JP6805244B2 - 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 - Google Patents
有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6805244B2 JP6805244B2 JP2018518688A JP2018518688A JP6805244B2 JP 6805244 B2 JP6805244 B2 JP 6805244B2 JP 2018518688 A JP2018518688 A JP 2018518688A JP 2018518688 A JP2018518688 A JP 2018518688A JP 6805244 B2 JP6805244 B2 JP 6805244B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- carbon atoms
- precursor
- ligand
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 177
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims description 160
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title description 32
- AUYOHNUMSAGWQZ-UHFFFAOYSA-L dihydroxy(oxo)tin Chemical class O[Sn](O)=O AUYOHNUMSAGWQZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 title description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 245
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 214
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 127
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 115
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 94
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 89
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 66
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 59
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 57
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 49
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 41
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 36
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 25
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- -1 alkyl metal oxide hydroxides Chemical class 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 19
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 17
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 16
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 8
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 claims description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 2
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 142
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 34
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 32
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 22
- 238000011161 development Methods 0.000 description 22
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 22
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 239000003570 air Substances 0.000 description 18
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 18
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 15
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 15
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 14
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 14
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 13
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 12
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 241000894007 species Species 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 6
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 6
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical class CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 150000003606 tin compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 4
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005649 metathesis reaction Methods 0.000 description 3
- IFVSPCQTOMZHOP-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-n-[tris(diethylamino)stannyl]ethanamine Chemical compound CCN(CC)[Sn](N(CC)CC)(N(CC)CC)N(CC)CC IFVSPCQTOMZHOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- WWARWFHVYPHISS-UHFFFAOYSA-M tert-butyl-hydroxy-oxotin Chemical compound [OH-].C(C)(C)(C)[Sn+]=O WWARWFHVYPHISS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 3
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 3
- IMNIKXMHMHIKDX-UHFFFAOYSA-K trichloro(propan-2-yl)stannane Chemical compound CC(C)[Sn](Cl)(Cl)Cl IMNIKXMHMHIKDX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical group C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Chemical group CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 2
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-[tris(dimethylamino)stannyl]methanamine Chemical compound CN(C)[Sn](N(C)C)(N(C)C)N(C)C WHXTVQNIFGXMSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003613 toluenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSXGKVOYAKRLCS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-2-olate;tin(4+) Chemical compound CC(C)(C)O[Sn](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C OSXGKVOYAKRLCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 2-pentanol Substances CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N Butyl carbitol 6-propylpiperonyl ether Chemical compound C1=C(CCC)C(COCCOCCOCCCC)=CC2=C1OCO2 FIPWRIJSWJWJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229930194542 Keto Chemical group 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000560 X-ray reflectometry Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003670 adamantan-2-yl group Chemical group [H]C1([H])C(C2([H])[H])([H])C([H])([H])C3([H])C([*])([H])C1([H])C([H])([H])C2([H])C3([H])[H] 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- WIHMDCQAEONXND-UHFFFAOYSA-M butyl-hydroxy-oxotin Chemical compound CCCC[Sn](O)=O WIHMDCQAEONXND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930188620 butyrolactone Natural products 0.000 description 1
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006900 dealkylation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 150000004675 formic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N hexan-3-ol Chemical compound CCCC(O)CC ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- FVQPYHHKHUVHDR-UHFFFAOYSA-M hydroxy-methyl-oxotin Chemical compound C[Sn](O)=O FVQPYHHKHUVHDR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IWKPGJOLHSGBNX-UHFFFAOYSA-M hydroxy-oxo-propan-2-yltin Chemical class [OH-].C(C)(C)[Sn+]=O IWKPGJOLHSGBNX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- AFRJJFRNGGLMDW-UHFFFAOYSA-N lithium amide Chemical class [Li+].[NH2-] AFRJJFRNGGLMDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N lithium;2-methylpropane Chemical compound [Li+].C[C-](C)C UBJFKNSINUCEAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- CSHCPECZJIEGJF-UHFFFAOYSA-N methyltin Chemical group [Sn]C CSHCPECZJIEGJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 239000012038 nucleophile Substances 0.000 description 1
