|
US9176377B2
(en)
|
2010-06-01 |
2015-11-03 |
Inpria Corporation |
Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods
|
|
US20130023129A1
(en)
|
2011-07-20 |
2013-01-24 |
Asm America, Inc. |
Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
|
|
US20160376700A1
(en)
|
2013-02-01 |
2016-12-29 |
Asm Ip Holding B.V. |
System for treatment of deposition reactor
|
|
KR102306612B1
(ko)
|
2014-01-31 |
2021-09-29 |
램 리써치 코포레이션 |
진공-통합된 하드마스크 프로세스 및 장치
|
|
US10858737B2
(en)
|
2014-07-28 |
2020-12-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Showerhead assembly and components thereof
|
|
GB201413924D0
(en)
|
2014-08-06 |
2014-09-17 |
Univ Manchester |
Electron beam resist composition
|
|
US10941490B2
(en)
|
2014-10-07 |
2021-03-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
|
|
KR102319630B1
(ko)
*
|
2014-10-23 |
2021-10-29 |
인프리아 코포레이션 |
유기 금속 용액 기반의 고해상도 패터닝 조성물 및 상응하는 방법
|
|
US10276355B2
(en)
|
2015-03-12 |
2019-04-30 |
Asm Ip Holding B.V. |
Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
|
|
GB201517273D0
(en)
|
2015-09-30 |
2015-11-11 |
Univ Manchester |
Resist composition
|
|
KR20260059663A
(ko)
*
|
2015-10-13 |
2026-04-30 |
인프리아 코포레이션 |
유기주석 옥사이드 하이드록사이드 패터닝 조성물, 전구체 및 패터닝
|
|
US9996004B2
(en)
*
|
2015-11-20 |
2018-06-12 |
Lam Research Corporation |
EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks
|
|
US11139308B2
(en)
|
2015-12-29 |
2021-10-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
|
|
US10529554B2
(en)
|
2016-02-19 |
2020-01-07 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
|
|
US10649328B2
(en)
|
2016-03-11 |
2020-05-12 |
Inpria Corporation |
Pre-patterned lithography templates, processes based on radiation patterning using the templates and processes to form the templates
|
|
US10343920B2
(en)
|
2016-03-18 |
2019-07-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Aligned carbon nanotubes
|
|
US11453943B2
(en)
|
2016-05-25 |
2022-09-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
|
|
US12051589B2
(en)
|
2016-06-28 |
2024-07-30 |
Lam Research Corporation |
Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing
|
|
US10612137B2
(en)
|
2016-07-08 |
2020-04-07 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Organic reactants for atomic layer deposition
|
|
US9859151B1
(en)
|
2016-07-08 |
2018-01-02 |
Asm Ip Holding B.V. |
Selective film deposition method to form air gaps
|
|
US9812320B1
(en)
|
2016-07-28 |
2017-11-07 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method and apparatus for filling a gap
|
|
US9887082B1
(en)
|
2016-07-28 |
2018-02-06 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method and apparatus for filling a gap
|
|
US10627719B2
(en)
|
2016-08-12 |
2020-04-21 |
Inpria Corporation |
Methods of reducing metal residue in edge bead region from metal-containing resists
|
|
US11532757B2
(en)
|
2016-10-27 |
2022-12-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Deposition of charge trapping layers
|
|
US10714350B2
(en)
|
2016-11-01 |
2020-07-14 |
ASM IP Holdings, B.V. |
Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
|
|
KR102546317B1
(ko)
|
2016-11-15 |
2023-06-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
|
|
US11581186B2
(en)
|
2016-12-15 |
2023-02-14 |
Asm Ip Holding B.V. |
Sequential infiltration synthesis apparatus
|
|
US11447861B2
(en)
|
2016-12-15 |
2022-09-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
|
|
US11390950B2
(en)
|
2017-01-10 |
2022-07-19 |
Asm Ip Holding B.V. |
Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
|
|
KR102722138B1
(ko)
|
2017-02-13 |
2024-10-24 |
램 리써치 코포레이션 |
에어 갭들을 생성하는 방법
|
|
US10468261B2
(en)
|
2017-02-15 |
2019-11-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
|
|
US10546748B2
(en)
|
2017-02-17 |
2020-01-28 |
Lam Research Corporation |
Tin oxide films in semiconductor device manufacturing
|
|
US10770286B2
(en)
|
2017-05-08 |
2020-09-08 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
|
|
US10796912B2
(en)
|
2017-05-16 |
2020-10-06 |
Lam Research Corporation |
Eliminating yield impact of stochastics in lithography
|
|
US20180347039A1
(en)
*
|
2017-06-05 |
2018-12-06 |
Applied Materials, Inc. |
Aerosol Assisted CVD For Industrial Coatings
|
|
US12040200B2
(en)
|
2017-06-20 |
2024-07-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
|
|
US11306395B2
(en)
|
2017-06-28 |
2022-04-19 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
|
|
KR20190009245A
(ko)
|
2017-07-18 |
2019-01-28 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
|
|
US11374112B2
(en)
|
2017-07-19 |
2022-06-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
|
|
US10590535B2
(en)
|
2017-07-26 |
2020-03-17 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
|
|
CA2975104A1
(en)
*
|
2017-08-02 |
2019-02-02 |
Seastar Chemicals Inc. |
Organometallic compounds and methods for the deposition of high purity tin oxide
|
|
TWI815813B
(zh)
|
2017-08-04 |
2023-09-21 |
荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 |
用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
|
|
US10692741B2
(en)
|
2017-08-08 |
2020-06-23 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Radiation shield
|
|
US10770336B2
(en)
|
2017-08-08 |
2020-09-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate lift mechanism and reactor including same
|
|
US11769682B2
(en)
|
2017-08-09 |
2023-09-26 |
Asm Ip Holding B.V. |
Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
|
|
US11830730B2
(en)
|
2017-08-29 |
2023-11-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Layer forming method and apparatus
|
|
US11295980B2
(en)
|
2017-08-30 |
2022-04-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
|
|
US10658205B2
(en)
|
2017-09-28 |
2020-05-19 |
Asm Ip Holdings B.V. |
Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
|
|
US10403504B2
(en)
|
2017-10-05 |
2019-09-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
|
|
US10923344B2
(en)
|
2017-10-30 |
2021-02-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
|
|
KR102918243B1
(ko)
|
2017-11-20 |
2026-01-26 |
인프리아 코포레이션 |
유기주석 클러스터, 유기주석 클러스터의 용액, 및 고해상도 패턴화에 대한 적용
|
|
JP7206265B2
(ja)
|
2017-11-27 |
2023-01-17 |
エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． |
クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置
|
|
CN111316417B
(zh)
|
2017-11-27 |
2023-12-22 |
