CN105849926A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供前板电极，(2)提供背板电极，并且(3)在该前板电极与该背板电极之间插入一个或多个由至少一种有机半导体材料组成的层，其中所述前板电极是包含一个或多个通过以下步骤可获得的多层组件的组件：(i)提供至少一个由组合物[组合物(C1)]组成的层(L1)，该组合物包含以下项、优选地由以下项组成：至少一种热塑性聚合物[聚合物(T1)]，所述层(L1)具有两个相反的表面；(ii)在蚀刻气体介质的存在下用射频辉光放电方法处理该层(L1)的至少一个表面；(iii)通过无电沉积将由至少一种金属化合物(M1)组成的层[层(L2)]涂覆到在步骤(ii)中提供的该层(L1)的每个经处理的表面上。本发明还涉及通过所述方法提供的显示装置并且涉及所述显示装置在有机电子装置中的用途。

Description

显示装置
本申请要求在2013年12月23日提交的欧洲申请号13199419.6的优先权，出于所有的目的将此申请的全部内容通过引用结合在此。
技术领域
本发明涉及一种显示装置，涉及一种用于其制造的方法并且涉及其在有机电子装置中的用途。
背景技术
有机电子装置(OED)典型地包含位于两个电极，阳极与阴极，之间的有机材料的一个或多个层，这些层都沉积在基底上。
已知的OED构造的非限制性实例包括有机光伏装置(OPV)，有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)如有机场效应晶体管(OFET)。
由于这些OED装置的主要应用是在液晶显示器中，玻璃通常作为基底用在这些OED构造中。随着对于柔性电子产品的日益增长的需求，对于用对可见光光学透明的聚合物基底代替玻璃基底存在很大兴趣，特别地在其中低体积、轻重量和稳健性是重要的平板显示技术中。
众所周知的是有机材料可能受到可以容易地渗透入该聚合物基底的氧和水分的不利的影响。
为了防止污染物如氧和水分渗透到基底中，在惰性环境中分开的封装和制造步骤是典型地需要的并且制造成本大大增加。
目前，Sn-掺杂的In2O3(ITO)，其有利地是对可见光光学透明的，是最广泛采用的用于制造OED装置中的阳极的材料。然而，ITO的大规模实施由于铟的缺乏、毒性和高成本受到严重阻碍。
而且，阳极表面中的瑕疵典型地降低阳极-有机膜界面粘附，增加电阻，并且允许OED材料中非发射暗点的更频繁的形成，从而不利地影响这些装置的寿命。对于ITO/玻璃基底降低阳极粗糙度的机制包括使用薄膜和自组装的单层。
因此，在本领域中对于具有高的与外部环境的阻隔特性、低厚度和良好的光学透明度，同时展现良好的层间粘附特性的适用于制造有机电子显示装置的OED多层装置，以及对于允许容易地制造所述显示装置的方法仍存在需要。
发明概述
现在已经出人意料地发现，通过将包含热塑性聚合物基底层的整体组件用作前板电极，有可能提供本发明的有机电子显示装置，这些有机电子显示装置有利地长期具有与提供出色的柔性一样低的厚度，同时确保高的与外部环境的阻隔特性以及，优选地，良好的光学透明度。
具体地，已经发现本发明的显示装置具有对于水蒸气和气体、特别是氧气的低的透过性。
另外，已经发现本发明的显示装置展现出良好的层间粘附特性。
此外，已经发现所述显示装置可以容易地通过本发明的方法获得。
在第一实例中，本发明涉及一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)提供前板电极，
(2)提供背板电极，并且
(3)在该前板电极与该背板电极之间插入一个或多个由至少一种有机半导体材料组成的层，
其中所述前板电极是包含一个或多个通过以下步骤可获得的多层组件的组件：
(i)提供至少一个由组合物[组合物(C1)]组成的层(L1)，该组合物包含以下项、优选地由以下项组成：至少一种热塑性聚合物[聚合物(T1)]，所述层(L1)具有两个相反的表面；
(ii)在蚀刻气体介质的存在下用射频辉光放电方法处理该层(L1)的至少一个表面；
(iii)通过无电沉积将由至少一种金属化合物(M1)组成的层[层(L2)]涂覆到在步骤(ii)中提供的该层(L1)的每个经处理的表面上。
在第二实例中，本发明涉及一种显示装置，该显示装置包含：
-前板电极，
-背板电极，以及
-直接粘附到该前板电极的内表面以及该背板电极的内表面上的由至少一种有机半导体材料组成的一个或多个层，
