JP2019531946A - シートを結合するためのシロキサンプラズマ高分子 - Google Patents
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Abstract
Description
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層、
を備え、
第1のコーティング層結合面は第1のシート結合面と結合しており、第2のコーティング層結合面は第2のシート結合面と結合している、物品がある。
プラズマCVDを使用して、第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層を第2のシートの結合面上に形成する工程であって、そのコーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
そのコーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法がある。
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層、
を備え、
第1のコーティング層結合面は第1のシート結合面と結合しており、第2のコーティング層結合面は第2のシート結合面と結合している、物品がある。
第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層を第2のシートの結合面上に形成する工程であって、そのコーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
そのコーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法がある。
図1および2に示されるように、ガラス物品2は、厚さ8を有し、厚さ28を有する第1のシート20(例えば、薄いガラスシート、例えば、以下に限られないが、例えば、10〜50μm、50〜100μm、100〜150μm、150〜300μm、300、250、200、190、180、170、160、150、140、130、120、110、100、90、80、70、60、50、40、30、20、または10μmを含む、約300μm以下の厚さを有するもの)、厚さ38を有するコーティング層30、および厚さ18を有する第2のシート10を備える。
コーティング層の例としては、有機シロキサン、特に有機シロキサン高分子が挙げられる。そのような有機シロキサン高分子は、薄いシートまたは担体の少なくとも一方の上に酸素・ケイ素結合を有するモノマーを堆積させることにより、または酸化剤の存在下でケイ素含有モノマーを堆積させることにより、形成することができる。酸素・ケイ素結合を有するモノマーを堆積させるときにも、酸化剤を使用して差し支えない。
コーティング層を提供する被覆方法の例に、化学的気相成長(CVD)技術、および同様の方法がある。CVD技術の具体例としては、CVD、低圧CVD、大気圧CVD、プラズマ支援CVD(PECVD)、大気圧プラズマCVD、原子層堆積(ALD)、プラズマALD、および化学ビームエピタキシーが挙げられる。被覆方法の別の例は、湿式化学の使用によるものであり、これは、ある場合に使用されることがある。
このコーティング層は、1つの表面(極性および分散成分を含む)について測定して、約40から約75mJ/m2の範囲にある表面エネルギーを有する結合面を与えることができ、それにより、その表面により弱い結合が生じる。
が計算される。しかしながら、この手法では、固体表面の表面エネルギーを測定できる限界最大値がある。この限界最大値は水の表面張力であり、それは73mJ/m2である。固体表面の表面エネルギーが水の表面張力よりもかなり大きい場合、その表面は、水で十分に濡れ、それによって、接触角が0に近づく。したがって、表面エネルギーのこの値を超えると、全ての計算された表面エネルギー値は、実際の表面エネルギー値にかかわらず、約73〜75mJ/m2に相当するであろう。例えば、2つの固体表面の実際の表面エネルギーが75mJ/m2および150mJ/m2である場合、液体の接触角を使用して計算された値は、両方の表面について、約75mJ/m2となる。
コーティング層を堆積させた後、その層を必要に応じてアニール処理することができる。このアニール処理は、コーティング層内の部分的に重合した材料を除去する働きをすることができる。この除去により、例えば、高温での第1のシートおよび第2のシートの加工中に、コーティング層のガス放出を著しく減少させることができる。ガス放出のこの減少により、高温でのより強力な結合をもたらすことができ、それにより、薄いシートの加工をより成功させることが可能になる。アニール処理は、急速熱処理システム(RTP)内で行うことができる。アニール処理は、100℃超、例えば、200℃超、300℃超、400℃超、500℃超、または600℃超の温度であり得る。アニール処理は、例えば、窒素、酸素、または空気を含む雰囲気内で行うことができる。アニール処理は、少なくとも15秒、例えば、少なくとも30秒、少なくとも45秒、少なくとも1分、少なくとも2分、少なくとも3分、少なくとも4分、少なくとも5分、少なくとも6分、少なくとも7分、少なくとも8分、少なくとも9分、または少なくとも10分に亘り得る。アニール処理の時間と温度は、コーティング層の組成に応じて様々であってよい。特定のアニール処理の時間および温度が特定の組成に十分であるか否かは、ガス放出試験1を使用して決定されるであろう。すなわち、コーティング層の特定の組成について、時間・温度アニール処理サイクルを実施し、次いで、ガス放出試験1(下記に記載されている)を行うことができる。カバーの表面エネルギーの変化(ガス放出試験1における)が10mJ/m2未満である場合、ひいては、その時間・温度アニール処理サイクルは、ガス放出を最小にするのに十分である。あるいは、特定のアニール処理の時間および温度の充足性(ガス放出を最小にするための)は、その試験時間に亘り特定の試験温度に暴露したときのコーティング層の厚さの変化を観察することによって、分析してもよい。より詳しくは、その上にコーティング層が堆積された基板を、充足性について試験するために、特定の時間・温度アニール処理過程にかける。その時間・温度アニール処理過程を経た後、その基板およびコーティング層(コーティング層を覆うために別の基板がそこに結合されていない)を所望の時間・温度デバイス加工サイクルにかける。所望の時間・温度デバイス加工サイクル後、コーティング層の厚さの変化が最小である場合、ひいては、そのアニール処理は、ガス放出を最小にするのに十分である。アニール処理の時間・温度サイクルの大雑把な開始点を見つけるために、コーティング層として使用すべき材料の熱質量分析が考えられるであろう。ほとんどの材料の厚さ減少(または材料損失)が生じる、予測されるデバイス加工温度辺りの温度が、良好な出発温度であろう。次に、最小のガス放出をもたらす最も効果的な組合せが何により与えられるか見つけるために、時間と温度を変えることができる。一般に、アニール処理温度が上昇するにつれて、十分なアニール処理効果を与えるための時間が減少する。同様に、アニール処理温度が低下するにつれて、十分なアニール処理効果を与えるための時間が増加する。
結合のための所望の表面エネルギーは、最初に堆積された有機シロキサンコーティング層の表面エネルギーによって達成されないであろう。それゆえ、堆積された層をさらに処理してもよい。例えば、コーティング層が堆積された後、そのコーティング層に追加の結合能力を加えるために、1つ以上の官能基を必要に応じて加えることができる。例えば、官能基を加えると、コーティング層と薄いシートとの間の結合の追加の部位を与えることができる。その官能基は、プラズマ、例えば、大気圧または低圧プラズマを使用して、加えることができる。その官能基は、極性であることが好ましく、前駆体、例えば、水素、二酸化炭素、窒素、亜酸化窒素、アンモニア、アクリル酸、アリルアミン、アリルアルコール、またはその混合物を使用して加えることができる。
一般に、2つの表面間の付着エネルギー(すなわち、結合エネルギー)は、ダブルカンチレバービーム法またはウェッジ試験によって測定することができる。これらの試験は、コーティング層/第1のシートまたは第2のシートの界面での接着ボンドジョイント上での力および影響を質的様式でシミュレートする。ウェッジ試験は、一般に、結合エネルギーを測定するために使用される。例えば、ASTM D5041、Standard Test Method for Fracture Strength in Cleavage of Adhesives in Bonded Joints、およびASTM D3762、Standard Test Method for Adhesive-Bonded Surface Durability of Aluminumは、楔で2枚の基板の結合を測定するための標準試験方法である。
ガラス物品を製造するために、コーティング層が、シートの内の1つ、好ましくは第2のシート上に案内される。所望であれば、コーティング層に、表面エネルギーを増加させ、コーティング層の結合性能を改善するために、表面活性化およびアニール処理などの工程を施しても差し支えない。他方のシートは、第1のシートであることが好ましいが、この他方のシートを結合するために、他方のシートをコーティング層に接触させる。コーティング層が十分に高い表面エネルギーを有する場合、他方のガラスシートをコーティング層に案内すると、そのガラスシートが自己成長(self-propagating)結合によりコーティング層に結合される。自己成長結合は、組立時間および/または費用を減少させる上で都合よい。しかしながら、自己成長結合が生じない場合、薄いガラスシートは、例えば、複数のシートを互いにローラでプレスすることによって、または結合のために2片の材料を一緒にするための、積層の技術分野で公知の他の技術によって、積層などの追加の技術を使用して、コーティング層に結合することができる。
典型的なウエハー結合用途に使用される高分子接着剤は、一般に、10〜100μm厚であり、その温度限界で、またはその近くで質量の約5%を失う。厚い高分子膜から発生するそのような物質について、質量分析法により質量損失またはガス放出の量を数量化することは容易である。他方で、10から100nm厚以下程度の薄い表面処理、例えば、先に記載されたプラズマ重合したコーティング層、並びに熱分解シリコーン油の薄層からのガス放出を測定することは、より難題である。そのような物質について、質量分析法は、十分な感度がない。しかしながら、ガス放出を測定するための他の方法が数多くある。
必要に応じて、結合表面の調製と共に、コーティング層を使用すると、制御された結合区域、すなわち、物品をFPDタイプのプロセス(真空および湿式プロセスを含む)で加工するのに十分な、第1のシートと第2のシートとの間の室温結合を提供できる結合区域であり、なおかつ、物品の高温加工、例えば、FPDタイプの加工またはLTPS加工後に、第1のシートを第2のシートから取り外せる(それらのシートに損傷を与えずに)ように第1のシートと第2のシートとの間の共有結合を制御する(高温でさえも)結合区域を達成することができる。FPD加工に適した再利用できる担体を提供するであろう、潜在的な結合面の調製、および様々な結合エネルギーを有するコーティング層を評価するために、一連の試験を使用して、各々の適合性を評価した。異なるFPD用途には異なる要件があるが、LTPSおよび酸化物TFTプロセスは、現段階では最も厳しいと思われる。それゆえ、これらのプロセスは、物品2の所望の用途であるので、それらのプロセスの工程を代表する試験を選択した。酸化物TFTプロセスにおいて、約400℃のアニール処理が使用されるのに対し、LTPS加工では、600℃を超える結晶化およびドーパント活性化工程が使用される。したがって、以下の試験は、特定の結合面の調製およびコーティング層により、FPD加工中ずっと薄いシートを担体に結合したままにする一方で、そのような加工(400℃以上から700℃までの温度での加工を含む)後に、薄いシートを担体から取り外せる(薄いシートおよび/または担体に損傷を与えずに)傾向を評価するために行った。
酸素およびジメトキシジフェニルシランからの低圧プラズマ放電で、0.7mmの担体(ニューヨーク州、コーニング所在のCorning Incorporatedから入手できる、Corning(登録商標)EAGLE XG(登録商標)無アルカリディスプレイ用ガラスから製造された)上にジフェニルシリコーンプラズマ高分子コーティング層(ポリ(ジェニルシロキサン)としても知られている)を堆積させた。堆積は、150℃で気化器中に0.1ミリリットル毎分(mL/分)のジメトキシジフェニルシランを流すことによる50ミリトル(mT)(約6.7Pa)の反応室圧力、40標準立方センチメートル毎分(sccm)のO2、2つのRF駆動電極に、13.56MHzのRFの周波数での25〜50ワット(W)のバイアスを印加して、壁を150℃に加熱したPlasma−Treat PTS 150システム(カリフォルニア州、ベルモント所在のPlasmatreat USA Inc.から入手できる低圧高温壁CVD反応装置)内で行った。このシステムにおいて、RFが反応室内の一対の電極を駆動し、基板が、電極間の放電の浮遊電位にある。
酸素およびフェニルトリエトキシシランからの低圧プラズマ放電で、担体(0.7mm厚の「Corning」「EAGLE XG」無アルカリディスプレイ用ガラスから製造した)上にフェニルシリコーンプラズマ高分子コーティング層(ポリ(フェニルシロキサン)としても知られている)を堆積させた。堆積は、150℃、0.1mL/分のフェニル−トリエトキシシランによる50mT(約6.7Pa)、40sccmのO2流、および13.56MHzのRFの周波数での25〜50Wのバイアスで、Plasma−Treat PTS 150システム内で行った。
コーティング層の熱安定性
表示の温度での流動窒素中の10分間の加工に対してコーティング層の厚さをプロットすることにより明示されるような、プラズマ重合したフェニルシリコーンおよびジフェニルシリコーンコーティング層の熱安定性が、図3に示されている。図3から、加工温度が300℃を超えると、プラズマ重合したフェニルシリコーンおよびジフェニルシリコーンは、堆積された状態ではあまり熱安定性ではないことが分かる。詳しくは、両方の材料は、300℃を超える、特に400℃以上の温度での流動窒素中の10分の加熱の際に、著しい膜厚損失を示した。
熱的不安定性は、図4に示されるような著しい量のガス放出をもたらす。この図は、試験1において論じたような、表示の温度での流動窒素中の10分間の加工に対して被覆された担体およびカバーウエハーの表面エネルギーをプロットしたグラフである。詳しくは、試験1によれば、ガス放出は、10mJ/m2超の表面エネルギーの変化により示されるのに対し、5mJ/m2未満の表面エネルギーの変化は、ガス放出のないことと一致する。このグラフには示されていないが、フェニルシリコーンおよびジフェニルシリコーンのカバーの各々の表面エネルギーは、室温(約16℃)で、約75mJ/m2、すなわち、裸ガラスのものであった。図4から分かるように、フェニルシリコーンカバー(白丸のデータ点)は、加工温度が室温(約16℃)から300℃および600℃に移動したときに、10mJ/m2超の表面エネルギーの変化を経た。室温での約75mJ/m2から300℃での約50mJ/m2へのフェニルシリコーンカバーの表面エネルギーの減少は、材料が担体から剥がれ、カバー上に堆積されていることと一致する。300℃から600℃へのフェニルシリコーンカバーの表面エネルギーの増加は、カバー上に以前に堆積された(担体から剥がれた)材料が、そのようなより高い温度で焼き払われていることと一致する。同様に、ジフェニルシリコーンカバー(白い正方形のデータ点)も、加工温度が300℃から600℃に移動するときに、10mJ/m2超の表面エネルギーの変化を示した。しかしながら、室温から300℃への移動では、ジフェニルシリコーンカバーの表面エネルギー(白い正方形のデータ点)は、約75mJ/m2とほぼ同じままであった。このように、少なくとも300℃までと、400℃未満の温度で、ジフェニルシリコーンは、ガス放出がほとんどまたは全くなく、堆積された状態で使用できる。
プラズマ重合したフェニルシリコーンおよびジフェニルシリコーンの表面は、表1に示されるように、窒素、または窒素と酸素の混合物へのプラズマ暴露によって容易に改変された。このプラズマ活性化により、そのコーティングの表面エネルギーが、N2・O2混合物で、フェニルシリコーンについての40mJ/m2から、裸ガラスの表面エネルギー近くまで上昇した。この表面改質は、Oxford PlasmaLab 100内で行ったが、低圧または大気圧放電によっても行うことができたであろう。このプラズマ処理は、2つの逐次工程で行うことができる。詳しくは、水素プラズマ(30秒間、10sccmのC2H4流、50sccmのH2流、5mT(約0.67Pa)の圧力の反応室、1500Wのコイル、13.56MHzの周波数での50WのRF)による処理の直後に、プラズマを消さずに、N2プラズマ処理(5mT(約0.67Pa)の反応室圧、40sccmのN2流、1500Wのコイル、13.56MHzの周波数での50Wのバイアス、5秒間)、またはN2・O2プラズマ処理(5秒間、35sccmのN2流、5sccmのO2流、15mT(約2.0Pa)の反応室圧、800Wのコイル、13.56MHzの周波数での50W RFのバイアス)のいずれかが続く。表面エネルギーを裸ガラスのものの近くまで上昇させることによって、薄いガラスシートは、高速自己成長結合によって担体と室温で結合した。
コーティング層の表面エネルギーを、例えば、被覆された担体のN2・O2処理によって、裸ガラスのものの近くまで上昇させた後、100μmの薄いガラスシート(ニューヨーク州、コーニング所在のCorning Incorporatedから入手できる、「Corning」Willow(登録商標)ガラスから製造された)をそれに結合した。示された温度での流動窒素中での、MPT−RTP600s Rapid Thermal Processingシステムを使用した10分の処理後の担体上のプラズマ重合したフェニルシリコーンおよびジフェニルシリコーンコーティング層の結合エネルギーおよびそれに結合した薄いガラスシートのブリスター区域の変化で示されるような、コーティング層と薄いガラスシートとの間の結合の品質が、図5に示されている。図から分かるように、結合エネルギーが減少すると、ブリスター区域が増加し、これは、コーティング層に結合した薄いガラスシートの表面の割合が減少することを示す。より詳しくは、フェニルシリコーンについて、試料が300℃を超える温度に加熱されたとき、例えば、400℃で加熱されたとき(ほぼ20%のブリスター区域の変化)、または500℃で加熱されたとき(15%を超えるブリスター区域の変化)、ブリスター区域の変化%(先の試験2による、白の菱形データ点により示されるような)は5%を軽く上回る。したがって、この材料は、約300℃の温度まで有用である。同様に、ジフェニルシリコーンについて、試料が400℃超に加熱されたとき、例えば、500℃で加熱されたとき(10%超のブリスター区域の変化)、または600℃で加熱されたとき(約25%のブリスター区域の変化)、ブリスター区域の変化%(先の試験2による、白の正方形データ点により示されるような)は5%を軽く上回る。したがって、この材料は、約400℃の温度まで有用である。
