JP3752861B2 - 含フッ素樹脂フィルムおよび積層体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、含フッ素樹脂フィルムならびにそれを用いた積層体および太陽電池モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】
含フッ素樹脂フィルムは、非粘着性、耐汚染性、透明性、耐薬品性、耐候性、耐熱性、耐久性、透明性等に優れる。これらの長所を生かして、含フッ素樹脂フィルムは、外装材、内装材、床材、コピーボード、壁紙、屋根材、ガスコンロ天板、ガスレンジフード等の表面保護フィルム、太陽電池カバー等に広く用いられている。
ところが、含フッ素樹脂フィルムを外装材、屋根材、看板、広告板等の表面材や太陽電池カバーに用いる場合は、長期間外気にさらされると、他の樹脂に比べて全体として耐防汚性に優れ、汚れが着きにくいにもかかわらず、空気中の汚染物質を含んだ雨滴が一定の流れ道を通るようになり、この流れ道が雨すじとなり、顕著な汚れとして外観を損なうという、いわゆる「雨すじ汚れ」の問題がある。特に、外装材としてかなりの表面積がある場合は、「雨すじ汚れ」が目立ち、美観を損ない非常にやっかいな問題となっている。また、外気中の埃が付着することによる汚れもある。これらの汚れは水洗等のクリーニングにより容易に落ちるものではあるが、外装材、屋根材、看板、広告板、太陽電池カバー等のクリーニングを行わない用途にこれらの含フッ素樹脂フィルムを用いるのは問題があった。
更に、1〜3年単位という長時間の屋外暴露になると、雨すじ汚れ等の汚れが原因となり、全体の透明度が落ちるという問題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、耐候性、防汚性等に優れ、接着層(接着性を有する基体自体を含む。以下同じ。)との密着性が高く、長期間に渡って透明性を損なわない含フッ素樹脂フィルムならびにそれを用いた積層体および太陽電池モジュールを提供することを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一方の表面にSiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成され、他方の表面に下記いずれかの処理がなされている含フッ素樹脂フィルム;
(1)SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜を乾式法により形成する処理、
(2)空気中でのコロナ放電処理、
(3)不活性ガスを主成分とするガス中での大気圧放電処理、
(4)真空下プラズマ処理
を提供する。
【0005】
また、本発明は、前記含フッ素樹脂フィルムを、前記SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成された一方の表面を外表面として基体上に積層してなる積層体を提供する。
【0006】
更に、本発明は、補強板と含フッ素樹脂フィルムとの間に太陽電池素子をエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を主成分とする樹脂で充填した太陽電池モジュールにおいて、該含フッ素樹脂フィルムが前記本発明の含フッ素樹脂フィルムであって、前記SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成された表面を外表面とする太陽電池モジュールを提供する。
【0007】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明の含フッ素樹脂フィルムに用いられる含フッ素樹脂は、樹脂の分子構造式中にフッ素を含有する熱可塑性樹脂であれば特に限定されず、公知の各種の含フッ素系樹脂が使用可能である。例えば、テトラフルオロエチレン系樹脂、クロロトリフルオロエチレン系樹脂、フッ化ビニリデン系樹脂、フッ化ビニル系樹脂、またはこれら樹脂の複合物が挙げられる。中でも、特に耐候性、防汚性等の点から、テトラフルオロエチレン系樹脂が好ましい。
【0008】
テトラフルオロエチレン系樹脂としては、例えば、テトラフルオロエチレン樹脂(PTFE)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロ(アルコキシエチレン)共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン・パーフルオロ(アルコキシエチレン)共重合体(EPE)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体(ETFE)、エチレン・トリクロロフルオロエチレン共重合体(ETCFE)が挙げられる。
これらのうち、PFA、ETFE、FEP、ETCFEが好ましく、特に、コスト、機械的強度、スパッタ成膜性等の点からETFEが好ましい。ETFEは、エチレンおよびテトラフルオロエチレンを主体とするものであって、必要に応じ、少量のコモノマー成分を共重合させたものであってもよい。
【0009】
コモノマー成分としては、テトラフルオロエチレンおよびエチレンと共重合可能なモノマー、例えば、CF2 =CFCl、CF2 =CH2 等の含フッ素エチレン類;CF2 =CFCF3 、CF2 =CHCF3 等の含フッ素プロピレン類;CH2 =CHC2 F5 、CH2 =CHC4 F9 、CH2 =CFC4 F9 、CH2 =CF(CF2 )3 H等のフルオロアルキル基の炭素数が2〜10の含フッ素アルキルエチレン類;CF2 =CFO(CF2 CFXO)m Rf (式中Rf は炭素数1〜6のパーフルオロアルキル基、Xはフッ素原子またはトリフルオロメチル基、mは1〜5の整数を示す)等のパーフルオロ(アルキルビニルエーテル)類;CF2 =CFOCF2 CF2 CF2 COOCH3 やCF2 =CFOCF2 CF(CF3 )OCF2 CF2 SO2 F等の容易にカルボン酸基やスルホン酸基に変換可能な基を有するビニルエーテル類等の化合物が挙げられる。
【0010】
ETFE中のエチレン/テトラフルオロエチレンのモル比は、40/60〜70/30であるのが好ましく、40/60〜60/40であるのがより好ましい。また、コモノマー成分の含有量は、全モノマーに対して0.3〜10モル%であるのが好ましく、0.3〜5モル%であるのがより好ましい。
クロロトリフルオロエチレン系樹脂としては、例えば、クロロトリフルオロエチレンホモポリマー(CTFE)、エチレン・クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)が挙げられる。
【0011】
本発明においては、上記の含フッ素樹脂を主成分とし、他の熱可塑性樹脂を含有した混合系の樹脂も好適に用いられる。
熱硬化性樹脂としては、例えば、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、フラン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリパラバン酸樹脂が挙げられる。
【0012】
本発明の含フッ素樹脂フィルムは、一方の表面にSiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成されている。
【0013】
本発明の含フッ素樹脂フィルムは、一方の表面に上記薄膜を有することにより、「雨すじ汚れ」が1〜3年の長期間に渡ってほとんど見られない。
【0014】
薄膜は、SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなるものであれば特に限定されない。
【0015】
中でも、より高い効果が得られることから、少なくともSiを含む金属の酸化物からなる薄膜であることが好ましい。
少なくともSiを含む金属の酸化物は、例えば、SiO2 、SiとZrとの酸化物、SiとTiとの酸化物、SiとTaとの酸化物、SiとNbとの酸化物、SiとSnとの酸化物、SiとZnとの酸化物、SiとSnとTiとの酸化物等を主成分とする酸化物が挙げられる。
【0016】
少なくともSiを含む金属の酸化物の中でも、効果の持続性、含フッ素樹脂フィルムとの密着性、生産性等の観点から、SiとSnとの酸化物、SiとZrとの酸化物、SiとTiとの酸化物を主成分とする酸化物が好ましく、特に、SiとSnとの酸化物を主成分とする酸化物が好ましい。
【0017】
また、光触媒活性を有する点で、TiO2 を主成分とする酸化物も好適に用いられる。
【0018】
本発明における薄膜の膜厚は、各種性能発現の観点から、3nm以上であることが好ましい。また、光透過性の維持、含フッ素樹脂フィルム基体の可撓性の維持および含フッ素樹脂フィルム基体との密着性との観点から、100nm以下であるのが好ましく、30nm以下であるのがより好ましい。
【0019】
本発明における薄膜が少なくともSiを含む場合におけるSiの含有率は、全金属に対して、Siが20〜80原子%であるのが好ましく、30〜80原子%であるのがより好ましい。上記範囲とすると、▲1▼含有Siの作用により、酸化物膜の屈折率が適当に小さくでき、所望の色調を有する含フッ素樹脂フィルムが得られる、▲2▼Si以外の金属成分の作用により、薄膜を薄くしても前記した各種性能が発現される、▲3▼成膜法として直流スパッタリング法を用いた場合に、薄膜と同様の前記組成範囲の合金ターゲットを用いることで、アーキングが防止される等の効果が得られる。
一方、合金ターゲットを用いる場合に、Siの含有率が大きくなると、成膜速度が低下する傾向にあるので、生産性の観点からは、Siは70原子%以下であるのが好ましい。
【0020】
本発明における薄膜を形成する方法は、乾式法であれば特に限定されない。乾式法は、湿式法に比べて膜が均一にでき、成膜された膜は含フッ素樹脂フィルム基体との密着性が高い。
乾式法とは、物理蒸着法または化学蒸着法をさし、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、イオンプレーティング法が挙げられる。特に、スパッタリング法は、生産性に優れ、工業的に幅広く使われているとともに、非常に緻密で、かつ、含フッ素樹脂フィルムとの密着性が高い膜が均一な膜厚で得られるので好ましい。
【0021】
スパッタリング法としては、直流スパッタリング法および高周波スパッタリング法のいずれも使用できる。大面積の含フッ素樹脂フィルム基体に、大きな成膜速度で、効率よく成膜できる等の生産性に優れる点で、直流スパッタリング法が好ましい。
【0022】
SiとSnとの酸化物を主成分とする薄膜の例として、SiとSnとの酸化物からなる薄膜が挙げられる。SiとSnとの酸化物からなる薄膜については、SiとSnとの混合物ターゲットを用い、酸素含有雰囲気中での反応性スパッタリング法により成膜して得られる。SiとSnとの混合物ターゲットを用いることにより、Siターゲットを用いる場合と異なり、ターゲットの導電性が向上することなどから、Siターゲットでは使用できなかった直流スパッタリング法の使用が可能となり、成膜速度を大きくすることができる。この際、間欠的な負の直流電圧をターゲットに印加する方法により、成膜時のアーキング発生を効果的に抑制し、投入電力を増大させ、さらに大きな成膜速度を長時間維持することが可能である。
【0023】
具体的なスパッタリング条件は、装置の種類、ターゲット組成等の諸条件によって変動するので適宜選択すればよいが、一般的には1×10-5〜1×10-4Torrまで真空排気後、アルゴンと酸素を25:75〜0:100の流量比で容器内に導入し、スパッタリングガス圧を1×10-3〜10×10-3Torr、電力密度0.5〜5W/cm2 で行うのが好ましく、この場合の成膜速度は、SiとSnの組成比によっても異なるが、Siが50原子%の場合、およそ120nm/分である。
【0024】
その他の、Zr、Ti、Ta、Hf、Mo、W、Nb、In、Al、CrおよびZnからなる群から選ばれる一種以上の金属とSiとからなるターゲットを用いた場合でもSi−Sn系と同様の効果が得られるが、Si−Sn系の金属ターゲットを用いた場合は、スパッタリングによる成膜速度が最も大きく、最も生産性に優れる。
【0025】
前記SiとSnとからなるターゲットは、混合物の状態のものでも、合金の状態のものでも用いうる。例えば、SiとSnと混合物ターゲットは、SiとSnとの混合物をCIP法(冷間等方プレス法)あるいは温間プレス(Snの融点直下の温度で金型成形プレス)で成形して得ることができる。
【0026】
本発明の含フッ素樹脂フィルムは、上述の金属酸化膜が形成されている面の反対側の面に、下記いずれかの処理がなされている。
(1)酸化物膜処理
(2)空気中でのコロナ放電処理
(3)不活性ガスを主成分とするガス中での大気圧放電処理
(4)真空下プラズマ処理
【0027】
上記の特定の処理面を有することにより、本発明の含フッ素樹脂フィルムは、長期間に渡って接着層との密着性が損なわれず耐久性に優れるとともに、透明度を高く保持することができる。
【0028】
以下、それぞれの処理について説明する。
(1)酸化物膜処理
酸化物膜処理は、SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜を乾式法により形成する処理である。即ち、本発明の含フッ素樹脂フィルムは、その両面がSiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成されているものであってもよい。
【0029】
酸化物膜処理を行うと、含フッ素樹脂フィルムをエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)、熱可塑性ウレタン樹脂、飽和ポリエステル樹脂に代表されるホットメルト系接着剤、またはエポキシ樹脂に代表される熱硬化型接着剤に対する密着性を極めて優れたものにすることができるが、この処理が行われる面で含フッ素樹脂フィルムの曲げ加工等における追従性を下げるので、曲げ曲率が高くなるような成形物よりは平面状の成形物に用いるのが好ましい。この点、上述の一方の表面での金属酸化物処理は、この面が平面性の高い外表面に用いられるのでこのような問題がない。
【0030】
酸化物膜処理は、上述の一方の表面と同様に行うことができ、用いられる酸化物の種類や形成方法は上述した通りである。ただし、膜厚は、密着性確保の観点から、0.5nm以上であることが好ましい。また、光透過性の維持、含フッ素樹脂フィルム基体の可撓性の維持および接着層との密着性との観点から、膜厚は、30nm以下であるのが好ましく、10nm以下であるのがより好ましい。
【0031】
(2)空気中でのコロナ放電処理
空気中でのコロナ放電処理は、特公昭60−16345号公報、特開昭63−9533号公報等に記載されているような一般的な空気中でのコロナ放電処理を用いることができる。
空気中でのコロナ放電処理は、接着層との密着性の点で、前記(1)酸化物膜処理より効果が劣るが、曲げ加工における追従性の高い含フッ素樹脂フィルムが得られる。
【0032】
(3)不活性ガスを主成分とするガス中での大気圧放電処理
不活性ガスを主成分とするガスは、不活性ガスを含有しているガスであれば特に限定されないが、不活性ガス、重合性不飽和化合物ガスおよび炭素酸化物ガスの混合ガスであるのが好ましい。
不活性ガスの役割は、放電を安定化させ、含フッ素樹脂フィルム基体のごく表面に存在する劣化物を取り除き、かつポリマー主鎖の切断を抑えて含フッ素樹脂フィルム基体表面を活性化させ、重合性不飽和化合物ガスおよび炭素酸化物ガスによる反応を引き起こすことである。
不活性ガスは、例えば、ヘリウムガス、アルゴンガス、ネオンガス、クリプトンガス、キセノンガス、ラドンガスが挙げられる。中でも、ヘリウムガス、アルゴンガスが好ましく、アルゴンガスがより好ましい。
重合性不飽和化合物ガスは、例えば、エチレンガス、プロピレンガス等の二重結合を有する化合物ガスが挙げられる。中でも、エチレンガスが好ましい。
炭素酸化物ガスは、表面重合物に効果的に酸素官能基を導入する役割を持つ。炭素酸化物ガスは、例えば、炭酸ガス、一酸化炭素が挙げられる。中でも、ETFEに強固に密着する表面反応物が得られるので、炭酸ガスが好ましい。
不活性ガスを主成分とするガスとして最も好ましいのは、アルゴンガス、エチレンガスおよび炭酸ガスの混合ガスである。
また、不活性ガスを主成分とするガスの組成としては、不活性ガス100モルに対して、重合性不飽和化合物ガスは1〜15モル、炭素酸化物ガスは1〜20モルであるのが好ましく、不活性ガス100モルに対して、重合性不飽和化合物ガスは3〜10モル、炭素酸化物ガスは1〜12モルであるのがより好ましい。不活性ガスに対する重合性不飽和化合物ガスと炭素酸化物ガスの量が多くなると、初期放電電圧が高くなり、放電処理しにくくなる。また、この雰囲気下に、空気が混入した場合、放電しにくくなるため、空気の混入を避ける必要がある。
【0033】
放電処理に用いる不活性ガスを主成分とするガスとして、▲1▼不活性ガスのみ、▲2▼不活性ガスと重合性不飽和化合物ガスの混合ガス、または▲3▼不活性ガスと炭素酸化物ガスの混合ガスを用いる場合には、不活性ガス、重合性不飽和化合物ガスおよび炭素酸化物ガスの混合ガスを用いる場合と比べて、接着層との密着性が多少劣るものの、用途等によってはこれらのガスも好適に用いることができる。
【0034】
放電処理の方法としては、コロナ放電(火花放電)、プラズマ放電、グロー放電などの形態が適用できる。いずれも、ガス雰囲気中に処理表面を曝し、電極間に3kHz〜40kHzの高周波電圧を印加することにより放電処理する。放電の形態は不活性ガスを主成分とするガスの組成により異なり、上述したように不活性ガスに対する重合性不飽和化合物ガスと炭素酸化物ガスの量が多くなるとプラズマ放電またはグロー放電から、コロナ放電(火花放電)に変わる。
放電処理時の圧力は、大気圧である。本発明において、大気圧とは、0.9〜1.1kg/cm2 をさす。大気圧下においては、不活性ガスを主成分とするガスはガス状に維持される。本処理は、大気圧下で行う表面処理であるため、高価な装置を必要としない点で好ましい。
放電処理時の温度は、特に制限ないが、通常10〜80℃の範囲であればよく、好ましくは25〜60℃の範囲である。
また、放電処理の電力は、100〜1500W・min/m2 が好ましく、特に表面処理された成形物が他のフィルムと溶剤型接着剤によりドライラミネートされるような場合には、接着剤が表面を濡らす必要性から300W・min/m2 以上の電力で放電処理を行い水接触角を90°以下、またはJIS K6768に規定されているぬれ試験方法による表面張力で34dyn/cm以上に濡れ性を高めておくとよい。なお、2000W・min/m2 以上の電力による放電処理では、表面処理層が厚くなり、含フッ素樹脂フィルム基体から剥離しやすくなり、好ましくない。
【0035】
本処理、特に不活性ガス、重合性不飽和化合物ガスおよび炭素酸化物ガスの混合ガス中での大気圧放電処理は、前記(1)酸化物膜処理と同様に接着層との密着性に優れ、更に、曲げに対する追従性にも極めて優れる。
【0036】
(4)真空下プラズマ処理
含フッ素樹脂フィルムに真空下プラズマ処理を行うと、処理面には水酸基やカルボニル基のような極性基が存在し、処理面の表面粗さRa が未処理のETFEの表面粗さRa 以下となり、含フッ素樹脂フィルム表面に弱い結合力で付着している弱結合力層の量が少なくなる。
【0037】
処理面の表面粗さRa が未処理の含フッ素樹脂フィルムの表面粗さRa 以下であると、極めて良好な接着力を発現する。処理面は、顕著な凹凸がない状態(コーン状突起物等が生成していない状態)であるのが好ましい。特に、未処理状態における結晶構造が処理後も損なわれていないのが好ましい。本発明における表面粗さは、JIS B0601の規定により定義される算術平均表面粗さRa に代表して表される。特に、Ra が10nm以下であるのが、接着力および密着力の点で好ましい。
【0038】
弱結合力層は、主として、ポリマーが切断され生成したオリゴマーで構成されている。含フッ素樹脂フィルム表面には、弱結合力層(weak boundary layer、以下「WBL」という。)が存在し、このWBLの存在が接着性や密着性に大きく影響を与える。このようなWBLは、含フッ素樹脂フィルム基体と弱い力で付着しているにすぎず、接着性や密着性を阻害するものであり、WBL量が少ないことが優れた接着力および密着力を与えるために必要である。
【0039】
上述したような効果を与える真空下プラズマ処理のうち、好ましいものとして、RFボンバード処理が挙げられる。減圧下において、対向する電極間に高周波(RF)電圧を印加してRF放電を起こさせると、電極間の空間に希薄気体のプラズマが生じる。プラズマはラジカル原子、イオン等の活性種を含んでおり、これらは、電極またはプラズマ内に設置した基体に衝突し、基体表面の状態を物理的および化学的に変化させることができる。この効果を利用して、表面状態の改質に応用する方法をRFボンバード処理と呼ぶ。ボンバード処理は、プラズマによる化学的表面改質効果に、穏やかなスパッタリングによる弱いエッチング効果を持たせたことを特徴とする処理である。ガス種、ガス圧、投入電力、電極間距離、基材設置位置等で処理状態が変化する。
【0040】
また、含フッ素樹脂フィルムの表面処理方法としては、DC(直流)ボンバード処理も好ましく用いられる。これはRFボンバード処理のRFをDCに代えた処理であり、同様の効果を得ることができる。DCボンバード処理においては、対向する電極間に直流電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマを利用して表面を物理的および化学的に変化させる。DCボンバード処理においては、RFボンバード処理より装置が単純であるため、大型化しやすく量産に向いているが、装置条件に多少の工夫が必要である。
【0041】
RFボンバード処理またはDCボンバード処理によれば、ロール・トゥ・ロール方式の連続処理を行うことができ、量産性を上げることができる。
【0042】
上記ボンバード処理およびDCボンバード処理において、投入電力は電力密度0.01〜0.5W/cm2 が好ましい。処理時間は、好ましくは5〜300秒であり、より好ましくは5〜60秒である。これらの条件は、既に報告のあるRFスパッタ処理に比べて非常に弱い条件であるが、表面での官能基生成には十分である。逆に、強すぎたり、長すぎたりすると、過度に表面を荒らしたり、多くのWBLを生成したり、組成の変化を起こす等密着性向上に好ましくないダメージを与えることになる。
また、上記RFボンバード処理およびDCボンバード処理において使用されるガスについては、プラズマを発生させることが可能であり、かつ、表面処理後の表面に極性基を生じさせるものであれば、特に限定されない。含フッ素樹脂フィルムに対する接着剤の濡れ性改善およびWBL除去には、Heガス、Neガス、Arガス、Krガス、Xeガスといった不活性ガスを含むガスによる処理が好ましい。経済性に富み、扱いやすく、好ましい結果が得られることから、Arガスを含むガスでの処理が好ましい。更に、酸素、二酸化炭素、一酸化炭素、オゾン、水蒸気、亜酸化窒素、アセトン等の含酸素化合物を含むガスによる処理によってもボンバード処理中に含酸素官能基を付与し、WBLを除去することが可能で、接着力向上が図られる。また、含酸素官能基を生成させる目的で、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、アンモニアのような含窒素化合物を含むガスによる処理でも、極性基の生成とWBL除去が可能である。
【0043】
前述の温和な条件でRFボンバード処理やDCボンバード処理を行うことにより、未表面処理フィルム表面の表面形状を保ち、未処理の含フッ素樹脂フィルムと同等以下のRa を持ち、処理された表面には極性基が存在し、更に、WBL量の非常に少ない含フッ素樹脂フィルムを得ることができる。そして、このようにして表面処理された含フッ素樹脂フィルムは、前記(1)酸化物膜処理や前記(3)不活性ガスを主成分とするガス中での大気圧放電処理よりも、更に優れた接着力および密着力を発現する。また、曲げに対する追従性にも極めて優れる。
【0044】
本発明の含フッ素樹脂フィルムの形状および大きさは、用途や目的に応じて適宜決定すればよく、特に限定されないが、厚みは、高い光透過率による発電効率向上の観点からは薄くする程好ましい一方、強度の観点からは厚くする程好ましいことから、10〜300μmとするのが好ましく、30〜200μmの厚みとするのがより好ましい。
【0045】
本発明の含フッ素樹脂フィルムは、他のシート、フィルム等と積層体を形成することができる。
積層体は、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂(例えば、軟質塩化ビニル樹脂)、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ウレタン樹脂、ナイロン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、ABS樹脂、ポリスチレン樹脂、PET樹脂、フッ素樹脂(例えば、ETFE、PFA(テトラフルオロエチレン−パーフルオロ(アルコキシエチレン)共重合体))等の樹脂からなるシート、フィルム等との積層物;ステンレス板、アルミニウム板、鉄板、ガルバニウム鋼板(亜鉛アルミめっき鋼板)、亜鉛めっき鋼板等の金属板との積層体が挙げられる。
これらの積層体は、接着剤を介して積層されたものであってもよく、基体自身が接着性を有する場合(例えば、エチレン−酢酸ビニル系樹脂、ウレタン樹脂)は、本発明による樹脂成形物と基体とを熱プレス法等によって強固に接着させたものであってもよい。
【0046】
本発明の含フッ素樹脂フィルムを基体に積層するには、種々の接着剤を使用できる。
接着剤は、例えば、ポリエステル系接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、ポリウレタン系接着剤、ユリア系接着剤、メラミン系接着剤、フェノール樹脂系接着剤、酢酸ビニル系接着剤、シアノアクリレート系接着剤、アクリル系接着剤等の合成樹脂系接着剤;水等に分散させた酢酸ビニル系、ポリアミド系等のホットメルト接着剤;クロロプレンゴム等の合成ゴム系接着剤が挙げられる。中でも、ポリエステル系接着剤が好ましい。
【0047】
接着剤の塗布厚みは、乾燥後の塗布厚みで3μm以上とすることが好ましい。本発明の含フッ素樹脂フィルムの厚みが500μm未満である場合には、5〜10μm程度であるのが好ましく、500μm以上である場合は、20μm程度であるのが好ましい。
【0048】
ラミネートする方法は、特に限定されないが、接着剤塗布後に溶剤を蒸発させてからラミネートするいわゆるドライラミネートが適している。ラミネートを行う際、溶剤乾燥温度以上の温度に保持されたニップロールを通過させることにより更に接着力は増大する。
【0049】
接着剤には、顔料、レベリング剤、消泡剤、紫外線吸収剤等の添加物を含有させることもできる。
【0050】
積層体の用途は、特に限定されず、外装材、内装材等の建築用材(例えば、壁紙、浴槽、浴室内壁、厨房内壁、ガスコンロ天板)、看板等に好適に用いられる。
【0051】
本発明の含フッ素樹脂フィルムの利用の好適な一態様に、太陽電池モジュールがある。即ち、補強板と含フッ素樹脂フィルムとの間に太陽電池素子をエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を主成分とする樹脂で充填した太陽電池モジュールにおいて、該含フッ素樹脂フィルムが前記本発明の含フッ素樹脂フィルムであって、前記SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成された表面を外表面とする太陽電池モジュールが提供される。
この太陽電池モジュールにおいては、前記含フッ素樹脂フィルムの前記エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)と接触している表面に下記いずれかの処理がなされており、他方の表面(外表面)にSiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成されている。
(1)SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜を乾式法により形成する処理、
(2)空気中でのコロナ放電処理、
(3)不活性ガスを主成分とするガス中での大気圧放電処理、
(4)真空下プラズマ処理
【0052】
本発明の太陽電池モジュールは、含フッ素樹脂フィルムのEVAとの接触面に上述の処理がなされているため、含フッ素樹脂フィルムとEVAとの密着性が高められるので、凹凸形状付与等の表面処理を必要とすることなく、EVAを融点以上に加熱しながら含フッ素樹脂フィルムと熱圧着させる熱プレス法のみで十分な密着性をもって接着することができるので、耐久性に優れる。
また、本発明の太陽電池モジュールは、外気との接触面(外表面)に薄膜が形成されており、上述したように、この薄膜により太陽電池モジュールは、長期に渡って風雨にさらされても雨すじ汚れが見られない。
更に、(3)不活性ガスを主成分とするガス中での大気圧放電処理、特に、不活性ガス、重合性不飽和化合物ガスおよび炭素酸化物ガスからなる混合ガス中での大気圧放電処理、または(4)真空下プラズマ処理を用いる場合には、曲げに対して非常に強く、曲げにより含フッ素樹脂フィルムとEVAとの間に剥離が生じない。従って、可曲性や耐衝撃性に優れる高分子樹脂基板やステンレス箔等の金属基板を用いた太陽電池に、表面の保護材料として本発明の含フッ素樹脂フィルムを用いると、従来実現することができなかった、曲げや衝撃により剥離が生じない、可曲性および耐衝撃性に優れる太陽電池を得ることができる。
【0053】
本発明の太陽電池モジュールの一例を図1を参照しつつ、以下に具体的に説明するが、補強板と透光フィルムとの間に太陽電池素子をEVAで充填したモジュールにおいて、補強板、太陽電池素子等がいかなる構成を有するものでも本発明の要件を満たしている限り本発明の範囲であり、以下の例に限定されるものではない。
【0054】
図1は、補強板110上に太陽電池素子100、充填材120、必要に応じて充填材保持材(図示せず)、一方の表面に所定の薄膜が乾式法により形成され、他方の表面に上述の処理がなされている含フッ素樹脂フィルム130を有する本発明の好適例を示す太陽電池モジュール1000である。
【0055】
(含フッ素樹脂フィルム)
本発明で用いられる太陽電池モジュールの含フッ素樹脂フィルムとしては、SiとSnとの酸化物を主成分とする薄膜が外気との接触面に形成され、不活性ガス、重合性不飽和化合物ガスおよび炭素酸化物ガスからなる混合ガス中での大気圧放電処理が充填材との接触面になされている含フッ素樹脂フィルムを用いることが好ましい。前述のように、含フッ素樹脂フィルムとしては、樹脂の分子構造式中にフッ素を含む熱可塑性樹脂であれば特に限定されず、従来公知の各種の含フッ素樹脂が使用可能である。また、含フッ素系樹脂の中でETFEが好ましい。SiとSnとの酸化物薄膜の形成方法は乾式法によればよく、直流スパッタリング法によるのが好ましい。混合ガスは、アルゴンガス100モルに対して、エチレンガス1〜15モル、炭酸ガス1〜20モルを混合したものが好ましい。
【0056】
(充填材)
充填材としてはエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を主成分とする樹脂を用いる。EVA(エチレン−酢酸ビニル共重合体)は、耐候性が良いが、ETFE程の耐候性はないため、300〜1000ppm程度のヒンダードアミン系光安定剤、200〜2000ppm程度の熱安定剤、1000〜4000ppmの紫外線吸収剤の3種類の添加剤を添加するのが好ましい。また、EVA中の酢酸ビニルの含有量は、耐ストレスクラック性を向上させるためには増加させる方が良いが、増加させると水蒸気の透過率が大きくなるため、3〜20重量%が好適に用いられる。
【0057】
(充填材保持材)
充填材保持材は、充填材が高温になった時でも流れ出さないようにするため、および、太陽電池モジュール表面が鋭利な物で引っ掻かれた場合の太陽電池の保護の目的で使用される補強材である。また、太陽電池モジュールを加熱真空脱泡して作製する際に、太陽電池モジュール内に残存する空気を太陽電池モジュール外に排出する効果もある。充填材保持材の種類には特に限定はないが、できるだけ空孔率が高く、透明性が高く、かつ、強度があることが好ましい。例えば、ガラス不織布やポリマー不織布などを使用することができる。
【0058】
(補強板)
本発明で用いられる太陽電池モジュールの構造体となる補強板は、特に限定はなく、例えば、ステンレス板や鋼板、メッキ鋼板、ガルバニウム鋼板等を使用することができる。構造強度等の点から、0.2〜2.0mmの厚みが好ましく、さらに好ましくは0.3〜1.6mmの補強板である。
【0059】
(太陽電池素子)
本発明の太陽電池素子の種類に特に制限はないが、好ましくは可曲性を有する太陽電池であり、特に好ましくはステンレス基板上に形成された非晶質シリコン半導体である。
【0060】
太陽電池素子が可曲性であると、太陽電池モジュール自体に必要以上の剛性を要求しないため、補強材の厚みも薄くでき、透光フィルムの破断を防ぐことができる。
【0061】
ステンレス基板上に形成された非晶質シリコン半導体は0.1mm程度の厚みまで薄くすることができるため、太陽電池素子を充填するための充填材の量を少なくすることができ、その結果、太陽電池モジュールの厚みを減らすことができる。
【0062】
更に、ステンレス基板上に形成された非晶質シリコン半導体を使用することにより太陽電池素子の重量を軽量化することができ、その結果、補強板に要求される強度を低減でき、補強材の厚みを低減できる。
【0063】
本発明の太陽電池モジュールに使用する太陽電池素子の一例の概略断面図を図2に示した。図2において101は導電性基体、102は裏面反射層、103は光電変換部材としての半導体層、104は透明導電層である。102の裏面反射層は101の基体に導電性基体を用いることで兼ねることもできる。
【0064】
上記基体101としては、ステンレス、アルミニウム、銅、チタン、カーボンシート、亜鉛メッキ鋼板、導電層が形成してあるポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンナフタライド、エポキシなどの樹脂フィルムやセラミックス等が挙げられる。
【0065】
上記薄膜半導体層103としては、非晶質シリコン半導体、多結晶シリコン半導体、結晶シリコン半導体や、銅インジウムセレナイドなどの化合物半導体が適当である。非晶質シリコン半導体の場合には、シランガス等のプラズマCVD法により形成する。また、多結晶シリコン半導体の場合は、溶融シリコンのシート化あるいは非晶質シリコン半導体の熱処理により形成する。
【0066】
CuInSe2 /CdSの場合は、電子ビーム蒸着やスパッタリング、電析(電解液の電気分解による析出)などの方法で形成する。半導体層の構成としては、pin接合、pn接合、ショットキー型接合が用いられる。該半導体層は少なくとも裏面電極層102と透明導電層104にサンドイッチされた構造になっている。該裏面電極層102には、金属層あるいは金属酸化物、あるいは金属層と金属酸化物層の複合層が用いられる。
【0067】
金属層の材質としては、Ti、Al、Ag、Tiなどが用いられ、金属酸化物層としてZnO、TiO2 、SnO2 等が採用される。上記金属層および金属酸化物層の形成方法としては抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング法、スプレー法、CVD法、不純物拡散法等がある。さらに、透明導電層の上の光起電力によって発生した電流を効率よく集電するための、格子(グリッド)上に集電電極を設けてもよい。
【0068】
集電電極の材料としては、Ti、Cr、Mo、W、Al、Ag、Ni、Cu、Sn及び銀ペースト等の導電性ペーストが用いられる。グリッド電極の形成方法にはマスクパターンを用いたスパッタリング、抵抗加熱、CVD等の蒸着方法、あるいは全面に金属層を蒸着した後にエッチングしてパターニングする方法、光CVDにより直接グリッド電極パターンを形成する方法、グリッド電極のネガパターンのマスクを形成したあとにメッキにより形成する方法、導電性ペーストを印刷して形成する方法等がある。導電性ペーストは、通常微粉末状の金、銀、銅、ニッケル、カーボン等をバインダーポリマーと分散させたものが使用される。上記バインダーポリマーとしては、ポリエステル、エポキシ、アクリル、アルキド、ポリビニルアセテート、ゴム、ウレタン、フェノール等の樹脂がある。
【0069】
グリッド電極で集電した電流をさらに集めて輸送するためのバスバーの材料としてはスズ、あるいはハンダコーティングした銅、ニッケル等を用いる。バスバーのグリッド電極への接続は、導電性接着剤あるいはハンダで行う。
【0070】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0071】
1.含フッ素樹脂フィルムの作製
(実施例1)
含フッ素樹脂フィルムとして厚さ50μmETFEのフィルムを用意した。直流スパッタリング装置内に、30×30cmの大きさのガラス板に、30×30cmの大きさのETFEのフィルムを固定した基板を陽極側にセットし、SiとSnとの混合物(原子比50:50)のターゲットを陰極側にセットした。
スパッタリング装置内を3×10-5Torrまで真空排気した後、アルゴンと酸素を流量比1:4で容器内に導入し、スパッタリングガス圧を2.4×10-3Torr、電力密度2.2W/cm2 とし、スパッタリングを行い、SiとSnとの酸化物薄膜(膜厚約6nm)を成膜した。
続いて、そのフィルムの反対面を不活性ガスを主成分とする混合ガス(アルゴンガス:エチレンガス:炭酸ガス=100:12:2(モル比))雰囲気下、30℃、大気圧において、処理強度400W・min/m2 で放電処理を行い、表面処理した。
こうして、一方の面(以下、便宜のため「オモテ面」という。)が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、他方の面(以下、便宜のため「ウラ面」という。)が混合ガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0072】
(実施例2)
酸化物皮膜成膜後の放電処理に用いた混合ガスの組成をアルゴンガス:エチレンガス:炭酸ガス=100:12:5(モル比)とし、処理強度を500W・min/m2 とした以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、ウラ面が混合ガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0073】
(実施例3)
酸化物皮膜成膜後の放電処理に用いた混合ガスの組成をアルゴンガス:エチレンガス:炭酸ガス=100:12:6(モル比)とし、処理強度を300W・min/m2 とした以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、ウラ面が混合ガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0074】
(実施例4)
酸化物皮膜成膜後の放電処理に用いた混合ガスの組成をアルゴンガス:エチレンガス=100:12(モル比)とし、処理強度を500W・min/m2 とした以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、ウラ面が混合ガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0075】
(実施例5)
酸化物皮膜成膜後の放電処理に用いた混合ガスの組成をアルゴンガス:炭酸ガス=100:5(モル比)とし、処理強度を500W・min/m2 とした以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、ウラ面が混合ガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0076】
(実施例6)
酸化物皮膜成膜後の放電処理にアルゴンガスを用い、処理強度を500W・min/m2 とした以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、ウラ面がアルゴンガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0077】
(実施例7)
酸化物皮膜成膜後の放電処理を、アルゴンガス雰囲気下、30℃、真空下において、処理強度200W・min/m2 で行った以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、ウラ面が真空下のアルゴンガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0078】
(実施例8)
酸化物皮膜成膜後の放電処理を、空気中、30℃、大気圧において、処理強度400W・min/m2 で行った以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面、ウラ面が空気中でコロナ放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0079】
(実施例9)
実施例1と同様の条件で酸化物皮膜を成膜した後、他方の面も同条件で酸化物皮膜を成膜して、両面が6nmのSiとSnからなる酸化物皮膜がコートされた面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0080】
(比較例1)
酸化物皮膜を成膜せずに、一方の面に放電処理を行った以外は、実施例1と同様の方法により、オモテ面が未処理の面、ウラ面が混合ガス雰囲気下で放電処理された面からなる厚さ50μmのETFEフィルムを得た。
【0081】
(比較例2)
厚さ50μmETFEのフィルムの両面を空気中、30℃、大気圧において、処理強度400W・min/m2 で放電処理を行い、表面処理した。その一方の面に、▲1▼コロイダルシリカ(OSCAL、触媒化成工業社製、イソプロピルアルコール分散品)、▲2▼β−(3,4−エポキシシクロテキシル)エチルトリメトキシシランおよび▲3▼ポリオキシエチレン−ウラリルエーテルのメタノール溶液(▲1▼:▲2▼:▲3▼=85:4:15(固形分重量比))を塗布し、80℃で1分間乾燥し、厚さ0.2μmのコーティング層を形成させた。
こうして、オモテ面が0.2μmのコロイダルシリカがコートされた面、ウラ面が空気中で放電処理された面からなる厚さ50.2μmのETFEフィルムを得た。
【0082】
2.2層ラミネート品の作製
実施例1〜9および比較例1、2で得られた各ETFEフィルムと市販の太陽電池用EVA(厚さ400μm)とを、ETFEフィルムのウラ面がEVAとの接着面となるようにして、面圧5kgf/cm2 にて熱プレスを行い、ETFEフィルムとEVAからなる各2層ラミネート品を得た。
【0083】
3.暴露試験
得られた各2層ラミネート品について、ETFEフィルムのオモテ面が外気に触れるようにして、川崎市にて3年間の屋外暴露試験を行った。JIS K7105の規定に準拠して、暴露前と暴露後における各積層体の全光線透過率を測定した。
【0084】
4.ラミネート鋼板の作製
得られた各2層ラミネート品と塩ビ鋼板(厚さ0.5mm)とを、2層ラミネート品のEVA面が塩ビ鋼板との接着面となるようにして、ウレタン系接着剤を用いて、面圧5kgf/cm2 、120℃にてプレスを行い、各ラミネート鋼板を得た。
【0085】
5.剥離試験(耐煮沸試験)
得られた各ラミネート鋼板について、JIS K6744の規定に準拠して、#型エリクセン試験片を作成すべく、5mm幅でクロスカットを入れた後、鋼板側よりポンチを6mm押し込んだ。この時点で、剥離を生じた試験片はなかった。
その後、10時間煮沸を行い、2時間毎に試験片を取り出して、密着性を評価した。密着性の評価は、#型の溝で仕切られた正方形部分に隣接する4箇所のコの字型の溝で仕切られた部分の該正方形部分に隣接する端部のETFEフィルムをピンセットでつまみ、該正方形部分から離れる向きに引っ張り、ETFEフィルムとEVA層との間で剥離を生じるかどうかで行った。
【0086】
結果を第1表に示す。本発明の含フッ素樹脂フィルムから得た積層体である、実施例1〜9の2層ラミネート品は、暴露試験の前後で全光線透過率が変化しない。一方、比較例1および2の2層ラミネート品は、暴露試験により全光線透過率が低下した。また、暴露試験後の比較例1および2の2層ラミネート品の外気との接触面(オモテ面)を水洗した後、全光線透過率を測定すると、暴露試験前と同じ値を示した。
また、実施例1〜9の2層ラミネート品は、3年間雨すじ汚れが観測されることはなかったが、比較例1の場合は1ヶ月後、比較例2の場合は8ヶ月後に雨すじ汚れが観測された。
【0087】
本発明の含フッ素樹脂フィルムを用いた積層体である実施例1〜3および7のラミネート鋼板は、10時間煮沸という厳しい条件においても剥離が発生せず、含フッ素樹脂フィルムとEVAが強力に接着していて、曲げに強いことが分かる。これらは、曲率の高い加工性の要求される用途、例えば、直角曲げ等で太陽電池カバーを枠体に固体に固着する箇所で好適に用いられる。
また、実施例4〜6、8および9においても、実施例1〜3および7ほどではないものの、含フッ素樹脂フィルムとEVAが強力に接着しており、表面に金属酸化物の薄膜が形成されているので、長期間透明性を持続することができる。
【0088】
【表1】
【0089】
6.太陽電池モジュールの作製
実施例1、7および9で得られたETFEフィルムを用いて、太陽電池モジュールを作製した。
本実施例は、ステンレス基板上に作製したアモルファスシリコン太陽電池素子を直列接続したあと、表面に本発明の含フッ素樹脂フィルムを(外気側が酸化物薄膜の面となるように)設け、裏面に0.8mmの厚みの亜鉛鋼板の補強板を設けた太陽電池モジュールである。太陽電池モジュールの作製は、特開平10−51013号公報に詳細に記載されている方法に準じて行った。
【0090】
7.太陽電池モジュールの曲げ試験
得られた太陽電池モジュールを図3に模式的に示すような曲げ加工を行った。
実施例1および7で得られたETFEフィルムを用いた太陽電池モジュールは、曲げ部分において、含フッ素樹脂フィルムとEVAとの間に剥離は見られなかった。
一方、実施例9で得られたETFEフィルムを用いた太陽電池モジュールは、曲げ部分において、含フッ素樹脂フィルムとEVAとの間に剥離が見られ(図3中、○で示した部分)、また、含フッ素樹脂フィルムの薄膜に亀裂が見られた(図3中、△で示した部分)。
従って、実施例1および7で得られたETFEフィルムを用いた太陽電池モジュールは、実際に太陽電池を家屋の屋根等に取り付ける場合に必要な曲げ加工によっても剥離が起こらないので、極めて有用である。なお、実施例9で得られたETFEフィルムを用いた場合は、前述したようにEVAとの間の剥離や、雨すじ汚れの原因となる薄膜の亀裂という実用上の問題があるものの、それらは曲げ部分でのみ見られ、太陽電池素子をカバーする平面部分には見られないので、太陽電池の性能は実施例1および7の場合と変わらない。
【0091】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明の含フッ素樹脂フィルムは、長期間に渡って外気にさらされても雨すじ汚れが見られず、高い透明性を保持するので、外装材、屋根材、看板、広告板等として用いられる積層体や、太陽電池モジュールに好適に用いられる。また、本発明の積層体および太陽電池モジュールは、曲げにも強いものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施態様例に使用されるラミネートした太陽電池モジュールの説明図である。
【図2】 本発明の実施態様例の太陽電池モジュールに用いられる半導体素子の模式的断面図である。
【図3】 本発明の実施例の太陽電池モジュールの曲げ試験の説明図である。
【符号の説明】
1000 太陽電池モジュール
100 太陽電池素子(アモルファスシリコン太陽電池素子)
110 補強板
120 充填材
130 酸化物薄膜が形成された含フッ素樹脂フィルム
101 ステンレス基板(導電性基体)
102 Al裏面電極層(裏面反射層)
103 半導体層(光電変換部材)
104 ITO(透明導電層)
Claims (3)
- 一方の表面にSiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成され、他方の表面に下記いずれかの処理がなされている含フッ素樹脂フィルム;
(1)SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜を乾式法により形成する処理、
(2)空気中でのコロナ放電処理、
(3)不活性ガスを主成分とするガス中での大気圧放電処理、
(4)真空下プラズマ処理。 - 請求項1に記載の含フッ素樹脂フィルムを、前記SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成された一方の表面を外表面として基体上に積層してなる積層体。
- 補強板と含フッ素樹脂フィルムとの間に太陽電池素子をエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)を主成分とする樹脂で充填した太陽電池モジュールにおいて、該含フッ素樹脂フィルムが請求項1に記載の含フッ素樹脂フィルムであって、前記SiおよびSnからなる群から選ばれる一種以上の金属の酸化物からなる薄膜が乾式法により形成された表面を外表面とする太陽電池モジュール。
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