其中该前板电极是包含一个或多个包含以下层的多层组件的组件：
-至少一个由组合物[组合物(C1)]组成的层[层(L1)]，该组合物包含以下项、优选地由以下项组成：至少一种热塑性聚合物[聚合物(T1)]，所述层(L1)层具有两个相反的表面，其中至少一个表面包含一种或多种接枝的官能团[表面(L1-f)]，以及
-直接粘附到该层(L1)的表面(L1-f)上的由至少一种金属化合物(M1)组成的层[层(L2)]。
本发明的显示装置是有利地通过本发明的方法可获得的。
本发明的显示装置优选地包含：
-前板电极，
-背板电极，以及
-直接粘附到该前板电极的内表面以及该背板电极的内表面上的由至少一种有机半导体材料组成的一个或多个层，
其中该前板电极是包含一个或多个包含以下层的多层组件的组件：
-外层(L1)，所述外层(L1)层具有两个相反的表面，其中该内表面包含一种或多种接枝的官能团[表面(L1-f)]，
-直接粘附到该外层(L1)的表面(L1-f)上的层(L2)，
-一个或多个中间层(L1)，所述中间层(L1)层具有两个相反的表面，其中这两个表面都包含一种或多种接枝的官能团[表面(L1-f)]，以及
-直接粘附到中间层(L1)的每个表面(L1-f)上的层(L2)。
出于本发明的目的，术语“显示装置”旨在表示用于以视觉或触觉形式呈现信息的输出电子装置，其中该输入信息作为电信号提供。
在第三实例中，本发明涉及本发明的显示装置在有机电子装置中的用途。
因此，本发明涉及本发明的显示装置在有机光伏装置(OPV)、有机发光二极管(OLED)和有机薄膜晶体管(OTFT)中的用途。
出于本发明的目的，术语“前板电极”旨在表示在本发明的显示装置的前面上的电极构造。
出于本发明的目的，术语“背板电极”旨在表示在本发明的显示装置的后面上的电极构造。
本发明的显示装置的前板电极有利地是光学透明的。
出于本发明的目的，通过术语“光学透明的”它是指该前片状电极允许入射电磁辐射从其中穿过而没有被散射。
本发明的显示装置的前板电极有利地是对于具有从约100nm至约2500nm、优选地从约400nm至约800nm的波长的入射电磁辐射光学透明的。
本发明的显示装置的前板电极优选地是对于具有从约100nm至约400nm的波长的入射电磁辐射不光学透明的。
本发明的显示装置的前板电极有利地具有该入射电磁辐射的至少50％、优选地至少55％、更优选地至少60％的透射率。
可以使用分光光度计根据任何适合的技术测量该透射率。
本发明的显示装置的前板电极典型地具有包括在5μm与150μm之间、优选地约100μm的厚度。
本发明的显示装置的前板电极有利地是所述显示装置的阳极。
本发明的显示装置的背板电极有利地是所述显示装置的阴极。
该背板电极没有特别限制。本领域技术人员，取决于本发明的显示装置的性质，将选择适用于在其中使用的适当的背板电极。
出于本发明的目的，通过术语“层”，它是指具有小于其长度或者其宽度任一个的厚度的位于另一件上或下方的一块覆盖材料或零件。
出于本发明的目的，术语“有机半导体材料”旨在表示具有半导体材料的固有特性的基于碳的化合物。
该有机半导体材料没有特别限制。本领域技术人员，取决于本发明的显示装置的性质，将选择适用于在其中使用的适当的有机半导体材料。
该有机半导体材料典型地选自由以下各项组成的组：聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)、聚噻吩乙炔、聚(对-亚苯基亚乙烯基)、聚芴和其混合物。
出于本发明的目的，术语“热塑性聚合物”旨在表示在室温下(低于其玻璃化转变温度，如果它是无定形的，或者低于其熔点，如果它是半晶质的)存在的任何一种聚合物，并且它是直链的或支链的(即不是网状的)。当该热塑性聚合物被加热时它具有变软的特性，并且当它被冷却时具有再次变硬的特性，而没有明显的化学变化。这样一种定义例如可在称为“聚合物科学词典(PolymerScience Dictionary)”，Mark S.M.Alger，伦敦聚合物工艺学院(London School ofPolymer Technology)，北伦敦理工大学(Polytechnic of North London)，UK，由爱思唯尔应用科学(Elsevier Applied Science)出版，1989，的百科全书中找到。
该层(L1)有利地是光学透明的。
本发明的显示装置的前板电极的层(L1)通常是所述显示装置的外层。