ガス放出を減少させるために、表面改質層のどのような表面活性化も前に、被覆された担体にも、測定の前であって、薄いシートとの結合の前に、流動窒素中において400℃で10分間に亘りアニール処理を施した。図6は、最初のアニール処理工程の有無による、ジフェニルシリコーン(「DPSO」)のガス放出(試験1による)の比較を示している。より詳しくは、図6は、示された温度での流動窒素中の10分間の加熱後の、被覆された担体の表面エネルギーおよびカバーウエハーの表面エネルギーを示している。最初のアニール処理工程に行われた測定は、「400C outgas」または「outgas400C」で示され、最初のアニール処理工程が行われなかった測定は、堆積された状態について、「as dep」または「as deposited」で示されている。それゆえ、図6に示されるように、担体上に堆積された状態のDPSOの表面エネルギーは、担体が300℃から約600℃に及ぶ温度で加熱されたときに、50mJ/m2辺りでほぼ一定のままである、黒の菱形データ点を参照のこと;堆積された状態のDPSOを有する担体上に配置されたカバーウエハーの表面エネルギー(試験1による)は、300℃で加熱された後の約75mJ/m2から、400℃以上で加熱された後の約50mJ/m2に減少する、白の菱形データ点を参照のこと;担体上に堆積され、次いで、10分間に亘り400℃での加熱の最初のアニール処理工程が施されたDPSOの表面エネルギーは、300℃で加熱された後に、約55mJ/m2の表面エネルギーを有し、400℃から500℃で加熱された後の約50mJ/m2の表面エネルギーを有し、600℃で加熱された後の約60mJ/m2の表面エネルギーを有する、黒の正方形のデータ点を参照のこと;そして、DPSOが堆積された担体上に堆積され、次いで、10分間に亘り400℃でアニール処理されたカバーウエハーの表面エネルギー(試験1による)は、300℃で加熱された後の約65mJ/m2から、600℃で加熱された後の約60mJ/m2に変化する、白の正方形のデータ点を参照のこと。それゆえ、白の正方形のデータ点により示されるように、アニール処理されたDPSO上のカバーウエハーの表面エネルギーの変化は、300℃から600℃の範囲に亘り5mJ/m2未満しか変化せず、これは、試験1のように、ガス放出がないことと一致する。
図7は、図示された測定前に、流動窒素中において10分間に亘る400℃での最初のアニール処理工程を施した試料に関する結合エネルギーおよびブリスター区域の変化%(試験2による)を示している。すなわち、0.7mmの「EAGLE XG」担体に、プラズマ重合したフェニルシリコーンまたはプラズマ重合したジフェニルシリコーンのいずれかを被覆し、次いで、流動窒素中における10分間に亘る400℃での加熱を施し、次いで、その被覆された担体を、N2・O2プラズマで表面活性化して、その表面エネルギーを裸ガラスのものの近くまで上昇させた後に、100μmの「Willow」Glass薄いガラスシートに結合して試験物品を形成した。次に、この試験物品に、流動窒素中において10分間に亘り示された温度でのMPT−RTP600s Rapid Thermal Processingシステム内における処理を行った。図7の測定は以下の事を示す:フェニルシリコーンが結合した試験物品の結合エネルギーは、急激に、すなわち、300℃で加熱したときの約700mJ/m2から、600℃で加熱したときの約0mJ/m2に減少する、黒の菱形データ点を参照のこと;フェニルシリコーンが結合した試験物品のブリスター区域の変化パーセントは、300℃で加熱したときに5%未満のままであったが、物品を400℃以上の温度で加熱したときに、10%超(ガス放出を示す)に急激に上昇する、白の菱形データ点を参照のこと;ジフェニルシリコーンが結合した試験物品の結合エネルギーは、約300℃から約600℃の範囲の温度で加熱したときに、約750mJ/m2から約550mJ/m2の範囲のままであり、薄いガラスシートは担体から剥離可能なままである、黒の正方形のデータ点を参照のこと;ジフェニルシリコーンが結合した試験物品のブリスター区域の変化パーセントは、300℃から600℃の範囲の温度で加熱したときに、10%未満のままである、白の正方形のデータ点を参照のこと。ジフェニルシリコーンが結合した試験物品について、特に500℃辺りで、ある程度のガス放出があったが、その試料は、それでも、試験中ずっと完全なままであり、600℃で加熱された後でさえも、剥離可能であった。これは、これらの試験物品のために調製されたジフェニルシリコーンは、少なくとも600℃までの温度を含む幅広い温度範囲に亘り、すなわち、LTPS加工のために、有用であろう。他方で、図7の試験物品のために調製されたフェニルシリコーンは、300℃までの温度を要求するデバイス、例えば、カラーフィルタやタッチセンサを加工するために有用であろう。
2つの別々の実験において、室温または100℃で誘電体バリア放電(DBD)タイプのリニア型大気圧プラズマ内において0.7mmの「EAGLE XG」担体上にプラズマ重合したヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)コーティング層を堆積させた(約100ワットと200ワットの間の電力、13.56MHzの周波数を使用し、約30または約50sccmの流量でHMDSOを運ぶための搬送ガスとしてのHe、0〜10sccmのO2流量、および主要ガスとしての余計なHe、室温または100℃の堆積、2mm辺りのプラズマヘッドと基板の距離を使用して)。2つの別々の実験に関する堆積におけるHMDSOおよびO2流量、並びに原子間力顕微鏡(AFM)により測定される表面エネルギーおよび粗さが、表2に示されている。次に、被覆された担体を清浄な100μmの薄いガラスシート(「Corning」「Willow」ガラスから製造された)に結合し、N2環境のRTP内において10分間に亘り600℃に曝した。堆積条件、表面エネルギー、結合エネルギーおよびブリスター区域の変化も、表2に示されている。この薄いガラスは、たった364mJ/m2の結合エネルギーであることに留意すると、600℃の加工後でさえも、処理済み基板から容易に剥離できたであろう。600℃での加熱後のブリスター区域の8〜9%の変化パーセントは、いくらかあるが、最小のガス放出と一致する。実施例2はクリーンルーム内で行われず、それによって、担体、薄いガラスシート、およびコーティング層は、加工中に粒子汚染に曝されたことに留意することが有益である。この実施例が、担体、薄いガラスシート、および/またはコーティング層への汚染が減少した、クリーンルーム内で行われた場合、薄いガラスシートと担体との間のより良好な結合品質により与えられる、核形成に対する障壁が増加しているので、ブリスター区域の変化はさらにより小さかったであろうと考えられる。
物品において、
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層、
を備え、
前記第1のコーティング層結合面は前記第1のシート結合面と結合しており、前記第2のコーティング層結合面は前記第2のシート結合面と結合している、物品。
前記プラズマ重合した有機シロキサン化合物が、前記第1のシート結合面および前記第2のシート結合面の少なくとも一方の上にモノマーを堆積させることによって形成される、実施の形態1の物品。
前記モノマーが、式(R1)mSi(X1)nの化合物から作られ、式中、各R1は、独立して、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;mは、1、2または3であり;各X1は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;nは、1、2または3である、実施の形態2の物品。
R1がアリールである、および/またはX1がアルコキシである、実施の形態3の物品。
前記モノマーが、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリブロモシラン、フェニルトリクロロシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジブロモジフェニルシラン、ジクロロジフェニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジフェニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ジフェニルシラン、フェニルシラン、およびジフェニルシランからなる群より選択される少なくとも1種類のモノマーである、実施の形態3の物品。
前記モノマーが、下記の構造を有するジシロキサン化合物から作られ、式中、R2〜R7の各々が、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施の形態2の物品。
前記モノマーがヘキサメチルジシロキサンである、実施の形態6の物品。
前記コーティング層がポリ(ジフェニルシロキサン)から作られる、実施の形態1の物品。
前記第1のコーティング層結合面が、40mJ/m2と75mJ/m2の間の表面エネルギーを有する、実施の形態1から8いずれか1つの物品。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施の形態1から9いずれか1つの物品。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施の形態1から10いずれか1つの物品。
前記第1のコーティング層結合面が、窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した後に、700mJ/m2未満の結合エネルギーで前記第1のシート結合面に結合されている、実施の形態1から11いずれか1つの物品。
窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した場合、ブリスター区域の変化パーセントが10未満である、実施の形態1から12いずれか1つの物品。
物品を製造する方法において、
プラズマCVDを使用して、第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層を該第2のシートの結合面上に形成する工程であって、該コーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
前記コーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法。
前記第1のシートの結合面が前記コーティング層結合面に結合される前に、該結合面を酸素、窒素、またはその組合せに暴露して、該コーティング層結合面の表面エネルギーを増加させる工程をさらに含み、該コーティング層結合面の表面エネルギーが、40mJ/m2と75mJ/m2の間まで増加させられる、実施の形態14の方法。
前記モノマーが、式(R1)mSi(X1)nの化合物から作られ、式中、各R1は、独立して、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;mは、1、2または3であり;各X1は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;nは、1、2または3である、実施の形態14の方法。
R1がアリールである、および/またはX1がアルコキシである、実施の形態16の方法。
前記モノマーが、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリブロモシラン、フェニルトリクロロシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジブロモジフェニルシラン、ジクロロジフェニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジフェニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ジフェニルシラン、フェニルシラン、およびジフェニルシランからなる群より選択される少なくとも1種類のモノマーを含む、実施の形態16の方法。
前記モノマーが、下記の構造を有するジシロキサン化合物から作られ、式中、R2〜R7の各々が、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施の形態14の方法。
前記モノマーがヘキサメチルジシロキサンである、実施の形態19の方法。
前記コーティング層がポリ(ジフェニルシロキサン)から作られる、実施の形態14の方法。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施の形態14から20いずれか1つの方法。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施の形態14から21いずれか1つの方法。
前記第1のシートおよび前記コーティング層が結合される前に、該コーティング層に窒素雰囲気において少なくとも300℃の温度で熱アニール処理を施す工程をさらに含む、実施の形態14から22いずれか1つの方法。
前記コーティング層に、少なくとも400℃の温度で熱アニール処理に施す工程を含む、実施の形態24の方法。
物品において、
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層、
を備え、
前記第1のコーティング層結合面は前記第1のシート結合面と結合しており、前記第2のコーティング層結合面は前記第2のシート結合面と結合している、物品。
前記ポリ(ジフェニルシロキサン)コーティング層が、前記第1のシート結合面および前記第2のシート結合面の少なくとも一方の上にモノマーを堆積させることによって形成され、該モノマーは、該第1のシート結合面および該第2のシート結合面の少なくとも一方の上に堆積されており、該モノマーは、下記の構造を有するジフェニルシラン化合物から作られ、式中、X2およびX3は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施の形態26の物品。
前記第1のコーティング層結合面が、40mJ/m2と75mJ/m2の間の表面エネルギーを有する、実施の形態26の物品。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施の形態26から28いずれか1つの物品。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施の形態26から29いずれか1つの物品。
前記第1のコーティング層結合面が、窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した後に、700mJ/m2未満の結合エネルギーで前記第1のシート結合面に結合されている、実施の形態26から30いずれか1つの物品。
窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した場合、ブリスター区域の変化パーセントが10未満である、実施の形態26から31いずれか1つの物品。
物品を製造する方法において、
第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層を該第2のシートの結合面上に形成する工程であって、該コーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
前記コーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法。
前記モノマーが、下記の構造を有するジフェニルシラン化合物から作られ、式中、X2およびX3は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施の形態33の方法。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施の形態33または34の方法。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施の形態33から35いずれか1つの方法。
前記第1のシートおよび前記コーティング層が結合される前に、該コーティング層に窒素雰囲気において少なくとも300℃の温度で熱アニール処理を施す工程をさらに含む、実施の形態33から36いずれか1つの方法。
前記コーティング層に、少なくとも400℃の温度で熱アニール処理に施す工程を含む、実施の形態37の方法。
物品において、
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層、
を備え、
前記第1のコーティング層結合面は前記第1のシート結合面と結合しており、前記第2のコーティング層結合面は前記第2のシート結合面と結合している、物品。
前記プラズマ重合した有機シロキサン化合物が、前記第1のシート結合面および前記第2のシート結合面の少なくとも一方の上にモノマーを堆積させることによって形成される、実施形態1に記載の物品。
前記モノマーが、式(R1)mSi(X1)nの化合物から作られ、式中、各R1は、独立して、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;mは、1、2または3であり;各X1は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;nは、1、2または3である、実施形態2に記載の物品。
R1がアリールである、および/またはX1がアルコキシである、実施形態3に記載の物品。
前記モノマーが、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリブロモシラン、フェニルトリクロロシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジブロモジフェニルシラン、ジクロロジフェニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジフェニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ジフェニルシラン、フェニルシラン、およびジフェニルシランからなる群より選択される少なくとも1種類のモノマーである、実施形態3に記載の物品。
前記モノマーが、下記の構造を有するジシロキサン化合物から作られ、式中、R2〜R7の各々が、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施形態2に記載の物品。
前記モノマーがヘキサメチルジシロキサンである、実施形態6に記載の物品。
前記コーティング層がポリ(ジフェニルシロキサン)から作られる、実施形態1に記載の物品。
前記第1のコーティング層結合面が、40mJ/m2と75mJ/m2の間の表面エネルギーを有する、実施形態1から8いずれか1つに記載の物品。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施形態1から8いずれか1つに記載の物品。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施形態1から8いずれか1つに記載の物品。
前記第1のコーティング層結合面が、窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した後に、700mJ/m2未満の結合エネルギーで前記第1のシート結合面に結合されている、実施形態1から8いずれか1つに記載の物品。
窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した場合、ブリスター区域の変化パーセントが10未満である、実施形態1から8いずれか1つに記載の物品。
物品を製造する方法において、
プラズマCVDを使用して、第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層を該第2のシートの結合面上に形成する工程であって、該コーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
前記コーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法。
前記第1のシートの結合面が前記コーティング層結合面に結合される前に、該結合面を酸素、窒素、またはその組合せに暴露して、該コーティング層結合面の表面エネルギーを増加させる工程をさらに含み、該コーティング層結合面の表面エネルギーが、40mJ/m2と75mJ/m2の間まで増加させられる、実施形態14に記載の方法。
前記モノマーが、式(R1)mSi(X1)nの化合物から作られ、式中、各R1は、独立して、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;mは、1、2または3であり;各X1は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;nは、1、2または3である、実施形態14に記載の方法。
