“上方（ｏｖｅｒ）”にあるものとして一要素に言及することは、当該他の構成要素の上部に直接的に接して存在するか、当該他の構成要素と直接的に隣接するか、当該他の構成要素の直接下にあるか、または当該他の構成要素と直接的に接触している構成要素を意味し、含む。また、間に別の構成要素を置いて、上記他の構成要素の上部に間接的に存在するか、間接的に上記他の構成要素に隣接するか、間接的に上記他の構成要素の下にあるか、または上記他の構成要素の近傍にある構成要素も含む。対照的に、ある構成要素が、別の構成要素の“直接上にある（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）”または別の構成要素に“直接隣接している（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ａｄｊａｃｅｎｔ ｔｏ）”ものとして言及されるとき、介在する構成要素は存在しない。
本明細書で用いられるように、“下（ｂｅｎｅａｔｈ）”、“下（ｂｅｌｏｗ）”、“下部（ｌｏｗｅｒ）”、“底部（ｂｏｔｔｏｍ）”、“上（ａｂｏｖｅ）”、“上部（ｕｐｐｅｒ）”、“上部（ｔｏｐ）”、“前（ｆｒｏｎｔ）”、“後ろ（ｒｅａｒ）”、“左（ｌｅｆｔ）”、“右（ｒｉｇｈｔ）”などの他の空間的相対用語は、図面に示されるような、他の（一つもしくは複数の）構成要素または（一つもしくは複数の）形体に対する、ある構成要素または形体の関係を記述するために、記述を容易にするために用いられることがある。特に別段の指定がされない限りは、これらの空間的相対用語は、図面に示されるような方向に加えて、材料の別の方向も包含することを意図される。例えば、図面内の材料が反転される場合、他の構成要素または形体の“下（ｂｅｌｏｗ）”または“下（ｂｅｎｅａｔｈ）”または“下（ｕｎｄｅｒ）”または“底部（ｏｎ ｂｏｔｔｏｍ ｏｆ）”にあるものとして記述されている構成要素は、今度は、他の構成要素または形体の“上（ａｂｏｖｅ）”または“上部（ｏｎ ｔｏｐ ｏｆ）”に方向づけられるだろう。したがって、“下（ｂｅｌｏｗ）”という用語は、その用語が用いられる文脈によっては、上および下の方向づけの双方を包含することができ、そのことは、当業者に明らかであろう。材料は、他の方法で方向づけられてもよく（９０度回転される、反転される、など）、本明細書で用いられる空間的相対記述語は、それに従って解釈される。
本明細書で用いられるように、“含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）”、“含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）”、“含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）”および／または“含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）”という用語は、言及される特徴、領域、整数、段階、動作、構成要素、材料、コンポーネントおよび／または集合の存在を特定するものであるが、一つ以上の他の特徴、領域、整数、段階、動作、構成要素、材料、コンポーネントおよび／またはそれらの集合の存在または追加を排除することはない。
本明細書で用いられるように、“および／または（ａｎｄ／ｏｒ）”は、関連付けられ列挙された項目のうちの一つ以上のものの、ありとあらゆる組み合わせを含む。
本明細書で用いられるように、“一つの（ａ）”、“一つの（ａｎ）”および“その（ｔｈｅ）”という単数形は、そうではないと文脈から明確に示されない限りは、複数形をさらに含むことを意図される。
本明細書に提示される図面は、いかなる特定のコンポーネント、構造、デバイスまたはシステムの実際の外観を意味するものでもなく、本開示の実施形態を記述するために使用される単なる理想的表現に過ぎない。
実施形態は、概略図である断面図を参照して、本明細書に記述される。したがって、例えば、製造技法および／または許容誤差の結果としての、図面の形状からの変形が予測されるべきである。したがって、本明細書に記述される実施形態は、図示された特定の形状または領域に限定すると解釈されるべきではなく、例えば、製造技法に起因する、形状におけるずれを含んでもよい。例えば、箱形として図示されるかまたは記述される領域は、でこぼこの形体および／または直線的でない形体を有することがある。さらに、図示される鋭い角は、丸みを帯びていることがある。このように、図面に示される材料、特徴および領域は、本質的に概略であって、これらの形状は、材料、特徴または領域の正確な形状を図示することを意図するものではなく、本請求項の範囲を限定することはない。
以下の記述は、開示されるデバイスおよび方法の実施形態についての十分な理解を提供するために、材料の種類および処理条件などの具体的詳細事項を提供する。しかしながら、これらの具体的詳細事項を使用しなくても、デバイスおよび方法の実施形態が実現され得ることを、当業者は理解するであろう。実際には、デバイスおよび方法の実施形態は、本産業で使用される従来の半導体製造技法と組み合わせて実現されることがある。
本明細書で記述される製造プロセスは、半導体デバイス構造を処理するための完全なプロセスフローを形成しない。プロセスフローの残りは、当業者には既知のものである。したがって、本デバイスおよび本方法の実施形態を理解するのに必要な方法および半導体デバイス構造のみが本明細書に記述される。
特に別段の指定がされない限りは、本明細書で記述される材料は、スピンコーティング、ブランケットコーティング、化学蒸着（“ＣＶＤ”）、原子層堆積（“ＡＬＤ”）、プラズマ増強ＡＬＤ、物理蒸着（“ＰＶＤ”）またはエピタキシャル成長を含むがそのいずれにも限定はされない任意の好適な技法によって、形成されてもよい。形成されることになる特定の材料によっては、材料を堆積するかまたは成長させるための技法は、当業者によって選択されてもよい。
特に別段の指定がされない限りは、本明細書で記述される材料の除去は、エッチング、イオンミリング、研磨による平坦化、または他の既知の方法を含むがそのいずれにも限定はされない任意の好適な技法によって、達成されてもよい。
ここで、図面に対して参照が行われ、類似の参照番号は、図面を通して類似のコンポーネントを示す。図面は、必ずしも同じ縮尺で描かれるとは限らない。
メモリセルが開示される。メモリセルは、中間酸化物領域と第二の酸化物領域とを含む二つの酸化物領域の間に配置された自由領域を含む磁性セルコアを含む。双方の領域は、自由領域にＭＡ（磁性異方性）を誘起するように構成されてもよい。中間酸化物領域は、トンネルバリアとして機能するようにも構成されてもよい。ゲッター材料は、第二の酸化物領域に近接している。ゲッター材料は、第二の酸化物領域の酸化物材料の酸素に対する化学親和性よりも大きいか、それとほぼ等しい酸素に対する化学親和性を有する。例えば、ゲッター材料は、その金属からの金属酸化物の生成熱が第二の酸化物領域の酸化物の生成熱よりも低い（例えば、より負の方向に大きい）金属で、形成されてもよい。したがって、ゲッター材料は、第二の酸化物領域から酸素を除去するように調製され、第二の酸化物領域内の酸素濃度を低下させ、それによって、第二の酸化物領域の電気抵抗を低下させる。電気抵抗の低下は、ゲッター物質のないＳＴＴ−ＭＲＡＭセルと比較すると、より高い磁気抵抗と、より小さなＲＡ（抵抗面積）積と、より低いプログラミング電圧とを可能とする。したがって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、二つのＭＡ誘起領域を含むように形成されてもよく、それにより、トンネル磁気抵抗、ＲＡ積またはプログラミング電圧を悪化させることなく、高いＭＡ強度を提供する。
図１は、本開示による磁性セル構造１００の一実施形態を示す。磁性セル構造１００は、基板１０２の上の磁性セルコア１０１を含む。磁性セルコア１０１は、上方の上部電極１０４と下方の下部電極１０５との間に配置されてもよい。導電性材料は、上部電極１０４および下部電極１０５のうちのいずれかまたはその双方が形成され、この導電性材料は、限定はしないが、例えば、金属（例えば、銅、タングステン、チタン、タンタル）、金属合金、もしくはその組み合わせを含んでもよく、実質的に金属（例えば、銅、タングステン、チタン、タンタル）、金属合金、もしくはその組み合わせのみから成っていてもよく、または、金属（例えば、銅、タングステン、チタン、タンタル）、金属合金、もしくはその組み合わせのみから成っていてもよい。
磁性セルコア１０１は、例えば、“固定領域”１１０および“自由領域”１２０などの、少なくとも二つの磁性領域を含む。自由領域１２０および固定領域１１０は、例えばＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉもしくはこれらの合金であるＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＮｉＦｅなどの強磁性材料、または、ＣｏＸ、ＣｏＦｅＸ、ＣｏＮｉＦｅＸ（Ｘ＝Ｂ，Ｃｕ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ）などのドープされた合金、または、例えば、ＮｉＭｎＳｂおよびＰｔＭｎＳｂなどの他のハーフメタリック（ｈａｌｆ−ｍｅｔａｌｌｉｃ）強磁性材料から形成されてもよいし、こうしたものを含んでもよいし、本質的にこうしたもののみから成ってもよいし、または、こうしたもののみから成っていてもよい。幾つかの実施形態においては、例えば、自由領域１２０、固定領域１１０またはその双方は、ＣｏｘＦｅｙＢｚから、全体としてまたは部分的に形成されてもよく、ここでｘは１０から８０で、ｙは１０から８０で、ｚは０から５０である。他の実施形態においては、自由領域１２０、固定領域１１０またはその双方は、鉄（Ｆｅ）およびホウ素（Ｂ）で、全体としてまたは部分的に形成されてもよく、かつ、コバルト（Ｃｏ）を含まなくてもよい。自由領域１２０および固定領域１１０の組成および構造（例えば、厚さおよび他の物理的寸法）は、同一であってもよいし、異なってもよい。
代替的または追加的に、幾つかの実施形態においては、自由領域１２０、固定領域１１０、またはその双方は、複数の材料で形成されるか、複数の材料を含んでもよく、複数の材料のうちのいくつかは、磁性材料であってもよく、複数の材料のうちのいくつかは、非磁性材料であってもよい。例えば、このような複数材料の自由領域、固定領域またはその双方のうちのいくつかは、複数のサブ領域を含んでもよい。例えば、限定はしないが、自由領域１２０、固定領域１１０またはその双方は、コバルトおよびプラチナの繰り返しサブ領域から形成されるか、コバルトおよびプラチナの繰り返しサブ領域を含んでもよく、プラチナのサブ領域は、コバルトのサブ領域同士の間に配置されてもよい。別の例として、限定はしないが、自由領域１２０、固定領域１１０またはその双方は、コバルトおよびニッケルの繰り返しサブ領域を含んでもよく、ニッケルのサブ領域は、コバルトのサブ領域同士の間に配置されてもよい。したがって、固定領域１１０および自由領域１２０のいずれかまたはその双方は、同種のもので形成されてもよく、または、任意で、磁性材料とさらに任意で非磁性材料（例えばカップリング剤）のサブ領域を、一つより多く含むように形成されてもよい。
幾つかの実施形態においては、固定領域１１０および自由領域１２０の双方は、例えば、ＣｏＦｅＢ材料などの同一の材料から、全体としてまたは部分的に形成されてもよい。しかしながら、このような幾つかの実施形態においては、Ｃｏ：Ｆｅ：Ｂの相対的な原子比は、固定領域１１０および自由領域１２０において異なる可能性がある。固定領域１１０および自由領域１２０のうちの一方またはその双方は、互いに同一の元素を含むがそれらのサブ領域中の元素の相対的な原子比同士は異なるような、磁性材料の複数のサブ領域を含んでもよい。例えば、限定はしないが、自由領域１２０のサブ領域は、自由領域１２０の別のサブ領域よりも、ＣｏＦｅと比較すると、より低い濃度のホウ素（Ｂ）を有してもよい。
幾つかの実施形態においては、本開示の実施形態のメモリセルは、平面外ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルとして構成されてもよい。“平面外”ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、主に垂直方向に方向づけられた磁性配向を示す磁性領域を含む。例えば、図１の長方形ＡＢの図である図１Ａに示されるように、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、磁性領域（例えば、固定領域１１０および自由領域１２０）のうちの少なくとも一つにおいて垂直方向の磁性配向を示すように構成されてもよい。示された垂直方向の磁性配向は、垂直方向磁性異方性（“ＰＭＡ”）強度によって特徴づけられることがある。矢印１１２Ａおよび両矢印１２２Ａによって図１Ａに示されるように、幾つかの実施形態においては、固定領域１１０および自由領域１２０のうちの各々は、垂直方向の磁性配向を示すことがある。固定領域１１０の磁性配向は、例えば、図１Ａの矢印１１２Ａによって示される方向、というように、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの動作中ずっと、本質的に同一の方向に方向づけられたままであってもよい。一方、自由領域１２０の磁性配向は、図１Ａの両矢印１２２Ａによって示されるように、平行な配置と反平行な配置との間で、セルの動作中にスイッチングされてもよい。
他の実施形態においては、本開示の実施形態のメモリセルは、平面内ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルとして構成されてもよい。“平面内”ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、主に水平方向に方向づけられた磁性配向を示す磁性領域を含む。例えば、図１の長方形ＡＢの図である図１Ｂに示されるように、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、磁性領域（例えば、固定領域１１０および自由領域１２０）のうちの少なくとも一つにおいて水平方向の磁性配向を示すように構成されてもよい。示された水平方向の配向は、水平方向磁性異方性（“ＨＭＡ”）強度によって特徴づけられることがある。矢印１１２Ｂおよび両矢印１２２Ｂによって図１Ｂに示されるように、幾つかの実施形態においては、固定領域１１０および自由領域１２０のうちの各々は、水平方向の磁性配向を示すことがある。固定領域１１０の磁性配向は、例えば、図１Ｂの矢印１１２Ｂによって示される方向、というように、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルの動作中ずっと、本質的に同一の方向に方向づけられたままであってもよい。一方、自由領域１２０の磁性配向は、図１Ｂの両矢印１２２Ｂによって示されるように、平行な配置と反平行な配置との間で、セルの動作中に、スイッチングされてもよい。
引き続き図１を参照すると、中間酸化物領域１３０は、自由領域１２０および固定領域１１０の間に配置されてもよい。中間酸化物領域１３０は、トンネル領域として構成されてもよく、界面１３１に沿って固定領域１１０と接触し、界面１３２に沿って自由領域１２０と接触することがある。中間酸化物領域１３０は、例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは他の従来のトンネルバリア領域の酸化物材料などの非磁性酸化物材料から形成されるか、こうした非磁性酸化物材料を含むか、本質的にこうした非磁性酸化物材料のみから成るか、または、こうした非磁性酸化物材料のみから成っていてもよい。一つ以上の非磁性酸化物材料が含まれてもよい。幾つかの実施形態においては、追加の非酸化物材料が含まれてもよい。したがって、中間酸化物領域１３０は、同種のものでできた領域として形成されてもよいし、または、異種のものでできた混合物を有する領域として形成されてもよいし、もしくは一つ以上の材料の個別のサブ領域を有する領域として、形成されてもよい。
一つ以上の下部中間領域１４０は、任意で、下部電極１０５の上、かつ、固定領域１１０と自由領域１２０との下に配置されてもよい。下部中間領域１４０は、被覆材料がその上に形成されるような平坦なテンプレートを提供するように、かつ、所望の結晶構造での被覆材料の形成を可能とするように、調製され構成された下地材料を含んでもよい。下部中間領域１４０は、下部電極１０５と、下部中間領域１４０を被覆する材料との間で、メモリセルの動作中に拡散を抑制するように構成された材料を代替的または追加的に含んでもよい。例えば、限定はしないが、下部中間領域１４０は、コバルト（Ｃｏ）および鉄（Ｆｅ）のうちの少なくとも一つ（例えば、ＣｏＦｅＢ材料）か、非磁性材料（例えば、金属（例えば、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ））、金属窒化物（例えば、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ））、金属合金）か、もしくは、それらのあらゆる組合せを含む材料で形成されるか、そうした材料を含むか、本質的にそうした材料のみから成るか、または、そうした材料のみから成っていてもよい。幾つかの実施形態においては、下部中間領域１４０は、含まれる場合には、下部電極１０５に組み込まれてもよい。例えば、下部中間領域１４０は、下部電極１０５の最上部サブ領域を含むか、または、下部電極１０５の最上部サブ領域のみから成っていてもよい。
一つ以上の上部中間領域１５０は、磁性セルコア１０１の磁性領域（例えば、固定領域１１０および自由領域１２０）の上に、任意で配置されてもよい。上部中間領域１５０は、含まれる場合には、隣接する材料内での所望の結晶構造を確実にするため、または磁性セルの製造中のパターン化・プロセスを支援するため、または拡散バリアとして機能するように構成されてもよい。幾つかの実施形態においては、上部中間領域１５０は、含まれる場合には、導電性材料（例えば、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、ルテニウム（Ｒｕ）、窒化タンタル（ＴａＮ）または窒化チタン（ＴａＮ）などの一つ以上の材料）から形成されるか、こうした導電性材料を含むか、本質的にこうした導電性材料のみから成るか、または、こうした導電性材料のみから成っていてもよい。幾つかの実施形態においては、上部中間領域１５０は、含まれる場合には、上部電極１０４に組み込まれていてもよい。例えば、上部中間領域１５０は、上部電極１０４の最下部サブ領域を含むか、または、上部電極１０４の最下部サブ領域のみから成っていてもよい。
