JP5367739B2 - 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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本発明の第1実施形態による磁気抵抗効果素子(以下、TMR素子ともいう)を図1に示す。本実施形態のTMR素子1は、磁化の向きが一方向に固定された磁性膜を有する磁化参照層2と、磁化の向きが可変である磁性膜を有する磁化自由層6と、磁化参照層2と磁化自由層6との間に設けられた中間層4とを備えている。
また、本実施形態の第1変形例によるTMR素子を図2に示す。この第1変形例のTMR素子1Aは、図1に示す第1実施形態のTMR素子1において、磁化自由層6は、結晶化遅延膜6bおよび補助磁性膜6cを削除して単層の界面磁性膜とし、かつ磁化自由層6からみて中間層4と反対側に結晶化遅延層8を設けた構成となっている。
また、本実施形態の第2変形例によるTMR素子を図3に示す。この第2変形例のTMR素子1Bは、図1に示す第1実施形態のTMR素子1において、磁化参照層2は、結晶化遅延膜2bおよび補助磁性膜2cを削除して単層の界面磁性層とし、かつ磁化参照層2に対して中間層4と反対側に結晶化遅延層10を設けた構成となっている。
また、本実施形態の第3変形例によるTMR素子を図4に示す。この第3変形例のTMR素子1Cは、図2に示す第1変形例のTMR素子1Aにおいて、磁化参照層2の結晶化遅延膜2bおよび補助磁性膜2cを削除して単層の界面磁性膜とし、かつ磁化参照層2に対して中間層4と反対側に結晶化遅延層10を設けた構成となっている。
バリア層の(100)面//BCC構造の磁性膜の(100)面
の関係が成り立っていることが好ましい。ここで、記号//は平行であることを意味する。
バリア層の[001]方向//BCC構造の磁性膜の[110]方向
バリア層の(100)面//BCC構造の磁性膜の(100)面
を保ちながら、結晶化していくことになる。
Ms-free・tfree<Ms−reference・treference
であることが望ましい。
本発明の第1実施例による保磁力差型のTMR素子を図5に示す。この第1実施例のTMR素子は、ボトム・参照層型構造であって、下地層12上に、磁化参照層2が形成され、この磁化参照層2上に中間層4が形成され、中間層4上に磁化自由層6が形成され、磁化自由層6上にキャップ層14が形成された構成となっている。磁化参照層2は、下地層12上に形成された補助磁性膜2cと、この補助磁性膜2c上に形成された結晶化遅延膜2bと、この結晶化遅延膜2b上に形成された界面磁性膜2aとの積層構造となっている。この実施例においては、磁化参照層2および磁化自由層6は、磁化は共に膜面に垂直でも、共に膜面に平行であってもよい。
次に、本発明の第2実施例による保磁力差型のTMR素子を図6に示す。この第2実施例のTMR素子は、ボトム・参照層型構造であって、図5に示す第1実施例のTMR素子おいて、磁化自由層6と、キャップ層14との間に結晶化遅延層8を設けた構成となっている。この実施例においては、磁化自由層6となる界面磁性膜は、アモルファス構造から結晶化する材料でなくてもよい。最初から結晶化した磁性材料を用いることができる。この場合の結晶化遅延層8の役割は、バリア層(中間層)4の化学量論組成の調整のための余剰酸素吸収層としての役割を果たす。この実施例においては、磁化参照層2および磁化自由層6は、磁化は共に膜面に垂直でも、共に膜面に平行であってあってもよい。
次に、本発明の第3実施例による保磁力差型のTMR素子を図7に示す。この第3実施例のTMR素子は、トップ・参照層型構造であって、下地層12上に、磁化自由層6が形成され、この磁化自由層6上に中間層4が形成され、中間層4上に磁化参照層2が形成され、磁化参照層2上にキャップ層14が形成された構成となっている。磁化自由層6は、下地層12上に形成された補助磁性膜6cと、この補助磁性膜6c上に形成された結晶化遅延膜6bと、この結晶化遅延膜6b上に形成された界面磁性膜6aとの積層構造となっている。磁化参照層2は、中間層4上に形成された界面磁性膜2aと、この界面磁性膜2a上に形成された結晶化遅延膜2bと、この結晶化遅延膜2b上に形成された補助磁性膜2cとの積層構造となっている。この実施例においては、磁化参照層2および磁化自由層6は、磁化は共に膜面に垂直でも、共に膜面に平行であってあってもよい。
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/下地層12/熱酸化Si基板(図示せず)
キャップ層14/Mg(0.5nm)からなる結晶化遅延層8/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/下地層12/熱酸化Si基板(図示せず)
キャップ層14/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/Mg(0.5nm)からなる結晶化遅延膜2b/Fe(1.5nm)からなる界面磁性膜2a/MgO(0.7nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(0.5nm)からなる界面磁性膜6a/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜6b/FePt(2nm)からなる補助磁性膜6c/下地層12/熱酸化Si基板(図示せず)
代表的なボトム・参照層型構造のTMR素子で、結晶化遅延膜としてGdを用いた場合の代表的な積層構成例を、第4および第5実施例として示す。
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/Gd(0.5nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/下地層12/熱酸化Si基板
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/CoFeTb(5nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/下地層12/熱酸化Si基板
図8には、磁化参照層2が反強磁性層7で磁化固着される場合のボトム・参照層型構造を有する第6実施例のTMR素子の積層構造を示す。図8に示す本実施例のTMR素子は、図5に示す第1実施例のTMR素子において、磁化参照層2の補助磁性膜2cが反強磁性層7によって磁化固着された磁化固着膜2dに置き換わった構成となっている。また、本実施例に用いられる材料については、第1乃至第5実施例で説明したしたものが適用される。磁化固着膜2dの磁化方向は、界面磁性膜2aとともに膜面に垂直であってもよいし、膜面に平行であってもよい。
