JPWO2016017645A1 - 無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、それらの製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は高温での処理を行った際におけるガラス基板(16)と無機膜(14)と間の発泡を抑制し、さらに、無機膜(14)とガラス基板(16)との密着性も良好な無機膜付き支持基板(10)を提供することを目的とする。本発明は無機膜付き支持基板(10)における無機膜(14)側の表面が、表面粗さRaが2nm超、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下であることを特徴とする無機膜付き支持基板(10)に関する。
Description
本発明は、ガラス基板を用いて液晶パネルや有機ELパネルなどの電子デバイスを製造する際に使用される無機膜付き支持基板、および、これにガラス基板を積層したガラス積層体、ならびに、これらの製造方法および電子デバイスの製造方法に関する。
近年、太陽電池(PV)、液晶パネル(LCD)、有機ELパネル(OLED)などの電子デバイス(電子機器)の薄型化、軽量化が進行している。これに対応して、これらの電子デバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。
一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
そこで、最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板を支持基板で支持した状態で、ガラス基板に電子デバイスを製造することが行われている。例えば、ガラス製の支持基板に無機膜(吸着膜)を形成した無機膜付きの支持基板を用意し、この支持基板の無機膜上にガラス基板を積層して密着した積層体を得て、この積層体のガラス基板に電子デバイスを製造した後、該積層体から電子デバイスが製造されたガラス基板を剥離する方法が提案されている(特許文献1および2)。
これらの方法によれば、ガラス基板が薄くてもハンドリング性を向上させ、適切な位置決めを可能とすると共に、所定の処理後に素子が配置されたガラス基板を積層体から容易に剥離することができる旨が開示されている。
これらの方法によれば、ガラス基板が薄くてもハンドリング性を向上させ、適切な位置決めを可能とすると共に、所定の処理後に素子が配置されたガラス基板を積層体から容易に剥離することができる旨が開示されている。
ところで、近年、電子デバイスの高性能化の要求に伴い、電子デバイスの製造の際により高温条件下(例えば、450℃以上)での処理の実施が望まれている。
ところが、従来の無機膜付きの支持基板にガラス基板を積層した積層体では、450℃以上での高温処理、特に500〜600℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着物が生じたり、含まれるガスが放出される等することにより、ガラス基板と無機膜との間に多数の気泡が生じてしまう場合が有る。
ところが、従来の無機膜付きの支持基板にガラス基板を積層した積層体では、450℃以上での高温処理、特に500〜600℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着物が生じたり、含まれるガスが放出される等することにより、ガラス基板と無機膜との間に多数の気泡が生じてしまう場合が有る。
また、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜の表面にガラス基板を積層する際に密着性が悪い場合も有る。すなわち、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、密着したとしても容易に剥離する場合も有る。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、高温での処理を行った際におけるガラス基板と無機膜と間の発泡を抑制し、さらに、無機膜とガラス基板との密着性も良好な無機膜付き支持基板、および、この無機膜付き支持基板にガラス基板を積層したガラス積層体、ならびに、この無機膜付き支持基板およびガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法を提供することにある。
本発明者らは前記目的を達成するために鋭意検討を行った結果、本発明を完成した。
すなわち、本発明に係る無機膜付き支持基板は、支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有し、
前記無機膜付き支持基板における無機膜側の表面が、表面粗さRaが2nm超、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下であることを特徴とする。
すなわち、本発明に係る無機膜付き支持基板は、支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有し、
前記無機膜付き支持基板における無機膜側の表面が、表面粗さRaが2nm超、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下であることを特徴とする。
前記無機膜付き支持基板において、前記表面粗さRaおよび前記山高さの差が、前記無機膜の表面性状に起因することが好ましい。また、その時の前記無機膜の厚さが10nm以上であるのが好ましい。
また、前記無機膜付き支持基板において、前記表面粗さRaおよび前記山高さの差が、前記支持基板の表面性状に起因する、もしくは、前記無機膜の表面性状および前記支持基板の表面性状に起因することが好ましい。また、その時の前記無機膜の厚さが10〜60nmであるのが好ましい。
本発明に係る無機膜付き支持基板における支持基板はガラス製であることが好ましい。
また、前記無機膜付き支持基板において、前記表面粗さRaおよび前記山高さの差が、前記支持基板の表面性状に起因する、もしくは、前記無機膜の表面性状および前記支持基板の表面性状に起因することが好ましい。また、その時の前記無機膜の厚さが10〜60nmであるのが好ましい。
本発明に係る無機膜付き支持基板における支持基板はガラス製であることが好ましい。
また、本発明のガラス積層体は、前記本発明に係る無機膜付き支持基板の無機膜上に、ガラス基板を積層することを特徴とする。
また、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第1の態様は、支持基板の表面に無機膜を成膜し、その後、前記無機膜の表面を平坦化することを特徴とする。
また、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第2の態様は、支持基板となる板状物の表面を粗面化処理して支持基板を作製し、前記支持基板の表面に無機膜を形成することを特徴とする。
前記無機膜付き支持基板の製造方法の第2の態様において、前記無機膜を形成した後、さらに、前記無機膜を平坦化することが好ましい。
また、前記板状物の表面を粗面化処理した後、さらに、前記粗面化処理した面の平坦化を行って支持基板を作製することが好ましい。
また、前記板状物の表面を粗面化処理した後、さらに、前記粗面化処理した面の平坦化を行って支持基板を作製することが好ましい。
また、本発明のガラス積層体の製造方法は、前記第1の態様又は第2の態様により無機膜付き支持基板を製造した後、前記無機膜付き支持基板の無機膜上にガラス基板を積層することを特徴とする。
さらに、本発明の電子デバイスの製造方法は、前記本発明のガラス積層体の製造方法を用いることを特徴とする。
本発明に係る無機膜付き支持基板を、ガラス基板を積層したガラス積層体の支持基板に用いることによって、該ガラス基板に電子デバイスを形成する際に、良好な密着性を提供すると共に、電子デバイスの製造において450℃を超えるような高温処理を行っても、ガラス基板と無機膜との間に気泡が生じることを抑制できる。
以下、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法、ガラス積層体の製造方法及び、電子デバイスの製造方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。
なお、本明細書において、“重量%”と“質量%”とは同義である。
なお、本明細書において、“重量%”と“質量%”とは同義である。
図1(A)に、本発明の無機膜付き支持基板の一例を概念的に示す。なお、図1(A)は、無機膜付き支持基板の側面の断面図である。
本発明の無機膜付き支持基板10は、ガラス基板を用いる電子デバイス等の製造において、ガラス基板を支持する支持基板として用いられるものであり、基本的に、支持基板12と無機膜14とから構成される。
このような無機膜付き支持基板10は、図1(B)に概念的に示すように、無機膜14にガラス基板16が積層、密着されて、本発明のガラス積層体20とされ、ガラス基板16を用いる電子デバイスの製造に利用される。
ここで、本発明の無機膜付き支持基板10において、無機膜14側の表面は、表面粗さRaが2nm超で、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下である。この点に関しては、後に詳述する。
本発明の無機膜付き支持基板10は、ガラス基板を用いる電子デバイス等の製造において、ガラス基板を支持する支持基板として用いられるものであり、基本的に、支持基板12と無機膜14とから構成される。
このような無機膜付き支持基板10は、図1(B)に概念的に示すように、無機膜14にガラス基板16が積層、密着されて、本発明のガラス積層体20とされ、ガラス基板16を用いる電子デバイスの製造に利用される。
ここで、本発明の無機膜付き支持基板10において、無機膜14側の表面は、表面粗さRaが2nm超で、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下である。この点に関しては、後に詳述する。
支持基板12は、図1(B)に示すガラス積層体20において、主にガラス基板16を支持して、ガラス基板16の損傷や変形を防止するものである。