磁性セルコア１０１は、自由領域１２０に隣接する第二の酸化物領域１７０も含む。第二の酸化物領域１７０は、下部電極１０５の上かつ、存在する場合には下部中間領域１４０がその上に、形成されてもよい。第二の酸化物領域１７０は、例えば、限定はしないが、非磁性酸化物材料（例えば、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは他の従来のトンネルバリア領域の酸化物材料）から形成されるか、こうした非磁性酸化物材料を含むか、本質的にこうした非磁性酸化物材料のみから成るか、または、こうした非磁性酸化物材料のみから成っていてもよい。幾つかの実施形態においては、第二の酸化物領域１７０は、中間酸化物領域１３０が形成されるのと同一の材料から形成されてもよいが、このような材料の元素の相対的な原子比は、第二の酸化物領域１７０と中間酸化物領域１３０とでは異なっていてもよい。例えば、第二の酸化物領域１７０および中間酸化物領域１３０の双方がＭｇＯから形成されていてもよい。しかしながら、以下で議論されるように、第二の酸化物領域１７０は、中間酸化物領域１３０よりもより低濃度の酸素を有してもよい。
ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０に近接して形成される。幾つかの実施形態においては、図１に示されるように、ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０に隣接して（例えば、その直下に）存在してもよい。したがって、第二の酸化物領域１７０は、上部表面に沿って、例えば、界面１７２において、自由領域１２０に隣接してもよく、一方で、第二の酸化物領域１７０は、対向する下部表面に沿って、例えば、界面１７８において、ゲッター領域１８０に隣接してもよい。
ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０内の酸素濃度を低下させ、それによって第二の酸化物領域１７０の電気抵抗を低下させるために、第二の酸化物領域１７０から酸素を除去するように調製および構成され、それによって、磁性セルコア１０１の磁性抵抗を最大化する。例えば、ゲッター領域１８０の材料（本明細書では、“ゲッター材料”と称される）が、第二の酸化物領域１７０の酸素獲得に対して競合するように調製された状態になるように、ゲッター領域１８０は、酸素に対する化学親和性が、第二の酸化物領域１７０の材料の酸素に対する化学親和性とほぼ等しいか、それより大きいような材料から形成されるか、そのような材料を含むか、本質的にそのような材料のみから成るか、または、そのような材料のみから成っていてもよい。ゲッター材料が金属を含む実施形態においては、金属酸化物の生成熱は、酸素に対するゲッター材料の化学親和性の指標である。したがって、ゲッター領域１８０のゲッター材料は、金属酸化物の生成熱が、第二の酸化物領域１７０の酸化物の生成熱とほぼ同一（例えば、約１０％以下だけ高い）か、またはそれより小さくてもよい。
例えば、限定はしないが、第二の酸化物領域１７０が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成され、約−６．２９（ｅＶ）の金属酸化物の生成熱を有する実施形態においては、ゲッター領域１８０のゲッター材料は、例えば、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、バリウム（Ｂａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などの、金属酸化物の生成熱が約−５．６６（ｅＶ）以下の金属、それらの化合物、もしくはその組み合わせから形成されるか、そのようなものを含むか、本質的にそのようなもののみから成るか、または、そのようなもののみから成っていてもよい。酸化カルシウム（ＣａＯ）は、約−６．５８（ｅＶ）の（即ち、ＭｇＯの生成熱よりも小さい）金属酸化物の生成熱を有する。酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）は、約−６．１３（ｅＶ）（即ち、ＭｇＯの生成熱よりも約２．５％のみ高いだけである）の金属酸化物の生成熱を有する。酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）は、約−５．７９（ｅＶ）（即ち、ＭｇＯの生成熱よりも約７．９％高いだけである）の金属酸化物の生成熱を有する。酸化バリウム（ＢａＯ）および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）は、約−５．６８（ｅＶ）（即ち、ＭｇＯの生成熱よりも約９．７％高いだけである）の金属酸化物の生成熱を有する。このように、ゲッター領域１８０のゲッター材料は、第二の酸化物領域１７０の材料と酸素に対して競合するように選択されてもよい。
ゲッター領域１８０は、酸素に対する所望の化学親和性（例えば、金属酸化物の生成熱）を有する純粋な単体金属、またはそのような金属の化合物の、均質な領域として、形成されてもよい。例えば、第二の酸化物領域１７０が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成される実施形態においては、ゲッター領域１８０は、純粋なカルシウム（Ｃａ）から形成されてもよいし、またはカルシウム化合物（例えば、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３））から形成されてもよい。他の実施形態においては、ゲッター領域１８０は、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）や酸化チタン（ＴｉＯ）などのキャリア材料内に埋め込まれた、ゲッター材料（例えば金属）を含んでもよい。しかしながら、ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０の酸素濃度の低下および電気抵抗の低下をもたらすように第二の酸化物領域１７０からの酸素の吸引および除去を達成するために、十分な量の遊離した（即ち、酸素との化学反応および／または化学結合に使用可能な）金属原子を提供するよう調製および構成され得る、と考えられる。例えば、ゲッター領域１８０は、ある濃度の遊離金属を含むように調製されてもよく、かつ、第二の酸化物領域１７０からの所望の量の酸素の除去を可能とする量（例えば、厚さ）を有するように構成されてもよい。ゲッター材料内の遊離金属の濃度が低い実施形態においては、ゲッター領域１８０は、厚くなるように形成されてもよい。一方、ゲッター材料内の遊離金属の濃度が高い実施形態においては、ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０からの酸素の同様な除去を達成するために薄くなるように形成されてもよい。
ゲッター領域１８０による第二の酸化物領域１７０から酸素の除去は、その製造中に磁性セルコア１０１の材料をアニーリングすることによって開始されてもよい。このような実施形態においては、アニールが一つ以上の段階において実行されてもよいが、アニールの温度および期間は、第二の酸化物領域１７０からゲッター領域１８０への所望の酸素の移動を達成するように適合されてもよい。より高いアニール温度およびより長いアニール期間は、より低いアニール温度およびより短いアニール期間と比較すると、より多くの酸素除去を促進することがある。第二の酸化物領域１７０からゲッター領域１８０への酸素の移動は、いったん移動すると酸素が第二の酸化物領域１７０に拡散して戻り得ないような、実質的に永久的なものだろう、と考えられる。
少なくとも、中間酸化物領域１３０および第二の酸化物領域１７０が同一の酸化物材料（例えば、ＭｇＯ）から形成される実施形態においては、第二の酸化物領域１７０とゲッター領域１８０との間の酸素の移動後に、結果として生じる磁性セルコア１０１は、中間酸化物領域１３０と比較すると、より低い濃度の酸素を有する第二の酸化物領域１７０を含む。この実施形態または他の実施形態においては、第二の酸化物領域１７０は、中間酸化物領域１３０と比較するとより低い電気抵抗を有する。例えば、限定はしないが、第二の酸化物領域１７０は、中間酸化物領域１３０の電気抵抗の約５０％よりも低い（例えば、約１％から約２０％の）電気抵抗を有してもよい。幾つかの実施形態においては、第二の酸化物領域１７０は、酸素除去の結果として導電性を有することがある。したがって、本明細書で記述されるように、第二の酸化物領域１７０は、中間酸化物領域１３０ほどではなくても電気的に抵抗性を有してもよいし、または、導電性を有してもよく、その双方の状態が、本明細書で用いられる“より低い電気抵抗”という記述によって包含される。したがって、第二の酸化物領域１７０は、セルの磁性抵抗を低下させ（例えば、実質的に減少させ）ない。
第二の酸化物領域１７０内の酸素のうちの全てがゲッター領域１８０によって除去されるとは限らない。むしろ、ゲッター領域１８０は、酸素の一部のみを除去して、第二の酸化物領域１７０内に最小限の酸素濃度を残すように、調製され、構成されてもよい。最小限の酸素濃度とは、第二の酸化物領域１７０が自由領域１２０に表面／界面ＭＡを誘起し続けることを可能とするのに十分な濃度である、と考えられる。幾つかの実施形態においては、結果として生じる、第二の酸化物領域１７０内の低下した酸素濃度は、第二の酸化物領域１７０の全体にわたって均一であってもよい。他の実施形態においては、第二の酸化物領域１７０は、第二の酸化物領域１７０からゲッター領域１８０への酸素の移動後、酸素の勾配を有してもよい。このような酸素の勾配は、自由領域１２０との界面１７２に近接する部分でのより高い濃度と、ゲッター領域１８０との界面１７８に近接する部分でのより低い酸素濃度とを含んでもよい。このような実施形態においては、酸素濃度は、後に平衡して、第二の酸化物領域１７０の全体にわたって実質的に均一な酸素濃度になってもよい。
ゲッター領域１８０が中間酸化物領域１３０から酸素を除去して中間酸化物領域１３０の酸素濃度を低下させるのを抑制するために、ゲッター領域１８０は、中間酸化物領域１３０から物理的に隔離されてもよい、と考えられる。したがって、図１に示されるように、ゲッター領域１８０は、例えば、限定はしないが、第二の酸化物領域１７０および自由領域１２０を含む磁性セルコア１０１の他の領域によって、中間酸化物領域１３０から離隔されてもよい。そうした実施形態において、ゲッター領域１８０は、中間酸化物領域１３０とは化学的に相互作用し得ない。
本開示の一実施形態においては、磁性セル構造１００は、カルシウム（Ｃａ）またはカルシウム化合物（例えば、ＣａＣＯ３）で形成されたゲッター領域１８０と、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）で形成された第二の酸化物領域１７０と、ＣｏＦｅＢ材料で形成された自由領域１２０と、ＭｇＯで形成された中間酸化物領域１３０と、少なくとも部分的にＣｏＦｅＢ材料で形成された固定領域１１０と、を含む。ＭｇＯの生成熱（即ち、−６．２８（ｅＶ））と比較すると、ＣａＯの生成熱はより低い（即ち、−６．５８（ｅＶ））ため、酸素は、第二の酸化物領域１７０からゲッター領域１８０へと移動する。したがって、ゲッター領域１８０は、Ｃａおよび酸素を含み、この酸素は、第二の酸化物領域１７０に由来する。さらに、この実施形態の第二の酸化物領域１７０および中間酸化物領域１３０の双方は、同一の材料、即ちＭｇＯで形成されているが、結果として生じる磁性セルコア１０１の第二の酸化物領域１７０は、中間酸化物領域１３０よりも低い酸素濃度と低い電気抵抗とを有する。第二の酸化物領域１７０は、中間酸化物領域１３０の電気抵抗の約２０％よりも小さい電気抵抗を有することがある。
図１では、ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０の下に直接隣接しているが、図２の実施形態など、他の実施形態においては、ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域２７０の内部に配置されることによって、第二の酸化物領域１７０に近接することがある。例えば、ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域２７０の中央サブ領域であってもよく、ゲッター領域１８０の上に上部酸化物サブ領域２７６があり、かつ、ゲッター領域１８０の下に下部酸化物サブ領域２７８があるのでもよい。上部酸化物サブ領域２７６は、界面２７２に沿って自由領域１２０に隣接してもよく、下部酸化物サブ領域２７８は、下部電極１０５に隣接してもよいし、または、界面２７４に沿って、もし下部中間領域１４０が存在する場合には、下部中間領域１４０に隣接してもよい。
他の実施形態においては、ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０（図１）に近接する（例えば、隣接するか、または内部にある）個別の領域ではないことがあるが、第二の酸化物領域１７０に隣接する材料内に埋め込まれたゲッター材料の領域であってもよい。何らかの点において、ゲッター材料は、第二の酸化物領域１７０に近接しており、かつ、第二の酸化物領域１７０の酸素濃度および電気抵抗を低下させるために、第二の酸化物領域１７０から酸素を除去するように構成され、調製される。
したがって、磁性セルコアを含むメモリセルが開示される。磁性セルコアは、スイッチング可能な磁性配向を示す磁性領域を含む。別の磁性領域は、固定された磁性配向を示す。中間酸化物領域は、前記磁性領域と前記別の磁性領域との間に配置される。別の酸化物領域は、前記磁性領域によって中間酸化物領域から離隔されている。前記別の酸化物領域は、中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する。ゲッター領域が、前記別の酸化物領域に近接しており、酸素と金属とを含む。
本開示のメモリセルを形成することは、底部から上部へ、各領域の一つ以上の材料を逐次的に形成することを含んでもよい。したがって、例えば、図１の磁性セル構造１００を形成するために、下部電極の導電性材料が、基板１０２の上に形成されてもよい。その後、下部中間領域１４０が含まれる場合には、下部中間領域１４０の材料が導電性材料の上に形成されてもよい。その後、ゲッター領域１８０のゲッター材料は、（例えば、スパッタリング、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤまたは他の既知の堆積技法によって）形成されてもよい。第二の酸化物領域１７０の酸化物材料は、ゲッター材料の上に形成されてもよく、自由領域１２０の磁性材料は、酸化物材料の上に形成されてもよい。中間酸化物領域１３０の酸化物材料は、その後、自由領域１２０の磁性材料の上に形成されてもよい。固定領域１１０の磁性材料は、中間酸化物領域１３０の酸化物材料の上に形成されてもよい。上部中間領域１５０の材料は、含まれる場合には、その上に形成されてもよい。最後に、上部電極１０４の導電性材料が形成されてもよい。その後、一つ以上の段階で、磁性セルコア１０１の構造を形成するために、これらの材料がパターン化されてもよい。記述された材料の前駆構造などの構造をパターン化して図１の磁性セル構造１００などの構造を形成するための技法は、本技術分野で既知であるため、詳細には記述されていない。
下部酸化物サブ領域２７８と上部酸化物サブ領域２７６との間にゲッター領域１８０を形成するために、第二の酸化物領域２７０の酸化物材料の構造が複数の段階で形成され得ることを除いて、図２の磁性セル構造２００は、同様に形成されてもよい。
少なくともゲッター領域１８０のゲッター材料と、第二の酸化物領域（例えば、図１の第二の酸化物領域１７０、図２の第二の酸化物領域２７０）の酸化物材料との形成の後、酸素は、第二の酸化物領域（例えば、図１の１７０、図２の２７０）とゲッター領域１８０との間で（例えば、アニールの間に）移動させられてもよい。図３を参照すると、酸素３７１を含む酸化物材料３７０がゲッター材料３８０に近接している、部分的セルコア構造３００が図示されている。図３は、材料を最初に形成したときの、酸化物材料３７０とゲッター材料３８０との状態を表すことがある。その後、かつ、幾つかの実施形態においてはアニール後、少なくとも酸素３７１のうちの幾らかは、酸化物材料３７０からゲッター材料３８０へと拡散し、図４に示されるように、酸素の欠乏した酸化物材料４７０と、酸素の豊富なゲッター材料４８０とを有する部分的セルコア構造４００を形成する。少なくとも幾つかの実施形態においては、欠乏状態の酸化物材料４７０が自由領域１２０にＭＡを誘起するよう調製および構成されたままであるように、酸素３７１のうちの幾らかは、欠乏状態の酸化物材料４７０内にとどまる。欠乏状態の酸化物材料４７０（図４）の電気抵抗は、酸化物材料３７０（図３）の電気抵抗よりも低い。
一つ以上のアニール段階は、磁性セルコア１０１の材料の形成中または形成後に実行されてもよい。幾つかの実施形態においては、アニールは、パターン化後に実行されてもよい。
図１および図２の実施形態においては、自由領域１２０が固定領域１１０よりも基板１０２に対してより近接しているものとして図示されているが、他の実施形態においては、固定領域１１０が基板１０２に対してより近接していてもよい。例えば、図５を参照すると、本開示の別の実施形態による磁性セル構造５００は、底部（基板１０２と、下部電極１０５と、下部中間領域１４０が含まれる場合には下部中間領域１４０とに近接している）から、上部（上部電極１０４と、上部中間領域１５０が含まれる場合には上部中間領域１５０とに近接している）へと向かって、固定領域１１０、中間酸化物領域１３０、自由領域１２０および第二の酸化物領域１７０を含む磁性セルコア５０１を代替的に含んでもよい。ゲッター領域１８０は、第二の酸化物領域１７０に近接していてもよく、例えば、（図５におけるように）第二の酸化物領域１７０の上で第二の酸化物領域１７０に隣接していてもよいし、または、（図２の第二の酸化物領域２７０におけるように）第二の酸化物領域１７０の内部にあってもよい。
少なくとも第二の酸化物領域１７０およびゲッター領域１８０の形成の後、酸素は、第二の酸化物領域１７０からゲッター領域１８０へと移動させられて、第二の酸化物領域１７０の酸素濃度および電気抵抗を低下させてもよい。図５の実施形態においては、酸素は上方に移動させられる。
