JP2017165589A - 無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】デバイスを形成されるガラス基板との密着性が良好で、かつ、高温での処理を行われた場合に、無機膜とガラス基板との間に気泡が発生することも防止できる無機膜付き支持基板、および、この無機膜付き支持基板を用いるガラス積層体、ならびに電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】支持基板と、支持基板上に形成された無機膜とを有し、無機膜は、厚い部分と薄い部分とからなる複数の凹凸を有し、もしくは、支持基板上に点在する複数の島部を有し、薄い部分からなる凹部もしくは島部以外の支持基板の露出部が、支持基板の面方向に外部までつながることにより、前記課題を解決する。【選択図】図１
Description
本発明は、ガラス基板を用いて液晶パネルや有機ＥＬパネルなどの電子デバイスを製造する際に使用される無機膜付き支持体、および、これにガラス基板を積層したガラス積層体、ならびに、これらの製造方法および電子デバイスの製造方法に関する。
近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などの電子デバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行している。これに対応して、これらの電子デバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。
一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
一方、薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、電子デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。
そこで、最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板を支持基板で支持した状態で、ガラス基板に電子デバイスを製造することが行われている。例えば、ガラス製の支持基板に無機膜（吸着膜）を形成した無機膜付きの支持基板を用意し、この支持基板の無機膜にガラス基板を積層して密着した積層体として、この積層体のガラス基板に電子デバイスを製造した後、積層体からガラス基板を剥離する方法が提案されている（特許文献１および２）。
これらの方法によれば、薄膜のガラス基板を用いても、ハンドリング性を向上させ、適切な位置決めを可能とすると共に、所定の処理後に素子が配置されたガラス基板を積層体から容易に剥離することができる旨が開示されている。
これらの方法によれば、薄膜のガラス基板を用いても、ハンドリング性を向上させ、適切な位置決めを可能とすると共に、所定の処理後に素子が配置されたガラス基板を積層体から容易に剥離することができる旨が開示されている。
また、特許文献３には、支持基板で支持したガラス基板に電子デバイスを製造する際に、支持基板のガラス基板との接触面に、例えば、帯状の粗面と帯状の平滑面とを交互に設ける等によって、接着力が相対的に強い領域と弱い領域とを設けることによって、積層体からのガラス基板の剥離を、より容易にできる旨が開示されている。
ところで、近年、電子デバイスの高性能化の要求に伴い、電子デバイスの製造の際により高温条件下（例えば、４５０℃以上）での処理の実施が望まれている。
ところが、従来の無機膜付きの支持基板にガラス基板を積層した積層体では、４５０℃以上での高温処理、特に５００〜６００℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着あるいは含まれるガスが放出され、ガラス基板と無機膜との間に多数の気泡が生じてしまう場合が有る。
ところが、従来の無機膜付きの支持基板にガラス基板を積層した積層体では、４５０℃以上での高温処理、特に５００〜６００℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着あるいは含まれるガスが放出され、ガラス基板と無機膜との間に多数の気泡が生じてしまう場合が有る。
また、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜の表面にガラス基板を積層する際に密着性が悪い場合も有る。すなわち、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、意図せずに剥離してしまう場合も有る。
本発明の目的は、このような従来技術の問題点を解決することにあり、高温での処理を行った際におけるガラス基板と無機膜と間の発泡を抑制し、さらに、無機膜とガラス基板との密着性も良好な無機膜付き支持基板、および、この無機膜付き支持基板にガラス基板を積層したガラス積層体、ならびに、この無機膜付き支持基板およびガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の無機膜付き支持基板の第１の態様は、支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有し、
前記無機膜は、前記支持基板上に点在する複数の島部からなることを特徴とする無機膜付き支持基板を提供する。
前記無機膜は、前記支持基板上に点在する複数の島部からなることを特徴とする無機膜付き支持基板を提供する。
このような本発明の無機膜付き支持基板の第１の態様において、前記島部の高さが４０ｎｍ以下であるのが好ましい。
また、前記島部は、端部の間隔で２０μｍ以内の位置に、他の島部が形成されるのが好ましい。
また、前記島部の面積が０．１〜１００００μｍ2であるのが好ましい。
さらに、前記島部は、前記支持基板に対する面積率が１１〜８０％であるのが好ましい。
また、前記島部は、端部の間隔で２０μｍ以内の位置に、他の島部が形成されるのが好ましい。
また、前記島部の面積が０．１〜１００００μｍ2であるのが好ましい。
さらに、前記島部は、前記支持基板に対する面積率が１１〜８０％であるのが好ましい。
また、本発明の無機膜付き支持基板の第２の態様は、支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有し、
前記無機膜は、厚い部分と薄い部分とからなる複数の凹凸を有し、かつ、前記薄い部分からなる凹部が、前記支持基板の面方向に外部までつながっていることを特徴とする無機膜付き支持基板を提供する。
前記無機膜は、厚い部分と薄い部分とからなる複数の凹凸を有し、かつ、前記薄い部分からなる凹部が、前記支持基板の面方向に外部までつながっていることを特徴とする無機膜付き支持基板を提供する。
このような本発明の無機膜付き支持基板の第２の態様において、前記凹凸の高さの差が４０ｎｍ以下であるのが好ましい。
また、前記凸部は、端部の間隔で２０μｍ以内の位置に、他の凸部が形成されるのが好ましい。
また、前記凸部の面積が０．１〜１００００μｍ2であるのが好ましい。
さらに、前記凸部は、前記支持基板に対する面積率が１１〜８０％であるのが好ましい。
また、前記凸部は、端部の間隔で２０μｍ以内の位置に、他の凸部が形成されるのが好ましい。
また、前記凸部の面積が０．１〜１００００μｍ2であるのが好ましい。
さらに、前記凸部は、前記支持基板に対する面積率が１１〜８０％であるのが好ましい。
また、本発明のガラス積層体は、このような本発明の無機膜付き支持基板の無機膜に、ガラス基板を積層したガラス積層体を提供する。
また、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第１の態様は、支持基板の表面に無機物からなる膜を形成し、この膜をエッチングすることにより、前記支持基板上に点在する複数の島部からなる無機膜を形成することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法を提供する。
また、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第２の態様は、支持基板の表面に無機物からなる膜を形成し、この膜をエッチングすることにより、厚い部分と薄い部分とからなる複数の凹凸を形成することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法を提供する。
さらに、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第３の態様は、支持基板の表面に、複数の非形成部が点在する樹脂膜を形成し、この樹脂膜をマスクとして前記樹脂膜上に無機膜を成膜し、その後、前記樹脂膜を除去することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法を提供する。
このような本発明の無機膜付き支持基板の製造方法の第３の態様において、前記樹脂膜の成膜に先立ち、前記支持基板の表面に、下地無機膜を成膜するのが好ましい。
また、本発明のガラス積層体の製造方法は、このような本発明の製造方法で無機膜付き支持基板を製造した後、前記無機膜付き支持基板の無機膜にガラス基板を積層するガラス積層体の製造方法を提供する。
さらに、本発明の電子デバイスの製造方法は、前記本発明のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。
このような本発明の無機膜付き支持基板を用いるガラス積層体は、ガラス基板に電子デバイスを形成する際に、良好な密着性を提供すると共に、電子デバイスの製造において４５０℃を超えるような高温処理を行っても、ガラス基板と無機膜との間に泡が生じることを抑制できる。
以下、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、本発明の無機膜付き支持基板の製造方法およびガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法について、添付の図面に示される好適実施例を基に、詳細に説明する。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）に、本発明の無機膜付き支持基板の一例を概念的に示す。なお、図１（Ａ）は、本発明の無機膜付き支持基板の上面図で、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のｂ−ｂ線断面図である。