本発明の無機膜付き支持基板10において、支持基板12は、ガラス板、ステンレススチール(SUS)板などの金属板などの各種の板材(板状物)が利用可能である。
本発明の無機膜付き支持基板10において、支持基板12は、ガラス板、ステンレススチール(SUS)板などの金属板などの各種の板材(板状物)が利用可能である。
ここで、ガラス積層体20を利用する電子デバイスの製造において、熱処理を伴う工程を有する場合には、支持基板12は、ガラス基板16との線膨張係数の差の小さい材料で形成されるのが好ましい。
支持基板12は、ガラス基板16と同一材料で形成されるのが好ましく、支持基板12はガラス板であるのがより好ましい。特に、支持基板12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であるのが好ましい。
支持基板12は、ガラス基板16と同一材料で形成されるのが好ましく、支持基板12はガラス板であるのがより好ましい。特に、支持基板12は、ガラス基板16と同じガラス材料からなるガラス板であるのが好ましい。
支持基板12の厚さは、後述するガラス基板16よりも厚くてもよく、薄くてもよい。
好ましくは、ガラス基板16の厚さ、無機膜14の厚さ、および後述する無機膜付きガラス積層体20の厚さに基づいて、支持基板12の厚さが選択される。例えば、電子デバイスの製造工程が0.5mmの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板16の厚さおよび無機膜14の厚さの和が0.1mmの場合、支持基板12の厚さを0.4mmとする。
好ましくは、ガラス基板16の厚さ、無機膜14の厚さ、および後述する無機膜付きガラス積層体20の厚さに基づいて、支持基板12の厚さが選択される。例えば、電子デバイスの製造工程が0.5mmの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板16の厚さおよび無機膜14の厚さの和が0.1mmの場合、支持基板12の厚さを0.4mmとする。
支持基板12の厚さは、通常の場合、0.2〜5mmであるのが好ましい。
なお、支持基板12がガラス板の場合には、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、支持基板12の厚さは、0.08mm以上であるのが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、1.0mm以下であるのが好ましい。
なお、支持基板12がガラス板の場合には、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、支持基板12の厚さは、0.08mm以上であるのが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、1.0mm以下であるのが好ましい。
無機膜付き支持基板10において、支持基板12の一方の表面(主面の1面)には、無機物からなる膜である無機膜14が形成される。
無機膜14は、無機膜付き支持基板10にガラス基板16を積層して、剥離可能に密着させるための膜(吸着膜)である。言い換えると、無機膜14は、易剥離性を有して、無機膜付き支持基板10にガラス基板16を積層、密着(貼着)して保持する機能を具備する膜である。
無機膜14は、優れた耐熱性を示す。そのため、ガラス積層体20を高温条件に曝しても層自体の化学変化が起きにくく、後述するガラス基板16との間でも化学結合を生じにくい。また、重剥離化によるガラス基板16への無機膜14の付着が生じにくい。なお、重剥離化とは、無機膜14とガラス基板16との界面の剥離強度が、支持基板12と無機膜14との界面の剥離強度、および、無機膜14の材料自体の強度(バルク強度)のいずれかよりも大きくなることをいう。無機膜14とガラス基板16との界面で重剥離化が起こると、ガラス基板16表面に無機膜14の成分が付着しやすく、その表面の清浄化が困難となりやすい。ガラス基板16表面への無機膜14の付着とは、無機膜14全体がガラス基板16表面に付着すること、および、無機膜14表面が損傷し無機膜14表面の成分の一部がガラス基板16表面に付着すること、などを意味する。
無機膜14は、無機膜付き支持基板10にガラス基板16を積層して、剥離可能に密着させるための膜(吸着膜)である。言い換えると、無機膜14は、易剥離性を有して、無機膜付き支持基板10にガラス基板16を積層、密着(貼着)して保持する機能を具備する膜である。
無機膜14は、優れた耐熱性を示す。そのため、ガラス積層体20を高温条件に曝しても層自体の化学変化が起きにくく、後述するガラス基板16との間でも化学結合を生じにくい。また、重剥離化によるガラス基板16への無機膜14の付着が生じにくい。なお、重剥離化とは、無機膜14とガラス基板16との界面の剥離強度が、支持基板12と無機膜14との界面の剥離強度、および、無機膜14の材料自体の強度(バルク強度)のいずれかよりも大きくなることをいう。無機膜14とガラス基板16との界面で重剥離化が起こると、ガラス基板16表面に無機膜14の成分が付着しやすく、その表面の清浄化が困難となりやすい。ガラス基板16表面への無機膜14の付着とは、無機膜14全体がガラス基板16表面に付着すること、および、無機膜14表面が損傷し無機膜14表面の成分の一部がガラス基板16表面に付着すること、などを意味する。
無機膜14は、電子デバイス等の製造において、電子デバイスを形成されるガラス基板を支持するための、公知の無機膜付き支持基板で利用されている、各種の無機化合物からなるものが利用可能である。
具体的には、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物および弗化物からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むのが好ましい。
具体的には、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物および弗化物からなる群から選ばれる少なくとも1つを含むのが好ましい。
酸化物、窒化物、酸窒化物としては、例えば、Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In、CeおよびBaから選ばれる1種類以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。より具体的には、酸化チタン(TiO2)、酸化インジウム(In2O3)、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ガリウム(Ga2O3)、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、酸化亜鉛スズ(ZTO)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)、酸化インジウムセリウム(ICO)、窒化硅素(Si3N4)、窒化チタン(TiN)、窒化タングステン(WN)、窒化クロム(CrN)、窒化ホウ素(BN)、窒化モリブデン(MoN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ジルコニウム(ZrN)などが挙げられる。
炭化物、炭窒化物としては、例えば、Ti、W、Si、ZrおよびNbから選ばれる1種以上の元素の炭化物、炭窒化物が挙げられる。より具体的には、炭化チタン(TiC)、炭化タングステン(WC)、炭化硅素(SiC)、炭化ニオブ(NbC)、炭化ジルコニウム(ZrC)、炭窒化チタン(TiCN)、炭窒化タングステン(WCN)、炭窒化硅素(SiCN)、炭窒化ニオブ(NbCN)、炭窒化ジルコニウム(ZrCN)などが挙げられる。
珪化物としては、例えば、W、Fe、Mn、Mg、Mo、Cr、Ru、Re、Co、Ni、Ta、Ti、ZrおよびBaから選ばれる1種以上の元素の珪化物が挙げられる。
弗化物としては、例えば、Mg、Y、LaおよびBaから選ばれる1種以上の元素の弗化物が挙げられる。
弗化物としては、例えば、Mg、Y、LaおよびBaから選ばれる1種以上の元素の弗化物が挙げられる。
中でも、電子デバイスの製造工程等において、ガラス積層体20を熱処理した後のガラス基板16との剥離性が良好である、熱処理前の加工に耐えられる密着性を持ちながら熱処理による膜特性の変化が少なく再利用が容易である、容易に入手できる、成膜などでの制御が可能である等の点で、炭化硅素、酸化インジウムスズおよび酸化インジウムセリウムは、より好適に例示される。
無機膜14の平均線膨張係数は、支持基板12等の形成材料に応じて、適宜、設定すればよい。
例えば、支持基板12としてガラス板を使用する場合は、その平均線膨張係数は10×10−7〜200×10−7/℃が好ましい。この範囲であれば、ガラス板との平均線膨張係数の差が小さくなり、高温環境下におけるガラス基板16と無機膜付き支持基板10との位置ずれをより抑制することができる。
例えば、支持基板12としてガラス板を使用する場合は、その平均線膨張係数は10×10−7〜200×10−7/℃が好ましい。この範囲であれば、ガラス板との平均線膨張係数の差が小さくなり、高温環境下におけるガラス基板16と無機膜付き支持基板10との位置ずれをより抑制することができる。
無機膜14は、前述した無機化合物の少なくとも1種が主成分として含まれているのが好ましい。ここで、主成分とは、これらの総含有量が、無機膜14の全量に対して、90質量%以上であることを意味し、98質量%以上であるのが好ましく、99質量%以上であるのがより好ましい。無機膜の成分および含有量はEDX(Energy Dispersive X−ray Spectroscopy;エネルギー分散型X線分光法)や、XPS(X−ray Photoelectron Spectroscopy;X線光電子分光法)、SIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry;二次イオン質量分析法)により測定することができる。
無機膜14の厚さは、後述のプロセスや膜材料に依存して目的とする無機膜14の表面性状、積層されるガラス基板16の種類、支持基板12の表面性状等に応じて、適宜、設定すればよい。