これに従い、磁性メモリセルを形成する方法が開示される。当該方法は、中間酸化物領域と別の酸化物領域との間に自由領域を形成することを含む。ゲッター材料は、前記別の酸化物領域に近接して形成される。酸素が、前記別の酸化物領域からゲッター材料に移動させられて、前記別の酸化物領域の電気抵抗を低下させる。
幾つかの実施形態においては、第二の酸化物領域１７０およびゲッター領域１８０は、直接接触していなくてもよい。例えば、図６に示されるように、第二の酸化物領域１７０が界面６７６に沿って中間領域６６０と接触するように、部分的セルコア構造６００は、第二の酸化物領域１７０とゲッター領域１８０との間に中間領域６６０を含んでもよい。中間領域６６０は、第二の酸化物領域１７０からゲッター領域１８０への酸素の拡散を可能とするように調製されてもよい。したがって、第二の酸化物領域１７０がゲッター領域１８０に近接はするが直接隣接してはいない場合であっても、ゲッター領域１８０が第二の酸化物領域１７０に対する近接性によって、第二の酸化物領域１７０の酸素濃度および電気抵抗の低下が可能となることがある。
図７および図８を参照すると、幾つかの実施形態においては、部分的セルコア構造７００のゲッター材料は、側面で第二の酸化物領域１７０に隣接することによって第二の酸化物領域１７０に近接していてもよい。したがって、ゲッター領域７８０が、第二の酸化物領域１７０を側面から包囲していてもよく、第二の酸化物領域１７０から酸素を除去して、第二の酸化物領域１７０の電気抵抗を低下させることがある。
図９を参照すると、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４と動作可能に接続している周辺デバイス９１２を含むＳＴＴ−ＭＲＡＭシステム９００が図示されており、そのＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４の集まりは、システム要件および製造技術に応じて、多数の行と列とを含むグリッドパターンまたは種々の他の配置の、メモリセルのアレイを形成するように、製造されてもよい。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４は、磁性セルコア９０２、アクセストランジスタ９０３、データ／センス線９０４（例えば、ビット線）として機能し得る導電性材料、アクセス線９０５（例えば、ワード線）として機能し得る導電性材料、および、ソース線９０６として機能し得る導電性材料を含む。ＳＴＴ−ＭＲＡＭシステム９００の周辺デバイス９１２は、読み出し／書き込み回路９０７、ビット線基準（ｂｉｔ ｌｉｎｅ ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ）９０８、およびセンス増幅器９０９を含んでもよい。セルコア９０２は、上述された磁性セルコア（例えば、磁性セルコア１０１（図１）、磁性セルコア２０１（図２）、磁性セルコア５０１（図５））のうちの何れの磁性セルコアであってもよい。セルコア９０２の構造、製造方法またはその双方によって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４は、ＭＡを誘起する二つの酸化物領域（例えば、中間酸化物領域１３０（図１）と第二の酸化物領域１７０（図１））の間に自由領域１２０（図１）を含んでいてもよく、ここで、第二の酸化物領域１７０による電気抵抗への寄与は、中間酸化物領域１３０による電気抵抗への寄与の約５０％よりも小さい。したがって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４は、高いＭＡ強度、高い磁性抵抗、低いＲＡ積および低いプログラミング電圧を有することがある。
使用中および動作中のとき、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４がプログラムされるように選択されると、プログラミング電流がＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４に印加され、電流は、セルコア９０２の固定領域によってスピン分極され、セルコア９０２の自由領域にトルクを及ぼし、それによって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４に“書き込む”か、またはＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４を“プログラムする”ために、自由領域の磁化をスイッチングする。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４の読み出し動作においては、電流は、セルコア９０２の抵抗状態を検出するために使用される。
ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４のプログラミングを開始するために、読み出し／書き込み回路９０７は、データ／センス線９０４およびソース線９０６に対して、書き込み電流（即ち、プログラミング電流）を生成してもよい。データ／センス線９０４とソース線９０６との間のプログラミング電圧の極性は、セルコア９０２内の自由領域の磁性配向におけるスイッチングを決定づける。スピン極性を使って自由領域の磁性配向を変化させることによって、自由領域はプログラミング電流のスピン極性に従って磁化され、プログラムされた論理状態がＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４に書き込まれる。
ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４を読み出すために、読み出し／書き込み回路９０７は、セルコア９０２およびアクセストランジスタ９０３を通る、データ／センス線９０４およびソース線９０６に対しての読み出し電圧を、生成する。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４のプログラムされた状態は、セルコア９０２にわたる電気抵抗に関連し、これは、データ／センス線９０４とソース線９０６との間の電圧差によって決定されてもよい。したがって、ゲッター領域１８０（図１）により低下した第二の酸化物領域１７０（図１）の電気抵抗に起因する、より低いＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４の電気抵抗により、より低いプログラミング電圧の使用が可能となる。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４は、ゲッター領域１８０（図１）のために実効的な磁気抵抗がより高くなっている場合があり、これによって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４の性能をさらに向上することがある。幾つかの実施形態においては、電圧差は、ビット線基準９０８と比較されセンス増幅器９０９によって増幅されてもよい。
図９は、動作可能なＳＴＴ−ＭＲＡＭシステム９００の一例を示す。しかしながら、磁性セルコア（例えば、磁性セルコア１０１（図１）、磁性セルコア２０１（図２）、磁性セルコア５０１（図５））は、磁性領域を有する磁性セルコアを組み込むように構成された任意のＳＴＴ−ＭＲＡＭシステム内に組み込まれてもよく、またはそこで使用されてもよい、と考えられる。
したがって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルを含むスピントルクトランスファー磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）システムが開示される。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルのうちの少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、一対の磁性領域と一対の酸化物領域とを含む。一対の磁性領域は、スイッチング可能な磁性配向を示す磁性領域と、固定された磁性配向を示す別の磁性領域とを含む。一対の酸化物領域は、中間酸化物領域と別の酸化物領域とを含む。中間酸化物領域は、前記磁性領域と前記別の磁性領域との間にある。前記別の酸化物領域は、中間酸化物領域と前記磁性領域との間の界面に対向する、前記磁性領域の表面に隣接している。前記別の酸化物領域は、中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する。前記少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、前記別の酸化物領域に近接するゲッター領域も含む。ゲッター領域は金属と酸素とを含む。少なくとも一つの周辺デバイスが、前記少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルと動作可能に接続している。アクセストランジスタ、ビット線、ワード線およびソース線のうちの少なくとも一つは、磁性セルコアと、動作可能に接続している。
図１０を参照すると、本明細書に記述された一つ以上の実施形態により実現される半導体デバイス１０００の簡略化ブロック図が示されている。半導体デバイス１０００は、メモリアレイ１００２と制御論理コンポーネント１００４とを含む。メモリアレイ１００２は、上述された磁性セルコア（例えば、磁性セルコア１０１（図１）、磁性セルコア２０１（図２）、磁性セルコア５０１（図５））のうちの任意の磁性セルコアを含む複数のＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４（図９）を含んでもよく、これらの磁性セルコア（例えば、磁性セルコア１０１（図１）、磁性セルコア２０１（図２）、磁性セルコア５０１（図５））は、上述された方法により形成されたのであってもよく、上述された方法に従って運用されてもよい。制御論理コンポーネント１００４は、メモリアレイ１００２内の任意のメモリセルまたは全てのメモリセル（例えば、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセル９１４（図９））から読み出すか、任意のメモリセルまたは全てのメモリセルに書き込むために、稼働中にメモリアレイ１００２と相互作用するように構成されてもよい。
したがって、ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルを含むスピントルクトランスファー磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）アレイを含む半導体デバイスが開示される。ＳＴＴ−ＭＲＡＭセルのうちの少なくとも一つのＳＴＴ−ＭＲＡＭセルは、自由領域と固定領域との間に中間酸化物領域を含む。別の酸化物領域は、自由領域に隣接し、中間酸化物領域からは離隔されている。前記別の酸化物領域は、中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する。ゲッター領域は、前記別の酸化物領域に近接しており、金属酸化物の生成熱が前記別の酸化物領域の酸化物の生成熱よりも１０％未満までしか大きくはない金属を含む。
図１１を参照すると、プロセッサベースのシステム１１００が図示されている。プロセッサベースのシステム１１００は、本開示の実施形態により製造された種々の電子デバイスを含んでもよい。プロセッサベースのシステム１１００は、コンピュータ、ページャ、携帯電話、パーソナルオーガナイザ、制御回路または他の電子デバイスなどの様々な種類のうちの任意のものであってもよい。プロセッサベースのシステム１１００は、プロセッサベースのシステム１１００内のシステム機能および要求の処理を制御するために、マイクロプロセッサなど、一つ以上のプロセッサ１１０２を含んでもよい。プロセッサ１１０２や、プロセッサベースのシステム１１００の他のサブコンポーネントは、本開示の実施形態により製造された磁性メモリデバイスを含んでもよい。
プロセッサベースのシステム１１００は、プロセッサ１１０２と動作可能に接続している電源１１０４を含んでもよい。例えば、プロセッサベースのシステム１１００がポータブルシステムである場合、電源１１０４は、燃料電池、環境発電デバイス、永久電池、交換式電池および再充電可能電池のうちの一つ以上を含んでもよい。電源１１０４は、ＡＣアダプタも含んでよい。したがって、プロセッサベースのシステム１１００は、例えば、壁付コンセントにプラグを挿されてもよい。プロセッサベースのシステム１１００が、例えば、自動車の煙草用ライターまたは自動車の電源ポートなどにつながれてもよいように、電源１１０４は、ＤＣアダプタも含んでいてよい。
プロセッサベースのシステム１１００が実施する機能に応じて、種々の他のデバイスがプロセッサ１１０２に結合されてもよい。例えば、ユーザインターフェイス１１０６が、プロセッサ１１０２に結合されてもよい。ユーザインターフェイス１１０６は、ボタン、スイッチ、キーボード、ライトペン、マウス、デジタイザーおよびスタイラス、タッチスクリーン、音声認識システム、マイクロフォン、またはその組み合わせなどの、入力デバイスを含んでいてもよい。ディスプレイ１１０８も、プロセッサ１１０２に結合されていてよい。ディスプレイ１１０８は、ＬＣＤディスプレイ、ＳＥＤディスプレイ、ＣＲＴディスプレイ、ＤＬＰディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＯＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤディスプレイ、三次元投影、音声ディスプレイ、またはその組み合わせを含んでいてもよい。さらに、ＲＦサブシステム／ベースバンドプロセッサ１１１０も、プロセッサ１１０２に結合されていてよい。ＲＦサブシステム／ベースバンドプロセッサ１１１０は、ＲＦ受信機およびＲＦ送信機（図示せず）に結合されたアンテナを含んでいてもよい。一つの通信ポート１１１２、または二以上の通信ポート１１１２も、プロセッサ１１０２に結合されていてよい。通信ポート１１１２は、例えば、モデム、プリンタ、コンピュータ、スキャナもしくはカメラなどの一つ以上の周辺デバイス１１１４に結合されるようになっていてもよく、または、ローカルエリアネットワーク、リモートエリアネットワーク、イントラネットもしくはインターネットなどのネットワークに結合されるようになっていてもよい。
プロセッサ１１０２は、メモリ内に記憶されたソフトウェアプログラムを実行することによって、プロセッサベースのシステム１１００を制御してもよい。ソフトウェアプログラムは、例えば、オペレーティングシステム、データベースソフトウェア、ドラフティングソフトウェア、ワープロソフトウェア、メディア編集ソフトウェア、またはメディア再生ソフトウェアを含んでいてもよい。種々のプログラムを記憶し、種々のプログラムの実行を容易にするために、メモリがプロセッサ１１０２に、動作可能に結合される。例えば、プロセッサ１１０２は、システムメモリ１１１６に結合されてもよく、システムメモリ１１１６は、スピントルクトランスファー磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）、レーストラックメモリおよび他の既知の種類のメモリのうちの一つ以上を含んでいてもよい。システムメモリ１１１６は、揮発性メモリ、不揮発性メモリ、またはその組み合わせを含んでいてもよい。システムメモリ１１１６は、動的にロードされたアプリケーションおよびデータを記憶できるように、典型的には大容量である。幾つかの実施形態においては、システムメモリ１１１６は、図１０の半導体デバイス１０００などの半導体デバイス、上述の磁性セルコア（例えば、磁性セルコア１０１（図１）、磁性セルコア２０１（図２）、磁性セルコア５０１（図５））のうちの任意の磁性セルコアを含むメモリセル、またはその組み合わせを含んでいてもよい。
プロセッサ１１０２は、不揮発性メモリ１１１８にも結合されていてよいが、このことは、システムメモリ１１１６が必ずしも揮発性であると示唆するものではない。不揮発性メモリ１１１８は、システムメモリ１１１６と組み合わせて使用されるＳＴＴ−ＭＲＡＭ、ＭＲＡＭ、ＥＰＲＯＭなどのリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、抵抗変化型リードオンリーメモリ（ＲＲＯＭ）およびフラッシュメモリのうちの一つ以上を、含んでいてもよい。不揮発性メモリ１１１８の規模は、典型的には、あらゆる必要なオペレーティングシステム、アプリケーションプログラムおよび固定データを記憶するのにちょうど十分なだけ大きいように、選択される。さらに、不揮発性メモリ１１１８は、例えば、抵抗変化型メモリまたは他の種類の不揮発性ソリッドステートメモリを含む、ハイブリッド・ドライブなどのディスクドライブメモリなどの高容量メモリを含んでいてもよい。不揮発性メモリ１１１８は、図１０の半導体デバイス１０００などの半導体デバイス、上述の磁性セルコア（例えば、磁性セルコア１０１（図１）、磁性セルコア２０１（図２）、磁性セルコア５０１（図５））のうちの任意の磁性セルコアを含むメモリセル、またはその組み合わせを含んでいてもよい。
したがって、少なくとも一つのプロセッサを含む電子システムが開示される。前記少なくとも一つのプロセッサは、少なくとも一つの磁性メモリセルを含む。前記少なくとも一つの磁性メモリセルは、固定された磁性配向を示す固定領域と、固定領域に隣接する中間酸化物領域と、中間酸化物領域に隣接する自由領域とを含む。自由領域は、スイッチング可能な磁性配向を示す。別の酸化物領域は自由領域に隣接し、ゲッター材料は前記別の酸化物領域に近接している。ゲッター材料は、金属と酸素とを含む。前記金属の金属酸化物は、生成熱が、前記別の酸化物領域の酸化物の生成熱よりも約１０％未満までしか大きくはない。電源が、前記少なくとも一つのプロセッサと、動作可能に接続している。
本開示は、その実現における種々の改変および代替的形態を受け入れることが可能であるが、特定の実施形態が、例示として図面に示され、本明細書に詳細に記述されてきた。しかしながら、本開示は、開示された特定の形態に限定されることを意図するものではない。むしろ、本開示は、以下に添付する請求項およびその法的均等物によって定義されるように、本開示の範囲内にある全ての改変、組み合わせ、均等物、変形および代替物を包含する。