- 238000010534 nucleophilic substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N pentan-3-ol Chemical compound CCC(O)CC AQIXEPGDORPWBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229960005235 piperonyl butoxide Drugs 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012713 reactive precursor Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- UAWDZAKIFJNTHX-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(oxo)tin Chemical compound CC(C)(C)[Sn]=O UAWDZAKIFJNTHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZJSPMSGXOFHFT-UHFFFAOYSA-N tert-butyltin Chemical group CC(C)(C)[Sn] GZJSPMSGXOFHFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical group 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001432 tin ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001942 tin-119 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/167—Coating processes; Apparatus therefor from the gas phase, by plasma deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
- G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
- G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本出願は、2015年10月13日に出願されたMeyersらに対する“Organotin Oxide Hydroxide Patterning Compositions With Precursor Vapor Deposition”という名称の同時係属中の米国仮特許出願第62/240,812号明細書、および2016年2月19日に出願されたCardineauらに対する“Precursor Compositions for Organotin Oxide Hydroxide Photoresist Flims”という名称の同時係属中の米国仮特許出願第62/297,540号明細書に対する優先権を主張するものであり、それらの両方が参照により本明細書に組み込まれる。
RnSnXx+xH2O→RnSn(OH)x+xHX
RnSn(OH)x→RnSnO(2−(n/2)−(x/2))OHx+(x/2)H2O
(ここで、0<(x+z)≦4である)。したがって、RnSnX(4−n)化合物を含むコーティング溶液使用することにより、実際の工程において、広い範囲のRzSnO(2−(z/2)−(x/2))(OH)x組成物をフォトレジストコーティングとして形成することが可能となる。これらの方法では、加水分解および縮合プロセス中、そのR−Sn部分が少なくとも部分的に保持され、得られる膜はM−C結合およびM−O結合の両方を含む。
RnSn(NR’2)(4−n)+(4−n)R”OH→RnSn(OR”)(4−n)+(4−n)HNR’2 (2)
レジストコーティングを形成するための前駆体組成物には、一般的には、スズカチオンが、適切な放射線感受性のヒドロカルビル安定化配位子、および加工のために選択された、Snに対する加水分解性の結合を備えた追加の配位子と共に含まれている。パターン形成可能なコーティングへ加工するために、その前駆体組成物は、一般的には、溶媒(一般的には有機溶媒)を用いて溶液の形態とし、それは、溶液コーティング法または気相をベースとする堆積プロセスによりコーティングの形態とすることができる。最終的なレジストコーティングは、金属オキシド化学をベースとし、アルキル配位子を備えたスズカチオンの前駆体溶液が、良好なレジスト性能を備えた安定な溶液を与える。それらの前駆体溶液の配位子は、一般的には、溶液の形成および関連の加工機能を備えるように選択される。先にも記したように、Snとの加水分解性の結合を有する配位子を備えた前駆体組成物を導入して前駆体溶液とすることにより、一連の組成物を改良して、安定な溶液を形成することが可能であり、次の加水分解が、有機スズオキシドヒドロキシド材料を用いたパターン形成可能なコーティングをもたらし得ることが期待される。アルキル配位子をブレンドした、一般的には、少なくとも1種の分岐状アルキル配位子を有する組成物が、望ましいパターン形成性能を与えることが見出された。
a1 R1 z1SnO(3/2−z1/2−x1/2)(OH)x1+a2 R2 z2SnO(3/2−z2/2−x2/2)(OH)x2+...+b1 R1’y1SnX1 4−y1+b2 R2’y2SnX24−y2+...+c1 SnX1’4+c2 SnX2’4+...+d1 M1X1”n1,d2 M2X2”n2+... (1)
ここで、a1+a2+...+b1+b2+...+c1+c2+...+d1+d2+...=1であり、すなわちこれらのパラメーターは、その溶液中の前駆体組成物中の金属のモル分率に対応し、(0≦(a1、a2、...)≦0.99)、(0≦(b1、b2、...)≦1)、(0≦(c1、c2、...)≦0.6)、(0≦(d1、d2、...)≦0.5)であり、かつ0.01<(b1+b2+...+c1+c2+...)であり、R(R1、R2、...)およびR’(R1’、R2’、...)は、独立して、ヒドロカルビル基またはそれらの組合せであり、X(X1、X2、...)、X’(X1’、X2’、...)およびX”(X1”、X2”、...)は、独立して、関連する金属またはそれらの組合せに対する加水分解性の結合を有する配位子であり、M1、M2、...は、スズではない金属イオンであり、(0<(x1、x2、...)<3)、(0<(z1、z2、...)≦2)、(1<(y1、y2、...)≦3)であり、およびn1、n2、...は、M1、M2、...イオンの原子価およびX1”、X2”、...の電荷によって決まる。一般的には、Mは第2族〜第16族の金属であり、多くの金属では、nは2〜6の範囲である。Mとして望ましい金属としては、Hf、Zr、W、Ta、Co、Ni、In、Sb、Bi、Teなどが挙げられる。代表的で好適なML”n化合物としては、たとえば、Zr(OtBu)4、Hf(NMe)4、In(OiPr)3、およびSb(OEt)3などが挙げられ、これらは、Sigma−Aldrich、Alfa Aesar、Gelest、Strem Chemical、他の供給業者から市販されている。いくつかの実施形態では、すべの「a」パラメーターの値がゼロであり、その結果、すべての配位子がインサイチューで加水分解される。さらなる実施形態では、0.1≦(a1、a2、...)≦0.90、または0.2≦(a1、a2、...)≦0.85、または0.25≦(a1、a2、...)≦0.75である。いくつかの実施形態では、0.25≦(b1、b2、...)≦1、または0.3≦(b1、b2、...)≦0.95、または0.35≦(b1、b2、...)≦0.9である。さらに次の実施形態では、0≦(c1、c2、...)≦0.4、または0.025≦(c1、c2、...)≦0.4、または0.05≦(c1、c2、...)≦0..35、または0.1≦(c1、c2、...)≦0.3であり、および0≦(d1、d2、...)≦0.5、または0.025≦(d1、d2、...)≦0.4、または0.05≦(d1、d2、...)≦0.3である。当業者がよく認識しているように、上で明示された範囲内の「a」、「b」、「c」および「d」パラメーターのさらなる範囲も考えられ、それらも本発明の開示に含まれる。本明細書で使用するとき、「<」および「≦」の記号は、実験誤差の範囲内での「約」特定された値である、対応する範囲限界の概念を暗黙的に含んでいる。
前のセクションに記載した組成物をベースとして一連の前駆体溶液を配合することができる。それらの前駆体組成物は、一般的には、ある程度加水分解に敏感な金属−配位子結合を含んでいるという点で共通点を有する。十分な蒸気圧を有する前駆体化合物の場合、代替的に、その加水分解をコーティングにおいてインサイチューで実施するか、または気相堆積プロセスの一部として実施することができる。溶液堆積のための前駆体溶液には、一般的には、有機溶媒中にスズカチオンと、任意選択的に1種または複数のスズではない金属カチオンとが含まれる。
コーティング材料は、堆積によって形成することができ、次いで選択された基板上でその前駆体溶液を加工する。本明細書に記載されている前駆体溶液を使用する場合、幾分かの加水分解および縮合は、一般的には、コーティング時に実施されるが、それに続く工程、たとえば空気中での加熱によって完結させるか、さらにポストコーティングを進めさせてもよい。基板は、一般的には、その上にコーティング材料を堆積させることを可能とする表面を提供し、その基板が複数の層で構成されていてもよく、その中でも表面は最上層に関わる。いくつかの実施形態では、その基板表面を処理して、コーティング材料を付着させるための表面を備えるようにすることができる。さらに、その表面を洗浄し、および/または適切に平滑化させることも可能である。好適な基板表面には、任意の合理的な材料を含むことができる。特に興味深いいくつかの基板としては、たとえば以下のものが挙げられる:シリコンウェーハ、シリカ基板、他の無機材料、たとえば、セラミック材料、ポリマー基板、たとえば有機ポリマー、それらの複合材料、ならびに基板の表面全体および/または層中でのそれらの組合せ。ウェーハ、たとえば比較的薄い円筒状の構造物が好都合であるが、任意の合理的な形状の構造物を使用することも可能である。ポリマー基板または非ポリマー性の構造物上にポリマー層を有する基板は、それらが低コストであり、可撓性があるため、ある種の用途で望ましいものであり得、本明細書に記載されているパターン形成可能な材料を加工するために使用することが可能な加工温度が比較的低いことから、好適なポリマーを選択することができる。好適なポリマーとしては、たとえば以下のものが挙げられる:ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエステル、ポリアルケン、それらのコポリマー、およびそれらの混合物。一般的に、基板は平坦な表面を有するのが望ましく、特に高解像度用途ではそうである。しかしながら、特定の実施形態では、基板が実質的にトポグラフィーを有してもよく、その場合、レジストコーティングは、特定のパターン形成用途のために、フィーチャーを埋めて平坦化させる目的で使用される。代替的に、本明細書に記載されている気相堆積法を使用して、特定のパターン形成用途のために、既に存在しているトポグラフィーおよびフィーチャーを、有機スズオキシドヒドロキシドフォトレジストを用いて共形的にコーティングすることもできる。
放射線でパターン形成可能な有機スズオキシドヒドロキシドコーティングの気相堆積の現像のために、Snに対して実質的に非加水分解性の結合を有するR−基と、Snに対して加水分解性の結合を有するX配位子との両方を含む前駆体化合物の現像が開発された。特に、たとえば表1に列挙したような多くのRnSnX(4−n)化合物が比較的高い蒸気圧および反応性を有するため、有機スズオキシドヒドロキシドの薄膜フォトレジストを堆積させるために気相堆積法を使用することが可能となった。周囲大気から密閉された反応器内に気相で加水分解性の前駆体を導入することにより、堆積プロセス、すなわち化学気相堆積法の一部として加水分解を実施することが可能となる。使用可能な気相堆積法としては、化学気相堆積法(CVD)、原子層堆積法(ALD)、およびそれらの改良法が挙げられ、それらの多くは、金属のアルキルアミド、アルコキシド、およびハライド前駆体を用いて無機金属オキシドおよびニトリド膜を堆積させるために以前から使用されており[1〜4]、Sn(NMe2)4からのSnO2も含まれる[5]。気相堆積法を実施するには、一般的には、1種または複数の金属含有前駆体を小分子の気相反応剤、たとえば、H2O、H2O2、O3、O2、またはCH3OHの1種または複数と反応させ、それらは、オキシドおよびオキシドヒドロキシドを作るためのO源およびH源として機能する。必要に応じて、物理気相堆積法のアプローチも実施可能であり、その場合、Snに対する加水分解性の結合を有する配位子を含む前駆体組成物を気相から堆積させ、その結合を次いで、コーティングが形成された後に加水分解させ、気相加工の場合、堆積中に加水分解/酸化を起こさせるのが一般的にはより効率的であり得る。
加水分解、縮合、および乾燥の後で、放射線を用いてそのコーティング材料を微細にパターン化することができる。先にも記したように、前駆体溶液およびそれからの対応するコーティング材料の組成を設計して、所望の放射線の形態を十分に吸収するようにすることができる。放射線の吸収がエネルギーをもたらし、それが金属とアルキル配位子との間の結合を壊して、アルキル配位子の少なくとも一部がその材料の安定化にもはや利用されないようにすることができる。アルキル配位子またはそれらの破片も含めて、放射線分解反応の生成物は、プロセス変数およびそのような反応生成物の識別に依存して、その膜から拡散して出ることができ、または出ないことができる。十分な量の放射線を吸収すると、その暴露されたコーティング材料が縮合する、すなわち、より高度の金属オキソ−ヒドロキソネットワークを形成し、それは、周囲大気から吸収した追加の水を含むことができる。放射線は、一般的には、選択されたパターンに従って送達することができる。放射線のパターンが、照射された領域と照射されなかった領域とのコーティング材料中で対応するパターン、すなわち潜像に変換される。照射された領域には、化学的に変化されたコーティング材料が含まれ、および照射されなかった領域には、一般的には、最初に形成されたままのコーティング材料が含まれる。以下でも説明するように、そのコーティング材料を現像して、照射されなかったコーティング材料を除去するか、または代替的に照射されたコーティング材料を選択的に除去すると、極めて滑らかなエッジを形成することができる。
画像の現像には、潜像を含むパターン化されたコーティング材料を現像剤組成物と接触させて、照射されなかったコーティング材料を除去してネガ画像を形成するか、または照射されたコーティングを除去してポジ画像を形成するかのいずれかが含まれる。本明細書に記載されているレジスト材料を使用すると、一般的に、適切な現像溶液を使用し、一般的には同一のコーティングをベースにして、望ましい解像度を有する効果的なネガパターン形成またはポジパターン形成を実施することができる。特に、照射された領域が少なくとも部分的に縮合されて、金属オキシドの性質が強くなっていると、その照射された材料は、有機溶媒によって溶解されることに抵抗性があり、それに対して照射されなかった組成物は、依然として有機溶媒への可溶性を保持している。縮合されたコーティング材料に言及するときには、最初の材料と比較して、材料のオキシド特性が高くなっているという意味で少なくとも部分的に縮合が起きていることを示唆する。他方、照射されなかった材料は、その材料の疎水性が原因で水性の弱塩基性または弱酸性において可溶性が低く、そのため、水性塩基を使用して、照射されていない材料をポジパターン形成で保持しながら、照射された材料を除去することが可能である。
1)Maeng,W.J.;Pak,S.J.;Kim,H.J.Vac.Sci.Tech B.2006,24,2276。
2)Rodriguez−Reyes,J.C.F.;Teplyakov,A.V.J.Appl.Phys.2008,104,084907。
3)Leskelae,M.;Ritala,M.Thin Solid Films 2002,409,138。
4)Leskelae,M.;Ritala,M.J.Phys.IV 1999,9,Pr8−852。
5)Atagi,L.M.;Hoffman,D.M.;Liu,J.R.;Zheng,Z.;Chu,W.K.;Rubiano,R.R.;Springer,R.W.;Smith,D.C.Chem.Mater.1994,6,360。
