TWI645979B - Glass laminate and method of manufacturing electronic device - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種玻璃積層體，其包含：具有支持基板及配置於上述支持基板上之無機層之附無機層之支持基板、與以可剝離之方式積層於上述無機層之與上述支持基板側為相反側之表面即無機層表面上之玻璃基板，且上述無機層包含SiC1-xOx(x=0.10~0.90)及/或SiN1-yOy(y=0.10~0.90)作為上述無機層表面之組成，上述無機層表面之表面粗糙度(Ra)為0.20~1.00nm。

Description

玻璃積層體及電子裝置之製造方法
本發明係關於一種玻璃積層體及電子裝置之製造方法。
近年來，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等電子裝置(電子機器)之薄型化、輕量化不斷進展，該等電子裝置所使用之玻璃基板之薄板化正不斷發展。另一方面，若因薄板化導致玻璃基板之強度不足，則於電子裝置之製造步驟中，玻璃基板之操作性降低。
因此，最近，就使玻璃基板之操作性提高之觀點而言，提出有如下方法，即準備於附無機薄膜之支持玻璃之無機薄膜上積層有玻璃基板之積層體，於積層體之玻璃基板上實施元件之製造處理後，將玻璃基板自積層體分離(專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-184284號公報
本發明者等人對專利文獻1中所具體記載之附有由金屬氧化物構成之無機薄膜之支持玻璃進行了研究。結果得知有於無機薄膜上積層玻璃基板時之積層性(積層難易度)較差之情形。即，得知有如下情形：即便將無機薄膜與玻璃基板重疊，亦不會自然地密接，而且即便 機械加壓，亦不密接，或者容易剝離。
又，近年來，伴隨電子裝置之高性能化之要求，而期望於製造電子裝置時，實施於更高溫度條件下之處理，因此，本發明者等人針對專利文獻1之附無機薄膜之支持玻璃，實施高溫條件下(例如600℃、1小時)之加熱處理。結果得知，即便積層性良好，於加熱處理後欲利用特定之方法剝離玻璃基板之情形時，亦有無法剝離等剝離性較差之情形。於該情形時，產生如下問題：於高溫條件下之裝置製造後，無法將形成有元件之玻璃基板自積層體剝離。
本發明係鑒於以上方面而完成者，其目的在於提供一種配置於支持基板上之無機層與玻璃基板之積層性優異，且即便於高溫條件下之處理後無機層與玻璃基板之剝離性亦優異之玻璃積層體、及使用該玻璃積層體之電子裝置之製造方法。
本發明者等人為達成上述目的而進行銳意研究，結果發現，藉由將具有特定之表面組成及表面粗糙度之無機層形成於支持基板上，而對玻璃基板之積層性及剝離性均優異，從而完成本發明。
即，本發明提供以下之(1)~(8)。
(1)一種玻璃積層體，其包含：具有支持基板及配置於上述支持基板上之無機層之附無機層之支持基板、與以可剝離之方式積層於上述無機層之與上述支持基板側為相反側之表面即無機層表面上之玻璃基板，且上述無機層包含SiC1-xOx(x=0.10~0.90)及/或SiN1-yOy(y=0.10~0.90)作為上述無機層表面之組成，上述無機層表面之表面粗糙度(Ra)為0.20~1.00nm。
(2)如上述(1)之玻璃積層體，其中上述無機層表面之表面粗糙度(Ra)為0.30nm以上。
(3)如上述(1)或(2)之玻璃積層體，其中上述無機層表面之表面粗 糙度(Ra)為0.50nm以下。
(4)如上述(1)至(3)中任一項之玻璃積層體，其中上述x及y為0.20以上之數。
(5)如上述(1)至(4)中任一項之玻璃積層體，其中上述x及y為0.50以下之數。
(6)如上述(1)至(5)中任一項之玻璃積層體，其中上述支持基板為玻璃基板。
(7)如上述(1)至(6)中任一項之玻璃積層體，其即便於600℃下實施1小時加熱處理後亦可剝離上述附無機層之支持基板與上述玻璃基板。
(8)一種電子裝置之製造方法，其包括：構件形成步驟，其係於如上述(1)至(7)中任一項之玻璃積層體中之上述玻璃基板之表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自上述附電子裝置用構件之積層體剝離上述附無機層之支持基板，而獲得具有上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置。
根據本發明，可提供一種配置於支持基板上之無機層與玻璃基板之積層性優異，且即便於高溫條件下之處理後無機層與玻璃基板之剝離性亦優異之玻璃積層體、及使用該玻璃積層體之電子裝置之製造方法。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基板
14‧‧‧無機層
14a‧‧‧無機層表面(無機層之與支持基板側為相反側之表面)
16‧‧‧附無機層之支持基板
18‧‧‧玻璃基板
18a‧‧‧玻璃基板之第1主面
18b‧‧‧玻璃基板之第2主面
20‧‧‧電子裝置用構件
22‧‧‧附電子裝置用構件之積層體
24‧‧‧電子裝置
31‧‧‧固定台
32‧‧‧L字型治具
圖1係本發明之玻璃積層體之一實施形態之模式性剖面圖。
圖2(A)及(B)係本發明之電子裝置之製造方法之步驟圖。
圖3係表示剝離性之評價方法之模式性剖面圖。
以下，參照圖式，對本發明之玻璃積層體及電子裝置之製造方 法之較佳形態進行說明，但本發明並不限定於以下之實施形態，於不脫離本發明之範圍之情況下，可於以下之實施形態中施加各種變化及置換。
關於本發明之玻璃積層體，概略而言，係於支持基板與玻璃基板之間介置有具有特定之表面(無機層表面)作為與玻璃基板接觸之面的無機層者，藉此，無機層與玻璃基板之積層性優異，且即便於高溫條件下之處理後無機層與玻璃基板之剝離性亦優異。