Claims (21)

  1. スイッチング可能な磁性配向を示す磁性領域と、
    固定された磁性配向を示す別の磁性領域と、
    前記磁性領域と前記別の磁性領域との間の中間酸化物領域と、
    前記磁性領域によって前記中間酸化物領域から離隔されており、前記中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する、別の酸化物領域と、
    前記別の酸化物領域に近接しており、酸素と金属とを含むゲッター領域と、
    を含む
    磁性セルコアを含む、少なくとも一つのメモリセルを含み、
    前記金属の金属酸化物は、生成熱が、前記別の酸化物領域の前記酸化物の生成熱よりも小さい、
    半導体デバイス。
  2. スイッチング可能な磁性配向を示す磁性領域と、
    固定された磁性配向を示す別の磁性領域と、
    前記磁性領域と前記別の磁性領域との間の中間酸化物領域と、
    前記磁性領域によって前記中間酸化物領域から離隔されており、前記中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する、別の酸化物領域と、
    前記別の酸化物領域に近接しており、酸素と金属とを含むゲッター領域と、
    を含む
    磁性セルコアを含む、少なくとも一つのメモリセルを含み、
    前記ゲッター領域は、前記別の酸化物領域の内部にある、
    半導体デバイス。
  3. スイッチング可能な磁性配向を示す磁性領域と、
    固定された磁性配向を示す別の磁性領域と、
    前記磁性領域と前記別の磁性領域との間の中間酸化物領域と、
    前記磁性領域によって前記中間酸化物領域から離隔されており、前記中間酸化物領域よりも低い電気抵抗を有する、別の酸化物領域と、
    前記別の酸化物領域に近接しており、酸素と金属とを含むゲッター領域と、
    を含む
    磁性セルコアを含む、少なくとも一つのメモリセルを含み、
    前記ゲッター領域は、カルシウム化合物を含む、
    半導体デバイス。
  4. 前記金属の金属酸化物は、生成熱が、前記別の酸化物領域の酸化物の生成熱よりも約１０％未満までしか大きくはない、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  5. 前記金属の金属酸化物は、前記生成熱が、前記別の酸化物領域の前記酸化物の生成熱よりも小さい、
    請求項２又は３に記載の半導体デバイス。
  6. 前記中間酸化物領域と前記別の酸化物領域は、同一の酸化物材料から形成されている、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  7. 前記別の酸化物領域は、前記中間酸化物領域よりも低い酸素濃度を有する、
    請求項６に記載の半導体デバイス。
  8. 前記ゲッター領域は、前記別の酸化物領域に直接隣接している、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  9. 前記ゲッター領域は、前記別の酸化物領域の内部にある、
    請求項１又は３に記載の半導体デバイス。
  10. 前記別の酸化物領域は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含み、
    前記ゲッター領域は、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、バリウム（Ｂａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）およびそれらの化合物のうちの少なくとも一つを含む、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  11. 前記ゲッター領域は、カルシウム化合物を含む、
    請求項１又は２に記載の半導体デバイス。
  12. 前記別の酸化物領域の電気抵抗は、前記中間酸化物領域の電気抵抗の５０％よりも小さい、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  13. 前記ゲッター領域の前記金属の金属酸化物の生成熱は、約−５．６６（ｅＶ）よりも小さい、
    請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  14. 前記少なくとも一つのメモリセルは、アレイ状の複数のメモリセルを含み、前記少なくとも一つのメモリセルは、少なくとも一つの周辺デバイスと動作可能に接続している、
    請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  15. 磁性メモリセルを形成する方法であって、
    中間酸化物領域と別の酸化物領域との間に自由領域を形成することと、
    前記別の酸化物領域に近接してゲッター材料を形成することと、
    前記別の酸化物領域から前記ゲッター材料に酸素を移動させて前記別の酸化物領域の電気抵抗を低下させることと、
    を含み、
    前記別の酸化物領域に近接してゲッター材料を形成することは、
    前記別の酸化物領域のうちの下部酸化物サブ領域を形成することと、
    前記下部酸化物サブ領域の上に前記ゲッター材料を形成することと、
    前記ゲッター材料の上に前記別の酸化物領域のうちの上部酸化物サブ領域を形成することと、
    を含む、
    方法。
  16. 前記自由領域および前記ゲッター材料を形成することは、
    基板の上に前記下部酸化物サブ領域を形成することと、
    前記下部酸化物サブ領域の上に前記ゲッター材料を形成することと、
    前記ゲッター材料の上に前記上部酸化物サブ領域を形成することと、
    前記上部酸化物サブ領域の上に前記自由領域を形成することと、
    前記自由領域の上に前記中間酸化物領域を形成することと、
    を含む、
    請求項１５に記載の方法。
  17. 前記自由領域および前記ゲッター材料を形成することは、
    基板の上に前記中間酸化物領域を形成することと、
    前記中間酸化物領域の上に前記自由領域を形成することと、
    前記自由領域の上に前記下部酸化物サブ領域を形成することと、
    前記下部酸化物サブ領域の上に前記ゲッター材料を形成することと、
    前記ゲッター材料の上に前記上部酸化物サブ領域を形成することと、
    を含む、
    請求項１５に記載の方法。
  18. 前記別の酸化物領域から前記ゲッター材料へと酸素を移動させることは、前記別の酸化物領域と前記ゲッター材料とをアニーリングすることを含む、
    請求項１５に記載の方法。
  19. 前記別の酸化物領域から前記ゲッター材料へと酸素を移動させることは、前記別の酸化物領域から前記ゲッター材料へと前記酸素の一部を移動させることを含む、
    請求項１５に記載の方法。
  20. 前記中間酸化物領域に隣接して固定領域を形成することをさらに含む、
    請求項１５に記載の方法。
  21. 金属酸化物の生成熱が、前記別の酸化物領域の酸化物の生成熱よりも約１０％までしか高くはないように、前記ゲッター材料を選択することをさらに含む、
    請求項１５に記載の方法。
JP2016542009A 2013-09-13 2014-09-03 メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム Active JP6280225B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/026,627 US9461242B2 (en) 2013-09-13 2013-09-13 Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems
US14/026,627 2013-09-13
PCT/US2014/053827 WO2015038378A1 (en) 2013-09-13 2014-09-03 Memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016534576A JP2016534576A (ja) 2016-11-04
JP6280225B2 true JP6280225B2 (ja) 2018-02-14