R1がアリールである、および/またはX1がアルコキシである、実施形態16に記載の方法。
前記モノマーが、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリブロモシラン、フェニルトリクロロシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジブロモジフェニルシラン、ジクロロジフェニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジフェニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ジフェニルシラン、フェニルシラン、およびジフェニルシランからなる群より選択される少なくとも1種類のモノマーを含む、実施形態16に記載の方法。
前記モノマーが、下記の構造を有するジシロキサン化合物から作られ、式中、R2〜R7の各々が、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施形態14に記載の方法。
前記モノマーがヘキサメチルジシロキサンである、実施形態19に記載の方法。
前記コーティング層がポリ(ジフェニルシロキサン)から作られる、実施形態14に記載の方法。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施形態14から20いずれか1つに記載の方法。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施形態14から20いずれか1つに記載の方法。
前記第1のシートおよび前記コーティング層が結合される前に、該コーティング層に窒素雰囲気において少なくとも300℃の温度で熱アニール処理を施す工程をさらに含む、実施形態14から20いずれか1つに記載の方法。
前記コーティング層に、少なくとも400℃の温度で熱アニール処理に施す工程を含む、実施形態24に記載の方法。
物品において、
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層、
を備え、
前記第1のコーティング層結合面は前記第1のシート結合面と結合しており、前記第2のコーティング層結合面は前記第2のシート結合面と結合している、物品。
前記ポリ(ジフェニルシロキサン)コーティング層が、前記第1のシート結合面および前記第2のシート結合面の少なくとも一方の上にモノマーを堆積させることによって形成され、該モノマーは、該第1のシート結合面および該第2のシート結合面の少なくとも一方の上に堆積されており、該モノマーは、下記の構造を有するジフェニルシラン化合物から作られ、式中、X2およびX3は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施形態26に記載の物品。
前記第1のコーティング層結合面が、40mJ/m2と75mJ/m2の間の表面エネルギーを有する、実施形態26に記載の物品。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施形態26から28いずれか1つに記載の物品。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施形態26から28いずれか1つに記載の物品。
前記第1のコーティング層結合面が、窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した後に、700mJ/m2未満の結合エネルギーで前記第1のシート結合面に結合されている、実施形態26から28いずれか1つに記載の物品。
窒素雰囲気において10分間に亘り前記物品を600℃の温度に暴露した場合、ブリスター区域の変化パーセントが10未満である、実施形態26から28いずれか1つに記載の物品。
物品を製造する方法において、
第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層を該第2のシートの結合面上に形成する工程であって、該コーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
前記コーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法。
前記モノマーが、下記の構造を有するジフェニルシラン化合物から作られ、式中、X2およびX3は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せである、実施形態33に記載の方法。
前記コーティング層が、100nm未満の厚さを有する、実施形態33または34に記載の方法。
前記コーティング層が底部コーティング層および上部コーティング層からなり、該底部コーティング層は該上部コーティング層と前記第2のシートとの間にあり、該底部コーティング層は10nmと80nmの間の厚さを有し、該上部コーティング層は10nmと50nmの間の厚さを有する、実施形態33または34に記載の方法。
前記第1のシートおよび前記コーティング層が結合される前に、該コーティング層に窒素雰囲気において少なくとも300℃の温度で熱アニール処理を施す工程をさらに含む、実施形態33または34に記載の方法。
前記コーティング層に、少なくとも400℃の温度で熱アニール処理に施す工程を含む、実施形態37に記載の方法。
8、18、28、38 厚さ
10 第2のシート
12、22 第一面
14、24 結合面
16、26 周囲
20 第1のシート
30 コーティング層
Claims (16)
- 物品において、
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層、
を備え、
前記第1のコーティング層結合面は前記第1のシート結合面と結合しており、前記第2のコーティング層結合面は前記第2のシート結合面と結合している、物品。 - 前記コーティング層がポリ(ジフェニルシロキサン)から作られる、請求項1記載の物品。
- 物品を製造する方法において、
プラズマCVDを使用して、第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、プラズマ重合した有機シロキサン化合物から作られたコーティング層を該第2のシートの結合面上に形成する工程であって、該コーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
前記コーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法。 - 前記第1のシートの結合面が前記コーティング層結合面に結合される前に、該結合面を酸素、窒素、またはその組合せに暴露して、該コーティング層結合面の表面エネルギーを増加させる工程をさらに含み、該コーティング層結合面の表面エネルギーが、40mJ/m2と75mJ/m2の間まで増加させられる、請求項3記載の方法。
- 前記モノマーが、式(R1)mSi(X1)nの化合物から作られ、式中、各R1は、独立して、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;mは、1、2または3であり;各X1は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシ、アルコキシ、アミノ、アリール、アルキル、アルケニル、アルキニル、またはその組合せであり;nは、1、2または3である、請求項3または4記載の方法。
- R1がアリールである、および/またはX1がアルコキシである、請求項5記載の方法。
- 前記モノマーが、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリブロモシラン、フェニルトリクロロシラン、ジメトキシジフェニルシラン、ジエトキシジフェニルシラン、ジブロモジフェニルシラン、ジクロロジフェニルシラン、ビス(ジメチルアミノ)ジフェニルシラン、ビス(ジエチルアミノ)ジフェニルシラン、フェニルシラン、およびジフェニルシランからなる群より選択される少なくとも1種類のモノマーを含む、請求項5記載の方法。
- 前記モノマーがヘキサメチルジシロキサンである、請求項8記載の方法。
- 前記コーティング層がポリ(ジフェニルシロキサン)から作られる、請求項3から9いずれか1項記載の方法。
- 前記第1のシートおよび前記コーティング層が結合される前に、該コーティング層に窒素雰囲気において少なくとも300℃の温度で熱アニール処理を施す工程をさらに含む、請求項3から10いずれか1項記載の方法。
- 物品において、
第1のシート結合面を有する第1のシート、
第2のシート結合面を有する第2のシート、および
第1のコーティング層結合面と第2のコーティング層結合面を有し、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層、
を備え、
前記第1のコーティング層結合面は前記第1のシート結合面と結合しており、前記第2のコーティング層結合面は前記第2のシート結合面と結合している、物品。 - 物品を製造する方法において、
第2のシートの結合面上にモノマーを堆積させることによって、ポリ(ジフェニルシロキサン)から作られたコーティング層を該第2のシートの結合面上に形成する工程であって、該コーティング層はコーティング層結合面を有する工程、および
前記コーティング層結合面を第1のシートの結合面に結合する工程、
を有してなる方法。 - 前記第1のシートおよび前記コーティング層が結合される前に、該コーティング層に窒素雰囲気において少なくとも300℃の温度で熱アニール処理を施す工程をさらに含む、請求項14または15記載の方法。
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US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
CN109504309A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-03-22 | 深圳德邦界面材料有限公司 | 一种外观改进的复合导热垫片及其制备方法 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
CN110497659B (zh) * | 2019-07-18 | 2024-07-09 | 铭尔金属(苏州)有限公司 | 一种复合材料及其制备方法及使用其的电子产品 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
KR20220037437A (ko) * | 2019-07-25 | 2022-03-24 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 적층 부재 |
WO2021015059A1 (ja) * | 2019-07-25 | 2021-01-28 | Agc株式会社 | 積層部材 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
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CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
CN113451122A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种在iii-v衬底上沉积高粘附性薄膜的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
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KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
CN115991951B (zh) * | 2021-10-20 | 2024-02-20 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 一种复合涂层、制备方法及器件 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009035720A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-02-19 | Seiko Epson Corp | 接合膜付き基材、接合方法および接合体 |
JP2016106047A (ja) * | 2016-01-07 | 2016-06-16 | 住友ベークライト株式会社 | 化粧板 |
JP2017506170A (ja) * | 2014-01-27 | 2017-03-02 | コーニング インコーポレイテッド | 薄いシートの担体との制御された結合のための物品および方法 |
JP2017087417A (ja) * | 2014-03-26 | 2017-05-25 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体 |
Family Cites Families (376)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1082116A (en) | 1964-09-03 | 1967-09-06 | Owens Illinois Inc | Organopolysiloxane resins and their production |
US3722181A (en) | 1970-05-22 | 1973-03-27 | Du Pont | Chromatographic packing with chemically bonded organic stationary phases |
FR2110495A5 (ja) | 1970-10-19 | 1972-06-02 | Michelin & Cie | |
IE35508B1 (en) | 1971-08-11 | 1976-03-03 | Intercontinental Chem Co Ltd | Method of forming adhesive bonds between surfaces |
US4096315A (en) | 1976-12-15 | 1978-06-20 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Process for producing a well-adhered durable optical coating on an optical plastic substrate |
GB1583544A (en) | 1977-07-25 | 1981-01-28 | Uop Inc | Metal-clad laminates |
US4179324A (en) | 1977-11-28 | 1979-12-18 | Spire Corporation | Process for fabricating thin film and glass sheet laminate |
US4397722A (en) | 1981-12-31 | 1983-08-09 | International Business Machines Corporation | Polymers from aromatic silanes and process for their preparation |
US4599243A (en) | 1982-12-23 | 1986-07-08 | International Business Machines Corporation | Use of plasma polymerized organosilicon films in fabrication of lift-off masks |
US4849284A (en) | 1987-02-17 | 1989-07-18 | Rogers Corporation | Electrical substrate material |
US4822466A (en) | 1987-06-25 | 1989-04-18 | University Of Houston - University Park | Chemically bonded diamond films and method for producing same |
US4810326A (en) | 1987-08-31 | 1989-03-07 | International Business Machines Corporation | Interlaminate adhesion between polymeric materials and electrolytic copper surfaces |
US5141800A (en) | 1989-02-02 | 1992-08-25 | Chemical Fabrics Corporation | Method of making laminated PTFE-containing composites and products thereof |
US5357726A (en) | 1989-02-02 | 1994-10-25 | Chemfab Corporation | Composite materials for structural end uses |
US4990462A (en) | 1989-04-12 | 1991-02-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for coplanar integration of semiconductor ic devices |
US5073181A (en) | 1990-08-09 | 1991-12-17 | Corning Incorporated | Method of protecting glass surfaces using submicron refractory particles |
CA2065918A1 (en) | 1991-04-22 | 1992-10-23 | Bradley W. Reed | Liquid membrane modules with minimal effective membrane thickness and methods of making the same |
CA2069038C (en) | 1991-05-22 | 1997-08-12 | Kiyofumi Sakaguchi | Method for preparing semiconductor member |
US5462781A (en) | 1991-06-14 | 1995-10-31 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Surface modified porous expanded polytetrafluoroethylene and process for making |
WO1992022604A1 (en) | 1991-06-14 | 1992-12-23 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Surface modified porous expanded polytetrafluoroethylene and process for making |
US5222494A (en) | 1991-07-31 | 1993-06-29 | Cyberonics, Inc. | Implantable tissue stimulator output stabilization system |
JP3039070B2 (ja) | 1991-10-09 | 2000-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 弗素樹脂被覆物 |