以下，首先對玻璃積層體之較佳態樣進行詳述，其後，對使用該玻璃積層體之電子裝置之製造方法之較佳態樣進行詳述。
<玻璃積層體>
圖1係本發明之玻璃積層體之一實施形態之模式性剖面圖。
如圖1所示，玻璃積層體10具有包含支持基板12及無機層14之附無機層之支持基板16、與玻璃基板18。於玻璃積層體10中，將附無機層之支持基板16之無機層14之無機層表面14a(與支持基板12側為相反側之表面)、與玻璃基板18之第1主面18a設為積層面，並以使附無機層之支持基板16與玻璃基板18可剝離之方式進行積層。即，無機層14係其一面被固定於支持基板12並且其另一面接觸於玻璃基板18之第1主面18a，且無機層14與玻璃基板18之界面係以可剝離之方式密接。換言之，無機層14具備對玻璃基板18之第1主面18a之易剝離性。
又，在下述構件形成步驟之前使用該玻璃積層體10。即，該玻璃積層體10被使用於在該玻璃基板18之第2主面18b表面上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件之前。其後，將附無機層之支持基板16於與玻璃基板18之界面處剝離，從而附無機層之支持基板16不會成為構成電子裝置之構件。分離後之附無機層之支持基板16可與新的玻璃基板18積層，而再利用成新的玻璃積層體10。
本發明中，上述固定與(可剝離之)密接係於剝離強度(即，剝離 所需之應力)上有所不同，固定意指對於密接之剝離強度較大。具體而言，無機層14與支持基板12之界面之剝離強度變得大於玻璃積層體10中之無機層14與玻璃基板18之界面之剝離強度。
又，所謂可剝離之密接，意指可剝離，同時亦意指於不使被固定之面之剝離產生之情況下可剝離。即，意指於本發明之玻璃積層體10中，於進行將玻璃基板18與支持基板12分離之操作之情形時，於密接之面(無機層14與玻璃基板18之界面)產生剝離，而被固定之面未產生剝離。因此，若對玻璃積層體10進行將玻璃基板18與支持基板12分離之操作，則玻璃積層體10被分離成玻璃基板18與附無機層之支持基板16兩者。
以下，首先對構成玻璃積層體10之附無機層之支持基板16及玻璃基板18進行詳述，其後，對玻璃積層體10之製造之程序進行詳述。
[附無機層之支持基板]
附無機層之支持基板16包含：支持基板12、與配置(固定)於其表面上之無機層14。無機層14係以可剝離之方式與下述之玻璃基板18進行密接，並以此方式配置於附無機層之支持基板16中之最外側。
以下，對支持基板12、及無機層14之態樣進行詳述。
(支持基板)
支持基板12係具有第1主面與第2主面，且與配置於第1主面上之無機層14協動，支持玻璃基板18並進行補強，而於下述之構件形成步驟(製造電子裝置用構件之步驟)中防止於製造電子裝置用構件時玻璃基板18之變形、損傷、破損等之基板。
作為支持基板12，例如可使用玻璃板、塑膠板、SUS(Steel Use Stainless，日本不鏽鋼標準)板等金屬板等。於構件形成步驟伴隨著熱處理之情形時，支持基板12較佳為由與玻璃基板18之線膨脹係數之差較小的材料形成，更佳為由與玻璃基板18相同之材料形成。即，支持 基板12較佳為玻璃板。尤佳為支持基板12為包含與玻璃基板18相同之玻璃材料之玻璃板。
支持基板12之厚度可厚於下述之玻璃基板18，亦可薄於下述之玻璃基板18。較佳為基於玻璃基板18之厚度、無機層14之厚度、及下述之玻璃積層體10之厚度而選擇支持基板12之厚度。例如，現行之構件形成步驟係為了對厚度0.5mm之基板進行處理而設計者，於玻璃基板18之厚度及無機層14之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基板12之厚度設為0.4mm。支持基板12之厚度於通常之情形時較佳為0.2~5.0mm。
於支持基板12為玻璃板之情形時，關於玻璃板之厚度，就操作容易，難以破損等理由而言，較佳為0.08mm以上。又，關於玻璃板之厚度，就於電子裝置用構件形成後進行剝離時，期望有如不破損而適度彎曲之剛性之理由而言，較佳為1.0mm以下。
(無機層)
無機層14係配置(固定)於支持基板12之第1主面上，且與玻璃基板18之第1主面18a接觸之層。藉由將無機層14設置於支持基板12上，從而即便於高溫條件下之長時間處理後，亦可抑制無機層14與玻璃基板18之接著。
於本發明中，無機層14包含SiC1-xOx(x=0.10~0.90)及/或SiN1-yOy(y=0.10~0.90)作為無機層表面14a之組成。
此處，若x及y為未達0.10之數，則對玻璃基板18之剝離性較差，若x及y為超過0.90之數，則對玻璃基板18之積層性較差，但若為上述範圍，則積層性及剝離性均優異。
其原因並未明確，但可認為原因在於：因元素彼此之陰電性之差相對較小之碳化矽及/或氮化矽含有適量之氧，故使表面平坦度最佳化，或於加熱處理時於無機層與玻璃基板之間難以產生自較弱結合 向較強結合之轉換。
再者，關於x及y，就剝離性更優異之理由而言，較佳為0.20以上之數，就積層性更優異之理由而言，較佳為0.50以下之數，就積層性及剝離性均更優異之理由而言，更佳為0.20~0.50。
此處，所謂無機層14之無機層表面14a，係無機層14之包含最表面(與支持基板12側為相反側之最表面)之部位，具體而言，定義為自無機層14之最表面向支持基板12側1.0nm距離為止之部位；或者將無機層14之厚度(總厚)設為100%，於自最表面向支持基板12側10%之距離為止之部位中任一較薄者。再者，此處所謂「最表面」，係指「包含無視表面粗糙度之表面最高點部之平面」。
無機層14中之無機層表面14a及無機層表面14a以外之組成可藉由X射線光電子光譜法(XPS，X-ray photoelectron spectroscopy)而測定。