Family

ID=52666169

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016542009A Active JP6280225B2 (ja) 2013-09-13 2014-09-03 メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム

Country Status (7)

Country Link
US (4) US9461242B2 (ja)
EP (1) EP3044816B1 (ja)
JP (1) JP6280225B2 (ja)
KR (1) KR101838416B1 (ja)
CN (1) CN105531838B (ja)
TW (1) TWI545563B (ja)
WO (1) WO2015038378A1 (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9007818B2 (en) 2012-03-22 2015-04-14 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor device structures, systems including such cells, and methods of fabrication
US9054030B2 (en) 2012-06-19 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication
KR102078849B1 (ko) * 2013-03-11 2020-02-18 삼성전자 주식회사 자기저항 구조체, 이를 포함하는 자기 메모리 소자 및 자기저항 구조체의 제조 방법
US9379315B2 (en) 2013-03-12 2016-06-28 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems
US9368714B2 (en) 2013-07-01 2016-06-14 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of operation and fabrication, semiconductor device structures, and memory systems
US9461242B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Micron Technology, Inc. Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems
US9608197B2 (en) 2013-09-18 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices
US9281466B2 (en) 2014-04-09 2016-03-08 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication
US9269888B2 (en) 2014-04-18 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices
KR20150144550A (ko) * 2014-06-17 2015-12-28 삼성전자주식회사 온-칩 저항 측정 회로 및 이를 포함하는 저항성 메모리 장치
US9349945B2 (en) * 2014-10-16 2016-05-24 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication
KR102268187B1 (ko) * 2014-11-10 2021-06-24 삼성전자주식회사 자기 기억 소자 및 그 제조 방법
US9768377B2 (en) 2014-12-02 2017-09-19 Micron Technology, Inc. Magnetic cell structures, and methods of fabrication
KR102376480B1 (ko) * 2014-12-17 2022-03-21 삼성전자주식회사 자기 메모리 장치 및 그의 형성방법
US10439131B2 (en) 2015-01-15 2019-10-08 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor devices including tunnel barrier materials
CN108292703B (zh) * 2015-11-27 2022-03-29 Tdk株式会社 自旋流磁化反转元件、磁阻效应元件及磁存储器
US9590010B1 (en) * 2016-03-24 2017-03-07 Qualcomm Incorporated Perpendicular magnetic tunnel junction (pMTJ) devices employing a thin pinned layer stack and providing a transitioning start to a body-centered cubic (BCC) crystalline / amorphous structure below an upper anti-parallel (AP) layer
WO2018004608A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Intel Corporation Thermal resistor in pmtj stack design
WO2018004612A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-04 Intel Corporation Bulk-heating in pmtj stack design
JP2018032805A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 ソニー株式会社 磁気抵抗素子及び電子デバイス
US10453895B2 (en) 2017-01-05 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Magnetic memory device with a common source having an array of openings, system, and method of fabrication
US10727271B2 (en) 2017-01-05 2020-07-28 Micron Trechnology, Inc. Memory device having source contacts located at intersections of linear portions of a common source, electronic systems, and associated methods
US10014345B1 (en) 2017-01-05 2018-07-03 Micron Technology, Inc. Magnetic memory device with grid-shaped common source plate, system, and method of fabrication
KR20180086351A (ko) * 2017-01-20 2018-07-31 에스케이하이닉스 주식회사 전자 장치 및 그 제조 방법
JP6283437B1 (ja) 2017-03-21 2018-02-21 株式会社東芝 磁気記憶装置
US11063209B2 (en) 2017-05-30 2021-07-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing magnetic junctions utilizing oxygen blocking, oxygen adsorber and tuning layer(s)
KR102356356B1 (ko) 2017-05-31 2022-01-28 에스케이하이닉스 주식회사 세정 조성물 및 이를 이용하는 전자 장치의 제조방법
KR102514506B1 (ko) * 2017-12-19 2023-03-29 삼성전자주식회사 자기 메모리 장치 및 그 제조 방법
CN111480240B (zh) * 2018-05-31 2024-03-22 Tdk株式会社 自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器
KR102573757B1 (ko) * 2018-09-17 2023-09-05 삼성전자주식회사 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법, 그리고 기판 처리 설비
CN110061128B (zh) * 2019-05-20 2023-05-23 中国科学院微电子研究所 一种磁隧道结的形成方法及磁阻式随机存储器
JP2022143371A (ja) * 2021-03-17 2022-10-03 キオクシア株式会社 磁気記憶装置
US20240196755A1 (en) * 2022-12-10 2024-06-13 International Business Machines Corporation Reactive serial resistance reduction for magnetoresistive random-access memory devices