FR2690279B1 (fr) | 1992-04-15 | 1997-10-03 | Picogiga Sa | Composant photovoltauique multispectral. |
US5491571A (en) | 1993-01-19 | 1996-02-13 | Hughes Aircraft Company | Liquid crystal display including electrodes and driver devices integrally formed in monocrystalline semiconductor layer |
US5482896A (en) | 1993-11-18 | 1996-01-09 | Eastman Kodak Company | Light emitting device comprising an organic LED array on an ultra thin substrate and process for forming same |
US5616179A (en) | 1993-12-21 | 1997-04-01 | Commonwealth Scientific Corporation | Process for deposition of diamondlike, electrically conductive and electron-emissive carbon-based films |
US5554680A (en) | 1994-02-16 | 1996-09-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Heat-resistant perfluoroelastomer composition |
JP3136951B2 (ja) * | 1994-06-28 | 2001-02-19 | 松下電工株式会社 | ガラスクロスの表面処理方法 |
JP3081122B2 (ja) | 1994-07-18 | 2000-08-28 | シャープ株式会社 | 基板搬送用治具及びそれを用いた液晶表示素子の製造方法 |
US5760100B1 (en) | 1994-09-06 | 2000-11-14 | Ciba Vision Corp | Extended wear ophthalmic lens |
US5413940A (en) | 1994-10-11 | 1995-05-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process of treating SOG layer using end-point detector for outgassing |
DE69606942T2 (de) | 1995-09-25 | 2000-10-05 | Dow Corning Corp., Midland | Verwendung von präkeramischen Polymeren als Klebstoffe für Elektronik |
JPH11513713A (ja) | 1995-10-13 | 1999-11-24 | ザ ダウ ケミカル カンパニー | コートされたプラスチック基材 |
US5661618A (en) | 1995-12-11 | 1997-08-26 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording device having a improved slider |
JP3930591B2 (ja) | 1995-12-22 | 2007-06-13 | 東陶機器株式会社 | 光触媒性親水性コーティング組成物、親水性被膜の形成方法および被覆物品 |
US5888591A (en) | 1996-05-06 | 1999-03-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Chemical vapor deposition of fluorocarbon polymer thin films |
US5989998A (en) | 1996-08-29 | 1999-11-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of forming interlayer insulating film |
WO2004079826A1 (ja) | 1996-10-22 | 2004-09-16 | Mitsutoshi Miyasaka | 薄膜トランジスタの製造方法、及び表示装置と電子機器 |
US5820991A (en) | 1997-02-24 | 1998-10-13 | Cabo; Ana M. | Fused glass sheets having ceramic paint and metal foil and method of making same |
DE19711459A1 (de) | 1997-03-19 | 1998-09-24 | Flachglas Automotive Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer gebogenen Verbundsicherheitsglasscheibe |
JP3551702B2 (ja) | 1997-05-08 | 2004-08-11 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子とその駆動方法 |
US6687969B1 (en) | 1997-05-16 | 2004-02-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of fixturing flexible substrates and methods of processing flexible substrates |
US5972152A (en) | 1997-05-16 | 1999-10-26 | Micron Communications, Inc. | Methods of fixturing flexible circuit substrates and a processing carrier, processing a flexible circuit and processing a flexible circuit substrate relative to a processing carrier |
JPH1126733A (ja) | 1997-07-03 | 1999-01-29 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器 |
AU9296098A (en) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Sharon N. Farrens | In situ plasma wafer bonding method |
US5966622A (en) | 1997-10-08 | 1999-10-12 | Lucent Technologies Inc. | Process for bonding crystalline substrates with different crystal lattices |
US20010045351A1 (en) | 1997-11-21 | 2001-11-29 | Korea Institute Of Science And Technology | Plasma polymerization on surface of material |
US6852650B2 (en) | 1998-02-05 | 2005-02-08 | Asm Japan K.K. | Insulation film on semiconductor substrate and method for forming same |
TW437017B (en) * | 1998-02-05 | 2001-05-28 | Asm Japan Kk | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof |
EP2267719A3 (en) | 1998-02-23 | 2011-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Information storage medium, information playback method and apparatus and information recording method |
US6159385A (en) | 1998-05-08 | 2000-12-12 | Rockwell Technologies, Llc | Process for manufacture of micro electromechanical devices having high electrical isolation |
EP1048628A1 (de) | 1999-04-30 | 2000-11-02 | Schott Glas | Polymerbeschichtete Dünnglasfoliensubstrate |
US6379746B1 (en) | 1999-02-02 | 2002-04-30 | Corning Incorporated | Method for temporarily protecting glass articles |
JP3202718B2 (ja) | 1999-02-23 | 2001-08-27 | 鹿児島日本電気株式会社 | 表示装置製造用治具及びそれを用いた表示装置の製造方法 |
US6387736B1 (en) | 1999-04-26 | 2002-05-14 | Agilent Technologies, Inc. | Method and structure for bonding layers in a semiconductor device |
US6338901B1 (en) | 1999-05-03 | 2002-01-15 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
EP1054454A3 (en) | 1999-05-18 | 2004-04-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
US8853696B1 (en) | 1999-06-04 | 2014-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and electronic device |
US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2004-11-30 | Honeywell International Inc. | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
SG93210A1 (en) | 1999-06-29 | 2002-12-17 | Univ Singapore | Method for lamination of fluoropolymer to metal and printed circuit board (pcb) substrate |
TW544743B (en) | 1999-08-13 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP4593049B2 (ja) | 2000-02-01 | 2010-12-08 | アナログ デバイシーズ インコーポレイテッド | 静止摩擦を低減し微細加工デバイス表面を不動態化するウェハレベル処理のための方法およびそれに使用するチップ |
US6902987B1 (en) | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
US6528145B1 (en) | 2000-06-29 | 2003-03-04 | International Business Machines Corporation | Polymer and ceramic composite electronic substrates |
DE10034737C2 (de) | 2000-07-17 | 2002-07-11 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung einer permanenten Entformungsschicht durch Plasmapolymerisation auf der Oberfläche eines Formteilwerkzeugs, ein nach dem Verfahren herstellbares Formteilwerkzeug und dessen Verwendung |
US6649540B2 (en) | 2000-11-09 | 2003-11-18 | The Boc Group, Inc. | Organosilane CVD precursors and their use for making organosilane polymer low-k dielectric film |
FR2823599B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
FR2823596B1 (fr) | 2001-04-13 | 2004-08-20 | Commissariat Energie Atomique | Substrat ou structure demontable et procede de realisation |
FR2824821B1 (fr) | 2001-05-17 | 2003-08-29 | Essilor Int | Procede de preparation d'un verre apte au debordage, verre ainsi obtenu et procede de debordage d'un tel verre |
US7045878B2 (en) | 2001-05-18 | 2006-05-16 | Reveo, Inc. | Selectively bonded thin film layer and substrate layer for processing of useful devices |
US6956268B2 (en) | 2001-05-18 | 2005-10-18 | Reveo, Inc. | MEMS and method of manufacturing MEMS |
JP5415658B2 (ja) | 2001-05-28 | 2014-02-12 | 三菱樹脂株式会社 | 中間膜用粘着シート及び透明積層体 |
JP4036018B2 (ja) | 2001-06-20 | 2008-01-23 | 昭和電工株式会社 | 有機発光素子および発光材料 |
EP1407501B1 (en) | 2001-06-20 | 2009-05-20 | Showa Denko K.K. | Light emitting material and organic light-emitting device |
DE60221753T2 (de) | 2001-06-29 | 2007-12-06 | Crystal Systems Inc. | Beschlagungsresistente transparente Artikel, Stoffe, die eine hydrophile anorganische Schicht hoher Härte bilden und Verfahren zur Herstellung einer beschlagungsarmen Linse |
US6735982B2 (en) | 2001-07-12 | 2004-05-18 | Intel Corporation | Processing relatively thin glass sheets |
US6649212B2 (en) | 2001-07-30 | 2003-11-18 | Guardian Industries Corporation | Modified silicon-based UV absorbers useful in crosslinkable polysiloxane coatings via sol-gel polymerization |
US7351300B2 (en) | 2001-08-22 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
JP2003077187A (ja) | 2001-08-30 | 2003-03-14 | Toshiba Corp | 光ディスクの製造方法 |
JP2003071937A (ja) | 2001-09-05 | 2003-03-12 | Toppan Printing Co Ltd | 積層体及びその製造方法、並びに多層回路基板 |
US7033910B2 (en) | 2001-09-12 | 2006-04-25 | Reveo, Inc. | Method of fabricating multi layer MEMS and microfluidic devices |
US6528351B1 (en) | 2001-09-24 | 2003-03-04 | Jigsaw Tek, Inc. | Integrated package and methods for making same |
US6814833B2 (en) | 2001-10-26 | 2004-11-09 | Corning Incorporated | Direct bonding of articles containing silicon |
US6521857B1 (en) | 2001-11-19 | 2003-02-18 | Geomat Insights, Llc | Plasma enhanced bonding method and device |
DE10162435A1 (de) | 2001-12-19 | 2003-07-17 | Joerg Lahann | Verfahren zur Erzeugung von Oberflächenbeschichtungen, die die Adsorption von Proteinen bzw. die Adhäsion von Bakterien und/oder Zellen vermindern |
US6824872B2 (en) | 2002-04-23 | 2004-11-30 | Laurel Products Llc | Surface-treating fluoropolymer powders using atmospheric plasma |
US6699798B2 (en) | 2002-04-24 | 2004-03-02 | Intel Corporation | Promoting adhesion of fluoropolymer films to semiconductor substrates |
FR2874455B1 (fr) | 2004-08-19 | 2008-02-08 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement thermique avant collage de deux plaquettes |
JP3639978B2 (ja) | 2002-05-10 | 2005-04-20 | 日本航空電子工業株式会社 | 光スイッチ |
DE60325669D1 (de) | 2002-05-17 | 2009-02-26 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