この実施例は、有機スズオキシドヒドロキシドのコーティングを形成するためのインサイチューでの加水分解に好適な有機スズアミド化合物の形成を目的とする。
この実施例では、実施例1の組成物から形成されたコーティングのインサイチューでの加水分解およびそれに続くEUVパターン形成に成功したことを示す。
この実施例では、Snに対して加水分解性の結合を有する前駆体の場合、インサイチューでの加水分解アプローチ方法により、実質的に完全な加水分解が起きた証拠を示す。
この実施例では、放射線感受性コーティング中での金属に対する放射線感受性配位子の化学量論の調節を可能とするための、混合された加水分解性の前駆体化合物の形成を述べる。
この実施例では、実施例4に記載したようにして調製したコーティング溶液を用いて生成したコーティングをパターン化することにより得られた結果を提供し、より低い放射線量で改良されたパターン形成が実施されたことを実証する。
tert−ブチルおよびメチルの放射線感受性配位子を混合したもので調製したコーティングについてパターン化性能を評価する。
Claims (31)
- コーティング溶液であって、
有機溶媒;
第一の有機金属組成物であって、式RzSnO(2−(z/2)−(x/2))(OH)x(ここで、0<z≦2および0<(z+x)≦4である)、式R’nSnX4−n(ここで、n=1または2である)、またはそれらの混合物によって表され、ここで、RおよびR’が、独立して、1〜31個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、およびXが、Snに対する加水分解性結合を有する配位子またはそれらの組合せである、第一の有機金属組成物;ならびに
加水分解性の金属化合物であって、式MX’v(ここで、Mが、元素周期表の第2〜16族から選択される金属であり、v=2〜6の数であり、およびX’が、加水分解性のM−X結合を有する配位子またはそれらの組合せである)によって表される、加水分解性の金属化合物
を含む、コーティング溶液。 - MがSnであり、v=4である、請求項1に記載のコーティング溶液。
- 約2〜約60モルパーセントの前記Snが前記加水分解性の金属化合物中に存在する、請求項2に記載のコーティング溶液。
- 約0.0025M〜約1.5Mの濃度のスズを有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- XおよびX’が、独立して、アルキルアミドまたはジアルキルアミド(−NR1R2(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))、シロキソ(−OSiR1R2R3(ここで、R1、R2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基である))、シリルアミド(−N(SiR1 3)(R2)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基である))、ジシリルアミド(−N(SiR1 3)(SiR2 3)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基である))、アルコキソおよびアリールオキソ(−OR(ここで、Rが、1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアリール基である))、アジド(−N3)、アルキニド(−C≡CR(ここで、Rが、1〜9個の炭素原子を有する炭化水素基である))、アミダト(−NR1(COR2)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜7個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))、アミジナト(−NR1C(NR2)R3)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜8個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))、イミド(−N(COR1)(COR2)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜8個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))もしくはそれらのフッ素化類似体またはそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1〜4のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- XおよびX’が、独立して、−NR1R2または−OR3配位子であり、ここで、R1、R2、およびR3がC1〜C10のアルキル基もしくはシクロアルキル基またはそれらの組合せである、請求項1〜4のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- RまたはR’がメチル基、エチル基、i−プロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、またはt−ブチル基である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 前記有機溶媒がアルコール、エステル、またはそれらの混合物である、請求項1〜7のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- コーティング溶液であって、
有機溶媒;
全金属含量を基準にして少なくとも約10モルパーセントの第一の有機金属組成物であって、式RzSnO(2−(z/2)−(x/2))(OH)x(ここで、0<z≦2および0<(z+x)≦4である)、式RnSnX4−n(ここで、n=1または2である)、またはそれらの混合物によって表され、ここで、Rが、1〜31個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、およびXが、加水分解性のSn−X結合を有する配位子またはそれらの組合せである、第一の有機金属組成物;ならびに
全金属含量を基準にして少なくとも10モルパーセントの第二の有機金属組成物であって、式R’ySnX’4−y(ここで、y=1または2である)によって表され、ここで、R’が、Rと異なるヒドロカルビル基であり、およびX’が、Xと同一であるかまたは異なる、加水分解性のSn−X’結合を有する配位子またはそれらの組合せである、第二の有機金属組成物
を含む、コーティング溶液。 - Rがt−ブチルであり、およびR’がメチルである、請求項9に記載のコーティング溶液。
- XおよびX’が、独立して、アルキルアミドまたはジアルキルアミド(−NR1R2(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))、シロキソ(−OSiR1R2R3(ここで、R1、R2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基である))、シリルアミド(−N(SiR1 3)(R2)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基である))、ジシリルアミド(−N(SiR1 3)(SiR2 3)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜10個の炭素原子を有する炭化水素基である))、アルコキソおよびアリールオキソ(−OR(ここで、Rが、1〜10個の炭素原子を有するアルキルまたはアリール基である))、アジド(−N3)、アルキニド(−C≡CR(ここで、Rが、1〜9個の炭素原子を有する炭化水素基である))、アミダト(−NR1(COR2)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜7個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))、アミジナト(−NR1C(NR2)R3)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜8個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))、イミド(−N(COR1)(COR2)(ここで、R1およびR2が、独立して、1〜8個の炭素原子を有する炭化水素基または水素である))もしくはそれらのフッ素化類似体またはそれらの組合せからなる群から選択される、請求項9または10に記載のコーティング溶液。
- 約0.0025M〜約1.5Mの濃度のスズを有し、および前記有機溶媒がアルコール、エステル、またはそれらの混合物である、請求項9〜11のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 全金属含量を基準にして少なくとも10モルパーセントの第三の有機金属組成物であって、式R”ySnX”4−y(ここで、y=1または2である)によって表され、ここで、R”が、RおよびR’と異なるヒドロカルビル基であり、およびX”が、Xおよび/またはX’と同一であるかまたは異なる、加水分解性のSn−X”結合を有する配位子またはその組合せである、第三の有機金属組成物をさらに含む、請求項9〜12のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- RまたはR’がメチル基、エチル基、i−プロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、またはt−ブチル基である、請求項9〜13のいずれか一項に記載のコーティング溶液。
- 放射線でパターン形成可能なコーティングを形成するための方法であって、
基板上の前駆体コーティングを水に暴露させる暴露工程であって、前記前駆体コーティングが、
第一の有機金属組成物RzSnO(2−(z/2)−(x/2))(OH)x(ここで、0<z≦2および0<(z+x)≦4である)またはR’nSnX4−n(ここで、n=1または2である)であって、RおよびR’が、独立して、1〜31個の炭素原子を有するヒドロカルビル基であり、およびXが、加水分解性のSn−X結合を有する配位子もしくはそれらの組合せまたはそれらの混合物である、第一の有機金属組成物;および
第二の有機金属組成物R”ySnX’4−y(ここで、y=1または2であり、およびR”がR’と異なり、およびX’が、Xと同一であるかまたは異なる、加水分解性のSn−X’結合を有する配位子またはそれらの組合せである)、または無機組成物MLv(ここで、vが、2≦v≦6であり、およびLが、XおよびX’と同一であるかまたは異なる、加水分解性のM−L結合を有する配位子もしくはその組合せまたはそれらの混合物である)
を含み、
前記暴露が、前記前駆体コーティングの加水分解をもたらして、((Rおよび/またはR’)aR”b)SnO(2−((a+b)/2)−(w/2))(OH)w(ここで、0<(a+b)≦2および0<(a+b+w)<4である)を含むか、またはy((RまたはR’)aR”b)SnO(2−((a+b)/2)−(w/2))(OH)w・zMO((m/2)−l/2)(OH)l(ここで、0<(a+b)≦2であり、0<(a+b+w)<4であり、m=Mm+のホルマール原子価であり、0≦l≦mであり、y/z=(0.05〜0.6)であり、およびM=M’またはSnであり、ここで、M’が、周期表の第2〜16族の、スズではない金属である)を含むコーティングを形成する、方法。 - 前記暴露工程の後に、前記基板を約0.5分〜約30分にわたり約45℃〜約250℃の温度に加熱することを含む、請求項15に記載の方法。
- 前記前駆体コーティングが、有機溶媒中に約0.0025M〜約1.5Mのスズを有する溶液を使用して形成される、請求項15または16に記載の方法。
- 前記溶液がスピンコートされて、前記前駆体コーティングを形成する、請求項17に記載の方法。
- 前記第一の有機金属組成物がR’nSnX4−nを含む、請求項15〜18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記無機組成物がSnL4を含む、請求項15〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 金属炭素結合および金属酸素結合を有する有機配位子を有する金属カチオンとのオキソ−ヒドロキソネットワークを含む放射線でパターン形成可能なコーティングを形成するための方法であって、
周囲大気から密閉された堆積チャンバー内に、式RnSnX4−n(ここで、n=1または2であり、Rが、金属−炭素結合でSnと結合されている1〜31個の炭素原子を有する有機配位子であり、n=1または2であり、およびXが、Snとの加水分解性結合を有する配位子である)によって表される組成物を含む第一の前駆体蒸気を導入する工程、および
その後または同時に、前記第一の前駆体蒸気中の前記組成物と反応することが可能な酸素含有化合物を含む第二の前駆体蒸気を、1つまたは複数のX配位子を有する反応生成物を含む複数の非揮発性成分および揮発性成分を有する組成物を形成するための前記堆積チャンバー内の条件下において導入する工程
を含み、基板が、前記組成物の前記非揮発性成分を受け取る表面で構成されている、方法。 - 前記第二の前駆体蒸気が水蒸気を含む、請求項21に記載の方法。
- 前記堆積チャンバーが約0.01Torr〜約25Torrの圧力を有する、請求項21または22に記載の方法。
- 前記堆積チャンバーが約40℃〜約175℃の温度を有する、請求項21〜23のいずれか一項に記載の方法。
- 前駆体蒸気を導入するそれぞれのサイクル間に不活性なパージガスを導入する工程をさらに含む、請求項21〜24のいずれか一項に記載の方法。
- 第三の前駆体蒸気が個別に前記堆積チャンバーに導入され、前記第三の前駆体蒸気が、MLv(ここで、vが2≦v≦6であり、およびLが、酸化可能な配位子もしくは加水分解性のM−L結合を有する配位子またはそれらの組合せであり、およびMが、周期表の第2〜16族から選択される金属である)を含む、請求項21〜25のいずれか一項に記載の方法。
- 表面および前記表面上のコーティングを有する基板を含むコーティングされた基板であって、式y(RzSnO(2−(z/2)−(w/2))(OH)w・zMO((m/2)−l/2)(OH)l(ここで、Rが、1〜31個の炭素原子を有するヒドロカルビル基またはそれらの組合せであり、0<z≦2であり、0<(z+w)≦4であり、m=Mm+のホルマール原子価であり、0≦l≦mであり、y/z=(0.05〜0.6)であり、およびM=M’またはSnであり、ここで、M’が、周期表の第2〜16族の、スズではない金属である)によって表される有機金属組成物を含む基板。
- 基板と、約6.125mJ/cm2以下の線量対ゲル値(Dg)を有するアルキル金属オキシドヒドロキシドを含む放射線感受性コーティングとを含む構造物。
- 表面に沿って無機半導体層および放射線感受性コーティング材料を含む基板を含む構造物であって、前記放射線感受性コーティング材料が、13.5nmの波長のEUV光によって32nmピッチで16nmの線のパターンでパターン化されて、約8mJ/cm2〜約25mJ/cm2の線量によって約4nm以下の線幅粗さで16nmの限界寸法を達成することができる、構造物。
- 前記放射線感受性コーティング材料が少なくとも5重量パーセントの金属を有する、請求項29に記載の構造物。
- 前記放射線感受性コーティング材料が少なくとも20重量パーセントの金属を有する、請求項29に記載の構造物。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562240812P | 2015-10-13 | 2015-10-13 | |