Family Cites Families (340)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4760745A (en) 1986-12-05 1988-08-02 Mag Dev Inc. Magnetoelastic torque transducer
DE69117350T2 (de) 1990-05-29 1996-10-10 Oki Electric Ind Co Ltd Verfahren zur Herstellung magnetischer Aufzeichnungsträger
US5565266A (en) 1993-06-14 1996-10-15 Eastman Kodak Company Multilayer magnetooptic recording media
JP3260921B2 (ja) 1993-08-25 2002-02-25 株式会社デンソー 可動体変位検出装置
US5563000A (en) 1994-03-11 1996-10-08 Eastman Kodak Company Multilayer magnetooptic recording media
US5583725A (en) 1994-06-15 1996-12-10 International Business Machines Corporation Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor
US5768069A (en) 1996-11-27 1998-06-16 International Business Machines Corporation Self-biased dual spin valve sensor
US6256224B1 (en) 2000-05-03 2001-07-03 Hewlett-Packard Co Write circuit for large MRAM arrays
US6468856B2 (en) * 1997-07-24 2002-10-22 Texas Instruments Incorporated High charge storage density integrated circuit capacitor
US6258470B1 (en) 1998-01-16 2001-07-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film
JP2000020937A (ja) 1998-07-03 2000-01-21 Hitachi Ltd 磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置
GB2343308B (en) 1998-10-30 2000-10-11 Nikolai Franz Gregor Schwabe Magnetic storage device
JP4568926B2 (ja) 1999-07-14 2010-10-27 ソニー株式会社 磁気機能素子及び磁気記録装置
US6275363B1 (en) 1999-07-23 2001-08-14 International Business Machines Corporation Read head with dual tunnel junction sensor
US6166948A (en) 1999-09-03 2000-12-26 International Business Machines Corporation Magnetic memory array with magnetic tunnel junction memory cells having flux-closed free layers
US6611405B1 (en) 1999-09-16 2003-08-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element and magnetic memory device
JP2001084756A (ja) 1999-09-17 2001-03-30 Sony Corp 磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置
US6979586B2 (en) 2000-10-06 2005-12-27 Headway Technologies, Inc. Magnetic random access memory array with coupled soft adjacent magnetic layer
US6710987B2 (en) 2000-11-17 2004-03-23 Tdk Corporation Magnetic tunnel junction read head devices having a tunneling barrier formed by multi-layer, multi-oxidation processes
FR2817999B1 (fr) 2000-12-07 2003-01-10 Commissariat Energie Atomique Dispositif magnetique a polarisation de spin et a empilement(s) tri-couche(s) et memoire utilisant ce dispositif
US6955857B2 (en) 2000-12-29 2005-10-18 Seagate Technology Llc Exchange decoupled cobalt/noble metal perpendicular recording media
US6603678B2 (en) 2001-01-11 2003-08-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thermally-assisted switching of magnetic memory elements
JP2002208682A (ja) 2001-01-12 2002-07-26 Hitachi Ltd 磁気半導体記憶装置及びその製造方法
JP2002314164A (ja) 2001-02-06 2002-10-25 Sony Corp 磁気トンネル素子及びその製造方法、薄膜磁気ヘッド、磁気メモリ、並びに磁気センサ
JP2002314049A (ja) 2001-04-18 2002-10-25 Nec Corp 磁性メモリ及びその製造方法
JP2004179668A (ja) 2001-05-15 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気抵抗素子
KR100886602B1 (ko) 2001-05-31 2009-03-05 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 터널자기저항소자
US6667861B2 (en) 2001-07-16 2003-12-23 International Business Machines Corporation Dual/differential GMR head with a single AFM layer
JP4189146B2 (ja) 2001-07-19 2008-12-03 アルプス電気株式会社 交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
JP2003031870A (ja) 2001-07-19 2003-01-31 Alps Electric Co Ltd 交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
JP4198900B2 (ja) 2001-07-19 2008-12-17 アルプス電気株式会社 交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子
US6347049B1 (en) 2001-07-25 2002-02-12 International Business Machines Corporation Low resistance magnetic tunnel junction device with bilayer or multilayer tunnel barrier
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
US6829157B2 (en) 2001-12-05 2004-12-07 Korea Institute Of Science And Technology Method of controlling magnetization easy axis in ferromagnetic films using voltage, ultrahigh-density, low power, nonvolatile magnetic memory using the control method, and method of writing information on the magnetic memory
DE10202903B4 (de) 2002-01-25 2009-01-22 Qimonda Ag Magnetoresistive Speicherzelle mit polaritätsabhängigem Widerstand und Speicherzelle
US7095933B2 (en) 2002-04-09 2006-08-22 Barth Phillip W Systems and methods for designing and fabricating multi-layer structures having thermal expansion properties
US6866255B2 (en) 2002-04-12 2005-03-15 Xerox Corporation Sputtered spring films with low stress anisotropy
US6815248B2 (en) 2002-04-18 2004-11-09 Infineon Technologies Ag Material combinations for tunnel junction cap layer, tunnel junction hard mask and tunnel junction stack seed layer in MRAM processing
JP2003332649A (ja) 2002-05-14 2003-11-21 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子
US6849464B2 (en) 2002-06-10 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a multilayer dielectric tunnel barrier structure
JP3678213B2 (ja) 2002-06-20 2005-08-03 ソニー株式会社 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法
JP4252353B2 (ja) 2002-07-16 2009-04-08 株式会社日立製作所 半導体レーザ素子の製造方法
US6653704B1 (en) 2002-09-24 2003-11-25 International Business Machines Corporation Magnetic memory with tunnel junction memory cells and phase transition material for controlling current to the cells
JP2004128229A (ja) 2002-10-02 2004-04-22 Nec Corp 磁性メモリ及びその製造方法
US6985338B2 (en) 2002-10-21 2006-01-10 International Business Machines Corporation Insulative in-stack hard bias for GMR sensor stabilization
US6980468B1 (en) 2002-10-28 2005-12-27 Silicon Magnetic Systems High density MRAM using thermal writing
US7394626B2 (en) 2002-11-01 2008-07-01 Nec Corporation Magnetoresistance device with a diffusion barrier between a conductor and a magnetoresistance element and method of fabricating the same
US6756128B2 (en) 2002-11-07 2004-06-29 International Business Machines Corporation Low-resistance high-magnetoresistance magnetic tunnel junction device with improved tunnel barrier
US6771534B2 (en) 2002-11-15 2004-08-03 International Business Machines Corporation Thermally-assisted magnetic writing using an oxide layer and current-induced heating
US6841395B2 (en) 2002-11-25 2005-01-11 International Business Machines Corporation Method of forming a barrier layer of a tunneling magnetoresistive sensor
JP2004200245A (ja) 2002-12-16 2004-07-15 Nec Corp 磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法
US6845038B1 (en) 2003-02-01 2005-01-18 Alla Mikhailovna Shukh Magnetic tunnel junction memory device
US6952364B2 (en) 2003-03-03 2005-10-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic tunnel junction structures and methods of fabrication
US6998150B2 (en) 2003-03-12 2006-02-14 Headway Technologies, Inc. Method of adjusting CoFe free layer magnetostriction
KR100544690B1 (ko) 2003-04-25 2006-01-24 재단법인서울대학교산학협력재단 비휘발성 자기 메모리 셀, 동작 방법 및 이를 이용한다진법 비휘발성 초고집적 자기 메모리
US6964819B1 (en) 2003-05-06 2005-11-15 Seagate Technology Llc Anti-ferromagnetically coupled recording media with enhanced RKKY coupling
US20040224243A1 (en) 2003-05-08 2004-11-11 Sony Corporation Mask, mask blank, and methods of producing these
US6865109B2 (en) * 2003-06-06 2005-03-08 Seagate Technology Llc Magnetic random access memory having flux closure for the free layer and spin transfer write mechanism
US6806096B1 (en) 2003-06-18 2004-10-19 Infineon Technologies Ag Integration scheme for avoiding plasma damage in MRAM technology
US7189583B2 (en) 2003-07-02 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Method for production of MRAM elements
JP4169663B2 (ja) 2003-07-25 2008-10-22 Ｈｏｙａ株式会社 垂直磁気記録媒体
US7092220B2 (en) 2003-07-29 2006-08-15 Hitachi Global Storage Technologies Apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a first self-pinned layer extending under the hard bias layers
US7282277B2 (en) 2004-04-20 2007-10-16 Seagate Technology Llc Magnetic recording media with Cu-containing magnetic layers
KR100548997B1 (ko) 2003-08-12 2006-02-02 삼성전자주식회사 다층박막구조의 자유층을 갖는 자기터널 접합 구조체들 및이를 채택하는 자기 램 셀들
JP2005064050A (ja) 2003-08-14 2005-03-10 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びそのデータ書き込み方法
US7274080B1 (en) 2003-08-22 2007-09-25 International Business Machines Corporation MgO-based tunnel spin injectors
US7298595B2 (en) 2003-09-26 2007-11-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Differential GMR sensor with multi-layer bias structure between free layers of first and second self-pinned GMR sensors
US7195927B2 (en) 2003-10-22 2007-03-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Process for making magnetic memory structures having different-sized memory cell layers
US7282755B2 (en) 2003-11-14 2007-10-16 Grandis, Inc. Stress assisted current driven switching for magnetic memory applications
US7105372B2 (en) 2004-01-20 2006-09-12 Headway Technologies, Inc. Magnetic tunneling junction film structure with process determined in-plane magnetic anisotropy
US7083988B2 (en) 2004-01-26 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Magnetic annealing sequences for patterned MRAM synthetic antiferromagnetic pinned layers
US7564152B1 (en) 2004-02-12 2009-07-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High magnetostriction of positive magnetostrictive materials under tensile load
US6992359B2 (en) 2004-02-26 2006-01-31 Grandis, Inc. Spin transfer magnetic element with free layers having high perpendicular anisotropy and in-plane equilibrium magnetization
US7130167B2 (en) 2004-03-03 2006-10-31 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor having improved synthetic free layer
JP2005251990A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Nec Electronics Corp 不揮発性半導体記憶装置
US20050211973A1 (en) 2004-03-23 2005-09-29 Kiyotaka Mori Stressed organic semiconductor
WO2005101373A1 (en) 2004-04-02 2005-10-27 Tdk Corporation Laminated free layer for stabilizing magnetoresistive head having low magnetostriction
US7190557B2 (en) * 2004-04-14 2007-03-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Current-in-the-plane spin valve magnetoresistive sensor with dual metal oxide capping layers
JP3863536B2 (ja) 2004-05-17 2006-12-27 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ及びその磁気ランダムアクセスメモリのデータ書き込み方法
US7449345B2 (en) 2004-06-15 2008-11-11 Headway Technologies, Inc. Capping structure for enhancing dR/R of the MTJ device
JP2006005286A (ja) 2004-06-21 2006-01-05 Alps Electric Co Ltd 磁気検出素子
JP4868198B2 (ja) 2004-08-19 2012-02-01 日本電気株式会社 磁性メモリ
US20060042930A1 (en) 2004-08-26 2006-03-02 Daniele Mauri Method for reactive sputter deposition of a magnesium oxide (MgO) tunnel barrier in a magnetic tunnel junction
US7355884B2 (en) 2004-10-08 2008-04-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistive element
US7351483B2 (en) 2004-11-10 2008-04-01 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junctions using amorphous materials as reference and free layers
JP5093747B2 (ja) 2004-11-16 2012-12-12 日本電気株式会社 磁気メモリ
JP2006156608A (ja) 2004-11-29 2006-06-15 Hitachi Ltd 磁気メモリおよびその製造方法
JP2006165059A (ja) * 2004-12-02 2006-06-22 Sony Corp 記憶素子及びメモリ
JP2006165327A (ja) 2004-12-08 2006-06-22 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ
JP5077802B2 (ja) 2005-02-16 2012-11-21 日本電気株式会社 積層強磁性構造体、及び、ｍｔｊ素子
US7230265B2 (en) 2005-05-16 2007-06-12 International Business Machines Corporation Spin-polarization devices using rare earth-transition metal alloys
US8068317B2 (en) 2005-07-22 2011-11-29 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel transistor with high magnetocurrent
US7372674B2 (en) 2005-07-22 2008-05-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic tunnel transistor with high magnetocurrent and stronger pinning
US7862914B2 (en) 2005-07-26 2011-01-04 Seagate Technology Llc Heatsink films for magnetic recording media
JP2007035139A (ja) 2005-07-26 2007-02-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
US7349187B2 (en) 2005-09-07 2008-03-25 International Business Machines Corporation Tunnel barriers based on alkaline earth oxides
FR2892231B1 (fr) 2005-10-14 2008-06-27 Commissariat Energie Atomique Dispositif magnetique a jonction tunnel magnetoresistive et memoire magnetique a acces aleatoire
JP4444241B2 (ja) 2005-10-19 2010-03-31 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
JP4768427B2 (ja) * 2005-12-12 2011-09-07 株式会社東芝 半導体記憶装置
US7791844B2 (en) 2005-12-14 2010-09-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetoresistive sensor having a magnetically stable free layer with a positive magnetostriction
JP4786331B2 (ja) 2005-12-21 2011-10-05 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子の製造方法
US7479394B2 (en) 2005-12-22 2009-01-20 Magic Technologies, Inc. MgO/NiFe MTJ for high performance MRAM application
US7732881B2 (en) 2006-11-01 2010-06-08 Avalanche Technology, Inc. Current-confined effect of magnetic nano-current-channel (NCC) for magnetic random access memory (MRAM)
US8508984B2 (en) 2006-02-25 2013-08-13 Avalanche Technology, Inc. Low resistance high-TMR magnetic tunnel junction and process for fabrication thereof
US8058696B2 (en) 2006-02-25 2011-11-15 Avalanche Technology, Inc. High capacity low cost multi-state magnetic memory
CN101395732A (zh) * 2006-03-03 2009-03-25 佳能安内华股份有限公司 磁阻效应元件的制造方法以及制造设备
JP2007250094A (ja) 2006-03-16 2007-09-27 Fujitsu Ltd 磁気記録媒体、磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録装置
TWI309411B (en) 2006-04-21 2009-05-01 Nat Univ Tsing Hua Perpendicular magnetic recording media
US8120949B2 (en) 2006-04-27 2012-02-21 Avalanche Technology, Inc. Low-cost non-volatile flash-RAM memory
JP4731393B2 (ja) 2006-04-28 2011-07-20 株式会社日立製作所 磁気再生ヘッド
US7486550B2 (en) 2006-06-06 2009-02-03 Micron Technology, Inc. Semiconductor magnetic memory integrating a magnetic tunneling junction above a floating-gate memory cell
US20070297220A1 (en) 2006-06-22 2007-12-27 Masatoshi Yoshikawa Magnetoresistive element and magnetic memory
JP2008010590A (ja) 2006-06-28 2008-01-17 Toshiba Corp 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
US7595520B2 (en) 2006-07-31 2009-09-29 Magic Technologies, Inc. Capping layer for a magnetic tunnel junction device to enhance dR/R and a method of making the same
JP4496189B2 (ja) 2006-09-28 2010-07-07 株式会社東芝 磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ
JP2008098523A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
US20080170329A1 (en) 2007-01-11 2008-07-17 Seagate Technology Llc Granular perpendicular magnetic recording media with improved corrosion resistance by SUL post-deposition heating
JP4751344B2 (ja) 2007-01-26 2011-08-17 株式会社東芝 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置
US7598579B2 (en) 2007-01-30 2009-10-06 Magic Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction (MTJ) to reduce spin transfer magnetization switching current
US20100035085A1 (en) 2007-02-03 2010-02-11 Wd Media, Inc. Perpendicular magnetic recording medium with improved magnetic anisotropy field
JP2008192926A (ja) 2007-02-06 2008-08-21 Tdk Corp トンネル型磁気検出素子及びその製造方法
US20090218645A1 (en) 2007-02-12 2009-09-03 Yadav Technology Inc. multi-state spin-torque transfer magnetic random access memory
US8623452B2 (en) 2010-12-10 2014-01-07 Avalanche Technology, Inc. Magnetic random access memory (MRAM) with enhanced magnetic stiffness and method of making same
JP5143444B2 (ja) 2007-02-13 2013-02-13 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP2008204539A (ja) 2007-02-20 2008-09-04 Fujitsu Ltd 垂直磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記録装置
US20080205130A1 (en) 2007-02-28 2008-08-28 Freescale Semiconductor, Inc. Mram free layer synthetic antiferromagnet structure and methods
JP4682998B2 (ja) 2007-03-15 2011-05-11 ソニー株式会社 記憶素子及びメモリ
US20080242088A1 (en) 2007-03-29 2008-10-02 Tokyo Electron Limited Method of forming low resistivity copper film structures
JP2008263031A (ja) 2007-04-11 2008-10-30 Toshiba Corp 磁気抵抗効果素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子を備えた磁気記憶装置とその製造方法
US8097175B2 (en) 2008-10-28 2012-01-17 Micron Technology, Inc. Method for selectively permeating a self-assembled block copolymer, method for forming metal oxide structures, method for forming a metal oxide pattern, and method for patterning a semiconductor structure
US7682841B2 (en) 2007-05-02 2010-03-23 Qimonda Ag Method of forming integrated circuit having a magnetic tunnel junction device
US7486552B2 (en) 2007-05-21 2009-02-03 Grandis, Inc. Method and system for providing a spin transfer device with improved switching characteristics
US7602033B2 (en) 2007-05-29 2009-10-13 Headway Technologies, Inc. Low resistance tunneling magnetoresistive sensor with composite inner pinned layer
EP2015307B8 (en) 2007-07-13 2013-05-15 Hitachi Ltd. Magnetoresistive device
US7750421B2 (en) 2007-07-23 2010-07-06 Magic Technologies, Inc. High performance MTJ element for STT-RAM and method for making the same
TW200907964A (en) 2007-08-09 2009-02-16 Ind Tech Res Inst Structure of magnetic memory cell and magnetic memory device
JP5397926B2 (ja) 2007-08-31 2014-01-22 昭和電工株式会社 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置
JP4649457B2 (ja) 2007-09-26 2011-03-09 株式会社東芝 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
US8497559B2 (en) 2007-10-10 2013-07-30 Magic Technologies, Inc. MRAM with means of controlling magnetic anisotropy
US8372661B2 (en) 2007-10-31 2013-02-12 Magic Technologies, Inc. High performance MTJ element for conventional MRAM and for STT-RAM and a method for making the same
JP2009116930A (ja) 2007-11-02 2009-05-28 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 垂直磁気記録媒体およびそれを用いた磁気記録再生装置
US7488609B1 (en) 2007-11-16 2009-02-10 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for forming an MgO barrier layer in a tunneling magnetoresistive (TMR) device
KR20090074396A (ko) 2008-01-02 2009-07-07 삼성전자주식회사 강유전체를 이용한 정보저장매체, 그 제조방법, 및 이를채용한 정보저장장치
US7919794B2 (en) 2008-01-08 2011-04-05 Qualcomm, Incorporated Memory cell and method of forming a magnetic tunnel junction (MTJ) of a memory cell
JP4703660B2 (ja) 2008-01-11 2011-06-15 株式会社東芝 スピンｍｏｓ電界効果トランジスタ
JP5150284B2 (ja) 2008-01-30 2013-02-20 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子およびその製造方法
US7727834B2 (en) 2008-02-14 2010-06-01 Toshiba America Electronic Components, Inc. Contact configuration and method in dual-stress liner semiconductor device
JP2009194210A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Renesas Technology Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US8545999B1 (en) 2008-02-21 2013-10-01 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a magnetoresistive structure
KR101298817B1 (ko) 2008-03-07 2013-08-23 캐논 아네르바 가부시키가이샤 자기 저항 소자의 제조 방법 및 자기 저항 소자의 제조 장치
US9021685B2 (en) 2008-03-12 2015-05-05 Headway Technologies, Inc. Two step annealing process for TMR device with amorphous free layer
JP4724196B2 (ja) 2008-03-25 2011-07-13 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子及び磁気ランダムアクセスメモリ
US7885105B2 (en) 2008-03-25 2011-02-08 Qualcomm Incorporated Magnetic tunnel junction cell including multiple vertical magnetic domains
US8057925B2 (en) 2008-03-27 2011-11-15 Magic Technologies, Inc. Low switching current dual spin filter (DSF) element for STT-RAM and a method for making the same
US8164862B2 (en) 2008-04-02 2012-04-24 Headway Technologies, Inc. Seed layer for TMR or CPP-GMR sensor
JP2009252878A (ja) 2008-04-03 2009-10-29 Renesas Technology Corp 磁気記憶装置
US7948044B2 (en) 2008-04-09 2011-05-24 Magic Technologies, Inc. Low switching current MTJ element for ultra-high STT-RAM and a method for making the same
FR2931011B1 (fr) 2008-05-06 2010-05-28 Commissariat Energie Atomique Element magnetique a ecriture assistee thermiquement
JP4774082B2 (ja) 2008-06-23 2011-09-14 キヤノンアネルバ株式会社 磁気抵抗効果素子の製造方法
US8274818B2 (en) 2008-08-05 2012-09-25 Tohoku University Magnetoresistive element, magnetic memory cell and magnetic random access memory using the same
KR101435590B1 (ko) 2008-08-18 2014-08-29 삼성전자주식회사 자기 기억 소자 및 그 형성방법
JP5182631B2 (ja) 2008-09-02 2013-04-17 富士電機株式会社 垂直磁気記録媒体
EP2333826B1 (en) 2008-09-03 2014-09-03 Fuji Electric Co., Ltd. Magnetic memory element and storage device using same
KR101004506B1 (ko) 2008-09-09 2010-12-31 주식회사 하이닉스반도체 공통 소스라인을 갖는 수직 자기형 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법
US8138561B2 (en) 2008-09-18 2012-03-20 Magic Technologies, Inc. Structure and method to fabricate high performance MTJ devices for spin-transfer torque (STT)-RAM
US7940551B2 (en) 2008-09-29 2011-05-10 Seagate Technology, Llc STRAM with electronically reflective insulative spacer
US8102700B2 (en) 2008-09-30 2012-01-24 Micron Technology, Inc. Unidirectional spin torque transfer magnetic memory cell structure
US8310861B2 (en) 2008-09-30 2012-11-13 Micron Technology, Inc. STT-MRAM cell structure incorporating piezoelectric stress material
JP2010087355A (ja) 2008-10-01 2010-04-15 Fujitsu Ltd トンネル磁気抵抗効果膜の製造方法及びトンネル磁気抵抗効果膜
US8487390B2 (en) 2008-10-08 2013-07-16 Seagate Technology Llc Memory cell with stress-induced anisotropy