なお、無機膜14は、図1(A)及び(B)では単層として記載されているが、2層以上の積層構造であってもよい。また、2層以上の積層構造の場合、各層が異なる組成であってもよい。
さらに、無機膜14は通常支持基板12の全面に形成されるが、本発明の効果を損なわない範囲で、支持基板12表面に、無機膜14が形成されない領域を有してもよい。
さらに、無機膜14は通常支持基板12の全面に形成されるが、本発明の効果を損なわない範囲で、支持基板12表面に、無機膜14が形成されない領域を有してもよい。
ここで、本発明の無機膜付き支持基板10においては、無機膜14側の表面は、表面粗さRaが2nm超で、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下である。本発明は、このような構成を有することにより、無機膜14とガラス基板16との良好な密着性を確保し、また、高温処理を行った際における無機膜14とガラス基板16との間に生じる発泡を抑制している。
この点に関しては、後に詳述する。
この点に関しては、後に詳述する。
本発明のガラス積層体20は、図1(B)に概念的に示すように、このような本発明の無機膜付き支持基板10の無機膜14に、ガラス基板16を積層して、密着してなるものである。
ガラス基板16は、一般的なものであってよく、例えばLCDやOLEDなど、ガラス基板16(ガラス積層体20)を使用する電子デバイスの種類や、その製造工程に適したガラスを、適宜、選択すればよい。
一例として、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化硅素を主な成分とする酸化物系ガラス等が好適に例示される。なお、酸化物系ガラスは、酸化物換算による酸化硅素の含有量が40〜90質量%のガラスが好ましい。
例えば、ガラス基板16がLCDに利用される場合には、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる))が利用される。
一例として、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化硅素を主な成分とする酸化物系ガラス等が好適に例示される。なお、酸化物系ガラスは、酸化物換算による酸化硅素の含有量が40〜90質量%のガラスが好ましい。
例えば、ガラス基板16がLCDに利用される場合には、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス(無アルカリガラス(ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる))が利用される。
ガラス基板16は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法(リドロー法)で成形して得られる。
ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の用途や大きさに応じて、適宜、設定すればよい。
具体的には、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の観点から、0.8mm以下が好ましく、0.3mm以下がより好ましく、0.15mm以下が特に好ましい。ガラス基板16の厚さを0.8mm以下とすることにより、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の要求を好適に満たすことができる。また、ガラス基板16の厚さを0.3mm以下とすることにより、ガラス基板16に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。さらに、ガラス基板16の厚さを0.15mm以下とすることにより、ガラス基板16をロール状に巻き取ることが可能になる。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易である、ガラス基板16の取り扱いが容易である等の理由から、0.03mm以上であるのが好ましい。
具体的には、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の観点から、0.8mm以下が好ましく、0.3mm以下がより好ましく、0.15mm以下が特に好ましい。ガラス基板16の厚さを0.8mm以下とすることにより、ガラス基板16の薄型化および/または軽量化の要求を好適に満たすことができる。また、ガラス基板16の厚さを0.3mm以下とすることにより、ガラス基板16に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。さらに、ガラス基板16の厚さを0.15mm以下とすることにより、ガラス基板16をロール状に巻き取ることが可能になる。
また、ガラス基板16の厚さは、ガラス基板16の製造が容易である、ガラス基板16の取り扱いが容易である等の理由から、0.03mm以上であるのが好ましい。
なお、ガラス基板16は2層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さとする。
前述のように、本発明の無機膜付き支持基板10またはガラス積層体20において、無機膜14側の表面は、表面粗さRaが2nm超で、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下である。
本発明の無機膜付き支持基板10は、このような構成を有することにより、無機膜14にガラス基板16を積層してガラス積層体20とする際に、無機膜14とガラス基板16との良好な密着性を確保することができると共に、ガラス基板16に電子デバイスを形成するために高温での熱処理を行っても、無機膜14とガラス基板16との間に泡が生じることを抑制できる。さらに、本発明の無機膜付き支持基板10は、ガラス基板16に電子デバイスを形成するために熱処理を行った後における無機膜14とガラス基板16との剥離性も良好である(良好な易剥離性を有する)。
本発明の無機膜付き支持基板10は、このような構成を有することにより、無機膜14にガラス基板16を積層してガラス積層体20とする際に、無機膜14とガラス基板16との良好な密着性を確保することができると共に、ガラス基板16に電子デバイスを形成するために高温での熱処理を行っても、無機膜14とガラス基板16との間に泡が生じることを抑制できる。さらに、本発明の無機膜付き支持基板10は、ガラス基板16に電子デバイスを形成するために熱処理を行った後における無機膜14とガラス基板16との剥離性も良好である(良好な易剥離性を有する)。
薄膜のガラス基板に電子デバイスを形成するための支持体として、特許文献1や特許文献2に示されるような、支持基板に無機膜を形成してなる無機膜付き支持基板が知られている。この無機膜付き支持基板を利用することにより、薄膜のガラス基板を用いた場合であって、良好なハンドリング性を確保して、適正に電子デバイスを作製できる。
ここで、近年では、電子デバイスの高性能化のため、電子デバイスの製造の際に、450℃以上のような高温条件下での処理の実施が望まれている。ところが、従来の無機膜付きの支持基板では、450℃以上での高温処理、特に、500〜600℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着物が生じたり、含まれるガスが放出されることによって、ガラス基板と無機膜との間に多数の泡が生じてしまう場合が有る。
さらに、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜とガラス基板とを積層した際に、無機膜とガラス基板との密着性が不十分で、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、密着したとしても意図せずに剥離してしまう場合も有る。
ここで、近年では、電子デバイスの高性能化のため、電子デバイスの製造の際に、450℃以上のような高温条件下での処理の実施が望まれている。ところが、従来の無機膜付きの支持基板では、450℃以上での高温処理、特に、500〜600℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着物が生じたり、含まれるガスが放出されることによって、ガラス基板と無機膜との間に多数の泡が生じてしまう場合が有る。
さらに、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜とガラス基板とを積層した際に、無機膜とガラス基板との密着性が不十分で、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、密着したとしても意図せずに剥離してしまう場合も有る。
これに対し、本発明の無機膜付き支持基板10は、無機膜14側の表面の表面粗さRaを2nm超とし、かつ、無機膜14の負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差を20nm以下とする。
すなわち、本発明においては、無機膜14側の表面の表面粗さRaを2nm超と大きくすることにより、無機膜14とガラス基板16との間に、面方向の外部まで連通する、ガラス基板16や無機膜14から放出されたガスの抜け道を形成できる。
そのため、ガラス積層体20を600℃等の高温で処理しても、ガスが無機膜14とガラス基板16との間に留まることが無く、無機膜14とガラス基板16との間に気泡が生じることを抑制できる。
すなわち、本発明においては、無機膜14側の表面の表面粗さRaを2nm超と大きくすることにより、無機膜14とガラス基板16との間に、面方向の外部まで連通する、ガラス基板16や無機膜14から放出されたガスの抜け道を形成できる。
そのため、ガラス積層体20を600℃等の高温で処理しても、ガスが無機膜14とガラス基板16との間に留まることが無く、無機膜14とガラス基板16との間に気泡が生じることを抑制できる。
その反面、無機膜14側の表面の表面粗さRaを大きくすると、この表面における凸部の高さの差が大きく、無機膜14とガラス基板16との接触を好適に行うことができず、無機膜14とガラス基板16とを積層した際の密着性が低下してしまう。
これに対し、本発明においては、無機膜付き支持基板10における無機膜14側の表面の負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差を20nm以下とすることにより、無機膜14とガラス基板16とを積層した際に、良好な密着性を確保できる。