再者，作為無機層14中之無機層表面14a以外之組成，可與無機層表面14a之組成不同，亦可相同。
又，於本發明中，無機層表面14a之表面粗糙度(Ra)為0.20~1.00nm。若接觸於玻璃基板18之無機層表面14a之表面粗糙度(Ra)未達0.20nm，則對玻璃基板18之剝離性較差，若表面粗糙度(Ra)超過1.00nm，則對玻璃基板18之積層性較差，若為上述範圍，則積層性及剝離性均優異。
關於無機層表面14a之表面粗糙度(Ra)，就剝離性更優異之理由而言，較佳為0.30nm以上，就積層性更優異之理由而言，較佳為0.50nm以下，就積層性及剝離性均更優異之理由而言，更佳為0.30~0.50nm。
作為控制無機層表面14a之表面粗糙度之方法，例如可列舉變更無機層14之形成條件(成膜條件)之方法，具體而言，可列舉變更無機層14之厚度之方法等。
再者，Ra(算術平均粗糙度)係依據JIS B 0601(2001年修訂)而測定。JIS B 0601(2001年修訂)之內容係作為參照併入本文中。
無機層14於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下，簡稱為「平均線膨脹係數」)並無特別限定，於使用玻璃板作為支持基板12之情形時，較佳為10×10-7~200×10-7/℃。若為該範圍，則與玻璃板(SiO2)之平均線膨脹係數之差變小，而可抑制高溫環境下之玻璃基板18與附無機層之支持基板16之位置偏移。
無機層14較佳為含有上述之SiC1-xOx(x=0.10~0.90)及/或SiN1-yOy(y=0.10~0.90)作為主成分。此處，所謂主成分，意指該等之總含量相對於無機層14總量為90質量%以上，較佳為98質量%以上，更佳為99質量%以上，尤佳為99.999質量%以上。
作為無機層14之厚度，就耐擦傷性之觀點而言，較佳為5~5000nm，更佳為10~500nm。
無機層14於圖1中係以單層之形態記載，但亦可為2層以上之積層。於2層以上之積層之情形時，各層亦可為互不相同之組成。又，於該情形時，「無機層之厚度」意指全部層之合計厚度。
無機層14通常如圖1所示般設置於支持基板12之整面，但亦可於無損本發明之效果之範圍內設置於支持基板12表面上之一部分。例如，無機層14亦可島狀或條紋狀地設置於支持基板12表面上。
無機層14顯現優異之耐熱性。因此，即便將玻璃積層體10暴露於高溫條件下，亦難以引起無機層本身之化學變化，而即便於與下述之玻璃基板18之間，亦難以產生化學結合，從而難以產生由重剝離化引起之無機層14向玻璃基板18之附著。
此處，所謂重剝離化，係指無機層14與玻璃基板18之界面之剝離強度變得大於支持基板12與無機層14之界面的剝離強度、及無機層14之材料本身之強度(塊體強度)中之任一者。若於無機層14與玻璃基 板18之界面發生重剝離化，則無機層14之成分容易附著於玻璃基板18表面，而其表面之潔淨化容易變困難。所謂無機層14向玻璃基板18表面之附著，意指如下情況：無機層14整體附著於玻璃基板18表面、及無機層14表面損傷，無機層14表面之成分之一部分附著於玻璃基板18表面等。
(附無機層之支持基板之製造方法)
作為附無機層之支持基板16之製造方法，例如可列舉如下方法，即使用SiC靶或SiN靶，導入氬氣(Ar)等惰性氣體與氧氣(O2)或二氧化碳(CO2)等含氧原子氣體之混合氣體，並且藉由蒸鍍法、濺鍍法、或CVD(Chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法等，而於支持基板12上設置具有上述之無機層表面14a之組成之無機層14。此時，可藉由調整混合氣體中之含氧原子氣體之量，而控制無機層表面14a之氧量(即，x及y之值)。再者，製造條件係根據所使用之材料等而適當選擇最佳之條件。
又，於支持基板12上形成無機層14後，為了控制無機層表面14a之表面粗糙度Ra，而可對無機層14之表面實施切削處理。作為該處理，例如可列舉離子濺鍍法等。
[玻璃基板]
玻璃基板18係其第1主面18a與無機層14密接，且於與無機層14側為相反側之第2主面18b設置有下述之電子裝置用構件。
玻璃基板18之種類可為通常者，例如可列舉：LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板18之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修訂)所規定之線膨脹係數。JIS R 3102(1995年修訂)之內容係作為參照併入本文中。
玻璃基板18係使玻璃原料熔融，將熔融玻璃成形為板狀而獲 得。此種成形方法可為通常者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，特別是厚度較薄之玻璃基板可利用如下方法進行成形而獲得，即將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，利用延伸等方法進行延長而使玻璃基板變薄(再曳引法)。
玻璃基板18之玻璃並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板18之玻璃，採用適合裝置之種類或其製造步驟之玻璃。例如因鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故液晶面板用之玻璃基板包含實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(其中，通常含有鹼土金屬成分)。如上所述，玻璃基板18之玻璃係根據所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