该层(L1)的表面(L1-f)有利地是通过在蚀刻气体介质的存在下用射频辉光放电方法处理该层(L1)的至少一个表面可获得的。
术语“官能团”在此根据其通常的含义用于表示通过共价键彼此连接的一组原子，其造成具有该聚合物(T1)的表面(L1-f)的反应性。
出于本发明的目的，术语“接枝的官能团”旨在表示通过接枝到该聚合物(T1)的主链上可获得的官能团。
出于本发明的目的，术语“接枝”根据其通常的含义用于表示自由基过程，通过该自由基过程一个或多个官能团被插入到聚合物骨架的表面上。
通过在蚀刻气体介质的存在下用射频辉光放电方法来处理该层(L1)的至少一个表面可获得的接枝的官能团典型地包含所述蚀刻气体介质的至少一个原子。
该层(L1)典型地具有至少5μm、优选地至少10μm的厚度。具有小于5μm厚度的层(L1)，尽管仍然适用于本发明的隔离系统，但当要求足够的机械阻力时将不被使用。
按照该层(L1)的厚度的上限，这没有特别限制，其条件是所述层(L1)仍可以提供特定领域的目标用途所要求的柔性。
该层(L1)典型地具有最多50μm、优选地最多30μm的厚度。
本领域的技术人员，取决于该聚合物(T1)的性质，将选择该层(L1)的适当厚度以便提供所要求的透过性和柔性。
另外，本领域的技术人员，取决于该聚合物(T1)的性质，将选择该层(L1)的适当厚度以提供所要求的光学透明度。
聚合物(T1)优选地选自以下各项组成的组：
-氟聚合物，包含衍生自至少一种氟化单体的重复单元，
-聚酯，如聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯以及其共聚物，
-聚烯烃，如低密度、直链低密度和高密度的聚乙烯，聚丙烯和双轴取向的聚丙烯，以及聚丁烯，
-取代的聚烯烃如聚苯乙烯，
-聚醚砜，
-聚碳酸酯，
-聚丙烯酸酯，以及
-聚酰亚胺。
通过术语“氟化单体”，它在此旨在表示包含至少一个氟原子的烯键式不饱和单体。
术语“至少一种氟化单体”应理解为是指该氟聚合物可以包含衍生自一种或多于一种氟化单体的重复单元。在本文的其余部分，表述“氟化单体”出于本发明的目的应理解为是复数和单数形式均可，即它们表示一种或多于一种如以上定义的氟化单体二者。
值得注意地，合适的氟化单体的非限制性实例包括以下各项：
-C3-C8全氟烯烃，比如四氟乙烯(TFE)和六氟丙烯(HFP)；
-C2-C8氢化的氟烯烃，比如偏二氟乙烯(VDF)、氟乙烯、1,2-二氟乙烯以及三氟乙烯(TrFE)；
-具有式CH2＝CH-Rf0的全氟烷基乙烯，其中Rf0是C1-C6全氟烷基；
-氯代-和/或溴代-和/或碘代-C2-C6氟烯烃，如三氟氯乙烯(CTFE)；
-具有式CF2＝CFORf1的(全)氟烷基乙烯基醚，其中Rf1是C1-C6氟代-或全氟烷基，例如CF3、C2F5、C3F7；
-CF2＝CFOX0(全)氟-氧烷基乙烯基醚，其中X0是C1-C12烷基、C1-C12氧烷基或包含一个或多个醚基的C1-C12(全)氟氧烷基，如全氟-2-丙氧基-丙基；
-具有式CF2＝CFOCF2ORf2的(全)氟烷基乙烯基醚，其中Rf2是C1-C6氟代-或全氟烷基，例如CF3、C2F5、C3F7，或包含一个或多个醚基的C1-C6(全)氟氧烷基，如-C2F5-O-CF3；
-具有式CF2＝CFOY0的官能的(全)氟代-氧烷基乙烯基醚，其中Y0是C1-C12烷基或(全)氟烷基、C1-C12氧烷基或包含一个或多个醚基的C1-C12(全)氟氧烷基，并且Y0包含羧酸或磺酸基团，呈其酸、酰基卤或盐的形式；
-氟间二氧杂环戊烯，优选全氟间二氧杂环戊烯；以及
-具有式CR7R8＝CR9OCR10R11(CR12R13)a(O)bCR14＝CR15R16的可环化聚合单体，其中R7至R16，彼此独立，各自选自-F和C1-C3氟烷基，a是0或1，b是0或1，其条件是当a是1时b是0。
该氟聚合物可以进一步包含至少一种氢化单体。
通过术语“氢化单体”，它在此旨在表示包含至少一个氢原子并且不含氟原子的烯键式不饱和单体。
术语“至少一种氢化单体”应理解为是指该氟聚合物可以包含衍生自一种或多于一种氢化单体的重复单元。在本文的其余部分，表述“氢化单体”出于本发明的目的应理解为是复数和单数形式均可，即它们表示一种或多于一种如以上定义的氢化单体二者。
值得注意地，适合的氢化单体的非限制性实例包括，非氟化单体如乙烯、丙烯，乙烯基单体如乙酸乙烯酯，(甲基)丙烯酸单体以及苯乙烯单体如苯乙烯和对-甲基苯乙烯。
该氟聚合物可以是半晶质的或无定形的。