US62/240,812 | 2015-10-13 | ||
US201662297540P | 2016-02-19 | 2016-02-19 | |
US62/297,540 | 2016-02-19 | ||
PCT/US2016/056637 WO2017066319A2 (en) | 2015-10-13 | 2016-10-12 | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020200742A Division JP7179816B2 (ja) | 2015-10-13 | 2020-12-03 | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019500490A JP2019500490A (ja) | 2019-01-10 |
JP2019500490A5 JP2019500490A5 (ja) | 2019-05-09 |
JP6805244B2 true JP6805244B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=58500023
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518688A Active JP6805244B2 (ja) | 2015-10-13 | 2016-10-12 | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
JP2020200742A Active JP7179816B2 (ja) | 2015-10-13 | 2020-12-03 | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
JP2022183177A Active JP7483833B2 (ja) | 2015-10-13 | 2022-11-16 | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020200742A Active JP7179816B2 (ja) | 2015-10-13 | 2020-12-03 | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
JP2022183177A Active JP7483833B2 (ja) | 2015-10-13 | 2022-11-16 | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US10228618B2 (ja) |
EP (4) | EP4089482A1 (ja) |
JP (3) | JP6805244B2 (ja) |
KR (4) | KR20230035713A (ja) |
CN (2) | CN108351594B (ja) |
TW (4) | TWI761135B (ja) |
WO (1) | WO2017066319A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021528536A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | インプリア・コーポレイションInpria Corporation | モノアルキルスズアルコキシドの安定な溶液、並びにそれらの加水分解生成物及び縮合生成物 |
Families Citing this family (293)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9176377B2 (en) | 2010-06-01 | 2015-11-03 | Inpria Corporation | Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9778561B2 (en) | 2014-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Vacuum-integrated hardmask processes and apparatus |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
EP4050014A3 (en) | 2014-10-23 | 2022-12-14 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
GB201517273D0 (en) | 2015-09-30 | 2015-11-11 | Univ Manchester | Resist composition |
US10228618B2 (en) | 2015-10-13 | 2019-03-12 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
US9996004B2 (en) * | 2015-11-20 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10649328B2 (en) | 2016-03-11 | 2020-05-12 | Inpria Corporation | Pre-patterned lithography templates, processes based on radiation patterning using the templates and processes to form the templates |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
TWI804224B (zh) | 2016-08-12 | 2023-06-01 | 美商英培雅股份有限公司 | 減少邊緣珠區域中來自含金屬光阻劑之金屬殘留物的方法 |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10796912B2 (en) | 2017-05-16 | 2020-10-06 | Lam Research Corporation | Eliminating yield impact of stochastics in lithography |
US20180347039A1 (en) * | 2017-06-05 | 2018-12-06 | Applied Materials, Inc. | Aerosol Assisted CVD For Industrial Coatings |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
CA2975104A1 (en) * | 2017-08-02 | 2019-02-02 | Seastar Chemicals Inc. | Organometallic compounds and methods for the deposition of high purity tin oxide |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
WO2019099981A2 (en) * | 2017-11-20 | 2019-05-23 | Inpria Corporation | Organotin clusters, solutions of organotin clusters, and application to high resolution patterning |
KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
WO2019182872A1 (en) | 2018-03-19 | 2019-09-26 | Lam Research Corporation | Chamfer-less via integration scheme |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
TW202348612A (zh) * | 2018-04-05 | 2023-12-16 | 美商英培雅股份有限公司 | 包含錫化合物的組合物及其應用 |
US10787466B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
US11673903B2 (en) | 2018-04-11 | 2023-06-13 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
WO2019199467A1 (en) * | 2018-04-11 | 2019-10-17 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin compounds with low polyalkyl contamination, their compositions and methods |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
SG11202009703QA (en) * | 2018-05-11 | 2020-10-29 | Lam Res Corp | Methods for making euv patternable hard masks |
KR102207893B1 (ko) * | 2018-05-25 | 2021-01-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
KR102211158B1 (ko) * | 2018-06-08 | 2021-02-01 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
US11972948B2 (en) | 2018-06-13 | 2024-04-30 | Brewer Science, Inc. | Adhesion layers for EUV lithography |
US11054742B2 (en) * | 2018-06-15 | 2021-07-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EUV metallic resist performance enhancement via additives |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
KR102296793B1 (ko) * | 2018-07-06 | 2021-08-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
JP6865794B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2021-04-28 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | 半導体レジスト用組成物およびこれを用いたパターン形成方法 |
US11092890B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-08-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
KR102307977B1 (ko) | 2018-07-31 | 2021-09-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102306444B1 (ko) * | 2018-07-31 | 2021-09-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
US11092889B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-08-17 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor resist composition, and method of forming patterns using the composition |
KR102229623B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2021-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102307981B1 (ko) * | 2018-08-10 | 2021-09-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
US11031244B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-06-08 | Lam Research Corporation | Modification of SNO2 surface for EUV lithography |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
TW202016279A (zh) * | 2018-10-17 | 2020-05-01 | 美商英培雅股份有限公司 | 圖案化有機金屬光阻及圖案化的方法 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6950662B2 (ja) | 2018-10-30 | 2021-10-13 | 信越化学工業株式会社 | 基板保護膜形成用材料及びパターン形成方法 |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
WO2020102085A1 (en) * | 2018-11-14 | 2020-05-22 | Lam Research Corporation | Methods for making hard masks useful in next-generation lithography |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
US20220020584A1 (en) * | 2018-12-20 | 2022-01-20 | Lam Research Corporation | Dry development of resists |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
US11498934B2 (en) | 2019-01-30 | 2022-11-15 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin trialkoxides and/or monoalkyl tin triamides with particulate contamination and corresponding methods |
US11966158B2 (en) * | 2019-01-30 | 2024-04-23 | Inpria Corporation | Monoalkyl tin trialkoxides and/or monoalkyl tin triamides with low metal contamination and/or particulate contamination, and corresponding methods |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US20200326627A1 (en) * | 2019-04-12 | 2020-10-15 | Inpria Corporation | Organometallic photoresist developer compositions and processing methods |
KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
US11609494B2 (en) * | 2019-04-30 | 2023-03-21 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor photoresist composition and method of forming patterns using the composition |
US11327398B2 (en) | 2019-04-30 | 2022-05-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photoresist compositions and methods for fabricating semiconductor devices using the same |
KR102606844B1 (ko) * | 2019-04-30 | 2023-11-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
TWI837391B (zh) * | 2019-06-26 | 2024-04-01 | 美商蘭姆研究公司 | 利用鹵化物化學品的光阻顯影 |
EP3990984A4 (en) * | 2019-06-27 | 2023-07-26 | Lam Research Corporation | DEVICE FOR DRY DEPOSITION OF PHOTOVARNISH |
US20220308454A1 (en) * | 2019-06-28 | 2022-09-29 | Lam Research Corporation | Bake strategies to enhance lithographic performance of metal-containing resist |
WO2020264557A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-30 | Lam Research Corporation | Photoresist with multiple patterning radiation-absorbing elements and/or vertical composition gradient |
KR20220029663A (ko) | 2019-07-02 | 2022-03-08 | 오지 홀딩스 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 장치 |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
WO2021011367A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | Inpria Corporation | Stabilized interfaces of inorganic radiation patterning compositions on substrates |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
WO2021016229A1 (en) | 2019-07-22 | 2021-01-28 | Inpria Corporation | Organometallic metal chalcogenide clusters and application to lithography |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11651961B2 (en) * | 2019-08-02 | 2023-05-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Patterning process of a semiconductor structure with enhanced adhesion |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
JP7149241B2 (ja) | 2019-08-26 | 2022-10-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP7264771B2 (ja) | 2019-08-30 | 2023-04-25 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
KR102446459B1 (ko) * | 2019-10-15 | 2022-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102446362B1 (ko) | 2019-10-15 | 2022-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR102480432B1 (ko) * | 2019-11-18 | 2022-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11934101B2 (en) * | 2019-11-27 | 2024-03-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist composition and method of forming photoresist pattern |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
CN116705595A (zh) * | 2020-01-15 | 2023-09-05 | 朗姆研究公司 | 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层 |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
KR102555497B1 (ko) * | 2020-01-21 | 2023-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토 레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
EP4115242A4 (en) * | 2020-03-02 | 2024-03-13 | Inpria Corporation | PROCESSING ENVIRONMENT FOR THE FORMATION OF INORGANIC RESERVE PATTERNS |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
TW202147454A (zh) * | 2020-03-24 | 2021-12-16 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 熱處理裝置及熱處理方法 |
US20210302839A1 (en) * | 2020-03-30 | 2021-09-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
KR102573327B1 (ko) * | 2020-04-02 | 2023-08-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
KR102538092B1 (ko) * | 2020-04-17 | 2023-05-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102577300B1 (ko) * | 2020-04-17 | 2023-09-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
US11886116B2 (en) | 2020-05-06 | 2024-01-30 | Inpria Corporation | Multiple patterning with organometallic photopatternable layers with intermediate freeze steps |
KR102619719B1 (ko) * | 2020-05-12 | 2023-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
EP3919979A1 (en) * | 2020-06-02 | 2021-12-08 | Imec VZW | Resistless patterning mask |
TW202205433A (zh) * | 2020-06-19 | 2022-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 蝕刻方法、基板處理裝置及基板處理系統 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
US11621172B2 (en) | 2020-07-01 | 2023-04-04 | Applied Materials, Inc. | Vapor phase thermal etch solutions for metal oxo photoresists |
US20220002869A1 (en) * | 2020-07-01 | 2022-01-06 | Applied Materials, Inc. | Vapor phase photoresists deposition |
US20220005687A1 (en) * | 2020-07-02 | 2022-01-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device and pattern formation method |
TWI817463B (zh) * | 2020-07-03 | 2023-10-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 製備有機錫化合物的方法 |
WO2022010809A1 (en) | 2020-07-07 | 2022-01-13 | Lam Research Corporation | Integrated dry processes for patterning radiation photoresist patterning |
TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
JP2023534960A (ja) * | 2020-07-17 | 2023-08-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 有機共反応物を含む乾式堆積フォトレジスト |
KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
KR20230053617A (ko) * | 2020-08-25 | 2023-04-21 | 인프리아 코포레이션 | 반응물을 제공하는 편리한 리간드를 갖는 유기주석 조성물의 제조 방법 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
KR102586099B1 (ko) * | 2020-09-14 | 2023-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102671848B1 (ko) * | 2020-09-14 | 2024-05-31 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
KR102586112B1 (ko) * | 2020-09-14 | 2023-10-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
KR102598259B1 (ko) | 2020-12-18 | 2023-11-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 포토레지스트용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
US20220197146A1 (en) * | 2020-12-22 | 2022-06-23 | Applied Materials, Inc. | Photoresists by physical vapor deposition |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
TWI821891B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-11-11 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 製備有機錫化合物的方法 |
US11697660B2 (en) * | 2021-01-29 | 2023-07-11 | Entegris, Inc. | Process for preparing organotin compounds |
JP2024506160A (ja) * | 2021-02-12 | 2024-02-09 | ラム リサーチ コーポレーション | 量子効率の良いフォトレジストおよびその方法 |
US20220269169A1 (en) * | 2021-02-19 | 2022-08-25 | Inpria Corporation | Organometallic radiation patternable coatings with low defectivity and corresponding methods |
KR20230148424A (ko) * | 2021-02-23 | 2023-10-24 | 램 리써치 코포레이션 | 할로겐-함유 유기주석 포토레지스트 및 지방족-함유 유기주석 포토레지스트 및 이의 방법들 |
KR20230162611A (ko) * | 2021-03-26 | 2023-11-28 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법 및 레지스트 하층막 형성용 조성물 |
TWI773231B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-08-01 | 國立成功大學 | 製備金屬奈米粒子的方法 |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
KR20240012409A (ko) * | 2021-05-25 | 2024-01-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 극자외선 패터닝을 위한 유기금속 막 |