これに対し、本発明においては、無機膜付き支持基板10における無機膜14側の表面の負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差を20nm以下とすることにより、無機膜14とガラス基板16とを積層した際に、良好な密着性を確保できる。
図2に、無機膜付き支持基板の原子間力顕微鏡(AFM)による測定で得られた粗さ曲線から作成した負荷曲線の一例を概念的に示す。
周知のように、負荷曲線(ベアリングカーブ/BAC)とは、凹凸を有する表面について、例えばAFM等を用いて作成した表面の粗さ曲線における、凸部の深さ(高さ)と、深さの確率密度との関係を示す確率密度曲線を、高い凸部から積分して積み上げたもので、横軸が負荷長さ率(累積確率頻度)で、縦軸が最上部からの深さ(高さ、山高さ)である。
本発明においては、図2に示すように、この負荷曲線における負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dを20nm以下とする。言い換えれば、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける切断レベルの差を20nm以下とする。
なお、本発明において、負荷曲線とは、JIS B 0671−2:2002に記載される負荷曲線である。
周知のように、負荷曲線(ベアリングカーブ/BAC)とは、凹凸を有する表面について、例えばAFM等を用いて作成した表面の粗さ曲線における、凸部の深さ(高さ)と、深さの確率密度との関係を示す確率密度曲線を、高い凸部から積分して積み上げたもので、横軸が負荷長さ率(累積確率頻度)で、縦軸が最上部からの深さ(高さ、山高さ)である。
本発明においては、図2に示すように、この負荷曲線における負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dを20nm以下とする。言い換えれば、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける切断レベルの差を20nm以下とする。
なお、本発明において、負荷曲線とは、JIS B 0671−2:2002に記載される負荷曲線である。
負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下ということは、ガラス基板16が積層される無機膜14側の表面において、確率密度の低い凸部を抑制して、凸部の高さの差が十分に小さいことを示す。すなわち、無機膜14側の表面において、高さが揃っている。
そのため、表面粗さRaが大きくても、無機膜14とガラス基板16との密着を妨害するような凸部が少なく、かつ、無機膜14とガラス基板16との接触面積も十分に確保できる。
従って、本発明によれば、大きな表面粗さRaによって無機膜14とガラス基板16との間での泡の発生を抑制しつつ、無機膜14とガラス基板16の密着性を確保できる。さらに、無機膜14側の表面の表面粗さRaを2nm超とし、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dを20nm以下とすることにより、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる。
そのため、表面粗さRaが大きくても、無機膜14とガラス基板16との密着を妨害するような凸部が少なく、かつ、無機膜14とガラス基板16との接触面積も十分に確保できる。
従って、本発明によれば、大きな表面粗さRaによって無機膜14とガラス基板16との間での泡の発生を抑制しつつ、無機膜14とガラス基板16の密着性を確保できる。さらに、無機膜14側の表面の表面粗さRaを2nm超とし、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dを20nm以下とすることにより、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる。
本発明の無機膜付き支持基板10において、無機膜14側の表面の表面粗さRaが2nm以下では、無機膜14およびガラス基板16から放出されたガスを十分に排出することができず、無機膜14とガラス基板16との間に多くの泡が生じてしまう。
無機膜14とガラス基板16との間の泡をより好適に抑制できる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、無機膜14の表面粗さRaは2.2nm以上が好ましく、3nm以上がより好ましい。
また、無機膜14とガラス基板16との密着性をより好適にできる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、無機膜14側の表面の表面粗さRaは10nm以下が好ましく、5nm以下がより好ましい。
なお、本発明において、表面粗さRa(算術平均粗さRa)は、AFMを用いて測定するものであり、JIS B 0601:2001に準拠して測定すればよい。
無機膜14とガラス基板16との間の泡をより好適に抑制できる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、無機膜14の表面粗さRaは2.2nm以上が好ましく、3nm以上がより好ましい。
また、無機膜14とガラス基板16との密着性をより好適にできる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、無機膜14側の表面の表面粗さRaは10nm以下が好ましく、5nm以下がより好ましい。
なお、本発明において、表面粗さRa(算術平均粗さRa)は、AFMを用いて測定するものであり、JIS B 0601:2001に準拠して測定すればよい。
他方、無機膜14側の表面が、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nmを超えるものである場合には、無機膜14とガラス基板16とを積層した際に、両者の接触を十分に行うことができず、無機膜14とガラス基板16との密着力を十分に得ることができない。
無機膜14とガラス基板16との密着力をより好適にできる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dは10nm以下がより好ましい。
また、無機膜14とガラス基板16との間の泡をより好適に抑制できる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dは0.1nm以上が好ましい。
無機膜14とガラス基板16との密着力をより好適にできる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dは10nm以下がより好ましい。
また、無機膜14とガラス基板16との間の泡をより好適に抑制できる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dは0.1nm以上が好ましい。
以下、図3(A)〜図3(D)の概念図を参照して、図1(A)に示す無機膜付き支持基板10および図1(B)に示すガラス積層体20を製造する、本発明の製造方法の一例を示す。
まず、図3(A)に示すように、支持基板12となるガラス板等を用意して、図3(B)に示すように、その1面(一方の主面)に無機膜14となるベタ膜14aを成膜する。
ベタ膜14aの成膜方法は、形成する無機膜14の種類に応じて、スパッタリング、真空蒸着(常温、高温)、CVD、プラズマCVD、ゾルゲル法などの塗布法等、目的とする膜を成膜できるものであれば、公知の各種の方法が利用可能である。
ベタ膜14aの成膜方法は、形成する無機膜14の種類に応じて、スパッタリング、真空蒸着(常温、高温)、CVD、プラズマCVD、ゾルゲル法などの塗布法等、目的とする膜を成膜できるものであれば、公知の各種の方法が利用可能である。
ベタ膜14aの表面粗さは、ベタ膜14aの厚さ、成膜条件や成膜方法によって変化する。従って、ベタ膜14aの厚さは、目的とする無機膜14の表面性状や無機膜14の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。一般的に、ベタ膜14aの厚さが厚い方が表面が粗くなる。ここで、ベタ膜14aの厚さは、50〜5000nmが好ましく、100〜500nmがより好ましい。
ベタ膜14aの厚さを上記範囲とすることにより、ベタ膜14aの表面を十分に粗くして、後述する研磨等の平坦化によって、無機膜14側の表面の表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下である無機膜付き支持基板10を安定して作製できる。また、ベタ膜14aを不要に厚くすることは、安定生産、生産性の低下、コストの抑制という観点から望ましく無いが、ベタ膜14aの厚さを500nm以下とすることで、この不都合も回避できる。
ベタ膜14aの厚さを上記範囲とすることにより、ベタ膜14aの表面を十分に粗くして、後述する研磨等の平坦化によって、無機膜14側の表面の表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下である無機膜付き支持基板10を安定して作製できる。また、ベタ膜14aを不要に厚くすることは、安定生産、生産性の低下、コストの抑制という観点から望ましく無いが、ベタ膜14aの厚さを500nm以下とすることで、この不都合も回避できる。
次いで、図3(C)に示すように、形成したベタ膜14aの表面を平坦化して、無機膜14を形成し、本発明の無機膜付き支持基板10とする。
このベタ膜14aの表面の研磨によって、無機膜14の表面の高さを揃えて、無機膜付き支持基板10の無機膜14側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%との山高さの差dが20nm以下として、無機膜14とガラス基板16との間においてガスの抜け道を確保し、かつ、無機膜付き支持基板10のガラス基板16と無機膜14との接触面積を確保できる。