术语“半晶质”在此旨在表示如根据ASTM D3418-08测量的，具有从10至90J/g、优选从30至60J/g、更优选从35至55J/g的熔解热的氟聚合物。
术语“无定形的”在此旨在表示具有，如根据ASTM D-3418-08测量的，小于5J/g、优选小于3J/g、更优选小于2J/g的熔解热的氟聚合物。
该氟聚合物优选地选自由以下项组成的组：
(A)包含衍生自至少一种选自四氟乙烯(TFE)和三氟氯乙烯(CTFE)的氟化单体、以及至少一种选自乙烯、丙烯以及异丁烯的氢化单体的重复单元的氟聚合物，任选地含有一种或多种额外的共聚单体，该一种或多种额外的共聚单体的量典型地为基于TFE和/或CTFE以及所述一种或多种氢化单体的总量的按摩尔计从0.01％至30％；以及
(B)由衍生自三氟氯乙烯(CTFE)的重复单元组成的氟聚合物。
如以上定义的氟聚合物(A)优选地包含衍生自乙烯(E)以及三氟氯乙烯(CTFE)和四氟乙烯(TFE)中的至少一种的重复单元。
如以上定义的氟聚合物(A)更优选地包含：
(a)按摩尔计从30％至48％、优选从35％至45％的乙烯(E)；
(b)按摩尔计从52％至70％、优选地从55％至65％的三氟氯乙烯(CTFE)、四氟乙烯(TFE)或其混合物；以及
(c)基于单体(a)和(b)的总量，按摩尔计最高达5％、优选地最高达2.5％的一种或多种氟化和/或氢化的共聚单体。
该共聚单体优选地是选自(甲基)丙烯酸单体的组的氢化共聚单体。该氢化共聚单体更优选地是选自由以下各项组成的组：丙烯酸羟烷基酯共聚单体(如丙烯酸羟乙基酯、丙烯酸羟丙基酯和丙烯酸(羟基)乙基己基酯)，以及丙烯酸烷基酯共聚单体(如丙烯酸正丁基酯)。
在如以上定义的氟聚合物(A)中，优选的是ECTFE共聚物，即乙烯和CTFE以及任选地第三共聚单体的共聚物。
适合于本发明的方法的ECTFE聚合物典型地具有不超过210℃、优选地不超过200℃、甚至不超过198℃、优选地不超过195℃、更优选地不超过193℃、甚至更优选地不超过190℃的熔融温度。该ECTFE聚合物具有有利地至少120℃、优选地至少130℃、还优选地至少140℃、更优选地至少145℃、甚至更优选地至少150℃的熔融温度。
根据ASTM D 3418，通过差示扫描量热法(DSC)以10℃/min的加热速率确定该熔融温度。
已经发现给出特别良好结果的ECTFE聚合物是主要由衍生自以下各项的重复单元组成的那些：
(a)按摩尔计从35％至47％的乙烯(E)；
(b)按摩尔计从53％至65％的三氟氯乙烯(CTFE)。
导致重复单元不同于上述那些的端链、缺陷或少量单体杂质仍可包含在优选的ECTFE中，而不影响该材料的特性。
按照ASTM 3275-81程序在230℃和2.16Kg下测量的该ECTFE聚合物的熔体流动速率的范围通常从0.01g/10min至75g/10min、优选地从0.1g/10min至50g/10min、更优选地从0.5g/10min至30g/10min。
根据ASTM D 3418，以10℃/min的加热速率，通过差示扫描热量法(DSC)确定如以上定义的氟聚合物(A)的熔解热。
如以上定义的氟聚合物(A)典型地具有最多35J/g、优选地最多30J/g、更优选地最多25J/g的熔解热。
如以上定义的氟聚合物(A)典型地具有至少1J/g、优选地至少2J/g、更优选地至少5J/g的熔解热。
如以上定义的氟聚合物(A)有利地是半晶质聚合物。
该组合物(C1)可以进一步包含一种或多种添加剂，诸如但不限于，干燥剂和氧气清除剂。本领域的技术人员将依赖于该层(L1)的厚度来选择该组合物(C1)中一种或更多种添加剂的合适的量。
干燥剂典型地以纳米颗粒的形式使用。适合的干燥剂的非限制性实例包括，值得注意地，氧化硼、氧化钡、氧化钙和沸石。
该组合物(C1)典型地使用熔融加工技术在熔融相中进行处理。该组合物(C1)通常是在总体上包含在100℃与300℃之间的温度下通过挤出穿过模口来处理，以生成通常被切割用于提供粒料的条状物。双螺杆挤出机是用于实现该组合物(C1)的熔融混配的优选的设备。
通过加工通过传统膜挤出技术如此获得的粒料来典型地制造该层(L1)。膜挤出优选地使用扁平流延膜挤出法或热吹塑膜挤出法来实现。
该层(L1)优选地还通过一种或多种平面化技术进行加工。
值得注意地，适合的平面化技术的非限制性实例包括，双向拉伸、抛光和平面化涂覆处理。
已经发现，通过借助一个或多个平面化技术来进一步加工该层(L1)，其表面呈平滑的以确保该层(L2)的更高的层间粘附性。
