TWI695820B - 載體基板、積層體、電子裝置之製造方法 - Google Patents

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TWI695820B
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glass substrate
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小野和孝
八百板隆俊
臼井玲大
江畑研一
秋山順
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日商Ａｇｃ股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種載體基板，其於再利用複數次而進行電子裝置之製造時電子裝置之製造良率亦優異。本發明係關於一種載體基板，其係於在基板之表面製造電子裝置用構件時貼合於該基板而使用者，載體基板至少包含第1玻璃基板，該第1玻璃基板之下述壓實度為80ppm以下。壓實度：將第1玻璃基板自室溫以100℃/小時升溫並於600℃下進行80分鐘之加熱處理後以100℃/小時冷卻至室溫之情形時之收縮率。

Description

載體基板、積層體、電子裝置之製造方法
本發明係關於一種載體基板，尤其是關於包含顯示出特定之壓實度之玻璃基板的載體基板。
又，本發明係關於一種包含上述載體基板之積層體、及電子裝置之製造方法。
近年來，太陽電池(PV(Photovoltaic，光伏))、液晶面板(LCD(liquid crystal display，液晶顯示器))、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED(organic light emitting diode，有機發光二極體))等裝置(電子機器)向薄型化、輕量化方向發展，該等裝置所使用之玻璃基板向薄板化方向發展。若因薄板化而導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之處理性會降低。
最近，為了應對上述問題，提出有如下方法：準備積層有玻璃基板及載體基板之玻璃積層體，於積層體之玻璃基板上形成顯示裝置等電子裝置用構件後，自玻璃基板分離載體基板(例如專利文獻1)。而且，亦對將分離後之載體基板作為載體基板再利用於顯示裝置之製造之情況進行了研究。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2007/018028號
另一方面，近年來伴隨著電子裝置之高性能化之要求，業界期待於製造電子裝置時，實施更高溫條件下(例如500℃以上)之處理。又，如上所述，較理想為將載體基板再利用複數次。
本發明者等人將專利文獻1所記載之載體基板反覆用於伴隨著高溫處理之電子裝置之製造而對電子裝置之製造進行了研究。具體而言，假定實施將包含專利文獻1所記載之載體基板之積層體應用於伴隨著高溫處理之電子裝置之製造之後，將載體基板剝離並再次利用該載體基板製造電子裝置的處理，藉由電腦模擬對玻璃基板之反覆高溫處理進行模擬。
結果發現，於再利用載體基板進行電子裝置之製造之情形時，容易於電子裝置中產生圖案之偏移等，有電子裝置之良率降低之虞。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供於再利用複數次而進行電子裝置之製造時電子裝置之製造良率亦良好之載體基板。
又，本發明之目的亦在於提供包含上述載體基板之積層體、及使用該積層體之電子裝置之製造方法。
本發明者等人為了解決上述問題而進行努力研究，結果發現藉由使用包含顯示出特定之壓實度之玻璃基板之載體基板，可解決上述問題，從而完成了本發明。
即，本發明之第1態樣係一種載體基板，其係於在基板之表面製造電子裝置用構件時貼合於基板使用者，並且該載體基板至少包含第1玻璃基板，該第1玻璃基板之下述壓實度為80ppm以下。
壓實度：將第1玻璃基板自室溫以100℃/小時升溫並於600℃下進行80分鐘之加熱處理後以100℃/小時冷卻至室溫之情形時之收縮率
又，於第1態樣中，壓實度較佳為70ppm以下。
又，於第1態樣中，第1玻璃基板之應變點較佳為700℃以上。
又，於第1態樣中，第1玻璃基板較佳為包含以氧化物基準之質量百分率表示含有下述成分之玻璃。
SiO2：50~73%
Al2O3：10.5~24%
B2O3：0~5%
MgO：0~10%
CaO：0~14.5%
SrO：0~24%
BaO：0~13.5%
MgO+CaO+SrO+BaO：8~29.5%
又，於第1態樣中，較佳為進而包含配置於第1玻璃基板上之密接層。
本發明之第2態樣係具有第1態樣之載體基板、及配置於該載體基板上之基板的積層體。
又，於第2態樣中，基板較佳為第2玻璃基板。
本發明之第3態樣係電子裝置之製造方法，其具備：構件形成步驟，其係於第2態樣之積層體之基板之表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自附電子裝置用構件之積層體將載體基板去除，而獲得具有基板及電子裝置用構件之電子裝置。
又，於第3態樣中，電子裝置用構件較佳為包含低溫多晶矽(LTPS)。
又，於第3態樣中，較佳為於形成電子裝置用構件時包括製程溫度為450℃以上之步驟。
根據本發明，可提供於再利用複數次而進行電子裝置之製造時電子裝置之製造良率亦良好之載體基板。
又，根據本發明，亦可提供包含上述載體基板之積層體、及使用該積層體之電子裝置之製造方法。
10‧‧‧載體基板
12‧‧‧第1玻璃基板
14‧‧‧密接層
14a‧‧‧表面
14b‧‧‧表面
16‧‧‧基板
16a‧‧‧第1主面
16b‧‧‧第2主面
20‧‧‧電子裝置用構件
22‧‧‧附電子裝置用構件之積層體
24‧‧‧附構件之基板(電子裝置)
100‧‧‧積層體
110‧‧‧積層體
112‧‧‧第1玻璃基板
112a‧‧‧表面
116‧‧‧基板
圖1係本發明之載體基板之一實施態樣之模式性剖面圖。
圖2係本發明之積層體之一實施態樣之模式性剖面圖。
圖3係本發明之積層體之另一實施態樣之模式性剖面圖。
圖4(A)、圖4(B)係依步驟順序表示本發明之附構件之基板之製造方法之一實施形態的模式性剖面圖。圖4(A)係構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體22之模式性剖面圖，圖4(B)係分離步驟中所獲得之附構件之基板24、及載體基板10之模式性剖面圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不限制於以下實施態樣，可不脫離本發明之範圍而對以下實施態樣施加各種變化及替換。
作為本發明之載體基板之特徵點之一，可列舉包含顯示出特定之壓實度之玻璃基板之方面。
本發明者等人對複數次再利用載體基板時電子裝置之良率降低之原因進行了研究，結果發現載體基板之熱收縮(壓實度)產生影響。
首先，於製造電子裝置時，通常包含使用遮罩製作微細圖案之製程。遮罩之形狀(開口部之大小)係考慮到加熱處理時被處理物之熱收縮而製作之情形較多。因此，於使用包含載體基板之積層體而製造電子裝置時，遮罩之形狀係基於第1次製造電子裝置時之熱收縮之積層體之大小而設計。
本發明者等人發現，於使用專利文獻1所記載之包含作為支持板之玻璃基板(旭硝子股份有限公司製造之AN100)的載體基板而製造電子裝置之後，再次使用載體基板製造電子裝置時，由於載體基板進一步熱收縮，故而若使用所製作之遮罩而製作電子裝置，則容易產生圖案之偏移。即，發現因載體基板之熱收縮，配置於其上之基板亦收縮，結果產生所形成之圖案之位置偏移，電子裝置之製造良率降低。
本發明者等人找出上述原因並對其解決方法進行了研究，結果發現，若使用於特定之加熱條件下進行處理時之壓實度為特定值之玻璃基板，則即便於第2次以後之電子裝置之製造中，亦可抑制玻璃基板(換言之，為載體基板)之熱收縮，結果電子裝置之製造良率優異。
本發明之載體基板只要至少包含具有特定之特性之第1玻璃基板即可，可適宜地列舉圖1所示之載體基板。圖1係本發明之載體基板之第1實施態樣之模式性剖面圖。