玻璃基板18之厚度並無特別限定，就玻璃基板18之薄型化及/或輕量化之觀點而言，通常為0.8mm以下，較佳為0.3mm以下，進而較佳為0.15mm以下。於玻璃基板18之厚度超過0.8mm之情形時，未滿足玻璃基板18之薄型化及/或輕量化之要求。於玻璃基板18之厚度為0.3mm以下之情形時，可向玻璃基板18賦予良好之柔性。於玻璃基板之厚度為0.15mm以下之情形時，可將玻璃基板18捲取成輥狀。又，就玻璃基板18之製造容易、玻璃基板18之操作容易等理由而言，玻璃基板18之厚度較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板18亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料、亦可為異種材料。又，於該情形時，「玻璃基板之厚度」係指全部層之合計厚度。
於玻璃基板18之第1主面18a上，亦可進而積層無機薄膜層。
於將無機薄膜層配置(固定)於玻璃基板18上之情形時，於玻璃積 層體中，附無機層之支持基板16之無機層14與無機薄膜層接觸。藉由將無機薄膜層設置於玻璃基板18上，從而即便於高溫條件下之長時間處理後，亦可更為抑制玻璃基板18與附無機層之支持基板16之接著。
無機薄膜層之態樣並無特別限定，較佳為包含選自由金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、金屬碳化物、金屬碳氮化物、金屬矽化物或金屬氟化物所組成之群中之至少一種。其中，就玻璃基板18之剝離性更優異之方面而言，較佳為包含金屬氧化物，更佳為氧化銦錫。
作為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物，例如可列舉：選自Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In及Ba之1種以上之元素之氧化物、氮化物、氮氧化物。更具體而言，可列舉：氧化鈦(TiO2)、氧化銦(In2O3)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(Ga2O3)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、添加鎵之氧化鋅(GZO)等。
作為金屬碳化物、金屬碳氮化物，例如可列舉：選自Ti、W、Si、Zr、Nb之1種以上之元素之碳化物、碳氮化物。作為金屬矽化物，例如可列舉：選自Mo、W、Cr之1種以上之元素之矽化物。作為金屬氟化物，例如可列舉：選自Mg、Y、La、Ba之1種以上之元素之氟化物。
<玻璃積層體>
本發明之玻璃積層體10係將上述之附無機層之支持基板16之無機層表面14a與玻璃基板18之第1主面18a設為積層面，將附無機層之支持基板16與玻璃基板18以可剝離之方式進行積層而成之積層體。換言之，本發明之玻璃積層體10係於支持基板12與玻璃基板18之間介置無機層14之積層體。
<玻璃積層體之製造方法>
本發明之玻璃積層體10之製造方法並無特別限定，具體而言，可列舉：於常壓環境下將附無機層之支持基板16與玻璃基板18重疊後，例如，藉由玻璃基板18之自重或輕輕地按壓玻璃基板18之第2主面18b之一處，而於重疊面內產生密接起點，使密接自該密接起點開始自然地擴展之方法；使用輥或加壓進行壓接，藉此將自密接起點之密接擴展之方法；等。藉由利用輥或加壓之壓接，無機層14與玻璃基板18更為密接，而且相對容易去除混入兩者間之氣泡，故而較佳。
再者，若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可較佳地抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。亦有如下優點：由於在真空下進行壓接，故而即便於微小之氣泡殘存之情形時，氣泡亦不會因加熱而成長，而難以引起變形缺陷。
將附無機層之支持基板16與玻璃基板18以可剝離之方式進行密接時，較佳為將無機層14及玻璃基板18之相互接觸之側之面充分洗淨，而於潔淨度較高之環境下進行積層。潔淨度越高，其平坦性變得越良好，故而較佳。
洗淨之方法並無特別限定，例如可列舉如下方法，即利用鹼性水溶液對無機層14或玻璃基板18之表面進行洗淨後，進而使用水而進行洗淨。
進而，為了獲得良好之積層狀態，較佳為將無機層14及玻璃基板18之相互接觸之側之面洗淨後實施電漿處理，之後進行積層。作為用於電漿處理之電漿，例如可列舉：大氣電漿、真空電漿等。
本發明之玻璃積層體10可用於各種用途，例如可列舉：製造下述之顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，玻璃積層體10被暴露在高溫條件(例如350℃以上)下(例如1小時以上)之情形較多。
此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)快門面板等。
<電子裝置及其製造方法>
繼而，對電子裝置及其製造方法之較佳實施態樣進行詳述。
圖2係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之較佳實施態樣中的各製造步驟之模式性剖面圖。本發明之電子裝置之較佳實施態樣包括構件形成步驟及分離步驟。
以下，一面參照圖2，一面對各步驟中所使用之材料及其程序進行詳述。首先，對構件形成步驟進行詳述。
[構件形成步驟]
構件形成步驟係於玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件之步驟。
更具體而言，如圖2(A)所示，於本步驟中，於玻璃基板18之第2主面18b上形成電子裝置用構件20，而製造附電子裝置用構件之積層體22。