図9に、本発明の第7実施例によるTMR素子の断面を示す。本実施例のTMR素子は、第6実施例のTMR素子において、磁化固着膜2dを単層の磁性膜からシンセティック構造を有する磁化固着層3に置き換えた構成となっている。すなわち、磁化固着層3は、磁性膜(界面磁性膜)3a、磁性膜3cとの間に非磁性膜3bを設けた積層構造を有しており、磁性膜3aと磁性膜3cとは、非磁性膜3bを介して反強磁性結合をしている。そして、磁化固着層3は、反強磁性層7によって磁化固着される。磁化固着層3の磁化方向は、界面磁性膜2aとともに膜面に垂直であってもよいし、膜面に平行であってもよい。
本実施例は、図8に示す第6実施例の一具体例となっており、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/CoFeB(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(3nm)からなる界面磁性膜2a/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜2b/CoFe(2.5nm)からなる磁化固着膜2d/MnPt(10nm)からなる反強磁性層7/下地層12/熱酸化Si基板
本実施例は、図9に示す第7実施例の一具体例となっており、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/CoFeB(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(1.5nm)からなる界面磁性膜2a/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜2b/CoFeB(1.5nm)からなる界面磁性膜3a/Ru(0.85nm)からなる非磁性膜3b/CoFe(2.5nm)からなる磁性膜3c/PtMn(10nm)からなる反強磁性層7/下地層12/熱酸化Si基板
本実施例は、図8に示す第6実施例の一具体例となっており、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる磁化固着膜2d/FeMn(10nm)からなる反強磁性層7/下地層12/熱酸化Si基板
本実施例は、図8に示す第6実施例の他の具体例となっており、結晶化遅延膜2bとして、膜厚が5nmのCoFeTbを用い、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/CoFeTb(5nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる磁化固着膜2d/FeMn(10nm)からなる反強磁性層7/下地層12/熱酸化Si基板
本実施例は、図8に示す第6実施例において、界面磁性膜2aを、第1磁性膜、非磁性膜、および第2磁性膜からなるシンセティック構造に置き換えた構成となっており、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(1nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(1nm)からなる第1磁性膜/Ru(0.8nm)からなる非磁性膜/CoFeB(1nm)からなる第2磁性膜/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる磁化固着膜2d/FeMn(10nm)からなる反強磁性層7/下地層12/熱酸化Si基板
本実施例のTMR素子は、図5に示す第1実施例のTMR素子の一具体例であって、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層6/MgO(2nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/Ta(0.2nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/下地層12/熱酸化Si基板
この比較例は、第13実施例において、結晶化遅延膜2bを形成しない構成となっており、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/FePt(3nm)からなる磁化自由層/MgO(2nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/下地層12/熱酸化Si基板
本実施例のTMR素子は、第13実施例において、結晶化遅延膜2bとして、膜厚0.2nmのTaから、膜厚10nmのCoFeTbに置き換えた構成となっており、以下の積層構造を有している。
キャップ層14/FePt(3nm)/MgO(2nm)からなる中間層(バリア層)4/CoFeB(2nm)からなる界面磁性膜2a/CoFeTb(10nm)からなる結晶化遅延膜2b/FePt(10nm)からなる補助磁性膜2c/下地層12/熱酸化Si基板
次に、本発明の第2実施形態によるスピン注入書き込み型のMRAMについて説明する。
2 磁化参照層
2a 磁性膜(界面磁性膜)
2b 結晶化遅延膜
2c 補助磁性膜
3 磁化固着層
3a 界面磁性膜
3b 非磁性膜
3c 磁性膜
4 中間層(バリア層)
6 磁化自由層
6a 磁性膜(界面磁性膜)
6b 結晶化遅延膜
6c 補助磁性膜
8 結晶化遅延層
10 結晶化遅延層
12 下地層
14 キャップ層
Claims (17)
- 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Ta、W、Mo、Nb、Ti、Hf、Zrから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(111)面に優先的に配向した面心立方構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能であり、
前記第2の膜の膜厚は1nm以下である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(111)面に優先的に配向した面心立方構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Gaを含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(111)面に優先的に配向した面心立方構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Ta、W、Mo、Nb、Ti、Hf、Zrから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(001)面に優先的に配向した最密充填六方晶構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および前記磁化自由層に通電することにより変化可能であり、