US12032291B2 (en) * | 2021-06-15 | 2024-07-09 | Inpria Corporation | Organotin patterning materials with ligands having silicon/germanium; precursor compositions; and synthesis methods |
TW202304941A (zh) * | 2021-06-18 | 2023-02-01 | 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 | 製備有機錫化合物的方法 |
WO2023006871A1 (en) | 2021-07-30 | 2023-02-02 | Merck Patent Gmbh | Production of diorganotin dihalides |
KR102382858B1 (ko) * | 2021-08-06 | 2022-04-08 | 주식회사 레이크머티리얼즈 | 트리할로 주석 화합물의 제조방법 및 이를 포함하는 트리아미드 주석 화합물의 제조방법 |
US11894228B2 (en) * | 2021-08-26 | 2024-02-06 | Applied Materials, Inc. | Treatments for controlling deposition defects |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
KR20240049398A (ko) | 2021-09-13 | 2024-04-16 | 젤리스트 인코퍼레이티드 | 옥소스탄네이트가 풍부한 필름을 제조하기 위한 방법 및 전구체 |
US20230098280A1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-30 | Entegris, Inc. | Synthesis of fluoroalkyl tin precursors |
US20230143629A1 (en) * | 2021-11-09 | 2023-05-11 | Tokyo Electron Limited | EUV Active Films for EUV Lithography |
JPWO2023085414A1 (ja) | 2021-11-15 | 2023-05-19 | ||
CN118284718A (zh) * | 2021-11-24 | 2024-07-02 | 恩特格里斯公司 | 有机锡前驱化合物 |
US11827659B2 (en) * | 2022-03-31 | 2023-11-28 | Feng Lu | Organometallic tin compounds as EUV photoresist |
WO2023227564A1 (en) | 2022-05-26 | 2023-11-30 | Merck Patent Gmbh | Developable resist overlayer composition as well as method for manufacturing resist overlayer pattern and resist pattern |
WO2023235534A1 (en) | 2022-06-02 | 2023-12-07 | Gelest, Inc. | High purity alkyl tin compounds and manufacturing methods thereof |
US20230391803A1 (en) * | 2022-06-03 | 2023-12-07 | Entegris, Inc. | Compositions and related methods of alkyltintrihalides |
TW202407473A (zh) * | 2022-06-06 | 2024-02-16 | 美商英培雅股份有限公司 | 在氧化鹵素供給環境中有機金屬阻劑之基於氣體的顯影 |
WO2023245047A1 (en) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | Lam Research Corporation | Tin precursors for deposition of euv dry resist |
WO2024017921A1 (en) | 2022-07-22 | 2024-01-25 | Merck Patent Gmbh | Developer tolerance resist underlayer composition and method for manufacturing resist pattern |
US20240045332A1 (en) * | 2022-08-02 | 2024-02-08 | Tokyo Electron Limited | Method of forming photosensitive organometallic oxides by chemical vapor polymerization |
US20240085785A1 (en) * | 2022-08-17 | 2024-03-14 | Inpria Corporation | Additives for metal oxide photoresists, positive tone development with additives, and double bake double develop processing |
IL305619A (en) | 2022-09-14 | 2024-04-01 | Shinetsu Chemical Co | Compound for forming a metal-containing layer, composition for forming a metal-containing layer, printing method, and semiconductor masking sensitizer |
WO2024064071A1 (en) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | Lam Research Corporation | Bake-sensitive underlayers to reduce dose to size of euv photoresist |
WO2024107411A1 (en) * | 2022-11-15 | 2024-05-23 | Entegris, Inc. | Functionalized organotin precursors and related methods |
WO2024118918A1 (en) * | 2022-12-01 | 2024-06-06 | Inpria Corporation | Direct synthesis of organotin alkoxides |
WO2024115571A1 (en) | 2022-12-02 | 2024-06-06 | Merck Patent Gmbh | Polysiloxane composition |
JP2024089633A (ja) | 2022-12-21 | 2024-07-03 | 信越化学工業株式会社 | 金属含有膜形成用重合体、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
JP2024097389A (ja) | 2023-01-06 | 2024-07-19 | 信越化学工業株式会社 | 金属含有膜形成用化合物、金属含有膜形成用組成物、及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (110)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3385915A (en) | 1966-09-02 | 1968-05-28 | Union Carbide Corp | Process for producing metal oxide fibers, textiles and shapes |
US3635883A (en) | 1970-05-07 | 1972-01-18 | Stauffer Chemical Co | Stabilized styrene-acrylonitrile polymer compositions |
US3949146A (en) * | 1973-08-24 | 1976-04-06 | Rca Corporation | Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate |
US4104292A (en) | 1976-11-02 | 1978-08-01 | M&T Chemicals Inc. | Method for preparing organotin compounds |
US4102683A (en) | 1977-02-10 | 1978-07-25 | Rca Corp. | Nonreflecting photoresist process |
US4380559A (en) | 1980-09-25 | 1983-04-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing boundary layer semiconductor ceramic capacitors |
JPS57123126A (en) | 1981-01-23 | 1982-07-31 | Adeka Argus Chem Co Ltd | Stabilized allyl chloride composition |
US4380599A (en) * | 1981-02-06 | 1983-04-19 | Berger, Jenson And Nicholson Ltd. | Organotin polymers method of making them and paints containing them |
US4370405A (en) | 1981-03-30 | 1983-01-25 | Hewlett-Packard Company | Multilayer photoresist process utilizing an absorbant dye |
US4910122A (en) | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
US4639208A (en) | 1984-04-03 | 1987-01-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Pulse combustion apparatus with a plurality of pulse burners |
US4601917A (en) | 1985-02-26 | 1986-07-22 | M&T Chemicals Inc. | Liquid coating composition for producing high quality, high performance fluorine-doped tin oxide coatings |
US4710122A (en) | 1986-03-07 | 1987-12-01 | Villanueva Eliseo H | Machine for manufacturing flat bodies in a continuous line |
US5025094A (en) | 1985-07-10 | 1991-06-18 | Union Carbide Chemicals And Plastics Technology Corporation | Heterogeneous alkoxylation using anion-bound metal oxides |
US4732841A (en) | 1986-03-24 | 1988-03-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Tri-level resist process for fine resolution photolithography |
JPH07733B2 (ja) | 1986-11-13 | 1995-01-11 | サンスタ−技研株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
DE3738634C2 (de) | 1986-11-13 | 1996-11-14 | Sunstar Engineering Inc | Epoxyharzmasse mit darin dispergierten Siliconharzteilchen |
JPH01175118A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Central Glass Co Ltd | 透明導電膜の形成法 |
US4891303A (en) | 1988-05-26 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Trilayer microlithographic process using a silicon-based resist as the middle layer |
US5090985A (en) * | 1989-10-17 | 1992-02-25 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for preparing vaporized reactants for chemical vapor deposition |
JPH03148659A (ja) | 1989-11-06 | 1991-06-25 | Fujitsu Ltd | 電離放射線感応性ネガ型レジスト材料組成物 |
US7323581B1 (en) * | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
US5672243A (en) | 1995-11-28 | 1997-09-30 | Mosel Vitelic, Inc. | Antireflection coating for highly reflective photolithographic layers comprising chromium oxide or chromium suboxide |
US5698262A (en) * | 1996-05-06 | 1997-12-16 | Libbey-Owens-Ford Co. | Method for forming tin oxide coating on glass |
US5891985A (en) | 1996-10-09 | 1999-04-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Soluble mono-alkyl stannoic acid catalyst and its use in preparing high molecular weight polyesters |
US6183716B1 (en) | 1997-07-30 | 2001-02-06 | State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education Of Behalf Of Oregon State University | Solution method for making molybdate and tungstate negative thermal expansion materials and compounds made by the method |