如圖1所示，載體基板10為具有第1玻璃基板12、及配置於第1玻璃基板12上之密接層14之積層體。密接層14之表面14b係與第1玻璃基板12之第1主面相接，表面14a未與其他材料相接。
該載體基板10通常藉由如圖2所示以密接層14之表面14a與基板16相接之方式積層而用於在基板16上製造液晶面板等電子裝置用構件之構件形成步驟。
圖2係本發明之積層體之一實施態樣之模式性剖面圖。
如圖2所示，積層體100係第1玻璃基板12之層與基板16之層與存在於其等之間之密接層14的積層體。密接層14之一個面係與第1玻璃基板之層相接，並且另一面與基板16之第1主面16a相接。再者，基板16係可剝離地積層於密接層14上。
包含第1玻璃基板12及密接層14之載體基板10於製造液晶面板等電子裝置用構件之構件形成步驟中，作為加強基板16之加強板而發揮 功能。
該積層體100係使用至下述構件形成步驟為止。即，該積層體100係使用至於其基板16之第2主面16b表面上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件為止。其後，形成有電子裝置用構件之積層體分離為載體基板10及附構件之基板，載體基板10不再成為構成電子裝置之部分。載體基板10上可積層新的基板16，作為新的積層體100而再利用。
再者，密接層14係固定於第1玻璃基板12上，且基板16係可剝離地積層(密接)於載體基板10之密接層14上。於本發明中，該固定及可剝離之積層(密接)之剝離強度(即，剝離所需之應力)存在差異，固定意味著剝離強度大於密接。即，密接層14與第1玻璃基板12之界面之剝離強度大於密接層14與基板16之界面之剝離強度。換言之，所謂可剝離之積層(密接)亦指於可進行剝離之同時，可不產生所固定之面之剝離而進行剝離。
更具體而言，若第1玻璃基板12與密接層14之界面具有剝離強度(x)，且對第1玻璃基板12與密接層14之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則第1玻璃基板12與密接層14之界面發生剝離。若密接層14與基板16之界面具有剝離強度(y)，且對密接層14與基板16之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則密接層14與基板16之界面發生剝離。
於積層體100(亦意指下述附電子裝置用構件之積層體)中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，若對積層體100施加將第1玻璃基板12及基板16剝離之方向之應力，則積層體100於密接層14與基板16之界面發生剝離，而分離為基板16及載體基板10。
剝離強度(x)較佳為充分高於剝離強度(y)。提高剝離強度(x)意味著提高密接層14對第1玻璃基板12之附著力，且於加熱處理後亦可維 持對基板16相對較高之附著力。
提高密接層14對第1玻璃基板12之附著力之方法並無特別限制，例如可列舉如下所述使硬化性樹脂於第1玻璃基板12上硬化而形成特定之密接層14之方法。利用硬化時之接著力，可形成對第1玻璃基板12以較高之結合力結合之密接層14。另一方面，通常密接層14對基板16之結合力低於上述硬化時所產生之結合力。因此，藉由在第1玻璃基板12上對硬化性樹脂層實施硬化處理(加熱處理)而形成密接層14，其後將基板16積層於密接層14之面，可製造滿足所需之剝離關係之積層體100。
再者，於圖1中，對具有第1玻璃基板及密接層之載體基板進行了詳細說明，但並不限定於該態樣，只要能夠於可剝離基板之情況下進行積層，則亦可無密接層。即，亦可為包含第1玻璃基板之載體基板。
於該實施態樣之情形時，如圖3所示，於第1玻璃基板112上配置基板116，而形成積層體110。
再者，於本實施態樣中，第1玻璃基板112之與基板116相接之側之表面(圖3中為表面112a)之表面粗糙度(Ra)較佳為2.0nm以下，更佳為1.0nm以下。下限值並無特別限制，最佳為0。若為上述範圍，則與基板116之密接性更良好，可進一步抑制基板116之位置偏移等，並且基板116之剝離性亦優異。
表面粗糙度(Ra)係依據JIS B 0601(2001年修訂)進行測定。
以下，對構成載體基板10及積層體100之各層(第1玻璃基板12、基板16、密接層14)進行詳細說明，其後對載體基板、積層體及附構件之基板之製造方法進行詳細說明。
再者，積層體110中之第1玻璃基板112及基板116為與上述第1玻璃基板12及基板16相同之構成，因此省略說明。
<第1玻璃基板12>
第1玻璃基板12支持並加強基板16，於下述構件形成步驟(製造電子裝置用構件之步驟)中在製造電子裝置用構件時防止基板16之變形、損傷、破損等。
第1玻璃基板12係於600℃下進行80分鐘之加熱處理時之壓實度(壓實度值)為80ppm以下之玻璃基板。尤其就電子裝置之製造良率更優異之方面(以下亦簡稱為「本發明之效果更優異之方面」)而言，壓實度較佳為70ppm以下，更佳為60ppm以下，進而較佳為50ppm以下。下限並無特別限制，就玻璃之特性而言20ppm以上之情形較多。
於壓實度超過80ppm之情形時，電子裝置之製造良率差。
上述壓實度係指於加熱處理時因玻璃構造之緩和而產生之玻璃熱收縮率。於本發明中，所謂壓實度係指於玻璃基板之表面以特定之間隔在2個部位壓出壓痕，其後將玻璃基板以100℃/小時自室溫加熱、升溫至600℃，於600℃下保持80分鐘之後，以100℃/小時冷卻至室溫，該情形時之壓痕間隔距離之收縮率(ppm)即壓實度。
本發明中之壓實度可利用下述方法測定。
對玻璃基板之表面進行研磨加工而獲得100mm×20mm之試樣。於該試樣之表面沿長度方向以間隔A(A=95mm)在2個部位壓出點狀之壓痕。
其次，以升溫速度100℃/小時(=1.6℃/分鐘)將該試樣自室溫加熱至600℃，於600℃下保持80分鐘之後，以降溫速度100℃/小時冷卻至室溫。繼而，再次測定壓痕間距離且將該距離設為B。由以此方式獲得之A、B，使用下式算出壓實度。再者，A、B係使用光學顯微鏡進行測定。
壓實度[ppm]=(A-B)/A×106
第1玻璃基板12之應變點之範圍並無特別限制，就本發明之效果 更優異之方面而言，較佳為700℃以上，更佳為710℃以上。但是，若應變點過高，則於玻璃成形方面產生問題，因此較佳為770℃以下。更佳為760℃以下，進而較佳為750℃以下。
所謂應變點係指事實上無法產生玻璃之黏性流動之溫度中相當於緩冷範圍中之下限溫度且黏度相當於1014.5dPa‧s{poise}之溫度。應變點係使用JIS-R3103(2001年)及ASTM-C336(1971年)所規定之纖維伸長法進行測定。
第1玻璃基板12之組成並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為以氧化物基準之質量百分率表示，玻璃母體組成為以下範圍。
SiO2：50~73%
Al2O3：10.5~24%
B2O3：0~5%
MgO：0~10%
CaO：0~14.5%
SrO：0~24%
BaO：0~13.5%
MgO+CaO+SrO+BaO：8~29.5%
其次，對各成分之組成範圍進行說明。
若SiO2未達50%(氧化物基準之質量百分率表示，只要未特別說明則以下相同)，則應變點不充分上升，且熱膨脹係數增大，密度上升，故而較佳為50%以上。更佳為53%以上，進而較佳為55%以上，尤佳為57%以上。若超過73%，則熔解性降低，且消泡性降低，因此較佳為73%以下。更佳為70%以下，進而較佳為67%以下，尤佳為65%以下。
Al2O3抑制玻璃之分相性，降低熱膨脹係數，提高應變點，但若 未達10.5%則不表現出該效果，又，會使其他提高膨脹之成分增加，因此結果為熱膨脹變大。較佳為10.5%以上，更佳為15%以上，進而較佳為17%以上。若超過24%，則有玻璃之熔解性變差或者使失透溫度上升之虞，因此較佳為24%以下，更佳為22%以下。
B2O3使玻璃之熔解反應性良好，又，使失透溫度降低，因此可添加0%以上且5%以下。為了獲得上述效果，較佳為0.1%以上。但是，若過多則應變點變低。因此，較佳為5%以下，更佳為3%以下。