JP2010093157A (ja) 2008-10-10 2010-04-22 Fujitsu Ltd 磁気抵抗効果素子、磁気再生ヘッド、磁気抵抗デバイスおよび情報記憶装置
US7939188B2 (en) 2008-10-27 2011-05-10 Seagate Technology Llc Magnetic stack design
US9165625B2 (en) 2008-10-30 2015-10-20 Seagate Technology Llc ST-RAM cells with perpendicular anisotropy
KR101178767B1 (ko) 2008-10-30 2012-09-07 한국과학기술연구원 이중 자기 이방성 자유층을 갖는 자기 터널 접합 구조
US7835173B2 (en) 2008-10-31 2010-11-16 Micron Technology, Inc. Resistive memory
US7944738B2 (en) 2008-11-05 2011-05-17 Micron Technology, Inc. Spin torque transfer cell structure utilizing field-induced antiferromagnetic or ferromagnetic coupling
US8043732B2 (en) 2008-11-11 2011-10-25 Seagate Technology Llc Memory cell with radial barrier
US7929370B2 (en) 2008-11-24 2011-04-19 Magic Technologies, Inc. Spin momentum transfer MRAM design
US8378438B2 (en) 2008-12-04 2013-02-19 Grandis, Inc. Method and system for providing magnetic elements having enhanced magnetic anisotropy and memories using such magnetic elements
EP2375465A1 (en) 2008-12-10 2011-10-12 Hitachi, Ltd. Magnetoresistance effect element and magnetic memory cell and magnetic random access memory using same
FR2939955B1 (fr) 2008-12-11 2011-03-11 Commissariat Energie Atomique Procede pour la realisation d'une jonction tunnel magnetique et jonction tunnel magnetique ainsi obtenue.
US20100148167A1 (en) 2008-12-12 2010-06-17 Everspin Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction stack
WO2010080542A1 (en) 2008-12-17 2010-07-15 Yadav Technology, Inc. Spin-transfer torque magnetic random access memory having magnetic tunnel junction with perpendicular magnetic anisotropy
US8089137B2 (en) 2009-01-07 2012-01-03 Macronix International Co., Ltd. Integrated circuit memory with single crystal silicon on silicide driver and manufacturing method
US8553449B2 (en) 2009-01-09 2013-10-08 Micron Technology, Inc. STT-MRAM cell structures
US7957182B2 (en) 2009-01-12 2011-06-07 Micron Technology, Inc. Memory cell having nonmagnetic filament contact and methods of operating and fabricating the same
JP4952725B2 (ja) 2009-01-14 2012-06-13 ソニー株式会社 不揮発性磁気メモリ装置
JP4738499B2 (ja) 2009-02-10 2011-08-03 株式会社東芝 スピントランジスタの製造方法
US8587993B2 (en) 2009-03-02 2013-11-19 Qualcomm Incorporated Reducing source loading effect in spin torque transfer magnetoresisitive random access memory (STT-MRAM)
US8120126B2 (en) * 2009-03-02 2012-02-21 Qualcomm Incorporated Magnetic tunnel junction device and fabrication
JP5150531B2 (ja) 2009-03-03 2013-02-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 磁気抵抗素子、磁気ランダムアクセスメモリ、及びそれらの製造方法
US7969774B2 (en) 2009-03-10 2011-06-28 Micron Technology, Inc. Electronic devices formed of two or more substrates bonded together, electronic systems comprising electronic devices and methods of making electronic devices
US7863060B2 (en) 2009-03-23 2011-01-04 Magic Technologies, Inc. Method of double patterning and etching magnetic tunnel junction structures for spin-transfer torque MRAM devices
US8362482B2 (en) 2009-04-14 2013-01-29 Monolithic 3D Inc. Semiconductor device and structure
US7936598B2 (en) 2009-04-28 2011-05-03 Seagate Technology Magnetic stack having assist layer
ATE544153T1 (de) 2009-05-08 2012-02-15 Crocus Technology Magnetischer speicher mit wärmeunterstütztem schreibverfahren und niedrigem schreibstrom
US8514617B2 (en) 2009-05-19 2013-08-20 Fuji Electric Co., Ltd. Magnetic memory element and storage device using the same
WO2010137679A1 (ja) 2009-05-28 2010-12-02 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果素子及びそれを用いたランダムアクセスメモリ
US8381391B2 (en) 2009-06-26 2013-02-26 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording transducer
US20100327248A1 (en) 2009-06-29 2010-12-30 Seagate Technology Llc Cell patterning with multiple hard masks
EP2385548B1 (en) 2009-07-03 2014-10-29 Fuji Electric Co., Ltd. Magnetic memory element and driving method therefor
US8159856B2 (en) 2009-07-07 2012-04-17 Seagate Technology Llc Bipolar select device for resistive sense memory
US8273582B2 (en) 2009-07-09 2012-09-25 Crocus Technologies Method for use in making electronic devices having thin-film magnetic components
US8125746B2 (en) 2009-07-13 2012-02-28 Seagate Technology Llc Magnetic sensor with perpendicular anisotrophy free layer and side shields
US7999338B2 (en) 2009-07-13 2011-08-16 Seagate Technology Llc Magnetic stack having reference layers with orthogonal magnetization orientation directions
US8609262B2 (en) 2009-07-17 2013-12-17 Magic Technologies, Inc. Structure and method to fabricate high performance MTJ devices for spin-transfer torque (STT)-RAM application
US10446209B2 (en) 2009-08-10 2019-10-15 Samsung Semiconductor Inc. Method and system for providing magnetic tunneling junction elements having improved performance through capping layer induced perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements
US8779538B2 (en) 2009-08-10 2014-07-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic tunneling junction seed, capping, and spacer layer materials
US20110031569A1 (en) 2009-08-10 2011-02-10 Grandis, Inc. Method and system for providing magnetic tunneling junction elements having improved performance through capping layer induced perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements
JP5527649B2 (ja) 2009-08-28 2014-06-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8284594B2 (en) 2009-09-03 2012-10-09 International Business Machines Corporation Magnetic devices and structures
US8445979B2 (en) 2009-09-11 2013-05-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic memory devices including magnetic layers separated by tunnel barriers
US9082534B2 (en) 2009-09-15 2015-07-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic element having perpendicular anisotropy with enhanced efficiency
US8072800B2 (en) 2009-09-15 2011-12-06 Grandis Inc. Magnetic element having perpendicular anisotropy with enhanced efficiency
US8766341B2 (en) 2009-10-20 2014-07-01 The Regents Of The University Of California Epitaxial growth of single crystalline MgO on germanium
US8169821B1 (en) 2009-10-20 2012-05-01 Avalanche Technology, Inc. Low-crystallization temperature MTJ for spin-transfer torque magnetic random access memory (SSTTMRAM)
US8184411B2 (en) 2009-10-26 2012-05-22 Headway Technologies, Inc. MTJ incorporating CoFe/Ni multilayer film with perpendicular magnetic anisotropy for MRAM application
US8334148B2 (en) 2009-11-11 2012-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of forming pattern structures
KR101740040B1 (ko) 2010-07-16 2017-06-09 삼성전자주식회사 패턴 구조물, 패턴 구조물 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP2011123923A (ja) 2009-12-08 2011-06-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置
KR101658394B1 (ko) 2009-12-15 2016-09-22 삼성전자 주식회사 자기터널접합 소자 및 그 제조방법과 자기터널접합 소자를 포함하는 전자소자
KR101608671B1 (ko) 2009-12-16 2016-04-05 삼성전자주식회사 휴대 단말기의 프로세서 간 데이터 통신 방법 및 장치
US8238151B2 (en) 2009-12-18 2012-08-07 Micron Technology, Inc. Transient heat assisted STTRAM cell for lower programming current
KR20110071710A (ko) 2009-12-21 2011-06-29 삼성전자주식회사 수직 자기터널접합과 이를 포함하는 자성소자 및 그 제조방법
KR20110071702A (ko) 2009-12-21 2011-06-29 삼성전자주식회사 그라핀을 이용한 스핀밸브소자 및 그 제조방법과 스핀밸브소자를 포함하는 자성소자
US8254162B2 (en) 2010-01-11 2012-08-28 Grandis, Inc. Method and system for providing magnetic tunneling junctions usable in spin transfer torque magnetic memories
US9093163B2 (en) 2010-01-14 2015-07-28 Hitachi, Ltd. Magnetoresistive device
JP4903277B2 (ja) 2010-01-26 2012-03-28 株式会社日立製作所 磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ
US8223539B2 (en) 2010-01-26 2012-07-17 Micron Technology, Inc. GCIB-treated resistive device
JP5732827B2 (ja) 2010-02-09 2015-06-10 ソニー株式会社 記憶素子および記憶装置、並びに記憶装置の動作方法
US8149614B2 (en) 2010-03-31 2012-04-03 Nanya Technology Corp. Magnetoresistive random access memory element and fabrication method thereof
SG175482A1 (en) 2010-05-04 2011-11-28 Agency Science Tech & Res Multi-bit cell magnetic memory with perpendicular magnetization and spin torque switching
WO2011149274A2 (ko) 2010-05-26 2011-12-01 고려대학교 산학협력단 자기적으로 연결되고 수직 자기 이방성을 갖도록 하는 비정질 버퍼층을 가지는 자기 터널 접합 소자
US8920947B2 (en) 2010-05-28 2014-12-30 Headway Technologies, Inc. Multilayer structure with high perpendicular anisotropy for device applications
US8922956B2 (en) 2010-06-04 2014-12-30 Seagate Technology Llc Tunneling magneto-resistive sensors with buffer layers
US8604572B2 (en) 2010-06-14 2013-12-10 Regents Of The University Of Minnesota Magnetic tunnel junction device
US8324697B2 (en) 2010-06-15 2012-12-04 International Business Machines Corporation Seed layer and free magnetic layer for perpendicular anisotropy in a spin-torque magnetic random access memory
JP5502627B2 (ja) 2010-07-09 2014-05-28 株式会社東芝 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
US20120015099A1 (en) 2010-07-15 2012-01-19 Everspin Technologies, Inc. Structure and method for fabricating a magnetic thin film memory having a high field anisotropy
US8564080B2 (en) 2010-07-16 2013-10-22 Qualcomm Incorporated Magnetic storage element utilizing improved pinned layer stack
US8546896B2 (en) * 2010-07-16 2013-10-01 Grandis, Inc. Magnetic tunneling junction elements having magnetic substructures(s) with a perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements
KR101652006B1 (ko) 2010-07-20 2016-08-30 삼성전자주식회사 자기 기억 소자 및 그 제조 방법
KR101746615B1 (ko) 2010-07-22 2017-06-14 삼성전자 주식회사 자기 메모리 소자 및 이를 포함하는 메모리 카드 및 시스템
US8772886B2 (en) 2010-07-26 2014-07-08 Avalanche Technology, Inc. Spin transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) having graded synthetic free layer
KR101684915B1 (ko) 2010-07-26 2016-12-12 삼성전자주식회사 자기 기억 소자
JP5652075B2 (ja) 2010-09-13 2015-01-14 ソニー株式会社 記憶素子及びメモリ
JP2012064624A (ja) 2010-09-14 2012-03-29 Sony Corp 記憶素子、メモリ装置
US9024398B2 (en) 2010-12-10 2015-05-05 Avalanche Technology, Inc. Perpendicular STTMRAM device with balanced reference layer
JP5123365B2 (ja) 2010-09-16 2013-01-23 株式会社東芝 磁気抵抗素子及び磁気メモリ
US8310868B2 (en) 2010-09-17 2012-11-13 Micron Technology, Inc. Spin torque transfer memory cell structures and methods
JP5214691B2 (ja) 2010-09-17 2013-06-19 株式会社東芝 磁気メモリ及びその製造方法
US8374020B2 (en) 2010-10-29 2013-02-12 Honeywell International Inc. Reduced switching-energy magnetic elements
US20120104522A1 (en) 2010-11-01 2012-05-03 Seagate Technology Llc Magnetic tunnel junction cells having perpendicular anisotropy and enhancement layer
JP2012099741A (ja) 2010-11-04 2012-05-24 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
US8470462B2 (en) 2010-11-30 2013-06-25 Magic Technologies, Inc. Structure and method for enhancing interfacial perpendicular anisotropy in CoFe(B)/MgO/CoFe(B) magnetic tunnel junctions
CN103250263B (zh) 2010-12-22 2015-07-01 株式会社爱发科 穿隧磁阻元件的制造方法
US8675317B2 (en) 2010-12-22 2014-03-18 HGST Netherlands B.V. Current-perpendicular-to-plane (CPP) read sensor with dual seed and cap layers
JP5609652B2 (ja) 2011-01-05 2014-10-22 富士通株式会社 磁気トンネル接合素子、その製造方法、及びｍｒａｍ
JP2012151213A (ja) 2011-01-18 2012-08-09 Sony Corp 記憶素子、メモリ装置
US8786036B2 (en) 2011-01-19 2014-07-22 Headway Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction for MRAM applications
JP5367739B2 (ja) 2011-02-03 2013-12-11 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
US9006704B2 (en) 2011-02-11 2015-04-14 Headway Technologies, Inc. Magnetic element with improved out-of-plane anisotropy for spintronic applications
KR101739952B1 (ko) 2011-02-25 2017-05-26 삼성전자주식회사 자기 메모리 장치
JP2012182219A (ja) 2011-02-28 2012-09-20 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ
US8947914B2 (en) 2011-03-18 2015-02-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Magnetic tunneling junction devices, memories, electronic systems, and memory systems, and methods of fabricating the same
US20120241878A1 (en) 2011-03-24 2012-09-27 International Business Machines Corporation Magnetic tunnel junction with iron dusting layer between free layer and tunnel barrier
JP2012204432A (ja) 2011-03-24 2012-10-22 Toshiba Corp 磁気ランダムアクセスメモリ及びその製造方法
US8790798B2 (en) 2011-04-18 2014-07-29 Alexander Mikhailovich Shukh Magnetoresistive element and method of manufacturing the same
US20120267733A1 (en) 2011-04-25 2012-10-25 International Business Machines Corporation Magnetic stacks with perpendicular magnetic anisotropy for spin momentum transfer magnetoresistive random access memory
US8592927B2 (en) * 2011-05-04 2013-11-26 Magic Technologies, Inc. Multilayers having reduced perpendicular demagnetizing field using moment dilution for spintronic applications
US8541855B2 (en) 2011-05-10 2013-09-24 Magic Technologies, Inc. Co/Ni multilayers with improved out-of-plane anisotropy for magnetic device applications
US8508006B2 (en) 2011-05-10 2013-08-13 Magic Technologies, Inc. Co/Ni multilayers with improved out-of-plane anisotropy for magnetic device applications
JPWO2012157600A1 (ja) 2011-05-17 2014-07-31 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置
WO2012160937A1 (ja) 2011-05-20 2012-11-29 日本電気株式会社 磁気メモリ素子および磁気メモリ
JP5768498B2 (ja) * 2011-05-23 2015-08-26 ソニー株式会社 記憶素子、記憶装置
JP5177256B2 (ja) 2011-06-03 2013-04-03 富士電機株式会社 垂直磁気記録媒体およびその製造方法
JP2013008868A (ja) 2011-06-24 2013-01-10 Toshiba Corp 半導体記憶装置
EP2541554B1 (en) 2011-06-30 2015-12-30 Hitachi, Ltd. Magnetic functional device
KR20130008929A (ko) 2011-07-13 2013-01-23 에스케이하이닉스 주식회사 개선된 자성층의 두께 마진을 갖는 자기 메모리 디바이스
KR20130015929A (ko) 2011-08-05 2013-02-14 에스케이하이닉스 주식회사 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법
KR101831931B1 (ko) 2011-08-10 2018-02-26 삼성전자주식회사 외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치
US8492169B2 (en) 2011-08-15 2013-07-23 Magic Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction for MRAM applications
US20130059168A1 (en) 2011-08-31 2013-03-07 Agency Fo Science, Technology And Research Magnetoresistance Device
US8704320B2 (en) 2011-09-12 2014-04-22 Qualcomm Incorporated Strain induced reduction of switching current in spin-transfer torque switching devices
JP5767925B2 (ja) 2011-09-21 2015-08-26 株式会社東芝 磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置
US8878318B2 (en) * 2011-09-24 2014-11-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for a MRAM device with an oxygen absorbing cap layer
JP5971927B2 (ja) 2011-11-29 2016-08-17 デクセリアルズ株式会社 光学体、窓材、建具、日射遮蔽装置および建築物
JP5867030B2 (ja) 2011-12-01 2016-02-24 ソニー株式会社 記憶素子、記憶装置
US9058885B2 (en) 2011-12-07 2015-06-16 Agency For Science, Technology And Research Magnetoresistive device and a writing method for a magnetoresistive device
US8823117B2 (en) 2011-12-08 2014-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Magnetic device fabrication
US8823118B2 (en) 2012-01-05 2014-09-02 Headway Technologies, Inc. Spin torque transfer magnetic tunnel junction fabricated with a composite tunneling barrier layer
JP5999543B2 (ja) 2012-01-16 2016-09-28 株式会社アルバック トンネル磁気抵抗素子の製造方法
JP5923999B2 (ja) 2012-01-30 2016-05-25 富士通株式会社 ストレージ管理方法およびストレージ管理装置
US9679664B2 (en) 2012-02-11 2017-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing a smart memory architecture
US8871365B2 (en) 2012-02-28 2014-10-28 Headway Technologies, Inc. High thermal stability reference structure with out-of-plane aniotropy to magnetic device applications
US8710603B2 (en) 2012-02-29 2014-04-29 Headway Technologies, Inc. Engineered magnetic layer with improved perpendicular anisotropy using glassing agents for spintronic applications
US8698260B2 (en) * 2012-02-29 2014-04-15 Headway Technologies, Inc. Engineered magnetic layer with improved perpendicular anisotropy using glassing agents for spintronic applications
US8617644B2 (en) 2012-03-08 2013-12-31 HGST Netherlands B.V. Method for making a current-perpendicular-to-the-plane (CPP) magnetoresistive sensor containing a ferromagnetic alloy requiring post-deposition annealing
JP5956793B2 (ja) 2012-03-16 2016-07-27 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置及び磁気メモリ
US9007818B2 (en) 2012-03-22 2015-04-14 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor device structures, systems including such cells, and methods of fabrication
KR101287370B1 (ko) 2012-05-22 2013-07-19 고려대학교 산학협력단 반전구조를 갖는 코발트(Ｃｏ) 및 플래티늄(Ｐｔ) 기반의 다층박막 및 이의 제조방법
US8941950B2 (en) 2012-05-23 2015-01-27 WD Media, LLC Underlayers for heat assisted magnetic recording (HAMR) media
US8923038B2 (en) 2012-06-19 2014-12-30 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication
US9054030B2 (en) 2012-06-19 2015-06-09 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor device structures, memory systems, and methods of fabrication
KR101446338B1 (ko) 2012-07-17 2014-10-01 삼성전자주식회사 자기 소자 및 그 제조 방법
US9214624B2 (en) 2012-07-27 2015-12-15 Qualcomm Incorporated Amorphous spacerlattice spacer for perpendicular MTJs
JP5961490B2 (ja) 2012-08-29 2016-08-02 昭和電工株式会社 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置
US8860156B2 (en) 2012-09-11 2014-10-14 Headway Technologies, Inc. Minimal thickness synthetic antiferromagnetic (SAF) structure with perpendicular magnetic anisotropy for STT-MRAM
US8836056B2 (en) 2012-09-26 2014-09-16 Intel Corporation Perpendicular MTJ stacks with magnetic anisotropy enhancing layer and crystallization barrier layer
US8865008B2 (en) 2012-10-25 2014-10-21 Headway Technologies, Inc. Two step method to fabricate small dimension devices for magnetic recording applications
JP6016946B2 (ja) 2012-12-20 2016-10-26 キヤノンアネルバ株式会社 酸化処理装置、酸化方法、および電子デバイスの製造方法
US9287323B2 (en) * 2013-01-08 2016-03-15 Yimin Guo Perpendicular magnetoresistive elements
US20140242419A1 (en) 2013-02-28 2014-08-28 Showa Denko Hd Singapore Pte Ltd. Perpendicular recording medium for hard disk drives
US9379315B2 (en) 2013-03-12 2016-06-28 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, and memory systems
US9499899B2 (en) 2013-03-13 2016-11-22 Intermolecular, Inc. Systems, methods, and apparatus for production coatings of low-emissivity glass including a ternary alloy
US9206078B2 (en) 2013-03-13 2015-12-08 Intermolecular, Inc. Barrier layers for silver reflective coatings and HPC workflows for rapid screening of materials for such barrier layers
KR102131812B1 (ko) 2013-03-13 2020-08-05 삼성전자주식회사 소스라인 플로팅 회로, 이를 포함하는 메모리 장치 및 메모리 장치의 독출 방법
JP6199618B2 (ja) 2013-04-12 2017-09-20 昭和電工株式会社 磁気記録媒体、磁気記憶装置
KR102099879B1 (ko) 2013-05-03 2020-04-10 삼성전자 주식회사 자기 소자
US9341685B2 (en) 2013-05-13 2016-05-17 HGST Netherlands B.V. Antiferromagnetic (AFM) grain growth controlled random telegraph noise (RTN) suppressed magnetic head
KR20140135002A (ko) 2013-05-15 2014-11-25 삼성전자주식회사 자기 기억 소자 및 그 제조방법
JP6182993B2 (ja) 2013-06-17 2017-08-23 ソニー株式会社 記憶素子、記憶装置、記憶素子の製造方法、磁気ヘッド
US9466787B2 (en) 2013-07-23 2016-10-11 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, semiconductor device structures, memory systems, and electronic systems
JP5689932B2 (ja) 2013-08-06 2015-03-25 キヤノンアネルバ株式会社 トンネル磁気抵抗素子の製造方法
US20150041933A1 (en) 2013-08-08 2015-02-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and system for providing magnetic junctions using bcc cobalt and suitable for use in spin transfer torque memories
US20150069556A1 (en) 2013-09-11 2015-03-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetic memory and method for manufacturing the same
US9461242B2 (en) 2013-09-13 2016-10-04 Micron Technology, Inc. Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems
US9608197B2 (en) 2013-09-18 2017-03-28 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices
US9082927B1 (en) 2013-12-20 2015-07-14 Intermolecular, Inc. Catalytic growth of Josephson junction tunnel barrier
US10454024B2 (en) 2014-02-28 2019-10-22 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, and memory devices
US9214625B2 (en) 2014-03-18 2015-12-15 International Business Machines Corporation Thermally assisted MRAM with increased breakdown voltage using a double tunnel barrier
US9269893B2 (en) 2014-04-02 2016-02-23 Qualcomm Incorporated Replacement conductive hard mask for multi-step magnetic tunnel junction (MTJ) etch
US9281466B2 (en) 2014-04-09 2016-03-08 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication
US9269888B2 (en) 2014-04-18 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices
US9496489B2 (en) 2014-05-21 2016-11-15 Avalanche Technology, Inc. Magnetic random access memory with multilayered seed structure
US9559296B2 (en) 2014-07-03 2017-01-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for providing a perpendicular magnetic anisotropy magnetic junction usable in spin transfer torque magnetic devices using a sacrificial insertion layer
US9799382B2 (en) 2014-09-21 2017-10-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for providing a magnetic junction on a substrate and usable in a magnetic device
US9349945B2 (en) 2014-10-16 2016-05-24 Micron Technology, Inc. Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication
US9768377B2 (en) 2014-12-02 2017-09-19 Micron Technology, Inc. Magnetic cell structures, and methods of fabrication
US10439131B2 (en) 2015-01-15 2019-10-08 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor devices including tunnel barrier materials