DE69835276T2 (de) * | 1998-05-22 | 2007-07-12 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zur Herstellung einer selbst-planarisierten dielektrischen Schicht für eine seichte Grabenisolation |
WO2000003058A1 (en) | 1998-07-10 | 2000-01-20 | Ball Semiconductor, Inc. | Cvd photo resist and deposition |
US6060380A (en) | 1998-11-06 | 2000-05-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Antireflective siliconoxynitride hardmask layer used during etching processes in integrated circuit fabrication |
US6020269A (en) | 1998-12-02 | 2000-02-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ultra-thin resist and nitride/oxide hard mask for metal etch |
US6287951B1 (en) | 1998-12-07 | 2001-09-11 | Motorola Inc. | Process for forming a combination hardmask and antireflective layer |
US6194323B1 (en) | 1998-12-16 | 2001-02-27 | Lucent Technologies Inc. | Deep sub-micron metal etch with in-situ hard mask etch |
US6268457B1 (en) | 1999-06-10 | 2001-07-31 | Allied Signal, Inc. | Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography |
US6238734B1 (en) * | 1999-07-08 | 2001-05-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials |
US6197896B1 (en) | 1999-07-12 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Graft polymers and use thereof |
EP1094506A3 (en) | 1999-10-18 | 2004-03-03 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for extreme low dielectric constant films |
JP2004512672A (ja) | 2000-06-06 | 2004-04-22 | イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド | 電子材料製造法 |
US6420088B1 (en) | 2000-06-23 | 2002-07-16 | International Business Machines Corporation | Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer |
KR100731945B1 (ko) | 2000-12-28 | 2007-06-25 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 도전성 산화 주석 막의 패터닝 방법 |
AU2002243617A1 (en) * | 2001-01-17 | 2002-07-30 | Neophotonics Corporation | Optical materials with selected index-of-refraction |
US6844604B2 (en) | 2001-02-02 | 2005-01-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dielectric layer for semiconductor device and method of manufacturing the same |
US7312013B2 (en) * | 2001-04-09 | 2007-12-25 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Photoreactive composition |
US6521295B1 (en) * | 2001-04-17 | 2003-02-18 | Pilkington North America, Inc. | Chemical vapor deposition of antimony-doped metal oxide and the coated article made thereby |
KR20030057133A (ko) | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를 이용한 금속패턴 형성방법 |
JP4110952B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2008-07-02 | 株式会社村田製作所 | 誘電体薄膜の形成方法 |
CN100343417C (zh) * | 2002-03-19 | 2007-10-17 | 株式会社液晶先端技术开发中心 | 布线金属层的形成方法、选择性形成金属的方法、选择性形成金属的装置及基板装置 |
US6730454B2 (en) | 2002-04-16 | 2004-05-04 | International Business Machines Corporation | Antireflective SiO-containing compositions for hardmask layer |
US6946677B2 (en) | 2002-06-14 | 2005-09-20 | Nokia Corporation | Pre-patterned substrate for organic thin film transistor structures and circuits and related method for making same |
KR100520961B1 (ko) | 2003-05-30 | 2005-10-17 | 엘지전자 주식회사 | 인쇄회로기판의 제조방법 |
US6927108B2 (en) | 2003-07-09 | 2005-08-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Solution-processed thin film transistor formation method |
DE10345455A1 (de) | 2003-09-30 | 2005-05-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erzeugen einer Hartmaske und Hartmasken-Anordnung |
US7071121B2 (en) | 2003-10-28 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Patterned ceramic films and method for producing the same |
US7001821B2 (en) | 2003-11-10 | 2006-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming and using a hardmask for forming ferroelectric capacitors in a semiconductor device |
WO2005081065A1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Nippon Soda Co., Ltd. | 光感応性基体及びパターニング方法 |
US7773365B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-08-10 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Dielectric material |
US7312165B2 (en) * | 2004-05-05 | 2007-12-25 | Jursich Gregory M | Codeposition of hafnium-germanium oxides on substrates used in or for semiconductor devices |
TW200606277A (en) * | 2004-06-15 | 2006-02-16 | Aviza Tech Inc | System and method for forming multi-component dielectric films |
US20060088962A1 (en) | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Herman Gregory S | Method of forming a solution processed transistor having a multilayer dielectric |
DE102005002960A1 (de) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Kompositzusammensetzung für mikrogemusterte Schichten mit hohem Relaxationsvermögen, hoher chemischer Beständigkeit und mechanischer Stabilität |
JP2006284947A (ja) | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遮光膜用感光性樹脂組成物、遮光膜の作製方法、転写材料及びその製造方法 |
KR100643570B1 (ko) | 2005-06-28 | 2006-11-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
JP4699140B2 (ja) | 2005-08-29 | 2011-06-08 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
US8969865B2 (en) | 2005-10-12 | 2015-03-03 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor film composition |
JP5362176B2 (ja) | 2006-06-12 | 2013-12-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
DE102006033280A1 (de) * | 2006-07-18 | 2008-01-24 | Leibniz-Institut Für Neue Materialien Gemeinnützige Gmbh | Kompositzusammensetzung für mikrostrukturierte Schichten |
US20080055597A1 (en) | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Jie-Wei Sun | Method for characterizing line width roughness (lwr) of printed features |
JP4844299B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2011-12-28 | Tdk株式会社 | ホログラム記録材料、その製造方法及びホログラム記録媒体 |
JP2008091215A (ja) | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Nitto Kasei Co Ltd | 酸化錫膜形成剤、該酸化錫膜形成剤を用いる酸化錫膜形成方法、及び該形成方法により形成される酸化錫膜 |
KR20110137400A (ko) | 2006-11-01 | 2011-12-22 | 더 스테이트 오브 오레곤 액팅 바이 앤드 쓰루 더 스테이트 보드 오브 하이어 에쥬케이션 온 비해프 오브 오레곤 스테이트 유니버시티 | 용액 처리된 박막들 및 적층체들, 상기 박막들 및 적층체들을 포함하는 장치들, 및 그들의 사용 방법 및 제조 방법 |
TWI334177B (en) | 2007-03-29 | 2010-12-01 | Nanya Technology Corp | Method for forming a semiconductor device |
US7709056B2 (en) | 2007-05-16 | 2010-05-04 | Uchicago Argonne, Llc | Synthesis of transparent conducting oxide coatings |
US7799503B2 (en) | 2007-05-17 | 2010-09-21 | International Business Machines Corporation | Composite structures to prevent pattern collapse |
US7718546B2 (en) | 2007-06-27 | 2010-05-18 | Sandisk 3D Llc | Method for fabricating a 3-D integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon |
US20090087561A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal and metalloid silylamides, ketimates, tetraalkylguanidinates and dianionic guanidinates useful for cvd/ald of thin films |
CN101441415A (zh) * | 2007-10-12 | 2009-05-27 | 气体产品与化学公司 | 抗反射涂层 |
US20090174036A1 (en) | 2008-01-04 | 2009-07-09 | International Business Machines Corporation | Plasma curing of patterning materials for aggressively scaled features |