前記第2の膜の膜厚は1nm以下である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(001)面に優先的に配向した最密充填六方晶構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および前記磁化自由層に通電することにより変化可能である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Gaを含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(001)面に優先的に配向した最密充填六方晶構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および前記磁化自由層に通電することにより変化可能である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Ta、W、Mo、Nb、Ti、Hf、Zrから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(110)面に優先的に配向した体心立方構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能であり、
前記第2の膜の膜厚は1nm以下である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選ばれる少なくとも1つ以上の元素を含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(110)面に優先的に配向した体心立方構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが一方向に固定された磁化参照層と、
膜面に実質的に垂直な磁化を有し、磁化の向きが可変である磁化自由層と、
前記磁化参照層と前記磁化自由層との間に設けられたNaCl構造の中間層と、
を備え、
前記磁化参照層および前記磁化自由層の少なくとも一方の層は、
前記中間層に接するように形成され、前記中間層と接する部分で結晶化された磁性体を有する第1の膜と、
前記中間層と反対側に前記第1の膜と接するように形成され、Gaを含み、前記第1の膜を前記中間層側から結晶化させる第2の膜と、
前記第2の膜に対して前記第1の膜と反対側に設けられ、(110)面に優先的に配向した体心立方構造を有し、前記第1の膜と交換結合し膜面に実質的に垂直な磁気異方性を有する磁性体を備えた第3の膜と、
を有し、
前記磁化自由層の磁化の向きは、前記中間層を介して前記磁化参照層および磁化自由層に通電することにより変化可能である
ことを特徴とするスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。 - 前記第2の膜に含まれる前記元素はGdであり、前記第2の膜の膜厚は0.1nm以上2nm以下であることを特徴とする請求項2、5、8のいずれかに記載のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。
- 前記第2の膜に含まれる前記元素はGd以外であり、前記第2の膜はCo、Ni、Feと前記元素とのアモルファス合金であり、前記第2の膜の膜厚は0.1nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項2、5、8のいずれかに記載のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の膜の膜厚は、0.1nm以上5nm以下であることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。
- 前記中間層は、NaCl構造のバリア層であり、前記第1の膜は、Fe、Co、Niから選ばれた少なくとも1つ以上の元素を50at%以上含みBCC構造を有していることを特徴とする請求項1乃至12のいずれかに記載のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の膜は、前記第2の膜と接する部分でアモルファス状態であることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。
- 前記第1の膜の全体が結晶化されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載のスピン注入書き込み方式の磁気抵抗効果素子。
- 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子をメモリセルに備えていることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
- 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子と、一端が前記磁気抵抗効果素子の一端と直列接続されたトランジスタと、を含むメモリセルと、
前記磁気抵抗効果素子の他端と接続された第1書き込み電流回路と、
前記トランジスタの他端と接続され、前記第1書き込み電流回路とともに前記磁気抵抗効果素子の一端から他端または他端から一端に向かう電流を供給する第2書き込み電流回路と、
を備えていることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007248251A Division JP4738395B2 (ja) | 2007-09-25 | 2007-09-25 | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011119755A JP2011119755A (ja) | 2011-06-16 |
JP2011119755A5 JP2011119755A5 (ja) | 2011-07-28 |
JP5367739B2 true JP5367739B2 (ja) | 2013-12-11 |
Family
ID=44284605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011022105A Active JP5367739B2 (ja) | 2011-02-03 | 2011-02-03 | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5367739B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101831931B1 (ko) | 2011-08-10 | 2018-02-26 | 삼성전자주식회사 | 외인성 수직 자화 구조를 구비하는 자기 메모리 장치 |