Also Published As

Publication number Publication date
CN105531838B (zh) 2018-07-13
EP3044816B1 (en) 2019-03-06
US20150076485A1 (en) 2015-03-19
US10020446B2 (en) 2018-07-10
US11211554B2 (en) 2021-12-28
EP3044816A4 (en) 2017-05-31
US20190252602A1 (en) 2019-08-15
US20180287053A1 (en) 2018-10-04
TWI545563B (zh) 2016-08-11
KR20160054538A (ko) 2016-05-16
CN105531838A (zh) 2016-04-27
US9461242B2 (en) 2016-10-04
WO2015038378A1 (en) 2015-03-19
TW201530540A (zh) 2015-08-01
KR101838416B1 (ko) 2018-03-13
EP3044816A1 (en) 2016-07-20
JP2016534576A (ja) 2016-11-04
US20160359105A1 (en) 2016-12-08
US10290799B2 (en) 2019-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6280225B2 (ja) メモリセル、製造方法、半導体デバイス、メモリシステムおよび電子システム
US10680036B2 (en) Magnetic devices with magnetic and getter regions
US10276781B2 (en) Magnetoresistive structures, semiconductor devices, and related systems
JP6212646B2 (ja) メモリセル、製造方法、及び、半導体デバイス
TWI678821B (zh) 電子裝置及形成一磁性記憶體單元之方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170324

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170328

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180109

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180118

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6280225

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250