本発明の無機膜付き支持基板１０は、ガラス基板を用いる電子デバイス等の製造において、ガラス基板を支持する支持基板として用いられるものであり、基本的に、支持基板１２と無機膜１４とから構成される。
このような無機膜付き支持基板１０は、図１（Ｃ）に概念的に示すように、無機膜１４にガラス基板１６を積層、密着されて、本発明のガラス積層体２０とされ、ガラス基板１６を用いる電子デバイスの製造に利用される。
ここで、本発明の無機膜付き支持基板１０において、無機膜１４は、島状に点在するようにパターニングして形成され、かつ、支持基板１２の露出部（支持基板１２の無機膜１４が形成されない部分）は、支持基板１２の面方向に、無機膜付き支持基板１０（後述するガラス積層体２０）の外部までつながる（連通する）ように形成される。この点に関しては、後に詳述する。
本発明の無機膜付き支持基板１０は、ガラス基板を用いる電子デバイス等の製造において、ガラス基板を支持する支持基板として用いられるものであり、基本的に、支持基板１２と無機膜１４とから構成される。
このような無機膜付き支持基板１０は、図１（Ｃ）に概念的に示すように、無機膜１４にガラス基板１６を積層、密着されて、本発明のガラス積層体２０とされ、ガラス基板１６を用いる電子デバイスの製造に利用される。
ここで、本発明の無機膜付き支持基板１０において、無機膜１４は、島状に点在するようにパターニングして形成され、かつ、支持基板１２の露出部（支持基板１２の無機膜１４が形成されない部分）は、支持基板１２の面方向に、無機膜付き支持基板１０（後述するガラス積層体２０）の外部までつながる（連通する）ように形成される。この点に関しては、後に詳述する。
支持基板１２は、図１（Ｃ）に示すガラス積層体２０において、主にガラス基板１６を支持して、ガラス基板１６の損傷や変形を防止するものである。
本発明の無機膜付き支持基板１０において、支持基板１２は、ガラス基板、プラスチック基板、ＳＵＳ基板などの金属基板などの各種の板材（板状物）が利用可能である。
本発明の無機膜付き支持基板１０において、支持基板１２は、ガラス基板、プラスチック基板、ＳＵＳ基板などの金属基板などの各種の板材（板状物）が利用可能である。
ここで、ガラス積層体２０を利用する電子デバイスの製造において、熱処理を伴う工程を有する場合には、支持基板１２は、ガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されるのが好ましい。
具体的には、支持基板１２とガラス基板１６とは、２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差が５００×１０-7／℃以下であるのが好ましく、３００×１０-7／℃以下であるのがより好ましく、２００×１０-7／℃以下であるのが特に好ましい。
支持基板１２とガラス基板１６との平均線膨張計数の差を５００×１０-7／℃以下とすることにより、電子デバイスの形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体２０が激しく反ることを防止することができる。
具体的には、支持基板１２とガラス基板１６とは、２５〜３００℃における平均線膨張係数（以下、単に「平均線膨張係数」という）の差が５００×１０-7／℃以下であるのが好ましく、３００×１０-7／℃以下であるのがより好ましく、２００×１０-7／℃以下であるのが特に好ましい。
支持基板１２とガラス基板１６との平均線膨張計数の差を５００×１０-7／℃以下とすることにより、電子デバイスの形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体２０が激しく反ることを防止することができる。
以上の点を考慮すると、支持基板１２は、ガラス基板１６と同一材料で形成されるのが好ましく、支持基板１２はガラス基板であるのがより好ましい。特に、支持基板１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス基板であるのが好ましい。
支持基板１２の厚さは、後述するガラス基板１６よりも厚くてもよく、薄くてもよい。
好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、無機膜１４の厚さ、および後述するガラス積層体２０の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。例えば、電子デバイスの製造工程が０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さおよび無機膜１４の厚さの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。
好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、無機膜１４の厚さ、および後述するガラス積層体２０の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。例えば、電子デバイスの製造工程が０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さおよび無機膜１４の厚さの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。
支持基板１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５ｍｍであるのが好ましい。
なお、支持基板１２がガラス基板の場合には、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、支持基板１２の厚さは、０．０８ｍｍ以上であるのが好ましい。また、ガラス基板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であるのが好ましい。
なお、支持基板１２がガラス基板の場合には、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、支持基板１２の厚さは、０．０８ｍｍ以上であるのが好ましい。また、ガラス基板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であるのが好ましい。
無機膜付き支持基板１０において、支持基板１２の一方の表面（主面の１面）には、無機膜１４が形成される。
無機膜１４は、無機膜付き支持基板１０にガラス基板１６を積層して、剥離可能に密着させるための膜（吸着膜）である。言い換えると、無機膜１４は、易剥離性を有して、無機膜付き支持基板１０にガラス基板１６を積層、密着（貼着）して保持する機能を具備する膜である。
無機膜１４は、優れた耐熱性を示す。そのため、ガラス積層体２０を高温条件に曝しても層自体の化学変化が起きにくく、後述するガラス基板１６との間でも化学結合を生じにくく、重剥離化によるガラス基板１６への無機膜１４の付着が生じにくい。なお、重剥離化とは、無機膜１４とガラス基板１６との界面の剥離強度が、支持基板１２と無機膜１４との界面の剥離強度、および、無機膜１４の材料自体の強度（バルク強度）のいずれかよりも大きくなることをいう。無機膜１４とガラス基板１６との界面で重剥離化が起こると、ガラス基板１６表面に無機膜１４の成分が付着しやすく、その表面の清浄化が困難となりやすい。ガラス基板１６表面への無機膜１４の付着とは、無機膜１４全体がガラス基板１６表面に付着すること、および、無機膜１４表面が損傷して無機膜１４表面の成分の一部がガラス基板１６表面に付着すること、などを意味する。
無機膜１４は、無機膜付き支持基板１０にガラス基板１６を積層して、剥離可能に密着させるための膜（吸着膜）である。言い換えると、無機膜１４は、易剥離性を有して、無機膜付き支持基板１０にガラス基板１６を積層、密着（貼着）して保持する機能を具備する膜である。
無機膜１４は、優れた耐熱性を示す。そのため、ガラス積層体２０を高温条件に曝しても層自体の化学変化が起きにくく、後述するガラス基板１６との間でも化学結合を生じにくく、重剥離化によるガラス基板１６への無機膜１４の付着が生じにくい。なお、重剥離化とは、無機膜１４とガラス基板１６との界面の剥離強度が、支持基板１２と無機膜１４との界面の剥離強度、および、無機膜１４の材料自体の強度（バルク強度）のいずれかよりも大きくなることをいう。無機膜１４とガラス基板１６との界面で重剥離化が起こると、ガラス基板１６表面に無機膜１４の成分が付着しやすく、その表面の清浄化が困難となりやすい。ガラス基板１６表面への無機膜１４の付着とは、無機膜１４全体がガラス基板１６表面に付着すること、および、無機膜１４表面が損傷して無機膜１４表面の成分の一部がガラス基板１６表面に付着すること、などを意味する。
無機膜１４は、電子デバイス等の製造において、電子デバイスを形成されるガラス基板を支持するための、公知の無機膜付き支持基板で利用されている、各種の無機化合物からなるものが利用可能である。
具体的には、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物および弗化物からなる群から選ばれる少なくとも１つを含むのが好ましい。
具体的には、酸化物、窒化物、酸窒化物、炭化物、炭窒化物、珪化物および弗化物からなる群から選ばれる少なくとも１つを含むのが好ましい。
酸化物、窒化物、酸窒化物としては、例えば、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｙ、Ｎｂ、Ｎａ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｍｇ、Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｓｒ、Ｓｎ、Ｉｎ、ＣｅおよびＢａから選ばれる１種類以上の元素の酸化物、窒化物、酸窒化物が挙げられる。より具体的には、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ガリウム（Ｇａ2Ｏ3）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛スズ（ＺＴＯ）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウムセリウム（ＩＣＯ）、窒化硅素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ジルコニウム（ＺｒＮ）などが挙げられる。