このベタ膜14aの表面の研磨によって、無機膜14の表面の高さを揃えて、無機膜付き支持基板10の無機膜14側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%との山高さの差dが20nm以下として、無機膜14とガラス基板16との間においてガスの抜け道を確保し、かつ、無機膜付き支持基板10のガラス基板16と無機膜14との接触面積を確保できる。
ベタ膜14aの平坦化は、公知の方法が、各種、利用可能である。
一例として、研磨が例示される。研磨方法は、ベタ膜14aの形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、遊離砥粒を分散してなるスラリーを用いる湿式のブラシ研磨やパッド研磨、固定砥粒を有するテープを用いる乾式あるいは湿式のテープ研磨等が例示される。
また、ベタ膜14aの平坦化方法としては、イオンボンバードや反応性イオンエッチングなどの、プラズマによるドライ処理も利用可能である。
一例として、研磨が例示される。研磨方法は、ベタ膜14aの形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、遊離砥粒を分散してなるスラリーを用いる湿式のブラシ研磨やパッド研磨、固定砥粒を有するテープを用いる乾式あるいは湿式のテープ研磨等が例示される。
また、ベタ膜14aの平坦化方法としては、イオンボンバードや反応性イオンエッチングなどの、プラズマによるドライ処理も利用可能である。
ベタ膜14aの研磨量は、目的とする無機膜14の表面性状や無機膜14の形成材料、ベタ膜14aの膜厚等に応じて、適宜、設定すればよい。
無機膜14の厚さは、無機膜14の表面性状や形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、無機膜14側の表面粗さ等を無機膜14の表面の形状によって決定する無機膜付き支持基板10では、無機膜14は、ある程度の厚さを有するのが好ましい。
そのため、無機膜14の厚さは、10nm以上であるのが好ましく、特に、45〜4500nmが好ましく、90〜450nmが好ましい。
無機膜14の厚さを上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜14側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%との山高さの差dが20nm以下にできる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で好ましい。
そのため、無機膜14の厚さは、10nm以上であるのが好ましく、特に、45〜4500nmが好ましく、90〜450nmが好ましい。
無機膜14の厚さを上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜14側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%との山高さの差dが20nm以下にできる、ガラス積層体20を高温で熱処理した後の剥離性も良好にできる等の点で好ましい。
さらに、図3(D)に示すように、無機膜付き支持基板10の無機膜14上にガラス基板16を積層して、本発明のガラス積層体20とする。
ガラス基板16の積層は、無機膜14の形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、常圧環境下で無機膜付き支持基板10とガラス基板16とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより、無機膜付き支持基板10とガラス基板16とが、より良好な密着力で密着するので好ましい。また、ガラス基板16の積層方法としては、真空ラミネート法や真空プレス法による圧着も、好適に利用可能である。
ガラス基板16の積層は、無機膜14の形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、常圧環境下で無機膜付き支持基板10とガラス基板16とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより、無機膜付き支持基板10とガラス基板16とが、より良好な密着力で密着するので好ましい。また、ガラス基板16の積層方法としては、真空ラミネート法や真空プレス法による圧着も、好適に利用可能である。
図1(A)等に示す例では、平面状の支持基板12に、表面に凹凸を有する無機膜14を形成することで、無機膜付き支持基板10の無機膜14側の表面の表面粗さRaを2nm超とし、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dを20nm以下としている。すなわち、無機膜14側の表面の表面粗さRa、および、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが、主に、無機膜14の表面性状に起因している。
しかしながら、本発明は、これに限定されず、支持基板表面に凹凸を形成することによって、無機膜14側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下であるものとしてもよい。すなわち、無機膜14側の表面の表面粗さRa、および、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが、主に、支持基板の表面性状に起因するものであってもよい。
また、無機膜14側の表面の表面粗さRa及び山高さの差dが、無機膜の表面性状及び支持基板の表面性状に共に起因するものであってもよい。
この無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法の一例を図4(A)〜図4(E)に概念的に示す。
しかしながら、本発明は、これに限定されず、支持基板表面に凹凸を形成することによって、無機膜14側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下であるものとしてもよい。すなわち、無機膜14側の表面の表面粗さRa、および、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが、主に、支持基板の表面性状に起因するものであってもよい。
また、無機膜14側の表面の表面粗さRa及び山高さの差dが、無機膜の表面性状及び支持基板の表面性状に共に起因するものであってもよい。
この無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法の一例を図4(A)〜図4(E)に概念的に示す。
本例では、まず、図4(A)および図4(B)に示すように、支持基板24となるガラス板Gの表面に粗面化処理を行って、表面に凹凸を形成したガラス板24aを作製する。
なお、このガラス板Gの粗面化処理に先立って、処理液への浸漬等によってガラス成分との析出物(反応物)をガラス板の表面に形成して、この析出物をマスクとして、ガラス板Gの粗面化処理を行ない、その後、この析出物を薬液等で除去することで、表面に凹凸を形成したガラス板24aを作製してもよい。これにより作製されたガラス板は、表面の凹凸の高さが揃うことから好ましい。
また、この表面に凹凸を有するガラス板24aを作製するための粗面化処理は、部分的に、ガラス板Gの元の表面が残るように行うのが好ましい。
なお、このガラス板Gの粗面化処理に先立って、処理液への浸漬等によってガラス成分との析出物(反応物)をガラス板の表面に形成して、この析出物をマスクとして、ガラス板Gの粗面化処理を行ない、その後、この析出物を薬液等で除去することで、表面に凹凸を形成したガラス板24aを作製してもよい。これにより作製されたガラス板は、表面の凹凸の高さが揃うことから好ましい。
また、この表面に凹凸を有するガラス板24aを作製するための粗面化処理は、部分的に、ガラス板Gの元の表面が残るように行うのが好ましい。
粗面化処理による凹凸を有するガラス板24aの作製は、高温でのフッ化水素ガスの吹き付け、マスクを用いるドライもしくはウエットでのエッチング、研磨、サンドブラスト等のブラスト等、公知のガラスの粗面化処理が各種利用可能である。
ガラス板24aの粗面化の程度は、目的とする無機膜26の表面性状や無機膜26の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、この粗面化処理は、ガラス板24aの表面に5〜500nm程度の凹凸を形成するように行うのが好ましく、10〜50nm程度の凹凸を形成するように行うのがより好ましい。
ガラス板24aの粗面化を上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜26側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%との山高さの差dが20nm以下にできる。該粗面化処理は、後述するガラス積層体32とした後の洗浄等によるガラス基板16との界面への処理液の浸透を防げる等の点で好ましい。
ガラス板24aの粗面化を上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜26側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%との山高さの差dが20nm以下にできる。該粗面化処理は、後述するガラス積層体32とした後の洗浄等によるガラス基板16との界面への処理液の浸透を防げる等の点で好ましい。
この粗面化処理によって、ガラス板24aの表面が、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dを20nm以下となった場合には、このガラス板24aを支持基板24として用いる。
あるいは、必要に応じて、図4(C)に示すように、粗面化したガラス板24aの表面を平坦化して、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下の表面を有する支持基板24を作製する。
ガラス板24aの表面の平坦化は、公知の方法が、各種、利用可能である。
平坦化方法としては、研磨が例示される。研磨方法は、ガラス板24aの形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、遊離砥粒を分散してなるスラリーを用いる湿式のブラシ研磨、固定砥粒を有するテープを用いる乾式あるいは湿式のテープ研磨等が例示される。