KR101005989B1 (ko) | 2002-06-11 | 2011-01-05 | 코니카 미놀타 홀딩스 가부시키가이샤 | 표면 처리 방법 및 광학 부품 |
US7101947B2 (en) | 2002-06-14 | 2006-09-05 | Florida State University Research Foundation, Inc. | Polyelectrolyte complex films for analytical and membrane separation of chiral compounds |
US7279239B2 (en) | 2002-08-07 | 2007-10-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Laminating product including adhesion layer and laminate product including protective film |
JP3941627B2 (ja) | 2002-08-07 | 2007-07-04 | 株式会社豊田中央研究所 | 密着層を備える積層体 |
JP2006516302A (ja) | 2002-09-18 | 2006-06-29 | フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド | アルキル−水素シロキサンの分解を防止する添加剤 |
DE20215401U1 (de) | 2002-10-07 | 2004-02-19 | Schott Glas | Verbund aus einem Dünnstsubsrat und einem Trägersubstrat mit lösbarem Verbindungsmittel |
TW578439B (en) | 2002-10-25 | 2004-03-01 | Ritdisplay Corp | Organic light emitting diode and material applied in the organic light emitting diode |
JP2006520089A (ja) | 2002-11-20 | 2006-08-31 | レビオ インコーポレーティッド | 基板上に多層素子を製造する方法およびシステム |
JP2004178891A (ja) | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Mitsubishi Electric Corp | 電子放出型発光素子の製造方法 |
US7482249B2 (en) | 2002-11-29 | 2009-01-27 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method and device for machining a wafer, in addition to a wafer comprising a separation layer and a support layer |
DE10353530A1 (de) | 2003-11-14 | 2005-06-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Wafer mit Deckschicht und Trennschicht, Verfahren zur Herstellung eines solchen Wafers sowie Verfahren zum Dünnen bzw. Rückseitenmetallisieren eines Wafers |
ATE423633T1 (de) | 2002-12-17 | 2009-03-15 | Wipf Ag | Substrat mit einer polaren plasmapolymerisierten schicht |
US6762074B1 (en) | 2003-01-21 | 2004-07-13 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for forming thin microelectronic dies |
US6964201B2 (en) | 2003-02-25 | 2005-11-15 | Palo Alto Research Center Incorporated | Large dimension, flexible piezoelectric ceramic tapes |
US7089635B2 (en) | 2003-02-25 | 2006-08-15 | Palo Alto Research Center, Incorporated | Methods to make piezoelectric ceramic thick film arrays and elements |
TWI361814B (en) | 2003-03-07 | 2012-04-11 | Kuraray Co | Plastic bonding method |
US7220656B2 (en) | 2003-04-29 | 2007-05-22 | Micron Technology, Inc. | Strained semiconductor by wafer bonding with misorientation |
US6969166B2 (en) | 2003-05-29 | 2005-11-29 | 3M Innovative Properties Company | Method for modifying the surface of a substrate |
JP2005014599A (ja) | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 樹脂シート及びエレクトロルミネッセンス表示装置 |
FR2855909B1 (fr) | 2003-06-06 | 2005-08-26 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures comprenant au moins une couche utile reportee sur un substrat |
US20040258850A1 (en) | 2003-06-18 | 2004-12-23 | Ann Straccia | Environmentally friendly reactive fixture to allow localized surface engineering for improved adhesion to coated and non-coated substrates |
US20050001201A1 (en) | 2003-07-03 | 2005-01-06 | Bocko Peter L. | Glass product for use in ultra-thin glass display applications |
FR2859312B1 (fr) | 2003-09-02 | 2006-02-17 | Soitec Silicon On Insulator | Scellement metallique multifonction |
US7242041B2 (en) | 2003-09-22 | 2007-07-10 | Lucent Technologies Inc. | Field-effect transistors with weakly coupled layered inorganic semiconductors |
US20050069713A1 (en) | 2003-09-30 | 2005-03-31 | Rahul Gupta | Capillary coating method |
US6992371B2 (en) | 2003-10-09 | 2006-01-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Device including an amorphous carbon layer for improved adhesion of organic layers and method of fabrication |
US20050242341A1 (en) | 2003-10-09 | 2005-11-03 | Knudson Christopher T | Apparatus and method for supporting a flexible substrate during processing |
US20050081993A1 (en) | 2003-10-16 | 2005-04-21 | Ilkka Steven J. | Method of bonding glass |
GB0326537D0 (en) | 2003-11-14 | 2003-12-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flexible devices |
US20050118742A1 (en) | 2003-11-17 | 2005-06-02 | Frank Henning | Method for reducing the adhesive properties of MEMS and anti-adhesion-coated device |
GB0327093D0 (en) | 2003-11-21 | 2003-12-24 | Koninkl Philips Electronics Nv | Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates |
KR101002936B1 (ko) | 2003-12-17 | 2010-12-21 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 기판, 이를 이용한 플라스틱 기판의 적층 방법 및유연한 디스플레이 장치의 제조 방법 |
US7220497B2 (en) | 2003-12-18 | 2007-05-22 | Lam Research Corporation | Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components |
KR101073032B1 (ko) | 2003-12-19 | 2011-10-12 | 삼성전자주식회사 | 플라스틱 기판의 적층 방법 및 이를 이용한 유연한디스플레이 장치의 제조방법 |
US7041608B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-05-09 | Eastman Kodak Company | Providing fluorocarbon layers on conductive electrodes in making electronic devices such as OLED devices |
US7147891B2 (en) | 2004-02-11 | 2006-12-12 | Dionex Corporation | Polymer substrate coated with weak cationic-exchange functional layer |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7087134B2 (en) | 2004-03-31 | 2006-08-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for direct-bonding of substrates |
JP2005300972A (ja) | 2004-04-13 | 2005-10-27 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法及び基板貼り合わせ装置 |
JP2006003684A (ja) | 2004-06-18 | 2006-01-05 | Nikon Corp | 基板レスフィルタの製造方法 |
ITMI20041252A1 (it) | 2004-06-22 | 2004-09-22 | Solvay Solexis Spa | Composizioni perfluoroelastomeriche |
US7261793B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for low temperature plasma-enhanced bonding |
US7226869B2 (en) | 2004-10-29 | 2007-06-05 | Lam Research Corporation | Methods for protecting silicon or silicon carbide electrode surfaces from morphological modification during plasma etch processing |
US20060134362A1 (en) | 2004-12-17 | 2006-06-22 | 3M Innovative Properties Company | Optically clear pressure sensitive adhesive |
KR101278460B1 (ko) | 2005-03-01 | 2013-07-02 | 다우 코닝 코포레이션 | 반도체 가공을 위한 임시 웨이퍼 접착방법 |
US8043697B2 (en) | 2005-04-19 | 2011-10-25 | Ube Industries, Ltd. | Polyimide film-laminated body |
US20060246218A1 (en) | 2005-04-29 | 2006-11-02 | Guardian Industries Corp. | Hydrophilic DLC on substrate with barrier discharge pyrolysis treatment |
TWI402935B (zh) | 2005-05-17 | 2013-07-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | 彩色主動矩陣顯示器 |
US7462552B2 (en) | 2005-05-23 | 2008-12-09 | Ziptronix, Inc. | Method of detachable direct bonding at low temperatures |
US20070020451A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Moisture barrier coatings |
US7166520B1 (en) | 2005-08-08 | 2007-01-23 | Silicon Genesis Corporation | Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
CN101242951B (zh) | 2005-08-09 | 2012-10-31 | 旭硝子株式会社 | 薄板玻璃层压体以及利用薄板玻璃层压体的显示装置的制造方法 |
US20070048530A1 (en) | 2005-08-29 | 2007-03-01 | Wen-Kuang Tsao | Anti-static substrate |
TWI288493B (en) | 2005-09-13 | 2007-10-11 | Ind Tech Res Inst | Method for fabricating a device with flexible substrate and method for stripping flexible-substrate |
US7901743B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-03-08 | Tokyo Electron Limited | Plasma-assisted vapor phase treatment of low dielectric constant films using a batch processing system |
US8039049B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-10-18 | Tokyo Electron Limited | Treatment of low dielectric constant films using a batch processing system |
US7462551B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-12-09 | Intel Corporation | Adhesive system for supporting thin silicon wafer |
JP2007138144A (ja) | 2005-10-18 | 2007-06-07 | Hitachi Chem Co Ltd | シリカ系被膜形成用組成物 |
KR20070047114A (ko) | 2005-11-01 | 2007-05-04 | 주식회사 엘지화학 | 플렉서블 기판을 구비한 소자의 제조방법 및 이에 의해제조된 플렉서블 기판을 구비한 소자 |
CN101305315B (zh) | 2005-11-11 | 2010-05-19 | 株式会社半导体能源研究所 | 形成具有功能性的层的方法及半导体器件的制造方法 |
FR2893750B1 (fr) | 2005-11-22 | 2008-03-14 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif electronique flexible du type ecran comportant une pluralite de composants en couches minces. |
US20070134784A1 (en) | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Halverson Kurt J | Microreplicated microarrays |
DE602007013478D1 (de) | 2006-02-08 | 2011-05-12 | Semiconductor Energy Lab | RFID-Vorrichtung |
KR100831562B1 (ko) | 2006-03-23 | 2008-05-21 | 주식회사 엘지화학 | 유연성 기판 반송용 점착제 조성물 |
DE102006013834A1 (de) * | 2006-03-23 | 2007-09-27 | Tesa Ag | Elektrolumineszierende Haftklebemassen |
US7909928B2 (en) | 2006-03-24 | 2011-03-22 | The Regents Of The University Of Michigan | Reactive coatings for regioselective surface modification |
US7737035B1 (en) | 2006-03-31 | 2010-06-15 | Novellus Systems, Inc. | Dual seal deposition process chamber and process |
US20070248809A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Steven Vincent Haldeman | Interlayers Comprising Stable Infrared Absorbing Agents |