JP5836163B2 (ja) * | 2012-03-08 | 2015-12-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 磁気メモリセル、磁気メモリセルの製造方法 |
JP5597899B2 (ja) * | 2012-09-21 | 2014-10-01 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
JP6244617B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2017-12-13 | ソニー株式会社 | 記憶素子、記憶装置、磁気ヘッド |
US9461242B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-10-04 | Micron Technology, Inc. | Magnetic memory cells, methods of fabrication, semiconductor devices, memory systems, and electronic systems |
US9608197B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-03-28 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices |
JP6054326B2 (ja) | 2014-03-13 | 2016-12-27 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
JP6180972B2 (ja) | 2014-03-13 | 2017-08-16 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
US9281466B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-03-08 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor structures, semiconductor devices, and methods of fabrication |
US9349945B2 (en) | 2014-10-16 | 2016-05-24 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, semiconductor devices, and methods of fabrication |
US9768377B2 (en) | 2014-12-02 | 2017-09-19 | Micron Technology, Inc. | Magnetic cell structures, and methods of fabrication |
US10439131B2 (en) | 2015-01-15 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming semiconductor devices including tunnel barrier materials |
US10475564B2 (en) | 2016-06-29 | 2019-11-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Perpendicularly magnetized ferromagnetic layers having an oxide interface allowing for improved control of oxidation |
WO2018029883A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
JP2018056389A (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003197872A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Canon Inc | 磁気抵抗効果膜を用いたメモリ |
JP3824600B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2006-09-20 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
US6967863B2 (en) * | 2004-02-25 | 2005-11-22 | Grandis, Inc. | Perpendicular magnetization magnetic element utilizing spin transfer |
JP5096702B2 (ja) * | 2005-07-28 | 2012-12-12 | 株式会社日立製作所 | 磁気抵抗効果素子及びそれを搭載した不揮発性磁気メモリ |
JP4444241B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2010-03-31 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 |
JP2007150265A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置 |
WO2008133107A1 (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Nec Corporation | 磁気抵抗素子、mram、及び磁気センサー |
-
2011
- 2011-02-03 JP JP2011022105A patent/JP5367739B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011119755A (ja) | 2011-06-16 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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