MgO於鹼土族中具有不提高膨脹且不使應變點過度降低之特徵，亦使熔解性提高。
此處，MgO含量較佳為0%以上且10%以下，更佳為1%以上。若超過10%，則有失透溫度上升之虞，故而較佳為10%以下，更佳為7%以下，進而較佳為6%以下。
CaO繼MgO之後於鹼土族中具有不提高膨脹且不使應變點過度降低之特徵，亦使熔解性提高。
此處，CaO之含量較佳為0%以上且14.5%以下，更佳為1%以上，進而較佳為3%以上。若超過14.5%，則有失透溫度上升之虞。更佳為10%以下，進而較佳為7%以下。
SrO為不使玻璃之失透溫度上升而提高熔解性之任意成分。
此處，SrO含量較佳為0%以上且24%以下，更佳為1%以上。若超過24%，則有膨脹係數增大之虞。更佳為12%以下，進而較佳為9%以下。
BaO並非必須，但可為了提高熔解性或提高耐失透性而含有BaO。但是，若過多，則會使玻璃之膨脹及密度過度增加，故而較佳為13.5%以下，更佳為12%以下，進而較佳為10%以下。
再者，尤其於密度成為問題之情形時，BaO之含量宜較少，較佳為5%以下，較佳為1%以下，進而較佳為0.5%以下，尤佳為實質上不含有。所謂實質上不含有係指除不可避免之雜質外不含有。
另一方面，於重視耐失透性之情形時，較佳為1%以上，更佳為3%以上，進而較佳為5%以上。
若MgO、CaO、SrO、BaO以合計量計少於8%，則缺乏熔解性。較佳為8%以上，更佳為10%以上。進而較佳為12%以上，尤佳為14%以上。若多於29.5%，則有產生無法減小熱膨脹係數之難點之虞，故而較佳為29.5%以下，更佳為25%以下，進而較佳為23%以下，尤佳為21%以下。
作為其他成分，可於無損本發明之優點之範圍內添加用以調整物性之成分或澄清劑。作為用以調整物性之成分，可列舉：Fe2O3、ZnO、ZrO2、TiO2、Nb2O5、Ta2O5、Y2O3、La2O3、Gd2O3、P2O5，作為澄清劑，可列舉：SnO2、SO3、Cl、F等。兩者均可以未達1%之範圍含有。
Li2O、Na2O、K2O等鹼金屬氧化物有作為原料之不可避免之雜質而混入或者為了促進熔融而添加之情況。該等成為TFT(thin-film transistor，薄膜電晶體)製造步驟中之因鹼金屬離子引起之污染之原因，結果可能使TFT特性劣化。因此，較佳為儘量不含有。具體而言，較佳為0.1%以下。更佳為0.08%以下，進而較佳為0.05%以下，尤佳為0.03%以下。
As2O3、PbO、CdO會對環境產生不良影響，因此實質上不含該等成分。
為了減少積層基板之搬送時之彎曲，用於第1玻璃基板12或第1玻璃基板112之玻璃較佳為楊氏模數較高。較佳為77GPa以上，進而較佳為80GPa以上，尤佳為82GPa以上。
又，若用於第1玻璃基板12或第1玻璃基板112之玻璃受損，則可能於進行再利用時導致強度降低，或者於下述紫外光照射時導致不均勻。因此，較佳為第1玻璃基板12或第1玻璃基板112之玻璃之維氏硬 度較高。較佳為580以上，更佳為590以上，進而較佳為600以上。
於使用第1玻璃基板12或第1玻璃基板112所使用之玻璃製造液晶顯示器或OLED顯示器等電子裝置之步驟中，有包括如下步驟之情況，即，藉由通過第1玻璃基板12而照射例如紫外光，以破壞液晶配向膜之硬化、或樹脂-玻璃界面之結合，從而使剝離變得容易。因此，較佳為玻璃之紫外線透過率較高。300nm之外部透過率(包含正背面之反射之透過率)以0.5mm厚度換算較佳為40%以上。更佳為50%以上，進而較佳為60%以上，尤佳為70%以上。
第1玻璃基板12之厚度可厚於亦可薄於基板16，通常薄於基板16之情形較多。較佳為基於基板16之厚度、密接層14之厚度、及積層體100之厚度選擇第1玻璃基板12之厚度。例如，於目前之構件形成步驟係以對厚度0.5mm之基板進行處理之方式設計者，且基板16之厚度與密接層14之厚度之和為0.1mm之情形時，將第1玻璃基板12之厚度設為0.4mm。第1玻璃基板12之厚度於通常之情形時較佳為0.2~0.5mm，較佳為厚於基板16。
第1玻璃基板12之製造方法並無特別限制，只要獲得顯示出上述壓實度之玻璃基板即可。尤其就容易調整壓實度之方面而言，較佳為具有以下步驟之製造方法：熔解步驟，其係將玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃；成形步驟，其係將藉由熔解步驟所獲得之熔融玻璃成形為板狀之玻璃帶；及緩冷步驟，其係將藉由成形步驟所成形之玻璃帶緩冷。
於熔解步驟中，將玻璃原料熔解而獲得熔融玻璃。例如，以成為所獲得之玻璃板之組成之方式製備玻璃原料，將玻璃原料連續地投入至熔解爐中，並加熱至1450~1650℃左右，而獲得熔融玻璃。
於成形步驟中，將藉由熔解步驟所獲得之熔融玻璃成形為板狀之玻璃帶(帶狀玻璃板)。更具體而言，藉由浮式法或熔融法成形為特定板厚之玻璃帶。
於緩冷步驟中，將藉由成形步驟所獲得之板狀之玻璃帶緩冷。為了調整為上述特定範圍之壓實度，較佳為控制該緩冷步驟中之冷卻速度之方法。作為平均冷卻速度，例如可於15~600℃/min之範圍進行調整。就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為20~400℃/min，更佳為30~300℃/min，進而較佳為30~100℃/min。
再者，所謂平均冷卻速度係指於將帶狀玻璃板之表面溫度設為TH(℃)、將室溫設為TL(℃)且進而將帶狀玻璃板之表面溫度自TH冷卻至TL為止之時間設為t(分鐘)之情形時，以(TH-TL)/t表示之速度。
又，具體之冷卻方法並無特別限定，可為先前公知之冷卻方法。例如可列舉使用具有溫度梯度之加熱爐之方法。
<基板>
基板16之第1主面16a與密接層14相接，且於與密接層14側為相反側之第2主面16b設置有電子裝置用構件。即，基板16係為了形成下述電子裝置而使用之基板。
基板16之種類並無特別限制，可列舉玻璃基板、樹脂基板、金屬基板等。
於使用玻璃基板(以下亦稱為第2玻璃基板)作為基板16之情形時，第2玻璃基板之種類可為普通之種類，例如可列舉LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。第2玻璃基板於耐化學品性、耐透濕性方面優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，使用JIS R 3102(1995年修訂)所規定之線膨脹係數。
第2玻璃基板係將玻璃原料熔融且將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為普通之方法，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法等。又，厚度特別薄之第2玻璃基板亦可利用將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度並以延伸等方法進行拉伸而使其變薄的方法(再曳引法)進行成形而獲得。
第2玻璃基板之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽作為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為由氧化物換算所獲得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為第2玻璃基板之玻璃，採用適於電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，關於液晶面板用之玻璃基板，由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶產生影響，故而包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(其中，通常包含鹼土金屬成分)。如此，第2玻璃基板之玻璃係基於所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。此處，所謂實質上不含鹼金屬成分表示鹼金屬成分之含量為0.1質量%以下。