炭化物、炭窒化物としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｎｂから選ばれる１種以上の元素の炭化物、炭窒化物が挙げられる。より具体的には、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、炭化硅素（ＳｉＣ）、炭化ニオブ（ＮｂＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭窒化チタン（ＴｉＣＮ）、炭窒化タングステン（ＷＣＮ）、炭窒化硅素（ＳｉＣＮ）、炭窒化ニオブ（ＮｂＣＮ）、炭窒化ジルコニウム（ＺｒＣＮ）などが挙げられる。
珪化物としては、例えば、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の珪化物が挙げられる。
弗化物としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。
弗化物としては、例えば、Ｍｇ、Ｙ、Ｌａ、Ｂａから選ばれる１種以上の元素の弗化物が挙げられる。
中でも、電子デバイスの製造工程等において、ガラス積層体２０を熱処理した後のガラス基板１６との剥離性が良好である、熱処理前の加工に耐えられる密着性を持ちながら、熱処理による膜特性の変化が少なく再利用が容易である、容易にかつ安価に入手できる、成膜などで制御が可能である等の点で、炭化硅素、酸化インジウムスズおよび酸化インジウムセリウムは、好適に例示される。
無機膜１４の平均線膨張係数は、支持基板１２等の形成材料に応じて、適宜、設定すればよい。
例えば、支持基板１２としてガラス基板を使用する場合は、その平均線膨張係数は１０×１０-7〜２００×１０-7／℃が好ましい。この範囲であれば、ガラス基板との平均線膨張係数の差が小さくなり、高温環境下におけるガラス基板１６と無機膜付き支持基板１０との位置ずれをより抑制することができる。
例えば、支持基板１２としてガラス基板を使用する場合は、その平均線膨張係数は１０×１０-7〜２００×１０-7／℃が好ましい。この範囲であれば、ガラス基板との平均線膨張係数の差が小さくなり、高温環境下におけるガラス基板１６と無機膜付き支持基板１０との位置ずれをより抑制することができる。
無機膜１４は、前述した無機化合物の少なくとも１種が主成分として含まれているのが好ましい。ここで、主成分とは、これらの総含有量が、無機膜１４の全量に対して、９０質量％以上であることを意味し、９８質量％以上であるのが好ましく、９９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９９質量％以上であるのが特に好ましい。
なお、無機膜１４は、図１では、無機膜１４は単層として記載されているが、２層以上の積層構造であってもよい。また、２層以上の積層構造の場合、各層が異なる組成であってもよい。
さらに、無機膜１４は、通常、支持基板１２の全面に形成されるが、本発明の効果を損なわない範囲で、支持基板１２表面に、無機膜１４が形成されない領域（無機膜１４の島が点在しない領域）を有してもよい。
さらに、無機膜１４は、通常、支持基板１２の全面に形成されるが、本発明の効果を損なわない範囲で、支持基板１２表面に、無機膜１４が形成されない領域（無機膜１４の島が点在しない領域）を有してもよい。
ここで、本発明の無機膜付き支持基板１０においては、無機膜１４は、島状に点在するようにパターニングされて形成され、かつ、無機膜１４が形成されていない支持基板１２の露出部は、支持基板１２の面方向に外部までつながるように、島状の無機膜１４が形成される。本発明は、このような構成を有することにより、無機膜１４とガラス基板１６との良好な密着性を確保し、また、高温処理を行った際における無機膜１４とガラス基板１６との間に生じる発泡を抑制している。
この点に関しては、後に詳述する。
この点に関しては、後に詳述する。
本発明のガラス積層体２０は、図１（Ｃ）に概念的に示すように、このような本発明の無機膜付き支持基板１０の無機膜１４に、ガラス基板１６を積層して、密着してなるものである。
ガラス基板１６は、一般的なものであってよく、例えばＬＣＤやＯＬＥＤなど、ガラス基板１６（ガラス積層体２０）を使用する電子デバイスの種類や、その製造工程に適したガラスを、適宜、選択すればよい。
一例として、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化硅素を主な成分とする酸化物系ガラス等が好適に例示される。なお、酸化物系ガラスは、酸化物換算による酸化硅素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
例えば、ガラス基板１６がＬＣＤに利用される場合には、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる））が利用される。
一例として、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化硅素を主な成分とする酸化物系ガラス等が好適に例示される。なお、酸化物系ガラスは、酸化物換算による酸化硅素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
例えば、ガラス基板１６がＬＣＤに利用される場合には、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる））が利用される。
ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。
ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の用途や大きさに応じて、適宜、設定すればよい。
具体的には、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．８ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以下がより好ましく、０．１５ｍｍ以下が特に好ましい。ガラス基板１６の厚さを０．８ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の要求を好適に満たすことができる。また、ガラス基板１６の厚さを０．３ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。さらに、ガラス基板１６の厚さを０．１５ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能になる。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易である、ガラス基板１６の取り扱いが容易である等の理由から、０．０３ｍｍ以上であるのが好ましい。
具体的には、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．８ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以下がより好ましく、０．１５ｍｍ以下が特に好ましい。ガラス基板１６の厚さを０．８ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の要求を好適に満たすことができる。また、ガラス基板１６の厚さを０．３ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。さらに、ガラス基板１６の厚さを０．１５ｍｍ以下とすることにより、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能になる。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易である、ガラス基板１６の取り扱いが容易である等の理由から、０．０３ｍｍ以上であるのが好ましい。
なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板の厚さ」は全ての層の合計の厚さとする。
前述のように、本発明の無機膜付き支持基板１０（ガラス積層体２０）において、無機膜１４は、島状に点在するようにパターニングされて形成され、かつ、無機膜１４が形成されていない支持基板１２の露出部は、支持基板１２の面方向に外部までつながるように、島状の無機膜１４が形成される。
本発明の無機膜付き支持基板１０は、このような構成を有することにより、無機膜１４にガラス基板１６を積層してガラス積層体２０とする際に、無機膜１４とガラス基板１６との良好な密着性を確保することができると共に、ガラス基板１６に電子デバイスを形成するために高温での熱処理を行っても、無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が生じることを抑制できる。さらに、本発明の無機膜付き支持基板１０は、ガラス基板１６に電子デバイスを形成するためにガラス積層体２０の熱処理を行った後における無機膜１４とガラス基板１６との剥離性も良好である（良好な易剥離性を有する）。
本発明の無機膜付き支持基板１０は、このような構成を有することにより、無機膜１４にガラス基板１６を積層してガラス積層体２０とする際に、無機膜１４とガラス基板１６との良好な密着性を確保することができると共に、ガラス基板１６に電子デバイスを形成するために高温での熱処理を行っても、無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が生じることを抑制できる。さらに、本発明の無機膜付き支持基板１０は、ガラス基板１６に電子デバイスを形成するためにガラス積層体２０の熱処理を行った後における無機膜１４とガラス基板１６との剥離性も良好である（良好な易剥離性を有する）。
薄膜のガラス基板に電子デバイスを形成するための支持体として、特許文献１や特許文献２に示されるような、支持基板に無機膜を形成してなる無機膜付き支持基板が知られている。この無機膜付き支持基板を利用することにより、薄膜のガラス基板を用いた場合であっても、良好なハンドリング性を確保して、適正に電子デバイスを作製できる。
ここで、近年では、電子デバイスの高性能化のため、電子デバイスの製造の際に、４５０℃以上のような高温条件下での処理の実施が望まれている。ところが、従来の無機膜付きの支持基板では、４５０℃以上での高温処理、特に、５００〜６００℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着あるいは含まれるガスが放出されて、ガラス基板と無機膜との間に多数の泡が生じてしまう場合が有る。
さらに、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜とガラス基板とを積層した際に、無機膜とガラス基板との密着性が不十分で、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、容易に剥離する場合も有る。
ここで、近年では、電子デバイスの高性能化のため、電子デバイスの製造の際に、４５０℃以上のような高温条件下での処理の実施が望まれている。ところが、従来の無機膜付きの支持基板では、４５０℃以上での高温処理、特に、５００〜６００℃のような高温処理を行うと、ガラス基板や無機膜に付着あるいは含まれるガスが放出されて、ガラス基板と無機膜との間に多数の泡が生じてしまう場合が有る。
さらに、従来の無機膜付きの支持基板では、無機膜とガラス基板とを積層した際に、無機膜とガラス基板との密着性が不十分で、支持基板の無機膜とガラス基板とを重ねても自然には密着しないばかりか、機械的にプレスしても密着しなかったり、容易に剥離する場合も有る。
これに対し、本発明の無機膜付き支持基板１０は、無機膜１４は、支持基板１２の表面に島状に点在するようにパターニングされて形成され、かつ、無機膜１４が形成されていない支持基板１２の露出部は、支持基板１２の面方向に外部までつながるように、島状の無機膜１４が形成される。
本発明は、このような構成を有することにより、支持基板１２の面方向において、島状に点在して形成される無機膜１４の間に、外部までつながる、ガラス基板１６や無機膜１４から放出されたガスの抜け道を形成できる。そのため、ガラス積層体２０を６００℃等の高温で処理しても、ガスが無機膜１４とガラス基板１６との間に止まることが無く、無機膜１４とガラス基板１６との間に生じる泡を抑制できる。
また、島状の無機膜１４をパターニングして点在して形成することにより、無機膜１４とガラス基板１６との密着を妨害するような凸部が少なく、かつ、無機膜１４とガラス基板１６との接触面積も十分に確保できる。
加えて、無機膜１４とガラス基板１６との接触が全面的ではないので（分散する点状であるので）、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好である。
本発明は、このような構成を有することにより、支持基板１２の面方向において、島状に点在して形成される無機膜１４の間に、外部までつながる、ガラス基板１６や無機膜１４から放出されたガスの抜け道を形成できる。そのため、ガラス積層体２０を６００℃等の高温で処理しても、ガスが無機膜１４とガラス基板１６との間に止まることが無く、無機膜１４とガラス基板１６との間に生じる泡を抑制できる。
また、島状の無機膜１４をパターニングして点在して形成することにより、無機膜１４とガラス基板１６との密着を妨害するような凸部が少なく、かつ、無機膜１４とガラス基板１６との接触面積も十分に確保できる。
加えて、無機膜１４とガラス基板１６との接触が全面的ではないので（分散する点状であるので）、ガラス積層体２０を高温で熱処理した後の剥離性も良好である。
本発明の無機膜付き支持基板１０において、無機膜１４の厚さｔ（無機膜１４による島の高さｔ）は、無機膜１４による島（島部）の大きさ、積層されるガラス基板１６の種類、無機膜１４の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。
ここで、無機膜１４の厚さｔは、４０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましい。無機膜１４の厚さｔを４０ｎｍ以下とすることにより、ガラス積層体２０に対して湿式の処理を施した際にガラス基板１６と支持基板１２との間に処理液が侵入することを好適に防止できる、無機膜付き支持基板１０の生産性を向上できる、ガラス基板１６の積層性をより向上できる等の点で好ましい。
ここで、無機膜１４の厚さｔは、４０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましい。無機膜１４の厚さｔを４０ｎｍ以下とすることにより、ガラス積層体２０に対して湿式の処理を施した際にガラス基板１６と支持基板１２との間に処理液が侵入することを好適に防止できる、無機膜付き支持基板１０の生産性を向上できる、ガラス基板１６の積層性をより向上できる等の点で好ましい。
また、無機膜１４の厚さｔは５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましい。無機膜１４の厚さｔを５ｎｍ以上とすることにより、ガラス積層体２０を熱処理した際に支持基板１２とガラス基板１６とが直接接触することに起因する剥離性の低下を防止できる、無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が発生するのをより好適に防止できる等の点で好ましい。
また、島状に点在する無機膜１４の形成密度は、無機膜１４の厚さｔ、無機膜１４による島の大きさ、積層されるガラス基板１６の種類、無機膜１４の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、島状に点在する無機膜１４は、端部（エッジ）同士の間隔ｄで２０μｍ以内の位置に、他の島状の無機膜１４（無機膜１４による島）が存在するように形成されるのが好ましい。
無機膜１４による島の間隔が大きい領域が存在すると、支持基板１２および／またはガラス基板１６の撓みによって両者が接触してしまい、ガラス積層体２０を熱処理した際に、この接触部が強く貼着してしまう場合が有る。このような貼着を生じると、無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とを剥離する際に、剥離性が著しく悪化してしまい、場合によっては、無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とが剥離できなくなる。
これに対して、島状に点在する無機膜１４を、端部同士の間隔ｄで２０μｍ以内の位置、好ましくは、１０μｍ以内の位置に、他の島状の無機膜１４が存在するように形成することにより、このような支持基板１２とガラス基板１６との貼着を、好適に防止できる。
無機膜１４による島の間隔が大きい領域が存在すると、支持基板１２および／またはガラス基板１６の撓みによって両者が接触してしまい、ガラス積層体２０を熱処理した際に、この接触部が強く貼着してしまう場合が有る。このような貼着を生じると、無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とを剥離する際に、剥離性が著しく悪化してしまい、場合によっては、無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とが剥離できなくなる。
これに対して、島状に点在する無機膜１４を、端部同士の間隔ｄで２０μｍ以内の位置、好ましくは、１０μｍ以内の位置に、他の島状の無機膜１４が存在するように形成することにより、このような支持基板１２とガラス基板１６との貼着を、好適に防止できる。
さらに、上記効果が好適に得られる等の点で、図２に上面図で概念的に示すように、島状の無機膜１４が形成されない支持基板１２の露出面において、直径２０μｍ以上、好ましくは直径１０μｍ以上の円Ｓが描けないように、島状の無機膜１４が点在するのが好ましい。
言い換えれば、島状の無機膜１４が形成されない支持基板１２の露出面において、島状の無機膜１４の端部に内接する最大径の円Ｓを描いた際に、この円Ｓの直径が２０μｍ以下となるように、島状の無機膜１４が点在するのが好ましい。
言い換えれば、島状の無機膜１４が形成されない支持基板１２の露出面において、島状の無機膜１４の端部に内接する最大径の円Ｓを描いた際に、この円Ｓの直径が２０μｍ以下となるように、島状の無機膜１４が点在するのが好ましい。
なお、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示される例において、島状に点在する無機膜１４は、規則的に配列（パターニング）されている。しかしながら、本発明の無機膜付き支持基板において、島状に点在する無機膜１４は、規則的に配列されても、前記図２に示すように不規則に配列されてもよい。
さらに、規則的な配列でも、不規則な配列でも、島状に点在する無機膜１４は、支持基板１２の表面に均一に分散されて点在するのが好ましい。
さらに、規則的な配列でも、不規則な配列でも、島状に点在する無機膜１４は、支持基板１２の表面に均一に分散されて点在するのが好ましい。
本発明の無機膜付き支持基板１０において、１個の島状の無機膜１４（無機膜からなる１個の島）の面積は、無機膜１４の厚さｔ、積層されるガラス基板１６の種類、無機膜１４の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、個々の島状の無機膜１４の面積は、０．１〜１００００μｍ2であるのが好ましく、０．１〜１００μｍ2であるのがより好ましい。
１個の島状の無機膜１４の面積を０．１μｍ2以上とすることにより、無機膜１４とガラス基板１６との密着性を良好にできる、パターニングの容易性等によって無機膜１４の形成コストを低減できる等の点で好ましい。
また、１個の島状の無機膜１４の面積を１００００μｍ2以下とすることにより、１個の島状の無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が発生するのを防止できる、後述する積層体２０を用いて電子デバイスを作製する際に島状の無機膜１４に起因して不均一性としての認識されることを防止できる等の点で好ましい。
なお、１個の島状の無機膜１４の面積とは、支持基板１２の面上における無機膜１４の面積である。
１個の島状の無機膜１４の面積を０．１μｍ2以上とすることにより、無機膜１４とガラス基板１６との密着性を良好にできる、パターニングの容易性等によって無機膜１４の形成コストを低減できる等の点で好ましい。
また、１個の島状の無機膜１４の面積を１００００μｍ2以下とすることにより、１個の島状の無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が発生するのを防止できる、後述する積層体２０を用いて電子デバイスを作製する際に島状の無機膜１４に起因して不均一性としての認識されることを防止できる等の点で好ましい。
なお、１個の島状の無機膜１４の面積とは、支持基板１２の面上における無機膜１４の面積である。
さらに、島状の無機膜１４の合計面積も、無機膜１４の厚さｔ、１個の島状の無機膜１４の大きさ、積層されるガラス基板１６の種類、無機膜１４の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。ここで、無機膜１４の合計面積は、支持基板１２の表面に対する面積率（無機膜／支持基板）で１１〜８０％であるのが好ましく、１８〜７０％であるのがより好ましい。
無機膜１４の面積を１１％以上とすることにより、無機膜１４とガラス基板１６との密着性を良好にできる、ガラス積層体２０の熱処理を行った後の剥離性を良好にできる等の点で好ましい。
また、無機膜１４の面積を８０％以下とすることにより、無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が発生するのを防止できる等の点で好ましい。
無機膜１４の面積を１１％以上とすることにより、無機膜１４とガラス基板１６との密着性を良好にできる、ガラス積層体２０の熱処理を行った後の剥離性を良好にできる等の点で好ましい。
また、無機膜１４の面積を８０％以下とすることにより、無機膜１４とガラス基板１６との間に泡が発生するのを防止できる等の点で好ましい。
なお、図１（Ｂ）に示すように、無機膜付き支持基板１０では、島状の無機膜１４の平面形状（支持基板１２の面方向の形状）は正方形であるが、本発明においては、島状の無機膜１４は、各種の平面形状が利用可能である。
一例として、島状の無機膜１４の平面形状は、円形、楕円形、三角形、長方形、五角形や六角形、それ以上の多角形等でもよく、不定形でもよく、さらに、正方形を含むこれらの形状が混在するものでもよい。
一例として、島状の無機膜１４の平面形状は、円形、楕円形、三角形、長方形、五角形や六角形、それ以上の多角形等でもよく、不定形でもよく、さらに、正方形を含むこれらの形状が混在するものでもよい。
図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示す無機膜付き支持基板１０は、支持基板１２の表面に、島状に無機膜１４を点在させて、支持基板１２が露出する領域を有する。
しかしながら、本発明の無機膜付き支持基板は、無機膜によって、支持基板１２の全面を覆ってもよい。
すなわち、図１（Ｄ）に示す無機膜付き支持基板３０のように、無機膜２４を、厚い部分と薄い部分とからなる凹凸を有する形状として、薄い部分からなる凹部２４ｂが、支持基板１２の面方向に外部までつながる構成であってもよい。この構成でも、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示す無機膜付き支持基板１０と同様の効果を得られる。
しかしながら、本発明の無機膜付き支持基板は、無機膜によって、支持基板１２の全面を覆ってもよい。
すなわち、図１（Ｄ）に示す無機膜付き支持基板３０のように、無機膜２４を、厚い部分と薄い部分とからなる凹凸を有する形状として、薄い部分からなる凹部２４ｂが、支持基板１２の面方向に外部までつながる構成であってもよい。この構成でも、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示す無機膜付き支持基板１０と同様の効果を得られる。
この図１（Ｄ）に示す無機膜付き支持基板３０において、凸部２４ａの高さ（凸部２４ａと凹部２４ｂとの高さの差）、凸部２４ａの形成間隔、凸部２４ａの個々の面積および合計面積等は、前述の無機膜付き支持基板１０における島状の無機膜１４に準じる。
ここで、図１（Ｄ）に示す無機膜付き支持基板３０では、支持基板１０の全面が無機膜２４で覆われている。そのため、支持基板１２および／またはガラス基板１６が撓んで、両者が接触したとしても、互いに固着することはない。従って、無機膜付き支持基板３０では、凸部２４ａの形成間隔（前述の無機膜１４の端部同士の間隔ｄに対応）は、２０μｍを超えて大きくしても、ガラス積層体２０を熱処理した際における支持基板１２とガラス基板１６との貼着を防止でき、良好な剥離性が得られる。
また、この無機膜付き支持基板３０において、凹部２４ｂにおける無機膜２４の厚さは、５〜３０ｎｍが好ましく、１０〜２０ｎｍが好ましい。
凹部２４ｂにおける無機膜２４の厚さを、上記範囲とすることにより、前記ガラス積層体２０を熱処理した際における支持基板１２とガラス基板１６との貼着をより確実に防止でき、より良好な剥離性が得られる等の点で好ましい。
ここで、図１（Ｄ）に示す無機膜付き支持基板３０では、支持基板１０の全面が無機膜２４で覆われている。そのため、支持基板１２および／またはガラス基板１６が撓んで、両者が接触したとしても、互いに固着することはない。従って、無機膜付き支持基板３０では、凸部２４ａの形成間隔（前述の無機膜１４の端部同士の間隔ｄに対応）は、２０μｍを超えて大きくしても、ガラス積層体２０を熱処理した際における支持基板１２とガラス基板１６との貼着を防止でき、良好な剥離性が得られる。
また、この無機膜付き支持基板３０において、凹部２４ｂにおける無機膜２４の厚さは、５〜３０ｎｍが好ましく、１０〜２０ｎｍが好ましい。
凹部２４ｂにおける無機膜２４の厚さを、上記範囲とすることにより、前記ガラス積層体２０を熱処理した際における支持基板１２とガラス基板１６との貼着をより確実に防止でき、より良好な剥離性が得られる等の点で好ましい。
以下、図３（Ａ）〜図３（Ｆ）を参照して、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示す無機膜付き支持基板１０を製造する、本発明の製造方法の一例を説明する。
まず、図３（Ａ）に示すように、支持基板１２を用意して、その表面に、図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示すように、マスクとなる樹脂膜３２を形成する。
この樹脂膜３２は、支持基板１２の表面に複数の非形成部が点在し、かつ、樹脂膜３２が支持基板１２の面方向に外部まで連続するように、形成される。図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示す例では、正方格子状のパターンで樹脂膜３２を形成している。
マスクとなる樹脂膜３２の形成方法は、樹脂膜３２の形成材料に応じた、公知の方法が各種利用可能である。一例として、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、インクジェット等の印刷を利用する方法が例示される。あるいは、フォトレジストやエッチングを行うフォトリソグラフィを用いて、マスクとなる樹脂膜３２を形成してもよい。
この樹脂膜３２は、支持基板１２の表面に複数の非形成部が点在し、かつ、樹脂膜３２が支持基板１２の面方向に外部まで連続するように、形成される。図３（Ｂ）および図３（Ｃ）に示す例では、正方格子状のパターンで樹脂膜３２を形成している。
マスクとなる樹脂膜３２の形成方法は、樹脂膜３２の形成材料に応じた、公知の方法が各種利用可能である。一例として、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、インクジェット等の印刷を利用する方法が例示される。あるいは、フォトレジストやエッチングを行うフォトリソグラフィを用いて、マスクとなる樹脂膜３２を形成してもよい。
なお、この樹脂膜３２の形成に先立ち、支持基板１２の全面に下地無機膜を形成することにより、図１（Ｄ）に示すような、厚い部分と薄い部分とからなる凹凸を有する全面的な無機膜２４を有する無機膜付き支持基板３０を作製できる。すなわち、この下地無機膜の厚さが、凹部２４ｂにおける無機膜２４の厚さとなる。
下地無機膜の形成材料は、無機膜１４と同じ無機物であっても、無機膜１４とは異なる無機物であってもよい。
また、下地無機膜の形成は、形成する無機膜１４となる膜３４と同様、形成材料に応じた公知の方法で行えばよい。
下地無機膜の形成材料は、無機膜１４と同じ無機物であっても、無機膜１４とは異なる無機物であってもよい。
また、下地無機膜の形成は、形成する無機膜１４となる膜３４と同様、形成材料に応じた公知の方法で行えばよい。
次いで、図３（Ｄ）に示すように、樹脂膜３２をマスクとして、無機膜１４となる膜３４を形成する。
膜３４の形成方法は、無機膜１４の形成材料に応じて、スパッタリング、真空蒸着（常温、高温）、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、ゾルゲル法などの塗布法等、目的とする膜を成膜できるものであれば、公知の各種の方法が利用可能である。
膜３４の形成方法は、無機膜１４の形成材料に応じて、スパッタリング、真空蒸着（常温、高温）、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、ゾルゲル法などの塗布法等、目的とする膜を成膜できるものであれば、公知の各種の方法が利用可能である。
次いで、樹脂膜３２を除去（リフトオフ）して無機膜１４を形成して、図３（Ｅ）に示すように、支持基板１２の表面に矩形の島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する。
樹脂膜３２の除去方法も、樹脂膜３２の形成材料に応じた、公知の方法が各種利用可能である。一例として、ウエットエッチング、純水等の液体とブラシとを用いる除去方法等が例示される。
また、必要に応じて、島状の無機膜１４を形成した後、無機膜１４（無機膜２４の凸部２４ａ）の表面を研磨してもよい。
樹脂膜３２の除去方法も、樹脂膜３２の形成材料に応じた、公知の方法が各種利用可能である。一例として、ウエットエッチング、純水等の液体とブラシとを用いる除去方法等が例示される。
また、必要に応じて、島状の無機膜１４を形成した後、無機膜１４（無機膜２４の凸部２４ａ）の表面を研磨してもよい。
さらに、図３（Ｆ）に示すように、無機膜付き支持基板１０の無機膜１４にガラス基板１６を積層して、密着させて、本発明のガラス積層体２０とする。
ガラス基板１６の積層および密着は、無機膜１４の形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、常圧環境下で無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより、無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とが、より良好な密着力で密着するので好ましい。また、ガラス基板１６の積層方法としては、真空ラミネート法や真空プレス法により圧着も、好適に利用可能である。
ガラス基板１６の積層および密着は、無機膜１４の形成材料等に応じて、公知の各種の方法が利用可能である。一例として、常圧環境下で無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とを重ねた後、ロールやプレスを用いて圧着させる方法が挙げられる。ロールやプレスで圧着することにより、無機膜付き支持基板１０とガラス基板１６とが、より良好な密着力で密着するので好ましい。また、ガラス基板１６の積層方法としては、真空ラミネート法や真空プレス法により圧着も、好適に利用可能である。
本発明の無機膜付き支持基板は、これ以外にも、各種の方法で形成可能である。一例として、フォトリソグラフィを利用する方法や、レーザによるパターニングを利用する方法が例示される。
これらの方法では、まず、支持基板１２の表面に無機膜１４となる無機物の膜を形成する。この膜の形成方法は、先と同様に公知の方法が各種利用可能である。
次いで、この無機物の膜をエッチングすることで、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する。
次いで、この無機物の膜をエッチングすることで、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する。
無機物の膜のエッチング方法は、無機物に応じた公知の各種の方法が利用可能である。
一例として、スピンコートやダイコート等によって、無機物の膜の表面にレジスト層を形成する。次いで、マスク露光等の公知の方法でレジスト層をパターン露光して、さらに現像を行って、レジストからなるマスクを形成する。次いで、ウエットエッチングあるいはドライエッチングによって、マスクを形成されていない部分の無機物の膜を除去して、支持基板１２の表面に点在する島状の無機膜１４を形成する。さらに、残ったレジスト層を除去して、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する方法が例示される。
また、無機物の膜を成膜した後、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、インクジェット等の印刷によってマスクを形成する。次いで、ウエットエッチングによって、マスクを形成されていない部分の無機物の膜を除去して、支持基板１２の表面に点在する島状の無機膜１４を形成する。さらに、残ったマスクを除去して、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する方法も例示される。
さらに、無機物の膜を成膜した後、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ等によるレーザ光によって膜をパターン露光して、アブレーション等によって余分な無機物の膜を除去することによって、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する方法も例示される。
一例として、スピンコートやダイコート等によって、無機物の膜の表面にレジスト層を形成する。次いで、マスク露光等の公知の方法でレジスト層をパターン露光して、さらに現像を行って、レジストからなるマスクを形成する。次いで、ウエットエッチングあるいはドライエッチングによって、マスクを形成されていない部分の無機物の膜を除去して、支持基板１２の表面に点在する島状の無機膜１４を形成する。さらに、残ったレジスト層を除去して、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する方法が例示される。
また、無機物の膜を成膜した後、スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、インクジェット等の印刷によってマスクを形成する。次いで、ウエットエッチングによって、マスクを形成されていない部分の無機物の膜を除去して、支持基板１２の表面に点在する島状の無機膜１４を形成する。さらに、残ったマスクを除去して、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する方法も例示される。
さらに、無機物の膜を成膜した後、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ等によるレーザ光によって膜をパターン露光して、アブレーション等によって余分な無機物の膜を除去することによって、支持基板１２の表面に島状の無機膜１４が点在する無機膜付き支持基板１０を作製する方法も例示される。
この製造方法においては、無機物の膜のエッチングの程度を調節することによって、図１（Ｄ）に示すような、厚い部分と薄い部分とからなる凹凸を有する全面的な無機膜２４を有する無機膜付き支持基板３０を作製できる。
このような本発明の無機膜付きガラス基板およびガラス積層体は、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、シャッターパネル等の電子デバイスの製造に、好適に利用される。
これらの電子デバイスは、本発明の製造方法で製造できる。
本発明の電子デバイスの製造方法は、本発明のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法である。本発明の電子デバイスの製造方法は、一例として、本発明の製造方法でガラス積層体を製造し、このガラス基板の表面に、ＬＣＤやＯＬＥＤ等を構成する電子デバイス用部材を形成し、この電子デバイス用部材を形成してなるガラス積層体から、無機膜付き支持基板を剥離し、ガラス基板と電子デバイス用部品とを有する電子デバイスを製造する。
なお、このような本発明の電子デバイスの製造方法において電子デバイス用部材は、製造する電子デバイスに応じた部材を、製造する電子デバイスに応じた公知の方法で形成すればよい。
本発明の電子デバイスの製造方法は、本発明のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法である。本発明の電子デバイスの製造方法は、一例として、本発明の製造方法でガラス積層体を製造し、このガラス基板の表面に、ＬＣＤやＯＬＥＤ等を構成する電子デバイス用部材を形成し、この電子デバイス用部材を形成してなるガラス積層体から、無機膜付き支持基板を剥離し、ガラス基板と電子デバイス用部品とを有する電子デバイスを製造する。
なお、このような本発明の電子デバイスの製造方法において電子デバイス用部材は、製造する電子デバイスに応じた部材を、製造する電子デバイスに応じた公知の方法で形成すればよい。
以上、本発明の無機膜付き支持基板およびガラス積層体、ならびに、その製造方法および電子デバイスの製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行っても良いのは、もちろんである。
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明を、より詳細に説明する。
［実施例１］
支持基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス基板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この支持基板の表面全面に、スクリーン印刷によってセルロース溶液を塗布して、線幅が１８μｍで、線間（中心の間隔）が４８μｍの正方格子状のパターンを形成した。さらに、このパターンをオーブンで乾燥させて、正方格子状のマスクを形成した。
［実施例１］
支持基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス基板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この支持基板の表面全面に、スクリーン印刷によってセルロース溶液を塗布して、線幅が１８μｍで、線間（中心の間隔）が４８μｍの正方格子状のパターンを形成した。さらに、このパターンをオーブンで乾燥させて、正方格子状のマスクを形成した。
酸化インジウム(In2O3)９０質量％−酸化スズ(SnO2)１０質量％のターゲットを用いるスパッタリングによって、支持基板の表面に、マスク越しに無機膜１４となる酸化インジウム錫を３０ｎｍ、成膜した。
次いで、純水およびブラシを用いる除去、ならびに、超音波洗浄によって、マスクを除去（リフトオフ）して、厚さが３０ｎｍで１辺が３０μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１８μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した(島部（１個の島状の無機膜）の面積９００μｍ2、無機膜の面積率３９％）。
次いで、純水およびブラシを用いる除去、ならびに、超音波洗浄によって、マスクを除去（リフトオフ）して、厚さが３０ｎｍで１辺が３０μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１８μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した(島部（１個の島状の無機膜）の面積９００μｍ2、無機膜の面積率３９％）。
ガラス基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．２ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス基板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。また、無機膜付き支持基板とガラス基板とは、容易に剥離できた。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に泡は発生しなかった。熱処理後に無機膜付き支持基板とガラス基板とを剥離したところ、熱処理前とほぼ同じ力で、綺麗に剥離できた。
［実施例２］
支持基板として、実施例１と同じガラス基板を用意した。
この支持基板の表面全面に、酸化インジウム(In2O3)８０質量％−酸化セリウム(CeO2)２０質量％のターゲットを用いるスパッタリングによって、酸化インジウムセリウム（以下、ＩＣＯとも言う）の膜を３０ｎｍ、成膜した。
支持基板として、実施例１と同じガラス基板を用意した。
この支持基板の表面全面に、酸化インジウム(In2O3)８０質量％−酸化セリウム(CeO2)２０質量％のターゲットを用いるスパッタリングによって、酸化インジウムセリウム（以下、ＩＣＯとも言う）の膜を３０ｎｍ、成膜した。
次いで、フォトレジストおよび露光を用いる通常のフォトグラフィ法によって、一辺が２０μｍの正方形が、端部の間隔（エッジ間距離）１０μｍの等間隔で直交する２次元方向に配列する、非形成部が正方格子状となるマスクパターンを形成した。
次いで、塩化第二鉄と硝酸との混合液を用いて、ＩＣＯ膜を２０秒、エッチングした。
次いで、塩化第二鉄と硝酸との混合液を用いて、ＩＣＯ膜を２０秒、エッチングした。
ＩＣＯ膜のエッチングを終了した後、残ったマスク（フォトレジスト）を除去し、洗浄して、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された、無機膜付き支持基板を作製した。
作製した無機膜付き支持基板における、支持基板に対する無機膜の面積率を、光学顕微鏡を用いて測定した。その結果、島部の面積は２５６μｍ2（１辺１６μｍ）、無機膜の面積率は２８％であった。
作製した無機膜付き支持基板における、支持基板に対する無機膜の面積率を、光学顕微鏡を用いて測定した。その結果、島部の面積は２５６μｍ2（１辺１６μｍ）、無機膜の面積率は２８％であった。
［実施例３］
ＩＣＯ膜のエッチングを６０秒とした以外は、実施例２と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１６９μｍ2（１辺１３μｍ）、無機膜の面積率は１９％であった。
［実施例４］
ＩＣＯ膜のエッチングを９０秒とした以外は、実施例２と同様にしてＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１２１μｍ2（１辺１１μｍ）、無機膜の面積率は１３％であった。
［実施例５］
ＩＣＯ膜のエッチングを１２０秒とした以外は、実施例２と同様にしてＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は４９μｍ2（１辺７μｍ）、無機膜の面積率は５％であった。
ＩＣＯ膜のエッチングを６０秒とした以外は、実施例２と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１６９μｍ2（１辺１３μｍ）、無機膜の面積率は１９％であった。
［実施例４］
ＩＣＯ膜のエッチングを９０秒とした以外は、実施例２と同様にしてＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１２１μｍ2（１辺１１μｍ）、無機膜の面積率は１３％であった。
［実施例５］
ＩＣＯ膜のエッチングを１２０秒とした以外は、実施例２と同様にしてＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は４９μｍ2（１辺７μｍ）、無機膜の面積率は５％であった。
［実施例６］
スパッタリングのターゲットとして、酸化インジウム(In2O3)７０質量％−酸化セリウム(CeO2)３０質量％のターゲットを用いてＩＣＯ膜を成膜した以外は、実施例２と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した（ＩＣＯ膜のエッチング時間は２０秒）。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は３６１μｍ2（１辺１９μｍ）、無機膜の面積率は４０％であった。
［実施例７］
ＩＣＯ膜のエッチングを６０秒とした以外は、実施例６と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１４４μｍ2（１辺１２μｍ）無機膜の面積率は１６％であった。
［実施例８］
ＩＣＯ膜のエッチングを９０秒とした以外は、実施例６と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１００μｍ2（１辺１０μｍ）無機膜の面積率は１１％であった。
［実施例９］
ＩＣＯ膜のエッチングを１２０秒とした以外は、実施例６と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は９μｍ2（１辺３μｍ）無機膜の面積率は１％であった。
スパッタリングのターゲットとして、酸化インジウム(In2O3)７０質量％−酸化セリウム(CeO2)３０質量％のターゲットを用いてＩＣＯ膜を成膜した以外は、実施例２と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した（ＩＣＯ膜のエッチング時間は２０秒）。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は３６１μｍ2（１辺１９μｍ）、無機膜の面積率は４０％であった。
［実施例７］
ＩＣＯ膜のエッチングを６０秒とした以外は、実施例６と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１４４μｍ2（１辺１２μｍ）無機膜の面積率は１６％であった。
［実施例８］
ＩＣＯ膜のエッチングを９０秒とした以外は、実施例６と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は１００μｍ2（１辺１０μｍ）無機膜の面積率は１１％であった。
［実施例９］
ＩＣＯ膜のエッチングを１２０秒とした以外は、実施例６と同様にして、ＩＣＯからなる略正方形の無機膜が直交する二次元方向に等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した。
実施例２と同様に支持基板に対する無機膜の面積率を測定したところ、島部の面積は９μｍ2（１辺３μｍ）無機膜の面積率は１％であった。
［評価］
実施例２〜９の無機膜付き支持基板について、ガラス基板として、実施例１と同じガラス基板を用いて、積層性および泡の発生を評価した。
実施例２〜９の無機膜付き支持基板について、ガラス基板として、実施例１と同じガラス基板を用いて、積層性および泡の発生を評価した。
＜積層性＞
まず、作製した無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜形成面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。また、ガラス積層体の剥離性も確認した。
このガラス積層体において、無機膜付き支持基板とガラス基板とが良好に密着し、内部に泡も発生しなかった場合を、積層性が『〇』；
無機膜付き支持基板とガラス基板とが十分に密着しない場合、および／または、無機膜とガラス基板との間に泡が発生した場合を、積層性が『×』と評価した。
まず、作製した無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜形成面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。また、ガラス積層体の剥離性も確認した。
このガラス積層体において、無機膜付き支持基板とガラス基板とが良好に密着し、内部に泡も発生しなかった場合を、積層性が『〇』；
無機膜付き支持基板とガラス基板とが十分に密着しない場合、および／または、無機膜とガラス基板との間に泡が発生した場合を、積層性が『×』と評価した。
＜泡の発生＞
次いで、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。
熱処理後に、ガラス積層体を確認して、ガラス積層体の内部に泡が認められなかった場合を、泡の発生が『〇』；
ガラス積層体の内部に泡が認められた場合を、泡の発生が『×』； と評価した。
結果を、下記の表に示す。
次いで、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。
熱処理後に、ガラス積層体を確認して、ガラス積層体の内部に泡が認められなかった場合を、泡の発生が『〇』；
ガラス積層体の内部に泡が認められた場合を、泡の発生が『×』； と評価した。
結果を、下記の表に示す。
［実施例１０］
支持基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス基板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この支持基板の表面全面に、スクリーン印刷によってセルロース溶液を塗布して、線幅が１７μｍで、線間（中心の間隔）が１００μｍの正方格子状のパターンを形成した。さらに、このパターンをオーブンで乾燥させて、正方格子状のマスクを形成した。
酸化インジウム(In2O3)８０質量％−酸化セリウム(CeO2)２０質量％のターゲットを用いるスパッタリングによって、支持基板の表面に、マスク越しに無機膜１４となるＩＣＯを２０ｎｍ、成膜した。
次いで、純水およびブラシを用いる除去、ならびに、超音波洗浄によって、マスクを除去（リフトオフ）して、厚さが２０ｎｍで１辺が８３μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１７μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した(島部の面積６８８９μｍ2、無機膜の面積率６９％）。
支持基板として、３００×３００ｍｍで厚さ０．５ｍｍの無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス基板（旭硝子社製 ＡＮ１００）を用意した。
この支持基板の表面全面に、スクリーン印刷によってセルロース溶液を塗布して、線幅が１７μｍで、線間（中心の間隔）が１００μｍの正方格子状のパターンを形成した。さらに、このパターンをオーブンで乾燥させて、正方格子状のマスクを形成した。
酸化インジウム(In2O3)８０質量％−酸化セリウム(CeO2)２０質量％のターゲットを用いるスパッタリングによって、支持基板の表面に、マスク越しに無機膜１４となるＩＣＯを２０ｎｍ、成膜した。
次いで、純水およびブラシを用いる除去、ならびに、超音波洗浄によって、マスクを除去（リフトオフ）して、厚さが２０ｎｍで１辺が８３μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１７μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板を作製した(島部の面積６８８９μｍ2、無機膜の面積率６９％）。
［実施例１１］
正方格子状のマスクパターンを、線幅が１０μｍで線間が５０μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が４０μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１０μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積１６００μｍ2、無機膜の面積率６４％）。
［実施例１２］
正方格子状のマスクパターンを、線幅が１０μｍで線間が３０μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が２０μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１０μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積４００μｍ2、無機膜の面積率４４％）。
［実施例１３］
正方格子状のマスクパターンを、線幅が１５μｍで線間が１００μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が８５μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１５μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積７２２５μｍ2、無機膜の面積率７２％）。
正方格子状のマスクパターンを、線幅が１０μｍで線間が５０μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が４０μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１０μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積１６００μｍ2、無機膜の面積率６４％）。
［実施例１２］
正方格子状のマスクパターンを、線幅が１０μｍで線間が３０μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が２０μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１０μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積４００μｍ2、無機膜の面積率４４％）。
［実施例１３］
正方格子状のマスクパターンを、線幅が１５μｍで線間が１００μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が８５μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に１５μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積７２２５μｍ2、無機膜の面積率７２％）。
［実施例１４］
ＩＣＯからなる無機膜の厚さを３０ｎｍとし、正方格子状のマスクパターンを、線幅が３６μｍで線間が１００μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が６４μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に３６μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積４０９６μｍ2、無機膜の面積率４１％）。
［実施例１５］
ＩＣＯからなる無機膜の厚さを３０ｎｍとし、正方格子状のマスクパターンを、線幅が４４μｍで線間が１００μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が５６μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に４４μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積３１３６μｍ2、無機膜の面積率３１％）。
ＩＣＯからなる無機膜の厚さを３０ｎｍとし、正方格子状のマスクパターンを、線幅が３６μｍで線間が１００μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が６４μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に３６μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積４０９６μｍ2、無機膜の面積率４１％）。
［実施例１５］
ＩＣＯからなる無機膜の厚さを３０ｎｍとし、正方格子状のマスクパターンを、線幅が４４μｍで線間が１００μｍのものとした以外は、実施例１０と同様に無機膜付き支持基板を作製した。
従って、本例は、１辺が５６μｍの正方形の無機膜が、直交する二次元方向に４４μｍの等間隔で配列された無機膜付き支持基板である（島部の面積３１３６μｍ2、無機膜の面積率３１％）。
［評価］
実施例１０〜１５の無機膜付き支持基板について、ガラス基板として、実施例１と同じガラス基板を用いて、実施例２〜９と同様に、積層性および泡の発生を評価した。
結果を、下記の表に示す。
実施例１０〜１５の無機膜付き支持基板について、ガラス基板として、実施例１と同じガラス基板を用いて、実施例２〜９と同様に、積層性および泡の発生を評価した。
結果を、下記の表に示す。
［比較例１］
支持基板として、実施例１と同じガラス基板を用意した。
この支持基板の表面全面に、実施例２と同じターゲットを用いて、ＩＣＯの膜を２０ｎｍ成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
ガラス基板として、実施例１と同じガラス基板を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に多数の泡が発生した。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
支持基板として、実施例１と同じガラス基板を用意した。
この支持基板の表面全面に、実施例２と同じターゲットを用いて、ＩＣＯの膜を２０ｎｍ成膜して、無機膜付き支持基板を作製した。
ガラス基板として、実施例１と同じガラス基板を用意した。
この無機膜付き支持基板およびガラス基板を、良く洗浄した後、無機膜面を当接して両者を積層して、ガラス積層体とした。このガラス積層体においては、無機膜付き支持基板とガラス基板とは良好に密着し、泡も発生しなかった。
さらに、ガラス積層体を１００×２００ｍｍに切断して、再度、洗浄し、６００℃で１時間の熱処理を行った。熱処理後に、ガラス積層体を確認したところ、内部に多数の泡が発生した。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
各種の電子デバイスの製造等に好適に利用可能である。
１０，３０ 無機膜付き支持基板
１２ 支持基板
１４，２４ 無機膜
１６ ガラス基板
３２ 樹脂膜
３４ 膜
１２ 支持基板
１４，２４ 無機膜
１６ ガラス基板
３２ 樹脂膜
３４ 膜
Claims (17)
- 支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有し、
前記無機膜は、前記支持基板上に点在する複数の島部からなることを特徴とする無機膜付き支持基板。 - 前記島部の高さが４０ｎｍ以下である請求項１に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記島部は、端部の間隔で２０μｍ以内の位置に、他の島部が形成される請求項１または２に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記島部の面積が０．１〜１００００μｍ2である請求項１〜３のいずれかに記載の無機膜付き支持基板。
- 前記島部は、前記支持基板に対する面積率が１１〜８０％である請求項１〜４のいずれかに記載の無機膜付き支持基板。
- 支持基板と、前記支持基板上に形成された無機膜とを有し、
前記無機膜は、厚い部分と薄い部分とからなる複数の凹凸を有し、かつ、前記薄い部分からなる凹部が、前記支持基板の面方向に外部までつながっていることを特徴とする無機膜付き支持基板。 - 前記凹凸の高さの差が４０ｎｍ以下である請求項６に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記凸部は、端部の間隔で２０μｍ以内の位置に、他の凸部が形成される請求項６または７に記載の無機膜付き支持基板。
- 前記凸部の面積が０．１〜１００００μｍ2である請求項６〜８のいずれかに記載の無機膜付き支持基板。
- 前記凸部は、前記支持基板に対する面積率が１１〜８０％である請求項６〜９のいずれかに記載の無機膜付き支持基板。
- 請求項１〜１０のいずれかに記載の無機膜付き支持基板の無機膜に、ガラス基板を積層したガラス積層体。
- 支持基板の表面に無機物からなる膜を形成し、この膜をエッチングすることにより、前記支持基板上に点在する複数の島部からなる無機膜を形成することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法。
- 支持基板の表面に無機物からなる膜を形成し、この膜をエッチングすることにより、厚い部分と薄い部分とからなる複数の凹凸を形成することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法。
- 支持基板の表面に、複数の非形成部が点在する樹脂膜を形成し、この樹脂膜をマスクとして前記樹脂膜上に無機膜を成膜し、その後、前記樹脂膜を除去することを特徴とする無機膜付き支持基板の製造方法。
- 前記樹脂膜の成膜に先立ち、前記支持基板の表面に、下地無機膜を成膜する請求項１４に記載の無機膜付き支持基板の製造方法。
- 請求項１２〜１５のいずれかに記載の製造方法によって無機膜付き支持基板を形成した後、無機膜にガラス基板を積層するガラス積層体の製造方法。
- 請求項１６に記載のガラス積層体の製造方法を用いた電子デバイスの製造方法。
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| KR20210080872A (ko) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | 주식회사 현대케피코 | 연료 인젝터용 부품과 그 코팅 방법 |
| KR102299470B1 (ko) | 2019-12-23 | 2021-09-08 | 주식회사 현대케피코 | 연료 인젝터용 부품과 그 코팅 방법 |
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| TW201609429A (zh) | 2016-03-16 |
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