首先，對本步驟中所使用之電子裝置用構件20進行詳述，其後，對步驟之程序進行詳述。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件20係形成於玻璃積層體10中之玻璃基板18之第2主面18b上，且構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件20，可列舉：顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等所使用之構件。作為顯示裝置用面板，包括有機EL面板、場發射面板等。
例如，作為太陽電池用構件，對於矽型而言，可列舉正極之氧化錫等透明電極、由p層/i層/n層表示之矽層、及負極之金屬等，除上 述以外，可列舉對應於化合物型、色素增感型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，對於鋰離子型而言，可列舉：正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，除上述以外，可列舉對應於鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用構件，對於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(complementary metal oxide semiconductor，互補金氧半導體)而言，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，除上述以外，可列舉對應於壓力感測器．加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等之各種構件等。
(步驟之程序)
上述之附電子裝置用構件之積層體22之製造方法並無特別限定，根據電子裝置用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於玻璃積層體10之玻璃基板18之第2主面18b上形成電子裝置用構件20。
再者，電子裝置用構件20亦可並非最終形成於玻璃基板18之第2主面18b之構件的全部(以下，稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下，稱為「部分構件」)。亦可將附部分構件之玻璃基板於其後之步驟中製成附全部構件的玻璃基板(相當於下述之電子裝置)。又，亦可於附全部構件之玻璃基板之剝離面(第1主面)形成其他電子裝置用構件。又，亦可組合附全部構件之積層體，其後，自附全部構件之積層體剝離附無機層之支持基板16而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附全部構件之積層體而組合電子裝置，其後，自附全部構件之積層體剝離2片附無機層之支持基板16，而製造具有2片玻璃基板之 電子裝置。
例如，若將製造OLED之情形作為例，則為了於玻璃積層體10之玻璃基板18之第2主面18b之表面上形成有機EL構造體，而進行如下各種層形成或處理：形成透明電極、進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層．電洞傳輸層．發光層．電子傳輸層等、形成背面電極、使用密封板進行密封等。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉：成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如，TFT-LCD之製造方法具有如下各種步驟：於玻璃積層體10之玻璃基板18之第2主面18b上，使用抗蝕液，於藉由CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等通常之成膜法形成之金屬膜或金屬氧化膜等上進行圖案形成而形成薄膜電晶體(TFT)的TFT形成步驟；於另一玻璃積層體10之玻璃基板18之第2主面18b上，將抗蝕液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)之CF形成步驟；及將附TFT之裝置基板與附CF之裝置基板進行積層之貼合步驟等。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用周知之光微影技術或蝕刻技術等，而於玻璃基板18之第2主面18b形成TFT或CF。此時，可使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，亦可於形成TFT或CF前，根據需要而對玻璃基板18之第2主面18b進行洗淨。作為洗淨方法，可使用周知之乾式洗淨或濕式洗淨。
於貼合步驟中，於附TFT之積層體與附CF之積層體之間注入液晶材而進行積層。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
[分離步驟]
分離步驟係自上述構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體22剝離附無機層之支持基板16，而獲得包含電子裝置用構件 20及玻璃基板18之電子裝置24(附電子裝置用構件之玻璃基板)的步驟。即，係將附電子裝置用構件之積層體22分離成附無機層之支持基板16與附電子裝置用構件之玻璃基板24的步驟。
於剝離時之玻璃基板18上之電子裝置用構件20為必需之全部構成構件之一部分的情形時，亦可於分離後，將剩餘之構成構件形成於玻璃基板18上。
將無機層14之無機層表面14a與玻璃基板18之第1主面18a進行剝離(分離)之方法並無特別限定。例如可向無機層14與玻璃基板18之界面插入銳利之刃具狀者，賦予剝離之起點後，吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。
較佳為以附電子裝置用構件之積層體22之支持基板12成為上側，電子裝置用構件20側成為下側的方式設置於壓盤上，將電子裝置用構件20側真空吸附於壓盤上(於兩面積層有支持基板之情形時依序進行)，於該狀態下，首先使刃具插入無機層14與玻璃基板18之界面。然後，於其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基板12側，自插入刃具之部位附近開始依序使真空吸附墊上升。若以該方式進行，則將空氣層形成於無機層14與玻璃基板18之界面，該空氣層向界面之整面擴展，而可容易地剝離附無機層之支持基板16。
又，例如於使附無機層之支持基板16之一部分自玻璃基板18突出而進行積層之情形時，可列舉如下方法：將玻璃基板18固定於固定台(參照下述之圖3中之符號31)，如上述般賦予剝離之起點後，或者不賦予剝離之起點，於無機層表面14a掛上L字型治具(參照下述之圖3中之符號32)，向遠離固定台之方向進行提拉，藉此將無機層14與玻璃基板18進行剝離。
藉由上述步驟而獲得之電子裝置24較佳用於行動電話、智慧型手機、PDA(personal digital assistant，個人數位助理)、平板型PC等移 動終端所使用之小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包含TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Ferroelectric，鐵電)型、TFT(Thin-film transistor，薄膜電晶體)型、MIM(Metal Insulator Metal，金屬-絕緣層-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)型、VA(Vertical Aligned，垂直配向)型等。基本上可於被動驅動型、主動驅動型中之任一種顯示裝置之情形時進行應用。
[實施例]
以下，藉由實施例等對本發明具體地進行說明，但本發明並不受該等例限定。
於以下之例(實施例及比較例)中，使用由無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板(寬度100mm、深度30mm、厚度0.2mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製造之商品名「AN100」)作為玻璃基板。
又，作為支持基板，使用相同之由無鹼硼矽酸玻璃構成之玻璃板(寬度90mm、深度30mm、厚度0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造之商品名「AN100」)。
<例I-1~8> (無機層之形成)
利用鹼性水溶液，將支持基板之一主面洗淨而使之潔淨化。進而，使用SiC靶，一面導入氬氣(Ar)及氧氣(O2)之混合氣體一面藉由磁控濺鍍法於潔淨化之面形成包含SiC1-xOx(x=0.50)作為無機層表面組成之無機層(厚度10~200nm)，而獲得第1表所示之各例之附無機層之支持基板。
再者，無機層表面組成係使用X射線光電子分光裝置(XPS-7000，RIGAKU公司製造)，藉由XPS(X-ray photoelectron spectroscopy,X射線光電子光譜法)而進行測定(以下相同)。
(表面粗糙度之控制)
於形成各例之無機層時，不改變組成而調整無機層之厚度，藉此使各例之無機層表面之表面粗糙度(Ra)不同。
再者，表面粗糙度(Ra)係使用AFM(Atomic Force Microscopy，原子力顯微鏡)(型號：L-trace(Nanonavi)，日立高新技術公司製造)，依據JIS B 0601(2001年修訂)而進行測定(以下相同)。
(積層性之評價)
繼而，對各例之附無機層之支持基板之無機層之無機層表面、與玻璃基板之第1主面，實施利用鹼性水溶液之洗淨及利用水之洗淨，而使兩面潔淨化。
其後，於無機層表面重疊玻璃基板，以下述基準對無機層與玻璃基板之積層性進行評價。將結果示於下述第1表。再者，若為「￮」或「△」，則可評價為積層性優異者。
￮：重疊後，藉由玻璃基板之自重或輕輕地按壓玻璃基板之一處，而於重疊面內產生密接起點，密接自所產生之密接起點開始自然地擴展，而最終密接遍佈重疊面內整體。
△：儘管產生密接起點，但密接未自然地擴展，藉由使用真空加壓進行壓接，而使密接遍佈重疊面內整體。
×：即便使用真空加壓進行壓接，亦未發現密接起點之產生或密接之擴展，或者藉由使用真空加壓進行壓接，發現密接起點之產生或密接之擴展，但若解除壓接，則重疊面容易被剝離。
(剝離性之評價)
圖3係表示剝離性之評價方法之模式性剖面圖。
首先，以與積層性之評價同樣之方式使無機層之無機層表面及玻璃基板之第1主面潔淨化。其後，將各例之附無機層之支持基板與玻璃基板於深度方向之位置對齊，並且如圖3所示般於一端對齊而進 行重疊。再者，對於附無機層之支持基板與玻璃基板而言，寬度方向之長度不同，因此若使一端對齊而進行重疊，則對於另一端而言，如圖3所示般，附無機層之支持基板之一部自玻璃基板突出。
重疊後，產生密接起點，使用真空加壓進行壓接，使密接遍佈重疊面內整體，而獲得各例之玻璃積層體。
繼而，針對所獲得之各例之玻璃積層體，於大氣環境下，以600℃實施1小時加熱處理。
繼而，進行剝離試驗。具體而言，首先，使用雙面膠帶，將玻璃積層體中之玻璃基板之第2主面固定於固定台(圖3中以符號31表示)上。
繼而，如圖3所示般，於自玻璃基板突出之附無機層之支持基板之無機層表面掛上L字型治具(圖3中以符號32表示)，使用機械，向遠離固定台之方向以10mm/分鐘進行提拉，藉此，以下述基準對無機層與玻璃基板之剝離性進行評價。將結果示於下述第1表。再者，若為「￮」或「△」，則可評價為即便於高溫條件下之長時間處理後，剝離性亦優異者。
￮：附無機層之支持基板未破損而可剝離。
△：一部分可剝離，但途中附無機層之支持基板破損。
×：無法剝離。
如上述第1表所示，表面粗糙度(Ra)未達0.20nm之例I-1之剝離性較差，表面粗糙度(Ra)超過1.00nm之例I-8之積層性較差，但表面粗糙度(Ra)為0.20~1.00nm之範圍之例I-2~7之積層性及剝離性均優異。又，例I-2~7中，表面粗糙度(Ra)為0.30nm以上之例I-3~7之剝離性更優異，表面粗糙度(Ra)為0.50nm以下之例I-2~5之積層性更優異。
再者，自上述結果確認如下情況，即於實施例中，無機層與支持基板之界面之剝離強度大於無機層與玻璃基板之界面的剝離強度(關於以下之各實施例，亦相同)。
<例II-1~6> (無機層之形成)
利用鹼性水溶液，將支持基板之一主面洗淨而使之潔淨化。進而，使用SiC靶，一面導入氬氣(Ar)及氧氣(O2)之混合氣體一面藉由磁控濺鍍法於潔淨化之面形成包含SiC1-xOx(x=0.05~0.99)作為無機層表面組成之無機層，而獲得第2表所示之各例之附無機層之支持基板。
此時，於各例中，使用體積比(Ar/O2)不同之混合氣體，藉此使SiC1-xOx中之x之數不同。
(表面粗糙度之控制)
於形成各例之無機層時，將無機層之厚度於10~200nm之範圍內進行調整，藉此將無機層表面之表面粗糙度(Ra)控制為0.40nm。
(積層性及剝離性之評價)
繼而，以與例I-1~8同樣之方式對積層性及剝離性進行評價。關於評價基準，亦相同。將結果示於下述第2表。
如上述第2表所示，無機層表面組成之SiC1-xOx中之x未達0.10之例II-1的剝離性較差，x超過0.90之例II-6之積層性較差，但x為0.10~0.90之範圍之例II-2~5之積層性及剝離性均優異。又，例II-2~5中，x為0.20以上之例II-3~5之剝離性更優異，x為0.50以下之例II-2~4之積層性更優異。
<例III-1~6> (無機層之形成)
利用鹼性水溶液，將支持基板之一主面洗淨而使之潔淨化。進而，使用SiN靶，一面導入氬氣(Ar)及氧氣(O2)之混合氣體一面藉由磁控濺鍍法於潔淨化之面形成包含SiN1-yOy(y=0.05~0.99)作為無機層表面組成之無機層，而獲得第3表所示之各例之附無機層之支持基板。
此時，於各例中，使用體積比(Ar/O2)不同之混合氣體，藉此使SiN1-yOy中之y之數不同。
(表面粗糙度之控制)
以與例II-1~6同樣之方式將無機層表面之表面粗糙度(Ra)控制為0.40nm。
(積層性及剝離性之評價)
繼而，以與例I-1~8同樣之方式對積層性及剝離性進行評價。關於評價基準，亦相同。將結果示於下述第3表。
如上述第3表所示，無機層表面組成之SiN1-yOy中之y未達0.10之例III-1的剝離性較差，y超過0.90之例III-6之積層性較差，但y為0.10~0.90之範圍之例III-2~5之積層性及剝離性均優異。又，例III-2~5中，y為0.20以上之例III-3~5之剝離性更優異，y為0.50以下之例III-2~4之積層性更優異。
<例IV>
於本例中，形成有於專利文獻1中所具體使用之作為金屬氧化物之ITO之無機層。具體而言，利用鹼性水溶液將支持基板之一主面洗淨而使之潔淨化。進而，於潔淨化之面，藉由磁控濺鍍法而形成厚度150nm之ITO層(氧化銦錫層)，而獲得附帶ITO層之支持基板。ITO層之表面粗糙度Ra為0.85nm。
以與例I-1~8同樣之方式對積層性及剝離性進行評價，結果積層性為「△」，剝離性為「×」。
<例V>
於本例中，使用例I-4中所製造之玻璃積層體而製作OLED。
更具體而言，於玻璃積層體中之玻璃基板之第2主面上，藉由濺 鍍法而將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由電漿CVD法，進而於設置有閘極電極之玻璃基板之第2主面側依序將氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽成膜，繼而藉由濺鍍法將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻，形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。繼而，藉由電漿CVD法，進而於玻璃基板之第2主面側將氮化矽成膜而形成鈍化層，之後藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，於玻璃基板之第2主面側，進而藉由蒸鍍法，依序將作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合有2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)40體積%者、及作為電子傳輸層之Alq3成膜。繼而，於玻璃基板之第2主面側藉由濺鍍法將鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。繼而，於形成有對向電極之玻璃基板之第2主面上，經由紫外線硬化型之接著層而再貼合一片玻璃基板而進行密封。藉由上述程序獲得之於玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體相當於附電子裝置用構件之積層體。
繼而，使獲得之玻璃積層體之密封體側真空吸附於壓盤，之後向玻璃積層體之角隅部之無機層與玻璃基板之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刃具，而自玻璃積層體分離附無機層之支持基板，獲得OLED面板(相當於電子裝置。以下稱為面板A)。將IC驅動器連接於製作之面板A，於常溫常壓下驅動，結果於驅動區域內未發現顯示不均。
<例VI>
於本例中，使用例I-4中所製造之玻璃積層體而製作LCD。
準備2片玻璃積層體，首先，於一片玻璃積層體中之玻璃基板之 第2主面上，藉由濺鍍法而將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由電漿CVD法，進而於設置有閘極電極之玻璃基板之第2主面側依序將氮化矽、本徵非晶矽、n型非晶矽成膜，繼而藉由濺鍍法將鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。繼而，藉由電漿CVD法，進而於玻璃基板之第2主面側將氮化矽成膜而形成鈍化層，之後藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。繼而，於形成有像素電極之玻璃基板之第2主面上，藉由輥式塗佈法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成配向層，進行摩擦。將獲得之玻璃積層體稱為玻璃積層體X1。
繼而，於另一片玻璃積層體中之玻璃基板之第2主面上，藉由濺鍍法而將鉻成膜，藉由使用光微影法之蝕刻而形成遮光層。繼而，於設置有遮光層之玻璃基板之第2主面側，進而藉由模具塗佈法塗佈彩色光阻劑，藉由光微影法及熱硬化形成彩色濾光片層。繼而，於玻璃基板之第2主面側，進而藉由濺鍍法將氧化銦錫成膜，形成對向電極。繼而，於設置有對向電極之玻璃基板之第2主面上，藉由模具塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液，藉由光微影法及熱硬化形成柱狀間隔物。繼而，於形成有柱狀間隔物之玻璃基板之第2主面上，藉由輥式塗佈法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成配向層，進行摩擦。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由分配法而將密封用樹脂液繪製成框狀，藉由分配法將液晶滴加至框內後，使用上述玻璃積層體X1，將2片玻璃積層體之玻璃基板之第2主面側彼此進行貼合，藉由紫外線硬化及熱硬化而獲得具有LCD面板之積層體。將此處之具有LCD面板之積層體於以下稱為附面板之積層體X2。
繼而，自附面板之積層體X2剝離兩面之附無機層之支持基板，而獲得包含形成有TFT陣列之基板及形成有彩色濾光片之基板之LCD 面板B(相當於電子裝置)。
將IC驅動器連接於製作之LCD面板B，於常溫常壓下驅動，結果於驅動區域內未發現顯示不均。
已詳細且參照特定之實施態樣對本發明進行了說明，但對從業者而言很明確，可不脫離本發明之精神及範圍而添加各種變更或修正。
本申請案係基於2013年11月11日提出申請之日本專利申請案2013-233109者，且將其內容作為參照併入本文中。

Claims (12)

  1. 一種玻璃積層體，其包含：具有支持基板及配置於上述支持基板上之無機層之附無機層之支持基板、與以可剝離之方式積層於上述無機層之與上述支持基板側為相反側之表面即無機層表面上之玻璃基板，且上述無機層包含SiC1-xOx(x=0.10~0.90)及/或SiN1-yOy(y=0.10~0.90)作為上述無機層表面之組成，上述無機層表面之表面粗糙度(Ra)為0.20~1.00nm。
  2. 如請求項1之玻璃積層體，其中上述無機層表面之表面粗糙度(Ra)為0.30nm以上。
  3. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述無機層表面之表面粗糙度(Ra)為0.50nm以下。
  4. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述x及y為0.20以上之數。
  5. 如請求項3之玻璃積層體，其中上述x及y為0.20以上之數。
  6. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述x及y為0.50以下之數。
  7. 如請求項5之玻璃積層體，其中上述x及y為0.50以下之數。
  8. 如請求項1或2之玻璃積層體，其中上述支持基板為玻璃基板。
  9. 如請求項7之玻璃積層體，其中上述支持基板為玻璃基板。
  10. 如請求項1或2之玻璃積層體，其即便於600℃下實施1小時加熱處理後亦可剝離上述附無機層之支持基板與上述玻璃基板。
  11. 如請求項9之玻璃積層體，其即便於600℃下實施1小時加熱處理後亦可剝離上述附無機層之支持基板與上述玻璃基板。
  12. 一種電子裝置之製造方法，其包括：構件形成步驟，其係於如請求項1至11中任一項之玻璃積層體中之上述玻璃基板之表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電 子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自上述附電子裝置用構件之積層體剝離上述附無機層之支持基板，而獲得具有上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置。
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