於使用樹脂基板作為基板16或基板116之情形時，構成樹脂基板之樹脂之種類並無特別限制，就耐熱性之觀點而言，較佳為聚醯亞胺樹脂。
就基板16之薄型化及/或輕量化之觀點而言，基板16之厚度較佳為0.3mm以下，更佳為0.15mm以下，進而較佳為0.10mm以下。於0.3mm以下之情形時，可對基板16賦予良好之可撓性。於0.15mm以下之情形時，可將基板16捲繞成輥狀。
又，基於容易製造基板16、容易處理基板16等理由，基板16之厚度較佳為0.03mm以上。
於使用聚醯亞胺等之樹脂基板之情形時，有藉由在第1玻璃基板112上直接塗佈聚醯亞胺之前驅物並以400℃~500℃之高溫進行熱處理而使其硬化之方法。於該情形時，基板116之厚度較佳為0.1mm以下，更佳為0.05mm以下。另一方面，為了保持作為裝置而剝離時之強度，較佳為0.001mm以上，更佳為0.005mm以上，進而較佳為0.01mm以上。
進而，以此種步驟製造裝置之情形時之第1玻璃基板112之玻璃要 求較高之紫外線透過率。其原因在於，於將直接形成於第1玻璃基板112上之基板116剝離時，自第1玻璃基板112側照射紫外線。因此，第1玻璃基板112之玻璃之紫外線透過率以波長300nm下之外部透過率計，與板厚無關而較佳為40%以上，更佳為50%以上，進而較佳為60%以上，尤佳為70%以上。
第1玻璃基板112之板厚並無特別限定，若板厚過薄則彎曲變大，於搬送時產生問題，因此較佳為0.4mm以上，更佳為0.5mm以上。另一方面，若過厚則基板重量過大，搬送機器之負載變大，因此較佳為1.0mm以下，更佳為0.7mm以下。
<密接層>
密接層14於進行將基板16與第1玻璃基板12分離之操作之前防止基板16之位置偏移，並且防止基板16等因分離操作而破損。密接層14之與基板16相接之表面14a係可剝離地積層(密接)於基板16之第1主面16a。如上所述，密接層14係以較弱之結合力結合於基板16之第1主面16a，且該界面之剝離強度(y)低於密接層14與第1玻璃基板12之間之界面之剝離強度(x)。
即，於將基板16與第1玻璃基板12分離時，於基板16之第1主面16a與密接層14之界面發生剝離，且於第1玻璃基板12與密接層14之界面不易發生剝離。因此，密接層14具有與基板16之第1主面16a密接但可將基板16容易地剝離之表面特性。即，密接層14以某種程度之結合力結合於基板16之第1主面16a而防止基板16之位置偏移等，同時以於將基板16剝離時可不破壞基板16而容易地剝離之程度之結合力進行結合。於本發明中，將該密接層14表面之可容易地剝離之性質稱為剝離性。另一方面，第1玻璃基板12之第1主面與密接層14係以相對難以剝離之結合力進行結合。
密接層14之種類並無特別限制，可為包含樹脂等之有機層，亦 可為無機層。以下，對各者之情形進行詳細說明。
(有機層)
作為有機層，較佳為包含特定之樹脂之樹脂層。形成樹脂層之樹脂之種類並無特別限定，例如可列舉：聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、或氟系樹脂等。亦可將若干種樹脂混合而使用。其中，較佳為聚矽氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、氟系樹脂。
所謂聚矽氧樹脂係指包含特定之有機矽烷氧基單元之樹脂，通常使硬化性聚矽氧硬化而獲得。硬化性聚矽氧根據其硬化機制而分類為加成反應型聚矽氧、縮合反應型聚矽氧、紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，該等均可使用。該等中，較佳為加成反應型聚矽氧或縮合反應型聚矽氧。
作為加成反應型聚矽氧，可適宜地使用包含主劑及交聯劑且於鉑系觸媒等觸媒之存在下硬化之硬化性組合物。加成反應型聚矽氧之硬化係藉由加熱處理而促進。加成反應型聚矽氧中之主劑較佳為具有鍵結於矽原子之烯基(乙烯基等)之有機聚矽氧烷(即，有機烯基聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，烯基等成為交聯點。加成反應型聚矽氧中之交聯劑較佳為具有鍵結於矽原子之氫原子(氫矽烷基)之有機聚矽氧烷(即，有機氫化聚矽氧烷；再者，較佳為直鏈狀)，氫矽烷基等成為交聯點。
加成反應型聚矽氧係藉由主劑及交聯劑之交聯點進行加成反應而硬化。再者，就來自交聯結構之耐熱性更優異之方面而言，較佳為有機氫化聚矽氧烷之鍵結於矽原子之氫原子相對於有機烯基聚矽氧烷之烯基的莫耳比為0.5~2。
於使用加成反應型聚矽氧之情形時，亦可視需要進而使用觸媒(尤其是鉑族金屬系觸媒)。
鉑族金屬系觸媒(矽氫化用鉑族金屬觸媒)係用以使上述有機烯基聚矽氧烷中之烯基與上述有機氫化聚矽氧烷中之氫原子之矽氫化反應進行並促進該反應之觸媒。作為鉑族金屬系觸媒，可列舉鉑系、鈀系、銠系等觸媒，尤其是鉑系觸媒之使用於經濟性、反應性之方面較佳。
作為縮合反應型聚矽氧，可適宜地使用作為單體之水解性有機矽烷化合物或其混合物(單體混合物)、或者使單體或單體混合物進行部分水解縮合反應所獲得之部分水解縮合物(有機聚矽氧烷)。
藉由使用該縮合反應型聚矽氧使水解-縮合反應(溶膠凝膠反應)進行，可形成聚矽氧樹脂。
所謂聚醯亞胺樹脂係指具有醯亞胺結構之樹脂，且為使四羧酸類與二胺類進行反應所獲得之樹脂。
聚醯亞胺樹脂之結構並無特別限制，較佳為包含下述式(1)所表示之具有四羧酸類之殘基(X)及二胺類之殘基(A)的重複單元。
Figure 105120619-A0202-12-0017-1
式(1)中，X表示自四羧酸類中去除羧基後之四羧酸殘基，A表示自二胺類中去除胺基後之二胺殘基。
式(1)中，X較佳為包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基。
Figure 105120619-A0202-12-0017-2
其中，就聚醯亞胺樹脂之耐熱性優異之方面而言，更佳為X之總 數之50莫耳%以上(較佳為80~100莫耳%)包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基。進而較佳為X之總數之實質上全部(100莫耳%)包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基。
又，A表示自二胺類中去除胺基後之二胺殘基，且較佳為包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基。
其中，就聚醯亞胺樹脂之耐熱性優異之方面而言，更佳為A之總數之50莫耳%以上(較佳為80~100莫耳%)包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基。進而較佳為A之總數之實質上全部(100莫耳%)包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基。
Figure 105120619-A0202-12-0018-3
以上所示之聚醯亞胺不僅可用作有機層，亦可用作第二基板(基板116)。
有機層之厚度並無特別限定，較佳為1~100μm，更佳為5~30 μm，進而較佳為7~20μm。其原因在於，若有機層之厚度為此種範圍，則有機層與第1玻璃基板或基板之密接變得充分。
(無機層)
構成無機層之材料並無特別限制，例如較佳為包含選自由氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物、碳氮化物、矽化物及氟化物所組成之群中之至少1種。其中，就基板16之剝離性更優異之方面而言，較佳為包含氧化物。
作為氧化物(較佳為金屬氧化物)、氮化物(較佳為金屬氮化物)、氮氧化物(較佳為金屬氮氧化物)，例如可列舉選自Si、Hf、Zr、Ta、Ti、Y、Nb、Na、Co、Al、Zn、Pb、Mg、Bi、La、Ce、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Er、Sr、Sn、In及Ba中之1種以上之元素的氧化物、氮化物、氮氧化物。