WO2007121524A1 (en) | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Epitactix Pty Ltd. | Method of manufacture and resulting structures for semiconductor devices |
WO2007129554A1 (ja) | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Asahi Glass Company, Limited | 薄板ガラス積層体、薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法および、支持ガラス基板 |
KR101358255B1 (ko) | 2006-06-27 | 2014-02-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광경화 타입 소수성 몰드 및 그 제조방법 |
KR20090037856A (ko) | 2006-07-12 | 2009-04-16 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 보호 유리가 부착된 유리 기판, 보호 유리가 부착된 유리 기판을 사용한 표시 장치의 제조 방법 및 박리지용 실리콘 |
US20080044588A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Sakhrani Vinay G | Method for Treating a Hydrophilic Surface |
US8084103B2 (en) | 2006-08-15 | 2011-12-27 | Sakhrani Vinay G | Method for treating a hydrophilic surface |
JP2008072087A (ja) | 2006-08-16 | 2008-03-27 | Kyoto Univ | 半導体装置および半導体装置の製造方法、ならびに表示装置 |
WO2008044884A1 (en) | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Sunwoo Amc Co., Ltd. | Laminating film of plastic/teflon-silicon and method for preparing the same |
GB0620955D0 (en) | 2006-10-20 | 2006-11-29 | Speakman Stuart P | Methods and apparatus for the manufacture of microstructures |
US7903083B2 (en) | 2006-11-13 | 2011-03-08 | Motorola Mobility, Inc. | Mixed-mode encapsulated electrophoretic display for electronic device |
JP5008381B2 (ja) | 2006-11-15 | 2012-08-22 | 富士フイルム株式会社 | 可撓性基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光パネルの製造方法、それにより製造された有機エレクトロルミネッセンス発光パネル、及びその製造に使用する支持基板 |
US8069229B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-11-29 | Computer Associates Think, Inc. | Topology static zones |
KR100890250B1 (ko) | 2007-01-08 | 2009-03-24 | 포항공과대학교 산학협력단 | 플렉서블 소자의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조방법 |
US8110906B2 (en) | 2007-01-23 | 2012-02-07 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device including isolation layer |
WO2008111361A1 (ja) | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Asahi Glass Company, Limited | 保護ガラス付ガラス基板及び保護ガラス付ガラス基板を用いた表示装置の製造方法 |
JP5277552B2 (ja) | 2007-03-19 | 2013-08-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8399047B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-03-19 | The Regents Of The Univeristy Of Michigan | Multifunctional CVD coatings |
WO2008132085A1 (de) | 2007-04-26 | 2008-11-06 | Basf Se | Silane enthaltend phenothiazin-s-oxid oder phenothiazin-s,s-dioxid-gruppen und deren verwendung in oleds |
US7635617B2 (en) | 2007-04-27 | 2009-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device |
US7960916B2 (en) | 2007-05-16 | 2011-06-14 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co., Ltd. | Display device and electronic device using thin-film transistors formed on semiconductor thin films which are crystallized on insulating substrates |
EP2172433A4 (en) | 2007-06-20 | 2012-12-19 | Asahi Glass Co Ltd | METHOD FOR TREATING THE SURFACE OF OXID GLASS WITH A FLUORIZING AGENT |
CN101779268B (zh) | 2007-06-25 | 2013-11-06 | 布鲁尔科技公司 | 高温旋涂暂时性粘合组合物 |
KR20080113576A (ko) | 2007-06-25 | 2008-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
TW200907003A (en) | 2007-07-03 | 2009-02-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | Adhesive composition and method of manufacturing thereof, adhesive member using the adhesive composition and method of manufacturing thereof, supporting member for mounting semiconductor and method of manufacturing thereof, and semiconductor apparatus an |
JP2009028923A (ja) | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | 接合方法、接合体および配線基板 |
JP2009028922A (ja) | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Seiko Epson Corp | 接合方法、接合体、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置 |
JP2009074002A (ja) | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Seiko Epson Corp | 接着シート、接合方法および接合体 |
US20090091025A1 (en) | 2007-10-04 | 2009-04-09 | Agency For Science, Technology And Research | Method for forming and releasing interconnects |
WO2009085362A2 (en) | 2007-10-05 | 2009-07-09 | The Regents Of The University Of Michigan | Ultrastrong and stiff layered polymer nanocomposites and hierarchical laminate materials thereof |
JP4710897B2 (ja) | 2007-11-28 | 2011-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | 接合体の剥離方法 |
KR101445734B1 (ko) | 2007-12-07 | 2014-10-01 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치 |
AT508318B1 (de) | 2008-01-24 | 2022-07-15 | Brewer Science Inc | Verfahren für eine vorübergehende montage eines bausteinwafers auf einem trägersubstrat |
WO2009099965A2 (en) | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Multi-layer article |
JP5024087B2 (ja) | 2008-02-05 | 2012-09-12 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体、支持体付き表示装置用パネル、およびそれらの製造方法 |
GB0802912D0 (en) | 2008-02-15 | 2008-03-26 | Carben Semicon Ltd | Thin-film transistor, carbon-based layer and method of production thereof |
KR20090095026A (ko) | 2008-03-04 | 2009-09-09 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 제조 방법 |
WO2009126544A1 (en) | 2008-04-08 | 2009-10-15 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Assemblies and methods for reducing warp and bow of a flexible substrate during semiconductor processing |
EP2273475A1 (en) | 2008-04-17 | 2011-01-12 | Asahi Glass Company, Limited | Glass laminate, display panel with support, method for producing glass laminate and method for manufacturing display panel with support |
KR101500684B1 (ko) | 2008-04-17 | 2015-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐리어 기판 및 이를 이용한 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
US7842548B2 (en) | 2008-04-22 | 2010-11-30 | Taiwan Semconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fixture for P-through silicon via assembly |
KR101458901B1 (ko) | 2008-04-29 | 2014-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치의 제조 방법 |
US7960840B2 (en) | 2008-05-12 | 2011-06-14 | Texas Instruments Incorporated | Double wafer carrier process for creating integrated circuit die with through-silicon vias and micro-electro-mechanical systems protected by a hermetic cavity created at the wafer level |
JP2009283155A (ja) | 2008-05-19 | 2009-12-03 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法、表示装置および電子機器 |
JP5029523B2 (ja) | 2008-07-14 | 2012-09-19 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体、支持体付き表示装置用パネル、表示装置用パネル、表示装置およびこれらの製造方法 |
US7690344B2 (en) | 2008-07-24 | 2010-04-06 | Gm Global Technology Operations, Inc. | Method and apparatus for supporting stop-and-go engine functionality |
GB2462615A (en) | 2008-08-12 | 2010-02-17 | Nec Corp | Optional Access Stratum security activation depending on purpose of request or message parameter in an evolved UTRAN communication network. |
DE102008045370B4 (de) | 2008-09-02 | 2010-07-08 | Grenzebach Maschinenbau Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Transport großflächiger, dünner Glasplatten |
US20110311789A1 (en) | 2008-09-12 | 2011-12-22 | Arizona Board of Regents, a body corporate acting for and on behalf of Arizona State University | Methods for Attaching Flexible Substrates to Rigid Carriers and Resulting Devices |
TWI354854B (en) | 2008-09-15 | 2011-12-21 | Ind Tech Res Inst | Substrate structures applied in flexible electrica |
JP2010107597A (ja) | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Seiko Epson Corp | 光学素子および光学素子の製造方法 |
KR101555551B1 (ko) | 2008-11-07 | 2015-09-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 표시장치 제조방법 |
US8840999B2 (en) | 2008-11-19 | 2014-09-23 | Dow Corning Toray Company, Ltd. | Silicone composition and a method for preparing the same |
US8211270B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-07-03 | Nitto Denko Corporation | Method of detaching attached boards from each other |
US8455872B2 (en) | 2008-12-05 | 2013-06-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic devices having plastic substrates |
DE102009022628A1 (de) | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Verfahren zur Modifizierung von Oberflächen |
US9063605B2 (en) | 2009-01-09 | 2015-06-23 | Apple Inc. | Thin glass processing using a carrier |
TW201033000A (en) | 2009-01-09 | 2010-09-16 | Asahi Glass Co Ltd | Glass laminate and manufacturing method therefor |
JP5207306B2 (ja) | 2009-01-26 | 2013-06-12 | 武井電機工業株式会社 | 薄膜積層ガラス基板の薄膜除去方法及び装置 |
WO2010098762A1 (en) | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Exxonmobil Oil Corporation | Plasma treated evoh multilayer film |
TWI410329B (zh) | 2009-03-09 | 2013-10-01 | Ind Tech Res Inst | 可撓式裝置的取下設備及其取下方法 |
JP5402184B2 (ja) | 2009-04-13 | 2014-01-29 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルムおよびその製造方法 |
CN101873532B (zh) | 2009-04-22 | 2013-01-02 | 电信科学技术研究院 | 广播多播系统中发送和获取控制信息的方法、基站和ue |
US8697228B2 (en) | 2009-05-06 | 2014-04-15 | Corning Incorporated | Carrier for glass substrates |
WO2010128611A1 (ja) | 2009-05-08 | 2010-11-11 | 日立化成工業株式会社 | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