また、ガラス板24aの平坦化方法としては、イオンボンバードや反応性イオンエッチングなどの、プラズマによるドライ処理も利用可能である。
ガラス板24aの表面の平坦化は、公知の方法が、各種、利用可能である。
平坦化方法としては、研磨が例示される。研磨方法は、ガラス板24aの形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、遊離砥粒を分散してなるスラリーを用いる湿式のブラシ研磨、固定砥粒を有するテープを用いる乾式あるいは湿式のテープ研磨等が例示される。
また、ガラス板24aの平坦化方法としては、イオンボンバードや反応性イオンエッチングなどの、プラズマによるドライ処理も利用可能である。
次いで、図4(D)に示すように、支持基板24の表面に無機膜26を形成して、本発明の無機膜付き支持基板30とする。
前述のように、支持基板24の表面は、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下となっている。従って、無機膜26を形成した無機膜付き支持基板30の無機膜26側の表面も、これに追従して、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下となる。
なお、無機膜26の形成は、先と同様、形成する無機膜26に応じた公知の方法で行えばよい。
前述のように、支持基板24の表面は、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下となっている。従って、無機膜26を形成した無機膜付き支持基板30の無機膜26側の表面も、これに追従して、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下となる。
なお、無機膜26の形成は、先と同様、形成する無機膜26に応じた公知の方法で行えばよい。
無機膜26の厚さは、支持基板24の表面性状や無機膜26の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、無機膜26側の表面粗さ等を支持基板24の表面の形状によって決定する無機膜付き支持基板30では、無機膜26の膜厚は、薄い方が好ましい。そのため、無機膜26の厚さは、10〜60nmとするのが好ましく、10〜40nmとするのがより好ましい。
無機膜26の厚さを、上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜26側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下にできる、無機膜付き支持基板30の生産性を向上できる、無機膜付き支持基板30のコストを低減できる等の点で好ましい。
無機膜26の厚さを、上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜26側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下にできる、無機膜付き支持基板30の生産性を向上できる、無機膜付き支持基板30のコストを低減できる等の点で好ましい。
次いで、図4(E)に示すように、無機膜付き支持基板30の無機膜26上にガラス基板16を積層して、本発明のガラス積層体32とする。
ガラス基板16の積層方法は、先と同様、公知の方法で行えばよい。
ガラス基板16の積層方法は、先と同様、公知の方法で行えばよい。
さらに、本発明においては、支持基板および無機膜の両者の表面形状に起因して、無機膜付き支持基板の無機膜側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下のものとしてもよい。
この無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法の一例を図5(A)〜図5(E)に概念的に示す。
この無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法の一例を図5(A)〜図5(E)に概念的に示す。
本例では、まず、図5(A)および図5(B)に示すように、支持基板36となるガラス板Gの表面に粗面化処理を行って、表面に凹凸を形成して、支持基板36を作製する。
粗面化処理は、先の図4(A)等に示す例と同様に公知の方法で行えばよい。また、マスクを使う方法等によって、支持基板36の表面の凹凸を揃えるのが好ましいのも、同様である。
さらに、粗面化処理は、部分的にガラス板Gの元の表面が残るように行うのが好ましいのも、同様である。
ガラス板Gの粗面化の程度すなわち支持基板36の表面性状は、目的とする無機膜38の表面性状や無機膜38の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、この粗面化処理は、支持基板36の表面に5〜500nm程度の凹凸を形成するように行うのが好ましく、10〜100nm程度の凹凸を形成するように行うのがより好ましい。
支持基板36の粗面化を上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜付き支持基板の無機膜38側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下にできる、後述するガラス積層体42とした後の洗浄等によるガラス基板16との界面への処理液の浸透を防げる等の点で好ましい。
粗面化処理は、先の図4(A)等に示す例と同様に公知の方法で行えばよい。また、マスクを使う方法等によって、支持基板36の表面の凹凸を揃えるのが好ましいのも、同様である。
さらに、粗面化処理は、部分的にガラス板Gの元の表面が残るように行うのが好ましいのも、同様である。
ガラス板Gの粗面化の程度すなわち支持基板36の表面性状は、目的とする無機膜38の表面性状や無機膜38の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、この粗面化処理は、支持基板36の表面に5〜500nm程度の凹凸を形成するように行うのが好ましく、10〜100nm程度の凹凸を形成するように行うのがより好ましい。
支持基板36の粗面化を上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜付き支持基板の無機膜38側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下にできる、後述するガラス積層体42とした後の洗浄等によるガラス基板16との界面への処理液の浸透を防げる等の点で好ましい。
次いで、図5(C)に示すように、支持基板36の表面に、無機膜38となるベタ膜38aを形成する。ベタ膜38aの形成は、先の例と同様に公知の方法で行えばよい。
ベタ膜38aの厚さは、目的とする無機膜38の表面性状や無機膜38の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。
ここで、本例においては、後述するように、ベタ膜38aを平坦化することで、無機膜38を形成する。また、後述するが、無機膜38の厚さは、好ましくは10〜60nmで、より好ましくは10〜40nmである。従って、ベタ膜38aの厚さは、平坦化後の無機膜38の厚さを、上記範囲に制御できるように、20〜70nmが好ましく、20〜50nmがより好ましい。
ベタ膜38aの厚さは、目的とする無機膜38の表面性状や無機膜38の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。
ここで、本例においては、後述するように、ベタ膜38aを平坦化することで、無機膜38を形成する。また、後述するが、無機膜38の厚さは、好ましくは10〜60nmで、より好ましくは10〜40nmである。従って、ベタ膜38aの厚さは、平坦化後の無機膜38の厚さを、上記範囲に制御できるように、20〜70nmが好ましく、20〜50nmがより好ましい。
次いで、図5(D)に示すように、ベタ膜38aの表面を平坦化し、無機膜38を形成して、本発明の無機膜付き支持基板40とする。この平坦化によって、無機膜付き支持基板40の無機膜38側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下にできる。
ベタ膜38aの平坦化は、先の例と同様に公知の方法で行えばよい。
ベタ膜38aの平坦化は、先の例と同様に公知の方法で行えばよい。
ベタ膜38aの研磨量は、目的とする無機膜38の表面性状や無機膜38の形成材料、ベタ膜38aの厚さ等に応じて、適宜、設定すればよい。
無機膜38の厚さは、支持基板36の表面性状や無機膜38の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、無機膜38側の表面粗さ等を支持基板36の表面形状および無機膜38の表面形状の両者によって決定する無機膜付き支持基板40でも、無機膜38の膜厚は、薄い方が好ましい。そのため、無機膜38の厚さは、10〜60nmとするのが好ましく、10〜40nmとするのがより好ましい。
無機膜38の厚さを、上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜38側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下にできる、無機膜付き支持基板40の生産性を向上できる、無機膜付き支持基板30のコストを低減できる等の点で好ましい。
無機膜38の厚さを、上記範囲とすることにより、より確実に、無機膜38側の表面を、表面粗さRaが2nm超で、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差dが20nm以下にできる、無機膜付き支持基板40の生産性を向上できる、無機膜付き支持基板30のコストを低減できる等の点で好ましい。
さらに、図5(E)に示すように、無機膜付き支持基板40の無機膜38にガラス基板16を積層して、本発明のガラス積層体42とする。
ガラス基板16の積層方法は、先と同様、公知の方法で行えばよい。
ガラス基板16の積層方法は、先と同様、公知の方法で行えばよい。