阿斯莫Ip控股公司 |
与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
|
|
US10872771B2
(en)
|
2018-01-16 |
2020-12-22 |
Asm Ip Holding B. V. |
Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
|
|
TWI799494B
(zh)
|
2018-01-19 |
2023-04-21 |
荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 |
沈積方法
|
|
CN111630203A
(zh)
|
2018-01-19 |
2020-09-04 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
|
|
US11355353B2
(en)
|
2018-01-30 |
2022-06-07 |
Lam Research Corporation |
Tin oxide mandrels in patterning
|
|
US11081345B2
(en)
|
2018-02-06 |
2021-08-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
|
|
JP7124098B2
(ja)
|
2018-02-14 |
2022-08-23 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
|
|
US10896820B2
(en)
|
2018-02-14 |
2021-01-19 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
|
|
US10731249B2
(en)
|
2018-02-15 |
2020-08-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
|
|
KR102636427B1
(ko)
|
2018-02-20 |
2024-02-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 방법 및 장치
|
|
US10975470B2
(en)
|
2018-02-23 |
2021-04-13 |
Asm Ip Holding B.V. |
Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
|
|
US11473195B2
(en)
|
2018-03-01 |
2022-10-18 |
Asm Ip Holding B.V. |
Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
|
|
KR102841279B1
(ko)
|
2018-03-19 |
2025-07-31 |
램 리써치 코포레이션 |
챔퍼리스 (chamferless) 비아 통합 스킴 (scheme)
|
|
KR102646467B1
(ko)
|
2018-03-27 |
2024-03-11 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
|
|
TWI778248B
(zh)
*
|
2018-04-05 |
2022-09-21 |
美商英培雅股份有限公司 |
錫十二聚物及具有強euv吸收的輻射可圖案化塗層
|
|
KR102600229B1
(ko)
|
2018-04-09 |
2023-11-10 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
|
|
US10787466B2
(en)
|
2018-04-11 |
2020-09-29 |
Inpria Corporation |
Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods
|
|
US11673903B2
(en)
|
2018-04-11 |
2023-06-13 |
Inpria Corporation |
Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods
|
|
CA3080934C
(en)
*
|
2018-04-11 |
2024-01-02 |
Inpria Corporation |
Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods
|
|
US12025484B2
(en)
|
2018-05-08 |
2024-07-02 |
Asm Ip Holding B.V. |
Thin film forming method
|
|
US12272527B2
(en)
|
2018-05-09 |
2025-04-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
|
|
WO2019217749A1
(en)
*
|
2018-05-11 |
2019-11-14 |
Lam Research Corporation |
Methods for making euv patternable hard masks
|
|
KR102207893B1
(ko)
*
|
2018-05-25 |
2021-01-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102596988B1
(ko)
|
2018-05-28 |
2023-10-31 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
|
|
US11718913B2
(en)
|
2018-06-04 |
2023-08-08 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas distribution system and reactor system including same
|
|
KR102211158B1
(ko)
*
|
2018-06-08 |
2021-02-01 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
CN112368645B
(zh)
|
2018-06-13 |
2024-07-26 |
布鲁尔科技公司 |
用于euv光刻的粘附层
|
|
US11054742B2
(en)
|
2018-06-15 |
2021-07-06 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. |
EUV metallic resist performance enhancement via additives
|
|
KR102568797B1
(ko)
|
2018-06-21 |
2023-08-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 시스템
|
|
US10797133B2
(en)
|
2018-06-21 |
2020-10-06 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
|
|
TWI796816B
(zh)
*
|
2018-06-21 |
2023-03-21 |
美商英培雅股份有限公司 |
單烷基錫烷氧化物的穩定溶液及其水解與縮合產物
|
|
US11499222B2
(en)
|
2018-06-27 |
2022-11-15 |
Asm Ip Holding B.V. |
Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
|
|
KR20250134000A
(ko)
|
2018-06-27 |
2025-09-09 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
|
|
US10388513B1
(en)
|
2018-07-03 |
2019-08-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
|
|
US10755922B2
(en)
|
2018-07-03 |
2020-08-25 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
|
|
KR102296793B1
(ko)
*
|
2018-07-06 |
2021-08-31 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
US11092890B2
(en)
|
2018-07-31 |
2021-08-17 |
Samsung Sdi Co., Ltd. |
Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition
|
|
KR102307977B1
(ko)
*
|
2018-07-31 |
2021-09-30 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
JP6865794B2
(ja)
*
|
2018-07-31 |
2021-04-28 |
三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. |
半導体レジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法
|
|
US11092889B2
(en)
|
2018-07-31 |
2021-08-17 |
Samsung Sdi Co., Ltd. |
Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition
|
|
KR102306444B1
(ko)
*
|
2018-07-31 |
2021-09-28 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
US11053591B2
(en)
|
2018-08-06 |
2021-07-06 |
Asm Ip Holding B.V. |
Multi-port gas injection system and reactor system including same
|
|
KR102307981B1
(ko)
*
|
2018-08-10 |
2021-09-30 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102229623B1
(ko)
*
|
2018-08-10 |
2021-03-17 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
US11031244B2
(en)
*
|
2018-08-14 |
2021-06-08 |
Lam Research Corporation |
Modification of SNO2 surface for EUV lithography
|
|
US11430674B2
(en)
|
2018-08-22 |
2022-08-30 |
Asm Ip Holding B.V. |
Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
|
|
KR102707956B1
(ko)
|
2018-09-11 |
2024-09-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
박막 증착 방법
|
|
US11024523B2
(en)
|
2018-09-11 |
2021-06-01 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing apparatus and method
|
|
CN110970344B
(zh)
|
2018-10-01 |
2024-10-25 |
Asmip控股有限公司 |
衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
|
|
KR102592699B1
(ko)
|
2018-10-08 |
2023-10-23 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
|
|
TWI884927B
(zh)
|
2018-10-17 |
2025-06-01 |
美商英培雅股份有限公司 |
圖案化有機金屬光阻及圖案化的方法
|
|
KR102546322B1
(ko)
|
2018-10-19 |
2023-06-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
|
|
US12378665B2
(en)
|
2018-10-26 |
2025-08-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
|
|
JP6950662B2
(ja)
|
2018-10-30 |
2021-10-13 |
信越化学工業株式会社 |
基板保護膜形成用材料及びパターン形成方法
|
|
US11087997B2
(en)
|
2018-10-31 |
2021-08-10 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing apparatus for processing substrates
|
|
KR102748291B1
(ko)
|
2018-11-02 |
2024-12-31 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
|
|
US11572620B2
(en)
|
2018-11-06 |
2023-02-07 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