更具體而言，可列舉：氮氧化矽(SiNxOy)、氧化鈦(TiO2)、氧化銦(In2O3)、銦鈰氧化物(ICO)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵(Ga2O3)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、添加有鎵之氧化鋅(GZO)等。
作為碳化物(較佳為金屬碳化物)、碳氮化物(較佳為金屬碳氮化物)，例如可列舉選自Ti、W、Si、Zr、Nb中之1種以上之元素之碳化物、碳氮化物、碳氧化物。例如可列舉碳氧化矽(SiCO)等。
再者，作為碳化物，可為所謂碳材料，例如可為對酚系樹脂等樹脂成分進行燒結所獲得之碳化物。
作為矽化物(較佳為金屬矽化物)，例如可列舉選自Mo、W、Cr中之1種以上之元素之矽化物。
作為氟化物(較佳為金屬氟化物)，例如可列舉選自Mg、Y、La、Ba中之1種以上之元素之氟化物。例如可列舉氟化鎂(MgF2)等。
無機層之厚度並無特別限制，就本發明之效果更優異之方面而 言，較佳為5~5000nm，更佳為10~500nm。
無機層之與基板16相接之面之表面粗糙度(Ra)較佳為2.0nm以下，更佳為1.0nm以下。下限值並無特別限制，最佳為0。若為上述範圍，則與基板16之密接性變得更良好，可進一步抑制基板16之位置偏移等，並且基板16之剝離性亦優異。
Ra係依據JIS B 0601(2001年修訂)進行測定。
<載體基板及積層體之製造方法>
本發明之第1實施態樣之積層體100之製造方法並無特別限制，可採用公知之方法，通常具有於第1玻璃基板12上形成密接層14之密接層形成步驟、及於密接層14上積層基板16而製作積層體100之積層步驟。再者，上述密接層形成步驟相當於載體基板之製造步驟。
以下，對密接層形成步驟、及積層步驟進行詳細說明。
(密接層形成步驟)
密接層形成步驟係於第1玻璃基板12上形成密接層14之步驟。形成密接層14之方法並無特別限制，可採用公知之方法，且根據構成密接層14之材料之種類而不同。
例如，於密接層14為有機層之情形時，作為製作有機層之方法，例如可列舉將包含硬化性樹脂之硬化性樹脂組合物塗佈於第1玻璃基板12上並使硬化性樹脂組合物硬化而形成固定於第1玻璃基板12上之密接層14的方法(塗佈方法)、或將膜狀之密接層14固定於第1玻璃基板12之表面的方法(貼附方法)等。其中，就密接層14對第1玻璃基板12之接著強度更優異之方面而言，較佳為塗佈方法。
於塗佈方法中，作為於第1玻璃基板12表面上形成硬化性樹脂組合物層之方法，例如可列舉將硬化性樹脂組合物塗佈於玻璃基板上之方法。作為塗佈之方法，可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈 法等。
硬化方法並無特別限制，根據所使用之樹脂而選擇最佳之硬化條件。通常，作為硬化方法，採用加熱處理。
再者，除上述以外，亦可藉由公知方法而製作有機層。
例如，製作包含氟系樹脂之密接層之方法並無特別限制，可列舉使用包含氟系樹脂之組合物而製作密接層之方法、或藉由使用氟系氣體照射電漿而於對象物表面製作密接層之方法。
又，於密接層14為無機層之情形時，作為無機層之製造方法，可採用公知之方法。例如，可列舉藉由蒸鍍法、濺鍍法、或CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法於第1玻璃基板12上設置包含特定成分之無機層的方法。藉由上述方法所獲得之無機層係固定於第1玻璃基板12上，並且該無機層之露出表面係可剝離地密接於基板16。
再者，作為製作包含碳化物(碳材料)之無機層之方法，例如亦可列舉將包含酚系樹脂等樹脂成分之樹脂組合物塗佈於第1玻璃基板12上並實施燒結處理而使其碳化之方法。
製造條件係根據所使用之材料而適當選擇最佳之條件。
(積層步驟)
積層步驟係於上述密接層形成步驟中所獲得之密接層14之面上積層基板16，而獲得依序具備第1玻璃基板12、密接層14及基板16之積層體100的步驟。
將基板16積層於密接層14上之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如，可列舉於常壓環境下在密接層14之表面上重疊基板16之方法。再者，亦可視需要於在密接層14之表面上重疊基板16之後使用輥或加壓機使基板16壓接於密接層14。藉由利用輥或加壓機之壓接可 相對容易地去除混入至密接層14與基板16之層之間之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。亦具有如下優點：藉由在真空下進行壓接，即便於殘留微小氣泡之情形時，氣泡亦不會因加熱而成長，不易導致基板16之應變缺陷。
於積層基板16時，較佳為將接觸於密接層14之基板16之表面充分洗淨，於清潔度較高之環境下進行積層。清潔度越高，基板16之平坦性越良好，故而較佳。
再者，於積層基板16之後，亦可視需要進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，積層後之基板16對密接層14之密接性提高，可設為適當之剝離強度(y)，於下述構件形成步驟中不易產生電子裝置用構件之位置偏移等，電子裝置之生產性提高。
(積層體)
本發明之積層體(上述第1實施態樣之積層體100及第2實施態樣之積層體110)可使用於各種用途，例如可列舉製造下述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，積層體100曝露於高溫條件(例如500℃以上)下(例如20分鐘以上)之情形較多。即，包括於形成電子裝置時製程溫度為500℃以上之步驟之情形較多。
此處，所謂顯示裝置用面板包含LCD、OLED、電子紙、電漿顯示器面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。
<電子裝置及其製造方法>
於本發明中，使用上述積層體而製造包含基板及電子裝置用構件之電子裝置(以下亦適當稱為「附構件之基板」)。
於下文中，對使用上述具有密接層之積層體之電子裝置之製造方法進行詳細說明。
電子裝置之製造方法並無特別限定，就電子裝置之生產性優異之方面而言，較佳為如下方法，即，於上述積層體中之基板上形成電子裝置用構件，而製造附電子裝置用構件之積層體，自所獲得之附電子裝置用構件之積層體以密接層之基板側界面作為剝離面而分離為電子裝置(附構件之基板)及載體基板。
以下，將於上述積層體中之基板上形成電子裝置用構件而製造附電子裝置用構件之積層體的步驟稱為構件形成步驟，將自附電子裝置用構件之積層體以密接層之基板側界面作為剝離面而分離為附構件之基板及載體基板的步驟稱為分離步驟。
以下，對各步驟所使用之材料及順序進行詳細說明。
(構件形成步驟)
構件形成步驟係於上述積層步驟中所獲得之積層體100中之基板16上形成電子裝置用構件之步驟。更具體而言，如圖4(A)所示，於基板16之第2主面16b(露出表面)上形成電子裝置用構件20，而獲得附電子裝置用構件之積層體22。
首先，對本步驟中所使用之電子裝置用構件20進行詳細說明，其後對步驟之順序進行詳細說明。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件20係形成於積層體100中之基板16上且構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件20，可列舉顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等所使用之構件(例如顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，對於矽型，可列舉正極之氧化錫 等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，此外可列舉對應於化合物型、染料敏化型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，對於鋰離子型，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，此外可列舉對應於鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，關於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合裝置)或CMOS(complementary metal oxide semiconductor，互補金氧半導體)中，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，此外可列舉對應於壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等之各種構件等。