GB0908193D0 (en) | 2009-05-13 | 2009-06-24 | Albright Patents | Treatment of disease state |
US8298959B2 (en) | 2009-06-03 | 2012-10-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching |
CN101924067B (zh) | 2009-06-09 | 2013-05-08 | 财团法人工业技术研究院 | 挠性膜自载板上脱离的方法及可挠式电子装置的制造方法 |
JP2010284869A (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接合部材 |
JP5594522B2 (ja) | 2009-07-03 | 2014-09-24 | 日本電気硝子株式会社 | 電子デバイス製造用ガラスフィルム積層体 |
US7987566B2 (en) | 2009-07-15 | 2011-08-02 | Sturzebecher Richard J | Capacitor forming method |
US8568184B2 (en) | 2009-07-15 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Display modules |
CN101989469A (zh) | 2009-07-31 | 2011-03-23 | 群康科技(深圳)有限公司 | 导电板 |
US8048794B2 (en) | 2009-08-18 | 2011-11-01 | International Business Machines Corporation | 3D silicon-silicon die stack structure and method for fine pitch interconnection and vertical heat transport |
DE102009028640A1 (de) | 2009-08-19 | 2011-02-24 | Evonik Goldschmidt Gmbh | Härtbare Masse enthaltend Urethangruppen aufweisende silylierte Polymere und deren Verwendung in Dicht- und Klebstoffen, Binde- und/oder Oberflächenmodifizierungsmitteln |
JP2011048979A (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Canon Inc | 画像表示装置 |
KR20120059512A (ko) | 2009-08-27 | 2012-06-08 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 플렉시블 기재-지지체의 적층 구조체, 지지체를 갖는 전자 디바이스용 패널 및 전자 디바이스용 패널의 제조 방법 |
US9847243B2 (en) | 2009-08-27 | 2017-12-19 | Corning Incorporated | Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave |
JP5562597B2 (ja) | 2009-08-28 | 2014-07-30 | 荒川化学工業株式会社 | 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、および表示装置用パネルの製造方法 |
CN102481764B (zh) | 2009-09-08 | 2014-11-05 | 旭硝子株式会社 | 玻璃/树脂层叠体、及使用其的电子设备 |
JP2011058579A (ja) | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Tokyo Institute Of Technology | エネルギ吸収構造体 |
ES2660203T3 (es) | 2009-09-11 | 2018-03-21 | Henkel IP & Holding GmbH | Composiciones para la unión de polímeros |
CN102471129B (zh) | 2009-09-18 | 2015-04-15 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃膜的制造方法及玻璃膜的处理方法以及玻璃膜层叠体 |
CN102576106B (zh) | 2009-10-20 | 2015-02-11 | 旭硝子株式会社 | 玻璃层叠体及其制造方法、显示面板的制造方法及利用该制造方法获得的显示面板 |
CN102574371B (zh) | 2009-10-20 | 2015-10-07 | 旭硝子株式会社 | 玻璃层叠体、带支承体的显示装置用面板、显示装置用面板、显示装置及它们的制造方法 |
KR101617280B1 (ko) | 2009-10-21 | 2016-05-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법 |
KR20110043376A (ko) | 2009-10-21 | 2011-04-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR20110045136A (ko) | 2009-10-26 | 2011-05-04 | 주식회사 삼영테크놀로지 | 윈도우와 디스플레이 패널을 분리하기 위한 코팅방법 |
US9019211B2 (en) | 2009-10-30 | 2015-04-28 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for providing touch sensitive displays |
KR101635914B1 (ko) | 2009-12-16 | 2016-07-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치의 제조 방법 |
KR20120105030A (ko) | 2009-12-17 | 2012-09-24 | 세람테크 게엠베하 | 골 시멘트 부착을 향상시키기 위한 세라믹 기재에 대한 표면 컨디셔닝 |
EP2463253B1 (en) | 2010-01-12 | 2019-11-06 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass film laminate, method of producing the same, and method of producing glass film |
JP2011159697A (ja) | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ搭載基板、その製造方法及び画像表示装置 |
GB201003067D0 (en) | 2010-02-23 | 2010-04-07 | Semblant Ltd | Plasma-polymerized polymer coating |
US8995146B2 (en) | 2010-02-23 | 2015-03-31 | Semblant Limited | Electrical assembly and method |
JP2011201977A (ja) | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Seiko Epson Corp | 接合方法 |
JP2011201976A (ja) | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Seiko Epson Corp | 接合方法 |
US8349727B2 (en) | 2010-04-08 | 2013-01-08 | Liang Guo | Integrated method for high-density interconnection of electronic components through stretchable interconnects |
US20110256385A1 (en) | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Seiko Epson Corporation | Bonding film-attached substrate and bonding film-attached substrate manufacturing method |
JP5625470B2 (ja) | 2010-05-10 | 2014-11-19 | セイコーエプソン株式会社 | 接合方法 |
JP5835214B2 (ja) | 2010-05-11 | 2015-12-24 | 旭硝子株式会社 | 積層体の製造方法、および積層体 |
JP5516046B2 (ja) | 2010-05-11 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 接合膜転写シートおよび接合方法 |
JP2011235556A (ja) | 2010-05-11 | 2011-11-24 | Seiko Epson Corp | 励起エネルギー特定方法、励起エネルギー特定装置、接合方法および接合装置 |
JP2011248011A (ja) | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Bridgestone Corp | 表示媒体用粒子およびこれを用いた情報表示用パネル |
GB2481187B (en) | 2010-06-04 | 2014-10-29 | Plastic Logic Ltd | Processing substrates |
KR101721414B1 (ko) | 2010-06-09 | 2017-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백라이트 어셈블리 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
US8852391B2 (en) | 2010-06-21 | 2014-10-07 | Brewer Science Inc. | Method and apparatus for removing a reversibly mounted device wafer from a carrier substrate |
TWI432835B (zh) | 2010-06-24 | 2014-04-01 | Au Optronics Corp | 可撓性顯示面板及其製造方法 |
DE102010025967B4 (de) | 2010-07-02 | 2015-12-10 | Schott Ag | Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern, Vorrichtung hierzu und Glas-Interposer |
CN101916022B (zh) | 2010-07-06 | 2012-10-10 | 友达光电股份有限公司 | 可挠性显示面板及其制造方法 |
EP2511092B1 (en) | 2010-07-28 | 2015-01-28 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass film laminate |
JP5602529B2 (ja) | 2010-07-29 | 2014-10-08 | 日本合成化学工業株式会社 | 積層体の製法、ガラス基板付き偏光板の製法、およびそれにより得られたガラス基板付き偏光板 |
US9263314B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-02-16 | Brewer Science Inc. | Multiple bonding layers for thin-wafer handling |
US20120035309A1 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Baker Hughes Incorporated | Method to disperse nanoparticles into elastomer and articles produced therefrom |
JP5462107B2 (ja) | 2010-08-09 | 2014-04-02 | 株式会社日本製鋼所 | 中空成形品の製造方法および製造装置 |
US8846499B2 (en) | 2010-08-17 | 2014-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Composite carrier structure |
TWI446420B (zh) | 2010-08-27 | 2014-07-21 | Advanced Semiconductor Eng | 用於半導體製程之載體分離方法 |
US20120063952A1 (en) | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Hong Keith C | Uv resistant clear laminates |
KR101164945B1 (ko) | 2010-09-13 | 2012-07-12 | 한국과학기술원 | 플렉시블 소자의 제작 방법 |
KR101779586B1 (ko) | 2010-09-27 | 2017-10-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플라스틱 기판을 이용한 표시장치 제조 방법 |
US20130188324A1 (en) | 2010-09-29 | 2013-07-25 | Posco | Method for Manufacturing a Flexible Electronic Device Using a Roll-Shaped Motherboard, Flexible Electronic Device, and Flexible Substrate |
US8822306B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-09-02 | Infineon Technologies Ag | Method for manufacturing a composite wafer having a graphite core, and composite wafer having a graphite core |
KR101267529B1 (ko) | 2010-10-30 | 2013-05-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블한 유기전계 발광소자 제조 방법 |
US8859103B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-10-14 | Joseph Eugene Canale | Glass wafers for semiconductor fabrication processes and methods of making same |
CN102034746B (zh) | 2010-11-08 | 2013-06-05 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板的制造方法 |
KR101295532B1 (ko) | 2010-11-11 | 2013-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 평판소자의 제조방법 |
KR101271838B1 (ko) | 2010-11-24 | 2013-06-07 | 주식회사 포스코 | 보강기판을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판 |
KR101842134B1 (ko) | 2010-11-26 | 2018-03-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동 표시장치 및 그 제조 방법 |
EP2458620B1 (en) | 2010-11-29 | 2021-12-01 | IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik | Fabrication of graphene electronic devices using step surface contour |
TW201238014A (en) | 2010-11-30 | 2012-09-16 | Corning Inc | Methods of forming a glass wiring board substrate |
JP2012119611A (ja) | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Asahi Glass Co Ltd | 貫通電極基板の製造方法 |
KR101049380B1 (ko) | 2010-12-21 | 2011-07-15 | 한국기계연구원 | 전해도금을 이용한 반도체 소자 3차원 패키지용 관통 전극 및 그 제조 방법 |
CN102070120B (zh) | 2010-12-31 | 2012-09-05 | 东南大学 | 用于微电子系统级封装的高密度转接板的制备方法 |
CA2772110C (en) | 2011-02-01 | 2013-07-23 | Micro Technology Co., Ltd. | Thin-sheet glass substrate laminate and method of manufacturing the same |
JP2012166999A (ja) | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Asahi Glass Co Ltd | インターポーザ用ガラス基板の製造方法、インターポーザの製造方法、インターポーザ用ガラス基板、およびインターポーザ |
KR101918284B1 (ko) | 2011-03-03 | 2019-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 표시장치의 제조 방법 |
JP5355618B2 (ja) | 2011-03-10 | 2013-11-27 | 三星ディスプレイ株式會社 | 可撓性表示装置及びこの製造方法 |
JP2012209545A (ja) | 2011-03-17 | 2012-10-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 半導体積層体の製造方法 |
TWI445626B (zh) | 2011-03-18 | 2014-07-21 | Eternal Chemical Co Ltd | 製造軟性元件的方法 |
JP2012227310A (ja) | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | セラミックス多層基板とその製造方法 |
US10155361B2 (en) | 2011-11-09 | 2018-12-18 | Corning Incorporated | Method of binding nanoparticles to glass |
KR20140018937A (ko) | 2011-04-22 | 2014-02-13 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 적층체, 그 제조 방법 및 용도 |
JP5862238B2 (ja) | 2011-05-27 | 2016-02-16 | 東洋紡株式会社 | 積層体とその製造方法及びそれを用いたデバイス構造体の製造方法 |
JP5760696B2 (ja) | 2011-05-27 | 2015-08-12 | 株式会社デンソー | 画像認識装置 |
JP5862866B2 (ja) | 2011-05-30 | 2016-02-16 | 東洋紡株式会社 | 積層体の作成方法および、この積層体を利用したフィルムデバイスの作成方法 |
JP5883236B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-03-09 | 日東電工株式会社 | 薄層基材用キャリア材 |
KR20130000211A (ko) | 2011-06-22 | 2013-01-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 |
KR20130003997A (ko) | 2011-07-01 | 2013-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 캐리어 기판과 박형 글라스의 탈부착 방법 |
WO2013006865A2 (en) | 2011-07-07 | 2013-01-10 | Brewer Science Inc. | Methods of transferring device wafers or layers between carrier substrates and other surfaces |
US8617925B2 (en) | 2011-08-09 | 2013-12-31 | Soitec | Methods of forming bonded semiconductor structures in 3D integration processes using recoverable substrates, and bonded semiconductor structures formed by such methods |
US8383460B1 (en) | 2011-09-23 | 2013-02-26 | GlobalFoundries, Inc. | Method for fabricating through substrate vias in semiconductor substrate |
KR20140069277A (ko) | 2011-09-27 | 2014-06-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 얇은 유리 기판들을 위한 캐리어 및 그 이용 |
JP5790392B2 (ja) | 2011-10-12 | 2015-10-07 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
JP5796449B2 (ja) | 2011-10-12 | 2015-10-21 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイスの製造方法、樹脂層付きキャリア基板の製造方法 |
WO2013058217A1 (ja) | 2011-10-18 | 2013-04-25 | 旭硝子株式会社 | 積層体、積層体の製造方法、および、電子デバイス用部材付きガラス基板の製造方法 |
KR101820171B1 (ko) | 2011-10-24 | 2018-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 경량 박형의 액정표시장치 제조방법 |
US8550061B2 (en) | 2012-01-26 | 2013-10-08 | Maruzen Company Limited | Toy gun |
US8696864B2 (en) | 2012-01-26 | 2014-04-15 | Promerus, Llc | Room temperature debonding composition, method and stack |
US9725357B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-08-08 | Corning Incorporated | Glass articles having films with moderate adhesion and retained strength |
US10543662B2 (en) | 2012-02-08 | 2020-01-28 | Corning Incorporated | Device modified substrate article and methods for making |
US8975157B2 (en) | 2012-02-08 | 2015-03-10 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer |
KR20140129153A (ko) | 2012-02-08 | 2014-11-06 | 코닝 인코포레이티드 | 캐리어로 플렉시블 유리를 가공하는 방법 |
US8696212B2 (en) | 2012-03-01 | 2014-04-15 | Amsted Rail Company, Inc. | Roller bearing backing ring assembly |
JP2013184346A (ja) | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス積層体、電子デバイスの製造方法 |
JP2013184872A (ja) | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラス基板の端部処理方法、ガラス基板の端部処理装置及びガラス基板 |
KR101390212B1 (ko) | 2012-03-14 | 2014-05-14 | 한양대학교 에리카산학협력단 | 전기분무건조를 이용한 글리아딘 나노입자의 제조방법 |
JP2013207084A (ja) | 2012-03-28 | 2013-10-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 放熱板付基板モジュールおよび放熱板付基板モジュールの製造方法 |
JP2013216513A (ja) | 2012-04-05 | 2013-10-24 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスフィルムの切断方法及びガラスフィルム積層体 |
EP2650938A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-16 | Acreo Swedish ICT AB | Organic Field-Effect Transistor Device |
JP2013224475A (ja) | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Shimazu Kogyo Kk | 溶射用粒子、溶射皮膜の形成方法及び溶射部材 |
DE102012207149A1 (de) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verbund mit temporärer Schutzfolie |
WO2013179881A1 (ja) | 2012-05-29 | 2013-12-05 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体および電子デバイスの製造方法 |
KR20130095605A (ko) | 2012-06-22 | 2013-08-28 | 코스텍시스템(주) | 디바이스 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼의 본딩과 디본딩 장치 |
CN102815052B (zh) | 2012-06-29 | 2016-08-24 | 法国圣戈班玻璃公司 | 超疏水减反基板及其制作方法 |
US9139469B2 (en) | 2012-07-17 | 2015-09-22 | Corning Incorporated | Ion exchangeable Li-containing glass compositions for 3-D forming |
JP2014019597A (ja) | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスフィルムの製造方法及びガラスフィルム積層体 |
CN102789125B (zh) | 2012-07-27 | 2013-11-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 隔垫物制作方法 |
EP2885253B1 (en) | 2012-08-17 | 2021-06-02 | Corning Incorporated | Ultra-thin strengthened glasses |
CN102820262A (zh) | 2012-09-05 | 2012-12-12 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种玻璃通孔的制作及互连的方法 |
CN104582955B (zh) | 2012-09-28 | 2017-05-31 | Hoya株式会社 | 电子设备用罩玻璃及其制造方法 |
WO2014059263A1 (en) | 2012-10-12 | 2014-04-17 | Corning Incorporated | Articles having retained strength |
US20140150244A1 (en) | 2012-11-30 | 2014-06-05 | General Electric Company | Adhesive-free carrier assemblies for glass substrates |
CN103035490A (zh) | 2012-12-11 | 2013-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示器件的制备方法 |
US10086584B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-10-02 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers |
CN106030686A (zh) | 2012-12-13 | 2016-10-12 | 康宁股份有限公司 | 玻璃和制备玻璃制品的方法 |
TWI617437B (zh) | 2012-12-13 | 2018-03-11 | 康寧公司 | 促進控制薄片與載體間接合之處理 |
US10014177B2 (en) | 2012-12-13 | 2018-07-03 | Corning Incorporated | Methods for processing electronic devices |
US9340443B2 (en) | 2012-12-13 | 2016-05-17 | Corning Incorporated | Bulk annealing of glass sheets |
KR102046534B1 (ko) | 2013-01-25 | 2019-11-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 |
WO2014137801A1 (en) | 2013-03-03 | 2014-09-12 | John Moore | Temporary adhesive with tunable adhesion force sufficient for processing thin solid materials |
US9790407B2 (en) | 2013-03-09 | 2017-10-17 | Moore John | Aqueous detergent soluble coating and adhesive and methods of temporary bonding for manufacturing |
CN105658594B (zh) | 2013-03-15 | 2019-01-04 | 康宁股份有限公司 | 玻璃片的整体退火 |
JP6070822B2 (ja) | 2013-03-15 | 2017-02-01 | 日産自動車株式会社 | 非水電解質二次電池 |
KR101432575B1 (ko) | 2013-03-29 | 2014-08-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 경량 박형의 액정표시장치 제조방법 |
KR20150138191A (ko) | 2013-04-02 | 2015-12-09 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 피막을 구비한 유리 기판 및 그 제조 방법 |
KR102070617B1 (ko) | 2013-08-21 | 2020-01-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 멤스 진폭 변조기 및 이를 포함하는 멤스 자계 센서 |
KR20150034829A (ko) | 2013-08-30 | 2015-04-06 | 주식회사 엔씰텍 | 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 이를 이용하여 제조된 플렉시블 정보 표시 소자 및 이의 제조방법 |
KR101580015B1 (ko) | 2013-08-30 | 2015-12-24 | 주식회사 엔씰텍 | 임시 점착/탈착층을 사용하는 플렉시블 정보 표시 소자 제조용 지지 기판, 이의 제조 방법, 그를 이용한 플렉시블 정보 표시 소자 및 그의 제조 방법 |
US20150099110A1 (en) | 2013-10-07 | 2015-04-09 | Corning Incorporated | Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers |
US10510576B2 (en) | 2013-10-14 | 2019-12-17 | Corning Incorporated | Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing |
JP6119567B2 (ja) | 2013-11-11 | 2017-04-26 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法 |
JP6176067B2 (ja) | 2013-11-11 | 2017-08-09 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体および電子デバイスの製造方法 |
JP6136909B2 (ja) | 2013-12-17 | 2017-05-31 | 旭硝子株式会社 | 樹脂層付き支持基板の製造方法、ガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法 |
CN106104778A (zh) | 2014-01-27 | 2016-11-09 | 康宁股份有限公司 | 用于聚合物表面与载体的受控粘结的制品和方法 |
KR20160114106A (ko) | 2014-01-27 | 2016-10-04 | 코닝 인코포레이티드 | 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 표면 개질 층의 처리 |
KR101522941B1 (ko) | 2014-02-05 | 2015-05-26 | 도레이첨단소재 주식회사 | 실리콘 이형필름 및 그 제조방법 |
KR20160119080A (ko) | 2014-02-07 | 2016-10-12 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유리 적층체 |
US9406746B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-08-02 | International Business Machines Corporation | Work function metal fill for replacement gate fin field effect transistor process |
JP2017518954A (ja) | 2014-04-09 | 2017-07-13 | コーニング インコーポレイテッド | デバイスで改質された基体物品、およびそれを製造する方法 |
CN106163798B (zh) | 2014-04-10 | 2019-05-10 | Agc株式会社 | 玻璃层叠体及其制造方法、电子器件的制造方法 |
JP6322469B2 (ja) | 2014-04-25 | 2018-05-09 | ニッタ株式会社 | 基板加工方法 |
JPWO2015163134A1 (ja) | 2014-04-25 | 2017-04-13 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体および電子デバイスの製造方法 |
JPWO2016017645A1 (ja) | 2014-08-01 | 2017-07-06 | 旭硝子株式会社 | 無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、それらの製造方法および電子デバイスの製造方法 |
US9790593B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-10-17 | Corning Incorporated | Scratch-resistant materials and articles including the same |
US9576811B2 (en) | 2015-01-12 | 2017-02-21 | Lam Research Corporation | Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch) |
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2021
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009035720A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-02-19 | Seiko Epson Corp | 接合膜付き基材、接合方法および接合体 |
JP2017506170A (ja) * | 2014-01-27 | 2017-03-02 | コーニング インコーポレイテッド | 薄いシートの担体との制御された結合のための物品および方法 |
JP2017087417A (ja) * | 2014-03-26 | 2017-05-25 | 旭硝子株式会社 | ガラス積層体 |
JP2016106047A (ja) * | 2016-01-07 | 2016-06-16 | 住友ベークライト株式会社 | 化粧板 |
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