|
|
US11921427B2
(en)
|
2018-11-14 |
2024-03-05 |
Lam Research Corporation |
Methods for making hard masks useful in next-generation lithography
|
|
US10818758B2
(en)
|
2018-11-16 |
2020-10-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
|
|
US12040199B2
(en)
|
2018-11-28 |
2024-07-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing apparatus for processing substrates
|
|
US11217444B2
(en)
|
2018-11-30 |
2022-01-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
|
|
KR102636428B1
(ko)
|
2018-12-04 |
2024-02-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치를 세정하는 방법
|
|
US11158513B2
(en)
|
2018-12-13 |
2021-10-26 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
|
|
JP7504584B2
(ja)
|
2018-12-14 |
2024-06-24 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
|
|
CN113227909B
(zh)
*
|
2018-12-20 |
2025-07-04 |
朗姆研究公司 |
抗蚀剂的干式显影
|
|
TWI819180B
(zh)
|
2019-01-17 |
2023-10-21 |
荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 |
藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
|
|
US11966158B2
(en)
*
|
2019-01-30 |
2024-04-23 |
Inpria Corporation |
Monoalkyl tin trialkoxides and/or monoalkyl tin triamides with low metal contamination and/or particulate contamination, and corresponding methods
|
|
US11498934B2
(en)
*
|
2019-01-30 |
2022-11-15 |
Inpria Corporation |
Monoalkyl tin trialkoxides and/or monoalkyl tin triamides with particulate contamination and corresponding methods
|
|
US11482533B2
(en)
|
2019-02-20 |
2022-10-25 |
Asm Ip Holding B.V. |
Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
|
|
KR102638425B1
(ko)
|
2019-02-20 |
2024-02-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
|
|
TWI845607B
(zh)
|
2019-02-20 |
2024-06-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
|
|
TWI842826B
(zh)
|
2019-02-22 |
2024-05-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基材處理設備及處理基材之方法
|
|
KR102858005B1
(ko)
|
2019-03-08 |
2025-09-09 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
|
|
KR102762833B1
(ko)
|
2019-03-08 |
2025-02-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
|
|
TW202514246A
(zh)
|
2019-03-18 |
2025-04-01 |
美商蘭姆研究公司 |
基板處理方法與設備
|
|
JP2020167398A
(ja)
|
2019-03-28 |
2020-10-08 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
|
|
KR102809999B1
(ko)
|
2019-04-01 |
2025-05-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반도체 소자를 제조하는 방법
|
|
EP3953767A4
(en)
*
|
2019-04-12 |
2023-06-07 |
Inpria Corporation |
ORGANOMETALLIC PHOTORESIN DEVELOPER COMPOSITIONS AND METHODS OF TREATMENT
|
|
US11447864B2
(en)
|
2019-04-19 |
2022-09-20 |
Asm Ip Holding B.V. |
Layer forming method and apparatus
|
|
KR20200125453A
(ko)
|
2019-04-24 |
2020-11-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
|
|
KR20210149893A
(ko)
|
2019-04-30 |
2021-12-09 |
램 리써치 코포레이션 |
극자외선 리소그래피 레지스트 개선을 위한 원자 층 에칭 및 선택적인 증착 프로세스
|
|
US11327398B2
(en)
|
2019-04-30 |
2022-05-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Photoresist compositions and methods for fabricating semiconductor devices using the same
|
|
US11609494B2
(en)
*
|
2019-04-30 |
2023-03-21 |
Samsung Sdi Co., Ltd. |
Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition
|
|
KR102606844B1
(ko)
*
|
2019-04-30 |
2023-11-27 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102929471B1
(ko)
|
2019-05-07 |
2026-02-20 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
|
|
KR102929472B1
(ko)
|
2019-05-10 |
2026-02-20 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
|
|
JP7598201B2
(ja)
|
2019-05-16 |
2024-12-11 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
|
|
JP7612342B2
(ja)
|
2019-05-16 |
2025-01-14 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
|
|
USD975665S1
(en)
|
2019-05-17 |
2023-01-17 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor shaft
|
|
USD947913S1
(en)
|
2019-05-17 |
2022-04-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor shaft
|
|
KR20200141003A
(ko)
|
2019-06-06 |
2020-12-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
|
|
KR102918757B1
(ko)
|
2019-06-10 |
2026-01-28 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
|
|
KR20200143254A
(ko)
|
2019-06-11 |
2020-12-23 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
|
|
TWI837391B
(zh)
*
|
2019-06-26 |
2024-04-01 |
美商蘭姆研究公司 |
利用鹵化物化學品的光阻顯影
|
|
EP3990984A4
(en)
*
|
2019-06-27 |
2023-07-26 |
Lam Research Corporation |
DEVICE FOR DRY DEPOSITION OF PHOTOVARNISH
|
|
KR102643106B1
(ko)
|
2019-06-27 |
2024-02-29 |
램 리써치 코포레이션 |
교번하는 에칭 및 패시베이션 프로세스
|
|
CN114270266A
(zh)
*
|
2019-06-28 |
2022-04-01 |
朗姆研究公司 |
具有多个图案化辐射吸收元素和/或竖直组成梯度的光致抗蚀剂
|
|
JP7589179B2
(ja)
*
|
2019-06-28 |
2024-11-25 |
ラム リサーチ コーポレーション |
金属含有レジストのリソグラフィ性能を向上させるためのベーキング方法
|
|
KR20250138820A
(ko)
|
2019-07-02 |
2025-09-22 |
오지 홀딩스 가부시키가이샤 |
패턴 형성 방법, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 장치
|
|
KR102911421B1
(ko)
|
2019-07-03 |
2026-01-12 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
|
|
JP7499079B2
(ja)
|
2019-07-09 |
2024-06-13 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
|
|
CN112216646B
(zh)
|
2019-07-10 |
2026-02-10 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板支撑组件及包括其的基板处理装置
|
|
WO2021011367A1
(en)
*
|
2019-07-12 |
2021-01-21 |
Inpria Corporation |
Stabilized interfaces of inorganic radiation patterning compositions on substrates
|
|
KR102895115B1
(ko)
|
2019-07-16 |
2025-12-03 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치
|
|
KR102860110B1
(ko)
|
2019-07-17 |
2025-09-16 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
|
|
KR102955799B1
(ko)
|
2019-07-17 |
2026-04-21 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
|
|
US11643724B2
(en)
|
2019-07-18 |
2023-05-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming structures using a neutral beam
|
|
KR102903090B1
(ko)
|
2019-07-19 |
2025-12-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
|
|
KR20250117739A
(ko)
*
|
2019-07-22 |
2025-08-05 |
인프리아 코포레이션 |
유기금속성 금속 칼코게나이드 클러스터 및 리소그래피에 대한 적용
|
|
TWI851767B
(zh)
|
2019-07-29 |
2024-08-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
|
|
KR20210015655A
(ko)
|
2019-07-30 |
2021-02-10 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치 및 방법
|
|
CN112309899B
(zh)
|
2019-07-30 |
2025-11-14 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
CN112309900B
(zh)
|
2019-07-30 |
2025-11-04 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
US11587814B2
(en)
|
2019-07-31 |
2023-02-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly
|
|
US11227782B2
(en)
|
2019-07-31 |
2022-01-18 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly
|
|
US11587815B2
(en)
|
2019-07-31 |
2023-02-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly
|
|
US12622218B2
(en)
|
2019-07-31 |
2026-05-05 |
Asm Ip Holding B.V. |
Cassette lid opening device
|
|
US11651961B2
(en)
|
2019-08-02 |
2023-05-16 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. |
Patterning process of a semiconductor structure with enhanced adhesion
|
|
CN112323048B
(zh)
|
2019-08-05 |
2024-02-09 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
用于化学源容器的液位传感器
|
|
KR20210018761A
(ko)
|
2019-08-09 |
2021-02-18 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
|
|
USD965524S1
(en)
|
2019-08-19 |
2022-10-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor support
|
|
USD965044S1
(en)
|
2019-08-19 |
2022-09-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Susceptor shaft
|
|
JP7810514B2
(ja)
|
2019-08-21 |
2026-02-03 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
|
|
KR20210024423A
(ko)
|
2019-08-22 |
2021-03-05 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
|
|
USD979506S1
(en)
|
2019-08-22 |
2023-02-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Insulator
|
|
US11286558B2
(en)
|
2019-08-23 |
2022-03-29 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
|
|
KR102928101B1
(ko)
|
2019-08-23 |
2026-02-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
|
|
JP7149241B2
(ja)
|
2019-08-26 |
2022-10-06 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
CN114630834A
(zh)
|
2019-08-29 |
2022-06-14 |
海星化学有限公司 |
用于沉积高纯度氧化锡的有机金属化合物和干法蚀刻所述氧化锡薄膜和沉积反应器
|
|
JP7264771B2
(ja)
|
2019-08-30 |
2023-04-25 |
信越化学工業株式会社 |
レジスト材料及びパターン形成方法
|
|
CN112442674A
(zh)
|
2019-09-03 |
2021-03-05 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
用于沉积硫族化物膜的方法和设备以及包括膜的结构
|
|
KR102806450B1
(ko)
|
2019-09-04 |
2025-05-12 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
|
|
KR102733104B1
(ko)
|
2019-09-05 |
2024-11-22 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치
|
|
US12469693B2
(en)
|
2019-09-17 |
2025-11-11 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
|
|
US11562901B2
(en)
|
2019-09-25 |
2023-01-24 |
Asm Ip Holding B.V. |
Substrate processing method
|
|
CN112593212B
(zh)
|
2019-10-02 |
2023-12-22 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
|
|
KR102948143B1
(ko)
|
2019-10-08 |
2026-04-07 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
|
|
TWI846953B
(zh)
|
2019-10-08 |
2024-07-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理裝置
|
|
US12428726B2
(en)
|
2019-10-08 |
2025-09-30 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas injection system and reactor system including same
|
|
TWI846966B
(zh)
|
2019-10-10 |
2024-07-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
|
|
US12009241B2
(en)
|
2019-10-14 |
2024-06-11 |
Asm Ip Holding B.V. |
Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
|
|
KR102446459B1
(ko)
*
|
2019-10-15 |
2022-09-21 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102446362B1
(ko)
|
2019-10-15 |
2022-09-21 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
TWI834919B
(zh)
|
2019-10-16 |
2024-03-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
|
|
US11637014B2
(en)
|
2019-10-17 |
2023-04-25 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for selective deposition of doped semiconductor material
|
|
KR102845724B1
(ko)
|
2019-10-21 |
2025-08-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
|
|
US11996292B2
(en)
|
2019-10-25 |
2024-05-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
|
|
US11646205B2
(en)
|
2019-10-29 |
2023-05-09 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
|
|
KR102890638B1
(ko)
|
2019-11-05 |
2025-11-25 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
|
|
US11501968B2
(en)
|
2019-11-15 |
2022-11-15 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
|
|
KR102480432B1
(ko)
*
|
2019-11-18 |
2022-12-21 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102861314B1
(ko)
|
2019-11-20 |
2025-09-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
|
|
CN112951697B
(zh)
|
2019-11-26 |
2025-07-29 |
Asmip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
KR20210065848A
(ko)
|
2019-11-26 |
2021-06-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
|
|
US11934101B2
(en)
*
|
2019-11-27 |
2024-03-19 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
|
|
CN120998766A
(zh)
|
2019-11-29 |
2025-11-21 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
CN120432376A
(zh)
|
2019-11-29 |
2025-08-05 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
基板处理设备
|
|
JP7527928B2
(ja)
|
2019-12-02 |
2024-08-05 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
基板処理装置、基板処理方法
|
|
KR20210070898A
(ko)
|
2019-12-04 |
2021-06-15 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치
|
|
JP7703317B2
(ja)
|
2019-12-17 |
2025-07-07 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
|
|
KR102943768B1
(ko)
|
2019-12-19 |
2026-03-26 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
|
|
TWI901623B
(zh)
|
2020-01-06 |
2025-10-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
氣體供應總成以及閥板總成
|
|
TWI887322B
(zh)
|
2020-01-06 |
2025-06-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
反應器系統、抬升銷、及處理方法
|
|
US11993847B2
(en)
|
2020-01-08 |
2024-05-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Injector
|
|
EP4651192A3
(en)
*
|
2020-01-15 |
2026-03-04 |
Lam Research Corporation |
Underlayer for photoresist adhesion and dose reduction
|
|
KR102882467B1
(ko)
|
2020-01-16 |
2025-11-05 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
고 종횡비 피처를 형성하는 방법
|
|
KR102675856B1
(ko)
|
2020-01-20 |
2024-06-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
|
|
KR102555497B1
(ko)
*
|
2020-01-21 |
2023-07-12 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
TWI889744B
(zh)
|
2020-01-29 |
2025-07-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
污染物捕集系統、及擋板堆疊
|
|
TWI871421B
(zh)
|
2020-02-03 |
2025-02-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
包括釩或銦層的裝置、結構及其形成方法、系統
|
|
KR20210100010A
(ko)
|
2020-02-04 |
2021-08-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
|
|
US20230031955A1
(en)
*
|
2020-02-04 |
2023-02-02 |
Lam Research Corporation |
Post application/exposure treatments to improve dry development performance of metal-containing euv resist
|
|
US11776846B2
(en)
|
2020-02-07 |
2023-10-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
|
|
KR102916725B1
(ko)
|
2020-02-13 |
2026-01-23 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
|
|
KR20210103953A
(ko)
|
2020-02-13 |
2021-08-24 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
|
|
US11781243B2
(en)
|
2020-02-17 |
2023-10-10 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
|
|
JP7341309B2
(ja)
*
|
2020-02-19 |
2023-09-08 |
東京エレクトロン株式会社 |
基板処理方法及び基板処理システム
|
|
WO2021173827A1
(en)
*
|
2020-02-27 |
2021-09-02 |
Oregon State University |
Tin-based photoresist composition and method of making
|
|
TWI895326B
(zh)
|
2020-02-28 |
2025-09-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
專用於零件清潔的系統
|
|
KR20220148249A
(ko)
|
2020-02-28 |
2022-11-04 |
램 리써치 코포레이션 |
EUV 패터닝의 결함 감소를 위한 다층 하드마스크 (multi-layer hardmask)
|
|
EP4115242A4
(en)
*
|
2020-03-02 |
2024-03-13 |
Inpria Corporation |
PROCESSING ENVIRONMENT FOR THE FORMATION OF INORGANIC RESERVE PATTERNS
|
|
TWI914330B
(zh)
|
2020-03-04 |
2026-02-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
反應器系統、及對準夾具
|
|
KR20210116240A
(ko)
|
2020-03-11 |
2021-09-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
|
|
KR20210116249A
(ko)
|
2020-03-11 |
2021-09-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
|
|
CN113394086A
(zh)
|
2020-03-12 |
2021-09-14 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
|
|
US12173404B2
(en)
|
2020-03-17 |
2024-12-24 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
|
|
TW202534798A
(zh)
*
|
2020-03-24 |
2025-09-01 |
日商東京威力科創股份有限公司 |
熱處理裝置、熱處理方法及記憶媒體
|
|
US12271113B2
(en)
*
|
2020-03-30 |
2025-04-08 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Method of manufacturing a semiconductor device
|
|
KR102755229B1
(ko)
|
2020-04-02 |
2025-01-14 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
박막 형성 방법
|
|
KR102573327B1
(ko)
*
|
2020-04-02 |
2023-08-30 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
TWI887376B
(zh)
|
2020-04-03 |
2025-06-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
半導體裝置的製造方法
|
|
WO2021202681A1
(en)
|
2020-04-03 |
2021-10-07 |
Lam Research Corporation |
Pre-exposure photoresist curing to enhance euv lithographic performance
|
|
TWI888525B
(zh)
|
2020-04-08 |
2025-07-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
|
|
KR20210127620A
(ko)
|
2020-04-13 |
2021-10-22 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
|
|
US11821078B2
(en)
|
2020-04-15 |
2023-11-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
|
|
KR20210128343A
(ko)
|
2020-04-15 |
2021-10-26 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
|
|
US11996289B2
(en)
|
2020-04-16 |
2024-05-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
|
|
KR102577300B1
(ko)
*
|
2020-04-17 |
2023-09-08 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102538092B1
(ko)
*
|
2020-04-17 |
2023-05-26 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102901748B1
(ko)
|
2020-04-21 |
2025-12-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판을 처리하기 위한 방법
|
|
US11898243B2
(en)
|
2020-04-24 |
2024-02-13 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming vanadium nitride-containing layer
|
|
KR102934380B1
(ko)
|
2020-04-24 |
2026-03-05 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
|
|
KR20210132600A
(ko)
|
2020-04-24 |
2021-11-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
|
|
KR20210132612A
(ko)
|
2020-04-24 |
2021-11-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
바나듐 화합물들을 안정화하기 위한 방법들 및 장치
|
|
KR102866804B1
(ko)
|
2020-04-24 |
2025-09-30 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
|
|
KR102783898B1
(ko)
|
2020-04-29 |
2025-03-18 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
고체 소스 전구체 용기
|
|
KR20210134869A
(ko)
|
2020-05-01 |
2021-11-11 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
|
|
JP7726664B2
(ja)
|
2020-05-04 |
2025-08-20 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
基板を処理するための基板処理システム
|
|
KR20230005970A
(ko)
|
2020-05-06 |
2023-01-10 |
인프리아 코포레이션 |
중간 고정 단계가 있는 유기금속 광패턴가능 층을 사용한 다중 패터닝
|
|
JP7736446B2
(ja)
|
2020-05-07 |
2025-09-09 |
エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー |
同調回路を備える反応器システム
|
|
KR20210137395A
(ko)
|
2020-05-07 |
2021-11-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
|
|
KR102619719B1
(ko)
|
2020-05-12 |
2023-12-28 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102788543B1
(ko)
|
2020-05-13 |
2025-03-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
|
|
TWI915365B
(zh)
|
2020-05-15 |
2026-02-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
|
|
TWI911214B
(zh)
|
2020-05-19 |
2026-01-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基材處理設備
|
|
KR102795476B1
(ko)
|
2020-05-21 |
2025-04-11 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
|
|
KR20210145079A
(ko)
|
2020-05-21 |
2021-12-01 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
|
|
TWI873343B
(zh)
|
2020-05-22 |
2025-02-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於在基材上形成薄膜之反應系統
|
|
KR20210146802A
(ko)
|
2020-05-26 |
2021-12-06 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
|
|
TWI876048B
(zh)
|
2020-05-29 |
2025-03-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理方法
|
|
EP3919979A1
(en)
*
|
2020-06-02 |
2021-12-08 |
Imec VZW |
Resistless patterning mask
|
|
TW202212620A
(zh)
|
2020-06-02 |
2022-04-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
|
|
KR20210156219A
(ko)
|
2020-06-16 |
2021-12-24 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
|
|
TWI893134B
(zh)
*
|
2020-06-19 |
2025-08-11 |
日商東京威力科創股份有限公司 |
蝕刻方法、基板處理裝置及基板處理系統
|
|
KR20230041688A
(ko)
|
2020-06-22 |
2023-03-24 |
램 리써치 코포레이션 |
금속-함유 포토레지스트 (photoresist) 증착을 위한 표면 개질
|
|
TWI908816B
(zh)
|
2020-06-24 |
2025-12-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成含矽層之方法
|
|
TWI873359B
(zh)
|
2020-06-30 |
2025-02-21 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理方法
|
|
US12084764B2
(en)
*
|
2020-07-01 |
2024-09-10 |
Applied Materials, Inc. |
Vapor phase photoresists deposition
|
|
US12416863B2
(en)
|
2020-07-01 |
2025-09-16 |
Applied Materials, Inc. |
Dry develop process of photoresist
|
|
US11621172B2
(en)
|
2020-07-01 |
2023-04-04 |
Applied Materials, Inc. |
Vapor phase thermal etch solutions for metal oxo photoresists
|
|
US12222643B2
(en)
*
|
2020-07-02 |
2025-02-11 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Method of manufacturing a semiconductor device and pattern formation method
|
|
US12159787B2
(en)
*
|
2020-07-02 |
2024-12-03 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. |
Method of manufacturing a semiconductor device and pattern formation method
|
|
TWI817463B
(zh)
|
2020-07-03 |
2023-10-01 |
美商恩特葛瑞斯股份有限公司 |
製備有機錫化合物的方法
|
|
EP4078292A4
(en)
|
2020-07-07 |
2023-11-22 |
Lam Research Corporation |
Integrated dry processes for patterning radiation photoresist patterning
|
|
TW202202649A
(zh)
|
2020-07-08 |
2022-01-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理方法
|
|
JP2023534960A
(ja)
*
|
2020-07-17 |
2023-08-15 |
ラム リサーチ コーポレーション |
有機共反応物を含む乾式堆積フォトレジスト
|
|
TWI864307B
(zh)
|
2020-07-17 |
2024-12-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於光微影之結構、方法與系統
|
|
US20230266664A1
(en)
*
|
2020-07-17 |
2023-08-24 |
Lam Research Corporation |
Photoresists from sn(ii) precursors
|
|
KR20220011092A
(ko)
|
2020-07-20 |
2022-01-27 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
|
|
TWI878570B
(zh)
|
2020-07-20 |
2025-04-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於沉積鉬層之方法及系統
|
|
US11886120B2
(en)
*
|
2020-07-21 |
2024-01-30 |
Applied Materials, Inc. |
Deposition of semiconductor integration films
|
|
US11562904B2
(en)
|
2020-07-21 |
2023-01-24 |
Applied Materials, Inc. |
Deposition of semiconductor integration films
|
|
WO2022020507A1
(en)
|
2020-07-23 |
2022-01-27 |
Lam Research Corporation |
Advanced self aligned multiple patterning using tin oxide
|
|
US12322591B2
(en)
|
2020-07-27 |
2025-06-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Thin film deposition process
|
|
TW202605918A
(zh)
|
2020-08-11 |
2026-02-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
閘極堆疊
|
|
KR102915124B1
(ko)
|
2020-08-14 |
2026-01-19 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 방법
|
|
US12040177B2
(en)
|
2020-08-18 |
2024-07-16 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
|
|
JP7556968B2
(ja)
*
|
2020-08-20 |
2024-09-26 |
東京エレクトロン株式会社 |
基板処理方法、及び基板処理装置
|
|
TWI911263B
(zh)
|
2020-08-25 |
2026-01-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
|
|
EP4204426A4
(en)
|
2020-08-25 |
2025-03-12 |
Inpria Corporation |
Process for the preparation of organotin compositions with convenient ligand-donating reactants
|
|
US11725280B2
(en)
|
2020-08-26 |
2023-08-15 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
|
|
TWI911265B
(zh)
|
2020-08-27 |
2026-01-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
|
|
USD990534S1
(en)
|
2020-09-11 |
2023-06-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Weighted lift pin
|
|
KR102586099B1
(ko)
*
|
2020-09-14 |
2023-10-05 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102671848B1
(ko)
*
|
2020-09-14 |
2024-05-31 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR102586112B1
(ko)
|
2020-09-14 |
2023-10-05 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR20220036866A
(ko)
|
2020-09-16 |
2022-03-23 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 산화물 증착 방법
|
|
USD1012873S1
(en)
|
2020-09-24 |
2024-01-30 |
Asm Ip Holding B.V. |
Electrode for semiconductor processing apparatus
|
|
TWI889903B
(zh)
|
2020-09-25 |
2025-07-11 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
基板處理方法
|
|
US12009224B2
(en)
|
2020-09-29 |
2024-06-11 |
Asm Ip Holding B.V. |
Apparatus and method for etching metal nitrides
|
|
CN114388427A
(zh)
|
2020-10-06 |
2022-04-22 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
|
|
KR20220045900A
(ko)
|
2020-10-06 |
2022-04-13 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
|
|
CN114293174A
(zh)
|
2020-10-07 |
2022-04-08 |
Asm Ip私人控股有限公司 |
气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
|
|
KR102855834B1
(ko)
|
2020-10-14 |
2025-09-04 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
|
|
KR102873665B1
(ko)
|
2020-10-15 |
2025-10-17 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
|
|
TW202217037A
(zh)
|
2020-10-22 |
2022-05-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
|
|
TW202223136A
(zh)
|
2020-10-28 |
2022-06-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
|
|
TW202229620A
(zh)
|
2020-11-12 |
2022-08-01 |
特文特大學 |
沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
|
|
US20230107357A1
(en)
|
2020-11-13 |
2023-04-06 |
Lam Research Corporation |
Process tool for dry removal of photoresist
|
|
US12282256B2
(en)
*
|
2020-11-17 |
2025-04-22 |
Applied Materials, Inc. |
Photoresist deposition using independent multichannel showerhead
|
|
TW202229795A
(zh)
|
2020-11-23 |
2022-08-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
具注入器之基板處理設備
|
|
TW202235649A
(zh)
|
2020-11-24 |
2022-09-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
填充間隙之方法與相關之系統及裝置
|
|
KR20220076343A
(ko)
|
2020-11-30 |
2022-06-08 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
|
|
KR20220077875A
(ko)
|
2020-12-02 |
2022-06-09 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
|
|
JP7681106B2
(ja)
|
2020-12-08 |
2025-05-21 |
ラム リサーチ コーポレーション |
有機蒸気によるフォトレジストの現像
|
|
US12255053B2
(en)
|
2020-12-10 |
2025-03-18 |
Asm Ip Holding B.V. |
Methods and systems for depositing a layer
|
|
US12159788B2
(en)
|
2020-12-14 |
2024-12-03 |
Asm Ip Holding B.V. |
Method of forming structures for threshold voltage control
|
|
US11946137B2
(en)
|
2020-12-16 |
2024-04-02 |
Asm Ip Holding B.V. |
Runout and wobble measurement fixtures
|
|
US20220199406A1
(en)
*
|
2020-12-17 |
2022-06-23 |
Applied Materials, Inc. |
Vapor deposition of carbon-doped metal oxides for use as photoresists
|
|
KR102690557B1
(ko)
|
2020-12-18 |
2024-07-30 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
TW202232639A
(zh)
|
2020-12-18 |
2022-08-16 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
具有可旋轉台的晶圓處理設備
|
|
KR102598259B1
(ko)
|
2020-12-18 |
2023-11-02 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
KR20220090438A
(ko)
|
2020-12-22 |
2022-06-29 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
전이금속 증착 방법
|
|
KR20220090435A
(ko)
|
2020-12-22 |
2022-06-29 |
에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. |
전구체 캡슐, 용기 및 방법
|
|
US20220197146A1
(en)
*
|
2020-12-22 |
2022-06-23 |
Applied Materials, Inc. |
Photoresists by physical vapor deposition
|
|
TW202226899A
(zh)
|
2020-12-22 |
2022-07-01 |
荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 |
具匹配器的電漿處理裝置
|
|
KR20230131941A
(ko)
*
|
2021-01-28 |
2023-09-14 |
엔테그리스, 아이엔씨. |
유기주석 화합물을 제조하는 방법
|
|
US11697660B2
(en)
*
|
2021-01-29 |
2023-07-11 |
Entegris, Inc. |
Process for preparing organotin compounds
|
|
US20240302739A1
(en)
*
|
2021-02-12 |
2024-09-12 |
Lam Research Corporation |
Quantum efficient photoresists and methods thereof
|
|
US12072626B2
(en)
|
2021-02-19 |
2024-08-27 |
Inpria Corporation |
Organometallic radiation patternable coatings with low defectivity and corresponding methods
|
|
JP2024507190A
(ja)
*
|
2021-02-23 |
2024-02-16 |
ラム リサーチ コーポレーション |
ハロゲンおよび脂肪族含有有機スズフォトレジストおよびその方法
|
|
US20220308453A1
(en)
*
|
2021-03-24 |
2022-09-29 |
Applied Materials, Inc. |
Oxidation treatment for positive tone photoresist films
|
|
US20220342302A1
(en)
*
|
2021-03-24 |
2022-10-27 |
Applied Materials, Inc. |
Dual tone photoresists
|
|
JP7794190B2
(ja)
*
|
2021-03-26 |
2026-01-06 |
Jsr株式会社 |
半導体基板の製造方法及びレジスト下層膜形成用組成物
|
|
US12135503B2
(en)
|
2021-04-01 |
2024-11-05 |
International Business Machines Corporation |
Organometallic photoresists for DUV or EUV lithography
|
|
TWI773231B
(zh)
*
|
2021-04-07 |
2022-08-01 |
國立成功大學 |
製備金屬奈米粒子的方法
|
|
WO2022226074A1
(en)
|
2021-04-21 |
2022-10-27 |
Lam Research Corporation |
Minimizing tin oxide chamber clean time
|
|
USD980813S1
(en)
|
2021-05-11 |
2023-03-14 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas flow control plate for substrate processing apparatus
|
|
USD981973S1
(en)
|
2021-05-11 |
2023-03-28 |
Asm Ip Holding B.V. |
Reactor wall for substrate processing apparatus
|
|
USD980814S1
(en)
|
2021-05-11 |
2023-03-14 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas distributor for substrate processing apparatus
|
|
USD1023959S1
(en)
|
2021-05-11 |
2024-04-23 |
Asm Ip Holding B.V. |
Electrode for substrate processing apparatus
|
|
KR20240012409A
(ko)
|
2021-05-25 |
2024-01-29 |
도쿄엘렉트론가부시키가이샤 |
극자외선 패터닝을 위한 유기금속 막
|
|
US12032291B2
(en)
|
2021-06-15 |
2024-07-09 |
Inpria Corporation |
Organotin patterning materials with ligands having silicon/germanium; precursor compositions; and synthesis methods
|
|
US20220402945A1
(en)
*
|
2021-06-18 |
2022-12-22 |
Entegris, Inc. |
Process for preparing organotin compounds
|
|
US20220411446A1
(en)
*
|
2021-06-28 |
2022-12-29 |
Inpria Corporation |
Deuterated organotin compounds, methods of synthesis and radiation patterning
|
|
KR102891604B1
(ko)
*
|
2021-07-21 |
2025-11-26 |
삼성에스디아이 주식회사 |
패턴 형성 방법
|
|
TW202313642A
(zh)
|
2021-07-30 |
2023-04-01 |
德商馬克專利公司 |
二有機錫二鹵化物之製備
|
|
KR102382858B1
(ko)
*
|
2021-08-06 |
2022-04-08 |
주식회사 레이크머티리얼즈 |
트리할로 주석 화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 트리아미드 주석 화합물의 제조방법
|
|
KR102706491B1
(ko)
*
|
2021-08-10 |
2024-09-11 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
CN117813547A
(zh)
*
|
2021-08-11 |
2024-04-02 |
Asml荷兰有限公司 |
掩模缺陷检测
|
|
US11894228B2
(en)
*
|
2021-08-26 |
2024-02-06 |
Applied Materials, Inc. |
Treatments for controlling deposition defects
|
|
USD990441S1
(en)
|
2021-09-07 |
2023-06-27 |
Asm Ip Holding B.V. |
Gas flow control plate
|
|
US11459656B1
(en)
|
2021-09-13 |
2022-10-04 |
Gelest, Inc |
Method and precursors for producing oxostannate rich films
|
|
US12077552B2
(en)
|
2021-09-14 |
2024-09-03 |
Entegris, Inc. |
Synthesis of fluoroalkyl tin precursors
|
|
JP2024535334A
(ja)
*
|
2021-09-24 |
2024-09-30 |
インプリア・コーポレイション |
高解像度の潜像加工、コントラスト増強及び熱現像、加工のための装置
|
|
EP4430053A4
(en)
*
|
2021-11-08 |
2026-01-07 |
Inpria Corp |
ORGANOSTANNIC PHOTORESIN COMPOSITIONS WITH IMPROVED STABILITY
|
|
US12372871B2
(en)
*
|
2021-11-09 |
2025-07-29 |
Tokyo Electron Limited |
EUV active films for EUV lithography
|
|
US12494368B2
(en)
*
|
2021-11-12 |
2025-12-09 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. |
Photoresist and method
|
|
CN118235092A
(zh)
|
2021-11-15 |
2024-06-21 |
日产化学株式会社 |
多环芳香族烃系光固化性树脂组合物
|
|
CN118284718A
(zh)
*
|
2021-11-24 |
2024-07-02 |
恩特格里斯公司 |
有机锡前驱化合物
|
|
USD1099184S1
(en)
|
2021-11-29 |
2025-10-21 |
Asm Ip Holding B.V. |
Weighted lift pin
|
|
USD1060598S1
(en)
|
2021-12-03 |
2025-02-04 |
Asm Ip Holding B.V. |
Split showerhead cover
|
|
US11827659B2
(en)
*
|
2022-03-31 |
2023-11-28 |
Feng Lu |
Organometallic tin compounds as EUV photoresist
|
|
WO2023204287A1
(ja)
|
2022-04-22 |
2023-10-26 |
日産化学株式会社 |
レジスト下層膜形成用組成物
|
|
JP2025517882A
(ja)
|
2022-05-26 |
2025-06-12 |
メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング |
現像可能レジスト上層膜組成物、ならびにレジスト上層膜パターンおよびレジストパターンの製造方法
|
|
WO2023235534A1
(en)
|
2022-06-02 |
2023-12-07 |
Gelest, Inc. |
High purity alkyl tin compounds and manufacturing methods thereof
|
|
CN119301136A
(zh)
*
|
2022-06-03 |
2025-01-10 |
恩特格里斯公司 |
三卤化烷基锡的组合物及相关方法
|
|
KR20250020467A
(ko)
*
|
2022-06-06 |
2025-02-11 |
인프리아 코포레이션 |
산화성 할로겐-공여 환경에서의 유기 금속 레지스트의 가스 기반 현상
|
|
KR20250025005A
(ko)
*
|
2022-06-17 |
2025-02-20 |
램 리써치 코포레이션 |
Euv 건식 레지스트의 증착을 위한 주석 전구체
|
|
EP4542306A4
(en)
|
2022-06-20 |
2025-11-26 |
Fujifilm Corp |
PATTERN FORMATION METHOD AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
|
|
KR20240160248A
(ko)
|
2022-07-01 |
2024-11-08 |
램 리써치 코포레이션 |
에칭 정지 억제를 위한 금속 옥사이드 기반 포토레지스트의 순환적 현상
|
|
WO2024015168A1
(en)
*
|
2022-07-11 |
2024-01-18 |
Applied Materials, Inc. |
Dual tone photoresists
|
|
KR102769240B1
(ko)
*
|
2022-07-12 |
2025-02-21 |
유한회사 디씨티머티리얼 |
반도체 euv 리소그래피 방법
|
|
CN119768737A
(zh)
|
2022-07-22 |
2025-04-04 |
默克专利有限公司 |
耐显影液的抗蚀剂下层膜组合物及制造抗蚀剂图案的方法
|
|
KR102703674B1
(ko)
*
|
2022-08-02 |
2024-09-04 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
US20240045332A1
(en)
*
|
2022-08-02 |
2024-02-08 |
Tokyo Electron Limited |
Method of forming photosensitive organometallic oxides by chemical vapor polymerization
|
|
US12060377B2
(en)
|
2022-08-12 |
2024-08-13 |
Gelest, Inc. |
High purity tin compounds containing unsaturated substituent and method for preparation thereof
|
|
US20240085785A1
(en)
*
|
2022-08-17 |
2024-03-14 |
Inpria Corporation |
Additives for metal oxide photoresists, positive tone development with additives, and double bake double develop processing
|
|
JP7811164B2
(ja)
|
2022-08-26 |
2026-02-04 |
三菱ケミカル株式会社 |
パターン基板の製造方法および半導体デバイスの製造方法
|
|
IL305619A
(en)
|
2022-09-14 |
2024-04-01 |
Shinetsu Chemical Co |
Compound for forming a metal-containing layer, composition for forming a metal-containing layer, printing method, and semiconductor masking sensitizer
|
|
KR20250091211A
(ko)
*
|
2022-09-20 |
2025-06-20 |
램 리써치 코포레이션 |
Euv 포토레지스트의 도즈 투 사이즈를 감소시키기 위한 베이크-감응 하부층
|
|
US12606577B2
(en)
|
2022-09-28 |
2026-04-21 |
Gelest, Inc. |
Iodoalkyl tin compounds and preparation methods thereof
|
|
US12145955B2
(en)
|
2022-10-04 |
2024-11-19 |
Gelest, Inc. |
Cyclic azastannane and cyclic oxostannane compounds and methods for preparation thereof
|
|
JP2025537025A
(ja)
*
|
2022-11-15 |
2025-11-12 |
インテグリス・インコーポレーテッド |
官能化有機スズ前駆体及び関連する方法
|
|
US20240199658A1
(en)
*
|
2022-12-01 |
2024-06-20 |
Inpria Corporation |
Direct synthesis of organotin alkoxides
|
|
CN120322734A
(zh)
|
2022-12-02 |
2025-07-15 |
默克专利有限公司 |
聚硅氧烷组合物
|
|
KR20250121560A
(ko)
|
2022-12-15 |
2025-08-12 |
닛산 가가쿠 가부시키가이샤 |
레지스트 하층막 형성용 조성물
|
|
KR20250117436A
(ko)
|
2022-12-15 |
2025-08-04 |
닛산 가가쿠 가부시키가이샤 |
레지스트 하층막 형성용 조성물
|
|
JP2024089633A
(ja)
|
2022-12-21 |
2024-07-03 |
信越化学工業株式会社 |
金属含有膜形成用重合体、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法
|
|
JP7802711B2
(ja)
|
2023-01-06 |
2026-01-20 |
信越化学工業株式会社 |
金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法
|
|
KR102839122B1
(ko)
|
2023-01-23 |
2025-07-28 |
닛산 가가쿠 가부시키가이샤 |
금속 산화물 레지스트 패턴 형성용 유기 수지 조성물
|
|
KR20250145002A
(ko)
|
2023-02-03 |
2025-10-13 |
닛산 가가쿠 가부시키가이샤 |
환경 부하를 저감하기 위한 레지스트 하층막 형성용 조성물
|
|
JPWO2024166869A1
(enExample)
|
2023-02-09 |
2024-08-15 |
|
|
|
JP7802029B2
(ja)
|
2023-02-15 |
2026-01-19 |
信越化学工業株式会社 |
金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、パターン形成方法
|
|
EP4657158A4
(en)
|
2023-02-27 |
2026-04-29 |
Nissan Chemical Corp |
PHOTOSENSITIVE RESIN UNDERCOAT FILM FORMING COMPOSITION
|
|
JPWO2024181394A1
(enExample)
|
2023-02-28 |
2024-09-06 |
|
|
|
EP4435516A1
(en)
*
|
2023-03-16 |
2024-09-25 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Method for forming resist underlayer film and patterning process
|
|
US12474640B2
(en)
|
2023-03-17 |
2025-11-18 |
Lam Research Corporation |
Integration of dry development and etch processes for EUV patterning in a single process chamber
|
|
EP4679146A1
(en)
|
2023-03-24 |
2026-01-14 |
Nissan Chemical Corporation |
Composition for forming resist underlayer film for manufacturing optical diffraction body
|
|
CN121014020A
(zh)
|
2023-03-30 |
2025-11-25 |
日产化学株式会社 |
抗蚀剂下层膜形成用组合物
|
|
CN120693572A
(zh)
|
2023-03-31 |
2025-09-23 |
日产化学株式会社 |
抗蚀剂下层膜形成用组合物
|
|
EP4692944A1
(en)
|
2023-03-31 |
2026-02-11 |
Nissan Chemical Corporation |
Composition for forming resist underlayer film
|
|
KR102902557B1
(ko)
*
|
2023-04-14 |
2025-12-18 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
EP4702403A1
(en)
|
2023-04-25 |
2026-03-04 |
Merck Patent GmbH |
Resist pattern filling liquid and method for manufacturing resist pattern using the same
|
|
TW202511310A
(zh)
|
2023-05-09 |
2025-03-16 |
日商日產化學股份有限公司 |
阻劑下層膜形成用組成物
|
|
KR20240170272A
(ko)
*
|
2023-05-26 |
2024-12-03 |
삼성에스디아이 주식회사 |
금속 함유 포토레지스트 현상액 조성물, 및 이를 이용한 현상 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
|
|
WO2024246119A1
(en)
|
2023-05-31 |
2024-12-05 |
Merck Patent Gmbh |
Organometallic tin oxo carboxylate clusters with mixed organic ligands for euv lithography
|
|
IL326209A
(en)
|
2023-07-27 |
2026-03-01 |
Versum Mat Us Llc |
Improving the photosensitive sensitivity of organometallic resist using carboxylic acid
|
|
KR20250069677A
(ko)
|
2023-07-27 |
2025-05-19 |
램 리써치 코포레이션 |
금속-함유 포토레지스트에 대한 올-인-원 건식 현상
|
|
US12628585B2
(en)
|
2023-07-31 |
2026-05-12 |
Tokyo Electron Limited |
Selective atomic layer etch of Si-based materials
|
|
CN121889405A
(zh)
|
2023-08-10 |
2026-04-17 |
默克专利股份有限公司 |
用于euv光刻背景的含硫有机金属团簇
|
|
JP2025032887A
(ja)
|
2023-08-28 |
2025-03-12 |
信越化学工業株式会社 |
金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法
|
|
JP2025032875A
(ja)
|
2023-08-28 |
2025-03-12 |
信越化学工業株式会社 |
金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法
|
|
TW202511272A
(zh)
*
|
2023-09-12 |
2025-03-16 |
美商英培雅股份有限公司 |
用於輻射圖案化組成物之前驅物溶液
|
|
WO2025056568A1
(en)
|
2023-09-13 |
2025-03-20 |
Merck Patent Gmbh |
Intramolecular stabilized mono alkyl metal compounds with improved thermal and light stability and their use thereof
|
|
JP7745295B2
(ja)
|
2023-09-22 |
2025-09-29 |
インダストリー、ファウンデーション、オブ、チョンナム、ナショナル、ユニバーシティ |
スズ－酸素二重結合を含むスズ化合物、これを含むフォトレジスト組成物
|
|
KR102767194B1
(ko)
*
|
2023-09-22 |
2025-02-14 |
전남대학교산학협력단 |
주석-산소 이중결합을 포함하는 주석 화합물, 이를 포함하는 포토레지스트 조성물
|
|
WO2025099042A1
(en)
|
2023-11-08 |
2025-05-15 |
Merck Patent Gmbh |
Organometallic sn oxo carboxylate clusters with carboxylate ligands that contain a linear or cyclic ester functionality
|
|
JP2025093759A
(ja)
*
|
2023-12-12 |
2025-06-24 |
東京エレクトロン株式会社 |
基板処理方法、プラズマ処理装置
|
|
JP2025099887A
(ja)
|
2023-12-22 |
2025-07-03 |
信越化学工業株式会社 |
金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、パターン形成方法
|
|
JP2025099570A
(ja)
|
2023-12-22 |
2025-07-03 |
信越化学工業株式会社 |
金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、パターン形成方法
|
|
KR20250106601A
(ko)
*
|
2024-01-03 |
2025-07-10 |
삼성에스디아이 주식회사 |
반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
|
|
US20250270240A1
(en)
*
|
2024-02-23 |
2025-08-28 |
Inpria Corporation |
Organometallic compositions with polyene ligands, radiation sensitive coatings with bridging organic ligands and patterning
|
|
US20250271755A1
(en)
*
|
2024-02-28 |
2025-08-28 |
Inpria Corporation |
Controlled environment processing, rest steps, and baking processes for metal oxide-based resist patterning
|
|
WO2025226903A1
(en)
*
|
2024-04-25 |
2025-10-30 |
Inpria Corporation |
Peroxide-stabilized organotin photoresist compositions and patterning
|
|
WO2026052658A2
(en)
|
2024-09-06 |
2026-03-12 |
Merck Patent Gmbh |
Resist pattern forming composition and use thereof
|
|
WO2026052767A1
(en)
|
2024-09-09 |
2026-03-12 |
Merck Patent Gmbh |
Intramolecular stabilized mono alkyl metal alkoxides and their use thereof
|
|
WO2026057672A1
(en)
|
2024-09-13 |
2026-03-19 |
Merck Patent Gmbh |
Pattern collapse inhibiting composition, method for producing pattern, and method for manufacturing device
|