通过“射频辉光放电方法”，它在此旨在表示通过射频放大器供能的方法，其中辉光放电是通过在含有蚀刻气体的电池中的两个电极之间施用电压而产生的。然后，典型地将如此产生的辉光放电穿过喷射头以到达待处理的材料的表面。
通过“蚀刻气体介质”，它在此旨在表示适合于在射频辉光放电方法中使用的气体或气体的混合物。
该蚀刻气体介质优选地选自由以下各项组成的组：空气、N2、NH3、CH4、CO2、He、O2、H2以及其混合物。
该蚀刻气体介质更优选地包含N2和/或NH3以及，任选地，H2。
该射频辉光放电方法典型地是在减压下或在大气压下进行的。
该射频辉光放电方法优选地是在约760托的大气压下进行的。
大气压等离子体具有显著的技术意义，因为与低压等离子体或高压等离子体相比，无需确保反应容器维持不同于大气压力的压力水平。
该射频辉光放电方法典型地在包括在1kHz与100kHz之间的射频下进行。
该射频辉光放电方法典型地是在包括在1kV与50kV之间的电压下进行。
根据本发明方法的第一实施例，该射频辉光放电方法产生电晕放电。
本发明方法的此第一实施例的射频辉光放电方法典型地在包括在5kHz与15kHz之间的射频下进行。
本发明方法的此第一实施例的射频辉光放电方法典型地在包括在1kV与20kV之间的电压下进行。
该电晕放电典型地具有包括在1×109与1×1013cm-3之间的密度。
根据本发明方法的第二实施例，该射频辉光放电方法产生等离子体放电。
本发明方法的此第二实施例的射频辉光放电方法典型地在包括在10kHz与100kHz之间的射频下进行。
本发明方法的此第二实施例的射频辉光放电方法典型地在包括在5kV与15kV之间的电压下进行。
该等离子体放电典型地具有包括在1×1016与1×1019cm-3之间的密度。
本申请人已经发现，在蚀刻气体介质的存在下用射频辉光放电方法处理该层(L1)的一个表面之后，该层(L1)成功地保持包括其柔性和其光学透明度的其本体特性。
通过在包含N2和/或NH3以及任选地H2的蚀刻气体介质存在下，典型地在大气压下，用射频辉光放电方法处理该层(L1)的表面可获得的该层(L1)的表面(L1-f)的接枝的官能团的非限制性实例值得注意地包括选自下组的那些，该组由以下各项组成：胺基团(-NH2)、亚胺基团(-CH＝NH)、腈基团(-CN)和酰胺基团(-CONH2)。
该层(L1)的表面(L1-f)的接枝的官能团的性质可以通过任何合适的技术、典型地通过FT-IR技术如耦合到FT-IR技术的衰减全反射(ATR)或通过X射线诱导的光电子能谱(XPS)技术来确定。
该层(L2)是有利地通过无电沉积到该层(L1)的表面(L1-f)上可获得的。
本申请人已经出人意料地发现该层(L1)的表面(L1-f)有利地提供了与通过无电沉积涂覆到其上的层(L2)的优异的层间粘附。
该层(L2)有利地是光学透明的。
该金属化合物(M1)典型地是选自由以下各项组成的组的金属氧化物：
-SiOx、ZnO、In2O3、SnO2和其混合物，其中x是包含在0.5与2之间，
-杂质掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成：ZnO、In2O3、SnO2、CdO以及其混合物，如Sn-掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成：ZnO、In2O3、SnO2、CdO以及其混合物，以及Al-掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成ZnO、In2O3、SnO2、CdO和其混合物，以及
-Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、Zn3In2O6、In2SnO4、CdSnO3，以及其混合物。
出于本发明的目的，通过“无电沉积”，它是指典型地在电镀浴中进行的氧化还原过程，其中在适合的化学还原剂的存在下金属化合物被从其氧化态还原至其元素态。
该层(L1)的表面(L1-f)典型地与无电金属化催化剂接触，由此提供催化层[层(L1c)]。
然后，该层(L2)典型地是使用包含至少一种源于至少一种金属化合物(M1)的金属离子的组合物(C2)通过无电沉积到该层(L1c)上可获得的。
本申请人认为，这并不限制本发明的范围，该层(L1c)是该无电沉积过程的瞬时中间体，这样使得该层(L2)最终被直接粘附至该层(L1)的表面(L1-f)上。