再者，較佳為電子裝置用構件20包含低溫多晶矽(LTPS：Low-temperature Poly Silicon)。即，於本構件形成步驟中，較佳為包括製造低溫多晶矽之步驟。其中，於本構件形成步驟中，更佳為包括製造包含低溫多晶矽之薄膜電晶體之步驟。
所謂低溫多晶矽係指以非晶矽作為前驅物，藉由雷射退火、爐退火等賦予結晶化能進行矽之結晶化而獲得之多晶矽。於製造此種低溫多晶矽之製程中，將非晶矽加熱至450℃以上之情形較多，換言之，製程溫度成為450℃以上之情形較多。
又，於電子裝置為電子顯示器之情形時，作為顯示器之解像度，就使用本發明之載體玻璃之方面而言，較佳為300ppi(pixel per inch，每英吋像素)以上。更佳為400ppi以上，進而較佳為500ppi以上。
(步驟之順序)
上述附電子裝置用構件之積層體22之製造方法並無特別限定，根據電子裝置用構件之構成構件之種類，藉由先前公知之方法於積層 體100之基板16之第2主面16b上形成電子裝置用構件20。
再者，電子裝置用構件20亦可並非最終形成於基板16之第2主面16b之構件之全部(以下稱為「全構件」)，而為全構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可將自密接層14剝離之附部分構件之基板於其後之步驟中設為附全構件之基板(相當於下述電子裝置)。
又，亦可於自密接層14剝離之附全構件之基板在其剝離面(第1主面16a)形成其他電子裝置用構件。又，亦可組裝附全構件之積層體，其後自附全構件之積層體將載體基板10剝離而製造電子裝置。進而，亦可使用2塊附全構件之積層體進行組裝，其後，自附全構件之積層體將2塊載體基板10剝離而製造具有2塊玻璃基板之附構件之基板。
例如，以製造OLED之情形為例，為了於積層體100之基板16之與密接層14側為相反側之表面上(相當於基板16之第2主面16b)形成有機EL結構體，而進行形成透明電極、進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層等、形成背面電極、使用密封板進行密封等各種層形成或處理。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT-LCD之情形時，具有於積層體100之基板16之第2主面16b上使用抗蝕液對藉由CVD法及濺鍍法等普通成膜法所形成之金屬膜及金屬氧化膜等進行圖案形成而形成薄膜電晶體(TFT)的TFT形成步驟、於另一積層體100之基板16之第2主面16b上將抗蝕液用於圖案形成而形成彩色濾光片(CF)的CF形成步驟、將TFT形成步驟中所獲得之附TFT之積層體與CF形成步驟中所獲得之附CF之積層體積層的貼合步驟等各種步驟。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用周知之光微影技術或蝕刻技術等，在基板16之第2主面16b形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF之前，亦可視需要洗淨基板16之第2主面16b。作為洗淨方法，可使用周知之乾式洗淨或濕式洗淨。
於貼合步驟中，使附TFT之積層體之薄膜電晶體形成面與附CF之積層體之彩色濾光片形成面對向，並使用密封劑(例如單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，向由附TFT之積層體及附CF之積層體所形成之單元內注入液晶材。作為注入液晶材之方法，例如有減壓注入法、滴下注入法。
(分離步驟)
如圖4(B)所示，分離步驟係如下步驟，即，自上述構件形成步驟中所獲得之附電子裝置用構件之積層體22，以密接層14與基板16之界面作為剝離面而分離為積層有電子裝置用構件20之基板16(附構件之基板)、及載體基板10，從而獲得包含電子裝置用構件20及基板16之附構件之基板(電子裝置)24。
於剝離時之基板16上之電子裝置用構件20為所需之全部構成構件之形成之一部分之情形時，分離後，亦可將其餘構成構件形成於基板16上。
將基板16與載體基板10剝離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於基板16與密接層14之界面插入銳利之刀狀物，賦予剝離之起點後吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。
較佳為以附電子裝置用構件之積層體22之載體基板10成為上側、電子裝置用構件20側成為下側之方式設置於壓盤上，將電子裝置用構件20側真空吸附於壓盤上(於兩面積層有載體基板之情形時依序進行)，於該狀態下首先使刀進入基板16-密接層14界面。然後，其後利用複數個真空吸附墊吸附載體基板10側，並自插入有刀之部位附近起依序使真空吸附墊上升。如此，於密接層14與基板16之界面或密接層14之凝聚破壞面形成空氣層，該空氣層擴展至界面或凝聚破壞面之 整個面，可容易地剝離載體基板10。
又，載體基板10可與新玻璃基板積層而製造本發明之積層體100。
再者，於自附電子裝置用構件之積層體22分離附構件之基板24時，可藉由控制利用離子化器所進行之吹送或濕度，而進一步抑制密接層14之碎片靜電吸附於附構件之基板24之情況。
上述附構件之基板24之製造方法適宜製造行動電話或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)之移動終端所使用之小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包含TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Emission，場發射)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)型、VA(Vertical Alignment，垂直配向)型等。基本上可應用於被動驅動型、主動驅動型之任一顯示裝置之情形。
作為藉由上述方法所製造之附構件之基板24，可列舉：具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜二次電池用構件之薄膜二次電池、具有玻璃基板及電子裝置用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包含液晶面板、有機EL面板、電漿顯示器面板、場發射面板等。
實施例
以下，藉由實施例等具體地說明本發明，但本發明並不限定於該等例。
於以下之實施例及比較例中，使用依據以下順序所製造之第1玻璃基板1~12。第1玻璃基板5、6、9為實施例，第1玻璃基板1~4及7、8、10~12為比較例。
(第1玻璃基板之製造)
表1係表示12種組成之玻璃基板之壓實度等之表。以成為下文所示之目標組成之方式調合各成分之原料，使用鉑坩堝於1500~1600℃之溫度下進行熔解而獲得熔融玻璃。熔解時，使用鉑攪拌器加以攪拌而進行玻璃之均質化。繼而，使熔融玻璃流出並成形為板厚0.3mm之板狀後進行緩冷，而製造第1玻璃基板。再者，作為緩冷條件，以表1所記載之平均冷卻速度(℃/min)進行冷卻。
楊氏模數係依據JIS Z 2280(1993年)所規定之方法，藉由超音波脈衝法對厚度0.5~10mm之玻璃進行測定。
維氏硬度係依據JIS-Z2244；2009，使用AKASHI製造之MVK-H100，將試驗力設為0.9807N、將壓入時間設為15秒鐘而進行測定。
紫外線透過率係對兩面經光學研磨之0.5mm厚度之玻璃，使用Hitachi High-Tech Science公司製造之紫外可見近紅外分光光度計U4100測定300nm之波長下之透過率。
Figure 105120619-A0202-12-0028-4
上述應變點之測定係藉由上述方法而實施。
又，上述表中之壓實度表示以100℃/小時自室溫進行升溫，於600℃下實施80分鐘之加熱處理並以100℃/小時冷卻至室溫時之壓實度(收縮率)。其表示藉由下文所述之方法所獲得之計算值，但藉由上述方法所測得之實測值亦與上述表中之計算值大致相同。
(壓實度之計算方法)
壓實度C之計算係藉由利用將玻璃之結構緩和進行公式化而獲得之以下之式，代入微小溫度變化並逐次進行計算而求出。再者，關於各種參數(β、τ)，使用利用該組成之玻璃進行實測所獲得者。
(V(ξ)-V0)/(V∞-V0)=exp[-(ξ/τ)β]
C=106×△L/L=106×[1-(V(ξ)/V0)1/3]
此處，V0表示處理時間0之玻璃之莫耳體積，V∞表示處理溫度下之平衡莫耳體積，V(ξ)表示換算時間ξ之玻璃之莫耳體積，C表示壓實度(單位：ppm)，L表示玻璃之長度，△L表示玻璃長度於處理前後之變化量，τ表示緩和時間常數，β表示如下參數，該參數表示緩和時間常數之擴大。
(複數次加熱處理時之玻璃基板之壓實度之測定)
表2係表示對表1之玻璃基板實施複數次(3次)加熱處理並測定壓實度所獲得之結果的表。使用第1玻璃基板1~12計算複數次實施利用以下加熱條件之加熱處理時之各加熱處理後之玻璃基板之壓實度。第1次一欄表示實施1次以下加熱處理後之玻璃基板之壓實度(ppm)。第2次一欄表示將經過第1次之加熱處理之玻璃基板冷卻至室溫後實施第2次之加熱處理後之壓實度。第3次一欄表示將經過第2次之加熱處理之玻璃基板冷卻至室溫後實施第3次之加熱處理後之壓實度。
(加熱處理)
將玻璃基板自室溫以5分鐘升溫至450℃，其後於450℃下保持20分鐘後，以5分鐘冷卻至成為室溫，進而將玻璃基板自室溫以5分鐘升 溫至600℃，其後於600℃下保持5分鐘後，以5分鐘冷卻至室溫。
如表2所示，可確認如下情況：於第1玻璃基板為1~4之情形時，表1中之「600℃、80分鐘下之壓實度(ppm)」過大，為150ppm以上，因此電子裝置形成步驟中之壓實度值均成為10ppm以上，且初次熱處理時之壓實度值與第2次熱處理時之壓實度值之差△C2-1均為10ppm以上，變化較大，不適合作為基板。又，於表1中「600℃、80分鐘下之壓實度(ppm)」為80ppm以下之情形時(第1玻璃基板5、6、9)，初次熱處理時之壓實度值與第2次熱處理時之壓實度值之差△C2-1以及第2次熱處理時與第3次熱處理時之壓實度之差△C3-2均變小，為6ppm以內。
(電子裝置之製造)
將含烯基之有機聚矽氧烷(數量平均分子量：2000、烯基數：2個以上)(100質量份)與氫化聚矽氧烷(數量平均分子量：2000、氫矽烷基數：2個以上)(6.7質量份)進行調配。再者，含烯基之有機聚矽氧烷中之烯基與氫化聚矽氧烷中之氫矽烷基之混合莫耳比(氫矽烷基之莫耳數/烯基之莫耳數)為0.4/1。進而，相對於含烯基之有機聚矽氧烷及氫化聚矽氧烷之合計質量(100質量份)，添加300ppm之觸媒(鉑觸媒)。將該液體設為硬化性樹脂組合物X。使用模嘴塗佈機將該硬化性樹脂組合物X塗佈於第1玻璃基板1之第1主面上，將未硬化之包含含烯基之有機聚矽氧烷及氫化聚矽氧烷的層設置於第1玻璃基板1上。
其次，於140℃下在大氣中加熱3分鐘後，於230℃下在大氣中加熱硬化20分鐘，而於第1玻璃基板1之第1主面形成厚度10μm之聚矽氧樹脂層。再者，聚矽氧樹脂層之平坦性良好。
其後，於室溫下藉由真空加壓將第2玻璃基板與聚矽氧樹脂層面貼合，而獲得玻璃積層體A。
此時，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱200mm、橫200 mm、板厚0.2mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製造之商品名「AN100」)作為第2玻璃基板。
於所獲得之玻璃積層體A中，第1玻璃基板及第2玻璃基板係於不產生氣泡之情況下與聚矽氧樹脂層密接，且亦無變形狀缺陷。又，於玻璃積層體A中，聚矽氧樹脂層與第1玻璃基板之層之界面之剝離強度大於第2玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度。
其次，依據以下方法於玻璃積層體A之第2玻璃基板上製造電子裝置。
作為電子裝置之製造方法，使用LTPS製程，該製程使用了準分子雷射退火法。首先，於第2玻璃基板上形成保護層後，將非晶矽成膜。進行脫氫步驟、雷射照射、活化步驟，且成膜閘極電極、源極、汲極電極等之各種配線並圖案化，進行層間絕緣膜等之成膜，而形成薄膜電晶體電路。
再者，於上述電子裝置之製造步驟中，包含製造製程溫度為500℃以上之步驟。
繼而，向製造有電子裝置之玻璃積層體A之4個部位中之1個部位之圓角部之第2玻璃基板與聚矽氧樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀，而形成剝離之切口部，並且使真空吸附墊吸附於第1玻璃基板之並非剝離面之面，朝載體基板與電子裝置(附電子裝置用構件之第2玻璃)相互分離之方向施加外力而將載體基板與電子裝置無破損地分離。此處，刀之插入係一面自離子化器(KEYENCE公司製造)向該界面吹送去靜電性流體一面進行。具體而言，一面朝向所形成之空隙自離子化器持續吹送去靜電性流體一面提拉真空吸附墊。
再者，聚矽氧樹脂層係與第1玻璃基板一併自第2玻璃基板分離，根據該結果，可確認第1玻璃基板之層與聚矽氧樹脂層之界面之剝離強度(x)高於聚矽氧樹脂層與第2玻璃基板之界面之剝離強度(y)。
其次，使用回收後之載體基板，依據與上述相同之順序製造玻璃積層體A，並依據與上述相同之順序製造電子裝置。
將該處理重複2次而進行電子裝置之製造。
再者，準備複數塊玻璃積層體A，分別實施上述處理。
(評價(生產性))
將第2次及第3次使用載體基板時之電子裝置之製造良率與第1次為同等程度之情形設為「A」，將製造良率降低但於實用上為容許範圍內之情形設為「B」，將製造良率大幅降低而於實用上無法容許之情形設為「C」。
分別使用第1玻璃基板2~12代替第1玻璃基板1，並依據上述順序實施上述(評價(生產性))。
Figure 105120619-A0202-12-0032-5
如上述表2所示，確認於使用壓實度(ppm)為80ppm以下之第1玻璃基板5、6及9之情形時，獲得優異之效果。確認尤其於壓實度為70ppm以下之情形時，效果更優異。
以上，使用特定之態樣詳細地說明了本發明，但從業者明瞭可 於不脫離本發明之意圖及範圍之情況下進行各種變更及變化。再者，本申請案係基於2015年7月3日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2015-134697)，藉由引用而援用其全部內容。
10‧‧‧載體基板
12‧‧‧第1玻璃基板
14‧‧‧密接層
14a‧‧‧表面
14b‧‧‧表面

Claims (9)

  1. 一種載體基板，其係於在基板之表面製造電子裝置用構件時貼合於上述基板而使用者，並且上述載體基板至少包含第1玻璃基板，上述第1玻璃基板之下述壓實度為60ppm以下，壓實度：將上述第1玻璃基板自室溫以100℃/小時升溫並於600℃下進行80分鐘之加熱處理後、以100℃/小時冷卻至室溫之情形時之收縮率。
  2. 如請求項1之載體基板，其中上述第1玻璃基板於波長300nm之外部透過率為50%以上。
  3. 如請求項1或2之載體基板，其中上述第1玻璃基板之維氏硬度為580以上。
  4. 如請求項1或2之載體基板，其進而包含配置於上述第1玻璃基板上之密接層。
  5. 一種積層體，其具有如請求項1至4中任一項之載體基板、及配置於上述載體基板上之基板。
  6. 如請求項5之積層體，其中上述基板為第2玻璃基板。
  7. 一種電子裝置之製造方法，其具備：構件形成步驟，其係於如請求項5或6之積層體之上述基板之表面上形成電子裝置用構件，而獲得附電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自上述附電子裝置用構件之積層體將上述載體基板去除，而獲得具有上述基板及上述電子裝置用構件之電子裝置。
  8. 如請求項7之電子裝置之製造方法，其中上述電子裝置用構件包 含低溫多晶矽(LTPS)。
  9. 如請求項8之電子裝置之製造方法，其於形成上述電子裝置用構件時包括製程溫度為450℃以上之步驟。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11027525B2 (en) * 2016-10-07 2021-06-08 Lg Chem, Ltd. Curved laminated glass and manufacturing method for curved laminated glass
US12109780B2 (en) 2017-04-27 2024-10-08 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Carrier glass and method for producing same
CN116462405A (zh) * 2017-07-26 2023-07-21 日本电气硝子株式会社 支承玻璃基板和使用了其的层叠基板
CN107644891A (zh) * 2017-09-13 2018-01-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled面板的制作方法
WO2019082357A1 (ja) * 2017-10-26 2019-05-02 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルｏｌｅｄデバイスの製造方法および製造装置
US11673830B2 (en) * 2020-11-11 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Glass carrier cleaning using ozone

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101400614A (zh) * 2006-02-10 2009-04-01 康宁股份有限公司 具有高的热稳定性和化学稳定性的玻璃组合物及其制备方法
TW201127619A (en) * 2009-08-28 2011-08-16 Arakawa Chem Ind Support, glass substrate laminate, support-equipped display device panel, and method for manufacturing a display device panel

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5597395A (en) * 1995-11-28 1997-01-28 Corning Incorporated Method for low temperature precompaction of glass
EP1914066B1 (en) 2005-08-09 2016-09-07 Asahi Glass Company, Limited Thin sheet glass laminate and method for manufacturing display using thin sheet glass laminate
US8713967B2 (en) * 2008-11-21 2014-05-06 Corning Incorporated Stable glass sheet and method for making same
JP5375385B2 (ja) * 2009-07-13 2013-12-25 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
US20110265516A1 (en) * 2010-04-29 2011-11-03 Douglas Clippinger Allan Compositional control of fast relaxation in display glasses
JP5760376B2 (ja) * 2010-10-22 2015-08-12 旭硝子株式会社 支持体、ガラス基板積層体、支持体付き表示装置用パネル、オルガノポリシロキサン組成物、および表示装置用パネルの製造方法
CN103476718B (zh) * 2011-04-08 2015-12-23 旭硝子株式会社 基板用无碱玻璃和基板用无碱玻璃的制造方法
JP5887946B2 (ja) 2012-01-18 2016-03-16 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法、およびガラス積層体の製造方法
KR20200003272A (ko) * 2012-06-05 2020-01-08 에이지씨 가부시키가이샤 무알칼리 유리 및 그 제조 방법
JP5966769B2 (ja) * 2012-08-24 2016-08-10 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法及びガラス板の製造装置
WO2014087971A1 (ja) * 2012-12-05 2014-06-12 旭硝子株式会社 無アルカリガラス基板
CN105164068A (zh) * 2012-12-21 2015-12-16 康宁股份有限公司 具有改进的总节距稳定性的玻璃
JP2016153346A (ja) * 2013-06-27 2016-08-25 旭硝子株式会社 無アルカリガラス
JP2016153345A (ja) * 2013-06-27 2016-08-25 旭硝子株式会社 無アルカリガラス
JP6812796B2 (ja) * 2014-10-23 2021-01-13 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス
JP6742593B2 (ja) * 2015-01-05 2020-08-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板の製造方法及び積層体の製造方法
JP6315011B2 (ja) * 2016-03-15 2018-04-25 旭硝子株式会社 無アルカリガラス基板、および無アルカリガラス基板の製造方法
KR102403524B1 (ko) * 2016-08-23 2022-05-31 에이지씨 가부시키가이샤 무알칼리 유리
CN111836791B (zh) * 2018-03-14 2023-01-17 Ａｇｃ株式会社 无碱玻璃

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101400614A (zh) * 2006-02-10 2009-04-01 康宁股份有限公司 具有高的热稳定性和化学稳定性的玻璃组合物及其制备方法
TW201127619A (en) * 2009-08-28 2011-08-16 Arakawa Chem Ind Support, glass substrate laminate, support-equipped display device panel, and method for manufacturing a display device panel

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