このような本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体は、LCD、OLED、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットLEDパネル、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、シャッターパネル等の電子デバイスの製造に、好適に利用される。
これらの電子デバイスは、本発明の製造方法で製造できる。
本発明の電子デバイスの製造方法は、本発明のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法である。本発明の電子デバイスの製造方法は、一例として、本発明の製造方法で無機膜付き支持基板及びガラス基板を含むガラス積層体を製造し、このガラス基板の表面に、LCDやOLED等を構成する電子デバイス用部材を形成し、該電子デバイス用部材を形成してなるガラス積層体から、前記無機膜付き支持基板を剥離し、ガラス基板と電子デバイス用部品とを有する電子デバイスを得る。
なお、このような本発明の電子デバイスの製造方法において、電子デバイス用部材は、製造する電子デバイスに応じた部材を、製造する電子デバイスに応じた公知の方法で形成すればよい。
本発明の電子デバイスの製造方法は、本発明のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法である。本発明の電子デバイスの製造方法は、一例として、本発明の製造方法で無機膜付き支持基板及びガラス基板を含むガラス積層体を製造し、このガラス基板の表面に、LCDやOLED等を構成する電子デバイス用部材を形成し、該電子デバイス用部材を形成してなるガラス積層体から、前記無機膜付き支持基板を剥離し、ガラス基板と電子デバイス用部品とを有する電子デバイスを得る。
なお、このような本発明の電子デバイスの製造方法において、電子デバイス用部材は、製造する電子デバイスに応じた部材を、製造する電子デバイスに応じた公知の方法で形成すればよい。
以上、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法および電子デバイスの製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行っても良いのは、もちろんである。
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を、より詳細に説明する。
[実施例1]
支持基板となるガラス板として、300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
このガラス板の表面を約580℃に熱しながら、フッ化水素ガスを吹き付けることによって、表面を粗面化した。
粗面化したガラス板の表面の表面粗さRa、および、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差(以下、『Sdc(0−10%)』とも言う)を、AFM(日立ハイテクサイエンス社製、SPA400)を用いて測定した。
その結果、表面粗さRaは16nm、Sdc(0−10%)は79nmであった。
[実施例1]
支持基板となるガラス板として、300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
このガラス板の表面を約580℃に熱しながら、フッ化水素ガスを吹き付けることによって、表面を粗面化した。
粗面化したガラス板の表面の表面粗さRa、および、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差(以下、『Sdc(0−10%)』とも言う)を、AFM(日立ハイテクサイエンス社製、SPA400)を用いて測定した。
その結果、表面粗さRaは16nm、Sdc(0−10%)は79nmであった。
ガラス基板として、300×300mmで厚さ0.2mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
粗面化したガラス板およびガラス基板を良く洗浄して、粗面化面を当接して両者を積層したが、粗面化したガラス板とガラス基板とは、積層できなかった。
粗面化したガラス板およびガラス基板を良く洗浄して、粗面化面を当接して両者を積層したが、粗面化したガラス板とガラス基板とは、積層できなかった。
次いで、粗面化したガラス板の表面を、粒度#8000(JIS R6001:1998)の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーおよびウレタンのディスクブラシを用いて、30秒、研磨して、支持基板を作製した。
さらに、作製した支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ20nmの酸化インジウムセリウムの膜を無機膜として成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
先と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは3.55nm、Sdc(0−10%)は9.58nmであった。
さらに、作製した支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ20nmの酸化インジウムセリウムの膜を無機膜として成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
先と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは3.55nm、Sdc(0−10%)は9.58nmであった。
この無機膜付き支持基板および先のガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜形成面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
[実施例2]
支持基板として、300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
この支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ450nmの酸化インジウムスズの膜をベタ膜として成膜した。
実施例1と同様に、ベタ膜の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは6.6nm、Sdc(0−10%)は21nmであった。
支持基板として、300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
この支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ450nmの酸化インジウムスズの膜をベタ膜として成膜した。
実施例1と同様に、ベタ膜の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは6.6nm、Sdc(0−10%)は21nmであった。
ガラス基板として、300×300mmで厚さ0.2mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
ベタ膜を形成した支持基板およびガラス基板を良く洗浄して、ベタ膜面を当接して両者を積層したが、ベタ膜を形成した支持基板とガラス基板とは、積層できなかった。
ベタ膜を形成した支持基板およびガラス基板を良く洗浄して、ベタ膜面を当接して両者を積層したが、ベタ膜を形成した支持基板とガラス基板とは、積層できなかった。
次いで、ベタ膜を形成した支持基板のベタ膜の表面を、粒径80nmのコロイダルシリカおよびブラシを用いて10nm研磨して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは2.3nm、Sdc(0−10%)は3nmであった。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは2.3nm、Sdc(0−10%)は3nmであった。
この無機膜付き支持基板および先のガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
[実施例3]
支持基板となるガラス板として、300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
このガラス板の表面を約580℃に熱しながら、フッ化水素ガスを吹き付けることによって、表面を粗面化して支持基板を作製した。
実施例1と同様に、支持基板の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは16nm、Sdc(0−10%)は79nmであった。
支持基板となるガラス板として、300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
このガラス板の表面を約580℃に熱しながら、フッ化水素ガスを吹き付けることによって、表面を粗面化して支持基板を作製した。
実施例1と同様に、支持基板の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは16nm、Sdc(0−10%)は79nmであった。
ガラス基板として、300×300mmで厚さ0.2mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
支持基板およびガラス基板を良く洗浄して、粗面化面を当接して両者を積層したが、支持基板とガラス基板とは、積層できなかった。
支持基板およびガラス基板を良く洗浄して、粗面化面を当接して両者を積層したが、支持基板とガラス基板とは、積層できなかった。
支持基板の表面に、スパッタリングによって厚さ20nmの酸化インジウムセリウムの膜をベタ膜として成膜した。
さらに、ベタ膜の表面を、粒度#8000(JIS R6001:1998)の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーおよびウレタン製のディスクブラシを用いて、10秒、研磨して、無機膜を形成して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは2.3nm、Sdc(0−10%)は19.7nmであった。