该无电金属化催化剂典型地选自由基于以下各项的催化剂组成的组：钯、铂、铑、铱、镍、铜、银和金。
该无电金属化催化剂优选地选自钯催化剂(比如PdCl2)。
该层(L1)的表面(L1-f)典型地与该无电金属化催化剂在液相中在至少一种液体介质的存在下接触。
该组合物(C2)典型地包含至少一种源于至少一种金属化合物(M1)的金属离子、至少一种还原剂、至少一种液体介质以及任选地一种或多种添加剂。
值得注意地，适合的液体介质的非限制性实例包括水、有机溶剂和离子液体。
在有机溶剂中，醇是优选的，如乙醇。
适合的还原剂的非限制性实例包括，值得注意的是，甲醛、次磷酸钠以及肼。
值得注意地，合适的添加剂的非限制性实例包括盐、缓冲剂和适于增强该液体组合物中催化剂稳定性的其他材料。
在本发明方法中的步骤(iii)中提供的多层组件典型地被干燥，优选地在包含在50℃与150℃之间的温度下、更优选地在包含在100℃与150℃之间的温度下。
该层(L2)典型地具有包含在0.05μm与5μm之间、优选地在0.5μm与1.5μm之间的厚度。
该层(L2)的厚度可以通过任何合适的技术、典型地通过扫描电子显微镜(SEM)技术测量。
根据本发明的第一实施例，本发明的显示装置的前板电极是包含一个或多个多层组件的组件，该一个或多个多层组件进一步包含直接粘附到该层(L2)上的由至少一种金属化合物(M2)组成的层[层(L3)]，所述金属化合物(M2)与该金属化合物(M1)相同或不同。
该层(L3)优选地是通过电沉积到该层(L2)上可获得的。
该层(L3)有利地是光学透明的。
出于本发明的目的，通过“电沉积”，它是指典型地在电解池中使用电解液进行的过程，其中使用电流来将金属化合物从其氧化态还原至其元素态。
典型地通过电沉积使用包含至少一种源于至少一种金属化合物(M2)的金属离子的组合物(C3)将该层(L3)涂覆到该层(L2)上。
该金属化合物(M2)，与该金属化合物(M1)相同或不同，典型地是选自由以下各项组成的组的金属氧化物：
-SiOx、ZnO、In2O3、SnO2和其混合物，其中x是包含在0.5与2之间，
-杂质掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成：ZnO、In2O3、SnO2、CdO以及其混合物，如Sn-掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成：ZnO、In2O3、SnO2、CdO以及其混合物，以及Al-掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成ZnO、In2O3、SnO2、CdO和其混合物，以及
-Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、Zn3In2O6、In2SnO4、CdSnO3，以及其混合物。
该组合物(C3)优选地包含至少一种源于至少一种金属化合物(M2)的金属离子、至少一种金属卤化物、以及任选地至少一种离子液体。
合适的离子液体的非限制性实例值得注意地包括包含以下各项的那些：
-选自由以下各项组成的组的阳离子：硫鎓离子或咪唑鎓、吡啶鎓、吡咯烷鎓或哌啶鎓环，所述环任选地在氮原子上特别地被具有1至8个碳原子的一个或多个烷基取代，并且在碳原子上特别是被具有1至30个碳原子的一个或多个烷基取代，以及
-阴离子，选自由卤化物阴离子、全氟化的阴离子和硼酸根组成的组。
本申请人还已经发现该层(L2)有利地提供了与通过电沉积涂覆到其上的层(L3)的优异的层间粘附。
由此提供的多层组件典型地被干燥，优选地在包含在50℃与150℃之间的温度下、更优选地在包含在100℃与150℃之间的温度下。
该层(L3)，如果有的话，典型地具有包含在0.05μm与5μm之间、优选地在0.5μm与1.5μm之间的厚度。
该层(L3)的厚度可以通过任何合适的技术、典型地通过扫描电子显微镜(SEM)技术测量。
根据本发明的第二实施例，本发明的显示装置的前板电极是包含一个或多个多层组件的组件，该一个或多个多层组件进一步包含直接粘附到该层(L2)上的由至少一种金属化合物(M3)组成的有图案的层[层(L4)]，所述金属化合物(M3)与该金属化合物(M1)相同或不同。
根据本发明的第三实施例，本发明的显示装置的前板电极是包含一个或多个多层组件的组件，该一个或多个多层组件进一步包含：