KR100954541B1 (ko) | 2008-03-20 | 2010-04-23 | 한국화학연구원 | 신규의 주석 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법 |
JP2011524627A (ja) | 2008-03-27 | 2011-09-01 | ステイト オブ オレゴン アクティング バイ アンド スルー ザ ステイト ボード オブ ハイヤー エデュケーション オン ビハーフ オブ オレゴン ステイト ユニバーシティー | 溶液処理薄膜および積層体、薄膜および積層体を備えた装置、その使用および製造方法 |
EP2123659A1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-11-25 | Arkema France | High purity monoalkyltin compounds and uses thereof |
JP2010094583A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Nippon Soda Co Ltd | 有機薄膜の製造方法 |
GB2466486A (en) * | 2008-12-23 | 2010-06-30 | Dow Corning | Moisture curable composition |
KR20110064153A (ko) | 2009-12-07 | 2011-06-15 | 삼성전자주식회사 | 금속 유기 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 전도성 금속막 또는 패턴 형성방법 |
US8366967B2 (en) | 2010-02-22 | 2013-02-05 | Inpria Corporation | Metal chalcogenide aqueous precursors and processes to form metal chalcogenide films |
US8435728B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-05-07 | Tokyo Electron Limited | Method of slimming radiation-sensitive material lines in lithographic applications |
WO2011123675A1 (en) | 2010-04-01 | 2011-10-06 | President And Fellows Of Harvard College | Cyclic metal amides and vapor deposition using them |
US9176377B2 (en) | 2010-06-01 | 2015-11-03 | Inpria Corporation | Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods |
TW201224190A (en) * | 2010-10-06 | 2012-06-16 | Applied Materials Inc | Atomic layer deposition of photoresist materials and hard mask precursors |
US20130253161A1 (en) | 2010-12-08 | 2013-09-26 | Masaaki Amako | Methods Of Modifying Metal-Oxide Nanoparticles |
US9281207B2 (en) * | 2011-02-28 | 2016-03-08 | Inpria Corporation | Solution processible hardmasks for high resolution lithography |
JP2012203061A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Jnc Corp | 金属アルコキシドを含有する感光性組成物及びそれを用いたパターン状透明膜の製造方法 |
US8703386B2 (en) | 2012-02-27 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Metal peroxo compounds with organic co-ligands for electron beam, deep UV and extreme UV photoresist applications |
US9632411B2 (en) * | 2013-03-14 | 2017-04-25 | Applied Materials, Inc. | Vapor deposition deposited photoresist, and manufacturing and lithography systems therefor |
US9477087B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-10-25 | 3DIcon Corporation | Holoform 3D projection display |
US9005875B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-04-14 | Intel Corporation | Pre-patterned hard mask for ultrafast lithographic imaging |
US20140303283A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-10-09 | The Sherwin-Williams Company | Curable compositions |
US9310684B2 (en) * | 2013-08-22 | 2016-04-12 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
US9372402B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-06-21 | The Research Foundation For The State University Of New York | Molecular organometallic resists for EUV |
JP6167016B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2017-07-19 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物 |
US9778561B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Vacuum-integrated hardmask processes and apparatus |
JP6572899B2 (ja) | 2014-09-17 | 2019-09-11 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
WO2016043198A1 (ja) | 2014-09-17 | 2016-03-24 | Jsr株式会社 | パターン形成方法 |
EP4050014A3 (en) * | 2014-10-23 | 2022-12-14 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
US10695794B2 (en) * | 2015-10-09 | 2020-06-30 | Asm Ip Holding B.V. | Vapor phase deposition of organic films |
US10228618B2 (en) * | 2015-10-13 | 2019-03-12 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
JP2018017780A (ja) | 2016-07-25 | 2018-02-01 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 |
KR20180063754A (ko) | 2016-12-02 | 2018-06-12 | 삼성전자주식회사 | 주석 화합물, 그의 합성 방법, ald용 주석 전구체 화합물 및 함주석 물질막의 형성 방법 |
KR20190099429A (ko) | 2016-12-28 | 2019-08-27 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 조성물, 패턴 형성 방법 및 금속 산화물 |
EP3564751A4 (en) | 2016-12-28 | 2020-10-14 | JSR Corporation | RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING PROCESS, METAL-CONTAINING RESIN AND ASSOCIATED MANUFACTURING PROCESS |
EP3575872A4 (en) | 2017-01-26 | 2020-08-26 | JSR Corporation | RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION AND STRUCTURAL FORMING PROCESS |
WO2018168221A1 (ja) | 2017-03-13 | 2018-09-20 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及びパターン形成方法 |
-
2016
- 2016-10-12 US US15/291,738 patent/US10228618B2/en active Active
- 2016-10-12 KR KR1020237007653A patent/KR20230035713A/ko active IP Right Grant
- 2016-10-12 EP EP22182846.0A patent/EP4089482A1/en active Pending
- 2016-10-12 KR KR1020217036130A patent/KR102508142B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-12 EP EP23197585.5A patent/EP4273625A3/en active Pending
- 2016-10-12 KR KR1020187013486A patent/KR102204773B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-12 CN CN201680060193.7A patent/CN108351594B/zh active Active
- 2016-10-12 KR KR1020217000995A patent/KR102346372B1/ko active IP Right Grant
- 2016-10-12 JP JP2018518688A patent/JP6805244B2/ja active Active
- 2016-10-12 CN CN202110706883.8A patent/CN113534609A/zh active Pending
- 2016-10-12 EP EP21168191.1A patent/EP3896520B1/en active Active
- 2016-10-12 EP EP16856109.0A patent/EP3391148B1/en active Active
- 2016-10-12 WO PCT/US2016/056637 patent/WO2017066319A2/en active Application Filing
- 2016-10-13 TW TW110109337A patent/TWI761135B/zh active
- 2016-10-13 TW TW105133028A patent/TWI744252B/zh active
- 2016-10-13 TW TW110105065A patent/TWI783376B/zh active
- 2016-10-13 TW TW110105064A patent/TWI777408B/zh active
-
2019
- 2019-01-03 US US16/238,779 patent/US10775696B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-29 US US16/861,333 patent/US10732505B1/en active Active
- 2020-08-06 US US16/987,120 patent/US11537048B2/en active Active
- 2020-12-03 JP JP2020200742A patent/JP7179816B2/ja active Active
-
2022
- 2022-06-06 US US17/832,920 patent/US11809081B2/en active Active
- 2022-07-06 US US17/858,129 patent/US11754924B2/en active Active
- 2022-07-06 US US17/858,172 patent/US20220334488A1/en active Pending
- 2022-09-07 US US17/939,328 patent/US20230004090A1/en active Pending
- 2022-11-16 JP JP2022183177A patent/JP7483833B2/ja active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021528536A (ja) * | 2018-06-21 | 2021-10-21 | インプリア・コーポレイションInpria Corporation | モノアルキルスズアルコキシドの安定な溶液、並びにそれらの加水分解生成物及び縮合生成物 |
JP7295891B2 (ja) | 2018-06-21 | 2023-06-21 | インプリア・コーポレイション | モノアルキルスズアルコキシドの安定な溶液、並びにそれらの加水分解生成物及び縮合生成物 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6805244B2 (ja) | 有機スズオキシドヒドロキシドのパターン形成組成物、前駆体およびパターン形成 | |
TWI715463B (zh) | 以有機金屬溶液為主之高解析度圖案化組合物及相對應之方法 | |
TWI843035B (zh) | 用於形成有機錫層之裝置及方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190328 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6805244 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |