JP2020098341A - ディスプレイデバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ディスプレイデバイスの製造方法であって、外部環境からの高いバリア性、小さな厚みおよび良好な光学的透明性を有し、一方で良好な中間層接着性を示す有機電子ディスプレイデバイスを提供する。【解決手段】本発明は、ディスプレイデバイスの製造方法であって、以下の工程：（１）前面シート電極を提供する工程と、（２）裏面シート電極を提供する工程と、（３）前面シート電極と裏面シート電極の間に、少なくとも１種の有機半導体材料からなる１つ以上の層を挿入する工程とを含む。【選択図】なし

Description

本出願は、２０１３年１２月２３日に出願された欧州特許出願第１３１９９４１９．６号に対する優先権を主張し、本出願の全内容は、あらゆる目的のために参照により本明細書に組み込まれる。

本発明は、ディスプレイデバイス、その製造方法および有機電子デバイスにおけるその使用に関する。

有機電子デバイス（ＯＥＤ）は、典型的には、すべて基板上に堆積された、２つの電極、アノードおよびカソード間に位置する、有機材料の１つ以上の層を含む。

公知のＯＥＤ構築物の非限定的例には、有機光起電力デバイス（ＯＰＶ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、および有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、例えば、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）が含まれる。

これらのＯＥＤデバイスの主要な用途は、液晶ディスプレにあるので、ガラスがこれらのＯＥＤ構築物における基板として一般的に使用される。可撓性電子機器に対する需要の増加とともに、特に低体積、軽量および強靭性が重要であるフラットパネルディスプレイ技術において、ガラス基板を可視光に対して光学的に透明なポリマー基板で置き換えることに大きな関心がある。

有機材料が、ポリマー基板に容易に浸透し得る酸素および水分によって悪影響を受け得ることは周知である。

酸素および水分などの汚染物質が基板中に浸透するのを防止するために、不活性環境での隔てられた封止および制作工程が典型的には必要であり、製造コストはかなり増加する。

現在、有利には可視光に光学的に透明である、ＳｎドープＩｎ_２Ｏ_３（ＩＴＯ）は、ＯＥＤデバイスにおけるアノードの製造に最も広く用いられている材料である。しかしながら、ＩＴＯの大規模な実装は、インジウムの不足、毒性および高コストのために著しく妨げられている。

また、アノードの表面における欠陥は、典型的にはアノード−有機膜界面接着を低下させ、電気抵抗を増加させ、およびこれらのデバイスの寿命に悪影響を与える、ＯＥＤ材料における非放出性暗色スポットのより頻繁な形成を許容する。ＩＴＯ／ガラス基板についてアノード粗さを低下させる機構には、薄膜および自己組織化単層の使用が含まれる。

したがって、外部環境からの高いバリア性、小さな厚みおよび良好な光学的透明性を有し、一方で良好な中間層接着性を示す有機電子ディスプレイデバイスを製造するために適したＯＥＤ多層デバイス、ならびに前記ディスプレイデバイスの容易な製造を可能にする方法に対する当技術分野における必要性が依然としてある。

今や驚くべきことに、前面シート電極として、熱可塑性ポリマー基板層を含む単一アセンブリを使用することによって、有利には卓越した可撓性を与える程度に厚みが小さく、一方で外部環境からの高いバリア性および好ましくは、長期間にわたる良好な光学的透明性を確保する、本発明の有機電子ディスプレイデバイスを提供することが可能であることが見出された。

特に、本発明のディスプレイデバイスは、水蒸気および気体、特に酸素に対する低い浸透性をもっていることが見出された。

また、本発明のディスプレイデバイスは、良好な中間層接着性を示すことが見出された。

さらに、前記ディスプレイデバイスは、本発明の方法によって容易に得ることができることが見出された。

第１の例において、本発明は、ディスプレイデバイスの製造方法であって、以下の工程：
（１）前面シート電極を提供する工程と、
（２）裏面シート電極を提供する工程と、
（３）少なくとも１種の有機半導体材料からなる１つ以上の層を、前面シート電極と裏面シート電極の間に挿入する工程と
を含み、
前記前面シート電極は、
（ｉ）少なくとも１種の熱可塑性ポリマー［ポリマー（Ｔ１）］を含む、好ましくはそれからなる組成物［組成物（Ｃ１）］からなる少なくとも１つの層（Ｌ１）を提供する工程であって、前記（Ｌ１）は、２つの反対の表面を有する、工程と；
（ｉｉ）層（Ｌ１）の少なくとも１つの表面をエッチングガス媒体の存在下で高周波数グロー放電法によって処理する工程と、；
（ｉｉｉ）少なくとも１種の金属化合物（Ｍ１）からなる層［層Ｌ２）］を、工程（ｉｉ）で得られた層（Ｌ１）の各処理表面上に無電解析出によって適用する工程と
によって得られる１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである、方法に関する。

第２の例において、本発明は、
− 前面シート電極、
− 裏面シート電極、および
− 前面シート電極の内側表面および裏面シート電極の内側表面に直接接着された、少なくとも１種の有機半導体材料からなる１つ以上の層
を含み、
前面シート電極は、以下の層：
− 少なくとも１種の熱可塑性ポリマー［ポリマー（Ｔ１）］を含む、好ましくはそれからなる、組成物［組成物（Ｃ１）］からなる少なくとも１つ以上の層［層（Ｌ１）］であって、前記層（Ｌ１）の層は、２つの反対の表面を有し、
少なくとも一方の表面［表面（Ｌ１−ｆ）］は、１個以上のグラフト化官能基を含む、層（Ｌ１）、および
− 層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ１）からなる層［層（Ｌ２）］
を含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである、ディスプレイデバイスに関する。

本発明のディスプレイデバイスは、有利には、本発明の方法によって得られ得る。

本発明のディスプレイデバイスは、好ましくは
− 前面シート電極、
− 裏面シート電極、ならびに
− 前面シート電極の内側表面および裏面シート電極の内側表面に直接接着された、少なくとも１種の有機半導体材料からなる１つ以上の層
を備え、
前面シート電極は、以下の層：
− 外側層（Ｌ１）であって、前記外側層（Ｌ１）の層は、２つの反対の表面を有し、ここで、内側表面［表面（Ｌ１−ｆ）］は、１個以上のグラフト化官能基を含む、外側層（Ｌ１）、
− 外側層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）に直接接着された、層（Ｌ２）、
− １つ以上の中間層（Ｌ１）であって、前記中間層（Ｌ１）の層は、２つ反対の表面を有し、ここで、両方の表面［表面（Ｌ１−ｆ）］は１個以上のグラフト化官能基を含む、中間層（Ｌ１）、および
− 中間層（Ｌ１）の各表面（Ｌ１−ｆ）に直接接着された、層（Ｌ２）
を含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである。

本発明の目的のために、用語「ディスプレイデバイス」は、入力情報が電気信号として供給される、視覚または触覚形態の情報の提示のための出力電子デバイスを示すことが意図される。

第３の例において、本発明は、有機電子デバイスにおける本発明のディスプレイデバイスの使用に関する。

したがって、本発明は、有機光起電力デバイス（ＯＰＶ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）および有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）における本発明のディスプレイデバイスの使用に関する。

本発明の目的のために、用語「前面シート電極」は、本発明のディスプレイデバイスの前面側での電極構築物を示すことが意図される。

本発明の目的のために、用語「裏面シート電極」は、本発明のディスプレイデバイスの裏面側での電極構築物を示すことが意図される。

本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、有利には光学的に透明である。

本発明の目的のために、用語「光学的に透明な」によって、前面シート電極が、入射電磁放射線を、散乱されることなくそこを通させることが意味される。

本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、有利には、約１００ｎｍ〜約２５００ｎｍ、好ましくは約４００ｎｍ〜約８００ｎｍの波長を有する入射電磁放射線に対して光学的に透明である。

本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、好ましくは、約１００ｎｍ〜約４００ｎｍの波長を有する入射電磁放射線に対しては光学的に透明でない。

本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、有利には入射電磁放射線の少なくとも５０％、好ましくは少なくとも５５％、より好ましくは少なくとも６０％の透過率を有する。

透過率は、任意の適切な技術によって分光光度計を使用して測定され得る。

本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、典型的には５μｍ〜１５０μｍに含まれる、好ましくは約１００μｍの厚さを有する。

本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、有利には前記ディスプレイデバイスのアノードである。

本発明のディスプレイデバイスの裏面シート電極は、有利には前記ディスプレイデバイスのカソードである。

裏面シート電極は、特には限定されない。当業者は、本発明のディスプレイデバイスの性質に応じて、そこでの使用に適した適切な裏面シート電極を選択する。

本発明の目的のために、用語「層」によって、材料の被覆片、または別の部分の上または下にある、その長さもしくはその幅のいずれよりも小さい厚さを有する部分が意味される。

本発明の目的のために、用語「有機半導体材料」は、半導体材料の固有の特性を有する炭素系化合物を示すことが意図される。

有機半導体材料は、特には限定されない。当業者は、本発明のディスプレイデバイスの性質に応じて、そこでの使用に適した適切な有機半導体材料を選択する。

有機半導体材料は、典型的にはポリチオフェン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリチエニレンビニレン、ポリ（パラ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレンおよびそれらの混合物からなる群から選択される。

本発明の目的のために、用語「熱可塑性ポリマー」は、室温で、それが非晶質である場合は、そのガラス転移温度未満で、またはそれが半結晶質である場合は、その融点未満で存在し、かつ直鎖または分岐である（すなわち、網状化されていない）いずれのポリマーをも示すことが意図される。熱可塑性ポリマーは、認知できる化学変化なしに、加熱されると柔らかくなり、冷却されると再び硬くなる性質を有する。このような定義は、例えば、１９８９年にＥｌｓｅｖｉｅｒ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｓｃｉｅｎｃｅによって出版された、“Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｄｉｃｔｉｏｎａｒｙ”と呼ばれる百科事典（Ｍａｒｋ Ｓ．Ｍ．Ａｌｇｅｒ，Ｌｏｎｄｏｎ Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｐｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃ ｏｆ Ｎｏｒｔｈ Ｌｏｎｄｏｎ，ＵＫ）に見出すことができる。

層（Ｌ１）は、有利には光学的に透明である。

本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極の層（Ｌ１）は、通常は前記ディスプレイデバイスの外側層である。

層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）は、有利には、層（Ｌ１）の少なくとも１つの表面をエッチングガス媒体の存在下で高周波数グロー放電法によって処理することによって得られ得る。

用語「官能基」は、ポリマー（Ｔ１）の表面（Ｌ１−ｆ）の反応性に関与する、共有結合によって互いに連結された原子の群を示すその通常の意味に従って本明細書で使用される。

本発明の目的のために、用語「グラフト化官能基」は、ポリマー（Ｔ１）の主鎖の上にグラフトすることによって得られ得る官能基を示すことが意図される。

本発明の目的のために、用語「グラフトする」は、それによって１個以上の官能基がポリマー主鎖の表面上に挿入されるラジカル過程を示すその通常の意味に従って使用される。

層（Ｌ１）の少なくとも１つの表面を、エッチングガス媒体の存在下で高周波数グロー放電法によって処理することによって得られる得るグラフト化官能基は、典型的には前記エッチングガス媒体の少なくとも１個の原子を含む。

層（Ｌ１）は、典型的には少なくとも５μｍ、好ましくは少なくとも１０μｍの厚さを有する。５μｍ未満の厚さを有する層（Ｌ１）は、本発明の絶縁システムに依然として適しているが、十分な機械的耐性が必要とされる場合には使用されない。

層（Ｌ１）の厚さの上限の通り、これは、特には限定されないが、但し、前記層（Ｌ１）が目的とする特定の使用分野に必要とされる可撓性をなお与え得ることを前提とする。

層（Ｌ１）は、典型的には最大で５０μｍ、好ましくは最大で３０μｍの厚さを有する。

当業者は、ポリマー（Ｔ１）の性質に応じて、必要とされる浸透性および可撓性を与えるように層（Ｌ１）の適切な厚さを選択する。

また、当業者は、ポリマー（Ｔ１）の性質に応じて、必要とされる光学的透明性を与えるように層（Ｌ１）の適切な厚さを選択する。

ポリマー（Ｔ１）は、好ましくは、
− 少なくとも１種のフッ素化モノマーに由来する繰り返し単位を含むフルオロポリマー、
− ポリエステル、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびそれらのコポリマー、
− ポリオレフィン、例えば、低密度、線状低密度および高密度ポリエチレン、ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン、ならびにポリブチレン、
− 置換ポリオレフィン、例えば、ポリスチレン、
− ポリエーテルスルホン、
− ポリカーボネート、
− ポリアクリレート、ならびに
− ポリイミド
からなる群から選択される。

用語「フッ素化モノマー」によって、少なくとも１個のフッ素原子を含むエチレン性不飽和モノマーを示すことが本明細書によって意図される。

用語「少なくとも１種のフッ素化モノマー」は、フルオロポリマーが、１種または２種以上のフッ素化モノマーに由来する繰り返し単位を含んでもよいことを意味すると理解される。本文の残りにおいて、表現「フッ素化モノマー」は、本発明の目的のために、複数形および単数形の両方で、すなわち、それらは、上で定義されたとおりの１種または２種以上のフッ素化モノマーの両方を意味すると理解される。

好適なフッ素化モノマーの非限定的な例には、特に、以下：
− Ｃ_３〜Ｃ_８パーフルオロオレフィン、例えば、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）およびヘキサフルオロプロペン（ＨＦＰ）；
− Ｃ_２〜Ｃ_８水素化フルオロオレフィン、例えば、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、フッ化ビニル、１，２−ジフルオロエチレンおよびトリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）；
− 式ＣＨ_２＝ＣＨ−Ｒ_ｆ０（式中、Ｒ_ｆ０は、Ｃ_１〜Ｃ_６パーフルオロアルキル基である）のパーフルオロアルキルエチレン；
− クロロ−および／またはブロモ−および／またはヨードＣ_２〜Ｃ_６フルオロオレフィン、例えば、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）；
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ_ｆ１の（式中、Ｒ_ｆ１は、Ｃ_１〜Ｃ_６のフルオロ−またはパーフルオロアルキル基、例えば、ＣＦ_３、Ｃ_２Ｆ_５、Ｃ_３Ｆ_７である）の（パー）フルオロアルキルビニルエーテル；
− ＣＦ_２＝ＣＦＯＸ_０の（パー）フルオロ−オキシアルキルビニルエーテル（式中、Ｘ_０は、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２オキシアルキル基、または１個以上のエーテル基を含むＣ_１〜Ｃ_１２（パー）フルオロオキシアルキル基、例えば、パーフルオロ−２−プロポキシ−プロピル基である）；
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＯＲ_ｆ２（式中、Ｒ_ｆ２は、Ｃ_１〜Ｃ_６フルオロ−もしくはパーフルオロアルキル基、例えば、ＣＦ_３、Ｃ_２Ｆ_５、Ｃ_３Ｆ_７、または、１個以上のエーテル基を含むＣ_１〜Ｃ_６（パー）フルオロオキシアルキル基、例えば、−Ｃ_２Ｆ_５−Ｏ−ＣＦ_３である）の（パー）フルオロアルキルビニルエーテル；
− 式ＣＦ_２＝ＣＦＯＹ_０（式中、Ｙ_０は、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキルもしくは（パー）フルオロアルキル基、Ｃ_１〜Ｃ_１２オキシアルキル基、または１個以上のエーテル基を含むＣ_１〜Ｃ_１２（パー）フルオロオキシアルキル基であり、かつＹ_０は、その酸、酸ハロゲン化物または塩の形態で、カルボン酸またはスルホン酸基を含む）の官能性（パー）フルオロ−オキシアルキルビニルエーテル；
− フルオロジオキソール、好ましくはパーフルオロジオキソール；ならびに
− 式ＣＲ_７Ｒ_８＝ＣＲ_９ＯＣＲ_１０Ｒ_１１（ＣＲ_１２Ｒ_１３）_ａ（Ｏ）_ｂＣＲ_１４＝ＣＲ_１５Ｒ_１６（式中、各Ｒ_７〜Ｒ_１６は、互いに独立に、−ＦおよびＣ_１〜Ｃ_３フルオロアルキル基から選択され、ａは、０または１であり、ｂは、０または１であり、但し、ａが１の場合、ｂは０である）の環化重合可能なモノマー
が含まれる。

フルオロポリマーは、少なくとも１種の水素化モノマーをさらに含んでもよい。

用語「水素化モノマー」によって、少なくとも１個の水素原子を含み、フッ素原子を含まないエチレン性不飽和モノマーを示すことが本明細書によって意図される。

用語「少なくとも１種の水素化モノマー」は、フルオロポリマーが、１種または２種以上の水素化モノマーに由来する繰り返し単位を含んでもよいことを意味すると理解される。本文の残りにおいて、表現「水素化モノマー」は、本発明の目的のために、複数形および単数形の両方で、すなわち、それらは、上で定義されたとおりの１種または２種以上の水素化モノマーの両方を示すと理解される。

好適な水素化モノマーの非限定的な例には、特に、エチレン、プロピレンなどの非フッ素化モノマー、酢酸ビニルなどのビニルモノマー、（メタ）アクリルモノマー、ならびにスチレンおよびｐ−メチルスチレンなどのスチレンモノマーが含まれる。

フロオロポリマーは、半結晶質または非晶質であってもよい。

用語「半結晶質」は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８−０８に従って測定して、１０〜９０Ｊ／ｇ、好ましくは３０〜６０Ｊ／ｇ、より好ましくは３５〜５５Ｊ／ｇの融解熱を有するフルオロポリマーを示すことが本明細書によって意図される。

用語「非晶質」は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８−０８に従って測定して、５Ｊ／ｇ未満、好ましくは３Ｊ／ｇ未満、より好ましくは２Ｊ／ｇ未満の融解熱を有するフルオロポリマーを示すことが本明細書によって意図される。

フルオロポリマーは、好ましくは、
（Ａ）テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）およびクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）から選択される少なくとも１種のフッ素化モノマー、エチレン、プロピレンおよびイソブチレンから選択される少なくとも１種の水素化モノマー（ＴＦＥおよび／またはＣＴＦＥならびに前記水素化モノマーの総量に基づいて、典型的には０．０１モル％〜３０モル％の量で１種以上の追加のコモノマーを任意選択で含む）に由来する繰り返し単位を含むフルオロポリマー；ならびに
（Ｂ）クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）に由来する繰り返し単位からなるフルオロポリマー
からなる群から選択される。

上で定義されたとおりのフルオロポリマー（Ａ）は、好ましくは、エチレン（Ｅ）、ならびにクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）およびテトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）の少なくとも一方に由来する繰り返し単位を含む。

上で定義されたとおりのフルオロポリマー（Ａ）は、より好ましくは、
（ａ）３０モル％〜４８モル％、好ましくは３５モル％〜４５モル％のエチレン（Ｅ）；
（ｂ）５２モル％〜７０モル％、好ましくは５５モル％〜６５モル％のクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）またはそれらの混合物、ならびに
（ｃ）モノマー（ａ）およびモノマー（ｂ）の総量に基づいて、最大で５モル％まで、好ましくは最大で２．５モル％までの１種以上のフッ素化および／または水素化コモノマー
を含む。

コモノマーは、好ましくは（メタ）アクリルモノマーの群から選択される水素化コモノマーである。水素化コモノマーは、より好ましくはヒドロキシアルキルアクリレートコモノマー、例えば、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレートおよび（ヒドロキシ）エチルヘキシルアクリレート、ならびにアルキルアクリレートコモノマー、例えば、ｎ−ブチルアクリレートの群から選択される。

上で定義されたとおりのフルオロポリマー（Ａ）のうちで、ＥＣＴＦＥコポリマー、すなわち、エチレンとＣＴＦＥと、任意選択で、第３のコモノマーとのコポリマーが好ましい。

本発明の方法で適したＥＣＴＦＥポリマーは、典型的には、２１０℃を超えない、好ましくは２００℃を超えない、さらには１９８℃を超えない、好ましくは１９５℃を超えない、より好ましくは１９３℃を超えない、さらにより好ましくは１９０℃を超えない溶融温度を有する。ＥＣＴＦＥポリマーは、有利には少なくとも１２０℃、好ましくは少なくとも１３０℃、さらに好ましくは少なくとも１４０℃、より好ましくは少なくとも１４５℃、さらにより好ましくは少なくとも１５０℃の溶融温度を有する。

溶融温度は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って、１０℃／分の加熱速度で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって決定される。

特に良好な結果を与えることが見出されたＥＣＴＦＥポリマーは、
（ａ）３５モル％〜４７モル％のエチレン（Ｅ）と、
（ｂ）５３モル％〜６５モル％のクロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）と、
に由来する繰り返し単位から本質的になるものである。

上で述べられたものとは異なる繰り返し単位をもたらす末端鎖、欠損、または微量のモノマー不純物が、、これが材料の性質に影響を与えることなしに、好ましいＥＣＴＦＥになお含まれ得る。

２３０℃および２．１６ｋｇでＡＳＴＭ３２７５−８１の手順に従って測定された、ＥＣＴＦＥポリマーのメルトフローレートは、一般的に０．０１〜７５ｇ／１０分、好ましくは０．１〜５０ｇ／１０分、より好ましくは０．５〜３０ｇ／１０分の範囲である。

上で定義されたとおりのフルオロポリマー（Ａ）の融解熱は、ＡＳＴＭ Ｄ３４１８に従って、１０℃／分の加熱速度で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）によって決定される。

上で定義されたとおりのフルオロポリマー（Ａ）は、多くとも３５Ｊ／ｇ、好ましくは多くとも３０Ｊ／ｇ、より好ましくは多くとも２５Ｊ／ｇの融解熱を有する。

上で定義されたとおりのフルオロポリマー（Ａ）は、典型的には少なくとも１Ｊ／ｇ、好ましくは少なくとも２Ｊ／ｇ、より好ましくは少なくとも５Ｊ／ｇの融解熱を有する。

上で定義されたとおりのフルオロポリマー（Ａ）は、有利には半結晶質ポリマーである。

組成物（Ｃ１）は、１種以上の添加剤、例えば、限定されないが、乾燥剤および酸素捕捉剤をさらに含んでもよい。当業者は、層（Ｌ１）の厚さに応じて、組成物（Ｃ１）中の１種以上の添加剤の適切な量を選択する。

乾燥剤は、典型的にはナノ粒子の形態で使用される。好適な乾燥剤の非限定的な例には、特に、酸化ホウ素、酸化バリウム、酸化カルシウムおよびゼオライトが含まれる。

組成物（Ｃ１）は、典型的には、溶融加工技術を使用して溶融相で加工される。組成物（Ｃ１）は、通常は、一般的に１００℃〜３００℃に含まれる温度でダイを通して押し出すことによって加工されて、ストランドを生成し、これは通常はペレットを与えるために切断される。二軸押出機が、組成物（Ｃ１）の溶融配合を行うための好ましい装置である。

層（Ｌ１）は、典型的には、このようにして得られたペレットを従来のフィルム押出技術によって加工することによって製造される。フィルム押出は、好ましくは、フラットキャストフィルム押出法またはホットインフレーションフィルム押出法を使用して行われる。

層（Ｌ１）は、好ましくは、１つ以上の平坦化技術によってさらに加工される。

好適な平坦化技術の非限定的な例には、特に、二軸延伸、研磨、および平坦化被膜処理が含まれる。

１つ以上の平坦化技術により層（Ｌ１）をさらに加工することによって、その表面は平滑にされて、層（Ｌ２）とのより高い中間層接着を確保することが見出された。

「高周波グロー放電法」によって、エッチングガスが入っているセルにおいて２つの電極間に電圧をかけることによってグロー放電が発生する高周波増幅器を動力源とする方法を示すことが本明細書によって意図される。次いで、そのようにして発生したグロー放電は、典型的には噴射ヘッドを通って、処理される材料の表面に到達する。

「エッチングガス媒体」によって、高周波グロー放電法での使用に適した気体または気体の混合物のいずれかを示すことが本明細書によって意図される。

エッチングガス媒体は、好ましくは空気、Ｎ_２、ＮＨ_３、ＣＨ_４、ＣＯ_２、Ｈｅ、Ｏ_２、Ｈ_２およびそれらの混合物からなる群から選択される。

エッチングガス媒体は、より好ましくはＮ_２および／またはＮＨ_３ならびに任意選択で、Ｈ_２を含む。

高周波グロー放電法は、典型的には減圧下または大気圧下で行われる。

高周波グロー放電法は、好ましくは約７６０Ｔｏｒｒにて大気圧下で行われる。

大気圧プラズマは、低圧プラズマまたは高圧プラズマとは対照的に、大気圧とは異なる圧力レベルの維持を確保するための反応容器が必要でないので、卓越した技術的意義を有する。

高周波グロー放電法は、典型的には１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに含まれる高周波で行われる。

高周波グロー放電法は、典型的には１ｋＶ〜５０ｋＶに含まれる電圧で行われる。

本発明の方法の第１の実施形態によれば、高周波グロー放電法は、コロナ放電を発生させる。

本発明の方法の第１の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には５ｋＨｚ〜１５ｋＨｚに含まれる高周波で行われる。

本発明の方法のこの第１の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には１ｋＶ〜２０ｋＶに含まれる電圧で行われる。

コロナ放電は、典型的には１×１０^９〜１×１０^１３ｃｍ^−３に含まれる密度を有する。

本発明の方法の第２の実施形態によれば、高周波グロー放電法は、プラズマ放電を発生させる。

本発明の方法のこの第２の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚに含まれる高周波で行われる。

本発明の方法のこの第２の実施形態の高周波グロー放電法は、典型的には５ｋＶ〜１５ｋＶに含まれる電圧で行われる。

プラズマ放電は、典型的には１×１０^１６〜１×１０^１９ｃｍ^−３に含まれる密度を有する。

本出願人は、エッチングガス媒体の存在下で高周波グロー放電法による層（Ｌ１）の１つの表面の処理後に、層（Ｌ１）は、その可撓性およびその光学的透明性を含むそのバルク特性を首尾よく維持することを見出した。

典型的には大気圧下で、Ｎ_２および／またはＮＨ_３ならびに任意選択で、Ｈ_２を含むエッチングガス媒体の存在下で高周波グロー放電による層（Ｌ１）の表面の処理によって得られ得る、層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）のグラフト化官能基の非限定的な例には、特に、アミン基（−ＮＨ_２）、イミン基（−ＣＨ＝ＮＨ）、ニトリル基（−ＣＮ）およびアミド基（−ＣＯＮＨ_２）からなる群から選択されるものが含まれる。

層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）のグラフト化官能基の性質は、任意の適切な技術、例えば、ＦＴ−ＩＲ技術に結合された全反射減衰分光法（ＡＴＲ）などのＦＴ−ＩＲ技術またはＸ線誘導光電子分光法（ＸＰＳ）技術によって決定され得る。

層（Ｌ２）は、有利には層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）上への無電解析出によって得られ得る。

本出願人は、驚くべきことに、層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）が、有利には、無電化析出によってそれに適用された層（Ｌ２）との卓越した中間層接着を与えることを見出した。

層（Ｌ２）は、有利には光学的に透明である。

金属化合物（Ｍ１）は、典型的には、
− ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびそれらの混合物（ここで、ｘは、０．５〜２に含まれる）、
− ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択されるＳｎドープ金属酸化物、ならびにＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択されるＡｌドープ金属酸化物などの、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択される不純物ドープ金属酸化物、ならびに
− Ｚｎ_２ＳｎＯ_４、ＺｎＳｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、Ｚｎ_３Ｉｎ_２Ｏ_６、Ｉｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３およびそれらの混合物
からなる群から選択される金属酸化物である。

本発明の目的のために、「無電解析出」によって、典型的には、金属化合物が、適切な化学還元剤の存在下でその酸化状態からその元素状態に還元されるめっき浴で行われる、酸化還元プロセスが意味される。

層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）は、典型的には無電解金属化触媒と接触しており、それにより、［触媒層（Ｌ１_ｃ）］を与える。

次いで、層（Ｌ２）は、典型的には、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ１）に由来する少なくとも１種の金属イオンを含む組成物（Ｃ２）を使用して、層（Ｌ１_ｃ）の上に無電化析出によって得られ得る。

本出願人は、これが本発明の範囲を限定することなく、層（Ｌ１_ｃ）は、無電解析出法の過渡的中間物であり、その結果、層（Ｌ２）は、最終的に層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）に直接接着されると考える。

無電解金属化触媒は、典型的にはパラジウム、白金、ロジウム、イリジウム、ニッケル、銅、銀および金をベースとする触媒からなる群から選択される。

無電解金属化触媒は、好ましくはＰｄＣｌ_２などのパラジウム触媒から選択される。

層（Ｌ１）の表面（Ｌ１−ｆ）は、典型的には、少なくとも１種の液体媒体の存在下で液相にて無電解金属化触媒と接触している。

組成物（Ｃ２）は、典型的には、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ１）に由来する少なくとも１種の金属イオン、少なくとも１種の還元剤、少なくとも１種の液体媒体、および任意選択で、１種以上の添加剤を含む。

好適な液体媒体の非限定的な例には、特に、水、有機溶媒およびイオン液体が含まれる。

有機溶媒のうちで、エタノールなどのアルコールが好ましい。

好適な還元剤の非限定的な例には、特に、ホルムアルデヒド、次亜リン酸ナトリウム、およびヒドラジンが含まれる。

好適な添加剤の非限定的な例には、特に、塩、緩衝剤、および液体組成物中で触媒の安定性を高めるのに適した他の材料が含まれる。

本発明の方法の工程（ｉｉｉ）で得られる多層アセンブリは、典型的には、好ましくは５０℃〜１５０℃に含まれる温度、より好ましくは１００℃〜１５０℃に含まれる温度で乾燥される。

層（Ｌ２）は、典型的には０．０５μｍ〜５μｍ、好ましくは０．５μｍ〜１．５μｍに含まれる厚さを有する。

層（Ｌ２）の厚さは、任意の適切な技術、典型的には走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）技術によって測定され得る。

本発明の第１の実施形態によれば、本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、層（Ｌ２）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ２）からなる層［層（Ｌ３）］であって、前記金属化合物（Ｍ２）は、金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なる、層（Ｌ３）をさらに含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである。

層（Ｌ３）は、好ましくは層（Ｌ２）の上への電着によって得られ得る。

層（Ｌ３）は、有利には光学的に透明である。

本発明の目的のために、「電着」によって、典型的には、電解液を使用して、電解槽（ここで、金属化合物をその酸化状態からその元素状態に還元するために電流が使用される）で行われる方法が意味される。

層（Ｌ３）は、典型的には、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ２）に由来する少なくとも１種の金属イオンを含む組成物（Ｃ３）を使用して電着によって層（Ｌ２）上に適用される。

金属化合物（Ｍ２）は、金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なり、典型的には、
− ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびそれらの混合物（ここで、ｘは、０．５〜２に含まれる）、
− ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択されるＳｎドープ金属酸化物、ならびにＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択されるＡｌドープ金属酸化物などの、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択される不純物ドープ金属酸化物、ならびに
− Ｚｎ_２ＳｎＯ_４、ＺｎＳｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、Ｚｎ_３Ｉｎ_２Ｏ_６、Ｉｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３およびそれらの混合物
からなる群から選択される金属酸化物である。

組成物（Ｃ３）は、好ましくは、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ２）に由来する少なくとも１種の金属イオン、少なくとも１種の金属ハロゲン化物および任意選択で、少なくとも１種のイオン液体を含む。

好適なイオン液体の非限定的な例には、特に、
− スルホニウムイオン、またはイミダゾリウム環、ピリジニウム環、ピロリジウム環もしくはピペリジウム環（前記環は、窒素原子上で、特に１〜８個の炭素原子を有する１個以上のアルキル基によって、および炭素原子上で、特に１〜３０個の炭素原子を有する１個以上のアルキル基によって任意選択で置換されている）からなる群から選択されるカチオン、ならびに
− ハロゲン化物アニオン、パーフッ素化アニオンおよびホウ酸塩からなる群から選択されるアニオン
を含むものが含まれる。

本出願人は、層（Ｌ２）が、有利には電着によってそれに適用された層（Ｌ３）との卓越した中間層接着を与えることも見出した。

それにより得られた多層アセンブリは典型的には、好ましくは５０℃〜１５０℃に含まれる温度、より好ましくは１００℃〜１５０℃に含まれる温度で乾燥される。

層（Ｌ３）は、もしあれば、典型的には０．０５μｍ〜５μｍ、好ましくは０．５μｍ〜１．５μｍに含まれる厚さを有する。

層（Ｌ３）の厚さは、任意の適切な技術、典型的には走査電子顕微鏡法（ＳＥＭ）技術によって測定され得る。

本発明の第２の実施形態によれば、本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、層（Ｌ２）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ３）からなるパターン化層［層（Ｌ４）］であって、前記金属化合物（Ｍ３）は、金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なる、層（Ｌ４）をさらに含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである。

本発明の第３の実施形態によれば、本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、
− 層（Ｌ２）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ２）からなる層［層（Ｌ３）］であって、前記金属化合物（Ｍ２）は、金化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれらと異なる、層（Ｌ３）、ならびに
− 層（Ｌ３）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ３）からなるパターン化層［層（Ｌ４）］であって、前記金属化合物（Ｍ３）は、金属化合物（Ｍ１）および金属化合物（Ｍ２）に等しいかまたはそれと異なる、層（Ｌ４）
をさらに含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである。

本発明の目的のために、「パターン化層」によって、任意のパターン幾何形状を有する層が意味される。

層（Ｌ４）は、好ましくはパターン化格子層［層（Ｌ４−ｇ）］である。

本発明の目的のために、「パターン化格子層」によって、任意の格子パターン幾何形状を有する層が意味される。

層（Ｌ４−ｇ）は、典型的には１００μｍ〜８００μｍ、好ましくは１５０μｍ〜５００μｍに含まれるメッシュサイズを有する。

層（Ｌ４−ｇ）は、典型的には５μｍ〜７０μｍ、好ましくは７μｍ〜３５μｍに含まれるバー幅を有する。

層（Ｌ４−ｇ）のメッシュサイズおよびバー幅は、任意の適切な技術によってデジタル顕微鏡を使用して測定され得る。

化合物（Ｍ３）は、典型的には、
（ａ）Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｃｄ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｇａ、それらの合金およびそれらの誘導体、ならびに
（ｂ）
− ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２およびそれらの混合物（ここで、ｘは、０．５〜２に含まれる）、
− ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択されるＳｎドープ金属酸化物およびＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択されるＡｌドープ金属酸化物などの、ＺｎＯ、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、ＣｄＯおよびそれらの混合物からなる群から選択される不純物ドープ金属酸化物、ならびに
− Ｚｎ_２ＳｎＯ_４、ＺｎＳｎＯ_３、Ｚｎ_２Ｉｎ_２Ｏ_５、Ｚｎ_３Ｉｎ_２Ｏ_６、Ｉｎ_２ＳｎＯ_４、ＣｄＳｎＯ_３およびそれらの混合物
からなる群から選択される金属酸化物
からなる群から選択される。

本発明の第２または第３の実施形態の第１の変形によれば、層（Ｌ４）は、典型的には、印刷技術、好ましくは、スクリーン、グラビア、フレキソまたはインクジェット印刷技術、より好ましくはインクジェット印刷技術によって、層（Ｌ２）または、もしあれば、層（Ｌ３）の上に、のいずれかで適用される。

本発明の第２または第３の実施形態の第２の変形によれば、層（Ｌ４）は、典型的には、層（Ｌ２）または、もしあれば、層（Ｌ３）の上に、のいずれかで、層（Ｌ４）を前記層（Ｌ２）または前記層（Ｌ３）の上にアセンブルすることによって適用される。

層（Ｌ４）は、少なくとも１種の熱可塑性ポリマー［ポリマー（Ｔ１）］を含む、好ましくはそれからなる、組成物［組成物（Ｃ１）］からなる層の上に支持されてもよい。

本発明の第４の実施形態によれば、本発明のディスプレイデバイスの前面シート電極は、乾燥剤および酸素捕捉剤からなる群から選択される化合物からなる１つ以上の層をさらに含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである。

好適な乾燥剤の非限定的な例には、特に、酸化ホウ素、酸化バリウム、酸化カルシウムおよびゼオライトが含まれる。

参照により本明細書に組み込まれる特許、特許出願、および刊行物のいずれかの開示が用語を不明瞭にさせ得る程度まで本出願の記載と矛盾する場合、本記載が優先するものとする。

Claims (15)

1. ディスプレイデバイスの製造方法であって、以下の工程：
   （１）前面シート電極を提供する工程と、
   （２）裏面シート電極を提供する工程と、
   （３）前記前面シート電極と前記裏面シート電極の間に、少なくとも１種の有機半導体材料からなる１つ以上の層を挿入する工程と
   を含み、
   前記前面シート電極は、
   （ｉ）少なくとも１種の熱可塑性ポリマー［ポリマー（Ｔ１）］を含む組成物［組成物（Ｃ１）］からなる少なくとも１つの層（Ｌ１）を提供する工程であって、前記層（Ｌ１）は２つの反対の表面を有する、工程と、
   （ｉｉ）前記層（Ｌ１）の少なくとも１つの表面を、エッチングガス媒体の存在下で高周波グロー放電法によって処理する工程と、
   （ｉｉｉ）少なくとも１種の金属化合物（Ｍ１）からなる層［層（Ｌ２）］を、工程（ｉｉ）で得られた前記層（Ｌ１）の各処理表面の上に無電解析出によって適用する工程と
   によって得られ得る１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである、方法。
2. 前記前面シート電極が、光学的に透明である、請求項１に記載の方法。
3. 前記ポリマー（Ｔ１）は、
   − 少なくとも１種のフッ素化モノマーに由来する繰り返し単位を含むフルオロポリマー、
   − ポリエステル、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートおよびそれらのコポリマー、
   −ポリオレフィン、例えば、低密度、線状低密度および高密度ポリエチレン、ポリプロピレンおよび二軸延伸ポリプロピレン、ならびにポリブチレン、
   − 置換ポリオレフィン、例えば、ポリスチレン、
   − ポリエーテルスルホン、
   − ポリカーボネート、
   − ポリアクリレート、ならびに
   − ポリイミド
   からなる群から選択される、請求項１または２に記載の方法。
4. 工程（ｉｉ）の下で、前記エッチングガス媒体が、空気、Ｎ_２、ＮＨ_３、ＣＨ_４、ＣＯ_２、Ｈｅ、Ｏ_２、Ｈ_２およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
5. 工程（ｉｉ）の下で、前記エッチングガス媒体が、Ｎ_２および／またはＮＨ_３ならびに任意選択で、Ｈ_２を含む、請求項４に記載の方法。
6. 前記方法が、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ２）からなる層［層（Ｌ３）］を、前記層（Ｌ２）の上に電着によって適用する工程であって、前記金属化合物（Ｍ２）は、前記金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なる、工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
7. 前記方法が、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ３）からなるパターン化層［層（Ｌ４）］を、前記層（Ｌ２）の上に適用する工程であって、前記金属化合物（Ｍ３）は、前記金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なる、工程をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記方法が、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ３）からなるパターン化層［層（Ｌ４）］を、前記層（Ｌ３）の上に適用する工程であって、前記金属化合物（Ｍ３）は、前記金属化合物（Ｍ１）および前記金属化合物（Ｍ２）に等しいかまたはそれらと異なる、工程をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法によって得られ得るディスプレイデバイスであって、
   − 前面シート電極、
   − 裏面シート電極、および
   − 前記前面シート電極の内側表面および前記裏面シート電極の内側表面に直接接着された、少なくとも１種の有機半導体材料からなる１つ以上の層
   を備え、
   前記前面シート電極は、以下の層：
   − 少なくとも１種の熱可塑性ポリマー［ポリマー（Ｔ１）］を含む組成物［組成物（Ｃ１）］からなる少なくとも１つの層［層（Ｌ１）］であって、前記層（Ｌ１）の層は、２つの反対の表面を有し、ここで、少なくとも１つの表面［表面（Ｌ１−ｆ）］は、１個以上のグラフト化官能基を含む、層（Ｌ１）、および
   − 前記層（Ｌ１）の前記表面（Ｌ１−ｆ）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ１）からなる層［層（Ｌ２）］
   を含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである、ディスプレイデバイス。
10. 前記表面（Ｌ１−ｆ）が、アミン基（−ＮＨ_２）、イミン基（−ＣＨ＝ＮＨ）、ニトリル基（−ＣＮ）およびアミド基（−ＣＯＮＨ_２）からなる群から選択される１個以上のグラフト化官能基を含む、請求項５に記載の方法によって得られ得るディスプレイデバイス。
11. 前記前面シート電極が、前記層（Ｌ２）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ２）からなる層［層（Ｌ３）］であって、前記金属化合物（Ｍ２）は、前記金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なる、層（Ｌ３）をさらに含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである、請求項６に記載の方法によって得られ得るディスプレイデバイス。
12. 前記前面シート電極が、前記層（Ｌ２）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ３）からなるパターン化層［層（Ｌ４）］であって、前記金属化合物（Ｍ３）は、前記金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なる、層（Ｌ４）をさらに含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである、請求項７に記載の方法によって得られ得るディスプレイデバイス。
13. 前記前面シート電極が、
    − 前記層（Ｌ２）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ２）からなる層［層（Ｌ３）］であって、前記金属化合物（Ｍ２）は、前記金属化合物（Ｍ１）に等しいかまたはそれと異なる、層（Ｌ３）、ならびに
    − 前記層（Ｌ３）に直接接着された、少なくとも１種の金属化合物（Ｍ３）からなるパターン化層［層（Ｌ４）］であって、前記金属化合物（Ｍ３）は、前記金属化合物（Ｍ１）および前記金属化合物（Ｍ２）に等しいかまたはそれらと異なる、層（Ｌ４）
    をさらに含む１つ以上の多層アセンブリを備えるアセンブリである、請求項８に記載の方法によって得られ得るディスプレイデバイス。
14. 前記前面シート電極の前記少なくとも１つの層（Ｌ１）が、前記ディスプレイデバイスの外側層である、請求項９〜１３のいずれか一項に記載のディスプレイデバイス。
15. 前記層（Ｌ２）が、０．０５μｍ〜５μｍ、好ましくは０．５μｍ〜１．５μｍに含まれる厚さを有する、請求項９〜１４のいずれか１項に記載のディスプレイデバイス。