-直接粘附到该层(L2)上的由至少一种金属化合物(M2)组成的层[层(L3)]，所述金属化合物(M2)与该金属化合物(M1)相同或不同，以及
-直接粘附到该层(L3)上的由至少一种金属化合物(M3)组成的有图案的层[层(L4)]，所述金属化合物(M3)与该金属化合物(M1)和该金属化合物(M2)相同或不同。
出于本发明的目的，通过“有图案的层”，它是指具有任何图案几何结构的层。
该层(L4)优选是有图案的网格层[层(L4-g)]。
出于本发明的目的，通过“有图案的网格层”，它是指具有任何网格图案几何结构的层。
该层(L4-g)典型地具有包括在100μm与800μm之间、优选地在150μm与500μm之间的筛目尺寸。
该层(L4-g)典型地具有包括在5μm与70μm之间、优选地在7μm与35μm之间的条宽度。
可以使用数字显微镜根据任何合适的技术测量该层(L4-g)的筛目尺寸和条宽度。
该化合物(M3)典型地选自下组，该组由以下各项组成：
(a)Rh、Ir、Ru、Ti、Re、Os、Cd、Tl、Pb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、Ru、Pd、Sn、Ge、Ga、其合金以及其衍生物，以及
(b)选自下组的氧化物，该组由以下各项组成：
-SiOx、ZnO、In2O3、SnO2和其混合物，其中x是包含在0.5与2之间，
-杂质掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成：ZnO、In2O3、SnO2、CdO以及其混合物，如Sn-掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成：ZnO、In2O3、SnO2、CdO以及其混合物，以及Al-掺杂的选自下组的金属氧化物，该组由以下各项组成ZnO、In2O3、SnO2、CdO和其混合物，以及
-Zn2SnO4、ZnSnO3、Zn2In2O5、Zn3In2O6、In2SnO4、CdSnO3，以及其混合物。
根据本发明的第二或第三实施例的第一变体，通过印刷技术，优选通过丝网印刷、凹版印刷、柔版印刷或喷墨印刷技术，更优选通过喷墨印刷技术，将该层(L4)典型地涂覆到或者该层(L2)上或者该层(L3)上(如果有的话)。
根据本发明的第二或第三实施例的第二变体，通过将该层(L4)组装到所述层(L2)或所述层(L3)上将该层(L4)典型地涂覆到或者该层(L2)上或者该层(L3)上(如果有的话)。
可以将该层(L4)支撑到由组合物[组合物(C1)]组成的层上，该组合物包含以下项、优选地由以下项组成：至少一种热塑性聚合物[聚合物(T1)]。
根据本发明的第四实施例，本发明的显示装置的前板电极是包含一个或多个多层组件的组件，该一个或多个多层组件进一步包含一个或多个由选自下组的化合物组成的层，该组由干燥剂和氧气清除剂组成。
适合的干燥剂的非限制性实例包括，值得注意地，氧化硼、氧化钡、氧化钙和沸石。
若任何通过引用结合在此的专利、专利申请以及公开物的披露内容与本申请的描述相冲突的程度到了可能导致术语不清楚，则本说明应该优先。

Claims (15)

1.一种用于制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
(1)提供前板电极，
(2)提供背板电极，并且
(3)在该前板电极与该背板电极之间插入一个或多个由至少一种有机半导体材料组成的层，
其中所述前板电极是包含一个或多个通过以下步骤可获得的多层组件的组件：
(i)提供至少一个由组合物[组合物(C1)]组成的层(L1)，该组合物包含至少一种热塑性聚合物[聚合物(T1)]，所述层(L1)具有两个相反的表面；
(ii)在蚀刻气体介质的存在下用射频辉光放电方法处理该层(L1)的至少一个表面；
(iii)通过无电沉积将由至少一种金属化合物(M1)组成的层[层(L2)]涂覆到在步骤(ii)中提供的该层(L1)的每个经处理的表面上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中该前板电极是光学透明的。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中该聚合物(T1)选自下组，该组由以下各项组成：
-氟聚合物，包含衍生自至少一种氟化单体的重复单元，
-聚酯，如聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯以及其共聚物，
-聚烯烃，如低密度、直链低密度和高密度的聚乙烯，聚丙烯和双轴取向的聚丙烯，以及聚丁烯，
-取代的聚烯烃如聚苯乙烯，
-聚醚砜，
-聚碳酸酯，
-聚丙烯酸酯，以及
-聚酰亚胺。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在步骤(ii)中，该蚀刻气体介质选自由以下各项组成的组：空气、N2、NH3、CH4、CO2、He、O2、H2以及其混合物。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在步骤(ii)中，该蚀刻气体介质包含N2和/或NH3以及，任选地，H2。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，所述方法进一步包括通过电沉积将由至少一种金属化合物(M2)组成的层[层(L3)]涂覆到该层(L2)上，所述金属化合物(M2)与该金属化合物(M1)相同或不同。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，所述方法进一步包括将由至少一种金属化合物(M3)组成的有图案的层[层(L4)]涂覆到该层(L2)上，所述金属化合物(M3)与该金属化合物(M1)相同或不同。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，所述方法进一步包括将由至少一种金属化合物(M3)组成的有图案的层[层(L4)]涂覆到该层(L3)上，所述金属化合物(M3)与该金属化合物(M1)和该金属化合物(M2)相同或不同。
9.一种通过根据权利要求1至8中任一项所述的方法可获得的显示装置，所述显示装置包含：
-前板电极，
-背板电极，以及
-直接粘附到该前板电极的内表面以及该背板电极的内表面上的由至少一种有机半导体材料组成的一个或多个层，
其中该前板电极是包含一个或多个包含以下层的多层组件的组件：
-至少一个由组合物[组合物(C1)]组成的层[层(L1)]，该组合物包含至少一种热塑性聚合物[聚合物(T1)]，所述层(L1)层具有两个相反的表面，其中至少一个表面包含一种或多种接枝的官能团[表面(L1-f)]，以及
-直接粘附到该层(L1)的表面(L1-f)上的由至少一种金属化合物(M1)组成的层[层(L2)]。
10.一种通过根据权利要求5所述的方法可获得的显示装置，其中该表面(L1-f)包含一种或多种选自下组的接枝的官能团，该组由以下各项组成：胺基团(-NH2)、亚胺基团(-CH＝NH)、腈基团(-CN)和酰胺基团(-CONH2)。
11.通过根据权利要求6所述的方法可获得的显示装置，其中该前板电极是包含一个或多个多层组件的组件，该一个或多个多层组件进一步包含直接粘附到该层(L2)上的由至少一种金属化合物(M2)组成的层[层(L3)]，所述金属化合物(M2)与该金属化合物(M1)相同或不同。
12.通过根据权利要求7所述的方法可获得的显示装置，其中该前板电极是包含一个或多个多层组件的组件，该一个或多个多层组件进一步包含直接粘附到该层(L2)上的由至少一种金属化合物(M3)组成的有图案的层[层(L4)]，所述金属化合物(M3)与该金属化合物(M1)相同或不同。
13.通过根据权利要求8所述的方法可获得的显示装置，其中该前板电极是包含一个或多个多层组件的组件，该一个或多个多层组件进一步包含：
-直接粘附到该层(L2)上的由至少一种金属化合物(M2)组成的层[层(L3)]，所述金属化合物(M2)与该金属化合物(M1)相同或不同，以及
-直接粘附到该层(L3)上的由至少一种金属化合物(M3)组成的有图案的层[层(L4)]，所述金属化合物(M3)与该金属化合物(M1)和该金属化合物(M2)相同或不同。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的显示装置，其中该前板电极的至少一个层(L1)是该显示装置的外层。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的显示装置，其中该层(L2)具有包含在0.05μm与5μm之间、优选地在0.5μm与1.5μm之间的厚度。
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