さらに、ベタ膜の表面を、粒度#8000(JIS R6001:1998)の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーおよびウレタン製のディスクブラシを用いて、10秒、研磨して、無機膜を形成して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは2.3nm、Sdc(0−10%)は19.7nmであった。
この無機膜付き支持基板および先のガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
[比較例1]
300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
このガラス板の表面に、スパッタリングによって厚さ20nmの酸化インジウムセリウムの膜を無機膜として成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは0.3nm、Sdc(0−10%)は13nmであった。
300×300mmで厚さ0.5mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
このガラス板の表面に、スパッタリングによって厚さ20nmの酸化インジウムセリウムの膜を無機膜として成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは0.3nm、Sdc(0−10%)は13nmであった。
ガラス基板として、300×300mmで厚さ0.2mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に多数の泡が発生した。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を100×200mmに切断して、再度、洗浄し、600℃で1時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に多数の泡が発生した。さらに、熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
[比較例2]
フッ化水素ガスによるガラス板の粗面化処理を行った後の、粒度#8000(JIS R6001:1998)の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーを用いたウレタン製のディスクブラシでのガラス板の研磨を行わない以外は、実施例1と同様にして無機膜として酸化インジウムセリウムからなる膜を有する無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは16nm、Sdc(0−10%)は79nmであった。
フッ化水素ガスによるガラス板の粗面化処理を行った後の、粒度#8000(JIS R6001:1998)の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーを用いたウレタン製のディスクブラシでのガラス板の研磨を行わない以外は、実施例1と同様にして無機膜として酸化インジウムセリウムからなる膜を有する無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは16nm、Sdc(0−10%)は79nmであった。
ガラス基板として、300×300mmで厚さ0.2mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層した。しかしながら、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、適正に積層できず、ガラス積層体は作製できなかった。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層した。しかしながら、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、適正に積層できず、ガラス積層体は作製できなかった。
[比較例3]
スパッタリングによって酸化インジウムセリウムの膜を形成した後の、粒度#8000(JIS R6001:1998)の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーを用いたウレタン製のディスクブラシでの酸化インジウムセリウム膜の研磨を行わない以外は、実施例3と同様にして無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは21nm、Sdc(0−10%)は103nmであった。
スパッタリングによって酸化インジウムセリウムの膜を形成した後の、粒度#8000(JIS R6001:1998)の酸化アルミニウム砥粒を分散してなるスラリーを用いたウレタン製のディスクブラシでの酸化インジウムセリウム膜の研磨を行わない以外は、実施例3と同様にして無機膜付き支持基板を作製した。
実施例1と同様に、作製した無機膜付き支持基板の無機膜側の表面の表面粗さRaおよびSdc(0−10%)を測定した。その結果、表面粗さRaは21nm、Sdc(0−10%)は103nmであった。
ガラス基板として、300×300mmで厚さ0.2mmの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板(旭硝子社製 AN100)を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層した。しかしながら、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、適正に積層できず、ガラス積層体は作製できなかった。
結果を下記の表にまとめて示す。表中「ICO」とは酸化インジウムセリウムを意味し、「ITO」とは酸化インジウムスズを意味する。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層した。しかしながら、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、適正に積層できず、ガラス積層体は作製できなかった。
結果を下記の表にまとめて示す。表中「ICO」とは酸化インジウムセリウムを意味し、「ITO」とは酸化インジウムスズを意味する。
本発明を詳細に、また特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は2014年8月1日出願の日本特許出願(特願2014−157558)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
各種の電子デバイスの製造等に好適に利用可能である。
10,30,40 無機膜付き支持基板
12,24,36 支持基板
14,26,38 無機膜
14a,38a ベタ膜
16 ガラス基板
20,32,42 ガラス積層体
24a ガラス板
12,24,36 支持基板
14,26,38 無機膜
14a,38a ベタ膜
16 ガラス基板
20,32,42 ガラス積層体
24a ガラス板
Claims (14)
- 支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有する無機膜付き支持基板であって、
前記無機膜付き支持基板における無機膜側の表面が、表面粗さRaが2nm超、かつ、負荷曲線の負荷長さ率0%と10%とにおける山高さの差が20nm以下であることを特徴とする無機膜付き支持基板。 - 前記表面粗さRaおよび前記山高さの差が、前記無機膜の表面性状に起因する請求項1に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記無機膜の厚さが10nm以上である請求項2に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記表面粗さRaおよび前記山高さの差が、前記支持基板の表面性状に起因する請求項1に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記表面粗さRaおよび前記山高さの差が、前記無機膜の表面性状および前記支持基板の表面性状に起因する請求項1に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記無機膜の厚さが10〜60nmである請求項4または5に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記支持基板がガラス製である請求項1〜6のいずれか1項に記載の無機膜付き支持基板。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の無機膜付き支持基板の無機膜上に、ガラス基板を積層したガラス積層体。
- 支持基板の表面に無機膜を成膜し、その後、前記無機膜の表面を平坦化することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法。
- 支持基板となる板状物の表面を粗面化処理して支持基板を作製し、前記支持基板の表面に無機膜を形成することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法。
- 前記無機膜を形成した後、さらに、前記無機膜を平坦化することを特徴とする請求項10に記載の無機膜付き支持基板の製造方法。
- 前記板状物の表面を粗面化処理した後、さらに、前記粗面化処理した面の平坦化を行って支持基板を作製することを特徴とする請求項10または11に記載の無機膜付き支持基板の製造方法。
- 請求項9〜12のいずれか1項に記載の製造方法で無機膜付き支持基板を製造した後、前記無機膜付き支持基板の無機膜上にガラス基板を積層することを特徴とするガラス積層体の製造方法。
- 請求項13に記載のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法。
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